Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

Шмидт Екатерина Вадимовна

ИССЛЕДОВАНИЕ КВАДРУПОЛЬНЫХ ЭФФЕКТОВ В ПЕКТРАХ ЯМР б3Си, П51п,69Са ПОЛУПРОВОДНИКОВ!»] СОЕДИНЕНИЙ СО СТРУКТУРОЙ ХАЛЬКОПИРИТА

01.04.10 - Физика полупроводников

1 9 НОЯ

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Казань - 2009

003483937

Работа выполнена в ГОУ ВПО «Казанский государственный энергетический университет»

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук

Ермаков Владимир Львович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор

Усачев Александр Евгеньевич

Ведущая организация: ГОУ ВПО «Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева»

Защита состоится 4 декабря 2009 г. в 14 час. 30 мин, на заседании диссертационного совета Д 212.082.01 при ГОУ ВПО «Казанский государственный энергетический университет» по адресу: 420066, г. Казань, ул. Красносельская, 51. Тел./факс (843)562-43-30.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные печатью учреждения, просим направлять по адресу: 420066, г. Казань, ул. Красносельская, 51, КГЭУ, Ученому секретарю диссертационного совета Д 212.082.01.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке ГОУ ВПО «Казанский государственный энергетический университет», с авторефератом диссертации — на сайте http://www.kgeu.ru

Автореферат разослан » 2009 г.

кандидат физико-математических наук Тогулев Павел Николаевич

Ученый секретарь диссертационного совета

Р.И. Калимуллин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы. В настоящее время во всем мире большое внимание уделяется развитию полупроводниковой гелиоэнергетики, в частности, поиску новых перспективных материалов. Полупроводниковые соединения А^'С^г (где А1 - Си, А§; Вш - А1, в а, 1п; СУ1 - Б, 8е, Те) со структурой природного минерала халькопирита (СиРеБ2) представляют собой группу одних из наиболее перспективных материалов для создания дешевых и эффективных солнечных батарей. Среди этих соединений особое внимание привлекают соединения Си1п$2 Си1пЗе2 и Си1пТе2, поскольку значение ширины запрещенной зоны для указанных материалов близко к максимуму интенсивности спектра солнечного излучения (ширина запрещенной зоны для Си1п82 Е§=1,55 эВ), а коэффициент поглощения света у этих полупроводников чрезвычайно велик (измеренное значение этого параметра 6 х 107 м"1 оказывается максимальным при сопоставлении с опубликованными данными для всех известных материалов). К настоящему времени на основе этих соединений в промышленном масштабе производятся модули размером 125x65 см2 и к.п.д. 7,6% [1]. Соединения с кристаллической структурой халькопирита, легированные Мп, оказались также перспективными для использования в устройствах спинтроники благодаря сравнительно высоким значениям температуры магнитного упорядочения [2]. В этой связи особое внимание уделяется твердым растворам СиСаТе2{Мп} с двойным замещением марганца в катионных подрешетках.

Однако серьезным сдерживающим фактором для разработки высокоэффективных устройств на основе сложных полупроводниковых соединений являются происходящие в них процессы дефектообразования, приводящие к невоспроизводимости свойств и деградации характеристик. В первую очередь это касается стехиометрических дефектов, т.е. нарушений в структуре кристаллов химических соединений, возникающих из-за недостатка или избытка одной из компонент по сравнению со стехиометрической формулой. Такой недостаток или избыток одной из компонент может

возникнуть как вследствие чисто технологических условий выращивания кристаллов и их дальнейшей термической обработки, так и вследствие требований термодинамической устойчивости дефектных структур. Поэтому является ^актуальным исследование дефектной структуры многокомпонентных полупроводниковых соединений группы А1ВШСУ12. Одним из эффективных методов исследования дефектов и искажений кристаллической решетки является изучение квадрупольных эффектов в ЯМР спектрах кристаллов.

Примесные атомы или молекулы, вакансии, дислокации, напряжения решетки создают в месте расположения ядер квадрупольных атомов градиенты электрических полей (ГЭП), меняющие свою величину и направление в различных точках решетки в зависимости от распределения нерегулярностей. В состав полупроводниковых соединений со структурой халькопирита входят атомы, имеющие квадрупольные ядра, т.е. ядра со спином I > 1/2 (Си, 1п, ва). Ранее методы ЯМР уже были использованы для изучения дефектной структуры и диффузии атомов меди Си(1) в соединениях А'вшСУ12 [3-5]. Вместе с тем, проведенный анализ литературных данных показал различия в полученных результатах, в частности, обнаружен большой разброс в значениях константы квадрупольной связи ядер меди.

Цель диссертационной работы. Цель настоящей диссертационной работы состояла в исследовании квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Си, 69Са и 1,51п в нестехиометрических и легированных соединениях на базе полупроводников Си1п32 и СиОаТе2. Для её достижения необходимо было решить следующие задачи:

1. Проведение сравнительных исследований спектров ЯМР 63Си и п51п в нестехиометрических образцах полупроводникового соединения Си1п52.

2. Исследование спектров ЯМР б3Си и б9Оа в легированных Мп образцах полупроводникового соединения СиОаТег-

3. Численное моделирование полученных спектров с целью получения параметров ядерных квадрупольных взаимодействий 63Си, 6'0а и 1|51п.

4. Выявление особенностей дефектной структуры в ближайшем окружении катионных позиций полупроводникового соединения Си!п82.

На защиту выносятся:

1. Экспериментальные данные спектров ЯМР бзСи и п51п в кристаллах нестехиометрических соединений на основе полупроводника CuInS2.

2. Экспериментальные данные спектров ЯМР б3Си и 69Ga в кристаллах соединений на основе полупроводника CuGaTe2, легированных марганцем.

3. Результаты численного моделирования полученных спектров ЯМР, позволившие определить основной параметр ядерных квадрупольных взаимодействий - константу квадрупольной связи ядер 63Си, И51п и 69Ga в исследованных соединениях

4. Определение вероятных комбинаций точечных дефектов в ближайшем структурном окружении катионов в полупроводниковом соединении CuInS2 (вакансии атомов серы Vs, медь в подрешетке серы Cus, бивакансии серы Vs + Vs, дефектная пара Vs + Cus).

Научная новизна диссертационной работы определяется следующими результатами:

1. Исследованы спектральные параметры ЯМР 63Сц и и51п нестехиометрических образцов полупроводникового соединения CuInS2, синтезированных из химических элементов как с неравным соотношением катионов (NCu/Nin ^ 1) (образцы серии №1 и №3), так и синтезированных из химических элементов с эквиатомным отношением катионов (Ncu^Nin= 1) (образцы серии № 2).

2. Исследованы спектральные параметры ЯМР 63Си и 69Ga в образцах, полученных в результате легирования полупроводникового соединения CuGaTe2 марганцем (Мп).

3. По данным экспериментального изучения спектров ЯМР бзСи, П51п и 69Ga в нестехиометрических и легированных образцах " úá базе полупроводниковых соединений CuInS2 и CuGaTe2 было выполнено численное моделирование и определены значения константы квадрупольной связи ядер б3Си, "51п и 69Ga.

4. Полученные спектры ЯМР в нестехиометрических образцах CuInS2 позволили определить вероятные комбинации точечных дефектов в ближайшем

окружении катионов этого соединения (вакансии атомов серы Vs, медь в подрешетке серы Cus, бивакансии серы Vs + Vs, дефектная пара Vs + Cus).

Практическая значимость полученных результатов определяется широким применением полупроводниковых соединений с кристаллической структурой халькопирита в гелиоэнергетике и спинтронике. Полученные в диссертации результаты важны как для более глубокого понимания физических процессов, происходящих в исследованных соединениях, так и для развития теории ядерных квадрупольных взаимодействий в полупроводниковых кристаллах.

Достоверность результатов работы определяется тем, что они получены с помощью надежных современных методик, хорошо воспроизводятся и подтверждаются приведенными расчетами и оценками макроскопических величин для данных кристаллов.

Личный вклад автора диссертации заключается в:

1) проведении исследований спектров ЯМР 63Cu, |151п и 69Ga в образцах полупроводниковых соединений с кристаллической структурой халькопирита;

2) выполнении численного моделирования полученных спектров с целью получения значений константы квадрупольной связи 63Cu, "51п и 69Ga;

3) участии в обсуждении результатов измерений, выполненных на исследованных образцах.

Часть исследований была выполнена в лаборатории фотохимии КФТИ имени Е.К. Завойского КазНЦ РАН.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на III Молодежной международной научной конференции «Тинчуринские чтения» (Казань, 2008), IV Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела. ФТТ-2009» (Минск, 2009), XIV Всероссийской конференции «Структура и динамика молекулярных систем» (Москва, 2007), Международной научно-технической конференции «Энергетика-2008: инновации, решения, перспективы» (Казань, 2008), Пятнадцатой Всероссийской научной конференции студентов - физиков и молодых ученых (Кемерово - Томск, 2009).

Публикации. Основное содержание диссертации опубликовано в 3 научных статьях в журналах, входящих в Перечень ВАК, и 7 материалах докладов международных и всероссийских конференций.

Структура и объем диссертации. Диссертация. состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, включающего 96 наименований. Работа изложена на 105 страницах машинописного текста, содержит 27 рисунков и 9 таблиц.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении приводится обоснование актуальности выбора те\ш диссертационной работы, методов исследования, новизны, выбора объектов исследования и краткое содержание работы:

В первой главе приведен обзор литературы, в котором рассмотрены результаты экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию диаграмм состояний, кристаллической структуры и фазовых переходов, точечных дефектов, электрофизических свойств и зонной структуры полупроводниковых соединений с кристаллической структурой халькопирита.

Вторая глава посвящена методическим вопросам исследования квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР. Для проведения эксперимента нами были выбраны образцы в виде порошка с характерным размером частиц < 50 мкм. ЯМР исследования были выполнены при температуре Т = 290 К на спектрометре Bruker Avance-400. Резонансные спектры наблюдались на частотах v= 106,14 МГц (для 63Си) и 87,67 МГц (для ш1п). Образцы имели объем 0,3 см3; хорошее отношение сигнал-шум было получено нами после накопления 1000...2000 переходных процессов. Для сравнения линий в исследованных образцах измерения были выполнены при одинаковой длительности зондирующего импульса. Спектры получали Фурье-преобразованием спада свободной индукции после 90-градусного импульса длительностью 3 мкс.

В третьей главе приведены результаты экспериментального исследования спектров ЯМР б3Си и П51п в нестехиометрических образцах

полупроводникового соединения Си1п82. Были исследованы образцы трех серий. Первая серия образцы Си1п82, обогащенные Си28 с 1% замещением атомов индия атомами меди и соответствующие составам Си 1,02^0,9882 и Сщд^Пу^^м. Вторая серия - образцы Си1п82 с эквиатомным соотношением катионов; для этих образцов отношение катионов N<^/N1,, равно 1, а составы соответствуют СиГпБг и СиГпБзд». Третья серия - образцы Си1п82, обогащенные 1п283 с 1% замещением атомов меди атомами индия и соответствующие составам Си^мЬ^даЗг и Си0,98^1,0282,02-

►у

Iм

8« В

2 1 0-1 -2 Частота, Ю'Тц

J 6)

7 __

Частота, Ю Гц

Частота. Ю Гц

Частота, 10" 1'ц

Рис. 1. Спектр ЯМР 63Си Си1п82, обогащенного Сш8 (а - Си1,02^По,98^2)

б - Си),02^0,^ | ,9в)

Частота, 10 5 Гц

Рис. 2. Спектр ЯМР "Си СиГпЯг, с эквиатомным соотношением катионов (а-Си1п52,б-Си1п82,02).

Частота, Ю Гц

Рис. 3. Спектр ЯМР 63Си СиМг, обогащенного и^э (а - Cuo.98ln1.02S2, б - Сио,981П1,0232,02)

Общий вид экспериментальных спектров ЯМР 63Си в образцах первой серии показан на Рис. 1. Спектры ЯМР 63Си (ядерный спин 63Си I = 3/2) состоят из центрального пика, форма которого определяется анизотропией химического сдвига, и широкого спектра, представляющего собой боковые квадрупольно уширенные переходы. Сателлиты, обусловленные переходами (±3/2<->±1/2), возникают за счет квадрупольных взаимодействий первого порядка и распределены в частотном диапазоне 200...300 кГц, центральный пик имеет ширину 10...20 кГц. Ввиду конечной длительности импульса видимая

интенсивность центральной линии и боковых сателлитов искажена.1 Параметры спектров ЯМР 63Си этой серии близки к параметрам спектра ЯМР 63Си для образцов второй серии с эквиатомным соотношением катионов (Рис. 2). В спектрах ЯМР 63Си образцов третьей серии можно обнаружить заметное уширение, как центрального пика, так и квадрупольной части спектра (Рис. 3).

Спектры ЯМР 1151п (ядерный спин 1151п 1 = 9/2) в образцах Си1п82, обогащенных Си28, имеют центральный узкий пик шириной 10... 15 кГц и нескольких симметрично расположенных квадрупольно уширенных боковых переходов, находящихся в частотном диапазоне шириной 400 кГц (Рис. 4).

Форма центрального пика практически одинакова, в то время как ширина

»

квадрупольной части спектра оказалась несколько больше, чем в спектрах ЯМР 1 |51п образцов стехиометрического состава (Рис. 5).

Частота, 10" Гц

Рис. 4. Спектр ЯМР ш1п СиШЗг, обогащенного СигЭ (a-Cu1.02In0.9sS2, б- Си), ог!по, 9«$1,98)

Частота, 10" Гц

Рис. 5. Спектр ЯМР п51п Си1п$2 с эквиатомным соотношением катионов (а - СиШг, б - СиТпБг.ог).

Частота, 10* Гц

Рис. 6. Спектр ЯМР 11!1п СиЬхБз, обогащенного 1пг8з (а - С ио,9а1п 1,02^2, б - Сио,981111,0282,02)

В спектрах ЯМР образца Си1п82,о2> синтезированного при избытке серы, на фоне широкого квадрупольно уширенного спектра наблюдаются искажения. Возможно, это связано с тем, что внедрение дополнительных атомов серы приводит к искажению в ближайшем окружении металлических атомов.

Спектры ЯМР "51п в образцах Си1п82, обогащенных 1п283, приведены на Рис. 6. Основной особенностью полученных спектров ЯМР П51п является существование набора с обеих от центрального пика сторон не четырех, как это соответствовало бы случаю ядерного спина I = 9/2, а большего числа линий в квадрупольной части спектра, что указывает на существование в ближайшем окружении атомов индия нескольких типов искажений.

В монокристаллических образцах анализ квадрупольно уширенной части спектра позволяет рассчитать константу квадрупольной связи (Осс). Для вычисления <3сс используется соотношение

V,

_ 3 e2qQ

, <Г 2/(2/-1)А'

где Уд - параметр квадрупольного расщепления, ея - главная компонента тензора ГЭП, eQ - квадрупольный момент ядра. Основная характеристика ядерных квадрупольных взаимодействий - константа квадрупольной связи, определяется как

е2Я е

Qc,

h

Для ядра 63Си имеем Q = -0,21 • 10"28 м2, для ядра 1 |51п имеем Q = 1,16-10"28 м2.

Так как спектры были получены от порошкообразных образцов, и по этой причине непосредственно определить константы квадрупольной связи не представлялось возможным, для их определения было проведено численное моделирование спектров с использованием программы Simpson [6]. На Рис. 7, 8 приведены расчетные спектры.

2 i О 3?

Частота, Ю^Гц

1 о Частота, 103Гц

Рис. 7. Расчетный спектр ЯМР Си

Рис. 8. Расчетный спектр ЯМР 115 In

Видно, что характерные сингулярности, наблюдаемые в расчетных спектрах, сильно сглажены в реальных спектрах. Это следствие того, что анализируются только квадрупольные эффекты и не учитывается уширение, вызванное анизотропией химического сдвига, и магнитное дипольное уширение. Сопоставление с литературными данными показывает, что это вносит ошибку около 7%. Полученные в процессе подгонки константы квадрупольной связи сопоставимы с известными литературными данными [3-5] и имеют значения Qcc - 0,3 МГц для 63Си; для |,51п можно определить два значения Qcc - 1,1 и 2,6 МГц, что указывает на существовании в ближайшем окружении атомов индия, по крайней мере, двух различных типов структурных искажений. Учитывая, что в идеальной тетрагональной структуре халькопирита ближайшее окружение и для ионов меди, и для ионов индия одно и то же, а именно - 4 иона серы, то в реальных кристаллах в ближайшем окружении и меди, и индия должны наблюдаться одни и те же структурные искажения. Поскольку в спектрах ЯМР "51п обнаруживаются особенности, а для спектров ЯМР 63Си - нет, то можно предположить, что эти искажения обусловлены замещением атомов серы атомами меди и появлением структурных дефектов Vs и Cus, в подтверждение чего служит способность CuInS2 растворять значительное количество Cu2S [7]. В таком случае возникнет широкое распределение ГЭП в месте расположения ядер 63Си, что приведет к размытию резонансных линий. В спектрах ЯМР U5In будут проявляться особенности, соответствующие различным структурным искажениям ближайшего тетраэдрического окружения. Примерно такое положение характерно и для спектра ЯМР П51п в соединении CuInSe^ где было обнаружено существование 8 неэквивалентных позиций индия [5]. Наиболее вероятными комбинациями структурных точечных дефектов в CuInS2 являются: Vs, Cus, Vs + Vs, Vs + Cus.

Четвертая глава посвящена изучению базового соединения CuGaTe2 и легированных Мп соединений Cuo^Gao^Mno^Tej и Cuo,93Gao,93Mrio,i4Te2 методами ЯМР 63Си и 59Ga. Полученные экспериментальные спектры ЯМР 63Си и 69Ga состояли из центрального пика, форма которого определяется

анизотропией химического сдвига, и широкого спектра, представляющего собой боковые квадрупольно уширенные переходы (рис. 9, а, б, №1).

Сателлиты, обусловленные переходами, возникающими за счет квадрупольных взаимодействий первого порядка, оказались слабыми по интенсивности; их пики незаметны и распределены в диапазоне 300 кГц. Легирование Мл приводило к значительному снижению интенсивности сигналов ЯМР и уширению линий. Спектры легированных образцов представляют собой одиночную асимметричную линию без какой-либо структуры (Рис. 9 а, б, №2, №3). Оценки <3сс дают следующие значения для б3Си и 69Са: в соединении СиОаТе2 Осс=0,55 МГц и Рсс=0.36 МГц; в легированном образце Сио,97Сао>97Мпо,обТе2 С>сс=0,38 МГц и С>сс=0,27 МГц; в легированном образце СиоиОао^зМпо^Дег (}сс=0,26 МГц и <3сс=0,24 МГц, соответственно.

Уменьшение констант квадрупольной связи при легировании можно связать с возрастанием параметров элементарной ячейки с увеличением концентрации легирующего компонента (Мп), поскольку ковалентный радиус Мп (1.39 А) оказывается больше, чем ковалентные радиусы ва (1.31 А) и Си (1.32 А). Ранее в работе [3] была отмечена корреляция константы квадрупольной связи ядер Си со степенью тетрагонального искажения 5 = 2 -с/а в медьсодержащих полупроводниковых соединениях с кристаллической структурой халькопирита. Действительно, степень тетрагонального искажения исследованных твердых растворов уменьшается

1 Л 1 •А £ Мй О [1 ё А § ..... " №1 1 0 -1 №2 .

к - 1 ол Т- №3 1 0 -1 1 частота, 105 Гц 1 0 -1 №3

1 0 -I Частота, 105Гц

Рис. 9 Спектры ЯМР 63Си (а). ЯМР 65 Оа (б) в соедтшешмх ЙиСтлТе2(№1), СиОаТе2 (Мм).

(5 = 0,016, образец №3) по сравнению с базовым соединением (5 = 0,017, образец №1), что соответствует обнаруженной корреляции. Высокая концентрация собственных дефектов в базовом соединении CuGaTe, связанная с изначальным отклонением от стехиометрии, и наличие ферромагнитных кластеров в легированных образцах CuGaTe2{Mn} могут быть дополнительными факторами, приводящими к значительному уширению резонансных ЯМР линий, поскольку квадрупольные постоянные весьма чувствительны к зарядам, локализованным на узлах кристаллической решетки.

В заключении работы подводится итог проведенным исследованиям и приводятся основные результаты и выводы. ,

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В- данной работе выполнены систематические исследования квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 69Ga, и51п полупроводниковых соединений со структурой халькопирита. Основные научные и практические результаты диссертации заключаются в следующем:

1. Изучены спектры ЯМР б3Си в образцах соединения CuInS2 с составом, варьирующимся в пределах области гомогенности (Cu2S - обогащенные, стехиометрические, In2S3 - обогащенные), и взятых для сравнения или с избыточным, или со стехиометрическим количеством серы. Численное моделирование позволило определить константу квадрупольной связи Qcc(63Cu) = 0,3 МГц. Для образцов, синтезированных при избыточном относительно стехиометрии количеством серы, в спектрах ЯМР обнаружены искажения, указывающих на появление в структуре вакансий атомов меди Vcu и вакансий атомов индия V!n.

2. Проведено исследование спектров ЯМР и51п в образцах соединения CuInS2 с составом, варьирующимся в пределах области гомогенности (Cu2S -обогащенные, стехиометрические, In2S3 - обогащенные), и взятых для сравнения или с избыточным, или со стехиометрическим количеством серы. Полученные спектры позволили выделить два значения константы

квадрупольной связи QCc(U5In) = 1,1 и 2,6 МГц, что указывает на существование н ближайшем окружении атомов индия в полупроводниковом соединении CuInS?, по крайней мере, двух различных типов структурных искажений. ■ •!:!:- '.;,! • П'У "'> '"л

3. Анализ особенностей, наблюдаемых в :> спектрах ЯМР 63Си, '>, указывает на существование определенного типа структурных дефекто(ъ.в ближайшем окружении металлических атомов. Наиболее вероятными комбинациями структурных точечных дефектов в полупроводниковом соединении CuInS2 являются: 1) вакансии атомов серы Vs; 2) атомы меди в подрешетке серы Cus; 3) бивакансии серы Vs + Vs; 4) дефектная пара Vs + Cus.

4. Исследованы базовое соединение CuGaTe2 и легированные Мп соединения Cuo^Gao у7Мпо1обТе2 и СиодзСао^зМпсщТег методами ЯМР 63Си и 6)Ga. Полученные экспериментальные спектры ЯМР свидетельствуют о больших структурных искажениях вблизи позиций металлических атомов (Cu, Ga) в кристаллической решетке соединений. Выполнены оценки констант квадрупольной связи ядер 63Си и 69Ga в исследованных соединениях.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Шмидт Е.В. Исследование полупроводникового соединения CuInS2 методами ядерного магнитного резонанса 63Си и 1151п / Хабибуллин И.Х., Матухин В.Л., Ермаков В.Л., Гнездилов О.И., Корзун Б.В., Шмидт Е.В. // Спб.: Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, Вып. 1, С. 3-6.

2. Шмидт Е.В. Спектры ЯМР Си в локальном поле в образцах магнитного полупроводника CuFeS2 / Хабибуллин И.Х., Шмидт Е.В., Матухин B.J1. // XX международная школа-семинар «Новые магнитные материалы микроэлектроники»: Сборник трудов. Москва: МГУ, 2006. С. 688.

3. Шмидт Е.В. ЯМР 63Си и 69Ga исследование полупроводниковых соединений со структурой халькопирита / Хабибуллин И.Х., Шмидт Е.В. // III молодежная международная научная конференция «Тинчуринские чтения»: Материалы докладов. Казань: КГЭУ, 2008. Т. 1. С. 199;.

4. Шмидт Е.В. ЯМР устройство управления спектрометром ИС-3 на базе микроконтроллера: режим измерения времен релаксации / Шмидт Е.В., Хабибуллин И.Х. // III молодежная международная научная конференция «Тинчуринские чтения»: Материалы докладов. Казань: КГЭУ, 2008. Т. 1. С. 200.

5. Шмидт Е.В. Исследование нестехиометрических образцов Си1п82 методами ЯМР 63Си и 1п // Пятнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых: Материалы конференции. Кемерово-Томск: издательство АСФ России, 2009. С. 234.

6. Шмидт Е.В. Исследование соединения СиОаТе2, легированного Мп,( методами ядерного магнитного резонанса 63Си и б9Са / Матухин В.Л., Ермаков В.Л., Гнездилов О.И., Шмидт Е.В., Сафонов А.Н., Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г. // Томск: Известия Высших учебных заведений. Физика. 2009. Т. 52. №8. С. 16-19.

7. Шмидт Е.В. Исследование полупроводников со структурой халькопирита методами ядерного магнитного резонанса / Хабибуллин И.Х., Матухин В.Л., Ермаков В.Л., Гнездилов О.И., Аминов Т.Г., Шмидт Е.В. // Международная научно-техническая конференция «Энергетика-2008: инновации, решения, перспективы»: Материалы докладов. Казань: КГЭУ, 2008. С. 140-142.

8. Шмидт Е.В. Исследование структурных дефектов в Си1пВ2 методом ЯМР / Матухин ВЛ., Хабибуллин ИХ., Шмидт Е.В., Ермаков В.Л., Гнездилов О.И., Корзун Б.В., Фадеева Е.А. // Международная научная конференция «Актуальные проблемы физики твердого тела. ФТТ-2009»: Сборник докладов. Минск: ОИФТТП НАН Беларуси, 2009. Т. 2, С160.

9. Шмидт Е.В. Определение структуры Си1п82 нестехиометрического состава методами ЯМР 63Си и и51п / Шмидт Е.В., Ермаков В.Л., Матухин В Л., Гнездилов О.И., Хабибуллин И.Х., Корзун Б.В., Фадеева Е.А. // Минск: Журнал прикладной спектроскопии. 2009. Т. 76. № 5. С. 10.

10. Шмидт Е.В. Спектры ЯМР 6ЭСи и 69ва в полупроводниковых соединениях СиОаТе2{Мп} / Шмидт Е.В., Хабибуллин И.Х. // IV

Международная молодежная научная конференция «Тинчуринские чтения»: Материалы докладов. Казань: КГЭУ, 2.009. Т. 1. С. 286-287.

Список цитируемой литературы:

[1] N. Meyer, A. Meeder, D. Schmid. Thin Solid Films 515, 5979 (2007).

[2] B.A. Иванов, Т.Г. Аминов, B.M. Новоторцев, В.Т. Калинников. Известия РАН. Сер. хим. №11.2255 (2004).

[3J K.D. Becker, S. Wagner. Phys. Rev. В, 27, 5240 (1983).

[4J P.E. Stallworth, J.-B. d'Espinose de la Caillerie, J. Maquet, F. Babonneau, J.-F. Guillemoles, M. Powalla, V. Lyakovitskaya, M. Yakushev, B. Tomlinson. Thin Solid Films, 387,235 (2001).

[5] V. Aubin, L. Binet, P. Stallworth, J.-F. Guillemoles. J. Phys. Chem. Solids, 64, 1633(2003).

[6] M.Bak, J.T. Rasmussen, N.C. Nielsen. J. Magnetic Resonance, 147,296 (2000).

[7] S. Fieshter, Y. Tomm, M. Kanis, R. Scheer, W. Kautek. Phys. Stat. Sol. B245, 1761 (2008).

, Отпечатано в ООО «Печатный двор», г. Казань, ул. Журналистов, 1/16, оф.207

Тел: 272-74-59, 541-76-41, 541-76-51. Лицензия ПД №7-0215 от 01.11.2001 г. • Выдача Поволжским межрегиональным территориальным управлением МПТР РФ. Подписано в Печать 23.10.2009 г. Усл. п.л 1,0 Заказ М> К-6787. Тираж 100 экз. Формат 60x841/16. Бумага офсетная. Печать - ризографам.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ С КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРОЙ ХАЛЬКОПИРИТА.

1.1. Закономерности образования тройных полупроводниковых фаз.

1.2. Тройные полупроводниковые алмазоподобные фазы.

1.3. Полупроводниковые соединения типа AIBII1CVI2.

1.3.1 Химические свойства и полиморфизм в CuInS2.

1.3.2. Зонная структура халькопиритовых полупроводников.

1.3.3. Электрические свойства халькопиритовых полупроводников.

1.4. Точечные дефекты в полупроводниковых кристаллах.

ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА.

2.1. ЯМР квадрупольных ядер в твердых телах.

2.1.1. Квадрупольное взаимодействие.

2.1.2. Спектр ЯМР, смещенный квадрупольным взаимодействием.

2.2. Экспериментальная методика импульсной ЯМР-спектроскопии.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НЕСТЕХИО-МЕТРИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ CuInS2 МЕТОДАМИ

ЯМР 63Си И 1151п.

лп

3.2. Спектры ЯМР Си в полупроводниковых нестехиометрических соединениях Си1п82 (катионная нестехиометрия).56

3.3. Спектры ЯМР 1151п в полупроводниковых нестехиометрических соединениях Си1п82 (катионная нестехиометрия).67

3.4. Спектры ЯМР б3Си и 1п в полупроводниковых нестехиометрических соединениях Си1п82 (анионная нестехиометрия).76

Заключение к главе III.79

1. Кардона М., П. Ю. Основы физики полупроводников // Пер. с англ. И.И. Решиной. Под ред. Б.П. Захарчени. - 3-е изд. - М.; ФИЗМАТЛИТ, 2002.- 1.BN 5-9221 - 0268-0-560 с.

2. Иванов В.А., Аминов Т.Г., Новоторцев В.М., Калинников В.Т. / Спинтроника и спинтронные материалы // Изв. Академии Наук. Сер. Хим.- 2004. № 11. 2255 с.

3. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties, and applications. Oxford: Pergamon Press, 1975.

4. Сликтер Ч. Основы теории магнитного резонанса. М.: Мир, 1981- 448с.

5. Гречишкин B.C. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах. М.: Наука, 1973-263с.

6. Lines М.Е. / Nuclear quadrupole coupling constants in I-III-VI2 chalcopyrite semiconductors. //Phys. Rev. B, 18, 4212 (1978).

7. Becker K.D., Wagner S. /Temperature — dependent nuclear magnetic resonance in CuInX2 (X = S, Se, Те) chalcopyrite structure compounds.// Phys. Rev. B, 27, 5240 (1983).

8. Stallworth P.E., Guillemoles J.-F., Flowers J., Vedel J., Greenbaum S.G. /NMR studies of CuInS2 and CuInSe2 crystals grown by the Bridgman method.// Solid State Commun., 113, 527 (2000).

9. Stallworth P.E., d'Espinose de la Caillerie J.-В., Maquet J., Babonneau F.,63Guillemoles J.-F., Powalla M., Lyakovitskaya V., Yakushev M., Tomlinson B. / Cu NMR studies of crystalline and thin - film CuInSe2. //Thin Solid Films, 387, 235 (2001).

10. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. Радио, 1968.-268 с.

11. Бергер Л.И., Прочухан В.Д. Тройные алмазоподобные полупроводники. — М.: Металлургия, 1968. 256 с.

12. Metzner Н., Brussler М., Husemann K.D., Lewerenz H.J.// Phys. Rev. 1991. В 44(21), p. 11614-11623

13. Gil E.R. //Phys. Stat. Sol. 1987. v. A70. №2. p. 519 523.

14. Бондарь И.В., Ворошилов Ю.В., Лукомский А.И./ Неорганические материалы.//Изв. АН СССР. 1977. Т. 13. №5. 912 922 с.

15. Binsma J.J.M. Giling L.J., Bloem J.//Phys. Stat. Sol. 1981. v. A63. №2. p. 595.

16. Kumar V.//J. Phys. Chem. Sol. 1987. v. 48. №9. p. 827 831.

17. Vinogradov E.A., Gasanly N.M., Gasanova L.G. / Infrared Reflectivity Spectra of Cu3In5S9 Layer Single Crystals. //Phys. Stat. Sol. 1987. v. В144. №1. p. K73 K76.

18. Deshpande A.T., Sapre V.B., Mande С./ X-ray spectroscopic study of some ternary compounds of the type AIBIIIC2vr and AlByC2vl II J. Phys. C: Sol. State Phys. 1984. v. 16. № 13. p. L433 -L435.

19. Deshpande A.T., Sapre V.B., Mande C. //Phys. State Sol. 1983. v. 8. № 1. p. K39 -K42.

20. Neumann H./ Simple theoretical estimate of surface energy, bulk modulus, and atomization energy of ABC2 compounds. //Cryst. Res. Technol. 1983. v. 18. № 11. p. 1391 -1396.

21. Mula G., de Pascale T.M., Casula F.//Progr. Cryst. Charact. 1985. V. 10. № 1 4: Proc. 6th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds. - Caracas. Aug. 15 - 17, 1984. p. 19-26.

22. Tell В., Shay J.L., Kasper Н.М./ Electrical properties, optical properties, and band structure of CuGaS2 and CuInS2. // Phys. Rev. B. 1971. v. 4. №8. p. 2463.

23. LookD.C., Manthuruthil J.E. //J. Phys. Solids. 1976. v. 37. №2. p. 173 180.

24. Mittelerman S.D., Singh R.//Sol. State Commun. 1977. v. 22. №10. p. 659 662.

25. Иванов B.A., Викторов И.А., Гременов В.Ф. /Излучательные и фотоэлектрические свойства монокристаллов CuInS2.// ЖТФ. Т.72, В.9.2002

26. Кагумов Т.К., Мамедов Ф.И., Рагимов И.Ф., Гусейналиев М.Г. Фотопроводимость в монокристаллах CuInS2. Нахичивань, 1983. Деп. в ВИНИТИ. 30.11.83. № 6420 - 13 с.

27. Wasim S.M., Marcano G., Sancher Rerez G.//Phys. Stat. Sol. 1983. V. A78. №2. p. 423-430.

28. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник./Под ред. Новоселовой А.В., Лазарева В.Б. М.: Наука, 1979. - 340 с.

29. Thwaites M.J., Tomlinson R.D., Hampshise H.J.//Ternary Compounds. Inv. Contrib. Pap. 3-rd Int. Conf. Edinburgh. 1977. Briston - London, 1977. p. 237.

30. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., И.В. Бондарь./ Поверхностно -барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание и свойства.// ФТП, , Т.40, В.9 2006 -1054-1061с.

31. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Пер. с англ. — М.: Мир, 1978 -654с.

32. Новиков И.И. Дефекты кристаллического строения металлов. М.: Металлургия, 1975 - 208с.

33. Абрагам А. Ядерный магнетизм, М.: Изд-во иностр. лит. 1963 551с.

34. Das Т.Р., Hahn E.L., Nuclear Quadrupole Resonance Spectroscopy. — N.Y.: Acad, press, 1958-223 p.

35. Cohen M.H, Reif F./ Quadrupole Effects in Nuclear Magnetic Resonance Studies of Solids.// Solid State Phys., 1957, 5, p. 321 438.

36. Фаррар Т., Беккер Э., Импульсная и фурье спектроскопия ЯМР. М.: Мир, 1973 - 163 с.

37. Хемберлен У., Меринг М. ЯМР высокого разрешения в твердых телах, М.: Мир, 1980-504 с.

38. Freude D., Haase J. Quadrupole Effects in Solid state NMR, NMR Basic Principles Prog. 1993, 29, 1 - 90.

39. Уо Дж. Новые методы ЯМР в твердых телах. М.: Мир, 1978 187 с.

40. Анферов В.П., Гречишкин B.C., Синявский Н.Я. Ядерный спиновый резонанс, новые методы. Л.: Изд. лен. университета, 1990 158 с.

41. Лундин А.Г., Федин Э.И. ЯМР спектроскопия. М.: Наука, 1986-222с.

42. Куркин М.И., Туров Е.А., ЯМР в магнитоупорядоченных веществах и его применения. М.гНаука, 1990- 243с.

43. Klenk R., Klaer J., Scheer R., Lux-Steiner M. Ch., Luck I., Meyer N., Rühle U. / Solar cells based on CuInS2-an overview.//Thin Sol. Films 2005, 480-481, 509.

44. Мудрый A.B., Иванюкович A.B., Якушев М.В., Мартин Р., Саад А. / Оптическая спектроскопия свободных экситонов в халькопиритом полупроводниковом соединении CuInS2. //ФТП, 2008, Т. 42, вып. 1,31с.

45. Хабибуллин И.Х., Матухин B.JL, Ермаков B.JL, Гнездилов О.И., Корзун Б.В., Шмидт Е.В. / Исследование полупроводникового соединения CuInS2 методами ядерного магнитного резонанса 63Си и 1151п //ФТП, 2009, Т. 43, вып. 1, 3-6 с.

46. Шмидт Е.В., Хабибуллин И.Х. / Особенности дефектной структуры нестехиометрических соединений CulnS2// Материалы докладов IV Международной молодежной научной конференции "Тинчуринские чтения"2009. Т. 1.271с.

47. Bak M., Rasmussen J.T, Nielsen N.C./ SIMPSON: A General Simulation Program for Solid-State NMR Spectroscopy.// J.Magnetic Resonance, 147, 296 (2000).

48. Guide G., Bucci C., Carretta P., R. De Renzi, Tedeschi R. Effects of oxygen stoichiometry on the copper NMR and NQR in YBaoCu^Oy-^ .// Solid State Commun. 1988, v. 68, №8, p. 759-763.

49. Матухин В.Л., Кальчев В.П., Лейтус Г.М., Погорельцев А,И., Сафин И.А., Шамрай В.Ф./ Оценка ГЭП на ядрах меди в YBa2Cu3Ox.// I Всесоюзное совещание по высокотемпературной сверхпроводимости: Тезисы докладов, Харьков, 1988, Т.2, 80-81 с.

50. Матухин В.Л., Мощалков В.В., Гиппиус A.A., Кальчев В.П., Сафин И.А./Ядерный квадрупольный резонанс Си в системе УВа2СизОх.// СФХТ, 1990, Т.З, №2, 40-45 с.

51. Matukhin V.L., Gippius A.A., Kalchev V.P., Moshalkov V.V., Safin I.A. / NQR Cu in YBa2Cu3Ox.// XII European crystallographic meeting: Collected Abstracts, Moscow, 1989, v. 1, p. 509.

52. Шмидт E.B., Ермаков В.Л., Матухин B.JI., Гнездилов О.И., Хабибуллин И.Х., Корзун Б.В., Фадеева Е.А. /Определение структуры CuInS2 нестехиометрического состава методами ЯМР 63Си и 1151п // Минск: Журнал прикладной спектроскопии, 2009, Т. 76, № 5, 10 с.

53. Шмидт Е.В./ Исследование нестехиометрических образцов CuInS2 методами ЯМР 63Си и In //Пятнадцатая Всероссийская научная конференция студентов — физиков и молодых ученых: Тезисы докладов, Кемерово-Томск: издательство АСФ России, 2009, 234 с.

54. Матухин B.JL, Хабибуллин И.Х., Шмидт Е.В., Ермаков B.JL, Гнездилов О.И., Корзун Б.В., Фадеева Е.А. /Исследование структурных дефектов, в CuInS2 методом ЯМР // Сб. докладов междунар. науч. конф. ФТТ-2009.- Минск. -2009. Т. 2, 160 с.

55. Fiechter S., Tomm Y., Kanis M., Scheer R., Kautek W. /On the homogeneity region, growth modes and optoelectronic properties of chalcopyrite-type CuInS2.// Phys. Stat. Sol. В 245, 1761 (2008).

56. H.Y. Ueng, H.L. Hwang / The defect structure of CuInS2. Part 1: intrinsic defects.// J. Phys. Rev. Chet. Solids, 1989, v. 50, № 12, p. 1297-1305.

57. Zhang S.B., Su-Huai Wei, and Alex Zunger. / Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor.// Phys. Rev. 1998, v. 57, № 16, p. 9642-9656.

58. Аксенов И.А., Корзун Б. В., Маковецкая JI.A., Соболев Н.А., Жуков С.П./ Энергетические уровни в CuInS2, связанные с собственными дефектами. // ФТП , 1989, т.23, вып. 9, 1696-1699 с.

59. Masse G., Lahlou N., Butti С. // J. Phys. Lett. 1981. v. 42. №.6. p. 449-460.

60. Masse G., Redjai E. / Radiative recombination and shallow centers in CuInSe // J. Phys. Chem. Sol. 1986. v. 47. №. 1. p. 99-104.

61. Ueng H.Y., Hwang H.L. / Defect identification in undoped and phosphorus-doped CuInS2 based on deviations from ideal chemical formula // J. Appl. Phys. 1987. v. 62. № 2. p. 434-439.

62. Matsumoto Т. /Fidelity of a i-error-correcting quantum code with more than t errors.// Phys. Rev. A 64, 022314 (2001)

63. Tchpkui Niat J.M. /Paramagnetic defects in as-grown and iron doped CuInSe2.// J. Phys.C: Solid State Phys., 15,1982, 4671-4687.

64. Stevens K.T., Halliburton L.E./ Electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance study of the neutral copper acceptor in ZnGeP2 crystals.// J. Phys.: Condens. Matter 15(2003) 1625-1633.

65. Sato K. / EPR studies of point defects in Cu-III-VI2 chalcopyrite semiconductors.// Phys 1996; 35 Part 1(4A): 2061-7.

66. Nishi Т., Medvedkin G., Katsumata Y., Sato K., Miyake H./EPR Stady of defects in CuGaSe2 Single Cryctals.// Jpn. J. Appl Phys 2001; 40 Part 1(1): 59-63.

67. Birkholz M. and Kanschat P. J. / Low — Temperature electron — paramagnetic — resonance study of extrinsic and intrinsic defect in CuGaSe2.// Phys. Rev. v. 59. №. 19. p. 12268-12271.

68. Wolf S.A. Spin electronics is it the technology of the future?// J. of Superconductivity Incorporating Novel Magnetism. 2000. V.13, №2, p.l.

69. Spin Electronics, Eds M. Ziese and Thornton M.J., Springer, Berlin, 2001, p. 500.

70. Baibich M.N., Broto J.M., Fert A., Nguyen F. Van Dau, and Petroff F./ Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices. // Phys. Rev. Lett., 1988, 61,2472

71. Binasch G., Grunberg P., Saurenbach F., and Zinn W./ Enhanced magnetoresistance in Fe-Cr layered structures with antiferromagnetic interlayer exchange.// Phys. Rev., B, 1989, 39, 4828.

72. Munekata H., Ohno H., S. von Molnar, Segmuller A., Chang L.L., and Esaki L./ Diluted magnetic III-V semiconductors. //Phys. Rev. Lett., 1989, 63, 1849.

73. Tsujii N., Kitazawa H., and Kido G./ Electric and Magnetic Properties of Mn-and Fe-Doped CuInS2.//Phys. Stat. Sol. (a) 189, № 3, 951-954 (2002).

74. Медведкин Г.А./ Мультивалентное замещение в квазибинарном Gaix(II-Mn-IV)xAs твердом растворе.// Письма в ЖТФ, 2002, т. 28, вып. 21, 22-28 с.

75. Медведкин Г.А., Ишибаши Т., Ниши Т., Сато К.// ФТП, 2001, Т. 35, В. 3, С. 305 -309.

76. Yu-Jun Zhao and Alex Zunger / Electronic structure and ferromagntism of Mn-substituted CuGaSe2, and CuGaTe2. // Phys. Rev. В 69, 104422 (2004).

77. Новоторцев B.M., Калинников B.T., Королева Л.И., Демин Р.В., Маренкин С.Ф., Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г., Бойчук C.B., Иванов В.А. / Высокотемпературный ферромагнитный полупроводник CdGeAs2{Mn}. // Журнал неорганической химии, 2005, т.50, № 4, 553-557 с.

78. Новоторцев В.М., Варнавский С.А., Маренкин С.Ф., Королева Л.И., Демин Р.В., Трухан В.М., Климонский С.О., Кузнецов В.Д. / Ферромагнитный материал CdGeP2:Mn для спинтроники. // Журнал неорганической химии, 2006, т.51, № 8, 1237-1240 с.

79. Яржемский В.Г., Мурашов C.B., Нефедов В.И., Муравьев Э.Н., Молчанов A.B., Багатурьянц A.A., Книжник A.A., Морозова В. А./ Зонная структура разбавленного магнитного полупроводника MnxCdixGeAs2// Неорганические материалы, 2006, т.42, №8, 1-4 с.

80. Новоторцев В.М., Шабунина Г.Г., Королева Л.И., Аминов Т.Г., Демин Р.В., Бойчук C.B. / Суперпарамагнетизм в твердых растворах на основе соединения CuGaTe2.// Неорганические материалы, 2007, т.43, №1, 14с.

81. Королева Л.И., Павлов В.Ю., Защиринский Д.М., Маренкин С.Ф., Варнавский С.А., Шимчак Р., Добровольский В., Киллинский Л. / Магнитные и электрические свойства халькопирита ZnGeAs2: Мп.// ФТТ, 2007, т.49, вып.11, 2022-2026 с.

82. Янушкевич К.И.,Викторов И.А.,БондарьИ.В./Кристаллическая структура и магнитная восприимчивость(Си1п8е2)1х(2Мп8е)х.//ФТТ,2009,т.51 ,вып. 1, 104с.

83. Королева Л.И., Защиринский Д.М., Хапаева Т.М., Маренкин С.Ф., Федорченко И.В., Шимчак Р., Крзуманска Б., Добровольский В., Киланский Л. / Новый материал спинтроники халькопирит ZnSiAs2, легированный марганцем. // ФТТ, 2009, т.51, вып. 2, 286-291 с.

84. Гуденко C.B., Аронзон Б.А., Иванов В.А./ Изучение обменных взаимодействий ионов Мп в матрице CdGeAs2 методом ЭПР.// Письма в ЖЭТФ, 2005, т.82, вып. 8, 591-597 с.of сЛ iT-i?/

85. Zener С. /Interaction between the d shells in the transition metals// Phys. Rev. v. 31. p. 440-444.

86. Kaminski A., Galitski V.M., Das Sarma S. Ferromagnetic and Random Spin Ordering in Diluted Magnetic Semiconductors// Phys. Rev. B. 2004. v. 79. 115216.

87. Marin G., Sanchez Perez G., Marcano G., Wasim S.M., Rinson C. / Characterization of CuGaTe2 grown dy the Tellurization of Cu in liquid phase// Jornal of Physics and Chemistry of Solids 64 (2003) 1869-1872.

88. Шмидт E.B., Хабибуллин И.Х. /Спектры ЯМР 63Cu и 69Ga в полупроводниковых соединениях СuGaTe2 {Мп}//Материалы докладов IV-й международной молодежной научной конференции «Тинчуринские чтения» 2009, т.1, 286-287с.

89. Spiess H.W., Haeberlen U., Brandt G., Rauber A., and Schneider J. / Nuclear magnetic resonance in IB -III-VI2 semiconductors. // Phys. Stat. Sol. (b) 62, 183 (1974).

90. Breuer A. and Siebert D. / Nuclear quadrupole interaction of 69Ga in AsGaS2 and AgGaSe2. // Phys. Stat. Sol. (b) 203, 207 (1997).95. Bruker Almanac (1996).

91. Raghavan P., Ftomic Data and Nuclear Data Tables 42, 189 (1989).