Фазовые равновесия и свойства полупроводниковых сплавов в системе кадмий- индий- теллур тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

1 ФАЗОВЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ И СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ В СИСТЕМАХ АП-ВШ-СУ1.

1.1 Фазовые равновесия в системах А1*- Су*, основные соединения и некоторые их свойства

1.1.1 Теллурид кадмия .II

1.2 Фазовые равновесия в системах Вш- Су*

1.2.1 Особенности взаимодействия индия с теллуром

1.2.2 Основные свойства халькогенидов индия

1.3 Фазовые равновесия в системе кадмий- индий

1.4 Фазовые равновесия в сечениях А^СУ1- В^С^ и некоторые свойства соединений A^BjjfcJ*

1.4.1 Фазовые равновесия в разрезах АПСУ*

1.4.1.I Система

1.4.2 Некоторые физико- химические;и физические свойства соединений АПв|с^.,.

ВЫВОДЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

2 ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ФАЗ В РАЗРЕЗАХ СИСТЕМЫ КАДМИЙ-ИНДИЙ-ТЕЛЛУР.

2.1 Методика получения и исследования сплавов

2.1.1 Получение и гомогенизация сплавов

2.1.2 Дифференциальный термический анализ (ДТА)

2.1.3 Микроструктурный анализ

2.1.4 Рентгенографические исследования

2.2 Исследование сплавов разреза WFe-fn/ .•••••• ^

2.3 Исследование сплавов разреза МТе - In Те

2.4 Уточнение фазового равновесия в системе индий- теллур с использованием тройных сплавов кадмий- индий- теллур.

2.5 Фазовые равновесия в разрезах -Т?г.дГ<?7 и Те --(М1п, + 0,4Те)

ВЫВОДЫ

3 ФАЗОВОЕ РАВНОВЕСИЕ И ПОВЕРХНОСТЬ ЛИКВИДУСА СИСТЕМЫ КАДМИЙ-ИНДИЙ- ТЕЛЛУР

3.1 Фазовое равновесие в системе fict-fw

3.2 Фазовое равновесие в системе №Те -In,-ГпТе

3.3 Фазовое равновесие в системе №2е-1пТе.

3.4 Фазовое равновесие в системе

3.5 Поверхность ликвидуса тройной системы кадмий- индийтеллур

ВЫВОДЫ

4 ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НЕКОТОРЫХ СПЛАВОВ ИЗ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ РАСПЛАВОВ ТРОЙНОЙ СИСТЕМЫ КАДМИЙ- ИНДИЙ- ТЕЛЛУР И ИХ СВОЙСТВА

4.1 Выращивание монокристаллов №Те и Jn^Te из нестехиометрических расплавов тройной системы . Ю

4.2 Выращивание монокристаллов твердых растворов на основе соединения MI^Te^ и их анизотропия микротвердости.

4.3 Получение эпитаксиальных слоев теллурида кадмия из расплавов разреза

4.4 Определение концентрации носителей заряда и типа проводимости эпитаксиальных слоев

4.5 Определение параметров ловушек и оценка качества эпитаксиальных слоев теллурида кадмия

4.6 Температурные зависимости темновой и фотопроводимости монокристаллов fif.

4.7 Получение и некоторые характеристики структур металл-твердый раствор на основе соединения

4.7.1 Вольтамперные характеристики структур металл- твердый раствор (Я6/п,£Ге4)

4.7.2 Спектры фоточувствительности структур металл- твердый раствор (&tfn,2Fe4)

ВЫВОДЫ

Актуальность темы. Широкая автоматизация различных отраслей промышленности, миниатюризация элементов вычислительных систем потребовали значительного расширения круга исходных полупроводниковых материалов.

В основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981- 1985 годы и на период до 1990 года предусматривается опережающими темпами развивать производство полупроводников, особо чистых и специальных материалов, прецизионных сплавов и других материалов с повышенными параметрами.

В работах Н.А. Горюновой [I] впервые было обращено внимание на общность свойств алмазоподобных полупроводников и определены закономерности их изменения при. переходе от элементарных к бинарным и более сложным полупроводниковым фазам.

В настоящее время исследованию бинарных и тройных полупроводниковых материалов посвящено большое количество работ советских и зарубежных ученых. Многие из этих материалов уже нашли важные практические применения. Среди них особое место заняли фазы типа обладающие слабой чувствительностью к примесям и стойкостью к ионизирующей радиации. На основе этих материалов разработаны, например, фотоприемники ультрафиолетового излучения, переключающие устройства, устройства для записи информации и модуляции света Г2- 4J.

Одной из тройных систем АП- ВШ- СУ1, в которых образуются перспективные бинарные и тройные соединения, является система кадмий- индий- теллур. В ней образуются соединения CdTe,InTe In, Те Те и ряд других важных для практического примене

•3 J 7 ния фаз. На основе теллурида кадмия, в частности, уже созданы полупроводниковые спектрометрические счетчики, обладающие большой эффективностью регистрации и высокой разрешающей способностью

Особое значение при разработке технологических режимов получения бинарных и тройных соединений приобретает изучение диаграмм состояния соответствующих систем.

В настоящее время построены диаграммы состояния многих псевдобинарных систем типа АПСУ1- В^С^1, являющихся сечениями тройных систем А^- В®- СУ1. Однако фазовые взаимодействия в системе кадмий- индий- теллур, изучению которых посвящена данная работа, исследованы лишь в разрезе СобТе -ТъеТе3 [б,7],

Цель работы. В связи с вышеизложенным целью диссертационной работы является исследование фазовых взаимодействий во всей тройной системе кадмий- индий- теллур, разработка технологии выращивания монокристаллов бинарных и тройных фаз системы, обладающих полупроводниковыми свойствами, изучение некоторых физических свойств полученных монокристаллов, эпитаксиальных слоев и структур металл- полупроводник на их основе.

Научная новизна. Исследованы фазовые взаимодействия в тройной системе кадмий- индий- теллур и впервые построена диаграмма состояния всей системы. Впервые с помощью неквазибинарных разрезов МдГе7 и £dTe-(0,67n+q4Te) уточнена стехиометрия спорной перитектической фазы области In.-I/b7h как ШдТе7 . Получены слои теллурида кадмия методом жидкофазной эпитаксии. Созданы поверхностно- барьерные структуры и изучены их вольтемкостные и вольтамперные характеристики, определены параметры энергетических уровней в эпитаксиальных слоях. Выращены монокристаллы твердых растворов на основе тройного соединения ^CTfb0Te, и изучена их фотопроводимость. Получены поверхностно-барьерные структуры металл полупроводник на основе твердых растворов соединения , изучены их вольтамперные характеристики и спектры фоточувствительности.

Практическая ценность. Диаграмма состояния открыла возможность получения эпитаксиальных слоев теллурида кадмия различной степени легирования из расплава индия. Результаты работы по исследованию фазовых взаимодействий в тройной системе кадмий- индий-теллур используются на заводе чистых металлов им. 50- летия СССР для получения кристаллов и слоев теллурида кадмия.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всесоюзных конференциях "Тройные полупроводники и их применение" (Кишинев, 1976, 1979, 1983 гг.), Всесоюзной конференции "Материалы для оптоэлектроники" (Ужгород, 1980 г.), Всесоюзной конференции "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов" (Кишинев, 1982 г.), научно- технических конференциях Кишиневского политехнического института им. С.Лазо (Кишинев, 1972- 1984 гг.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 14 печатных работ.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и приложения.

Результаты исследования спектров фоточувствительности поверхностно- барьерных диодов -fiftitr^Je^) в области собственной полосы поглощения дали возможность определить энергии активации прямого (1,1 эВ) и непрямого переходов (0,92 эВ).

1. ГорюноваН.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. - М. :Со-ветское радио, 1968. - 267с.

2. Дону B.C., Житарь В.Ф., Радауцан С.И., Струмбан Э.Е. Параметры фотоприемника ультрафиолетового излучения на основе тиогал-лата кадмия. Электронная обработка материалов, 1981, №1,с.80 84.

3. Радауцан С.И. Тройные полупроводники: результаты исследований и.перспективы применения. Вестник АН СССР, 1978, т.З,с.14 26. .

4. Доника Ф.Г. и др. Полупроводники системы ZnS-In2S^ /Ф.Г.Дони-ка, В.Ф.Житарь, С.И.Радауцан* Кишинев:Штиинца,. 1980. - 147с.

5. Акобирова А.Т., Матвеев-О.А., Рыбкин С.М., Хусаинов А.Х. Структура металл-полупроводник-металл на основе OdTe . как . спектрометрический детектор ядерного излучения. ФТП, 1976, в.ГО, с.2127 - 2131.

6. Thomassen L., Mason D.R., Rose G.D., Sarace J.С., Schmitt G.A. The Phase Diagram for the Pseudo-Binary System CdTe-IngTe^. -J. Electrochem. Soc., 1963, v.110, №11, p.1127 1131.

7. O'Kane D., Mason D.R. Semiconducting Properties of Peritectic Compounds from the Pseudo-Binary System CdTe-Ln^Te^. J. Electrochem. Soc., 1963, v.110, N11, p.1132 - 1136.

8. Reynolds R.A., Stroud D.G., Stevenson D.A. Phase Equilibria in the Zinc-Tellurium System. J. Electrochem. Soc., 1967, v.114, N12, p.1281 - 1287.

9. Steininger J., Strauss A.J., Brebrick R.F. Phase Diagram of the Sn-Cd-Te Ternary System. J. Electrochem. Soc., 1970,v.117, nio, p.1305 1309.

10. Reisman A., Berkenblit M., Witzen M. Non-Stoichiometry in Cadmium Selenide and Equilibria in the System Cadmium-Selenium. J. Phys. Chem., 1962, v.66, N11, p.2210-2214.

11. Mason D.R., KulwicfcL B.M. The Phase Diagram for the Binary System Cd-Te. Electrochemical Society, Electronics Division, Abstr., 1960, v.9, HI, p.192 - 19712. Физика и.химия соединений Под ред. Медведева С.А. М.: Мир, 1970. - 624с.

12. Брач Б.Я., Жданова В.В., Лев Е.Я. Терюэлектрические свойства системы HgSe-BgTe. ФТТ, 1961, т.З, Ю, с.786 - 789.

13. Хенней Н.Б. Полупроводники. М.:Мир, 1962. 667с.

14. Дубровский Г.Б. Оптические свойства CdTe. ФТТ, 1961, т.З, в.5, C.B05 - 1309.

15. Елпатьевская О.Д., Вегель А.Р. О некоторых возможностях измерения напряженности магнитного поля пленочными датчиками эдс Холла, изготовленными из BgSe, HgTe и их твердых растворов. ЖТФ, 1956, т.26, Ш, с.2432 - 2438.

16. Дубенский К.К., Румянцева А.В., Рыжкин Ю.С., Трапезников В.И. О рекомбинационном излучении в гетероструктурах селенид цинка теллурид цинка. - ФТП, 1970, т.4, в.5, с.986 - 988.

17. Камащенко В.Н., Марченко А.И., Федорук Т.А. Гетерогенные солнечные преобразователи на основе поликристаллического сульфида и селенида кадмия. В кн.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев, 1970, в.4, с.112 - 121.

18. Вансков А .В., Ковалев А.Н., Кондауров Н.М. Лшинесцентный диод на гетеропереходе p-ZnTe n-CdSe. - ФТП, 1970, т.4, в.5, с.1365 - 1366.

19. Arnold Н., Kaufmaun Т., Mach R. Preparation und Elektrische Unter uchungen an Heteroiibergagen p-ZnTe n-CdSe. - Phys. Stat. Sol., 1970, A1, N1, K5-K8.

20. Ojmoht Б.Ф. Структуры неорганических веществ. М.:Гостехге-оргиздат, 1950. 338с.

21. Long D., Schmit J.L. Mercury-Cadmium Telluride and Closely Related Alloys. Semiconductors and Semimetals. Academic Press, ff.Y. and London, 1970, v.5, p. 175 - 255*

22. Kanazawa K.K., Brown F.C. Cyclotron Resonance in Cadmium Telluride. Phys. Rev., 1964, v.135» НБ, AI757 - AI76O.

23. Segall В., Lorenz M.R., Halsted R.E. Electrical Properties of n-Type CdTe. Phys. Rev., 1963, v.129, НБ, p.2471-2481.

24. Morehead P.P., Mandel G. Shallow p Acceptor Levels in CdTe and ZnTe. Phys. Let., 1964-, v.10, HI, p.5 - 6.

25. Mandel G., Morehead F.F. Efficient Electroluminescence from p-n Junction in CdTe at 77K. Appl. Phys. Let., 1964, v.4, N8, p.143 - 145.

26. Вальковская М.И., Максимова О.Г. Анизотропия микротвердости монокристаллов твердых растворов системы Zn^C&^Te. -В кн.: Новое в области испытаний на микротвердость. М.:Нау-ка. 1974, с.187 191.

27. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скундова Е.В., Чижевская С.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.«.Наука, 1975, 220с.

28. Strubbs M.F., Schufle J.А., Thompson A.J., Duncan J.M. The In Ii^S^ System. - J. of American Chem. Soc., 1952, v.74, 176, p.1441 - 1443.1963, т.8, в.5, с.1199 1203.

29. Klemm V.W., Vogel H.U. , Messugen Gallium- und Indium-Verbin-r dungen X. tfber die Chalkogenide von Gallium und Indium. -Z. Anorg. Allgem. Chem., 1934, v.219, p.45 65.

30. Гальчинецкий Л.П., Зайцева Ю.В., Конопля О.Я. и др. Особенности образования теллуртдов индия и галлия. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1981, 17, Я8, с.1362 - 1365.

31. Grochowski E.G., Mason D.R., Smitt G.A., Smith P.H. The Phase Diagram for the Binary System Indium Tellurium and Electrical Properties of In^Te^. J. Phys. Chem. Solids,1964, v.25, H6, p.551 558. .

32. Паукште Ю.А., Весене Т.Б., Толутис В.Б. Исследование тонких пленок системы In Те. - Неорг. матер., 1972, т.8, в.6, с.1029 - 1034.

33. Holmes P.I., Jennings J.С., Parrott J.F. Precipitation Phenomena in Ir^Te^. J. Fhys. Chem. Sol., 1962, v.23, N1-2, p.1 - 5. .

34. Атрощенко Л.В., Гальчинецкий Л.П., Кошкин B.M. и др. Отклонения от стехиометрии и растворение примесей в полупроводниковых соединениях типа BgCj • Изв. АН СССР, Неорг. матер.,1965, I, £12, с.2140 2150.

35. Палатник Л.С., Атрощенко Л.В., Гальчинецкий Л.П., Кошкин ВМ. Об эффекте отклонения от стехиометрии в полупроводнике IngTe,. ДАН СССР, 1965, в.165, Я4, с.809 - 812.

36. Гальчинецкий Л.П., Атрощенко Л.В., Кошкин В.М., Сысоев Л.А. Монокристаллы 1п2Те^ с постоянным изменением величины отклонения от стехиометрии. Неорг. матер., 1970, т.6, №5, с.860 - 863.

37. Медведева З.С. Халькогениды элементов ШБ подгруппы периодической системы. М.: Наука, 1968. 216 с.

38. Schubert К., Anderko К., Kluge М. et al. Strukturuntersuchung der Legieurungsphasen Cu2Te, CuTe, Cu^Sb, InTe, Bi2Se^, Pb^Sb^ und Pb^Bi- Die Naturwis., 1953, V-.40, N9, -p.269.

39. Тэлутис В.Б., Декснис А.П. , Паукште Ю.А. Характеристика физических свойств тонких слоев тетрагональной фазы InTe. -Литов. физ. сборник, 1967, в.7, №4, с.819 829.

40. Fielding P., Fischer G., Mooser Е. Semiconductors of thettt vtType АХХХВ . J. Phys. Chem. Solids, 1959, N8, p. 434 - 437.

41. Bommel H.E., Darnell A.J., Libby W.F., Tittmann B.E., Yencha A.J. Superconductivity of Metallic Indium Telluride. -Science, 1963, v.141, N3582, p.714 715.

42. Darnell A.J., Yencha A.J., Libby W.F. Indium Telluride. Meta. Science, 1963, v.141, N3582, -p.713 - 714.

43. Глазов В.М., Чижевская С.H., ЕвгеньевС.Б. Объемные изменения при плавлении и нагреве расплавов теллуридов галлия и индия. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1968, в.4, №5, с. 676 -681.

44. Боршевский А.С., Горюнова Н. А., Тахтарева Н.К. Исследование микротвердости некоторых полупроводников со структуройцинковой обманки. 11$, 1957, т.27, с. 1408 - 1413.

45. Заславский A.M., Картенко Н.Ф., Караченцева З.А. Об элементарной ячейке и пространственной группе in2Te^. -ФТТ, 1971, в.13, №9, с.2562 2565.

46. Forner H.G. Electriche Eigenscaften von In2Te^~ In2Se^ Losun-gen. Wiss. Z. Martin-Luther-Univ. Halle - Wittenberg. Nath. Naturwiss. Reine, 1964, v.13, N10, p.731 - 743.

47. Gasson D.E., Holmes P.J., Parrott J.E., Penm A.W. The Preparation and Properties of In2Te^ and its Alloys with InAs. -Abstr. Intern. Conf. Semicond. Phy.s,, Prague, 1960, p.138.

48. Радауцан С.И. Исследование некоторых электрических свойств соединений in2Se^ и 1п2Те^. Изв. Молд. филиала АН СССР, I960, №3, 69, с.49 - 55.

49. Пе тру се вич В. А., Сергеева В.М. Оптические и фотоэлектрические, свойства 1п2Теу ФТТ, I960, 2, с.2881 - 2884.

50. Inuzuka B.H. and Sugaike S. On In2Te^, Its Preparation and lattice Constant. Proc. of the Jap. Acad., 1954, v.30, N5, p.383 - 386.

51. Ланге В.Н., Ланге Т.И. Исследование анизотропии микротвердости в монокристаллах Бе , Те , Bi , InBi , InSb, In2Te^и твердых растворов Te-Se . -В кн.: Методы испытания на микротвердость. М.: Наука, 1965, с. 245 255 .

52. Schubert К., Dorre Е. und Gunzel Е. Kristallchemische Er-grbnisse an Phasen aus B-Elementen. Die Naturwiss., 1954, 42, N19, p.448.

53. Tobctdk К.Д., Берча Д.М., Раренко И.М. и др. Зонная структура Ь^Те^ . В кн.: Физические свойства полупроводников aV и . Баку: Изд. АН Аз.ССР, 1967, с.370 - 377 .

54. Мушинская К.М., Мушинский В.П. Электрические и оптическиеАН Аз.ССР, 1967, с.353 360.

55. Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1970, т.1, 456с., т.2, 462с.

56. Heumann Т., Predel В. Thermodynamieche Aktivitaten Elussi-ger Indium-Kadmium-Legierungen und Bildungsenthalpie der intermetalliscen Phase InCd^ . Z. Metallkunde, 1959, v.50, N7, p.396 - 402.

57. Radautsan S.I., Donika F.G., Kyosse G.A., Mustya I.G. Polit.ypism of Ternary Phases in the System Zn-In-S . -Phys. Stat. Sol., 1970, v. 37, K123 K127.

58. Barnett D.E., Bookman R.S., Sutherland J.K. New data on ternary phases in the system Zn-In-S . Phys. Stat.Sol.,а), 1971, ft, N1, р.ВД К51.

59. Радауцан С.И,, Андриеш A.M., Мустя И.Г., Доника Ф.Г. Спектры поглощения и фотопроводимости нового полупроводникового соединения Zi^ln^ . ФТП, 1971, т. 5, Ю, с. 578 - 580.

60. Каськ Р., Коппел X. О системе In^-CdS .-Изв; АН ЭССР, сер. химия, геология, 1973, 22, JB I, с.42 45.

61. Радауцан С.И., Доника Ф.Г., Тэзлэван В.Е., Дамаскин И.А. О кристаллических особенностях полупроводниковых сплавов разреза CdS-ln2S^ . В кн.: Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород: УГУ, 1970, с.221 - 224.

62. Радауцан С.И;, Тэзлэван В.Е., Житарь В.Ф. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов разреза OdS-lr^S^ . В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинев: Штиинца, 1971, с.59 - 65.

63. Гаврилица Э.И., Шура В.К., Станчу А.В., Доника Ф.Г. Некоторые физико-химические характеристики твердых растворов в системе (HsS^-Cb^Sj),^, В кн*1 Материалы докладов УП научно-технической конференции КПИ им.С.Лазо. Кишинев, X97I, с.180 - Х8Х.

64. Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния систем наП Утоснове полупроводниковых соединений А В . Киев: Наукова думка, 1982, с,168с.

65. Дерид О.П., Маркус М.М., Радауцан С.И., Станчу А.В. Диаграмма состояния псевдобинарной системы Cd^Se^-IiigSe^ • ~ Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1971, т.7, J8, с.1328 1330.

66. Гаврилица Э.И., Кесаманлы Ф.П., Радауцан С.И., Уханов Ю.И.Электрические и оптические свойства кристаллов1967, с.45 49.

67. Радауцан С. И., Гаврилица Э.И. Твердые растворы в системе HgSe-In2Se3. Изв.АН МОСР, 1961, 10(88), с.95 - 97.

68. O'Kane D.F., Mason D.R. Pseudobinary System ZnTe-Ir^Te^. -Trans. Metallurg. Soc. of AIME, 1965, v.233, p.1189 1191.

69. Ray В., Spencer P.M. Phase Diagram of the Pseudo-Binary System In„Te- HgTe. Solid State Communs, 1965, v.3, N12,P.339 391. . .

70. Радауцан С.И., .Дерид Ю.О., ЭКит.арь В.Ф., Дерид О.П., Троцен-ко Н.К., Тюлюпа А.Г. Диаграмма системы 0dS-Ge2S^. Доклады .АН.СССР, 1982, т.267, W, с.673 - 675.

71. Бадиков В.В., Матвеев И.Н. , Панютин В. Л. Выращивание и оптические свойства тиогаллата ртути. Квантовая электроника, т.6, №, 1979, с.1807 - 1810.

72. Tyrziu М.Р., Radautsan S.I., Markus М.М., Kolosenko S.M. State Diagram of CdSe-GagSe^. Phys. stat. sol. (a), 1970, v.3, N4, p.K293 - K296. .

73. Метлинский П.Н. , Тырзиу В.Г., Маркус М.М. Фазовые равновесия в системе HgSe-Ga2Se^. Тез. докл. Всесоюзной конф. по физ.-хим. анализу полупроводниковых материалов. Баку, 1972, с.99 -- 100. .

74. Горюнова Н.А., Котович В.А., Франк^Каменецкий В.А. Рентгеновское исследование-изоморфизма некоторых соединений галлия и цинка. ДАН СССР, 1955, т.ЮЗ, №4, с.659 - 662.

75. Алиева JI.H., Аллахвердиев К.P., Антонов В.Б., Нани Р.Х. Травление монокристаллов CdIn2S^. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1971, в.7, №1, с.169 - 170.

76. Zhitar V.F., Raylyan V.Ya. The Peculiarities of ZnIn2S^ Luminescence. %5 International Conference on Ternary, Mul-tinary Compounds. Cagliari, 1982, p.65.

77. Beun J.A., Nitsche R., Lichtensteiger M. Photoconductivity in Ternary Sulfides. Physica, 1960, v.26, 178, p.647 - 649.

78. Mackinnon A. Ternaty Semiconductors. Festkorperprobleme, 1981, v.21, p.149 - 165.

79. Beun J.A., Nitsche R., Lichtensteiger M. Optical and Electrical Properties of Ternary Chalcogenides. Physica, 1961, v.27, N5, p.448 - 452.

80. Соболев В.В. Спектр отражения кристалла Cdlr^Se^. Оптика и спектроскопия, 1966, т.21, в. 5, с.156 ~ 158.

81. Mason D.R., 0*Kane D.F. Preparation and Properties of Some Peritectic Semiconducting Compounds. Procedings International Conference on Semiconductor Physics, Prague, 1960, p.1026 - 1031. .

82. Беляев O.H., Любченко O.B., Дотыкевич И.В. Новый высокочувствительный фотопроводник Сй1п2Те^. Укр. физ. журнал, 1966, т.II, №2, с.219 - 221.

83. Потыкевич И.В., Чепура С.В. Электрические свойства ртройно-го полупроводникового соединения Cdlr^Te^. Укр. физ. журнал, 1963, т.8, №2, с.889 - 893.

84. Потыкевич И.В., Беляев О.Н. Некоторые оптические свойства тройного полупроводникового соединения CdIn2Te^. Укр. физ. журнал, 1963, т.8, №9, с.967 - 969.

85. Стрельцов Л.Н., Черных В.Я., Петров В.М. Влияние темпера?-туры и электрического поля на оптические свойства CdGa2Se^. ФТП, 1967, в.1, №5, с.793 - 795.

86. Демина Т.В., Маркус М.М., Натепров А.Н. Получение и некоторые свойства монокристаллов CdGa^e^. В кн.: Тройные по« лупроводники и их применение: 1Ьз. докл. Воесоюзн. конф., Кишинев, 1976, с.141 - 143.

87. Shionaya S., Ebina S. Fundamental Optical Properties of ZnIn2S^ Single Crystals. J. Phys. Soc. Japan, 1964, N19, p.1150 - 1156.

88. Shionaya S., Tamoto J. Luminescence of ZnlngS^ and ZnlngS^sCu Single Crystals. J. Phys. Soc. Japan, 1964, N19, p.1142 - 1149.

89. Житарь В.Ф., Оксман Я. А., Радауцан С. И., Смирнов В.Н. О фотодиэлектрических и люминесцентных свойствах тройных сульфидов цинка и индия. В кн.: Исследования по полупроводникам. Кишинев:Картя Молдовеняскэ, 1968, с.28 - 39.

90. Mora S., Paorici С., Romeo N. Properties of the Ternary Compound ZnIn2S4 at High Electric Field. J. Appl. Phys., 1971, v.42, N5, p.2061 - 2064.

91. Абдулаев Г. Б., Антонов В.Б. , Мехтиев Т.Э. Рекомбинационное излучение, монокристаллов 0dln2S^ при возбуждении быстрыми электронами. ФТП, 1969, т.З, в.9, с.1428. 1429.

92. Абдулаев Г.Б., Алахвердиев К.Р., Антонов В.Б. Эффект переключения и памяти на контакте металл-CdIn2S^. В кн.:П ТУ V П П1 УТ Тройные полупроводники А Вх CJ и А В^С^т Кишинев:Штиинца,1972, с.236 238.

93. Житарь В.Ф., Таран Н.И., Доника Ф.Г. Спектры излучения кристаллов CdGa2S^. В кн.: Исследование сложных полупроводников. Кишинев:РИО АН f€CP, I970, с.89 - 97.

94. БраилаВ.М., Караман М. И., Мушинский В.П. Продольная фотопроводимость слоев 0dGa2Se^. В кн.: Физика сложных полупроводниковых соединений. Кишинев:Штиинца, 1979, с.105 - III.

95. Мушинский В.П., Караман М.И., Грамацкий В.И., Чеботарь В.В. Спектры поглощения и фотопроводимость аморфных ^oeBCdGa2S^.-В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тзз. докл. Всесоюз. конф. Кишинев:Штиинца, 1983, с.145.

96. Сусликов Л.М., Гадьмаши З.П., Копинец И.Ф. Двулучепреломление монокристаллов GdGa2S^. Опт. и спектр., 1980, т.49, в.I, с.97 - 99.

97. Мартынов А.А., Розенсон А.Э., Щербина О.Б. Расчет линейной восприимчивости кристалла CdGa2S^ в области прозрачности. -ФТП, 1980, т.14, №12, с.2383 2384.

98. Розенсон А.Э. Расчет линейных оптических характеристик и эффективных масс носителей тока кристалла CdGa2S^. ФТП, 1981, т.15, в.9, о.1760 - 1763.

99. Сливка В. Ю., Ворошилов Ю.В., Чепур Д.В. Материалы квантовой электроники на основе полупроводниковых соединений сложного состава. Физические свойства. Квантовая электроника, Киев, 1981, №20, с.74 ~ 93.

100. Сусликов Л.М., Гадьмаши ,З.П., Копинец И.Ф., Сливка В.Ю. Эффекты пространственной дисперсии в кристаллах CdGagS^. -Опт. и спектр., 1981, т. 51, в.2, с.307 311.

101. Житарь В»Ф., Молдовян Н.А. ,.Дерид Ю.О. Фотоэффект в двойных. сульфидах после формовки в электрическом поле. В кн. Дойные полупроводники и их применение: 1Ьз. докл. Всесоюзн. конф.Кишинев:Штиинца, 1983, с.42.

102. Радауцан С.И., Коваль Л.С., Соболев В.В. Спектры отражения, кристаллов системы CdliigSe^-Cdli^Te^. В кн.:Тройные полупроводники АПВ1УС2 и а^П. Кишинев:Штиинца, 1972, с.230 -- 233.

103. Коваль Л.С. Получение и исследование физических свойств твердых растворов CdlrigSe^-OdlnglDe^. : Авто реф. дис. . канд. физ.-мат. наук. Кишинев:Гос. ун-т, 1972. - 16 с.

104. Любченко А.В. , Потыкевич И.В., Беляев О.Н. Исследование процессов рекомбинации и применения в монокристаллах Cdli^Te^. и-типа. Деп. 484-69. - ФТП, 1969, т.З, в.8,с.1271.

105. Паулавичус А. Б., Толутис В. Б. Исследование пленок квазибинарной системы CdTe-IrujTej. В кн.:Тонкие пленки соединений теллура с металлами подгруппы цинка и галлия, фуды Симпозиума. Вильнюс, 1970, с. 199- 201.

106. Арама Е.Д., Грушко Н.С., Житарь В.Ф. Само легирование кристаллов Znln?S. в процессе отжига в разных средах. В кн.:Фи~зика сложных полупроводниковых соединений. Кишинев:Штиинца, 1979, с.95 100.

107. Курнаков Н.С. Введение в физико-химический анализ. •» М.:Ж СССР, 1940. 562с.

108. Олексеюк И.Д., Головей М. И., Горюнова Н.А. Система (Zn3As2)1-x-(2ZnO?e)x. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1971, т.7, №5, с.747 - 752.

109. Дервд О.П., Коваль Л.С., Маркус М.М. Исследование политермического разреза CdlngSe^-CdliigTe^ четверной системы Cd-In-Se-Te. В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинев:Штиинца, 1971, с.140 - 143.

110. Берг Л.Г. Введение в термографию. М. :Наука, 1969. * 396с.

111. Боярская Ю.С. Деформирование кристаллов при испытаниях на микротвердость. Кишинев:Штиинца, 1972. - 232с.

112. Щеликов О.Д. Изучение жидкофазного равновесия в системе In-Te. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1980, т.16, №2, с.233 - 236.

113. Дерид О.П., Дынту Г.М. Исследование поверхности ликвидуса системы Cd-In-CdTe с использованием методов математического планирования. Материалы докл. УШ НТК КПИ им.С.Лазо, Кишинев, 1972, с.152 - 153.

114. Радауцан С.И., Дерид О.П., Дынту Г.М., Маркус М.М. Фазовые взаимодействия в тройной системе CdTe-In-InTe. Изв. АН МССР, сер. физ.«техн. и матем. наук, 1975, №3, с.37 - 43.

115. Дерид О.П., Дынту Г.М., Маркус М.М. Исследование фазового взаимодействия в системе индий-теллур с использованием тройных сплавов кадмий»индий-теллур. В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев:Штиинца, 1976,с.143 146.

116. Scheffe Н. Experiments with Mixtures. J. of the RoyalStatistical Soc., 1958, Ser.B, v.20, N2, p.344 346.

117. Микешина Н.Г. Планирование экспериментов на симплексе (изучение свойств смеси). В кн.:Новое идеи в планировании эксперимента. М.:Наука, 1969, с.177 - 179.

118. Чемлева Т.А., Микешина Н.Г. Применение симплекс-решетчатого планирования при исследовании диаграмм состав-свойство. « В кн.: Новые идеи в планировании эксперимента. М.:Наука, 1969, с.191 194.

119. Новик Ф.С., Минц Р.С., Малков Ю.О. Применение метода симплексных решеток для построения диаграмм состав-свойство. -Зав. лаб., 1967, т.33, №7, с.840 847.

120. Новик Ф.С. Планирование экспериментов при изучении диаграмм состав-свойство. В кн.: Математические методы планирования экспериментов в металловедении. М., 1971, Раздел 1У. -- 148с.

121. Новик Ф.С. К вопросу о возможностях использования метода симплексных решеток для изучения диаграмм состояний. Зав. лаб., 1968, т.34, №10, с.1223 - 1226.

122. Бобров В.И., Новик Ф.С., Радауцан С.И. Исследование ликвидуса системы .inSb-Sb-lnTe с применением метода симплексных решеток. В кн.: Планирование экспериментов в материаловедении. Кишинев, 1969, с.4 - 5.

123. Дерид О.П., Дынту Г.М., Лукьянова Л.Н., Маркус М.М. Исследование условий образования и областей существования некоторых фаз в тройной системе кадмий-индий-теллур. « Материалы докл. IX НТК КПИ им.С.Лазо, Кишинев:Штиинца, 1973, с.257 258.

124. Дерид О.П., Дынту Г.1'1., Маркус М.М. Исследование фазовых равновесий в тройной системе CdTe-In-Ir^Te^. Итоги научных исследований КПИ им.С.Лазо за 1973 год. Кишинев, 1974, с. 159 - 160.

125. Дынту Г.М., Дерид О*П. Диаграмма состояния системы Cd-In-Te и условия образования твердых растворов на основе CdIn2Te4. -В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тез. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев:Штиинца, 1976, с.139 141.

126. Дынту Г.М. Изучение поверхности ликвидуса системы -CdTe--In2Te^-Te с применением методов математического планирования. В кн.: Кристаллические и стеклообразные полупроводники. Кишинев:Штиинца, 1977, с.215 - 221.

127. Дынту Г.М., Дерид О.П. Получение уравнений регрессии температур начала кристаллизации тройных сплавов Cd-In-Te. В кн.: Физика сложных полупроводниковых соединений. Кишинев: Штиинца, 1979, с.136 - 141.

128. Радауцан С.И., Дерид О.П., Дынту Г.М. Построение поверхности ликвидуса тройной системы Cd-In-Te с использованием методов математического планирования экспериментов. Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и техн. наук, 1982, №6, с. 15 - 17.

129. Курило И.В., Кучма В. И. Двойникование в кристаллах CdTe ис<У^1-хТе' ~ Изв# Ш СССР' Не°Рг' матер., 1982, т.18, №4, с.569 572.

130. Кузнецов П.И., Журавлев Л.А., Один И.Н. Выращивание эпитаксиальных пленок CdTe в системе Cd(CH^)2-(CHj)2Te-H2. -Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1982, т.18, №6, с.930 934.

131. Ванюков А.В., Кротов И.И., Мнацаканян Н.Г. Приближенный метод оценки условий получения эпитаксиальных пленок соединений А%У1. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1972, т.8, №4,с.644 647.

132. Ванюков А.В., Кротов И.И., Миколюк £. А. Эпитаксиальный рост CdTe из элементов в потоке водорода. Изв. АН ССОР, Неорг. матер., 1973, т.9, №9, с.1497 - 1502.

133. Ванюков А.В., Миколюк Е.А., Кротов И.И. Исследование процессаэпитаксиального выращивания твердых растворов системы GdTe--HgTe в изотермических условиях. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1975, т.II, HI, O.I96I - 1966.

134. Жукова Л. А., Гуревич М. А. Применение электроннографического метода отражения к исследованию структуры поверхностных слоев некоторых полупроводниковых материалов. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1967, т.З, с.267 - 274.

135. Глебкин А. А., Давыдов А. А., Гарба Н. И. Выращивание крупных монокристаллов О&Те из паровой фазы. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1980, т.16, Й, с.28 - 30.

136. Булярский С.В., Желяпов Г. И., Наградова И. А. Определение параметров глубоких уровней в эпитаксиальных слоях GaPsZnOс помощью двойных поверхностно-барьерных диодов. ФТП, 1981, т.15, в.8, с.1660 - 1662.

137. Акобирова А. Т., Маслова Л.В., Матвеев О.А. О механизме выпрямления на контакте металл-CdTe. ФТП, 1974, т.8, в.9, с.1701 - 1704.

138. ЗиС.М. Физика полупроводниковых приборов./Пер. с англ. под ред. Т^утко А.Ф. М. :Энергия, 1973. - 655с.

139. Фейчук П.И., Панчук О.Э., Савицкий А.В. Дефектная структура CdTe легированного In, В кн.: Легирование полупроводников. М. :Наука, 1982, с.72 - 74.

140. Берман Л.С. Барьерная емкость сплавного диода с глубокими примесями как с зоной проводимости так и с валентной зоной. « ФТП, 1971, т.5, №4, с.675 680.

141. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.:Наука, 1981. - 176с.

142. Булярский С.В. , Радауцан С.И. Определение параметров глубоких рекомбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулирования емкости. ФТП, 1981, т.15, №7,с.1443 1446.

143. Баранский П.И., Клочков В.П. , Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. « Киев:На-укова Думка, 1975. 704с.П VT

144. Соболев В.В. Зоны и экситоны соединений группы А В . Кишинев :Штиинца, 1980. - 256.

145. Булярский С.В. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных структур на основе CdIn2S^.: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. Кишинев: АНМССР, 1976. - 13с.

146. Житарь Ф.Ф., Дону B.C., Вальковская М.И., Маркус М. М. Получение и некоторые физические свойства соединений CdGa2S(Se)^. -В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев:Штиин-ца, IS75, с. 50 60.

147. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М. :Мир, 1966.«192с.

148. Ковтонюк Н»Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.:Металлургия, 1970. - 430с.

149. Булярский С.В. , Грушко Н.С. , Гоглидзе Т.И., Дынту Г.М. Диаграмма состояния и фотоэлектрические свойства монокристаллов разреза CdTe-In^Te^. В кн.: Материалы для оптоэлектроники: Тэз. докл. Всесоюзн. конф. Ужгород, 1980, с.59 - 60.

150. Wolfgang W. Gartner. Depletion-Layer Photoeffects in Semiconductors. Phys. Rev., 1959, v.116, p.84 - 87.

151. Булярский C.B., Коваль JI.C., Радауцан С.И. Электрические и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных диодов Аи-0dIn2Te^. В кн.:Тройные полупроводники и их применение: Изз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев:Штиинца, 1976, с.165*166.

152. Bulyarsky S.V., Radautsan S.I., Molodyan I.P. Photoelectrical Properties of Au-CdIn2S^ Surface-Barrier Diode. Phys. Stat. Sol. (a), 1974, v.21, N2, p.617 - 622.

153. Дерид О.П., Дынту Г.М. Выращивание монокристаллов соединений системы Cd-In-Te из нестехиометрических расплавов и некоторые их свойства. В кн.: Тройные полупроводники и их применение: ТЬз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев-.Штиинца, 1979,с.ПО III.

154. Бурлаку Г.Г., Дынту Г.М., Дерид О.П. Получение слоев CdTe методом жвдкофазной эпитаксии. В кн.: Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: 1ёз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев-.Штиинца, 1982, с.109.

155. Бурлаку Г.Г., Дынту Г.М. Исследование некоторых свойств эпитаксиальных слоев теллурида кадмия. В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тзз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев: Штиинца, 1983, с.240.

156. Булярский G.B., Дерид О.П., Дынту Г.М. Выращивание монокристаллов (CdIn2Te^) и фотоэлектрические свойотва диодов Шот~ тки на их основе. В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тзз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев:Штиинца, 1983,с.122.