Физико-химические процессы при формировании активных структур на поверхности арсенида галлия и их оптический контроль при создании интегральных схем тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ТЕЖОЛОГИЧЕСШ ИНСТИТУТ

На правах рукописи.

Бухалов г.

Лев Леонидович

ФИЗИКО - ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАШШ И ИХ ОПТИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ПРИ СОЗДАНИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Специальность 02.00.04 - физическая химия

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Санкт-Петербург 1993

- г -

Работа выполнена на кафедре химической технологии материалов и изделий электронной техники" Физико - химического факультета Санкт-Петербургского Технологического института и б НИИ Радиоаппаратуры (С.-Петербург)

доктор химических наук, профессо; Станислав Иванович Кольцов

доктор химических наук, профессор Игорь Петрович Калинкин

доктор технических наук, профессо Юрий.Захарович Бубнов

ЬПШ Оптического приборостроения 5 ГОИ игл. С.И.Вавилова.

Защита диссертации состоится 2 А ин>ля 1993 г. на'заседании специализированного совета К 063.25.09 в Санкт -Петербургском Технологическом институте по адресу: 198013, Загородный проспект, 49.

С' диссетрацией мокно ознакомиться в библиотеке Технологического института

Отзывы и замечания в одном экземпляре, заверенном гербовой печатью, просим направлять по адресу : 198013, С. -Петербург, Загородный проспект,49, Технологический институт. Ученый Совет.

Автореферат разослан ^(^¿^СОЛ^. 1593 Г"

Ученый секретарь

специализированного совета __

к. х. н. , доцект у/%- у/'',).^ В. В. Сысоева

Научный руководитель ' :

Официальные оппоненты :

Ведущая организация

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность. Создание проводящих слоев на поверхности полупроводника характеризуется комплексным изменением ее физико-химических свойств в процессах ионной имплантации и отжига; активация принеси и устранение радиационных дефектов, происходящие при постимплантационнй термообработке, зависят от ее температуры, длительности, запиты поверхности, и от качества исходного материала подложки. Зто требует раззития методов исследования, применимых для контроля исходного материала и создаваемых слоев непосредственно на рабочих пластинах з технологическом цикле, что является актуальным как для исследования физико - химических свойств поверхности полупроводникоз, так и при создании современных изделий микроэлектроники.

Граница раздела полупроводника с диэлектрической пленкой представляет .интерес как объект, лоззоляхлаий изучать аномальные свойства вещества в приграничных сдоях, сопоставляя изменения оптических характеристик отражающей системы "поглощающая подлежа / прозрачная, пленка" с электрическими характеристиками поверхности полупроводника. Зто позволит глубже понять закономерности, определяющие согласование структур на границе сопряжения веществ различной природы.

Цель'- работы. Теоретическое рассмотрение и экспериментальное исследование процесса образования границы раздела дзух регулярных структур- в системе "полупроводник / диэлектрическая пленка", приводящего к образованию переходной области ; исследование связанных с ней аномалий оптических и электрических свойств; и разработка на его основе нераз-рушающих методов технологического контроля, применимых при производстве арсенид-галлиезых интегральных схем.

Работа выполнена в рачках Комплексно-целевой программы разработки монолитных и гибридно-монолитных СВЧ модулей на арсениде галлия "Система", введенной приказом МРП от 18.06. 1990 г.

В работе решались следующие задачи :

1. Теоретическое рассмотрение изменений структурно -

- '4 - •

химических характеристик поверхности арсенида галлия при создании активных слоев по методу ионной имплантации и их проявления з оптических и электрических свойствах материала. Исследование и моделирование изменения оптических характеристик границы раздела "полупроводник / диэлектрическая пленка" на основе анализа аномального хода эллипсометрических зависимостей в сверхтонких слоях.

2. Разработка бесконтактных методов измерения оптических и электрических характеристик системы " полупроводник / диэлектрическая пленка" позволяющих исследовать образование переходной области на границе раздела.

3. Комплексное исследование изменения физико - химических свойств, состава и структуры границы раздела /

ПРИ температурном воздействии методами эллипсометрии, оптической и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, бесконтактными электрическими и др. методами.

4. Создание на основе разработанных бесконтактных методов системы технологического контроля при производстве арсенид-галлиезых ИС; оптимизация технологического цикла "подготовка поверхности - ионная имплантация .- отжиг"; изготовление и измерение характеристик полупроводниковых СВЧ интегральных схем.

Научная новизна.

Разработаны теоретическая модель и метод расчета, позволившие описать с общих позиций аномальные изменения оптических параметров при переходах между различными состояниями поверхности полупроводника : атомарно-чистой поверхности, системы полупроводник'/ хемосорбированный мо-кослой, границы раздела полупроводник / диэлектрическая пленка; и связать их с химическими и структурными особенностями этих переходов.

Предло;ока релаксационная модель изменения оптических констант при формировании границы раздела двух регулярных структур, связывающая нелинейные эллипсометрические зависимости, "наблюдаемые в сверхгонких слоях при молекулярном наслаивании, с процессами структурной перестройки по обе

- 5 -

стороны от границы раздела

Впервые исследованы бесконтактными оптическими . и электрическими методами структурные изменения в приграничной области системы баДе/5;.Ог при термообработке; экспериментально обнаружены и изучены аномалии оптических и электрических свойств, подтвердившие развитые модельные представления о связи оптических констант со структурной перестройкой границы раздела; показано, что причиной изменения проводимости в приграничных слоях является генерация дефектов областью сопряжения подложки и пленки вследствие термоупрутих напряжений, возникающих в процессе изменения структуры пленки.

Практическая ценность работы:.

Разработана, схема технологического контроля на стадии формирования активных структур в.технологическом цикле изготовления арсенид - галлиевых интегральных схем, включаю-шдя бесконтактные методы контроля:

- оптические методы определения распределения ионных нарушений по площади пластины и по глубине - для контроля равномерности и воспроизводимости ионной имплантации;

' - оптический и бесконтактный электрический контроль степени активации при отжиге и полноты удаления деструкту-рированной приповерхностной области при послойном тразле-нии, позволяющие воспроизводимо получать требуемые параметры слоев;

- метод измерения толщины активного слоя и исследования границы раздела активный слой / подлодка по фотопроводимости - для контроля процесса отжига

Разработанные методы являются бесконтактными и экспрессными, и позволяют проводить технологический контроль непосредственно на рабочих пластиках при производстве интегральных схем.

На основе проводенных исследований оптимизирован технологический процесс формирования проводящих слоев на £аА5. Предложена операция послойного подгоночного травления с одновременным контролем сопротивления и дефектности слоя,

обеспечиваошдя воспроизводимое получение проводящих слоев с требуемыми параметрами.

• Система контроля используется в, технологическом цикле производства арсенид - галлиевых интегральных схем в НИИ ■радиоаппаратуры ( С. -Петербург ) и дает значительный экономический эффект за счет увеличения процента выхода годной продукции.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсувдались на III и IV Всесоюзных конференциях "Эллипсометрия: теория, методы, приложения" (Новосибирск, 1985 и 1989 гг.), III Всесоюзной конференции "Ион' но-лучевая модификация полупроводников и др. материалов электронной техники" (Новосибирск,. 1991 г.), на семинарах в НИИ Радиоаппаратуры и Технологическом институте ( С. -Петербург, 1988 - 1993 гг.).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 8 научных работах.

Структура диссертации и объем. Диссертация состоит из .введения, семи глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 4*iO страницах машинописного текста, содержит Ai . рисунков и 44 таблиц. Список используемой литературы включает 6 А наименования работ отечественных и зарубежных авторов.

- 7-

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбранной темы диссертации, сформулированы цели и задачи работы.

Первая глава посвящена литературным данным о структуре поверхности арсенида галлия, процессах на реальной поверхности и свойствах границы раздела баЛ^ / естественный оксид. Основная особенность, определяющая состав, структуру и свойства реальной поверхности полупроводникового соединения (£л<4в ) в отличие от простого полупроводника ($1 ) -сложность химических процессов, связанная с различной химической активностью составляющих ее элементов. В связи с этим анализ влияния структурно-химических процессов на поверхности Со./! г на ее оптические и-электрические характеристики требует сопоставления с аналогичными процессами на поверхности простого полупроводника.

Рассмотрены технологические операции' формирования проводящего слоя на арсениде галлия - подготовка поверхности, ионная имплантация, различные виды термообработки - с точки зрения вносимых ими изменений в состав и структуру материала. .• Так, термообработка системы составной полупроводник / диэлектрическая пленка сопровождается взаимной диффузией атомов подложки и пленки через границу раздела, перераспределением примесей в приграничной области подложки, генерацией дефектов. Изменения являются наиболее сильными у границы раздела и затрагивают приграничную область, включающую по меньшей мере несколько атомных слоев.

Бо второй главе рассмотрены структурно - химические процессы на границе раздела полупроводника с диэлектрической пленкой с точки зрения возможностей их бесконтактного исследования. Наиболее перспективными для изучения структурных особенностей приграничной области являются оптические и электрические методы: эллипсометрия, спектроскопия, фотопроводимость. Так, многочисленные результаты свидетельствуют о чувствительности поляризационных характеристик отратгнно-го от поверхности света С эллипеометрических углов Д ,

"У ; спектральных зависимостей диэлектрических функций £ ) к химическим связям атомов поверхности при адсорбции на ней газов, к структурным изменениям при аыорфизации приповерхностной области быстрыми ионами, генерации / отжиге радиационных дефектов и др. Отмечено, что применение высокочувствительных оптических методов сдерживается отсутствием единых модельных представлений об изменении оптических свойств в поверхностных слоях вещества, в-особенности, для наиболее сложного случая - поверхности твердого тела на границе его контакта с другим твердым телом. Такие представления могут быть развиты ка основе сравнения изменений оптических 'свойств при различных способах формирования границы полупроводника с диэлектрической пленкой.

Третья глава посвящена теоретическому рассмотрению и моделированию механизмов изменения оптических свойств системы полупроводник / пленка, связанного .со структурной перестройкой в области их сопряжения. В качестзе модельного объекта рассмотрено изменение эллипсоыетрических параметров для.более простой в химическом'отношении поверхности ви (111.) по мере формирования на ней сверхтонких слоев. На основе анализа аномального хода .эллипсометрических зависимостей, наблюдаемых для этой поверхности при хеыосорбции газоз, и _ в процессе формирования сверхтонкой регулярной' структуры 'по методу молекулярного ■ наслаивания, разработана релаксационная модель сопряжения структур'в приграничной области. Показано, что наблюдаемая при молекулярном наслаивании зависимость эллипсометрического параметра Д от числа ыонослоез 1п ( Рис. 1 ) не может быть удовлетворительно описана ни одной из традиционно применяемых моделей - в том числе моделью переменного по толщине пленки коэффициента преломления - и приводит к предположению об изменении поля-ризуемостей синтезированных монослоев ( а также приповерхностных атомов подложки ) при синтезе последующих мокослоев пленки.

-3.2-

2.9

77Ш

-3.2 т

ША

6 171

Рис.1. Изменение коэффициента преломления пленки 710г и ход зависимости эллипсометрического параметра Д от числа циклов наслаивания /71 в соответствии с' релаксационной моделью. 1 - скачкообразная релаксация; 2- постепенная релаксация; точки - эксперимент.

см

^НМ 03 О

О 03 0.6

с/, ны

Рис.2. Изменение поляризуемостей атомов в переходной области, рассчитанное на основе микроскопического подхода.

Наблюдаемое в эксперименте нелинейное изменение эллип-сометрических параметров объясняется процессом релаксационного изменения поляризуемостей атомов в переходной области, наиболее сильным вблизи границы раздела, причем этот процесс является монотонным по обе стороны от границы (Рис.2).

Применение микроскопической теории Сивухина'позволило определить вклад эффектов структурной подстройки в эллипсо-метрические параметры системы . ВТ, через изменения

поляризуемостей атомов приграничных 'монослоев

подложи и пленки:

8 У, --

Е-Р.

г

§1\г -Ъ^-.-Шсс^Г-С^) . (1)

где е- £(9,-г); с - {(в); » ЬгЖУ,

(а сй = //Чхг,е)

■ Четвертая глава посвящена методике экспериментов. В ней даны характеристика исследуемых объектов, методики получения и подготовки пластин арсенида галлия, формирования на ней пленок диоксида кремния, техники термообработки; а также разработаны экспериментальные методы исследования для решения конкретной- задачи : изучения оптических и электрических характеристик границы раздела полупроводника с диэлектрической пленкой и их изменения при термообработке системы.

С этой целью разработан высокочастотный ( ВЧ ) метод, позволяющий проводить бесконтактные измерения проводимости и фотопроводимости, в том числе - в отличие от существующих методов - на поверхности полупроводника, покрытой диэлектрической пленкой. Это позволило впервые исследовать изменение электрических характеристик при термообработке многок-

ратно на одном образце, и, таким образом, провести постадийное исследование процесса отлшга.

Для исследования изменения оптических характеристик приграничной области при термообработке, разработан вариант иммерсионных зллипсомегрических измерений, позволяющий не-разрушающим способом определять все оптические параметры системы "поглощающая подложка / сверхтонкая диэлектрическая пленка".-

Для исследования химических процессов в системе подложка • / пленка применены таете методы ИК - спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии ( ЭСХА ).

В эксперименте по термообработке системы /¿¿О^

в режиме 1123К / 15 мин, описанной в пятой главе, обнаружено, что вблизи границы раздела по обе стороны от нее образуется область, имеющая измененные значения оптических констант. Глубина области с повышенным поглощением в достигает ~40 нм, и наблюдается корреляция с изменением проводимости материала: в случае легированных образцов переходная область со стороны подложки является более высоко-омной, чем проводящий слой, создаваемый легированием; а на нелегированных образцах она создает паразитную поверхностную проводимость. Сочетанием методов эллипсометрии и ВЧ проводимости с послойным травлением,-установлено, что толщина области с измененными оптическими и электрическими характеристиками, и степень их изменения, зависят от толщины пленки диоксида кремния, с которой проводилась термообработка системы 0><кА§ /£\0г ( Рис.3 ).

С целью установления временных зависимостей процесса структурной подстройки в этой системе, и выяснения роли толщины пленки 5,1 Ог, проведено постадийное исследование процесса отжига Многоступенчатая термообработка образцов, имевших разные толщины пленки, позволила впервые выявить корреляцию между макроскопическими характистиками ( толщиной и коэфициентом преломления ) пленки и скоростью измене-

-4 2.'-

сЛж

10 2 О ^

¿--но

,0 20 30 „„

Рис. 3. Зависимость изменения ВЧ проводимости & при послойном травлении, и профиля оптического поглощения :от толщины защитной пленки &;о£ . с которой проведена тер-': мсобработка. с1 - толщина $го нм

- 13 -

нил проводимости'в подложке : появление проводимости в связано с окончанием процесса перестройки в пленке ¿¿О* ( прекращением изменений и. ¿У ) , и начи-

нается тем позже, чем больше ¿/ . С. другой стороны, скорость возрастания проводимости подложки также увеличивается с ростом с/ , что и приводит к наблюдаемым зависимостям от толщины пленки - наличию в них оптимума при толщинах 240 - 320 нм.

Частая глава посвящена исследованию природы изменения характеристик в переходной области системы С&А£/£>\0г . Методам ИК-спектроскопии и зллипсометрии установлено, что изменение толщины и коэффициента преломления пленки отражает происходящее при термообработке изменение ее химического состава ( удаление связей ОН ) и переход от аморфи-■ зованной структуры, содержащей - 'напряженные силоксановые мостики, к более упорядоченной структуре,■ близкой к термическому На границе пленки с естественны).! оксидом, как показывают результаты ЗСХА, происходит взаимная диффузия атомов Со, и , затрагивающая область з пленке толщиной до 7.5 нм, коэффициент преломления которой меньше, чем у более удаленных от границы раздела слоев пленки, не затронутых диффузией. Однако з подложке глубина обедненной галлием области не превышает 2. 5 нм, причем линии, соответствующие кремнию, в'ЭСХА-спектре подложи отсутствуют, что не позволяет связать изменения оптических характеристик арсенида гачлия, наблюдаемые до глубины 40 нм, с процессом диффузии.

Сопоставление зависимостей проводимости и поглощения в приповерхностном слое подложки от с! и типа проводимости ба/и ( -тип на легированных частях образцоз и полуизолирующий &о./\ъ на нелегированных ); наличие сигнала ИК-фотопроводимоети, уменьшающегося при послойном тразлении этого слоя; а также сопоставление с имеющимися в литературе результатами исследований влияния термонапряжений и пластической деформации на плотность дислокаций и концентрацию

дефектов, создающих уровни в • запрещенной зоне Са/^ ; позволили предложить структурную модель границы раздела, согласно которой физической причиной наблюдаемых явлений служит генерация дефектов областью сопряжения структур подложки и пленки, и определить временные параметры происходящих структурных процессов.

Седьмая глава посвящена созданию на основе полученных результатов и разработанных бесконтактных методов измерения, системы технологического контроля в цикле изготовления арсенид-галмевых КС. Представлена схема ( рис. 4. ) и описаны методики, обеспечивающие контроль равномерности и воспроизводимости всех технологических операций создания проводящих слоев на ба^г .

Обсуждается связь результатов, входного и межоперационного контроля качества материалов и слоев, проводимого бесконтактными методами,' с параметрами изготовленных интегральных схем и возможность стабилизации технологического цикла путем введения разработанных контрольных операций.

ПОДГОТОВКА ПОДЛОЖКИ

ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ

\ / НАНЕСЕНИЕ ЗАЩ. 'ПЛЕНКИ

\

ОТЖИГ

ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ

эллипсометрический контроль полноты удаления нарушенного слоя

контроль равномерности ( зллипсометрия ) и воспроизводимости легирования ( спектроскопия ) по профилю нарушений

контроль толщины и хим. состава методами эллипсометрии и ИК-спектроскопии

измерение степени активации- и толщины наруш.' области методами ВЧ-проводимости и спектроскопии

/|\

измерение Яэ, контроль полноты удаления наруш. области методами ВЧ-проводимости и эллипсометрии-'

\ /

ФОРМИРОВАНИЕ РИСУНКА ИС

исследование границы раздела слой/подложка методом фотопроводимости

/|\

— ИЗМЕРЕНИЕ ХАРАК--> ТЕРИСТИК ИС

Рис.4. Схема бесконтактного контроля в технологическом процессе изготовления арсенид-галлиевых интегральных схем

- <té-

ОСНОВНЫЕ выюды.

1. Исследованы структурно - химические процессы, i вающие изменение оптических и электрических свойств пове ности полупроводника в области ее контакта с другим тве дым телом, для случаев : формирования регулярной струга на поверхности простого полупроводника; и теплового í действия на уже сформированную границу "составной полут водник / диэлектрическая пленка".

На основе анализа аномального хода эллипсометричес зависимостей в сверхтонких слоях развиты представлен« влиянии на оптические характеристики вещества переходной области особенностей процесса сопряжения : слабых эффектов согласования структур на начальных стад формирования пленки до макроскопического воздействия тер упругих напряжений при толщинах пленки > 100 нм.

2. Расчет микроскопических параметров системы "пол роводник / сверхтонкая пленка" на примере молекулярн наслаивания ТгС,2 на 5 С ( 111 ) показал, что наблюдаё

. нелинейный ход зависимостей зллипсометрических парамет Л и "Y" от числа монослоев ¡7t на начальных стад синтеза связан с релаксационным изменением поляризуемост затрагивающим не менее 3 монослоев по обе стороны от гра цы раздела.

3. Разработана методика бесконтактного определе: сопротивления проводящих слоев на поверхности полупровод ка, покрытой диэлектрической пленкой, позволившая впер: исследовать изменение электрических характеристик сиси "полупроводник / пленка" при многократной гермообрабо' постадийно на одном образце, не удаляя защитную пленку, таким образом, наблюдать изменение проводимости в зави< мости от длительности отжига.

4. Установлено, что при термоообработке системы бл/ Si6¿1123K 15мин вблизи границы раздела образуется перехс ная область . Впервые показано, что изменение проводимое арсенида галлия в переходной области коррелирует с повьп

нием оптического поглощения, наблюдаемым как для аыорфизо-ванного ионной имплантацией, так и для неимплантированного об.Ач- Выявлена зависимость наблюдаемых изменений от толщины защитной пленки , с которой проводилась

термообработка, имеющая минимум при 240 нм < а< 320 нм.

Установлено, что термообработка вызьшает структурные изменения в пленке 2; <9 , окончание которых совпадает с началом электрических изменений в подложке; а скорость изменения проводимости &а возрастает при увеличении с1 з, ¿) > что объясняет наблюдаемые зависимости от толщины пленки.

5. Методами эллипсометрии, ЗСХА и Ж-спектроскопии показано, что определяющую роль в .образовании переходной области играют не диффузионные процессы на границе раздела, а макроскопические структурные параметры системы - термонапряжения на сформированной в процессе кристаллизации области контакта несовпадающих регулярных структур. При этом изменение проводимости ба/?«, , как полуизолирующего, так и д. - типа, аналогично поведению материала при пластической деформации, приводящей к появлению глубокого акцепторного уровня, связанного с дислокациями, и повышению степени ионизации ЕЬ2-центров. Указанная аналогия подтверждена результатами Ж-фотопроводимости при послойном травлении переходной области.

6. В результате проведенных исследований оптимизированы режимы процесса высокотемпературного отжига ионно-легированных слоев 0,а и разработаны бесконтактные методы контроля, применимые при формировании активных слоев з

по-методу ионной имплантации.

Разработанные методы являются бесконтактными и экспрессными, и позволяют проводить технологический контроль непосредственно на рабочих пластинах в процессе изготовления интегральных схем.

Основные результаты диссертации отражены в публикациях:

- 18 -

1. Бухалов Л. Л. , Сорокоумова Е. Г. , Яковлев A.C. Мето, определения оптических характеристик системы материал -окисная пленка по функции псевдоконстант // Эллипсометрия в науке и технике. / ИФП СО АН СССР. -Новосибирск, 1987. -С. 23-28.

2. Бухалов Л. JL , Сорокоумова Е. Г. , Яковлев А. С. Эллип-сометрическое исследование механических и ионных нарушений в арсениде галлия // Эллипсометрия в науке и технике. Вып. 2 / ИФП СО АН СССР. -'Новосибирск, 1990. -С. 67-71.

3. Кольцов С. И. , Яковлев А. С., Бухалов JL JL Сверхтонкие слои титаноксида на поверхности кремния и эллипсометри-ческое исследование границы сопряжения их структур // Поверхность: физика, химия, механика.-1992.-N 5.-С. 75-81.

4. Кольцов С. Й. , Яковлев А. С. , Бухалов JL Л Релаксация приграничных слоев при их сопряжении в системе SO /"ПО2.// Поверхность: физика, химия, механика.-1993.-N 4.-С.92-100

5. Система контроля для арсенид-галлиевой технологии, используюшая бесконтактные методы / А. А. Белов, JI Л. Бухалов, Г. А. Филаретов и др. // ИЛ ЦНТИ. -1992. -N 173-92.

6. Бухалов JL JL и др. Исследование методом эллипсомет-рии нарушенных слоев в арсениде галлия и сверхтонких пленок на его поверхности / Бухалов Л. Л. , Зорина Л. В. , Яковлев A.C.; предприятие п/я В-2749.-Л., 1987.-14с.: ил. 5.-библи-огр. : 9назв. - Деп. в НШЗИРе 1990, N 3-8742.

7. Бесконтактный контроль качества проведения постимп-лантационного отжига арсенида галлия / А. А. Белов, Л. Л. Бухалов , F. А. Филаретов, А. С. Яковлев // Вопросы радиоэлектроники. Сер. 1. -1992. -N 1.-С.

8. Белов А. А., Бухалов Л. Л. , Филаретов Г. А. , Яковлев А. С. Исследование бесконтактными методами проводимости и ионных нарушений после отжига ионно-имплантированных слоев арсенида галлия// Тез. докл. 3 Всесоюзн. конф. "Ионно-лучевая модификация полупроводников и др. материалов электронной техники", 4-6 июня 1991 г. - Новосибирск, 1991.-С. 144.

ВУХАЛОВ ЛЕВ ЛЕОНИДОВИЧ АВТОРЕФЕРАТ

Подписано в печать -¿3. 05. 93. Формат 1/16. Б. типогр. Печ. л. 1,0. В. л. 0,5. Тирах 100. Зак. 128. РТП. Бесплатно.