Фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I . ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

КОНТАКТНЫХ СТРУКТУРАХ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ). II

1.1. Фотоэффект на р-п переходах при поглощении света свободными носителями заряда. II

1.2. Фотоэмиссия из металла в полупроводник в диодах Шоттки

1.3. Внутреннее усиление фототока в полупроводниковых контактных структурах.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ИК ФОТОАКТИВНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНТАКТНЫХ СТРУКТУР.

2.1. Экспериментальные установки .••••.

2.2. Изготовление образцов контактных структур.

2.3. Выводы

ГЛАВА 3. ФОТОЭДС НА i-к ПЕРЕХОДАХ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ПОГЛОЩЕНИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ СВОБОДНЫМИ НОСИТЕЛЯМИ ЗАРЯДА.

3.1. Фотоотклик I-к переходов на излучение ^-лазера

3.2. Механизмы релаксации "горячих" фотовозбужденных дырок и температурные зависимости фотоэдс в германиевых р+-р переходах •.•

3.3. Основные результаты

ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА р-п ПЕРЕХОДОВ В ИК

ОБЛАСТИ СПЖТРА

4.1. Надбарьерная шшекция в прямо смещенных германиевых р-п перехода^, обусловленная внутризонным поглощением света свободными носителями заряда

4.2. Влияние лазерного излучения 10,6 мкм на ток прямосмещенных р-п переходов на основе

Gads и GetР.

4.3. Внутреннее усиление сигнала фото стимулированной надбарьерной ишкекции

4.4. Реакция обратно смещенного р-п перехода на импульсы излучения 10,6 мкм

4.5. Электролюминесценция р-п переходов, обусловленная фотостщулированной шшекцией.

4.6. Применение стандартных полупроводниковых диодов в качестве быстродействущих детекторов ИК лазерного излучения

4.7. Основные результаты

ГЛАВА 5. ФОТОАКТИВНОСТЬ СПЛАВНЫХ КОНТАКТОВ ОЛОВО-ГЕРМАНИЙ

В ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА

5.1. Состояние примесных атомов олова в германии. Свойства твердых растворов типа Gex 5п,-х и контактов олово-германий (обзор литературных данных)

5.2. Изготовление, электрические свойства и структура фотоактивных сплавных контактов олово-германий . НО

5.3. Фотоэлектрические свойства сплавных контактов олово-германий

5.4. Анализ возможных механизмов фотоактивности сплавных контактов олово-германий

5.5. Возможности практического использования фотоэлектрических свойств контактов А-^В-^

5.6. Основные результаты

Изучение фотоэлектрических явлений в полупроводниковых контактных структурах в инфракрасной области спектра представляет не только научный, но и практический интерес в связи с широким применением таких структур в качестве фотоприемников. К ним относятся контакты металл-полупроводник с барьером Шоттки, /-/г ( п+~п и р+~р ) переходы, р-п переходы, контакты между двумя различными полупроводниками - изотипные и анизотипные гетеропереходы. На характер фотоэлектрических процессов в подобных неоднородных структурах существенное влияние оказывают внутренние электрические поля, связанные с наличием потенциальных барьеров.

При поглощении света в полупроводниках, когда энергия фотона больше средней кинетической энергии носителей заряда, фотоэлектрические явления могут быть обусловлены как изменением концентрации электронов или дырок в зонах, так и передачей энергии и импульса фотона носителям тока. В первом случае, т.е. при собственном или примесном поглощении света, фотовозбужденный носитель может быстро, за время, значительно меньшее времени его жизни в зоне, отдать свои избыточные энергию и импульс решетке, приходя с ней в равновесие. В то же время концентрация носителей при освещении остается неравновесной. Движение и накопление таких избыточных носителей под действием внутренних полей и является причиной возникновения фотоэдс или фототока в полупроводниковых контактных структурах .^Подобные явления хорошо известны и тщательно исследованы /1-3/.

Иная ситуация возникает при поглощении света на свободных носителях (внутризонном поглощении света), когда концентрация носителей тока в полупроводниках остается постоянной, а меняется их распределение по энергии и импульсу. Поскольку внутренние электрические поля в неоднородных структурах зависят от вида функции распределения, внутризонное фотовозбуждение, сопровождающееся изменением указанной функции, приводит к изменению полей, имеющихся в местах неоднородностей, т.е. к возникновению ЭДС.

В настоящей диссертации рассматривается фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра (до 10-11 мкм), обусловленная главным образом именно поглощением света свободными носителями заряда, сопровождающимся увеличением их средней кинетической энергии по сравнению с равновесной тепловой.

Актуальность работы заключается в том, что изучение малоисследованных явлений, протекающих в неоднородных полупроводниках при наличии "разогретых" светом носителей заряда, позволяет получить новые сведения, необходимые для лучшего понимания процессов взаимодействия излучения с твердым телом и создания новых приборов для Ж области спектра, в том числе малоинерционных приемников и преобразователей излучения.

Указанная тема является частью интенсивно развивающегося в последние годы направления в физике полупроводников, связанного с взаимодействием электронно-дырочного газа с электрическими и электромагнитными полями. Так, явления, возникающие при разогреве электронов в неоднородных полупроводниках СВЧ полем, изучались, в частности, в /4-7/. Функцию распределения разогретых носителей в этом случае часто аппроксимируют расцределением Макс-велла-Болырана с температурой носителей, которая является мерой их средней энергии /8/.

При рассмотрении фотоэлектрических явлений в случае "разогрева" светом носителей заряда необходимо учитывать, что их функция распределения отличается от функции расцределения носителей, разогретых электрическим полем. При поглощении света свободными носителями заряда в полупроводниках за счет межэлектронных столкновений релаксирукнцих фотоэлектронов разогреваются равновесные носители тока так, что их температура становится отличной от температуры решетки. С другой стороны, за счет фотоэлектронов меняется вид функции распределения при больших энергиях /9-11/, причем отличие функции распределения в "хвосте" от максвеллов-ской может быть значительным. При этом определяющий вклад в величину фотоэффекта могут давать фотоносители с энергией, примерно равной энергии фотона /12/.

К началу настоящей работы явления, связанные с передачей энергии света свободным носителям, были исследованы в основном в однородных полупроводниках. Сюда относятся внутризонная фотопроводимость /13/, разогрев и охлаждение носителей светом /10, 14/, насыщение оптических переходов /15/, на базе которых были созданы неохлаждаемые, быстродействующие детекторы излучения с широкой спектральной областью и просветляющиеся фильтры для самосинхронизации мод Ж лазеров. В контактных структурах изучались лишь явления, связанные с фотоэмиссией носителей из металла в полупроводник. Этот эффект используется для определения высоты барьеров в диодах Шоттки и в приемниках ИК-излучения /16-18/. Фотоэлектрические свойства контактных структур, обусловленные поглощением света свободными носителями заряда в полупроводнике, по существу не изучались вовсе, хотя принципиальная возможность возникновения фотоэффекта в указанных условиях и применения его для анализа функции распределения неравновесных носителей в р-п переходе была рассмотрена в /12/.

В ходе исследований фотоэлектрических свойств неоднородных полупроводников было обнаружено, что сплавные контактные струк-ТУ ТУ туры А В , такие как олово, свинец-германий, кремний, обладают при 77 К весьма заметной фотоактивностью в ИК области (до 10-II мкм), Особенность этих контактов заключается в том, что вплавляемый металл принадлежит к той же группе периодической системы, что и полупроводник, являясь, таким образом, нейтральной примесью. Фотоэлектрические свойства сплавных контактных структур А^В"^ и, в частности, наиболее чувствительных при использованных способах изготовления сплавных контактов олово-германий не исследовались и даже не упоминались. Изучение их в настоящей работе затруднялось тем, что отсутствовала не только четкая общепринятая физическая модель, объясняющая протекание тока в подобных контактах, но и твердо установленные их свойства. Цели данной работы можно сформулировать как

1, Изучение фотоэлектрических явлений, обусловленных поглощением ИК излучения свободными носителями заряда в l-h (п+-п, р*-р) и р-п переходах,

2. Изучение фотоэлектрических свойств сплавных контактных ту ту структур А В , главным образом сплавных контактов олово-германий в ИК области спектра.

Содержание диссертации изложено в пяти главах, В первой главе, являющейся литературным обзором, рассмотрены: фотоэмиссия носителей заряда из металла в полупроводник в диодах Шоттки и ее применение; фотоэдс на р-п переходе при разогреве носителей заряда светом; функция распределения фотовозбужденных носителей и механизмы релаксации энергии; механизмы внутреннего усиления фототока в контактных структурах.

Во второй главе приводится описание экспериментальных установок, использованных при исследовании фотоэлектрических свойств полупроводниковых контактных структур в Ж области спектра, а также сведения о методах изготовления указанных структур.

В третьей главе приводятся результаты исследования фотоотклика t—h переходов на излучение СС^-лазера, обусловленного поглощением этого излучения свободными носителями заряда. Проводится анализ температурной зависимости фотоэдс р+— р переходов на основе экспериментальных данных и расчетов, описывающих эту зависимость, полученных с учетом механизмов релаксации фотовозбужденных дырок.

Четвертая глава посвящена исследованию фотостимулированной надбарьерной инжекции в прямо смещенных р-п переходах под действием излучения СС^-лазера, обусловленной поглощением света главным образом свободны!® носителями. Описываются возможные механизмы внутреннего усиления рассматриваемого фотосигнала, а также стимулированная лазерным излучением 10,6 мкм электролюминесценция светодиодов. Предлагается использовать стандартные полупроводниковые диоды, охлажденные до температуры жидкого азота, в качестве быстродействующих детекторов ИК лазерного излучения. Описывается макет подобного фотоприемника.

В пятой главе излагаются результаты исследования фотоэлектрических свойств сплавных контактов олово-германий в ИК области спектра. Приводятся сведения об их изготовлении, электрических свойствах и структуре. Проводится анализ наиболее вероятных механизмов ИК фотоактивности указанных контактов. Рассматривается возможность применения обнаруженных явлений для создания приемников ИК излучения.

Научная новизна. Все рассмотренные в настоящей диссертации фотоэлектрические явления в полупроводниковых контактных структурах, обусловленные взаимодействием ИК излучения со свободными носителями заряда, экспериментально наблюдались и исследовались впервые. Предложены физические модели, объясняющие обнаруженные эффекты.

Практическая ценность'; Полученные в диссертационной работе экспериментальные результаты и созданные для их объяснения физические модели могут быть использованы при истолковании широкого круга явлений, связанных с "разогревом" светом свободных носителей заряда в неоднородных полупроводниках.

Результаты исследования длинноволновой фотоактивности р-п , i-h переходов и сплавных контактов типа А^В^ могут быть также применены для создания простых малоинервдонных детекторов Ж излучения;

Основные научные положения, выносимые на защиту:

Г. При воздействии на f-h. переходы лазерного излучения 10,6 мкм возникает малоинерционный фотоответ, обусловленный поглощением света свободными носителями заряда'. Величина фотоэдс и ее температурная зависимость определяются высотой потенциального барьера и скоростью релаксации фотовозбужденных носителей.

2. На прямосмещенных р-п переходах при "разозтреве" свободных носителей заряда ИК излучением малоинерционный фотоэффект наблюдается в условиях, когда энергия, сообщаемая электронам или дыркам, достаточна для переброса этих носителей через уменьшенный смещением потенциальный барьер* Знак возникающей фотоэдс противоположен знаку вентильной фотоэдс";

Фото стимулированная надбарьерная инжекция проявляется в электролюминесценции излучающих р-п переходов.

3. Для усиления сигнала возбужденной ИК излучением надбарьерной инжекции в прямосмещенных р-п переходах могут быть использованы механизмы внутреннего усиления, аналогичные применяемым в инжекционных и S -фотодиодах, а также в биполярных транзисторах.

4. Сплавные контакты типа

ДХУВ1У обладают фотоактивностью в

ИК области спектра до ~ II мкм при приложении внешнего напряжения и в фотовольтаическом режиме*; Наиболее чувствительные из них контакты олово-германий следует рассматривать как гетеропереходы германий - обогащенный оловом ревристаллизованный слой, на границе которых велика плотность поверхностных состояний (ПС). Фотоактивность этих контактов возникает в результате поглощения ИК излучения свободными электронами в рекристаллизованном слое, обмена энергией между ними и локализованными на ПС носителями, фотоионизации ПС и оптической модуляции высоты потенциального барьера*.

5. Результаты изучения взаимодействия ИК излучения со свободными носителями заряда в t-h , р-п переходах и сплавных контактах типа А^В1^ позволяют считать, что на их основе могут быть созданы детекторы излучения для области спектра по крайней о мере до II мкм и инерционностью не хуже ~Ю с.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах /52-54 , 64-69 , 84, 89 , 90 , 95 , 96/, докладывались на Ш и У Всесоюзных совещаниях по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград - 1974, 1981), I Всесоюзной конференции "Оптика лазеров" (Ленинград - 1977), П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса - 1982)^ Материалы диссертации изложены на 171 странице, включая 43 рисунка и 132 ссылки на литературные источники.

- II

Основные результаты работы сводятся к следующему:

Р. На сплавных- i-k ( р+~р и п) переходах обнаружен и исследован малоинерционный фотоэффект, обусловленный поглощением свободными носителями заряда лазерного излучения 10,6 мкм". Показано, что основными факторами, влияющими на величину фотоэдс, являются изменение высоты ступеньки потенциала, разделяющей области сильного и слабого легирования, и скорость релаксации носителей, возбужденных излучением. В результате анализа температурной зависимости фотоэдс установлено, что в формировании фотоответа участвуют как фотоносители, описываемые не-максвелловской частью функции распределения, так и максвеллизо-ванные носители, энергия которых характеризуется температурой, превышающей решеточную.

2. На прямосмещенных р-п переходах экспериментально обнаружен и исследован малоинерционный фотоэффект в условиях, когда энергия, сообщаемая свободным носителям заряда лазерным излучением 10,6 мкм, достаточна для переброса их через уменьшенный смещением потенциальный барьер. Знак возникающей при этом фотоэдс цротивоположен знаку обычной вентильной фотоэдс. Определяющую роль в формировании фотоответа играют носители с энергией, близкой к энергии лазерного кванта; Показано, что на ход зависимостей фотосигнала от различных факторов существенное влияние оказывают параметры эквивалентной схемы диода.

3. Обнаружено и проанализировано усиление сигнала возбужденной ИК излучением надбарьерной инжекции в црямосмещенных р-п переходах, в котором проявляются механизмы, аналогичные имеющим место в инжекционных и 5 -фотодиодах, а также в биполярных транзисторах.

4» Установлено, что длинноволновая фоточувствительпость црямосмещенных р-п переходов позволяет использовать их для создания малоинерционных приемников ИК излучения, спектральный порог чувствительности которых и ее величина определяются приложенным напряжением. Изготовлен и испытан в работе с импульсным СОз-лазером лабораторный макет подобного фотоприемника на основе стандартных фото- и светодиодов, охлажденных до температуры жидкого азота.

5. Обнаружено, что стимулированная ИК излучением надбарь-ерная инжекция в прямо смещенных р-п переходах проявляется в люминесценции, если вероятность из лучат ельной рекомбинации инжектированных носителей достаточно велика, как это имеет место в светодиодах. Исследовано влияние лазерного излучения 10,6 мкм на люминесценцию светодиодов в ближней ИК и видимой областях.

6. Обнаружена и исследована фотоактивность сплавных конту ту тактных структур типа А В - олово, свинец-германий, кремний в ИК области спектра (до 10-11 мкм), возникающая как цри приложении внешнего напряжения, так и в фотовольтаическом режиме. Установлено, что вид ВАХ и фотоэлектрические свойства контактов определяются режимом их изготовления.

Показано, что наиболее чувствительные при использованных способах изготовления сплавные контакты олово-германий следует рассматривать как гетеропереходы германий - обогащенный оловом рекристаллизованный слой, на границе которых велика плотность ПС.

7. Предложена и проанализирована модель, в соответствии с которой ИК фотоактивность сплавных контактов олово-германий возникает в результате поглощения излучения свободными электронами в рекристаллизованном слое, обмена энергии между ними и локализованными на ПС носителями, фотоионизации ПС и оптической модуляции высоты потенциального барьера.

8. Проанализирована возможность практического использования

ТУ ТУ фотоэлектрических свойств контактов типа А В . Показана перспективность применения указанных контактов для детектирования ИК излучения в тех случаях, когда от регистрирующих излучение устройств не требуется предельная пороговая чувствительность, определяемая шумами фона.

Следует отметить, что основное отличие изучавшихся явлений от внутренней фотоэмиссии в диодах Шоттки заключается в характере взаимодействия ИК излучения со свободными носителями заряда. В рассмотренных контактных структурах оно цроисходит в полупроводнике и носит объемный характер, а в диодах Шоттки - в металле и, благодаря высокой концентрации носителей, локализовано на поверхности. Сравнение квантовой эффективности для обоих случаев требует специального рассмотрения.

Сравнительная простота изготовления, полученные фотоэлектрические параметры исследованных контактных структур, возможность управления их спектральным порогом чувствительности, а также наличие внутреннего усиления, свойственного биполярным полупроводниковым контактам, свидетельствуют о перспективности практического использования изучавшихся явлений'. х х X

В заключение автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю доктору физико-математических наук Я.А.Оксману за внимание и большую помощь, которую он постоянно оказывал при выполнении настоящей работы. Автор благодарен также сотрудникам института за помощь в проведении некоторых экспериментальных исследований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе изучалась фотоактивность полупроводниковых контактных структур ( I-in. , р-п переходов, сплавных контактов А^В^") в ИК' области спектра (до 10-11 мкм), обусловленная главным образом поглощением света свободными носителями заряда. Почти все изучавшиеся явления экспериментально наблюдались впервые. В ходе работы были предложены физические модели, объясняющие обнаруженные эффекты'.

1. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектро-нита. ^ М.: Мир, 1976 , 432 с.

2. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. М.: Мир, 1980 , 208 с".

3. Пожела Ю.К., Репшас К.К. Термоэдс в полупроводниках, обусловленная горячими носителями тока. Литовский физ. сб;, 1966, № 4, с.523-537.

4. Денис В., Пожела Ю. Горячие электроны. Вильнюс: Минтис, 1971, 290 о.

5. Вейнгер А.И., Парицкий Л;.Г., Акопян Э.А., Дадамирзаев Г. Термоэдс горячих носителей тока на р-п переходе; ФТП, 1975, т.9, гё 2, с.216-224.

6. Ашмонтас С.П., Олекас А.П. Термоэдс и диффузия горячих электронов в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки. -ФШ, 1980, т.14, № II, с.2196-2200.

7. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М,: Мир, 1970, 384 с.

8. Комолов В.Л., Яссиевич И.Н. Функция распределения электронов, разогретых светом, при взаимодействии с оптическими фононами. ФШ, 1974, т.8, & 6, C.II25-II33.

9. Яссиевич И.Н., Ярошецкий И.Д. Релаксация энергии и процессы разогрева и охлаждения носителей тока при внутризонном поглощении света в полупроводниках. ФТП, 1975, т.9, 5,с.857-866.

10. Левинсон И.Б., Левинский Б.Н. Температура горячих фотовозбужденных электронов. ЖЭТФ, 1976, т.71, № 1(7), с.300-309.

11. Валов П.М., Вейнгер А.И., Рыбкин Б.С., Ярошецкий И.Д., Яссиевич И.Н. 0 токе через р-п переход, обусловленном разогревом электронного газа. ФТП, 1972, т.6, № II,с.2270-2272.

12. Валов П.М., Рывкин Б.С., Ярошецкий И.Д., Яссиевич И.Н. Внутризонная фотопроводимость в п Qe , обусловленная разогревом электронов светом. - ФТП, 1971, т.5, № 5, с.904-910.

13. Валов П.М., Ярошецкий И.Д., Яссиевич И.Н. Эффект охлаждения светом носителей заряда в полупроводниках*. Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, № 7, с.448-452.

14. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и контакты металл-полупроводник. М.: Мир, 1975, 432 с.

15. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982 , 208 с!.

16. Долгополов С.Г., Клементьев В.М. Чувствительность германиевого фотодетектора к излучению на длине волны 10,6 мкм. -Квантовая электроника, 1975, т.2, № 10, с.2334-2335.

17. Перлин Е.Ю. Фотостимулированная туннельная и надбарьерная инжекция в полуцроводниках. Письма в ЖТФ, 1975, т.1, № 16, с.754-758.

18. Перлин Е.Ю., Усейнов Р.Г. Люминесценция, вызванная фотоин-дуцированной инжекцией в контактных структурах. Изв. АН

19. СССР, сер.физич., 1976, т.40, № 9, с.1899-1903.

20. Umeno М., Hattori Н., Jimbo Т., Sugito Y., Ameniya Y. Hotcarrier-voltaio effect in p-n-junction and its application to electron emitters and light detectors. Jap.J.Appl.Phys., 1977, v.16, suppl. 16-1, p.283-286.

21. Umeno M., Sagito Y., Simbo Т., Hattori H., Ameniya Y. Hot photo-carrier and hot electron effects in p-n junctions. «

22. Solid State Electronics, 1978, v.21, N 1, p%191-195.

23. Андрианов A.B., Валов П.М. Наблюдение фотоэдс на р-п-переходе, близкой к tuu/e , при поглощении света свободными носителями тока. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, № 17, с.1028-1032-.

24. Андрианов А.В., Валов П.М., Суханов В.Л., Т^чкевич В.В., Шмидт Н.М. Фотоэффект на р-п-переходе из кремния в условиях внутризонного разогрева носителей светом. ФТП, 1980, т.14, JS 5, с.859-864.

25. Рыбкин С.М. 0 природе так называемой "аномальной" фотопроводимости'. ФТП, 1974, т.8, № 2, с.373-382.

26. Абакумов В.Н., Лягущенко Р.И., Яссиевич И.Н. Фотоэлектрические явления в вырожденных полупроводниках при разогреве электронов светом. ФТТ, 1968, т.10, № 10, с.2920-2931.

27. Levinson Y.B., Levinsky B.N. Optical phonon generation by photoexcited electrons. Solid State Commun., 1975, v.16, N 6, p.713-715.

28. Агафонов В.Г., Валов П.М., Рывкин B.C., Ярошецкий И.Д. Экспериментальное исследование цроцесса релаксации энергии вр- Сге при внутризонном возбуждении света. ФТП, 1975, т.9, в.5, с.867-871.

29. Левинсон И.Б., Мажуолите Г.Э. Влияние межэлектронных столкновений на функцию распределения электронов в сильном электрическом поле. ЖЭТФ, 1966, т.50, гё 4, с.1048-1054.

30. ЗГ. Гельмонт Б.Л., Лягущенко Р.И., Яссиевич И.Н. Функция распределения и потери энергии горячими электронами при взаимодействии с оптическими фононами. ФТТ, 1972, т.14, № 2, с.533-542.

31. Басс Ф.Г., Гуревич Ю.Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разряда. М.: Наука, 1975, 400 с.

32. Dalai V.L. Simple model for internal photoemission. -J.Appl.Phys., 1971, v.42, N6, p.2274-2279.

33. Dalai V.L. Analysis of photoemissive Schottky barrier photo-detectors. J.Appl.Phys., 1971, v.42, H 6, p.2280-2284.

34. Shepherd F.D., Yang A.C. Silicon Schottky retinas for infrared imaging. Int.Electron Devices Meet., Washington, D.C., 1973. Techn. Dig., 1973, New York, p.310-313.

35. Pellegrini P.W., Weeks M.M., budington C.E. Hew 6.5 jam photo-diodes for Schottky barrier array applications. Proc.Soc. Photo-Opt. Instrum.Eng., 1982, v.311» p.24-29.

36. Vickers V.E. Model of Schottky barrier hot-electron-mode photodetection. Appl.Opt., 1971, v.10, N9, p.2190-2192.

37. Shannon J.M. Control of Schottky barrier height using highly doped surface layers. Solid State Electron., 1976, v.19,1. N 6, p.537-543»

38. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Сов.радио, 1980, 296 с.

39. Шеферд, Янг, Тейлор. Кремниевый лавинный фотодиод, работающий на длинах волн от I до 2 мкм. ТИИЭР, 1970, т.58, № 8, с.143-144.

40. Tyagi R.C., Garlick G.F.J. The enhancement of visible and infra-red electroluminescence in zinc sulphide crystals Ъу infra-red irradiation. Brit. J.Appl.Phys., 1966, v.17, N 7, p.747-755.

41. Mehta R.R., Sharma B.S. Photoconduotive gain greater than unity in CdSe films with Schottky barriers at the contacts. -J.Appl.Phys., 1974, v.44, N 1, p.525-328.

42. Gill W.D., Bube R.H. Photovoltaic properties of Cu2S-CdS hetегоjunctions • — J.Appl.Phys., 1970, v.41, N 9, p.3731-3738.

43. Yawata S., Anderson R.L. Optical modulation of current in Ge-Si n-n heterojunctions. Phys*Stat.Sol., 1965, v.12, N 1, p.297-304.

44. Berger K., Illenberger A., Ruprecht G. Stromverstarkung in ZnSe/CdSe-photoleiterschichten. Solid State Electronics, 1975, v.18, N 9, p.785-789.

45. Agusta В., Anderson R.L. Opto-electric effects in Ge-GaAs p-n heterojunctions. -J.Appl.Phys., 1965, v.36, N 1, p.206-210.

46. Травление полупроводников. М.: Мир, 1965, с.184, 186.

47. Гаврилов Р.А., Скворцов A.M. Технология производства полупроводниковых приборов. Л.: Энергия, 1968, 240 с.

48. Мармур И.Я. , Оксман Я.А. Отклик сплавных омических контактов металл-полуцроводник на излучение 10,6 мкм. ЖТФ, 1980,т.50, № 3, с.646-648.

49. Никольская И.П., Питанов B.C. Расчет глубины вплавления и концентрации легирующей примеси в рекристаллизованном слое сплавного перехода в полупроводниках.-Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 1975, № 2 (94), с.91-95.

50. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы леифова-ния полупроводников." М.: Наука, 1967, с.127, 136.

51. Горохов В.А. Принципы построения схем с фотодиодами и фототранзисторами для регистрации малых световых сигналов.

52. В кн.: Полупроводниковые цриборы и их применение, под ред. Федотова Я.А., в.10. М.: Сов.радио, 1963, с.277-298.

53. Gupta S.C., Sharma В.Ь., Sreedhar А.К. Specific resistanceof n+-n junction. Solid State Electronics, 1971, v.14, N 5, p.427-428.59* Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. М.: Сов.радио, 1967, 452 с.

54. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М.: ИЛ, 1962, 255 с.

55. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, 616 с.

56. Пайнс Д., Нозьер Ф. Теория квантовых жидкостей. М.: Мир, 1967, с.81.

57. Shannon J.M. Inoreaslng the effective height of a Sohottky barrier using low-energy ion implantation. Appl.Phys.Lett., 1974, v.25, К 1, p.75-77.

58. Мармур И.Я., Оксман Я.А., Семенов А.А. Ток разогретых носителей через р-п переход. - ФТП, 1974, т.8, № II, с.2216-2217.

59. Мармур И.Я., Оксман Я.А., Семенов А.А. Фотоотклик р-п перехода на излучение 10,6 мкм. Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания по физике взаимодействия оптического "излучения в конденсированными средами; - М.: 1974, с;119, изд. ФИАН СССР.

60. Мармур И.Я~., Оксман Я.А;, Семенов А.А. Регистрация лазерного излучения 10,6 мкм с помощью полупроводниковых диодов. -Письма в КТФ, 1975, т.1, 12, с.545-547.

61. Мармур И.Я., Оксман Я.А. Влияние лазерного излучения 10,6 мкм на ток прямосмещенного фотодиода. ФТП, 1975, т.9, № II, с.2121-2124.

62. Мармур И.Я'., Оксман Я.А., Семенов А.А. Воздействие лазерного излучения на прямосмещенные р-п переходы. Тезисы докладов I Всесоюной конференции "Оптика лазеров"; - Ленинград: 1976, с.302-303; изд. Г0И.

63. Мармур И.Я., Оксман Я.А. Положительная обратная связь в широкозонных диодных детекторах ИК излучения. ФТП, 1977, т.II, J£ 7, с.1297-1301.

64. ЗДкулец В.И., Удалов Н.П. Фотодиоды и фототриоды. М.-Л.: Госэнергоиздат, 1962, с.38.

65. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982, с.463.

66. Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщи полуцроводника на вид вольтамперной характеристики диода. ЖТФ, 1958, т.28, № 8, с. 1631—1641.

67. Вейнгер А.И. , Саргсян М.П. Кинетика термоэдс, возникающей нар-п переходе при разогреве носителей заряда. ФТП, 1980, т.14, № 10, с.2020-2028.

68. Вейнгер А.И., Саргсян М.П. Кинетика термоэдс на р-п переходе с горячими носителями заряда при сильном прямом смещении. -ФТП, 1980, т.14, № 12, с.2366-2370.

69. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973, с.86.

70. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977, 568 с.

71. Стафеев В.И., Викулин И.М. 5 -диоды.' В кн.: Полупроводниковые приборы и их црименение, под ред. Федотова Я.А., в. 28. - М.: Сов.радио, 1977, с.23-56.

72. Залетаев Н.Б., Никифорова В.П., Стафеев В.И. Инжекционное усиление фототока в полуизоляторе с р-п переходом. ФТП, 1978, т.12, № 9, C.I7I9-I722.

73. Вилисов А.А., Воронков В.П., Диамант В.М. Влияние режима сплавления на характеристики "длинных" германиевых диодов. -Изв.вузов СССР. Физика, 1975, № 6, с.148-150.

74. Машовец Т.В. Термодефекты в полупроводниках (обзор). ФТП,1982, т.16, № I, с.3-18.

75. Вилисов А,А., Воронков В.П., Диамант В.М. Исследование "длинных" германиевых диодов с отрицательным дифференциальным соцротивлением. Изв.вузов СССР. Физика,1975, № 6, с.152-154.

76. Аскаров П.А., Дмитриев А.Г., Царенков Б.В. Об области излуча-тельной рекомбинации в GaAs • Si ' структурах. ФТП, 1977, т.II, №9, с.1834-1836.

77. Берг А., Дин П. Светодиода. М".: Мир, 1979, 688 с.

78. Любченко А,В., Пузин И.Б., Сальков Е.А. Преобразование ИК-из-лучения в видимое электролюминесцентными р-п- структурами на основе фосфида галлия. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: 1981, в.ЗЗ, с.73-77.

79. Зеленов А.А., Мармур И.Я., Оксман Я.А., Семенов А.А. Стандартные полупроводниковые диоды быстродействующие детекторы длинноволнового лазерного излучения. - ЖТФ, 1978, т.48, № 4, с.793-796.

80. Гравель Г.А., Мармур И.Я., Новиков Ю.Б., Оксман Я.А., Семенов Е.П. Детектор импульсного излучения 10;6 мкм. ОМП, 1981, $ 6, с.59-60.

81. Карашев Т.Е., Наумкин А.П. Полупроводниковые приемники инфракрасного излучения с внутренним фотоэффектом. Зарубежная радиоэлектроника, 1975, Jg II, 12, с.86-107, 29-50.

82. Курбатов Л.Н., Трухин В.Н., Шахиджанов С.С. Быстродействующий пленочный фотоприемник на основе эффекта фотонного увлечения носителей заряда'. ОМП, 1979, № 8, с.58-59.

83. Берецулин Е.В., Валов П.М., Погодин В.И., Рыбкин С.М., Тар-хин Д.В., Уваров А.А., Ярошецкий Й.Д. Новый фотоприемник на основе внутризонной разогревной фотоцроводимости (ШР-1). -Квантовая электроника, 1978, № 8, с.I860.

84. Долгополов С.Г., Клементьев В.М., Шишаев А.В. Быстродействующий детектор излучения СО^^-лазеров на основе точечного контакта металл-окисел-^леталл. ПТЭ, 1975, $ I, с.191-193.

85. Мармур И.Я., Оксман Я.А. Фотоэлектрические свойства сплавных контактов олово-германий. Тезисы 2 Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. -Киев: Наукова думка, 1982, с. 169-170.

86. Мармур И.Я., Оксман Я.А. Фотоэлектрические свойства сплавных контактов олово-германий. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, JS I,с.50-53.

87. Mahlmari G.W. Observation of solid-state photoemission from tin into germanium. Phys.Rev.Lett., 1961, v.7, N 11, p.408-4Ю.

88. Trumbor F.A. Solid solubilities and electrical properties of tin in germanium single crystals. J.Electrochem.Soc., 1956, v.103, N 11, p.597-600.

89. Салли И.В., Кушнерева A.K. Влияние больших скоростей охлаждения на формирование структуры сплавов алюминий-германий и германий-олово. Республ. межведомств, сб. Металлофизика,в.27. Киев: Наукова думка, 1970, с. 189-194.

90. OV Кузьмин P.H., Никитина С.В. Эффект Мёссбауэра в твердом растворе олова в германии. ФТТ, 1971, т.13, № 12, с.3728-3730.

91. Лисиченко В.И., Петриченко Н.Н., Якунин А.А:. Эффект Мёссбауэра в сильно пересыщенных твердых растворах олова в германии. ФТТ, 1976, т.18, £ I, с.308-310.

92. Лисиченко В.И., Петриченко Н.Н., Погорелый В.А. Оловянные контакты к кремнию. ПТЭ, 1974, А 5, с.216-217.

93. Sommers H.S. Germanium-tin alloy infrared deteotor. Патент 3615856. США, МКИ HOIL 15/02.

94. Temkin R.J., Paul W. Crystallization studies of amorphous Ge^jSn^^. Eroc. 5 Internet ♦Conference on amorphous and liquid semiconductors. Garmisch-Partenkirchen, 1973. London, 1974, v.2, p.1193-1200.

95. Goodman C.H.L. JL -Tin semiconductor device. Заявка 204396. Великобритания. МКИ HOIL 21/20.

96. Ewald A.W. Germanium-stabilized gray tin. J.Appl.Phys., 1954, v.25, N 11, p.1436-1437.

97. Серегин П.П., Нистирюк И.В., Насрединов Ф.С. Олово как изотопная примесь в кремнии и германии. ФТТ, 1975, т.17, 8, с. 2330-2334.

98. Серегин П.П., Бахчиева С.Р., Кенуа М.Г., Петров А.В. Месс-бауэровское исследование примесных атомов олова в кремнии и германии. ФТТ, 1979, т.21, J£ 4, с.1236-1239.

99. Shimizu H. Optical and electrical properties of germanium single crystals heavily doped with tin. Science of bight, 1972, v.21, U 1, p.53-58.

100. Бахчиева C.P., Kenya М.Г., Петров A.B. Теплопроводность и подвижность носителей тока кремния, легированного оловом. -ФТТ, 1979, т.21, & 5, с.1554-1556,

101. Temkin R.J., Paul W. Transport properties of amorphous GexSn1->x alloys. Proc. 5 Internat.Conference on amorphous and liquid semiconductors. - Garmisch-Partenkirchen, 1973, London, 1974, v. 2, p.1201-1208.

102. Unuk F. Preparation of compact JL -tin specimens. J.Crystal Growth, 1980, v.48, N 3» p.486-488.

103. Болтакс Б.И. 0 коэффициентах диффузии некоторых примесей в германии. В кн.: Вопросы металлургии и физики полупроводников. - М.: изд. АН СССР, 1975, C.I2I-I29.

104. Земсков B.C., Белая А.Д., ПодкорытоваТ.Н. Об электрической активности олова в германии. ФТТ, 1964, т.6, Л 8, с.2552-2554.

105. Вяткин А.П. Исследование свойств сплавного контакта германия с оловом! Изв. вузов СССР. Физика, 1959, Л 2, с.48г52.

106. Рыжиков И.В. Влияние омического контакта на вольтамперную характеристику плоскостного диода. Вопросы радиоэлектроники. Серия II. Полупроводниковые приборы, 1961, № 3, о.69-75.

107. Пихтин А.Н., Попов В.А., Яськов Д.А. Омические контакты к полупроводникам, полученные с помощью лазера. ФТП, 1969, т.З, № II, с.1646-1648.

108. Олово высокой чистоты, марки 0ВЧ-0000. Технические требования ОСТ 48-80-74.

109. Розов В.В., Соболева В.М. Сплавы для полупроводниковых приборов. М,: Металлургия, 1969, 245 с.

110. Практическая растровая электронная микроскопия. М.: Мир, 1978, 656 с.

111. Антощук В.В., Примаченко В.Е., Снитко О.В. Инфравдасные спектры поверхностной фотопроводимости и фотоэдс n~Si ФТП, 1977, т.II, № 2, с.305-309.

112. Шарма Б".Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов.радио, 1979, 232 с.

113. Федотов Я.А;, Груздева Г.А., Ковалев А.Н., Супалов В.А. Изотипные гетеропереходы n-Ge ~n-5i . ФТП, 1970 , т.4,5, с.825-829.

114. Грибников З.С., Мельников В.И., Сорокина Т.С. Размерный эффект в электропроводности полупроводников при разогреве электронного газа. ФТТ, 1966, т.8, № II, с.3379-3382.

115. Климовская А.И., Снитко О.В. Поглощение энергии горячих электронов поверхностью полупроводника. Письма в ЖЭТФ, 1968, т.7, № 6, с.194-197.

116. Thompson H.W., Reenstra А.Ъ. Electrical properties of the interface region of the Ge-Si alloyed heterojunction. -J.Appl.Phys., 1967, v.38, N 12, p.47394-745.

117. Donnelly J.P., Milnes A.G. The photovoltaic response of nGe-nSi heterodiodes. Solid State Electronics, 1966, v.9, N 2, p.174-178.

118. Taylor P.D., Morgan D*V. Role of radiation damage on the contact resistance of GaAs Schottky barriers» Electronics betters, 1974, v.10, N 21, p*428-429.