Ионно-электронная и вторичная электронная эмиссия дефектных щелочно-галоидных кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

АКАДЕМИЯ НАУК РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ им. У. А. АРИФОВА

На правах рукописи

КАДЫРОВ Бахадир Абдуллаевич

УДК 537. 534. 8 + 537. 533. 2

ИОННО-ЭЛЕКТРОННАЯ И ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИИ ДЕФЕКТНЫХ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ

01. 04. 04 — Физическая электроника

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ташкент — 1995

Работа выполнена в Институте Электроники им. У. А. Арифова Академии наук Республики Узбекистан.

Научный руководитель —

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Рахимов Р. Р.

Официальные оппоненты: —

доктор физико-математических наук,

Кремков М. В.

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Баклицкий Б. Е.

Ведущая организация —

Ташкентский Государственный Технический Университет им. Абу Райхон Беруин-

Защита состоится « _____1995 г. в

часов на заседании Специализированного! Совет]а Д. 015. 23. 21. при Институте Электроники им. У. А. Арифова АН РУз„ по адресу: 700125, Ташкент, ГСП, Академгородок-

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института Электроники им. У. А- Арнфова АН РУз-

Автореферат разослан « 1995 г.

Ученый секретарь

Специализированного Совета Д. 015. 23. 21., доктор технических наук

ХАМИДОВ Н. А.

- 3 -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы. Современнее развитие физической электроники и ее научно-технические приложения постоянно стимулируют исследование процессов взаимодействия ускоренных потоков атомных частиц с твердый телом. Эти процессы инициируют эмиссии различных типов частиц.и приводят к модификации Физико-химических свойств твердого тела. Изучение взаимодействия атомных частиц с твердым телом необходимо для эффективного использования ионных лучков и плазмы в научных исследованиях, в современных прсмымнжннх процессах, в медицине, биологии, космофизике, других областях науки и техники, а также развитие лучковых и плазменных технологий в микроэлектронике и высокотемпературной сверхпроводимости.

Среди эмиссионных яглений, вызываемых бомбардировкой поверхности твердого тела атомными частиаага больиой интерес представляет исследование электронной эмиссии (ЗЭ). Происхождение ЭЭ связано с релаксацией электронной подсистемы, возбуждаемой за счэт тормоаения бомбардируема частицы в твердом теле. ЭЭ играет суяествеинув роль п протэкапя» приэлектроднык явленна в вакууммД дуге, а также в газовом разряде. 0 последние годи била успешно продемонстрирована возможность использования ЭЭ в качестве физической основа иетодов диагностики плазмы Ш, электронной структуры поверхности й приповерхностных слоев твердого тела [21, элементного и молекулярного состава поверхности [3] и др.

В исследовании ЭЭ, вызываемой бомбардировкой твердого тела

»

атомными частицами, достигнута значительные успехи. 0 случае металлических кристаллов установлены два вида эмиссий ~ потенциальная ц кинетическая ЭЭ СПЭЭ и КЭЭ), отличавшиеся механизмами возбуждения электрона. & диэлектриках типа ионные кристаллы, наряду с 1Ш и КЭЭ, обнаружена эмиссия, происходящая в результате

. - 4 ~

оочиеотііого дв(І;:тьил кпнмтч&окоа u потечіциащ.ноі* uпорти ОиміЗар-вирущйв частини, т.н. отіїму/іироьіниья П'Ю (СПЭЭ),

Анализ нэвйстнцх зксибршы.птйшшх и теоретически* результатов ноея&докати ионно-олахтронлой и вторичной электронной $ші?сий (ГОЭ и ВЭЭ) сьмл^ічільствуат, что Ооибардироика щолочно-галоцдник кристаллов ОНГМ потоками ионов, электронов, электромагнитного излучения сопроію*да*»тся образоіашібм различный тнпоь лр^'ктов, оукоотьенно искаїзкчик кристаллическую u электронную структуру кристаллов. В то же ьрзня в бошиинотае pador китеркр*-танич получ&шш результатов проводилась ь продполоюііші, согласно которому оіЗіакти иоолрлп&ани.ч - Г.ІГК обладают ивоальной (Ооадч-■іуктной) крист&лчмческой и зонной структурой. Поэтому детальном исследование ьлияиил де1<:‘ктс'Ь в крііитаплах на характеристики 1ЙЭ и ОЭЭ, н>'«помнв1!но. яы’.лйтоя актуальним я сьоовряцолным аля дапь-некого лоншізш'і процессов і«ьаіШ'5Ді‘йотвИ)ї атомних чаоглц и электронов с тг?рдім толом. . Ясно, что такоо, иослапоаание необходимо роачизярать в экспериментальных условиях, а кггорик сбеспочт.э-

О.ТСЯ Г!рО!!иуаЬйТЕ-£‘!Ш:-.Я ГеНвраГ.ИЛ ДЬК'КТСФ fcHOiUla определенного ища и проводится контроль киньтики ах обр&язьашм.

Однкц из наиболее распространении* тмвоь доіектоь тьордэгй тела «ьмглоя точечное до|оьти СТД), сока народів о размерам атомоь и возникасшие при захвате носителей заряда со(5сг2єші;.шї! и оримеешмм дефектам»! іфаоталличеокон редегки.

Пая»» диосерта.’ионноп работи яьилемь экоперикс-нгальиов иссльдоваиио їпішіия ТД на характеристики 1ЬЭ, КГЮ її ЮЭ ЩГК в учлопнях, обсопечигавдіт* г:реимуа,естьенную генерации и«{ч2КТОЕ определенного пт л Kojivpodb кинемки их обрааогапвя. 'Ллл дости-узішя иостаьланноЛ иша плакировалось рсчгени» следуеыик задач:

’ -разработка №год.;и<* и эконзриментальной уотаноьки для

исслодсвзяил влияния ТЛ типа центров окраски (ПО) «а характгерич тшш - коэффициента и эиергвтич?слио спектры электронов из состава КЭЭ, ПЭЗ и БЯЭ, возникающих при <Зом<!ардироьк« ЩГК пучками ЕІОНОВ и этек'грсноо о энергией Ео и К от 10 эй до 4 кэВ;

-исследование термического воздействия на яарактеристшш иошю-электрокноЯ зкнссии ЩГК, окрашекних '/.гк в парах собственного ЙРЛОЧІЮГО металла, так л нишэирукишк излучениями;

-исслрдоватив нлкянил создаваемых Г'лскгрошюй бомбардиров-кой ЦО на яаракттіс’хики кинотичосксП, ііотєицийпьіісй и вторичной элоктронноЯ эмиссия Ш'К; ’

-развитие ясопотаслощи’. о мояаиюно- электрошшх эмиссий из . В0ф5й71Ш ИГК, Й такзо, КОТОДО* ДПаГКОС'ГОКЯ ПСЗДрОЮОТИ и приио-ЗСрХПОСПШХ слоев И01ІШ4УЙ пучкаия.

В качестве о^актов иссдядонання служили ЩГК, обладавшие шбояеэ простой крвсгаляичоской и эиентроичой \яру мурой я удоб-п’о ипл иэушшя нояапаэмоп образования различии* де|о«.гов и их 5ЛНЯІШЯ на $і!5ї№сміс> свойства кристаллов. .

, 1Ьх*.ШЗ. псчмша. Прсгодопо ксмішвкодо иеояедоютл хзрак-•сряоток потеиуигяыюЯ, птшгіескоЯ к втоцічаой э.'гектрошюй

Г'ЛССЙЯ де^ОЯГПШ і?0'К С «ДН0Гр5і<«ІННЧ КС*!! ІрОЇК'М СіТЛІЧЄСІШХ И тер-

ошягаесае.’згта СІЛ) параметров’. Оепоеднз рс.чупыатн, йояуп&ти’о работе», дмягзте.і поіппіи ц сригшгалшаш.

1. Ті1 ,тпп:і Р -центров я «х -г.ссоціішіиЛ, со;ииг-а>;?;но путем СрГібсТКК І'.рПОТЙПЛОЗ ї?4<31, Киї и. КВі• 2 Пчірак СО’ЗСУМИШ'О кадоч-оіч> П9т«лча, прчяодят к укгпьегаші» кочф$‘ііцмнт ПЭ-3-;' и ео^рад-іяп» кєуі'і>!«нс-]П'л !ЙЭ-гк по« бемзардироаке ьояамл Лг\ !!а+ к Из' экертй и лиап.тлэня от 10 до ЮОЛ оВ. При соадсшп; ТД ваддей-ГВЙСМ :! рої*І ГСНСЙМ5КОГО ЯЗЛУЧОІШЙ ЭМИССИЙ ЯП1'У.Три’.МВ уДО!іи«і~ 'ся ао чсяі 5п?рти'ігском диапазоне поло». Различия ъ язмрио-

киях КЕ0) сьязано с долее низков термической устойчиьость» ради-ацлонко ген&рируеищ Р4-центров, чей с згтктронншга ЦО СЭЦО), соэдаьаемш в парак металла, что обусловливается наличием шш отсутствием в кристаллах лщючшх ДО (ДУЛ-У^- и Н-центров.

2. Лефекты ь кристаллах КС1, КВг и ИаС1, создаваемые электронный «хзлучбииеи, приводят К неионотонному изменение КОЭф{ЗДИ-ентов у , гк и БЭЗ-от ь зависимости от поза облучения электронами (03, что связано с процессами образования Г-центров на дорадиацв-ойяік аяиовнюс ьакансиях, последуйаши их разрушением л накоплением ЦО на вновь образованных собственник анионных вакансиях,

3. Процесс разрушения 0Ц0 обусловливается рекомбинацией' с Ук- и Н-цшіграии и обеднением их концентрации в приповерхностном слое, ограниченной глубиной выхода вторичных' электронов X.

4. Показано, что при электронном облучзнии генерация ІЮ в ЩГК по глубина окрзшиваекого слоя прокскоднт нвраьноыеряо, с определенным профилем распределения и существует слой эффективного образования дефектов, глубина залэгания и тощина которого определяются энергией облучагдид электронов. ■

5. Показано, ■ что низкоэнерготичеекка ЭЦО к кристаллах КС!, Ш- и НаС1 увеличивает коэффициент ук. » глубоки© Г,-центри действуют как рассеивающие центрі! на ьозбуждегшда электроны, .

6. Влияние типов ЭЦО на иэмяненке |ормц энергетической спектра КЭЭ характеризуется увеличением числа электронов с яаибо лее вероятной энергией при наличии и ЩГК ?л~, Га-центров и уменьшением чвела быстрых электронов 6 присутствии Г>-центров. Н энергетических спектра» ПЭЭ кристаллов КС1, КВг и НаС] при бон бардировке ионами Аг+, Кэ+ и Ш+ появляется тонкая структура, виде ступенек, максимума» и минимумов, энергетическое положенії которых, с учетом сродства кристаллов к электрону, адекватны

энергетическими значениями поверхностны» Э1Ю И ДІЮ.

Научное и практической значение. Влияние- ТД в диэлектрических структурах на характеристики ПЭЭ, КЭЭ и КЭЭ позволяет глубже попять механизм возбуждения и ьнхода ялектронов из твердого тела, их взаішодєйстїия с дефектами кристаллической решетки и способствует развития последовательной теории эмиссионных явлений длл неметаллов, физики поверхности»* яїяекий и вааиколейстпия атониях частиц с поверяялспыз твердого тепа.

Влияние электронной бомбардировки на характеристики ИЭЗ и ВЭЭ ЩГК позволяет определить механизмы образования и накоплена ТД на поверхности и в приповерхностном слое диэлектриков, энергетические состояния и относительные концентрации ЭЦО и ДЦО, что представляет интерес для развития предоташлопнА ь радиационной физике поверхности диэлектриков. •

Разработанная в работе методика и результати исследования тернолюминесдеитиня и эмиссионных свойств дефектных ЩГК, в зависимости от способов окрашивания, создания дефектной структуры по* веркиостя при электронном облучении представляв* интерес для развития летодо» модификшти своЛств поверхности и ее диагностики, ко.тачестреччого алглиза концентрации, кинетики образования, раз-руления и уо гой’швости раз та типов ЭЦО и ДЦО.

Основное положения. ршюлі>д;9 на зжиту:

1. Метод доследования ПЗЭ, КЭЭ к ВЭЭ деф?ктких ионных кристаллов, тмечч&щнй ь себя способы создания ГД обработкой кристал-

• *

лов о парач собственного щелочного металла, ксздейстпием ионизи-рутцего зЛ'.-ктр*л«П'итиого ирлучення и бомбардировкой электронами, контроль типов ТД по термолвдаиесцекцйи и оптическому поглощении л измерению характеристик эмяссип в улдсьяях отсутстгпя аарядки поверхности В полусферическое МЧП!ЄНЬ--К0ЛЛ''КТ0Р!Г0/! системе.

. - в -

сі. Соьоьушюоть їіоьц'і акспарпиьмталышх результ&тоь, ь тол 'аи.лч', ьпйрбії^ лолучекшо нашию о каї-актврнйтіїках ПЭВ, ІШ и ВК териомминедцатши и сшїмчаокоги поглсщйина пексторих ШГК с различными їмпаин ТЙ заданной концентрации » б втшшке ее изионсті,

3. Ненонотокни« изменение коаЭДиинеитов у , Кк> сг, кркьи: Т«фМОЯЇШНвСЦе>КЦИІ< Б *! КОІіиеііТріаЦіі» К -ЦкОТрУЬ Л 6 ьаьчоинооі'і от пози Г> электронного оЗлучеьия. обуелоьтмшод характером сгшоо процесса нако(ііїйш<!ї ТД » прлпоьс-ркьло'п^м сяо« кристалла и явл>ш

ЦЄГОСЛ ОЛЄДОІ Б)»:Ы ОбрйЭОьаШЫ Р~ШП\ЮН Я 11Х |)г}К0М'Ш)зІШ!

кыручикми Ук- и И-центрами, «игрируклиші м.і о^ша лриоталяоь пстормооти, л тисы, преобразований зшюкгартш де4*».*гоь Оолео СЯОЙНио. .

4. Оаиісишоти }■ и ілійрічітичаекаго сіюктрл КЭЗ от тип 5Ц0, поназиьаівдие, что £ щшаутотеїш Г -центроь происходит уі*ш ІіШШІО ЗМІІССііЧ на счет раСОРАЯИЛ на НИХ ВС>0'3;ЧЛ‘ЧШьИ£ элежтролаь, при ііиличин Г -• н ^-иеитро» 'уіечіічоїіню гк з<і ечаг их ношіааииі: а так».а, полгл*>ш*е тонкой структури на эи-эргчгтичыских спс.ктрг ШЭ, связан**** о іовимсдей-зші&м зштмрутї»' злоктроиоь о гюьерз

КЗОТШШ ЗЛМКТрСіЯІШМі! Н ГДфґіЧІШИіІ 110.

9. Вшская чу»ст£йтельй5сгь ПЗЭ, КДЭ и ЪЪЭ ь поверхности Зі Прмпо-йерхиостьиу ТД, озуслоьленная І'ІіЧИТИіІЇССТЬІ) НОЗСІукДСІЛІЯ ПерЬИЧІЮИ акте СТОСТНОМШІЯ электронов и их ВЗаііЯОДйЙСТЬЯЯ О,; путец г.ВйИТ'оьанит' потерь анергии на связанных электронах, ііолеяі., опиоив^гаая развито дв^ктиоЯ структури приповерхвостя сіг«® £ГК, при их ойлучашт йлоктроноті,

Пу^йУйіщц. Оаиоыт солщітіт длссорташш нэлокно б яуі<лш»щияі£, слисок которых приводен і1 ксшае автореферата.

Апі?о.*-зПил работы. Матврийии диссортациокіпП раЗоти доклал згадась і? СЙЇУ^ДЗЛИ'ІЬ і їй В-}*сп>'*ныя еямюэлушм но "Шаимглііьйогї

- у -

атомній частиц о пов^рхноогмі ть^рдого тела", поев шинный памлги академика У. A. Afiifoss (Гавмнт-1в7У к 1W=U; на ll-V Всесої/зьнх сов'пгялиях-семинарах по "Диагностик" поверхности ионными лучк«>ма“ СДонвщ-1980 и 1989. Ужгород*-) 983, Одесса-1 $Эд); на IX Всесоюзной KOHfep^HiiiU! по "йяаьмодойотако атовдмх чаот»ш с тиердіда »«гс*н СМосквад - 19Ш); па КІХ Псесовуноя конфере нцни по "Эмиссиуян^Ц электроники (Таы;«кт * я а VII симпозиум^ по кЭЭ, а

сітекіроспсл'и псеерхнооги гьердога т-эиа” CTauitoiin-L49Ci); ич Всесоюзном совуцанип ”5?л?ктрилаиия*бЗ" 0)ркугок-Гй?); на м<?.*яуна-рсдмоЯ K-)4j*p*<!iH«n по "Кодуф'.нации материалов ионнычи путана" (Ш, !!-?!-Х’)М!ЛЛ-|Он0); И* J ІЧмИуСІЛИШІСКОЙ 1,ОіЦ*Р**‘ЯіНЙ по "ИОНгіИМ

’і роти-м иргцэосак з> моипнх крі'сталт" (Ол-lyW); ««• >rw'i-

ВПК С»»'«НйрЗ)'. "iHSSOMKOit «ЛеКТрОНЬ'мГ МІ У ИМ. Л'ФАіЮ’У.-Г*

(№;•.?»• tі « "'ЬГ'Чяи н технологи»! мат®р'ппсв” ТсмПУ ям. Ао/ Г^Исі і'«ру»г.і я ІР ДН Усо&кистаиа.

Диссертация состоит ча ьь-:-л«тн. »*мг«-|*лч глав, cci*fр'(«ч пмгодоз и «доком лиг^рчіурі-1 я Кллсїлміл яа і]2 отрачвка?. ігл.-ігогрлроваїїл 40 рясушимі ча ЗО яч;гах.

йо t-pfijr-imvi озосиойана «итуапьпсзть и лапа осчізл л.і-рчюетг.члк-» проблеми, с<$ормУлирояаяа ноль работы, уч.чо^ин д*и«-ЯЫ9 0 МГНї'І? »<С!&И:?И«>, ПрШ>“Д?НЫ ОСНОВНЫЙ і] С ПС Xі'HIM, М1»ЧКЯ!М19 на чйяиту, ч іючазачч научная и ирактк«е<ікая чин'-тичость реэуцьюто».

.глчм дні! сб'зор литерагурн цс гксшфоднгалмому * Т»ср»!ї*СОЗТ?ДCFЛ>!mj ЭЭ ГЇЗ ДП.ЧЛвК-ї».’ВК<>Я ilpll боМ'ЛфДИрОИ*.»)

яспачч и о”,-"-іі.ч'пчі'и. Ptvny су^ст^усздк ра'?ли%лй р чаксиомргнос-Т.ЧХ М прОЦЧСОСЇ, CtyCMnP.TOIMH'Wtt змисоки 9»<»к'грснов в

мкуум. ЮТ, ІШ и П13Э, ч«»е«и9 БЭЭ и и;<оюэдеся л&міч» об змии-ОИОЯН'и ОЕО.ІС’ГМХ ДОфОТШХ КГ'И’ГЯЧЯОВ яркяолятся одапшо,

В обсуждения состояния ьопроса обоснована целесообразность развития исследований ИЭЭ и ООЭ с дефектних диэлектриков и сформулировали иадачл дксс,:->рТ(Шиошой іиботн, .

Вторая г/гае-а посениема методам и результатам исследования 1Ш из кристаллов На 0*1, КС1 н К0г, окрашенных в парах собственного щелочного металла н моццэмрумшии излученияии, под действием бомбардировки ионами Не', №' и Аг

Кратко рассмотрены существующие методы устранения зарядки поверхности диэлектриков и обоснована целесообразность применения теплового метола для ииученмл ЭЭ с дефектних ЩГК. Описана конструкция вакуумного прибора, состоящего иа источников ионов и электроток, обшей сиз тем Формирования пучка ионов и электронов и кваэнсфернческой пятналектродноя системи (4 сетки, иишчнь и коллектор вторичных электронов), предназначенной дли измерения характеристик ШЭ и ЬЭЭ ЩГК, Обаая система формирования пучка позволяла проводить измерения характеристик эликтронной эмиссии с одного и того ке участка кристалла, а в случае создания ТД электронной бомбардировкой, с окрашенного участка образца.

Контроль типов генрриривуемш 110 осуасстеяллоя катодом оптического поглощения. Спектри оптического поглощения намерились с помоцью спектрофотометра СФ-10. Характеристики ИЭЭ измерялись ц стационарном режиме бомбардировки при плотности тока ионоь Аг+ Не+И Не^ J=10"13-10"*э А^си* и температура образца ЮО-ЮТ’С, при которой сохраняется цветовая окраска кристалла. Энергетические спектры ИЭЭ исследовались методом тормозящего поля. Рабочее давление при измерениях ке превдаало Р-10'* км рт. ст. Погрешности измерения характеристик ЮЭ и ВЭЭ ЩГК не превышали 3-4 %.

Показана, что окрашивание ЩГК существенно влияет на ыг/од ДОЭ, причем характер изиеневи» коэффициента ИЭЭ-г, аависит от

ож'Сибой W'.^acut. дім лрисїамо» tUCl, ододччмих рлиышонтад! snococtann пя'.Чиигьигоа ум-лклччшй ьиходн »ftO но евшими») о гіііні кк'Иоїлчплмі. 1ч> її>;я«!оьа»ніом диапазону ,п№'ру;*,д іктоь \Г* Є --с.и-БСО оВ orіС’їіі'.чл'Ні!*; ґ дя;і частого я ырп»тныъ hpw*

О I

:<ш лов, й \.'сио5іЬон, coKj'oiinvTvM, Одй&ло, ал»і кріюгалпа

іОГО В Пйрыс 00>?! ГЛ'ЖІОГО »K<!iOV>OrO І.ШЇй.МЇЧ &UKOM tiUlWC’.lH уіл'.-'ї'Ь-:-".‘ЇОЯ ЛІН.іЬ lv ИОЛЦ^рОГОДОЯ 0<ІП;іЄ'і;і МУ, і. pH ИН^рГ>ЫХ УоііО* £ S .СО оВ н CTuiiCiUVvM чуі, с частого к1.исіалті, ftpa її "і ЙоО

і:. Ди-1 Ч'.'Г'-І'н;!■.ї .чи'.--,'и С‘МИ <ЛО’ГуЧЧ'ОІ Т-їиО ДЛп і'4н;0-

4.Ч:К>0 Ь'Н Ч Г.РГ, p-V- ОіІОСОС-Чк.І цр!( CCMtfsJ^iifiGbKa

х ні 1 i!i;■j,'- і!■-■>*л; І.""-*. <,'м'іі.,'сгн:ч и сн'чггроъ

П'і'i’/ocnoj'o д/ы мютич а оі;рл;:‘.‘ч,г;^ио-

і-іч-.яі Ь'.чСІ 'іго и йі/і'Оуи.к ья<л;>{,'-}лс,и а

; •;к с-пу’АЛ'.і or'ycib-Vr.5;1'! к очо/ rcnr^iwtt а (■Срс.гидх U0

ґ’ (4!‘1> >!-0 П Г_ CfiVJ \'г>) -цП!(’і}:(;!(. і V-i -.? ,vj Ji .'.і >і ОД-і ",'ilCti О Г \СІ , OK,;!ПЬл И ЭХ }/'-ГЛЛ;:-л И ; ;a«u;5,w':>!! -

■"It •( VU;- 'lit:-. ГС.Ї y<"XC V!>!!’,Ov ! пі Г И F, -Ц“і; J J-ОГі Ъ OtfpfW

о:'): v:.":•.!•> »:! I'-'j-jv? ои^'-^сг ?cI! 5!-';Ли'см'!,^о<.‘7и:> f^-д,„,-<•(-.on i:o

П;сЯ''До:::і'-!; г- :Ь'кск>-.ч <лірі.*»|." r> -ї-і< • ;?л-.-к-

■.'•i'.Xj !Кл ) г,;ггсч };о * >.с; <;] "іО ;-'іО и /Г1 ■ .'іл'Н ПІ ^SO ’<п.!

<■ >

■ с.з уу.-')<о, >‘|Л) у;:--!;’л< у. Сч'.;.;:0’:0 ■ ;і .‘-T'’-М у-’.tf-»зг:ї>м

' , ь'

■•"Л П’ !ПІ" ''"Р'Г'.ІЧ .■'■ С r<_-:.-р; от ! ,К> І’Ті по »•:) і!

Ч/З ’'О і), 0 -'!) ’• і;■■>)';■ t.<'пу \ :• ; а ^Ч'0рі:м, лі о?л-,л'їл:;

' : гг о’} /’j 1,0 Vi' !< ov З,1.! !■>■? і'і' 4,0 7І;>-і уі;'5я;)';і-'.і>ьї

-н j\0 GvVi Кр,!'!"; СГ'1 Г- „і- vTC;l',

!• .-r, г,0) , (1:Ч5 -J ! ,1 VL'-S'r^ ; vOO’C ОТ Л’.ІЛ.ЧНІ». Х » 1J,.-

- '•• '■! </’, Н'т:

о ' V: 1С0У v’J іі;-’ iv.r <я от.'-.!Тог* ■-:о(о к

ку уы.лй'ьнн» у и угмшьбми» >'к до значений, дляаких к Теи, которые нгкЗивдаьтся для м«юкраы«шш кристамсь. Шианыию ьиод*

тій у^ к rk на oi!f>ftsi«iwux ь парах каталяа кристаллах КдС1 щючо-ходит мєдпоішєі», чем на у-облуч&лных кристаллах,

В третий нш>а прилежны отюатш попользованного катода і результати изучения козйиця&н’гоа н а от дози D и энаргнн ЕИ электронного ойлученіїя, от энергии ионой I!d+ Е и апаьтроноь Е ,

• . Р

ввбргйткчевкик спйкїроь НЙТШЩИДЛЬКОй И кинетической ЭЛФКТрОННО!

вмисс»ій“М«к) 0i3/iy>te)i!Ji.J4 еяоьтроналл кристаллов КС1. КВг л Had,

Ле{«кты в кристаллам соэдаьа/шсь при комнатной тс-шифатур

©йлуч&ниен элоктроиац-д о плотность» тока J <0,1-1,0) 10' ® //си

ь дя&пазоио энергии Е»1,0-8,0 ьаВ. Матод манерень* оптически

спектроь поглэаимя позволял оирадояить тип де-^кто» и ил концеи

трацио IS), Т&рмичоска* стабильности создаьаоиик ТД контрлнкроьа

лась Методом тбриолпиинйсцонцки ь спектральной o'Jii<v/rn от 300 л

600 нм, » ьакуушюи приборе, ькппчаздаи фотоэлектронный уыноил

те/гь-ФЭУ-ЗЗ. Этосноиииэ мракториотаки ЩГК иэн«рнлн ь стаиноиаг

ном режиме при Tewi^parypa иеьерхиолти *80°С,- Температуру снят»

варядки иоьорхнссти оцоииьанц. при оотивакии криота/ша по точ>

начала отклонаяияг тока ьтормчяиу. эяиктрбноь от тока насипний.

Измерения оаьисиазстбЯ >'tCD) и г СИЗ проьодились при ьна|

гаях ионов 1кИ Е , при которих -реализуется кинетический и ноте)

циальны® мвкэннамц ИЗЭ из ШХ Б случае Б0Э, uaiwpsmaa o(D) пр>

водилось при аивргмях перьичиых элактроио» Е^, при которых ьо;

Нужденне аторичикх элактроноа происходит h приповерхностных сяо

о тонцин&ми, оуавстьбиио »мныш«м м, значительно предои&ыш

глубины Р'.ії'іГ.тияіюго ьйхода эп&ктроноь из КГК Ира обпучьи

КО! електронами с Е1г=3 кэВ обнаружено, что криьыв-yfctW, rfCD)

ff(D) м&іійг-тся немонотонно, с характерніш максимумом и минимумов

Ряс. 1. Зчиі-.'іштли }■ v. ■:г пт (D3 длл КС1, сЗлу’мнкого эшжткмл"** з Е .'3 с.зi* s' ЗО'4 Апри Оом^арлировк» чсньмц Н>і с. f. -*

3,0 <13 и ’3,С"о кяГі (23 и влекгропздк о Е * 1,5 (33 и 0.1 (43 юР,

>ачаиъипй чтынш и!.'•■}••>•• і»м на frm* t>s*»*ro уі-оличон;»,; ,» уц^.т. ..■■ ..,•>» №?£,|а*1И“ИТО»' гмисолй (ряс 13, У&ъж-ъччь К от 1 до 0 i>p с-•САЙТ I'Wj'SOTWtSb Ж-.И'^От-ЯИХ ЗЬм’їмЯІЧі у И y,-U4t ІІЧІІН' Hht.'■ .’ИХ PhH'saii’.tfl V (Е *!.,? КэЮ И-1 |ф««ЛК У AD) 11 СІ Г'.з, I!-.

p * n »

WKC>iUyi<4 И 'M.hM'jWi В C'fOpC ну <J' ’.'..‘.і;; 0 Ji \ і

•Ш«111>ум.1 II і J.pHf/W» ЫШТЬ до '.Г'ЛИ'ІГО

Ihyv :мео!і;і--;і-и ЇД uo і), м-а іг.іі.- ,<■ С і? j j --i-.it •-■ ■: <si

P>?Kh(;r'’iJv:ii і.ріісталл'4 КСІ осінару-к-игі, »iro k нр'Ч'Г.одкї іія. свож^ wio'i к: odp уол'-л.■•(»>■-.‘.■•л-

ОНЦу'і > ї (>Л vnt ..if *';1ГVi!' Ч,’* і.іііг.'ііЯ;,' \ '■■ >' . іфіг ’V л-Л-, ■ .1.■ Ил

с'лач’Ч-і1^ :ігг«м лгоднрпуолыи'И у*ряоі-.н$ C'Sp-.-Jwivm --тої.-. « ?•

сэрчст-чп1 нуми’іигельно, при солео 'і-іі’кдм прОА“,-к;і;іл ...............чі'Ч’Он-

ОСЇИ у К ЙЗ. При С'ЗпучеКИЇІ CIWYeCRlViOTUJV КСІ yWHhl С D"

•10’4 сн г. у ;«<тд га оорА\>'"вани*м стріл';/ріі на і №*«'•. j С03 pwj-

o yn9iiij-jorj-’.vi } до si's’ivhiiii, сад}.«?v<n<■ ;'*»г.чн nv.cruM крімтакллм.

■ Идогн’Ж’Ино* изменение /k(!33 прасуй» т.*кх* крчсмллкц КИг и sCi. У отлччпэ от ирйстачюг» ГСІ и П.‘г, ;да когорь-х значения у^

- н -

и &аьиоишстм от D растут, дчя 1<’дС1 - ук умэшиаегсл. При 1!ЭЭ х:>л

кривой У (М для N*C1 оотлвгсл нензиаынм.

)Чссмотрони заьиеимости <г от ьромуни х odnynuiiiiii Ш ыш:~ •ifX'iiau.i. с К *1,9 каВ, Показано, что посла omtra ЦО, значении а на Аосстаиздлиь&етоя до первоначальных ьиачздыА, соогвотствуадик чксгым крнсгсьч/мм. ito заьиоиыосгйх оСЕ ) оОлуч^шии глактронами крийталпоь КС 1 и UaCl, ь диапазон» Е от 0.2 до 4,0 г-с-П, г/ упои»,-нас-гоя при 0ii>ubpt><«itti0M смешении о Е. ( 1-1,’> каii до 600-

600 аЬ. Установлено, что при ГОЭ ьозЗуглйинив алоитрони Jip.ii вихо-д*:- из ;,е<1-*ж'пшх JU’K преторлаьаот раосашм на Ш), пеэаьиоиый or их тиной, и поэтому, укепыааегся глубина ьидода элзктроно* -X.

)Ь/чвш<>м криьих дормолшингсцвниии ICt°) крмзгйлло» KG1, КЬг и ItaCl, ойлучаниш эл«ктро»4и« с Е >-3 кг-в в течете 10 тшу г уагыюяягио, что и них генерируются К *цьнтри и пк ассоциации (рио.2,а-в). П(и1 гзмларэтуро мзмор^шя ^(Е ) и НСг^-бО^'О, юмдвтеио отжига чаотл IW, ыиыд в omhw:;.* из Ш мсчип* У ~ и ? -цадтри. » KDr F - к F - а ь NiGi-Tont/.o F,-uwirpu. !■'>-'* рис.с',

r-e ь'идно, что, ири B-ui;i4,i>! пьрбчиойьцпан ■umofc ПО * о^дшга

ивслюдмтоя уяоличонле yfc ь Kpiu-.TSM-ia.'C KOI, Oil is у^и.и.смию в KaCl. На кривых KC«k) КЗЭ (ite*. £0=J куЬ) Дс -до.гьйо

л ну к групп GUO: раоськвакаи* &оэдузд«кпп:<> элэдтрсни К -й&'прс-в v иоькаируеиык мпзкоэдюргеткчеомм F - » F -UC'in(риз.с!,» .<'>■

Шученявм Т6фиОЛЮМИНЮвЦООД(в КС1 yci-l^.'fi/iviio, ч:О ири )-!•!.-личэдки D изменяются ИбйС'иатояао тлназ is кышч'-^п ма.и.;: одаи-

лил F - н F -центров. Првмвюш» F -цвитроь im Р -ширгиги вра-ьодит к относительному рос!у у , а а рротиьоп свучл», - »

уменьшении Ук.

Сравнительных изучавши эавиоимотн j\, к-;«;цвнграцкм F -

1 BK'tpw Nr « с»*ж>зу?м (иитеЛ’ралой) крягш: тсн^яг'мшдааднцйм S

rc

j 7 3

• и І г у*' У1 /

й :1 ‘ і 0 /

F, и ‘ /> ’ / /

/* V\ . S’

; F t r • d d

f ** 'i * / : / / 10 :/

■ к: . A..Z. L . ^±j V a ^

* ч ' S

«...B

Hno.ti, h’Pilsl!0 іврислиишіесц*ні!іяи Ca-fi), зависимости j^CU) (r-*»J

% зниргетичезки-* sflOKTpu алйм’ронов, зшіliipoiiainiUi.' пря КЭЗ (ї nl

ЙПЯ v^na (1) и осілу чэмш улвктроианн (Z) кристаллов ЫЛ КВг (о, д,эJ я Шо’1 (в,а,м).

в зиьичимости от доан «}яуч*>ш 0 кристал»'» i.Ul показано налкчиа корреляции fe-*.ny изменениями у , !1Г( и S, однако полуширина максимумов лая Иг СD) и КШ о> шуп певно Mviitue полуширины для кри-f.’ft )\ - Р.) и мзкоимучн см«а«»м в область малых D.

В оопа'Л'я тпия мюргмй ионов !!u+- Е =10-100 ?В. » которой ?м*!оси1 эм‘.'К1р'?1'о^ определяется потешдедпькыч м»*«гнп?мсм, НУ Приводит П ун?И1-'.'-"«1Ч> УН'?*ЧвШ1Я у . В cnyus ЮТ fJllApyae'IO І(1.'Н»=Н'‘1ІИ5 •*И*рГ*>Т«*к,0КИ.Ч ЄІічі.Тр<Я>, О0уОЛ<<6.ЧЄНПО4 ПОТКНИ :*;1&Ї.ГРО»'ОІ' :\н no-.СЧ НЫЯ ll'\ Д|.Ч крисгнлп-* KC1, ОТЛИЧДт'ГОСЛ ЮЛКИ ^p-onvTl'vM

11 t»m*> •'•pony (>0,0 Г уШ IU], злач*лім jioicpi. npiKTHM'i'VKi' am-* Г'пчч о ?и“рі{'ГйЧ»гки«іі пя(мч->г|-'і;<іі нозерумосіинк 'ЧІ0 а Лі(> fЫ.

Чоптртлл пша р<і(4!гм по-дм'ї-ли о<Чгур'л*у.''‘.-чгп.'ь us-•.•Я«П'Д«-.іИИЯ: »Л»И1НИ '.'НГіОшЧ^ і > р-їУИг' ННІЯ mi!:. І!З 1«4>; I!?i)l'»£V5 Л .’Я

>00 и l!?3 <з раднітсм "/.у-У'- і и :Л еіруктури пог‘. р>'1;с;.ы при

і ptunii'M о0'7'ь;нни; ми >'.'„mi !> SK'.V’.'U.ii'.'My i!r-'-;V' га!-.’;гр'л-

и р-і:»і<у«діі|ічч и иу іі .ч 4"!-'; >П-:ч

ІЬ t і о аК'^іі'-т ('Г-гу ■■ •' і.-ггої' r.uj’.i-jn'-j.fv y?nt-

Г'.'ЯІІ 'НУ НрП і;-/ '■!!|| ■ k -JV JM Л'''! І» ІЗ К !"v.‘ 'і!1і''-:!' ’’ Л1' !ІЖ. Ж* ТИП» ':U0. Іір< р'-і'іґ !!"".( О^'і'Ч'ітіМІїГ.И, !■ ОГ W>0 1-І

& п*ї«-д і-ymniu, v ;*,гу. і*.-.»-.:»»-. > ОЮ ’ • ■■--•»'•'і'!-'* ! ' п ЯН', о.’-.и--;"?

Ц^іічрсі'1'»' р'ЛКОМ.П'і: ч';.;:м ;і;М V ■"!('; рЛГ,- 4. Ші-І'/'Ч -Ki-.'j ’> і V j'-.'.'ч І . -U

Тр'лг. Н'-'Яе wr>\’“ гі.’і-л » ЇЦГіС !у:к’!п-і-їуі лчч £'л---\;ь'

'.’"Ш'.ц і''?’1 И і-'!’: і tb’t іч'і*>< ..л t. !'ч' ijiv Чч> КХ •:< (М'і.-.чліі'і■<.

■ ПрИ ПТ* !"3 rV-'i'-^S ІІУЛ !ч 'і\ у-гЬ--' I' vOyj'IViiiHH'iiVPTrfl Plty i J4JII.1..V:

.-'■'•Г" г і!'-'?. я.ч*-ир-.ч'п :•> ь^‘;у>и о Ц'.'Лр.олИ'йя tuoM-

I'V'K с;1 ,Mti' і'ПТ% ї1!-') v'-'-Ч ;П'і;?»-.! Г'cjyii'1.'1- !1 исчvpj

T?lf“p!V,l J і і і ї.) M’j tja ССЧіМ^

ТИЧ'.-’СПІ.Ч 'ЧІ'-'-ТГіЧ' :«»•> I i!j.4.t'’.'i!:4lis CilVv'. H Ч'ІС'С

Tpf.i? ги і rn ■ h',r.> i !■ я t "іч'.ц-м і,:’-', і, ^тлу теч-'!, mvj nv<:.V:! •

ние характеризуют плотность, терімчеоки менее устойчивых и образованных по всея глубина окрашенного слоя, "обьеииих'' ПО,

Структура на кривых )\(0) и (г(Ш связана со сложным характеров генерации ВИО в прмповвркностких слоях ІІ1ГК и их разрушенной. О свои очередь, разрушение ЭЦО обусловливается ггроцессаии, отииулируешліи электронная одяучончои, а- именно, возникновением рояьижиш! дирочмих Ук~ н 11-центров, сгюсойких рекомбинировать о

■ Р-Цвитрами, Образованными иа дорадиациошшх анионных вакансиях.

Различие в гюломини иаксішуііов II,СО) и 2(0) обус-

ловлено неравномерным распределением ЭЦО по глубина окрашивания, что свидетельствует о возникновении более ЭФФЕКТИВНОГО слоя образования ТД при электронном облучении КС1. При максимальных Е1г, цз-за сиещения названного слоя вглубь кристалла, траектория дьи-$ения Я Н-ЦОЛГрОВ ПО <110>, Проходит '/зреэ СЛОЙ З'ЯеК'ПШЮГО выхода электронов, на заметном расстоянии от центра окрашенного учаотка кристалла. При баииш 0 изменения в значениях гк будут происходить в результата стабилизаций процесса накопления ЭЦО и, агрегации Н- и V— центров на болёо устойчивые У^-цеитры 10].

В райках существующей теории КЭЭ Г 71 из ШПС осуждено влияние 3110 на выход зкектроиов из кристаллов. Ка основании предположения о той, что непосредственное пааішодейодаїе возбужденного валентного электрона с эл&ктронаш Ц0 имеет налу» вероятность, усматривается классическая задача рассеяния возбужденного электрона на V -центрах ц ионизация шэкоэнергетичоских ЭЦО, и делается вівоіі о том, что азаиыод&ясгвие электронов с 310 может происходить только путем потерь анергии на связанны)! электронах.

Поскольку потери энергии электронов при рассеянии на фононах пали С-0,01 эВ), а для возбуждения плазменный колебаний требуются значительные затраты энергии, то основные потери энергии

fcoadyiuwimm вявкіранаїяі пря КЭУ вз Щ'К, по-сидішому, происходят при ssoadywrnm 8Пвктрон«о-дырочн«х пар-экситсвов. Энергия »лек-трош», вваимэдейавумдшс с ЭЦО, будет Б" *>. АЕ і 2* -Сэко.

Предлагается модель олектрошшх переходу» при КЭЭ иэ КГК. Укадиваится ирпчмш, ойуояошшащав гокоиоморнооти вторичной « потенциальной аясктрокной эмиссий с дефектних ИГК,

В работе впсрвиэ провидены комплекснім исследования ГОЭ к ВЭ?. ОПТИЧЕСКОГО It ТирЫОЯОШШеСЦОИТШК СВОЙСТВ ДР|«КТИНХ Ш К.

1. Ра-іраоотенн мутсуш исследования ІВД к ЮЭ д^кгных ЩГК, евлрчакню мэ&встиие способи создания точечных д«$«птоь cc!p8'JoVKo;l LU К t парах оо&тлиішого иелочного ыс-тапла, ьоод«Г.от-спггом конагирушого ваяуюиия; и злахтроиаоК <Jo»«fcpwpo&M:, і.огітроль иетісіїгряцив к типов Щ по отнчыогону «оглохли», из,

УОТСЯЧМРОСТВ НО TCpraMKWK-'-UOmUU!, ШІлОріЛШС К&рак'Гі'рИОТИК 55!.ЙО-

с5.;Л і условиях отсухстгня заряды; иегерхиозти и иоиусЗорцче-ск^Ь

і;-п':;.)я*!іпр0ді!0!! ниггаы.-кслясктор^сй спсгу:.о.

Е, Уст5ну;.‘Л1>нэ, что ПО тгла F -п&птров к их йссоцшшй, есип^гттгг пут*'Г! обработки кризгалло» s парок ссбсшшиого цї;г.'‘.';:уго г.-лт ял”» , приводят к унапіюкир ксє^уицисптс, ПЗЭ к £05-р нсо'ук'х- г л 1\Ю щщ сіоіі-іардцроікс шшгд і'іірртшк гадог-

ft :;n;pr)j<‘ii К р лплюгоно от 10 ;:о 10Q0 vB, г> з; сзу час» создашь гх р?:и\^'лк)іг;гт!й сгосоЗзкч,- к уиэдьзотш г ьо ьг<.м диапазона Е . Р.’.этечья к >-СК З, снфшгнпкі: ргеныте способа»! КГК, сйусло’й)п;на“ V,- и H-Wijrp.v:-!, яглжъкчися «с»ї;грлигі рдео^янацип для tup-»оя!ІуЕЛі-зйі:д шзвсзирргеїйчгсш; ішггрсь окрагзгк.

З, Центру спрпскіі, покатгаозашш? па пзверквооіи кркотеялои КС], ICt’r п ЛаП, C'iooo^jTEjsr-r шшлепкя точ;;ой структуру пт 'Лі"Р~

Г‘“П,ч:;г;К',;ч скекір-/; 1U3, СбуСПСВПіЧШОл' ЕрСЧ'!?-ЗС;і?.”: рйС^Рг-ППЯ П

оахвага электронов, возбужденных в первичном акте стоякваауниа, соответственно на .электронных и дирочных ЦО. Поверхностные да ра-диациоиио-одпучеиниж кристаллов термически значительно более уа-тойчиви, чей такие ко типи ЦО, образованные в обьеые кристаллов.

4. Установлено немонотонное изменение коэффициентов ї , ¥к ц а в процессе электронного облучения ЩГК, на фона общего увеличения а уменьшения зависимостей коэффициеатоэ от дозы СО электронного облучения.

5. Немонотонное изменение коэЭДиццинтав аыцссиЗ происходит и результате накопления ґ-цеитров сначала на дорадиационных анионных вакансиях, затем, их интенсивного разрушения, и генерации 110 на вновь возиикаоїж собственных анионных вакансиях. Разрушение ЦО происходит при рекомбинации электронов Р-центров о дирочниші V - и Я-иентраыи, мигрирующими в направлении <И0>.

6. Сравнении лозних зависимостей гк. Е и показано зуаествование элективного слоя образования точечных дефектов при электронной облучении кристалла. При увеличении энергии электродов, из-за смеиония слоя афективного образования ТД вглубь криогалла, траектория движения Ук- и Н-цонтров вдоль направления '110> проходит через слой эффективного выхода электронов на іаиетном расстоянии от центра окрашенного участка кристалла.

7. Сравнением характеристик КЭЭ и термолшшюсценции облу-іеиних электронами,кристаллов показано, что взаимодействие воз-Гуждеиних электронов с электронами ЦО происходит посредством •бразования элоктрснно-дцрочних гйр - экситонов. •

8. Увеличение коэффициента ВЭЭ -а при Ер<<ЕріЯа){ и его неимение при Ер£ Ер тдх, соответственно, обуславливается, по еханизму предварительного образования экситонов, возбукденннми лектронамн и значительным уменьшением глубины выхода вторичных

- го -

электронов эа счет их рассеяния на электронах ЦО.

CJqiiotHoe сорермииэ диссертации отражено в публикациям:

1. Гашюв С., Кзднров Б. Д., Рахимов Р. Р. у Влияние центров окраски. создаваемый электронной бомбардировкой, на кошю-элчгсгронную эмлсоиг кристаллов КС1 и КВг.// Тез. докл. Есесота. симпозиума по "Взаимодействия атога, частиц с поверхности» тв. тела", иосбя-ыенмого памяти академика У. A. Apttftosa. Ташкент. 1979. С. 84-Q5.

2. Рахимов Р. Р.. Гаипо» С. , Надиров Б. А. / Последование ьлиниия точечных дефектов на вовно-ипэктронну»! эмиссию мелочно-галоидных кристаллов.// Тез. докл. Всесосзн. совет.-семинара по "Дмгяос-тико поверхности ионными пуиашГ. Дсигак. 1900. С. ЕЙЗ-5В4.

3. Рахішов Р, F. , Гаймо» С., Кадврсв Г>. А. / Электронная «мюояя ок-

равдшкл -гзлошшх сз?лшичт!1 ноя действием ионов инерт-

них гагов. .'/Нэп. АН УзССР, cap. $иэ. -«пт. паук. 1993. 2. С. 50-60.

4. Рахимов Г. Р., Гаицов С., Клщ'?в Б. А./' В гор ячядя зясктр-ятл й «cmso-зашаркивая экис-сич icjі’::та.ч.та КС1, здрэвввпого эл$гтронвс>8 йомс!ардкроі і;ой, // Поверхность. 1853. 9. С. 47-19.

5. Генно» С., Г»аднрі.ч> ї.;. А., Ргмыоь P.P./ Шішо-ол^кгронпая И моргмая вл-эго pomms «чгооаи сицктлмя яг;іс йіс-то:ш<‘» г.гнс-тепло», // Тез. докл. XIX Ь'огссютг vonf. по *‘9Kp?cnwnoR эвек* тропик?”. Гттиг. 1934. Гол пая VI. С. 91.

6. Ганнов С., 1'лпырой Б.А. , І'аричпвя И. М., Гаккмзв Г.Р, / Річлпіе дои роя сграсг.и т ялвт ропис э.'юктр'маду» к яошм-эломрспвую 9UKCCBR Kpjt-ггалла KC1..V ДАН Уэ'ЛТГ. 1RS3. Z. С. 24-26.

7. Гтто» С., Каякров Б.А., Гахкк-.ч» P.P./ Изучение иашо-злел-

чройной ЭШ1ССИП и тк-іша и-жонтіся изпгров охрасх»: в «{.«згаяле KCl,/.- it-?, доял. р.««с, coF?ffl. -c'WKijpa по "Дяагноотякя поверхности пи/н п}чкпма”, Ужгород, 1УРЗ. С. 7G-77. •

8. I аипог» С., p.a-vpf® Б. А., Famm P.P., Турм.адеь 0. / Кш^тиг.а

UiflOII.’lodlU центроь OH[JdCKH b ПрШЮЕИркиСиЛ'НиХ СЛОЯХ КрИОТаЛйа KC1. // Тез. докл. I Роел. кок-}, по знали» ть. тйла - "Ионнш и электронный процьссн ь uoHHiu кристалла/.". Ош. 1уШ. С. 92-03.

9. Кадиров 0. А., Ран.шоа P.P., Гаиьоа С./ Оливина Р-аентроь и !ж accomiaun.1 на нштнческуо иоино-ьяикгриинув уitwcuo щолочно-галоияиик кристаллов.// ДАН УиСОР. !08Ц. 6. С. Z7-&1

10. Кадироь Б, А,, Гашюв С., Рл.лшов P.P./ Кинигич^ская нонно-злоктроаиал эм.юснл с охрашшдо целомно-гал^шы* кристаллов. // Тьз.докл. Зсбо. совеа. -сошшара по "Диагностика поеоркност яоншмн лучкшш". £oiMlh. l'J‘38, С. 02-U3.

И. АтаОааа В. Г., Песйдина Е. А. , Гаииоь О., Кадироь I). А. , Рзшюь Р, Р. / Влияние точьчиих ле-1«моь на ыорл'шуо злектрониую эшюоир и зарядку днз/шктршшь.// Тоэ. докл. Всес. конф.

"ЗяектрИаацйЛ -88". 1!рк>т>зи. 10Ш.

12. Кадиров С. А,, Рахиков P.P., Гаипоь С./ Иаолияоьашю линотики накопления центроь окраски в цепочно-гглоидаих кристаллах методом иолло-элошрониоа эиксонл,// Тм. докл. Нооо, симпозиума по "Взаинолействню awun. частик с поы'*р:<носи.п ти. тиЛа". посвящен-«ого паиятв акадеиика У. A. A[ui|m.a. Ташкент. Wis'J. 0. 61.

13. Кадироь Б.А. , Рашов P.P., Гэипов С. / О некоторых особенностях нонно-олсктротюй эмиссии с до1октн(«; iwmttat кристаллов.// В иагоризлал IX-Boac. иен}, но “Взавмэльйст&ик атонн. частиц о тв. телом". Москва. 3083. Т. 1. Ч. 2. С. 303-309.

Н. Кздкроэ В.А. , Гакпоь С. , Раякмэв P.P. / Вдилшо иизкоэигрготи-чэсках центров окраски на ьторнчну» электронную эмиссии вделочно-галоялшгк кристаллов.-'/ Теэ.дскл. VII Ес&с. сшш. по ВЗЭ, ■КЗ’Э и спектроскояии поверхности тв. тела, Таииенг ЗШО. С. 33-34.

15.Калиров Б.А., Гаипов С., Ратанов P.P. / йоино-элэнтровизз эцпо-сш! и развитие дефектно?! структур» поыг-рхйоста оеяочио-галоавинг

кристаллов.// Тез, докл. Всес. совет.-сеюшара по "Диагностике поверхности ионннш яучками". Одесса. 1990. С.73-74. • ,

10. AUbaev B.G., Rakhimov R.R., Galpov S., Kadlrov B.A, , Alidza-nov E.K., Boltaey W. H. / Defect formation, secondary emission and dielectric charging under electron and ion beam irradiation /V VII th. Intern. Conf. on Ion Beam Modification of Materials. KnoxYliia. Tennessee. USA, September. 8-14. 1Э90. p. 208.

17. F-адиров Б.А., Ракииов P.P., Гаипов С./ Нонпо-электронная n вторичная электронная эмиссия с дефектных пело,шэ--га!юидних г.рк':* таплов. // Повермсоть. 1Ш2. 4. С, 61-68. -

Цитируемая литература

1. Гот I- D. D., Явлинский V. М. Взаимодействие медленных чз'-мкц о ьедеством « диагностика плазнн. Н.: Атониэдат, 1973, 204 с.

2. Хя’струы X./ Исследована электронной структуры адсор-Затов методам» йояво - иейтратазаашпноЯ и ^отоэяекгроилой агекгроекяшя. // Элтрциная. я »*иипчя онсмроокмкя' твердих тел. М.: Мир, 1981, С. 281-344.

3. ДОрОЖКЛЛ A. A./ *wi5Hv"5.riSKTpOi!iia3 ЯКИССЯЯ ?. аЬГОЙОНЯап!1«01!КЬв ятлелля. // Автореферат дч-зс^ртаиия на соискании ученой стелена доктора фиэ. -мат. тук. Л., 1083.

4.1кр^паиогсч 11.А., Изн-згиа Э.Э. Электронные ценгри окраски i вепш кристаллах. Иряутея! Вост. -Сис*. книхн. кэя-го. 1877. 30 о.

5.Яотт 11., Герин Р. Эяектрояиыэ процессы в »ошш кристаллах. 11: М. 1950. 110 с. С 1X5 п., 170 с.). .

8. ЙЕарц К. К,, Зкианй.г С. А, Диэлектрические материала: годшпэй-иы? пронесок и радиационная стсйиость. Рига: Эазатно. 1У99. G3 с.

7. КивкиезгсМ! Л. М. Иэршгоо У. С, / Теория иоййо-ядектртняэй вкасш Ез келочио-тапойдннх кристаллов. // ШФ. 1S?2. Т. НЕ. Н 7.

п. 12Р0-1гдз. :

- 23 -

НУЦрОНЛИ ЩОРЩ-ГАЖЩ КРИСТАЛЯАРНИНГ 1ЮИ-ЭЛЕКТРОЦ ВА ИККИШЧИ ЭЛЕКТРОН ЭМИССИЯЛАГН ^одироЬ Б, А.

(шинвнг ^ис^ача цазиуки)

Днэлактрнк бнлаи атом заррачаларя таьсирлашганда, ум нас элэктронларшш вакууига чара цснуниягларинц ойданлаштириш насадила, рангов «яркаэларСРЮга зга ишцориа-галоид крноталлар С НПО Нил г потенциал, книотнк га иккилюти электрон эмиссия СПЗЭ, КЗЭ вз ЮЭ)ларииа PH кощоятрацияса ва тургуьлнплш оптик ва териолв-ютесценция СШ уоуллар'з билан иузатган ^олда тадг,иц цалинган.

Позорна иэталл парларида ралглангирилган ЛаС1, КС1 ва КВг крвсталларни энергетик со^аса Ео 10 лап 1000 э0 гача б?лгаи Иэ+, 1!э+ ва Аг4 ионлари йшш! боибардимои цшшнгаида, Р( -нарказлар ва улар увшцаларн типидаги РМни кристаллариилг ПЭЭсини каиаЯтиршига, ^аыда КЭЭсшш оширашга олиб ка лиши кЦрсатилгаи, Кристалла р РМлш: Г, рентген иурларн билаи ^ооил цилииганда электронлар чнцишшш Е0 нинг т?ла соцасида камаЯиши аннцлаиган, Су усуялар билаи ргпглан-тирилган ИГКаинг КЭЗоидаги фар^, Р -ларга цисбатан паст ^ароратла 1 . гфзгалувчи РИнинг электронлари учуй рококбинацной зуфтларининг-тешаклн Чк, Н-иаркаэларининг бор-Я^лигига йогли^ллш аиирангзн.

.Кристалларда РМ ни электрон бомбардировкаси яарайшаа ;;осия циликганда, уларнинг ПЭЭ, КЗЭ ва ЮЗ козф^шонтлари -ур. Тк ва а лэршшг, Г -нарказлар кскцонграцняси ва ТЛ Срутаик сушаоининг нотокис Уэгаришларя ашцлангаи. ИГКда Р^маркаэларнинг иавлуллиги Гк шроркни камайишига, Ра, Р^ларнииг борлиги эса.унииг оитчига олиб келиши кУрсатилган. 1ПОш КЭЭси учуи 1$згалгаи электронлар-нш1г РМ электронлари билаи таьсирлаиши экситонларни лайда рлиш йулл билаи булашй ашщланган. Ну^сонли Ш’К ПЭЭ ва -ИЭЭлари !>омуп-лари, уларнинг КЭЭ учун.оликган далнллар асосида тахяил этипгаи.

“ 24 -

ION-ELECTRON ЛІГО ЖЮНШГ ELECTRON EMISSION OF DEFECTIVE ALKALI JiALIDE CCTSTALS KADIROV B. A.

(SUfSIART)

The procs-sses of' ptji ?п11а1, klUHc loivelectron and secondary-<?l«clron emission CPEE, KEE and SEE) Ґгсш alkali halide crystals (AIK) with point defects of colsui c«nUr С CO typo hays b??n Investigated by simultaneous control оГ the concentration and thermal stability of CC by optical and tliarisoluniinsssoncp СШ methods. ’ ' ■

It has tean showi that F -centers and thoir associations in Had, KC1 Eiri j;i!r crystals coloured in vapour irotals шиЗої IEx>+ and Aj 4 ion Ijombardreut v-ith епггуу ІЧЮ-ІООО aV чіШ Iv.v' to th® decrease of the yield of FEE and Increase of. ths yield o!' KEE. Colour centers fon.-^ in iV.10 by у гпd К-ігу In «ЛсЛШ» dscroa§p ЛІі5> yl*?id of electron emission within all ion crcrqy range. It has b«en found that ttv? differences it) yields оГ RES of АШ coloured by different іїзікчіз ari> cau^pd by Vfc-. ш»«і ІЬсе-nters v!»lch are tho «seniors of rcccpblnrtioh for UiotbsUj exited electrons of low energy CC. .

Tho іпПамва of CC produced by low <?n$ray ^Іглігсл irradiation on ГЁК, ■ KEK; EEE, TL and F -atx>c.t bl'cn <.,4' ЛЮ

I

has bs®n studied. It hos IjOfn shown that i’EE, f-XL’ and БЬ£ coefficients (> , yk, <t resect l\ely3, as v.*ll livs I ight s*x її of IL and F -ccnttr ccnccntrat'lon J(f4~ chains понтсг.еіопіс&і I/ dua to the gon?ration of .су in imr-sui face crystal layers versus electron irradiation dos?. It Jos b«f!> fowvJ that «1 KEG tho interaction of tho wdlsvj electron? froa the v»l?n;c' band with CC electrons could fcr selective by exit,is gcn?r alien.

r ,