Ионнолегированные стандартные образы с заданным распределением примесей для масс-спектрометрии вторичных ионов тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.02 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. СТАНДАРТНЫЕ ОБРАЗЦЫ ДЛЯ МИКРОАНАЛИЗА . /У

1.1. Образцы сравнения в микроанализе .УУ

1.2. Возможности ионного легирования для создания стандартных образцов анализа поверхности

1.3. Специфика контроля распределения элементов в субмикронных слоях методом МСВИ . №

Глава 2. АППАРАТУРА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Ионное легирование

2.1.1. Установка для ионной имплантации

2.1.2. Приготовление образцов

2.2. Исследование микрооднородности распределения имплантированной примеси по поверхности образца 5?

2.3. Измерение распределения имплантированной примеси по глубине методом МСВИ

2.3.1. Методика измерения и расчета распределения содержания имплантированной примеси (о

2.3.2. Исследование погрешности определения глубины кратера ионного травления . . . Ы

2.3.3. Построение градуировочной характеристики по одному ионнолегированному образцу сравнения

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТРОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК

МЕТОДА МСВИ ПРИ АНАЛИЗЕ ИОННОЛЕГИРОВАННЫХ ОС . . 77 3.1. Воспроизводимость аналитического сигнала . . . 77 3.1.1. Исследование статистики аналитического сигнала МСВИ.

CmjD.

3.1.2. Исследование зависимости воспроизводимости аналитического сигнала МСВИ от содержания определяемого элемента для однороднолегиро-ванных образцов

3.2.Исследование воспроизводимости результатов измерения распределения ионноимплантированнюй примеси .ЬЬ

3.3. Способ повышения воспроизводимости результатов определения азота, имплантированного в различные основы.

3.4. Нижние границы определяемых содержаний

3.5. Правильность . .<Г

Глава 4. СОЗДАНИЕ СТАНДАРТНОГО ОБРАЗЦА ДЛЯ МАСС

СПЕКТРОМЕТРИИ ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ

4.1. Специфика СО, приготовленных методом ионной имплантации .//5"

4.2. Разработка отраслевого стандартного образца (ОСО) состава поверхностных слоев кремния на распределение содержания бора

4.2.1. Составление технического задания на разработку ОСО.т

4.2.2. Исследования ОСО и его аттестация

Глава 5. ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОЛЕГИРОВАННЫХ ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В СУБМИКРОННЫХ СЛОЯХ ТВЕРДЫХ ТЕЛ . . .Ml

5.1. Исследование влияния термообработки на состав поверхностных слоев кремния, легированных бором

И ВFz.

5.2. Исследование распределения азота в поверхностных слоях ниобия./¿Y

5.3. Исследование влияния термического отжига на перераспределение фосфора, имплантированного в кремний

Физические параметры многих современных материалов и приборов в значительной степени определяются химическим составом и распределением элементов в поверхностных слоях, толщина которых составляет доли микрометра. В первую очередь, к этой большой группе объектов относятся приборы и материалы для полупроводниковой электроники и СВЧ-техники. Поэтому все большую актуальность приобретает задача надежного количественного контроля распределения состава субмикронных поверхностных слоев.

Качественный контроль состава поверхности возможен многими инструментальными методами, однако возможности количественного анализа в большинстве случаев ограничены из-за отсутствия стандартных образцов (СО) состава, аттестованные характеристики которых соответствовали бы метрологическим характеристикам и возможностям современных методов анализа поверхности.

Большими возможностями при изучении распределений элементов в субмикронных поверхностях слоев твердых тел обладает метод масс-спектрометрии вторичных ионов (МСВй), который позволяет исследовать распределение примеси с высоким разрешением по глубине (порядка нескольких Нанометров) и в широком диапазоне содержаний (от - 1СГ®# до нескольких процентов).

С учетом специфики МСВИ, для проведения количественного анализа тонких слоев и контроля правильности результатов послойного анализа необходимы специально приготовленные СО - с аттестованным распределением определяемых элементов по глубине в поверхностном слое образца и однородным, с точки зрения локальности метода, распределением примеси в плоскости анализа. Стандартные образцы, удовлетворяющие этим требованиям, с успехом смогли бы быть использованы для контроля правильности результатов определения содержаний примесей, полученных и другими методами анализа поверхности.

Одним из наиболее перспективных методов получения таких СО является ионная имплантация, позволяющая осуществлять дозированное легирование любых основ одной или несколькими примесями одновременно в широком диапазоне содержаний. При этом сканировании имплантирующего пучка удается реализовать высокую однородность распределения примеси по поверхности и близкий к теоретическому профиль распределения внедренного элемента по глубине поверхностного слоя образца.

К началу выполнения работы (1982 г.) в литературе имелся ряд сообщений по применению ионнолегированных слоев для количественного анализа материалов методами МСВИ и электронной Оже-спект-роскопии (ЭОС) [ 1-5] . Однако эти работы не имеют метрологического обоснования и не содержат общего подхода к проблеме создания стандартных образцов с градиентом состава.

Цель работы. Основной целью диссертации являлось создание образцов сравнения (ОС) и СО состава субмикронных поверхностных слоев с распределением содержания определяемых элементов для МСВИ.

Для решения этой задачи необходимо было разработать методику расчета распределения содержания имплантированной примеси и построения градировочной характеристики - зависимости относительной интенсивности вторичного ионного тока определяемого элемента - от его содержания; оценить влияние условий проведения ионного легирования в процессе изготовления ОС или СО на величину погрешностей аттестуемых характеристик и выбрать оптимальные условия проведения ионного легирования; изучить погрешности измерения глубин кратеров ионного травления на профилометре; исследо

-Зевать метрологические характеристики метода МСВИ при послойном анализе ионноимплактированных материалов и предложить способы их улучшения; разработать подход к аттестации СО с распределением состава по глубине образца; применить ионнолегированные СО и ОС для анализа материалов, выпускаемых полупроводниковой и редкометаллической промышленностью.

Новизна исследований, выполненных при решении указанных задач, заключается в следующем:

- предложена формула и написаны прикладные программы для расчета на ЭВМ распределения содержания ионноимплактированного элемента по глубине образца;

- предложен способ построения градуировочной характеристики - зависимости относительного вторичного ионного тока примеси от ее содержания - по одному ионнолегированному образцу;

- экспериментально и теоретически исследованы различные источники случайной погрешности определения содержания ионноимплан-тированной примеси на любой глубине методом МСВИ. Показано, что относительная роль отдельных источников случайной погрешности различна на разных участках профиля распределения ионноимпланти-рованного элемента^

- проведена оценка сходимости результатов определения глубины кратеров ионного травления на профилометре и исследована зависимость относительного стандартного отклонения результатов определения глубины кратера от толщины распыленного слоя в процессе послойного анализа методом МСВИ;

- предложен способ повышения воспроизводимости результатов определения ионноимплантированного азота (^Л/) при использовании в качестве внутреннего стандарта стабильного изотопа 15 М , имплантированного в тот же образец;

- на стадии аттестации ионнолегированного отраслевого стан дартного образца (0С0) впервые введены в качестве аттестуемых характеристик распределение примеси по глубине и параметры этого распределения.

На защиту выносятся:

1. Способ построения градуировочной характеристики - зависимости относительной интенсивности вторичного ионного тока примеси от ее содержания - по одному ионнолегированному образцу.

2. Способ прогнозирования воспроизводимости результатов определения содержания ионноимплантированной примеси при послойном анализе методом МСВИ, основанный на единичных измерениях и предварительной информации об относительном вкладе различных составляющих случайной погрешности.

3. Способ повышения воспроизводимости результатов определения азота ), имплантированного в различные основы, при использовании в качестве внутреннего стандарта изотопа ^А/ , имплантированного в те же основы.

4. Разработка и применение отраслевого стандартного образца (0С0) состава поверхностных слоев кремния на распределение содержания бора.

Практическая ценность работы. Созданы ионнолегированные 0С0 поверхностных слоев кремния на распределение содержания бора, а также образцы сравнения кремния с распределением фтора и фосфора и ОС германия, арсенида галлия и ниобия с распределением азота в субмикронных поверхностных слоях. С помощью 0С0 и ОС построены градуировочные характеристики и проведен количественный анализ методом МСВИ важных материалов для микроэлектроники и СВЧ- техники.

Разработанные методики количественного ионного микроанализа с применением ионнолегированных ОС внедрены в ИШ АН УССР и на предприятии п/я В-2572.

Изготовлено 30 экземпляров 0С0 поверхностных слоев кремния на распределение содержания бора, что может обеспечить на ближайшее время потребности отрасли в образцах данного типа.

Диссертация состоит из оглавления, введения, пяти глав, заключения и выводов, списка литературы. В приложении представлены программы для расчета на ЭВМ профилей распределения имплантированных элементов по данным анализа методом МСВИ и параметрам имплантации, техническое задание на разработку 0С0 состава поверхностных слоев кремния на распределение содержания бора, свидетельство на данный 0С0 и инструкция по его применению, акты о внедрении разработанных методик. Первая глава представляет собой обзор литературных данных, касающихся проблемы создания СО и ОС для микроанализа. В ней рассмотрены возможности ионного легирования для получения образцов с необходимыми для анализа поверхности свойствами и покзана специфика контроля распределения элементов в субмикронных слоях методом МСВИ. Вторая глава посвящена методикам приготовления ионнолегированных ОС и исследования распределения содержания внедренного элемента по поверхности и по глубине образца, а также построения градуировочной характеристики по одному ионнолегированному образцу. В третьей главе исследованы метрологические характеристики метода МСВИ при послойном анализе ионнолегированных материалов - воспроизводимость, нижние границы определяемых содержаний, правильность. Четвертая глава посвящена созданию стандартного образца для масс-спектрометрии вторичных ионов, покзана специфика СО с распределением состава по глубине образца и описан подход к исследованию и аттестации СО такого типа. Пятая глава содержит примеры аналитического контроля полупроводниковых материалов и ниобия с применением разра ботанных 0С0 и ОС. о

В заключение рассмотрены перспективы дальнейших исследований в области создания СО для анализа поверхности.

Отраженная в научных публикациях часть диссертации выполнена в соавторстве с доктором техн. наук, профессором Ф.А.Гимель-фарбом, который руководил работой в целом, а также с канд. техн. наук П.Б.Орловым, канд. техн. наук А.Г.Ли, канд. хим. наук А.Г. Лотоцким, канд. техн. наук Т.А.Ухорской, канд. техн. наук Ю.Г. Козловым, В.М.Каневской, С.Л.Шварцманом, Е.В.Фатюшиной, А.Д.Соловьевым. В этих исследованиях П.Б.Орлов, А.ГДотоцкий, Т.А.Ухор-ская осуществляли научную консультацию по отдельным разделам диссертации, А.Г.Ли участвовал в исследованиях, посвященных анализу газообразующих примесей и применению для анализа отрицательных вторичных ионов, В.М.Каневская и С.Л.Шварцман принимали участие в исследовании неоднородности стандартных образцов, Е.В.Фатюшина и А.Д.Соловьев провели ряд измерений для оценки воспроизводимости результатов анализа имплантированных профилей, Ю.Г. Козлов участвовал в приготовлении образцов.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Предложен и реализован способ построения градуировочной характеристики для широкого интервала содержаний примеси по одному ионнолегированному образцу.

2. Предложена формула для оценки относительного стандартного отклонения результатов определения содержания ионноимплантиро-ванной примеси в любой точке по глубине образца на основании однократно полученного профиля распределения этой примеси.

3. Экспериментально и теоретически исследованы различные источники случайных погрешностей анализа ионноимплантированных материалов методом МСВИ. Показано, что относительная роль отдельных источников случайной погрешности различна на разных участках профиля распределения имплантированного элемента.

4. Предложен способ повышения воспроизводимости результатов определения азота, ионноимплантированного в различные основы.

5. Оценены систематические погрешности определения содержания ионноимплантированных примесей в СО и ОС: сопоставлением с результатами, полученными другими методами анализа поверхности; методом МСВИ на других приборах и в других лабораториях; сравнением с теоретически рассчитанными профилями; анализом образцов монокристаллического кремния с известным содержанием примесей. Доказано отсутствие значимых систематических погрешностей,

6. Предложен и реализован подход к аттестации ионнолегиро-ванного стандартного образца. В качестве аттестуемых характеристик впервые введены: распределение ионноимплантированной примеси по глубине образца и параметры этого распределения.

7. Разработан отраслевой стандартный образец состава поверхностных слоев кремния на распределение содержания бора, а также образцы сравнения кремния с распределением фтора и фосфора и образцы сравнения германия, арсенида галлия и ниобия с распределением азота, приготовленные методом ионной имплантации.

Разработанные методики количественного послойного анализа материалов методом МСВИ с использованием ионнолегированных ОСО и ОС внедрены в ИШ АН УССР и на предприятии п/я В-2572.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполнения настоящей работы предложен и реализован подход к аттестации стандартных образцов состава с распределением элементов в субмикронных поверхностных слоях твердых тел. Разработанные ОСО и ОС применены для послойного анализа поверхности ряда материалов методом МСВИ. Основное внимание в работе уделено исследованию случайных погрешностей метода МСВИ при анализе ионноимплантирюванных материалов, их теоретической оценке и разработке способов снижения этих погрешностей.

Дальнейшее развитие исследований, выполненных в настоящей работе, возможно в нескольких направлениях. I. Расширение ассортимента ионнолегированных ОС и СО с различным сочетанием "примесь-основа", что позволит соответственно расширить возможности количественного ИМА. 2. Исследование погрешностей при анализе распределений имплантированных элементов методом МСВИ, обусловленных рядом "тонких" эффектов - изменением скорости ионного травления в тонких поверхностных слоях материалов с повышенным содержанием дефектов, атомного перемешивания и "перепыления" со стенок кратера, образованием рельефа на дне кратера из-за селективного ионного травления и другими. 3. Исследование возможности повышения воспроизводимости результатов анализа имплантированных элементов с низким коэффициентом вторичной ионной эмиссии с помощью ионного внедрения вспомогательных элементов с высоким коэффициентом образования вторичных ионов, близких по массе к определяемому элементу. Такие исследования^ частности, интересно провести на примере определения содержания цинка с помощью внедренного галлия. 4. Разработка и получение методом ионного легирования многокомпо нентных ОС и СО и исследование взаимного влияния примесей на правильность градуировочных характеристик для каждого элемента. 5. Создание СО для анализа "реальной поверхности" твердых тел (толщиной 10-30 нм) с использованием синтеза поверхностных фаз при ионном внедрении элементов. Решение этой задачи может быть связано с исследованием влияния поверхностных загрязнений на результаты анализа тонеих слоев и разработкой способов очистки и консервации поверхности.

Разработанные методики количественного ионного микроанализа материалов с использованием ионнолегированных ОСО и ОС внедрены в ИМФ АН УССР и на предприятии и/я В-2572 (акты о внедрении приведены в приложении).

Разработанный ОСО состава поверхностных слоев кремния с распределением бора может обеспечить потребности отрасли на ближайшую пятилетку. Необходима метрологическая аттестация других образцов сравнения,созданных при выполнении данной работы.

Эти образцы, а также методики количественного ИМА с их использованием могут быть внедрены в первую очередь в НИИ "Полюс" и НИИМВ Минэлектронпрома СССР, во Всесоюзном научно-исследовательском центре по изучению свойств поверхности и вакуума Госстандарта СССР, в ЛФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР и ИНХ СО АН СССР.

Дальнейшее развитие научных использований по разработке СО для анализа поверхности целесообразно проводить в Гиредмете, во ВНИЦПВ и в Институте физики твердого тела АН СССР.

В заключение приношу благодарность коллективу сектора № 57 и администрации физического отдела Гиредмета за поддержку и внимание, которые я чувствовала на протяжении всего процесса выполнения работы.

Особенно мне хочется поблагодарить своего руководителя, профессора Ф.А.Гимельфарба за предоставленную интересную тему работы и помощь при ее выполнении на всех этапах.

Глубоко признательна сотрудникам Гиредмета - к.т.н.,ст.н.сотр. П.Б.Орлову за ценные практические советы при проведении ионного микроанализа и обсуждение результатов,к.т.н.,ст.н.сотр.А.И.Бер-неру за полезные творческие дискуссии по аналитической статистике, ст.н.сотр. Н.А.Аракельян за большую помощь в разработке отраслевого стандартного образца, к.т.н. В.К.Тарасову за помощь в математической обработке результатов, ст.н.сотр.Н.И.Маруниной за проведение нейтронно-активационного анализа образцов, к.т.н.,ст.н.сотр. Т.А.Ухорской и к.т.н.,ст.н.сотр.А.Г.Лотоцкому за полезные дискуссии. Приношу свою благодарность сотрудникам Физического института им.Лебедева АН СССР к.т.н. А.В;-Спицину и В.А.Дравину за проведение прецизионного ионного легирования.

-иь

1. Morabito J .M., Tsai J.C. 1. -depth profiles of phosphorous ion-implanted, silicon by Auger spectroscopy and secondary-ion emission, Surf. Sci., 1972» 33, p.422-426.

2. Методы анализа поверхности. Под ред. А.Зандерны. Пер. с англ. М.: Мир, 1979.3. beta D.P., Morrison G.H. Ion implantation for in-situ quan-titave ion microprobe analysis, Anal. Chem., 1980, v.52,p.277-280.

3. Leta D.P., Morrison G.H. Ion implanted standards for secondary ion mass spectrometric determination of the 1a-7a group elements in semiconducting matrices, Anal. Chem.,1980, v.52, p.514-519.

4. Gries W.H. Ion-implanted reference standards for use in microchemical analysis of materials, Mikorchimica Acta,1981, v.1, N 5-6, p.335-342.

5. Гимельфарб Ф.А., Локальный анализ гетероструктур с помощью электронного и ионного микрозондов, докт. дисе., M., 1981 г.

6. Плинер Ю.Л., Степин В.В., Устинова В.Й. Стандартные образцы металлургических материалов, М., "Металлургия", 1976 г.

7. Ухорская Т.А., Бородина О.М., Каневская В.М., Шварцман С.Л. Исследование неоднородности стандартных образцов. Тезисы докладов 1У Всесоюзного симпозиума по РЭМ и аналитическим методам исследования твердых тел. Звенигород, 1984, с.

8. Гимельфарб Ф.А., Потоцкий А.Г., Орлов П.Б. Количественный метод ионного микроанализа тонких слоев концентрированных твердых растворов полупроводников, Зав. лаб., 1974, т. 40, № 5, с. 532.

9. Бернер А.И., Гимельфарб Ф.А., Ухорская Т.А. Метрологические аспекты рентгеноспектрального микроанализа, SAX, 1982, т. 37, вып. 2, с. 388.

10. Боровский И.Б., Городский Д.Д., Шарафеев И.М., Морящев С.Ф. Исследование методом рентгеноспектрального микроанализа перераспределения компонентов сплавов в слое, обработанном излучением лазера. Зав. лаб., 1983, т. 49, № 2, о. 30.

11. Newbury D.E. Méthode for quantitative analysis in secondary ion mass-spectrometry, Scanning, 1980, v.3, p.110-118.

12. Matus L., Opansky I., Nyary I., Paztor E. bow concentration spectroscopic standards by ion implantation. Fresenius Z.fiir Anal. Chemie, 1981, v.309, N 4-, p.316-318.

13. Тарасов B.K. Применение вариации энергии электронов в рент-геноспектральном микроанализе бинарных полупроводниковых систем, канд. дисс., 1982, М.

14. Физические методы анализа следов элементов , пер. с англ. под ред. И.И.Алимарина, М., Мир, 1967.

15. Пикеринг У.Ф. Современная аналитическая химия, М., "Химия", 1977.

16. Черепин В.Т., Васильев М.А. Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов, Киев, "Наукова Думка", 1975

17. Gries W.H. Quantitative ion implantation, Int. J. of Mass Spect. and Ion Phys., 1979, v. 30, p.97»

18. Мейер Дк., Эриксон JI., Дэвис Дк. Ионное легирование полупроводников, М., Мир, 1973.

19. Лранявичюс Л., Дудонис Ю. Модификация свойств твердых тел ионными пучками, Вильнюс, "Мокслас", 1980.

20. Гусева М.И. Ионная имплантация в металлах, Поверхность, 1982, № 4, с. 27-50.

21. Анищенко H.H., Дружинин A.B., Углов A.A., Ионное легирование полупроводников и его применение, ФиХОМ, 1982, № 4,с. 3.

22. Риссел X., Руге И., Ионная имплантация, М., "Наука", 1983.

23. Lindhard I., Scharf M., Schiott H. Rauge concepts and heavy ion ranges (Not on atomic collisions). Mat. Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk, 1963, v.33, N 14, p.1-42.

24. Hofker W.K., Oosthock D.P., e.a. Concentration profiles of "boron implantations in amorphous and polycrystalline silicon., Had. Eff., 1975, v.42, p.223.

25. Winterbon K.B., Sigmund P., Sanders J.B. Spatial distribution of energy deposited by atomic particles, Kgl. Dan. Vid. Selsk. Mat.-fys. Medd., 1970, v.37, N 14,

26. Gibbons J.F., Johnson W.S., Mylroie S.W., Projected range statistics. Stroudsburg, Pennsylvania, 1975.

27. Tamamura I., Inuma H. Sonine expansion of range and damage distributions, Had.Eff., 1978, v.38, p.251.

28. Winterbon K.B. Constructing a density from its moments, Phys. Lett., 1970, v.32A, p.265.

29. Winterbon K.B. Heavy-ion range profiles and associated damage distributions, Rad.Eff., 1972, v.13, p.215.

30. Буренков А.Ф., Ксшаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей., 1980, Минск, Изд. БГУ им. Б.И.Ленина.

31. Петров Н.Н., Аброян И.А., Диагностика поверхности с помощью ионных пучков, 1977, Ленинград.

32. Кудинов Б.С., Кузьмин Л.Е., Ядерно-физические методы анализа поверхностных . слоев твердых тел и тонких пленок, в сб.: Современные методы анализа микрообъектов и тонких пленок, 1977, М., "Наука", с. 280.-Ui

33. Fuller D., Colligon I.S., Williams I.S. The application of correlated SIMS and BBS techniques to the measurement of ion implanted ragne profiles, Surf. Sci., 1976, v.54,p.646-658.

34. Grant W.A., Williams J.S., Dodds D. Measurement of projected and lateral range parameters for low energy heavy ions in silicon Ъу Rutherford backscattering. In: Ion beam surface layer analysis. Vol.1 .-E.X.-L. ,"1976, p.235.

35. Growder B.L. The influence of the amorphous phase on dis— ~ tributions of ions III and V groups and V groupe and annealing behaviour in ion implanted silicon., J.Electrochem. Soc., 1971, v.118, p.943.

36. Gittins R.P., Morgan D.V., Dearnaley G. The application of the ion microprobe analyser to the measurement of the distribution of boron ions implanted into silicon crystals. J.Phys.D: Appl.Phys., 1972, v.5, p.1654.

37. Lee D.H., Mayer J.W., Ion-implanted semiconductor devies, Proc. IEEE, 1974, v.62, N 9, p.1241.

38. Козлов В.Ф. Масс-спектрометрический способ определения концентраций микропримесей в твердых образцах, Авт. св. СССР813240, 1978.

39. Chu P.K., Morrison G.H., Solid-state standard addition method in secondary ion mass spectrometry for improvemnet of detection limits, Anal. Chem., 1982, v.54, N 12,p.2111-2113.

40. Chu P.K., Harris W.C., Morrison G.H. Secondary ion mass spectrometric image depth profile analysis of thin layers, Anal. Chem., 1982, v.54, p.2208-2210.

41. Harris W.C., Chandra S., Morrison G.H. Ion implantation for quantitative ion microscopy of biological soft tissue, Anal. Chem., 1983, v.55, p.1959-1963.

42. Балчаитис Г., Зубаускас Г., Пурас Р., Влияние радиационных дефектов на выход вторичных ионов в многокомпонентных соединениях. , Тезисы докладов ГУ Всесоюзного семинара по вторичной ионной и ионно-фотонной эмиссии, Харьков, 1983.

43. Орлов П.Б., Исследование неоднородности тонких слоев полупроводниковых материалов методом реакционной вторичной ион-но-ионной эмиссии, канд. дисс., М., 1976.-■iW

44. McHugh I.A. Factors that influence an elemental depth concentration profile, UBS Spec. Publ., N 427, 1975» p.179.56. biebl H. Secondary-ion mass spectrometry and its use in depth profiling, J. Vac. Sei. and Technol., 1975, v.12, p.385-391.

45. Hofker W.K., Werner H.W., Oosthoek D.P., De Grefte H.A.M. Profiles of boron implantations in silicon measured by secondary ion mass spectrometry, Rad. Eff., 1973» v.17, p.83-90,

46. Schulz F., Wittmaack К., Maul I. Implications in the use of secondary ion mass spectrometry to investigate impurity concentration profiles in solids, Had. Eff., 1973» v.18, p.211-215.

47. Schilling J.H., Burger P.A. Problems in elemental concentration depth profiling with an ion microprobe. Int. J. Mass Spectrom. and IonPhys., 1978, v.26, p. 163-173.

48. Коварский А.П. Разработка методов контроля состава тонких слоев и сегрегации примесей в конденсаторных материалах, канд. дисс., М., 1982.

49. Zinner Е. Depth profiling by secondary ion mass spectrometry, Scanning, 1980, v.3, N 2, p.57-78.

50. Williams P., Evans Jr.O.A. A simple electronic aperture for rastered beam depth profiles, Int. J. Mass Spectrom. IonPhys., 1976, v.22, p.327-331.

51. Wilson J.H. The topography of sputtered semiconductors, Had. Eff., 1973, v.18, p.95-103.

52. Bernheim M. Influence of channeling on secondary ionemission yields, Rad. Eff., 1973, v.18, p.231-234.

53. Berheim M., Slodzian G. Effect of oxygen on the sputtering of aluminium targets bombarded with argon ions, Int. J. Mass Spectrom Ion Phys., 1973» v.12, p.93-99.

54. Harrison Jr.D.E., Johnson J.P., Levy N.S. Spot patterns and silsbee chains on a Cu single crystal, Appl. Phys. Lett., 1966, v.8, p.33-36.

55. Evans Jr.O.A. Thin film compositional analysis a comparison of techniques.J.Vac.Sei.and Technol.,1975*v.12,p.144-155.

56. Hofmann S. Depth resolution in sputter profiling Appl. Phys., 1977» v.13, p.205-207.

57. Benninghoven A. Eine massenspektrometrische Methode zur Bestimmung von Zerstäubungsrate und Sekundärionenausbeuten beliebiger Substanzen mit Hilfe dunner Schichten. Z.Anges Physik, 1969, V.25, S.51-55.

58. Hof er W.O., Martin P.J. On the influence of reactive gases on sputtering and secondary ion emission. Appl. Phys., 1978, V.16, p.271-278.

59. Slodzian G.„Etuded d'une methode d'analyse local chimique et isotopique utilisant l'émission ionique secondarie, Ann. Phys., 1964, v.9, p.591-648.

60. Гимельфарб Ф.А., Коварский A.П., Ли А.Г., Орлов П.Б., Влияние реакционной эмиссии на результаты анализа поверхностных слоев твердых тел методом масс-спектрометрии вторичных ионов, ЖАХ, 1980, т. 35, Л> 2, с. 213-223.

61. Andersen O.A. Analytic methods for the ion microprobe mass analyzer. Part II. Int.J. Mass Spectrom. Ion Phys., 1970, v.3, p.413-428.

62. Ли А. Г. Исследование отрицательных вторичных ионов для снижения пределов обнаружения в ионном микроанализе твердых тел, канд. дисс., М., 1982.

63. Ли А.Г., Бородина О.М., Орлов П.Б., Фатюшина Е.В. Использование многоатомных вторичных ионов для масс-спектрометрического определения кислорода в поверхностных слоях нереак-ционноактивных материалов, ЖАХ, 1983, т. 38, с. 2187-2192.

64. Freeman J.H., Sidenius G. The technology and chemistry of heavy ion sources, Nucí. Instr. and Methods, 1973» v.107,p.477-492.

65. Сальман B.M., Киселева K.B., Краснопевцев В.В. Определение интегральной дозы ионов германия, внедренных в кремний, методом локального рентгеноспектрального анализа, Краткие сообщения по физике, 1981, № 7, с. 14-19.

66. Худсон Д. Статистика для физиков., М., "Мир", 1967.

67. Ли А.Г., Лотоцкий А.Г., Гимельфарб Ф.А., Орлов П.Б., Антонова Е.В., Бородина О.М. Применение масс-спектрометрии отрицательных вторичных ионов для анализа поверхностных слоевтвердых тел. Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, т. I, Ш 10, с. 94-100.

68. Доерфель К. Статистика в аналитической химии, М., "Мир", 1969.

69. Румшинский Л.З. Математическая обработка результатов эксперимента. Справочное руководство, М., Наука, 1971.

70. Налимов В.В. Применение математической статистики при анализе вещества, М., Госуд. изд. физ-мат. литературы, I960 г.

71. Williams P., Evans O.A. Anomalous encancement of negative sputtered ion emission by oxygen. Surf. Sei, 1978, v.78, N 2, p.324-538.

72. ГОСТ 8.315-78. Государственная система обеспечения единства измерений. Стандартные образцы. Основные положения.

73. Ухорская Т.А., Бородина О.М. Отчет "Разработка отраслевого стандартного образца состава поверхностных слоев кремния на распределение содержания бора", М., Гиредмет, 1984.

74. Tsai М.Т., Streetman B.G., Williams P., Evans С.A. Anomalous migration of fluorine and electrical activation of boron in BPg-implanted. silicon. Appl. Phys. Lett., 1978, v.32, N 3, p.144-147.

75. Lunnon M.E., Chen J.Т., Baker J.E. Structural and elctri-cal properties of BFg- implanted, rapid anneled silicon. Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, N Ю, p.1056-1058.

76. Powell R.A. Activation of shallow, high-dose BF^ implants into silicon by rapid thermal processing. J. Appl. Phys., 1984, v.56, N 10, p.2837-2843.

77. Диденко A.H., Севрюкова I.M., Ятис А.А. Сверхпроводящие ускоряющие СВЧ-структуры, М., "Энергоиздат", 1981.