Исследование эволюции дислокационных структур щелочногалоидных монокристаллов в условиях высокотемпературного отжига тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ВЛИЯНИЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОКРИСТАЛЛОВ.

1.1. Уменьшение плотности одиночных дислокаций в результате высокотемпературного отжига в "объеме" образца

1.1.1. Аннигиляция дислокаций

1.1.2. Действие сил линейного натяжения

1.1.3. Реакции между дислокациями

1.1.4. Экспериментальные результаты, свидетельствующие об уменьшении плотности одиночных дислокаций при высокотемпературном отжиге.

1.1.4.1. Металлические кристаллы

1.1.4.2. Ионные кристаллы

1.2. Поведение дислокационных границ при высокотемпературном отжиге кристаллов

1.2.1. Полигонизация в кристаллах

1.2.2. Экспериментальное наблюдение процесса полигонизации

1.2.3. Поля напряжений и энергия простых наклонных границ с малым углом раз ориентации.

1.2.3.1. Граница бесконечных размеров

1.2.3.2. Граница конечных размеров.

1.2.3.3. Взаимодействие одиночных дислокаций с дислокационными стенками

1.2.4. Россыпь неустойчивых дислокационных границ.

1.3. Поведение дислокационной подсистемы кристаллов в области пред плавильных температур

1.4. Изменение дислокационной структуры в приповерхностных слоях монокристаллов при изотермическом отжиге. бб

ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ХАРАКТЕРНЫХ ВРЕМЕН РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ АНСАМБЛЯХ ДИСЛОКАЦИЙ И ПОСТРОЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ, ОПИСЫВАЮЩИХ ИЗМЕНЕНИЕ СО ВРЕМЕНЕМ ОСНОВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ

2.1. Постановка задачи.

2.2. Аннигиляция дислокаций с противоположно направленными векторами Бюргерса

2.3. Захват одиночной дислокации свободным концом незавершенной границы

2.4. Россыпь незавершенных границ на одиночные дислокации.

2.5. Пристыковка-присоединение незавершенной границы к целой

2.6. Отстыковка - образование незавершенных границ

2.7. Сравнение характерных времен релаксационных процессов.

2.8. Кинетические уравнения, описывающие изменение со временем основных элементов дислокационной структуры.

Выводы.

ГЛАВА 3. ЭВОЛЮЦИЯ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ ПРЕДВАРИТЕЛЬНО ДЕФОРМИРОВАННЫХ ЩЕЛОЧНОГАЯОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ В РЕЖИМЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА

3.1. Постановка задачи.

3.2. Экспериментальные результаты

3.3. Оценки вкладов различных релаксационных процессов в эволюцию дислокационной структуры

3.4. Определение коэффициента самодиффузии <£) и напряжения сопротивления консервативному движению дислокаций 0J, по результатам проведенных экспериментов

Выводы.

ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ЭВОЛЮЦИИ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ ПРИ ПРЕДПЛАВШ1БНЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ.

4.1. Методика предплавильного отжига щелочно-галоидных монокристаллов

4.1.1. Условия, лежащие в основе разработки схемы установки для предплавильного отжига монокристаллов

4.1.2. Конструкция установки для предплавильного отжига кристаллов

4.1.3. Выбор режимов работы и терморегулирования установки для предплавильного отжига.

4.2. Поведение дислокационной структуры щелочно-галоидных кристаллов при пред плав иль ной температуре.

4.2.1. Объекты и методика исследования.

4.2.2. Результаты и обсуждение

4.3. Анализ кинетики превращения конца незавершенной границы в россыпь хаотических дислокаций

Выводы.

ГЛАВА 5. НЕКОТОРЫЕ ЭФФЕКТЫ, НАБЛЮДАЕМЫЕ В ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, ПРОШЕДШИХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОТЖИГ . 151 5.1. Возрастание предела текучести в приповерхностном слое монокристаллов в результате отжига.

5.2. Формирование упрочненного приповерхностного слоя в монокристаллах LiF в процессе отжига и природа центров закрепления дислокаций

5.3. Эволюция дислокационной структуры в приповерхностных слоях монокристаллов |((Х в процессе высокотемпературного отжига

Выводы.

На протяжении уже более пятидесяти лет проблема "дислокации и механические свойства кристалла" остается одной из центральных проблем физики реального кристалла, необходимость введения представления о дислокациях возникла в тупиковой ситуации, сложившейся в истории физики кристаллов и заключавшейся в том, что сдвиговые напряжения, которые обнаруживаются в опытах с реальными кристаллами, оказались на порядки меньшими, чем те, которые следовали из теоретического расчета [i] . В основе этого расчета лежало представление о том, что сдвиговому возмущению подвержены одновременно все связи между атомами, расположенными с двух сторон от плоскости скольжения. Представление о краевой дислокации помогло преодолеть это противоречие. Именно благодаря этому успеху дислокации завоевали доверие при решении различных задач из области пластичности кристаллов.

Огромное количество экспериментальных и теоретических исследований, относящихся к обсуждаемой проблеме, было посвящено развитию методов экспериментального обнаружения дислокаций, измерению и вычислению констант, определяющих кинетику одиночных дислокаций, выяснению общих закономерностей поведения дислокаций в ансамблях, выяснению закономерностей взаимодействия дислокаций с подсистемами точечных дефектов и примесных атомов.

Из всех перечисленных аспектов проблемы менее иных были изучены закономерности поведения различного рода неупорядоченных дислокационных ансамблей. Строго говоря речь идет о различных проявлениях процесса релаксации напряжений рассыпанных дислокаций, организующихся и организованных дислокационных ансамблей. Имеющиеся в литературе сведения, относящиеся к обсуждаемому аспекту проблемы, главным образом относятся к чрезвычайно важному процессу формирования полигональных стенок и степени их устойчивости. При этом многие важные закономерности взаимосвязи между релаксационным процессом и процессом формирования дислокационных структур, остались изучены в заведомо недостаточной степени.

Обратим внимание на некоторые, на наш взгляд, важные и недостаточно исследованные закономерности эволюции дислокационных структур. Заведомо недостаточно были исследованы те особенности поведения полигональных стенок, которые зависят от линейной плотности расположенных в них дислокаций, не было ясности в вопросе о процессе поглощения формирующейся полигональной стенкой одиночных дислокаций, находящихся неподалеку от стенки, когда поля напряжений, созданных стенкой и дислокацией перекрываются. Недостаточно и неполно были изучены закономерности тех процессов, которые обусловлены близостью дислокаций и их ансамблей к поверхности кристалла. Значимость этого "поверхностного" аспекта проблемы весьма велика, так как речь идет о химических и физико-химических свойствах не только собственно поверхности, а и некоторого приповерхностного слоя, дислокационная структура которого существенно может отличаться от дислокационной структуры в "объеме" кристалла. Обратим внимание еще на одну проблему, которая нам представляется в высокой степени важной. Речь идет об особенностях эволюции дислокационной структуры в кристаллах при предплавильных температурах, когда константы, определяющие свойства дислокаций, обнаруживают аномалии.

Перечисленным выше аспектам обсуждаемой проблемы, главным образом и посвящены наши исследования, составившие содержание диссертационной работы.

Актуальность работы. Исследование эволюции дислокационных структур, как одной из разноввдностея релаксационных процессов, происходящих в кристаллах, представляет большой интерес и в плане чисго научном и в плане прикладном. Научная значимость такого рода исследований обусловлена тем, что они оказываются источником сведений о взаимосвязи мевду геометрией формирующихся структур и полями напряжений, создаваемых дислокацией, разрозненными дислокациями или их организованными ансамблями. В плане прикладном про* блема исследования эволюции дислокационных структур в условиях модельного эксперимента в высокой степени важна в связи с тем,что преобразование дислокационной структуры кристалла себя обнаруживает во многих макроскопических эффектах, таких как пластичность, различные явления дислокационного массопереноса, к числу которых относятся прессование, спекание, химикогермическая обработка и др.

Предмет исследования диссертационной работы - процесс самопроизвольного преобразования дислокационных структур, которому сопутствует релаксация полей упругих напряжений. Этот процесс себя обнаруживает во взаимодействии процесса россыпи и формирования упорядоченных дислокационных ансамблей, являющихся этапом на пути к минимизации избыточной энергии кристалла, обусловленной дислокационной подсистемой.

Объект и методы исследования. В качестве объекта исследования нами были выбраны щелочногалоидные монокристаллы (ЩГМ) в связи с двумя обстоятельствами. Во-первых, применительно к ЩГМ развита весьма простая и надежная методика обнаружения дислокаций. Кроме того, простота кристаллической решетки ЩГМ во многих случаях дает возможность довести до конца интерпретацию формирующихся дислокационных структур. Сказанное дает основание утверждать, что ЩГМ являются весьма удобным модельным объектом для выяснения закономерностей эволюции дислокационных структур в процессе отжига.

При проведении исследований мы пользовались техникой высокотемпературных отжигов, техникой травления на дислокации при комнатных температурах. Широко нами также применялись теорфизические расчеты, необходимые для истолкования наблюдавшихся структур, и особенностей их эволюции.

Цель работы состояла в том, чтобы на оптически прозрачных, модельных щелочногалоидных монокристаллах,варьируя условия их термической обработки, проследить за теми закономерностями эволюции дислокационных структур, которые должны оказаться общими и для иных кристаллов - металлов, полупроводников и др.

Структура работы, работа состоит из двух частей. Первая часть -литературный обзор - включает в себя первую главу. В ней рассмотрены различные механизмы уменьшения плотности одиночных дислокаций и поведение дислокационных границ при высокотемпературном отжиге кристаллов. Сделан обзор оригинальных работ, посвященных изучению влияния отжига на эволюцию дислокационной подсистема кристаллов с различным типом связи: ионных, металлических, полупроводниковых. Вследствие того, что дислокации, находящиеся в "объеме" образца и вблизи поверхности, находятся в существенно неодинаковых условиях,работы, в которых изучалась дислокационная структура приповерхностного слоя отделены от работ, в которых изучались дислокации в "объеме". Описан цикл работ, относящихся к изучению поведения дислокационной подсистемы в области предплавильных температур; отмечается, что в рамках дислокационной модели плавления можно ожидать предплавильных аномалий, наблюдавшихся экспериментально.

Вторая часть - оригинальная. Она состоит из четырех глав (главы 2 - 5).

Во второй главе проанализированы основные релаксационные процессы, протекающие в дислокационной подсистеме кристалла при свободном изотермическом отжиге. Получены аналитические выражения для характерных времен у. , соответствующих релаксационных процессов. Эти выражения устанавливают связь между Ti , констангами материала и параметрами дислокационной структуры. Проведенный анализ позволяет предсказывать на основании имеющейся дислокационной структуры протекание этапов ее эволюции. Построены кинетические уравнения, определяющие эволюцию дислокационной структуры и позволяющие оценить вклады, соответствующие различным релаксационным процессам.

В третьей главе проведено детальное экспериментальное изучение временных зависимостей основных элементов дислокационных структур, состоящих из счетных дислокационных границ и одиночных хаотических дислокаций. На основании полученных в гл.2 кинетических i -уравнений была проведена оценка вкладов рассмотренных релаксационных процессов в эволюцию дислокационной структуры. Используя экспериментально установленные временные зависимости основных характеристик дислокационной структуры, были выполнены оценки коэффициента диффузии и напряжения сопротивления консервативному движению дислокаций.

В четвертой главе экспериментально изучалось поведение дислокационных структур в условиях предплавильного отжига. Было установлено, что кинетика образования незавершенных границ в ЩГМ при пред-плавильных температурах определяется аномально высокими скоростями диффузионного восхождения дислокаций. Проанализирована возможность образования россыпи хаотических дислокаций у конца незавершенной границы.

В пятой главе экспериментально изучена кинетика образования упрочненного приповерхностного слоя в ЩГМ, прошедших высокотемпературный отжиг. Установлено, что ответственными за торможение дислокаций в этом слое являются агрегаты комплексов, образующихся в результате взаимодействия примесных двухвалентных катионов и диффундирующих в кристалл ионов кислорода. Исследована эволюция дислокационной структуры приповерхностного слоя монокристаллов KCt при высокотемпературном отжиге, обнаруженное изменение плотности дислокаций объяснено диффузией примеси в кристалл из окружающей атмосферы.

На защиту выносятся следующие основные результаты:

1. Построено аналитическое описание различных этапов эволюции дислокационной структуры, которой сопутствует общее понижение упругой энергии системы дислокаций в кристалле. Найдены выражения, определяющие соответствующие времена релаксации.

2. Экспериментально изучено изменение со временен различных элементов дислокационной структуры, состоящей из одиночных дислокаций и счетных дислокационных границ. Оценены вклады различных релаксационных процессов в эволюцию дислокационной структуры.

3. Исследованы особенности поведения дислокационных ансамблей при предплавильных температурах, когда константы, определяющие взаимодействие между дислокациями, обнаруживают предплавильные аномалии.

4. Изучены особенности эволюции дислокационных структур в приповерхностных слоях монокристаллов, обусловленные наличием свободной границы и окружающей газовой атмосферы. Обнаружено абсорбционное упрочнение приповерхностного слоя.

Научная новизна. Впервые, на основании углубленного анализа основных релаксационных процессов в дислокационной подсистеме и проведенных расчетов записаны выражения для характерных времен этих процессов, включающие параметры дислокационной подсистемы и константы материала, разработан подход, позволяющий предсказывать вероятность протекания процесса отстыковки дислокационных границ. Впервые построена система кинетических уравнений, описывающих эволюцию дислокационной структуры при возврате , и позволяющая оценить вклады различных релаксационных процессов. На основании экспериментального изучения поведения ансамбля дислокаций при высокотемпературном отжиге и полученных кинетических уравнений были проведены оценки вкладов различных релаксационных процессов в высокотемпературную эволюцию дислокационного ансамбля. Выполнены оценки коэффициента диффузии и напряжения сопротивления консервативному движению дислокаций. Установлено, что предпла-вильная кинетика формирования незавершенных дислокационных границ в ЩГМ определяется аномальным возрастанием коэффициента самодиффузии. Впервые установлено, что в приповерхностном слое примесных ЩГМ, прошедших высокотемпературный отжиг, уменьшается подвижность дислокаций, то есть наблюдается упрочнение.

Практическая ценность работы. В результате проведенных экспериментов и расчетов получены существенно новые данные, относящиеся к вопросу о высокотемпературной эволюции ЩГМ, которые вносят определенный вклад в построение физической теории прочности и пластичности, а также в решение ряда задач, относящихся к различным явлениям дислокационного массопереноса - прессованию, спеканию и др.

Изученное влияние отжига на степень структурного совершенства кристаллов позволяет также выдать практические рекомендации, направленные на улучшение качества выпускаемых промышленностью кристаллов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на: I) Восьмой Всесоюзной конференции по физике прочности и пластичности металлов и сплавов (Куйбышев, 1976 г.); 2) Шестой международной конференции по росту кристаллов (Москва, 1980 г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 работ.

Диссертация содержит 1^5 страниц текста, 53 рисунка:, { таблицу. Список литературы состоит из iZO наименований, помещенных на {1 страницах.

Основные результаты, полученные в работе, состоят в следующем:

1. Проведен анализ релаксационных процессов в дислокационной подсистеме при свободном изотермическом отжиге ЩГМ. Получены аналитические выражения для характерных времен tTj, , соответствующих релаксационных процессов, устанавливающие связь между Г{. » константами материала и параметрами дислокационной структуры.

2. Проведено экспериментально изучение поведения всех элементов дислокационных структур, состоящих из одиночных дислокаций и счетных дислокационных границ, в зависимости от времени изотермического отжига. Под элементами дислокационной структуры подразумеваются: число одиночных дислокаций, протяженность незавершенных и завершенных границ, число дислокаций в них, число незавершенных границ и количество проаннигилировавших дислокаций (на I см2).

3. Установлено, что на основании имеющейся дислокационной структуры имеется возможность предсказывать протекание этапов эволюции, в частности, приводящей к образованию незавершенных границ. Построены кинетические уравнения, определяющие эволюцию дислокационной структуры, и позволяющие оценить вклады различных релаксационных процессов. Теоретически проанализирована возможность образования россыпи хаотических дислокаций,

4. На основании полученных кинетических уравнений проведены оценки вкладов различных релаксационных процессов в эволюцию дислокационной структуры, С использованием экспериментально установленных временных зависимостей основных характеристик выполнены оценки коэффициента диффузии и напряжения сопротивления консервативному движению дислокаций.

5. Экспериментально изучено поведение дислокационных структур при предплавильных температурах. Установлено, что кинетика формирования незавершенных границ в ЩГМ при этих температурах определяется аномально большим коэффициентом диффузии,

6. Экспериментально изучена подвижность дислокаций под воздействием сосредоточенной нагрузки в приповерхностных слоях щелочногалоидных монокристаллов, прошедших высокотемпературный отжиг. Обнаружено абсорбционное упрочнение приповерхностного слоя примесных ЩГМ в условиях высокотемпературного отжига. Выполненные эксперименты и оценки подтверждают предположения, что ответственными за торможение дислокаций, т.е. за упрочнение приповерхностного слоя являются агрегаты комплексов, образующихся в результате взаимодействия примесных двухвалентных катионов и диффундирующих в кристалл ионов кислорода.

7. Исследована эволюция дислокационной структуры приповерхностного слоя монокристаллов хлористого калия при высокотемпературном отжиге. Обнаружено немонотонное изменение плотности дислокаций в направлении от поверхности: зона с резко пониженной плотностью дислокаций, затем зона с резко повышенной плотностью дислокаций, переходящая в зону с монотонно убывающей плотностью дислокаций до типичной структуры центральной части отожженного кристалла.

Наблюдаемые немонотонности объяснены диффузией примеси в кристалл из окружающей атмосферы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Frenkel J. Zur Theorie der Elastizitatsgrenze und der Festig-kiet Kristallinischer Korper. - Z. Physik, 1926, v.37, N7-8, p.572-609.

2. Фридель 1. Дислокации. M.: Мир, 1967. - 643 с.

3. Рид В.Т. Дислокации в кристаллах.-М.: Мет.изд.,1957. 280 с.

4. Kear В.Н., Taylor A., Pratt P.L. Some Dislocation interaction in Simple ionic Crystals. Phil. Mag., 1959, v.4, N41, p.665-672.

5. Предводителев А.А., Рожанский B.H., Степанова B.M. Дислокационная структура, возникающая в кристаллах NaCi при деформацииих сосредоточенной нагрузкой. Кристаллография, 1962, т.7, № 3, с.418-424.

6. Предводителев А.А., Степанова В.М., Носова Н.А. Исследование прохождения одиночных краевых дислокаций через полосы скольжения в кристаллах NaCi . Кристаллография, 1966, т.Ц, № 4, с.632-641.

7. Гилман Дж., Джонсгон в. Зарождение и рост полос скольжения в кристаллах фтористого лития. в сб.: Дислокации и механические свойства кристаллов. - М.: ИЛ, I960, с.82-116.

8. Livingston J.D. Etch Pits at Dislocations in Copper. J. Appl.

9. Phys., I960, v.31, N6, p.1071-1076.

10. Young F.W., Savage J.R. Growth of Copper Crystals of Low Dislocation Density.- J. Appl. Phys., 1964, v.35, N6, p.I9I7-I924.

11. Young F.W., Sherrill F.A. , \Tittels M.C. Observations of Dislocations in Copper using Borrmann Transmission Topographs. J. Appl. Phys., 1965, v.36, N7, p.2225-2230.

12. Merlini A., Young F.W. Borrmann topographic investigations on dislocation configuration in well-annealed and ligntly deformedcopper crystals.- Journal de Physique, 1966, v.27, Suppl.7-8, p.219-224.

13. Njrfst В., S^rensen G. Direct X-ray Observation of Dislocation during annealing in Aluminium Single Crystals.- Phyl. Mag., 1966, v.I3, N125, p.1075-1077.

14. Засимчук И.К., Захарченко Н.Н. Влияние изотермического отжига вблизи температуры плавления на дислокационную структуру монокристаллов цинка.-В сб.:Металлофизика.-Киев-, 1978,№71,с.88-92.

15. Libovicky S. Dislocations in deformed and annealed Pe 3wt. %SL single crystals.- Czechosl. J. Phys., 1982, v.32B, Nil, p.1241-1245.

16. Kitajima S., Ohta Ш., Tonda H. Production of highly perfect copper crystals with thermal cyclic annealing.- J. Cryst. Grawth, 1974, v.24-25, HI, p.521-526.

17. Livingston J.D. The Density and Distribution of Dislocations in Deformed Copper Crystals.- Acta Met., 1962, v.10, N3, p.229 -239.

18. Шьюион П. Диффузия в твердых телах.-М.:Металлургия,1966.-195 с.

19. Schultz J.M. , Yfashburn J. Effect of Thermal History on the Dislocation Substructure near the Surfaces of a Lithium Fluoride Crystal.- J. Appl. Phys., I960, v.31, N10, p.I800-I80I.

20. Bellis de A.B., Staebe T.G. Dislocation Annealing in Lithium Fluoride Crystals.- Phys. St. Sol., 1965, v.10, N2, p.KI27-KI30.

21. Цинзерлинг Л.Г., Шаскольская М.П. Некоторые наблюдения процесса полигонизации в монокристаллах фтористого лития. Кристаллография, 1964, т.9, № 5, с.701-704.

22. Davidge R.W. , Pratt P.L. Plastic Deformation and Work Hardening in HaCl.- Phys. St. Sol., I964, v.6, N3, p.759-776.

23. Надгорный Э.М., Степанов А.В. Изучение дислокаций в кристаллах хлористого натрия. ФТТ, 1963, т.5, № 4, с.998-1005.

24. Pavis В., Grilhe J. Observation, par methode de Lang, de different s arrangements de dislocations apres recuit sur des cristaux de fruorire de lithium.- J. Appl. Cryst., 1973, v.6, N2, p.158-160.

25. Райхельс Е.И., Смушков И.В., Трембач В.М. Изменение субструктуры монокристаллов фтористого лития при изотермическом отжиге. ®ГТ, 1967, т.9, № 5, с.1505-1509.

26. Добровинская Е.Р., Добряк В.М., Захарин Я,А., Крайнюков М.И.

27. Влияние изотермического отжига на плотность дислокаций в монокристаллах CsJ и NaJ .-УФ1,1967, т. 12, № 12, с.2081-2083.

28. Мацокин В.П. Релаксация избыточной энергии дислокационной подсистемы в деформированных щелочногалоидных монокристаллах. -УФК, 1976, т.21, № 10, с.1740-1742.28. inoue Т., Komatsu Н. Change in dislocation distribution of

29. КCI single crystals during thermal cyclic annealing.- Krist. und Techn., 1980, v.15, N9, p.I065-I075.

30. Hibbard W.R., Dunn G.G. A study of <II2> Edge Dislocations in Bent Silicon iron Single Crystals.- Acta Met., 1956, v.4, N3, p.306-315.

31. Dunn G.G., Hibbard W.R. Some Observations of Dislocation Sites in Polygonized Silicon iron Crystals.- Acta Met., 1955, v.3, N4, p.409-4H.

32. Gilman J.J, Structure and Polygonization of Bent Zinc Mono-crystals.- Acta Met., 1955» v.3, N3, p.277-278.

33. Hosoyg S., Satake S., Takagi S. On the Polygonization of Rack Salt Crystals.- J. Phys. Soc. Jap.- 1956, v.II, N12, p.1228-1231.

34. Hocsoya S. On tihe Paiygonized Domain in Bent and Annealed NaCI Crystals Visualized by Colour Centre Colloids. j. Phys. So®. Jap., 1956, v.II, N12, p.I23I-1236.

35. Гилман Дж. О полигонизации. В кн.: Ползучесть и возврат.

36. М.: Гос.Научн.-Техн.из-во по черн.и цветн.мег.,1961,0.92-96.

37. Bauer C.L. Polygonization of rock salt.- Trans. Met. Sojd. AYME, 1965, v.233, N4, p.846-848.

38. Гегузин Я.Е., Мацокин В.П. Исследование дислокационных эффектов при отжиге изогнутых щелочногалоидных кристаллов по методу Фудживара. ДАН СССР, 1968, т.182, № 5, с.1055-1058.

39. Hamakawa J.t Fujimoto Т., Jamaguchi J. Dislocation Deny Zone around.the Grain Boundary ocffSilicon Bicrystals.- Japan J. Appl. Phys., 1965, v.4, N6, p.824-825.

40. Amelinckx S., Stirumane R. Geometry and Kinetics of the Polygonization of Sodium Chloride.- Acta Met., I960, v.8, N5,p. 312 -320?

41. J Amelinckx S., Dekeyser V7. Ehe Structure and Properties of Grain Boundaries.:- So^lid State Phys., 1959, v.8, p.327-499.

42. Котгрелл A.X. Дислокации и пластическое течение в кристаллах. М.: Мегаллургиздаг, 1958. - 267 с.

43. Id. J.C.M. Some elastic properties of an adge dislocation Wall.- Acta Met., I960, v.8, N5, p.563-574.

44. Li J.C.M. The interaction of Parallel Edge Dislocations with a Sample Talt Dislocationn wall.- Acta Met., I960, v.8, N5, p.296-311.1.

45. Мышляев М.М. Активационный выход дислокаций из границы наклона под действием напряжения.-ФТТ, 1970,т. 12,№3, с.860-865.

46. Соловьев в.А. Кинетика расползания полигональной стенки дислокаций. ДАН СССР, 1969, т.185, № 5, с.1037-1040.

47. Гегузин Я.Е., Рабец B.JI. Исследование начальной стадии ползучести деформированных монокристаллов fla.cc. в связи с их дислокационной структурой. -PhyS.Stat.Sol.,1965, 9,№3, p.893-903.

48. Гегузин Я.E., Мацокин в.П. Об эффекте "россыпи" дислокационных границ при высокотемпературном отжиге кристаллов под напряжением. ФТТ, 1966, т.8, № 9, с.2558-2565.

49. Эйдельман Л.Г. Границы блоков в монокристаллах хлористого натрия, выращенных из расплава. ФТТ, 1967, т.9,№1, с.13-20.

50. Райхельс Е.й. Исследование влияния термообработки на степень структурного совершенства щелочногалоидных монокристаллов: Дисс. канд.физ.-мат.наук, Харьков, 1969, - 186 с>.

51. Гегузин Я.Е., Мацокин В.П., Каролинский A.M. Исследование очагов россыпи дислокационных границ в щелочногалоидных кристаллах. УФ1, 1971, т. 16, N9 4, с.539-546.

52. Засимчук Е.Э., Кравченко B.C. Рекристаллизация, вызванная аннигиляцией дислокаций. Металлофизика,1980,т.2,№5,с.64-74.

53. Засимчук Е.Э. Полигонизация, рекристаллизация и термическая стабильность свойств маге риалов.-Киев:Наук.думка,1976.-228 с.

54. Засимчук Е.Э., Кравченко B.C., Харченко В.К. Критическая стадия полигонизации в монокристаллах вольфрама, деформированных сжатием, и ее роль в изменении прочности. Пробл.прочности, 1978, № I, с.69-73.

55. Лариков А.Н., Кравченко B.C., Плотникова Н.П. Исследование субструктуры при отжиге облученного после деформации молибдена

56. В кн : Монокристаллы тугоплавких и редких металлов. М.: 1971» с.143-148.

57. Sandstrom R. On Recovery of Dislocations in Subgrains and Subgrain Coalescence.- Acta Met., 1977, v.25, N8, p.897-904.

58. Density and the Pair Distribution Function.- Phyl. Mag., 1973, v.27, N3, p.623-632.58+ Kristensen W.D., Jensen E.J., Cotterill R.M.J. Dislocation Density and Thermodynamics Function.- Phyl. Mag., 1974, v.30, N2, p.229-243.

59. Cotterill R.M.J., Kristensen W.D., Jensen E.J. Spontaneous Dislocation Generation and Dynamics of Melting.- Phyl. Mag., 1974, v.30-, N2, p.245-263.

60. Cotterill R.M.J. Melting point depression in very thin Lennard - iones Crystals.- Phyl. Mag., 1975, v.32, N6, p. 1283 -1288.

61. Cotterill R.M.J., Kristensen W.D, A transmission electron microscopy investigation of the melting transmission.- Phyl. Mag., 1977, v.36, N2, p.453-463.

62. Fujita H,, Tabata Т., Aoki T. Dislocation behauiour in melting process of metals.- Troc. Fifth Conf. of High-Voltage Electron Microscopy: Kyoto, 29 Aug.- I Sept, 1977, p.439-442.

63. Кононенко В.Г., Гегузин Я.Е. Движение инородного включения в кристалле при температуре плавления кристалла. Кристаллография, 1981, т.26, » I, с.157-163.

64. Гегузин Я.Е., Кононенко В.Г., Чан: Киеу Зунг. Движение инородного включения в монокристаллах нафталина и стильбена в области предплавильных температур. УФЖ, 1982, т.27,№ I, с.74-78.

65. Гегузин Я.Е., Кононенко В.Г., Чан Киеу Зунг. О физических свойствах квазижидкой прослойки на межфазной границе. УФЖ, 1982, т.27, № 8, с.II75-II8I.

66. Гегузин Я.Е., Кононенко В.Г., Чан Киеу Зунг. Залечивание поры в кристалле в области предплавильных температур вследствие релаксации локализ ованных напряжений. УФ I, 1983, т.28, № 7, с.1035-1040.

67. Кононенко В.Г., Чан Киеу Зунг. Кинетика микроиндентирования при предплавильной температуре. УФЖ, 1983, т.28, №8,с.II98-I203.

68. Урусовская А.А., Говорков В.Г. Влияние примесей на пластическую деформацию монокристаллов СаР2 . Кристаллография, 1965, т.10, № 4, с.525-530.

69. Урусовская А.А. Исследование кристаллов LiP методом травления. Кристаллография, 1958, т.З, № 6, с.726-732.

70. Буравлева М.Г., Сойфер JI.M. Движение малоугловых границ при отжиге. ФММ, 1963, т.15, № 2, с.269-273.

71. Maeng Sun-Chae. Dislocation in Sodiumchloride Crystals.

72. Z. Naturforsch., 1966, V.2IA, N3, p.301-303.

73. Подлесная А.Д., Райхельс Е.И., Смушков И.В., Трембач В.М.

74. О дислокационной структуре приповерхностного слоя щелочнога-ловдных монокристаллов. ДАН СССР, 1965, т.161, № 4, с.821-824.

75. Кускова Т.В., Райхельс Е.И., Смушков И.В. Некоторые особенности, возникающие при отжиге структуры приповерхностного слоя кристаллов фтористого лития. ФТТ, 1967, т.9, № 10, с.3016-3018.

76. Кускова Т.В., Райхельс Е.И., Смушков И.В. Формирование дислокационной структуры вблизи поверхности при отжиге монокристаллов фтористого лития. ФТТ, 1968, т.10, с.3060-3067.

77. ТиманБ.Л., Добровинская Е.Р., Бабийчук И.П. О возникновении и "зарастании" бездислокационной зоны при отжиге монокристаллов корунда. ФТТ, 1974, т.16, № 6, с.1792-1794.

78. Гегузин Я.Е., Мацокин В.П. Исследование поведения дислокаций в диффузионной зоне при диффузии мало растворимых примесей. -УФЖ, 1980, т.25, № 4, с.612-617.

79. Prussin S. Generation and Distribution of Dislocations by Solute Diffusion. J. Appl. Phys., 1961, v. 32, N 10, p. 18761881.

80. Queisser J. Slip Patterns on Boron Doped Silicon Surfaces. - J. Appl. Phys., 1961, v. 32, N 9, p. 1776 - 1780.

81. Leskoschek ТГ. Versetzungdichte von dotiertem Silizium. -Z. angew. Phys., 1965, v. 15, N 6, p. 493 495.

82. Суходрева И.М. Наблюдение дислокаций, возникающих при диффузии фосфора в кремний, методом аномального прохождения рентгеновских лучей. ФТТ, 1964, т.6, № 2, с.390-392.

83. Альтшуллер В.М., Пильдон В.И. Обнаружение выделений в кремнии после диффузии бора. ФТТ, 1967, т.9, № 3, с.830-835.

84. Jton Nobuo, Nakau Tanehiro. Anhomogenocous distribution of dislocation in phosphorus diffused silicon. J. Appl.

85. Phys., 1982, part I, v.21, Ы6, p.817 т 821.

86. Мацокин В.П., Назаренко В.Г. Характерные времена релаксационных процессов в неупорядоченных ансамблях дислокаций. УФЖ, 1983, т.28, № 12, с.1854-1861.

87. Мацокин В.П., Назаренко В.Г. Эволюция дислокационной структуры щелочногалоидных монокристаллов в режиме изотермического отжига. УФЖ, 1984, т.29, № I, с.75-79.

88. Хирт дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. - 595 с.

89. Рожанский В.Н., Парвова Е.В., Степанова В.М., Предводителе-ев А.А. Исследование кинетики избирательного травления и полировки кристаллов NaCi • Кристаллография, 1961, т.6, № 5, с. 704-713.

90. Лубенец С.В., Костин Н.Ф. Избирательное травление галогенидов калия. Кристаллография, 1962, т.7, № 2, с.328-330.

91. Райхельс Е.И., Смушков И.В., Трембач В.М. К изучению травления на дислокации монокристаллов фтористого лития. В сб.: Промышленность химических реактивов и особо чистых веществ. -М.: Изд-во ИРЕА, 1964, № 5, с.104-113.

92. Cotterill R.M.J. The Physics of Melting. J. Crys. Growth, 1980, v.48, N2, p.282-288.

93. Hildebrand H. Dislocation densities in copper singl crystals after thermal tratment. Krist. und Techn. I971, v.6, N1, p.131-143.

94. Крупоткин М.Я., Назаренко В.Г., Сойфер Л.М. Установка; для пред плав ильного отжига щелочногалоидных монокристаллов. В сб.: Получение и исследование монокристаллов. - Харьков: Изд-во ВНИИ монокристаллов, 1978, № I, с.126-130.

95. Кононенко В.Г., Назаренко В.Г. Особенности эволюции дислокационной структуры при предплавильных температурах. УФЖ, 1984, т.29, № 6, с.901-904.

96. Hsrfot В. Aluminium Single Crystals with very low dislocation density. Ehyl. Mag., 1965, v.II, N109, p.183-184.

97. Таблицы физических величин. M.: Агомиздат, 1976, - 1006 с.

98. Справочник химика. л.: Химия, 1971, т.1, - 1071 с.

99. Евсеев A.M., Пожарская Т.В., Несмеянов А.Н., Герасимов Я.И. Давление пара фтористого лития. ЖНХ, 1959, т.4, № 10, с.2189-2191.

100. Краткий справочник по химии. Киев: йзд-во АН УССР, 1963,- 695 с.

101. Де Бур Я. Динамический характер адсорбции. М.: ШГ, 1962,- 341 с.

102. Розенберг Г.Х., Выдай Ю.Т., Птицын Г.В., Чайковский Э.Ф.

103. Кинетика распада твердого раствора Na у поверхности кристаллов CsJ . изв.АН СССР, Сер.физ,, 1977, т.41, № II, с.2365-2368.

104. Yacaman M.J., Gomez A., Bassett G.A. Diffusion to the surface of divalent impurities in alkale halides. Thin. Sol.

105. Films., 1976, v.35, MI, p.37-44.

106. Крупоткин М.Я., Назаренко В.Г., Смушков И.В. Подвижность дислокаций в приповерхностном слое монокристаллов фтористого лития. Тезисы докладов УШ всесоюзной конференции по физике прочности и пластичности металлов и сплавов. Куйбышев,1976,с.87.

107. Аринкина Е.Л., Крупоткин М.Я., Назаренко В.Г., Смушков И.В. Самоочистка кристаллов фтористого лития при предплавильном отжиге, У1 международная конференция по росту криоталлов. расширенные тезисы, г.4, Москва, 1980, с.361-362.

108. Смушков И.В., СойферЛ.М., Шахнович М.И* Кристаллические оптические материалы для вакуумной ультрафиолетовой области спектра. в сб.: физика вакуумного ультрафиолетового излучения. - Киев: Наук.думка, 1974, с.59-68.

109. Шахнович М.И. Исследование процесса получения и оптических свойств монокристаллов фтористого лития: Дис. кавд.физ.-мат.наук, Харьков, 1974, - 146 с.

110. Шаскольская М.П., До0ржанский Г.Ф. О связи между распределением дислокаций около отпечатка индентора и прочностью кристалла, Кристаллография, 1962, т.7, № I, с.ЮЗ-106.

111. СойферЛ.М., Буравлева М.Г., Щеголева З.А. Исследование жесткос кости щелочногалоидных кристаллов с помощью дислокационныхрозеток. ОТ, 1971, т.16, № 7, C.II07-III3.

112. Птицын Г.В., Розенберг Г.Х., Чайковский Э.Ф. Применение методов декорирования для исследования твердых растворов. ФГТ, 1976, т.18, № I, с.280-282.

113. Данидин Б.С. Вакуумная техника в производстве интегральных схем. М.: Энергия, 1972. - 256 с.

114. Chang Т.Т., lanttila W.H., Wells I.S. Magnetic Resonance of Mn2+- Doped LiF Crystals.- J. Chem. Phys., 1963, v.39, KIO, p.2453-2456.2+

115. Rottcher R., Windsch W., Ludke W. EPR Investigations on Mn -Dopel LiF Single Crystals. Phys. Stat. Sol., 1967, v.20, N1, p. 121 -129.

116. ИЗ. Кононенко В.Г. Исследование дисперсной структуры мутных сред методами светорассеяния. в сб.: Оптические и сцин-тилляционные монокристаллы. - Харьков: Изд-во ВНИИ монокристаллов, 1982, № 9, с.41-57.

117. Кононенко В.Г. Исследование методом светорассеяния распада твердых растворов на основе щелочногаловдных монокристаллов в условиях всестороннего сжатия: Дис. канд.физ.-мат,наук.-Харьков, 1972, 171 с.

118. Логинов Б.М., ПредводителевА.А. Моделирование движения дислокаций через лес гибких и реагирующих дислокаций. ФГТ, 1981, т.23, № I, с.112-116.

119. Bason D.J., Kocks U.F., Scattergood R.O. The effect of dislocation self-interaction on the Orowan stress. Phyl. Mag, 1973, v.28, N6, p.I24I-I263.

120. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов. M.: ИЛ, 1962,- 222 с.

121. Кононенко В.Г., Хайхлер В. Исследование диффузии двухзаряд-ного иона Ва2+ в монокристаллах kci , УФЖ, 1977, т.22, № 12, с. 1998-2002.

122. Кузнецов А.В. Изучение влияния дислокационных несовершенств на интегральную дифракционную мощность, рассеянную реальным кристаллом: Дис. докт.физ.-мат.наук, Петрозаводск, 1975,- 264 с.

123. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979. - 343 с.