Исследование особенностей диэлектрических и поляризационных свойств сегнетоэлектрических плёнок ЦТС и ТБС тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ

ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

§1.1 Общие представления о сегнетоэлектриках.

1.1.1 Сегнетоэлектрические свойства.

1.1.2 Доменная структура сегнетоэлектриков.

§1.2 Твердый раствор цирконата-титаната свинца и его основные свойства.

§ 1.3 Тонкие пленки на основе ЦТС.

1.3.1 Изготовление пленок ЦТС различными методами. ^

1.1.3.2 Применение тонких пленок на основе ф

§1.4 Свойства тонких пленок на основе ЦТС полученных методом магнетронного напыления. ^^

1.4.1 Структура тонких плёнок ЦТС. ^

1.4.2 Особенности переполяризации тонких плёнок. ^

1.4.3 Коэрцитивные поля в тонких пленках.

1.4.4 Обратимое и необратимое движение доменных стенок (ДС).

1.4.5 Влияние движения доменных стенок на свойства сегнетоэлектриков.

1.4.5 Механизмы старения и усталости.

1.4.6 Релаксация в сегнетоэлектрических пенках.

§1.6 Выводы.

ГЛАВА 2. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ И ОБРАБОТКИ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ

§2.1 Измерение комплексной диэлектрической проницаемости в слабых полях. Мостовой метод измерения.

Измерительная установка.

2.1.2 Методика измерений частотно-температурных зависимостей комплексной диэлектрической проницаемости е*(V, Т) на установке мостового типа.

Методика измерения диэлектрических характеристик переключения в средних и сильных электрических полях. Измерение реверсивных зависимостей е*(Е=).

2.1.4. Установка для измерения петель поляризации.

2.1.5. Методика компьютерной обработки петель поляризации.

§2.2 Структура экспериментальных исследований сегнетоэлектрических плёнок ЦТС и ВБТ.

§ 2.3 Описание исследуемых образцов плёнок состава РЬ(Т10.45 гго.5з ^0.01 Сё о.оООз с различными верхними электродами

§ 2.3 Измерительные ячейки (образцы) плёнок на основе ТБС (ВБТ)

ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ОСНОВЕ ЦТС В СЛАБЫХ ПОЛЯХ

§3.1 Исследование диэлектрических свойств сегнетоэлектрических плёнок ЦТС с верхними алюминиевыми электродами мостовым методом.

3.1.1. Поведение £*(у) для плёнки ЦТС с верхними алюминиевыми электродами (образцы №27 №29 и №31).

3.1.2 Температурные зависимости £*(Т) для плёнки ЦТС с верхними алюминиевыми электродами (образцы №27 №29 и

§3.2 Исследование диэлектрических свойств сегнетоэлектрических плёнок ЦТС с верхними платиновыми электродами мостовым методом

3.2.1 Поведение £*(у) для плёнки ЦТС с верхними платиновыми электродами (образец №29).

3.2.2 Температурные зависимости £*(Т) для плёнки ЦТС с верхними платиновыми электродами (образец №29).

§ 3.3. Выводы.

ГЛАВА 4. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ОСНОВЕ ЦТС В СРЕДНИХ И СИЛЬНЫХ ПЕРЕМЕННЫХ ПОЛЯХ

§4.1 Петли поляризации и анализ их частотной и температурной # эволюции образца №27 с алюминиевыми электродами.

4.1.1 Проявление процессов релаксации поляризации в форме петель диэлектрического гистерезиса.

4.1.2 Особенности амплитудных зависимостей эффективной диэлектрической проницаемости £гэфф.

4.1.2 Особенности амплитудных зависимостей эффективной диэлектрической проницаемости £'эфф.

4.1.3 Разделение вкладов механизмов движения доменных ф границ в 8'эфф и е"эфф.

4.1.4 Дифференциальный коэффициент рассеяния.

§4.2 Наблюдение петель поляризации и анализ их частотной и температурной эволюции образца №29 с алюминиевыми электродами.

4.2.1 Проявление процессов релаксации поляризации в форме петель диэлектрического гистерезиса.

4.2.2 Амплитудные зависимости эффективной диэлектрической проницаемости е'эфф.

4.2.2 Амплитудные зависимости эффективной диэлектрической проницаемости егЭфф.

4.2.3 Разделение вкладов механизмов движения доменных границ в 8'Эфф и е"Эфф.

4.2.4 Дифференциальный коэффициент рассеяния.

§4.3 Петли поляризации и анализ их частотной и температурной эволюции образца №29 с платиновыми электродами.

4.3.1 Изучение релаксационных процессов с помощью анализа петель поляризации.

4.3.2 Амплитудные зависимости эффективной диэлектрической проницаемости е'эфф.

4.3.3Разделение вкладов механизмов движения доменных границ в е^фф и е"эфф.

4.3.4 Дифференциальный коэффициент рассеяния.

§ 4.4. Выводы.

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ОСНОВЕ ЦТС И BST В ПОСТОЯННЫХ СМЕЩАЮЩИХ ПОЛЯХ. РЕВЕРСИВНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ

§ 5.1 Исследование диэлектрических характеристик Ä сегнетоэлектрических плёнок на основе ЦТС, в постоянных смещающих полях.

5.1.1 Температурная эволюция реверсивных зависимостей образца №27 с алюминиевыми электродами. Анализ реверсивных зависимостей.

5.1.2 Температурная эволюция реверсивных зависимостей образца №31 с алюминиевыми электродами. Анализ реверсивных зависимостей.

5.1.3 Температурная эволюция реверсивных зависимостей образца №29 с алюминиевыми электродами. Анализ реверсивных зависимостей.

5.1.4 Температурная эволюция реверсивных зависимостей образца №29 с платиновыми электродами. Анализ реверсивных зависимостей.

§ 5.3 Исследование диэлектрических характеристик сегнетоэлектрических плёнок на основе TBC (BST), в постоянных смещающих полях.

§ 5.1 Выводы.

Актуальность проблемы Физика сегнетоэлектричества в настоящее ф время является одним из ведущих разделов физики твердого тела (физики конденсированного состояния). В последние годы резко возрос интерес к исследованиям физических свойств сегнетоэлектрических плёнок, полученных различными технологическими методами. Обусловлено это, прежде всего, тем, что дальнейший прогресс современной микроэлектроники связывают, в основном, с решением задач в области физики и технологии диэлектрических материалов. В частности ^ использование сегнетоэлектрических пленок обеспечивает микроминиатюризацию, малую энергоемкость, высокую чувствительность и быстродействие устройств на их основе [1,2]. Одной из основных причин исследований тонких сегнетоэлектрических пленок является возможность их использования в качестве энергонезависимых элементов компьютерной памяти [3]. Перспективно также применение тонкопленочных сегнетоэлектриков в качестве высокочувствительных приемников ИК излучения, пьезопреобразователей, элементов акусто- и оптоэлектронных устройств [3].

Одновременно существенно обострился интерес к ряду фундаментальных проблем, решение которых поставлено на очередь дня в связи с изучением физических явлений в тонкоплёночных сегнетоэлектриках. В ряду данных проблем находятся, например, такие, как природа нелинейности, размерные эффекты, физика самополяризации, эффекты усталости и старения, поверхностные явления. Особое место здесь занимают вопросы природы дефектов и их влияния на физические свойства сегнетоэлектрических плёнок. Открытым остаётся вопрос о степени доменного вклада в макроскопические физические свойства сегнетоэлектрических пленок. Здесь не только нет единой модели, но различные исследователи в своих публикациях приводят порой совершенно противоречивые результаты касательно этого вопроса.

Тематика диссертационной работы соответствует «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН, а работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики Волгоградского государственного архитектурно-строительного университета по гранту Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 02-0216232 по теме "Особенности процессов низко- и инфранизкочастотной поляризации и переполяризации сегнетоэлектрических пленок в связи с их дефектной структурой") и грантам конкурсного центра Минобразования России (проект №Е02-3.4-424 по теме "Исследование физической природы различных эффектов последействия в сегнетоэлектрических и родственных материалах" и проект НИР: 202.03.02.044 по теме "Роль доменных и фазовых границ в проявлении макроскопических физических свойств многокомпонентных сегнетопьезокерамик").

Цель работы заключалась в экспериментальном исследовании механизмов низко- и инфранизкочастотной поляризации и переполяризации сегнетоэлектрических плёнок цирконата-титаната свинца (ЦТС) и титаната бария-стронция Ва1.х Бгх ТЮ3 (ТБС) в широкой области температур в зависимости от амплитуд воздействующих внешних полей, материалов электродов, предыстории образцов.

В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи: 1. Изучение поведения параметров низко-и инфранизкочастотных диэлектрических спектров комплексной диэлектрической проницаемости е* в широком интервале температур, в слабых измерительных полях Е< 5 кВ/см, в сегнетоэлектрических плёнках РЬ(Т10.45 2г0.5з ^^0.01 Сё о.оООз на подложках из коррозионно-стойкой стали с верхними электродами из алюминия и платины.

Исследование переполяризационных характеристик сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца в широком интервале полей (от средних Е <50 кВ/см до сильных £ < 300 кВ/см), частот (от 0.1 Гц до 1000 Гц) и температур (от температуры Г = -160°С до Г=+100°С).

Определение соотношения вкладов релаксационного и гистерезисного механизмов движения доменных границ в диэлектрические свойства пленок ЦТС в широком интервале температур, полей и частот

Изучение влияния материала верхнего электрода на диэлектрические и переполяризационные характеристики сегнетоэлектрических плёнок ЦТС.

Исследование вольт-фарадных зависимостей сегнетоэлектрических плёнок ЦТС и ТБС в широкой области температур.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые: Выявлены и исследованы процессы низкочастотной и инфранизкочастотной диэлектрической релаксации в сегнетоэлектрических пленках ЦТС, с верхними электродами из алюминия и платины. Определены энергии активации данных процессов. Рассмотрены зависимости частоты релаксации поляризации (переполяризации) от амплитуды измерительного поля.

Обнаружено, что в области полей не превышающих коэрцитивные поля, переполяризация исследуемых пленок ЦТС соответствует релеевскому механизму движения доменных границ. Определены параметры уравнения Релея, а также характер их изменения при вариации температуры и частоты измерительного поля. На основе обработки полученных петель поляризации проведено количественное разделение вкладов различных механизмов движения доменных границ в диэлектрический отклик сегнетоэлектрических пленок ЦТС в широком интервале температур, полей и частот.

4. Выявлено отличие в температурном поведении коэрцитивных полей сегнетоэлектрических плёнок на основе ЦТС от аналогичных зависимостей в объёмных керамиках, что связывается с особенностями переключения приэлектродных областей плёнки.

5. Методом реверсирования (вольт-фарадные характеристики) установлено, что характер размытого фазового перехода в плёнках Вао.5$Го.5ТЮз имеет черты аналогичные фазовому переходу, наблюдаемому в объёмных неупорядоченных сегнетоэлектриках-релаксорах.

Практическая значимость.

Представленные в диссертационной работе новые результаты и установленные закономерности процессов релаксации поляризации, в сегнетоэлектрических пленках ЦТС и тонких плёнках ТБС, под воздействием внешних факторов, позволяют значительно пополнить имеющуюся информацию о характерных особенностях переключения плёночных сегнетоэлектриков, что будет полезно как для разработчиков технических применений на основе сегнетоэлектрических пленок, так и для проверки существующих и разработки новых теоретических представлений об особенностях протекания процессов переполяризации в тонкопленочных сегнетоэлектриках.

В качестве объектов исследований были выбраны тонкие сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца легированные вольфрамом и кадмием Состав выбран вблизи морфотропной фазовой границы РЬ(Т10.45 гг0.5з ^0.01 Сс10.0ОО3. Плёнки были получены ВЧ катодным напылением. Мишень осаждалась на подложку из коррозионностойкой стали. Образцы были получены в НИИ физики Ростовского государственного университета (г.Ростов-на-Дону. В работе описаны четыре образца одинакового состава три из них с верхними А1 электродами и один с верхними Р1 электродами. Толщина плёнок составляла 2 мкм.

В работе так же изучались пленки титаната бария-стронция Вао.5 8г0.5 ТЮ3 полученные золь-гель методом. Образцы были получены в Московском государственном институте радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА). Плёнки осаждались на подложки 81/8Ю2(0,3)т(0,3)-Р1(0,03) или 81/8Ю2(0,47)/1п203. В качестве верхних электродов использовался №. Верхний электрод имеет форму эллипса площадью -0.03 мм. Толщина плёнок практически одинакова по всей площади плёнки и составляла 0.2 мкм.

Положения, выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментального исследования особенностей низко- и инфранизкочастотного диэлектрического отклика в плёнках на основе ЦТС полученных методом высокочастотного катодного распыления на подложке из коррозионно-стойкой стали, с верхними электродами из алюминия и платины.

2. Процесс переполяризации исследуемых пленок ЦТС соответствует релеевскому типу и обусловлен механизмом движения доменных границ, как и в объёмных сегнетоэлектриках.

3. Экспериментальные результаты, устанавливающие количественное разделение вкладов различных механизмов движения доменных границ в диэлектрический отклик сегнетоэлектрических пленок ЦТС в широком интервале температур, полей и частот.

4. Результаты исследования реверсивных зависимостей диэлектрической проницаемости, устанавливающие температурную область в полярной фазе плёнки ЦТС, где меняется характер температурной зависимости коэрцитивных полей в данном материале.

5. В тонких плёнках состава Ва0.5$Г0.5ТЮз имеет место существенно неупорядоченная структура, следствием которой является размытый фазовый переход, характер которого аналогичен фазовому переходу в объёмных сегнетоэлектриках-релаксорах.

Апробация результатов работы. Основные результаты, изложенные в диссертационной работе, докладывались на: VII Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых учёных (Санкт-Петербург, 2001г.); Международной научно-технической конференции "Межфазная релаксация в полиматериалах" (Москва, 2001 г.); VII симпозиуме по сегнетоэлектричеству, RCBJSF-7 (Санкт-Петербург, 2002 г.); XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 2002 г.); Международной научно- практической конференции "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения" (Москва, 2003 г.); IV международном семинаре по физике сегнетоэластиков (ISFP-4) (Воронеж, 2003 г.); Международной научной конференции "Молодые ученые - 2003" (Москва, 2003 г.); Международной научно-технической конференции, "Полиматериалы -2003" (Москва, 2003 г.); "Диэлектрики 2004" (Санкт-Петербург, 2004г.) Международной научно- практической конференции "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения" (Москва, 2004 г.).

Публикации.

Содержание диссертации опубликовано в 14 печатных работах (из них 6 статей в сборниках и 2 статьи в реферируемых научных журналах).

Структура и объем

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 183 страницы, включая 59 рисунков, 3 таблицы. Список литературы содержит 200 наименования.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Комплексное исследование процессов поляризации и переполяризации тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца в области низких и инфранизких частот, а также исследование плёнок на основе титаната-бария стронция позволило выявить новые и получить дополнительные сведения о физических свойствах тонкопленочных сегнетоэлектриков. Основные из этих результатов и выводы можно сформулировать следующим образом:

1. Методом низко- и инфранизкочастотной диэлектрической спектроскопии в широком интервале полей (от 0.5 кВ/см до ЗООкВ/см), частот (от 0.1Гц до 2.5 кГц) и температур (от температуры -180°С до +100°С) выявлены особенности диэлектрического отклика сегнетоэлектрических пленок цирконата титаната свинца, изготовленных методом высокочастотного катодного распыления мишеней стехиометрического состава, с верхними электродами из алюминия и платины.

2. Установлено, что для исследуемых образцов характерна низкочастотная релаксации поляризации, которая обусловлена тремя механизмами: релаксацией доменных границ, релаксацией объёмного заряда и релаксацией дефектно-дипольных комплексов образованных вакансиями свинца и кислорода.

3. Показано, что процесс переполяризации исследуемых пленок ЦТС в области полей не превышающих коэрцитивных, соответствует релеевскому механизму движения и аналогичен механизму движения доменных границ, как и в объёмных сегнетоэлектриках.

4. Методом анализа экспериментально полученных петель поляризации определены процентные соотношения вкладов релаксационного и гистерезисного механизмов движения доменных границ в эффективную комплексную диэлектрическую проницаемость.

Выявлено, что основные особенности поляризации и переполяризации исследованных образцов для определённых интервалов полей и частот можно объяснить перераспределением вкладов различных механизмов движения доменных (межфазных) границ (гистерезисного и релаксационного) в диэлектрический отклик материала.

Методом исследования реверсивных зависимостей диэлектрической проницаемости, выявлена температурная область в полярной фазе плёнки ЦТС, где меняется характер температурной зависимости коэрцитивных полей в данном материале.

В тонких плёнках состава Вао^Го^ТЮз где имеет место существенно неупорядоченная структура, выявлен характер размытого фазового перехода, протекание которого происходит аналогично фазовому переходу в объёмных сегнетоэлектриках-релаксорах.

165 ^

БЛАГОДАРНОСТИ

Автор выражает свою глубочайшую и искреннюю благодарность научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору, заведующему кафедры физики ВолГАСУ

Аркадию Владимировичу Шильникову).

Его внимание и помощь выражались в постоянных обсуждениях полученных результатов, и в полезных наставлениях, и необходимых советах при написании работы.

И хотя скоропостижная смерть Аркадия Владимировича прервала это плодотворное сотрудничество светлая память о нем останется навсегда в наших сердцах.

Автор выражает свою благодарность научному руководителю Бурханову А.И за постоянную помощь и внимание к работе, а также соавторам многих работ по теме исследования за предоставленные образцы: Захарченко И.Н., Сигову A.C., Воротилову К.А.

1., Гласс А. Сегнетоэлектрические и родственные им материалы. Пер. с англ./Под ред. В.В. Леманова и Г.А. Смоленского. — М.: Мир, 1981.-736 с.

2. Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. Физика сегнетоэлектрических пленок. -Ростов-на-Дону. Изд. Ростовского университета, 1979. 192 с.

3. Scott J.F. The Physics of Ferroelectrics Ceramic Thin Films for Memory Applications // Ferroelectrics Review. 1998. Vol. 1, - № 1, - p. 1-129.

4. Sirotin Y I and Shaskolskaya M P. Fundamentals of Crystal Physics // -Moscow: Mir, 1986. 467c.

5. Mitsui Т., Tatsuzaki I. and Nakamura E. An Introduction to the Physics of Ferroelectrics. London: Gordon and Breach, 1976. - 234 p.

6. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. Пер. с англ. / Под ред. Л. А. Шувалова. М.: Мир, 1965. - 555 с.

7. Смоленский Г. А., Крайник Н. Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. -М.: Наука, 1968. 184 с.

8. Сонин А. С., Струков Б. А. Введение в сегнетоэлектричество. М.: "Высш. школа", 1970. -271 с.

9. Барфут Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Пер. с англ./ Под ред. Л. А. Шувалова. М.: Мир, 1970. -352 с.

10. Damjanovic D. Ferroelectric, dielectric and piezoelectric properties of ferroelectric thin films and ceramics // Rep. Prog. Phys. 1998. Vol. 61, -p. 1267-1324.

11. Burfoot J. C. and Taylor G. W. Polar Dielectrics and Their Applications. -London: Macmillan, 1979. 346 p.

12. Newnham R. E. Structure-Property Relations. Berlin: Springer, 1975. -174 p.

13. Веневцев Ю. Н., Политова Е. Д., Иванов С. А. Сегяето- и антисегнетоэлектрики семейства титаната бария. М.: Химия, 1985. -256 с.

14. Смоленский Г.А, Боков В. А, Исупов В. А и др. Физика сегнетоэлектрических явлений. Л.: Наука, 1985. -396 с.

15. Глинчук М. Д., Елисеев Е. А., Стефанович В. А. Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков // ФТТ. 2001. - Т. 43, - вып. 5, - С. 882-887.

16. Исупов А. В. Сосуществование фаз в твердых растворах цирконата-титаната свинца // ФТТ. 2001. - Т. 43, - вып. 12, - С. 2166-2169.

17. Xu Y Ferroelectric Materials and Their Applications. Amsterdam: North-Holland, 1991. - 168 p.

18. Jaffe В., Cook W. R. and Jaffe H. Piezoelectric Ceramics. New York: Academic, 1971. - 256 p.

19. Song Y.-J. Ferroelectric Thin Films for High Density Non-volatile Memories. Ph.D. thesis, Virginia Blacksburg, Polytechnic Institute and State University, 1998. p. 149.

20. Kholkin A. Electromechanical properties and domain-related effects in ferroelectric thin films // Ferroelectrics. 1999. Vol. 221, - p. 219-228.

21. Kholkin A. Electromechanical properties of ferroelectric films for MEMS // Ferroelectrics. 2001. Vol. 258, - p. 209-220.

22. Cross L E Ferroelectric ceramics: tailoring properties for specific applications. Ferroelectric Ceramics / ed N Setter and E L Colla. Basel: Birkhauser, 1993.-p. 1.

23. Сигов А. С. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике // Соровский Образовательный Журнал. 1996. -№ 10, - С.83-91.

24. Noh D.Y., Kang Н.С., Seong T.Y., Je J.H., Kim H.K. Tetragonal distortion and the domain structure of thin Pb(Zr,Ti)O3/MgO(100) films // Appl. Phys. A. 1998. Vol. 67, - p. 343-346.

25. Lee J.-S., Park J.-H., Yun J.-I., Kim C.-S. and Joo S.-K. Fatigue and data retention characteristics of single-grained Pb(Zr,Ti)03 thin films // J. Korean Phys. Soc. 2001-Vol. 39, -№ 1, p. 184-188.

26. Fisher T.F., Weber C.E. Cathodic Sputtering for Micro-Diffusion studies// J.Appl. Phus., 1952. -№23 p. 181 - 186.

27. Hanau R Cathode Sputtering in the Abnormal Glon Disgage/ZPhys. Rev., 1949.-Vol. 76,-p. 153-157.

28. Gillam E. The penetration of positive ions of low energy into alloys and compoation changes produced in them by sputtering//J. Phys Chem. Solids 1959. Vol. 11 - p. 55 - 58.

29. Холлэнд JI. Нанесение плёнок в вакууме. М-Д., 1963- 234 с.

30. Turova, N. Ya. and Yanovskaya, M. I. Ferroelectric Thin Films, eds. C. Paz de Araujo, J. F. Scott and G. W. Taylor. Amsterdam: Gordon and Breach, 1996.-p. 233 -328.

31. Xu Y. and MacKenzie J. D. Ferroelectric thin films prepared by sol-gel processing // Integrated ferroelectrics. 1992. Vol. 1, - p. 17-42.

32. Ярмаркин В. К., Зайцева Н. В., Штельмах С. В., Моторный А. В. Структура и свойства тонких пленок PbZrTi03, полученных золь-гель методом // ФТТ. 1995. - Т. 37, - № 2, - С. 324-336.

33. Zeng J., Song S., Wang L., Zhang M., Zheng L. and Lin C. Sol-gel preparation of Pb(Zr0.50Ti0.50)03 ferroelectric thin films using zirconium oxynitrate as the zirconium source // J. Am. Ceram. Soc. 1999. Vol. 82, - № 2, - p. 461-464.

34. Sriprang N., Kaewchinda D., Kennedy J. D., and Milne S. J. Processing and sol chemistry of a triol-based sol-gel route for preparing lead zirconate titanate thin films // J. Am. Ceram. Soc. 2000. Vol. 83, - № 8, -p. 1914-1920.

35. Mikalsen E.A., Payne D.A., and Clem P.G. Chemical-solution processing and patterning of integrated ferroelectrics // Proceedings of The 12th International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF 2000), Honolulu, Hawaii, 2000. p. 86 - 91.

36. Ding A. L., Luo W. G., Qi В., Qiu P. S. and He X. Y. Water-based sol-gel process for BST thin film // J. Korean Phys. Soc. 1998. Vol. 32, - p. 1375-1377.

37. Hwang C. S. and Kim H. J. Deposition of Pb(Zr,Ti)03 thin films by metal-organic chemical vapor deposition using P-diketonate precursors at low temperatures // J. Am. Ceram. Soc. 1995. Vol. 78, - № 2, - p. 329336.

38. Shin J. C., Hong E. K., Hwang C. S. and Kim H. J. Preparation and characterization of Pb(Zr,Ti)03 thin films by metal-organic chemical-vapor deposition using a solid delivery system // J. Korean Phys. Soc.1999.-Vol. 35,-p. 119-122.

39. Hong E., Shin J. C., Hwang C. S. and Kim H. J. Preparation and characterization of Pb(Zr,Ti)03 thin films prepared by metal-organic chemical-vapor deposition using a solid delivery system // J. Mater. Res.2000. Vol. 15, - № 6, - p. 1284-1290.

40. Wang С. H., Won D. J. and Choi D. J. Optimization of the low-temperature MOCVD process for PZT thin films // J. Korean Phys. Soc. 2000.-Vol. 37,-№6,-p. 1062-1066.

41. Maher, G. H. U.S. Pat. 1979. N. 4, - p. 266-265.

42. Horwitz J. S., Grabowski K. S., Chrisey D. В., and Leuchtner R. E. In situ deposition of epitaxial Pb(ZrxTil-x)03 thin films by pulsed laser deposition // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 59, - № 13, - p. 1565-1567.

43. Бойков Ю. А., Есаян С. X. Влияние подложки на процесс кристаллизации PZT пленок, приготовленных методом лазерного распыления // ФТТ. -1992. Т. 34, - № 11, - С. 3295-3300.

44. Roy D., Krupanidhi S. В. Pulsed excimer laser deposition and characterization of ferroelectric Pb(Zr0.52Ti0.48)03 thin films // J. Mater. Res. 1996. Vol. 7, № 9, - p. 2521-2528.

45. Zheng L., Ни X., Yang P., Xu W., and Lin C. Excimer laser deposition of oaxis oriented Pb(Zr,Ti)03 thin films on silicon substrates with direct-current glow discharge // J. Mater. Res. 1997. Vol. 12, № 5, p. 1179.

46. Дроздов Ю. H., Юшенков E. Б., Салашенко H. H., Суслов JI. A. Свойства тонких пленок Pb(Zrx-lTix)03, полученных методом лазерного распыления // Иэв. РАН. Сер. физ. 1997. т.61, № 2. -С.372-374.49