Исследование особенностей сегнетоэлектрического фазового перехода в кристаллах Li2Ge7O15 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ДНЕПРОПЕТРОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

РГБ ОД

!) ''¿'с.I ' На правах рукописи

Б А И Н Ашим Купар

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ СЕГЫЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В КРИСТАЛЛАХ 1Л2Се7015

01.04.07 - физика твердого тепа

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физнко-математических наук

Днепропетрозск - 1991

Диссертация является рукописью.

Работа выполнена на кафедре электрофизики Днепропетровского

государственного университета.

Научные руководители : доктор фигшко - математических наук

профессор КУДЗИН А.Ю. доктор фпзмко - математических наук доцент ВОЛНЯНСКИЙ М.Д.

Официальные оппоненты: доктор технических наук

профессор БРЕХАРЯ Г.П. кандидат физию - математических наук доцент КАЩЕНКО Е.П.

Ведущая организация: Институт фнонкн АН Украины

«л

Защита состоится ъХт " сентября 1994г. в часов па ¡заседании спецкализЕрсвапиого совета К 03.01.06 при Днепропетровском госу-дарствеишш университете по адресу: 320625, ГСП-10, г.Днепропетровск, пр. Гагарина. 72, корп. // , ауд. ¿00

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Днепропетровского государственного университета.

Автореферат разослан "августа 1994г.

Ученый секретарь специализированного совета К 03.01.06

дохтор технических паук .СПИРИДОНОВА И.М.

ВВЕДЕНИЕ ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ

Актуальность темы. О настоящее премя существует нестолько типов классификации сегнетоэлектрпкоп: по характеру фазового перехода (I н II рода), с размытым фазопым переходом II др. В этих типах сегнетозлектршеоа величина спонтанной полярпаапшг составляет 1-30 '¡Кл/смЛ П последние годы большое пшшпнне исследователей привлек новый класс ссгпстоэгоктрш.'оз, обладающих малон спонтанной поляризацией (<0,01/»Кл/см2) и получпзшпх паапанпе слабополярных млн слабых сегнетозлектрнгов.

Механизм позникносеипа спонтанной поляризации п ссгнетоэгск-трнках имеет ¡¡яд особенностей и часто связан с взаимодействием различных структурных яг.еменгов (например смешение попоз 1л+ п поворотом [СеОе] окталдров а кристаллах ЫгСсуОш). Для выяснения механизмов взаимодействия весьма сажным является изучение внутренних кристаллических полей. Решение этой задачи возможно путем изучения состояния примесных центров методами электронного парамагнитного резонанса п оптической спектроскопии. Почтому представляется интересной п сажной работа, направлении на иаучегпе л.татиссцешщп, фотопоглощения и ЭПР примесных ггояов (Сг, Мп) п кристаллах Г^С^О^.

Выполнение этой работы позмолшо, так как к настоящему времена разработана технология выращпваипя легированных монокристаллов герма натои лития и их обработки, имеются установки для изучении спектров ЭПР н спектров люминесценции, а также диэлектрических исследований.

Цепи к оадячп работы, заключаются в исследовании особенностей фазового перехода й слабых сегиетоэ.чектриках:

1. Диэлектрические свойства п слабых и сильных постоянных и перемешшх полях в кристаллах 1л2Се?0|5.

2. Влш'иис некоторых пр!1лесей на свойс та гептагермаиила лития.

3. Изучение сегпетоплектрлчссхого фазового перехода в ЬьС'еуО; •¡¡Сг1''' методом ЭПР.

4. Особенности оптических свойств'кристаллоз и области фазового перехода.

Нпучнсчя попггеша. Впервые пзучепо поседение температурного гистерезиса диэлектрической проницаемости кристаллов и/^'уОп г

прзшгслимн ионами В], Ей и Сг. Поучено поведение спонтанно!] поляризации Р, п ксэрциткшюго поля Ег с Ш по петлям диэлектрического гпстереанса п широком температурном интервале, Е том число особенности ПГШгисиНЕ Р„ II Ее облили точки фагового ссрехода. Шмерглнсь также павшнмостн с(Т) в Ы^Сс^О^О.Т'/Ш на частоте 1МГц при охлаждении для различных пначсшш постоянного опгатричсского поля.

В охрсстности фазового перехода наблюдается характерное поведе-нвз е. Значения величины е,!Ш1 при охлаждении и нагревании кристаллов ЬЬСетО^ копированных ЕН, Ей и Сг радлпчны. Это поведение £(Т) может быть связано с влиянием внутреннего поля алектрета.

Исьгерсны уг.тсаьк зависимости спектров ЭПР понос Сг)+ при вращении образца ьокруг кристаллографических осей для Т=298°К в пн-ргфазо Ь^СегОц. Покорялись также температурные зависимости гшвконэяеиой резонансной пинии |М|=1/2>-»3/2, Н 1 г, ¡1 || « в пнтер-иглэ температур включающем Тс. В эксперименте наблюдался ЭПР зш-нвэ Сг3+ (5=3/2), занимающих два типа структурно-неэквивалентных 35 И), с различными значениями эффективного ¡'-фактора I! ^(11)«з4,78. По мере охлаждения и приближения к IV, трансформация пизкополевой резонансной линии ЭПР не-ппглптельио смещается в сторону более еысоких полей п претерпевает сущсстьг:-шое упшр^гае в окрестности точки ФП. Это уширение мо-быть объяснено с флухтуаиисшшм ькладом.

Исгягдссзлш олягсгсгас свойства кристалла Ип-

мгрешл сктгяашвостп яыяш 111 к Кг в Х^СегО^Сг34 флуоресценции спсгстра в шзуоксь: гл1тсрг.;с:е тсми^ратур в окрестности Те. В спектре фяуорссцшьзш наблюдались дие пары лшшй соответствующие ионам С:^* тплс. I п II в согнзтофасе кристаллов Пнтенсн-

III:;;?.:: и леку; (И; ы Иг) а кристаллах ХЛоСсуО^Сг^ флуоресценции сисгтра ресхо уменьшаются а скргстл^сти Тс. Такое поведение иптем-слспостя ашшй (Гц и Г!г) ыожст быть связало со спектром возбуждающего сагта.

Практикесааа с;:».с.-г.» :ос:тработы. Полученные в настоящей рабс?с ^сйягессгсс г.артетры кристаллов ЫгСеуО^ свидетельствуют о том, что эти кристаллы ет.тяютса удобным объектом для фунда-мслтйльцых песгксдоеглгал природы слабого сегцетоплектричества. Высокое оптической качество получаемых кристаллов Ь'^СстО^, люминесценция отн кристаллах с примесью Сг, а также их моподомеиность

могут быть использованы п устройствах интегральной оптики.

На ¡защиту выносятся следующие положения.

е Вблизи фазового перехода в кристаллах ЫгСегОи, характер поведения с окапывается различным для величины е,пСг, которая получена при охлаждении и нагревании образца. Относительное изменение

Айтиг/Стах ОКОЛО 30/С и более.

« Ионы Сг3+ (3=3/2), занижают в ЛГО два типа структурно-исгшпн-палеятных позиций (I и II), с различными значениями зффект1шиого й-фактора ^//(1)^1,98 и Це//(И)й1,78.

« По мере охлалсдешит и приближения к Тс, характерная трансформация ннзкополепой резонансной яшгаи ЭПР незначительна сизща-стся в сторону более высоких полей и претерпевает сущестзепрое ушп-рение в окрестности точки ФП.

в Интенсивности линий (Я) и Иг) в кристалла:: УаОс^О^Сг3* флуоресценции спектра, резко уменьшаются п окрестности Тс.

в В спектре флуоресценции наблюдалось две пары пиний, соответствующие ионам Сг3 типа I и II б сситетофазе кристаллов ЫгО^ОцгСг3*.

Апробация работы. Основные ¡результаты диссертации были прп;;-стазлены на: 6-ом международном семинара по физике сегнгтозлс^трл-ков - полупроводников (Ростов-па-Допу, июнь 1993 года).

Публикации. По теме диссертационной работы опублнгопано 3 статьи в центральных журналах.

Личный оклад автора. Осноепыс результаты и выводы диссертации получены лично аг.тором. Постановка оадачн, определения направлении исследований и обсуждение результатов выполнены совместно с научными руководителями доктором фпз.-мат. наук А.Ю.Кудои-ным и доктором фпз.-мат. Наук М.Д.Вогшянским. Соавторы публикаций участвовали в обсуждении результатов работы и получении объектов исследования.

Струхтура п объем. Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы. Общин объем диссертации составляет 128 страниц, включая 10 рисупков, 3 таблицы, библиография содержит 109 названий.

л

Осиопное содергаашго работы.

Во ппедепии обоснопана актуальность, сформулированы пели и задачи работы, перечислены еголожспня выносимые на заншту. показана научная новизна полученных результатов и их прахгнчп хчя

опачпмость, приведены сведения об апробации работы, публикациях, объ'еме и структуре работы,

Перпал глава представляет обпор литературных гшперпмептлль-ных данных о характере слабых сегнотоалсктрпков. В настоящее время к этому классу относят кристаллы: СвСоРО.(, ^Н^БО,), иКН,5(),|, Ы2Се70!5 и (СИзКНС112СООН)3СаСЬ. Все эти кристаллы испытывают сегпетоэлгжтричсский фазовый переход нп точечно!: группы шшш в точечную группу тика тш2 (с точностью до обозначения осей). При это:.; сраау обнаруживаются существенные особенности птого класса сегиетоолп::трпхов. Аномальная часть диэлектрической проницаемости представляет собой остриц пик шириной в несколько градусов. В остальном температурном интервале величина £ практически це изменяется с температурой. Закон Кюри-Веисса выполняется в узкой температурной области (~1,5К). При этом значения постоянных Кюрл-Вепсса имеют необычно малые значения (например, 2,СК в па-рафаэо п 1,ЗК в сегиетофаде).

Измерении температуркой зависимости спонтанной поляризации по петлям диэлектрического гистерезиса п методом динамического пи-реэяехтрэтзеьвго йффохта показали, что величина Г, для кристаллов (МН^ЗО,,! та ЬЛ'мЦВО^ (С10"7Кл/см) на один, а для кристаллов ХЛ^Се?©^ {31С_8Кл/см) па два порядка ниже значении спонтанно!! ио-иярппацЕ!? обычных сегпетоалектриков, например ВаТЮз. Для СкСоРО^ значение Р, еще меньше и составляет 51Сг°Кл/см. В кристаллах (НН^^О.; и СзСсРО, на температурной зависимости Р, имеется максимум, ш«л:в которого асдащгаа Р, уменьшается с температурой и при некоторой температуре величина Ре в этих кристаллах обращается в пуль, а аатен юишяет сим;.

ОсоСьлкоетн сзайстз слабых сегпетоялектрукои пытались объяснить певешдуя дза подхода. В основа одного ко ипх [1] лежит предположение о наличие двух пгэхегшалентиых подргтеток, сильно взгшмодейству-юацв; ыг'лг^у соСои. С учетом кебезьшога изменения термодинамических кооффпдждтев от температуры становится ьооможноп смена аьеда спонтанной поаяр^оацдн. При обращении ь нуль Р, происходит фаасвий переход без изменения симметрии, то есть имеет место изоморфный фазсБин переход. Другой подход разработай А.К.Таганцеиым }2] на основе предположения о малости эффективного заряда мягкой моды. Если эффективный заряд мягкой моды порядка заряда электрона, то учет смешанных членов, яв.игется превышением точности

по параметру разложения Ландау. Если оаряд мягкой моды аномально мал, то в разложении существенную роль начинают играть новые члены. На основе этого авторами [2] были предсказаны температурные зависимости спонтанной поляризации, диэлектрической восприимчивости, силы осциллятора мягкой моды.

Эта глава содержит описание кристаллической структуры слабого сегнетоэлектрпка ГлгСегОи. Тетраэдры [СоО«], соединяясь аершнпамп, образуют гофрированные слои. Между собой слоя связаны о а счэт общих вершин с располагающимися между слоями одиночными [СеОб]-октаздрами, в результате чего образуется трехмерный каркас структуры с двумя типами каналов. Ионы П+ находятся в искаженном окта-эдрпческом окружении атомов кислорода, н располагаются в каналах.

Изменение каркаса германпевкх полиэдров интерпретируется £ак результат перехода типа смещения за счет аамораживашш качающегося движения тетраэдров. Это подтверждается спектроскопическим наблюдением мягкого фонона. В то же время поведение иона лития при переходе можно описать моделью расщепленного атома, соответствующей релаксационной моде.

Объемные монокристаллы впервые были выращены мето-

дом Чохральского авторами [3], они же и обнаружили фазовый переход в этих монокристаллах при 283.5 К по аномалиям упругих свойств при этой температуре. Были проведены измерения скоростей звука в главных кристаллографических направлениях и необходимых косых срезах, по которым рассчитаны в.се компоненты упругих модулей ЛГО. Аномальное поведение вблизи температуры фазового перехода имеют упругие модули Сц, С22. С33, Си, С13 и С23. Ниже 283 К скорость звука быстро возрастает вплоть до 253К, а при более низкой температуре, также как и выше приблизительно 400К, скорости звука показывают обычное возрастание с уменьшением температуры. Скорости упругих' волн с чистыми поперечными смещениями очень слабо изменяются в указанном диапазоне те; гператур. .

Исследовано также распространение продольных ультразвуковых волн в температурной области 240-320К вдоль направлений [100], [0011 и [010]. Аномальное уменьшение скорости звука наблюдается во всех зтпх йаправлениях, при этом уменьшение скорости \,'[0Ш] составляет 20% при Тс от значения, наблюдавшегося при комнатной температуре, в то время как для и Урод оно составляет около 4% и 13^, соответственно.

Производные по давлению упругих постоянных кристаллов Ь'^СетОц бьгии исследованы при 293К в области давлении 0 - 151)0 бар. Достигая фазового перехода при ~ G30 бар, иге Р,у=(1С,;/<1р (i,j= 1.2.3; р-давление) покапывают большие от1)Ицателыше значения. При более высоких давлениях наблюдается аналогичное поведение, но P(j имеют положительное значение. Производные по давлению сдвиговых моду-пай (С44, С55 и Сад) слабо зависят от давления даже в окрестностях фазового перехода. Отмечается, что главные взаимодействия, стимулирующие переход, являются полностью симметричного типа. Кроме того, величина <1К~'/с1Р (К - объемная сжимаемость) в кристаллах ЛГО сильно отличается от квазшшвариантнон величины ~5, набл?.>-даемон почти во всех стабильных кристаллах, и достигает значения -1759 при 620 бар и 1380 при 700 бар. Аномальное пьезоупругое попе-деже отражает аномальное термоупругое поведение: отрицательные Р,7 а парафазе соответствуют положительным Ty=dlogC,-j-/dT н наоборот, в сегиетофаяс.

Проведено [4, 5] изучение ЭПР в кристаллах Li2Ge70|5 в окрестности еегпстоэяехтрпческого фазового перехода, что позволило обнаружить критическое уширгашс и кроссовер формы резонансных линий от Лоренцпала к Гауссиаяу по мере приближения к точке фазового пгргжда. ¿кследааапы [б] спектры ЭПР в кристаллах Li2Ge70|5:Cr1+ па частоте 7—ЗСГГц при 300К. Бри 77К в ЛГО наблюдались спектры ЗПР попов Cri+ и Сг^"1", нанимающих две системы структурно неэквн-Еаяеатеих гсезнцзй. Исследовались температурные зависимости резо-нплсехлх ЛЕК51Й п ссезгтра в пределах 30Э-233К. При Т=284К сигнал ЗПР Сг3+ резхо уменьшится. Ниже 284К при H ||[001] каждая линия сшатра расщеаллется на две линии.

Исслсдоеелы ¡7] спектры флуоресценции кристаллов LiîGejOir, до-ппрегашагх хромом прк нескольких температурах D интервале между 4.2 л 30DK. Полеясыис дсух групп из двух Е линии d спектре допи-рогаыяого хремзм ЛГО предполагают наличие двух неэквивалентных Есазазш иона хрома.

Вторая улахя посезщсяа методикам приготовления исследования кристаллов LijGejOij. Монокристаллы LiaGejOu, как номинально чистые, так а с примесями таков Bi, Еа н Сг, были выращены методом Чсхральсгого в обычной атмосфере с использованием реэнстивного нагревателя. Крастапли LiaGeîOisîDi и LiiGejOijîEu были бесцветные п полностью прозрачные, в то время как кристаллы LisGeyO^Cr были

С

окрашены D зеленый цвет. Оси кристалла определялись с помощью как рентгеновского дифрактометра, так н поляризационного микроскопа. Образцы для диэлектрических измерений вырезались а виде плоских пластинок, на главные поверхности которых испарением в вакууме наносились серебряные электроды. Диэлектрическая проницаемость измерялась вдоль с -оси на частоте 1МГц с помощью моста Е7-12 в интервале температур от 298 до 273К при охлажден;!!! и нагревании образца. Измерялись также зависимости î(T) на частоте 1МГЦ в присутствии постоянного электрического поля. Спонтанная поляризация Р, н коэрцитивное поле Ес были определены по известной методике Сойера-Тауэра па частоте 50Гц.

Спектры ЭПР в кристаллах Li2Ge70i5:Cr3+ регистрировались па стандартном спектрометре трех сантиметрового диапазопа RADIOPAN SE/X 25447. Угловые зависимости спектров для LÎ2Ge70i5:Cr3+ а па-рафазе (Т=298К) измерены при вращении образца вокруг главных кристаллографических осей. При этом направления постоянного магнитного поля Я, переменного доля Н\ и оси вращения кристалла были взаимно перпендикулярны. Регистрация спектров проводилась через • интервал А0—Ъ°. Характерная трансформация низкополевой резонансной линии, соответствующей электронному переходу |М|=1/2«-»3/2 при H j_ с, H j| а была измерена в интервале температур от 298 до 27GK.

Кристаллы LiîGejOis относятся к колинеарным сегнетоэлектрикам. Наиболее простым и эффективным методом исследования доменной структуры в этом случае является метод НЖК. Этим методом получены первые результаты по наблюдению доменной структуры в L^GeyOu. Динамическим методом НЖК визуализируются только колеблющиеся в переменном пли движущиеся в постоянном поле динамические доменные стенки. Жидкокристаллический слой размешается между проводящими электродами (тонкий слон SnOo на поверхности стекла) и сегпетоэлектрическимп солярными поверхностями образца. Приложение высокочастотного переменного поля малой амплитуды к сэндвичу НЖК-сегнетоэлектрик вызывает только слабые осцилляции первоначальных стенок около положения равновесия, тем самым позволяет визуализировать квазнстатическую доменную сг руктуру.

Для изучения процессов переключения кристаллов У^Се^Оц была исиользована оптическая ячейка аналогичная описанной в [8]. Наблюдение доменной структуры кристаллов ЛГО проводилось на гк»-

лярпоационном микроскопе МИН-8. Холодильная установка позволяет проводить оптические измерения в интервале 233-237К. Для стабнлн-оацш температуры, а также для исследований в диапазоне от 273 до Тс применялся УРНТ-180. Точность стабилизации температуры была ~СДК. С цепью наблюдения поведения кристаллов одновременно в переменных и постоянных полях применялась разделительная цепочка.

Описанная выше методика наблюдения доменной структуры в сегне-тезеектражах методом НЖК была разработана [8] в институте кристаллографии РАН, Москва. Она была использована на кафедре элсктро-фагаикц Т.Швец [9] для наблюдения доменной структуры слабых сегне-твэлехтрнкав и применена в настоящей работе. »

Спектры флуоресценции измерялись в температурном интервале 77-32QK. Регистрация спектров флуоресценции производилась оптическим многоканальным анализатором на базе полихроматора РОС-4 охлаждаемой п ПЗС-линейки. Спектр флуоресценции состоит из узких интенсивных линий Iti п Кг с частотами 1л=14348 см-1 н »¿=\АЬТ2 см-1. Эти линии при температуре Т=77К расщепляются на две компоненты. Кроме того, в спектре наблюдается широкая длинноволновая полоса, по-видимому являющаяся следствием электрон-фотонного взаимодействии. Вблизи точки фазового перехода наблюдалось сильное укеньшешю интенсивности Rj и R2 линий.

В Чфзтьей главе рассматриваются результаты: 1) Изучения сегне-тозлектричасаого фазового перехода и исследования примесных состо-яеий в кристаллах ЛГОгСг3"1" методом ЭПР. 2) Исследования оптических сеойств кристаллов ЛГО:Сг3+.

Угшиые саайссмости спектров ЭПР измеренные при вращении образца вокруг кристаллографических осей для Т=298К в парафазе LtjGejOisiCr'4'. При атом направленна постоянного магнитного поля И, переменного коля H¡ и оси вращения кристалла были взаимно перпендикулярны. Регистрация спектров проводилась через интервал Д0=5°.

Анализ полученных результатов позволяет сделать вывод о том, что в адссперидеезтс наблюдается ЗПР ионоз CrJ+(S=3/2), занимающих два тела структурконеэквивапентных позиций I и II ^различными оваченнамн аффективного g фагтора ge//(I)=l,98 и g£//(II)=4,78. Для I и II THEOD центров а кристаллографических плоскостях наблюдается по два сопряженных спектра, обладающих одинаковой угловой зависимостью, но смещенных на определенный угол (±оо) относительно осей

жристалда. Пра отклонениях магнитного поля II от кристаллографл-чеслнх плоскостей жаядоыу типу центров соответствуют по четыре ыагпптло-сопряженныя скехтра.

Характерной особенностью полученных слежтров является сильная анизотропия пшрины рсоонапсных линии. Вследствие существенного орвентациониого ушарения, а тажже благодаря тому обстоятельству, что интенсивность спектра Ст3+(11), была существенно ниже, чем спектра Сг3+(1), реооналсные шшпи, соответствующие II типу центров уверенно регистрировались з1ишь для определенных ориентации 3 и детальное поучение спеатров II типа было усложнено. Поэтому в дальнейших исследованиях мы сконцентрировали свое внимание на ЭПР ионов С~+(1) и нумерацию типов центров будем опускать.

Следует отметить, что полученные зависимости харахтернлуются яржо выраженными еффежтамя ншзкой симметрии. Во первых, следует упомянуть об оффежтэ несовпадение осей перехода, соответствующих различным парам уровней энергий. Во вторых, отметим асимметрию закдого перехода относительно псевдсосен спектра. Следовательно, гожальяая симметрия центров С г3* должна, быть моноглшшон шзбо трвплшшон.

Магнитная жратность К„=4 п сопряженность наблюдаемых аннш поовояиот допустить, что ионы Сг3* вокализованы в центрах ггет-родиых овтаздров, оамещая Се4+(1). При этом поняиеннз гзиаяьнзй симметрии от 2-С; до 1-С1 имеет место вследствие - оарядовей'компенсация прниеспогэ иона. В качестве оарядового компенсатора но-пет выступать избыточный гон 1л+, расположенный з ягаазгая: структуры Ы3Се70,8. Это отключение, сделанное на ссноез изутазня утаэ-аьк оавЕсимостей спехтров ЭПР, качественно согласуется с результатами изучения ЭПР [б] и елтнчеинх эгехтротиыпг езегтрсв' [10] з ЛГОгСг4-. Б работе [10) было обнаружено псеэдсштархоЕсгсе шецз-пае олззтрокиых уровней С г3"*" в результате калпаензя пегез, Екщгарх-розглного параметром порядза в сегнетсфазз ы обуедкнишгего собственным дзпольиым моментом парамагнитных целтрез. АзтсргЕСТ ¡10] бита ире^гозета нодель, согласно которой scбsrтc!,?ssн

с г.ряд Ог1* в псощяя Се(1) жйдгенсаруетсз "ееепшы" Есгка Ь!4"» расзегшеиЕьш з напрамгидн оса £ еэ отисезжезэ х Сг^-.

Дез сзугая ЭПР еоноэ Сг+ з крисгазгет МаСргуО^Сг®* бнаа ез-епдз-аиы температурки® аазЕссгоетк еггятртз гбшезз ггкшп сря-ентгдяй постоянного негнлтпого поля в ш!тер;аге ззззрвдощзд тггззу

Те сегнетоопектрического фаоового перехода. Характерная трансформация ИЕокшояевон резонансной линии, соответствующей ыкгтрои-иоиу переходу |М|=1/2«3/2 при Я X с, Я || 2 была юшерена в интервале температур включающем Т„.

С вкспериментальноп точки зрения выбранные условия представляются достаточно удобными, т.к. сопряженные спектры в парафаое при Я || 5 неразличимы и раоориелтация угловых зависимостей сопряженных переходов |М|=1/2«3/2 в плоскости (Ьа ), весьма неоначЕтедьна. По мере охлаждения п приближения к Те пиния ЭПР незначительно смещается в сторону более высоких полей а претерпевает существенное упшрение в огрестиости точки ФП. При температуре, Тс=г10,4°С происходит раацзпшшяс линии на две компоненты, которые смещаются при понижении температуры в сторону высоких и ипоких полей соответственно. Форма реоонансной линия вдали от ФП (Т=24°С) газет явно ьыражеиную преимущественную поренцеву форму. Прц прнбздшвшш Е Т< контур линии приобретает все более четко выра-«енный гЬуссов характер в в непосредственной окрестности ФП хороша описывается "чистым" геуссваном.

Резонансные подл, ори которых наблюдается поглощение СВЧ -внергнл, могут быть рашашепы в ряд по степеням параметра порядка:

•Н,(г) = Н0 +АЧ(1) + ВЧа(1) (1)

Полагал |}(<0=< г) >+¿17(1), где < ч > - усредненное по времени он&челге локального параметра порядка, а 6т) - отклонение, можем получать:

Н,ОИН0+А< ч >+В< >+< >}+{А5ч+В(5ч,-< 6т)* >)} (2)

В послзднем вырькенвн в фигурных скобках выделаны статический н оависяЩЕЙ от времена вклады в реоонанскые поля. Статическая ча-.сть покапывает огишсиыость положения линии ЭПР от среднего она-чеиня параметра порядку и среднеквадратичной флуктуации. Динамическая часть определяет влияние флуктуации на ширину н форму ре-санапской линии. Характерная температурная зависимость ширины, а шпоренной хах расстояние между экстремумами производной линии воглощеши. Ниже Те £Н измерялась для одной (ншэкополевой) на расщепленных компонент. Оавнсимость полной ширины имеет Л -обрааный влд в окрестности Тс, при етом £Н возрастает от ~0,427тТ ори Т=Т.+13,6К до 1,15тТ при Т=Т,+0,05&.

Иомененпе формы линий ЭПР отражает переход от режима быстрых движений I статическому режиму в реоультате замедления критической динамики в масштабе времен ЭПР. Известно [11,12,13], что в режиме быстрых движений имеет место динамическое сужение линии, однородно уширенная форма которой может быть описана гор алии аном. В режиме медленных движений форма линии непосредственно отражает мгновенное распределение значений параметра порядка п неоднородно уширяясь, приобретает гауссов характер.

При помо1Цп пакета прикладных программ Р1)М ¡14] было прозе-депо моделирование экспериментальной ятшз методом свертки п полученные результаты (для температур зьпие фазового перехода) покалывают, что лоренцева составляющая <5На от температуры практически не сависит и составляет ~0,4тТ во всем изучением пптгрзЕле. В тоже прети! гауссов вхиад 6НГ з полную ширину 611 ирсавпгет хри-тнчеезую аномалию в окрестности Тс и возрастает от ¿Пг=0,122шТ при Т=Тс-{-13,6К до ¿Пг=0,7бтТ при Т=Те+0.05К.

Критическое поведение шнрнны и формы линей ЭПР позволяет в, принципе оценить характерные частоты флуктуации параметра по-рядза вблнон Т^". Согласно теория [11,15] ширина глипта магнитного резонанса определяется основными вгладаша - егкулярныни п кзсф-хулярнммы. Первый спяоан с адпабатичесгныя фЕуктугцкяыя ив прп-подящимя 5 квантовым переходам между оеемалетокшгш урсэягкэ п проиаргсгонглш функции спектральной плотности где ^ кнсс-т наряде г ширены лттит длг "лзспоп" решетки (~107Гц). Второй боо-нязает вслсдсл-эзе пзрвхедеэ иелду энергетическими урегиззш и ярэ-шрцзопагэя еггезтргяъкен шэтностн па частотах ЭПР <&3 «*£С10Гд. Следовательно, для любых ергвктадай пестсшюго магаветего гоня сущзстзозазЕа диагональных матричных ююмеитов СГ. (Н9)1 ргзре-еншдагрЕеи л зглад сежулариыя чгекоз в гритЕгогсгс® упзр©-г,г.з лзкпп деппзи быть презалЕруищнм. Дапюты выгод еосбсипо псд-твзрадеэтеа трансформацией роптура резоззиагоЗ ггшг еэ ™оргз-цггла з гауссагяу, а тага« ретузътатаюг стучення ЗПР кжаа Мг7* з 1'ЬСз}0)5 [5, 16]. Поттсэ1у при температуре жрсссозсра Т^' от дн-"П'-зтгсгогс флювтуздЕашгого режака з статическому яаразтетпаз частота фяувтущий г,слтг> иметь параде« ЗЕ^Тз,). Свгжхно кет-шзз субихизпЕгзтрслой спезтросзоптш [!»] и рамапзгегего рмезгпаз [18] вдябжгехышЗ спектр К»0«70и хзрзятерязустса яасткка иат-1хгэ фегопз и центральной Еошюганты. Этетрьпозягзя результатов

Волхова A.A. н др [17] дает основание считать, что частота папой поды в непосредственной близости TJ составляет ~109Гц, что на два порядка превышает характерную частоту w~ £ЩР. Тккнм обраоом, критическое поведение параметров хшние ЭПР может быть свяоако с узким центральным пиком и нспольоовано для оценки его ширины. Для температуры ТЧ,=ТС+1,1К получаем <Ш£р=0,196тТ. Поэтому для ухаоаднои температуры верхний предел ширины центрального пика составляет ~107Гц.

ТЬким образом, флуктуации локального параметра порядка, приводящие к критическому вкладу в ширину и форму пиний ЭПР ионов Cr1*", имеют релаксационный характер.

Статическая часть разложения резонансных полей по степеням параметра порядка (2)

Н,=Н0+А< ч >+В(< I}3 >+< Si}1 >) (3)

Но CSEEKOU близко к Тс (< ¿I)1 >=0)иоведеиие центров расщепленных шщкшент будет описываться выражением

(Нр),^=Но±А< ч >+В< >... (4)

Очевидно, что веанчшга расщепления между компонентами ДП^=(Н,,)1-(Hi)j=2A< г) > т.е. пропсрцЕонгльна первой степени параметра порядка. Центр расщгшхгния ноже Тс описывается выражением

Н.=(Н,Ы-{(Н,)1-(Н,)2}/2=Н0+В< tj> >

Tb сеть величина смещения ДНе=(Нс-Н0) пропорциональна квадрату параметра порддка.

Зависимости ДН,(Те-Т) и ДНС(ТС-Т) были представлены в двойной догаркфйиче ском масштабе. Видно, что «экспериментальные точки ДН;(Тс-Т) хорошо соответствуют прямым лилиям и вно ближайшей окрестности (Те-Т)>1К, експсриментаяыше точк? ДНе(Те-Т) достаточно хорошо соответствуют прямым линиям. По мере приближения Е точзвз перехода в узком'интервале ТС-1К^Т<ТС, экспериментальные таив ДНе(Тс-Т) отклоняются от прямой яшши. Хотя говорить о характере рздиу.пмостеи в втом интервале сложно, иогш предположить, что отвгонвяие. связано с возрастающей ролью флуктуации, которые вшедадат уменьшение параметра порядка по мере щшблинеяня к Tj".

Исходя во (3) мок ем получить

ДЩот-ДНГор=В< бо*>•

Данная зависимость была представлена в температурном интервала от 21'С до 3ЭС. К сохалслвгэ со-оа мглой чувствительности рассыатрзза-ешхх огепериментальпых параметров, определенно алалптичестой оа-впсямостн данного ахлада невозможно. Однагс ?1слл!0 предположить, что он должен иметь вид полностью аналогичный флу ктуацполпоыу вкладу в ширину лжшга ЭПР.

Мы померяли температурные зависимости спектра фзуоресдешцщ хрнсталяов ЬЗзСетО^Сг3*. В оптнчоенпх спектрах ГЛзОетО^Сг®''" 3 сегнетофаоепрп кшнях темпьратурах (Т<190К) наблюдались дгз гтг.ры Я лтптй 4Л2-5Е(при Т=77К их положение Л1=М348сн-,1 1Ь=14572см"1, Я)'= 14402см-1, П.3'—МоЭЗсм"*1), принадлежащие двум ргагшм т^пг-М центров Сг3+ (Я п Р.') с довольно различными положениями назе В п вигае 2А вообуждеиных 2Е субуровней дублетов.

В данной ргйоте л'итанспвнпсть линий флуоресценция и';Се70.'1:С1;'4" поучалась в диапазоне темхтгрзтур включающем тгалзтптуру ФП з направленна Е ±[001]. Обнаружено, что интенсивности Р.] а Из лести уменьшаются отчетливо вблЕоя Тс. Такое псесдеине питгЕспвясста п Яз линий монет сыть евзоано со спектром всобуядайяцгго свэта. Не экспериментальных наблюдении пгевдо-Щтгрясгстого расцелдз-нз2 [19,2С] слсдугт, что направление й (дпнслышЗ ыклеит Сг^) дна Я1 г» Я') переходов с центрах ЛГО а решетге близко ж а оси (сЗэ—0-35-£0~Е ск~'/(В/см) для Я'1 и с!а=0.19Л0-5см-1/(В/см) для РД; яреззтща сГка "Ь" ось па порядок мспьше; проекция на "с" ось окятерзп-ептзгаю лз нпблюдэяась). Тп^пд ориентация ¡1 в регЕзттс сднссначнэ укззшезт [19,2С] на трикллпную бссинггрспонную симметрию П.; а Р-'з центров 5 ЛГО:Сг1+ (точзтггаг группа С1).

Па бале ЭПР спектроскопии в [б] била предлагала фжотесгаа модель Ст34- центров з ЛГО. В этой модели, ::а большом расстсгйнз от С;" , который самещает Се,+ в центре знслсрсднего октаэдра, гше-етег нестеотометрзгтесхяй Ь5+ сок, занимазопзт бгппядпзузз ехтидрп-чзиую пустоту, распопзкетгпугз в "а" нэлрг-ЗЕСяпи относительно Сг3"*". Ы* яги аяаяьпо компенсирует избыточный отрацатеяыши оград всяа Се3*, вамяцающего Се,+. Тиаз модель центра, обладающая яеспкп (трпшгяясл) Сгоглверспоянсй С1 группой симметрия, находится в хорошем согласии с эяспгрпыснтзльлшат результата* пг.

Еслл, гоупсисфующиа дефект (зон 1л+) пе представлю в центре, т5 стсм 21яар^до2оа:о;.'па!спроз?л!'ом исссхалвпои центрз пвяогъаий "о?-1Епт обяадпзт cer~aa.ro уеяотааг! ешметряя [21], тольго одкей С$![Ь

компонентой Когда Е'шпенсирующдя 1Л+ ион включается в струг-турз' центра, две других <1 компоненты (с1с, с!-) появляются нгоавпиядо от ¿ь, которые кидущтруются в ионе Сг®+ (Сс4+) Еупаповскии пассы кона 1л+. Эти компоненты могут быть представлены (в х||а, у||Ь, г\\с осях) как

' О« «m о 1 (сЛ

= а у- aSy 0 £„

^ Qíf 0 аг> t \е.)

vgaaui - компоненты тензора поляризуемости для С2 группы симметрии и с - компоненты олежтрпческого подя иона Li+ в положении Еока Сг5*", Так ках пояс попа Li+ направлено вдоль "а" (тодыо s ytû), ксну-сезые компоненты индуцированного момента, есть d^ и d}, лежащие в гохоскостк хСг.

Müsjio сшшдать, что ¿»(da) компонента (вдоль шппш Сг^ - Li+) есть наибольшая, тогда как ортогональная dc(dv) - мала. ■ Эгссперимелтальдо установленное [10,20] на баоа ашюотрошш псе-вр.оштаркоБйаго расщепления d направление в Cr3* центрах da>dj>de есть в качесстгппои согпааш собсукдешюй природой d компонент со-сдщкашых с Сг3"*" поетжешсм симметрии (d¿), тая sa sas с оархдоц компенсирующем ион Li+ (¿a, dc).

Чстаартаг глава посвящена изучению поля объемкого оареда в • крютшиах LijGejOxg. Дшзеятрдчесгая проницаемость измерялась сдать с rocs па частоте 1МГц с памсгцью моста Е7-12 в интервала температур от 238 до 273 К при охлаждении п нагревашш образца. За-шсемость, е(Т) показывает отчетлдгый пин при Те. Величина гаи с, составляет окозо £0 при охлаждения н оямга 50 при нагревание. Закол Кнрн-Вейсса вьшошхается только в yuzoil температурной облаете сблзшЕ Те. Постоянная Кюри равна 2,6К в параф аоо 11,3 К б сагиг-. тсфазе. Характер nos«доння е окалывается раодьчшлп дая вгигапш ' Свшт, которая поаучсаа при охлаждении ц пагревашш образца. Отно-СЕТезьЕез Езмепсаю АеГйЫ/еп«л оголо 30% а болие. Реоукьтаты юше-pcüsi тещгоратурпнх огшЕс:шосхей с для кристаллов ЛГО копирован-., иш В! е Eu почти ?&2шг как к доя номинально чистых образцов, в го аршз ваг дая LisGe70i5'.Cr1+ относительное Езменепко Дся»а»/£твл cocTssEaaoT osos» 16%.

Па^аргсесь таша оглЕСЕМостп с(Т; на частоте 1 МГц в присутствен постоянного есдтрячесгсгс полл.. При схем величина £mij уыгиъ-

гягется с возрастанием постоянного злехтрпчесюго поля ж а* при охла-нденяз, так я при нагревании обраоца, а относительное изменезше Аствх/стаг уменьшается с ростом Еа. Спонтанная поляризация Ра и кдарцптнвное поле Ее были определены по известной методике Сойера-ТЪувра на частоте £0Гц. Огсаалось, что ни величина Р#, нп величина Е0 не зависят от концентрация ионов висмута а ЬЬСсуО^ (в пределах Езмерсшгых концентраций). При нагревании до ~280К Р,(Т) медютно уменьшается, при дальнейшем нагревании Р.(Т) уменьшается быстрее и пзггулгетсл при Тс, не обнаруживая заметного скачка. ЕС(Т) уменьшается яииеЗно при нагрег.анал до ~280К, затеи уменьшается быстрее п оануляется при Те.

Визуализация динамит переключения кристаллов И^СетО^ мгто-д<зм кгкатпчеекпх жидких кристаллов (ЯЖК) применима г аю£мм еггнетоолектрпхам, проп}'скающим п отражающим свет в шпреюн стгерпгге температур. Притакеггаа высокочастотного (до 105 Гц) переменного пси талой амплитуды к сондвичу НЖК-сегнетсэЕгхтркк вызывает только слабые осцилляции первоначальных доменных стенок около положения равновесия. Если сбравец помещен в постояннее !глп "-пчг.у::.?.-;нсг поле, то истод ПЖК жзоволяет лачосредствепио оптически т&подать еарекдениз, прорастайте и бскоэое двикеиае дзкекоз я я то ке время количественно сдаивать-их. Если пркссжеза ыззхочастотяэе эЕйктрнчссксз поле, то метод ЯЖК ре» Еозисвясгть ггсбяада'гь - ссцнзеяцпго дсискиоя стогнги» ггоавзгяие и Есчезповс;яв згредытзей р.скеиез. Цеяучепо, что зристадлы ЛГО .такются мспор.о-гл:-.;лра гзмявратуге Тс-!0К,

Коипспсгцин пгяя Б,, сязсз'шоуо с Р4, з»акз» пргяезео^ить путей таре? астр г^сгешп: зарядов гяутри зрзгссгпЕга. Эгзт с5-ъешгш сз2?гд сссдест сгатсргчсоюе гтеге аяутра кристалла, хетарез гсгагс^гяру»? гслз 23,. Мсзхма Ер-гдпатахзть, что ото пелз ггрогтрзлзгчзепкего сз-доготеа достатотао сзгбтсыжи (вгастрзтгса евргозавв). 3 -э-г-т езугаз узггчызезггэ :нз з протесте кагрггаля! сбречгр ггожй? бнгь смят*» с яглвтггеа взутрвяясго пока елгхтрата. Егяя шг яр:™1-котагеси, "тз гакяяяе вггкшвго а зяугр«нкего олактр&чеекз йсес-й «ЯЕЗеГЯ», ТО Я5ЯЗ СГЗЧТрЗТа ~1бОВ/сзя.

Лссгс-,7)^атбг5ясв тзгезакзе образца ет тасгеразур 293» 239.25, 233.5 ™ г.я-хчг^л?, что зс-Енчгпгз «тм у^гкЕйссся ::сг.".г;о-

г пря сг^сгдетн, г-:о сеггэтег ясгтсажгса з глетассз пггро-

,д,э-::11Я. ©то подтгеркдэот сущостгозалич »путрепп'зго тп'^трпчеезего ■

поля в обрапде.в течение процесса нагреиания обраоца.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Проасдены исследования ДЕзлехтрпчесЕИх свойств кристаллов LijGe^Oia вбхсик сегнетоолсктрнчссиого фаоового перехода. Позаоано, что особенности поведения сааислшо&тея е(Т) в этом диапазоне тси-псратур сиетаны с сущестаовзшиеи олехтретпого состояния в кристаллах LijGcrOis. Оценена величина поля электрета, состав ляющгл ~1С0Б/ш.

2„ Впервые ыссдедоиацо поведение лолалыюго параметра порядка в слаб ci! сегиотоолггтрв;; LinGa/Oj^ кслсльауя методику ЭПР п лю-шшгсдащкЕ. Дрссгдстд кссл-здованил _ спглтрол ЭПР еоков Сг3+ в Ерастшш; гептагсриапата летня. В царголззтричешш фсле шие-резд угкоыде оалиашостд спектров ЭПР к определены параметры сшш-ташьтонис.кй центре» Cr3"1". Обсукден вопрос о ЕогалЕоацнз шиштлей принеси в решетае ЬЬСе7015.

3. Дссасдо.ааииз спелтров ЭПР лрлсталлол LiaGc70j5:Cr3+ nosaau-iijßi', что в ospecïiiocTQ Тс аеллерагурньш ход легального параметра корлдга отгдопяется от степенного ошша с классгчесяии покаоатсдеи ß=>lj2. Результаты хорошо горрелируют с тепловыми исследованиями фгаозаго перехода кристаллов LbGcjOu-

4. В огрсстдостЕ Тс обнаружено жрдтичеслое упшрение и конеио-вле формы рсаадакспых далий ЭПР жрсстывшз LbGcïOij'.Cî3*, сзп-датгльствующЕе о оащукдлп флуктуацЕН доь&аьиого параметра по-рлдса, Крггпчсслог упигренлз реяояаысипх лелей сшзывастсл с псли-чш: цептрйкьаого пила в Еодебателысц спзатра LiaGe/On. Предсо-лat^ïcs, что тсАШ^ратуркое поведенле шдрлиы ь формы реоонаислыл сшшй обуслоЕлзко Еорреллрозаиньш двлпенкгп сспол Li+.

Б. Прслгдгпцоо лоуклпю спожтрсз ягзнннесценца: кристаллов .' LSjGcfOjjiCr3"1", колаалааот, что з вткх христаллал при фплозеи переходе п^блюдаетса "гащеаса" леигш R., R/;. Талое пааедеилс ранее из ягйдадглось и вооишлкр, елгоаио с ыехаигашш геабукдения фотслю-ылкисцйпцш в жристаллал LijGejOu.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

(1]. Dvorak V., Ishibasbi Y. Two-eublattice model of ferroelectric phasa transition.// J. Phyc. Soc, Jap. -1C7C, -V.41, -Ho.2, -P.548-557. •

[2]. ТЬгенцев А.К., Синий И.Г., Прохорова С.Д. Слабые сегнетоо-сектрети.// пои. ЛН СССР. Сер. Фпот. -1987, -Т.51, -No.12, -C.2Q82-2089.

[3].Haussuhle S., Wallrafen F., Recker K., Ecktein J. Growth, elastic properties and phase trai.sition of orthorombic Li2Ge70is/ Z. Kristallcgr. -1980, V.153, -P.329-337.

|4]. Трубицын М.П., Волнянский М.Д., Кудоин АЛО. Исучение методом ЭПР критической динамики в кристаллах гелтагермалата zm-тиз.// V всесоюо школа-сем кМар по фнопке сегнетсояектрижов 13-22 сетябра 1991 г.: Тео. Дожладов.- Ужгород, 19Э1, -С.58.

[5]. Трубицын М.П., Волшиский М.Д., Кудоии Ф.10. ЭПР есноз Мпг4- в гристаллах гептагерманата лития.// Кристаллография. -1891, -Т.36, -No.6, -С.И72-1476.

[6]. Г^лез А.А., Хасапоза Н.М., Быгов А.В., Вздгазурез В.М., Нн-оамутдинов Н.М., Бука Г.Р. ОПР тонов Сг+ и Ечг4' в метюкрЕСТЕЛ-агх LijGeiOis.// сб, Спектроскопия, Кристаллохимия и реаньяаа структура минералов и их аналогов., Котаиъ, -¡990, -4J.181.

[7j. Lipsoa H.G., Powell Я.С. Fluorescence of chromium doped lithrem gennaaate crystals.// J. Appl. Pbys., 1957, -V.38, No.13, -P.540S-541L

[8]. Тихомирова II.А., Чумакова С.П., Гнкаберг A.B., Донцова Л.И., Шувалиа Л.А. Псполюование жидких грксталлаз для кзутанЕя г^ро-цессоэ иерелолярстзацзн сегнетсовгзтрнков.// Крисгашэтрафяя, -Я9&7, -Т.32, -No.l, -С.МЗ-М8.

[9]. Vclnyanski М D., Kudzia A.Yii., Shvets T.V. Bcmaia streetae observation of LijGerOu crystals in tbe vicinity of the pbase transition.// ISFD-2. 7-12 July 1992. Abstracts.- Naatea, 19S2. -P.1QS.

[10]. Basun S.A., Fcofilov S.P., Kaplyaasld AA. Ferroelectric phase transition Induced by paecdo stark splitting in spectra ci L!sG€yOii:Cr3+ cry8tab.// Ferroelectric! 1S93, Vol.143, Р.133-Ш.

[11]. Абрагаи А. Ядерный магяетпвм, M.: ЕТЛ 1S33, C.551.

[12]. WaldSdrch Т., МШег K.A., Berliner W. Fhctnaticn in SirTiOa вет 1S3K phase transition.// Pbys. Rev. B, У.7, H.3, Р.Ш2-Ш6.

[13]. Бяянс Жегся СегнегсэЕйтрЕЕЗ и ситнсетаетсгязезирвьи дк-панзза решетгн, Мопгэа, яМдрв, 1975, г.4СЭ.

[!•£]. СаэшгД.Р. (Дззззм).

[15]. Eeite G.F., Beslingcr W., BMfer R.A., НеПет Р. ParamasaraSic гезсзаисэ otadies ci Iccal Scctisstioas in SiTtOj.// Pbys. Us?. B, V.21, il.i, 1389, P.1-I7.

[16]. Трубицьш М.П., Волнянский М.Д., Куцзин АЛО., Ванн А.К. Крэтсческое упшрепие линий Эпр ь кристаллах LijGc70i5:MnJ+ вблиои сез'катсоЕЕКтричесхого фазового перехода.// Фиош.а твердого тела, 1932, Т.34, N.6, с.1746-1752.

[17]. Volkov А.А., K-zlov G.V., Goncharov Yu.G., Wada M., Sawada A., ishibashi Y. Observation of the soft polar mode in the paraclectric phase of L^GerO«.// J. Phys. Soc. Japan. -1985, -V.54., -No.2., -P.818-821.

[18]. Струков Б.Ф., Кожевников М.Ю., Волнянский М.Д., Нноаиов Х.Ф. Тепловые н акустические свойства кристаллов LijGeiOu; о вы-иоешшоств соотношений яновца-липарда,// Кристаллография, 1991, Т.38, N.4, C.942-94S.

[19]. Basun S.A., Feofilov S.P., Kaplyanski А.А., Bykov A.B., Sev-astyaaov B.K., and Sharonov M.Yu.// J. Lumin., 53, 24(1992).

[20]. Basun S.A., Kaplyanski A.A. and Feofilov S.P. // Fiz.Tverd. Tela, 19924B press.

,[21]. Kaplyanski A A. and Medvedev V.N.// Opt. i epektr., 23,743(1968).

СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ

1. Трубицьш М.П.,ВоднянскииМД., Кудоин А.Ю.,Баш1 А.К. Критическое ушареннз шшвп ЭПР в кристаллах Li]Ge701s:Mn3't" вблиои сегнзтоолектрзчесгого фазового перехода.// Физика твердого тела. -1992, -Т.34, No.6, -С.1746-1752.

2. Кудоип А.Ю., Волнянский М.Д., Бонн А.К. Влияние объемного заряда на сегнетоолектричесние свойства слабого сегнетсзлек-трика L!2Ge70iS. // 6-ой международный сешшар по физике сегнето-

есгктраков - полупроводников. июнь1993г. Тезисы докладов. - Ростов-иагдаиу. 1993г.

. 3. Кудош А.Ю., Волнянский М.Д., Балн А.К. Температурный гистерезис диэлектрической проницаемости кристаллов LijGerOiB. // Физика твердого тела, 1994, Том 36, N.2, с.418-421.

4. A.Yu.Kudzin, M.D.Volnj"mski, A.K.Bain. Influence of space charges . on ferroelectric property of weak ferroelectric LijGeT0». // Integrated fcroelectrica, (accepted for publication).

Ttaorpijea ДГУ. 3«to К , Tkp. 100 tin.

ЩУ