Исследование процессов фотостимулированного роста частиц серебра и условий их кристаллизации при явлениях фотографического проявления в приповерхностном слое микрокристаллов AgBr тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ОРДЕНА ЛЕН1НА I ОРДЕНА ДРУЖИ НАРОДТВ АКАДЕМ1Я НАУК УКРАПШ ОРДЕНА ТРУДОВОГО ЧЕРВОНОГО ПРАПОРА 1НСТИТУТ Ф13ИКИ

г. - '-> л ^

На правах рукониеу

ШВЕНЬ Олег Борисович

ДОСЛ1ДЗЕННЯ ПРОЦЕС1В ФОТОСТИШЬОБАНОГО РОСТУ ЧАСТННОК СР1БЛА ТА УМОВ IX КРИСТАЛ13АЦП ПРИ ЯВИЩАХ СОТОГРАФ1ЧНОГО ОБЕРНЕННЯ В ПРИПОВЕРХНЕВОМУ ШАР1 МШРОКРИСТАЛ1В А^Вг.

Сп9Ц1алън1сть 01.04.07 - фХзика твердого т!ла

АВТОРЕФЕРАТ дисортацИ' на здобугтя наукового ступеня кандидата ф1зико-математичних паук

КШВ 1993

F осота ы?кок.'.на на кафчдр! ф!зики Черкаського пед!нстктуту

Наукоьнй KopiBHiiK : доктор ф1зико-математичних наук

професор ГУСАК A.M. Наукоияй консультант : доктор ф1зико-математичних наук,

професор КУРИК М.Е.

0ф1ц1альн1 опонэнти : доктор ф1зико-математачних наук,

професор Харк1вськсго ун1верс1пету

1Ш0СЛАВСШ1Й В.К. кандидат ф!зико-матзматичних наук, старший науковий сп1вроб1тник 1Ф АН Укра* ни САНДУЛ А.О.

Ведуча орхан!зац1я : 1нститут иап1впров1дник1Б АН Укра^ни.

Зэхлст в1дбудеться "_" _199_ р. о _годик 1

на зас1данн1 Спзц1ал1зовано1 Рада К 016.04.01 при 1нститут1 ф1зики А1{ Укргяни за адресою: 252650 м. МОП Кихв-22, Проспект

Науки, 46.

3 дисертацДею ыожна ознайомитися в б1ол1отец1 1нституту ф1зики АН Укра^ю:

Автореферат роз1слакий "_"_199_ року

Е1дтуки та зауваження прохання направллти за адрэсск: 252650 м. МОЯ Кюв-22, Проспект Науки, 46. Вченому секретарю Споц1ал1зоЕано1 Ради.

Вчений секретар Спвц1ал1зовано1: Гада канд. ф!з,- мат. наук

Пря:снська О.В.

- 3 ' -

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ. ктуальнЛсть проблеми. Проблема фотостимульоЕакого зародяення I юсту ново* фази ср1бл.а на поверхн! м1крокристал1в (МК) А^Бг с дн1ею з центральных в наукоЕ1Я фотограф!* 1 мае велшэ значения ля ф!зики твердого т1ла.

Частники ново!' (М9тал1чнсл') фази ср!бла, як! набули здотн!сть роявлятися, с центрами прихованого зобракення (НПЗ). Прото до ього часу не прийнято едино!' точки зору на мехон1зм утсореннл ИЗ, немас сп1льнда думки про розмХри 1 ст1йк1сть ЦПЗ. В1дсутня 1 пдаа теор1я фотогрэф!чного процесу в цШому. ЗПдно з тоор1ею зрн!-Мотта [1] до найменших ст1йких ШЗ вЗдкесен! кластэри Ае*. ^1дно з теорию Галашина е.о. [2] - наЯмэшими ст!йкими ЦПЗ с зстинки ново^: фази, як1 мають электронну пров1дн1сть 1 склвда-"ься з к1лькох десятк1в чи сотень атом1в срЮла.

Причини протир1ч в поглядах на природу фотограф1чно>: чутливос-1 1 утворэння ЦПЗ полягають в тому, що липю КЕантовомехан1чного -згляду складних процес1в, як1 в1дбуваються при д1г свХтла на МК ;Вг, недостатнъо для опи'су утворэння прихованого зобракення (113). Носторо1ш1й опис механ1зму утЕорення ЦПЗ в рамках липе кванто-механ!чного розгляду елементарних акт!в фотопроцесу прив1в до ачних ускладнень [2 3. В значн1й м!р! недооц1нюетъся той факт, багато особливостей утворення ЦПЗ визнвчаеться звконом1рностя-Е1шикнення, росту 1 кристал1зацИ' частинок Ав [2 К Потр1бно и вивченн1 механ1зму утЕорення ЦПЗ Ераховувати як КЕантовомеха-чн1 законом1рност1, так 1 законом1рност! накопичення аморфного Юла 1 кристал1зац1:г його п!д д!ею св!тла. Виключна складн1сть рмування фотограф1чнм. чутливост! потребует для одеркання досто-рних еисновк1в р1зностороннього анал1зу вс1с1 сукупност! явит, застосуванням ряду положень сучасно* тэор!£ твердого т!ла.

Повинн! бути спец1ально досл1дкен1 загальн1 законом!рност! зорення 1 нвкопичення аморфного ср!бла 1 перехХд його в криста-шу фазу, як фотостимульований розпад пересичення по ср1блу. .Вивчення утворення пересичення по аморфному ср1блу 1 перех1д •о в кристал!чну фазу на поверхн! МК А5Вг можливо при допсмоз1 1гуляц1йних центр!в (КЦ), як1 виникають при ефект! Гершеля (ЕГ) оляризацИ [31. КЦ межуть бути Еикорисган1 для п1дБИщення св1-чутливост1 фотошару без додаткових витрат ср!бла [4].

Отяэ, досл1дження хгроцес1в фотостимулъованого росту частинок бла та умов кристал1зшд1^ при яввдах фотогрвф1чного обер-

- 4 -

нення в пршозерхнэвому шар1 Ж А£Вг е актуальною задачею.

Для розв'язашш ц!<=1 проблеми сл1д застосувати сучасн! метода комп' игорного модалювання вказаних ф1зичних процвс!в, пряшй елоктронном1кроскоп1.чннД матод, доповшний методикою колод1евих ропл!к з очищош1х е!д кэлзтинк, Н01гроявлвШ1Х МК ЛдБг фотошару без в1дт!неиня вуглецем ебо вазясими методами м1крокриотал1в АаВг 1 ропл!к з них, сенситометричний метод та лазерн! дкерела св1тла. Метою робота с досл!джвння законом!рностей утворення 1 росту аморфного ср1бла та умов його кристал1зац11 п!д дЮз св!тла для умови лазерного ефакту Гершеля 1 солнризацИ:.

В проц9с1 робота розв'язувалися основн! задач!:

1) розробити чисельну модель росту згустк1в ср1бла на дефектах структурл МК АйВг п1д д1«-т актан1чного лазерного випром1нвваннд на м1крокристали А{$г при допомоз1 комп'ютерного моделювання;

2) вивчити мэхан1зм утворення коагуляцШшх центр1в як м!сць пе-росичення по аморфному ср1блу при лазерному ефект1 Гервеля;

3) досл1дити умови кристал1зэц1д' аморфного срЮла, одержаного при лазерному ефект! Гершеля 1 соляризац!*.

Наукова новизна.

- Епершо розроблено з використанням ЕОН чисельну модель к1нвтики росту згустк!в ср!бла п1д д1ею лазерного св1тла (х = 440 нм) в

прццоьорхповому шар! м1крокристал1в АеВг з урахуванням рвкомо!на-!сш!е А-?1", електрон1в 1 д1рск при ЗСО К, що не-мокливо досягти 1нзпом ттодзми. Рогм1ри срЮнох згусткХв, одержан! при допомоз! ц!с1' модол!, добре узгоджуються з розм!рами непраявленнх срЮних зо'стк!в, споетер^зйнкт. пул -тех. хэ умов&х методом електронно!' м1кроскспИ. Бстаповлено тако«, «до за час 10~*с в1д початку екс-понування при п>чаткоЕ1й кон:ьнтрац!* ато::,1в на поЕерхн! МК А£Вг Ю^'1" осковштЯ вклад в пр:;р!ст об'ему згустк!в ср!бла вносить поляризован! атомн срМлз, а ь гктарьал! часу Ю-4 - 0,5 с - 1оки орЮ'ла, що нэ протир!чпть освоении положениям теорИ Чиб!сова-Га-лаиина-Фока, яка включая в себэ теор!ю Герн! 1 Мотта;

- впэрше розроблено також чисельну модель к1нетики росту згустк!в А& з урахуванням не лиге рвкоыб!кац!^ !он!в А£+, електрон!в ! д1-рок, а й дифуз!* 1он!в 1 атом!в ер1бла при 300 К. Одержано при

до помог 1 щ-е* модел! к!нетику зм1ни в час! протягом -експонування 0,5с розм1ру орЮгглх згустк1в. концентраа!й !он!ь Аг;1", атом!в А*. «зл*ктрои!з нагколо згустк1в, густин поток1в !он!е 1 втом!в !>£ на згусткк. Остановлено, до при !ктйнс;тному лазерному зтгром!кенн!

{ AgBr утЕоркетБся велика к!льк!сть фотоелектрон!в, як! локгл!-/ютъся на глибоких i м!лких пастках. Тому час перебувакня час-шок Ag з нейтральному стан! значно менший, His в заряда.еному ган! 1 дифуз!йне "розсмоктування" згустк!в кезначнэ. Результата, 1ержзн1 в ц1й модел!, нэ протир!чзть експеримэнталыпш даним i юр!* фотограф!чно* чутлиЕост! Галвтоша-Чиб!сова-Фока. При до-5г»юз1 ulev модел! мокливо перез!рити 1 !нш1 творИ' фотопропесу; з рамках термодинам!чно* модел!, яка трактует аморфну частнику ; як кристал, сильно деформований Еаканс1ями. показана, що часика аморфного ср!бла розм!ром 0!льше 10 А обов'язково закрис-1л1зуетьсл при 300 К. 0ск!льки до яижнього запшу, прямол1н!йно5: 1ллнки, верхнього загину характеристично'! криво* фотолзру в!дно-:ться частники Ag розм!ром в!дпсв!дно 15, 50, 100 А [51, то вони jibai 10 А 1 будуть крис'гзл!чними;

заггропоновано ме хан Ism утворення i симотричного розм!щення КЦ i псверхн! 'Ж AgBr при ЕГ як областей пересичення по ср!блу. П!д .сю 14 вшром!нювання лазера (х=850 гол) в МК AgBr виникас виму-■не розс!яння Мандельштама-Бр!ллюена, поширення ультразвуку !Добж осей 3-го ! 4-го порядку МК AgBr та утворення п!д д!е*ю :устоелектрично'1 р!зниц! готенц!ал1в одночасно 1снуючих колекти-.в електрон!в на гранях м1крокристалу протягом часу експозшШ' [ св!тлсм:

для фотостимульованого утворення кристал!чного ср!0лэ з аморфно ср!бла КЦ на поЕерхн! МК AgBr важливими умовами е паресичен-[ по аморфному ср1блу, квадрат напруженост! електричного шля ¡!тла та час його д!* на МК AgBr, наявн!сть рухливих електрон!Е !он1в ср!бла;

показано, що при одночасному експонуванн! МК AgBr двома лазер-ми випром1нюваннями х=850 нм ! х=440 нм при в!дношенн! енерг!й ;50/Е440 = 9488 вздовя осей симетрИ 3-го- i 4-го порядку в МК ;Ег мозкливе виникнення п'езсефекту;

спостер!галося нове явице самопоширення ЕГ за меж! зони опрсм!-ння фотоаару пучком лазерного сз!тлз з х=1150 нм 1 Р=10 мВт при почасному неклацанн1 пост!йного електричного поля напрух9н!ста 500 В/см паралельно фотошару СП-1 (6 од. ГОСТу). Не псяс:го=ться ан-лккою" крпстал!зац1сю аморфного срЮла на МК А^Ег фстоззру л 300 К;

Естансзлено, ;до при соляризац!4: ц&нтри прнхсвансго зос-.^зенкл SMipoM 126—! 0 нм с частикками ктп1с?ал1чнсг0 со1С-лз, zz маать.

- б -

форту прямокутних 1 гексагональнкх призм. Положения, ко еиносяться на зохист:

- к!нетика росту згустк!в А£ в приповерхневому шар1 м1крокриста-л!б А£,Вг п!д д!ею лазерного випром1нювання (х = 440 ш) корб!;тно описуеться чиселыпши моделями, в рамках яких одержано розв'язки систем нел1н1йних диференц1алыых р!внянь з самоузгодженим ураху-ванням утьорення 1 рэкомб!нац1! при 300 К 1он1в Ag'+, електрон!в : д!рок, приткгання 1ок1в I поляризованих атомХв срЮла до закр!п-

их у пастках електрон!в, а також просторово неоднор!дного роз-полЗлу 1он1н 1 атом1в' ср1бла. Ц1 модел! мокуть бути вжористан! для дссл!дження к!нетики фотопроцесу 1 для Лнших теор!й утЕорен-ня ЦП?;

- частника аморфного А£ при розм!рах б1льше 10 А стае термодина-мЗчно нест1йкою Ыдносно переходу з аморфного стану в кристал!ч-ний при 300 К. ЦПЗ, як!,в1дпов1дають област1 недодержок, прямол!-н±йк1й д1лянц! 1 облает! передержок характеристично! криво! фотошару , мають кристал!чну будову ср1бла;.

- механ!зм /творения 1 симетричного розм!щення КЦ на поверхн! МК А£Вг при ЕГ як областей пересиченя по ср!блу полягае в виникнбнн! в МК А#Вг п!д д!сю 14 випромЗлювання лазера вимушеного розс1яння Макдблыптама-Бр1ллюена, поширвнн! ультразвуку вздовк осей симет-рИ' 3-го 1 4-го порядку МК А^г, та утворенн1 внасл!док акусто-електрорушШнол сили одночасно 1снуючих колектив1в електрон1в на гранях м1врокристалу протягом часу осв!тлення ГЧ вицром1нгованням;

- максимально (=г б разове) зб1льшення св1тлочутлквост1 фотозару СП-1 могливо одержати шляхом Оагаторазового повторения п!сля пер-шого експонування фотошару б!лим св1тлом циклу опром1н9нь, який складаеться з експозиц1й 1нфрачервоним (х =1150 нм) I б1лим св1т-лом. Ггои цьому утворюеться по дек!лька кристал!чних ЦПЗ лише на териюрИ: коагуляц1йних центр1в. Цей метод дас економ1ю ср1бла шляхом ^1дяовлення невдало проекспонованих чи старих фотошар1в;

- утворзння областей стиснення в м!сцях розмИцення коагуляц!йних Ц5нтр1в нв поверхн1 ЫК АвВт при одночвеному експонуванн! МК А^Вг двома лазерними випромШзваннями з х = 350 нм 1 х =440 нм при Ыдноаенн! екерг!й Е^д/Е^дд = 9483 можливо пояснити виникненням п'езоефэкту вздовг; осей скметрИ 3-го 1 4-го порядку МК А£Вг;

- в!дкрите нове явкще поширеыня ЕГ за меж! зони опром±нення фото-

[ару пучком лазерного св1гла з х = 1150 нм 1 Р = 1ü мВт при одно-асному накладанн1 паралельно фотошару пост1йного электричного оля напружен1стю Е = 500 В/см можливо пояснити "лавинною" крис-ал1зац1ею ср!бла на МК AgBr в фотошар1;.

вперив спостережений лазерний ЕГ для х=1150 нм застооовано для держания нового методу утворення к!лькох ЦПЗ з аморфного срМла дного КЦ. К1льк1сть КЦ визначаеться к1льк1стю м1сць зиходу осей лметрЦ: бшдого порядку на поверхню одного МК AgBr.

Практичнв застосування робота. Результата роботи еносять пев-1й вклад е теорХю утворения ЦПЗ, як! можуть утЕорюватися i не на ■гфектах МК AgBr, а 1з аморфного ср1бла КЦ в м!сцях виходу на зан! м1крскристалэ осей симетрИ 3-го i 4-го порядку, важлкз1 ;я фундамент а льних досл1даень в науковХй фотографИ i г;1дтверд-■ють ряд полоюнь теорИ' фотографХчног чутливост1 Чиб1сова-Гала-иа-Фока. Багаторазове повторешя cepii з двох експозиц1й фото-ру по черс! лззерким 1нфрачврЕоним (х=1150 нм), а пот1м б1лим iTJiOM П1.сля ТТОЧаТКОБО! експозицЬ: б!лим св1тлом можливо викори-овувчти для досягнйння максимальное св1.тлочутливост1 низькочут-бих фотошар!в без додаткових виграт ср!бла. В такий cnociö св1-очутлив1сть фотошару СП-1 (б од. ГОСТу) була зб!льшена в <5 з!в. Цим методом можливо нэ т!лыш в1дноЕлговати стар! (покрит1 аллв) та нев!рно проекспонован! непроявлен1 низькочутлкв1 фото-ри, а i значно п1двищувати i'x св1тлочутлив1сть i використсзува-i'x для нового фотографування. Це дае значну економ1ю ср1бла, с1лыси знову вводиться в д1ю зХпсован! фотопластинки 1 з б!ль-о св1тлочутлив1стю. В1дкрито нове яввде поширення ЕГ за меж! ш д11 на фотошар пучка лазерного св1тла з х = 1150 нм при гласному наклэданн! паралельно фотошару пост!йного электричного 1Я напружен1стю Е = 500 В/см дае можлив1сть "стирати" до проявил ПЗ на значних гоющах 1 давати економ1ю ср!бла як за рахунок юго використакня старих фотошар!в, так I за рахунок зб1лъшбья св1тлочутливост1 при повторному використанн!. Апробац1я роботи. Оснобн! результата дисертяци: опубл1ковяк^ в рукованих роботах. Ма'Г*р1зли дисертацИ" доповХдаллся на Зс~-зному науксЕону свм1нар! "Механизмы структурных превращений в аллах и сплавах" (м. Черкася, 3-9 ввресня 1990 р, допсв1дь 27;, луковому сем1нар! кр-^н СЩ Г*яон1зми структурой ь в метала?. тз оплзеэх" (м. 'Г^ркаси, 6-10 Бйрвсня 1933 р;, нм кобих cimiitv.-ax ь!дд1лу молекулярное Фо?о*лактг-.::1ки в":

1нституту Ф13ИКИ АН Украхни (1991, 1993 р), на кафедр1 ф1зично! оптики Харк!вського державного ун!верситету (1993 р), в Кдавсько-м;- 1нститут! Нап!впров!дник!в АН Украхни (1993 р), на наукових сем!нарах кафедри ф!зики Черкаського пед!нституту (1939- 1993 р). Об'ем 1 структура дисертацИ'. Дисэртац!я викладена на 199 сторонах гиашинописного тексту, складамться з вступу, чотирьох розд!-л!в, загальних висновк!в, списку л!тератури та додатк!в, включая 44 малюнки, 5 таблиць. Б!бл!ограф!я мае 176 нвзв на 15 стор!нках Додаткп м!стягь 22 стор!нки.

ЗМ1СТ РОБОТИ

У вступ! обгрунтовано актуальн!сть томи дисертац!*, сформу-льовано мету та задач! роОоти, викладеш освовн! результата робота I науков! положения, щс виносяться на захист.

В першому розд1л! провед&но анал1з досл2дкувано! проблема ! формулювання задач! досл1дж«ня. Коротко викладен! ф!зичн1 власти-вост! кристал!в галоген!д1в ср!бла. Звернуто особливу урагу на т1 з них (нап!впров!дников1 властивост!, структуру енергетичних зон, акустичн! властивост!, дислокац:^ , дом1шкоб! центри, прост! форми м!крокрист£.л!в АёВг, груш симетрЗ* цих кристал!в, ух електропро-в!дн!сть та 1л.), як! с суттевими для розум!ння ф!зичних ! фотограф! чшж процес1в в галоген!дах ср!бла.

Тут ке викладена теорИ заредкоутворення Бекара-Дьор1нга, Зельдовича Я.Б., !снуюч! теорИ" утвореккя зё.редкхь ср!бла, як! молуть проявлятися (теор!я Герн!-Мотта, теор!я фотограф!чно1' чутлиьост! Чиб1сова-Галашина-<Гока). Зверта^ться увага на облает! застосування цих теор!й, 1'х недолзки при вивченн! питания пзре-ходу аморфного срЮла в кристал!чне на поверхн! МК Викладе-

н! сучасн! теор!* про природу ! механ!зм ефекта Гершеля 1 соляри-зацИ.

Звартас тьс-я увага на необх!дн!сть досл!дкення к!нвтики фото-граф!чних явищ з урахуванням рекомб!нацИ' м1ж !онами А£+, елек-тронами, дырками та впливу дифузИ' на явище утворення ср!бних згустк!в у приповерхневотиу пзвр1 МК А^Вг.

В!дм1чаеться ваклив!сть виьчення механ!зму утБОрення переси-' чення по срЮлу в КЦ та викереттання 1'х для досл!дження процес1в переходу аморфного ггЛблв е кристал!чне.

В дг'угому роз""-"! ьикладен! р!зноман!тн! метода досл1дження процвсу фотостк.мульог э:-;,росту чаоишок Ае та умов хх кристал!-зац1х при явидах ф-тограф^гг.ого обэрнення в приповерхневому шар!

К Вт. Обгрунтовуеться 1 оттисуеться методика обчислювяльного эмп'ютерного моделювання для досл!дкення утворения згустк1в Ад приповерхневому шар! МК А£Вг при опром1некн1 ь'х лапрряим сб 1т-эм (х = 440 нм). В1дм1чаеться, що стюрення теоретачких олчасл» эльних моделей складних Ф1бичних пропое!в с новям напряг/ком ь [зиц! Г6.71. Викориотання ЕСМ дас можлив!сть розг-'я.-уватн ечги->м!рн1 задач1, задач! з великим числом парам« тр!-;, ¡до характерно ¡'я фотограф!чних явщ, кьантовомехан1чн1 та ста1И'.:тачн1 зад--^! 1гатьох т!л. Комп'ютэрне моделювання дас мо»:либ1сть штучно в!д-юрити процеси, що в1дбуваються в емульс1йнлх МК А<?3г та на ^х 'верхн! п!д д1сю св!тла р!знкх доежин хеиль. Створена обчислювальна модель дас можлиб!сть проконтролювати авильн1сть теоретичного пояснения Сагатьох фотогроф!чних про-с!в, проанал1зувати ! зробити прогноз характеру ! знкпном!рно-еЛ хх розвитку. Обчислювальнэ моделювання дозволяе усунути г>б-кення 1 наближення, влаотив! для пнал1тичного опису ф!зичного оцесу 1 досл!дити Яого з урахувячням Ешпгеу багатюх ваяливих кторЛв, як! не вряховуються в анад1тичнжс моделях. Оок1льки ба-го як! Ф1зичн1 процеси нел1н!йн1, то 1 р1ьняння, як1 опису-ь, також будуть нел!н!йними диференц1альними р1вняннями другого оядку 1 еище. Анал1з 1 розв'язок таких р1внякь за допомогою эсичних анал!тичних метод1в дуке складний 1 надзвичайно трудо-шй. Використання набликених чисельних метод!в дозволяс звести 1ачу до розв'язку з допомогою ЕОМ таких р!внянь в рЗзницев1й

Для розробки обчислювально* модел1 на приклад!. теор1х фотогра-¡нозс чутливост! Ч?б1.сова-Галашина^ока автором була вибрана юональна'ЕОМ'ГВМ БС/АТ 286 з доброю швидкод!ею 1 оперативною 1'яттю та-мова програмування Паскаль верс!>' 5.5 з1 зручними завами граф!чного представления 1нформац11'. Для обчислень засто-увалися матоди Рунге-Кутта 4-го порядку 18) та к1нцевих р!з-у [93.

Детально описано ^енситометричний метод досл1даення властивос-фэтошару, який е 1нтегральним методом, щодае мохлив!сть виз-ати ф1зичн1 умови, при татх спостер1гаеться нормальная ЕГ. Для же самих умов проводились електронном1кроскоп1чн1 досл!дкення ч-роскоп ВБ-613 ф1рми "ТЕБН" з розд!льнов здатн1стю не г!рше 5 нм) з використа1ШЯМ колод!свих рэпл1к з непроявлених МК А^Бг, не в!дт1юовйлись вуглвцем, а охолоднувались р!дким азотом до

1 п!д час фотографування кристал1чних частинок ср1бла на них, утворшться з аморфного ср!бла коагуляц!йних Ц9нтр!в, та отрш вати картину дифракц!* електрон!в в!д окремих ЦПЗ. Основними ] бочими фотоматер1алами в робот1 автора були фотошари СП-1 (б < ГОСТу) та ФТ-30 (1,5 од. ГОСТу), як1 нечутлив! до лазерного 1j червоного випром!нювання . Експонування лазерним з х = 850 нм х = 1150 нм для одержання нормального ЕГ зд1йснювалось в спец альному пристрой. При цьому фотопластинка рухалася у темнот! i пендикулярно до пучка св!тла лазера з! швидк!стю ^ = 10 mm/xbi Для досл!дження впливу потоку електрон!в на кристал!зац1ю амо] ного ср!бла в КЦ використоьувався електронний м!кроскотг ЕШ-21 Описан! методики одержання колод!евих репл!к з використанням i трифугування, ф!льтрац!!: б крашгин!.

Трет1й розд!л присвяч«ний анал!зу впливу на к!нетитсу росту згустк!в Ag в пршоверхневому шар! МК AgBr п1д д!ею лазерного пром!н»вання (х = 440 км) при 300 К в рамках теорй Чиб!сова-] лашина-Фэка я) рекомб!нац!!.' íokIb Ag+, електрон!в 1 д!рок, б) фуз!йного блукання íohíb 1 амом!в Ag додатково до вказанох peí б!нац1х. В рамках створено!' термодинам1чно* вакансШкя моде л анал1зусться вплив розм1ру аморфно! частинки Ag при 300 К на ст!йк!сть аморфного стану частинки i ix кристал1зац!ю.

В [21 звпропоновано такий механ!зм утворення ЦПЗ: п!д час < спонуванняМК AgBr у фэтошар! утворюються 1они Ag+, д1рки i ф електрони. 0станн1 м1грують в пришеерхневому шар! МК AgBr, з хоплюються центрами чутливост! i cboí'm електричним полем прит; ють не лише 1они Ag+,a й поляризують i притягують атоми ср!б. що утворилися до експонування п!д час другого визр!Бання фото емульсИ. 1он ср1бла, що прибув до електрона "у. пастц! першим, нейтрал!зуе його i утворюеться кластер, який продовжуе рости ¡ рахунок наступних захоплень електрон!в i приеднання Iohíb Ag+. f.tomíb ср1бла.

Отже, в Töopli' Чиб!сова-Галпшина-Фока запропоновано механ1: утворення ЦПЗ 1 методом електроннох м!кроскоп1Х первв!рено *х розм!ри, але опис цього механ!зму не доведений' до р!вня матем. тично! модвл1,. яка дозволяе завбачати к1нетику росту згустк!в, ср!бла при опром!нэнн! МК AgBr'фотошару, зокрема, лазерним ая: н!чним св1тлом. Для перев1рки оснобних положень теорй' [2J на вперше ствррена чисельна модель такого росту з урахуванням ре-комб1нацИ 1он1в Ag+, елвктрон!Б i д!рок при 300. К.

Частники ср!бла, як1 утворилися- на говерхн! МК А^Вг за часи :спонуванпя лазерним в:ипром!нюванням 1/60 с и 1/2 с, фотографу-1лися за допомогою электронного м!кроскопа В5-613. Розм1ри згус-:1в ср!бла, що спостер!галися експерименталъно, пор1вгоовчлися теоретичними розрзхунками.

В ц!й чисельн±й модел! кокна частника ср1блз вватаеться кул«ю д!усом И, яка росте за рахунок поток!в 1он1в 1 поляризоьоних ом!в. Вважасмо, що приповерхневий шар МК розм1ром 0,05-0,1 мкм 0, с.184], в якому в основному в1дбуваеться фотол!з, розд1лений "сфери впливу" електричних пол!в пасток свредн!м рад1усом д!х -10 тл [11]. Густини град1снтних дафуз1йних поток!в 1он1в Б^асК^)) 1 атом1в ср!бла (- Ба5г*асЗ(па)) до електрон!в в стках, вккликаплх просторово неоднор!днил розпод1лом 1он1в 1 ом!в А», ввакалися дуке малими, а враховувалися лишо густини ейфових потск1в 1он1в («Ь = п^^/^Т)) 1 атом1в Ag («Га = Ва?&/(к0Т)), обумовлен! в!дпов!дно силами кулон!вського притя-ння ^ 1 силами електрон-дипольно* ьзаемодЦ; Га- Через п.,,па значен! в!дпов1дно к!лькост1 !он!в ^ 1 атом1в А£° в одиниц! •ему МК, Ба= 5 10~16м2с~1 [12,с.61 ] - коф!ц!енти дифуз!* в МК А£Вг в1дпов1дно 1он!в ! атом!в ср!бла. к^ - стала Больцма-, Т=300 К. Цэ с бвзград1ентнэ наближвння, коли час росту згуст-в г<<Е2/Б ~ 0,2с. Нэхтувалп також при обрахунку сил Р^ке^/Н2 Ра = оке2/!?5 (к=9 109 м/Ф, е - заряд электрона, а= 10~с9м3 -ляризусм1сть атому ср1бла> т!сю долею часу, яку пастки прово-ть в стан1 без влэктрон1в 1 нэ притягуить !они I поляризован1 сми оск1льки час руху електрона до пастки значно монший су руху 1она А£+. '

Система самоузгоджэних нал!н!йп1х диференц1апьних р1Епянь (1-5)

- *1еп1пе--~~ : (1 >

- = г1па,П0--•--,

(11 1е 1 е 4 п!!3. 4 пн3

йп-' "3~пкс "Г41"

• = -V - «Пе^е : (3) а г

й- п й пе -- = "у - *!еп1пе " "ЬепЬпе " "ТГ : (4)

а t

й Н

пн

г - н<г)

опксуе к1нетику расту згустк!в Ag зг!дна з механизмом утворення ЦПЗ Чиб!сова-Галашина-Фока i визначае швидкост! зм1ни в час1 в розрахунку на оданицю об'ему МК AgBr концентраций ioHiB Ag+ (1), атом!в Ag° (2), д1рок (3), електрон1в (4-), рад!усу згустк!в epic ла (5).

В р1вняннях (1), (3) 1 (4) су визначае частоту народження в

одиниц! об'ему МК AgBr п1д д!ею св1тла в!дпов!дно IohIb Ag"1", д1-

0Р -Т —1'

рок 1 електрон!в. Величина & = 2 10"тм с знаходилася з пара-метр1в фотошару та умов опром1нення його лазерним св1тлом. Додан ки, як1 е добутком концентрац1й електрон!в 1 1он1в ср1бла (або елвктрон1в 1 д1рок) та в!дтав!дких коеф1ц1ент1в рекомб1нац!*, ви значають частоту рекомб1нац!й (*ie= *he= 8,64 1СГ1<тл3с~1) рухоми

електрон!в з 1онаш або д1рками в одиниц! об'ему МК AgBr. Останн доданки в'р1Ейяннях (1) 1 (2) визначають в1дпов!дно частоту при-еднань до згустк1в Ag IohIb або атом!в ср!бла в одиниц! об'ему МК AgBr. 0станн1й доданок в (4) визначае частоту захоплень цветками електроа1в в одиниц1 об'ему МК AgBr (ге=1СГ8с [12, с. 142] -час до захоплэння пасткою електрона п1сля нейтрал!зацЦ: на н!й 1ана). Р1вняння (5) виражае швидк!сть росту згустку Ag за рахуно] приеднання до нього дрейфуючих 1он!6 i атом1в ср!бла при стал1й концентрацИ атом1в nR = 8,85 1027м"3 в згустку.

0ск1льки час росту згустк1в t ■>> те, то вс! електрони, що на-родилися в МК AgBr п!д д!ею св1тла, встигнуть за час росту з.гус-тка зб1гти на стоки (пастки, д1рки, 1они Ag+), оск!льки рухли- • в1сть електрон!в найб1лыпа серед 1нших продукт!в фотол1зу 1 час досягнення пасток г& найменший. Тому накопичення електрон!в не в1дбуватиметься,^ тобто-виконуватиметься умова кваз1стад1онарвдс-т! d ne/dt = 0, з яко* одержуемо ne = оу / (*ie<nl+riil)+1/re). Початков! умови для розв'язання системи (1-5) так1: п^ = 0, = '.02V3 [2, с.125] в розрахунку на об'ем одного МК AgBr (1 х 1 х 0,1 МКМ3), nh = О, R = 1.44 10"Ш м.

Результата чисельного розв'язання системи (1-5) методом Рунге-Кутта 4-го порядку для р!зних початкових умов з допомогою складе-HOi програми представлен! на мал.1,2. В подв!йному логарифм!чному масштаб! приведен! крив! зм!ни в час! об'ему згустк!в Ag. (крива 1), концентрацИ: атом!в Ag (крива 2), !он!в (крива 3) ! д!рок (крива 4). Крив1 св!дчать', що зб!лшення початково* концентрацИ' поверхневих атом!в Ag на м1крокристал веде до зб!льшекняшвидкос-т! росту об'ему згустк!в в1д початку фотоопром1нэння зз рахунок самэ поляризованах атом!в Ag.

Мап.1. Теор9Тичн1 залешост! в!д часу Об'ему згус-тка ср1бла V (крива 1), па(2), п^(3) та nh(4) для непроявлених МК AgBr при опро-м1ненн1 лазэрним св!тлом з х = 44-0 нм потужн1стю р—10 мВт. а)почаг-кова па=1024м_3; б) початкова nQ = 10гбм~3.

-/ofyv (<**?' S)

"1ор1вняння розрахункових розм1р1в згустк!в Ag за 1/60 с 1 1/2 с ц"початку опром1йення (4TÄ1 170 А) з електронном1кроскоп1чно д1ряними розм!рами за т1ж часи росту згустк!в Ag (46 А 1 165 а : добра узгодження (сумарна. похийка 7%). . ' Галашвшм с.о. i Фоком М;В. [в1да1Чалася важлив1сть урахувчняя. ' шву дифуз1Лного-' блукаккя. IohIb-t зтом1ь. Ag нз р1ст згусгк!в

280 ПО ->.60 >50

m ■

'.30 -

>20-?»

IDO so

-<OÙ}V(ms) ю£опа("~3)

má}n¿(M~s)

О JO 60 90 iZO ISO {50 гю 2W

■•50¿Cjt(c)

- 14 - . i

Ag, a саме дифуз1йного "розсмоктування" згустк1в б npOMlxKii часу, коли згустки нейтральн! £13].

Таке урахування приводить до системи нвл!н1йних дафоренц1аль-

НИХ plBHHHb В ЧаСТКШШХ пох!дних (б), як1 ошсують шеидкост1, ЗМ1-

ни е час! в одиниц1 об'ему МК AgBr тих же величин, що 1 в систем: (1-5). Позначення ф!зичних величин в (б) маять той же ф1зичний зм!ст, що I введен! ран!ше позначення.

ô n^(t,г) 1 о г^р 6 n^t.r) n1(ttr)D*P1'j'j

et ^ a p l [ âv 5 JJ'

+ "-y - ^^(t.rîngit.r); 0 na(t.r) 1 a f^p Û n^t.r) na(t»D*fai4

» t ~ ^ , r l l * r " - kBT JJ'

+ a^n^t.rjngit.r); dR D r о n^t.r) о r^ct.r).

Ô Г

-4»

n 11 / « 1V / ^ ii^K. b Л

t ПтДдГ à т *

r=R(t)

D f 1

nRkBT

.(6)

dnh(t,r)

d ° = "v " »heVt'r>Vt'r,:

û np(t,r)

= ~ "ieni(t'r)ne(t'r) ~

Q t

np(t,r)

- --77-:

Ця модель (б) такок враховус рекомб!нац!ю 1он!в Ag+, елактро-н!в ! д!рок. В перших трьох р!вняннях ulcï системи врахован! не лише дрейфов!, а й град!снтн! потоки на кожний згу сток Ag зм1нно-го в час! рад!усу R(t) !з сферичного прошарку навколо кожного згустку. Вс! 1нш! доданки uicï системи так! ж, як 1 в (1-5).

0ск1льки знаходаання розв'язку крайовсй задач1 в област1 з границями, як! рухаються, дуже складне, то доцЗльно перейти до нових зм1нних t', У. для яких границ! облает! ф!ксован1: t'= t, у =(r-B(t))Rc/(Hc-H(t)), так що у змЛиосться в1д О до Нс- Це приводить до додатково1' нел1н1йност! в систем1 за рахунок переход!в:

а * dR <Rc-r)Rc » Rc *

*t a f dt (R _R(t))2 * У Hc-H(t) о У*

Вважаеко такой, що виконусться умова кваз!стац1онарност1 для электрон!в.

Для замккутост! системи (б) сформулккмо граничн! умови на вну-

гр!шн1й"1 зозп1шн1й границ! сферичного прошарку навкола кожного

згустка А&. На зовн1ш1й границ! облает! густини поток1в в!дпо-

в!дпо 1сн1в 1 атом!в покладалися нулъовими: -Я, „т.

а п.

Rc-R(t)

y=R„

nlFl kBT

=0; -

Rc-R(t)

+ J^I*

y=R0 kgT

=0;

На внутр1шн1й границ! (на поверхн! згустка) гранична умова для !он!в виража«: те, цо практично весь пот!к 1он1в, який приходить у кожний найбликчий до згустка ^ вузол (0) кристал1чно!" ре-л!тки з сус!днього б!льш в!ддалэного в!д згустка Ай вузла (1), переходить пот!м на поверхшо згустка (вузол (-1)):

ке2 Т

ехр

(гк.

1^(0) = rijO)-

:BT(R + а/2) (R +a)J

.ехр

(i

ke£

R(R - a/2 )kgT.

+ exp -

ke<

2R(R + a/2)kgTJ

Для атом!в на внутр!шн!й границ! покладалося: п„(0)=п„(-1).

а а

Система р1внянь (б) розв'язувалася чисельно методом к!нцевих р1зниць (зд1йснввався перех1д до безрозм!рних зм!нних, будувала-ся явна 4-точкова схема, з якоа: одержувалася система рекурентних сп1вв1дношень). Була складена програма розв'язку ц!ех системи ! одержано так! результата:

1. При .початков1й концентраци атом1в А& па = 1024м_3 згубток Ад доростае до розм!ру 18 А за 1/60 с 1 до 160 А за 1/2 с, що по порядку величина' узгоджуеться з даними експэримэнту (46 А 1 165 А), (мал. 2).

во ■60 Ьо

го

R-10

НО

а

50

too

<50 200

250 JOO 35 О ioo НО SCO

Но'

Мал. 2. Крива зм!ни з часом рад!усу згустка Ag. CRl-м,

р < Г2

Початкова по=10 м .

Якщо величина п„

ЗОХЛЬПуеТЬСЯ 3 1 О24«"3 до 101 м то час пе-реважанкя густини потоку поляризоваких-атом!в А£' на згустки над густиною потоку !он1в Agт в1д початку фотоопром1неня зб!льшуетьс? з 1СГ6с до 10~4с (мал.З а),0)). Цэй час зб!лъшуетъся такой при зменшэнн! Хнтенсивност! фотоопром!кення. Цэ узгоджуеться з тим, цо за час 10~5с ЩЗ не створваться, а також з основними 'положен-■ еями теорИ' Чиб!сова-Галашна-Фоха Г23. При б!лъших часах (в1д 10" "'с до 0,5 с) густина потоку !он!в на згусток значно СЯлыиа гус тини потоку атом1в, що тек узгодауеться з теорию Чиб!сова-Гала-шина-Фока 123 (мал.З в)).

I

Мал. 3. Залек-н1сть в1д часу густини питоку !он!в J1 (крива 1 ) та густини потоку ато-м!в «Т (крива 2) на згусток; Початков! зна-чення па-'р1вн1: а) 1024м (мал!

ю 20 10

31-юч За -/я7

9

т=2

часи);б)10^°м_,: (мал! часи); в)1024м~3 (велик! часи).

[^3 = м~2с~1, 1 -? -1 (^3 = М *-С ,

50

—i—

юо

ггз

с.

150

200

25 О

■300

£ю6

ко • ¿0 ■ го ю

Л-г-т' За-г-ю1

.Л

ь:

50

то

150

$0.0

250

зоо

35 О Ш £ '10й

3. Усерэднена по об'ему концентрац!я атом1в навколо кожного згустка зб1льшусться протягом 0,5 с, а 1оп1в - зб1льшусться, ви-ходить на насичення 1 змэншу«: ться, весь час золичаючись монетою усерэднена* концентрацЦ: атом!в. Це узгодкуеться з результатами модел! (1-5) (мал.4).

Мал. 4. Залежн!сть в!д часу усереднено* по об'ему кристалу ксн-центрацИ' атом!в Иа (крива 1 ) та !он1в ^ (крива 2) поблизу згустка. Початкове значения п„ р1Ене:а) 10с4м_3; tt]=c, [N„3 =

г> с1 а а

м [1^] =

4. 0ск1льки при дН' актин1чного лазерного св!тла в Ш АдВг еини-кас значна к!льк!сть м!груючкх електрон!в з високою рухлив!стю, то сумарний час знаходкення електрон!в у пастках буде б!лылим су-марного часу захоплення пастками нових електрон!в. Отте, трива-л!сть 1 величина дифуз!йного "роземоктування" згустк!в Аз буде невеликол.

В рамках термодинам1чно1: модел!, в як!й аморфпий згусток ср!б-ла розглядасться як ск!нченних розм1р1в кристал, сильно деформо-ваний ваканс!ями 1 враховуеться пружна взаемод!я ваканс1й в згус-тку з поверхнего згустка, показано, що м!н!мальна частника ср!бла, яка повинна закристал!зуватися'при 300 К, мае розм1р 10 А. Частники таких рсзм!р!в в!дносяться до облает! недодержок характеристично* . кр^во* (ХК) фотошару. Стже, так! частинки А§ разом з частниками ср1бла, як!'в!дпов!дають прямол1н1Дн1й д1лязщ1 I облает! передеркок .ХК фотошару, с кристал!чними 1 п1сля проявления утворюють ХК фотешару.

В четвертому розд!л!-.приведен! експериментальн! досл1джання

умов фотостимульовано* кристал1зац!1' аморфних частинок ср!бла в

* *

прляоь'-:рхдаьо:<у шар i Ж AgBr при ЕГ i солярпзацИ;. Показано, щ. п!д ли-в лазерного сс1тда за- 850' нм б Ж AgBr мозга Еиникати Liaiya jho розе 1шшл сь1тла Кавдалыатама-Бр1ллюена, яке приводит:

до кплюжннл ь *.ПС А^Вг ультразг^ку, то потираться по осях cin rpii 3-ro i 4-го порядку. Ультразвук створа* акусто-EFC, п!д Д яко1 к!д центрально* о>/лает1 МК AgBr до м1сць вкходу цих осей i М07рГ: на &Цазь1гд( nof-epxnl граней ШС AgBr протлгом часу спр< míhoü'-Ijí лаз^рним сь1тлсм з --• 850 им 1де спрямсваний рух елек-pvulb .'а:суетоолоктрл'л;лЛ струм). Uíi г.сьерхнях граней МК AgBr rr¡ тягьм часу сррсм1пешш Лого лзгоршш св!тлом л = 850 шл 1с;:уют; i:.xn»KT;ifta елчктрок1ь, кмашй з яких спскм електршним полем пр: т.;гу-. до с.;бй ь ycUi n'Jüí-pxui гран! lo ни Ag+, що утворилиса щ i, пэлиркзогаи! птсми cpltei, ifepbinrai центра Чл'о1со-t>': К.В. Таким шляхом ¿"л-'.ркьгъсл кочгулнцХйн! центра, як м!сця п'.р'.'сглоннн по г.к :TJZ!:-'..y Ср1<$ЛУ hs погархн! ж Aífbr. Ifep&civmhl по аморфному ;р Юлу >•■ з нсг0*'х1дних пврйдуус-в для вкникнг

¡¡я крксталгчнлх ПЛ.;. Еп-.-рш* полонено мел-лизм елнлки~нкя КЦ i * слитрачкого рог.:.:1щпка при ЕГ. Зкзйдеко ноьий ciKoicS утьорекн; ШЗ на noropxíii f£í íVbr в КЦ, як i исг зв'лзан1 з положениям за : копгуллц1йнг.х и^лтрхь пов^рхквБих пасюк блуктрэа!з, а ви: иэчыгьсл м1сил\гл ¡¿ходу на гран! кк AgBr осей сямэтр1х 3-го i •i-ro порядков.

Електр:!ннте:1кр:'скэп1чш1м способом взтановлено, цо при соляр* anutí утвэркгяьсй крпстала cpiür.a рс.зм1ром С1лыз* ICO A i мэятг Ф->рму ирльчжутних тл гькоагонш>н&£ прлзм.

Пп;: одкочасноку окепс-нуышн! МК AgBr дима лазернпмл ьллром: ндг;аингки з а -- 4.« и» i ч SóO кл при. ьЩнжга! енерг!Я вгшр м1нсь-г.нйя лаг«р!ь Eg5a'E4i40, рШюму м!крокристали AgBr

вйдэг« осей склётрИ' 3-го I 4-го порядку стакть п'сзоэлектркчю

Показано, що на утворенкя КЦ при ЕГ ьпллвас квадрат напружв! c.rl електрлчного поля сс1тла.

Перех1д аморфного срХЗла б крлстал1чн1 ЦПЗ на швзрхн1 МК Aí г-алежить в1д спром1нення електронами, як! маать значку к1нет;гп енйрг1я. Значна к1льк1сть енерг1йних в1льних електрон!в в аморч кому ср!бл! приводить до його крастал1зац1:£ i створення ШЗ.

Е1дкрито нове явище самопоширення лазерного ЕГ за меа! зони на фстсиар пучка дозорного СЕ1тла за = мьо нгл. f1 = 10 мБ-ггри .->дноч..сному накладанн! парзлельно 'фотошару СП-1 постхйного е.--;:-:трлчного поля напруу.бн1стю Е = ¿00 В/см, яке св'лзане з "лг

- 19 -

тою" кристал1зац1ею срЗбла б фотеetc!. При заземленн! фотопару через onip 400 Мом шЛшнього олвктричнсго поля ьпйр:зе сткстс-р1гвл->сь я! ¿-¿-j ::;:т.:-ШЯ ЕГ у форм! K3H3J!iB (CB17JKI.KX ЯГ.чт) !'■'-' 1 1 ».;.:

в!ддаль до Т см т-1д к1сця л:а1нш; 14 пучкч ^'j-'-jh' : v фэтошар, який M3L вуаль.

Еперше одерк'лю ногмчлъннй лпе-:-:г:'Я У,} г~.л -- - 1150 г" 1 -- -:о мьксим::лпе тды^ння cril• ; v -rv У, ■

Ту) 3anpoi;c.-f:'0bLKi"i! гл. Ij^'.m г и '.:?:; г/ ч ,_р:-у. •• б!л;:м та 14 свЗтлем ц-/.;-^ л'^ор:;. I'.-?. -r.'i-

шляхом Еикорютаннд п.:;-уа-Лг' чл тк-лпло поноваких фото^арЗв, а ''иьо-: гп р х. ■ ':. ■

ливоет! при новому фотогрзфуклгн!.

В приводен! ПрОГрЛЙ! И-': ЧГ Г I 7ур5э-П^ГК! ЛЬ IV

для чвсе.щкого рсзрохунку к1н?тккп фугго-и-.'уль'.; г.эг.-у "ткЗв ср!бла ь псипов~рхн>?Еому Ec;pi MlxpcKr'^cT'i-ii:. -¡'г в лазерного Бг::р-/;\;1нгл-':ння (> -= 440 к-.:} г. ур.!;/у:мп;..ч iv IchIe Ag+, елект/с'ь'^ь 1 д1р.'-7:, ч т':к.'>: . : "p..v-

кгуьакля" згусткЗв Ag ъ ¡;рсм*:::н;! часу, к.\т,! s; уст::л н-" г]';-.;;. -Приведена т^кс» nporp'iwa чмскчыгогч» роьрг>х,/ьху в1ль:кл' ср1бно* аморфно1! частинки ск1нч<Л!них po:-*tlpi& при 300 К.

XH0BHI РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАИП

Зперше розроблено з використанням комл'ютерного мод'.чгкання цв1 к!нетичн! обчислювадьн! модел! фотсстимулоог-мст:' росту згустк!в срЮла -в приповерхневсму шар! К К AgEr п!д дЗ'.п лас^р-юго випром!нговання (х = 440 нм) з урахуванням роко!.:б1нац!У IohIb Ag+, д!рок 1 елекгрон!в, а також впливу дифуз!* !сн!в 1 зтом!в срЗбла. Ш модел! показали добре сп!впадання результате з теорию ЧиоЗесБа-Галашина-Фока.

¡оказано, що частики срЗбла, як! в1дпов!доють облает! недодержки, прямолШйнЗй д!лянц! ! облает! передерхок характери-¡тично!' кривой фотешару мають кристал!чну будову, оск!льки [астинки розм1рсм > 10 А завзкди закристал!зуються. !перше пояснено механЗнм утворения ! симетркчного розм1щеннл Щ при ЕГ як м!сць пересичення по аморфному ср!блу ! встанов-[ено, цо м!сця утворенкя ЦПЗ п!слл ЕГ не завяли зв'язан! з |!сцезнаходаенням пасток електрон!з на поверхн! Ж AgBr, а мо-утъ визначатися м!сцятя; еиходу осей екметр!^ 3-го ! 4-го по-

рядку ча гран! м!чрокрнсталу.

4. Для фотостнмульсЕаного утьорэння кристал!чного ср!бла з амо] •ного на riOD-jpxni UK вахливим с пересичення по аморфном;

срШлу, квадрат папруздност! електрпчного поля св!тла (Е*1)-: час його д]1, наяви1сть рухливих електрон1в та !он!б ср!бла

5. При одночасиому експонувзнн! №1 AgBr двома лазерами зх = 3i ну. ! х-440 нм издоЕж осей симзтрИ 3-го ! 4-го порядку (Ж А^ мою епнпкти п'сзоефект, який коже вплиьати на утворения ШТ

6. Споствр1гзлося носе яе:я'4-з, сэмзпоыирбння зменшешш проявлено^ густини фотошару (ЕП за меж! зони опром!нення фотошару пуч! лазерного випром'л^нг.ия з х = !I50 нм 1 F = 10 мВт при одно-часному наклзданн! пост!йного електршного поля напружеШси Е -•- 5 СО Г./см параде льне фстопару.

V. Вперше спостер!гал:>ся яеищо пошире пня ефекту Гершеля (х = 11 hm) у форм1 велико* к!льк0ст1 к-1кйл1в (ПрОСВ1ТЛбНЯХ ш1тск), як! е!ялопод!сно розходяться ь!д м!сца пад!ння лазерного пу св1тла на фотошар.

8. Одержано лазерной ЕГ для х - 1!50 нм ! максимально п!дВ1щеш св!тлочутлиБССт1 фотошару СП-1 (зО!льшенн в ~ б раз!в) шляхе багаторазового повторения експозиц!й по черз! 01лиы та 1кфрг червоним св!тлом цього лазерз. Ней метод дае економ!ю ср!блг сляхом б!дноел9ння невдало проекспонованих чи старих фотоша^ п!двкщенна ¿х св!тлочутливост1 та '¿х вккоркстанкя для ковогс фотографувашш.

ПО TEMI ЛИСЕРТАЦ11 ОПУБЛ1КОВАН1 TAKI РОБОТИ

1. Пивень о.б., Пкбэнь Б.т. О лазерном аффекте -Гершеля. жнипф, 19Э2, Т.37, ИЗ, с.187-190.

¿. Пквеиь О.Б., Пивень Б.Т. К вопросу о возникновении зародыше! серебра на поверхности микрокристаллов AgBr. ЖНИПФ,1992, Т.37, КЗ, С.240-242.

3. Гусак A.M., Пивень О.Б., Пивень Б.Т. Модель фотостимулиро-вашюго роста частиц Ag в приповерхностном слое микрокристаллов AgBr. УФЖ, 1993, т.38, N1, с. 141-147.

4. ПиЕень О.Б., Гусак A.M. О размерном фазовом переходе аморфного серебра в кристаллическое. 4992, Металлофизика, т.14, N12, с.83-87.

5. Пивень О.Б., Пивень Б.Т., Курик М.В. Механизм коагуляции

- 21 -

иорфннх частиц kg и образования областей пересыщения по эребру на поверхности микрокристаллов AgBr при лазерном ¡рфекте Гершеля. Твои допов!дей наукового сем1нару кра^н ЗД "Механ1зми етруктурких перетворень в мэталах та сплавах", . Неркаси, 6-10 вересня 1993 р, с. 60.

шень О.Б., Курик М.В. О возможности "лавинной" кристэллиза-гл аморфного серебра фотослоя при лазерном эффекте Гврсоля в юктрическом поле. Тези допов!дэй наукового сем!нару краен Щ "Мехэн1зми структурних перетворень в металах та сплавах", Черкэси, 6-10 вересня 1993 р, с. 42.

ЛГГЕРАТУРА

тчелл Д.З. Дефекты решетки и образование скрытого изображая в галоидном серебре. Перевод в сб. "Физические осноеы фа-графической чувствительности". М. 1953, c.1Q9. ibi30v К.V., Fok M.V., Galaschin Е.А. and. Senchenkov E.P. e Nature of Photographic Sensitivity and the Mechanism oí e Latent Image. J. Phot. Scl., 1973, v.21, N3, p.125-133. рик М.В., Пивень Б.Т. О природе эффекта Гершеля. ФТТ, 1979, 21, с.3441-3444.

зень Б.Т. Влияние пересыщения по серебру на сбразозаниа 1тров скрытого изображения после обращения фотографического )Я. ЖНиПФиК, 1934, N4, с.304-306.

1эшин Е.А., Сенченков Е.П. Электронномикроскопические и жтрохимические исследования ранних стадий роста серебряных юдышей в условиях фотографического проявления, ЖНиПФкН, '1, т. 16, с.339-345.

рман А.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретичес-: физике. М./Наука, 1990, С.1Т6.

д X., Тобочник Я. Номпьн>терное моделирование в физике. Т1. Мир, 1990, с.14-17.

мен-Лакур П., Жорж П.Л., Пистр Ф., Безьв П. Математика и Р. Книга 2.- М., Мир, 1989, с.19-24. ов В., Форсайт Дк. Разностные методы решения дифференци-кнх уравнений в частных производных. М., ИЛ., 1963, с.487. Зисов К.В. Природа фотографической чувствительности. Í.'..: 1930, с.369.

i М.В., Резников М.А., КрзЕцов А.Е. Дипэлофоргз n^z'-.ruvxj.

центров на поверхности эмульсионного микрокристапла. МэвдунЕ родный симпозиум "Актуальные вопросы химик и физики фотографических процессов", г. Тбилиси, 15-21 сентября 1984, ПОЗ Гссшшхимфотопроекта. Тезисы докладов, с.113.

Мейкляр П.Б. Физические процессы при ооразовашш скрытого ф тографич&ского изобраякния. М.: Наука, 1972, с.400.

Г'алаапш Е.А., Сок М.Е. О механизме образования скрытого фот графического изображения. ДАН СССР, 1971, т.199, К1,

'- . i ¿.о— i о i .

Еломберген Н. Вынузденное комбинационное рассеяние света. У пехи физических наук. 1969, т.97, был.2, с. 307-352.