Синтез и свойства фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами галогенидов серебра сложного состава и строения тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Фотографические эмульсии с плоскими микрокристаллами галогенидов серебра.

1.1 Получение и свойства фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами.

1.2 Пути увеличения фотографической эффективности эмульсий с Т-кристаллами.

1.3 Химическая сенсибилизация фотографических эмульсий с Т-кристаллами.

Глава 2. Методы и методики экспериментальных исследований.

2.1 Кристаллизация микрокристаллов AgHal фотографических эмульсий.

2.1.1 Процесс формирования эмульсионных МК как предмет экспериментального исследования.

2.1.2 Изготовление галогенидосеребряных фотографических эмульсий.

2.2 Электронная и оптическая микроскопия.

2.3 Дисперсионный анализ твердой фазы фотографических эмульсий.

2.3.1 Анализ микрофотографий кристаллов фотографических эмульсий.

2.3.2 Турбидиметрическое определение размера МК мелкозернистых эмульсий.

2.4 Дифференциальное растворение.

2.5 Химическая сенсибилизация фотографических эмульсий.

2.6 Определение фотографических характеристик эмульсионных слоев.

2.6.1 Сенситометрия.

2.6.2 Определение разрешающей способности эмульсионных слоев.

2.7 Методика исследования топографии проявления Мк галогенидов серебра.

2.8 Определение тиосульфат- и сульфид-ионов в фотографических эмульсиях AgHal.

2.9 Определение содержания серебра в фотографических материалах и кроющей способности проявленного серебра.

2.9.1 Подготовка образцов к анализу.

2.9.2 Выполнение анализа и определение кроющей способности.

2.10Потенциометрический метод определения содержания кадмия.

2.11 Химические вещества и реактивы.

Глава 3. Синтез фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами галогенидов серебра.

3.1 Получение Т-кристаллов с латеральными оболочками переменного галогенидного состава методом КДК.

3.1.1 Синтез ядровых Т-кристаллов.

3.1.2 Исследование кристаллизации латеральных оболочек на Т-ядрах.

3.1.3 Получение Т-кристаллов с непрерывным изменением галогенидного состава латеральной оболочки.

3.1.4 К вопросу о механизме роста Т-кристаллов галогенидов серебра.

3.1.5 Основные результаты.

3.2 Исследование получения плоских кристаллов галогенидов серебра из мелкозернистых эмульсий.

3.2.1 Исследование формирования плоских кристаллов

AgBr при ФС МЗЭ.

3.2.2 Получение Т-кристаллов галогенидов серебра сложного состава.

3.2.3 Синтез хлоридосодержащих Т-кристаллов.

3.2.4 Влияние комплексообразования на процессы формирования Т-кристаллов AgBr.

Актуальность проблемы. В настоящее время работы в области создания галогенидосеребряных фотографических материалов направлены, в основном, на разработку новых эмульсионных систем, обеспечивающих высокие фотографические и структурные характеристики средств регистрации оптической информации.

Микрокристаллы (МК) галогенидов серебра являются главным компонентом фотографического материала, и от их свойств в наибольшей степени зависят характеристики всей системы регистрации оптической информации. Достигнутые в последние годы успехи в повышении качества фотоматериалов обусловлены в значительной степени успехами в изучении процессов кристаллизации AgHal, позволившими целенаправленно создавать эмульсионные МК различных огранок, составов и структур.

В области исследования процессов кристаллизации эмульсионных МК фотографических эмульсий наибольшее внимание исследователей и технологов привлекает проблема создания кристаллов AgHal с возможно более высокой эффективностью использования экспонирующего излучения. Важным направлением здесь является исследование процессов формирования плоских микрокристаллов (ПМК,Т-МК) галогенидов серебра, имеющих ряд преимуществ по сравнению с традиционно применяемыми изометрическими МК. Существует ряд эмпирических приемов, использование которых позволяет получать эмульсионные Т-МК AgHal. Однако поиск оптимальных решений в случае изменения галогенидного состава и структуры кристаллов, приходится проводить методом проб и ошибок, без гарантии получения оптимального результата. Установление закономерностей формирования Т-кристаллов, взаимосвязей и влияния параметров процесса кристаллизации AgHal на конечный результат, разработка концепции механизма образования Т-МК позволит, целенаправленно изменяя параметры процесса кристаллизации, получать фотографические эмульсии с ПМК требуемых составов, структур и дисперсионных характеристик.

Создание МК заданных составов и структур, являясь самостоятельной важной задачей, еще не обеспечивает создания эффективной светочувствительной композиции. Состав и структура МК оказывают влияние на все последующие процессы изготовления фотографической эмульсии и процессы формирования изображения. При проявлении взаимосвязи условий изготовления фотографических эмульсий с Т-кристаллами различных составов и структур, процессов формирования скрытого изображения при экспонировании, условий химико-фотографической обработки светочувствительных слоев с такими МК и достигаемых фотографических характеристик до настоящего времени однозначно не установлены.

Цель работы. Установление закономерностей формирования Т-кристаллов AgHal и исследование процессов формирования фотографического изображения в МК гетероконтактного типа, установление взаимосвязей между составом, строением Т-кристаллов, особенностями химической сенсибилизации и фотографическими характеристиками эмульсионных слоев и на этой основе разработка методов синтеза фотографических эмульсий с Т-кристаллами AgHal сложных составов и структур и разработка научно обоснованных рекомендаций для создания высокоэффективных фотографических эмульсий на основе галогенидов серебра.

Научная новизна.

1 .Впервые установлены условия синтеза фотографических эмульсий с Т-МК AgBr, имеющими латеральные оболочки AgBr(I) (T-L-MK), задаваемых размеров, строения и состава. Показана возможность использования для их получения как метода контролируемой двухструйной кристаллизации, так и метода физического созревания мелкозернистых эмульсий и получены новые сведения о влиянии на дисперсионные характеристики эмульсий условий проведения процессов кристаллизации и физического созревания: pAg, температуры, скорости подачи растворов, концентрации пептизатора, наличия растворителей, дисперсионных характеристик и частичной концентрации подвергаемых физическому созреванию мелкозернистых эмульсий.

2.В первые определены условия получения Т-МК AgCl методом физического созревания мелкозернистых эмульсий.

3.Получены новые сведения о процессе химической сенсибилизации фотографических эмульсий с T-L-MK AgBr / AgBr(I) и установлено, что достижение лучших фотографических характеристик требует, по сравнению с Т-МК AgBr и объемными МК, многократного уменьшения количества сенсибилизаторов, и проведение сенсибилизации в присутствии тиоцианата калия.

4.Экспериментально выявлены отличия топографии фотолиза и проявления T-L-MK от топографии фотолиза и проявления Т-МК AgBr и объемных МК, которые связаны со строением МК и содержанием иодида в латеральной оболочке T-L-MK.

5.Установлена возможность улучшения фотографических характеристик эмульсионных слоев с T-L-MK за счет введения ионов Cd в область перехода между ядром и латеральной оболочкой.

Практическая значимость. Разработаны способы получения Т-кристаллов с латеральными оболочками регулируемого галогенидного состава AgBr/AgBrxIix (х от 0,84 до 0,99) и различного среднего эквивалентного диаметра. Разработаны способы получения фотографических эмульсий с Т-кристаллами различного состава и строения для фотоматериалов различного назначения (аэрофотопленки, пленки для медицинской рентгенографии, цветные фотографические бумаги).

Результаты работы защищены 2 авторскими свидетельствами СССР и 4 патентами Российской Федерации.

ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ:

1. Методология получения фотографических эмульсий, содержащих плоские микрокристаллы с латеральными оболочками (T-L-MK) состава AgBr/AgBr(I) задаваемых размеров, строения и состава методом двухструйной кристаллизации.

2. Методология получения фотографических эмульсий с T-L-MK AgBr/AgBr(I) и эмульсий с Т-МК AgCl методом физического созревания мелкозернистых эмульсий.

3. Экспериментальные данные о взаимосвязях состава, строения, размера и полидисперсности T-L-MK и условий их синтеза.

4. Экспериментральное обоснование существенных отличий условий химической сенсибилизации фотографических эмульсий с T-L-MK AgBr/AgBr(I) от условий химической сенсибилизации эмульсий с Т-МК AgBr.

5. Экспериментально установленные взаимосвязи между топографией фотолиза и фотографического проявления T-L-MK и содержанием иодида серебра в латеральной оболочке.

6. Экспериментально установленное увеличение светочувствительности фотографических слоев с T-L-MK при введении ионов Cd в область перехода между ядром и латеральной оболочкой.

7. Способы получения фотографических эмульсий для новых пленок для медицинской рентгенографии и цветных фотобумаг.

Апробация работы

Основные результаты и положения работы докладывались и обсуждались на 15-ом симпозиуме "Fotografm Akademica" (Pardubice,СSFR, 1989), ICPS'90 Congress, (Beijing, 1990), 1 Всес.симпозиум "Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра", (Черноголовка, 1990), 5 Всесоюзном совещании "Радиационные гетерогенные процессы" (Кемерово, 1990), 4th European East-West Conference,(St-Petersburg, 1993),IS and T 47th Annual Conference, ICPS'94 (New York, 1994), научной конференции «40 лет КемГУ», (Кемерово, 1994),6 международной конференции «Радиационные и гетерогенные процессы» (Кемерово, 1995),IS and T's 48th Annual Conference (Washington 1995), 9 муждународной конференции по радиационной химии и физике неорганических материалов (Томск, 1996),IS and Ts49th Annual Conference, (Minneapolis, USA, 1996), IS and T's 50th Annual Conference (Cambridge,US A, 1997), 1997 International Symposium on Silver Halide Imaging: Recent Advances and Future Opportunities in Silver Halide Imaging (Vancouver, Canada, 1997), IS and T PICS Conference (Savannah, USA, 1999).

Публикации. По материалам диссертации опубликована 71 работа в центральной и зарубежной печати.

Личный вклад автора. В работу вошли результаты, полученные автором самостоятельно и совместно с аспирантами, соискателями и сотрудниками, которые под руководством автора выполняли диссертационные работы. Соавторов по публикациям, принимавших участие во всем цикле работ, нет.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 глав, раздела «Основные результаты и выводы». Изложена на стр. машинописного текста, содержит 109 рисунков, 40 таблиц. Список использованной литературы - 317 наименований.

ВЫВОДЫ

1. Установлено, что фотографические эмульсии с Т-кристаллами AgBr с латеральными оболочками AgBr(I) (T-L-MK AgBr/AgBr(I)) задаваемой величины, с коэффициентом вариации по размерам до 60% и среднего размера до 1 Омкм, содержащими до 16 мольн % иодида могут быть получены методом контролируемой двухструйной кристаллизации, осуществляемой путем одновременной подачи в кристаллизатор с водно-желатиновым раствором растворов AgN03, КВг и КВг, содержащего до 16 мольн % иодида о л калия, при скорости от 0,5-10" до 1,5-10" моль реагента/мин-литр реакционного объема. Впервые получены данные о влиянии на дисперсионные и гранулометрические характеристики T-L-MK условий их получения (pAg, концентраций реагентов, скоростей подачи, условий смешения, температуры).

2. Экспериментально установлено, что гранулометрически однородные эмульсии с Т-МК, имеющими средний размер (от 0,5 до 15 мкм) и коэффициент вариации по размерам (не более 50%) могут быть получены при выдерживании мелкозернистых эмульсий с МК октаэдрической огранки размером от 0,04 до 0,15 мкм в течение от 15 до 60 минут при температуре 50-80°С, рВг от 0,9 до 2,5 и при введении в систему растворителей AgHal. Впервые показано, что дисперсионными характеристиками получаемых этим способом эмульсий можно управлять, изменяя дисперсионные характеристики мелкозернистых эмульсий и условия их физического созревания; установлена возможность получения этим способом эмульсий с Т-МК, имеющими латеральные оболочки AgBr(I) задаваемого размера.

3. Впервые экспериментально установлены условия получения Т-МК AgCl методом физического созревания мелкозернистых эмульсий и показано определяющее влияние на гранулометрические характеристики величины pAg процесса физического созревания.

4. Впервые получены данные о влиянии на химическую сенсибилизацию фотографических эмульсий с T-L-MK AgBr/AgBr(I) гранулометрической однородности эмульсий и состава оболочки. Показано, что в отличие от эмульсий с Т-МК AgBr наибольший прирост светочувствительности достигается при уменьшении в 10-15 раз количества сернистого сенсибилизатора и проведении сенсибилизации в присутствии тиоцианата калия.

5. Экспериментально обнаружено, что эффективность концентрирования фотолитического серебра и светочувствительность эмульсий с T-L-MK AgBr/AgBr(I) зависит от содержания иодида в оболочке и величины оболочки, причем наибольший эффект достигается при толщине оболочки 0,5 мкм и содержании иодида в ней 4-6 мольн.%.

6. Установлено, что при проявлении фотографических слоев с T-L-MK AgBr/AgBr(I) серебро изображения формируется преимущественно на ядрах T-L-MK, причем степень проявления МК зависит от содержания иодида в латеральной оболочке.

7. Впервые получены экспериментальные данные о влиянии на светочувствительность фотографических эмульсионных слоев с T-L-MK ионов кадмия и условий их введения. Установлено, что введение в область контакта ядра и оболочки ионов Cd в концентрации

1-10 -Н(Г моль/на 1 моль Ag увеличивает эффективность образования фотолитического серебра и обеспечивает рост светочувствительности в 2-2,5 раза.

8. Разработаны методы синтеза фотографических эмульсий для пленок для медицинской рентгенографии и цветных фотобумаг. Полученные этими методами эмульсии позволяют при увеличении чувствительности в 1,5-2 раза снизить содержание серебра в эмульсионном слое на 30-50%. Способы синтеза новых фотографических эмульсий защищены патентами РФ №2022377 и №2047207.

3.2.5 ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Результат процесса синтеза Т-кристаллов AgHal, как показывают данные экспериментальных исследований, зависит от многих факторов: температуры, соотношения концентраций кристаллообразующих ионов, концентрации и состава пептизатора, рН раствора, состава и концентрации растворов реагентов или МК МЗЭ, общей растворимости галогенида серебра, размеров стабильных частиц, принимающих участие в формировании Т-кри стал лов, растворимости индивидуальных кристаллов (зависящей от их размера), наличия комплексообразователей и их свойств, гидродинамических параметров процесса. Влияние этих факторов многообразно и, кроме того, почти все они взаимосвязаны друг с другом, и изменение одного параметра может приводить к изменению других и, как следствие, к изменению результата процесса кристаллизации.

При формировании Т-кристаллов протекают одновременно процессы растворения, осаждения и коалесценции. Причем эти процессы взаимосвязаны, и исключение одного из них (или эффективное подавление) приводит к тому, что формирование Т-кристаллов становится маловероятным или вообще невозможным.

Если процессы растворения и осаждения могут быть в достаточной мере формализованы, то процесс анизотропной коалесценции пока еще не описан подобным образом и с достаточной степенью достоверности. Известные попытки формализации этого процесса имеют качественный характер и представляются только как предположения к объяснению возможных причин коалесценции [24,97] или как попытки объяснения в первом приближении кинетических закономерностей с привлечением известных уравнений кинетики коагуляции коллоидных систем безотносительно механизма и реально наблюдаемых картин формирования Т-кристаллов [96,285,286], т.е. без учета совокупности процессов, протекающих при образовании и росте эмульсионных Т-кристаллов.

Модели, претендующие на описание формирования Т-кристаллов по диффузионно-ионному механизму [85-87] так же, по признанию авторов, носят только качественный характер и, кроме того, рассматривают процесс в узком интервале параметров, т.е. имеют характер регрессионных.

Таким образом, к настоящему времени не существует как единого мнения о механизме образования и роста Т-кристаллов галогенидов серебра, так и ни одной модели, позволяющей хотя бы полуколичественно оценить влияние различных факторов на эти процессы. Наиболее целесообразным подходом на настоящем этапе развития знаний является, вероятно, разработка феноменологической модели [277], объясняющей на основе широкого круга экспериментальных данных процессы, протекающие при формировании Т-кристаллов, и позволяющей прогнозировать влияние изменений параметров процесса на изменение дисперсионных и кристаллографических характеристик Т-кристаллов. Следует, однако, отметить, что и в этом случае прогностические возможности могут быть с большим успехом использованы для процессов получения Т-кристаллов методом ФС МЗЭ нежели для процессов двухструйной кристаллизации. Это связано прежде всего со стабильностью параметров исходных МЗЭ. При двухструйной кристаллизации проявляются осложнения гидродинамического характера - эффективность перемешивания, наличие застойных зон и градиентов концентрации в объеме реактора, точность дозирования реагентов и поддержания величины pAg и рН и др. Тем не менее, отчетливое представление процессов, протекающих при формировании Т-кристаллов, и знание основных эмпирических закономерностей влияния различных факторов на результат кристаллизации в настоящее время представляется чрезвычайно важным, позволит существенно сократить затраты времени и средств при разработке способов изготовления фотографических эмульсий с Т-кристаллами. Автор полагает, что представленные в данной главе экспериментальные результаты и их обсуждение позволят в достаточной мере полно представить процесс формирования эмульсионных Т-кристаллов галогенидов серебра и влияние на него различных факторов.

Представленные в главе 3 экспериментальные результаты позволяют утверждать, что для получения дисперсионно и кристаллографически однородных эмульсий с Т-кристаллами предпочтительным является метод ФС МЗЭ или сочетание его с методом КДК. В случае использования комплексного метода на первой стадии (при формировании плоских зародышей) должен быть использован метод ФС с целью создания дисперсионно однородных зародышевых Т-кристаллов. Дальнейший рост кристаллов до нужного размера может быть осуществлен методом КДК. Использование такого способа изготовления эмульсионных Т-кристаллов позволяет использовать преимущества обоих методов - возможность получения высокооднородных эмульсий, характерную для метода ФС, и высокую технологичность метода КДК. Особенно привлекателен и эффективен такой способ синтеза для получения T-L-кристаллов -однородные ядровые Т-кристаллы следует получать методом ФС МЗЭ, а наращивание латеральной оболочки возможно осуществлять методом КДК.

ГЛАВА 4. РОЛЬ СОСТАВА И СТРОЕНИЯ МИКРОКРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА В ФОРМИРОВАНИИ ФОТОГРАФИЧЕСКИХ СВОЙСТВ 4.1 Влияние строения и состава Т-кристаллов на фотографические свойства эмульсионных слоев Практическим следствием результатов исследований «гетероконтактных систем» на основе галогенидов серебра (гл.1) являются представления об эффективной «конструкции» Т-кристаллов с латеральными оболочками (рис.4.1). Результаты, представленные в гл.З, делают возможным синтез фотографических эмульсий с такими кристаллами, характеризующимися высокой кристаллографической однородностью.

Согласно этой «конструкции» фотоэлектроны транслируются на ядро Т-Ln- кристалла, а фотодырки на наружные оболочки. Важным в научном и практическом отношениях является вопрос о градиенте концентрации иодида в бромиде серебра от ядра к наружной оболочке - какова величина этого градиента и каковы геометрические размеры каждой из латеральных оболочек, и будет ли работоспособной система с непрерывным (а не ступенчатым) увеличением концентрации иодида от центра к периферии Т-кристаллов?

4.1.1. Влияние строения и состава Т-кристаллов на топографию фотолитического серебра и сенситометрические характеристики эмульсий Следует отметить, что уже первые эксперименты по исследованию методом оптической микроскопии Т-кристаллов AgBr с латеральными оболочками AgBrxIix привели нас к удивительному наблюдению: после фоновой засветки фотолитическое серебро видимого почернения наблюдается на тех участках T-Ln, где минимально содержание иодида в бромиде серебра. В дальнейших исследованиях это наблюдение многократно повторялось и было положено в основу одного из методов идентификации структуры T-Ln. Для иллюстрации сказанного приведен ряд оптических микрофотографий (рис.4.2).

Эти микрофотографии показывают, что фотолитическое серебро откладывается на участках чистого бромида серебра. С другой стороны, если до фоновой засветки растворить ядро AgBr (см.рис.4.2е и 4.2ж), а затем подвергнуть такой кристалл фоновой засветке, то фотолитическое серебро откладывается уже не на ядре, а на ближайшей оболочке с минимальным содержанием иодида. Мы полагаем, что эти наблюдения подтверждают зонную схему (рис. 1.7). Интересно заметить, что разработанные здесь методы автодекорирования T-Ln и дифференциального растворения ядер AgBr можно применить для исследования неизвестных структур МК. В качестве примера можно привести идентификацию структур Т-кристаллов фотопленок Т-Мах 400 и Т-Мах Р3200, выпущенных на рынок фирмой Истмен Кодак. На рис. 4.3 приведен пример такой идентификации. Рис.4.5 показывает, что Т-кристаллы пленки Т-Мах Р3200 имеют структуру T-L , хотя технология этих и других пленок Кодак на основе Т-кристаллов производителем не раскрывается.

Различие в электрохимических потенциалах латеральных оболочек является движущей силой для трансляции зарядов. Необходимо ответить на вопрос: каков минимальный градиент этого потенциала или, иными словами, каков минимальный градиент концентрации иодида в бромиде серебра, необходимый и достаточный для создания системы T-Ln с эффективной направленной трансляцией носителей заряда.

С этой целью были проведены следующие эксперименты. Была синтезирована серия фотографических T-Ln - эмульсий, в которой Т-ядра, состоящие из чистого бромида серебра, были одинакового размера - 1,5 мкм; олочки также были одинакового размера - средний размер оболочек

Ряс.4.2. Оптические шкрофотогрвфии Ш: а - Т-крш5тал-лн AgBr; б - Т- L * -AgBr/AgBr о,96*0,04; Е ~ г0 же после растворенья AgBr; г - Т-Ь^-АдВг/

А9Ь1л0)9610)04/А3Бг0,9210108; Д " то после растЕореляя АдВг; е - T-L д-АдВг/АдВгq ^gglд ^

АдВг/АдБГд o21q qq; ж - то же после растворения АдВ ; з - Т-Ц-АдВгп9в1п Г)Л/АдБг х5000 составлял 0,5 мкм, но с варьируемым от 0,1 до 4 мол % содержанием Agl. Синтезированные таким образом T-Ln - кристаллы исследовались методом автодекорирования фоновой засветкой. На рис. 4.4 приведены некоторые из оптических микрофотографий T-L| - кристаллов, полученных в этой серии экспериментов.

Как видно, эффект концентрирования видимого изображения наблюдается, начиная с концентрации иодида в оболочке 1 мол %, а при концентрации 2 мол % иодида и выше наблюдается стабильный эффект концентрирования видимого изображения на ядре. Эти наблюдения дают основания полагать, что минимальный градиент концентрации иодида, необходимый для осуществления направленного концентрирования, составляет примерно 2 мол %. В соответствии с энергетическими характеристиками AgBrxI|„x , приведенными в гл.1 можно построить графическую зависимость относительного изменения уровня дна зоны проводимости AgBrxI|.x от содержания иодида, которая приведена на рис.4.5. Как следует из этого рисунка, порог направленной трансляции (ПНТ) фотоэлектронов составляет 0,03 эВ, т.е. он должен быть выше величины кТ (кТ298 = 0,02 67 эВ). Рис.4.5 демонстрирует пороги направленной трансляции для Цтых латеральных оболочек. Таким образом, с определенными допущениями, каждая последующая оболочка должна отличаться по содержанию иодида от предыдущей оболочки не менее, чем на 2 мол %.

Очевидно на эффективность процесса концентрирования скрытого изображения будут оказывать влияние геометрические размеры оболочек. Для установления зависимости эффективности концентрирования изображения на ядре от размера оболочек были поставлены следующие эксперименты. Была синтезирована серия T-Lj - эмульсий, отличающихся размером латеральных оболочек. Размер AgBr Т-ядра во всех эмульсиях этой серии был одинаков и составлял 1,5 мкм. Размер AgBr0,96b,04 оболочек

Pzc.4.4. Г;1 .крофотогоафли l-'L -j -кристаллэр. Для всех Ж Т-ялро AgBr : a - L ^ A9B)1o,999!Q,001; 4 -Ь1А9Ы0)39810)002; Е - U 1-а9ВрО,995ТQ, г я -Lr AgBrU)98!0}02 ; е -ЦАдБг' х 6000 варьировался от 0,5 до 2,0 мкм. Синтезированные таким образом T-Lj -кристаллы исследовались методом автодекорирования фоновой засветкой. Обнаружено, что при размерах латеральной оболочки более 1,5 мкм наблюдается возникновение дополнительной области отложения дополнительного серебра, что демонстрируется рис.4.6. Таким образом, максимальный размер латеральной оболочки при градиенте концентрации иодида 4 мол % составляет 1,5 мкм. Можно полагать, что для эффективного концентрирования скрытого изображения предельный размер L -оболочки должен быть меньше.

Эффект возникновения дополнительной области отложения фотолитического серебра может наблюдаться и при средних размерах L -оболочек менее 1,5 мкм для популяции кристаллов, имеющих по каким-либо причинам оболочку, увеличенную по сравнению со средней величиной.

Более или менее идеальные модели T-Ln - кристаллов далеки от реальных структур в случае, если кристаллизацию каждой последующей оболочки проводить в отдельную стадию. Известно [107,287,288], что поверхность бромидосеребряных МК, синтезированных двухструнным методом в избытке ионов галогена, обогащена иодидом, как это показано на рис.4.7 для кристаллизации однородных кубических МК. Здесь CrSur -поверхностная концентрация иодида, определенная методом ЭСХА, CrSo1 -концентрация иодида в растворе, подаваемом в кристаллизатор. Однако, если кристаллизацию осуществлять в избытке ионов серебра, то задаваемая и обнаруживаемая на поверхности МК концентрация иодида совпадают.

В работе [287] дано следующее объяснение наблюдаемым явлениям. После завершения зародышеобоазования дальнейшая кристаллизация смешанного бромиодида в этой открытой системе протекает в установившихся условиях так, что иодид распределяется равномерно по объему МК в соответствии с его мольной долей в растворе. Однако, как ntilm 4 owjwtcn ПНТм 2ШК>Ш ПМГт £ ntiJ^ 1 ошгш r- У

Cr.mt X

Рло.4.Ь. Относительное чзмвнвнкф энергетического уровня дна зоны провод шостл /А » / Aqbr Л ^ пом варьирОЕаням величины к а б в

Р '.с.4,6. ivi"] к о о Ф о т о грэ й 1 ш T-L ^-кристаллов после фоновой засветки: а - размер L -- 0,5 мкм; 6 - 1,5 мкм; в - 2,0 мкм. х2500; только прекращается подача реагентов на кристаллизацию и система становится закрытой, избыточный иодид, содержащийся в виде ионов или мелких неравновесных зародышей, высаживается на поверхности МК. Таким образом создается обогащенная иодидом поверхностная зона.

При кристаллизации T-Ln - кристаллов, если она осуществляется с остановкой процесса кристаллизации перед наращиванием каждой последующей оболочки, наблюдаются аналогичные явления, т.е. на границах между оболочками образуются зоны с повышенным содержанием иодида в бромиде серебра. На рис.4.8 представлены схемы реального распределения иодида в T-Ln- кристаллах при описанной прерывистой кристаллизации.

Следует заметить, что обогащение поверхности иодидом обнаружено Ламом, Палмстромом, Таном и Майером [289] также и для плоских микрокристаллов бромиодида серебра, полученных из расплавов.

Таким образом, синтез T-Ln - кристаллов необходимо осуществлять в одну стадию без остановки процесса, что значительно сужает возможности синтеза.

В связи с этим была проведена серия экспериментов, в которой были синтезированы Т-кристаллы, содержащие ядро AgBr и оболочку с непрерывным (безступенчатым) увеличением концентрации иодида от 0,0 до 2, 4, 8 мол %. На рис.4.9 представлены микрофотографии некоторых из полученных таким образом Т-кристаллов,

Исследования эффективности концентрирования видимого изображения в таких системах показало, что основные закономерности, установленные для T-Ln - кристаллов, сохраняются и для Т-кристаллов с непрерывным увеличением концентрации иодида в оболочке.

Таким образом, следует приити к заключению, что — кристаллы представляют удобную модель для исследования фотопроцесса в подобных гетероконтактных системах, однако более технологичным представляется

ПОВЕРХНОСТЬ ПОВЕРХНОСТЬ

Ряс, 4.8. Реальная структура T-L o /схема/ - а; реальное распределение иоляла - б в с.4.9 :>1икрофотографии Т-кристадлор с непрерывно уведогеивагацейся конпентраиаей яолдда в оболочке до : 8-2 [ЛОЛ %; 6 - 4 иол %\ е -в мол % . Х4000 процесс непрерывной кристаллизации с безступенчатым увеличением концентрации иодида. Кроме того, установлено, что непрерывный безступенчатый процесс кристаллизации позволяет варьировать размеры бромсеребряных Т-ядер в значительно более широких пределах, чем ступенчатый процесс. Практически достижимый минимальный линейный размер ядер составлял 0,25 мкм, а максимальный линейный размер ядер не ограничен этим способом синтеза. На рис.4.10 приведены микрофотографии некоторых МК, полученных непрерывным методом с безступенчатым увеличением концентрации иодида.

Представляло интерес исследовать сенситометрические характеристики T-Ln - систем и их взаимосвязь с элементами структуры T-Ln . Эту работу стимулировали результаты, полученные на этапе предварительного сравнения сенситометрических характеристик AgBr и AgBr(I) Т-кристаллов обычной структуры и T-Ln - кристаллов. Были синтезированы Т-кристаллы AgBr(I) с равномерным распределением иодида (Сг — 0,5 мол %) по оптимизированной методике, изложенной в [290]. Дисперсионные характеристики этой эмульсии: dT — 2,0мкм; Cv = 55%; ST = 98%; h = 0,11мкм. С другой стороны, была синтезирована фотографическая эмульсия с T-L} -кристаллами по оптимизированной по предварительным результатам методике. Дисперсионные характеристики T-L] : dj-L = 2,1мкм; dT = 1,3мкм; Cv = 58%; ST = 94%; h = ОДХмкм. Состав T-Lt: Т- AgBr; L, - AgBr0,%Io,o4 • Обе эмульсии были подвергнуты химической (S + Аи) сенсибилизации и нанесены на полиэтилентерфталатную подложку с одинаковым наносом 5,0г Ag/м2. Высушенные слои были подвергнуты сенситометрическим испытаниям при использовании проявителя УП-2. На рис.4.1 1 представлены типичные характеристические кривые для этих двух типов эмульсий.

На рис.4.11 видно, что светочувствительность по малым критериям (D0 ж в г

Р .с.4.10. fv'iнкрофотэграумк Т-краст а лло в с непрернеi:ым ув ел я че гщем к оiдте н? папии .и о.ип ^е е о б олочке до 4 мол й a - Т-ядпо А дБ г d - 0,3 мкм; б - Т-яцро Agbr1 d »1,5 мкм; в,г - соответственно а и б - после дяфферентша -льного растворения ядер. х 5000 0,1 и D0 + 0,2) T-L] значительно (в 5-8 раз) превышает светочувствительность Т-кристаллов с равномерным распределением иодида. Однако максимальные плотности для T-Li - кристаллов существенно ниже, чем для Т-кристаллов, если предположить, что в случае Т- L-MK проявляются только Т-ядра, то максимальная плотность действительно пропорциональна массе галогенида серебра Т-ядер.

Очевидно, что сенситометрические характеристики будут зависеть от размера Т-ядер и от соотношения размеров ядер и оболочек. В связи с этим были предприняты исследования закономерностей формирования сенситометрических характеристик в T-Ln - системах и их взаимосвязи с элементами структуры T-Ln . Была синтезирована серия фотографических эмульсий с T-Li - кристаллами, имеющими равные конечные размеры Т-Lj, и различные размеры Т-ядер, основные характеристики которых приведены в табл.4.1.

1. Пат. №4063951 (США) / Bogg T.J. опубл. 1977.

2. Пат. № 1520976 (Великобритания) /Maternaghan T.J. опубл. 1980.

3. Research Disclosure, 1983, No 225, p.20-58.

4. Research Disclosure, 1983, No 232, p.261-264.

5. Пат. №4439520 (США) / Kofron J.T. et al. опубл. 1984.

6. Пат. №4434226(США) / Wilgus H.S. Haefner J.A. опубл. 1984.

7. Пат. №4414310 (США) / Daubendiek R.L., Strong R.W. опубл. 1983.

8. Пат. №2110831А (Великобритания) / Daubendiek R.L. et al. опубл. 1983.

9. Пат. №3241642 (ФРГ) / Jones C.G., Hill C.O. опубл. 1983.

10. Пат. №4386156 (США) / Wignot G.E. опубл. 1983.

11. Пат. №4414304 (США) / Dickerson R.E. опубл. 1983.

12. Пат. №4425426 (США) / Abbot Т.J., Jones C.G. опубл. 1984.

13. Пат. №4411986 (США) / Abbot Т.J., Jones C.G. опубл. 1983.

14. Бреслав Ю.А., Пейсахов В.В., Каплун Л.Я. Синтез и свойства Т-кристаллов. Обзорн.инф.ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТ М., НИИТЭХИМ (химико-фотографическая пром.) 1986.

15. Котов А.Г., Силаев Е.А., Лиев А.Х. Изучение плоских микрокристаллов фотографических эмульсий оптическим методом./ Международн. Симп. «Актуальные вопросы физики и химии фотографических процессов», Тбидиси, 1984, с.63-65.

16. Котов А.Г., Силаев Е.А. Модель образования плоских эмульсионных микрокристаллов галогенида серебра./ Успехи научн. фотографии, 1986, т.24, с.47-68.

17. Бреслав Ю.А., Пейсахов В.В. Композиционные светочувствительные системы. I Эпитаксиальные микрокристаллы галогенидов серебра./ ЖниПФиК, 1985, т.ЗО, №2, с. 150-157.

18. Пейсахов В.В., Бреслав Ю.А., Кураш В.В. Исследование кристаллизации иодида серебра в водных растворах желатины./ Сб.научн.трудов, «Госниихимфотопроект», 1985, с.8-17.

19. Пейсахов В.В., Шварцер О.Н. Синтез плоских микрокристаллов галогенидов серебра эпитаксиальным методом./ Конф. молодых специалистов «Исследования в области химико-фотографическойнауки и практики», Казань, 1984, с.3-4.

20. Бреслав Ю.А., Пейсахов В.В., Каплун Л.Я., Андреянов В.В. Механизм образования и свойства Т-кристаллов./ Международн.симп. «Актуальные вопросы физики и химии фотографических процессов», Тбилиси, 1984, с.8-10.

21. Сашин А.Г., Уварова Н.В. Особенности процесса перекристаллизации плоских кристаллов галогенидов серебра./ Всесоюзная конференция «Физические процессы в светочувствительных системах на основе солей серебра», Кемерово, 1986, с.89.

22. Пат. №0228256(А2)(ЕПВ) / Maskasky J.E. опубл. 1986.

23. Пат. №0227444(А2)(ЕПВ) / Maskasky J.E. опубл. 1986.

24. Maskasky J.E. A Comparision of Oxidized and Nonoxidized Gelatins Silver Ion Binding./ J.Imad.Sci., 1989, v.33, No 1, p.10.

25. Пат. №4713320 (США) / Maskasky J.E. опубл. 1987.

26. Марянина E.B. Исследование и разработка технологии адсорбционной очистки фотографических желатин сорбентами, импрегнированными бромидом серебра./ Автореферат диссерт. Канд.техн.наук, Москва 1997.

27. Пат. №4284717 (США) / Fuji Poto Film Со Ltd. опубл. 1981.

28. Пат. №4631253 (США) / Fuji Poto Film Со Ltd. опубл. 1986.

29. Moll F.J. Oxidation of Gelatin.| J.Photogr. Sci., 1989, v.37, No 1, p.14.

30. Пат. №4720452 (США) / Fuji Poto Film Co Ltd. опубл. 1984.

31. Пат. №4469783 (США) / Fuji Poto Film Co Ltd. опубл. 1984.

32. Пат. №4183756 (США) / Fuji Poto Film Co Ltd. опубл. 1979.

33. Пат. №4332887 (США) / Gerber R. опубл. 1982.

34. Пат. №3271157 (США) / Fuji Poto Film Co Ltd. опубл. 1966.

35. Пат. №3574628 (США) / Fuji Poto Film Co Ltd. опубл. 1971.

36. Пат. №3727313 (США) / Fuji Poto Film Co Ltd. опубл. 1973.

37. Пат. №4469784 (США) / Fuji Poto Film Co Ltd. опубл. 1984.

38. Пат. №4477565 (США) / Polaroid Corp. опубл. 1984.

39. Пат. №4497895 (США) / Fuji Poto Film Co Ltd. опубл. 1984.

40. Пат. №4309501 (США) / Huguenard A.P., Favre M.J. опубл. 1982.51 .Пат. №4336328 (США) / Brown B.M., Judd M.V., Shindler R.N. опубл. 1982.

41. Пат. №4758505 (США) / Hoffman К. опубл. 1988.

42. Пат. №4334012 (США) / Mignot G.E. опубл. 1982.

43. Пат. №4801523 (США) / Tufano Т. опубл. 1989.

44. Пат. №4713323 (США) / Maskasky J. опубл. 1987.

45. Пат. №5035992 (США) / Houl W., Tufano Т. опубл. 1991.

46. Пат. №4804621 (США) / Tufano Т.- опубл. 1989.

47. Пат. №4783398 (США) / Takada S.- опубл. 1988.

48. Пат. №440064 (США) / Maskasky J.- опубл. 1989.

49. Пат. №5176992 (США) / Maskasky J.- опубл. 1993. 61 .Пат. №5178997 (США) / Maskasky J.- опубл. 1993.

50. Пат. №5320938 (США) / House G.- опубл. 1994.

51. Пат. №5498511 (США) / Iamashina Set.al.- опубл. 1996.64.0hzeki К., Urabe S., Tani Т. A Stady of Proporties of Tabular Silver Bromide Grains./J.Imag.Sci., 1990, v.34, No4, p. 136-142.

52. Пат. №4879208 (США) / S.Urabe опубл. 1989.

53. Канторович В.Д. Разработка основ синтеза и свойствамикрокристаллов галогенидов серебра фотографических эмульсий типа «ядро-оболочка»./ Дисс. . канд. хим. наук, Москва, 1989.

54. Пат. №4693964 (США) / R.L. Daubendiek, G.L.House, T.R.Gersey -опубл. 15.09.87.

55. Пат. №4797354 (США) /M.Saitou, S.Urabe, K.Ozeki опубл. 10.01.89.

56. Пат. №4755456 (США) / T.Sugimoto опубл. 05.07.88.

57. Медведева А.В., Котов А.Г. Экспериментальный выбор условий физического созревания и роста ПМК с минимальными изменениями распределения кристаллов по размерам./ ЖНиПФ, 2000, т.45, №1 с.З-13.

58. Медведева А.В. Образование зародышей плоских микрокристаллов бромида серебра в неравновесных условиях двухструйной кристаллизации./ Автореферат дисс. . канд. хим. наук, Москва, 2000.

59. Пат. №5045443 (США) / S.Urabe опубл. 03.09.91.

60. Пат. №4945037 (США) / M.Saitou опубл. 31.07.91.

61. Пат. №4971884 (США) / S.Yamamoto опубл. 20.11.90.

62. Пат. №5057409 (США) / Y.Suga опубл. 15.10.91.

63. Пат. №5068173(США) / H.Takehara, H.Ikeda опубл. 26.11.92.

64. Пат. №4352874 (США) / Land et al опубл. 05.10.82.

65. Пат. №4356257 (США) / Gerber опубл. 26.10.82.

66. Пат. №4359526 (США) / V.K.Walworth опубл. 16.11.82.

67. Пат. №4663274 (США) / W.D.Slafer, V.K.Walworth опубл. 05.05.87.

68. Пат. №5004679 (США) / H.Mifune, S.Urabe опубл. 02.04.91.

69. Бричкин С.Б., Разумов В.Ф., Алфимов М.В. Механизм образования и роста плоских эмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра./ ЖНиПФ, 1992, т.37, №2 с. 165-172.

70. Karpinsky Р.Н., Wey J.S. Kinetics of lateral growth of AgBr tabular crystals./ J.Imag.Sci., 1987, v.32, p.34-39.

71. Sugimoto T. Growth mechanism and size distribution of AgBr tabular grains./ J.Photogr.Sci. and Eng., 1984, v.28, p.137-145.

72. Sugimoto T. Consideration on growth mechanism and size distribution of AgBr tabular grains./ J.Imag.Sci., 1989, v.33, p.203-205.

73. Mehta R.V., Jagarnothan R., Timmons J.A. Insights into growth mechanism of silver halide tabular crystals: Cubo-octahedral side faces./ J.Imag.Sci., 1993, v.37, p.107-116.

74. Mehta R.V., Jagarnothan R., Timmons J.A. Insights into growth mechanism of silver halide tabular crystals: Further consideration of postprecipitation effects and therough-smooth twin structure./ J.Imag.Sci., 1996, v.40, p.77-78.

75. Пат. №4879208(США) / S.Urabe опубл. 1989.

76. Пат. №5035991 (США) / Thikawa Y. et al. опубл. 1991.

77. Samuel Chen, S.Jagannathan, R.V.Mehta, R. Jagannathan, A.E.Tadde. Direct Observation on Stacking Fault Structure in (111) Tabular Silver Halide Grains by Hiigh Resolution Electron Microscopy./ Int. Symp. on Silver Halide imaging, 1997, Vancouver, p.57.

78. D.Bollen, G.Bogels, T.M.Pot, H.Meekes, P.Bennema. New Insights in the Substep Mechanism of Twinned AgBr Crystals./ Int. Symp. on Silver Halide imaging, 1997, Vancouver, p.27-30.

79. H.Soijo, T.Isshiki, M.Shigiri. Electron Microscope Study of Gelatin

80. Adsorbed on AgBr Emulsion Crystal Surfase./ J. Of Imag. Sci and Techn., v.37, No3, 1993, p.314-317.

81. Sugimoto Т., Iamaguehi G. Contact Recrystallization of Silver Halide Microcrystals in solution./ J. of Crystal Growth, v.34, 1976, p.253-262.

82. E.Terentev, S.Shamilova, A Coalescent Model of a tabular crystals growth./ IS&T/s 48th Annual Conference, 1995, Washington, p.263-265.

83. E.Terentev, Basalaev Yu. A Role of The Electrostatic Charge In a tabular crystals coalescent growth./ Int. Symp. on Silver Halide imaging, 1997, Vancouver, p.61-63.

84. Larichev T. And Kagakin E. On Mechanism of Nucleation and Grwth of the AgHal T-cristals./ IS&T/s 48th Annual Conference, 1995, Washington, p.281-282.

85. Antoniades M.G. The Effect of Coalescence on AgBr Tabular Grain Formation./ IS&T/s 48th Annual Conference, 1995, Washington, p.285-287.

86. Каплун Л.Я., Богомолов К.С., Груз Э.А. Влияние pAg на коллоидную стабильность особомелкозернистых галогенсеребряных эмульсий./ ЖНиПФ, 1980, т.25, №2 с. 107-111.

87. J.S.Wey, M.J.Schad, Ostwald Ripeing of AgBr Crystals in Gelatin Solution./ J.Imag. Sci., v.30., 1986, No5, p.193-197.

88. Прусс Х.И. Рассеяние света в эмульсионных слоях и их разрешающая способность./ Успехи научнюфотографии, 1964, т.10, с.235-242.

89. Tani Т. Factors Influensing Photographic Sensitivity./ J. Soc. Photogr. Sci. and Technol. Japan, v.43, p.335-346.

90. Sowinski A.F., Wightman P.J. Minimizing Photographic Sensitivity to Environmtntal Radiation by controlling Silver Halide Emulsion Morphology./ J.Imag. Sci., 1987, v.31., No4, p. 162.

91. Saunders V.I., Lovell S.P. Adsorption and Orientation of Cyanine Dyes on AgBr Single Crystals./ Intern. Congr. Of Photogr. Sci., Rochester, 1978, p.163-165.

92. Канторович В. Д. Разработка основ синтеза и свойства микрокристаллов галогенидов серебра фотографических эмульсий типа «ядро-оболочка»./ Дис. .канд.хим.наук, Москва, 1989.

93. Бреслав Ю.А., Канторович В. Д., Злотопольская Н.К. Экспериментальное определение длины пробега электронов в микрокристаллах бромида серебра./ ЖНиПФ, 1988, т.ЗЗ, №2 с.119-123.

94. Granzer F., Kricsanowits R., Mossig Th. Heterojunction in Silver Halide systems./ Intern. Congr. Of Photogr. Sci., Koln, 1986, p.273-280.

95. Бреслав Ю.Ф., Ушанов Г.Г., Морозов В.П., Пейсахов В.В. Фотографические эмульсии ядро-оболочка: проблемы и перспективы./ Всесоюзная конференция «Физические процессы в светочувствительных системах на основе солей серебра», Кемерово, 1986, с.8-10.

96. Breslav Yu.A., Kolesnikov L.V. Surfase Properties of AgHal Real Emulsion microcrystals./ Intern. Symp. on Imag. Systems, Dresden, 1989, p.29.

97. Lohman J. New Trends in AgHal Photography./ Intern. Congr. Of Photogr. Sci., Koln, 1986, p.3.

98. Maskasky J.E. An Enhanced Understanding of Silver Halide Tabular

99. Grain Growth./ Intern. Congr. Of Photogr. Sci., Koln, 1986, p.80.

100. Gao X.L., King M.A., Van Vooreng J., Gijbels R., Gilliams I., Kelchtermans M. Halide Compositional and Distributional Analysis of Iodide-Converted Silver Bromide Microcrystals by SIMS and STEM-EDX./ Intern. Congr. Of Photogr. Sci., Koln, 1986, p. 146.

101. Hu P., Huang D. A Study of the Distribution of Latent Imag in Core-Shell Emulsion Grains./ Intern. Congr. Of Photogr. Sci., Koln, 1986, p.150.

102. Пат. №4444877 (США) / Koitabashi Т., Malsuzaka S. опубл. 1984.

103. Shmidt W.A. Selective Etching of the Surfase of AgBr/AglBr Tabular Emulsion Grains./ II East-West Symp., Hawii, 1988, с 53.

104. Shigeharu U., Katsushisa O. Tani T. A Stady on Structure of Tabular Silver Bromide Grais./ II East-West Symp., Hawii, 1988, с 58.

105. Nakayama Т., Othani H., Matsuzaka S. Carrier Separation in Multistructure Crystals./ II East-West Symp., Hawii, 1988, с 85.

106. Пат. №4433048 (США) / Solberg J.C., Piggin R.H., Wilgus H.S. -опубл. 1984.

107. Пат. №654118(A5) (Швейцария) / Solberg J.C., Wilgus H.S. -опубл. 1986.

108. Пат. №4400463 (США) / Maskasky J.E. опубл. 1983.

109. Пат. №4435501 (США) / Maskasky J.E. опубл. 1984.

110. Пат. №3342605 (США) / McCrossen et al. опубл. 1967.

111. Пат. №3415650 (США) / Freme et al. опубл. 1968.

112. Пат. №3785777 (США) / Porter et al. опубл. 1974.

113. Пат. №4147551 (США) / Finnicum et al. опубл. 1979.

114. Пат. №4171224 (США) / Verhille et al. опубл. 1979.

115. Пат. №2022431 (А) (Великобритания) / Calamur опубл. 1980.

116. Пат. №2555364 (ФРГ) / Saito et al. опубл. 1976.

117. Пат. №2556885 (ФРГ) / Saito et al. опубл. 1976.

118. Пат. №3326641 (США) / Audran et al. опубл. 1967.

119. Goldstein J.I., Wiliams D.B. X-rai Analisis in the TEM/STEM. / Scanning Electron Microscopy, 1997, v.l, p.651.

120. Джеймс T.X. Теория фотографического процесса: Пер. с англ. Под ред. А.Л.Картужанского 4-е изд. Д.: Химия, 1980. 672с.

121. Mitchell J.V. The Concentration Process in the Formation of Development Centres in Silver Halide Microcrystalls. / J.Phot. Sci., 1983, v.37, p.148-157.

122. Mitchell J.V. Quantitative Aspects of the Concentration Theorie of Latent Image Formation. / J. of Soc. of Phot. Sci. and Technol. of Japan, 1985, v.48, №3, p.191-204.

123. Mitchell J.V. Elementary Processes in the Concentration Theory of Latent Imsge Formation. / J. Imag. Sci., 1987, №1, p. 1-7.

124. Mitchell J.V. The positively charged latentimege accepton and concentration center. / J. Imag. Sci., 1990, v.34, №4, p.l 13-117.

125. Mitchell J.V. Chemical sensitization and latent image formation a historical perspective. / J. Imag. Sci., 1989, v.33, №4, p.103-113.

126. Hamilton J.F. The silver halide photographic process./ Adv. Phys., 1998, v.37, №4, p.359-441.

127. Hamilton J.F. Toward a Quantitative Latent-Image Theory. / For presentation at the 1982 JCPS, Cambridge, England, p.33.

128. Moisar E., Granzer F. Formation, Nature, and Action of Sensitivity Centers and Latent Image Specks. Part II. Silvers Nucleation, Fog, and the Relation Grain Size/Speed. / Phot. Sci. and Eng., 1982, v.26, №1, p. 1-14.

129. Савин Н.И. Химико-физическая модель ХС./ ЖниПФиК, 1988, т.ЗЗ, №2, с.141-143.

130. Теоретические исследования химической сенсибилизации ипроцессов образования центров скрытого изображения: Отчет НИР/ Госниихимфотопроект. Рук. Савин Н.И.

131. Бугаенко JI.T., Картужанский A.JI., Рябых С.М., Утехин А.И. О возможности беззарядного роста центров скрытого изображения. / ЖниПФ, 1993, т.38, №3, с.35-40.

132. Spencer Н.Е. and Marchettl А.Р. Do Internal Image Centers in AgBr Emulsions. Trap Holes or Electrons. / J. Imag. Sci., 1985, v.30, №3, p. 111113.

133. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М., Мир, 1980.

134. Чибисов К.В. Фундаментальные принципы фотографического процесса. / ЖНиПФиК, 1988, т.ЗЗ, с.226-238.

135. Галашин Е.А., Федоров Ю.В., Чернов С.Ф. Могут ли кластеры Ag+4 инициировать восстановление эмульсионных зерен? / ЖНиПФиК, 1988, т.ЗЗ, №3, с.216.

136. Галашин Е.А. Механизмы ХС, образования и проявления СИ. / Актуальные вопросы физики и химии фот.процессов, междун.симп., Тбилиси, 1984, с.91-93.

137. Moisar Е. Model calculations on Dispersity Effects of Sensitivity Centres. / J. Jnt. Rec. Mater., 1990, v. 18, №5, p.353-368.

138. Moisar E. A Comparative Study of Latent Image Formation. / J. Phot. Sci., v.13, 1965, p.46-53.

139. Moisar E., Granzer F., Dautrich D. And Palin E. Formation and Properties of Sub-Imag and Latent Image Silver Specks. Part II. The Formation of Silver Specks A Nucleation and Phase Formation. / J. Phot. Sci., v.28, 1980, p.71-82.

140. Berry C.R. Change of Silver Halide Energy Levels with Temperature and Halide Composition. / Phot. Sci. and Eng., 1975, v.19, №2, p.93-95.

141. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрыого фотографического изображенияю. / М.: Наука, 1972 400с.

142. Sonoike S., Jamamoto J. Measurement of Light-induced Optical Absorption in Sensitiztd Silver Halide Crystals. / J. Imag. Sci., 1990, v.34, №5, p.177-181.

143. Чибисов K.B. Природа фотографической чувствительности. / M.: Наука, 1980, 404с.

144. James Т.Н. Chemical Sensitization, Spectral Sensitization, and Latent Image Formation in Silver Halide Photography. / Adv. Photoch., 1986, p.329-425.

145. Granzer F., Pischel B. Electronic and Ionic Properties of Phase Boundaries in Silver Halide. / J. Soc. Phot. Sci. Technol. Japan, 1990, v.53, №2, p.148-157.

146. Matsuzaka S. Properties of Multistructure Crystals. / II East-West Symp., Hawii, 1988, p.-7.

147. Bando S., Shibahara Y., Ishimaru S. Photographic Silver Halide Emulsion Containing Double Structure Grains. / J. Imag. Sci., 1985, v.29, №5, p.193-196.

148. Пат. №4797354 (ФРГ) / Saito M, Urabe S., Ozeki К. опубл. 1989.

149. Милегин И.В. Фотоэмисионное изучение эмульсионных микрокристаллов AgBrxHali„x и типа ядро-оболочка на их основе. / Автореферат дисс. . канд. физ.-мат.наук, Кемерово, 1996.

150. Колесников JI.B. Свойства микрокристаллов галогенидов серебра и контактных систем на их основе. / Автореферат дисс. . доктора физ.-мат.наук, Кемерово, 1997.

151. Колесников JI.B., Милешин И.В., Звиденцова Н.С. Фотоэмисионные свойства однородных и композиционных микрокристаллов галогенидов серебра. / ЖНиПФ, 1999, т.44, №5,с.11-18.

152. Granzer F. Phisical Properties of Phase Bounderies in Silver Halide Cristals in Relation to Photography. / II East-West Symp., Hawii, 1988, p.-1.

153. Титов Ф.В. Влияние ионов Cd(II) на кристаллизацию и свойства плоских микрокристаллов галогенидов серебра гетероконтактного типа. / Дисс. . канд.хим.наук, Кемерово, 1999.

154. Сечкарев Б. А. Кристаллизация и формирование светочквствительности микрокристаллов AgHal различной структуры в фотографическом процессе. / Дисс. . .0^$й.хим.наук, Кемерово, 1999.

155. Кагакин Е.И., Бреслав Ю.А., Ларичев Т.А. Плоские микрокристаллы галогенидов серебра с латеральными оболочками. Организация фотопрцесса в гетероконтактных фотографических элементах. / ЖНиПФ, 1992, т.39, №2.

156. Терентьев Е.Г., Шалимова С.И. Синтез плоских микрокристаллов AgBr(I) гетероконтактного типа и исследование их свойств. / 6-я международн. Конференция Радиационные гетерогенные процессы, Тез. Докл., Кемерово, 1995, ч.2, с. 122.

157. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. / М., Высш. Шк., 1987, с.479.

158. Соминский М.С. Полупроводники. / Л., Наука, 1967, 440с.

159. Bottcher Н., Frob М., Muller В., Winzer A. Model Investigation of Evaporated AgBr/AgCl Layers. / J.Int. Rec. Mats., 1993, v.21, p.127-136/

160. Миз К., Джеймс T.X. Теория фотографического процесса. / Л., Химия. 1973, с.424-425.

161. Maskasky J.E. Epitaxial Selectiv Site Sensitization of Tabular Grain Emulsion. / J. Imag. Sci., 1988, v.32, №4, p. 160.

162. Birch D.C., Farnell G.C., Flint R.B. Sensitivity and Chemical Sensitization of Silver Grain Face of Different Cristallographic Index. / J.

163. Photogr. Sci., 1975, v.23, №6, p.249-256.

164. Moisar E. A Study of Sulphur Sensitization at Defmit Silver Bromide Crystal Faces. / J. Photogr. Sci., 1966, v.14, №4, p.181-184.

165. Hamilton J.F., Brady L.E. Twinning and Growth of Silver Bromide Microcrystals./ J. Appl. Phys., 1964, v.35, No 2, p.414-421.

166. Farnell G.C., Flint R.B., Chanter J.B. Preferred Sites for Latent-Image Formation./J.Photogr. Sci., v. 13, p.25.185. naT.No 4094684 (CIUA)/Maskasky J.E. Опубл. 1978.186. naT.No 4496652 (CIHA)/Haug E.F., Kits R.L., Mickewich D.J., -Опубл. 1985.

167. Пат-No 4463087 (CUIA)/Maskasky J.E. Опубл.1984.188. naT.No 4471050 (CUIA)/Maskasky J.E. Опубл.1984.

168. Cherns D., Stowell M.J. Thin Solid Films, 1975, v.29, p. 107.

169. Джеймс T.X. Теория фотографического процесса./JI., Химия, 1980, 672 с.

170. Platikanova V., Stoicheva R., Malinowski J. Model investigation of the effect of Cd and Си-ions on the photographic process./J. Phot. Sci., No 15, p.29, 1967.

171. Барщевский Б.У., Кондрашкина A.A., Рябова P.B. Влияние соединений свинца и кадмия на свойства светочувствительных материалов./ЖФХ, 1978, No52, с.2406.

172. Толстобров В.И., Нижнер Д.Г., Суворин В.В., Белоус В.М.

173. Влияние поливалентных катионов на огранку и фотографические свойства эмульсионных микрокристаллов./ЖНиПФиК, 1981, т.26, No5, с. 338-343.

174. Денисюк И.Ю., Колесова Т.Б., Акимова И.А. Влияние химических примесей на стабильность центров скрытого изображения в хлорсеребряных эмульсиях./ЖНиПФиК, 1989, т.34, Nol, с. 65-67.

175. Свиридов В.В. Фотохимия и радиационная химия твердых неорганических веществ./Минск, Высшая шк., с. 127-169, 228-238.

176. Горяев М.А. Полупроводниковые свойства фотоматериалов./Успехи научной фотографии, 1986, т. 24, с. 109119.

177. Spoonhower J.P., Marchetti А.Р. Trapped Holes in Silver Halides./J. Phys. Chem. Solids. 1990, v. 51, No7, p.793-804.

178. Отчет НИР. Исследовать способы синтеза фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами и разработать на их основе фотоматериалы. Част П./Госниихимфотопроект. Москва, 1985.

179. Moisar Е. A Stady of Sulphur Sensitization at Defenite Selver Bromide Crystal Faces./J. of Phot. Sci., 1966, v. 14, p.l 81-184.

180. Farnell G.C., Flint R.B. and Chanter J.B. Preferred Sites for Latent-Image Formation./J. of Phot. Sci., 1965, v.13, p.25-31.

181. Birch D.C., Farnell G.C. and Flint R.B. Sensitivity and Cemical Sensitization of Silver Bromide Grain Faces of Different Crystallographic Index./J. of Phot. Sci., 1975, v.23, p.249-256.

182. Федоров Ю.В., Олешко В.П. и др. Исследование топографии образования сульфида серебра на поверхности эмульсионных МК методом аналитической электронной микроскопии./Фотохим. и фотофиз. процессы в галогенидах серебра, Черноголовка, 1991, с.83.

183. Hailstone R.K., Liebert N.B. and Levy M. Development Center Distribution in a AgBr Model Emulsion. 2. Sulfur-Sensitized Versions./J.Imag. Sci., 1989, v.33, No5, p.165-172.

184. Пат. No 4945037 (США)/Saitou M. 0публ.1990.

185. Пат. No 5087037 (США)/Saitou M. Опубл.1992.

186. Zhuang Si Yong. Study of the Propeties of Photographic Emulsion with Varying Iodide Content./ J. Imag. Sci., 1986, v.30, Nol, p. 16-21.

187. Burt J.V. Effect of I- on Interstitial Silver Ions in AgBr(l) Microcrystals./J. Phot. Sci and Eng., 1977, v.21, No5, p. 245-247.

188. Roberts H.E. Reviev of the Factors Relating to Photographic Sensitivity./J. of Imag. Sci., 1985, v.29,No5,p. 175-181.

189. Пат. No 4210450 (США)/СогЬеп L.D. Опубл. 1980.

190. Specer H.E., Atwell R.E., Levy M. Sensitizer Centres: Formation, Proporties, Function and Efficiency./J. Phot. Sci., 1983, v.37, p. 158-168.

191. Moisar E. A Kinetic and Sensitometric Investigation of Sulphur Ripening./J. of Phot. Sci., 1968, v. 16, p. 102-113.

192. Cash D.J. Absorption of Photographic Sulphur Sensitizers to Silver Bromide and Silver Sulphide./J. of Phot. Sci., 1972, v.20, p. 77-80.

193. Spracklen D.M. Silver Sulhide Formation During Thiosulphate Sensitization./J. of Phot. Sci., 1966, v. 14, p. 220-227.

194. Рябых C.M., Картужанский A.JI., Плаченов B.T. К вопросу о механизме образования центров скрытого изображения в галогенидах и псевдогалогенидах серебра./ЖНиПФ, 1993, т.38, Nol, с. 8-19.

195. Спирина Ю.Р., Щайхулина С.А. Новый способ создания светочувствительных ситем на основе Т-кристаллов сложной структуры./6-я Международная конференция "Радиационные гетерогенные процессы", Тез.докл., Кемерово, 1995, с. 111.

196. Протас И.Р. /ЖНиПФиК, 1956, Nol.

197. Бреслав Ю.А. 150 лет классической технологии фотографических эмульсий./ЖНиПФиК, 1989, т.34 , No4, с. 243-253.

198. Сечкарев Б.А., Бреслав Ю.А. Модификация микрокристаллов галогенидов серебра./Обзорн.информ. Госниихимфотопроект, М., НИИТЭХИМ (химико-фотографическая пром.), 1991, 45 с.

199. Сашин А.Г., Уварова Н.В. К вопросу о получении пластинчатых микрокристаллов галогенидов серебра. 1. Влияние условий кристаллизации на дисперсионные характеристики пластинчатых микрокристаллов./ЖНиПФиК, 1987, т.32, No2, с. 141-142.

200. Чибисов К.В. Фотографическое проявление./М., Наука, 1989, 208 с.

201. Миура Т. И др. Исследование механизмов проявления с помощью электронного микроскопа. Пер. С япон./Хихон сясин гаккайси, 1983, т.46, Nol, с.18-22.

202. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация./М., ГИТГЛ, 1953, с.102-103.

203. Кафаров В.В. Основы массопередачи./М., Высш. шк., 1979, 432 с.

204. Козлова О.Г. Рост кристаллов./М., Изд. МГУ, 1967, 238 с.

205. Чибисов К.В. Химия фотографических эмульсий./М., Наука, 1975, с.341.

206. Eggers J. Phisikalische und Chemische Eigenshafeten der Silberhalogenide unddes Silber. Band 1 ./Frankfurt-an-Main, 1968.

207. Базаров И.П. Термодинамика./М., Высш.шк., 1976, c.25-264.

208. Прохоцкий Ю.М. Физическое созревание галогенидосеребряных фотографических эмульсий./ЖНиПФиК, 1963, т.8, No3, с.230-244.

209. Харитонова А.И. Теория двухструйной эмульсификации./ЖНиПФиК, 1983, т.28, No3, с.226-239.

210. Сюч М. Образование и рост кристаллов в фотографических эмульсиях галогенида серебра. Ч.П.Физическое созревание./Перевод No Б-29309, Всесоюзн. Центр переводов, М., 1978.

211. Практикум по коллоидной химии и электронной микроскопии. -под ред. С.С.Воютцкого, Р.М.Панич./М., Химия, 1974, с.32-33.

212. Каплун Л.Я., Богомолов К.С., Груз Э.А. Влияние pAg на коллоидную стабильность особо мелкозернистых галогенсеребряных эмульсий./ЖНиПФиК, 1980, т.25, No2, с.107-111.

213. Журба Ю.И. Краткий справочник по фотографическим процессам и материалам./М., Искусство, 1990, 352 с.

214. Саввин Н.И., Кочетов И.А. и др. Определение продуктов сернистой химической сенсибилизации галогенсеребряной фотографической эмульсии./Пятое Всесоюзн.совещание "Радиационные гетерогенные процессы". Тез.докл., Кемерово, 1990, с.70.

215. Пятницкая И.В., Сухан В.В. Аналитическая химия серебра./М., Наука, 1975, 263 с.

216. Крешков А.П. Основы аналитической химии./М., Химия, 1977,т.2,3.

217. Справочник химика./JI., Химия, 1966, т.», с.125-130.

218. Smith P.M., Martell А.Е. Critical Stability Constants. V/4 Inorganic Complexes./New-Iork, London, 1976, p. 122.

219. Gao X.L., King M.A., Va n Vooreng J., Gijbels R., Gilliams I.,Kelchtermans M. Halide Compositional and Distributional Analysis of Iodide-Converted Silver Bromide Microcrystals by SIMS and STEM-EDX./Intern. Congr. OfPhotogr. Sci., Koln, 1986, p. 146.

220. Hu P., Huang D. A Study of the Distribution of Latent Image in Core-Shell Emulsion Grains./Intern. Congr. OfPhotogr. Sci., Koln, 1986 , p.150.

221. Shmidt W.A. Selective Etching of the Surface of AgBr/AgBrI Tabular Emulsion Grains./l 1 East-West Symp., Hawii, 1988, p.53.

222. Shigeharu U., Katsushisa O., Tani T. A Stady on Structure of Tabular Silver Bromide Grains./l lEast-West Symp., Hawii, 1988, p.58.

223. Nakayama Т., Othani H., Matsuzaka S. Carrier Separation in Multistructure Crystals./l 1 East-West Symp., Hawii, 1988, p.85.

224. Ляликов K.C., Гаева Г.Л. К вопросу о физическом созревании фотографических эмульсий./ЖНиПФиК, 1984, т.29, No3, с.221-223.

225. Сашин А.Г., Уварова Н.В. О получении пластинчатых галогенсеребряных эмульсионных микрокристаллов способом прямой контролируемой эмульсификации ./Актуальные вопросы химии и технологии фотогр.материалов, М., 1986, с. 106-113,

226. Каплун Л.Я., Сергеева И.Т., Бреслав Ю.А. , Андреянов В.В. Получение плоских микрокристаллов галогенидов серебра фотографических эмульсий./Сб. научн. трудов "Фотографические эмульсии и вещества для их получения", М.: Госниихимфотопроект, 1987, с.4-15.

227. Исследовать способы синтеза фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами и разработать на их основе фотоматериалы. Ч. 1 ./Научно-технический отчет Госниихимфотопроекта, М., 1984.

228. Кузнецов В.В. Физическая и коллоидная химия./М., Высш.шк., 1968, с.309.

229. Сечкарев Б.А. Модификация форм роста микрокристаллов галогенидов серебра. Дисс.канд.хим.наук, Кемерово, 1991.

230. Кагакин Е.И., Ларичев Т.А., Просвиркина Е.В. О влиянии SCN-на формирование плоских микрокристаллов AgBr./Международн.конф.''Физико-химическиие процессы в неорганических материалах", Кемерово, 1998, Ч.П,. с. 140-141.

231. Котов А.Г., Медведева А.В. Некоторые данные об образовании плоских микрокристаллов бромида серебра в бункерном реакторе с капельной подачей реагентов./ЖНиПФ,. 2000,т.45, Nol, с.14-33.

232. Щукин Е.Д., Перцов А.В., Мелина Е.А. Коллоидная химия./М., Изд. МГУ, 1986, с.294.

233. Antoniades M.G., Wey J.S. Effect of gelatine on agglomeration of fine AgBr crystals in double-jet precipitation./J. Imag. Sci, 1993, v.37, p.272-280.

234. Antoniades M.G., Wey J.S. Precipitation of fine AgBr crystals in a continuous reactor./J.Imag. Sci, 1992, v.36, p.517-524.

235. Antonniades M.G., Wey J.S. Agglomeration Phenomena in AgX Precipitation in the Presence of Gelatin./Int.Symp.Silver Halide Imag., 1997, Vancouver, Canada, p.31-36.

236. Пат. No 4301241 (США)/M.Saito Опубл. 17.11.81.

237. Дерягин Б.В., Чураев H.B., Муллер В.М./Поверхностные силы, М., Наука, 1985,398 с.

238. Sugimoto Т. Stable Crystal Habits of General Tetradecahedral Microcristals and Monodisperse AgBr Particles./J. Coll. And Interf. Sci., 1983, v.91, Nol, p.51-68.

239. Klein E. Das Losungsgewicht Zwischen den Silberhalogeniden und Halogenionen./Photographische Korrespondenz, 1956, v.92, No9, p.139-148.

240. Iouri Breslav. The Mechanism of Silver Halide Tabular Grain Formation./ IS&T 49th Annual Conference, 1996, Minneapolis, p.33-35.

241. Кухлинг X. Справочник по физике./М., Мир, 1982, 520 с.

242. Кагакин Е.И., Ларичев Т.А. О механизме образования и роста галогенидосеребряных Т-кристаллов./Y 1 Международн.конф."Радиационные и гетерогенные процессы", Кемерово, 1995,4.2, с.31.

243. Мохов А.И., Кагакин Е.И. О влиянии галогенидного состава на растворимость./Тез.докл. на Всесоюз.симпоз."Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра", Черноголовка, 1991, с.24.

244. Рябова М.И. Кристаллизация и химическая сенсибилизация хлорсеребряных фотографических эмульсий./Дисс.канд.хим.наук, Кемерово, 1996.

245. Сотникова Л.В. Галогенсеребряные фотографические эмульсии типа "ядро-оболочка' с глубинными центрами светочувствительности./Дисс.канд.хим.наук, Кемерово, 1998.

246. Oyamada Т., Shiozawa Т., Iamashita S. Anisotropic Growth and Screw Dislocation of {100} Tabular Grains./Int.Symp. Silver Halide Imag., Vancouver, Canada, 1997, p.2-7.

247. Bogels G. And al. Growth Mechanism of Pure AgX {111} and {100} Tabular Crystals Growth from the Vapour Phase./Int.Symp.Silver Halide Imag., Vancouver, Canada, 1997, p. 11-15.

248. Bogels G. Et al. Morphology and Growth Mechanism of Multiplay Twinned AgBr and AgCl Needle Crystals./Int.Congr.Imag.Sci., Antwerpen, Belgium, 1998, p.281.

249. Кагакин Е.И., Титов Ф.В., Просвиркина E.B., Кондратьева Н.В. Плоские кристаллы AgBrxCll-x фотографических эмульсий./Yl Международная конф."Радиационные и гетерогенные процессы", Кемерово, 1995, 4.2, с.ЗЗ.

250. Кагакин Е.И., Ларичев Т.А. Феноменологическая модель образования и роста плоских кристаллов галогенидов серебра./ЖНиПФ, 1999, т.44, No2, с.3-11.

251. Кагакин Е.И., Титов Ф.В., Никитина Т.Н., Просвиркина Е.В. Кристаллизация плоских микрокристаллов AgCl и AgBr(Cl)./Международная конф. "Физико-химические процессы в неорганических материалах", Кемерово, 1998, 4.2, с. 143.

252. Сергеева И.А. Исследование ионной проводимости эмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра методом диэлектрических потерь./Дисс.канд.физ.-мат.наук, Кемерово, 1993.

253. Ларичев Т.А. Создание фотоэмульсионных галогенидосеребряных Т-кристаллов способом перекристаллизации особо мелкозернистых эмульсий./Дисс.канд.хим.наук, Кемерово, 1993.

254. Котов А.Г., Медведева А.В., Киселева И.И., Пяткова А.В.

255. Структура плоских эмульсионных микрокристаллов бромида серебра./ЖНиПФ, 1999, т.44, Nol, с.3-11.

256. Claes F.H., Peelaers W. Crystal Habit Modification of AgBr Caused by Its Environment and the Presence of Foreign Ions./Intern. Congr.Photogr. Sci., Tokyo, 1967.

257. Eggers J. Phisikalische und chemische Eigenscaften der Silberhalogenide und des Silbers. Band 1./Frankfurt am Main, 1968.

258. Endo M., Okaji M. An Empirical Rule to Modify the Crystal Habit of Silver Chlorride to From Tabular Grains in an Emulsion./J.Phot. Sci., 1988, v.36, p.182-188.

259. Mumaw C.T., Haugh E.F. Silver Halide Precipitation Coalescence Processes./J.Imag. Sci., 1986, v.30, No5, p. 198-209.

260. Шайхулина С.А. Кристаллизация и исследование фотографических систем на основе микрокристаллов гетероконтактного типа./Автореф.дисс. канд.хим.наук, Кемерово, 1997.

261. Terentiev E.G., Zvidentsova N.S. et. al. Preparation and Photographic Process in Core Shell and Multi Layers Structure./Intern. Congr. Onlmag. Sistems., Dresden, 1989, p.91.

262. Niedswiecki L.M., Tan Y.T. ISS Depth Profiling of Iodide Distribution in Two Emulsion Sets./J.Photogr. Sci., 1987, v.35, p.155-157.

263. Lam K.W., Tan Y.T., Palmstrom C., Mayer W.J. Rutherford Backsskattering Determination of Iodide Distribution in Ag(Br,I) Sheet Crystal ./J. Photogr. Sci., 1985, v.33, No6, p.219-220.

264. Исследовать способы синтеза фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами и разработать на их основе фотоматериалы./Научно-техн.отчет, 4.2, М., Госниихимфотопроект, 1985.

265. Арнольд Ц.С., Бременер B.C., Стрельникова А.П., Этингер Р.А. О влиянии иодида на проявление многослойных цветных фотоматериалов./Успехи научной фотографии, 1970, X1Y, с. 196-201.

266. Roberts Н.Е. Review of Factors Relating to Photographic Sensitivity/J.of Imag. Sci., 1985, v.29, No5, p.l75-181.

267. Kagakin E.I., Prosvirkina E.V., Larichev T.A., Titov F.B. Influence of Cd (П) Ions on Photoprocess Efficiency in Photoemulsion Heterocontact AgHal Crysstals.//Int. Symp. Onn Silver Halide Imaging, Vancouver, 1997, p.57.

268. Чибисов K.B. Фотографическое проявление ./M., Наука, 1989, с.208.

269. Kagakin E.I., Ananyna M.A., Larichev T.A., Titov F.V. On the Mechanizm of Silver Halides Photographic Emulsions Development./IS&T 49th Annual Conference, Mineapolis, USA, 1996, p. 102-104.

270. Белоус B.M. Люминесцентные исследования процессов, происходящих при ХС галогенсеребряных эмульсий./Успехи науч.фотогр. М., 1989, т.25, с.5-42.

271. Van Doorselaer М.К. Solid State Properties and Photographic ACTIVITY OF Crystalline Ag2S- and (Ag, Ah)2S- specks at the Surface of Silver Halide Crystals./J. Photogr. Sci., 1987, v.35, p.42-48.

272. Катуржанский А.Л., Захаров В.И. и др. Водородная гиперсенсибилизация эмульсий с восстановительной или золотой сенсибилизацией./ЖНиПФиК , 1980, т.25, No2, с. 130.

273. Matsubara Т., Levy М. Electron-Trapping and Hole-Trapping Properties of Latent-Subimage Centers and Reduction Sensitization Centers./J.Imag. Sci., 1988, v.32, No4, p.183-186.

274. Farnell G.C. The Dependence of Maximum Desity on Chemical

275. Sensitization./J. of Phot. Sci., 1980, v.28, p. 145-148.

276. Moisar E. Formation, Nature and action of Sensitivity Centers and Latent Image Specks. Part 1: Chemical Sensitization./Photog.Sci. and Eng., 1981, v.25, No2, p.45-56.

277. Granzer F. Physical Properties of Phase Boundaries in Silver Halide Crystals in Relation to Photography. Part 1. Band Structures of Abrupt Phase Boundaries between Different Silver Halide Crystals./J.Imag. Sci., 1989, v.33, No6, p.207-216.

278. Jun Yue, Tian-tang Yan, Chuan-bao Wang, Bi-xian Peng Study of Iodide Distribution in T-Grains and its Influence on the Light Absorbtion and Electrical Proporties of T-grains./J. Phot. Sci., 1992, v.40, No3, p.76-78.

279. Benes J. Studium der chemischen Goldsensibilisierung von Kernemulsionen./Photographische Korrespondenz, 1961, v.97, No 12, p.182-189.

280. Рабинович B.A., Хавин З.Я. Краткий химический справочник./Л., Химия, 1977, с.66.

281. Спирина Ю.Р. Химическая сенсибилизация Т-кристаллов сложной структуры./Дисс.канд.хим.наук, Кемерово, 1993.

282. Tani Т. Analysis of factor relating to photographic sensitivity./J.Imag. Sci., 1985, v.29, No5, p.175-181.

283. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения./М., Наука, 1972, с. 174.

284. Кагакин Е.И., Спирина Ю.Р. Проявляемость фотографических эмульсий AgHal с микрокристаллами сложного строения и состава./ЖНиПФ, 1993, т.38, No5, с. 1-7.

285. Granzer F. Physical properties of phase boundaries in silver halide crystals in relation to photography. Part 1. Band structures of abrupt phaseboundaries between different silver halide crystals./J. Imag. Sci., 1989, v.33, N06, p.207-216.

286. Кагакин Е.И., Ларичев T.A. Закономерности формирования галогенидосеребряных Т-кристаллов при физическом созревании мелкозернистых эмульсий./ЖНиПФ, 1995, т.40, No2, с.57-59.

287. Кагакин Е.И. Разработка основ синтеза и свойства Т-кристаллов фотографических эмульсий с латеральными оболочками переменного галогенидного состава./Дисс.канд.хим.наук, Москва, 1990, 153 с.

288. Wood H.W. The heats of adsorption of stabilizers and the mechanism of stabilization./J.Phot. Sci., 1966, v.14, p.72-78.

289. Картужанский А.Л., Борин A.B., Иванов В.О. Процессы старения и сохраняемость фотографических материалов./Л., Химия, 1976.

290. Collier S.S. The Production of Fog Centers after Reduction Sensitization by the Addition of Bromide or Thiocyanate./J. Imag. Sci., 1987, v.31, No3, p.135-137.

291. Куракин С.И. кристаллографические аспекты в изучении роста кристаллов и твердофазных структурных превращений в азиде серебра (автореферат дисс.канд.физ.-мат.наук, Кемерово, 1995)

292. Bilz Н. / Cryst. Salt. Def. And Amorph. Mat., 1985, v. 12, p.31.

293. Devlin B.A. Iorish J./J. Phys. Chem. Solids, 1987, v.20, p.705.