Влияние ионов Cd(II) на кристаллизацию и свойства плоских микрокристаллов галогенидов серебра гетероконтактного типа тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Основные направления совершенствования галогенидосеребряных фотоматериалов на основе Т-кристаллов

1.2. Современные способы получения фотографических эмульсий с Т кристаллами и механизм формирования - ПМК

1.3. Влияние примесных ионов металлов на свойства галогенидов серебра

1.3.1. Влияние ионов Сё (II) на физические свойства МК

§На

1.3.2. Влияние примесных ионов металлов на фотографические свойства галогенидов серебра

1.3.2.1. Ионы металлов на стадии получения галогенидосеребряных фотоэмульсий

1.3.2.2. Примесные ионы металлов на стадии экспонирования

1.3.2.3. Примесные ионы металлов и процесс химико-фотографической обработки '

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1. Методы изготовления галогенидосеребряных эмульсий

2.1.1. Изготовление мелкозернистых галогенидосеребряных эмульсий

2.1.2. Методика синтеза фотографических эмульсий с Т- и Т-Ь-кристаллами;

2.2. Методы исследования микрокристаллов

§На

2.2.1. Турбидиметрический метод определения размера мелкодисперсных микрокристаллов

2.2.2. Электронная микроскопия и дисперсионный анализ

2.2.3. Оптическая микроскопия

2.3. Химическая сенсибилизация

2.4. Сенситометрические испытания

2.5. Потенциометрический метод определения содержания кадмия^

2.6 Методика ускоренного старения фотоматериалов

2.7 Химические вещества и реактивы

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА МАССОВОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ А%На\ В ПРИСУТСТВИИ СОЛЕЙ КАДМИЯ

3.1. Определение концентрации примесных ионов кадмия в эмульсионных МК

§На

3.2. Взаимодействие соли кадмия с насыщенным раствором галогенида серебра

3.3. Модификация габитуса микрокристаллов AgBr в присутствии ионов Сс1(П)

3.4. Влияние ионов Сс1(П) на дисперсионные и гранулометрические характеристики Т-кристаллов

3.4.1. Влияние ионов Сс1(П) на формирование Т-Ьп-кристаллов при двухструйной кристаллизации

3.4.2. Влияние ионов Сс1(П) на формирование Т-Ьп-кристаллов методом перекристаллизации мелкозернистых эмульсий

3.5. Влияние анионов на процесс кристаллизации МК

§На в присутствии солей кадмия

ГЛАВА 4. ФОРМИРОВАНИЕ Т-КРИСТАЛЛОВ ^

4.1. Получение хлоридосодержащих Т-кристаллов

4.1.1. Синтез мелкодисперсных МК

§Вг(С1)

4.1.2. Синтез Т-кристаллов AgBr(Cl)

4.2. Феноменологическая модель образования и роста плоских кристаллов галогенидов серебра

ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ИОНОВ КАДМИЯ НА ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ

СВОЙСТВА Т-КРИСТАЛЛОВ А%Яа\

5.1. Сенситометрические характеристики Т-Ьп-кристаллов AgHal допированных ионами Сс1(П)

5.1.1. Влияние ионов Сс1(П) введенных на различных стадиях синтеза на сенситометрические характеристики Т-Ьп-кристаллов

5.1.2.Влияние концентрации примесных ионов Сс1(Н) на сенситометрические характеристики Т-Ьп-кристаллов

5.2. Влияние анионов на фотографические свойства

Т-Ьп-кристаллов AgHal

5.3. Влияние ионов Сё(П) на фотопроцесс в Т-Ьп-кристаллах

§На

5.4. Влияние ионов Сс1(Н) на сохраняемость эмульсионных слоев с

Т-Ьп-кристаллами AgBr/AgBr(I)

5.4. Влияние ионов Сс1(Н) на процессы химико-фотографической обработки эмульсионных слоев с Т-Ьп-кристаллами

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ: Несмотря на интенсивное развитие, особенно в послёднее десятилетие, электронных средств записи оптической информации, галогенсеребряная фотография продолжает оставаться основным способом получения визуальных изображений. Частотно-контрастные характеристики и соотношение чувствительность / разрешающая способность га-логенсеребряных фотографических материалов значительно выше, чем у сопоставимых по себестоимости электронных аналогов. Оптимизировать фотографический процесс в галогенсеребряных фотоматериалах возможно путем использования новых типов эмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра, позволяющих повысить эффективность фотопроцесса за счет уменьшения рассеяния в эмульсионном слое, локализации скрытого изображения и повышения эффективности процессов химико-фотографической обработки материалов. Наибольший эффект достигнут при использовании плоских кристаллов гетероконтактного типа —Т-кристаллов с латеральными оболочками переменного галогенидного состава (T-Ln-кристаллов). С использованием таких микрокристаллов изготовлена самая высокочувствительная черно-белая фотопленка Kodak Т-Мах 3200. Светочувствительность этой пленки при соответствующей химико-фотографической обработке может достигать 50000 ед ASA. Этот эффект достигается за счет локализации скрытого изображения на границе гетероконтакта различных галогенидных фаз с последующей концентрацией образования фотолитического серебра.

Однако, простое варьирование галогенидного состава МК не позволяет полностью использовать потенциальные возможности T-Ln-систем, вследствие энергетических затруднений перехода фотоиндуцированных носителей заряда из одной фазы в другую. Преодоление этого препятствия позволило бы существенно повысить уровень светочувствительности фотографических слоев. Одним из возможных способов преодоления энергетического барьера является допирование зоны гетероперехода примесными ионами. Изучению процессов допирования МК AgHal фотографических эмульсий различными ионами, в т.ч. ионами Сс1(Н) посвящен достаточно широкий круг работ. Отмечено, что при введении ионов Сс1(Н) происходит изменение электрофизических и фотографических свойств МК AgHal. Но опубликованные результаты исследований не позволяют сделать однозначных выводов о влиянии ионов Сс1(Н) на свойства МК AgHal, в частности, Т-Ьп - кристаллов.

Настоящая работа посвящена изучению влияния ионов С<1(П) на процесс кристаллизации и фотографические свойства эмульсионных слоев с Т-Ьп-кристаллами AgHal

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Установить закономерности процесса кристаллизации Т-Ьп-кристаллов АяНа1 в присутствии ионов Сс1(Н), определить влияние ионов Сё(П) на фотографические свойства исследуемых систем, и на основании полученных результатов предложить способ допирования Т-Ьп-кристаллов А§На1 ионами Сс1(Н) , позволяющий оптимизировать эффективность фотопроцесса вТ-Ьп — кристаллах А§На1.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

1. Впервые исследованы закономерности процессов синтеза Т

Ьп-кристаллов AgHal в присутствии ионов С<1(Н) способами контролируемой двухструйной кристаллизации и перекристаллизации особомелкозернистых эмульсий и показано влияние ионов Сё(П) на процессы кристаллизации этих систем.

2. Впервые изучено влияние примесных ионов Сс1(И) в Т-Ьп-кристаллах AgBr/AgBrxIl.x на их сенситометрические характеристики. Исследованы количественные закономерности этого эффекта. Предложена феноменологическая модель влияния примесных ионов Сс1(Н) на фотографические свойства гетероконтактных систем AgBr/AgBrxI1x

3. Установлено, что взаимодействие ионов Сс1(П) с насыщенным раствором AgBr приводит к образованию нерастворимого соединения, которое, ад-сорбируясь на поверхности Т-Ьп-кристаллов AgBr/AgBrxI)x ингибирует процесс проявления этих систем. 8

4. На основании анализа полученных в работе результатов предложена феноменологическая модель образования и роста Т-кристаллов AgHal, в соответствии с которой формирование Т-кристаллов А§На1 происходит по диффузионному и коалесцентному механизмам роста с преобладанием одного или другого, в зависимости от условий проведения процесса.

ЗАЩИЩАЕМЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1. Закономерности процесса кристаллизации Т-Ьп- кристаллов AgHal в присутствии ионов Сс1(П).

2. Влияние ионов Сс1(П) на сенситометрические характеристики Т-Ьп -кристаллов А§На1.

3. Феноменологическая модель формирования Т-кристаллов А§На1 в процессе массовой кристаллизации.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ На основании результатов исследований разработан метод изготовления фотографических эмульсий с Т-Ьп-кристаллами А§На1, допированнымй ионами С<1(П), обеспечивающий увеличение светочувствительности и коэффициента контрастности в 1,5-2 раза по сравнению с Т-Ьп-кристаллами без допирующих примесей при неизменной оптической плотности вуали.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Впервые установлено, что введение ионов Сё(И) на стадии кристаллизации оболочки гетероконтактных Т-Ьп-кристаллов А§Вг/А§Вг(1) позволяет повысить светочувствительность и коэффициент контрастности этих систем в 1,5 - 2 раза по сравнению с Т-Ьп-кристаллами без допирующих примесей.

2. Обнаружено влияние ионов Сс1(П) на процесс массовой кристаллизации А£На1, приводящее к формированию октаэдрической огранки микрокристаллов и образованию Т-кристаллов в условиях, обеспечивающих, в отсутствие ионов Сс1(П), получение изометрических микрокристаллов.

3. Предложена феноменологическая модель образования и роста Т-кристаллов в процессах массовой кристаллизации, заключающаяся в образовании зародышей Т-кристаллов при ориентированной агрегации мелкодисперсных изометрических микрокристаллов с образованием плоскости коа-лесценции, инициирующей анизотропный рост агрегатов по ионно-диффузионному механизму.

4. Показано, что присутствие ионов Сё(Н) на поверхности Т-Ьп-кристаллов AgHal приводит к образованию труднорастворимого комплексного соединения, аналогичного образующейся в растворе комплексной соли С(1[А£Вг2]2 , что приводит к ингибированию процесса проявления.

1. Доклад о наиболее важных отечественных и зарубежных достижениях в области науки, техники и производства фотокиноматериалов и носителей магнитной записи. — М.: АО НИИХИМФОТОПРОЕКТ, 1992.

2. Прусс Х.И. Рассеяние света в эмульсионных слоях и их разрешающая способность. — Успехи научн. фотографии, 1964, т. 10, с.235—-242.

3. Пат. 4414304 (США) /Dickerson R.E. -опубл. 1983.

4. Tani Т. Factors Influensing Photographic Sensitivity. — J. Soc. Photogr. Sci. and Tecnol. Japan, v.43, p335—346.

5. Sowinski A.F., Wightman P.J. Minimizing Photographic Sensitivity to Environmental Radiation by Controlling Silver Halide Emulsion Morphology. — J. Imag. Sci., 1987, v.31, №46 p. 162.

6. Пат. 5045443 (США) /UrabeS.—опубл.' 1991.

7. Пат. 4945037 (США) / Saitou М. —опубл. 1990.

8. Бреслав Ю.А., Пейсахов В.В., Каплун Л.Я. Синтез и свойства плоских микрокристаллов галогенидов серебра. —Успехи научн. фотографии, 1986, т.24, с.5—46.

9. Канторович В.Д. Разработка основ синтеза и свойства микрокристаллов галогенидов серебра фотографических эмульсий типа «ядро-оболочка». — Дис. . канд. хим. наук. Москва, 1989.

10. Ю.Пат. 2110831А (Великобритания) /Daubendiek R.L. et al. — опубл. 1983.1 l.Granzer F., Kricsanowits R., Mossig Th. Heterojunction in Silver Halide systems. —Intern. Congr. of Photogr. Sci., Koln, 1986, p.273—280.

11. Бреслав Ю.Ф., Ушанов Г.Г., Морозов В.П., Пейсахов В.В. Фотографические эмульсии типа ядро-оболочка: проблемы и перспективы. — Всесоюзная конференция «Физические процессы в светочувствительных системах на основе солей серебра», Кемерово, 1986, с.8—10.

12. Breslav Yu.A., Kolesnikov L.V. Surfase Properties of AgHal Real Emulsion Microcrustals. —Intern. Symp. on Imag. Systems, Dresden, 1989, p.29.

13. Пат. 4433048 (CIIIA)/Solberg J.C., Piggin R.H., Wilgus H.S. — опубл. 1984.

14. Пат. №654118(A5) (Швeйцapия)/Solberg J.C., Wilgus H.S. — опубл. 1986.

15. Berry C.R. Change of Silver Halide Energy Levels With Temperature and Halide Composition. —Photogr. Sci. and Eng., 1975, v. 19, №2, p.93—95.

16. Bando S., Shibahara Y., Ishimari S. Photographic Silver Halide Emulsion Containing Double Structure Grains. —J. Imag. Sci., 1985, v.29, №5, p. 193— 196.

17. Granzer F. Physical properties of phase boundaries in silver halide crystals in relation to photography. Part I. Band structures of abrupt phase boundaries between different silver halide crystals. — J. of Imag. Sci. 1989, v.33, №6, p.207—216.

18. Maskasky J.E. Epitaxial Selectuve Site of Tabular Grain Emulsions. — J. Imag. Sci., 1988, v.32, №4, p. 160.

19. Пат. 4435501 (США) / Maskasky J.E. —опубл. 1983.

20. Пат. 4463087 (США) / Maskasky J.E. -^опубл. 1978.

21. Рябых C.M., Картужанский A.JI., Плаченов Б.Т. К вопросу о механизме образования центров скрытого изображения в галогенидах и псевдогало-генидах серебра. ЖниПФ, 1993, №1, с.8-19.

22. Картужанский А.Л., Пугачев В.М., Рябых С.М. О роли эпитаксов Ag2S в процессе образования частиц металла при фотолизе AgBr. ЖниПФ, 1994, №3, с.51-54.

23. Cherns D., Stowell M.J., —Thin Solid Films, 1975, v.29, p. 107.

24. Пат. 4806461 (США) / Ikeda H. —опубл. 1989.

25. Пат. 5068173 (США) / Takechara Н., Ikeda Н. —опубл. 1992.

26. Кагакин Е.И., Спирина Ю.Р. Проявляемость фотографических эмульсий ÁgHal с микрокристаллами сложного строения и состава. — ЖНиПФ, Í993, т.38, №5, с.1—7.

27. Пат. 4434226 (США) / Wilgus H.S. et al. —опубл. 1984.

28. Пат. 4414310 (США) / Daubendiek R.L. —опубл. 1983.

29. Сашин А.Г., Уварова Н.В. О получении пластинчатых галогенсеребряных эмульсионных микрокристаллов способом прямой контролируемой эмульсификации. —Актуальные вопросы химии и технологии фотогр. материалов, М., 1986, с. 106—113.

30. Пат. 4411986 (США) / Abbot T.J., Jones C.G. —опубл. 1983.32.0hzeki К., Urabe S., Tani Т. A Stady of Properties ofTabular Silver Bromide Grains. — J. Imag. Sei., 1990, v.34., №4., p. 136—142.

31. Кагакин Е.И., Ларичев Т.А. Закономерности формирования галогенидосе-ребряных Т-кристаллов при физическом созревании мелкозернистых эмульсий.—ЖНиПФ, 1995, Т.40, №2, с. 57—59.

32. Пат. 4439520 (США) / KofronJ.T.—опубл.—1984.

33. De Cugnac A., Chateau Н. —Sei. ind. Photogr., 1962, v.33, №2, p.121—125

34. Пат. 4693964 (США) / Daubendiek R.L., House G.L., Gersey T.R. —опубл. 1987.

35. Пат. 4797354 (США) / Saitou М., Urabe S., Ozeki К. — опубл. 1989.

36. Пат. 4755456 (США) / Sugimoto Т. — опубл. 1988.

37. Алфимов М.В., Бричкин С.Б., Разумов В.Ф. Механизм образования и роста плоских эмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра. — ЖНиПФиК, 1992,т.37,№2,с. 165—172. <

38. Samuel Chen, S. Jagannathan, R.V. Mehta, R. Jagannathan, A.E. Tadde. Direct Observation on Stacking Fault Structure in {111} Tabular Sillver Halide

39. Grains by Hiigh —Resolution Electron Microscopy. —Int. Symp. onSilver Halide Imaging, 1997, Vancouver, p.57.

40. D. Bollen, G.Bogels, T.M. Pot, H. Meekes, P. Bennema.New Insights in the Substep Mechanism of Twinned AgBrCrystals. —Int. Symp. on Silver Halide Imaging, 1997, Vancouver, p.

41. Каплун Л.Я., Сергеева И.Т., Бреслав Ю.А., Андреянов В.В. Получение плоских микрокристаллов галогенидов серебра фотографических эмульсий. — Сб. научн. трудов «Фотографические эмульсии и вещества для их получения»,—М.: ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТ, 1987, с. 4—15.

42. Н. Soijo, Т. Isshiki, М. Shigiri Electron Microscope Study of Gelatin Adsorbed on AgBr Emulsion Crystal Surfase.- J. of Imag. Sci and Techn., v.37, №3, 1993, p. 314—317.

43. Кагакин Е.И. Разработка основ синтеза и свойства Т-кристаллов фотографических эмульсий с латеральными оболочками переменного состава.-Дисс. канд. хим. наук, М., ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТ, 1990.

44. Т. Sugimoto, G. Iamaguehi, Contact Recrystallization of Silver Halide Microcrystals in Solution.- J. of Crystal Growth, v.34, 1976, p.253—262.

45. E. Terentev, S. Shalimova, A Coalescent Model of A Tabular Crystals Growth. —IS&T's 48th Annual Conference, 1995, Washington, p.263—265.

46. Terentev E., Basalaev Yu. A Role of The Electrostatic Charge In Tabular Crystals Coalescent Growth. — Int. Symp. on Silver Halide Imaging, 1997, Vancouver, p.61—63.

47. Larichev T. and Kagakin E. On Mechanism of Nucleation and Growth of the AgHal T-crystals. —IS&T's 48th Annual Conference, Washington, 1995, p.281—282.

48. Ларичев Т. А. Создание фотоэмульсионных галогенидосеребряных Т-кристаллов способом перекристаллизации особомелкозернистых эмульсий. —Дисс. канд. хим. наук., Кемерово, 1993.

49. Antoniades M.G. The Effect of Coalescence on AgBr Tabular Grain Formation. —IS&T's 48th Annual Conference, Washington, 1995, p.

50. И.А. Акимов, Ю.А. Черкасов, М.И. Черкашин, Сенсибилизированный фотоэффект. — М.: Наука, 1980.

51. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса. Л., Химия, 1980. 672с.

52. Свиридов В.В. Фотохимия и радиационная химия твердых неорганических веществ. 1964, с. 127—169, 228—238.

53. Горяев М.А. Полупроводниковые свойства фотоматериалов. — Успехи научной фотографии. 1986, т.24, с. 109—119.

54. Ebert I., Teltow J.- Ann. Phys. (Lpz), 1955, №15, p.268.

55. Spoonhower J.P., Marchetti A.P. Trapped Holes in Silver Halides. — J. Phys. Chem. Solids. 1990, v.51, №7, p. 793—804.

56. Todorova M., Ivanova Т., Katsev A. A.Hang. Acoust. Opt. and Filmtechnic Soc. (6th Conf. Sci. and Appl. Photogr.), Budapest, 1972, p.20.

57. Тодорова M.C. A.c. 23152 НРБ, 1979.

58. Шапиро Б.И., Харитонова А.И., Хейнман А.О. и др. А.с.554522, СССР, Б.И. 1977, №14, с. 130.

59. Luvalle J., Derkach N., Hertzenberg E. et al. —Photogr. Korresp., 1968, B. 104, p.193.

60. Пат. 3891442 (США) / Beavers DJ. —опубл. 1975.

61. Tani Т. Photographic effects of Cu(II), Pb(II) and Cd(II) at the surface of tabular AgBr grains. — J. Soc. Phot. Sci. Techol. Japan, №35, 1972, p.272.

62. Веггу C.R., Skillman D.C."Some effects of Pb(II) on AgBr grain growth». — Phot. Sci. and Eng. №11, 1967, p.412.

63. Berry C.R., Skillman D.C. Surface Structures and Epitaxial Growths on AgBr Microcrystals. — J. Appl. Phys., 1964, v.35, p.2165.

64. Гороховский В.М., Михайлов O.B. Влияние ионов металлов и их комплексов на фотографические характеристики галогенсеребряных светочувствительных материалов.- ЖНиПФиК, 1989, т.34, №3, с.233—238.

65. Пат. 1007303 (Франция)/-опубл. 1959.

66. Чибисов К.В. Химия фотографических эмульсий. — М., Наука, 1975, С.341.

67. Пат.618061 (Великобритания)/ Davly E.R., Berriman R.W., Trivelli А.Р. — опубл. 1946.

68. Пат. 2717833 (США) / Wark Н. —опубл. 1955.

69. Пат. 3367778 (США) / Berriman R.W. —опубл. 1968.

70. Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса. — JL, Химия, 1973, с. 572.

71. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого изображения. М., Наука, 1972, 350с.

72. Platikanova V., Stoicheva R., Malinowski J. Model in vestigation of the effect of Cd and Cu-ions on the photographic process. — J. Phot. Sei., №15, 1967. p.29,

73. Барщевский Б.У., Кондрашкина A.A., Рябова P.B. Влияние соединений свинца и кадмия на свойства светочувствительных материалов. —ЖФХ, №52, 1978, с. 2406.

74. Толстобров В.И., Нижнер Д.Г., Суворин В.В., Белоус В.М. Влияние поливалентных катионов на огранку и фотографические свойства эмульсионных микрокристаллов. ЖНиПФиК, 1981, т.26, №5, с.338—343.

75. Денисюк И.Ю., Колесова Т.Б., Акимова И.А. Влияние химических примесей на стабильность центров скрытого изображения в хлорсеребряных эмульсиях. ЖНиПФиК, 1989, т.34, №1, с. 65—67.

76. Пат. 3964912 (США) / Price HJ. —опубл. 1976.

77. Пат. 3748138 (США) / Bissonette V.L. —опубл. 1973.

78. Михайлов О.В, Бимерская С.И. А.с. 1004950. СССР — Б.И. 1983, №10.

79. Практикум по коллоидной химии и электронной микроскопии. —под ред. Воюцкого С.С., Панин P.M. — М.: Химия, 1974, с.32—33.

80. Харитонова А.И. О погрешности измерения среднего радиуса микрокристаллов в фотографических эмульсиях турбидиметрическим методом. — ЖНиПФиК, 1982, т.27, №3, с.202.

81. Каплун Л.Я., Богомолов К.С., Груз Э.А. Влияние pAg на коллоидную стабильность особомелкозернистых галогенсеребряных эмульсий. ЖНиПФиК, 1980, т.25, №2, с. 107—111.

82. Крешков А.П. Основы аналитической химии. М., Химия, 1977, т.2,3.

83. Хейнман А.С. А.с. 1468242, опубл.1998.

84. Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. Ленинград, Химия, 1977, с.66.

85. Klein Е. Das Losungsgewicht Zwischen den Silberhaloge niden und Halogenionen. —Photographische Korrespondenz. 1956, v.92, №9, p. 139— 148.

86. Claes F.H., Peelaers W. Crystal Habit Modifications of AgBr Caused by Its Environment and the Presence of Foreign Ions.- Intern. Congr. Photogr. Sci., Tokyo, 1967, Sec. 1.

87. Claes F.H., Peelaers W. Influence of Solvation on the Growth of AgBr Crystals. -1. Photogr. Sci. and Eng., v.12, №4,1968.

88. Исследовать способы синтеза фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами.- отчет ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТа, М., 1985.

89. Спирина Ю.Р. Химическая сенсибилизация Т-кристаллов сложной структуры. -дисс. канд. хим. наук., Кемерово, 1993.91 .Пат. 4400463 (США) / Maskasky J.E. — опубл. 1983.

90. Пат. 4399215 (США) / Wey J.S. — опубл. 1983.

91. Сечкарев Б.А., Рябова М.И., Бреслав Ю.А. Синтез монодисперсных микрокристаллов AgCl. —Всесоюзный симпозиум «Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра», Черноголовка, 1991, с.91.

92. Сечкарев Б.А., Рябова М.И., Сотникова Л.В., Терентьев Е.Г. Кристаллизация и химическая сенсибилизация фотографических эмульсий с микрокристаллами AgCl. — Журнал прикладной химии, 1995, т.1, с.74—79.

93. Пат. 2080642 (Россия) / Рябова М.И., Сечкарев Б.А., Сотникова Л.В. -опубл. 1997.

94. J.S. Wey, M.J.Schad, Ostwald Ripeing of AgBr Crystals in Gelatin Solution. — J. Imag. Sci., v.30., 1986, №5, p.193—197.

95. Czucs M. Kristalykepzodes es —novekedes ezusthalogenid emulziokban. II. Eizikal erleles. —Kep —es handtechnika, 1979, evf.25, №1, old. 1—9.

96. Kotob А.Г., Силаев E.A. Модель образования плоских эмульсионных микрокристаллов галогенида серебра. — Успехи научной фотографии, М.:Наука, 1986, т.24., с.47—68.

97. Iouri Breslav, The Mechanism of Silver Halide Tabular Grain Formation. — IS&T 49th Annual Conference, 1996, Minneapolis, p.33—35.

98. T.A. Ларичев, Е.И. Кагакин, Формирование бромидосеребряных Т-кристаллов при физическом созревании мелкозернистых эмульсий в присутствии тиоционата калия. —ЖНиПФ, 1996, т.41, №4, с.1—4.

99. Kagakin E.I., Ananyna М.А., Larichev Т.A., Titov F.V. On the Mechanizm of Silver Halides Photographic Emulsions Development. —IS&T 49th Annual Conference, 1996, Minneapolis, p. 148—151.

100. Кагакин Е.И., Бреслав Ю.А., Ларичев T.A. Плоские микрокристаллы галогенидов серебра с латеральными оболочками. Организация фотЬпро-цесса в гетероконтактных фотографических элементах. —ЖНиПФиК, 1992, т.39, №2.100

101. Милешин И.В. Фотоэмисионное изучение эмульсионных микрокристаллов AgBrxHali.x и типа ядро-оболочка на их основе. —Дисс. . канд. хим. наук., Кемерово, 1996.

102. James Т.Н. Chemical Sensitization, Spectral Sensitization and Latent Image Formation in Silver Halide Photography. —Adv. Photochem., 1986, v.13, p.324—425.

103. Gahler S. Roever G., Berndt E. Metallionen in photographischen Silberhalogenidsystemen. I. Bekannte Wifkung—Smoglichkeiten und photographische Wirtung von Fremdionen. — J. Signal — A.M., 1986, №6, p.427—431.