Кристаллизация и исследование фотографических систем на основе микрокристаллов гетероконтактного типа тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Р Г О ^ •1 На правах рукописи

1 9 ВИЗ 1553

Шайхуллина Светлана Алексеевна

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОГРАФИЧЕСКИХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ МИКРОКРИСТАЛЛОВ ГЕТЕРОКОНТАКТНОГО' ТИПА

/специальность 02.00.04 - физическая химия/

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Кемерово 1997

Работа выполнена на кафедре неорганической химии Кемеровского государственного университета. Научный руководитель: кандидат химических наук,

старший научный сотрудник Терентьев Евгений Георгиевич. Научный консультант: кандидат химических наук

Спирина Юлия Руальдовна. Официальные оппоненты: доктор технических наук,

Ведущая организация: в/ч 33825

Защита диссертации состоится «£0> февраля 1998 г. в 10 00 часов на заседании Совета по защите диссертаций Д.064.17.01 в Кемеровском государственном университете в зале заседания Совета (650043, г. Кемерово, ул. Красная, 6).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Кемеровского государственного университета.

Автореферат разослан « /9» 1997г.

профессор

Бреслав Юрий Абрамович,

доктор химических наук, профессор

Рябых Сергей Михайлович.

Ученый секретарь

Совета Д.064.17.01,

кандидат химических наук, доцент

I

/ 7

Общая характеристика работы Актуальность проблемы. В результате развития двухструнной эмульсионной технологии стало возможным получение эмульсий содержащих плоские микрокристаллы (Т-МК), чьи преимущества над изометрическими [1] МК обеспечили . прогресс в развитии галогенсеребряной фотографии в 70-80 гг.

Аналогично фотографическим эмульсиям с изометрическими МК, эмульсии с плоскими МК развивались в направлении усложнения их структуры. Сперва были созданы плоские кристаллы AgHal содержащие одну фазу галогенида серебра или с гомогенным распределением в них нескольких фаз AgHal. Позднее были синтезированы плоские кристаллы с эпитаксиальными наростами на них другой фазы AgHal. Были созданы системы аналогичные системам типа "двойная структура" - плоские кристаллы с латеральными оболочками (T-Ln МК), а позднее и с ламинальнымн оболочками.

В настоящее время можно с уверенностью говорить о настоящей "архитектуре" кристалла, которая включает в себя наличие в нем областей с различным галогенидньш составом и градиентом концентрации галогенида серебра в них и между ними, оптимальные размеры и форму, пространственное распределение макродефектов, локальную химическую сенсибилизацию, спектральную сенсибилизацию и т.д.

Плоских микрокристаллы можно получать физическим созреванием мелкодисперсных эмульсий (МДЭ). Данный метод синтеза, особенно для плоских микрокристаллов гетероконтактного типа, позволяет получать более однородные по форме, размеру и составу микрокристаллы. Однако, механизм образования и рост плоских кристаллов остается спорным. Точное знание о механизме образования и роста плоских кристаллов даст возможность контролировать и

управлять дисперсионными и кристаллографическими характеристиками при получении плоских микрокристаллов.

Настоящая работа посвящена решению части комплексной задачи создания эмульсий с однородными плоскими кристаллами гетероконтактного типа.

Цель работы - исследование закономерностей образования плоских микрокрисгаллов методом физического созревания мелкодисперсной эмульсии, влияние условий созревания на дисперсионные и кристаллографические характеристики. Устранение влияния перекристаллизации поверхности плоских микрокристаллов гетероконтактного типа с латеральными оболочками на фотографические характеристики эмульсий и установление оптимального сочетания фаз в Т-Ьп МК. Для достижения цели были поставлены следующие задачи:

- изучить кинетику перехода МДЭ в Т-МК при варьировании концентрации частиц мелкодисперсной эмульсии, желатины, индифирентного электролита, потенциалоиределяющего иона и температуры.

анализ дисперсионных и кристаллографических характеристик плоских кристаллов, полученных созреванием МДЭ в различных условиях;

- исследование возможности одновременного проведения синтеза латеральной оболочки и химической сенсибилизации (ХС);

- синтез и исследование фотографических свойств Т-Ьп МК при

I

различном сочетании фаз: AgBr и AgBr(шIo(н. Научная новизна

¡.Экспериментально подтверждена модель анизотропного коалесцентного роста плоских кристаллов, AgBr. Показано, что зародышем плоского кристалла является изометрический, параллельно двойникованный кристалл и установлена зависимость дисперсионных и

кристаллографических характеристик плоских кристаллов от кинетики их роста.

2. Установлено влияние свободной поверхностной энергии боковых граней плоских кристаллов на их форму.

3. Исследована кинетика роста плоских кристаллов AgBr способом созревания мелкодисперсных, эмульсий в широком диапазоне значений температуры, ионной силы, равновесной концентрации галогенид иона, концентрации желатины и объемной концентрации твердой фазы.

4. Разработан способ синтеза плоских кристаллов гетероконтактного типа при одновременном наращивании оболочки и проведении химической сенсибилизации.

Достоверность экспериментальных данных обеспечивается многократными измерениями при исследовании объектов работы и сопоставлении с литературными данными. Экспериментально полученные данные не выходите за пределы ошибки.

Практическая значимость Полученные в работе данные могут быть использованы при разработке синтеза фотографических эмульсий на основе Т-МК AgHal простой и сложной (T-Ln) структуры.

Работа проводилась по плану НИР з/н № 8 ПНИЛ КемГУ.

Защищаемые положения 1 .Экспериментально определенные константы скорости коалесцентного поста плоских кристаллов, получаемых при созревании мелкодисперсной эмульсии AgBr.

2.Экспериментально определенные при различных условиях созревания шачения электрокинетического потенциала фотографических эмульсий. З.Значения свободной поверхностной энергии боковых граней плоского <ристалла.

^Влияние структуры плоских кристаллов гетероконтактного типа на хнситометрические характеристики.

5.Условия получения гетероконтактных плоских микрокристаллов латерального типа при одновременном проведении синтеза оболочки и химической сенсибилизации.

б.Оптимальная последовательность оболочек плоских

микрокристаллов гетероконтактного типа.

Апробация работы. Основные результаты докладывались на научных семинарах кафедры неорганической химии, на VI международной конференции «Радиационные и гетерогенные процессы» ( Кемерово 1995), на школе-семинаре «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» (Барнаул ¡996), 48 и 49 Международных симпозиумах 1Б&Т ( Вашингтон 1995, Миннесота 1996). Основное содержание работы отражено в 7 научных публикациях, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка цитируемой литературы, включающего 139 работ отечественных и зарубежных авторов. Содержит 130 страниц машинописного текста, в том числе 50 рисунков и 15 таблиц.

Краткое содержание работы В первой главе приведен анализ научно-технической и патентной литературы, освещающей особенности и специфические свойства плоских кристаллов, обеспечивающие столь широкий интерес к ним г практическое использование. Показаны способы получения плоски? кристаллов и приведен анализ возможных механизмов, с помощыс которых описывается их образование и рост. В настоящее время это дв; различных подхода - диффузионный и коалесцентный.

Кинетические параметры роста плоских кристаллов, иолученньк на основании диффузионных моделей [2] значительно расходятся ( полученными экспериментально. Что касается коалесцентных моделей то можно отметить модель [3], схема которой приведена на рис.1

Авторы данной модели пришли к выводу, что кинетика роста плоских кристаллов из МДЭ ближе к кинетике коалесцентного процесса и на ее скорость оказывают влияние факторы ускоряющие коалешенцшо.

п

3

О

о

о ©

о

о

о о

+

О На!-^

©

Рис.¡.Схема анизотропного коалесцентного роста плоских кристаллов, согласно [3]. Стадии процесса: 1. Параллельно-двойникованный и мелкодисперсный кристалл. 2.Локальная рекристаллизация. З.Плоский кристалл.

Анализ патентной литературы показывает, что условия синтеза, при которых преобладает тот или иной механизм, строго не установлены и позволяет предположить, что преобладание разных механизмов на отдельных стадиях синтеза плоских кристаллов приводит к улучшению дисперсионной и кристаллографической однородности плоских кристаллов.

Проведен анализ литературы посвященной получению и использованию плоских микрокристаллов гетероконтактного типа. Показано, что плоские кристаллы гетерофазного состава имеют значительные преимущества по сравнению с гомофазными кристаллами. Однако, существуют значительные трудности в оптимизации всех процессов формирования скрытого изображения и его усиления в этих кристаллах. Они связаны во-первых, с поверхностным перераспределением иодид иона в ходе химической

сенсибилизации и других технологических стадии приготовления фотослоев на основе плоских кристаллов с латеральными оболочками; во-вторых, пока не решен вопрос : какова должна быть последовательность латеральных оболочек: в-третьих, какое оптимальное распределение центров светочувствительности у плоских кристаллов с латеральными оболочками. Настоящая работа посвящена решению выше перечисленных вопросов.

Во второй главе описаны методики экспериментов и измерений. Мелкодисперсные эмульсии получали на установке синтеза методом контролируемой двухструйной кристаллизации. Плоские кристаллы получали методом физического созревания МДЭ выдерживанием ее при температуре 45 - 60°С и заданном рВг.

Кинетика роста плоских кристаллов исследовалась с использованием методики, разработанной на базе турбидиметрического метода определения концентрации частиц. Оптическую плотность эмульсии определяли на приборе ФЭК-56М за цветовым фильтром №6 (>.=540+1 Они). Ошибка полученных результатов данным методом составляет 1.5%.

Дисперсионные и кристаллографические характеристики микрокристаллов (средний эквивалентный диаметр - d, коэффициент вариации - Cv, кристаллографическую однородность - St, фактор гексагональности - Hex) определяли с помощью электронно-микроскопических снимков угольных реплик, полученных на электронном микроскопе УМВЭ-100 и оптических снимков, полученных на микроскопе «Neophot-21». Ошибка в определении среднего эквивалентного диаметра и коэффициента вариации составляет соответственно 10 и 15%.

Химическую сенсибилизацию проводили при 60°С. Е фотографическую эмульсию вводили антивуалент, через 10 минут добавляли тиосульфат натрия и тиоцианат калия (одновременно), еик

через 15 минут вводили золотохлористоводородную кислоту. В ряде экспериментов порядок введения тиоцианата калия изменялся. Экспонирование химически сенсибилизированных образцов осуществлялся на приборе ФСР-41, измерение оптических плотностей проводили на приборе ДП-1М. Химико-фотографическая обработка проводилась в стандартных условиях при использовании проявителя Д-19. Ошибка сенситометрических испытаний не превышает 10-15%.

Исследование распределения ядро - латеральная оболочка для Т-1..п МК осуществлялся с помощью методики дифференциального растворения - обработке МК в 2% растворе тиосульфата натрия.

Для определения топографии центров проявления использовали методику «голодного проявления», заключающуюся в обработке монослойных образцов эмульсии в проявителе УП-2, разбавленном в отношении 1:10. После обработки образцы подвергались электронно-микроскопическим исследованиям для получения картины начальных стадий проявления.

В третьей главе проведено изучение кинетики перехода МДЭ АцВг в плоские кристаллы и анализ дисперсионных и кристаллографических характеристик плоских кристаллов, полученных в различных условиях физического созревания МДЭ.

В настоящее время существует два разных механизма, с помощью которых описывается переход МДЭ в Т-крисгаллы - диффузионный и коалесцентный. С помощью уравнений, которые описывают лимитирующие стадии каждого процесса, рассчитаны кинетики превращения МК реальной МДЭ. Диффузионный рост описан уравнением Оствальда -Фрэйндлиха [4]:

Ьфг/З) = 2УтуШг (1)

где, Sr/S - относительная растворимость сферической частицы радиуса г; Vm - молярный объем галогенида серебра; у - свободная поверхностная энергия частицы; R - универсальная газовая постоянная и Т -температура.

Коалесцентный рост описан уравнением Смолуховского-Мюллера [5].

No

Nt =........................................(2)

1 + KNot

где, No - количество частиц МДЭ в момент времени t = 0; Nt количество мелко дисперсных частиц в момент времени t = t; К константа скорости равная:

(г, + r2)2RTexp(-R/RT)

К =......................................................................(3)

3rtr2Nari

где г, и г2 - радиусы мелко дисперсного и плоского кристаллов, соответственно; R - универсальная газовая постоянная; Т- температура; F- число Фарадея; Е, - величина э л ектро к к я ети ч сск о го потенциала диффузионного слоя; Na- число Авогадро и т) - вязкость эмульсии. Значения переменных взяты из литературных источников. Вид полученных кривых представлен на рис.2.

На рис.3, представлена кинетика перехода МДЭ в плоские кристаллы при различной температуре процесса, где 1-Dt/Do - доля скоалисцировавших МК МДЭ. Аналогичные формы кривых отмечали [3.6].

ю

02 ц4

лремя, условнме.ед.

А

время,мин.

Рис.2. Форма кинетических кривых, рассчитанных: А - для диффузионного, Б - для коалесцентного механизмов роста Т-МК.

1.2 —

О 40 80 120

время. МИН.

Рис.3, Зависимость степени превращения МДЭ А,еВг от времени при различной температуре (цифры у кривых -0 С).

Совпадение формы кривой рассчитанной для коалесцентного процесса (рис.2.Б) и кинетик, полученных экспериментально, позволило считать качественно доказанным коалесцентный механизм роста плоских кристаллов при созревании МДЭ.

Детально исследованы кинетики перехода МДЭ AgBr с (1=0.07 мкм и С\г= 15% при различных условиях. Показано:

ускорение процесса перехода МДЭ в плоские кристаллы при увеличении концентрации частиц МДЭ связано с изменением вязкости системы:

- скачкообразное уменьшение константы скорости роста при увеличении концентрации желатины (в интервале 3-6% раствора желатины) обусловлено созданием «структурно-механического» барьера, препятствующего сближению частиц. Определено критическое значение (отношении массы желатины к массе серебра) при котором замедляется рост плоских кристаллов, оно составляет 23мг/м2.

- полученные значения константы скорости роста при различной температуре позволили определить реальное значение электрокинетического (£) потенциала, которое составило - 28 мВ;

- увеличение константы скорости роста при увеличении концентрации индифферентного электролита (ККОз) объясняется изменением с потенциала ( потенциала диффузного слоя ) при возрастании ионной силы раствора. Рассчитанные величины с, при которых К не зависит от концентрации электролита, представлены в таблице 1. Сравнение расчетных величин с сообщаемыми в литературе для различных эмульсий (-5 - 40мВ) показывает их близкие значение;

Таблица 1

Величина ионной силы и соответствующие ей значения ^-потенциала

Конц.,моль/л 0 0,7 1,0 1,5 2,0

Потенциал, мВ -28 -20,3 -17 -11 -7

- рост плоских кристаллов при увеличении равновесной концентрации бромид ионов идет за счет двух параллельно протекающих процессов -коалесцентного и диффузионного. В интервале рВг от 3 до 1 растворимость AgBr увеличивается на один

порядок (вклад в диффузионный процесс), а так же возрастает концентрация адсорбированных ионов брома на поверхности плоского кристалла, приводящая к возрастанию электростатической силе притяжения между изометрическим кристаллом и боковой гранью цвойникованного кристалла( вклад в коалесцентный процесс). Однако

из-за недостатка данных нет возможности оценить количественно вклад последнего.

Анализ кристаллографических характеристик МДЭ и Т-кристаллов показывает:

1. Скорость роста Т-кристаллы из МДЭ снижается по мере увеличения размеров МК МДЭ. Критический размер МДЭ при котором образование Т-МК становится невозможным составляет 0,15 мкм. Это объясняется понижением величины свободной поверхностной энергии системы при увеличении размера частицы.

2. Показана взаимосвязь количества параллельно-двойникованных МК в МДЭ с конечным размером Т-кристаллов, С увеличением процентного содержания параллельно двойникованных кристаллов в МДЭ уменьшается средний размер Т-крисггаллов. Это доказывает, что центрами роста плоских кристаллов являются параллелыю-двойникованные МК МДЭ. Установлена взаимосвязь между кинетикой роста плоских кристаллов при созревании МДЭ и дисперсионными характеристиками Т-МК. Замедление скорости роста понижает' средний размер МК и О,

3. Обнаружено изменение фактора гексагональное™ (содержание в эмульсии МК шестиугольной формы) при повышении значения рВг созревания. Показано, что шестиугольные МК могут образовываться в широком интервале рВг. Это связано со стабильностью кубической и октаэдрической граней боковой поверхности, пересеченных плоскостью двойникования, В интервале рВг ¡.4 - 2.48 значения свободной поверхностной энергии у них ниже, чем у идеальных граней и близки между собой. Рассчитанные значения приведены в таблице 2.

В эмульсиях, полученных из МДЭ при низком значении рВг (<1,0] обнаружены плоские кристаллы 9 и 12 угольной формы.

Таблица 2

Величины свободной поверхностной энергии граней (111), (100) и линии их пересечения с плоскостью двойникования

ООО) (HI)

рВг 1,4 2,48 1.4 2,48

Свободная пов.энергия,эрг/сш2 124* 164* 97* 216*

Свободная энергия линии

пересечения,эрг/сш2 34,7 45,9 28,1 62,6

Гониометрические исследоваши показали, что появление дополнительных сторон у плоских кристаллов при низком значении рВг обусловлено стабильностью в этих условиях боковой грани (311[).

Проведенные исследования доказывают, что рост плоских кристаллов из МДЭ протекает в соответствии с механизмом коалесцентного роста [3].

Четвертая глава посвящена синтезу и исследованию гетероконтактных М К латерального типа.

При создании МК типа: AgBr - ядро, AgBrI - латеральная оболочка, наблюдаются определенные сложности, которые не всегда позволяют использовать гетероконтактную систему с максимальным эффектом. В частности, за время разделяющее стадии синтеза и нанесения эмульсии на основу, на поверхности Т-Ьп МК протекают процессы перекристаллизации, снижающие сенситометрическую стабильность фотографической эмульсии. Поэтому, было проведено

исследование возможности осуществления одновременного синтеза латеральной оболочки методом коалесцентного роста МДЭ на ядро Т-крисгаллов и одновременной химической сенсибилизации. Учитывая использование свободных от водорастворимых солей эмульсий, уровень рВг=3, а так же установленных закономерностей коалесцентного роста Т-кристаллов, показано, что проведение одновременного синтеза латеральной оболочки и ХС возможно при использовании одного из растворителей /\gHal - тиоцианата калия. В ходе дальнейших исследований установлено, что для достижения максимально возможного уровня сенситометрических характеристик необходимо, что бы концентрация тиоцианата калия не превышала 0.046 моль/моль Ag, синтез оболочки проводился при 65°С, а химическая сенсибилизация при 60°С и осуществлялось поступательное введение МДЭ в реактор, содержащий Т-кристаллы.

Фотографические эмульсии, полученные предложенным способом, позволяют получать более высокий уровень светочувствительности, максимальной плотности почернения и коэффициент контрастности по сравнению с эмульсиями синтезированными по традиционной схеме в среднем в 1.7 раза.

Исследовано влияние взаимного расположения фаз AgBr и AgBro 9б1о.о4 в Т-Ь] и Т-Ьг МК на их сенситометрические характеристики. На рис.3 показаны четыре комбинации плоских микрокрнсталлов, на основе которых были получены фотографические эмульсии и исследовались их сенситометрические свойства.

В результате сенситометрических испытаний, а так же исследования начальных стадий проявления установлено: - для структуры МК Т-Ьг типа не важно где располагается фаза AgBr - в оболочке или в ядре. Уровень достижения оптимальных-фотографических характеристик одинаковый;

А

(ВВП «двп

Рис.4. Типы Т-Ь МК при различном положении фазы AgBr, исследованных в работе.

- для структуры МК "Г-1л типа, система AgBro.9s 1о.о4/ АдВг/ АдВго.зв Ь.04 представляет собой наилучшее сочетание фаз, позволяющее использовать гетероконтактную систему для концентрирования скрытого изображения за счет направленного разделения фотоиндуцированных носителей заряда с максимальным эффектом.

Выводы

1.Подтверждена модель коалесцентного роста плоских кристаллов AgHal, в которых центром коалесцентного роста плоского кристалла является изометрический микрокристалл имеющий две или более параллельные плоскости двойникования.

2.Сравнение экспериментально полученных, в широком диапазоне параметров созревания, кинетических кривых с рассчитанными показало, что процесс роста плоских микрокристаллов из мелкодисперсной эмульсии протекает по коалесцентному механизму.

А

АдВг

Экспериментально определены значения константы скорости роста плоских кристаллов AgBr для коалесцентного механизма. Экспериментально определены значения электрокинетического потенциала у микрокристаллов во всем диапазоне параметров созревания (-7 - 40 мВ).

3.Доказано, что размер плоских кристаллов зависит от доли параллельно двойникованных МК AgHal в МДЭ. Увеличение скорости коалесцентного роста приводит к увеличению размера и коэффициента вариации по размерам плоских микрокристаллов.

4.Установлено, что форма плоских кристаллов зависит от величины свободной поверхностной энергии их боковых граней. Произведен расчет величины свободно!! поверхностной энергии участка пересечения плоскости двойникования с гранями (]100) и (111) для значений рВг 1.4 и 2.48. Значение энергии понижено по сравнению с таковым у идеальных граней и мало различается в случае кубической и октаэдрической граней.

5.Установлены условия, позволяющие повысить сенситометрические характеристики AgHaI фотографической эмульсии на основе гетероконтактных микрокристаллов латерального типа при проведении одновременных процессов - синтеза латеральной оболочки из мелкодисперсной эмульсии и химической сенсибилизации.

6.Получены сенситометрические характеристики плоских микрокристаллов гетероконтактного типа с одной и двумя латеральными оболочками при различном расположением фаз AgBr, AgBro.96lo.o4. Показано, что оптимальной является последовательность А§Вг(Т) - ядро/А§Вг - первая оболочка/ AgBr(I) -вторая оболочка, что обеспечивает эффективное концентрирование СИ и его проявление.

Литература

1.J.W.Mitchell,"The silver halide photographic grain"// J.Imag.Sci., 1993, v.37, p.331-343.

2.P.H.Karpinski,J.S.Wey"Kinetics of lateral growth of AgBr tabular crystals"//J.Imag.Sci.,1987,v.32.p.34-39.

3.E.Terentev,S.Shalimova"A coalescent model of a tabular crystals growth'V/IS&T's 48 th Conference,'Washington, 1995,p.215-218.

4. T.H.James"The theory of the photographic process",4th edition, NY, 1977,p.93.

5.A.Katsev,M.Pancheva"Polydispersity and crystal growth of silver bromide microcrystals'V/Fotokonf, Budapest, 1972,p. 1 -4.

6. T.Larichev,E.Kagakin"On mechanism of nucleation and growth of the AgHal T-crystals7/JS&T's 48 th Conference,Washington,1995,p.281-282.

7. T.SugimotoJ.Coll.Int.Sci.93:46(1983).

Список работ, опубликованных по теме диссертации :

1.Спирина Ю.Р.,Шайхуллина С. А. Влияние гранулометрической однородности фотографических эмульсий с Т-МК сложной структуры на процесс химической сенсибилизации// Студенты и молодые ученые КемГУ 40-летию КГПИ - КемГУ: Тез. докл. 1994г. Кемерово, 1994,с.97.

2.Спирина Ю.Р., Шайхуллина С.А. Новый способ создания светочувствительных систем на основе Т-кристаллов сложной структуры//Радаационные гетерогенные процессы: Тез.докл. VI Междунар.конф. 29-Ьданя 1995г. Кемерово 1995,-ч.2,с.111.

3.Спирина Ю.Р., Шайхуллина С.А. Ларичев Т.А., Куракин С.И.

I

Влияние структуры Т-кристаллов гетероконтактного типа на эффективность фотопроцесса// Радиационные гетерогенные процессы: Тез.докл. VI Междунарлсонф. 29-1июня 1995г. Кемерово 1995,-ч.2,с.112. 4.Spirina Y., Shaichylina S.A., Kagakin Е., Nikonova G. On influence of composition and structure of AgHal T-cristals on sensitivity and development

centres И IS & T 48th Ann.Conf. May 7-11, 1995,- Washington, USA,1995,c.279.

5.Терентьев Е.Г., Шайхуллина С. А., Шалимова С.И. Влияние плоскостей двойникования на образование и рост кристаллов AgHal // Эволюция дефектных структур в конденсированных средах. Тез.докл. Междунар. Школа-семинар. 27-4 сентября 1996г. Барнаул 1996,с.64. 6.Spirina Y.,Shaichylina S.A. A new way for enhancement of Tabular grains sensitivity /I IS & T 49th Ann.Conf. May 19-24,1996,-Minneapolis,USA, 1996.

7.Terentev E., Shaichylina S.A., Shalimova S. Kinetics of lateral growth of AgBr Tabula crystals// IS & T 49th Ann.Conf. May 19-24,1996,-Minneapolis.USA, 1996.

Личный вклад автора заключается в проведении всех экспериментов, обработке экспериментальных данных и их обсуждении с научным руководителем.

С С с '<•"/-

Подписано к печати 19.11.97. Формат 60х84'/16. Бумага офсетная. Печать офсетная. Усл. печ. л. 1,4. Уч.-изд. л. 1,0. Тираж 100 экз. Заказ № 4&7.

Издательство "Кузбассвузиздат". 650043 Кемерово, ул. Ермака, 7. Тел. 23-34-48.