Исследование состояний позитронов в микрополостях в металлических системах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.09 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М.В.ЛОМОНОСОВА

Исследование состояний позитронов в микрополостях в металлических системах

специальность 01.04.09 физика низких температур

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

ФИЗИЧЕСКИИ ФАКУЛЬТЕТ

Р Г Б ОД 1 3 МАЙ 1335

На правах рукописи УДК 537.312.62

Кузнецов Сергей Николаевич

Москва-1996.

Работа выполнена на кафедре физики низких температур физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова

Научный руководитель: доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник В.Л. Седов

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор В.П.Шантарович

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Е.П.Прокопьев

Ведущая организация: Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физический институт

Защита состоится "--'-- " с-:- 1996 года в часов на

заседании Специализированного Совета №2 (К 053.05.20) Отделения физики твердого тела в МГУ им. М.В.Ломоносова по адресу: 119899 ГСП, Москва, Воробьевы Горы, МГУ, физический факультет, криогенный корпус, аудитория 2-05.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ.

Автореферат разослан "_"-'" л' 'Л'-"'- 1996 года.

Ученый секретарь Специализированного совета №2 ОФТТ (К 053.05.20) МГУ им. М.ВЛомоносова, доктор физ.-мат. наук

Г.С.Плотников

I. Общая характеристика работы

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ

В настоящее время методы исследований твердых тел, основанные на использовании эффектов аннигиляции позитронов, широко применяются для изучения структуры и свойств различных материалов. В частности, эти методы позволяют получать информацию о дефектах кристаллической решетки, таких как вакансии, кластеры вакансий, дислокации, когерентные и некогерентные фазовые выделения и др. Такие исследования, прежде всего, служат развитию представлений о фундаментальных свойствах твердых тел. Результаты этих исследований дают, например, сведения об электронной структуре ВТСП и природе высокотемпературной сверхпроводимости.

В данной работе методом аннигиляции позитронов изучались свойства высокотемпературных сверхпроводников и инварных сплавов у-Ре№.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ состояла в изучении:

1) влияния высокотемпературной сверхпроводимости на эффекты аннигиляции позитронов;

2) влияния облучения быстрыми электронами на аннигиляционные характеристики в металлических системах (ВТСП и инвары);

3) возможности образования позитрония в микрополостях в этих системах, а также изучение его свойств.

В работе проводились исследования:

1) времени жизни позитронов в керамических образцах ВТСП (УВа2Сиз07_д и Вц^РЬо зБгзСаоСчзОю+х) и инварного сплава у-Ре70№з0.

2) влияния облучения быстрыми электронами на аннигиляционные характеристики образцов УВагСизОу.^ и у-Реуд^зо;

3) температурной зависимости спектров времени жизни позитронов облученного УВа^СизОу^ и необлученного В1].7РЬо.з5г2Са2СизО]о+х;

4) температурной зависимости электросопротивления образцов УВа2Си307.8 и В117РЬ0.з8г2Са2Си3О10+х;

5) зависимостей намагниченности инварного сплава у-Ре^ЭДзо от температуры и магнитного поля до и после облучения его быстрыми электронами.

Результаты измерений использовались для решения следующих задач:

1) исследование спектра времени жизни позитронов в образце УВа2Сиз07_8, облученном быстрыми электронами;

2) определение температурной зависимости компонент времени жизни позитронов в ВТСП вблизи температуры перехода в сверхпроводящее состояние;

3) изучение состояний позитронов, захваченных микрополостями в ВТСП;

4) определение параметров аннигиляции позитронов (времени жизни и угловой корреляции) в инварных сплавах у-Ре№;

5) установления влияния облучения быстрыми электронами на аннигиляционные характеристики и инварные свойства сплава у-Ре7о№з0.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ заключается в том, что в ней впервые:

1. Показано, что в микрополостях металлических систем может образоваться позитроний, ко рый сильно взаимодействует с электронами зоны проводимости. Для описания этого взаимодействия применима невырожденная модель Андерсона для магнитной примеси. Исходя из этой модели, сделан вывод, что образование энергетической шели в спектре электронов (при переходе ВТСП в сверхпроводящее

состояние) подавляет эффекты орто-пара конверсии позитрония, что может привести к изменению его времени жизни.

2. Установлено, что облучение УВа2Сиз07_§ быстрыми электронами (бМэВ, дозой ~10^эл/см2) приводит к увеличению ингенсивностей второй и третьей компонент спектра времени жизни позитронов, соответствующих сильновзаимодействующему и слабовзаимодействующему позитронию.

3. Получен результат, что первая компонента спектра времени жизни позитронов в образце (ГНРЬ^гСаСиО остается постоянной при переходе в сверхпроводящее состояние. Этот результат указывает на то, что плотность пространственного распределения делокализованных позитронов в (В1РЬ)8гСаСиО не перекрывается заметно с плоскостями СиС>2, ответственными за сверхпроводимость.

4. Устаноатено, что вторая компонента Т2 времени жизни позитронов в (ЕНРЬ)5гСаСиО скачкообразно уменьшается при переходе в сверхпроводящее состояние. Это объясняется подавлением процессов орто-пара конверсии позитрония.

5. Наблюдался эффект увеличения Т2 при понижении температуры в нормальном состоянии и приближении Т к Тс. Этот эффект интерпретирован как влияние флуктуаций сверхпроводящей фазы на время жизни позитронов в микрополостях (1МРЬ)5гСаСиО.

6. На основе полученных экспериментальных результатов показано, что в облученном инварном сплаве у-Ре7о№зо вследствие диффузии вакансий сплав становится неоднородным по концентрации (возникает спиноидальный распад).

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ РАБОТЫ заключается в том, что результаты проведенных исследований состояний позитронов в ВТСП

имеют прямое отношение к вопросу о природе высокотемпературной сверхпроводимости, а также роли различных дефектов в этом явлении. Кроме того, полученные результаты проясняют причины возникновения аномалий свойств инварных сплавов, которые широко используются для практических целей. АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

Материалы, вошедшие в диссертацию, докладывались на:

1. 5-ом Международном Совещании по ядерно-спектроскопическим исследованиям сверхтонких взаимодействий (СТВ), г.Дубна, 1993.

2. 10 International Conference of Positron Annihilation (1CPA-10), Bejing, 1994.

3. XXX Совещании по физике низких температур, г.Дубна, 1994.

ПУБЛИКАЦИИ

По результатам диссертации опубликовано 5 печатных работ. СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов и содержит 139 страниц, включая 33 рисунка, 4 таблицы и список цитируемой литературы из 139 наименований.

II. Содержание работы

Во ВВЕДЕНИИ формулируются цели и задачи диссертационной работы. Кратко изложено сс™ »ржание диссертации и приводятся основные положения, выносимые на защиту.

ПЕРВАЯ ГЛАВА содержит основные положения, характеризующие взаимодействие позитронов с твердым телом. Кратко описаны методы наблюдения эффектов аннигиляции позитронов.

Во ВТОРОЙ ГЛАВЕ дается обзор работ по аннигиляции позитронов в сверхпроводниках, приведены некоторые модели,, используемые для интерпретации эффектов аннигиляции в ВТСП. Отмечается, что экспериментальные данные различных авторов часто не согласуются между собой, что говорит о недостаточном изучении эффектов, наблюдаемых в данной области. Кроме того, в этой главе приведен обзор работ по исследованию влияния облучения на свойства ВТСП.

В ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ излагается методика измерения времени жизни позитронов в ВТСП при низких температурах, методика измерения эффекта угловой корреляции аннигиляционных фотонов, описываются использованные в работе образцы (керамические УВа2Сиз07_5 и (В1РЬ)5гСаСиО, инварные сплавы у-Ре№). Значительное внимание уделяется в этой главе вопросам компьютерной обработки экспериментальных результатов.

ЧЕТВЕРТАЯ ГЛАВА посвящена исследованию керамического образца УВа2Сиз07_5 до и после облучения быстрыми электронами (энергия облучающих частиц составляла бМэВ; суммарная доза облучения (флюенс) была равна 7.8-1017эл/см2; облучение производилось при температуре 40°С в атмосфере воздуха). Установлено присутствие в его спектре времени жизни трех компонент (т, = 210пс, т2 = 475пс и х3е1500пс при Г=78К). Интенсивности

второй и третьей компонент этого спектра значительно увеличиваются в результате облучения.

Интерпретация полученных результатов основана на выводе об образовании в микрополостях исследованного образца атомов позитрония. Взаимодействие такого позитрония с электронами зоны проводимости описывается на основе невырожденной модели Андерсона для магнитной примеси. Согласно этой модели, переходы

электрона между локализованным в примеси состоянием и уровнями

зоны проводимости вблизи энергии Ферми приводят к несохранению

спина примеси. Возникает так называемая спин-электронная

й

релаксация с временем 7',--, где Тк - температура Кондо.

кТк

Применительно к позитронию спин-электронная релаксация означает орто-пара конверсию. В данной модели возможно два принципиально разных состояния:

1) 7\ «т0Рл (г0л=125пс - время жизни свободного парапозитрония).

В этом случае состояние позитрония является усредненным по спиновым состояниям. В результате, поскольку существуют одно синглетное и три триплетных состояния позитрония, а 2у-аннигиляция происходит только из синглетного, время жизни позитрония приобретает характерную величину тл = 4х -с" = 500 пс. Это значение тй может немного измениться засчет "рюк-ой"-аннигиляции (аннигиляции с электронами окружения, с которыми позитрон, входящий в состав атома позиторония, находится в синглетном состоянии).

2) . В этом случае состояние позитрония можно классифицировать как синглетное или триплетное.

При переходе в сверхпроводящее состояние, если температура этого перехода Тс больше температуры Кондо орто-пара конверсия подавляется вследствие возникновения энергетической щели на уровне Ферми. Следовательно, с понижением температуры ниже Тс, позитроний может перейти из с "тояния, описанного выше в пункте 1) (при 7> Тс) в состояние с определенным значением спина. Это изменение свойств позитрония может повлиять на наблюдаемую температурную зависимость эффектов аннигиляции.

На основе приведенной модели объясняется отсутствие на кривой угловой корреляции аннигиляционных фотонов узкой компоненты, характерной для позитрония в диэлектриках. Дело в том, что в случае сильновзаимодействующего позитрония в результате многократного туннелирования электрона из связного с позитроном состояния в зону проводимости и обратно возникает значительная неопределенность в величине импульса позитрония.

Исследована температурная зависимость спектра времени жизни облученного образца УВа2Сиз07_§ вблизи температуры сверхпроводящего перехода. Наблюдалось увеличение интенсивности второй компоненты с ростом температуры. Этот эффект объясняется увеличением вероятности захвата позитронов дефектами.

В ПЯТОЙ ГЛАВЕ приводятся результаты измерений температурной зависимости компонент спектра времени жизни позитронов керамического образца В^^РЬд з5г2Са2СизОю+х (содержащего по данным рентгенофазного анализа 78% фазы 2:2:2:3 и 22% фазы 2:2:1:2) вблизи температуры сверхпроводящего перехода Тс (78-130К).

Полученные экспериментальные данные о спектре времени жизни позитронов в исследуемом образце (В]РЬ)8гСаСиО удовлетворительно аппроксимируются тремя компонентами. Значения этих компонент т,- и их интенсивности /,• при Т=78К соответственно равны: т,=221пс; т2=421пс; т3=1200пс; 73%; /2=26% и /3=1%.

В рассматриваемом интервале температур величина т,, относящаяся к делокализованным позитронам и позитронам, захваченным моновакансиями, не зависит от температуры. Этот факт объясняется тем, что плотность пространственного распределения позитронов максимальна в районе между В1-0 слоями, а в области сверхпроводящих С11О2 плоскостей она ничтожно мала. При

возникновении сверхпроводящего состояния распределение электронной плотности образца изменяется только таким образом, что это изменение не затрагивает ВьО слоев, т.е. перекрытие волновых функций позитронов и электронов не изменяется.

В отличие от т,, величина т2, относящаяся к позитронам, захваченным микрополостями, испытывает значительную температурную зависимость (Рис. 1).

480'

460-

о С

440-

420

л

д...

А- - Л

А

Д

Д.

А --Д

-1-1-1-1-1-1-.-1-1-1-1-1-1-1

70 80 90 100 110 120 130 140

Т, К

Рис. 1. Зависимость т2-второй компоненты спектра времени жизни позитронов в (В1РЬ)5гСаСиО от температуры вблизи Тс.

Как отмечалось в главе 4, в микрополостях в ВТСП может образовываться позитроний, который сильно взаимодействует с электронами зоны проводимости. Влияние сверхпроводимости на т2 есть результат изменения этого взаимодействия. Согласно этой модели

д

с

д

скачкообразное уменьшение т2 вызвано образованием энергетической щели в спектре электронов в сверхпроводящем состоянии.

Наблюдаемый рост т2 при понижении температуры до значения Тс наиболее вероятно связан с флуктуациями сверхпроводящей фазы. Как известно, в системе В1-8г-Са-Си-0 переход в сверхпроводящее состояние сильно размыт по температуре вследствие термически возбуждаемых сверхпроводящих флуктуаций. Это размытие перехода Д Т может составлять несколько десятков градусов Кельвина [1-5].

Поэтому естественно предположить, что эффект увеличения т2 при понижении температуры в области Т>ТС следует интерпретировать как результат увеличения относительного объема , занятого

сверхпроводящей фазой:

(5-2)

Здесь п- концентрация флуктуаций сверхпроводящей фазы и ил-

средний объем, занимаемый одной флуктуацией!

Следуя известной работе Шмида [6], будем считать п = |Ч'|2, где У-

параметр порядка. В области температур Т>ГС, в которой уравнения Гинзбурга-Ландау для Ч' являются линейными

Щ1 ~кт(${т)у\ (5.3)

где 4(7)- длина корреляции, Е,(1)=%(0)(Т/Тс-1)-1/2.

Сверхпроводимость ВьБг-Са-Си-О имеет двумерный характер. Поэтому величина

(5.4)

где с1 - характеристическая длина в направлении, перпендикулярном слоям Си02.

Таким образом, вблизи Гс объем возрастает как (Т-Тс у1'2. Этот вывод качественно согласуется с результатами настоящего эксперимента.

Следует отметить, что £(0) и с1- величины порядка 10А, поэтому средний размер сверхпроводящей флуктуации вблизи температуры Тс по порядку величины совпадает с минимальным размером микрополости в металле, в которой возможно образование позитрония.

Как видно из Рис. 1, вторая компонента времени жизни позитронов в области Т<ТС имеет второй макимум. Этот максимум, по-видимому, связан с неоднофазным составом образца.

В исследованном спектре времени жизни позитронов в висмутовом сверхпроводнике наблюдается компонента т3 г 1200пс с небольшой интенсивностью =\%. Эта компонента соответствует ортопозитронию, который образуется в относительно больших полостях и поэтому слабо взаимодействует с электронами проводимости.

ШЕСТАЯ ГЛАВА содержит краткое описание основных свойств инварных сплавов, а также результаты измерений времени жизни и угловой корреляции аннигиляционного излучения образцов у-Ге№ инварного состава.

Наилучшее фитирование с помощью программы РОБИКСЖИТ достигается при разложении спектров времени жизни позитронов на две компоненты. Первая компонента ^ = 125+133^ относится к позитронам, проаннигилировавшим из делокализованного состояния и позитронам, захваченным моновакансиями. Известно, что время жизни делокализованных позитронов заключено в интервале 110-120пс, а позитронов, локализованных в моновакансиях - 180-190пс [7]. Поэтому, при разрешении установки в 350пс не удается достоверно разделить эти две компоненты, и мы наблюдаем ее среднюю величину.

Вторая компонента т2=500пс относится к позитронам, захваченным кластерами вакансий, и имеет интенсивность 3-8% в различных образцах.

Обработка результатов измерения эффекта угловой корреляции аннигиляиионного излучения с помощью АСАЯР1Т приводит к разложению наблюдаемой кривой на три компоненты:

1) парабола с 0;, »5.5мрад и интенсивностью 13-15% относится к аннигиляции позитронов с электронами зоны проводимости. О,,

соответствует граничному импульсу Ферми этих электронов, т.е. = —;

тс

2) широкая гауссиана (Р\УНМ= 14мрад) с интенсивностью около 80% относится к позитронам, аннигилировавшим с электронами внутренних атомных оболочек;

3) узкая гауссиана (РV/НМ=47мрад) с интенсивностью 4+8% появляется в результате аннигиляции позитронов, захваченных дефектами кристаллической решетки.

В результате облучения образца у- ЕеудТ^зо быстрыми электронами (энергия «5МэВ, доза ~1018эл/см2, температура <80°С) сильно изменились его аннигиляционные характеристики. Компонента времени жизни х,, равная до облучения 132пс, после облучения оказалась равной 165пс. Аналогично интенсивность второй компоненты 12 возросла от «3% до «20%.

Что касается утловой корреляции, то здесь все изменения связаны лишь с узкой гауссианой: БЧУНМ изменилась с 4 до 7 мрад, а интенсивность ее выросла с 4% до 18%.

Показано, что вследствие облучения инварного сплава у-БеуоМзо быстрыми электронами сильно изменяются его основные магнитные свойства. Температура Кюри Тс возрастает на «30°С. Кроме того, на кривой зависимости спонтанной намагниченности от температуры выше Тс образуется интенсивный "хвост".

Полученные экспериментальные результаты по влиянию облучения быстрыми электронами на аннигиляционные характеристики и магнитные свойства сплава y-FeNi указывают на связь его инварных свойств со структурной неоднородностью. В результате облучения возникла большая концентрация вакансий. Диффузия этих вакансий привела к спиноидальному распаду и к изменению ближнего порядка в расположении атомов железа и никеля. Этот процесс связан с образованием упорядоченных фаз FeNi и FejNi. Области с повышенной концентрацией железа парамагнитны при комнатных температурах. Однако, в тех местах, в которых увеличивается концентрация никеля, температура Кюри возрастает по сравнению со значением для гомогенного состояния сплава.

III. Основные результаты и выводы

1. Наблюдаемый спектр времени жизни позитронов в исследованных образцах YBaCuO и (BiPb)SrCaCuO состоит из трех компонент. Первая компонента (равная для этих ВТСП 190-230пс) включает в себя время жизни делокализованных позитронов и позитронов, локализованных в моновакансиях (со слабой энергией связи). Вторая компонента (~350-500пс) соответствует позитронам, захваченным относительно большими дефектами кристаллической решетки (микрополостями). Третья компонента (~1200-1500пс) относится к ортопозитронию.

2. В микрополостях металлических систем может образоваться позитроний, который сильно взаимодействует с электронами зоны проводимости. Для описания этого взаимодействия использована невырожденная модель Андерсона для магнитной примеси. Исходя из этой модели, сделан вывод, что образование энергетической щели

в спектре электронов (при переходе ВТСП в сверхпроводящее состояние) подавляет эффекты орто-пара конверсии позитрония, что может привести к изменению его времени жизни.

3. Облучение УВа2Сиз07_5 быстрыми электронами (бМэВ, дозой ~1018эл/см2) приводит к уменьшению Тс, размытию интервала сверхпроводящего перехода и к увеличению интенсивностей второй и третьей компонент спектра времени жизни позитронов.

4. Величина интенсивности второй компонеты (~500пс) облученного образца УВа2Сц307.5 увеличивается с ростом температуры. Этот эффект интерпретируется как результат увеличения вероятности захвата позитрона микрополосгью.

5. На экспериментальной кривой угловой корреляции не наблюдается очень узкой компоненты, характерной для позитрония в диэлектриках. Этот факт объясняется тем, что "сильновзаимодействующий позитроний" обладает значительной неопределенностью в величине импульса.

6. Первая компонента спектра времени жизни позитронов в образце (В1РЬ)5гСаСиО остается постоянной при переходе в сверхпроводящее состояние. Этот результат указывает на то, что плотность пространственного распределения делокализованных позитронов в ДОРЬ)5гСаСиО не перекрывается заметно с плоскостями С11О2, ответственными за сверхпроводимость.

7. Вторая компонента времени жизни позитронов в (В1РЬ)8гСаСиО скачкообразно уменьшается при переходе в сверхпроводящее состояние. Это явление объясняется подавлением процессов орто-пара конверсии позитрония (см. п.2).

8. При понижении температуры в нормальном состоянии наблюдается рост т2 при приближении Т к Тс. Этот эффект интерпретирован как

влияние флуктуации сверхпроводящей фазы на время жизни позитронов в (В1РЬ)5гСаСиО.

9. Спектры времени жизни позитронов для отожженных инварных сплавов состоят из двух компонент: т, = 130пс является средним значением при аннигиляции позитронов из свободного (т =1!5пс) и локализованного в моновакансиях (т = 180пс) состояний; т, е500пс относится к позитронам, захваченным кластерами вакансий. Кривые угловой корреляции состоят из трех компонент: параболы (9С =5.5мрад), широкой (=14мрад) и более узкой (=4+6мрад) гауссиан.

10. При облучении быстрыми электронами возрастает концентрация дефектов. В результате -с, сплава у-Ре7о№зо увеличивается до 165пс и интенсивность /2 увеличивается от «3% до «20%. Происходит также значительное увеличение интенсивности второй (более узкой) гауссианы при измерении эффекта угловой корреляции.

И. В результате облучения быстрыми электронами инварного сплава у-Рс7о"№зо сильно изменяются его основные магнитные свойства, характеризующие инварные особенности этого сплава. Именно, температура Кюри Тс возрастает на «30°С. Кроме того, на кривой зависимости намагниченности I от температуры выше Тс образуется интенсивный "хвост", т.е наблюдается медленное ассимптотическое уменьшение ЦТ).

12. Полученные экспериментальные результаты указывают на то, что в облученном инварном сплаве у-БеуоМзо вследствие диффузии вакансий возникает спиноидальный распад и образуется ближний порядок в расположении атомов железа и никеля. Этот процесс сопровождается образованием кластеров вакансий и микрополостей.

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

1. Седов В.Л., Кузнецов С.Н., Хафиз М.А., Муссалитин A.M. Позитроний в YBa2Cii307_g. Тезисы 5-го Международного совещания по ядерно- спектроскопическим исследованиям сверхтонких взаимодействий (СТВ).- Дубна, 1993.-c.152.

2. Sedov V.L., Kuznetsov S.N., Hafiz М.А. and Mussalitin A.M. Positronium in microvoids and superconductivity. Proceedings of 10 International Conference on Positron Annihilation (ICPA-10), Bejing.-1994- p.178.

3. Седов B.JI., Кузнецов C.H. Позитроний в ВТСП. Тезисы XXX Совещания по физике низких температур, Дубна.- 1994- с.235.

4. Sedov V.L. and Kuznetsov S.N./ Positronium in voids and superconductivity.// Phys. Lett. A- 1994- v. 193- p.413-418.

5. Седов B.JI., Кузнецов C.H., Хафиз M.A., Муссалитин А.М./ Позитроний в YBa2Cu307„5.// Ядерная физика- 1995- т.58- №7-с.1198-1203.

Список литературы

1. Mun Mi-Ock, Lee Sung-Ik, Sung-Ho Suck Salk, Shing H.J. and Joo М.К./ Conductivity fluctuations in a single crystal of BijS^CaCujOx// Phys. Rev. B- 1993- v.48- no 9- p.6703-6706.

2. Viclal Felix, Veira J.A., Maza J., Ponte J.J., Garcia-Alvarado F., Moran E., Amador J., Castro C., Casais M.T. and Rasines I./ Excess electrical conductivity in polycrystalline Bi-Ca-Sr-Cu-O compounds and thermodynamic fluctuations of the amplitude of the superconducting order parameter.// Physica C- 1988- v. 156- p.807-816.

3. Poddar A., Mandal P., Das A.N., Ghosh B. and Choudary P./ Electrical resistivity, magnetoresistance, magnetisation, Hall coefficient and excess conductivity in Pb-doped Bi-Sr-Ca-Cu oxides.// Physica C- 1989- v.l6l-p.567-573.

4. Wnuck J.J., Schreurs L.W.M., Eggenkamp and van der Linden P.J.E.M./ Excess electrical conductivity in Bi-Ca-Sr-Cu-0 compounds.// Physica B-1990- v.165 & 166- p.1371-1372.

5. Ravi S. and Seshu Bai V./ Fluctuations induced excess conductivity in the Bi1.2Pbo.3Sr1.5Ca2Cu3Oy compound.// Physica C- 1991- v.182- p.345-350.

6. Schmid A./ Diamagnetic susceptibility at the transition to the superconducting state. //Phys. Rev.- 1969- v.180- no 2- p.527-529.

7. Dlubeck G., Meyendorf N. and Briimmer O./ An estimation of the angular correlation curves being characteristic of positron annihilation in dislocation, vacancies, and vacancy clusters in Ni.// Crystal Res. & Technol.- 1983- v. 18- no 6- p.S^ S12.