Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Литературный обзор

1.1. Фталоцианины и их основные свойства

1.2. Кристаллическая структура фталоцианинов

1.2.1. Упаковка молекул фталоцианинов

1.2.2. Основные факторы, влияющие на размер, форму и ориентацию кристаллитов. Морфология поверхности

1.3. Адсорбционные свойства фталоцианинов

1.4. Электрофизические свойства

1.4.1. Проводимость фталоцианинов

1.4.2. Вольт-амперные характеристики

1.4.3. Контактные явления

1.5. Электронно-оптические свойства фталоцианинов

1.6. Модели электропереноса в органических материалах

1.7. Влияние легирования на проводимость пленок фталоцианинов

1.8. Ионно-лучевое легирование пленок фталоцианинов 29 Выводы по 1 главе

ГЛАВА 2. Методика проведения эксперимента

2.1. Используемые материалы. Очистка фталоцианинов

2.2. Методика получения тонких фталоцианиновых пленок

2.3. Методика исследования полупроводниковых свойств тонких фталоцианиновых пленок

2.3.1. Методика проведения измерений

2.3.2. Теоретическая модель температурной зависимости вольт-амперных характеристик

2.4. Электронная спектроскопия

2.5. Сканирующая зондовая микроскопия

2.6. Методика ионно-лучевого легирования

2.7. Методика создания композитных пленок на основе фталоцианинов

Выводы по 2 главе 44 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

ГЛАВА 3. Структурные исследования

3.1. Влияние температуры осаждения и термической обработки на воздухе на структуру пленок РсСи и С1хРсСи

3.2. Влияние ионно-лучевой имплантации на структуру пленок фталоцианинов

3.2.1. Влияние ионно-лучевой имплантации на структуру пленок С1хРсСи

3.2.2. Рентгено-спектральное исследование облученных пленок

ClxPcCu

3.2.2.1. Исследование состава поверхности

3.2.2.2. Исследование состава пленок С1хРсСи при аргонно-лучевом травлении

3.2.3. Влияние ионно-лучевой имплантации на структуру пленок РсСи

Выводы по 3 главе

ГЛАВА 4. Электрофизические свойства

4.1. Особенности электрофизических свойств пленок РсСи

4.2. Особенности электрофизических свойств пленок CIxPcCu 71 Выводы по 4 главе

ГЛАВА 5. Влияние ионно-лучевого легирования на электрофизические свойства пленок фталоцианинов

5.1. Влияние облучения ионами углерода на электрофизические свойства пленок ClxPcCu и РсСи

5.2. Проводимость пленок ClxPcCu и РсСи,облученных ионами углерода, на воздухе

5.3. Влияние облучения ионами углерода на проводимость пленок

РсСи разных структур

5.4. Ионно-лучевое легирование пленок С1хРсСи ионами Si, Ge, Sn,

Си и Mg

Выводы по 5 главе

ГЛАВА 6. Возможности модифицирования фталоцианиновых пле- 91 нок

6.1. Композитные пленки фталоцианин-металл

6.1.1. Получение композитных слоев фталоцианин-металл

6.1.2. Влияние отжига на воздухе на проводимость композитных пленок фталоцианин-металл

6.1.3. Вольт-амперные характеристики композитных пленок фталоцианин-металл

6.2. Композитные пленки из С1хРсСи и РсСи 100 Выводы по 6 главе

ВЫВОДЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Актуальность темы. Фталоцианины в настоящее время являются широко исследуемыми молекулярными полупроводниками, что связано с причинами как прикладного, так и научного характера. Они обладают уникальными термической и химическими стойкостями в сочетании с полупроводниковыми и фотоэлектрическими свойствами, и считаются перспективными органическими материалами для молекулярной электроники, оптоэлетроники и химической сенсорики.

Особый интерес вызывает применение фталоцианинов в качестве датчиков газового анализа, поскольку их электропроводность зависит от адсорбции газов донор-ной или акцепторной природы.

Однако получаемые на сегодняшний день фталоцианиновые пленки обладают двумя недостатками, которые мешают их практическому применению: это низкое, трудно измеряемое значение проводимости и их невысокая стабильность. Способы, которые улучшали бы свойства пленок, пока не найдены. Остается дискуссионным вопрос о механизме их проводимости. Не полностью ясен механизм влияния газов на их проводимость. Кроме того, недостаточно изучен вопрос о корреляции между структурными особенностями молекулы фталоцианина и свойствами пленок.

Поэтому, естественно, что комплексные, систематические исследования свойств пленок фталоцианинов в реальных условиях применения, а также возможностей методов их модифицирования являются важной и актуальной задачей.

Целью работы являлось исследование возможности получения тонких пленок фталоцианина с оптимальными сенсорными свойствами на аммиак.

В качестве основных объектов исследования был выбран фталоцианин меди (РсСи) и хлорзамещенный фталоцианин меди (С1хРсСи). Структура молекулы фталоцианина меди представлена на рис. 1.1. Молекула хлорзамещенного фталоцианина меди отличается от молекулы фталоцианина меди тем, что в ней большинство атомов водорода замещены на атомы хлора. Хотя молекулы РсСи и С1хРсСи являются химическими аналогами, но электрофизические свойства их сильно различаются. Пленки РсСи обладают дырочной проводимостью, а пленки С1хРсСи электронной, поэтому в работе рассматривалась возможность создание чувствительного слоя с различным откликом на аммиак - газ донорной природы.

Для реализации поставленной цели было необходимо решить следующие задачи:

- выявить оптимальные условия получения пленок фталоцианина и охарактеризовать их структуру;

- рассмотреть процессы, происходящие в тонких пленках фталоцианина под действием отжига, поскольку известно, что оптимальная чувствительность фталоциани-нов лежит в интервале температур 80-150°С;

- выявить механизм влияния воздушной среды при отжиге на электрофизические свойства пленок в зависимости от молекулярной структуры фталоцианина.

Поскольку пленки фталоцианина обладают низкой проводимостью, то для практического их применения главной задачей было увеличение их проводимости с сохранением чувствительности. Для этого в работе рассматривались следующие методы модифицирования свойств пленок:

- ионно-лучевая имплантация (ИЛИ),

- введение металлических кластеров в пленку,

- создание органических полупроводниковых гетероструктур.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые проведены систематические исследования влияния условий получения (температуры, влияние кислорода, режимов отжига и т.д.) на проводимость и морфологию пленок хлорированного фталоцианина меди.

2. Впервые установлено, что при взаимодействии кислорода с пленками фтало-цианинов образуется примесный уровень акцепторного типа 0.4-0.6 эВ от зоны проводимости для С1хРсСи и 0.4-0.5 эВ над валентной зоной для РсСи.

3. Впервые показаны изменения, происходящие в пленках С1хРсСи при облучении ионами средних энергий.

4. Впервые показано, что сразу после облучения роль типа имплантируемой примеси (ионов) не проявляется в проводимости пленок фталоцианинов. Влияние типа имплантируемых ионов происходит лишь после проведения термической обработки облученных пленок.

5. Впервые получены композитные пленки фталоцианин-металл, двухслойные ClxPcCu-PcCu и получены систематические данные по их проводимости в зависимости от условий получения (толщины слоев), влияния кислорода и т.д.

6. Впервые установлено, что в двухслойных пленках ClxPcCu-PcCu электроны из РсСи переходят в С1хРсСи, что ведет к увеличению концентрации носителей в обоих фталоцианинах.

Практическая значимость.

1. С помощью внедрения металлической примеси (Sn, Ni) методом ИЛИ (ионно-лучевой имплантации) увеличена проводимость пленок С1хРсСи на 1-2 порядка с сохранением их чувствительности к аммиаку.

2. Использование композитных пленок С1хРсСи-металл позволяет увеличить проводимость ее однокомпонентного аналога на 3 и более порядка с сохранением чувствительности к аммиаку.

4. Предложено использование двухслойных пленок из РсСи и С1хРсСи, которое позволяет увеличить проводимость чувствительных слоев на 1.5-2 и более порядка, как с положительным, так и отрицательным откликом на аммиак.

На защиту выносятся следующие положения:

1. В результате отжига на воздухе происходят два явления: сорбция кислорода и изменения в структуре пленок фталоцианина. Сорбция кислорода увеличивает проводимость РсСи, а для С1хРсСи уменьшает, что связано с образованием примесного уровня большой плотности в запрещенной зоне фталоцианинов. Изменения в структуре пленок двух фталоцианинов различны, но ведут к уменьшению их проводимости.

2. Ионно-лучевая имплантация влияет на структуру пленок фталоцианина, которая зависит от массы ионов и дозы облучения. При этом в пленках образуется "примесь" в результате разрушения молекул фталоцианина. Отжиг на воздухе приводит к восстановлению структуры пленки, при этом в проводимости возрастает роль химической природы внедренных ионов.

3. Металлические кластеры In или Sn, содержащиеся в пленках фталоцианина, создают в них отрицательный пространственный заряд. Поэтому проводимость пленок n-типа (ClJPcCu) может быть существенно увеличена, а чувствительность к аммиаку сохранена.

4. На границе перехода ClxPcCu-PcCu происходит взаимное обогащение пленок носителями, что связано с тем, что работа выхода электрона и энергия сродства к электрону С1хРсСи больше по сравнению с РсСи. Использование данного эффекта позволяет увеличить проводимость как для пленки р-типа проводимости (РсСи), так и для пленки n-типа (С1хРсСи) с сохранением чувствительности к аммиаку.

Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на IV Всероссийском семинаре "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" 7

Н. Новгород, 1998), X Конференции "Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления" (Москва, 1998), IV Научно-технической конференции стран СНГ "Процессы и оборудование экологических производств" (Волгоград, 1998), 1-ом Международном семинаре по полупроводниковым газовым сенсорам (Гливице, Польша, 1998), Международной конференции " Сканирующая зондовая микроскопия 2001" (Нижний Новгород, 2001), Международной научно-технической конференции "Межфазная релаксация в полимерах" (Москва, 2001).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 6-и глав (обзор литературы, эксперимент, обсуждение результатов), выводов и списка литературы. Обсуждению и эксперименту посвящены 4 главы (рассматриваются отдельно структурные исследования, электрофизические измерения, влияние ИЛИ, композитные пленки). Диссертация занимает 115 страниц, включая 17 таблиц и 40 рисунков, список литературы содержит 119 наименований.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Показано, что сенсорные свойства (проводимость, чувствительность) фталоцианиновых пленок зависят от распределения примесных уровней в запрещенной зоне.

2. Установлено, что одна и та же примесь создает в запрещенной зоне РсСи и ClxPcCu различные примесные уровни.

3. Показано, что в естественных условиях применения (отжига на воздухе) электрофизические свойства пленок определяются сорбцией кислорода и изменениями в структуре. В результате сорбции кислорода - акцепторной примеси в запрещенной зоне РсСи образуется примесный уровень 0.4-0.5 эВ от валентной зоны, вследствие чего проводимость возрастает. Для С1хРсСи примесный уровень образуется на 0.4-0.6 эВ от зоны проводимости, что ведет к уменьшению проводимости. Нарушения в упаковке молекул (для РсСи) и углубление границ между зернами (для С1хРсСи) ведут к уменьшению проводимости пленок.

4. Разработаны и исследованы методы модифицирования, которые позволяют управлять проводящими свойствами пленок: а) предложен метод модифицирования пленок с помощью ионно-лучевой имплантации, который позволяет увеличить проводимость фталоцианина n-типа на 1-2 порядка и стабилизировать их электрофизические свойства; б) впервые предложен метод создания композитных пленок фталоцианин-металл и пленок из фталоцианинов с различным типом проводимости, который позволяет увеличить проводимость однокомпонентных пленок на 2 и более порядка с сохранением чувствительных свойств к аммиаку.

1. Силиньш Э.А., Курик М.В., Чапек В. Электронные процессы в органических молекулярных кристаллах: Явление локализации и поляризации. Рига: Зинатне, 1988.- 329 с.

2. Mason P., Williams G. Structural chemistry of phthalocaynine Co(II) and Mn(II) // J. Chem. Soc.: Dalton Trans. 1979. - № 4. - p. 676-683.

3. Scheidt W. R., Dow W. Molecular stereochemistry of phthalocyaninatozinc(II) // J. Amer. Chem. Soc. 1977. - V. 99. - p. 1101-1104.

4. Даровских A. H., Франк-Каменецкая О. В. Кристаллическая структура соединений фталоцианина с металлами. Связь с особенностями переноса заряда // Проблемы кристаллохимии. М.: Наука, 1988. - с. 117-134.

5. Симон Ж., Андре Ж.-Ж. Молекулярные полупроводники. М.: Мир, 1988. - 341 с.

6. Wright J. D. Gas adsorption on phthalocyanines and its effects on electrical properties //

7. Progr. Surf. Sci. 1989. - V. 31. - p. 1-60.

8. Березин Б. Д. Координационные соединения порфиринов и фталоцианина. М.: Наука, 1978. - 280 с.

9. Гутман Ф., Лайонс Л. Е. Органические полупроводники. М.: Мир, 1970. - 696 с.

10. Lucia Е., Verderame F. Spectra of polycrystalline phthalocyanines in the visible region //

11. J. Chem. Phys. 1968. - V .48, №6. - p. 2674-2681.

12. Shihub S. I. and Gould R. D. Studies of phase transformations in some metal phthalo-cyanine thin films using measurements of current as a function of temperature // Thin Solid Films. -1996. V. 290-291. - p. 390-394.

13. Kobayashi T. // Acta Cryst. (a). 1981. - V. 37, №5. - p. 697-703.

14. Starke M., Hamann C. Die electrischen Eigenschaften chlorsubstituierter Kupferphtha-locyanine // Z. phys. Chem. 1970. - V. 243, № 3/4. - p. 166-176.

15. Harrison S.E., Ludewig K.H. Condactivity and crystal phase change in phthalocyanine // J. Chem. Phys. 1966. - V. 45, №1. - p. 343-348.

16. Iwatsu F., Kobayashi Т., Uyeda N. Solvent effects on crystal grouwth and transformation of zinc phthalocyanine // J. Phys. Chem. 1980. - V.84. - p. 3223-3230.

17. Sadaoka Y., Jones T.A., Revell G.S., Gopel W. Effects of morphology onNCb detection in air at room temperature with phthalocyanine thin films // J. Mat. Sci. 1990. - V. 25. - p. 5257-5268.

18. De Haan A., Decroly A. Electrical resistance of copper phthalocyanine thin films as influenced by substrates, electrodes and physical features of the films // Sensors and Actuators (b). 1996. - V. 30. - p. 143-150.

19. Sadaoka Y., Jones T.A., Gopel W. Fast NO2 detection at room temperature with optimized lead phthalocyanine thin structures // Sensors and Actuators. 1990. - Y. BI. - p. 148-153 .

20. Guillaud G., Simon J., Germain J. P. Metallophthalocyanines. Gas sensors, resistors and field effect transistors // Coord. Cem. Rev. 1998. - V. 178-180. - p. 1433-1484.

21. Kobayashi Т., Fujiyoshi Y., Iwatsu F., Uyeda N. High-resolution ТЕМ images of zinc phthalocyanine polymorps in thin films // Acta Cryst. 1981. - V. A37. - p. 692-697.

22. Snow A. W., Barger W. R. Phthalocyanines: Properties and applications / Eds. Leznoff С. C. and Lever A. B. P. NY: VCH Publishers. - 1989. - p. 341-392.

23. Gould R. D. Structure and electrical conduction properties of phthalocyanine thin films // Coord. Chem. Rev. 1996. - V. 156. - p. 237-274.

24. Debe M. K., Pourier R. J. and Kam К. K. Organic-Thin-Film-Induced molecular epitaxy from the vapor phase // Thin Solid Films. 1991. - V. 197. - p. 335-347.

25. Dogo S., Germain J.-P., Mallisson K. and Poly E. Interaction of N02 with copper phthalocyanine thin films. 1. Characterisation of copper phthalocyanine films // Thin Solid Films. 1992. - V. 219. - p. 244-250.

26. Schmeisser D., Pohmer J., Hanack M. and Gnpel W. Modifications in the microscopic structure of Ru and Pb phthalocyanine films by intermolecular interactions // Synth. Met 1993,-V. 61,-p. 115-120.

27. Loutfy R. O., Sharp J. H., Hsiao С. К., Ho R. Phthalocyanine organic solar cells. In-dium/x-metall-free phthalocyanine Schottky barriers // J. Appl. Phys. 1981. - V. 52, №8. - p. 5218-5230.

28. Веснин Ю. И. О вторичной структуре кристалла // Ж. структурной хим. 1995. - Т. 36, №4. - с. 724-730.

29. Nespurek S., Podlesak Н., Hamann С. Structure and photoelectrical behaviour of vacuum-evaporated metal-free phthalocyanine films // // Thin Solid Films. 1994. - V. 249. - p. 230-235

30. Temofonte T.A., Schoch K.F. Phthalocyanine semiconductor sensors for room-temperature ppb level detection of toxic gases // J. Appl. Phys. 1989. - V. 1, №3. - p. 1350-1355.

31. Burr P.M., Jeffery P.D., Benjamin J.D., Uren M.J. A gas-sensitive field effect transistor utilizing a thin film of lead phthalocyanine as the gate material // Thin Solid Films. -1987. Y. 151. -p. Llll-Ll 13.

32. Narayanan Unni K.N., Menon C.S. Electrical, optical and structural studies on nikei phthalocyanine thin films // Materials Letters. 2000. - Y. 45. - p. 326-330.

33. Starke M., Wagner H., Hamann C. Zur Structur von organischen Mischkristallschichten // Kristall und Technic. 1972. - V. 7, №12. - p. 1319-1327.

34. Campbell D., Collins R. A. The effect of surface topography on the sensitivity of lead phthalocyanine thin films to nitrogen dioxide // Phys. Stat. Sol. (a) 1995. - V. 152. - p. 431-442.

35. Endres H.-E., Drost S. and Hutter F. Impedance spectroscopy on dielectric gas sensors // Sesors and Actuators (b). 1994. - V. 22. - p. 7-11.

36. Rocco M.L., Franc K.H., Yannoulis P., Koch E.E. Unoccupied electrjnic structure of phthalocyanine film // J. Chem. Phys. 1990. - V.93, №9. - p. 6859-6864.

37. Акопджанов Р.Г. Рентгеновские К(Си)-спектры поглощения полифталоцианинов меди // Высокомолек. соед. Сер. Б. 1994. - Т. 36, №3. - с. 507-509.

38. Kiselev V. F., Kurylev V. V., Levshin N. L. The effect of adsorption on the electro-conductivity of PcFe and PcCu films // Phys. Stat. Sol. (a) 1977. - V. 42. - p. K61-K64.

39. Пахомов Г.Л., Шапошников Г.П., Спектор B.H., Пахомов Л.Г., Рибо Ж.-М. Спектры поглощения плёнок фталоцианинов при последовательной обработке N02 и NH3 // Изв. АН, сер. хим. 1996. - №2. - с. 236-238

40. Овчинников А.А., Пахомов Г.Л., Спектор В.Н. Массовый эффект при сорбции аммиака на пленках дихлорфталоцианина меди // Докл. АН. 1994. - Т. 338, №4. -с. 489-491.

41. Freas R. В., Сатрапа J. Е. Fast atom bombardement mass spectrometry of phthalocyanines // Inorg. Chem. 1984. - V. 23, № 26. - p. 4654-4658.

42. Виноградский А. Г., Сидоров A. H. Электронная структура и спектры комплексов фталоцианинов с иодом // Хим. физ. 1984. - Т. 3, №3. - с. 380-385.

43. Виноградский А. Г. Электронная структура комплексов фталоцианинов с иодом // Мат. 6-ого Всесоюзного совещания по пробл. Комплексов с переносом заряда и ион-радикальны солей, Черноголовка. 1984. - с. 28.

44. Пахомов Г.Л., Пахомов Л.Г., Багров A.M. Взаимодействие диоксида азота с тонкими пленками производных фталоцианина кобальта // Хим. физика. 1995. -Т. 14, № 12. - с. 108-117.

45. Pankow J. W., Arbour С., Dodelet J. P., Collins G. E., Armstrong N. R. Photoconductivity/dark conductivity studies of chlorogallium phthalocyanine thin films on interdigitated microcircuit arrays // J. Phys. Chem. 1993. - V. 97. - p. 8485-8494.

46. Steinbach F., Joswig H.J. Infrared spectroscopic investigation of sorption of nitric oxide by (3-metal phthalocyanine of the first transition period // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1979. - V.l, №12. - p. 2594-2597.

47. Schoch K.F., Temofonte T.A., IR renspons of phthalocyanine thin films to nitrogen dioxide // Thin. Solid. Films. 1988. - V. 165. - p. 83-89.

48. Collins R. A., Mohammed K. A. Gas sensitivity of some metal phthalocyanines // J. Phys.D: Apll. Phys. 1988. - У. 21. - p. 154-161.

49. Вартанян А. Т., Карпович И. А. Полупроводниковые свойства фталоцианинов. 1. Электропроводность и фотопроводимость фталоцианинов в вакууме и в кислороде//ЖФХ. 1958. - Т. 32, №1. - с. 178-187.

50. Вартанян А.Т. Полупроводниковые свойства органических красителей // ЖФХ. -1948. Т. 22. - с. 769-782.

51. Ambily S., Menon C.S. The effect of growth parameters on the electrical, optical and structural properties of copper phthalocyanine thin films / Thin Solid Films. 1999. - V. 347. - p. 284-288.

52. Gould R. D. Dependence of the mobility and trap concentration in evaporated copper phthalocyanine thin films on background pressure and evaporation rate // J. Phys. D; Appl. Phys. 1986. - V. 9. - p. 1785-1790.

53. Ambily S., Menon C. S. Electrical conductivity studies and optical absorption studies in copper phthalocyanine thin films // Sol. State. Comm. 1995. - V. 94^ №6. - p. 485487.

54. Hassan A. K., Gould R. D. The electrical properties of copper phthalocyanine thin films using indium electrodes // J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. - V. 22. - p. 1162-1168.

55. Shafai T. S., Gould R. D. Transport properties in lead phthalocyanine thin films for use in FET structures // Int. J. Electron. 1990. - V. 69, № 1. - p. 3-9.

56. Azim-Araghi M. E., Campbell D., Krier A., Collins R. A. Electrical conduction mechanisms in thermally evaporated lead phthalocyanine thin films // Semicond. Sci. Technol. 1996. - V. 11,№ 1. - p. 39-43.

57. Bouvet M. and Simon J. Electrical properties of rare earth bisphthalocyanine and bisnaphthalocyanine complexes // Chem. Phys. Lett. 1990. - V. 172, №3/4. - p. 299302.

58. Laurs H. and Heiland G. Electrical and optical properties of phthalocyanine films // Thin Solid Films. 1987. - V. 149. - p. 129-142.

59. Abdel-Malik T. G., Kassem M. E., Aly N. S., Khalil S. M. Ac conductivity of cobalt phthalocyanine // Acta physica polonica (a). 1992. - V. 81, №6. - p. 675-680

60. Felmayer W., Wolf J. Conductivity and energy gap measurements of some relatives of phthalocyanine // J. Electrochem. Soc. 1958. - V. 105, №3. - p. 141-145.

61. Hassan A. K., Gould R. D. The effect of exposure to oxygen and annealing on the conductivity of copper phthalocyanine thin films // J. Phys.: Condensed Matter. 1989. - V. 1, № 37. - p. 6679-6684.

62. Yasunaga H.,Kojima K., Yohda H. and Takeya K. Effect of oxygen on electrical properties of lead phthalocyanine // J. of Phys. Soc. of Japan. 1974. - Y. 37, № 4. - p. 1024-1030.

63. Boudjema В., El-Khatib N., Gamoudi M., Guillaud G., Maitrot M. Thermally stimulated currents in undoped and doped zinc phthalocyanine films // Revue Phys. Appl. -1988. -V. 23.-p. 1127-1134.

64. Соборовер Э.И., Фель Я.А., Пахомов Л.Г. // Органические полупроводниковые материалы. Вып. 7. 1984. с. 12-17.

65. Поуп М., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах. М.: Мир. 1985. - Т. 1. - 568 е.; - Т. 2. -432 с.

66. Kontani Т., Muranoi Т., Kikuma I., Masui М. and Takeuchi М. Effect of molecular configurations on the electrical resistivity of titanylphthalocyanine thin films // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1995. - V. 34, № 7(A). - p. 3654-3657.

67. Yasunaga H.,Kojima K., Yohda H., Takeya K. Effect of oxygen on electrical properties of lead phthalocyanine // J. of Phys. Soc. of Japan. 1974. - V. 37, №4. - p. 1024-1030.

68. Abdel-Malik T. G., Abdel-Latif R. M. Electrical conductivity in oxygen-doped thin films of cobalt phthalocyanine using gold and aluminium electrodes // Phys. B. 1995. -V. 205. - p. 59-64.

69. Shafai T. S. and Gould R. D. Observations of Schottky and Poole-Frenkel emission in lead phthalocyanine thin films using aluminium injecting electrodes // Int. J. Electron. -1992. -V. 73, №2. p. 307-313.

70. Helfrich W. In Physics and Chemistry of the Organic Solid State, Vol. 3 (Eds. D. Fox, M.M. Labes and A. Weissberger), Interscience, New York, 1967.

71. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. - 554 с.

72. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. - 445 с.

73. Abdel-Malik T.G., Abdel-Latif R.M. Transport properties in oxygen-doped cobalt phthalocyanine thin film devices // Thin Solid Films. 1996. - V. 286. - p. 277-281.

74. Anderson T. L., Komplin G. C., Pietro W. J. Rectifying junctions in peripherally-substituted metallophthalocyanine bilayer films // JPC. 1993. - V. 97, № 25. - p. 65776578.

75. Михаленко C.A., Коробкова E.B., Лукьянец E.A. Фталоцианины и родственные соединения. IV. Полихлор фталоцианины // Ж. Общ. Хим. 1970. Т.40, № 2. - с. 400-403.

76. Порфирины: спектроскопия, электрохимия, применение. Под ред. Н. С. Ениколо-пяна. М.: Наука, 1987. - 384 с.

77. Edwards L. and Gouterman M. Porphyrins. XV. Vapor absorption spectra and stability phthalocyanines 11 J. Molec. Spectroscop. 1970. - V. 33, № 2. - p. 292-309.

78. Михаленко С.А., Дергачева B.M., Лукьянец E.A. Фталоцианины и родственные соединения. XIX. Тетра- и октааминозамещенные фталоцианины // Ж. Общ. Хим.- 1981. Т. 51, №7. - с. 1650-1657.

79. Harrisson S.E., Assour J.M. Relationship of electron spin resonanse and semiconduction in phthalocyanines // J. Chem. Phys. 1964. - V. 40, №2. - p. 365-370.

80. Scher H., Montroll E.W. Anomalous Transit-time dispersion in amorphous solids, Phys. Rev. 1975. - V. B12, №6. - p. 2455-2477.

81. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. - 416 с.

82. Почтенный А. Е., Сагайдак Д. И., Федорук Е. Г., Мусевич А. В. Прыжковая проводимость во фталоцианине меди и композиционных структурах на его основе//ФТТ. 1996. - V. 38, № 8. - с. 2592-2601.

83. Шкловский Б.П., Эфрос A.JL, Янчев И .Я. Энергия активации прыжковой проводимости // Письма в ЖЭТФ. 1971. - Т. 14, № 5. - с. 348-351.

84. Почтенный А.Е., Ратников Э.В. О природе компенсационного эффекта в полимерах//Докл. АН БССР. 1981. - Т.25, № 10. - с. 896-898.

85. Shen P., Abeles В.and Arie Y. Hopping conductivity in granular metals // Phys. Rev. Lett. 1973. - V. 31, №1.-p. 44-47.

86. Abeles B.,Sheng P. Coutts M.P., and Arie Y. Structural and electrical properties of granula metal films // Adv. Phys. 1975. - V. 24, №3. - p. 407-461.

87. Kaplan M.L., Forrest S.R., Schmidt P.H. and Venkatesan Optical and elctrical properties of ion-beam-irradiated films of organic molecular solids and polymers // J. Appl. Phys.- 1984,-V. 55, №3,-p. 732-742.

88. Jones T.A., Bott J. Gas-induced electrical conductivity changes in metal phthalocyanine // Sensors and Actuators. 1986. - V. 9. - p. 27-37.

89. Sadaoka Y., Sakai Y., Jones T.A., Gopel W. Effects of oxidizing gases on semiconduc-tivity and thermal stability of phthalocyanine thin films // J. Mat. Sci. 1990. - V. 25. -p. 3024-3028.

90. Twarowski A. J. Temperature dependence of the Schottky barrier capacitance in a- and p-zinc phthalocyanine // J. Chem. Phys. 1982. - V. 77, № 9. - p. 4698-4700.

91. Zhou R., Josse F., Gopel W., Ozturk Z. Z., Bekaroglu 0. Phthalocyanines as sensitive materials for chemical sensors // Appl. Organomet. Chem. 1996. - V. 10, №8. - p. 557-577.

92. Hammar C., Kampfrath G., Mueller M. Gas and humidity sensors based on organic active thin films // Sensors and Actuators. 1990. - Y. BI. - p. 142-147.

93. Belghachi A., Collins R.A. The effect of hundity on phthalocyanine N02 and NH3 sensors // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1990. - V. 23. - p. 223-227.

94. Pakhomov G.L., Pakhomov L.G., Pozdnyaev D.E., Zakamov Y.R., Spector V.N. Irradiation assisted preparation of gas sensitive layers based on halogen substituted phthalocyanine //J. Electron Tech. 2000. - V. 33, №1/2. - p. 136-144.

95. Pakhomov G. L., Pakhomov L. G., Pozdnyaev D. E., Ribo J.-M., Muller C. Two-component PcM films: dc and ac properties // Int. Seminar Semicond. Gas Sensors (SGS'98), 22-25.09.1998, Ustroc, Poland. p. 70.

96. Loutfy R. O., Cheng Y. C. Investigation of energy level due to transition metal impurities in metal-free phthalocyanine // J. Chem. Phys. 1980. V. 73, № 6. - p. 2902-2910.

97. Hopper P.D., Newton M.I., McHale G., Willis M.R. Electrical properties of nicel phthalocyanine (NiPc) sandwich devices incorporating a tetracyanoquinodimethane (TCNQ) layer // Semicond. Sci. and Technol. 1997. V.12, №4. - p. 455-459.

98. Kessler B. Phtphalocyanine-C60. composites as improved photoreceptor materials? // Appl. Phys. A. 1998. - V.67, №2. - p. 125-133.

99. Signerski R., Jarosz G., Godlewski J. Photoelectric properties of heterojunctions formed from di-(pyridyl)-perylenetetracarboxylic diimide and copper phthalocyanine or pentacene//Synth. Metals. 1998. - V.94, №1. - p. 135-137.

100. Robinet S., Salvi M., Clarisse C. Ionic implantation in scandium diphthalocyanine thin films // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1991. V. В53. - p. 46-52.

101. Dann A.J., Fany M.R., Jeynes C. And Willis M.R. Electrical properties of ion implanted PcAlF films // Phys. Stat. Sol. (a) 1987. - V. 101. - p. k45-k47.

102. Ewen R.J., Honeybourne C.L., Hill C.A. X-ray photoelectron spectroscopy and dark DC conductivity of argon-ion implanted organic films over a wide temperature range // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. №3. - p. s311-s318.

103. Oehme F. Chemische Sensoren // Technische Mitteilungen. 79, Jahrgang, Heft. 1986. - V. 9. - p. 403-408.

104. Kyokane J., Aoyagi R. and Yoshino K. Application to electronic devices using organic thin films by ion-beam-evaporation method // Synthetic Metals. 1997. - Y. 85. -p. 1393-1394.

105. Hartmann J., Auge J., Hauptmann P. Using the quartz crystal microbalance principle for gas detection with reversible and irreversible sensors // Sensors and Actuators (b). -1994. Y. 18-19. - p. 429-433.

106. Wright J. D., Chadwick A. V., Meadows В., Miasik J. J. Chemical and structural influences on effects of adsorbed gases on semiconductivity of organic films // Mol. Cryst. Liq. Cryst. 1983. - V. 93. - p. 315-325.

107. Фелъ Я. А. Электропроводность пленок органических красителей в процессе сорбции газовых компонентов / Дисс. канд. физ.-мат. наук. Ин-т химии при Нижегородском университете. Н.Новгород, 1991. 109 с.

108. Roberts G. G., Schmidlin F.W. Study of localized levels in semi-insulators by combined measurements of thermally activater ohmic and space-change-limited conduction // Phys. Rev. 1969. - V. 180, №3. - p. 785-794.

109. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов M. А., Темкин M. М. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат, 1985. - 248 с.

110. Pakhomov G.L., Zakamov V.R., Mironov V.L., Vostokov N.V. AFM study of ion irradiated metal phthalocyanine films // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. - V. 3, №4. - p. 199-204.

111. Ильюшонок И.П., Почтенный А.Е., Долгих В.К. Электрофизические свойства ионно-легированных пленок хлорзамещенного фталоцианина меди // Вакуумная техника и технология. 1993. - Т. 3, №5, 6. - с. 48-51.

112. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. JI.B. Гурвич, Г.В. Карачевцев, В.Н. Кондратьев, Ю.А. Лебедев, В.А. Медведев, В.К. Потапов, Ю.С. Ходеев. М.: Наука, 1974. - 351 с.

113. Федоров М.И., Шорин В.А. Исследование легирования фталоцианинов металлами // Изв. Вузов. Физика. 1984. - №7. - с. 127-132.