Изменения физических параметров диодных структур на базе ZnS и CdS, индуцированные рентгеновским облучением тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГ Б ОД „

На правах рукопису

-2 ЯНВ 1995

тютько

Ігор Олегович

УДК 621.315.592

ЗМІНИ ФІЗИЧНИХ ПАРАМЕТР 6 ДЮДНИХ СТРУКТУР НА БАЗІ 2п8 ТА С<18, ІНДУКОВАНІ РЕНТГЕНІВСЬКИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ

01.04.10 — фізика напівпровідників діелектриків

Автореферат

дисертації на здобуття вченого ступеня кандидата фізико-математичних наук

Львів 1995

Роботу виконано у Львівському державному університеті імені Івана Франка. Дисертація е рукописом.

Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук, доцент Павлик Богдан Васильович

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,

професор Лискович Олексій Борисович кандидат фізико-математичних наук, доцент Лнхобабин Микола Павлович

Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників НАН України

Захист дисертації відбудеться ___________0.4.___ 1995 року

о. ./^А. год. на засіданні спеціалізованої Ради Д 068.26.05 при Львівському державному університеті ім. І. Франка (290005 Львів, вул. Кирила і Мефодія, 8, Велика фізична аудиторія). .

З дисертацією можна ознайомитись в науковій бібліотеці Львівського університету (вул. Драгоманова, 5).

Відгуки на автореферат у двох примірниках, завірені печаткою, просимо надсилати за адресою: 290005, м. Львів, вул. Кирила і Мефодія, 8, фізичний факультет, вченому секретарю.

Автореферат розіслано с.».............“т........199 ^ року.

Вчений секретар спеціалізованої Ради 068.26.05 доктор фіз.-мат. наук, професор

НОСЕЙКО А.Є.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність теми досліджень. Широкозонні сполуки А2В6 володіють рядом властивостей, що роблять їх перспективними для використання в опто- та мікроелектроніці. Зокрема, велика ширина забороненої зони, висока фоточутливість та імовірність випромінювальної рекомбінації дозволяють використовувати ці матеріали як джерела або приймачі видимого та ультрафіолетового випромінювання [1]. Висока радіаційна стійкість робить широкозонні напівпровідникові сполуки А2В6 перспективними для створення датчиків іонізуючих випромінювань. Проте давно зауважено, що опромінювання цих матеріалів або приладів на їх базі рентгенівськими квантами, ультрафіолетовим, видимим чи, навіть, інфрачервоним світлом викликає стійкі (хоча і зворотні) зміни їх властивостей. Причиною цих ефектів є зумовлена збудженням генерація нерів-новажних носіїв струму, які, взаємодіючи з дефектами, стають причиною протікання фотохімічних реакцій. Якщо перебіг згаданих процесів у самих сполуках А2В6 досліджено достатньо повно, то вплив іонізуючого опромінення на прилади на основі цих напівпровідників (діоди Шотткі, структури метал-діелектрнк-напівпровідник і т. д.) вимагає подальшого вивчення. Слід також зауважити, що радіаційна стійкість приладів електроніки, які, як правило, є просторово-неоднорідними структурами, суттєво нижча, ніж стійкість їх складових частин. Враховуючи це, а також велику різноманітність електрично-активних дефектів у напівпровідниках А2В6, можна очікувати, що суттєві зміни фізичних параметрів приладів на їх базі відбудуться при значно нижчих експозиційних дозах порівняно з дозами опромінення, при яких відбуваються зміни властивостей самих матеріалів. Тому дослідження впливу іонізуючого опромінення на прилади на базі сполук А2В6 як у плані вивчення процесів деградації, так і в плані можливості цілеспрямованого управління дефектною структурою матеріалу є актуальною проблемою.

Мета роботи. Встановити закономірності зміни дефектної структури приконтактних областей поверхнево — бар’єрних діодів Аи-2п5 та Аи-ОсІБ під дією підпорогових рентгенівських квантів.

З

Для досягнення даної мети в роботі вирішувались наступні завдання:

— аналіз особливостей, які виникають при дослідженні адміт-тансу (повної провідності) контактів «метал — широкозонний напівпровідник класу А2В6» на основі вдосконаленої методики, яка враховує вплив процесів переносу вільних носіїв заряду на повну провідність;

— дослідження енергетичного спектру поверхневих станів (ПС) контактів Аи-2пБ та АиСсІБ, спектру, кінетичних параметрів та профілів концентрації глибоких рівнів у приповерхневих шарах 2пБ та ОсІБ;

— дослідження радіаційно і термостимульованих змін фізичних параметрів діодних структур;

— розробка методики аналізу експериментальних результатів, яка дозволяє однозначно встановити першопричину радіа-ційно-стимульованих змін характеристик діодних структур (зміна спектру чи параметрів об’ємних глибоких рівнів, зміна спектру ПС, зміна величини дисперсії поверхневого потенціалу).

Наукова новизна.

1. Вперше показано, що наявність плитких донорних центрів прилипання у ZnS та С<і8 зумовлює виникнення надлишкової ємності на високочастотних вольт-фарадних характеристиках діодних структур Аи^пБ та Аи-СёБ.

2. Показано, що низькодозне рентгенівське опромінення зумовлює зменшення концентрації плитких донорних центрів прилипання у приповерхневому шарі 2пБ та ефективної густини ПС у контакті Аи-2п5, у структурах Аи-СгіБ внаслідок опромінення спостерігається тільки зменшення концентрації плитких донорних центрів прилипання у приповерхневому шарі СсіБ.

3. Запропоновано методику аналізу експериментально виміряних складових адміттансу та модуляційних спектрів діодних структур, яка дозволяє однозначно встановити першопричину радіаційно-індукованих змін електрофізичних параметрів

ДІОДІВ. _

Практичне значення роботи зумовлено актуальністю проблем радіаційної фізики напівпровідників, зокрема, розширенням елементної бази електроніки, забезпеченням надійності та довговічності роботи напівпровідникових приладів та вивченням можливостей цілеспрямованого керування параметрами цих приладів з допомогою іонізуючого випромінювання.

Результати роботи знайдуть застосування при.створенні теорії радіаційно-стимульованих процесів у просторово-неоднорідних структурах. Вони можуть виявитись корисними при конструюванні дозиметрів іонізуючого випромінювання та для підвищення надійності напівпровідникових приладів.

Положення, що виносяться на захист.

1. Максимум на високочастотних вольт-фарадішх характеристиках (ВЧ ВФХ) діодних структур Аи^пЗ та Аи-ОсІБ в області малих прямих зміщень, а також поява надлишкової високочастотної ємності в області великих прямих зміщень зумовлені наявністю у приконтактних шарах 2пБ та СсІБ плит-ких донорних центрів у забороненій зоні.

2. Відхилення експериментальних ВЧ ВФХ діодів Аи^пБ та Аи-СйБ в області зворотніх зміщень від теоретично розрахованих зумовлено наявністю поверхневих електронних станів бар’єрного контакту, а не флуктуаціями поверхневого потенціалу.

3. Низькодозне ренгенівське опромінення діодів Аи^пБ та Аи-С<35 зумовлює протікання процесів впорядкування в області бар’єрного контакту, а саме: зменшення ефективної густини поверхневих станів контакту Аи^пБ та зменшення концентрації плитких донорних центрів у приконтактному шарі як 2п8, так і СсІБ.

Апробація роботи. Матеріали дисертації доповідались та обговорювались на III конференції молодих вчених Львівського університету (Львів, 1988 р.), Всесоюзній нараді по радіаційній фізиці твердого тіла (Львів, 1990 р.), семінарі молодих вчених «Радіаційна фізика і хімія твердого тіла» (Львів,

1990 р.), III Всесоюзній конференції «Матеріалознавство халькогенідних та кисневмісних напівпровідників» (Чернівці,

1991 р.), Ювілейній науковій конференції до 40-річчя фізичного факультету Львівського університету (Львів, 1993 р.), міжнародній школі — конференції «Передові дисплейні технології» (Львів, 1994), І міжнародній конференції «Матеріалознавство алмазоподібних і халькогенідних напівпровідників» (Чернівці, 1994), а також на щорічних наукових конференціях викладачів та співробітників Львівського університету (1986—1994 рр.).

Публікації та внесок автора. За матеріалами дисертації опубліковано 8 робіт, список яких наведено в кінці автореферату. В цих роботах авторові належать результати і висновки, які опубліковано в дисертації та авторефераті. Всі експериментальні дослідження виконані особисто автором.

Структура роботи. Дисертація складається зі вступу, чотирьох розділів, висновків та списку літератури і містить 125 сторінок машинопису, 39 рисунків, 118 бібліографічних посилань.

КОРОТКИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі обгрунтовано актуальність теми дисертації, сформульовано мету роботи, основні завдання, наукову новизну, практичну цінність результатів і положення, що виносяться на захист, коротко викладено зміст роботи по розділах.

Перший розділ містить огляд робіт, присвячених впливу іонізуючого опромінення на широкозонні сполуки класу А2В6 та напівпровідникові прилади. Відзначено, що визначальною для радіаційного дефектотворення у кристалах А2В6 є генерація нерівноважних вільних носіїв заряду, які, взаємодіючи з дефектами гратки, зумовлюють протікання фотохімічних реакцій (ФХР). Зміна дефектної структури широкозонних напівпровідників А2В6 відбувається і внаслідок їх опромінення світлом видимого чи, навіть, ІЧ-діапазону, а також інжекції нерівноважних носіїв через контакт. Коротко описано відомі типи та механізми ФХР у кристалах А2В6.

Друга частина розділу містить аналіз літературних даних, присвячених питанням впливу іонізуючого опромінення на поверхнево-бар’єрні структури (діоди Шотткі, структури метал— діелектрик—напівпровідник). Відзначено, що межі поділу у таких структурах, як правило, Характеризуються наявністю значних механічних напружень та поступовою зміною хімічного складу. Внаслідок цього межі поділу виявляються «слабкою ланкою» з точки зору радіаційного впливу на напівпровідникові прилади. Коротко описано основні процеси, що відбуваються у поверхнево-бар’єрних структурах (ПБС) під дією іонізуючого опромінення: накопичення фіксованого заряду в діелектричному шарі, утворення поверхневих станів, радіаційно стимульована дифузія. ' -

У другому розділі описано міетодику визначення фізичних параметрів бар’єрних структура Ці параметри визначались з аналізу вольт-амперних характеристик (ВАХ), вольт-фарад-них характеристик на високій частоті (ВЧ ВФХ), залежностей ВЧ активної провідності діода від постійного зміщення. Всі названі експериментальні залежності реєструвались при температурах зразків з інтервалу 77-400 К. Для дослідження енергетичного спектру, параметрів та профілів по глибині концентрації глибоких рівнів (ГР) у приповерхневих шарах

напівпровідників застосовано метод модуляційної ємнісної спектроскопії (М€С). Суть методу полягає в тому, що до досліджуваної бар’єрної структури одночасно прикладаються постійне зміщення та дві малосигнальні гармонічні напруги: ВЧ (125 кГц) і НЧ (10 Гц — 20 кГц). Реєструються дійсна -та уявна складові сигналу модуляції ВЧ ємності зразка низькочастотною напругою. Відношення уявної складової до дійсної пропорційне концентрації ГР, які перезаряджаються на частоті модуляції юа. Кінетичні параметри ГР знаходяться з температурних залежностей уявної складової, отриманих при різних соа. Проведено порівняння методу МЄС з двома іншими широко застосовуваними зараз методами ємнісної спектроскопії ГР: адміттанс — спектроскопії (АС) та нестаціонарної спектроскопії глибоких рівнів (НСГР). Відзначено, що на відміну від методу АС, чутливість якого до ГР падає із збільшенням зворотнього зміщення на діоді, чутливість МЄС при цьому, навпаки, зростає. Крім того МЄС дозволяє знаходити профіль розподілу легуючої домішки і є менш чутливою до активних втрат бар’єрних структур. У порівнянні з методами НСГР метод МЄС виграє у простоті реалізації, а також у тому, що вимірювання проводяться в квазістаціонарних умовах.

На основі розгляду пакету сигналів, що прикладаються до досліджуваного діода при реалізації методу МЄС отримано еквівалентну схему бар’єрного контакту та відповідні співвідношення для аналізу МЄС-спектрів, в яких враховано вплив перезарядки поверхневих станів (ПС).

У третьому розділі описано методику виготовлення бар’єрних структур. Було використано монокристалічний 2п5 з концентрацією нескомпенсованої донорної домішки М(і~1016см-3 та монокристалічний СсіБ двох типів (Н<і~ Ю16 см~3 — «висо-коомний» та ^<10!8см_3— «низькоомний»). Після механічної обробки поверхні кристалів зазнавали хімічного травлення із використанням травників, звичайно застосовуваних для матеріалів класу А2В6[2]. Матеріалом для виготовлення омічних контактів служив Іп (ОсІБ) та сплав «Іп+10% С<і» (гпБ).

Бар’єрний контакт виготовлявся термічним напиленням золота у вакуумі ~10~6 Торр. Вибір Аи в якості матеріалу для робочого електрода обгрунтовано двома фактами [2]: а) саме у контактах Аи-гпБ та Аи-Сс15 досягається максимальна висота потенціального бар’єру, що дозволяє в широкому діапазоні зміни температур та постійних зміщень застосовувати методи ємнісної спектроскопії; б) енергетична структура контактів Ме-2пБ та Ме-СсІБ (де Ме — Аи, Ад, №, ГЧ) слабо залежить від природи металу.

т Аналіз ВАХ. ВЧ ВФХ та залежностей ВЧ активної провідності діодів- від постійного зміщення показав, що, незалежно гвід типу, хімічного .травника, в .процесі виготовлення діодних структур між робочим електродом та напівпровідником виникає діелектрична плівка товщиною ЗО—.50 нм, що узгоджується з літературними даними, присвяченими дослідженню контактів Ме-2п5 таМе-СсІБ, отриманих із застосуванням, хімічного травлення. Визначено фізичні 'параметри-- контактів (товщину діелектричного шару між Аи та -напівпровідником, профілі по. глибині ^(х), густину. ПС у забороненій'зоні напівпровідника) . Встановлено, що густина ПС є суттєво вищою в контактах Аи-СсіБ (порядку 10і3 еВ-1 см~?) проти 1012 еВ^1 смг2 у випадку Аи-2пБ. ВЧ ВФХ як діодів Аи-^пБ, так і діодів Аи*Сс1Б характеризуються двома особливостями (рис. 1, 2)): а) наявністю «горба» в області малих прямих зміщень; б) виникненням надлишкової ємності в області великих прямих зміщень при вимірюваннях на частоті 125 кГц порівняно з випадком, коли частота становить 2,2 МГц. В-області великих прямих зміщень спостерігається також зростання активної складової повної провідності, виміряної на частоті 125 кГц. Показано, що ці особливості зумовлені присутністю на межі поділу «діелектричний шар — напівпровідник» (МП) та у шарі діелектрика, що безпосередньо межує з МП, плитких до-норних центрів захоплення. Особливість (а) зумовлена збільшенням величини від’ємного заряду, захопленого на ПС контакту, внаслідок заповнення вказаних донорних центрів електронами при подачі на діод малих прямих зміщень. Особливість (б) зумовлена тією обставиною, що ширина забороненої зони як ІпБ, так і СбБ є співмірною з шириною забороненої зони діелектричного шару між випрямляючим електродом та напівпровідником, а тому перенос вільних носіїв через цей шар не може бути істотно утрудненим. Наявність значної концентрації вільних носіїв у діелектрику при великих прямих зміщеннях зумовлює перезарядку плитких донорів поблизу МП на частоті 125 кГц, а отже і виникнення надлишкових ємності та провідності. Ці ж стани на частоті 2,2 МГц перезаряджатись не встигають.

Досліджено вплив підпорогового рентгенівського опромінення (сумарні експозиційні дози Б — до 10 Кл/кг) на ВАХ та ВФХ діодних структур. Показано, що опромінення діодів Аи-2пБ зумовлює зменшення висоти «горба» на ВФХ, а також зменшення надлишкової ємності на частоті 125 кГц в області великих прямих зміщень (рис. 1). На основі цього зроблено висновок про зменшення внаслідок опромінення концентрації

плитких донорних центрів захоплення на МП. Зменшується

і, розрахована з ВЧ ВФХ ефективна густина ПС у забороненій Зоні сульфіду цинку. Після опромінення спостерігається також гіро^тання прямого струму" через діод, що пояснюється зм'еи-і|іенням., абсолютної величини від’ємного заряду, захопленого на ПС, внаслідок радіаційно-стимульованого зменшення і;ус-■їини ПСУ'Починаючи з експозиційних доз:' порядку 3 Кл/кг, подальших змін ВАХ та ВЧ'ВФХ.не спостерігається. і і При опроміненні діодів АиСсіБ (як «високоймішх», так і <4низькоомних>>) теж спостерігається зменшення, висоти «горба» на ВЧ ВФХ із зростанням експозиційної дози аж до повного його зникнення та зменшення надлишкової ємності в області великих прямих напруг (рис. 2). Вказані зміни відбуваються при експозиційних дозах нижчих, ніж 1 Кл/кг. Ефективна густина ПС у забороненій зоні СсіБ, визначена з ємнісних вимірів, після опромінення не міняється. -Зроблено висновок про те, що опромінення Діодів на основі Сё5 зумовлює лише зменшення концентрації плитких донОрних центрів в області випрямляючого контакту. Цей висновок, враховуючи незмінність густпіш ПС у забороненій зоїп, підтверджується тим, що ПІСЛЯ опромінення зменшується прямий струм через ДІОДИ; на •основі «внсокоомного» СсіБ. Оскільки аналіз ВАХ «низькоом-них» діодів Аи-ОсІБ вказує на тунельний механізм переносу вільних носіїв, то індуковане опроміненням зменшення характерної зворотньої напруги пробою в таких діодах (рис. 3) теж можна пояснити пониженням концентрації допорних центрів в області контакту (тобто збільшується по абсолютній величині сумарний від’ємний ефективний заряд, захоплений на ПС).

У четвертому розділі наведено визначені з допомогою методу МЄС кінетичні параметри (глибина залягання — Еі та ефективний переріз захоплення основних носіїв —■ сТпі) глибоких рівнів (ГР) в забороненій зоні 2пБ та СсІБ, а також профілі по глибині концентрації цих ГР у приповерхневому шарі. Параметри ГР у сульфіді кадмію в межах точності експерименту не залежать від глибини, на якій вони визначаються, тоді як для ГР у сульфіді цинку спостерігається протилежна картина. При наближенні до МП числові значення Еі та оп1 зменшуються (табл. 1, с. 13). Крім того, профілі по глибині най-мілкішого із ГР у 2п$ залежать від частоти модуляції (рис. 4). Показано, що спостережувані залежності зумовлені впливом перезарядки ПС на модуляційні спектри. При частотах модуляції о)а>500 Гц ПС контакту Аи-ЪпЪ беруть участь у пере-зарядці, даючи тим самим вклад у дійсну та уявну складові сигналу модуляції ВЧ ємності. Цей вклад буде тим більшим,

' ' Рис. 1. ВЧ ВФХ діодів Аи-гпБ до та після опромінення.

Рис. 2. ВЧ ВФХ діодів Аи-СбЭ до та після опромінення.

Рис 3. Зворотні ВАХ «низькоомного» діода Аи-Сіів:

1, 3, 5, 7 — Т=300 К; 2, 4, 6, 8 —Т=90 К; і, 2 —до опромін.; З, 4 —до-'• за 0=0,1 Кл/кг; 5, 6 — 0,3 Кл/кг; 7, 8 — 1 І\л/кг.

Рис. 4. Залежність МЄС-профілів ГР 1 в отриманих при різних частотах модуляції, від дози опромінення: (1)—до опромінення, Га = (0а/(2л) = = 100 Гц; (2)—0 = 1 Кл/кг, {а=100 Гц; (3)—0=3 Кл/кг, іа = Ю0 Гц; (4)—0 = 10 Кл/кг, їа — 100 Гц; (5)—до опромінення, ^ = 1 кГц; (6) — ' 0=10 Кл/кг, іг=1 кГц;

чим вищою е концентрація вільних носіїв поблизу МП (тобто, при прямих зміщеннях на діоді). Тому температурні залежності уявної складової сигналу модуляції, отримані при низьких соа для ГР поблизу МП, виявляються спотвореними, що зумовлює заниження експериментально визначених кінетичних параметрів' об’ємних ГР в забороненій зоні 2пБ. Перезарядкою П С пояснюється і залежність профілів ГР по глибині від частоти модуляції. Шляхом порівняння експериментальних

МЄС-спектрів із спектрами, розрахованими на,основі отриманих у розділі 2 співвідношень, які враховують вплив ПС, виявлено, що ПС у забороненій зоні 2пБ характеризуються великими ефективними перерізами захоплення основних носіїв (порядку 10~10 см2). Тому, незважаючи на відносно невисоку густину, ці ПС суттєво впливають,,на форму модуляційних спектрів та, відповідно, на параметри та профілі, по глибині ҐР. - .

В межах досліджених експозиційних доз (до 10 Кл/кг) рентгенівське опромінення не спричиняє появи нових ГР у забороненій зоні як 2пБ, так і ОсіБ. Не змінюються і визначені при, високих (вище 500 Гц) частотах модуляції профілі ГР по глибині..Зміни профіля одного з ГР у сульфіді цшіку після опромінення при низьких частотах модуляції (нижче 500 Гц) пояснюються стимульованим радіацією зменшенням густини ПС у забороненій зоні. ,

Показано, що опромінення як діодів Аи-2пБ, так і Аи-СсІБ не зумовлює зміну півширини та амплітуди максимумів, що відповідають перезарядці ГР у модуляційних спектрах. Дана обставина є важливою з.точки зору врахування впливу флуктуацій поверхневого потенціалу.на вигляд ВЧ ВФХ та можливої зміни величини цих флуктуацій внаслідок опромінення. Якщо флуктуації поверхневого потенціалу не є малими, порівняно з його середнім значенням, то це цілком помітно змінює.і нахил ВЧ ВФХ навіть при відсутності ПС. Порівняння такої ВФХ з теоретичною, отриманою без врахування,неоднорідності розподілу поверхневого потенціалу,, зумовить помилковий висновок про наявність на МП квазінеперервного розподілу ПС. Проведений аналіз показав, що існування значних флуктуацій по-, верхневого потенціалу приводить до збільшення півширини температурних залежностей дійсної та уявної складових сигналу модуляції. Тому було проведено порівняння форми експериментальних МЄС-піків з теоретично розрахованими за відомими кінетичними параметрами та концентраціями ГР. Виявлено, що навіть до опромінення експериментальні піки за формою практично співпадають із розрахованими, що свідчить про відсутність у виготовлених нами контактах Аи-2пБ та Аи-СсІБ істотних флуктацій поверхневого потенціалу.

4

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ І ВИСНОВКИ

1. Отримано еквівалентну схему бар’єрного контакту та відповідні аналітичні спввідношення для аналізу МЄС-спект-рів, в яких враховано вплив перезарядки ПС.

2. Показано, що наявність плитких донорних центрів прилипання у забороненій зоні 2пБ та ОсІБ зумовлює виникнення особливостей на ВЧ ВФХ поверхнево — бар’єрних діодів на основі цих напівпровідників.

3. Низькодозне (до 10 Кл/кг) рентгенівське опромінення зумовлює зменшення концентрації плитких донорних центрів прилипання у приповерхневому шарі 2пБ та зменшення ефективної густини ПС у контакті Аи-гпБ, у структурах Аи-СсІБ внаслідок опромінення спостерігається лише зменшення концентрації плитких донорних центрів прилипання у приповерхневому шарі СсІБ. Радіаційно-стимульовані зміни в обидвох типах контактів є незворотніми і не усуваються в процесі відпалу.

4. Концентрації донорних пасток та ефективна густина ПС виходять на насичення при дозах опромінення більших, ніж З Кл/кг у випадку Аи^пБ та 1 Кл/кг у випадку Аи-СсіБ.

5. В межах досліджених експозиційних доз не відбувається створення нових ГР у забороненій зоні як 2п5, так і С<35. Показано, що спостережувані після опромінення зміни кінетичних параметрів ГР у ЙпБ та профілів їх концентрацій по глибині можна пояснити радіаційно-стимульованим зменшенням ефективної густини ПС контакту Аи-^пБ, тобто зменшенням спотворюючого впливу перезарядки ПС на вказані параметри ГР.

Д. Сухоребрий С. П., Павлик Б. В., Тютько І. О. Дослідження глибоких центрів у 2пЭ методом модуляційної ємнісної спектроскопії.//УФЖ.— 1993.— Т. 38, № 4,—С. 579—582.

2. Сухоребрий С. П., Павлик Б. В., Тютько І. О., Цибуляк Б. 3. Радіацііі-но-стимульовані зміни у приконтактній області діодів Аи-Ип5.//УФЖ.— 1993,—Т. 38, № 10 — С. 1521—1525.

3. Павлик Б. В., Тютько І. О., Цибуляк Б. 3. Зміна фізичних параметрів контактів Аи-гпБ та Аи-СсіБ під дією рентгенівського опромінення// Деп. в ДНТБ України 10.03.94, № 406—Ук-94.

4. Матульскіш В. Б., Павлык Б. В., Сухоребрый С. П., Тютько И. О. Влияние обработки поверхности монокристаллов 2п8 на параметры диодов Шоттки Аи-2пЭ.//Материаловедение халькогенидных полупроводников. Тез. док. III Всес. коиф. Т. 2. Черновцы.: ЧГУ.— 1991.— С. 137.

-5. Матульськип В. Б., Павлик Б. В., Сухоребрий С. П., Тютько І. О. Вилив рентгенівського опромінення па електрофізичні властивості діодів Аи-2п8. // Ювілейна наук. конф. до 40-річчя фізичного факультету. Тези доп. Львів.: ЛДУ.— 1993.— С. 55.

6. Волощук Р. Я., Тютько І. О. Чисельне моделювання напівпровідникових, діодів з центрами рекомбінації складної структури.//Ювілейна наук, конф. до 40-річчя фізичного факультету. Тези доп. Львів.: ЛДУ.— 1993 —С. 10.

7. Павлик Б. В., Тютько І. О., Цибуляк Б. 3., Горинь Я. М. Вплив рентгенівського опромінення на світлоемітуючі діоди Аи-гпБ та Ац-СdS.ll Передові дисплейні технології. Мат. міжнар. школи — конф. Львів, 1994.— С. 29—30.

5. Тютько І. О. Природа надлишкової ємності на високочастотних ВФХ діодних структур Аи-гпБ та Аи-ОсІБ. //Матеріалознавство алмазоподіб-ішх і халькогенідішх напівпровідників. Тези доп. І міжнар. конф. Т. 2. Чернівці.: ЧДУ,— 1994,—С. 215.

ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА

1. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний ИК диапазоны спектра/Под ред. В. И. Стафеева.— М.: Радио и связь.— 1984.— 216 с.

2. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник/М.: Мир.— 1975.— 405 с.

Сангвал К- Травление кристаллов/М.: Мир,— 1990.— 406 с.

0,6 мкм 1 мкм 1,5 мкм

Еі, еВ 0,37 0,41 0,44

Ом, см2 5,4-Ю-16 СО О о 1 8,0-10-15

Е3, еВ 0,71 0,80 0,88

ап , см2 1,5-Ю-14 5,2-Ю-13 3,3-10-12

Табл. 1. Залежність кінетичних параметрів ГР у 2п5 від глибини визначення (початок відліку по координаті — площина бар’єрного контакту).

Tjutko I. О. Physical parameters changes of ZnS- and CdS-based diode-structures, induced by X-irradiation (manuscript).

The dissertation advanced for a degree of Philosophycal Doctor in the speciality 01.04.10 — Semiconductor and Insulator Physics, 1. Franko Lviv State University, Lviv, 1995.

In the thesis it is shown that crystalline structure ordering processes take place in barrier contact area as a consequence of low-dose X-irradiation of surface barrier diodes based on ZnS and CdS. The peculiarities of the capacitance spectroscopy studies of diode structures based on wide gap semiconductors have been investigated.

Тютько И. О. Изменения физических параметров диодных структур на базе ZnS и CdS, индуцированные рентгеновским облучением (рукопись).

Диссертация на соискание ученой степени кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников и диэлектриков, Львовский государственный университет им. И. Франко. Львов. 1995.

В работе показано, что вследствие низкодозного рентгеновского облучения поверхностно-барьерных диодов на базе ZnS и CdS в области барьерного контакта имеют место процессы упорядочения кристаллической структуры. Изучены особенности, возникающие при исследовании методами емкостной спектроскопии диодных структур на базе широкозонных полупроводников.

Ключові слова: широкозонні напівпровідникові сполуки А2В6, поверхнево-бар’єрні діоди, рентгенівське опромінення.