Изучение состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде галлия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СОСТОЯНИЯ ФОНОВЫХ ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

§1.1 Основные прямые методы исследования состояния примесей в твердых телах.

§1.2 Методы определения параметров электронных примесных уровней.

§1.3 Некоторые результаты исследования состояния примесей в полупроводниках.

Арсенид галлия как полупроводниковый материал занимает все более значительное место в современной микроэлектронике. Интерес к нему связан как с возможностью создания на его основе традиционных приборов и интегральных схем с быстродействием на порядок выше, чем у изготовленных на основе кремния, так и с особенностями его свойств, позволяющими создать качественно новые приборы, в частности диоды Ганна, оптоэлек-тронные приборы.

В настоящее время достигнуты большие успехи в получении высокочистых слоев GaAs методами жидкостной и газовой эпи-таксии. Поэтому все более высокие требования предъявляются и к объемным кристаллам, используемым в качестве подложек, структура и электрофизические свойства которых должны соответствовать свойствам слоев.

Дальнейший прогресс в проблеме получения GaAsc необходимыми для приборостроения свойствами невозможен без изучения влияния на свойства материала так называемых фоновых примесей, которые поступают в кристаллы и слои неконтролируемым образом из конструкционных материалов, исходных веществ и т.п. В первую очередь к таким примесям относятся кислород и углерод. Судя по литературным данным, их влияние на свойства материалов весьма существенно. Вместе с тем необходимо отметить,что эти данные весьма ограничены и противоречивы, а систематические исследования фазовых равновесий примесей в GaAs и их состояния в решетке в широком интервале температур выращивания материала и концентраций примесей отсутствуют.

Задачей настоящей диссертационной работы являлось изучение состояния фоновых примесей - кислорода и углерода - и их влияния на формирование свойств кристаллов и слоев Са As . Эта задача решается проведением комплексного исследования, включающего развитие технологии получения материала, контролируемо легированного фоновыми примесями при различных условиях, анализ содержания примеси в твердой фазе, исследование состояния примесей набором прямых и косвенных методов и построение модели состояния примесей в материале в интервале температур и концентраций примесей.

Настоящая работа касается последних двух этапов. В качестве прямого метода исследования выбрана ИК-спектроскопия для изучения примесных колебаний. Измерения температурной зависимости эффекта Холла используются для характеризации основных электронных состояний исследуемых материалов.

Использование метода ИК-спектроскопии потребовало развития теоретического вопроса, касающегося анализа колебаний примесей и примесных пар в бинарных полупроводниках. Эта задача была решена в литературе частично.

На основании исследования свойств GaAs , легированного кислородом и углеродом построены модели основных дефектных состояний фоновых примесей и произведены термодинамические оценки вероятности образования тех или иных состояний.

Работа состоит из пяти глав.

В первой главе, являющейся обзорной, рассмотрены различные прямые и косвенные методы исследования состояния примесей и основные результаты таких исследований для кремния, германия, фосфида и арсенида галлия.

Во второй главе поставлена и решена методом матрицы функции Грина задача о колебаниях примесных пар в бинарных соединениях кубической структуры типа ZnS .

Третья глава посвящена описанию методов исследования образцов и интерпретации результатов измерений, полученных с помощью ИК-спектроскопии и температурной зависимости эффекта Холла.

В четвертой главе приведены результаты исследования состояний кислорода в слоях и кристаллах СаАs .

В пятой главе исследована система GaAs -углерод.

Основные результаты настоящей работы следующие.

Впервые методом матрицы, функции Грина решена задача о локальных колебаниях примесных пар в бинарных кубических полупроводниках типа ZnS . Эти результаты могут быть использованы для оценки частот колебаний и относительных интенсив-ностей поглощения для различных примесных пар.

На основе проведения систематического изучения свойств ар-сенида галлия, легированного фоновыми примесями 0 и С , изучена их роль в формировании свойств кристаллов и слоев.

Впервые методом ИК-спектроскопии обнаружено межузельное т состояние кислорода с частотой колебания 836 см" .

Впервые предложена модель формирования высокоомных свойств кристаллов GdAs в предположении наличия состояния кислорода 0As и определены энергетические параметры состояний.

Впервые предложена модель донорного состояния углерода, которая согласуется с совокупностью экспериментальных данных о свойствах EaAs , легированного углеродом, и произведены термодинамические расчеты концентраций дефектных состояний углерода в арсениде галлия.

Практическая ценность работы заключается в следующем.

Полученные в работе результаты обосновывают важность рассмотрения влияния фоновых примесей на формирование свойств кристаллов и слоев. Предложенные в работе модели позволяют предсказывать те изменения свойств, которые связаны с фоновыми примесями. Рассмотренный механизм формирования высокоомнос-ти GaAs , легированного кислородом, позволяет оптимизировать процесс получения этого материала на основе легирования кислородом и углеродом, имеющего преимущества перед CaAs , легированным хромом.

Для прикладной спектроскопии представляют интерес расчеты колебаний примесных пар и изолированных примесей, которые могут помочь в интерпретации спектров материалов с примесями. Калибровка поглощения на колебаниях дефекта Сд5 позволяет экспрессно анализировать содержание углерода в кристаллах

GaAs .

Материалы диссертации докладывались на четырех Всесоюзных симпозиумах и конференциях и опубликованы в работах/84, 94 -96, 113 -116/.

Основные результаты и выводы следующие:

1. Теоретически решена задача анализа локальных колебаний изолированных атомов и примесных пар в бинарных полупроводниках кубической структуры. На основании полученных правил сумм рассчитаны матричные элементы функции Грина идеального кристалла. Определены области частот локальных колебаний для различных примесных атомов и пар. Получены критерии существования локальных колебаний изотопических примесей.

2. Установлены дополнительные критерии, позволяющие однозначно определять параметры одного примесного уровня из температурной зависимости постоянной Холла.

3. Изучены закономерности изменения свойств EaAs, легированного кислородом. Обнаружена конверсия типа проводимости при температуре роста 1323 К. Показано, что в пленках р-типа кислород проявляет свойства глубокого донора. Высокоомные свойства кристаллов GaAs, легированных кислородом, объясняются в модели двух заряженных состояний кислорода. В зависимости от преобладающего типа мелких центров наблюдается либо уровень Ej (переход 0д5-*-0дз ) = 0,65-0,70 эВ, либо уровень Eg (переход 0д5"*'0д5) = 0,4-0,45 эВ. Концентрация кислорода в состоянии 0д5 не превышает ~ Ю^см"3.

4. Впервые обнаружено и идентифицировано с использованием введения изотопа кислорода состояние межузельного кислорода 0j , концентрация которого мала по сравнению с растворимостью кислорода.

5. На основании экспериментальных данных, термодинамических расчетов, структурных исследований делается вывод о быстром распаде твердого раствора GaAs~0 , происходящем при послеростовой обработка и сопровождающимся появлением упорядоченных микровключений, содержащих кислород.

6. Показано определяющее влияние углерода на свойства слоев GaAs , выращенных в графитовых ячейках. Изучены закономерности влияния углерода на свойства слоев GaAs . Показано, что углерод проявляет амфотерные свойства, которые приводят к конверсии типа проводимости при ~ 1100 К и ^ 1323 К.

7. Показано, что примесные колебания углерода в кристаллах и слоях GaAs связаны с дефектом Сдз . По данным активаци-онного анализа произведена калибровка поглощения на колебаниях этого дефекта.

8. Предложена модель донорного состояния углерода (С-С)д&. Рассчитан процесс легирования GaAs углеродом, образующим акцепторное состояние Сд^ и два донорных состояния: (OC)As и . Показано, что модель удовлетворительно описывает закономерности изменения свойств G^lASnpn легировании углеродом в широком интервале температур выращивания и составов.

В заключение считаю своим долгом поблагодарить научных руководителей, д.ф.-м.н., профессора А.Ф.Кравченко, к.х.н. Л.А.Борисову за высококвалифицированную помощь и сотрудничество, д.х.н., профессора Ш.А.Кузнецова за постоянный интерес к работе.

Я благодарен сотруднику Института катализа Ю.Н.Лохову за помощь и содействие при регистрации низкотемпературных ИК-спектров сверхвысокого разрешения, всем сотрудникам лаборатории физических свойств полупроводников и диэлектриков и отдела химии материалов для микроэлектроники Института неорганической химии СО АН СССР.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенных в настоящей работе исследований состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде -галлия был получен ряд новых результатов, которые позволяют сделать вывод о важной роли этих примесей в формировании свойств материала в широком интервале температур. Наряду с результатами, важными для понимания физико-химических процессов легирования EaAs , получены и такие, которые могут быть использованы при изучении других материалов, - в частности, решена задача о колебаниях примесных пар в бинарных полупроводниках.

1. Bashenov V.K. Electron paramagnetic resonance in A1.:i"BV compounds.- Phys.Stat.Sol., 1972, v.10(a), p.9-42.

2. Haraldson S., Ribbing C. ESR resonance in doped GaAs and GaP.- J.Phys.Chem.Sol., 1969, v.30, p.2419-2425.

3. Федотов С.П., Преснов В.А., Баженов B.K. Парамагнитный резонанс мелких акцепторов в ареениде галлия,- ФГТ, 1967, т.9, с.3332-3333.

4. Bashenov V.K., Fedotov S.P., Presnov V.A. Width of ESR line of transition metals in GaAs.- Phys.Stat.Sol., 1969,- v.34 P.K25-28.

5. Wagner R.J., Krebs J.J., Strauss G.H. Submillimeter EPR evidence for the As antisite defect in GaAs.- Solid State Comm., 1980, v. 36, p.15-21.

6. Schneider J., Kaufman V., Strauss G.H. Neutron-transmutation doping of GaAs studied by ESR.- Solid State Comm., 1982, v.44, p.285-287.

7. Hester R.K,, Sher A., Soest J.P. Heuclear magnetic resonance detection of charge defects in GaAs.- Phys.Rev., 1974, v.10B, p.4262-4273.

8. Андрианов Д.Г. и др. Исследование собственных точечных дефектов структуры в монокристаллах арсенида галлия методом ЖР.-ФТП, 1983, т.17, с.93-96.

9. Марадудин А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. Москва: Мир, 1968, 432 с.

10. Lorimor O.G., Spitzer W.G. Local mode absorption in compensated silicon-doped GaAs.- J.Appl.Phys., 1967, v.37, p.3687-3696.

11. Spitzer W.G., Allred W. Local-mode absorption and defects in compensated silicon-doped GaAs.- J.Appl.Phys., 1968, v.39, p.4999-5009.

12. Peldman D.W., Ashkin M., ParKer J.H.Jr. Raman scattering by-local modes in Ge-rich Si-Ge alloys.- Pfrys.Rev.Lett., 1966, v.17, p.1209-1212.

13. Клотынып Э.Э. Определение энергии активации в примесном полупроводнике по измерениям эффекта Холла.- Изв.АН Латв.ССР, сер.физ.и техн.наук, 1972, Ж 4, с.60-70.

14. Клотынып Э.Э. Характеристики примесных состояний и температурные зависимости концентрации носителей заряда.- Изв.АН

15. Латв.ССР, 1976, № 3, с.50-66.

16. Chantre A., Vincent G., Bois D. Deep level optical spectroscopy in GaAs.- Phys.Rev., 1981, v.23B, p.5335-5359.

17. Dzwig P., Crum V., Chantre A. A comparison of the impurities superlattice model and DLOS results for EL2 level in GaAs.- J.Phys.C, 1983, v.15, p.1177-1182.

18. Jonath A.D., Voronkov E., Bube R.H. Extrinsic electroabsor-ption in high-resistivity GaAs.- J.Appl.Phys., 1975, v.45,p.1754-1766.

19. Williams S.W., Rehn V. Electroreflactence studies of InAs, GaAs and (Ga,In)As alloys.- Phys.Rev., 1968, v.172, p.798-803.

20. Кардона М. Модуляционная спектроскопия. Москва: Мир, 1972, 416 с.

21. Резниченко М.Ф., Борисова Л.А. Фотопоглощение арсенида галлия, легированного кислородом и углеродом.- В кн.: Процессы роста полупроводниковых крист.и пл. Н.:Наука,1981,с.236-241.

22. Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия.- В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. Москва: Наука, 1972, с.224-304.

23. Kogan Sh.M., Lifshits Т.М. Photoelectric spectroscopy a new method of analysis of impurities in semiconductors.-Phys.Stat.Sol., 1976, v.39(a), p.11-39.

24. Стоупхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах, в 2-х томах. Москва: Мир, 1978, 570 и 358 с.

25. Logan R.M., Hurle В.J.Jr. Calculation of point defects concentrations and non-stoichiometry in GaAs.- J.Phys.Chem. Sol., 1971, v.32, p.1739-1753.

26. Бублик B.T. и др. Расчет области гомогенности в арсениде галлия.- В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1981, с.241-245.

27. Newman R.C., Wakefield J. The diffusivity of carbon in silicon.- J.Phys.Chem.Sol., 1961, v.19, p.230-234.

28. Newman R.C., Smith R.S. Vibrational absorption of carbon and carbon-oxygen complexes in silicon.- J.Phys.Chem.Sol., 1969, v.30, p.1493-1505.

29. Newman R.G., Willis J.B. Vibrational absorption of carbon in silicon.- J.Phys.Chem.Sol., 1965, v.26, p.373-379.

30. Baker J.A., Tucker T.N., et al. Effect of carbon on the lattice parameter of silicon.- J.Appl.Phys., 1968, v.39,p.4365-4368.

31. Kaiser W., Keck P.H., Lange C.F. Infrared absorption of oxygen content silicon and germanium.- Phys.Rev., 1956, v.101, p.1264-1268.

32. Kaiser W., Keck P.H. Oxygen content of silicon single crystals.- J.Appl.Phys., 1957, v.28, p.882-887.

33. Bond W.L., Kaiser W. Interstitial versus substitutional oxygen in silicon.- J.Phys.Chem.Sol., 1960, v.16, p.44-46.

34. Bosomwoth D.R., Hayes W., et al. Absorption of oxygen in silicon in the near and far infrared.- Proc.Royal Soc.Lond., 1970, v.A317, p.133-152.

35. Pajot B. Structure fine de 1'absorption a 9|W des groupe-ments Si20 dans le silicium a basse temperature.- J.Phys. Chem.Sol., 1967, v.28, p.73-79.

36. Bean A.R., Uewman R.C. The effect of carbon on thermal donor formation in heat treated pulled silicon crystals.- J. Phys.Chem.Sol., 1972, v.33, p.255-268.

37. Elliott R.J., Pfeuty P. Theory of vibrations of pairs of defects in silicon.- J.Phys.Chem.Sol., 1967, v.28, p.1789-1809.

38. Bloem J., Haas C., Penning P. Properties of oxygen in germanium.- J.Phys.Chem.Sol., 1959, v.12, p.22-27.

39. Kaiser W. Electrical and optical investigation of the donor formation in oxygen-doped germanium.- J.Phys.Chem.Sol., 1962, v.23, p.255-260.

40. Whan R.E. Evidence for low-temperature motion of vacancies in germanium.- Appl.Phys.Lett., 1965, v.6, p.221-223.

41. Kaiser V/., Thurmond C.D. Solubility of oxygen in germanium.-J.Appl.Phys., 1961, v.32, p.115-118.

42. Dean P.J., Frosh C.J., Henry C.H. Optical properties of the Group IV elements carbon and silicon in GaP.- J.Appl.Phys., 1968, v.39, p.5631-5646.

43. Morgan T.N., Plaskett T.S., Pettit G.D. Pair spectra involving silicon donors in GaP.~ Phys.Rev., 1969» v.180, p.845-851.

44. Spitzer W.G., Allred ?/., et al. Vibrational modes of defects in GaP.- J.Appl.Phys., 1969, v.40, p.2589-2594.

45. Генри Ч.Х., Дин П.Дк., Фрош К.Дж. Инфракрасные спектры донор-но-акцепторных пар, включающие глубокие донорные состояния О, в фосфиде галлия.- В кн.: Труды IX Международной конференциипо физике полупр., т.н. Москва: 1968, C.II7I-II75.

46. Dean P.J., Henry C.H. Electron-capture ("internal") luminescence from the oxygen donor in GaP.- Phys.Rev., 1968, v.176, p.928-937.

47. Gal M., Cavenett B.C., Smith P. New evidence for the two-electron 0"" state in GaP.- Phys.Rev.Lett., 1979, v.43, p. 1611-1614.

48. Newman R.C., Thompson F. The localized vibrations of nytro-gen in GaP.- J.Phys.C, 1971, v.4, p.L36-38.

49. Thompson F., Nicklin R. Local vibratinal modes due to iso-tops of nytrogen in GaP.- J.Phys.C, 1972, v.5, p.L223-225.

50. Barker A.S.J. ., Berman R., Verleur H.W. Localized vibrational modes of interstitial oxygen in GaP.- J.Phys.Chem.Sol., 1973, v.34, p.123-132.

51. Dean P.J., Gershenzon M., Kaminsky G. Green electroluminescence from GaP diods near room temperature.- J.Appl.Phys., 1967, v.38, p.5332-5342.

52. Morgan Т.Н., Welber В., Bharagava R.N. Optical properties of Cd-0 and Zn-0 complexes in GaP.- Phys.Rev., 1968, v.166, P.751-753.

53. Henry C.H., Dean P.J., Cuthbert J.D. New pair luminescence from GaP.- Phys.Rev., 1968, v.166, p.754-756.

54. Cuthbert J.D., Henry C.H., Dean P.J. Temperature-dependant radiative recombination mechanisms in GaP(Zn,0) and GaP(Cd,0)Phys.Rev., 1968, v.170, p.739-748.

55. Wink A.T., Bosman A.J., et al. Low tenperature luminescence in GaP at very low exitation densities.- Solid State Comm.,1969, v.7, p.1475-1481.

56. Kukimoto H., Henry C.H., Merritt F.R. Photocapacitance studies of oxygen donor in GaP. I. Optical cross sections, energy levels, and concentrations.- Phys.Rev., 1973» v.7B, p. 2486-2499.

57. Dean P.J., Skolnich M.S., et al. Hew aspects of the oxygen donor in GaP.- J.Phys.C, 1983, v.16, p.2017-2051.

58. Summer C.J., Dingle R., Hill D.E. Par-infrared absorption and photoconductivity in epitaxial n-type GaAs.- Phys.Rev.,1970, v.1B, p.1603-1606.

59. Kressel H., Dunse J.U., et al. Luminescence in silicon-doped GaAs grown by liquid-phase epitaxy.- J.Appl.Phys., 1968,v. 39, p.2006-2011.

60. Brozel M.R., Clegg J.В., Hewman R.G. Carbon, oxygen and silicon impurities in GaAs.- J.Phys.D, 1978, v.11, p.1331-1340.

61. Hewman R.C., Thompson P. Boron and carbon impurities in GaAs.- Solid State Comm., 1972, v.10, p.505-507.

62. Theis W.M., Ba^'aj К.К., et al. Direct evidence for the site of substitutional carbon in GaAs.- Appl.Phys.Lett., 1982, v.41, p.70-72.

63. Leigh R.S., Hewman R.C. Host isotop fine structure of local modes: carbon and silicon.- J.Phys.С, 1982, v.15, p.L1045-1051.

64. Матяш А.А. и др. Легирование эпитаксиальных слоев GaAs элементами U группы в процессе их получения методом пиролиза триметилгаллия и арсина.- В кн.: Процессы роста полупроводниковых крист. и пл. Новосибирск:Наука, 1981, с.249-252.

65. Ito S., Shinobara Т., Seki Y. Properties of epitaxial GaAs from Ga(CH^)^ and AsH^.- J.Electrochem.Soc., 1973, v.120, p.1419-1423.

66. Иванютин Л.A., Дьячкова H.H., Малинин А.Ю. Анализ распределения углерода в ареениде галлия методом квазихимических реакций.- Изв.АН СССР Неорган.матер., 1975,т.11,с.407-412.

67. Захаров Ю.Т. Электронная структура атомов внедрения в полупроводниковых кристаллах.- ФЩ, 1981, т. 15, с.782-784.

68. Brozel M.R., lewman R.G., Ozbay В. Silicon donor-acceptor pair defect in GaAs.- J.Phys.С, 1979, v.12, p.L785-788.

69. Martin G.M., Mitounean A., Mircea A. Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals.- Electron.Lett., 1977, v.13, p.191-192.

70. Brozel M.R., et al. Direct observation of the principal deep level (EL2) in undoped semi-insulating GaAs.- Appl.Phys. Lett., 1983, v.53, p.6140-6142.

71. Huber A.M., Linh H.T., et al. Direct evidence for the nonas-signment to oxygen on the main electron trap in GaAs.

72. J.Appl.Phys., 1979, v.50, p.4022-4026.

73. Jaros Ш. Deep levels in semiconductors.- Adv.Phys., 1980, v.29, p.409-525.

74. Ross S.F., Jaros M. Impurity state in GaAs:0.- Phys.Lett., 1973, v.45, p.355-371.

75. Lagowski J., Gatos H.C., et al. Origin of the 0.82 eV electron trap in GaAs and its annihilation by shallow donors.-Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, p.342-344.

76. Solomon R. Factors influencing the electrical and physical properties of high quality solution grown GaAs.- In: Proc. of Int.Simp.on GaAs. Dallas: Texas, 1968, p.11-17.

77. Weiner M.F., Jordan A.S. Analysis of doping anomalies in GaAs by mean of Si-0 complex model.- J.Appl.Phys., 1972, v.43, p.1767-1773.

78. Борисова Л.А., Валишева H.A. Диаграмма состояния арсенид галлия кремний,- Изв. АН СССР Неорган.матер., 1972, т.7, с.1263-1266.

79. Kuznetsov P.A., Tchistanova S.T., Borisova L.A., et al. Isothermal growth of epitaxial layers of GaAs from stirred gallium solutions.- Thin Solid Films, 1976, v.32,p.93-99.

80. Чистанова С.Т., Борисова Л.А. и др. Некоторые особенности выращивания слоев Ga As в изотермических условиях,- В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, 4.1. Новосибирск: Hayica, 1977, с.138-141.

81. Марадудин А., Монтролл Э., Вейсс Дж. Динамическая теория щшсталлической решетки в гармоническом приближении. Москва: Мир, 1965, 384 с.

82. Gaur S.P., Vetelino P.J., Mitra S.S. Localized mode frequency for substitutional impurities in zinc-blend type crystals.- J.Phys.Chem.Sol., 1971, v.32, p.2737-2748.

83. Bellamonte L. Infrared absorption of various isolated impurities in GaAs.- J.Phys.Chem.Sol., 1977, v.38, p.59-64.

84. Аккерман 3.1. Локальные колебания примесных пар в бинарных полупроводниках,- Журнал структ .химии, 1981, т.22, с ,36-41.

85. Brout R. Sum rule for lattice vibration in ionic crystals. -Phys.Rev., 1959, v.113, p.43-44.

86. Спитцер В. Многофононное решеточное поглощение,- В кн.: Оптические свойства полупроводников (А111^). Москва: Мир, 1970, с.28-79.

87. Allen J.W. Local modes of vibration of isoelectronic impurities in GaP and GaAs.- J.Phys.С, 1970, v.3, p.L48-50.

88. Lorimor O.G., Spitzer W.G. Local mode absorption of A1 and P in GaAs.- J.Appl. Phys., 1966, v.37, p.2509.

89. Kung J.K., Spitzer W.G. Infrared reflectivity and free carrier absorption in GaAs.- J.Electrochem.Soc., 1974, v.121, p.1482-1487.

90. Walukiewicz W., Lagowski L., et al. Electron mobility and free carrier absorption in GaAs.- J.Appl.Phys., 1979, v.50, p.899-908.

91. Барисс B.O., Клотынын Э.Э. Определение параметров локального уровня в полупроводнике. Рига: Зинатне, 1978, 192 с.

92. Борисова Л.А., Аккерман З.Л., Дорохов А.Н. Растворимость кислорода в арсениде галлия,- Изв.АН СССР Неорган.матер., 1977, т.13, с. 908-909.

93. Аккерман З.Л., Борисова Л.А., Кравченко А.Ф. ИК-спектры поглощения арсенида галлия, легированного кислородом.-ФШ, 1976, т.10, 6.997-999.

94. Борисова Л.А., Аккерман З.Л., Дорохов А.Н. Растворимость кислорода и его химическое состояние в решетке арсенида галлия.- В кн.: Свойства легированных полупроводников. Москва: Наука, 1977, с. 215-221.

95. Тележкин В.А., Толпыго К.Б. Теория электронной структуры радиационных дефектов в полупроводниках.- ФШ, 1982, т. 16, с.1337-1364.

96. Yu P.W., Mitchel W.G. Evidence of intrinsic duble acceptor in GaAs.- Appl.Phys.Lett., 1982, v.41, p.532-534.

97. Elliott K.R., Holms D., Chen R.T. Infrared absorption of the 78 meV acceptor in GaAs.- Appl.Phys.Lrtt., 1982, v.40, p.898-902.100w Blakcmore J.S. Semiconducting and other major properties of GaAs.- J.Appl.Phys., 1982, v.53, p.R123-181.

98. Y/oods J.P., Ainslie U.G. Role of oxygen in reducing silicon concentration in GaAs during crystal growth.- J.Appl. Phys., 1963, v.34, p.1469-1475.

99. Holms D.E., Chen R.T., et al. Stoichiometry-controled compensation in liquid encapsulated Czochralski GaAs.- Appl. Phys.Lett., 1982, v.40, p.46-48.

100. Johnson E.J., Kafalas J.A., Davies R.W. The role of deep-level centers and compensation in producing semi-insulating GaAs.- J.Appl.Phys., 1983, v.54, p.204-207.

101. Borisova L.A., Pasemann M. The influence of the residual impurities (C,0) on the crystal structure of GaAs.- Phys. Stat.Sol., 1981, v.68(a), p.261-267.

102. Weiser K. Theoretical calculation of distribution coefficients of impurities in Ge and Si, heats of solid solutions.- J.Phys.Chem.Sol., 1958, v.7, p.118-126.

103. Teramoto I. Solid solubility of amphoteric silicon in GaAs.- Jap.J.Appl.Phys., 1974, v.13, p.1817-1822.

104. Термодинамические свойства индивидуальных веществ, т.II, III. Москва: Наука, 1979, 1981.

105. Selected values of thermodinamic properties of the elements. Ed.by Hultgren R. Ohio, Metals Park: Amer.Soc.for Metals, 1973.

106. Ю9. Гордон А., Форд P. Спутник химика. Москва: Мир, 1976, 542 с.

107. Teramoto I. Calculation of distribution equilibrium of amphoteric silicon in GaAs.- J.Phys.Chem.Sol., 1972, v.33,p. 2089-2099.

108. Alcock G.B. Jacob K.T. Solubility and activity of oxygen in the liquid gallium.- J.Less-Common Metals, 1977, v.53, p.211-222.

109. Майе𠹕» Гепперт-Майер M. Статистическая механика. Москва: Мир, 1980, 544 с.

110. Борисова Л.А., Артюхин П.И., Аккерман З.Л. Растворимость углерода в слоях арсенида галлия, выращенных из перемешива113. емых галлиевых растворов.- Изв.АН СССР Неорган, матер.,1978, т.14 с. 1790-1792.

111. Akkerman Z.L., Borisova L.A. The model of carbon induced defects in GaAs.- later.Res.Bull., 1983, v.18, p.1521-1527.

112. Zshauer К.Н., Vogel A. Dependance of impurity incorporation on growth rate and crystal orientation during GaAs liquid-phase epitaxy.- In: GaAs and related compounds. London-Bristol: Inst.of Phys., 1973, p.3-10.

113. Spitzer W.G., Panish M.B. Silicon-doped GaAs grown from Ga solution: Si site distribution.- J.Appl.Phys., 1969, v. 39, p.4200-4202.

114. Panish M.B., Sumski S. Ga As - Si: Phase studies and electrical properties of solution-grown Si-doped GaAs.-J.Appl.Phys., 1971, v.41, p.3195-3196.

115. Иванютин Л.А., Дьячкова H.H. Исследование равновесий дефектов в системе GaAs-Si квазихимическим методом.- ФГП, 1971, т.5, C.II58-II65.

116. Борисова Л.А. Фоновые примеси в кристаллах и слоях арсенида галлия.- В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1981,с.229-236.

117. Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов. Москва: Мир, 1974, 652 с.

118. Arthur J.R. Vapour pressures and phase equilibria in the Ga As system.- J.Phys.Chem.Sol., 1967, v.28, p.461-462.

119. Пригожин И., Дефэй Р. Химическая термодинамика. Новосибирск: Наука, 1966, 509 с.