Снижение пределов обнаружения примесей при искровом масс-спектрометрическом анализе материалов электронной техники тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.02 ВАК РФ

ВВВДЕНИЕ.

1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИМС МЕТОДА. И ПУТИ СНИЖЕНИЯ ПРЕДЕЛОВ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)

1.1. Место ИМС анализа среди высокочувствительных многоэлементных методов контроля чистоты материалов

1.2. Использование ИМС метода для обзорного анализа чистых материалов.

1.3. Использование ИМС метода дая анализа тонких слоев

1.4. Контроль состава поверхности методом ИМС.

1.5. Анализ твердых материалов на углерод, азот и кислород.

2. СНИЖЕНИЕ ПРЕДЕЛОВ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ ПРИ ОБЗОРНОМ АНАЛИЗЕ ОСОБО ЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ.

2.1. Разработка ИМС метода тонкого слоя.

2.2. Оценка метрологических характеристик метода тонкого слоя.

2.3. Разработка методики анализа воды и кислот особой чистоты.

2.4. Использование метода тонкого слоя для контроля чистоты вспомогательных материалов электронной техники.

2.5. Использование метода тонкого слоя для анализа кадщя высокой чистоты.

3. СНИЖЕНИЕ ПРЕДЕЛОВ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ ПРИ ПОСЛОЙНОМ

АНАЛИЗЕ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ.

3.1. Выбор оптимальных условий послойного анализа и полупроводниковых материалов.

3.2. Повышение эффективности масс-спектрометрической регистрации.

3.3. Основные источники погрешностей послойного анализа. Способы их учета и снижения.

3.4. Изучение распределения легирующих и фоновых примесей в материалах электронной техники

4. АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ. НО

4.1. Способ ИМС определения поверхностных загрязнений. III

4.2. Использование метода тонкого слоя для анализа поверхности кремниевых пластин

5. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГАЗООБРАЗШЦИХ ПРИМЕСЕЙ.

5.1. Снижение пределов обнаружения углерода, азота и кислорода при послойном анализе

5.2. Оценка необходимой степени откачки камеры ионного источника.

5.3. Повышение экспрессности метода.

5.4. Изучение процесса совместного легирования арсенида галлия кислородом и кремнием.

Развитие аналитической химии чистых веществ связано с требованиями, которые предъявляются к чистоте материалов наукой и техникой. Технология получения материалов особой чистоты, в том числе материалов электронной техники, ставит перед аналитиками задачи по разработке новых и совершенствованию существующих методов применительно к анализу десятков наименований чистых металлов, сплавов, полупроводников, неорганических и органических материалов. "Характерной чертой современного этапа развития ана^ литической химии является необходимость решения совокупности проблем, включающих снижение пределов обнаружения, исключение или точный учет загрязнений, возникающих при взаимодействии образца с окружающей средой, исследование химического состава поверхности пробы, анализ микрообъектов и тонких слоев, исследование профилей концентраций, создание систем и средств метрологического обеспечения, резкое расширение номенклатуры объектов анализа" [ 1/. Комплексный характер задачи определяется тем, что процесс получения материалов с заданными свойствами и приборов на их основе состоит из следующих основных этапов:

1) глубокая очистка и получение совершенных по структуре кристаллов;

2) легирование и создание материалов с заданным объемным распределением электрически активных добавок;

3) изготовление на основе полученных материалов приборов и интегральных схем.

Наиболее перспективными для использования в элементном анализе сверхчистых материалов являются много элементные методы, обладающие низкими значениями пределов обнаружения, которые до

7 —ТП лжны находиться на уровне 10 - 10 % масс /" I /. К таким методам относятся активационные, масс-спектрометрические, атом-но-абсорбционные и химико-спектральные. Эти методы, кроме того, характеризуются универсальностью и возможностью дальнейшего совершенствования.

В комплексе методов, составляющих аналитическое обеспечение технологии получения и дальнейшего использования материалов высокой чистоты, искровая масс-спектрометрия (ИМС) занимает одно из ведущих мест. Этот метод является одним из наиболее универсальных средств химического анализа веществ в твердой фазе благодаря одновременной регистрации практически всех элементов с' п от лития до урана с пределами обнаружения 10 - 10 % масс при малом расходе исследуемого вещества (0,1 - 10 мг) и простоте подготовки образцов. Эти достоинства делают ИМС метод лучшим для обзорного анализа материалов особой чистоты и позволяют успешно применять его при изучении элементного состава широкого крута объектов [ 2 ].

В лаборатории контроля чистоты полупроводниковых материалов Института неорганической химии СО АН СССР в течение ряда лет проводятся исследования по созданию комплекса физико-химических методов анализа материалов электронной техники (тема 2.20.4.3 плана НИР на 1981 - 1985 годы), включающего методы ИМС-анализа, в том числе методы послойного ИМС-анализа. Настоящая работа является частью этих исследований. Цель работы -выявление резервов ИМС метода по снижению пределов обнаружения примесей и, на этой основе, разработка новых методик анализа, удовлетворяющих современным требованиям технологии получения чистых материалов и приборов.

Обзор опубликованных работ, сделанный в первой главе, показывает, что снижение пределов обнаружения примесей может быть достигнуто двумя путями - совершенствованием аппаратуры (например, применением более чувствительных детекторов сигнала, повышением эффективности масс-спектрометрической регистрации, улучшением вакуума и др.) и применением современных способов предварительного концентрирования, т.е. разработкой комбинированных методик анализа.

Во второй - пятой главах изложена экспериментальная часть работы.

Достижения в области химического концентрирования примесей и ИМС-анализа тонких слоев использованы нами для разработки комбинированного метода, позволяющего снизить пределы обнаружения

9 тт г* примесей в материалах особой чистоты до 10 - 10 % масс. Метод назван методом тонкого слоя и реализован для особо чистых воды, кислот и кадмия (глава 2).

Третья глава посвящена развитию ИМС метода послойного анализа. Для снижения абсолютных пределов обнаружения примесей применительно к анализу микрообъектов и тонких слоев предложена система плазменной фокусировки ионных пучков. В этой же главе обсуждаются вопросы правильности получения концентрационных распределений и даны конкретные рекомендации по учету и снижению влияния шероховатости и перенапыления материала на результаты послойного ИМС-анализа.

В четвертой главе описано применение разработанных приемов для определения поверхностных загрязнений полупроводниковых материалов.

Заключительная глава экспериментальной части работы посвящена определению газообразующих примесей. В этой главе рассмотрены возможности снижения пределов обнаружения углерода, азота и кислорода при послойном анализе и особенности ИМС определения этих примесей в объектах микроэлектроники и особо чистых материалах.

В каждом разделе приведены примеры применения разработанных методик для решения конкретных технологических задач совместно со специалистами в области электронного материаловедения и получения веществ высокой чистоты.

Научная новизна и практическая ценность работы состоят в следующем.

- Показано, что при коэффициенте концентрирования 10^ с;

10 и высокой эффективности использования концентрата относительные пределы обнаружения примесей в ИМС могут достигать 10""^ - % масс. Разработан метод тонкого слоя для анализа концентратов микропримесей, который позволяет определять 60 элементов в воде и кислотах особой чистоты с пределами обнаруо тт жения 10 - 10 х % масс и 49 элементов в кадмии на уровне Ю~7 - Ю"*9 % масс.

Установлено, что снижение абсолютных пределов обнаружения примесей может быть получено за счет повышения эффективности масс-спектрометрической регистрации. Сконструирована система компрессии ионного пучка, позволяющая увеличить эффективность регистрации на порядок величины и получить пределы обнаружения с с

70 элементов на уровне 10~° - 10"" % масс при расходе 0,05 мг пробы.

- Оптимизированы условия послойного ИМС анализа полупроводниковых соединений АщВу. Предложены способы учета и снижения погрешностей при получении профилей распределения примесей.

- Предложен способ ИМС определения поверхностных загрязнений, сочетающий химическое травление и анализ травильного раствора. Разработана методика количественного анализа поверхности кремниевых пластин большого диаметра с пределами обнаружения

60 элементов на уровне 10^ - 10^ атом/см^.

- Показаны возможности снижения фона газообразущих примесей при послойном анализе полупроводниковых материалов и повышения экспрессности метода. Предложен способ оценки необходимой степени откачки ионного источника.

- Разработанные методы использованы для получения новой научной информации по технологии получения и легирования эпита-ксиальных слоев, для изучения процессов очистки и контроля чистоты основных и вспомогательных материалов электронной техники.

На защиту выносятся.

- ИМС метод анализа концентратов микропримесей (метод тонкого слоя).

- Метод снижения абсолютных пределов обнаружения примесей путем повышения эффективности масс-спектрометрической регистрации с помощью системы плазменной фокусировки.

- Способы введения поправок при получении концентрационных профилей распределения примесей.

- Методы количественного ИМС определения поверхностных загрязнений.

- Способы снижения пределов обнаружения газообразующих примесей при послойном ИМС анализе и оценки уровня фона ионного источника.

- Результаты применения разработанных методик для исследования процессов получения и очистки полупроводниковых материалов и приборов на их основе.

I. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИМС МЕТОДА. И ПУТИ СНИЖЕНИЯ ПРЕДЕЛОВ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)

В развитии современных методов элементного анализа материалов электронной техники следует выделить следующие основные направления.

1. Разработка методик обзорного анализа полупроводников, исходных и вспомогательных материалов дня отработки процессов их синтеза, очистки и легирования.

2. Разработка методик, позволяющих получить данные о пространственном распределении легирующих и фоновых цримесей для создания структур с заданными свойствами.

3. Разработка методик анализа поверхности с целью выбора оптимальных приемов ее очистки и обработки технологии получения интегральных схем.

Особо следует выделить разработку методик определения газо-образуодих цримесей в материалах электронной техники, в том числе объемного распределения, для выявления их влияния на электрофизические свойства полупроводниковых структур.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ Основные результаты работы.

1. Предложен ИМС метод анализа концентратов микропримесей с использованием техники анализа тонких слоев чистого кремния. Сочетание эффективного использования концентрата и высокого (М-104) коэффициента концентрирования позволило получить относительные пределы обнаружения примесей на уровне 10~9 - 1СГ^%. Разработаны комбинированные методики ИМС анализа высокочистых а тт воды и кислот с пределами обнаружения 60 примесей 10 - 10 % масс, и кадмия высокой чистоты на 49 элементов-примесей с гу о пределами обнаружения 10"' - % масс. Воспроизводимость определений характеризуется значениями относительного стандартного отклонения 0,17 - 0,36. Сопоставление результатов ИМС анализа этих материалов с результатами химико-спектрального анализа и данные опытов "введено-найдено" показали, что имеющие место расхождения не превышают 3-х раз, а значения К0Ч большинства элементов лежат в интервале 0,5-2.

2. Показано, что снижение абсолютных пределов обнаружения примесей может быть достигнуто за счет повышения эффективности масс-спектрометрической регистрации. Сконструированы системы компрессии ионного пучка искрового источника, позволяющие увеличить эффективность масс-спектрометрической регистрации в 7 и 22 раза, т.е. получить пределы обнаружения 70 элементов на уро

Г £> вне 10"° - 10~° % при расходе 0,05 мг пробы. Существенно (до 5 раз) повышена стабильность ионного тока и снижено время набора экспозиции.

3. На основании изучения распыления и ионизации полупроводниковых материалов (кремния, германия, арсенида галлия, антимонида индия и др.) ВЧ вакуумной искрой разработан общий подход и выбраны оптимальные условия послойного анализа с разрешением по глубине 1-2 мкм и пределами обнаружения 70 элементов 10"^ - % масс. Определены простые способы коррекции результатов послойного ИМС анализа на шероховатость слоев и эффект "памяти" и предложены приемы, снижающие их влияние.

4. Предложены способы количественного прямого и комбинированного ИМС определения поверхностных загрязнений. Использование предварительного травления поверхности пластин большого диаметра и анализ концентрата травильного раствора методом тонкого слоя позволило получить пределы обнаружения 60 примесей на уровне Ю9 - Ю12 атом/см2, что на 1-2 порядка величины ниже, чем при прямом ИМС анализе.

5. Показано, что откачка ионного источника масс-спектрометра до 0,1 мкПа Topp) и снижение расхода противо-электрода (до 0,1 %) позволяют достичь при послойном анализе с сурьмы и антимонида индия пределов обнаружения 6*10 % масс ту для кислорода и углерода и 8*10 % масс для азота. Предложен простой способ оценки необходимой степени откачки камеры ионного источника и прием для повышения экспрессности метода.

6. Разработанные методы использованы для получения конкретной информации, имеющей научный и практический интерес:

- контроля чистоты основных и вспомогательных материалов при производстве интегральных схем;

- оценки примесного состава кадмия, очищенного электролизом;

- изучения процесса очистки германия при свободной кристаллизации во вращающемся контейнере;

- изучения состава и характера распределения неконтролируемых примесей в нелегированных пленках арсенида галлия, выращенных методом газотранспортной эпитаксии в системе С-йЛз -htt5 - И2 на полуизолирующих (АГП) и сильно легированных (АГЭТ) подложках;

- выбора оптимальных условий выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированного железом;

- исследования распределения легирующих и фоновых примесей в эпитаксиальных структурах кремния и германия и в приповерхностной области подложек в процессе приготовления атомарно чистой поверхности;

- изучения процесса роста эпитаксиальных слоев германия в проточной системе Сб -HI -Н^ в интервале температур 550° - 750°С с контролируемым добавлением паров воды в реактор;

- выявления загрязнений поверхности в технологическом процессе получения интегральных схем на кремнии и выбора оптимального способа ее отмывки;

- изучения характера и распределения примесных центров, образующихся при совместном легировании арсенида галлия кремнием и кислородом;

- аналитического контроля производства серебра марки СВЧ на содержание углерода и кислорода.

Акты об использовании разработанных методик прилагаются.

Основные материалы по теме диссертации опубликованы в следующих работах:

I.Сацрыкин А.И., Шелпакова И.Р., Чанышева Т.А., Юделевич И.Г. Метод тонкого слоя в искровой масс-спектрометрии. Анализ поверхности кремниевых пластин. - Ж.аналит.химии, 1983, т.38, $ 7, с.1238-1242.

2.Чанышева Т.А., Шелпакова И.Р., Сацрыкин А.И., Янковская Л.М., Юделевич И.Г. Анализ кислот особой чистоты химико-спектральным и искровым масс-спектрометрическим методами с концентрированием примесей. - Ж.аналит.химии, 1983, № 6, с.979-983.

3.Шелпакова И.Р., Сапрыкин А.И., Чанышева Т.А., Юделевич И.Г. Метод тонкого слоя в искровой масс-спектрометрии. Анализ особо чистой воды. - Ж.аналит.химии, 1983, т.38, J& 4, с.581-585.

4.Сапрыкин А.И., Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г. К воцросу об определении газообразующих примесей методом искровой масс-спектрометрии. - Изв. СО АН СССР, 1982, № 12. Сер.хим.наук, вып. 5, с.77-80.

5.Рыбин Ю.А., Прокудина H.A., Сацрыкин А.И., Шелпакова И.Р. 0 радиальной очистке германия во вращающемся контейнере. - Изв. СО АН СССР, 1982, JS 12. Сер.хим.наук, вып. 5, с.69-72.

6.Баренгольц Ю.А., Вилисова М.Д., Иконникова Г.М., Лаврентьева Л.Г., Сацрыкин А.И. Исследование эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных железом в системе Gft - Fb - АзСС,- Н*.о Ч

Электронная техника. Сер.: Материалы, 1981 № 2(151), с.59-61.

7.Александров Л.Н., Ловяиш Р.Н., Сапрыкин А.И., Новик В. Фоновые и легирующие примеси в полупроводниковых пленках и переходной области пленка-подложка при эпитаксии из молекулярных пучков. - Неорганические материалы, 1980, т.16, F7, о.1149-1153.

8.Шелпакова И.Р., Сацрыкин А.И., Герасимов В.А., Юделевич И.Г. О зависимости коэффициентов относительной чувствительности в искровой масс-спектрометрии от энергии, выделяющейся в разряде.-Ж.шалит.химии, 1980, т.35, & 4, с.629-632.

9.Сацрыкин А.И., Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г. Возможности снижения абсолютных пределов обнаружения в искровой масс-спектрометрии. - Изв. СО АН СССР, 1979, № 9. Сер.хим,наук, вып. 6, с.123-126.

Ю.Вилисова М.Д., Гурченок Г.А., Лаврентьева Л.Г., Порохов-ниченко Л.П., Сацрыкин А.И. Влияние скорости потока газовой смеси на электрофизические свойства слоев &С1 А8 в хлоридной газотранспортной системе. - Электронная техника. Сер.: Материалы, 1979, В 9(134), с.23-25.

11.Сапрыкин А.И., Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г., Кантер Ю.О. Послойный анализ. эпитаксиальных слоев германия на масс-спектрометре с искровым ионным источником. - Изв. СО АН СССР, 1979,

Jfc 9. Сер.хим.наук, вып.4, с.100-104.

12.Сапрыкин А.И., Герасимов В.А., Сацрыкина Е.А. Автоматизация обработки спектров и расчета концентраций элементов при фотографической регистрации. - Зав.лаб., 1979, т.45, № 2, с.152-154.

13.Вилисова М.Д., Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П., Дорохов А.Н., Сапрыкин А.И. Локальные примесные неоднородности в автоэпитаксиальных слоях арсенида галлия. - Известия вузов. Физика, 1978, вып. 10(197), с.96-101.

14.Герасимов В.А., Сапрыкин А.И. , Шелпакова И,Р., Юделевич И.Г. Выбор оптимальных условий послойного анализа полупроводниковых структур на искровом масс-спектрометре. - Ж.аналит.химии, 1978, т.33, № 7, с.1274-1280.

15.Сацрыкин А.И., Герасимов В.А., Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г. Чупахин М.С. Масс-спектрометрический метод послойного анализа кремниевых структур. - Химические реактивы и особо чистые вещества. Труды ИРЕА. М.: ИРЕА, 1977, вып.39, с.162-170.

16.Герасимов В.А., Сапрыкин А.И. 0 напряжении на электродах искрового ионного источника масс-спектрометра. - Приборы и техн. эксперимента, 1977, № 3, с.175-176.

17. Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г., Буянова Л.М., Чанышева Т.А., Щербакова О.И., Герасимов В.А., Шабанова Л.Н., Корда Т.М., Бахтурова Н.Ф., Зеленцова Л.В., Сапрыкин А.И. Методы послойного анализа монокристаллов и пленок кремния. - В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1977, часть 2, с.331-336.

1.Карпов Ю.А., Алимарин И.П. Новый этап в аналитической химии веществ высокой чистоты. - Ж.аналит.химии, 1979, т.34, № 7, с.1402-1410.

2. Beske Н,Е., Gijbels R., Hurrle A., Jochum K.P. Review and. Evaluation of Spark Source Mass Spectrometry as an Analytical Method. Fresenius Z. Anal. Chem., 1981, B. 309, S. 329-341.

3. Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г., Гильберт Э.Н. Сравнение аналитических возможностей многоэлементных методов анализа материалов особой чистоты. В кн.: Физико-химические методы анализа. Горький, 1982, с.14-17.

4. Кузнецов P.A. Активационный анализ. М.: Атомиздат, 1974. -344 с.

5. Прайс В. Аналитическая атомно-абсорбционная спектроскопия. М.: Мщ>, 1976. -355 с.б.Чупахин М.С., Крючкова О.И., Рамендик Г.И. Аналитические возможности искровой масс-спектрометрии. М.: Атомиздат, 1972, 222 с.

6. Сабатовская В.Л., Кузовлев И.А., Юделевич И.Г. Снижение пределов обнаружения микропримесей при химико-спектральном анализе веществ высокой чистоты. Изв. СО АН СССР, 1976, № 12. Сер.хим.наук, вып. 5, с.65-67.

7. Масс-спектрометрический метод определения следов. Перевод с англ. Грушко Л.Ф., Рамендика Г.И. под ред. Чупахина М.С.1. М.: Мир, 1975, 453 с.

8. Э.Бугаев С.П., Искольдский A.M., Месяц Г.А. и др. Электронно-оптическое наблюдение инициирования и развития цробоя вакуумногопромежутка. Ж.техн.физики, 1967, т.37, № 12, с.2308-2317.

9. Ю.Бедринов Б.П., Украинский Ю.М., Чупахин М.С. Униполяр-ность высокочастотного разряда в вакууме при масс-спектральном анализе пленок. Ж.аналит.химии, 1972, т.27, МО, с.1901-1905.

10. Бабушкина Т.В., Сихарулидзе Г.Г., Николаев Р.К. Анализ ионных кристаллов с помощью однополярных импульсов. Ж.аналит. химии, 1975, т.30, №1, с.172-175.

11. А.с. 382170 (СССР). Высокочастотный исщювой ионный источник /Зеленин А.Е., Сихарулидзе Г.Г. Опубл. в Б.И., 1973,22, с.161.

12. Wadlin W.H., Harrison W.W. Effect of spark position in spark source mass-spectrometry. Anal. Chera., 1970, v. 42, N 12, p.1399-1402.

13. H.Yanagihara Kazuo, Shokisato, Shohe Oda, Hitoshi Kamada. Effects of several experimental parameters on the relative sensitivity factors in spark source mass-spectrometric analysis of steel. Analytica Chimica Acta, 1978, v. 98, П 2, p.307-313.

14. Рамендзик Г.И., Чупахин M.C., Таций Ю.Г., Держиев В.И. Зондовый метод анализа в искровой масс-спектрометрии. Ж. ана-лит.химии, 1974, т.29, В 2, с.238-242.

15. Потапов М.А., Чупахин М.С., Штанов В.И., Зламанов В.П. Зондовый масс-спектрометрический анализ легкоплавких.металлов и сплавов высокой чистоты. Ж.аналит.химии, 1978, т.33, № 6, с.I062-1067.

16. Шабанова Л.Н. Масс-спектрометрический анализ веществ высокой чистоты с использованием замороженной капли: Дис. канд. хим. наук. Новосибирск, 1981. 275 с.18.3олотов Ю.А., Кузьмин Н.М. Концентрирование микроэлементов. М.: Химия, 1982. 288 с.

17. Гладской В.М., Иванова Г.А., Кузовлев И.А., Кузьмин Н.М. Применение искровой масс-спектрометрии для анализа концентратов элементов примесей. Ж.аналит.химии, 1971, т.26, № 6,с.I087-1090.

18. Болотов Ю.А., Шахова Н.В., Крючкова О.И. и др. Экстракци-онно-масс-спектрометрический метод определения микроэлементов. -Ж.аналит.химии, 1978, т.ЗЗ, № 7, е.1253-1259.

19. Петрухин О.М., Золотов Ю.А., Шевченко В.Н. и др. Экстра-кционно-масс-спектрометрическое определений платиновых металлов в объектах сложного состава. Ж.аналит.химии, 1979, т.34, № 2, с.334-343.

20. Артюхин П.И., Буянова Л.М., Чучалина Л.С., Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г. Химико-спектральный метод анализа галлия высокой чистоты с экстракцией основы ^ , дихлордиэтиловым эфиром (хлорексом). - Изв. СО АН СССР, 1968, № 14. Сер.хим.наук, вып.6, с.83-87.

21. Малахов В.В., Протопопова Н.П., Трухачева В.А., Юделевич И.Г. Химико-спектральный метод анализа олова высокой чистоты. В кн. : Анализ полупроводниковых материалов. Труды комиссии по аналит. химии АН СССР, т.16, с.89-93.

22. Dabeca R.W., Mykytiuk A., Berman S.S., Russel D.S. Polypropylene for the subboiling distillation and storage of high-purity acids and water. Anal. Chem., 1976, v. 48, N 9, p.1203-1207.

23. Mykytiuk A., Russel D.S., Boyko V. Analysis of high-purity water and acids by spark-source mass-spectrometry. -Anal. Chem., 1976, v. 48, N 11, p.1462-1464.

24. Vanderborght B.M,, Van Grieken R.E. Water analysis by spark source mass-spectrometry after preconcatration on activated carbon. Talanta, 1980, v. 27, N 5, p.417-422.

25. Strelov F.W.E., Jackson P.F.S. Determination of trace and ultra-trace quantities of rare-earth elements by ion exchange chromatography-mass-spectrography. Anal. Chem., 1974, v. 46, N 11, p.1481-1486.

26. Alvares R., Paulsen P.J., Kelleher D.E. Simultaneous determination of trace elements in platinum by isotope dilution and spark source mass-spectrometry. U.S.Dep.Commer.Nat.Bur. Stand.Spec.Publ., 1977, N 492, p.185-188.

27. Kluge S., Dietze H.-J. Massenspectrographische Analyse von Pflanzenasche. Z.Naturforsch., 1968, B. 23b, N 10,1. S.1393-1394.

28. Jones R.M., Kuhn W.P., Varsel G. Spark source mass-spectrographic analysis of tobacco Ash. Anal. Chem., 1968, v. 40, N 1, p.10-13.

29. Evans C.A., Morrison Jr., Morrison G.H. Trace element survey analysis of biological materials by spark source mass-spectrometry. Anal. Chem., 1968, v. 40, N 6, p.869-875.

30. Welch K.H., Ure A.M. Concentration procedures for trace element analysis by spark source mass-spectrometry. Anal. Proc., 1980, v. 17, N 1, p.8-13.

31. А.с. 319285 (СССР). Способ стабилизации параметров высокочастотного искрового разряда. /Фурсов В.З., Чупахин М.С., Украинский Ю.М. Опубл. в Б.И., 1972, № 16, с.248.

32. Bingham R.A. Autospark. 8 th Annual USERS Conference, Manchester, 1968, p.1-8.

33. Conzemius R.J., Svec H.J. Automatic control of the ionillumination angle in spark-source mass-spectrometer. -Talanta, 1973, H 20, p.477-486.

34. Fergasson L.A,, Davdy J.D. Adigital electrode controller for the spark-source mass-spectrometer. Rev.Sci.Instrum., 1973, v. 44, N 3, p.343-345.

35. Герасимов В.А. Измерение, оптимизация и стабилизация основных параметров источника ионов для искрового масс-спектра-льного анализа: Дис. канд. техн. наук. Новосибирск, 1982. -166 с.

36. Дорохов А.Н., Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г. Эффект памяти при послойном масс-спектральном анализе пленок арсенида галлия. Изв. СО АН СССР, 1976., № 4. Сер.хим.наук, вып.4, с.67-70.

37. Бедринов В.П., Белоусов В.И. Влияние разрешения по глубине на точность послойного масс-спектрального анализа. Ж. аналит.химии, 1974, т.29, №10, с.1877-1881.

38. Бедринов В.П., Украинский Ю.М., Фурсов В.З., Чупахин М.С. Особенности масс-спектрометрического определения примесей в пленках арсенида галлия. S.аналит.химии, 1972, т.27, № 3,с.610-612.

39. Дорохов А.Н., Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г. Послойный анализ пленок арсенида галлия методом искровой масс-спектромет-рии. Ж.аналит.химии, 1975, т.30, № 4, с.803-805.

40. Бедринов В.П., Белоусов В.И. Учет краевого эффекта при масс-спектральном анализе зондовым способом. Ж.аналит.химии, 1976, т.31, №12, с.2315-2318.

41. Шелпакова И.Р., Дорохов А.Н., Солтан С.А., Герасимов В.А., Юделевич И.Г. Методы послойного анализа монокристаллов и пленок арсенида галлия. В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977, часть 2, с.325-330.

42. Рамендик Г.И., Держиев В.И., Васюта Ю.В. Общий, послойный и локальный анализ компактных диэлектриков на масс-спектрометре с искровым источником ионов. Ж.аналит.химии, 1979,т.34, № 7, с.1316-1322.

43. Jansn J.A.J., Witmer A.W. Analysis of thin layers by means spark-source mass-spectrometry. Presenius Z. Anal. Ghem., 1981, B.309, H 4, S.305-307.

44. Юделевич И.Г., Шелпакова И.P., Шабанова Л.Н., Герасимов В.А., Корда Т.М. Послойный масс-спектрометрический анализ кремниевых структур с применением эталонов. Ж.аналит.химии, 1976, т.31, Ш 3, с.561-564.

45. Рамен дик Г. И., Держиев В. И. Физика искрового разряда в вакууме и проблема количественного масс-спектрометрического анализа. Качественная модель слаботочного разряда в вакууме. -Ж.аналит.химии, 1977, т.32, В 8, с.1508-1515.

46. Рамендик Г.И., Держиев В.И. Влияние процессов, цроисхо-дящих при разлете плазмы, на результаты масс-спектрометрическо-го анализа твердых тел. Ж.аналит.химии, 1979, т.34, № 5,с.837-845.

47. Рамендик Г.И., Держиев В.И., Чупахин М.С., Либих Ф., Май Г. Пути достижения предельных возможностей искровой масс-спектрометрии при анализе тонких пленок. Ж.аналит.химии, 1975, т.30, $ 10, с.1908-1912.

48. Derzhiev V.I., Ramendik G.I., Liebich V., Mai H.

49. The analysis of thin films by SSMS-a more detailed discharge model and recent experiments. Intern.J.Mass Spectrometry and Ion Physics, 1980, v.32, p.345-361.

50. Liebich V., Mai H. An analytical method for the inverstigation of thin films by spark source massspec trography. Advances in Mass Spectrometry, 1974, v. 6, p.655-664.

51. Герасимов В.A., Шелпакова И.Р., Рудая H.С. Пространственное распределение частиц в искровом ионном источнике масс-спектрометра. -Ж.аналит.химии, 1979, т.34, с.65-71.

52. Гладской B.M., Неволин B.H., Шпак Д.П., Белоусов В.И. Энергетическое распределение ионов искровой плазмы. Ж. техн. физики, 1978, т.48, №7, с.1394-1398.

53. Зеленин А.Е., Пустовит А.Н., Сихарулидзе Г.Г. Об энергетическом распределении ионов искрового ионного источника. -Ж.техн.физики, 1980, т.50, №11, с.2347-2355.

54. Габович М.Д. Физика и техника плазменных источников ионов. М.: Атомиздат, 1972. 304 с.

55. Герасимов В.А., Сапрыкин А.И. 0 напряжении на электродах искрового ионного источника масс-спектрометра. Приборы и техника эксперимента, 1977, № 3, с.175-176.

56. Герасимов В.А., Чупахин М.С., Шелпакова И.Р. Искажения энергетического разброса ионов в искровом ионном источнике масс-спектрометра. Ж.аналит.химии, 1980, т.35, с.224-231.

57. Рамендик Г.И., Держиев В.И., Гущин В.Н., Чупахин М.С. Энергетическое распределение ионов, образованных при электрическом пробое вакуумного промежутка. Доклады АН СССР, 1975, т.221, 5, с.1076-1078.

58. Ramendik G.I., Derzhiev V.I,, Surkov Yu.A., etc.

59. Real energy spread of ions produced in vacuum spark-discharge plasma. Intern. J. Mass Spectrometry and Ion Physics, 1981, v.37, N 3, p.331-339.

60. Современные методы анализа микрообъектов и тонких пленок. М.: Наука, 1977, с.19-182.

61. Кузовлев И.А., Сабатовская В.Л., Хоркина Л.С., Быстрова В.А. Химико-спектральный метод определения поверхностных загрязнений подложек кремния и арсенида галлия. Зав.лаб., 1972, т.38,1. J6 6, с.674-677.

62. Тверсков В.А., Костогрыз А.Г., Суворов В.М., Дзиковиц-кая А.А., Сабатовская В.Л. Исследование влияния финишной очистки поверхности кремниевых пластин на качество эпитаксиальных структур. Электронная техника, сер.: Материалы, 1976, № 8,с.68-71.

63. Бочкарев Э.П., Гимельфарб Ф.А., Мильвидский М.Г. Контроль состава кристаллов методами спектроскопии поверхности. Кристаллография, 1981, т.26, №1, с.225-239.

64. Hannay N.B., Ahearn A.J. Mass spectrografic analysis of solids. Anal. Chem., 1954, v.26, N 6, p.1056-1058.

65. Ahearn A.J. Mass spectrografic detection of impurities in liquids. J.Appl.Phys., 1961, v.32, p.1197-1201.

66. Clegg J.В., Millett E.J., Roberts J.A. Direct analysis of thin layers by spark source mass-spectrography. Anal. Chem., 1970, v.42, N 7, p.713-719.

67. Jansen J.A.J., Witmer A.W. Analysis of thin layers by means of spark-source mass-spectrometry. Fresenius Z. Anal. Chem., 1981, B.309, N 4, S.305-307.

68. Бедринов В.П., Белоусов В.И., Хромова Н.В. Масс-спектра-льное оцределение поверхностных загрязнений. Ж.аналит.химии, 1973, т.28, №12, с.2407-2412.

69. Белоусов В.И., Гладской В.М., Бедринов В.П., Шаталина Л.Г. Масс-спектральный анализ эпитаксиальных структур и поверхности подложек арсенида галлия методом вакуумной искры. Электронная техника, сер.: Материалы, 1975, №4, с.65-68.

70. Александрова Г.И., Демидов A.M., Котельников Г.А. и др. Оцределение содержания кислорода в германии и кремнии при активации ионами гелия-3. В кн.: Методы определения и исследования газов в металлах. М.: Наука, 1968, с.102-108.

71. Nozaki Т., Yatsurugi Y., Abiyama Н. Charged, particle activation analysis for carbon, nitrogen and oxygen in semiconductor silicon. J. of Radioanalytical Chemistry, 1970, v.4, p.87-98.

72. Муминов В.А., Мухамедов С., Субтанов Б., Рахманов А. Оцределение содержания углерода, азота и кислорода в некоторых материалах активацией заряженными частицами. Ж.аналит.химии, 1978, т.33, В 6, c.II37-II4I.

73. Гончаров К.С., Кузьменко В.А., Ремаев В.В., Гусев Б.А., Коровин Ю.Ф. Применение реакции 0(р,°< fn для определения примеси кислорода в чистых металлах. В кн.: Вопросы атомной науки и техники. Сер. общая и ядерная физика. Харьков, 1978, J&3/3, с.78-82.

74. Quaglia L., Weber G. Application de la methode de dosage en surface a l'aide des reactions nucléaires pour l'évaluation de .1'interference surface masse. - J. of Radioanal. Ghem., 1973, v.17, N 1-2, p.91-100.

75. Вассерман A.M., Кунин Л.1., Суровой Ю.Н. Определение газов в металлах. Метод восстановительного плавления в атмосфере газа-носителя. М. : Наука, 1976. 344 с.

76. Карпов Ю.А., Натансон К.Ю. Кинетика и термодинамика взаимодействия газов с жидкими металлами. М. : Наука, 1974. -182 с.

77. Завьялов О.В., Карпов Ю.А. Новый вариант метода вакуумной экстракции для определения азота в чистых металлах. Ж. аналит.химии, 1974, т.29, В 8, с.1620-1625.

78. Карпов Ю.А. Потенциальная и достигнутая чувствительности определения газообразующих примесей методом вакуумной экстракции. В кн.: Научные труды ГИВДМЕТа. М. : Металлургия, 1976, JÊ 71, с.3-11.

79. Петров П.Н., Карпов Ю.А., Натансон К.Ю., Завьялов О.В. Снижение нижней границы определяемых концентраций углерода и азота при анализе металлов методом вакуумной экстракции. Зав. лаб., 1980, т.46, № 6, с.484-486.

80. Балабанов В.В., Ларин Н.В., Зорин А.Д., Ревин Ю.В. Определение углерода, водорода, азота и кислорода в кремнии. В кн.: Получение и анализ веществ высокой чистоты. Горький, 1974, с.153-158.

81. Ларин Н.В., Ревин Ю.В., Девятых Г.Г. Определение углерода в кремнии и германии сжиганием в кислороде во взвешенном в электромагнитном поле состоянии. Ж.аналит.химии, 1977, т.32, В 4, с.775-778.

82. Ларин Н.В., Ревин Ю.В. Определение углерода в металлахи пленках методом окислительного плавления во взвешенном в электромагнитном поле состоянии. Ж.аналит.химии, 1976, т.31, №4, с.715-719.

83. Ревин Ю.В., Ларин Н.В., Погудалов Д.И. Определение содержания углерода на поверхности и в объеме образцов меди, никеля и стали У8А. В кн.: Получение и анализ чистых веществ. Горький, 1977, вып.2, с.81-84.

84. Эб.Данковский Ю.В., Ильин С.Н., Шершель В.А. К вопросу об определении кислорода в кристаллах кремния. В кн.: Научные труды ГИРБЩМЕТа. М.: Металлургия, 1974,. т.51, вып.З, с.90-94.

85. Ильин М.А., Рашевская Е.П. Определение концентрации углерода в кремнии оптическим методом. В кн.: Научные труды ГИРЕЦЩЕТа. М.: Металлургия, 1977, т.86, вып.1, с.3-10.

86. Grallath E. Zur Analyse von Sauerstoff, Stickstoffund Kohenstoff in Metallen. Fresenius Z. Anal. Ghem., 1980, B.300, N 2, S.97-106.

87. Brown R., Craig R.D., Elliott R.M. Spark source mass-spectrometry as an analytical technique. Advan. in Mass Spectrometry, 1961, v.2, p.141-156.

88. ЮО.Кормилщин Д.В. Исследование систематических ошибок без эталонного анализа чистых металлов и полупроводников на масс-спектрометре с искровым ионным источником: Автореф. дис. канд. хим. наук. М., 1974. 24 с.

89. Clegg J.B., Millett E.J. The determination of carbon, oxygen and nitrogen in semiconductors by spark-source mass spectrography. Philips tech. Rev., 1974, v.34, N 11/12,p.344-349.

90. Donald L., Oblas Dan., Oblas Dug. Trace determination of carbon and oxygen in tungsten by spark-source massspec trography. Talanta, 1977, v.24, p.447-451.

91. Brozel M.R., Glegg J.B., Newman R.C. Carbon, oxygen and silicon impurities in gallium arsenid. J.Phys.D.: Appl. Phys., 1978, v.11, N 9, p.1331-1339.

92. Donald L., Oblas Dug., Oblas Dan. Modification of SSMS ion source to reduce residual gas' effects. J.Vac.Sci. Technol., 1980, v.17, N 4, p.826-828.

93. Harrington W.L., Skogerboe R.K., Morrison G.H. Quantitative spark source mass-spectrometry using cryosorption pumping. Anal. Ghem., 1965, v.37, N 12, p.1480-1484.

94. Глинских В.М., Мелашвили В.А., Орджоникидзе К.Г., Сата-дашвили O.A. Масс-спектрографическое определение кислорода и азота в металлах с криосорбционной откачкой ионного источника. -Ж.аналит.химии, 1974, т.29, № I, с.116-118.

95. Дорохов А.Н., Шелпакова И,Р., Юделевич И.Р., Чистано-ва G.T. Послойный масс-спектрометрический анализ арсенида галлия на кислород, азот и углерод. Изв. СО АН СССР, 1977, № 4. Сер.хим.наук, вып.2, с.61-65.

96. Вакуумная техника: Экспресс-информация, 1973, Ж7, с.1-2.

97. Сихарулидзе Г.Г. Изотопный метод в искровой масс-спектро-метрии и его применение для анализа газов в металлах: Автореф. дис. канд.хим.наук. Черноголовка, 1975. 25 с.

98. ПО.Щулепников М.Н., Александрова Г.И., Кудкнов B.C., Фир-сов В.И. Ядерно-физические методы контроля цримесного состава чистых металлов редкометаллической промышленности. Зав.лаб., 1981, т.47, & 9, с.26-31.

99. Huber A.M., Morillot G., Linh N.T. et al. Quantitative analysis of oxygen in thin epitaxial layers of GaAs by SIMS. Nucl. Instrum. and Meth., 1978, v.149, N 1-3,p. 543-546.

100. Дорохов А.Н. Послойный анализ пленок арсенида галлия методом искровой масс-спектрометрии: Автореф. дис. канд.хим. наук. Новосибирск, 1978. 23 с.

101. Зеленин А.Е. Исследование источников погрешностей искрового масс-спектрального анализа и разработка новых конструкций, схем, цриемов с целью улучшения метрологических характеристик метода: Автореф. дис. канд.техн.наук. М., 1979. 17 с.

102. И4.Шелпакова И.P., Герасимов В.А., Юделевич И.Г. К вопросу о случайных погрешностях искрового масс-спектрометрического анализа. Ж.аналит.химии, 1981, т.36, №12, с.2299-2302.

103. Пб.Шелпакова И.Р., Сапрыкин А.И., Герасимов В.А., Юделевич И,Г. 0 зависимости коэффициентов относительной чувствительности в искровой масс-спектрометрии от энергии, выделяющейся в разряде. Ж.аналит.химии, 1980, т.35, J& 4, с.629-632.

104. Toribara T.V., Shields С.P., Koval Ъ. Behaviour of dilute solutions of mercury. Talanta, 1970, v. 17,N 10,p.1025-1028.

105. Юделевич И.Г., Шелпакова И.Р., Чанышева Т.А. Потери микропримесей при химико-спектральных методах анализа. Ж.аналит. химии, 1971, т.26, №4, с.820-823.

106. Pinta М. Trace analysis applicable to the determination of minor impurities in chemicals. II. Anevaluation of methodology for the analysis of high purity mineral acids. Pure and Appl. Chem., 1977, v.49, N 6, p.893-904.

107. Shendrikar A.D,, West R.W, The rate of loss of selenium from aqueous solution stored in various containers. Anal. Chim. Acta, 1975, v.74, К 1, p.189-191.

108. Shendrikar A.D., Dharmarajan V., Walker-Merrick H., West R.W. Adsorption characteristics of traces of barium, beryllium, cadmium, manganese, lead and zinc on selected surfaces. Anal. Chim. Acta, 1976, v.84, N 2, p.409-417.

109. Gladney E,S., Goode W.E. Loss of tin from aqueous solutions during storage. Anal. Chim. Acta, 1977, v.91, N 2, p.411-415.

110. Subramam.an K.S., Chakrabarti C.L., Sueiras J.E., Maines J.S. Preservation of some trace metals in samples of natural waters. Anal.Chem., 1978, v.50, N 3, p.444-448.

111. Batley G.E., Gardner D. Sampling and storage of natural waters for trace metal analysis. Water Research, 1977, v.11, N 9, p.745-756.

112. Guinn V.P., Lukens H.R. Nuclear methods. In; Trace analysis, Physical methods. Editor G.H. Morrison U.Y.: Interscience, 1965, p.325-376.

113. Koch R.C. Activation Analysis. Hand Book. N.Y.: Academic Press, 1960. 219 p.

114. Kershner N.A., Joy E.E., Barnard A.J. The practical analysis of high-purity chemicals. VI Emission spectrographic analysis of high-purity acids. Applied Spectroscopy, 1971, v.25, N 5, p.542-549.

115. Немодрук А.А., Каралова Э.К. Аналитическая химия бора. М.: Наука, 1964. 282 с.

116. Грушина Н.В., Козин Л.Ф., Ерденбаева М.И. и др. Химико-спектральный метод анализа кадаия сверхвысокой чистоты. В кн.: Труды института органического катализа и электрохимии АН Казахской СССР. Алма-Ата, 1972, т.З, с.45-58.

117. Разработка усовершенствованных методик анализа полупроводниковых материалов, редких металлов и их соединений* Отчет по теме Ш 4-79-023/21-115/, ГИРЕЩМЕТ. М., 1981, т.2, с.24-41.

118. Тинцова-Яковлева В.Г., Дворцан А.Г., Семенова И.Б. Концентрирование примесей методом осаждения при спектральном анализе кадаия высокой чистоты. Ж.аналит.химии, 1970, т.25,1. В 4, с.686-690.

119. Устимов A.M., Тембер Т.А., Чалков Н.Я. Химико-спектральное оцределение примесей в кадаии высокой чистоты. Зав.лаб., 1971, т.37, № 6, с.660-662.

120. Шабурова В.П., Чанышева Т.А., Юделевич И.Г., Федяшина Е.А. Экстракционно-спектральный метод анализа кадаия и его солей высокой чистоты. Изв. СО АН СССР, 1984, 3. Сер.хим.наук,вып. I, с.92-96.

121. Krasijeko М., Maressenka Z. Separation and spectrophotometry determination of trace elements in high purity cadmium. -Microchimica Acta, 1975, N 5-6, p.585-586.

122. Jackwerth E., Salewski S. Beitrag zur Multi-Elementan reicherung aus reinem Cadmium. Fresenius Z. Anal. Chem., 1982, B.310, N 1-2, S.108-110.

123. Akama Y., Nakai Т., Kawamura F. Determination of lead in high-purity cadmium by solvent extraction and atomic absorption spectrometry. Presenius Z. Anal. Chem., 1982, B.310, N 5, S.429-430.

124. ГОСТ 23II6.I-78. Кадмий высокой чистоты. Методы спектрографического определения алюминия, висмута, железа, индия, кобальта, меди, марганца, мышьяка, никеля, олова, свинца, сурьмы и серебра. М.: Изд. стандартов, 1978.

125. ГОСТ 22860-77. Кадмий высокой чистоты. Технические условия. М.: Изд. стандартов, 1977.

126. Алямовский И.В. Электронные пучки и электронные пушки. М.: Советское радио, 1966. 453 с.

127. Шерстнев Л.Г. Электронная оптика и электронно-лучевые приборы. М.: Энергия, 1971. 537 с.

128. Muller М., Ing Dr. New points of viev in the design of electron guns for cylindrical beams of high space charge. -J. of Brit. IRE, 1956, V.16, N 2, p.83-94.

129. Быковский Ю.А., Бабенков Л.М., Басова Т.А. и др. Высокопроизводительный лазерный источник ионов с плазменной фокусировкой для масс-спектрометрического анализа твердых тел. Приборы и техн. эксперимента, 1977, № 2, с.163-166.

130. А.с. 5II752 (СССР). Лазерно-плазменный источник ионов /Басова Т.А., Быковский Ю.А., Горшков В.В., Дегтярев В.Г., Лаптев И.Д., Неволин В.Н. Опубл. в Б.И., 1977, В 21, с.219.

131. Быковский Ю.А., Дегтяренко H.H., Елесин В.Ф. и др. Масс-спектрометрическое исследование лазерной плазмы. ЖЭТФ, 1971, т.60, № 4, с.1306-1319.

132. Налимов В.В. Применение математической статистики при анализе вещества. М.: Физматгиз, I960. 430 с.

133. Рыбин Ю.А. Свободная кристаллизация во вращающемся контейнере. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1980, с.133-139.

134. Рыбин Ю.А., Киргинцев А.Н. Получение монокристаллов германия во вращающемся контейнере. Изв. СО АН СССР, 1970, № 14. Сер.хим.наук, вып.6, с.27-32.

135. Kennedy J.К., Potter W.D., Davies D.E. The effect of the hydrogen carrier gas flow rate on the electrical properties of epitaxial GaAs prepared in a hydride system. J. Cryst.Growth., 1974, N 24-25, p.233-238.

136. Weissmantel Ghr., Fiedler О., Hecht G., Reisse G. Ion beam sputtering and its application for the deposition of semiconducting films. Thin Solid Films, 1972, v.13, N 2, p.359-366.

137. Aleksandrow L.N., Lovyagin R.N. Epitaxial germanium -silicon structures obtained in ultrahigh vacuum.

138. Phys. status solidi (a), 1976, v. 37, N 1, p.341-352.

139. Мигаль В.П., Кантер Ю.О. Травление германия в потоке

140. HI + Н2. В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1977, с.93-96.

141. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971, с.106.

142. Петрова А.Г., Раков А.В. Исследование процесса взаимодействия поверхности кремния с химически активными электролитами. Физика и техника полупроводников, 1970, т.4, $ 4,с.697-701.

143. Шелпакова И.P., Щербакова О.И., Юделевич И.Г. Влияние адсорбции примесей из травильных растворов на результаты послойного химико-спектрального анализа кремниевых структур. Ж. аналит.химии, 1976, т.31, В 12, с.2406-2408.

144. И.о.директора Института физшакШлупроводнжков1.1. АКТоб использовании масс-спектрометрических методов анализа

145. Завлабораторией Завлабораторией контроляэпитаксии из молекулярных чистоты полупроводниковыхпучков, к.т.н.1. Ст.н.сотр.,к.т.н.1. И.Р.Шелпакова1. А.И.Сапрыкин

146. УТВЕЩЦАЮ" Зам. директора Института физики полупроводников

147. СО АН СССР, . к. ф-м. н.-- ЗлВуСкуЬневскийз " Л984 г.1. АКТоб использовании масс-спектрометрических методов анализа

148. Полученные результаты позволяют выбрать оптимальные условия получения полупроводниковых слоев с заданными электрофизическими свойствами.

149. Ст.н.сотр. д.ф-м.н., Зав. лабораториейпрофессор п / контроля чистоты полупроводниковых материалов д.х.н.

150. Александров Л.Н. 1 Юделевич И.Г.

151. Мл.н.сотр. к.ф-м.н. Ст.н.сотр. к.т.н.

152. Ловягин Р.Н. CdZ^ 1 Шелпакова И.Р.1. Мл. содр.1. Сапрыкин А.И.1. Утверждаю"

153. Директор Инсти неорганической хим:' д.х.^., пройессор1. М ш. ,1.19847"'1. СССРрского юизико-нститута,1. А.Кривов 1984 г.1. АКТоб использовании масс-спектрометрического метода анализа

154. Выполненная работа позволяет выбрать оптимальные условия получения слоев арсенида галлия с заданными электрофизическими параметрами А&тгнв является основанием для финансовых претензий.

155. Представители СФТИ Представители ИНХ СО АН СССР

156. Зав.лабораторией, д.ф.м.н. Зав.лабораторией контроля

157. ИгС^Л^гг, тг ЧИСТОТЫ полупроводниковых

158. Л6\МЛ.Г.Лаврентьева материалов,к.х.н.ст.науч.сотр., к.ф.м.н. И.Г.Юделевич ■

159. Д.Вилисова ст.науч.сотр., к.т.н.1. И.Р.Шелпаковамл.науч;оотр.1. А. И.1. Сапрыкин