Калорические, термические и электрофизические свойства твердых растворов Ba1-xCexTiO3 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Г Л А В А I. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДОС РАСТВОРОВ ТИТАНАТА БАРИЯ.

1.1.Установка синтеза и методика изготовления объемных образцов.

1.2.Установка ВЧ распыления и методика получения тонких пленок

Г Л А В А II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ.

2.1. Аппаратура и методика исследования теплоемкости

2.1.1.Конструкция калориметра и особенности измерения теплоемкости сегнетоэлектриков.

2.1.2.Система терморегулирования и автоматического измерения теплоемкости

2.1.3.Методика и анализ погрешностей измерения теплоемкости

2.2.Установка и методика измерения теплового расширения

2.3.Методика и аппаратура исследования электрофизических свойств

Г Л А В А III. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ Ва,хСехТ

3.1.Электрофизические свойства на постоянном токе.

3.2.Электрофизические свойства на переменном токе.

3.3.Низкочастотные флуктуации электропроводности.

3.4.Особенности электрофизических свойств тонкопленочных образцов.

ГЛАВА 1У.ТЕШКЖЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДО РАСТВОРОВ

4.1. Калорические свойства

4.2. Особенности термических свойств.

Г Л А В А У. ПРИМЕНЕНИЕ ТВЕРДО РАСТВОРОВ ТИТАНАТА

БАРИЯ.

5.1. Конденсаторы и терморезисторы.

5.2. Автостабилизированные термостаты

5.3. Приемники излучения

НАИБОЛЕЕ ВАЖНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДА.

Открытие сегнетоэлектрических свойств титаната бария было не просто открытие еще одного - третьего или четвертого по счету сегнетоэлектрика, а открытие, имевшее громадное научное и техническое значение. Оно существенно изменило все сложившееся к этому времени представления о сегнетоэлектричестве и убедительно показало перспективность использования сегнетоэлектриков в технике [17] . Титанат бария - это первый сегнетоэлектрик без водородных связей, наличие которых ранее считалось необходимым условием существования сегнетоэлектричества.

Сегнетоэлектрические свойства титаната бария были открыты и иследованы на поликристаллических, керамических образцах, а не на монокристаллах. Этим было показано, что для обнаружения и исследования сегнетоэлектрических свойств материала необязательно иметь его в виде монокристалла, как это считалось ранее. Особенность титаната бария заключалась не только в самой природе возникновения у него сегнетоэлектрических свойств, но и в том, что он был первым сегнетоэлектриком с более чем одной сегнетоэлек-трической фазой и обладал прототипом, или параэлектрической фазой, не обладающей пъезоэффектом [105] . Кроме того прототип имел кубическую структуру первоскита с очень высокой симметрией и только пятью атомами в элементарной ячейке. В результате этой простоты, а также ряда свойств, полезных для практического применения (химическая и механическая устойчивость, простота изготовления и использование в керамическом виде) титанат бария быстро стал наиболее интенсивно исследуемым еегнетоэлектрическим материалом. Исследованием его физических, и в особенности электрофизических свойств, нашедших практическое применение, занимаются целые научные коллективы в Москве, Ленинграде, Риге, Ростове-на-Дону, Львове. Появляется большое колличество статей и монографий, освещающих вопросы результатов не только чисто физических, но и прикладных исследований [49, 118, 139, 179] . В то же время идет интенсивный поиск новых сегнетоэлектрических материалов и вскоре обнаруживается, что титанат бария явился предтечей, по-видимому, самого большого в настоящее время класса кислородно-октаедричес-ких сегнетоэлектриков [105 ] .

Следует заметить, что интерес к титанату бария, как к наиболее удачной модели^обладающей переходом типа "смещения" (в отличие от модели перехода "порядок-беспорядок" )f не ослабевает и в настоящее время (см. библиографию по сегнетоэлектричеству последних лет [238, 239] ). Это обусловлено не только простотой модели, которой является титанат бария, но и возрастающими требованиями, выдвигаемыми практикой к приборам,изготовленным из титаната бария и твердых растворов на его основе. Значительную роль играет и тот факт, что ряд вопросов, касающихся физики процессов и наблюдаемых в титанате бария явлений,окончательно не решен по настоящее время. К примеру, до сих пор окончательно так и не решен вопрос о механизме электропроводности полупроводникового титаната бария и, в частности, о механизме ее температурной зависимости в области сегнето-параэлектрического фазового перехода. В значительной степени положение осложнено сильной зависимостью электрофизических свойств титаната бария от технологии изготовления и;как следствие,возникающей из-за этого несогласованностью экспериментальных результатов [75, 136, 179] .

Некоторая односторонность проводимых исследований (преобладание исследований электрофизического плана) привела к тому, что практически не изучены особенности теплофизических свойств. Можно назвать лишь весьма ограниченное число статей,посвященных этому вопросу [22, 153, 204] . В то же время широкие возможности практического применения титаната бария и сегнетоэлектриков вообще настоятельно требуют проведения комплексных исследований их физических, в частности,оптических, электро- и теплофизичес-ких свойств, так как только полное, глубокое и всестороннее изучение природы и механизма явлений;происходящих в них, позволяет сделать обоснованше выводы о перспективности их внедрения в технику.

Цель работы. Целью диссертационной работы являлось проведение комплексных исследований тепло- и электрофизических свойств твердых растворов ^з , приготовленных из одной и той же партии исходных компонент и синтезированных по единому технологическому режиму.

Задачи. которые ставятся в диссертации,заключаются в следующем:

- исследовать температурную, концентрационную зависимость теплоемкости, теплового расширения, а также параметров решетки образцов Се^Т! 03 , синтезированных по различным технологическим режимам;

- изучить влияние режима синтеза, концентрации церия на величину температурного гистерезиса физических свойств (диэлектрической проницаемости, электропроводности, теплового расширения) образцов В*,.* Се^Т; 03 ;

- исследовать флуктуации электропроводности, ее полевую за -висимость у образцов Ва|.х^есс"П 0з ;

- изучить особенности электрофизических свойств тонкопленочных образцов системы

- разработать и изготовить, соответственно поставленным задачам, измерительную и технологическую аппаратуру.

Научная новизна работы. Установлена зависимость размеров элементарных областей Кенцига от концентрации церия и режима синтеза образцов.

Исследования температурной зависимости диэлектрической проницаемости свидетельствуют о выполнимости, в пределах вводимых концентраций церия, закона Кюри-Вейсса. Постоянная Кюри-Вейсса незначительно уменьшается с ростом концентрации церия, в то время как температура Кюри монотонно понижается.

В результате проведения теплофизических исследований обнаружено изменение величины теплоемкости и теплового расширения в области температур,превышающих температуру тетрагонально-куби -ческого фазового перехода на 25 4- 30 К.

Интенсивность флуктуаций электропроводности определяется неоднородностью структуры, а ее вольтовая зависимость-термочувствительностью материала и влиянием варисторного эффекта.

Усредненная высота межзеренного потенциального барьера образцов керамики Ва^Се^Т; 03 существенно зависит от температуры окружающей среды и режима синтеза. Высота барьера наибольшая у образцов, синтезированных по режиму медленного охлаждениями при Т = 450 К составляет 1,1 эВ.

Основные положения, выносимые на защиту:

Разработаны, сконструированы установки и модифицированы экспериментальные методики исследований теплоемкости, теплового расширения и получения пленок сложного состава.

В рамках модели ангармонического осцилятора снижение температуры Кюри с ростом концентрации церия обусловлено увеличением степени ангармонизма колебаний.

Изменение величины теплоемкости, теплового расширения при Т > Тс + 30 К обусловлено процессами доупорядочения кристаллической решетки, претерпевшей фазовый переход.

Температурный гистерезис электрофизических характеристик определяется родом фазового перехода и зависит от величины скачка термодинамического потенциала в области перехода и размеров областей Кенцига.

Практическая ценность работы заключается в комплексности проведения тепло- и электрофизических исследований, позволившей получить достоверные, взаимно скоррелированные, результаты тепло« и электрофизических свойств твердых растворов Се^Т; 03 .

Исследования явления температурного гистерезиса электрофизических свойств, установление факторов, влияющих на его величину, в сочетании с методикой снижения интенсивности флуктуаций электропроводности открывают широкие возможности производства прецизионных позисторных датчиков температуры.

Предложенные в работе цифровой генератор линейно изменя -ющегося напряжения, усилитель постоянного тока МДМ типа с сис -темой синхронного интегрирования и детектирования, емкостной датчик перемещений с широким диапазоном пропорциональности зависимости емкость- перемещение могут найти применение при раз -работке измерительных и технологических систем. Блок автомати -ческого управления процессом измерения теплоемкости и система визуализации дрейфа температуры значительно облегчают процесс измерения теплоемкости методом адиабатического калориметра.

Созданы позисторный болометр, болометр косвенного подогрева. Рассмотрена возможность применения твердых растворов ти-таната бария в качестве материала термоетатирующей подложки интегральных схем, указаны пути повышения коэффициента термостабилизации позисторных термостатов.

Апробация работы. Основные результаты диссертации обсуждались и докладывались на:

1) УШ Всесоюзной конференции по проблеме исследования свойств сегнетоэлектриков (Ужгород, 1974 г.)

2) Всесоюзном научно-техническом семинаре "Разработка сег-нето - пьезо - пироэлектрических и родственных материалов и использование их в электронной технике и аналитическом приборо строении". (Москва, 1975 г.).

3) Втором республиканском совещании по физике тонких пленок сложных полупроводников (Ужгород, 1975 г.).

4) Республиканской конференции "Структура и физические свойства тонких пленок" (Ужгород, 1977 г.).

5) Всесоюзном научно-техническом совещании "Создание новых приборов для исследования тонких пленок" (Сумы, 1978 г.).

6) II Всесоюзном семинаре по тепловым приемникам излучения (Москва, 1980 г.)

7) IX Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике (Казань, 1980 г.).

Содержание работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, списка цитируемой литературы и примечания.

1. Авдеенко B.K., Ксендзов Я.M. Проводимость закиси марганца на переменном токе. - ФТТ, 1970, вып.10, № 12, с.2923 - 2928.

2. Алимпиев С.С., Кременчугский Л.С., Хохлов Э.М., Шульга А.Я. Цифровой пироэлектрический калориметр на основе Ва~П03 для измерения энергии импульсов лазерного излучения. ПТЭ, 1983, № 3, с.168 - 171.

3. Аматуни А.И,, Шевченко Е.В. Установка для исследования теплового расширения. Измерительная техника, 1980, № I, с.48-50.

4. Амитин Е.Б., Ковалевская Ю.А., Набутовская O.A. Высокочувст -вительный дилатометр с мостовой схемой измерения емкости. -ПТЭ, 1981, № 4, с.207 211.

5. Ананьева A.A., Угрюмова М.А. Разработка и исследование сегне-токерамики для электроакустических преобразователей. В кн. Титанат бария. М.: Наука, 1973, с.201 - 209.

6. Анатычук Л.И., Лусте О.Я. Микрокалориметрия. Львов: Вища школа, I98X, 158 с.

7. Атрошенко М.П., Егорова Т.Н. Спектральный метод определения примесей в титанате бария и его применение. Электронная техника, 1978, вып. 2(23), сер.8, с.41 - 51.

8. Белинская Т.В., Выдрик Т.А. Технология электровакуумной и радио-технической керамики. М.: Энергия, 1977, 329 с.

9. Березин М.И. Высокочастотные генераторы. Обзоры по электронной технике, 1979, вып. 5(640), сер.7, М.: Электроника, 28 с.М.Берман A.C. Емкостные методы исследования полупроводников. -Л.: Наука, 1972, 142 с.

10. Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. -М.: Мир, 1978, 398 с.

11. Бобров Г.Н., Хохлов A.M. Об использовании обратного пьезоэф-фекта в биологических микроманипуляторах. В кн.: Новые пье-зо- и сегнетоматериалы и их применение. М., 1975, с.152 -154.

12. Богданов С.В. Значение открытия сегнетоэлектрика титаната бария для науки и техники. В кн.: Титанат бария. М.: Наука, 1973, с. 7 - 10.

13. Бойко В.Г., Брайловский В.В., Гавриленко М.В. и др. Изучение электрофизических свойств полупроводников на основе Се. Сиг0 CdB-CJ^e и ВаТ;Оз . В кн.: Питания сучасного природознав-ства. Львов, 1974, с.59 - 62.

14. Болгар A.C., Турчанин А.Г., Фесенко В.В. Термодинамические свойства карбидов. Киев: Наукова думка, 1973, 270 с.

15. Борман К.Я., Струков Б.А., Тараскин С.А., Фрицберг В.Я. Теплоемкость твердых растворов (Ba,Sz)T<03 в области сегнето-электрического фазового перехода. Изв.АН СССР, сер.физ., 1969, т.33, №7, с.1162 - 1164.

16. Борман К.Я., Фрицберг В.Я, Температурные и концентрационные зависимости теплоемкости твердых растворов (В*. Оь • -Изв. АН СССР, сер. физ., 1975, т.39, № 6, с. 1336 1339.

17. Борман К.Я, Особенности теплового расширения в области фазовых переходов в твердых растворах (В«,Сс)Т<- Оъ . В кн.: Сегнетоэлектрические фазовые переходы. Уч. зап.Латвийского госуниверситета им. П.Стучки, 1978, с. 162 173.

18. Брайловский В.В., Стречень В.И., Шеляг А.Р. Автотермостабили-зационные свойства твердых растворов ВаТТОз . В кн.: УШ Всесоюз. конф. по проблемам исследования свойств сегнетоэлек-триков. Тез. докл., Ужгород, 1974, с. 104.

19. Брайловский В.В., Раренко И.М., Танасюк B.C., Шеляг А.Р. Электрофизические свойства тонких пленок твердых растворов титаната бария. В кн.:Доклады республик, конф. по структуре и физическим свойствам тонких пленок.: Тез.докл., Ужгород,1977, с.327.

20. Брайловский В.В., Грыцюк Б.Н., Танасюк B.C., Шеляг А.Р. Установка ВЧ плазменного распыления. - В кн. Доклады республик, конф. по структуре и физическим свойствам тонких пленок,: Тез. докл., Ужгород, 1977, c.IOI.

21. Брайловский В.В., Жук О.П., Танасюк B.C., Шеляг А.Р. Уста -новка ВЧ-распыления. В кн.: Всесоюзн. научно-техн. Совещание по созданию новых приборов для исследования тонких пленок. 6-8 сентября 1978 г.: Тез.докл. Суммы, 1978, с.12-13.

22. Брайловский В.В., Жук О.П., Шеляг А.Р. Фазовращатель со стабильным коэффициентом передачи. ПТЭ, 1978, №3, с.155 - 156.

23. Брайловский В.В., Жук О.П., Шеляг А.Р. Полевая зависимость электропроводности твердых растворов ВаТ»-0з . Сб. ФТТ,1978, вып. 8, Киев Донецк, с.12 - 16.

24. Брайловский В.В., Танасюк B.C., Шеляг А.Р. Диэлектрическая проницаемость пленок титаната бария, полученных ВЧ-распыле-нием. Сб.ФТТ, 1979, вып.9, Киев-Донецк, с.17 - 18.

25. Брайловский В.В., Жук О.П., Раренко И.М., Шеляг А.Р. Автоматический адиабатический калориметр. Физическая электроника. Львов, 1979, вып.19, с.31 - 34.

26. Брайловский В.В., Раренко И.М., Жук О.П., Шеляг А.Р. Иссле -дование теплоемкости термочувствительных слоев п/п титана-та бария. В кн.: Всесоюз. семинар по тепловым приемникам излучения. М., 26 - 28 февраля 1980 г.: Тез.докл.,Л.,1980,с.36

27. Брайловский В.В., Егорова Т.Н., Танасюк В.С., Шеляг А.Р. По-зисторный болометр. В кн.: Всесоюз. семинар по тепловым приемникам излучения. М., 26 - 28 февраля 1980.: Тез.докл., Л., 1980, с.36.

28. Брайловский В.В., Жук О.П., Танасюк В.С,, Шеляг А.Р. Авто -термостабилизированные интегральные схемы. В кн.: К Всесоюз. научно-техническая конф. по микроэлектронике. 14- 17 октября 1980 г.: Тез. докл., Казань, 1980, с.65.

29. Брайловский В.В., Жук О.П., Шеляг А.Р. Синхронный интегратор. ПТЭ, 1980, № 4, с.129 - 130.

30. Брайловский В.В., Жук О.П., Тарко Л.0., Шеляг А.Р. Компенсированный синхронный интегратор. ПТЭ, 1982, №6, с.88-89.

31. Брайловский В.В., Жук О.П., Тарко Л.0., Шеляг А.Р. Пропорцио-нальноемкостной дилатометр. Измерительная техника, 1983,12, с.49 50.

32. Брагинский В.Б., Панов В.И., Петников В.Г. Попельнюк В.Д. Измерение малых механических колебаний с помощью емкостного датчика со сверхпроводящим резонатором. ПТЭ, 1977, № I.с. 234 235.

33. Братасюк Н.И. Измеритель малых емкостей. ПТЭ, 1975, №1, с. 167.

34. Буркин А.Л., Ефимов О.Д., Шефтель И.Т. К вопросу об использовании тонких слоев легированных твердых растворов на основе титаната бария, для детектирования инфракрасного излучения. Электронная техника, 1971, сер.8, вып. 3(24), с.75 - 81.

35. Бурсиан Э.В., Старов Э.Н. Снижение температуры фазового перехода в кристаллах БаТ.-03 при глубоком восстановлении. -ФТТ, 1969, вып. 10, т.II, с. 2994 2996.

36. Бурсиан Э.В., Гринберг Я.Г., Старов Э.Н. Температурная зависимость подвижности носителей в титанате бария. ФТТ, 1972, вып. 4, т.14, с. 1010 - 1022.

37. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл титанат бария. М.: Наука, 1974, 295 с.

38. Бухгольц В.П., Тисевич Э.Г. Емкостные преобразователи в системах автоматического контроля и управления. М.: Энергия, 1972, вып. 464, с.78.

39. Ван дер Зил А. Шум. М.: Советское радио, 1973, 224 с.

40. Ван дер Зил А. Шумы при измерениях. М.: Мир, 1979, 292 с.

41. Васильев Я.В., Неермолов А.В. 0 расчете поправки на теплообмен в калориметрах с автоматически управляемой адиабатичес -кой оболочкой. ЖФХ, 1972, вып.4, т.56, с. 1012 - 1014.

42. Васильев С.И., Панов В.И. Чувствительный дилатометр с емкостным датчиком смещений. ПТЭ, 1981, № 2, с.202 - 205.

43. Векслер Г.С., Гетельбаум Я.И. Электропитание радиоустройств.-Киев: Техн1ка, 1966, 376 с.

44. Вербицкая Т.Н., Александрова Л.М., Разоренова А.А. Сегнетоке-рамические термочувствительные конденсаторы. В кн.: УШ Всесоюзн. конф. по проблемам исследования свойств сегнето -электриков. Тез.докл., Ужгород, 1974, сЛ04.

45. Виленски С. Высокоточный ЦАП с дешифрацией старших разрядов.-Электроника, 1980, № 13, с.41 47.

46. Вологин В.Г., Козлов А.И., .Дубинин С.Ф. и др. Калориметр для измерения запасенной энергии в материалах с низкой темпера -туропроводностью. ПТЭ, 1979, № I, с.225 - 227.

47. Гавриш В.А., Ильичева Л.Ф., Караванова М.А. и др. Программное устройство к терморегуляторам. ПТЭ, 1979, № 6, с.149 - 150.

48. Гаврилова Н.Д., Звирзгд Ю.А., Новик В.К., Пошин В.Г. Исследование пироэлектрического эффекта тонких слоев триглицин -сульфата и титината бария. ФТТ, 1971, вып. 6, т.13,с.1803 1805.

49. Гальперин Л.Н., Неганов А.С., Колесов Ю.Р., Машкинов Л.Р. Прецизионные задатчики и измерители энергии калориметрических нагревателей. ПТЭ, № 6, 1975, с.165 - 167.

50. Гальперин М.В., Злобин Ю.П., Павленков В.А. Усилители пос -тоянного тока. М.: Энергия, 1978, 241 с.

51. Гиндин Е.И., Квантов М.А., Костиков Ю.П., Леонов А.И. Фазовый состав ВйТ(03 легированного I/203 и TazQs . Изв. АН СССР, Неорганические материалы. 1983, т. 19, № 10, с.1718 -1722.

52. Гозлинг В.П. Применение полевых транзисторов. М.:Энергия, 1970, 158 с.

53. Головяненко А.А. Электрические свойства монокристаллов тверда: растворов на основе B<J"i03 в параэлектрической фазе: Ав-тореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. Днепропетровск, 1971,- 142 с.

54. Голубовский Ю.М., Новикова И.В., Пивоварова Л.Н», Смирнова Г. Фотоэлектрические устройства для наведения на ахроматичес -кую интерференционную полосу. ПТЭ, 1975, № 6.

55. Горячев А.И., Юматов К.А. Исследование шума сернисто-свинцовых фотосопротивлений. Радиотехника и электроника, 1956,12, с.1503 1514.

56. ГУревич В.М. Некоторые вопросы электропроводности сегнето -электриков; Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1962, - 15 с.

57. Гугников B.C. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Л.: Энергия, 1980, 242 с.

58. Данилин Б.С., Логунов В.И. Высокочастотное ионное распыление.- Зарубежная электронная техника, 1971, вып.З, с. 3 24.

59. Данилин Б.С., Минайчев В.Е. Основы конструирования вакуумных систем. М.: Энергия, 1971, 390 с.

60. Димаров Е.Н., Поплавко Ю.М. Теплопроводность керамического титаната бария и твердых растворов на его основе. Изв. АН СССР; Серия физическая, т.29, №6, 1965, с. 985 - 987.

61. Достал И. Операционные усилители. М.: Мир, 1982, 512 с.

62. Дудкевич В.П., Фесенко Е.Т. Физика сегнетоэлектрических пленок. Изд. Ростов, университет, 1979, 190 с.

63. Егорова Т.Н., Курлина Е.В. Влияние режима термического синтеза на температурную зависимость сопротивления полупроводникового титаната бария. Электронная техника, 1966, вып. 3, сер. 8, с. 36 - 51.

64. Егорова Т.Н., Курлина Е.В., Исследование процессов синтеза полупроводникового титаната бария и твердых растворов на его основе. Электронная техника, 1967, вып.2, сер.8, с.50-58.

65. Егорова Т.Н., Курлина Е.В., Прохватилов В.Г., Гиндин Е.И.К вопросу о термическом разложении титанилоксалата бария. -Электронная техника, 1969, вып. I (14), сер.8, с. 63 85.

66. Егорова Т.Н., Курлина Е.В. Влияние примесей на электричес -кие свойства полупроводникового титаната бария. Электронная техника, 1972, вып. 1(223, сер.8, с. 41 - 56.

67. Елфимов О.В., Кременчугский Л.С. Матрица координатных пироэлектрических приемников излучения. В кн.: III Всесоюз. семинар по тепловым приемникам излучения.,М., февраль 1982 г.: Тез. докл., Л., 1981, с. 81 - 82.

68. Жук О.П., Лукович А.Л., Шеляг А.Р. Многопозиционный температурный контроль. Автометрия, 1971, № 3, с.Ю5 - 107.

69. Забара Ю.В. Электрические свойства и структурные особенности монокристаллов ВаТг03 . Дис. . канд. физ.- мат. наук. -Днепропетровск, 1975, 121 с.

70. Загрубский А.Л., Ловцюс В.А., Петров В.В. Простой генератор линейно изменяющегося напряжения. ПТЭ, 1980, № I, сЛ28 -129.

71. Звирзгде Ю.В., Звирзгд Ю.А. Коэффициент линейного расширения монокристаллов ВЛ7 03 и КН2Р0^, в критической области сегне-тоэлектрического фазового перехода. Изв. АН Латв.ССР,сер. физ. и техн. науки, 1977, № I, с. 83 - 87.

72. Зисман А.Н., Качинский В.Н., Высокочувствительный дилатометр для исследований при высоких давлениях. ПТЭ, 1982, № 5,с. 172 175.

73. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.:Мир, 1965, 555 с.

74. Ипатов A.B., Берлин А.Б. Селективный усилитель с синхронным интегратором. ПТЭ, № I, 1973, с.118 - 120.

75. Исаченко В,П., Осипова В.А., Сухомел A.C. Теплопередача. -М.: Энергия, 1975, 485 с.

76. Источники вторичного электропитания. Справочное пособие. -М.: Радио и связь, 1983, 280 с.

77. Казей З.А., Леванидов М.В., Соколов В.И. Емкостной датчик для измерения магнитострикции малых образцов при 4,2 К. -ПТЭ, № I, 1982, с. 196 197.

78. Калинчук Б.А., Пичугин O.A. Модуляторы малых сигналов. -Л.: Энергия, 1980, 197 с,

79. Карпов Ю.С. Коэффициент шума варисторов. В кн.: Труды итоговой конференции профессорско-преподавательского состава Новгородского филиала. 1969, с. 265 - 268.

80. Квасков В.Б., Валеев Х.С. 0 модели позисторного эффекта в проводящем титанате бария. Изв. АН СССР, 1975, сер. физ., т.39, № 6, с. 1327 - 1331.

81. Кенциг В. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Иностранная литература, I960, 235 с.

82. Кераев А.П., Апаев Б.А. Пропорциональный цифровой задатчик температуры. ПТЭ, 1984, № I, с.225 - 227.

83. Кеслер Я.А., Полозникова М.Э., Петров К.И. Фононная модель теплоемкости перовскитов. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1983, № 6, т.19, с.964 - 968.

84. Клебанский Р.Б. Преобразователи кода в напряжение. М.: Энергия, 1973, 99 с.

85. Колесниченко К.А. Исследование особенностей электропроводности полупроводникового титаната бария в области сегнетоэлектрического фазового перехода: Дис. . канд. физ. мат. наук. - Днепропетровск, 1977, 189 с.

86. Костин В.В., Новик В.К. Анализ энергетических потерь в пи -роэлектрических приемниках излучения. Импульсная фотометрия. 1975, вып.4, с.86 - 90.

87. Костиков Ю.П., Лейкина Б.Б. Закономерности компенсации электронной проводимости при сложном легировании . -Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1983, т.19, № 8,с. 1365 1367.

88. Кременчугский Л.С. Сегнетоэлектрические приемники излучения.-Киев: Наукова думка, 1971, 234 с.

89. Кременчугский Л.С. Титанат бария материал для приемников излучения. -.14.: Наука, 1973, с. 250 - 251.

90. Лабунов В.А., Данилович Н.И., Уксусов А.С., Минайчев В.Е. Современные магнитронные распылительные устройства. Зарубежная электронная техника, 1982, с.З - 62.Ю5.Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981, 736 с.

91. Леонов А.И., Квантов М.А., Костиков Ю.Т. Магнетохимическое исследование титаната бария, легированного оксидом итрия. -Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1983, т. 15, № 5, с. 799 802.

92. Логунов В.И., Данилин Б.С. Согласование генератора с системой высокочастотного ионного распыления. Электронная техника, 1971, сер.6, вып.З, с.121 - 125.

93. Малышев В.И., Топников В.Н., Щеголь И.Ф. Низкотемпературный адиабатический калориметр для малых количеств веществ. ПТЭ, 1975, № I, с. 239 - 240.

94. Миронова Е.И., Токарев А.И., Плужников В.М. Использование явления автотермостабилизации в монокристаллах и керамике на основе титаната бария. В кн.: Титанат бария, М., Наука,1973, с. 185 188.

95. Мойжес Б.Я., Супрун С.Т. Биполяроны в п- Ъ^ЪОъС?). ФТТ, 1984, вып. 3, т.26, с. 896 - 897.

96. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974, 427 с.

97. Наумов В.Н., Нойева В.В. Установка для измерения теплоемкости в интервале температур 1,7 300 К. - В кн.: УН Всесоюз. конф. по калориметрии. 31 января - 3 февраля, 1977 г.: Расш. тез. докл. Черноголовка, 1977, с. 488 - 492.

98. Новик В.К. Передаточная функция пироэлектрического приемника радиации и некоторые критерии определения его элементов.-Изв. вузов Приборостроения, 1966, т.9, №5, с.137 144.

99. Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел. М.: Наука,1974, 292 с.126.0кадзаки К. Технология керамических диэлектриков. М.: Энергия, 1976, 335 с.

100. Орлов O.A. Прецизионный генератор линейно изменяющегося напряжения для исследования структур металл диэлектрик -полупроводник. - 1ТГЭ, № 5, 1983, с. III - ИЗ.

101. Орлова М.П., Королев Я.А., Хейфец Л.М. Автоматизация измерений теплоемкости. Физ. химия, 1980, т.54, № I, с.246-248.

102. Певзнер В.В. Прецизионные регуляторы температуры. М. : Энергия, 1973, 190 с.

103. Петров В.М., Аксенов Ю.П., Шматов Ю.В. Перспективы использования сегнетоэлектрических материалов в криогенных накопителях энергии. В кн.: Новые пьезо- и сегнетоматериалы и их применение. М., 1975, с. 84-88.

104. Пискунов В.И. Некоторые пути повышения точности преобразователей код-аналог в системах отображения. Вестник Киевского политехнического института. Радиоэлектроника, 1980, с.41-44.

105. Платунов Е.С. Тепло-физические измерения в монотонном режиме. Л.: Энергия, 1973, с. 3 - 143.

106. Плотников А.Ф., Селезнев В.Н., Ферчев Г.П. Исследование механизма перезарядки в МНОП структуре. - Микроэлектроника, 1976, № 5, вып.2, с. 132 - 137.

107. Плужников В.М. Микроэлектроника на основе сегнетоэлектрика титаната бария и его твердых растворов. В кн.: Титанат бария. М., Наука, 1973, с.167 - 171.

108. Полупроводники на основе титаната бария. М.:Энергия, 1982, 328 с.

109. Пратт И. Характеристики тонких пленок титаната бария полученных высокочастотным реактивным распылением, В кн.: Технология толстых и тонких пленок. М», Мир, 1972, с.73 - 82.

110. Приборы и методы физического металловедения. М.: Мир,1973, вып.1, с.27.

111. Прокопало О.И., Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г. и др. Тита-нат бария. Изд.Ростовского университета, 1971, 214 с.

112. Родерик Берисфорд. Параллельные АЦП и быстродействующие ЦАП для цифровой обработки сигналов. Электроника, 1982, № 9, с. 47 - 48.,

113. Рождественская М.В., Шефтель И.Т., Будим Н.И. Электропроводность монокристаллов и керамики полупроводникового Вч^Со^ТгОэ от концентрации легирующей примеси.-Изв.АН СССР. Неоргани -ческие материалы, 1980, тД6, №8, с. 1440 1444.

114. Ротенберг Б.А., Данилюк Ю.А. 0 природе возникновения полупроводниковых свойств в легированном титанате бария. Изв. АН СССР, сер. физ., 1967, т.31, № II, с.1824 - 1827.

115. Свердличенко В.Д., Прицкер В.И. Интерполятор синус-косинусного сигнала высокой разрешающей способности. Измерительная техника, 1980, № I, с. 42 - 43.

116. Светцов В.И., Максимов А.И., Абрамова Т.Н. Распыление медив тлеющем и высокочастотном разрядах. Электронная обработка материалов, 1973, № I, с. 49 - 51.

117. Севостьянов М.А., Кукуев В.И., Лубнин Е.Н., Угай Я.А. Монокристаллические пленки титаната бария. Изв. АН СССР. Не -органические материалы, 1981, т.12, с. 2223 - 2228.

118. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ. М.: Советское радио, 1979, 271 с.

119. Сергеев О.А. Метрологические основы теплофизических измерений. М.: Издательство стандартов, 1972, 154 с.

120. Скляренко А.И., Попов Д.Г., Стренин А.Н., Арцев В.И. Много -разрядный дешифратор двоичного кода в двоично-десятичный. -ПТЭ, 1982, № 2, с. 76 78.

121. Смоленский Т.А., Розгачев К.И. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов в системе титанат бария титанат стронция. ЖТФ, 1954, т.24, выпДО, с. 1751 - 1760.

122. Смоленский Г.А., Крайник H.H. Сегнетоэлектрики и антисегнето-электрики. М.: Наука, 1968, 184 с.

123. Смоленский Г.А., Боков В.А,, Исупов В.А. и др. Сегнетоэлек -трики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука, 1971,471 с.

124. Струков Б.А., Иванов Шиц А.К. Теплоемкость монокристаллического 3aTi03.вблизи электрической критической точки. -Кристаллография, 1973, вып.4, т. 18, с. 866 - 867.

125. Такере З.И. Диэлектрические свойства сегнетоэлектрических твердых растворов (Вл.Со) Т; 03 . В кн.: Сегнетоэлектрические фазовые переходы. Рига, Латв. госуниверситет им.П.Стучки, 1978, с. 149 - 161.

126. Тараскин С.А. Влияние электрических граничных условий на теплоемкость монокристаллического триглицинсульфата. ФГТ, 1970, вып.6, т.12, с.1821 - 1821.

127. Текстер-Проскурнякова Г.Н., Шефтель И.Т. Полупроводниковые титанаты бария-стронция с положительным температурным коэффициентом сопротивления. ФТТ, 1963, т.5, № 12, с. 34633472.

128. Томашпольский Ю.А. Вакуумные конденсаты сегнетоэлектричес -ких сложных окислов, осажденные в ультразвуковом поле.В кн.: II республиканского совещания по физике и технологии тонких пленок сложных полупроводников. Тез. докл., Ужгород, 1975, с. 104 106.

129. Томашпольский Ю.А., Платонов T.JI. Сегнетоэлектрические пленки сложных окислов металлов. М.: Металлургия, 1978, 200 с.

130. Уайт Г.К. Экспериментальная техника в физике низких температур. М.: Изд. физ.-мат. литературы, 1961, 362 с.

131. Физика тонких пленок. Т.З. М.: Мир, 1968, 382 с.

132. Филиппов П.И., Тимофеев A.M. Методы определения теплофизи -ческих свойств твердых тел. Новосибирск: Наука, 1976, 202 с.

133. Флеров И.Н., Искорнев И.М. Особенности измерения теплоемкости одноосных сегнетоэлектрических кристаллов. Метрология, 1979, № I, с.21 - 25.

134. Фрицберг В.Я. Исследование нелинейной поляризации вблизи фазового перехода у перовскитовых сегнетоэлектриков на модели ангармонического осцилятора. В кн.: Фазовые переходы в сег-нетоэлектриках. Рига, Зинатве, 1971, с. 7-21.

135. Фрицберг П.А. Диэлектрические свойства сегнетоэлектрического твердого раствора (Ba.Sz)TiO^ в области фазового перехода при высоких давлениях. В кн.: Фазовые переходы в сегнетоэлек -триках. Рига: Зинатне, 1971, с. 117 - 122.

136. Фрицберг В.Я. 0 возможности исследования фундаментальных свойств сегнетоэлектрических твердых растворов типа титаната бария. В кн.: Титанат бария. М, Наука, 1973, с.86 - 93.

137. Фрицберг В.Я. Особенности явлений в области сегнетоэлектри-ческого фазового перехода у кристаллов со структурой перов-скита. Учен. зап. Латвийского университета, 1975, т.235, с. 5 - 43.

138. Фрицберг В.Я., Звирзгде Ю.В. Процесс перестройки структуры кристалла БаТг03 при кубически-тетрагональном фазовом переходе. ФТТ, вып. 9, т.19, 1977, с. 1770 - 1773.

139. Фрицберг В.Я., Звирзгде Ю.А., Шебанов A.A. 0 механизме фазового перехода в "S>*Ti Оз, Изв. АН СССР, 1983, сер. физ., т.47, № 4, с.696 - 701.

140. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики -полупроводники. Наука, 1976, 408 с.

141. Фрейтер Р.Т. Синхронный интегратор и демодулятор. Приборы для научных исследований, 1965, № 5, с. 53 - 57.

142. Холоденко Л.П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титаната бария. Рига: Зинатне, 1971, 225 с.

143. Черненко В.А., Поландов И.Н., Новик В.К. Установка для ис -следования теплоемкости сегнетоэлектриков динамическим ме -тодом при высоких гидростатических давлениях. ПТЭ, №1, 1979, с. 222 - 225.

144. Шакманов B.B., Якушин С.И,, Спивак Т.В. и др. Наблюдение переполяризации монокристаллических пленок В<Л\'03 с по -мощью стробоскопического просвечивающего электронного микроскопа. Кристаллография, 1972, вып.2, т.17, с.351-355.

145. Шебанов Л.А. Рентгеноструктурные исследования сегнетоэлек-трических твердых растворов со структурой перовскита; Авто-реф. дис. . канд. физ.-мат. наук, Саласпилс, 1980,с.16.

146. Шеляг А.Р., Стречень В.И., Коцюмаха П.А., Лютик O.A. Улучшение характеристик саморегулирующихся термостатов. ПТЭ, 1971, № 3, с.220 - 221.

147. Шеляг А.Р. Электрофизические свойства полупроводников с неоднородным внутренним полем и их практическое применение; Дис. . канд. физ. мат. наук. - Черновцы, 1974, НО с,

148. Шефтель И,Т. Терморезисторы. М.: Наука, 1973, 415 с.

149. Шило В.Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. М.: Советское радио, 1979, 355 с.

150. Шинков А.Д,, Стречень В.И., Шефтель И.Т. Саморегулирующиеся позисторные термостаты. Приборы и системы управления, 1970, № 10, с. 25 - 27.

151. Широносов В.Г. Генератор медленной развертки. ПТЭ, № 5, 1979, с.151 - 152.

152. Шмаков Н.Г, Экспериментальное исследование изохорной теплоемкости растворов в окрестности критических точек жидкость-газ; Дис. . канд.физ. мат. наук. - Менделеево, 1972.

153. Энштейн С.Л. Измерение характеристик конденсаторов. М.: Энергия, 1965, 236 с.

154. Яффе Б., Кук И., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. -М.: Мир, 1974, 286 с.

155. Carr R.H., McCammon R.D. White G.R. The thermal expansion of copper at low temperatures. Proc. Roy. Soc. 1964, A280, pp.72 - 84.

156. Cosella R.C., Kellen S.P. Polarized Light Transmission of BaTiO^ single crystals. Phys. Rev., v. 116, No. 6, 1959, pp.1469 - 1473.

157. Daniels J., Y/ernicke R. Part V. New aspects of an improved PTC model. Philips research reports, 1976, v. 31, No. 6, pp.544 - 554.

158. Daniels J., Hardtt K.H. Electrical conductivity at high temperatures of donor-doped barium titanate ceramics. Part I- Philips Res. Rep., 1976, v. 31, No. 6, pp.489 493.

159. Davidse P.D., Maissel L.J. RF sputtering of insulators.-Trans 3d Intern. Vaccum Confer., Stuttgart, 1965, pp.651 655.195» Davidse P.D., Maissel L.J. Dielectric thin films through RF sputtering. J. Appl. Phys., v. 37, No. 2, 1966, pp. 574 -579.

160. Davidse P.D. Theory arid practice of RF sputtering. Vaccum, v. 17, No. 3, 1967, pp.139 - 145.

161. Dockalek A. Ochrana electrickych stroju termistory s kladnym teplotnim soucinitelem. Elektrotechnik, 1965, v. 20, No. 3, pp.62 - 66.

162. Feldman J. Formation of thin films of BaTiO^ by evaporation.- Rev. Sei. Instr., v. 26, 1955, pp.463 471.

163. Gerthsen P., Hardt1 K.H. Eine Methode zum direkten Nachweis von Leitfähigkeitsinhonog enitaten an Korngranzen. Z. Naturforsch., 1963, Bol I8a, S.423 - 424.

164. Granger P., Priestland CRD. The design and performance of an RF sputtering machine with continuous production capability.- Vacuum, v. 21, No. 8, 1971, pp.309 313.

165. Hanak J.J. Compositional determination of RF co-sputtered ul-ticomponent systems. The Journal of Vacuum Science and technology, I97I, v. 8, No. I, pp.172 - 175.

166. Hardtl K.H., Wernicke R. Lowering the Curie temperature in reduced BaTiOy Sol. St. Comm., v. 10, 1972, pp.153 - 157.

167. Hatta J., Ikushima A. Specific heat of BaTiO^. J. Phys. Lett., v. 40Л, No. 3, 1972, pp.235 - 236.

168. Hatta J., Ikushima Л. Temperature dependence of the heat capacity in BaTiO^. J. Phys. Soc. Japan, v. 41, No.2, 1976, pp.558 - 564.

169. Heywang W. Bariumtitanat als Sperrschichthalbleiter. Solid State Electronics, 1961, v. 3, No. I, pp.51 - 58.

170. Heywang Y7. Semiconducting barium titanate. Mater. Sei., v.6, I97I, No. 9, pp.1214 - 1226.

171. Jackson G.N. RF sputtering. Thin Solid Films, 1970, v. 5, No. 4, pp.209 - 246.

172. Jackson G-.N. A review of published work on RF sputtering. -Electrical Res. Assoc., Rept., 1970, v. 4, pp.I 32.

173. Jackson G.N. Method and Sputtering. patent UK 1482, 632, published 10.08.1977, pp.I - 6.

174. Janda R.G. Panits, Cheng-Cheng H.U. RF-sputter^d ferroelectric barium titanate films on silicon. Feroelectrics, 1980, v. 27, pp.161 - 164.

175. Karlov N.V., Kuzmin C.P., Kuzminov Yu.S., Kuzitzin В.Л.,V.V.Osiko, Prohorov A.M. Fast-response pyroelectric detectorbased on Ba~ mrSe^ rvr-NboO^ crystals. Ferroelectrics, 1981. 0.25 0,75 2 6 Jv. 33, pp.223 230.

176. Koops C.G. On the dispersion of resistivity and dielectric constant of some semiconductors at audio frequencies. Phys. Rev., v. 83, No. I, 1951, pp.121 - 124.

177. Lawless V/.N. Anomalous specific heats of soft-mode dielectrics at low temperatures. - Ferroelectrics, 1977, v. 17, No. I, pp.341 - 344.3/2

178. Lawless W.N., Morrow A.J. Further studies of the ~ specific heat term in ferroelectrics at low temperatures. Ferroelectrics, 1977, v. 15, No. 3-4, pp.167 - 171.

179. MacChesney J.В., Potter J.E. Factors and mechanisms affecting the positive temperature coefficient of resistivity of barium1.83titanate. J. Amer. ceram. Soc., 1965, v. 48 (2), pp.81 - 88,

180. Mante A.J.H., Valger J. The thermal conductivity of BaTiO^ in the neighbourhood of its ferroelectric transition temperatures. Phys. Letters., v. 24A, No. 3, 1967, pp.139 - 140.

181. Masson 3., Smith S. Thin films. Preparation of ferroelectric thin films of barium titanate by vacuum evaporation. J. Phys. Soc. Jap., Suppl., No. 9, v. 28, 1970, pp.421 - 423.

182. Molokhia N.M., Dughaish T.H. Effect of cerium oxide (Ce02) additives on the dielectric properties of BaTiO^ ceramics. -J. Phys. D: Appl. Phys., v. 16, No. 6, 1983, pp.II09 IH4.

183. Mytton R.J., Benton R.R. High i/f noise anomaly in semiconducting barium strontium titanate. Phys. Letters, v. 39A, N0.4, 1972, pp.329 - 330.

184. Peria W.T., Bratschun V/.R. , Fenity R.D. Possible explanation ofpositive temperature coefficient in resistivity of semiconducting ferroelectrics. J. Amer. Geram. Soc., 1961, v. 44, No. 5, pp.249 - 250.

185. Pefaza J., Bocanegra E.H., Tello M.J., Fernandez J. Thermal properties of BaTiO^ crystals doped with cobalt. Mat. Res. Bull., v. II, No. 8, 1976, pp.981 - 984.

186. Porter S.G. A brief guide to pyroelectric detectors. Ferroelectrics, 1981, v. 33, pp.193 - 206.

187. Pratt J.H. Thin-film dielectric properties of RF sputtered oxides. Solid State Technology. December, 1969, pp.49 - 57.

188. Toyoda K. Bibliography of ferroelectrics. Ferroelectrics,1981, v. 31, No. 12, pp.71 104.

189. Toyoda K.Bibliography of ferroelectrics. Perroelectrics,1982, v. 40, No. 1.2, pp.79 114.

190. Tsukicka M., Tanaka J., Migazawa Y., Mori Y. Experimental studies of electrical conduction mechanism of II»-reduced BaTiO,.6- Sol. State Com., 1979, v. 32, No. 3, pp.223 227.

191. Van Uitert G. Dielectric properties and conductivity in ferrites. Proc. IRE, v. 44, No.10, 1956, pp.1294 - 1303.

192. White G.K. Measurement of thermal expansion at low temperatures. Cryogenics, I96I, v. I, No. 3, pp.151 - 158.

193. Wu.rz U., Grubic M. An adiabatic calorimeter of the scanning radio-type. J. Phys. E: Sci. Instrum., v. 13, 1980, Printed in Great Britain, pp.525 529.

194. Yurkevich V.E., Rolov B.N. The thermodynamic theory of ferroelectric-semiconductor solid solutions. Perroelectrics, 1973, v. 6, pp.67 - 69.

195. Брайловский В.В., Жук О.П., Шеляг А.Р. Фазовращатель со стабильным коэффициентом передачи. ПТЭ, 1978, № 3, с.155 -156.Совместно с соавторами, диссертант разработал принципиальную схему, проводил испытания макета.

196. Брайловский В.В., Жук О.П., Шеляг А.Р. Синхронный интегратор. ПТЭ, 1980, № 4, с. 129 - 130.Диссертант принимал участие в разработке принципиальной схемы, изготовлении и испытаниях макета.

197. Брайловский В.В., Жук 0,П., Тарко Л.О., Шеляг А.Р. Компенсированный синхронный интегратор. ПТЭ, 1982, № б, с.8889.Диссертант принимал участие в разработке принципиальной схемы, изготовлении и испытаниях макета.