Летучие соединения гафния(IV) и циркония(IV) тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ
|
Жерикова, Ксения Васильевна
АВТОР
|
||||
|
кандидата химических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
|
Новосибирск
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
|
2007
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
02.00.01
КОД ВАК РФ
|
||
|
|
||||
На правах рукописи
00306Э6Э1
ЖЕРИКОВА Ксения Васильевна
ЛЕТУЧИЕ СОЕДИНЕНИЯ ГАФНИЯ(1У) И ЦИРКОНИЯ(1У): СИНТЕЗ, СТРУКТУРА, СВОЙСТВА
02 00 01 - неорганическая химия 02 00 04 — физическая химия
АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук
Новосибирск - 2007
003069691
Работа выполнена в Институте неорганической химии им А В Николаева Сибирского отделения Российской академии наук
Научные руководители:
доктор химических наук, профессор Игуменов Игорь Константинович кандидат химических наук Морозова Наталья Борисовна
Официальные оппоненты:
доктор химических наук, профессор Крылова Людмила Федоровна доктор химических наук Логвиненко Владимир Александрович
Ведущая организация:
Московский государственный университет им М В. Ломоносова
Защита состоится « 23 » мая 2007 г в 9 30 на заседании диссертационного совета Д 003 051 01 в Институте неорганической химии им А В Николаева СО РАН по адресу 630090, Новосибирск, просп акад Лаврентьева, 3
С диссертацией можно ознакомится в библиотеке Института неорганической химии им А В Николаева СО РАН
Автореферат разослан «_» апреля 2007 года
Ученый секретарь диссертационного совета кандидат химических наук
Л М Буянова
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность работы обусловлена необходимостью дальнейшего развития химии летучих соединений металлов с органическими лигандами В рамках данного направления важным является изучение летучих производных гафния(ГУ) - перспективных соединений для использования в процессах получения тонких пленок диоксида гафния, являющегося лидирующей заменой диоксида кремния, традиционно используемого в качестве подзатворного диэлектрика транзистора в микросхемах памяти
Ряд практически важных свойств (З-дикетонатных комплексов металлов, таких как простота получения при относительно высоких выходах, термическая стабильность, достаточно высокое давление пара при относительно низких температурах, нетоксичность, возможность длительного хранения, обуславливает их широкое применение в процессах получения тонких оксидных пленок металлов методом химического осаждения из газовой фазы (МОС\Т)) Несмотря на значительные успехи в области создания материалов с высокой диэлектрической проницаемостью, остается много нерешенных вопросов, связанных, в первую очередь, с отсутствием необходимой физико-химической информации о структурных и термических параметрах исходных соединений, а также их синтетической доступностью Для летучих производных гафния(IV) такая информация крайне ограничена Комплексное изучение Р-дикетонатов гаф-ния(1У) совокупностью методов (РСА, термогравиметрия, калориметрия, тензиметрия, масс-спектрометрия) способствует детальному пониманию процессов термических превращений в конденсированном и газообразном состояниях и нахождению общих закономерностей изменения свойств соединений
Кроме того, для выяснения влияния природы металла и лиганда на свойства комплексов представляет интерес сравнение физико-химических характеристик ряда Р-дикетонатных производных "двойника" гафния - циркония(ГУ) - и представителей другого класса соединений - бис-циклопентадиенильных производных гафния(1У)
Таким образом, изучение летучести соединений гафния(1У) и циркония(1У), их термических свойств и структурных особенностей, выяснение взаимосвязи между строением и термическим поведением хелатов являются актуальной задачей, связанной с решением вопросов целенаправленного синтеза летучих соединений с заданными свойствами
Цель работы. Синтез и физико-химическое исследование летучих соединений гафния(1У) и циркония(ГУ), а также установление зависимости между составом и свойствами соединений
В работе решались следующие задачи:
■ модифицирование методик синтеза летучих Р-дикетонатных комплексов гафния(1У) и циркония(1У), а также бис-циклопентадиенильных производных гафния(1У),
■ рентгеноструктурный анализ комплексов гафния(ГУ) и цирко-ния(1У) с р-дикетонами,
■ изучение термического поведения соединений гафния(1У) в конденсированной фазе в зависимости от типа лиганда,
■ измерение температурной зависимости давления насыщенного пара хелатов гафния(1У) и получение термодинамических параметров процессов парообразования,
■ изучение процесса термического распада паров соединений гаф-ния(1У) на нагретой подложке,
■ получение пленок диоксида гафния методом МОСУБ и их исследование
Научная новизна. Модифицированы методики синтеза комплексов гафния(1У) и циркония(1У), что позволило повысить выход целевого продукта до 80-95% Получены и охарактеризованы четыре новых комплекса гафния(1У)
Расшифрованы структуры восьми комплексов гафния(1У) и цир-кония(1У) с Р-дикетонами
Методом комплексного термического анализа исследовано термическое поведение в конденсированной фазе и рассчитаны величины энтальпий плавления для р-дикетонатов гафния(ГУ)
Различными методами измерены температурные зависимости давления насыщенного пара соединений гафния(1У) и рассчитаны значения термодинамических параметров процессов сублимации и испарения
Методом высокотемпературной масс-спектрометрии исследовано термическое разложение паров НГ(с1рт)4, СргНА^МШгЭг и Ср2Н1Ме2, определены температуры начала разложения и основные газообразные продукты деструкции комплексов
Практическая значимость. Выявленные закономерности в физико-химических свойствах комплексов гафния(1У) позволяют целенаправленно выбирать исходные соединения для получения оксидных покрытий Полученные данные по термическому поведе-
нию комплексов Hf(IV) являются физико-химической основой для разработки процессов MOCVD получения пленок диоксида гафния
Результаты рентгеноструктурного исследования р-дикетонатов гафния(1У) и циркония(ГУ) вошли в активно используемую научной общественностью Кембриджскую кристаллографическую базу данных (CSDB)
Полученные термодинамические параметры (Тт, АтН°1т, &испН°т, Ащ,S°Tnjl, Асубл5-Т, АиспS°t) являются справочными данными и в совокупности с другими результатами могут быть использованы для прогнозирования различных свойств хелатов гафния(1У)
На защиту выносятся:
■ методики синтеза и идентификация комплексов гафния(1У) и циркония(1У),
■ данные по рентгеноструктурному анализу р-дикетонатов гаф-ния(1У) и циркония(ГУ),
■ результаты исследования термических свойств хелатов гафния(1У) в конденсированном состоянии,
■ данные по исследованию температурных зависимостей давления насыщенного пара соединений гафния(1У),
■ термодинамические параметры процессов парообразования комплексов гафния(1У),
■ результаты исследования термического разложения паров Hf(dpm)4 и бмс-циклопентадиенильных хелатов гафния(1У),
■ данные по осаждению пленок диоксида гафния и исследованию их оптических и электрофизических свойств
Личный вклад автора. Синтез исследованных соединений, тен-зиметрические эксперименты и обработка экспериментальных результатов (ИК-, ЯМР-спектроскопии, масс-спектрометрии, ТГ, ДСК, РФА) были выполнены автором самостоятельно Автором были проведены эксперименты по получению пленок диоксида гафния в реакторе вертикального типа Соискатель участвовал в постановке задач и разработке плана исследования, интерпретации полученных результатов, формулировке выводов и подготовке публикаций по теме диссертации
Апробация работы. Материалы работы были представлены на XXII Международной Чугаевской конференции по координационной химии (Молдова, 2005), на XV Международной конференции по химической термодинамике в России (Москва, 2005), на 20 ' International Conference on Coordination and Bioinorganic Chemistry (Slova-
kia, 2005), на 15th International European Conference on Chemical Vapor Deposition (Germany, 2005), на 2n International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry and the 12 Asia-Pacific Academy of Materials Topical Seminar (Taiwan, 2005), на Международной конференции молодых ученых по фундаментальным наукам «ЛОМОНОСОВ -2006»-ХИМИЯ (Москва, 2006), на IV Национальной кристаллохими-ческой конференции (Черноголовка, 2006), на 1st Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices (China, 2006), на 11 ' Asia Pacific Academy of Materials (АРАМ) Seminar "The Progress In Functional Materials" (P R. China, 2004), на XIII Российской конференции по физической химии и электрохимии расплавленных и твердых электролитов (Екатеринбург, 2004), на Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные мате-риалы-2004» и семинаре СО РАН - УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Екатеринбург, 2004), на Пятом семинаре СО РАН - УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Новосибирск, 2005), на V школе-семинаре «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Звенигород, 2005)
Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 статей в российских журналах, 3 статьи в рецензируемых трудах международных конференций и 12 тезисов в трудах конференций
Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов, списка цитированной литературы (221 наименование) и приложения Объем работы — 156 страниц, в том числе 27 рисунков и 24 таблицы
Работа выполнена в рамках научно-исследовательских планов Института неорганической химии им AB Николаева СО РАН при поддержке РФФИ (грант № 05-03-32393), Президиума СО РАН (интеграционные проекты №97, №157), Президиума ДВО РАН (интеграционный проект №116) и Президиума РАН (программа фундаментальных исследований № 4 9)
ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
Во введении обоснована актуальность проводимых исследований, сформулированы цели и задачи работы, проведен выбор объектов исследования, определена научная новизна, охарактеризована практическая значимость и сформулированы положения, выносимые на защиту.
В первой главе диссертации представлен анализ опубликованных к настоящему времени литературных данных, касающихся синтеза, физико-химических, структурных, термических и тензиметри-ческих исследований летучих координационных соединений гафния(1У) и циркония(ГУ), а также дан краткий обзор применения летучих соединений гафния(1У) для получения пленок диоксида гафния методом МОСУО
Во второй главе описаны экспериментальные методики синтеза и физико-химические методы исследования летучих соединений гафния(ГУ) и циркония(1У) (табл 1), представлены условия осаждения и методы исследования пленок диоксида гафния
Т а б л и ц а 1
Объекты исследования
Соединения гафния(1У) и циркония(1У) с Р-дикетонами (Я'-СО-СП-СО-К2)
Обозначение Название Я1 Я2
НГ(асас)4 Ацетилацетонат гафния(1У) СНз СНз
М(брт)4 Дипивалоилметанат гафния(1У)/циркония(1У) С(СНз)з С(СНз)з
М^ас)., Трифторацетилацетонат гафния (ГУ)/циркония (IV) СНз СРз
М(р1ас)4 Пивалоилтрифторацетонат гафния (ГУ)/циркония(1У) С(СНз)з СБз
М(Мас)4 Гекеафторацетилацетонат гафния(1У)/циркония(1У) сь СРз
Щ(1рт)эС1 Хлоро-трис-(дипивалоилметанато)гафний(1У) С(СНз)з С(СН5)з
М2(ОН)2(Ыас)6 Ди-ц-гидрокео-гексокыс-(гексафтор-ацетилацетонато)гафний(1У)/цирконий(1У) СБз СРз
Ьмс-циклопентадиенильные производные гафния(1У)
Ср2НМе2 £ис-(циклопентадиенил)диметилгафний(1У)
Ср2НГ(МЕ12)2 Янс-(циклопентадиенил)-б«с-(диэтиламид)гаф1шй(ГУ)
В третьей главе представлены результаты по синтезу, идентификации и изучению полученных соединений гафния(1У) и цирко-ния(1У), а также по получению и исследованию оптических и электрофизических свойств пленок диоксида гафния
Синтез и идентификация соединений гафния (IV) и циркония(1У). Предложены модифицированные методики получения соединений ЬЩ1У) и позволяющие увеличить выход конечных продуктов до 95% Показано, что при определенном варьировании условий синтеза можно получать как однокомпонентную фазу НДсЗрт),,, так и смесь продуктов НГ(с1рт)4 и НГ(с1рт)3С1 Идентифика-
цию полученных соединений проводили по данным элементного анализа, ИК-, 'Н ЯМР-спектроскопии, масс-спектрометрии и РФА
Масс-спектрометрическое исследование показало, что все хелаты являются моноядерными соединениями в газовой фазе. Исключение составляют комплексы с гексафгорацетилацетоном. Полученный при синтезе моноядерный хелат циркония(1У) состава 2г(Ыас)4 со временем (порядка трех месяцев) гидролизуется, образуя смесь моно-(7г(ЬГас)4) и биядерного (7г2(ОН)2(ЬГас)6) соединений Полученный в обычных условиях комплекс гафния(ГУ) с НМас сразу представлял собой смесь НГ(ЬГас)4 и НГ2(ОН)2(ЬГас)6 В ИК-спектре этого продукта наблюдаются нехарактерные для других р-дикетонатов гафния(1У) две интенсивные полосы поглощения при 867 см"1 и 3654 см"1, которые можно отнести к валентным колебаниям групп Ш—О и О—Н соответственно В ИК-спектре комплекса циркония(1У) с НЫас аналогичные пики (836 см"1 и 3643 см"1) регистрируются по истечении порядка трех месяцев после синтеза
Исследование кристаллической структуры. Для РСА методом зонной сублимации были выращены монокристаллы и определены параметры элементарных ячеек (табл 2) всех полученных Р-дикетонатных соединений Комплексы НЯ^ас^ и Н^рш)3С1 принадлежат к триклинной сингонии, остальные восемь хелатов -к моноклинной Расстояния М—О во всех соединениях лежат в узком интервале (2,09 - 2,28 А) Сравнение данных, полученных нами и представленных в литературе для Zr(acac)4 и 7г(с1рт)зС1, показало, что практически все комплексы гафния(1У) и циркония(ГУ) с идентичными лигандами изоструктурны Только для трифтораце-тилацетонатов и хлоро-отрис-дипивалоилметанатов наблюдается повышение симметрии при замене центрального атома с гафния на цирконий — триклинная сингония меняется на моноклинную Все хелаты, за исключением НГ2(ОН)2(ЬГас)б, являются моноядерными соединениями (рис 1а) Комплекс гафния(1У) с гексафторацетилаце-тоном построен из дискретных центросимметричных биядерных молекул с расстоянием Ж Ж 3,533 А (рис 16) Атомы водорода метальных и /прет-бут ильных групп и атомы фтора СР3-групп в соединениях ротационно разупорядочены Характеристики лиган-дов имеют стандартные значения, характерные для всех Р-дикетонатов металлов Во всех тиетрсш/с-Р-дикетонатных хелатах атом металла имеет восьмерную координацию, образованную в моноядерных комплексах восемью атомами кислорода четырех Р-дикетонатных лигандов, в биядерном - шестью атомами кислорода
8
трех бидентатно координированных лигандов гексафторацетилаце-тона и двумя кислородами ОН-групп В моноядерных комплексах координационный полиэдр атома металла представляет собой квадратную антипризму (рис 1в), в которой расстояния О О оснований и ребер отличаются незначительно
Таблица2
Основные крнсталлохимнческие характеристики Р-дикетоиатов гафнип(ГУ) и цирконил(1\')
Хелат пр гр a, А b, к c, к а0 (3° 7° ''«ыч > г/см г у/г. А3 М—О, А о-м-оср,° М М,А
НГ(асас)4 С2/с 21,5493(4) 8,3672(1) 13,9905(3) 90 116,555(1) 90 1,692 4 564,12 2,17-2,19 75,1 7,08x2,8,37x2, 10,09-10,31 х 4
НГ((1рш)4 Рс 22,6606(5) 11,3990(4) 19,8513(7) 90 106,458(1) 90 1,231 4 1229,4 1 2,10-2,22 76,4 10,07x2, 11,40 х 2, 12,39 х 2, 13,01-13,87x6
2г(с1рт)4 Рс 22,537(3) 11,2268(10) 19,644(2) 90 105,915(3) 90 1,150 4 1194,9 4 2,11-2,28 74,1 9,96 х 2, 11,23x2, 12,30-13,70x8
ЩЙас)4 Р-1 8,1039(12) 11,4499(14) 15,790(2) 99,341(4) 103,175(4) 108,185(4) 2,003 2 655,72 2,15-2,19 75,4 8,10x2, 8,20 х 1, 8,27 х 1, 11,17-11,18x4
Zг(tfac)4 С2/с 21,5063(15) 7,9511(5) 16,0510(10) 90 113,736(4) 90 1,860 4 628,13 2,17-2,21 75,4 7,95x2,8,03x2, 11,12-11,47x2
НГ(р1ас)4 Сс 19,913(3) 11,8764(18) 16,530(3) 90 95,538(2) 90 1,637 4 972,70 2,14-2,19 75,2 9,00 х 2, 11,59-11,88x6
2г(рию)4 Сс 19,9842(6) 11,8417(3) 16,4831(5) 90 95,288(1) 90 1,491 4 971,02 2,16-2,19 74,7 8,97 х 2, 11,62-11,84 x8
НГ2(ОН)2(Ыас)6 Р2,/с 12,957(3) 16,687(3) 12,398(3) 90 108,97 90 2,137 2 1267,5 5 2,12-2,23 74,8 10,39x4, 12,40x2, 12,96 х 2
Хт(Ыас)4 Р2/с 15,3533(13) 20,2613(15) 19,6984(17) 90 95,828(2) 90 2,004 8 762,00 2,14-2,22 76,2 8,40x 1,9,03x2, 10,16-11,70x7
Щс1рт)3С1 Р-1 10,638(1) 10,670(1) 19,440(2) 74,970(3) 75,672(3) 61,725(2) 1,366 2 928,27 2,09-2,18 76,4 9,24 х 1, 10,51 х 1, 10,64-10,93 x6
В соединении Ш(с1рт)3С1 атом гафния имеет семерную координацию, образованную шестью атомами кислорода трех лигандов дипивалоилметана и одним атомом хлора, среднее значение связей Ш—С1сР составляет 2,452 А Полученные геометрические характери-
стики лигандов в Н^дртЬО близки геометрическим характеристикам лигандов отеотрокмс-р-дикетоеагшых хелатов.
а 6 в
Рис 1. Структура молекулы комплексов Ш(р1ас)4 (а), ]К2(ОН)г{ЬГас)й (б), координационный полиэдр гафния(ГУ) (в)
Для комплексов Ш(1У) и ¿г(1У) с дииивалоилметаном найдена только модель пространственного строения. В структуре два кристаллографически независимых комплекса окружены восемью атомами кислорода четырех лигандов. Наблюдается разупорядоченне
атомов углерода даже металлоциклов, которое сохраняется при низких температурах.
Структуры всех исследованных соединений молекулярные, но можно выделить более плотно упакованные псевдо-слои вдоль различных основных направлений {рис. 2). | л Расстояния между цен-
трами молекул меняются V ' \ в зависимости от приро-
Рис.2. Упаковка молекул в структуре комплекса ды И разветвленнОСГИ 1Щр1ас)4 перпендикулярно оси 1 л и ганда от 7 до 13 А.
На основании структурных данных, полученных нами и описанных в литературе, для комплекса 2г(1У) с НЫас построены теоретические дифрактограммы, различие которые свидетельствует о разных модификациях 2г(Мас)4.
Термоаналитическое исследование комплексов гафиия(1У). Кривые потери массы (ТГ) при нагревании (рис 3) получены для Р-дикетонатов НГ(1У) в токе гелия, для бис-циклопентадиенидов
НЩУ) в токе азота В таблице 3 представлены термодинамические характеристики процесса плавления А„лН°Тт), определенные методом дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК)
Следует отметить нетривиальное термическое поведение Ш(с1рт)4 Процесс плавления данного соединения проходит при температуре 357°С, и значению теплоты плавления соответствует сравнительно небольшая величина Однако процессу плавления предшествуют два эндоэффекта, которые мы относим к обратимым твердофазным переходам
Они регистрируются в виде дуплета при 160°С и 173°С с соответствующими значениями энтальпий АН°т = 5,5±0,7 кДж/моль и ДН°пз = 9,6±1,3 кДж/моль
Из кривых ТГ видно, что комплекс Ш(1У) с НЬГас обладает наибольшей летучестью Но сублимационные процессы данного соединения, как и ШГ(асас)4 и Ср2НГ(НЕ1:2)2, идут с разложением Остальные комплексы переходят в газовую фазу практически без разложения На основе полученных кривых оценен ряд летучести для соединений гафния(1У) с Р-дикетонами Ь = (1рт < р!ас < 1Гас < ЬГас Ряд термической устойчивости для комплексов Ш(1У) выглядит следующим образом НГ(асас)4 <Щ1Гас)4 <Ж(р1ас)4«Щс1рт)4, Ср2НГ(КЕ12)2 < Ср2НШе2
ТаблицаЗ Результаты термического анализа комплексов гафш1я(1У)
Хелат (рис 3) вЕТАЮШ МсЬ^сИ
/ °Г Дл,//°Тм, кДж/моль / °Г *ял, ^
Соединения НГ(1У) с Р-дикетоиами (НЬ)
Ь = дрт (кривая 1) Ь = р!ас (кривая 3) Ь = [Гас (кривая 4) 357 147 125 5,4±0,8 31,041,5 40,1±1,2 153 129
/Гмс-циклопентадиениды НГ(1У)
Ср2НГ(ЫЕ12)2 (кривая 6) Ср2НШе2 (кривая 7) : - 143 58
т 'с
Рис 3 Кривые ТГ (а) - р-дике-тонатных хелатов НГ(1\') с L=dpm (1), асас (2), р(ас (3), (Гас (4), Ыас(5) и (б) - бис-циклопентадиенидов НГ(1У), Ср2НфЧЕЬ)2 (6) и Ср2НГМе2 (7)
Описанные в литературе качественный ряд летучести и ряд термической устойчивости р-дикетонатов циркония(1У) полностью совпадают с рядами, представленными для соединений гафния(ГУ) Также следует отметить термическую нестабильность ацетилацетонатов 2г(1У) и Ш(ГУ) и меньшую термическую устойчивость &^ас)4 по сравнению с НЛ^ас^
На основе анализа представленных нами и описанных в литературе данных можно сделать вывод о том, что термическое поведение хелатов НГ(1У) и Zт(IV) в конденсированной фазе определяется главным образом природой лиганда Наиболее стабильными являются р-дикетонатные хелаты с шре/я-бутильными заместителями, а летучесть комплексов повышается с введением фтора в концевые заместители
Тензиметрические исследования комплексов гафиия(ТУ). Для измерения давления насыщенного пара комплексов использовали эффузионный метод Кнудсена с масс-спектрометрической регистрацией состава газовой фазы (К), метод потока (П) и статический метод с мембранным нуль-манометром (С) Полученные экспериментальные результаты представлены в виде зависимости 1п(Р, атм) = -А/(Г, К) + В (рис 4), где А = ДД°Тср/1,99 и В = А5лТср/1,99, Гср - значение температуры в середине измеренного температурного интервала Для некоторых соединений была проведена совместная обработка данных, полученных методом потока и статическим методом (СО) Определенные из этих данных термодинамические параметры приведены в табл 4
1000/(Т, К)
Рис 4 Температурные зависимости давления насыщенного пара комплексов НГ(ёрш)4 (1), Щасас)4 (2), Ш~(р1ас)4 (3), НЯ^ас),, (4), СргНЩЧЕ^ (5), Ср2НШе2 (6)
Таблица4
Термодинамические характеристики процессов сублимации и испарения комплексов гафния(1У) и цнркония(1У)1
Вещество Метод Процесс п2 Дг, °С 1пЛ™=В-А/Г ДЯ°Тср, кД ж/моль Тер, Дж/моль К . 3 о г
А*103 В
НГ(асас)4 П субл 8 135-170 15,70 27,8 130,4 ±6,1 231 ± 14 188- 190'
гг(асас)4 п субл 4 130-160 16,69 30,1 138,8 ±4,0 255,4 ±9,1 191 -194
НГ(1Гас)4 со субл 23 85-125 15,21 31,0 126,5±1,8 257,5±4,7 125-127
исп 13 130-150 10,01 18,0 83,2±2,0 149,5±5,0
7г(1Гас)4 п субл 16 95-125 16,07 33,0 133,6 ±2,0 274,1 ±5,3 128-130
исп 6 130-140 10,91 20,1 90,7 ±4,5 167 ±11
НГ(р1ас)4 со субл 39 113-150 14,61 27,1 121,5±0,8 225,3±2,0 154-156
исп 24 151 - 199 10,96 18,5 91,2±0,3 153,7±0,6
2г(р1яс)4 п субл 10 115-150 16,23 30,9 134,9 ±1,6 256,7 ±4,1 180- 182
исп 16 180-220 9,864 16,1 82,0 ±2,2 134,1 ±5,0
НГ((1рт)4 к субл 9 95-155 16,47 26,8 136,6 ±4,2 225,0 ±8,5 3574
со субл 67 180-330 11,93 17,1 99,1±0,8 141,8±1,4
7г(с1рт)4 с субл 18 206-263 7,664 9,57 63,7 ±2,7 79,6 ± 5,2 354
Ср2Нф^Ш12)2 к субл 5 55-92 15,68 30,7 130,5 ±1,9 255,4 ±4,4 143"
Ср2НШе2 к субл 15 22-43 9,74 17,6 81,1 ±3,9 146,6 ±9,0 584
1 - литературные данные,2 - число экспериментальных точек,3 - визуальные наблюдения на столике Кефлера,4 - по данным ДСК
Измерение давления статическим методом соединений НТ(с1рт)4, НДр1ас)4 и НЦШс)4 в режиме насыщенный — ненасыщенный пар позволило рассчитать среднюю молярную массу газовой фазы Полученные средние значения (Н1"((1рт)4 = 934 ± 24, ЬЩр1ас)4 = 1046 ±87, НЦ^ас^ = 814 ±24) соответствуют молекулярной массе мономеров (НГ(с1рт)4 = 911,5, Н%>1ас)4 = 959,1, НЦШс)4 = 790,8), что в пределах указанной точности свидетельствует об отсутствии в газовой фазе других молекулярных форм и хорошо согласуется с данными масс-спектрометрии
На основе данных, полученных для процессов испарения и сублимации комплексов НЦр1ас)4 и Н^ас)^ были рассчитаны термоди-
Таблица5 намические характеристи-Температуры (Т„л) и энтальпии (А„-,//°глл) плавления НГ(р(ас)4 и НГ((Гас)4
Хелат Метод
калориметрия тензиметрия
Тпд, К кДж моль"1 Тпл, К Д пяН"тпл, кДж моль 1
НА[р1ас)4 420±1 31,041,5 423±2 30,3±0,9
1Щ1Гас)4 398±1 40,1±1,2 400±2 43,3±2,7
ки процессов плавления исследуемых соединений (табл 5) Следует отметить, что значения температур и энтальпий плавления изученных соединений, полученные из двух независимых методов,
калориметрического и тензиметрического, хорошо согласуются между собой
Ряд летучести для соединений Hf(IV), вычисленный из Р-Т зависимостей при lgP = -1 (использовали экстраполяцию для Hf(acac)4 и бис-циклопентадиенидов Hf(IV)), выглядит следующим образом. Hf(dpm)4 < Hf(acac)4 < Hf(ptac)4 < Cp2Hf(NEt2)2 < Hf(tfac)4 < Cp2HfMe2 178°C 146°C 133°C 123°C 109°C 94°C Он совпадает с качественным рядом летучести, построенным на основании кривых ТГ для ß-дикетонатов гафния(1У)
Как видно из представленных данных, введение трифторметиль-ной группы в лиганд повышает летучесть соединения, что обычно для этого класса хелатов ¿«оциклопентадиениды гафния(1У) обладают заметной летучестью, сравнимой с фторсодержащими ß-дикетонатами Hf(IV)
На рис 5 приведены температурные зависимости давления пара, в таблице 4 - термодинамические характеристики для ß-дикетонатов Hf(IV) и Zr(IV) Видно, что температурные зависимости и термодинамические параметры процессов сублимации и испарения для соединений с одним и тем же лигандом практически идентичны, а ряды летучести совпадают (Р = 0,5 Topp, Т, °С)
Zr(dpm)4 (180) < Zr(acac)4 (173) < Zr(ptac)4 (151) < Zr(tfac)4 (126) Hf(dpm)4 (215) < Hf(acac)4 (173) < Hf(ptac)4 (151) < Hf(tfac)4 (124)
1000/(Т.К)
Рис 5 Температурные зависимости давления насыщенного пара р-дикегонатных комплексов НА[1У) и 7г(1У) (литературные данные) с Ь - (1рт (1), асас (2), р1ас (3) и 1Гас (4)
Полученные данные также свидетельствуют о превалирующем влиянии природы лиганда на летучесть хелатов.
Термическое разложение паров комплексов гафния(1У). Методом высокотемпературной масс-спектрометрии было изучено терми-
ческое поведение паров комплексов Ш(с1рт)4, Ср2НГ(НЕ12)2 и Ср2НЯУГе2 в вакууме и в среде кислорода Значения температур начала разложения и основные газообразные продукты термораспада паров соединений приведены в таблице 6
Таблицаб
Значения температур начала разложения паров соединений и основные продукты термораспада
Соединение 1, °С (±10) Основные продукты термораспада
вакуум 02 вакуум Ог
Щ(]рт)4 340 >150 Нарт, СОС(СНз)з Нарт, СОС(СНз)з, С02, Н20
Ср2НА(МЕ12)2 310 200 С5Н6, С4Н10, ШЕ12, Н2Ж1 С5Н6, С4Н10, С02, К20, Н20
Ср2НПМе2 310 250 С5Н6, С5Н5СН3, СН4 С5Н6, Н20, со2, со
Для исследованных хелатов было установлено, что начало процесса термораспада их паров сопровождается выделением лиганда в газовую фазу В кислороде процесс деструкции происходит при более низких температурах, чем в вакууме
Получение и исследование пленок диоксида гафния. На основании данных по термическим свойствам хелатов для осаждения покрытий диоксида гафния методом МОСУБ в качестве исходных соединений были выбраны НГ(с1рт)4 и бис-циклопетадиениды Ш(1У) Пленки получали в реакторе вертикального типа с холодными стенками с использованием НГ(с1рт)4 и в реакторе горизонтального типа с горячими стенками с использованием всех трех соединений Условия осаждения и характеристики пленок диоксида гафния представлены в таблице 7
Методом эллипсометрии были определены толщины (б/) и показатели преломления (п) пленок Из вольт-амперных и вольт-емкостных характеристик тестовых А1/НЮ2/81 структур были определены величины удельного сопротивления (К) и диэлектрической проницаемости (к)
Рост пленок с использованием бнс-циклопентадиенидов гаф-ния(ГУ) в качестве исходных веществ наблюдается при значительно более низких температурах, чем при использовании НДс1рт)4 Однако ИК-спекгроскопические исследования показали, что в свежеосажден-ных пленках, полученных из соединений Ср2Н£Ме2 и Ср2НГ(ЫЕ1)2)2, сохраняются органические фрагменты исходных веществ После отжига пленок при температуре 800°С наблюдается уменьшение содержания органических фрагментов в пленках (причем, в системе со вторым исходным соединением в большей степени) и увеличение показателя преломления с 1,85 до 2,05 - 2,2 Совокупность представ-
ленных электрофизических параметров свидетельствует о возможности применения полученных пленок НГО2 в МДП-структурах
Таблица7
Условия осаждении и характеристики пленок НЮ2 на $1(100) подложках
Тип реактора Вертикальный Горизонтальный
Исходное соединение Hfidpm)4 Hf(dpm)4 Cp2Hf(NEt2)2|Cp2HfMe2
Общее давление, Topp 1-2 10' 2
Т °С l испарителя. 100-140 100- 125 90-110 1100- 130
Скорость потока газа-носителя, л/ч 1 3 - 12 л/ч
Т °С 1 осаяухеиия. v- 525 - 650 550-650 230-390 |300-530
Максимальная скорость роста 6 А/мин 5 А/мин 10 А/мин
d, А 300-1500 ~ 1000
п 1,85-2,15 2,05 | 2,2
R,Clcu 10" 10ь
к 11-16 15-20
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ
1 Модифицированы методики синтеза тетракис- р-дикето нато в Ш(1У) и 2г(1У), позволяющие получать соединения с выходом до 95% Получено и выделено восемь Р-дикетонатных комплексов НЩУ) и гт(1У) - Ш(асас)4, КИрю)4, Нфйс)* Щс1рт)4, Zt(tíac)A, 2г(р1ас)4, 2г(ЬХас)4, 2г(с1рт)4 - и два комплекса Ш(1У) с циклопента-диеном - Ср2НЩ<1Е12)2 и Ср2НШе2 Методами элементного анализа, ИК- и 'Н ЯМР-спектроскопии, масс-спектрометрии и РФ А подтверждена чистота выделенных соединений Четыре новых комплекса гафния(1У) получены впервые. НТ(р1ас)4, НГ2(ОН)2(ЬГас)б, Н£(ёрт)3С1 и Ср2НГ(МЕ12)2
2 Впервые определены кристаллические структуры Н1(асас)4, Н^ас)4, Ш(р1ас)4, Щ(ОН)2(ЬГас)6, Ш(с1рт)зС1, гг(р1ас)4, получена новая модификация 2г(Ыас)4 Методом РСА определены кристаплохимические характеристики комплексов с дипивалоилме-таном - Hf(dpm)4 и гг(с1рт)4 Показано, что ряд хелатов гафния(ГУ) и циркония(1У) с идентичными лигандами являются изоструктурны-ми соединениями, а введение СЕз- или трет-бутильных групп в концевые заместители лиганда или замена одного лиганда на хлор не влияет значительным образом на основные геометрические характеристики лигандов комплексов
3 Методом комплексного термического анализа исследованы термические свойства соединений гафния(1У) в конденсированной фазе Установлено, что при атмосферном давлении в инертной среде хелаты, содержащие объемные отре/и-бутильные заместители, харак-
теризуются большей термической устойчивостью, чем комплексы с неразветвленными алкильными или фторсодержащими заместителями
4 Статическим методом, методом потока и методом Кнудсена измерены температурные зависимости давления насыщенного пара и рассчитаны термодинамические параметры процессов парообразования шести комплексов гафния(1У) Установлен ряд летучести для исследуемых соединений Ср2Н£Ме2 > НС^ас)4 > Ср2Н£(ЫЕ12)2 > 1Щр(ас)4 > ЬЩасас)4 > Н Г(с1рт)4, показывающий, что в ряду Р-дикетонатных производных повышение летучести происходит с введением фторсо-держащих групп в лиганд, а понижение - с введением трет-бутильных заместителей в лиганд
5 Методом высокотемпературной масс-спектрометрии исследовано термическое поведение паров НГ(с1рт)4, Ср2НМе2 и Ср2Ш(КЕ12)2, и определены пороговые температуры, состав и температурная зависимость концентрации газообразных продуктов разложения комплексов Показано, что введение в систему кислорода существенно понижает температуру начала разложения паров соединений на нагретой поверхности
6 На основании полученных данных о термическом поведении хела-тов гафния(1У) сделан выбор исходных соединений (НГ(с1рт)4, Ср2Н£Ме2 и Ср2НЩЧЕ12)2) и определены режимы осаждения покрытий НГО2 методом МОСУО Проведено исследование оптических и некоторых электрофизических свойств пленок, п = 1,85 - 2,20, Я = 1012 — 1015 £2 см, к = 11 — 20 Показана перспективность использования р-дикетонатных производных гафния(1У) в СУБ-процессах для получения пленок НГО2
Основные работы по теме диссертации:
1 Жерикова КБ, Морозова НБ, Куратьева НВ, Байдина И А, Игуменов И К Синтез и рентгеноструктурное исследование комплексов гафния(1У) с ацетилацетоном и трифторацетилацетоном И Журн струкг химии -2005 -Т 46, №6 - С. 1081-1088
2 Яковкина Л В, Кичай ВН, Смирнова ТП, Шубин ЮН, Каи-чевВВ, Жерикова КВ, Морозова НБ, Игуменов И К Синтез и свойства тонких пленок НЮ2 // Неорганические материалы — 2005 -№12 - С 1-6
3 Жерикова К В, Морозова Н Б, Байдина И А , Алексеев В И, Игуменов И К Синтез и рентгеноструктурное исследование восьмикоор-
динированного комплекса гафния(1У) с гексафторацетилацетоном // Журн структ химии - 2006 - Т. 47, № 1 - С 87-90
4 Жерикова KB, Морозова Н Б, Пересыпкина ЕВ, Байдина И А , Игуменов И К Синтез и рентгеноструктурное комплекса гафния(1У) с пивалоилтрифторацетилацетоном // Журн структ химии — 2006 -Т 47,№3 -С 581-584
5 Жерикова KB, Морозова НБ, Куратьева HB, Байдина ИА, Стабников ПА, Игуменов И К Рентгеноструктурное исследование фторированных ß-дикетонатных комплексов циркония(1У) // Журн структ химии - 2007 - Т 48, №3 - С 539-547
6 Morozova NB, Zherikova К V, Baidina IА , Sysoev S V, Gelfond N V, Igumenov IК Synthesis and crystallographic study of hafhium(IV) beta-diketonate derivatives // Advances in Coordination, Bioinorganic and Inorganic Chemistry Proceedings of the 20 ' International Conference on Coordination and Bioinorganic Chemistry / Ed M Melnik, J Sima, M Tatarko, Smolenice, Slovakia, 2005 - Slovak Technical University Press, Bratislava, Slovakia,2005 - Vol 7 -P 246-253
7 Carta G, Rossetto G, Sitran S, Zanella P, Crociani L, Zherikova KV, Morozova NB, Gelfond NV, Semyanmkov PP, Yakovkina LV, Smirnova TP, Igumenov IK Thermal properties of volatile organohafnium precursors for Hf02 MOCVD processes // Fifteenth International European Conference on Chemical Vapor Deposition (EUROCVD-15) Proc / Ed A Devi, R Fischer, H Parala, M D Alendorf, M L Hitchman, Bochum, Germany, 2005. - Electrochemical Society, NJ, USA, 2005 -Vol 2005-09 -P 260-267
8 Zherikova KV, Morozova NB, Gelfond NV, Sysoev SV, YakovkinaL V, Kaichev VV, Kitchai VN, Smirnova TP, Semyanmkov P P, Trubin S V, Igumenov IК Hafnium(IV) ß-diketonates as precursors for MOCVD of Hf02 films // Fifteenth International European Conference on Chemical Vapor Deposition (EUROCVD-l 5) Proc / Ed A Devi, R Fischer, H Parala, M D Allendorf, M L Hitchman, Bochum, Germany, 2005 - Electrochemical Society, NJ, USA, 2005 - Vol 2005-09 -P 675-682
9 Жерикова KB, Морозова H Б, Байдина И A, Сысоев С В, Стабников ПА , Игуменов И К Синтез, строение и термические свойства летучих ß-дикетонатов гафния(1У) И Тез докл XXII Международной Чугаевской конференции по координационной химии, 20 — 24 июня, Кишинев, Молдова - 2005 - С 123-126
Изд лиц ИД № 04060 от 20 02 2001 Подписано к печати и в свет 10 04 2007 Формат 60x84/16 Бумага№ I Гарнитура "Times New Roman"
Печать оперативная Печ л 1,1 Уч-изд л 1,0 Тираж 120 Заказ №29 Институт неорганической химии им А В Николаева СО РАН Просп Акад Лаврентьева, 3, Новосибирск, 630090
ВВЕДЕНИЕ.
1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Основные классы летучих координационных соединений гафния(1У) и циркония(1У).
1.1.1. Соединеиия со спиртами.
1.1.2. Соединения с монокарбоновыми кислотами.
1.1.3. Соединения с азотсодержащими органическими лигандами.
1.1.3.1. Соединения с аминами.
1.1.3.2. Соединения с производными гидразина.
1.1.3.3. Соединения с гидроксиламинами.
1.1.4. Соединения с циклопентадиеном.
1.1.4.1. Алкоксиды металлоценов(1У).
1.1.4.2. Алкиламиды металлоценов(1У).
1.1.4.3. Карбоксилаты металлоценов(1У).
1.1.4.4. Алкилы металлоценов(1У).
1.1.4.5. р-дикетонаты металлоценов(1У).
1.2. Летучие Р-дикетонаты гафния(1У) и циркония(1У).
1.2.1. Методы синтеза Р-дикетонатов гафния(1У) и циркония(1У).
1.2.2. ИК-, ЯМР-спектроскопическое и масс-спектрометрическое исследование Р-дикетонатов гафния(1У) и циркония(1У).
1.2.3. Кристаллографическое и рентгеноструктурное исследование Р-дикетонатов гафния(1У) и циркония(1У).
1.2.4. Термическая устойчивость Р-дикетонатов гафния(1У) и циркония(1У).
1.2.5. Термическое разложение паров Р-дикетонатов гафния(1У) и циркония(1У).
1.2.6. Измерение температурной зависимости давления насыщенного пара летучих комплексов гафния(1У) и циркония(1У) с Р-дикетонами.
1.3. Использование летучих соединений гафния(1У) в процессах осаждения оксидных покрытий.
Актуальность работы обусловлена необходимостью дальнейшего развития химии летучих соединений металлов с органическими лигандами. В рамках данного направления важным является изучение летучих производных гафния(1У) - перспективных соединений для использования в процессах получения тонких пленок диоксида гафния, являющегося лидирующей заменой диоксида кремния, традиционно используемого в качестве подзатворного диэлектрика транзистора в микросхемах памяти.
Ряд практически важных свойств р-дикетонатных комплексов металлов, таких как простота получения при относительно высоких выходах, термическая стабильность, достаточно высокое давление пара при относительно низких температурах, нетоксичность, возможность длительного хранения, обуславливает их широкое применение в процессах получения тонких оксидных пленок металлов методом химического осаждения из газовой фазы (МОС\Т)). Несмотря на значительные успехи в области создания материалов с высокой диэлектрической проницаемостью, остается много нерешенных вопросов, связанных, в первую очередь, с отсутствием необходимой физико-химической информации о структурных и термических параметрах исходных соединений, а также их синтетической доступностью. Для летучих производных гафния(1У) такая информация крайне ограниченна. Комплексное изучение Р-дикетонатов гафния(ГУ) совокупностью методов (РСА, термогравиметрия, калориметрия, тензиметрия, масс-спектрометрия) способствует детальному пониманию процессов термических превращений в конденсированном и газообразном состояниях и нахождению общих закономерностей изменения свойств соединений.
Кроме того, для выяснения влияния природы металла и лиганда на свойства комплексов представляет интерес сравнение физико-химических характеристик ряда Р-дикетонатных производных "двойника" гафния -циркония(1У) - и представителей другого класса соединений - бис-циклопентадиенильных производных гафния(1У).
Таким образом, изучение летучести соединений гафния(ГУ) и циркония(1У), их термических свойств и структурных особенностей, выяснение взаимосвязи между строением и термическим поведением хелатов являются актуальной задачей, связанной с решением вопросов целенаправленного синтеза летучих соединений с заданными свойствами.
Цель работы. Синтез и физико-химическое исследование летучих соединений гафния(1У) и циркония(1У), а также установление зависимости между составом и свойствами соединений.
В работе решались следующие задачи: модифицирование методик синтеза летучих Р-дикетонатных комплексов гафния(1У) и циркония(1У), а также б«с-циклопентадиенильных производных гафния(1У); рентгеноструктурный анализ комплексов гафния(1У) и циркония(1У) с Р-дикетонами; изучение термического поведения соединений гафния(1У) в конденсированной фазе в зависимости от типа лиганда; измерение температурной зависимости давления насыщенного пара хелатов гафния(1У) и получение термодинамических параметров процессов парообразования; изучение процесса термического распада паров соединений гафния(1У) на нагретой подложке; получение пленок диоксида гафния методом МОСУО и их исследование.
Научная новизна. Модифицированы методики синтеза комплексов гафния(1У) и циркония(1У), что позволило повысить выход целевого продукта до 80-95%. Получены и охарактеризованы четыре новых комплекса гафния(1У).
Расшифрованы структуры восьми комплексов гафния(1У) и циркония(1У) с Р-дикетонами.
Методом комплексного термического анализа исследовано термическое поведение в конденсированной фазе и рассчитаны величины энтальпий плавления для Р-дикетонатов гафния(1У).
Различными методами измерены температурные зависимости давления насыщенного пара соединений гафния(1У) и рассчитаны значения термодинамических параметров процессов сублимации и испарения.
Методом высокотемпературной масс-спектрометрии исследовано термическое разложение паров Щ(]рт)4, Ср2ЩЫЕ12)2 и Ср2НШе2, определены температуры начала разложения и основные газообразные продукты деструкции комплексов.
Практическая значимость. Выявленные закономерности в физико-химических свойствах комплексов гафния(1У) позволяют целенаправленно выбирать исходные соединения для получения оксидных покрытий. Полученные данные по термическому поведению комплексов Щ1У) являются физико-химической основой для разработки процессов МОСУТ) получения пленок диоксида гафния.
Результаты рентгеноструктурного исследования Р-дикетонатов гафния(1У) и циркония(1У) вошли в активно используемую научной общественностью Кембриджскую кристаллографическую базу данных (СБОВ).
Полученные термодинамические параметры (Тт, ктН°Тпл, Дисп#°7-, Апл5°г/ш Асубл^т, Ацсп^0/-) являются справочными данными и в совокупности с другими результатами могут быть использованы для прогнозирования различных свойств хелатов гафния(1У).
На защиту выносятся: методики синтеза и идентификация комплексов гафния(1У) и циркония(1У); данные по рентгеноструктурному анализу Р-дикетонатов гафния(1У) и циркония(1У); результаты исследования термических свойств хелатов гафния(1У) в конденсированном состоянии; данные по исследованию температурных зависимостей давления насыщенного пара соединений гафния(1У); термодинамические параметры процессов парообразования комплексов гафния(1У); результаты исследования термического разложения паров НГ(<Зрт)4 и бис-циклопентадиеиильных хелатов гафния(1У); данные по осаждению пленок диоксида гафния и исследованию их оптических и электрофизических свойств.
Личный вклад автора. Синтез исследованных соединений, тензиметрические эксперименты и обработка экспериментальных результатов
ИК-, ЯМР-спектроскопии, масс-спектрометрии, ТГ, ДСК, РФА) были выполнены автором самостоятельно. Автором были проведены эксперименты по получению пленок диоксида гафния в реакторе вертикального типа. Соискатель участвовал в постановке задач и разработке плана исследования, интерпретации полученных результатов, формулировке выводов и подготовке публикаций по теме диссертации.
Апробация работы. Материалы работы были представлены на XXII Международной Чугаевской конференции по координационной химии (Молдова, 2005), на XV Международной конференции по химической термодинамике в России (Москва, 2005), на 20th International Conference on Coordination and Bioinorganic Chemistry (Slovakia, 2005), на 15th International European Conference on Chemical Vapor Deposition (Germany, 2005), на 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry and the 12th Asia-Pacific Academy of Materials Topical Seminar (Taiwan, 2005), на Международной конференции молодых ученых по фундаментальным наукам «ЛОМОНОСОВ - 2006»-ХИМИЯ (Москва, 2006), па IV Национальной кристаллохимической конференции (Черноголовка, 2006), на 1st Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices (China, 2006); на 11th Asia Pacific Academy of Materials (АРАМ) Seminar "The Progress In Functional Materials" (P.R. China, 2004), на XIII Российской конференции по физической химии и электрохимии расплавленных и твердых электролитов (Екатеринбург, 2004), на Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы-2004» и семинаре СО РАН - УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Екатеринбург, 2004), на Пятом семинаре СО РАН - УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Новосибирск, 2005), на V школе-семинаре «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Звенигород, 2005).
Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 статей в российских журналах, 3 статьи в рецензируемых трудах международных конференций и 12 тезисов в трудах конференций.
Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов, списка цитированной литературы (221 наименование) и приложения. Объем работы - 156 страниц, в том числе 27 рисунков и 24 таблицы.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ
1. Модифицированы методики синтеза тетршо/с-р-дикетонатов НД1У) и Zr(IV), позволяющие получать соединения с выходом до 95%. Получено и выделено восемь р-дикетонатных комплексов НА(1У) и гг(1У) - НДасас)4, Н^ас)^ Щр1ас)4, Н^рт)4, 7г(Шс)4, гг(р1ас)4, 7г(ЬГас)4, Zr(dpm)4 - и два комплекса НГ(1У) с циклопентадиеном - Ср2НДЫЕ12)2 и Ср2НМе2. Методами элементного анализа, ИК- и *Н ЯМР-спектроскопии, масс-спектрометрии и РФА подтверждена чистота выделенных соединений. Четыре новых комплекса гафния(1У) получены впервые: Щр1ас)4, НГ2(ОН)2(Мас)6, Hf(dpm)зCl иСр2Н№2)2.
2. Впервые определены кристаллические структуры НГ(асас)4, НА^ас)^ НГ(р1ас)4, НГ2(ОН)2(ЬГас)6, Hf(dpm)зCl, гг(р1ас)4, получена новая модификация 7г(ЬГас)4. Методом РСА определены кристаллохимические характеристики комплексов с дипивалоилметаном - Hf(dpm)4 и 7г^рт)4. Показано, что ряд хелатов гафния(1У) и циркония(1У) с идентичными лигандами являются изоструктурными соединениями, а введение СР3- или трет-6утильных групп в концевые заместители лиганда или замена одного лиганда на хлор не влияет значительным образом на основные геометрические характеристики лигандов комплексов.
3. Методом комплексного термического анализа исследованы термические свойства соединений гафния(1У) в конденсированной фазе. Установлено, что при атмосферном давлении в инертной среде хелаты, содержащие объемные трт-бутильные заместители, характеризуются большей термической устойчивостью, чем комплексы с неразветвленными алкильными или фторсодержащими заместителями.
4. Статическим методом, методом потока и методом Кнудсена измерены температурные зависимости давления насыщенного пара и рассчитаны термодинамические параметры процессов парообразования шести комплексов гафния(1У). Установлен ряд летучести для исследуемых соединений: Ср2Н!Ме2 > НА^ас^ > Ср2НА^1Е12)2 > Н%)1ас)4 > НГ(асас)4 > НЯ^рт)4, показывающий, что в ряду р-дикетонатных производных повышение летучести происходит с введением фторсодержащих групп в лиганд, а понижение - с введением трет-бутильных заместителей в лиганд.
5. Методом высокотемпературной масс-спектрометрии исследовано термическое поведение паров Н^рш)4, Ср2НМе2 и СргШ^Е^г, и определены пороговые температуры, состав и температурная зависимость концентрации газообразных продуктов разложения комплексов. Показано, что введение в систему кислорода существенно понижает температуру начала разложения паров соединений на нагретой поверхности.
6. На основании полученных данных о термическом поведении хелатов гафния(1У) сделан выбор исходных соединений (НА^рт^, Ср2Н!Ме2 и СргН^ЫЕ^г) и определены режимы осаждения покрытий НЮ2 методом МОСУБ. Проведено исследование оптических и некоторых электрофизических свойств пленок: п = 1,85 - 2,20, Я = 1012- 1015 Осм, к = 11-20. Показана перспективность использования р-дикетонатных производных гафния(1У) в СУБ-процессах для получения пленок НЮ2.
1.4. Заключение
На основании анализа литературы можно сделать вывод о том, что большая часть работ посвящена синтезу и спектральному исследованию летучих комплексов гафния(1У). Ограниченное количество работ посвящено изучению структуры и исследованию термических свойств соединений гафния(1У). Летучие соединения циркония(1У) изучены более детально. Также обзор литературы показал, что в ряду соединений металлов, переходящих без разложения в паровую фазу, Р-дикетонатные комплексы гафния(1У) отличаются простотой получения при относительно высоких выходах, термической стабильностью, достаточно высоким давлением пара при относительно низких температурах, нетоксичностыо, возможностью длительного хранения и т.д. Но несмотря на то, что вышеперечисленные свойства позволяют считать Р-дикетонаты гафния(1У) перспективными соединениями для получения покрытий на основе диоксида гафния, данный класс соединений изучен мало. В целом на основании анализа литературных данных можно сделать следующие выводы:
1. Информация о кристаллической структуре Р-дикетонатов гафния(1У) и циркония(1У) весьма ограниченна;
2. Данные о термической устойчивости комплексов гафния(1У) в конденсированной фазе носят отрывочный характер;
3. Исследования по термическому разложению летучих соединений гафния(1У) из газовой фазы практически отсутствуют;
4. Изучение температурной зависимости давления насыщенного пара в литературе имеется только для Ш(асас)4 и Н^ёрш)4.
В связи с этим необходимо систематическое исследование структурных особенностей и термических свойств хелатов гафния(1У) как в конденсированном, так и в газообразном состояниях. Также для определения влияния природы металла и лиганда представляется целесообразным сравнить физико-химические свойства Р-дикетонатов гафния(1У) с рядом Р-дикетонатных производных циркония(1У) и принципиально другим классом соединений - бис-циклопентадиенильными производными гафния(1У).
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
2.1. Синтез и очистка соединений гафния(1У) и циркония(1У)
2.1.1. Исходные реагенты
При синтезе ß-дикетонатов металлов были использованы следующие ß-дикетоны: ацетилацетон (2,4- пентандион) - Насас 99,5% чистоты. Марка продукта по ГОСТ 10259-78-ЧДА.
1Л Л -трифтор-2,4-пентаидион - Htfac 99,5% чистоты, произведенный компанией Merck & Co., Inc.
1Л Л -трифтор-5,5-диметил-2,4-гександион - Hptac 99,5% чистоты, произведенный компанией Merck & Co., Inc.
1Л Л ,5,5,5-гексафтор-2,4-пентандион - Hhfac 99,5% чистоты, компания Merck & Co., Inc.
2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандион - Hdpm 99% чистоты, компания ДалХим.
В качестве исходных соединений были использованы: гафний(ТУ) хлорид, безводный - HfCl¿ 98+% чистоты, компания Alfa Aesar, Johnson Matthey GmbH. цирконий(1У) хлорид, безводный - ZrCl4 99,5+% чистоты, компания ДалХим.
При синтезе бис-циклопентадиенильных производных гафния(1У) были использованы: дихлорид бис-(циклопентадиенил')гафний - (CsHs^HfCb 98% чистоты, компания Stream. дициклопентадиен - СщНп, реактив фирмы Aldrich. метиллитий - CH3Li, реактив фирмы Aldrich. »-Бутиллитий - C4H9LÍ, реактив фирмы Aldrich. диэтиламин - С4Н1 jN, реактив фирмы Aldrich.
Все используемые в работе растворители, осушители и щелочи имели квалификацию "хч" или "чда". Объекты исследования представлены в таблице 2.
1. Aarik J., Aidla A., Kiisler A.-A. et al. 1.fluence of substrate temperature on atomic layer growth and properties of Hf02 thin films // Thin Solid Films. - 1999. -Vol. 340.-P. 110-116.
2. Powell C.F. Chemically Deposited Nonmetals // Vapor Deposition / Ed. C.F. Powell, J.H. Oxley, J.M. Blocher. New York, The Electrochemical Society, Inc, 1966.-P. 343-420.
3. Palko A.A., Ryon A.D., Kuhn D.W. The vapour pressure of zirconium tetrachloride and hafnium tetrachloride // J. Phys. Chem. 1958. - Vol. 62, N 3. -P. 319-322.
4. Motojima S., Hirano S., Fujii M., Iwanaga H. Chemical vapor growth of HfP whiskers and their properties // J. Mater. Sci. 1996. - Vol. 31, N 21. - P. 5709-5715.
5. Conley J.F., Ono J.Y., Tweet D.J. et al. Atomic layer deposition of the thin hafnium oxide films using a carbon free precursors // J. Appl. Phys. 2003. - Vol. 93, N 1.-P. 712-718.
6. Urs U.K., Dharmaprakash M.S., Shivashankar S.A., Guru T.N. Nitratotris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionato)hafnium(IV) // Acta Crystallographica, Sect. E. 2003. - Vol. E59. - P. ml-m2.
7. Конунова Ц.Б. Координационные соединения циркония и гафния с органическими лигандами. Кишинев: Щтиинца, 1975. - 224 с.
8. Шека И.А., Карлышева К.Ф. Химия гафния. Киев: Наукова думка, 1972. -456 с.
9. Блюменталь У.Б. Химия циркония. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1963.342 с.
10. Bradley D.C., Abd-el Halim F.M., Wardlaw W. The Chloride Ethoxides of Zirconium // J. Chem. Soc. 1950. - Vol. 1. - P. 3450-3454.
11. Фрейндлина P.X., Брайнина Э.М., Несмеянов A.H. Обменные реакции тетраацетилацетоната циркония // Изв. АН СССР, ОХН. 1957. - № 1. - С. 43-47.
12. Bradley D.C., Thomas I.M. Metallo-organic compounds containing metal-nitrogen bonds. Part 1. Some dialkylamino-derivatives of titanium and zirconium // J. Chem. Soc. 1960. -N 10. - P. 3857-3861.
13. Bradley D.C., Carter D.G. Metal oxide alkoxide polymers. Part I. The hydrolysis of some primary alkoxides of zirconium // Canadian J. Chem. 1961. -Vol. 39, N 7. - P.1434-1442.
14. Bradley D.C. Metal Alkoxides as Precursors for Electronic and Ceramic Materials // Chem. Rev. 1989. - Vol. 89. - P. 1317-1322.
15. Iman A.S., Rao B.R. Unit cell dimensions of some metal alkoxides // Naturwissechaften. 1963. - Vol. 50, N 15. - P. 517.
16. Bradley D.C., Factor M.M. Pyrolysis of metal alkoxides. I. Thermal stability of some zirconium alkoxides // J. Appl. Chem. 1959. - Vol. 9, Part 8. - P.435-439.
17. Evans W.J., Ansari M.A., Ziller J.W. Isolation and structural characterization of the polymetallic zirconium alkoxide complexes, Zr30(0CH2CMe3)9Cl, Zr30(0CMe3)9(0H), Na4Zr602(0Et)24 // Polyhedron. 1998. - Vol. 17, N 5-6. - P. 869877.
18. Starikova Z.A., Turevskaya E.P., Kozlova N.I. et al. Structural study of zirconium and hafnium oxoalkoxides // Polyhedron. 1999. - Vol. 18, N 7. - P. 941947.
19. Yang T.S., An K.-S., Lee E.-J. et al. Chemical Vapor Deposition of Hf02 thin films using the novel single precursor hafnium 3-methyl-3-pentoxide, Hf(mp)4 // Chem. Mater. 2005. - Vol. 17, N 26. - P. 6713-6718.
20. Abrutis A., Hubert-Pfalzgraf L.G., Pasko S.V. et al. Hafnium oxoneopentoxide as a new MOCVD precursor for hafnium oxide films // J. Cryst. Growth. 2004. -Vol. 267, Issues 3-4. - P. 529-537.
21. Sayan S., Aravamudhan S., Busch B.W. et al. Chemical vapor deposition of НЮ2 films on Si(100) // Journal of Vacuum Science & Technology, A: Vacuum, Surfaces, and Films. 2002. - Vol 20, N 2. - P. 507-512.
22. Williams P.A., Roberts J.L., Jones A.C. et al. Novel mononuclear zirconium and hafnium alkoxides; improved precursors for the MOCVD of Zr02 and Hf02 // J. Mater. Chem. 2002. - Vol. 12, N 2. - P. 165-167.
23. Williams P.A., Roberts J.L., Jones A.C. et al. Novel Mononuclear Alkoxide Precursors for the MOCVD of Zr02 and Hf02 Thin Films // Chem. Vap. Deposition. -2002.-Vol. 8,N4.-P. 163-170.
24. Archakov, I.Yu., Vorob'ev, A.N., Bord, О. V. et al. Mass spectrometric study of Hf(OBut)2mmp2 thermal decomposition // Reviews on Advanced Materials Science.2004. Vol. 7, N 2. - P. 126-135.
25. Spijksma G.I., Bouwmeester H.J.M., Blank D.H.A. et al. Chemistry of 2,2,6,6 -tetramethyl-3,5-heptanedione (Hthd) modification of zirconium and hafnium propoxide precursors // Inorg. Chem. 2006. - Vol. 45, N. 13. - P. 4938-4950.
26. Алцыбеев A.E., Малкерова И.П., Беляков M.B. и др. Пивалаты циркония и гафния // Тез. докл. на V школу-семинар «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения». Звенигород, ноябрь2005.-С. 3.
27. Bradley D.C., Thomas I.M. Dialkylamido-derivatives of titanium, zirconium and tantalium // Proc. Chem. Soc. 1959. - N 7-8. - P. 225-226.
28. Reetz M.T., Urz R., Schuster T. An economical large-scale synthesis of titanium tetrakis(diethylamide) and chlorotitanium tris(diethylamide) // Synthesis. -1983.-N 7.-P. 540.
29. Beard W.R., Neil R.L. Process for the preparation of dihydrocarbylamino titanium, zirconium, and hafnium compounds // PCT Int. Appl. WO 2004011692 A2, 5 Feb 2004, 27 P.
30. Steinbom D., Wagner I., Taube R. An efficient synthesis of titanium and zirconium tetrakis(diethylamide) // Synthesis. 1989. -N 4. - P. 304.
31. Draper S.M., Kelley N. Hafnium 1992 // Coordination Chemistry Reviews. -1995.-Vol. 146.- P. 141-153.
32. Bai Y., Roesky H.W., Holtemeyer M., Witt M. Synthesis and structures of (monoorganyl)amides of zirconium and hafnium // Chemische Berichte. 1992. -Vol. 125,N4.-P. 825-831.
33. Williams P.A., Jones A.C., Tobin N.L. et al. Growth of hafnium dioxide thin films by liquid-injection MOCVD using alkylamide and hydroxylamide precursors // Chem. Vap. Deposition. 2003. - Vol. 9, N 6. - P. 309-314.
34. Kukli K., Ritala M., Sajavaara T. et al. Atomic layer deposition of hafnium dioxide films from hafnium tetrakis(ethylmethylamide) and water // Chem. Vap. Deposition. 2002. - Vol. 8, N 5. - P. 199-204.
35. Ohshita Y., Ogura A., Hoshino A. et al. Using tetrakis-diethylamido-hafnium for Hf02 thin-film growth in low-pressure chemical vapor deposition // Thin Solid Films. -2002.-Vol. 406.-P. 215-218.
36. Machida H., Hoshino A., Suzuki T. et al. MOCVD precursors for Ta- and Hf-compound films // J. Cryst. Growth. 2002. - Vol. 237-239 - P. 586-590.
37. Analytical Enhancements // Epichem group News. 2006. - N 1. - P. 10-11.
38. Lehn J.-S. M., Hoffman D.M. Synthesis and structures of Group 4 trimethylhydrazido complexes // Inorg. Chim. Acta. 2003. - Vol. 345. - P. 327-332.
39. Lehn J.-S. M., Saba J., Hoffman D.M. Synthesis of zirconium, hafnium, and tantalum complexes with sterically demanding hydrazide ligands // Inorg. Chem. 2007. -Vol.46, N. 3.-P. 993-1000.
40. Mitzel N.W., Parsons S., Blake A.J., Rankin D.W.H. Homoleptic hydroxylamides of titanium, zirconium and hafnium // J. Chem. Soc., Dalton Trans.-1996.-Vol. 1996, N. 12.-P. 2089-2093.
41. Singh A., Sharma C.K., Rai A.K. et al. Reactions of oximes and diethylhydroxylamine with titanium alkoxides // J. Chem. Soc., A. 1971. - N 15-16. -P. 2440-2444.
42. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 2005. - Vol. 101. - P. 139-148.
43. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 2003. - Vol. 99. - P. 139-148.
44. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 2002. - Vol. 98. - P. 129-137.
45. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 2001. - Vol. 97. - P. 133-142.
46. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 1999. - Vol. 95. - P. 105-115.
47. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A, 1997. - Vol. 93. - P. 143-153.
48. Hollink E., Stephan D.W. Zirconium and hafnium // Comprehensive Coordination Chemistry II, Volume 4 / Ed. J.A. McCleverty, T.J. Meyer. Elsevier Ltd., Oxford, UK, 2004. - P. 105-173.
49. Dias A.R., Veiros L.F. Are cyclopentadienyl complexes more stable than their pyrrolyl analogues? // J. Organomet. Chem. 2005. - Vol. 690, N 7. P. 1840-1844.
50. Bruder A.H., Fay R.C., Lewis D.F., Sayler A.A. Synthesis, characterization, and X-ray structure of r|5-cyclopentadienyltris(N,N-dimethyldithiocarbamato)-zirconium(IV) // JACS. 1976. - Vol. 98, N 22. - P. 6932-6938.
51. Sikora D.J., Rausch M.D., Rogers R.D. et al. New synthesis and molecular structures of the decamethylmetallocene dicarbonyls (г|5-С5Ме5)2М(СС))2 (M = titanium, zirconium, hafnium)//JACS. 1981.-Vol. 103, N5.-P. 1265-1267.
52. Sikora D.J., Rausch M.D., Rogers R.D., Atwood J.L. Structure and reactivity of the first hafnium carbonyl, bis(r|5-cyclopentadienyl)dicarbonylhafnium // JACS -1979.-Vol. 101, N 17.-P. 5079-5081.
53. Calderazzo F., Englert U., Pampaloni G., Tripepi G. The tetracyclopentadienyls of titanium, zirconium and hafnium: new synthetic procedures and reactivity // J. Organomet. Chem. 1998. - Vol. 555. - P. 49-56.
54. Миначёва M.X., Брайнина Э.М., Фрейдлина P.X. Циклопентадиенильные соединения гафния // РАИ СССР, 1967. Т. 173, № 3. - С. 581-584.
55. Брайнина Э.М., Миначёва М.Х., Фрейдлина Р.Х. Некоторые свойства тетрациклопентадиенилциркония // Изв. АН СССР. 1965. -№ 10. - С. 1877-1878.
56. Брайнина Э.М., Дворяпцева Г.Г. Тетрациклопентаниенилцирконий // Изв. АН СССР. 1967. - № 2. - С. 442-443.
57. Брайнина Э.М., Миначёва М.Х., Локшин Б.В. и др. Замещённые и незамещённые в цикле циклопентадиенильные соединения циркония и гафния // Изв. АН СССР. 1969. - № 11. - С. 2492-2498.
58. Брайнина Э.М., Гамбарян Н.П., Локшин Б.В. и др. К вопросу о быстром обмене неэквивалентных циклопентадиенильных колец в тетрациклопентадиенильных производных металлов IV А группы // Изв. АН СССР, сер. хим.- 1972.-№ 1.-С. 187-188.
59. Брайнина Э.М., Миначёва М.Х., Локшин Б.В. Синтез и свойства циклопентадиенильных соединений гафния // Изв. АН СССР, сер. хим. 1968. -№4.-С. 817-823.
60. Локшин Б.В., Брайнина Э.М. Колебательные спектры и строение тетрациклопентадиенильных производных циркония и гафния // Журн. структур, хим.-1971.-Т. 12, №6.-С. 1001-1006.
61. Rogers R.D., Bynum R.V., Atwood J.L. Crystal and molecular sructure of tetra(cyclopentadienyl)zirconium // JACS 1978. - Vol. 100, N 16.-P. 5238-5239.
62. Rogers R.D., Bynum R.V., Atwood J.L. First authentic example of a difference in the structural organometallic chemistry of zirconium and hafnium: crystal and molecular structure of (r^-CsHj^Hflft1- C5H5)2 // JACS 1981. - Vol. 103, N 3.-P. 692-693.
63. Calderon J.L., Cotton F.A., De Boer B.G., Takats J. Stereochemically Nonrigid Organometallic Molecules. XXVIII. Tetra(cyclopentadienyl) titanium // JACS. 1971.-Vol. 93, N 15.-P. 3592-3597.
64. Wilkinson G., Birmingham J.M. Bis-cyclopentadienyl complexes of Ti, Zr, V, Nb and Та//JACS. 1954.-Vol. 76, N 17.-P. 4281-4285.
65. Wilkinson G., Pauson P.L., Birmingham J.M., Cotton F.A. Bis-cyclopentadienyl derivatives of some transition elements // JACS. 1953. - Vol. 75, N 4. -P. 1011-1015.
66. Фрейдлина P.X., Брайнина Э.М., Несмеянов A.H. Синтез смешанных клешнеобразных циклопентадиенильных соединений циркония // ДАН СССР. -1961.-Т. 138, №6.-С. 1369-1372.
67. Несмеянов A.H., Материкова Р.Б., Брайнина Э.М., Кочеткова Н.С. Синтез циклопентадиенильных производных кремния, циркония и гафния // Изв. АН СССР, сер. хим. 1969. - № 6. - С. 1323-1326.
68. R oddick D .M., F ryzuk M .D., S eidler P .F. e t a 1. H alide, H ydride, a lkyl, a nd dinitrogen complexes of bis(pentamethylcyclopentadienyl)hafnium // Organometallics. -1985.-N 4.-P. 97-104.
69. Брайнина Э.М., Фёдоров Jl.A., Миначёва M.X. Феноксипроизводные гафния и циркония, содержащие циклопентадиенильные и хелатные лиганды, и их стереохимическая структура // ДАН СССР. 1971. - Т. 196, №5. -С. 1085-1088.
70. Брайнина Э.М., Фрейдлина Р.Х., Несмеянов А.Н. Циклопентадиенильные соединения циркония, содержащие Zo-O-Zr-группу // ДАН СССР. 1964. - Т. 154, № 5. - С. 1113-1115.
71. Gray D.R., Brubaker С.Н. The preparation and characterization of a series of chloroalkoxobis(cyclopentadienyl) zirconium(IV) and dialkoxobis(cyclopentadienyl) zirconium(IV) compounds // Inorg. Chem. 1971. - Vol. 10, N 10. - P. 2143-2146.
72. Миначёва M.X., Брайнина Э.М. Химические превращения тетрациклопентадиенилциркония // Изв. АН СССР. 1972. -№ 1. - С. 139-143.
73. Chandra G., Lappert M.F. Amido derivatives of Metal and Metalloids. Part VI. Reactions of Titanium(IV), Zirconium(IV), and Hafnium(IV). Amides with Protic compounds // J. Chem. Soc., A. 1968. - P. 1940-1945.
74. Wailes P.C., Weigold H. Hybrido complexes of Zirconium II. Reactions of dicyclopentadienylzirconium dinydride with carboxylic acids // J. Organomet. Chem. -1970. Vol. 24, N 2. - P. 413-417.
75. Wailes P.C., Weigold H., Bell A.P. Sulphur dioxide insertion reactions with dicyclopentadienyltitanium and zirconium alkyl and aryl compounds // J. Organomet. Chem.-1971.-N. 2.-P. 181-188.
76. Grafov A., Mazurenko E., Battiston G.A., Zanella P. Design of Zr(IV) and Hf(IV) coordination compounds precursors for MOCVD synthesis of protective coatings // J. Phys. IV. - 1995. - Vol. 1, N C5. -P. C5-497-C5-502.
77. Брайнина Э.М., Брюхова E.B., Локшин Б.В., Алимов Н.С. Циклопентадиенильные соединения циркония и гафния, содержащие галоидацетатные лиганды // Изв. АН СССР, сер. хим. 1973. - № 4. - С. 891-894.
78. Wailes Р.С., Weigold Н., Bell А.Р. Insertion reactions of dicyclopentadienyldimethylzirconium and related cyclopentadienyl compounds with sulphur dioxide and nitric oxide // J. Organomet. Chem. 1972. - Vol. 34, N 1. - P. 155164.
79. Samuel E., Rausch M. D. 7i-Cyclopentadienyl and 7i-indenyl compounds of titanium, zirconium, and hafnium containing c-bonded organic substituents. // JACS. -1973. Vol. 95, N 19. - P. 6263-6267.
80. Fronczek F.R., Baker E.C., Sharp P.R. et al. The structures of d imethylhafnocene and i ts h ydrolysis p roduct, ц -oxo-bis(methylhafnocene) //1 norg. Chem. 1976. - Vol. 15, N 9. - P. 2284-2289.
81. Hunter W.E., Hencir D.C., Bynum R.V. et al. The search for dimethylzirconocene. Crystal structures of dimethylzirconocene, dimethylhafnocene, chloromethylzirconocene, and (^i-oxo)bis(methylzirconocene) // Organometallics. -1983.-Vol. 2, N6. P. 750-755.
82. Howe J.J., Pinnavaia T.J. Studies of the Kinetics and Mechanism of Stereochemical Rearrangement Processes for Tris(P-diketonato)-7i-cyclopentadienylzirconium complexes // JACS 1970. - Vol. 92, N 25. - P. 7342-7348.
83. Брайнина Э.М., Миначёва М.Х., Федоров JI.A. Циклопентадиенильные соединения циркония с различными хелатными лигандами в металле // Изв. АН СССР.- 1972.-№ 10.-С. 2356-2358.
84. Миначёва М.Х., Брайнина Э.М., Терехова Л.И. Циклопентадиенильные соединения гафния с различными хелатными лигандами в металле // Изв. АН СССР. 1973.-№ 10.-С. 2359-2361.
85. Брайнина Э.М., Мортикова Е.И., Петрашкевич Л.А., Фрейдлина Р.Х. Новый класс циклопентадиенильных соединений циркония, содержащих клешнеобразные группы // РАН СССР. 1966. - Т. 169, № 2. - С. 335-338.
86. Каррер П. Курс органической химии. Л.: Госхимиздат, 1962. - 321 с.
87. Пешкова В.М., Пэн Ан. Исследование комплексообразоания гафния с ацетилацетоном методом экстракции // Ж.неорг.химии. 1963. - Т. 6, Вып. -С. 2082-1085.
88. Нефедов В.И., Вовна В.И. Электронная структура химических соединений. М.: Наука, 1987. 347 с.
89. Морозова Н.Б. Синтез и физико-химические свойства бета-дикетонатов Ru(III), Zr(IV), Fe(III), Y(III): Дисс. канд. хим. наук: 02.00.01. Защищена 23.02.96; Утв. 15.05.96-Новосибирск, 1996.- 148 С.
90. Larsen Е.М., Terry G., Leddy J. The preparation and properties of Zirconium and Hafnium Chelates of Certain P-diketones // JACS 1953. - Vol. 75, N20. - P. 51075111.
91. Allard B. Studies of tetravalent acetylacetonato complexes I. Coordination and properties in the solid state // J. Inorg. Nucl. Chem. - 1976. - Vol. 38. - P. 21092115.
92. Baskin Y., Prasad N.S.K. Studies on TTA complexes with metal Ions -II. Investigations of some tetravalent complexes in the solid state // J. Inorg. Nucl. Chem. 1963.-Vol. 25.-P. 1011-1019.
93. Миначёва M.X., Брайнина Э.М. Соединения циркония и гафния с различными хелатными лигандами в молекуле // Изв. АН СССР, Серия хим. -1973. -№3.- С. 689-691.
94. Chattoraj Sh. С., Lynch С.Т., Mazdiyasni K.S. Hexafluoriacetylacetonates of zirconium and Hafnium // Inorg. Chem. 1968. - Vol. 7, N 12. - P. 2501-2505.
95. Sievers R.E., Ponder B.W., Morris M.L., Moshier R.W. Gas Phase Chromatography of Metal Chelates of Acetylacetone, Trifluoroacerylacetone and Hexafluoroacetylacetone // Inorg. Chem. 1963. - Vol. 2, N4. - P. 693-698.
96. Волков C.B., Миропольская JT.E., Мельникова JI.A., Мазуренко Е.А. Легколетучие Р-дикетонатные комплексы Zr(IV) и Hf(IV) // Украинский химический журнал. 1983. - Т. 49, № 7. - С.682-687.
97. Pasko S.V., Hubert-Pfalzgraf L.G., Abrutis A et. al. New sterically hindered Hf, Zr and Y P-diketonates as MOCVD precursors for oxide films // J. Mater. Chem. -2004.-Vol. 14.-P. 1245-1251.
98. Patent JP 2005104958. Synthesis of fluorine containing metal complex / T. Sugimoto (Central Glass Co., Ltd., Japan). 21 Apr 2005. - 7 p.
99. Patent JP 2006117619. Synthesis of fluorine-bearing beta-diketone complexes of zirconium, hafnium, or titanium suitable for CVD sources. / T. Sugimoto (Central Glass Co., Ltd., Japan). -11 May 2006. 9 p.
100. Рубцов E.M., Мишин В.Я. Летучие дипивалоилметанаты циркония и гафния// Координационная химия. 1982. - Т. 8., Вып. 5. - С. 651-652.
101. ИЗ. Брайнина Э.М., Мортикова Е.И. Хелатные соединения гафния // Изв. АН СССР, сер. хим. 1967. -№ 11. С. 2543-2545.
102. Fay R.C., Pinnavaia Th.J. Infrared andraman spectra of some six-, seven-and eight-coordinate acetylacetonato complexes of zirconium(IV) and hafnium(IV) // Inorg. Chem. 1968. - Vol. 7, N 3. - P. 508-514.
103. Wilkir C.A., Hawoeth D.T. A 13C NMR study of some metal acetylacetonate complexes // Inorg. Nucl. Chem. 1978. - Vol. 40, N 2. P. 195-197.
104. Clegg W. Redetermination of the Structure of Tetrakis(acetylacetonato)zirconium(IV) // Acta Cryst. 1987. - С 43. - P. 789-791.
105. Silverton J.V., Hoard J.L. Zirconium(IV) acetylacetonate // Inorg. Chem. -1963.-Vol. 2.-P. 243.
106. Calderazzo F., Englert U., Maichle-Mossmer C. et al. Eight-coordinate chelate complexes of zirconium(IV) and niobium(IV): X-ray diffractometric and EPR investigation // Inorg. Chim. Acta. 1998. - Vol. 270, N 1-2. - P. 177-188.
107. Логвиненко В.А. Термический анализ координационных соединений и клатратов // Новосибирск: Наука, Сиб. Отделение, 1982. 128 с.
108. Мишин В.Я., Рубцов Е.М., Исупов В.К., Прокопчук 10.3. Термическое поведение дипивалоилметанатов актиноидов // Радиохимия. 1980. - № 5. -С. 733-738.
109. Мишин В.Я., Соловьев С.М., Чиненов П.П. и др. Летучие Р-дикетонаты актиноидов и некоторые возможности их практического использования // Радиохимия. 1985. -№ 3. - С. 354-361.
110. Bykov A.F., Turgambaeva А.Е., Igumenov I.K., Semyannikov P.P. Mass Spectrometric Study of Thermolysis Mechanism of Metal Acetylacetonates Vapour // J. de Physique IV. Colloque C5. 1995. - Vol. 5. - P. C5-191-C5-197.
111. Мазуренко E.A., Миропольская Л.Е., Кинетика термического распада тетракис-пентандионата-2,4 гафния // Украинский журнал. 1983. - Т. 49, № 5. -С.551-552.
112. Суворов А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния. -Л.: Химия, 1970.-206 С.
113. Филатов Е.С. Синтез и физико-химическое исследование Р-дикетонатов лития: Дисс. канд. хим. Наук: 02.00.04. Защищена 17.09.06; Утв. 10.12.06. -Новосибирск, 2006. - 118 с.
114. Игуменов И.К., Чумаченко Ю.В., Земсков С.В. Тензиметрическое исследование летучих Р-дикетонатов металлов // Проблемы химии и применения бета-дикетонатов металлов. М.: Наука, 1982. - С. 100-120.
115. Бердоносов С.С., Микитюк А.Д., Лебедев С.Ю., Сычев Ю.Н. Термическая устойчивость и давление насыщенного пара ацетилацтонатов циркония и гафния // Вестник Моск. ун-та, Химия. 1977. - С. 238-252.
116. Morozova N.B., Sysoev S.V., Igumenov I.K., Golubenko A.N. Study of t emperature d epence о f s aturated v apour p ressure о f z irconium(IV) P -diketonates / / J. Therm. Anal. 1996. - Vol. 46. - P. 1367-1373.
117. Морозова Н.Б., Игуменов И.К., Митышн B.H. и др. Комплексы Zr(IV) с р-дикетонами // Ж. неорг. химии. 1989. - Т. 34, № 5. - С. 1193-1198.
118. РСТ Int. Appl. WO 2000029330. Thin hafnium oxide film and method for depositing same / B. Andre, J. Dijon, B. Rafin. 25 May 2000. - 31 p.
119. Nishide Т., Honda S., Matsuura M., Ide M. Surface, structural and optical properties of sol-gel derived Hf02 films // Thin Solid Films. 2000. - Vol. 371, N. 1-2. -P. 61-65.
120. Alvisi M., Di Giulio M., Marrone S.G. et al. Hf02 films with high laser damage threshold // Thin Solid Films. 2000. Vol. 358, N 1-2. P. 250-258.
121. Nguyen N.V., Sayan S., Levin I. et al. Optical band gaps and composition dependence of hafnium-aluminate thin films grown by atomic layer chemical vapor deposition // J. Vac. Sci. Technol., A. 2005. - Vol. 23, N 6. - P. 1706-1713.
122. Kukli K., Ritala M., Sajavaara T. et al. Atomic Layer Deposition of Hafnium Dioxide Films from Hafnium Tetrakis(ethylmethylamide) and Water // Chem. Vapor Deposit. 2002. - Vol. 8. - P. 199-204.
123. Piatt C.L., Dieny В., Berkowitz A.E. Spin-dependent tunneling in Hf02 tunnel junctions // Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol. 69, N 15. - P. 2291-2293.
124. Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics // J. Appl. Phys. 2000. - Vol. 87, N 1. - P. 484-492.
125. Lee B.H., Kang L., Nieh R. et al. Thermal stability and electrical characteristics о f ultrathin hafnium оxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing. // Appl. Phys. Lett. 2000. - Vol. 76, N 14. - P. 1926-1928.
126. Aoki Y., Kunitake Т., Nakao A. Sol-Gel Fabrication of Dielectric Hf02 Nano-Films; Formation of Uniform, Void-Free Layers and Their Superior Electrical Properties // Chem. Mater. 2005. Vol. 17, N 2. P. 450-458.
127. Gilmer D.C., Hegde R., Cotton R. et al. Compatibility of polycrystalline silicon gate deposition with Hf02 and Al203/Hf02 gate dielectrics // Appl. Phys. Lett. -2002. Vol. 81, No. 7. - P. 1288-1290.
128. Gusev E. P., Cartier E., Buchanan D.A. et al. Ultrathin high-K metal oxides on silicon: processing, characterization and integration issues // Microelectronic Engineering. 2001. - Vol. 59, N 1-4. - P. 341-349.
129. Lee B.H., Kang L., Qi W.-J. et al. Ultrathin hafnium oxide with low leakage and excellent reliability for alternative gate dielectric application // Int. Electron Devices Meet.- 1999.-P. 133-136.
130. PCT Int. Appl. WO 2000070674. Capacitor for a semiconductor device and method for producing a dielectric layer for the capacitor / T.P. Haneder, H. Reisinger, R. Stengl et al. (German). 23 Nov 2000. - 17 p.
131. Puthenkovilakam R., Sawkar M., Chang J.P. Electrical characteristics of postdeposition annealed Hf02 on silicon // Appl. Phys. Lett. 2005. - Vol. 86, N 202902. - P. 202902-1 - 202902-3.
132. Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. High-k dielectrics: current status and materials properties considerations // J. Appl Phys. 2001. - Vol. 89, N 10. -P. 5243-5275.
133. Xiong K., Peacock P.W., Robertson J. Fermi level pinning and Hf-Si bonds at Hf02: Polycrystalline silicon gate electrode interfaces // Appl. Phys. Lett. 2005. -Vol. 86, N. 012904. - P. 012904-1 - 012904-3.
134. Yamamoto Y., Kita K., Kyuno K., Toriumi A. Structural and electrical properties of HfLaOx films for an amorphous high-k gate insulator // Appl. Phys. Lett. -2006. Vol. 89, N. 032903. - P. 032903-1 - 032903-3.
135. Park S., Cha Y.-K., Cha D. et al. Multibit memories using a structure of Si02/partially oxidized pmorphous Si/Hf02 // Appl. Phys. Lett. 2006. - Vol. 89, N033122.-P. 033122-1 -033122-3.
136. Granqvist C.G. /Handbook of Inorganic Electrochromic Materials, Elsevier, Amsterdam. 1995.
137. The Chemistry of metal CVD /ed. by T.T. Kodas and M.J. Hampden-Smith. Weinheim; New York. Basel. Cambridge. Tokyo: VCH. 1994. P. 530.
138. Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Жук Б.В. и др. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений / Под ред. Г.А. Разуваева. М.: Наука, 1981. - 322 С.
139. Иванов В.Е., Нечипоренко Е.П., Криворучко В.М., Сагалович В.В. / Кристаллизация тугоплавких металлов из газовой фазы. М.: Атомиздат, 1974. -264 С.
140. Осаждение из газовой фазы / под ред. К. Пауэлла, Дж. Оксли, Дж. Блочера мл. М.: Атомиздат, 1970. - 472 С.
141. Металлоорганические соединения в электронике / Разуваев Г.А., Грибов В.Г., Домрачев Г.А., Саламатин Б.А. М.: Наука, 1972. - 479 С.
142. Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов / Отв. ред. Г.А. Разуваев. М.: Наука, 1986.-256 С.
143. Triyoso D.H., Ramon М., Hegde R.I. et al. Physical and electrical characteristics of Hf02 gate dielectrics deposited by ALD and MOCVD // J. of the Electrochem. Soc. 2005. - Vol. 152, N 3. - P. G203-G209.
144. Stesmans A., Afanas'ev V.V. Interlayer-related paramagnetic defects in stacks of ultrathin layers of SiOx, A1203, Zr02, and Hf02 on (100)Si // J. Appl. Phys. -2004. Vol. 97, N 035510. - P. 035510-1 - 035510-8.
145. Frank M.M., Wilk G.D., Starodub D. et al. Hf02 and A1203 gate dielectrics on GaAs grown by atomic layer deposition // Appl. Phys. Lett. 2005. - Vol. 86, N 152904. P. 152904-1 - 152904-3.
146. Spiga S., Wiemer C., Tallarida G. et al. Effects of the oxygen precursor on the electrical and structural properties of Hf02 films grown by atomic layer deposition on Ge // Appl. Phys. Lett. 2005. - Vol. 87, N 112904. P. 112904-1 - 112904-3.
147. Kim I., Koo J., Lee J., Jeon H. A Comparison of Al203/Hf02 and Al203/Zr02 Bilayers Deposited by the Atomic Layer Deposition Method for Potential Gate Dielectric Applications // Jap. J. Appl. Phys. 2006. - Vol. 45, N 2A. - P.919-925.
148. Gilmer D.C., Hegde R., Cotton R. et al. Tobin Compatibility of silicon gates with hafnium-based gate dielectrics // Microelectronic Engineering. 2003. - Vol. 69. -P. 138-144.
149. Lee S.J., Jeon T.S., Kwong D.L., Clark R. Hafnium oxide gate stack prepared by in situ rapid thermal chemical vapor deposition process for advanced gate dielectrics // J. Appl. Phys. 2002. - Vol. 92, N 5. - P. 2807-2809.
150. Sayan S., Aravamudhan S., Busch B.W. et al. Chemical vapor deposition of Hf02 films on Si(100) // J. Vac. Sei. Technol. A. 2002. - Vol. 20, N2. - P. 507-512.
151. Bai W., Lu N., Ritenour A.P. et al. The electrical properties of the Hf02 dielectric on Germanium and Substrate doping effect // IEEE Transactions on electron devices. 2006. - Vol. 53, N 10. - P. 2551-2558.
152. K.-J. Choi, W.-C. Shin, S.-G. Yoon. Ultrathin Hf02 gate dielectric grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition using HfOC(CH3)3.4 as a precursor in the absence of 02 // J. Mater. Res. 2003. - Vol. 18, N 1. - P. 60-65.
153. Wu N., Zhang Q., Zhu C. et al. Effect of surface NH3 anneal on the physical and electrical properties of Hf02 films on Ge substrate // Appl. Phys. Lett. 2004. -Vol. 84, N 19.-P. 3741-3743.
154. Rauwel E., Dubourdieu C., Holländer B. et al. Stabilization of the cubic phase o f t he H f02 b y Y a ddition i n films g rown b y metal o rganic v apor d eposition / / Appl. Phys. Letter. 2006. - Vol. 89. - P. 012902-1-012902-3.
155. Kukli K., Ritala M., Leskela M. et al. Atomic Layer Deposition of Hafnium Dioxide Films from l-Methoxy-2-methyl-2-propanolate Complex of Hafnium // Chem. Mater. 2003. - Vol. 15, N 8. - P. 1722-1727.
156. Fujii S., Miyata N., Migita S. et al. Nanometer-scale crystallization of thin Hf02 films studied by HF-chemical etching // Appl. Phys. Lett. 2005. - Vol. 86. -P. 212907-1-212907-3.
157. Takahashi K., Nakayama M., Yokoyama S. et al. Preparation of hafnium oxide films from oxygen-free HfN(C2H5)2.4 precursor and their properties // Appl. Surf. Sei. 2003. - Vol. 216. - P. 296-301.
158. Ohshita Y., Ogura A., Hoshino A. et al. Hf02 growth by low-pressure chemical vapor deposition using the Hf(N(C2H5)2)4/02 gas system // J. Cryst. Growth. -2001.-Vol. 233.-P. 292-297.
159. Luo Q., Dragomir-Cernatescu I., Snyder R.L. et al. Comparison of Nitrided Hf02 films deposited in 02 and N20 by direct Injection CVD // J. Electrochem. Soc. -2006.-Vol. 153, N1. -P. F1-F7.
160. Seo K.-ill, Sreenivasan R., Mclntyre P.C., Saraswat K.C. Improvement in High-k (Hf02/Si02) Reliability by Incorporation of Fluorine // IEEE Electron Device Letters. 2006. - Vol. 27, N 10. - P. 821-823.
161. Xu Y., Musgrave C.B. A chemical mechanism for nitrogen incorporation into Hf02 ALD films using ammonia and alkylamide precursors // Surface Science. 2005. -Vol. 591, N 1-3. - P. L280-L285.
162. Liu X., Ramanathan S., Longdergan A. et al. ALD of Hafnium Oxide Thin films from tetrakis(ethylmethylamino)hafnium and Ozone // J. Electrochem. Soc. 2005. -Vol. 152, N2. P. G213-G219.
163. Kukli K., Ritala M., Sajavaara Т., Keinonen J., Leskela M. Atomic Layer Deposition of hafnium dioxide films from hafnium tetrakis(ethylmethylamide) and water // Chem. Vap. Dep. 2002. - Vol. 8. - P. 199-204.
164. Севастьянов В.Г., Тимофеев A.H., Филатов И.Ю. Ацетилацетонат гафния перспективный реактив для получения оксидных и карбидных материалов // Тез. докл. -Нижний Новгород, 1991. - С. 124.
165. Balog М., Schibe М., Patai S., Michman М. Thin films of metal oxides on silicon by Chemical vapor deposition with organometallic compounds. I // J. Cryst. Growth. 1972. - Vol. 17. - P.298-301.
166. Balog M., Schibe M., Michman M., Patai S. Chemical vapor deposition and characterization of Hf02 films from organo-hafnium compounds // Thin Solid Films. -1977. Vol. 41, N3. - P.247-259.
167. Жерикова K.B., Морозова Н.Б., Куратьева H.B., Байдина И.А., Игуменов И.К. Синтез и рентгеноструктурное исследование комплексов гафиия(1У) с ацетилацетоном и трифторацетилацетоном // Журн. структ. химии. -2005. Т. 46, № 6. - С. 1081-1088.
168. Chemistry / Ed. M. Melnik, J. Sima, M. Tatarko, Smolenice, Slovakia, 2005. Slovak Technical University Press, Bratislava, Slovakia, 2005. - Vol. 7. - P. 246-253.
169. Gelfond N.V., Morozova N.B., Igumenov I.K., Zherikova K.V.,
170. Жерикова К.В., Морозова Н.Б., Байдина И.А., Алексеев В.И., Игуменов И.К. Синтез и рентгеноструктурное исследование восьмикоординированного комплекса гафния(ГУ) с гексафторацетилацетоном // Журн. структ. химии. 2006. - Т. 47, № 1. - С. 87-90.
171. Жерикова К.В., Морозова Н.Б., Пересыпкина Е.В., Байдина И.А., Игуменов И.К. Синтез и рентгеноструктурное комплекса гафния(1У) с пивалоилтрифторацетилацетоном // Журн. структ. химии. 2006. - Т. 47, № 3. -С. 581-584.
172. Жерикова К.В., Морозова Н.Б., Байдина И.А. и др. Строение и термические свойства летучих ß-дикетонатов циркония(1У) // Тез. докл. на IV Национальную кристаллохимическую конференцию, Черноголовка, 26-30 июня 2006.-С. 283-284.
173. Жерикова К.В., Морозова Н.Б., Куратьева Н.В. и др. Рентгеноструктурное исследование фторированных ß-дикетонатных комплексов циркония(1У) // Журн. структ. химии. 2007. - Т. 48, № 3. - С. 539-547.
174. Sheldrick G.M. SHELX-97. Release 97-1. University of Göttingen. 1997.
175. Новиков Г.И., Суворов А.В. Мембранный нуль-манометр для измерения давления паров в широком интервале температур // Заводская лаборатория. -1959. -№ 6.-С. 750-751.
176. Титов В.А., Коковин Г.А. О выборе целевой функции при обработке данных по давлению насыщенного пара // Сб. науч. тр. "Математика в химической термодинамике" / Под ред Г.А. Коковина. Новосибирск: Наука, 1980. -С. 98-105.
177. Игуменов И.К., Чумаченко Ю.В., Земсков С.В. Изучение летучести некоторых (5-дикетонатов меди(Н) // Коорд. химия. 1978. - Т. 4, Вып. 2. -С. 163-169.
178. Титов В.А., Чусова Т.П., Коковин Г.А. Анализ основных источников погрешностей мембранного измерения давления пара // Электронная техника. Сер. "Материалы". 1984. - Вып. 10 (195). - С. 49-51.
179. Zelenina L.N., Titov V.A., Chusova Т.Р. et al. On the thermodynamic properties of Germanium-iodide compounds // J. Chem. Thermodyn. 2003. - Vol. 35. -P. 1601-1612.
180. Титов B.A., Коковин Г.А. Математические проблемы химии / Под ред. В.Д. Кудрина. Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1975. - С. 25-34.
181. Semyannikov P.P., Igumenov I.K., Trubin S.V. et al. Thermodynamic of chromium acetylacetonate sublimation // Thermochimica Acta. 2005. - Vol. 432. -P. 91-98.
182. Гранкин В.М., Семянников П.П. Источник ионов и высокотемпературный источник молекулярного пучка к масс-спектрометру МИ-1201 // Приборы и техника эксперимента. 1991. -№ 4. - С. 129-132.
183. Сидоров А.Н., Коробов М.В., Журавлева J1.B. Масс-спектральные термодинамические исследования. М.: МГУ, 1985. 92 С.
184. Semyannikov P.P., Igumenov I.K., Trubin S.V., Asanov I.P. In situ mass spectrometry during thermal CVD of the /ra-acetylacetinates of 3-d transition metal // Journal de Physique IV. 2001. - Vol. 11. - P. Pr3-995-Pr3-1003.
185. A.c. Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы / А.Ф. Быков, Н.В. Гельфонд, С.В. Земсков, И.К. Игуменов, Г. Ким, И.Г. Ларионов, А.А. Никифоров, С.М. Царев (СССР). № 1347504; Заявлено 28.10.85; Опубл. 22.06.87.
186. Igumenov I.K., Gelfond N.V., Galkin P.S. et al. Desalination. -2001. -N 136. -273 P.
187. Morozova N.B., Zherikova K.V., Gelfond N.V. etal. Volatile Hafnium(IV) Precursors for Deposition of Hf02 Films by MOCVD // Abstracts of the 1st Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, 2006. P. 13.
188. Яковкина Л.В., Кичай B.H., Смирнова Т.П., Шубин Ю.Н., Каичев В.В., Жерикова К.В., Морозова Н.Б., Игуменов И.К. Синтез и свойства тонких пленок НЮ2 // Неорганические материалы. 2005. - № 12. - С. 1-6.
189. Ржанов A.B., Свиташов K.K., Семененко А.И. и др. Принципы эллипсометрии / Под. ред. А.В. Ржанов. Новосибирск, Наука, 1970.
190. Ayupov В.М. Determination of optical properties variation of silicon and glass surfaces after mechanical and plasma treatment by monochromatic ellipsometry // Optik. 1998.-Vol. 109, N4.-P. 145-149.
191. Pinnavaia T.J., Fay R.C. Preparation and properties of some sixe- and seven-coordinate halo(acetylacetinato)complexes of zirconium(IV) and hafnium(IV) // Inorg. Chem. 1968. - Vol. 7, N.3. - P.502-508.
192. Jardin M., Gao Y,, Guery J., Jacoboni C. Chlorotris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato-0,0')zirconium(IV) // Acta Cryst., Sect. C. 1995. - Vol. C51. -P. 2230-2232.
193. Sievers R.E., Eisentraut K.J., Springer C.S. Volatile rare earth chelates of P-diketones // Lanthanide/actinide chemistry / Ed. Fields P.R., Moeller Т., Washington, American Chemical Society, 1967. P. 141-154.1. БЛАГОДАРНОСТИ
