Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДШИЕ.

ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ЦЕНТРОВ ПЕРЕХОДНЫХ

ЭЛЕМЕНТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ A%y

1.1. Примеси переходных элементов в полупроводниках aV.IO

1.1.1. Состояния примесных центров в кристаллах.

1.1.2. Оптические переходы.

1.2. Модель электронной структуры примесных центров. 14 Основные положения и параметры теории кристаллического поля.

1.3. Электрон-фононное взаимодействие.

1.3Л. Модель электрон-фононного взаимодействия.

1.3.2. Отсутствие электронного вырождения. Адиабатическое приближение.

1.3.3. Электронное вырождение. Эффект Яна-Теллера.

1.4. Форма спектральных полос.

1.4.1. Взаимодействие с адиабатическими колебаниями.

1.4.2. Взаимодействие с неадиабатическими колебаниями.

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА И АППАРАТУРА

2.1. Люминесцентный метод исследования.

2.2. Люминесценция и ионная имплантация.

2.3. Экспериментальная установка.

2.4. Приготовление образцов.

2.5. Методические ограничения.

ГЛАВА 3. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ,

ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В АРСЕНИД И ФОСФИД ГАЛЛИЯ

3.1. Элементы I переходного периода.

3.1.1.Ванадий.

3.1.2. Титан.

3.2. Элементы 2 и 3 переходных периодов.

3.2.1. Ниобий, тантал.

3.2.2. Вольфрам.

3.3. Основные результаты.

ГЛАВА 4. ПРИМЕШО-ДЕШШШЙ СОСТАВ, СТРУКТУРА И СВОЙСТВА кристаллов GaAs и GaP, содержащих шшлантированные примеси переходных элементов

4.1. Изохронный отжиг.

4.1.1. Арсенид галлия.

4.1.2. Фосфид галлия.

4.2. Влияние температуры подложки при имплантации.

4.2.1. Свойства GflAs , имплантированного при повышенных температурах.

4.2.2. Свойства SciP , имплантированного при повышенных температурах.

4.2.3. Свойства GaAs и GaP , имплантированных при пониженной температуре.

4.3. Дозовые зависимости.

4.4. Послойное стравливание.

4.4.1 Арсенид галлия.

4.4.2. Фосфид галлия».

4.5. Положение атомов имплантированных примесей в кристаллах.

4.6. Измерения квантового выхода.

4.7. Основные результаты.

Наряду с элементарными полупроводниками ( Si , Бв ) соединения типа (в особенности Ga As ) относятся к наиболее хорошо исследованным материалам. Помимо интересов фундаментальной науки, большое внимание к этим соединениям связано с тем, что некоторые из них имеют определенные преимущества по сравнению с Sl для прикладных разработок, где требуются большая подвижность носителей заряда, ширина запрещенной зоны и др. Это позволяет использовать их или считать перспективными для применения в оптоэлектрон-ных устройствах и компонентах высокочастотной электронной аппаратуры.

Большинство технических применений полупроводников основано на использовании легированных материалов. Поэтоод идентификация и изучение свойств примесно-дефектных центров является важной областью исследования полупроводниковых кристаллов.

Примеси с мелкими уровнями, описываемые теорией эффективной массы, определяют электропроводность полупроводниковых материалов. Специфика глубоких центров, энергетические уровни которых расположены в запрещенной зоне между уровнями мелких доноров и акцепторов и значительно отличаются от них по положению, состоит в определяющем влиянии на рекомбинационные свойства кристаллов даже в случае их малой (следовой) концентрации.

В теоретическом отношении понимание энергетической структуры и свойств центров с мелкими уровнями было, в принципе, достигнуто уже более 20 лет назад. В то же время в трактовке свойств центров с глубокими уровнями имеются еще нерешенные вопросы, и полученные данные имеют в значительной степени эмпирический характер. Различные подходы к этой проблеме отражены, например, в материалах обзорного характера / 1-5 /.

Центры переходных элементов с незаполненными А -электронными оболочками в полупроводниках являются в своем большинстве примерами центров с предельно глубокими уровнями в том смысле, что локализация носителей на них происходит на орбитах, близких к атомным. С этой точки зрения они могут служить как моделью, так и предельным случаем для общетеоретических построений. В то же время изучение свойств этих примесей представляет и значительную самостоятельную область исследований, о чем свидетельствует постоянный интерес, проявляемый к ним на крупнейших всесоюзных и международных конференциях как чисто научного, так и прикладного характера. Широкое изучение свойств центров рассматриваемых примесей в различных широкозонных кристаллах было стимулировано в свое время потребностями квантовой электроники. В этом плане для

III У полупроводников А В в настоящее время можно отметить следующее:

1. Ряд переходных элементов (Ре , Мп , МЬ и др.) присутствует в этих материалах как остаточные примеси или легко проникает в них при различных обработках, что может нежелательным и часто неконтролируемым образом отражаться на свойствах кристаллов и приборных характеристиках (светодиоды, лазеры, полевые транзисторы) .

2. Для проводящих контактов к полупроводниковым приборам часто используют переходные элементы ( N1 , Рс1 , Р"Ь и др.), которые, диффундируя, могут создавать глубокие примесно-дефектные центры в пограничной с контактом области полупроводника, существенно изменяя ее свойства.

Помимо перечисленных "негативных" имеются и важные "положительные" примеры, когда свойства примесей переходных элементов (глубина энергетических уровней, либо рекомбинационные характеристики) сознательно используются (или предлагаются) для получения материалов с заданными свойствами:

3. В производстве базовых полуизолирующих материалов для

4* В переключателях и приемниках с субнаносекундным временным разрешением (см., например, / 6 /).

Особенно следует отметить тенденцию к использованию переходных элементов как активных центров в устройствах, действие которых основано именно на их индивидуальности, примером чего могут служить:

5. Работы по созданию эффективных излучателей (в том числе лазерных) в спектральной области 1-3 мкм / 7 / для использования, например, в устройствах волоконной связи.

Вышесказанное свидетельствует об актуальности изучения свойств примесей переходных элементов в полупроводниковых кристаллах как в общенаучном плане, так и с точки зрения перспективных технических приложений, а также поиска оптимальных методов их введения в эти материалы.

До 1975 года - начало данной работы - исследования по указанной тематике были связаны, в основном, с определением положения примесных уровней в запрещенной зоне кристаллов, характеристик процессов захвата носителей на центры и т.п. ("полупроводниковый" аспект) и в значительно меньшей степени касались микроструктуры объектов (в том числе энергетической). Вследствие этого известные к тому времени сведения по оптическим свойствам этих локальных центров имели с современной точки зрения скорее предварительный характер. Значительное продвижение в этом направлении, достигнутое к настоящему времени, связано с технологическим прогрессом, совершенствованием техники измерений, успехами теории, а электроники и др.) также значительным повышением общего интереса к центрам рассматриваемого типа. В то же время, несмотря на многообразную (в ряде сдуаев - детальную) информацию по составу, структуре и свойствам (в т.ч. оптическим) центров переходных элементов в соединениях aV, эти исследования никак нельзя назвать в достаточной степени завершенными, тем более, что до настоящего времени они проводятся почти исключительно на элементах I переходного периода.

Цель данной работы состояла в исследовании люминесценции полупроводниковых соединений A? - GaAs и GaP - содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов. При этом был последовательно использован метод ионной имплантации для легирования кристаллов, впервые получены и исследованы спектры люминесценции ряда примесных центров указанного типа.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитированной литературы.

Основные результаты» полученные в настоящей работе, состоят в следующем:

1. Впервые обнаружена люминесценция, связанная с внутрицент-ровыми электронными переходами на центрах примесей переходных элементов 71 ,N6 Да ДУ в арсениде и фосфиде галлия.

2. Показано, что наблюдавшиеся спектры люминесценции связаны, главным образом, с переходами на изолированных примесных атомах (ионах). Для Т1 и V обнаружены также их ассоциации с другими примесями или дефектами решетки, причем для примеси Ть процессы комплексообразования в СаАз и 6аР происходят даже при комнатной температуре.

3. Обнаружено, что в отличие от оптических центров, связанных с элементами I переходного периода, излучательные " (1- (111 переходы на которых происходят между нижними штарковскими подуровнями основного терма примесного иона, для исследованных элементов 2 и 3 переходных периодов характерны переходы между уровнями с различными значениями спина.

4. Показано, что в полупроводниках - бй/и и СйР -взаимодействие (1 -электронов оптических центров переходных элементов, существенно ослабленное по сравнению с ионными кристаллами, определяется, в основном, фактором ковалентности кристаллических матриц, а не свойствами самих (1 -электронов.

5. Установлена эффективность метода ионной имплантации для введения в полупроводники А^В^ примесей переходных элементов, растворимость которых в этих соединениях мала.

6. На основании исследования изменения спектров люминесценции кристаллов бйА5 и БаР при изохронном отжиге определены

- 181 и охарактеризованы температурные интервалы для качественно отличных стадий перестройки (отжига) дефектов и установлено оптимальное значение температуры отжига для активации имплантированных примесей переходных элементов.

7. Установлено, что в и БаР связывание имплантированных атомов переходных элементов в неактивные состояния происходит на образованиях (комплексах) кластерного, а не точечного типа.

8. Обнаружено глубокое проникновение имплантированных примесей переходных элементов в кристаллы ЭйДв при отжиге последних под защитными диэлектрическими пленками. Глубина проникновения в 2-6 раз (в зависимости от массы иона) превосходит расчетные величины пробегов, при этом форма профиля распределения активированных атомов примесей не зависела от вида внедренной примеси, дозы и температуры кристаллов при имплантации, а также свойств исходного материала.

Автор выражает глубокую благодарность своим научным руководителям д.ф.-м.н. В.С.Вавилову и к.ф.-м.н. А.А.Гиппиусу за руководство и помощь в выполнении данной работы.

Автор признателен А.В.Спицыну, В.А.Дравину и А.Э.Седельни-кову за проведение ионной имплантации образцов.

Автор благодарен В.М.Коннову, В.Д.Копаневу, Ф.А.Пудонину, Е.Г.Чижевскому, В.С.Виноградову за помощь и содействие на отдельных участках работы, а также всем сотрудникам лаборатории физики полупроводников ФИАН СССР за внимание и поддержку.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Ройцин А.Б. Теория глубоких центров в полупроводниках. - ФТП, 1974, т.8, в.1. в.3-29.

2. Pantelides S.T. The electronic structure of impurities and other point defects in semiconductors. Rev.Mod.Phys., 1978, v.50, N 4, p.797-858.

3. Jaros M. Deep levels in semiconductors« Advances in Physics, 1980, v.29, U 3, p.409-525.

4. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.: Мир, 1978, 569 с.

5. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. М.: Мир, 1984, 263 с.

6. Hammond R.H., Paulter N.G., Wagner R.S., Springer Т.Е., MacRoberts M.D.J« InPiPe photoconductors as photodetectors. IEEE Trans. Electron devices, 1983, v.ED-30, N 4, p.412-415.

7. Klein P.B., Purneaux J.E., Henry R.L. Laser oscillation at 3.53 JX m from Pe2+ in n-lnP. Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, If. 8, p.638-640.

8. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях АШВУ. Ш1, 1978, т.12, в.4, с.625-652.

9. Мастеров В.Ф. Глубокие центры в полупроводниках. ФТП, 1984, т.18, B.I, с.1-23.

10. Вонсовский C.B., Грум-Гржимайло C.B., Черепанов В.И., Мень А.Н., Свиридов Д.Т., Смирнов Ю.Ф., Никифоров А.Е. Теория кристаллического поля и оптические спектры примесных ионов с незаполненной d-оболочкой. М.: Наука, 1969. 180 с.

11. Свиридов Д.Т., Свиридова Р.К., Смирнов Ю.Ф. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. М.: Наука, 1976. 268 с.

12. Берсукер И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. Л«: Химия, 1976. 350 с.

13. Бальхаузен К. Введение в теорию поля лигандов. М.: Мир, 1964. 360 с.

14. Марфунин A.C. Введение в физику минералов. M.i Недра, 1974. 324 с.

15. Свиридов Д.Т., Смирнов Ю.Ф. Теория оптических спектров ионов переходных металлов. М.: Наука, 1977, 328 с.

16. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов, I т. М., Мир, 1972. 652 с.

17. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. 2 т. М.: Мир, 1973. 350 с.

18. Лоу В. Парамагнитный резонанс в твердых телах. М. : Иностранная литература, 1962. 242 с.

19. Альтшулер С.А., Козырев Б.М. Электронный парамагнитный резонанс соединений элементов промежуточных групп. М.: Наука, 1972. 672 с.

20. Sugano s., Tanabe Y., Kamimura H. Multiplets of transition-metal ions in crystals.U.J,: Academic Press, 1970, p.331*

21. Griffith J.S. The theory of transition metal ions. Cambridge:

22. University Press, 1961. 445p.

23. Соболевский B.K., Штельмах К.Ф. Параметры спектров ЭПР железа в соединениях В кн.: Физика соединений Материалы Всесоюзной конференции. Ленинград, 1978г. Л.: издательство ЛПИ им. М.И.Калинина, 1979, с.66-70.

24. Мастеров В.Ф. Примесный ферромагнетизм в арсениде галлия.3 ^

25. В кн.: Физика соединений А В : Материалы Всесоюзной конференции. Ленинград, 1978г. Л. : издательство ЛПИ им. М.И.Калинина, 1979, с.30-38.

26. Берсукер И.Б., Полингер В.З. Вибронные взаимодействия в моле-1сулах и кристаллах. М. : Наука, 1983. 336 с.

27. Перлин Ю.Е., Цукерблат Б.С. Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов. Кишинев: Штиинца, 1974. 368 с.

28. London Е.selection rules for defect-activated lattice bands and vibronic transitions in face-centered cubic,diamond andzink blende lattices.-Pr.Phys.Soc«,1964,v.84, p.379-388.

29. Ребане К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М.: Наука, 1968. 232 с.

30. Лубченко А.Ф. Квантовые переходы в примесных центрах твердых тел. Киев: Наукова Думка, 1978. 294 с.

31. Stoneham А»М. Shapes of inhomogeneously broadened resonance lines in solids. Bev.Mod.Phys., 1969, v.41, If 1, p.82-108.

32. Gippius A.A., Vavilov V.S», Zaitsev A.M., Ushakov V.V., Luminescence studies' of ion-implanted diamond and gallium arsinide.

33. B кн.: Ионная имплантация: Труды 2 Советско-американского семинара по ионной имплантации. Пущино, 1979. Новосибирск: издательство ГПНТБ, 1979, с.11-23.

34. Bryant p.J. Ion implantation and luminescence. Rad.Eff•,- 1851982, v. 65, IT 1, p.81-93

35. Гиппиус А.А,, Паносян Ж.P., Иванов Г.А. Светосильный осветитель с параболической оптикой. ПТЭ, 1970, № 2, с.212-214.

36. Gibbons J.P., Johnson Vi.S., Mylroio S.W. Projected range statist ics. Stroudsburg, Pennsylvania! Dowden, Hitchison, Ross, Inc., 1975» 312 p.

37. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов M.A., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-импланти-рованных примесей. Минск: издательство БГУ, 1980. 350 с.

38. Оптические свойства полупроводников. Под ред. Уиллардсона Р., Вира А. М.: Мир, 1970. 488 с.

39. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред. Кесаманлы Ф.П., Наследова Д.Н. М.: Наука, 1973. 471 с.

40. Sekela A.M., Feucht D.L., Milnes A.G. Diffusion length studies in gallium arsenide. In: Institute of Physios Conference serie N 24. London - Bristol, 1975, p. 245-253.

41. Берг А., Дин П. Светодиоды. M.: Мир, 1979. 686 с.

42. Kiitt w., Bimberg D., Maier M., Krautle н., Kohl p., Bauser

43. E. Heat treatment induced redistribution of vanadium in semi-insulating GaAs:V.-Appl.Phys.Lett. , 1984 , v. 44,Fl 1, p. 1078-1080.

44. Phys. Eev. В, 1982, v.25, N 9, p.5593-5606. Mircea A«, Martin G.M., Lowther J.E. Optical absorbtion and photoluminescence of vanadium in n-type GaAs. sol.st.Comms., 1980, v.36, N 2, p.171-173.

45. Litty F., Leyral P., Loualiche S., Nouailhat A«, Guillot G., Lanoo M. Deep level optical spectroscopy of the levels introduced by transition metals in GaAs. Physica, 1983, V.117B/118B, p.182-184»

46. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е., Соболевский B.K., Штельмах К.Ф. ЭПР ванадия в Gap . $ТП, 1978, т.12, в.З, с.529-533.

47. Vasson А.-М., Vasson A., Bates С.А., Labadz А.F. ЕРЕ studies of high resistivity vanadium-doped GaAs and Gap, J, Phys.

48. C., 1984, v.17, p.L837-L841.

49. Hoff R.M., Irwin J.С« second order raman spectra and phonon dispersion in Gap. canad. J.Phys.,1973,v.51,N 1,p.63-76.

50. Blakemore J.s« Semiconducting and other major properties of gallium arsenide. J. Appl. Phys., 1982, v.53> H Ю, P.E123 -E181.

51. Абагян C.A., Иванов Г.А., Кузнецов Ю.Н., Окунев Ю.А. Оптичес3кие переходы в спектре d -электронов примесного центра V в Gap . фТП, 1974, т.8, в.9, с.1691-1696.

52. Ушаков В.В., Гиппиус А.А. Люминесценция арсенида галлия, содержащего имплантированный ванадий. ФТП, 1980, т.14, в.2, с.336-340.

53. Skolnick M.S., Dean P.J., Kane M.J., Uihlein Ch., Bobbins D.J«, Hayes W., Cockayne В., MacEwan W.R. Zeeman spectroscopy of luminescence from vanadium-doped indium phosphide. J.

54. Phys. c., 1983, v.16, N 21, p.L767-L775.

55. Eaufmann U., Zoschel W.H., sohneider J. Optical and EPR- 187 study of the nickel two-electron-trap state in Gap. Phys. Rev.B., 1979, v.19, IT 17, p.3343-3352.

56. Бещуратов М.Ф., ОДурыгин В.И. Исследование некоторых свойств компенсированного титаном и кобальтом арсенида галлия и диодных структур на его основе. ФТП, 1973, т.7, в.1, с.83-87.

57. Ушаков В.В., Гиппиус А.А., Дравин В.А., Канцер С.Ф. Люминесценция центров ' ИЬ в GaAs И Gap . ФТП, 1981, т.15, в.8, с.1535-1541.

58. Ушаков В.В., Гиппиус А.А., Дравин В.А. Люминесценция центров тантала в GaAs и Gap . ФТП, 1983, т.17, в.7, с.1174--1179.

59. Aszodi G. , Ennen Н., Weber J., Kaufmann U., Axman A. Optical and zeeman study of the Nb-*+ center in GaAs and GaP. In: 4 "Lund" Internation Conference on Deep Level Impurities in semiconductors, abstracts. Eger 1983, p.136.

60. Imbush G.F., Ten W.M., Schawlow A.L., Mc Cumber D.E., Sturge M.D. Temperature dependence of the width and position of the ^ ^Ag fluorescence lines of Cr^+ and V2+ in MgO. - Phys. Rev., 1964, v.133, И 4A, p.1029-1034.

61. Panish М.Б., Casey H.C. Temperature dependence of energy gap in GaAs and GaP.-J.Appl.Phys., 1969, v.40, p.163-167.

62. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. M.: Наука, 1983. 360с.

63. Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование- 188 полупроводников.M.: Энергия, 1975, 128 с.

64. Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. Смирнова Л.С. Новосибирск: Наука, 1977. 254 с.

65. Эйзен Ф. Имплантация ионов в соединениях В кн.: Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. М.: Мир, 1980, с.92-130.

66. Павлов П.В., Зорин Е.И., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование арсенида галлия. Известия высших учебных заведений. Физика,1980, в.1, с.76-90.

67. Bishop S.G.* Comas J., sundaram S. Effects of implant depthdistribution on photoluminescence spectra in Бе-implanted GaAs. Appl.Phys.Lett., 1977, v.31, U 12, p.845-847.

68. Шнар евич Е.И., Рыбинский О.А., Злобин В.А. Диэлектрики интегральных схем. М.: Энергия, 1975. 119 с.

69. Bogardus Е.Н., Bebb Н.В. Bound-exciton, free-exciton, band-aoceptor, donor-acceptor and auger recombination in GaAs. -Phys. Rev., 1968, v.176, N 3, р.993~Ю02.

70. Rossi J.A«, Wolfe C.M., Stillman G.E., Dimmock J.0. Identification of the exiton-neutral donor oomplexes in the photoluminescence of high purity GaAs. sol. St. Comm., 1970, v.8, N 23, p. 2021-2025.

71. Ashen D.J., Dean P.J., Hurle D.I.J., Mullin J.В., White A.M., Greene P.D. The incorporation and characterization of acceptors in epitaxial GaAs. J. Phys. Chem. sol., 1975, v.36,1. U Ю, p.1041-1053.

72. Yu P.W., Reynolds D.C. Photoluminescence identification of 77 mey deep acceptor in GaAs. J. Appl. Phys., 1982, v.53> N 2, p. 1263-1265.

73. Yu P.W., Mitchel W.C., Mier M.G., Li S.S.j Wang W.L. Evidence- 189 of intrinsic double acceptor in GaAs. Appl. Phys. Lett., 1982, v. 41, N 6, p.532-534.

74. Kushiro Y., seimuya I., Sinbory 0., Kobayasi T. Improved properties of melt-grown GaAs by short-time heat treatment. J.

75. Appl. Phys.', 1977, v.48, IT 4, p.1636-1645.

76. Vorobkalo P.M., Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V., John G. Effect of heat treatment of the 0.93, 1.0, and 1.28 eV luminescence bands in n-GaAs.-Phys. St.Sol«(-a),1973,v.15, p.286-293.

77. Sugiyama K. Recombination and trapping processes at deep centers in N-type GaAs. Jap.J.Appl.Phys., 1967, v.6, IT 5, p. 601-611.

78. Klein p.B., Nordq.uist P.E., Siebenmann P.G. Thermal conversi^ on of GaAs. t J. Appl.Phys., 1980, v.51, N 9, p.4861-4869.

79. Clegg J.B., Scott G.B. Distribution of impurities in semi-insulating GaAs after heat treatment in hydrogen. J.Appl. Phys., 1981, v.52, IT 2, p.1110-1112.

80. Itoh T., Takeuchi M. Axsenic vaoancy formation in GaAs annealed in hydrogen gas flow. Jap. J. Appl.Phys., 1976, v.16, N 2, p.227-232.

81. Lum W.J., Wider H.H., Koschel W.H., Bishop S.G., McCombe B.D. Thermal degradation of homoepitaxial GaAs interface. Appl.

82. Phys. Lett., 1977, v.30, IT 1, p.1-3.

83. Eao E.Y.K., Duhamel IT. Photoluminescence investigation of theband around 1.41 eV in heat treated n-GaAs samples. J.Appl.- 190

84. Phys., 1978, v.49, N 6, p.3458-3463.

85. LumW.J., Wieder H.H. Photoluminescence of thermally treated n-type si-doped GaAs. J. Appl. Phys., 1978, v.49, N 12,p. 6187-6188.

86. Lum W.J., Wieder H.H. Thermally converted surface layers in semi-insulating GaAs. Appl. Phys. Lett., 1977, v.31,p. 213-215.

87. Look D.C. A study of the 0.1-eV conversion acceptor in GaAs. -J. Appl. Phys., 1983, v.54, TS 6, p.3249-3254.

88. Chang L.L., Esaki L., Tsu E. Vacancy association of defects in annealed.GaAs.-Appl.Phys.Lett.,1971,v.19,N5, p.143-145.

89. Yu P.w. Deep-center photoluminescence in undoped semi-insulating GaAs:0.68 eV band due to the main deep donor. sol.St. Comm., v.1982, v.43, H 12, p.953-956.

90. Yu P.W. Persistent photoluminescenoe quenching of 0.68-ev emission in undoped semi-insulating GaAs. Appl.Phys. Lett., 1984, v.44, H 3, p.330-332.

91. Shanabrook B.V., Klein P.B., Swiggard E.M., Bishop s.G. Photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy of the EL2 emission band in GaAs. J. Appl. Phys., 1983, v.54,1. N 1, p.336-340.

92. Weber J., watkins G.D. ODMR of the AsGa antisite in GaAs. -In: 4 "Lund" international conference on deep level impurities in semiconductors, abstracts. Eger, 1983, p.179.

93. Wood D.H., Morgan D.V. The effect of heat treatment on unpas-sivated and passivated gallium arsenide surfaces. Sol.-St.

94. Electronics, 1979, v.22, N 5, p.479-485.

95. Mizutani s., Mori M., Ono T., Miyasawa T., Ohdomary I. Interface reaction of Si0o and GaAs during high-temperature heat- 191 treatments. Jap. J. Appl.Phys., 1980, v. 19,N6, p. 1107-1110.

96. Kular S.S., Seally B.J., Stephens E.G., Sadana D., Booker G.R. Electrioal,Rutherford backscattering and transmission electron microscopy studies of furnace annealing zink implanted GaAs. -Sol.-St.Electronics,1980, v. 23, IT 8, p. 831-838.1. HI V

97. Ланг Д. Радиационные дефекты в соединениях А В . В сб.: Точечные дефекты в твердых телах. - М.: Мир, 1979, с.187-220.

98. Chatterjee Р.К., Vaidyanathan K.V., McLevige W.V., Streetman B.G. Photoluminescence from Be-implanted GaAs. Appl.Phys. Lett., 1975, v.27, H 10, p.567-569.

99. Yu P.W«,Park Y.s. Photoluminescence from Mg-implanted GaAs. -Appl.Phys.Lett. , 1977, v.30, li 1, p.14-16. *

100. Yeo Т.К., Park Y.s.j Xu P.Y{, Electrical measurements and optical activation studies in Mg-implanted GaAs. J. Appl. Phys., 1979, v.50, U 5, p.3274-3281.

101. Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия. В сб.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: Наука, 1972, с.224-304.

102. Dean P.J., White A.M., Hamilton В., Peaker A.R., Gibb R.M. Nickel a persistent inadvertent contaminant in device-grade vapour epitaxially grown gallium phosphide. J. Phys.D., 1977, v.10, N 18, p.2545-2554.

103. Fewster R«H., Bryant F.J. The parameters of ytterbium implantation in Cds, Zns and Znse. Phil. Mag., 1973, v.28, И 6, p.1225-1239.

104. Norris C.B., Barnes C.E. Cathodoluminescence studies of anomalous ion implantation defect introduction in lightly and heavily doped liquid phase epitaxial GaAsssn. J. Appl. Phys., 1980, v.51, N 11, p.5764-5772.

105. Figielski T. , y/osinski T. Properties and nature of the main electron trap in GaAs. Czeoh.J.Phys.B,v.34, N5, p.403-408.

106. Za Sahara J., sakurai H., Zato Y., Watanabe N. Redistribution of Zn implanted into GaAs. Jap. J. Appl. Phys., 1982, v.21, N 2, P.L103-L105.