Магнитные свойства и кинетические эффекты ионокристаллических манганитов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

Аминова, Фируза Фархадовна АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Москва МЕСТО ЗАЩИТЫ
1992 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.11 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Магнитные свойства и кинетические эффекты ионокристаллических манганитов»
 
Автореферат диссертации на тему "Магнитные свойства и кинетические эффекты ионокристаллических манганитов"

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО НАРОДНОМУ ОБРАЗОВАНИЮ МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА, ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕНШЙ УНИВЕРСИТЕТ ШЕНН М.В. ЛОМОНОСОВА

физический факультет

На правах рукописи

АМИНОВА ФИРУЗА ФАРХАДОВНА

УДК 539.293.538

МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА И КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ МОНОКРЙСТАЛЛИЧЕСШ МАНГАНИТОВ

Специальность - 01.04.II (Физика магнитных явлений

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва - 1992

>

)

Работа выполнена па кафедра общей физики дяя естественных факультетов физического факультета МГУ имени М.З, Ломоносова

Научный руководитель: доктор физико-математических наук К. П. Свирина

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,гсрофзссор

С.М. Чудииов

доктор физико-математических наук Б.К, Пономарев

Ведущая организация: Институт кристаллографии и:;. А.В, ЩубникоЕа РАН, г. Москва

Залита состоится " ^ И 1992 г. в ^

до

часоз

на заседании специализированного совета 3 (ШТ ( К 053.05.77 ) а Шсковскои государственной университете им. У.В. Ломоносова по адресу: г. Москва, П9899, Ленинские горы, 1.ГУ, физический факультет, ауд. СФЙ

С диссертацией модно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова.

Автореферат разослан

Ученый секретарь /

специализированного совета К 053.Ор^О" в МГУ им. М.В. Ломоносова ^ \ кандидат физ.-мат. наук, ст. науч.¿¡у

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА. РАБОТЫ

Актуплыгость темцЛ.'днганитц со структурой поровзкка ^ Ме^Мп ( [Лз _ кон двухвалентного металла ) представляют собой магштшз полупроводники с сильной взаимосвязью электрически и магннгньк свойств. Установлена, например, корреляция л поведении электросопротивления и намагниченности в зависимости от концентрации ионов двухвалентного металла, замещавдих ионн '-<Л.

При малых концентрациях соединения 1-а Ие И л О являют-

х з

ся полупроводниками р - типа о небольшими значениями температур Кюри и намапшченшстей. С увеличением х в интервала от 0.25 до 0.40 появляется металлическая проводимость, при атом намагниченности и температуры Корн имеют наибольшие величина. С

дальнейшим увеличением х ианганиты и Ме. Мн О становятся х

ся полупроводниками 'л - типа и происходит переход из ферромагнитного в антиферромагшшюе состояние.

Кроме того, взаимосвязь электрических и магнитных свойств проявляется в аномалиях кинетических эффектов в районе температура Кври. Например, переход металл - полупроводник или изменение энергии активации процесса электропроводности, максимум отрицательного гальваномаглитного эффекта и т.д.

Несмотря на многочисленные исследования, до настоящего времени не расшифрован механизм электропроводности манганитов, неясен вопрос, в какой мере ЗД -электроны ответственны за электрические свойства и какова роль магнитного вида рассеяния в квиетических эффектах, не изучено влияние бликнего магнитного порядка на магнитные свойства и кинетические эффекты вблизи температуры Кюри. Кроме того, в литературе отсутствуют достоверные

данные относительно магнитные свойств манганитов в парамагнитной области температур. Выяснение поставленных вопросов, необходимое для дальнейяего развития физики магнитных полупроводников, невозможно без комплексных исследований электрических и магнитных свойств монокристаллических манганитов в широком диапазоне температур.

Практический интерес к манганитом связан о возможностью варьировать концентрации носителей тока в зависимости от магнитного поля, температуры, состава образца.

Цель работы - выяснение физических причин взаимосвязи электрических и магнитных свойств, а также механизма электропроводности и особенностей поведения парамагнитной восприимчивости манганитов. В связи с этим были поставлены следующие задачи:'

- проведение комплексных исследований магнитных ( намагниченности, парамагнитной и парапроцессной восприимччвостей, иагнитост-рикции ) и электрических ( электросопротивления, термоэдс, гальвано- и гермомагнитного эффектов ) свойств монокристаллических манганитов 1а РЬ МаО о замещением ионов Ии ионами Н Ма\Со.

о.бо о.чо 5 '

как в ферромагнитной, так и в парамагнитной области температур;

- выяснение причнн аномального доведения кинетических е0зектов в зависимости от магнитного поля и температуры;

- изучение влияния магнитного вдда рассеяния на кинетические эффекты.

Научная новизна и защищаемые результаты.

Проведено комплексное исследование магнитных и электрических свойств монокристаллических манганитов и РЬ Нк Ме о

Г м . г. о,Ьо ОМО л-И 3 л

( Ме =■ ге ,, ). Измерения намагниченности, электросопротивления, термоэдс, гальваномагнитного и термомагнитного аффектов, маг-

нитострикции, теплового линейного расширения проводились в широком температурном интервале в ферромагнитной а парамагнитной областях температур, включая температуру Кюри, в палях до 14 кЭ. йшрвыо исследована восприимчивость парапроцесса, более детально изучены намагниченность, парамагнитная восприимчивость, магнитострикция, термомагнитный эф£юкт.

В результате проведениях исследований установлено, что:

1. Изученные манганита относятся к магнитным полупроводникам о узкой запрещенной зоной, величина которой сравнима с энергией обманного взаимодействия. Взаимосвязь электрических и магнитных свойств в этих материалах обусловлена влиянием обменной энергии на структуру энергетических зон носителей тока.

2. За электропроводность и магнитную восприимчивость в парамагнитной области тешератур ответственна одна и та ае группа электронов.

3. В полевую и температурвув зависимости кинетических эффектов вносит вклад не только магнитный вид рассеяния, но и изменение концентрации носителей тока.

4. В района температуры Кюри за изменение термомагнитного эффекта ответственно изменение магнитной части электросопротивления, что и является причиной аналогичного поведения гальваномагнитного и гермомагшшюго эффектов.

Перечисленные результаты получены впервш и выносятся на

защиту.

Практическая значимость роботы.

Исследованные манганит могут найти широкое применение в раэ~ личных отраслях современной техники, что связано с возможностью

л

изменения их электрических и магнитных характеристик в зависимости от температуры, магнитного поля, состава.

Практический интерес, например, представляют достаточно большая величина гальваноыагннтного эффекта и переход металл-полупроводник в районе температуры Кори.

Проведенные в диссертационной работе исследования и сделанные на их основе выводы могут оказаться полезными при получении новых материалов с заданным комплексом физических свойств. Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на:

- Ш семинаре по функциональной мапштоэлевт^юнике ( Красноярск, 1988г. ),

- П Всесоюзном семинаре "Магнитные фазовые переходы и критические явления"( Махачкала, 1Э89 г. ),

- республиканском семинаре "физика ферритов и родствешшх им соединений, их применение в технике" ( Донецк, 1989 г. ),

- У Всесоюзном симпозиуме "Магнетизм редкоземельных соединений" ( Москва, 1969 г. ).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 5 печатных работ.

Структура я объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка цитированной литературы из /00 наименований. Работа изложена на /у 5 страницах машинописного текста, содержит & таблиц и 82 рисунков.

СОДЕЕШИЕ РАБОТЫ.

Во введении обосновывается актуальность теми диссертационной работы, формулируются цель, задачи исследования, а такав основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава посвящена обзору литературных данных по магнит-ннг.1 свойствам и кинетическим эффектам манганктов на основе LaMnQ^. Отмечается, что сгехиометрнческоиу Lc\ Мнсоответствует О'- орторомбическая структура и антиферромагнетизм. Однако существует мнение о наличии слабого ферромагнитного момента вдоль направления [ooij .

При замещении ионов Lс\ в La Ми О^ иокаки двухвалентных металлов { Са , ^ , РЬ и т.д. ) увеличиваются намагниченность и температура Кюри . Данный экспериментальный факт объясняется с учетом сильного положительного обменного взаимодействия Ил - М w ( двойной обмен Зинера ), слабого положительного взаимодействия Ми - отрицательного обменного взаимо-

действия Ми4*- М«ч+ .

Кроме того, б районе температуры Кюри для манганитов Ifl РЬМнО

•1-х л з

( 0.25 < х <-0.45 ) установлено более резкое уменьшение спонтанной намагниченности <?s по сравнению с обычными ферромагнетиками, ^Ст) которых описывается функцией Бриллюэна. Полученный результат, по мнению авторов, свидетельствует о наличии сильного S-c^ обменного взаимодействия в ыанганитах.

Литературные данные относительно магнитных свойств манганитов в парамагнитной области гешератур содерекат противоречивые сведения. В связи с этим нет ясности, какой закономерности подчиняется температурная зависимость парамагнитной восприимчивости.

Далее изложены имеющиеся в литературе сведения, касающиеся кинетических эффектов макганитов. В парамагнитной области с ростом температуры электросопротивление манганитов экспоненциально уменьшается. Вблизи теылературы Кври имеет место либо изменение знака температурного коэффициента сопротивления с положительного в ферромагнитной области на отрицательный в парамагнитной области ( переход металл-полупроводник ), либо изменение энергии активации процесса электропроводности. Дня шнокриствллнческой система 1й РЬ ^ Ме О ( Ма = Я , м; , Со ) в ферро-

с,Со «.Но А-4 ^ 3

магнитной области температур обнаружен переход мзтадд-подупровод-ник с изменением состава.

Термоздс манганитов в ферромагнитной области слозшм образом зависит от температуры: коэффициент термоэдо ^ может быть положительным или отрицательным, менять знак, кривизну, иметь максимум вблизи температуры Кюри. В парамагнитной области для манганитов характерно монотонное изменение с температурой.

Для объяснения экспериментальных результатов по измерении электросопротивления и термоэде делаются попытки привлечения как прыжкового, так и зонного механизмов.

В этой яе глава рассматривается гальваномагнитный эффект, который в манганптах имеет рад особенностей. К нем относятся: большая величина эффекта, отсутствие технического насыщения изотерм магнетосопротивдения, невыполнение второго правила четных эффектов.

Во второй глава диссертации описаны способ получения монокристаллов, технология нанесения контактов; приведено краткое описание методов исследования намагниченности, электросопротивления, термоэде, гальвано- и термомагнитиого эффектов, магнитострик-

цци. Измерение намагниченности проводилось на установке типа маятника Доминикали, Температура Кюри, спонтанные намагниченности вблизи температуры Кюри и восприимчивости парапроцесса определялись с помощью метода термодинамических коэффициентов. Магнитост-рикция измерялась тепзометричеокиы методом.

Измерение электрических свойств маиганитов осуществлялось четырехконтак? нш способом.

Третья глава диссертации содержит результаты исследования и их обсуждение. В данной работа были проведены измерения намагниченности моиокристалличесюпс нангшштов Ьа Р Ь Иул И с О

с .. п О.Со о.чо л-ч ч ъ

( Ив = &, , <-о ) в зависимости от магнитного поля и температуры. Установлено, что шля технического насыщения намагниченности маиганитов с замещением ионов Мл ионами возрастают по сравнению с манганитами, содержащими ионы и ^ . С увеличением концентрации замещающего иона уменьшаются температуры Кюри и магнитные моменты Я при О К на фор:,гульнув единицу, причем наиболее резкое уменьшение наблюдается для образцов с содержанием ионов Р«- . Полученные экспериментальные факты объясняются тем, что при замещении иолов Мц в 1-я Ии 03 ионами "Ьс! -металлов наряду с силышм полокителышм обменным взаимодействием И^- И|лч+ появляются дополнительные обменные взаимодействия, такие как Иь- Со ( которые являются ферромагнитными, а также антнферромагнигное взаимодействие ^'Ьх- Ре , Поэтому при введении иолов МА" к 1П и Тс падают вследствие уменьшения числа пар И ис сильным положительным обменом. При замещении ионов И |Д конами Ре. отрицательное обменное взаимодействие Ре. наряду с уменьшением числа пар приводит к более резкому падении И и Тг-

В диссертационной работе впервые изучена парапроцессная восприимчивость ыанганитов. Для всех изучешшх образцов с увеличением напряженности магнитного поля наблюдалось уменьшение максимума восприимчивости парапроцесса ^ , смещение его в сторону более высоких температур. При атом усиливалась размытость" кривой в районе температуры Юорн Tq. При исследовании восприимчивости парапроцесса в зависимости от концентрации замэщащего кона в

la РЬ Ми Me О сделано предположение, что вблизи Тп проис-

ofio о.ч(? к-ч ч ъ °

ходит образование шкрообластей, результирувдее обменное взакмодействие в которых отлпчаотся от средней величты обменного взаимодействия. Установлено, что поведение парапроцессной восприимчивости ыанганитов в зависимости от поля и температуры Находится в соответствии с теорией для обычных ферромагнетиков.

Парамагнитная восприимчивость маиганитов La Pb Мм О с замещением ионов I ионами и из исследовалась впервые. Кроме того, более детально изучена восприимчивость образцов La РЬ У\п О . Установлено, что в интервале температур

o.to О.ЧО Л-У 3

от Tq до 600 К восприимчивость исследованных ыанганитов описывается скейлинговой зависимостью:

- ч/ъ 0L - СТ-Тс)

Такое поведение восприимчивости не противоречит предположению о существовании в парамагнитной матрице кластеров с сильным обменным взаимодействием. Если разрушение атта мастеров с температурой происходит по закону Больцмапа:

.id-

vn ~ е fct

гда VI - число кластеров при температуре Т,

W - энергия связи мастера,

можно определить величину энергии связи кластера , На рис. I

представлена зависимость образца 1а РЬ Мп Ра О .

п^А I 0&0 °Цо о.гл-о.сь ь

Из угла наклона прямей > к оси у т вычислено значение .

Величины У? для ряда образцов приведены в таблице.

Таблица

Значения энергий активация процессов электропроводности лЕ^, я воспршмчивости V/ з парамагнитной области гегяюратур образцов и РЬ Ме о

о.Бо о.чо л-4 ^ 3

Состав У VI , зВ 6.Е , эВ

^0.13 0.09 0.08

№0.22 0.08 О.И

^0.24 0.07 0.11

Со0.26 0,09 0.09

Со0.31 0.10 0.10

^ОЛВ 0.09 о.п

Пг0.23 0.10 0.03

Далее обсугдаятся результаты исследования кинетических едоков млнганитоз РЬ Ми М<г О ( Ь!а = № , Со ). Установлено, ».60 »N0 а-у 1 ъ

то для всех образцов в районе температуры Йэря Тд имеют место мак-~щт,и отрицательных гальвано- и термемагниткого эффектов (рис.2), рм малых концентрациях замещающего попа вблизи Тс няблэдается пе-зход метолл-полупрозодиик (рис.2). Образцы с большими замещениями леют полупроводниковую проводимость во всем исследованном кнтерво-з температур. В парамагнитной области энергии активация электропрочности больве, чем в ферромагнитной. Результаты эксперимента об-

-0,5

-1,5

15

2,5

10

3,5

Рис. I. Зависимости £л\ и Сх от обратной температуры

для образца РЬ И К Рг О ,

о.ьо о.чй о.гй о, <12> ^

1

Рис. 2. Температурные зависимости электросопротивления р , спонтанной намагниченности , гальваномагнитиого Д^/р и термомагнитного А ^ эффектов образца Ы РЬ Мц Со О* -

си-счо О.О!» Ъ

сувдаягся в рамках хаосли Ирхнна - Турова. Сделан вкеод, что иссла довашне ыянкшагы относятся к ыагннтнш полупроводникам с узкой запрещенной зоной, сравнимой' по величине о анергией обменного взаимодействия.

Поскольку в парамагнитной области температур и сопротивление,

и восприимчивость изменяются активациошнн образом, представляет

интерес сравнение энергий акмшащш процессов электропроводности

Д. Hp ц магнитной восприимчивости V , Обнаружено, что в манге-

HiraaxLa РЬ Ип Me О ( = Ve , Vii , Со ) При болыщ кон-

C.fco О.чо А-а У -i центрацаях явмещащвто иона эти величины имеют близкие значения,

а для некоторых образцов совпадают{ таблица и рис. I ).

Зти данные позволяют сделать вывод, что за электропроводное^ исследованных манганитов в парамагнитной области тсьаератур отват-ственно разрушение мастеров с делокализацией электронов, шосяца вклад в магнитный момент.

Кроме того, установлено, что в парамагнитной области, где магнитный вид рассеяния почти не меняется, р и тврмоэде <К линейно зависят от обратной тешературы. Яа основании отих данных сделан вывод, что за изменение электросопротивления р и тер.мо-эдо dv в па раулгнитноЛ области ответственно изменение концентр; ции носителей тока, связанных с кагнитшм моментом.

При исследовании гальванокагнитного эффекта в шнгенитах оби; рукен ряд особенностей. Например, изотермы гальваномагнитного эффекта не имеют технического насыщения и спонтанных составляющих; продольный и поперечна! гальваномагшшше эффекты отрицательны и совпадают по величине. Анализ экспериментальных данных на основе теории Йрхина - 1урова позволяет заключить, что в гальвапо^акшт-

ныЗ эффект манганпгов, помимо поавпаности, дает вклад изменение концентрации носителей тока, что в приводит к отмеченным ансналя-ям ^Р/р - эффекта.

Дет выяснения вопроса о возможном влиянии магнитострикцпсшшх

пЯфзхюз на кагнэгосопротпзлсняе проведено исследование магяитост-

рккцаи образцов 1д РЬ М'Л О с замещением ионов М и ионами „ О.бо о.чо ъ

"--о . Вйор именно кобальтсодеряапЕх образцов объясняется тем, что в некоторых оксидных соеднпеких введение ионов Со сильно влияет на магшгнуп анизотропия и магнитострпкциа. В исследованных манганита* замещение ионов ^^ ионами , доге в небольших

количествах, приводит к изменению знака мзгннтострикции и значительному увеличения со абсолютно;! величины. В результата проведенных исследований уотановлено, что квгаятострикция изученных кзнгапитов, в отличие от гальввноыапншюго зф|ектз, достигает технического насыщения, продольная п поперечная магшггосгркщая пмзют разшо знаки п абсолютные величины. Креме того, магпитострпкция кобальтсодер-кащпх манганитов испытывает резкие изменения по сравнении с негнл-тострикциэй незамеченных мз;гггп.тгсл,в то время как характер аномалий гальваномагнитного эффекта не зависит от замещения.

На основании полученных экспериментальных данных сделан гавод, что в исследованных образцах кагнитострякцкя не определяет поведения гал ьванома гниткого эффекта.

Далее приведены результата исследования гальваиокагнитшго эффекта я воспрякмчивостя парапроцесса "У х манганктоз. Из аналогии з поведении гло?ерм '-^/рС^) и ^ С^) сдолаио предположение, что в полевую зависимость пэраттоцессной восприимчивости вносит вклад, помимо рассеяния, изменение концентрации посигелей

гола. Исходя из теории Ирхина - 1урова, удалось .установить связь ыоаду восприимчивость« паралроцесса ц "восприимчивость»" гальваномагнитного эффекта

' ЧН^) ^ где - спонтанная намагниченность при О К, 1 - констан?£

обманного взаимодействия, - константа Больдыана.

Обнаружено хорошее согласие ыегду значениями парапроцзсской восприимчивости , вычисленными из формулы ( I )и кейкешшми екснершзкталыю. Ншржгр, для образца

при Т = 183 К в поле 10.4 кЭ ^ • =3.5 *ПР4 см3/г, значение восприимчивости, вычисленное из формулы ( I), составило 2.8*Ю~4 см^/г. Кроме того, обнаружена аналогия в поведении восприимчивости першроцесса и "Босярииычшостц1' гаяьваномагнитшго эффекта.

В то Ее время установлена взаимосвязь ыезду торыоыагштшм и гальваномаглитнш эффектами. Аналогичное поведение отмоченных эффектов в зависимости от поля и тешературы объясняется на основании теории Ирхина, Турова, Джа, Абельского. В рамках этой теории было получено соотношение, связывающее гальвано- и термомагнитный эффекты :

Т ЪС р

где ^кл- параметр рассеяния на магнитных неодкородкостях, Ер- анергия Ферки, К - константа Больцкащ, е. -заряд электрона. На рис. 3 представлены экспериментальные зависимости

для образца ^ РЬ ^ М'л О, . Из рисунка следует, что £*=1/т о.ьь с,ъо о,ог Ь ' 1

линейно зависит от ¿^/р как при Н - с изменением

10

т 7г

о -Н=14кЭ

у • - Г-340к

/ У У ео

10

№с. 3- Заоииимость лля обоаэиа

La0. 6вРЬ0. 3oSr0. озНпОз- 5

температуры, так и при Т -соиьЛ" с изменением,поля в соответствии с формулой ( 2 ), Линейность CMVJ^) сохраняется и при замещении ионов Hvi ионаш Fe , Wa , Co , цТ0 позволило опре делить отношение параметра рассеяния на магнитных неоднородном1®: Hw, к энергии Ферыи '¿г . Например, для образца La Pk Ми Со О

1 г г w г ч о о,чо о ось

это отношение составило 0,9 ( оВ ) , для образца Lo, РЬ Mv\ Wi О ь i т о.Ьо омо oys ons

'/Ер - ( зВ ) . Отсюда следует, что при известных значениях параметра рассеяния s~lVvN цогкно оцгнить величину онер";«! Ферыи .

Кро^з того, анализ результатов исследования ггльв&но- и тар -моыагннтного эффектов иянганитов позволяет саклачить, что аномалии теригомагнитного эффзата з районе температуры Кюри Tq определяются иноиалиftivtíi л, -эффекта, а следовательно, доминируем ввдоа рассеяния е отой области тенлератур является рассеянно на магнитных наоднородноетях.

ОСНОВШЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ШВ0Й1

(1а основании колялгкеных исследований ыагнитных и олептритеа-ких свойств ионокристаллическах тнгпнитоз i-Q РЬ Ми Me О

г .i. р О,fee о.чо А-У У Ъ

( Не = , 1 , } были сделана следующие выводы:

1. Замгкрннс ионов Mv\ ионгаги Fe , , Со Bla Pb МпО

о.Чо оМо 3>

приводит к ушныленио магнитного момента П при О К и температуру Кори Tq, что свидетельствует о понижении энергии результирущего обменного взаимодействия.

2. Установлено, "то изменение сопротивления и термоэде в парамагнитной области тецаератур язлкется следствием увеличения концентрации носителей тока.

3. При малых эачецгниях nonos Мм ионами W-¡ и Со а исследованных манганитах киеет «seto переход металл-полупроводник в

1Й2Я8 температура ïfcpîi. При увалтенви концентргции зем«!:ет«яго •на з фзррочагнитиоГ5 области Т5г.;р*р*гур оби&ру-лп пароход! металл-лупрслодник от ссс?р.?а.

4. Увтановлмш asTKaoïV'.owît-a «3:fSJt;tc?r.i язиэшкит эяектрссспго-зяёчия и «агиятюй воспргчпгсгостя в поракагнаткой обласзч. Совдеп?» з пределах 0!"нбяя вкелерикягга зкэтвшй гнергяй алгиваппп ■га дзух яропесгоз уяозгтаает m то, что са яягктросспротяялгнив я ратишпд'я зосир:шмчя?ость п данном температурном «штгрвалв от-тствегиа одна и та т*э группа электровоз.

о. Установлено, что а гаяьвано.пгянтикЯ оорзкт кэл с язкене-îu поля, тех а с изменение.*! температуры вносят зклад не только ;сэянкэ на кягкк-пялс неоднородяоетяе » ¡п и изкеявязэ хонцмг?рзц:!Я гелей тояа.

6. Покаасно, что а тсмпгратурноЗ и полевой аагясчмостях гаяьз»-•агннтного о^фекта я госпряшгптеостя парзлроцясса су^зстгус? :(ор-

7. Аналогия п псгсдегсти гзльааномаиашгогэ и теркомагнягкого 'îktob я кангаиигах позволяет заключить, что в paîîoîia те^лсрату-Кври доминирующим еидсм рассеяния является рассеяние на магнит-

иэоднородностях.

8. Предложен способ определения отношения парамеира рассеяния «згнитт-к неоднородносгях к энергии 5ер%31,

9. Установлено, что тепловое линеПиое расширение и могнитост-■fîin iî*3 ответстзеинм за аномалии кинетических сф£ехтов манганитоэ.

Сделано закличет:«» что иссле^ог.аннге мэнгазштп относятся к ïtiTHïTM полупроводникам с узкой запрещенной зоной, величина кото-ерюнкна с ?к<?ргяг>й обменного язаиг.годействяя, что и обуслсзля-; аномальное поведение кйнот»«»п*пк яф^ктов s pnflo№» тегадрату-

ра Кюри к сильную взаимосвязь электрических и магнитных свойств. Электропроводность в парамагнитно ÍÍ области тоьшзратур определяете делокализацией электронов, ответственных за магнитный иомект. По те.\;з диссертации опублкхояаиы следущие работы:

1. Белой К.П., Свирина Е.П., 1Уляхина Л.П., Шакирова Ф.&. Аномалии тармомагнитного аффекта в мангшттах в районе температур Кюрк И йТТ.- 1968.-Т. 30, В. I.- С. 277-279.

2. Свирина Е.П., Шляхина Л.П., Шакирова Кагнитострихцяя и кинетические оффзкты в канганигах // ФТТ.-198-3.-1', 30,ü. 12. -

С. 3705-3708.

3. Свирина К.П., Икгхина J¡,П., Шакирова Ф.Ф. Магнитостринция к гсльБсцомагннтниЙ эффект г. ганганитах // Тезисы докладов III се иннара по функциональной кагнитоэлектроноке. Красноярск.-1963.-С. 5S-60.

4. Свирина E.I1., Шяяхина Л.П., Левтерова Т.А., Шакирова Ф.4. Териомагшгний к гаяьваномагнитный эффекты в манганита х в района температуры Кари // Тезисы докладов II Всзсоихного семинара "Магнитные фазовые переходы и критические явления". Махачкала.-1989.-С. 149-150.

5. Свирина Е.П., Шзяхипа Л.П., 1*акирова Влияние замещения ионов М'о ионами Ре. на магнитные свойства манганитов // QTT.-1990,- Т. 32, В. 3.- С. 942-У44.