Магнитный и электродинамический отклик в наноструктурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.02 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Магнитный отклик наноструктур.• • •

12 Оптические внутризонные переходы в наноструктурах

1.3 Баллистический электронный транспорт в наноструктурах

1.4 Квазибаллистический и диффузный механизмы электронного транспорта в наноструктурах.

2 МАГНИТНЫЙ ОТКЛИК НАНОСТРУКТУР

2.1 Магнитный отклик параболической квантовой ямы в наклонном магнитном поле.

2.2 Магнитный отклик квазиодномерной наноструктуры в наклонном магнитном поле.

2.3 Магнитный отклик и теплоемкость квазидвумерных наноструктур.

2.4 Магнитный момент двумерной параболической квантовой ямы в перпендикулярном магнитном поле.

2.5 Магнитный отклик трехмерной квантовой ямы.

2.6 Магнитный отклик квантовой сферы и эллипсоида вращения

2.7 Магнитный отклик квантового цилиндра.

2.8 Магнитный отклик квантового кольца ненулевой ширины

3 ОПТИЧЕСКИЕ ВНУТРИЗОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ

В НАНОСТРУКТУРАХ

3.1 Внутризонное поглощение электромагнитного излучения в квазидвумерной наноструктуре.

3.2 Гибридные резонансы в трехмерной анизотропной квантовой яме

3.3 Внутризонное поглощение электромагнитного излучения в трехмерной квантовой проволоке, помещенной в продольное магнитное поле.

3.4 Внутризонное поглощение электромагнитного излучения в квантовом цилиндре.

4 БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ

В НАНОСТРУКТУРАХ

4.1 Баллистический электронный транспорт в параболической квантовой проволоке.

4.2 Баллистический электронный транспорт квантовой проволоки, помеш;енной в продольное магнитное поле.

4.3 Баллистический электронный транспорт в квантовой проволоке, помещенной в произвольно ориентированное магнитное поле

4.4 Электронный транспорт через микросужение в произвольно ориентированном магнитном поле.

4.5 Баллистический кондактанс квантового цилиндра в параллельном магнитном поле.

4.6 Баллистический кондактанс квантовой сферы с присоединенными одномерными проводниками.

5 КВАЗИБАЛЛИСТИЧЕСКИЙ И ДИФФУЗНЫЙ МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ

5.1 Рассеяние носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах

5.2 Проводимость электронного газа в квантующем магнитном поле при рассеянии на точечных дефектах.

5.3 Рассеяние на одиночной примеси в квантовом канале, помещенном в магнитное поле.

5.4 Транспорт в трехмерной квантовой проволоке при рассеянии на одиночной точечной примеси.

5.5 Диффузный и квазибаллистический транспорт в квантовой проволоке, помещенной в продольное магнитное поле.

5.6 Квазибаллистический электронный транспорт в трехмерном микросужении.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

1. Актуальность темы.

В последнее десятилетие физические свойства наноструктур стали объектом интенсивных экспериментальных и теоретических исследований. Это связано с тем, что в этой области физики конденсированных сред был открыт целый ряд необычных физических эффектов, обусловленных электронными

V-/ гл с» свойствами наноструктур. Здесь можно отметить такие открытия, как целый и дробный квантовый эффект Холла, эффект Ааронова-Бома в мезоскопи-ческих квантовых кольцах, квантование кондактанса в двумерных каналах, а также в трехмерных проволоках и сужениях.

Продвижение в области нанотехнологии позволило создать наносисте-мы в полупроводниковых гетероструктурах (квантовые ямы, нити, точки, кольца) и мезоскопические углеродные системы (фуллерены и нанотрубки). В связи с этим можно утверждать, что созданы новые классы искусственных материалов с уникальными физическими свойствами.

Исследование физических свойств наноструктур имеет важное значение для создания новых типов электронных устройств. Ряд наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, точки и проволоки) уже используются в полупроводниковой нанотехнологии, другие (квантовые каналы, наносферы, фуллерены) - имеют такие физические свойства, которые позволяют прогнозировать их будущее использование в электронной технике. Полагается, что основу компьютеров будущих поколений будут составлять элементы, образованные из массивов наноструктур. В связи с этим ясно, что электронные свойства наноструктур должны быть изучены предварительно по отношению к созданию технологии их производства.

2. Цель работы.

Целью работы является теоретическое исследование равновесных, транспортных и оптических характеристик электронов в наноструктурах различных типов (ямы, проволоки, сужения, наносферы). Для достижения поставленной цели было необходимо решить следующие задачи:

1) подобрать подходящие модели электронного конфайнмента для описания законов дисперсии электроннов в наноструктурах и получить аналитический вид этих законов;

2) найти удобные для дальнейшего исследования аналитические выражения для магнитного и электродинамического отклика электронов в наноструктурах (магнитный момент, магнитная восприимчивость, теплоемкость, кондактанс и проводимость, коэффициент поглощения электромагнитного излучения);

3) детально исследовать физические эффекты, возникающие в магнитном и электродинамическом отклике электронной системы в наноструктурах и сравнить результаты исследования с экспериментом;

4) провести аналитическое и численное изучение отклика в зависимости от параметров наносистемы и приложенного магнитного поля;

5) установить влияние рассеяния на точечных примесях (кондактанс) и оптических фононах (квантовые ямы) на физическую картину рассматриваемых эффектов;

6) разработать новые методы и подходы к исследуемым электронным свойствам наноструктур;

7) получить необходимые для сравнения с экспериментом параметры кривых, описывающих отклик наноструктур (положение, высота и ширина осцилляционных и резонансных пиков, температурные зависимости, положение и форма изломов).

3. Научная новизна.

Научная новизна работы состоит в том, что

1) разработаны новые методы, позволяющие получить удобные выражения для аналитического исследования равновесных характеристик наноструктур и их кондактанса;

2) разработан подход, позволяющий исследовать квазибаллистический и диффузный транспорт;

3) выявлены эффекты, обусловленные влиянием величины и направления магнитного поля на магнитный отклик и кондактанс наноструктур;

4) дано объяснение экспериментальных данных для кондактанса квантовых проволок и сужений: размытие порогов и наклона плато в проволоках уже при гелиевых температурах и квантование кондактанса в микросужениях даже при комнатных температурах;

5) показано существование осцилляции типа де Гааза-Ван Альфена и Ааронова-Бома в кондактансе, и подробно изучены особенности этих осцилляции в зависимости от величины и направления магнитного поля и температуры;

6) выявлены особенности типа "клюва"в магнитном отклике квантового цилиндра;

7) показана возможность ступенчатой зависимости магнитного отклика для квантовой сферы и эллипсоида вращения;

8) показан резонансный характер поглощения электромагнитного излучения электронной системой наноструктур и детально исследованы резонансные пики, в частности, показано, что учет рассеяния на оптических фононах приводит к дублетной структуре пиков;

9) выявлено, что в области низких температур резонансные пики поглощения для случая трехмерной квантовой ямы содержат изломы на крыльях пиков;

10) найдено аналитическое выражение для кондактанса квантовой сферы и показано, что кривая кондактанса содержит серии резонансных пиков;

И) найдены аналитические выражения для характеристик квазибаллистического и диффузного механизмов электронного транспорта и выявлены эффекты, обусловленные особенностями амплитуды рассеяния;

12) показано (квазибаллистический транспорт) существование резонансных пиков на кривой кондактанса в проволоках в окрестности порогов ступеней и существование изломов на порогах ступеней для микросужений;

13) найдены проводимость и время релаксации при рассеянии двумерных электронов на точечных примесях и показано, что характер температурной зависимости в подвижности этой системы согласуется качественно и количественно с экспериментом.

4. Личный вклад автора в работу.

Автором осуществлена постановка задач, разработка методов их решения, участие в их решении, анализе и интерпретации полученных результатов. На отдельных этапах работы в ней принимали участие В.А.Гейлер, И.И.Чучаев и другие сотрудники Мордовского госуниверситета, а также зарубежные ученые из других университетов. В процессе выполнения настоящей работы под научным руководством автора были подготовлены две диссертации на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук аспирантами А.В.Шороховым и Н.Г.Галкиным.

5. Научная и практическая значимость работы.

В работе содержатся результаты теоретического исследования магнитного и электродинамического отклика типичных представителей из класса наноструктур (квантовые ямы, проволоки, сужения, кольца, цилиндры и сферы). Полученные в работе результаты являются основой для понимания и описания ряда осцилляционных эффектов в равновесных и транспортных свойствах наноструктур, особенно в случае, когда наноструктуры помещены в произвольно ориентированное по отношению к осям симметрии наноструктуры магнитное поле.

Показано, что гибридизация электронного энергетического спектра приводит к ряду новых эффектов: зависимости равновесных и транспортных характеристик от направления магнитного поля, зависимости ширины плато кондактанса от соотношения частот конфайнмента и поля, наложения осцилляции Ааронова-Бома и Шубникова-де Гааза, а также ступенчатый характер зависимости кондактанса проволок от направления поля. Установлена зависимость рассматриваемых эффектов от параметров потенциального и геометрического конфайнмента.

Продемонстрирована на примере различных наноструктур высокая эффективность разработанных методов и подходов для получения удобных для анализа аналитических выражений зависимости магнитного и электродинамического отклика электронной системы от параметров конфайнмента, поля и температуры.

Показано, что рассеяние на точечных примесях приводит к ряду новых эффектов в транспортных свойствах наноструктур: пики на порогах ступеней и изломы.

Разработаная теория позволяет описать и объяснить ряд известных экспериментальных результатов по магнитному и электродинамическому отклику: размывание ступенчатой структуры кондактанса проволок даже при низких температурах и возможность сохранения этой структуры вплоть до комнатнаых температур, различное число резонансных пиков на кривых поглощения излучения и их расщепление в наклонном поле, независимость подвижности от температуры в двумерных слоях.

Разработанные методы и подходы могут использоваться и для нахождения других равновесных и транспортных характеристик (теплоемкость, термо- и фотокондактанс).

Полученные в работе результаты могут использоваться для оценки параметров электронного конфайнмента в наноструктурах и электронного энерг-тического спектра.

6. Положения, выносимые на защиту.

1. Разработанные автором новые методы и подходы к нахождению электронного энергетического спектра, получение аналитических выражений для магнитного отклика и кондактанса наноструктур.

2. Теоретически установленные новые результаты о поведении магнитного и электродинамического отклика в наноструктурах: осцилляционные зависимости магнитного отклика от направления поля, наличие на кривых изломов и каспов, резонансный характер поглощения электромагнитного излучения электронной системой, характер разрушения квантования кондактанса примесями.

3. Полученные аналитические зависимости отклика от величины и направления магнитного поля, параметров латерального конфайнмента, химического потенциала газа и от температуры. Найденные зависимости поглощения излучения от частоты, поляризации и магнитного поля.

4. Зависимость формы кривых для квазибаллистического и диффузного транспорта от особенностей амплитуды рассеяния.

7. Апробация работы

Основные результаты работы были доложены на: 1 Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993), 2 Российской конференции по физике полупроводников (Зеленогорск, 26 февраля-1 марта, 1996), 1-ой международной конференции "Химия высокорганизо-ванных веществ и научные основы нанотехнологии"(С.-Петербург, 1996), 12 конференции по твердотельным кристаллам (Варшава, 1996) 3 международной конференции "Фуллерены и атомные кластеры"(С.-Петербург, 30 июня-4 июля, 1997), Международной конференции "Физика на пороге 21 века"(С.-Петербург, сентябрь 1998), Международной конференции "Менделеевский конгресс по общей и прикладной химии"(Москва, 1998), 4 международной конференции "Фуллерены и атомные кластеры "(С.-Петербург, 4-8 октября, 1999), Международной конференции "Бесконечномерный (стохастический) анализ и квантовая физика"(Лейпциг, 1999), 32 Всероссийском совещании по физике низких температур (Казань, 3-6 октября 2000), Евро-Азиатском симпозиуме "Прогресс в магнетизме"(Екатеринбург, 27 февраля-2 марта, 2001), 5 международной конференции "Фуллерены и атомные кластеры"(С.Петербург, 2-6 июля, 2001), 5 Всероссийской конференции по физике полупроводников. Нижний Новгород (10-4 сентября, 2001).

В составе авторского коллектива автору настоящей работы в 1997 г. была присуждена Государственная премия Республики Мордовия в области науки и техники за цикл работ "Спектральные топологические и кинетические свойства электронов в магнитных полях".

8. Публикации.

По результатам настоящих исследований опубликовано 24 статьи (включая 2 труда конференций) и 16 тезисов докладов на научных конференциях (всего 40 работ).

9. Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из Введения, пяти глав, включая Обзор литературы и четыре главы, в которых изложено содержание работы. Заключения, Приложения и Списка литературы (281 наименований). Общий объем работы — 291 страница, 89 рисунков.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Приведем основные выводы диссертации по главам.

В главе 2 получены аналитические выражения для магнитного отклика одномерной, двумерной и трехмерной асимметричных параболических квантовых ям. Рассмотрен наиболее общий случай произвольно ориентированного магнитного поля. Показано, что для двумерной ямы возможны кроме осцилляции де Гааза-Ван Альфена также осцилляции Ааронова-Бома. Кроме того исследованы осцилляции в теплоемкости одномерной и двумерной ям в случае, когда система помещена в магнитное поле.

Найдены аналитические выражения для магнитного отклика параболической квантовой проволоки с несимметричным поперечным сечением, помещенной в произвольно ориентированное магнитное поле. Из полученой зависимости отклика этой наносистемы от величины и направления поля найдены характеристики осцилляционных максимумов. Показано, что температурная зависимость отклика является немонотонной, что соответствует эксперименту.

Исследован магнитный отклик ряда наноструктур с цилиндрической симметрией (квантовые кольцо, цилиндр, браслет). Из полученных аналитических зависимостей отклика от поля показано, что отклик испытывает осцилляции Ааронова-Бома, и на кривой зависимости отклика от поля имеются изломы типа "клюва". Показано, что спин-магнитное взаимодействие нарушает периодичность отклика и приводит к появлению в нем монотонной составляюгцей.

Для кольца ненулевой ширины и цилиндра конечной толгцины показано, что осцилляции Ааронова-Бома накладываются на осцилляции де Гааза-Ван Альфена.

Найден магнитный отклик квантовой сферы и эллипсоида врагцения. Наибольший интерес здесь представляет следующий результат: зависимость магнитного момента от поля может носить ступенчатый характер.

В главе 3 найдены выражения для коэффициента поглощения при вну-тризонных оптических переходах в квантовых ямах, кольце, цилиндре и проволоке. Исследован случай, когда системы помещены в магнитное поле.

Для одномерной квантовой ямы показано, что рассеяние на оптических фононах приводит к резонансам на кривой поглощения. Исследована форма пиков и показано, что она носит дублетный характер, как в зависимости от частоты, так и от угла наклона поля.

Исследовано поглощение излучения трехмерной анизотропной квантовой ямой в зависимости от частоты излучения, направления вектора поляризации, величины и направления магнитного поля.

Исследованы амплитуда и положение резонансных пиков. Показано, что в области очень низких температур резонансные пики содержат изломы.

Показано, что для квантовой проволоки зависимость поглощения излучения от частоты содержит систему резонансных асимметричных пиков, имеющих дублетную структуру. Дублеты расположены периодично, причем высота пиков резко уменьшается с ростом частоты излучения. Показано, что на крыльях этих пиков имеются изломы.

В главе 4 рассмотрен баллистический электронный транспорт в квантовых проволоках, сужениях, цилиндрах и квантовых сферах. Для проволок с эллиптическим сечением и сужением найдены аналитические формулы для кондактанса в виде суммы монотонной почти параболической части и осциллирующей части, имеющей вид одномерного ряда Фурье. Показано, что высота ступеней равна кванту кондактанса, а величина плато зависит от соотношения частот конфайнмента и магнитного поля.

Найдены зависимости кондактанса от величины и направления магнитного поля. Показано, что эти зависимости также носят ступенчатый характер.

Получены выражения монотонной и осциллирующей части кондактан-са для трехмерного микросужения с эллиптическим поперечным сечением, помещенным в произвольно ориентированное магнитное поле. На основе этих выражений исследована ступенчатая структура кривой кондактанса.

Исследованы осцилляции в зависимости кондактанса от магнитного поля. Показано, что осцилляции Ааронова-Бома могут иметь период равный двум квантам потока (слабое продольное поле) и одному кванту потока (сильное продольное поле). В последном случае осцилляции Ааронова-Бома дают тонкую структуру максимумов осцилляции Шубникова-де Гааза.

Найдена зависимость кривой кондактанса от ориентации магнитного поля. Объяснен экспериментально наблюдаемый эффект - наличие ступенчатой структуры кривой кондактанса при относительно высоких температурах.

Для 2В— и квази2Л—цилиндра получены выражения для монотонной и осциллирующей части кондактанса в случае, когда система помещена в продольное магнитное поле. Показано, что высота ступеней для двумерного цилиндра может равняться одному или двум квантам, в зависимости от величины потока поля.

Для квази21)—цилиндра высота ступеней зависит от частоты потенциального конфайнмента и магнитного поля. Исследована зависимость ширины плато от параметров системы. Показано, что в случае сильного поля зависимость кондактанса квази21)—цилиндра от величины поля носит осцилляци-онный характер, причем осцилляции Ааронова-Бома дают тонкую структуру осцилляции Шубникова-де Гааза.

Найдено аналитическое выражение для коэффициента прохождения квантовой сферы с двумя присоединенными проводниками при использовании краевых условий общего вида. Показано, что на кривой зависимости коэффициента прохождения или кондактанса содержится серия острых резонансных пиков. Исследованы форма и положение этих пиков в зависимости от положения точек присоединения проводников.

В главе 5 исследован диффузный транспорт в 31)— и 22)—электронном газе, в 31)—газе, помещенном в магнитное поле, квазибаллистический и диффузный транспорт в трехмерных проволоках и квазибаллистический транспорт в трехмерных сужениях. Во всех этих системах рассмотрено только рассеяние на точечных потенциалах.

Для ЗР—газа получено выражение для проводимости, которое хорошо согласуется с результатами по рассеянию на потенциале водородоподобного атома, а также с результатами эксперимента'

Исследована поперечная и продольная проводимость электронного 3£)—газа, номегценного в магнитное поле, в линейном приближении по полю и концентрации точечных примесей' Показано, что в квазиклассическом пределе поперечная проводимость имеет острые и глубокие минимумы, а продольная - острые и высокие максимумы в точках пересечения уровней Ландау и уровня Ферми; эти экстремумы не связаны с особенностями плотности состояний, а обусловлены особенностями амплитуды рассеяния'

Изучен кондактанс двумерного сужения, помеш,енного в перпендикулярное по отношению к плоскости конфайнмента магнитное поле в случае, когда точечная примесь расположена в "узком горле"сужения' Рассмотрены параметры резонанса Брейта-Вигнера и осцилляции коэффициента прохождения'

Изучен квазибаллистический и диффузный транспорт в трехмерной параболической проволоке в продольном магнитном поле при рассеянии на одиночной точечной примеси и системе примесей' Показано, что наличие одиночной примеси приводит к резонансным пикам вблизи порогов ступеней, а если примесей несколько, то возникает серия пиков' В этом случае число пиков в окрестности порогов определяется расстоянием между примесями и энергией электрона' Такое поведение качественно согласуется с экспериментом'

Для диффузного транспорта в проволоке показано, что зависимость продольной проводимости от магнитного поля носит осцилляционный характер, причем широкие минимумы на кривой разделены неэквидистантными пиками в виде всплесков'

Найден кондактанс трехмерного микросужения, номегценного в магнитное поле' Исследован случай, когда квантование кондактанса разрушается точечной примесью, находящейся в микросужении' Показано, что кривая зависимости кондактанса от энергии электрона содержит изломы на порогах тех ступеней, для которых существенно рассеяние' Эти изломы содержат резко выраженный вертикальный отрезок на этой кривой'

1. K.Richter, D.UUmo, R.A.Jalabert// Physics Reports.- 1999.- Vol.276.-P.l

2. R.MerHn // Solid State Commun.- 1987.- Vol.64.- P.99

3. W.Beinvogi, G.F.Koch // Phys.Rev.Lett.- 1978.- Vol.40.- P.1736

4. H.A.Brummel, M.K.Hopkins et al.// J.Phys.C- 1986.- Vol.19. P.L107

5. A.D.Wiech, J.C.Maan // Phys.Rev.B.- 1988.- Vol.35.- P.4145

6. B.Huckestein, R.Kummel// Phys.Rev.B.- 1988.- Vol.36.- P.8215

7. V.Meir, O.Entin-Wohlman, Y.Gefen // Phys.Rev.B.- 1990.- Vol.42.- P.8351

8. S.Markiewicz, M.Meskoob, B.Maheswaran // Surf.Sci.- 1988.- Vol.196.- P.707 9] A.Feldman, A.H.Kahn// Phys.Rev.B.- 1970.- Vol.1.- P.4584

9. Л.И.Магарилл, А.В.Чаплик// Письма в ЖЭТФ.- 1999.- Т.70.- С.607

10. D.Yoshioka and H.Fukuyama. Transport Phenomena in Mesoscopic Systems.// Eds. H.Fukuyama and T.Ando// Springer Series in Solid-State Sciences.- BerlinHeidelberg; 1992.- Vol.109

11. G. Marx and Kümmel.// J. Phys.Condens.Matter.- 1991 Vol.3.- P.8237

12. E. Gornik, R. Lassnig et al.// Phys.Rev.Lett.- 1985.- Vol.54.- P.1820

13. F. von Oppen// Phys.Rev.B.- 1994.- Vol.50.- P.17151 15] А.В.Чаплик// Письма в ЖЭТФ.- 1989.- Т.-50.- С.38

14. U.Merkt, J.Huser, and M.Wagner// Phys.Rev.B.-1991.- Vol.43.- P.7320

15. M.Wagner, U.Merkt, and A.V.Chaphk// Phys.Rev.B.- 1992.- Vol.45.- P.1951

16. J.-J.S. De Groóte, J.E.M.Hornos, and A.V.Chaplik// Phys.Rev.B.- 1992.- Vol.46.- P.12773

17. B.Huckestein, R.Kummel// Z.Phys.B.- 1987.- Vol.66.- P.475

18. B.Meurer, D.Heitmann and K.Ploog// Phys.Rev.B.- 1993.- Vol.48.- P.11488

19. N.F.Johnson and M.S.Payne// Phys.Rev.Lett.- 1991.- Vol.67.- P.1157

20. D.Pfannkuche, V.Gudmundsson and P.A.Maksym// Phys.Rev.B.- Vol.47.- P.2244

21. M.F.Lin and K.W.-K.Shung// Phys.Rev.B.- 1995.- Vol.52.- P.8423

22. C.L.Foden, M.L.Leadbeater et al.// J.Phys.Cond.Matt.- 1994.- Vol.6.- P.L127

23. C.L.Foden, M.L.Leadbeater and M.Pepper// Phys.Rev.B.- 1995.- Vol.52.- P.8646

24. H.Aoki, H.Suezawa// Phys.Rev.A.- 1992.- Vol.46.- P.R1163

25. В.М.Набутовский, Д.А.Романов// ЖЭТФ.- 1986.- T.90.- C.232

26. В.В.Роткин, Р.А.Сурис// ФТТ.- 1994.- Т.36.- С.3569

27. Л.И.Магарилл, Д.А.Романов, А. В. Чаплик// Письма в ЖЭТФ.- 1996.- Т.64.- С.421

28. Л.И.Магарилл, Д.А.Романов, А.В.Чаплик// ЖЭТФ.- 1998.- Т.113.- С.1411

29. Yu.N.Ovchinnicov, W.Lehle and A.Schmid// Ann.Phys.- 1997.- Vol.6.- P.489

30. H.Ajiki and T.Ando// J.Phys.Soc.Japan.- 1993.- Vol.62.- P.1255

31. P.A.Maksym and T.Chakraborty// Phys.Rev.Lett.B.- 1990.- Vol.65.- P.108 '

32. Ju H.Kim, I.D.Vagner, and B.Sundaram// Phys.Rev.B.- 1992.- Vol.46.- P.9501 35] D.N.Aristov// Phys.Rev.B.- 1999.- Vol.59.- P.6368

33. D.N.Aristov// Phys.Rev.B.- 1999.- Vol.60.- P.2851

34. G.N.Murthy and A.Auerbach// Phys.Rev.- 1992.- Vol.46.- P.331

35. A.Wojs and J.J.Quinn// Physica E.- 1998.- Vol.3.- P.181

36. S.Chakravarty and Kivlson// Europhys.Lett.- 1991.- Vol.16.- P.752

37. S.Chakravarty, M.P.Gelfand and Kivlson// Science.- 1991.- Vol.254.- P.970

38. S.White, S.Chakravartyet al.// Phys.Rev.B.- 1992.- Vol.45.- P. 5062

39. А.А.Звягин, И.В.Криве// ФНТ.- 1995.- T.21.- C.687

40. L.P.Levi, G.Dolan, J.Dunsmuir, H.Bouchiat// Phys.Rev.Lett.B.- 1990.- Vol.64.- P.2074

41. И.О.Кулик// Письма в ЖЭТФ.- 1970.- Т.П.- С.407

42. D.Mailly, C.Chapelier and A.Beroit// Phys.Rev.Lett.- 1993.- Vol.70.- P.2020

43. V.Chandrasekhar, R.A.Welb, M.J.Brady et al.// Phys.Rev.Lett.- 1999.- Vol.67.- P.3578 47] М.В.Москалец// Письма в ЖЭТФ.- 1999.- Т.70.- С.595

44. M.V.Moskalets// Physica E.- 1999.- Vol.4.- P.17

45. H.F.Cheung, Y.Gefen and E.K.Riedel// Phys.Rev.Lett.- 1989.- Vol.62.- P.587

46. E.K.Riedel and H.F.Cheung// Phys.Scr.- 1989.- Vol.25.- P.357

47. Y.Avishai, M.Kohmoto// Phys.Rev.Lett.- 1993.- Vol.71.- P.279

48. W.-C.Tan, J.C.Inkson// Phys.Rev.B.- 1999.- Vol.60.- R5626

49. M.Buttiker, Y.Imry, and R.Landauer// Phys.Lett.- 1983.- Vol.96A.- P.365

50. Б.Л.Альтшулер, А.Г.Аронов, Б.З.Спивак// Письма в ЖЭТФ.- 1981.- Т.ЗЗ.- С.101

51. Б.Л.Альтшулер, А.Г.Аронов и др.// Письма в ЖЭТФ.- 1982.- Т.35.- С.476 56] Л.И.Магарилл, А.В.Чаплик// ЖЭТФ.- 1999.- Т.115.- С.1478

52. Y.Avishai, Y.Hatsngai and M.Kohmoto// Phys.Rev.B.- 1993.- Vol.47.- P.9501

53. G.Bouzerar, D.Poilblanc and G. Montambaux// Phys.Rev.B.- 1994.- Vol.49.- C.8258

54. G.Kurczenow// Superlattices Microstract.- 1994.- Vol.14.- P.237

55. G.Montambaux// Phys.Rev.B; H.Bouchiat, D.Sigeti and R.Friesner// Phys.Rev.B.- 1990.-Voi.42.-R7647

56. D.Eliyahu, R.Berkovits et al.// Phys.Rev.B.- 1994.- Vol.49.а P.14448 62] H.-F.Cheung, Y.Gefen et al.// Phys.Rev.B.- 1988.- Vol.37.- P.6050

57. T.Chakraborty and P.Pietilainen// Phys.Rev.B.- 1994.- Vol.50.- P.8460

58. L.Brey, N.E.Johnson, B.J.Halperin// Phys.Rev.B.- 1989.- Vol.40.-P. 10647

59. K.Karrai, H.D.Drew, M.W.Lee// Phys.Rev.B.- 1989.- Vol.39.- P.1426

60. Q.P.Li, K.Karrai et al.// Phys.Rev.B.- 1991.- Vol.43.- P.5151

61. S.J.Allen, H.L.Stormer et al.// Phys.Rev. В.- 1983.-Vol.28.- P.4785

62. J.Alsmeier, E.Batke and J.P.Kottaus// Phys.Rev. В.- 1990.- Vol.41.- P.1699

63. A.V.Madhav, T.Chakraborty// Phys.Rev.B.- 1994.- Vol.49.- P. 8163

64. T.Demel, D.Heitmann et al.// Phys.Rev.Lett.- 1990.- Vol.64.- P.788

65. D.Huang, G.Gumbs, N.Horing// Phys.Rev.B.- 1994.- Vol.49.- P.11463

66. A.H.MacDonald, C.Kallin// Phys.Rev.- 1989.- Vol.B40.- P.5795

67. C.Dahl, F.Brinkop et al.// Sol.State Comm.- 1991.- Vol.80.- P. 673

68. И.П.Ипатова, А.Ю.Маслов, О.В.Прошина// ФТТ.- 1995.- Т.37.- С 1819

69. L.Wendler, V.G.Grigoryan// Physica.- 1998.- Vol.B245.- R127

70. Б.С.Монозон// ФТТ.- 1993.- T.35.- C.3068

71. A.M.Alcalde and G.Weber// Phys.Rev.B.- 1997.- Vol.56.- P.9619

72. A.Grincwajg, M.Jonson, R.I.Shekhter// Phys.Rev.- 1994.- Vol.B49.- P.7557

73. Rui Q.Yang, J.M.Xu// Phys.Rev.- 1994.- Vol.B50.- P.7474

74. L.V.Butov, A.A.Shashkin, V.T.Dolgopolov et al.// Phys.Rev.- 1999.- V0I.B6O.- P.8753

75. S.Blom, L.Y.Gorelik et al.// Phys.Rev.- 1998.- Vol.B58.- P.16305

76. A.Lorke, R.J.Luyken et al.// Phys.Rev.Lett В.- 2000.- Vol.84.- P.2223

77. A.Puente end L.Serra// Phys.Rev.B.- 2001.- Vol.84.- P.125334

78. L.Wendler, V.M.Fomin, A.V.Chaplik and A.O.Govorov// Phys.Rev. В.- 1996.- Vol.54.-P.4794

79. Э.П.Синявский, А.М.Русанов// ФТТ.- 1998.- T.40.- С.1126

80. Е.А.Мазур// ФТТ.- 1987.- Т.21.- С.694

81. М.Д.Блох, О.М.Лешко, Е.М.Шервгий// Письма в ЖЭТФ.- 1998.- Т.48.- С.215

82. В.Д.Кревчик, Р.В.Зайцев// ФТТ- 2001.- Т.43.- С.504

83. B.J.Van Wees, H.Van Houten et al.// Phys.Rev.Lett.- 1998.- Vol.60.- P.848

84. D.A.Wharam et al.// J.Phys.C- 1998.- Vol.21.- P.209

85. M.Biittiker// Semicond. Semimet.-1992.- Vol.35.- P.19

86. C.W.J.Beenakker, H.Van Houten in: H.Ehrenrech, D.TurnbuU (Eds.)// Solid State Physics.- Academic Press, New York,: 1991.- Vol.44.- P.83

87. D.K.Feery, S.M.Godnick// Transport in Nanjstructures. -Cambridge: University Press. Cambridge.- 1997

88. R.Landauer// Phil.mag.- 1970.- Vol.21.- P.863

89. M.Buttiker and al.// Phys.Rev.B.- 1985.- Vol.31.- P.6207

90. M.Buttiker// Phys.Rev.B.- 1998.- Vol.38.- P.9375

91. J.Voit// Rep.Prog.Phys.- 1995.- Vol.58.- P.997

92. S.Tarucha et al.// Sol.Stat.Comm.- 1995.- Vol.94.- P.413

93. D.L.Masol and M.Store// Phys.Rev.B. 1995.- Vol.52. - P.R5536

94. V. V.Ponomarenko// Phys.Rev.B.- 1995.- Vol.52.- P.R8666

95. L.LGlazman et al.// Phys.Rev.B.- 1992.- Vol.45.- P.8454

96. V.A.Sablikov and Y.Gindikin// Phys.Rev.B.- 2000.- Vol.61.- P.1276

97. V. A.Sablikov and B.S.Shchamkhalova// Phys.Rev.B.- 1998.- Vol.58.- P.13847

98. V.A. Sablikov, S.V.Polykov and M.Buttiker// Phys.Rev.B.- 2000.- Vol.61. P.13763

99. В.Б.Шикин// ЖЭТФ. 1992.- T.lOl.- C.1599

100. В.Б.Шикин// Письма в ЖЭТФ. 1989.- Т.5 0.- С.188

101. В.Б.Шикин, Т.Демель, Д.Т.Хайтман// ЖЭТФ.- 1989.- Т.96.- С.1406

102. C.S.Chu, R.S.Sorbello// Phys.Rev.B.- 1989.- Vol.40.- P.5941

103. T.Martin and S.Feng// Phys.Rev.Lett.- 1990.- Vol.64.- P.1971

104. C.J.Ford, S.Washburn, M.Buttiker et al.// Phys.Rev.Lett.- 1989.- Vol.62.- P.2724

105. E.N.Bogachek, A.G.Scherbakov and U.Landman// Phys.Rev.- 1997.- Vol.B56.- P.14916

106. E.Tekman and S.Ciraci// Science and Engineering of One and Zerodimensional Semiconductors. / Ed: Beaumomp et.al.// Plenum Press.- N.Y.,: 1991.- etc.99

107. W.B.Jian et al.// Phys.Rev.B.- 1999.- Vol.59.- P.3168

108. A.G.Scherbakov, E.N.Bogachek and U.Landman// Phys. Rev.- 1996.- Vol.B53.- P.4054 115] A.G.Scherbakov, E.N.Bogachek and U.Landman// Phys.Rev.- 1998.- Vol.B57.- P.6654

109. Л.И. Глазман, Г.Б. Лесовик и др. // Письма в ЖЭТФ. 1988.- Т.48.- С.218

110. Л.И. Глазман, А.В. Хаецкий// Письма в ЖЭТФ.- 1998.- Т.48.- С.546

111. T.Costyrko, M.Bartowiak, G.D.Mahan// Phys.Rev.B.- 1999.- Vol.59.- P.3241 119] H.J.Choi and J.Ihm// SoUd State Commun.- 1999.- Vol.111.- P.385

112. U.Landman, W.D.Luedtke et al.// Science.- 1990.- Vol.248.- P.454

113. Е.Н.Богачек, А.М.Загоскин и И.О.Кулик// ФНТ.- 1990.- Т.16.- С.1404

114. L.Olesen, E.Laegsgaard et al.// Phys.Rev.Lett.- 1994.- Vol.72.- P.2251

115. N.Agrait, J.G.Rodrigo and S.Vieira// Phys.Rev. В.- 1993.- Vol.47.- P.12345

116. M.Buttiker// Phys.Rev.- 1990.- Vol.B40.- P.7906

117. L.Chico, L.X.Benedict et al.// Phys.Rev.B.- 1996.- Vol.54.- P.2600

118. A.V.Chaplik, L.LMagarill D.A.Romanov// Physica В.- 1998.- Vol.249.- P.377

119. Д.А.Зубок, И.Ю.Попов// Письма в ЖЭТФ.- 1999.- Т.25.- С.42 128] J.J.Palacios et al.// Nanjtechnology.- 2001.- Vol.12.- P.160

120. G.Ya. Slepyan et al.// Phys.Rev.B.: 1999.- Vol.60.- P.17136

121. Y.Hraymaet al.//Phys.Rev.B.- 1989.-Vol.39.-P.5535

122. J.Faist, P.Gueret and H.Rothuizen// Phys.Rev.- 1986.- Vol.B42.- P.3217

123. G.L.Timp and R.E.Howard// Proc.IEEE.- 1991.- Vol.79.- P.1188

124. J.Masck and B.Ramor// Z.Phys.B.- 1989.- Vol75.- P.37

125. J.Masck et al.// J.Phys.Cond.Matt.- 1989.- Vol.1.- P.6395

126. D.van Marel and E.G.Haanapel// Phys.Rev.B.- 1989.- Voi.39.- P.7811

127. I.Kandler et al.// Phys.Rev.B.- 1990.- Vol.41.- P.12941

128. A.Kumar and R.F.Bagwell// Phys.Rev.B.- 1991.- Vol.43.- P.9012

129. A.Kumar and R.F.Bagwell// Sol.Stat.Comm.- 1990.- Vol.75.- P.949

130. A.Mixson et al.// Phys.Rev.B.- 1991.- Vol.43.- P.12638

131. S.A.Gurvitz and Y.B.Levinson// Phys.Rev.B.-1993.- Vol.47.- P:10578

132. E.V.Sukhorukov et al.// Phys.Rev.B.- 1994.- Vol.49.- P.17191

133. A.Haque and A.N.Khonder// Phys.Rev.B.- 1995.- Vol.52.- Р.Ш93

134. C.S.Chu and M.H.Chou// Phys.Rev.B.- 1994.- Vol.50.- P.14212

135. P.L.McEuen, B.W.Alphenaur et al.// Surf.Sci.- 1990.- Vol.312.- P.229

136. P.F.Bagwell// Phys.Rev.- 1990.- Vol.B41.- P.10354

137. A.Kumar and P.F.Bagwell// Phys.Rev.- 1991.- Vol.44.- P.1747

138. М.Б.Левинсон, М.И.Любин, Е.В.Сухоруков// Письма в ЖЭТФ.- 1991.- Т.54.- С.405

139. Y.B.Levinson, M.I.Lubin and E.V.Sukhorukov// Phys.Rev.B.- 1992.- Vol.45.- P.11976

140. M.W.Dellow, P.H.Beton et al.// Phys.Rev.Lett.- 1992.- Vol.68.- P.1754

141. А.И.Ансельм, Б.М.Аскеров // ФТТ.- 1961.- T.3.- C.3668

142. E.Adams and T.Holstein// J.Phys.Chem.Solids.- 1959.- Vol.10.- P.254

143. В.Г.Скобов// ЖЭТФ.- I960.- T.38.- C.1305

144. В.Г.Скобов// ЖЭТФ.- 1959.- Т.37.- С.1467

145. С.В.Пелетминский// ФММ.- 1965.- Т.20.- С.777

146. П.С.Зырянов, М.И.Клингер// Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках.- М.: Наука, 1976

147. Т.Андо, А.Фаулер, Ф.Стерн!/ Электронные свойства двумерных систем.- М.: Мир, 1985

148. И.М.Лифшиц, А.М.Косевич// ДАН СССР.- 1953.- Т.91.- С.795

149. Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц// Статистическая физика.- Ч.1.- М.: Наука, 1976

150. С.С.Недорезов// ЖЭТФ.- 1973.- Т.64.- С.624

151. С.С.Недорезов// ЖЭТФ.- 1974.- Т.67.- С. 1544

152. С.С.Недорезов// ФНТ.- 1986.- Т.6.- С.924

153. А.А.Абрикосов// Основы теории металлов.- М.: Наука, 1987

154. И.А.Малкин, В.И.Манько// Динамические симметрии и когерентные состояния квантовых систем.- М.: Наука, 1979

155. А.М.Переломов// Обобщенные когерентные состояния и их применение.- М.: Наука, 1987

156. А.В.Елецкий, Б.М.Смирнов// УФН.- 1995.- Т.165.- С.977

157. В.И.Арнольд// УМН.- 1963.- Т.18.- С.81

158. P.Byszewski, M.Baran// Europhys. Lett.- 1995.- Vol.31.- P.363

159. X.K.Wang, R.P.Chang et al.// J.Mat.Res.- 1995.- Vol.9.- P.6

160. K.Nakamura, H.Thomas// Phys.Rev.Lett.- 1988.- Vol.61.- P.247

161. K.Nakamura, K.Ito, Y.Takane// J.Phys.Soc.Japan.- 1994.- Vol.63.- P.3210

162. P.A.Maksym and T.Chakraborty// Phys.Rev.Lett.- 1990.- Vol.65.- P.108 Phys.Rev.B.-1992.- Vol.45.- P. 1947

163. M.C.Gutzwiller// Chaos in classical and quantum mechanics.- New York: 1990 173] М.И.Рабинович, A. Л.Фабрикант, Л. С.Зимринг// УФН.- 1992.- Т.162.- Cl

164. И.М.Лифшиц, М.Я.Азбель, M.И.Каганов// Электронная теория металлов.- М.: Наука, 1971

165. Е.М.Лифшиц, Л.П.Питаевский// Статистическая физика, Ч.1.- М.: Наука, 1971

166. Я.В.Татаринов// Лекции по классической динамике. М.: МГУ, 1984

167. А.П.Прудников, Ю.А.Брычков и О.И.Маричев// Интегралы и ряды.- М.: Наука, 1981

168. Я.М.Блантер, М.И.Каганов, Д.В.Посвянский// УФН.- 1995.- Т.165.- С.213

169. Д.Шенберг// Магнитные осцилляции в металлах.- М.: Мир, 1986

170. J.H.Oh, K.J.Chang et al.// Phys.Rev.B.- 1994.- Vol.50.- P.15397

171. K.F.Roth// Mathematika.- 1995.- Vol. 2.- P.l

172. H.Aoki and H. Suezawa// Phys.Rev.A.- 1992.- Vol.46.- P.R1163

173. А.Мессиа/1 Квантовая механика.- М.: Наука, 1979

174. K.Jauregui, V.I.Marchenko, I.D.Vagner// Phys.Rev.B.- 1990.- Vol.41.- P.12922

175. Г.Вейтман, А.Эрдейн// Высшие трансцендентные функции.- Т.1.- М.: Наука, 1973

176. Анселъм А.И.// Введение в теорию полупроводников.- М.: Наука, 1978

177. S.A.J.Wiegers, M.Specht et al.// Phys.Rev.Lett.- 1997.- Vol.79.- P.3238 1997

178. T.Ando// J.Phys.Coc.of Japan.- 1978.- Vol.44.- P.765

179. T.Ando// Phys.Rev.B.- 1979.- Vol.19.- P.2106

180. C.T.Liu, K.Nakamuraet al.// Appl.Phys.Lett.- 1989.- Vol.55.- P.168

181. Ф.ТВасс, И.Б.Левинсон// ЖЭТФ.- 1965.- T.49.- C.914

182. Р.К.Баканас, Ф.Г.Васс, И.Б.Левинсон// ФТП.- 1978.- Т.12.- С.1457

183. КК.Баканас// ФТТ.- 1970.- Т.12.- С.3408

184. H.Froluh// Adv.in Phys.- 1954.- Vol.3.- P.325

185. S.Visvanathan// Phys.Rev.- I960.- Vol.120.- R376

186. Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц// Квантовая механика.- М.: Наука, 1989

187. J.Williamson// Amer.J.Math.- 1936.- Vol.58.- Р.141

188. Q.P.Li, K.Karai et al.// Phys.Rev.B.- 1991.- Vol.43.- P.5151

189. J.I.Pascual, J.Mendez et. al.// Phys.Rev.Lett.- 1993.- Vol.71.- P.1852

190. J.I.Pascual, J.Mendez, et. al.// Science.- 1995.- Vol.267.- P.1793; J.Vac.Sci.Technol. B.-1995.- Vol.13.- P.1280

191. N.Buttiker, Y.Imry, R.Landauer// Phys.Lett.- 1983.- Vol.96A.- P.365

192. B.Shapiro, Y.Imry, M. Ya.Azbel// Phys.Rev.Lett.- 1983.- Vol. 50.- P.747

193. M.Buttiker, Y.Imry, M.Ya.Azbel// Phys. Rev.- 1984.- Vol.A.30.- P.1983

194. Y.Avishai, J.M.Luck// Phys.Rev.- 1992.- Vol.B.45.- P.1074

195. Y.Gefen, Y.Imry, M.Ya.Azbel// Phys.Rev.Lett.- 1984.- Vol.52.- P.139

196. Альбеверио С, Гестези Ф. и др.// Решаемые модели в квантовой механике.- М.: Мир, 1991

197. Erginsoy// Phys.Rev.- 1950.- Vol.79.- Р.8351

198. D.Mattis, D.Sinha // Ann.Phys.- 1970.- Vol.61.- P.214

199. М.И.Ансельм // ЖЭТФ.- 1953.- T.24.- C.83

200. N.Sclar // Phys.Rev.- 1956.- Vol.104.- P.1548

201. T.McGill, R.Baron // Phys.Rev.- 1975.- Vol.11.- P.5208

202. A.Temkin, J.C.Lamkin // Phys.Rev.- 1961.- Vol.121.- R788213 214 [215 [216217218 219 [220 [221 [222 223 [224 [225 226227228229230 231 [232 [233 [234 [235236 237 [238 [239240 241 242

203. H.M.A.El-Ghamen, B.K.Ridley // J.Phys.C.-1980.- Vol.13.- R2041 Б.Ридли /1 Квантовые процессы в полупроводниках.- М.: Мир, 1986 F.Stern, W.E.Howard // Phys.Rev.- 1967.- Vol.163.- P.816

204. A.И.Базь, Я.Б.Зельдович, А.М.Переломов// Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике.- М.: Наука, 1971

205. Ю.Н.Демков, В.Н.Островский // Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике.- Л.: Изд-во ЛГУ, 1975

206. Е.М.Лифшиц, Л.П.Питаевский // Физическая кинетика.- М.: Наука, 1979

207. B.Кон, Дж.Люттингер // Физическая кинетика.- М.: ИЛ, 1961 С.М.Гинзбург // ЖЭТФ.- 1972.- Т.63.- С.2264 B.S.Pavlow// Lect.Notes Phys.- 1989.- Vol.324.- R241

208. B.А.Гейлер, В.А.Маргулис// ТМФ.- 1987.- Т.70.- С.192 J.K.Jain and S.A.Kivelson// Phys.Rev.Lett.- 1988.- Vol.60.- P.1542 T.Martin and S.Feng// Phys.Rev.Lett.- 1990.- Vol.64.- P.1971 S.B.Kaplan, A.C.Warrer// Phys.Rev.B.- 1986.- Vol.34.-P. 1346

209. C. W. J.Beenakker, H.VanHouten in: H.Ehrenrech, D.TurnbuU (Eds.), Solid State Physics.-New York: Academic Press, 1991.- VoL44.- P.83

210. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис// ТМФ.- 1984.- T.58.- C.461 B.A.Lippmann// Phys.Rev.Lett.- 1965.- Vol.15.- P.ll В.А.Гейлер, В .А.Маргулис// ТМФ.- 1984.- T.61.- С.140

211. Справочник по специальным функциям.- Под ред. М.Абрамовица, И.Стиган// М.: Наука, 1979

212. N.Kokiantonis, D.P.L.Castrigiano// J.Phys.A: Math.Gen.- 1985.- Vol.18.- P.45

213. F.Urrutia, C.Manterola// Intern.J.Theor.Phys. 1986.- Vol.25.- P.75

214. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис, А.Г.Несмелов, И.И.Чучаев// ФТТ.- 1994.- Т.36.- С.1994

215. V.A.Geyler and V.A.Margulis// Phys.Rev.B.- 1997.- Vol.55.- P.2543

216. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис, О.Б.Томилин// Письма в ЖЭТФ.- 1996.- Т.63.- С.549

217. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис, И.В.Чудаев// ЖЭТФ.- 1996.- Т.109.- С.762

218. L.LFilina, V.A.Geyler, V.A.Margulis and O.B.Tomilin// Phys.Lett.A.- 1998.- Vol.244.-R295

219. D.V.Bulaev, V.A.Geyler, V.A.Margulis// Phys.Rev.B.- 2000.- Vol.62.- P.11517

220. В.А.Гейлер, В. А.Маргулис, А. В .Шорохов// ЖЭТФ.- 1999.- Т.115.- С.1450

221. V.A.MarguUs, A.V.Shorokhov, M.RTrushin// Phys.E.- 2001.- Vol.10.- P.518

222. В.А.Маргулис// ЖЭТФ.- 1997.- T.Ul.- C.1092

223. V.A.Geyler, V.A.Margulis, A.V.Shorokhov// Phys.Rev.B.- 2001.- Vol.63.- P.245316

224. Н.ТГалкин, В.А.Маргулис, А.В.Шорохов.// ФТТ.- 2001.- Т.43.- С.511

225. V.A.Geyler and V.A.MarguUs// Phys.E.- 1999.- Vol.4.- P.128

226. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис// ФТП.- 1999.- Т.ЗЗ.- С.1141

227. V.A.Geyler and V.A.Marguhs // Phys.Rev.- 2000.- V0I.B6I.- P.1716

228. Н.Г.Гаякин, В.А.Гейлер, В.А.Маргулис// ЖЭТФ.- 2000.- Т.117.- С.593

229. V.A.Margulis, A.V.Shorokhov, M.RTrushin// Phys.Lett.A.- 2000.- Vol.276.- P.180

230. J.Brüning, V.A.Geyler, V.A.Margulis, and M.A.Pyataev// 9th Int. Symp. "Nanostruc-tures: Physics and Technology": St. Petersburg, 2001.- P. 367

231. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис, И.И.Чучаев// ФТТ.- 1995.- Т.37.- С.837

232. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис, И.В.Чудаев, И.И.Чучаев// ЖЭТФ.- 1995.- Т.107.- С.187

233. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис, И.И.Чучаев// Письма в ЖЭТФ.- 1993.- Т.58.- С.668

234. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис// ЖЭТФ.- 1997.- Т.Ш.- С.2215

235. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис, Л.И.Филина// ЖЭТФ.- 1998.- Т.113.- С.1376

236. Н.ТГалкин, В.А.Гейлер, В.А.Маргулис// ЖЭТФ.- 2000.- Т.118.- С.223

237. В.А.Маргулис, И.И.Чучаев //2 Российская конф. по физике полупроводников: Тезисы докл.- Т.2.- С.-Петербург, СПбГТУ; 1996.- С.180

238. В.А.Гейлер, В.А.Маргулис //1-ая Международная конференция "Химия высокор-ганизованных веществ и научные основы нанотехнологии": Авторефераты докладов, часть III.- С.-Петербург, НИИХ СПбГУ; 1996.- С.413

239. В.А.Маргулис // 1-ая Международная конференция "Химия высокорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии": Авторефераты докладов, часть III.- С.Петербург, НИИХ СПбГУ; 1996.- С.493

240. V.A.Margulis //XII Conference on Solid State Crystals, Matherial Science and AppL: Zakopane, Poland. Warsaw, 1996.- P.D20

241. V.A.Geyler, V.A.Margulis, O.B.Tomilin, I.I.Chuchaev // The 3rd International Workshop in Russia "FuUerenes and Atomic Clusters"IWFAC'97: Abstracts of invited lectures and contributed papers.- St.Petersburg, 1997.- P.lOl

242. I.I.Chuchaev, V.A.Margulis, A.V.Shorokhov, and S.E.Kholodova// International Conference "Physics at the Turn of the 21st Century": loffe Institute, St.Peterburg, 1998.- P.49

243. V.A.Geyler, V.A.MarguHs.//International Conference "Physics at the Turn of the 21st Century": loffe Institute, St.Petersburg, 1998.- P.97

244. V.A.Geyler, V.A.Margulis, O.B.TomiUn, I.I.Chuchaev// International Congress "XVI Mendeleev congress on general and applied chemistry": The organizing Committee of the XVI Mendeleev Congress on General and Applied Chemistry.- Moscow, 1998.- P.265

245. D.V.Bulayev, V.A.Geyler, V.A.Margulis// IV Biennal International Workshop in Russia "FuUerenes and Atomic Clusters":- St.Peterburg, 1999.- P. 165

246. V.A.Geyler, V.A.MarguUs// Stochastic Processes, Physics and Geometry: New Interplays. A Volume in Honor of Sergio Albeverio. Proc. Int. Conf. "Infinite Dimensional (Stochastic) Analysis and Quantum Physics":- Leipzig, 1999.- Vol.2

247. В.А.Маргулис, М.П.Трушин, A.В.Шорохов// 32 Всероссийское совещание по физике низких температур: Казань, 2000.- С.78

248. Н.Г.Галкин, В.А.Гейлер, В.А.Маргулис// 32 Всероссийское совещание по физике низких температур: Казань, 2000.- С.80

249. V.A.MarguUs, A.V.Shorokhov, M.P.Trushin// Евро-Азиатский симпозиум "Прогресс в м а гн е т и з м е" Е А З Т М А С 2 0 01: Екатеринбург, 2001.- С.341

250. D.V.Bulaev, V.A.Geyler, and V.A.MarguUs// 5th Biennial International Workshop in Russia "FuUerenes and Atomic Clusters": St. Petersburg, 2001.- P.301

251. N.G.Galkin, V.A.Margulis, and A. V. Shorokhov// 5th Biennial International Workshop in Russia "FuUerenes and Atomic Clusters": St. Petersburg, 2001.- P.124

252. В.А.Маргулис, М.П.Трушин, A.B.Шорохов// 5 Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов.- Нижний Новгород, 2001.- Т.2.- С.342