Механизмы проводимости пленок фуллеренов С60 и С70 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ргб оа

1 3

российская академия наук

ФИЗЖО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им.А.Ф.ИОФФЕ

На правах рукописи

НЕМЧУК Николай Игоревич

МЕХАНИЗМЫ ПРОВОДИМОСТИ ПЛЕНОК ФУЛЛЕРЕНОВ С60 И С?0

(01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 1996

Работа выполнена в

Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН.

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук

А.Я.Буль.

Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

доктор физико-математических наук, профессор В.К.Адамчук, доктор физико-математических наук В.Г.Голубев. Санкт-Петербургский государственный технический университет.

Защита состоится' " 2_" сур/^ 1996 года в /Гчасов на засед ши специализированного совета К.003.23.01 Физике технического института им. А.Ф.Иоффе РАН. по адресу: 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., д.2в.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке

ФГИ им.А.Ф.Иоффе РАН. Автореферат разослан "22" «дуу-'^-У*' 1996 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат физико-математических наук

Г.С.Куликов

общая характеристика работы

Актуальность теш. С начала 90-х годов объектом

интенсивных исследований в физике твердого тела становятся новые материалы, образованные из фуллеренов - третьей аллотропной модификации углерода [1]. В этих материалах кристаллическая матрица состоит из макромолекул углерода, 'имеющих форму замкнутых сфероидальных кластеров.

Теоретические оценки(2-4)и полученные к настоящему рремэ-ни экспериментальные результаты (5,6) указывают на то, что материалы на основе фуллереновых кластеров С60 и представляют собой полупроводники с шириной запрещенной зоны 1.5 - 2 эВ. Прогноза, сделанные в последнее время, предполагают интенсивное использование фуллереновых материалов в полупроводниковой электронике [7,8] и опт'оэлектронике [9,101, однако к моменту начала работы (1993 г.) данные . об основных, с точки зрения полупроводниковой электроники, параметрах (ширина запрещенной зонн, кристаллическая структура пленок фуллеренов, механизмы электропроводности) были ограничены и противоречивы . Это и послужило основанием для постановки задачи в диссертационной работе.

В литература имеются многочисленные, но существенно различающиеся экспериментальные данные, относящиеся к ширине запрещенной зоны, подвижности, эффективной массе [11,12). Особенностью данной работы является определение основных электрофизических параметров в едином цикле электрических, оптических и структурных исследований, направленном на установление энергетической зонной модели тонких пленок фуллеренов.

Одной из причин, препятствующих широкому приборному применению фуллереновых материалов, является то, что

атмосферный кислород, легко проникая в "глуОь пленок и кристаллов, уменьшает их проводимость на 4 - 5 порядков [13-15]. Во многом остаются неисследованными как механизм влияния кислорода на электрические и структурные свойства фуллеренов, так и способы их защиты от влияния внешней среды.

Целью работы являлось исследование электрических свойств наиболее распространенных фуллеренов С60 и С70, выявление общих закономерностей и специфических особенностей протекания тока в пленках Сб0 и С70, анализ результатов с точки зрения зонной структуры материала и исследование изменений зонной структуры в результате воздействия кислорода.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем.

. 1. Впер_ые получены значения характерных энергий и предэкспоненциальных множителей для различных механизмов проводимости в пленках и С70.

2. Впервые описаны параметры и свойства поверхностного слоя, обогащенного кислородом, в пленках Сб0 и С70.

3. Показано- влияние молекулярного кислорода на электрические и структурные свойства фуллереновых материалов и "¡первые предложена модель воздействия кислорода на проводимость.

4. Обнаружен структурный фазовый переход, возникающий в пленках Сб0 в области температур 400 - 500 К.

Практическая значимость. , .

Получение в работе экспериментальные результаты по электропроводности пленок С60 и С70 и влиянию окружающей атмосферы на величину проводимости, а таете предложенные

модели, описывающие роль кислорода в электропроводности пленок, позволяют определить 'область применения нелегированных пленок фуллеренов в электронике, что и определяет практически важные результаты работы.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Температурные зависимости проводимости пленок Сб0 и в интервале 100 - 500 К описываются феноменологической

формулой, состоящей из трех слагаемых, отвечающих различным механизмам: зонной проводимости, прыжковой проводимости, переносу тока носителями с энергией вблизи уровня Ферми.

2. В области 300 - 500 К доминирующим механизмом проводимости в пленках' С?0 является транспорт носителей, возбужденных в область дэлокализованных состояний с энергией активации, соответствующей, половине запрещенной зоны, в то время, как в С&0 вклад этого механизма не является основным.

3. В области 200 - 300 К в вакууме в пленках фуллеренов С60 и С70 на0люДает°я существенный вклад прыхкового механизма переноса заряда носителями, возбужденными на уровни локализованных состояний в запрещенной зоне, находящиеся на расстоянии 0.20 и 0.22 эВ от уровня Ферми для Сб0 и С70 соответственно.

4. В интервале температур 100 - 200 К в вакууме доминирующим является механизм переноса заряда по поверхностным • состояниям, осуществляемый носителями с энергиями в интервале 0.004 0.012 эВ и 0.007 - 0.012. эВ от уровня Ферми для Сб0 и 0?0соответственно.

5. Присутствие кислорода в структурах меняет относительный вклад и параметры каждого из механизмов проводимости. Во-первых, блокирует механизм проводимости носителями заряда с энергиями вблизи уровня Ферми за счет компенсации поверхностных состояний на границах зерен, во-вторых, сдвигает спектр - локализованных состояний по.. направлению к краю запрещенной зоны и, в-третьих, увеличивает ширину запрещенной зоны. '

Апробация работы и публикации.

Результаты работы докладывались на Международном семинаре "Фуллерены и атомные кластеры", 19-24 июня 1995 г., Санкт-Петэрбург, Россия (International Workshop "Fullerenes and Atomic Clusters", 19-24 June, 1995, St.Petersburg,' Russia), Международных симпозиумах: 188th Meeting of The American Electrochemical Society, Symposium: "Fullerenes: Chemistry, Physics, and New Directions VII, Reno, DSA, 1995 ("Фуллерены: химия, физика и новые нацравления" в рамках 188. встречи Американского Электрохимического общества, Рено, США, 1995); 189th Meet.Jig of The American Electrochemical Society, Symposium: "Fullerenes: Ohemistry, Physics and New Directions VIII Los Angeles, USA, 1996 ("Фуллерены: химия, физика и ноь е направления" в рамках 189 встречи Американского Электрохимического общества, Лос-Анжелес, США, 1996), на заседаниях научного семинара лаборатории физики кластерных структур ФГИ. По результатам. исследований, приведенных в диссертации, опубликовано 6 работ, подано в.печать 3 работы. .

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 152 наименований. Объем диссертации составляет 175 страниц маиинописного текста, включая 52 рисунка и 7 таблиц.

• СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбранной темы

исследований, сформулирована цель работы, дано краткое содержание диссертации и изложены основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава представляет собой анализ литературных

данных. С момента открытия способа получения фуллэреков в макроскопических количествах в 1991 году опубликовано уяе более четырех тысяч работ, посвященных этому классу углеродных соединений. Поэтому в обзорной главе •рассматриваются только основные вопросы, необходимые далее при анализе экспериментальных данных, то есть современные представления о структуре и электрических свойствах фуллеренов. Особое внимание уделено вопросам формирования зонной структуры в молекулярных кристаллах С60 и Су0 и современным представлениям о процессах протекания тока в молекулярных кристаллах и пленках. Рассмотрены характерные, особенности, возникающие при ориентационных и структурных фазовых переходах в Сб0 и С?0. Проведен анализ имеющихся в литературе данных о зонной структуре и кинетических свойствах пленок и С70, на основе которого сформулированы задач!' работы и пути их решения.

Вторая глава посвящена особенностям получения,

идентификации и характеризации исследованных в работе пленок с60 11 С7С • в этсй главе описана технология изготовления образцов и приведены их основные параметры, описаны особенности методики эксперимента и приведены параметры экспериментальной установки. Основное внимание уделено результатам исследования структуры, элементного состава, поверхностных и объемных свойств пленок, которые служат основой для надежной интерпретации экспериментальных данных.

■Исследования структуры и элементного состава пленок,' изготовленных вакуумным напылением из монокристаллов С60 и С?0 высокой степени очистки (99.98% для С60 и 98.90% для С70), показали, что их можно рассматривать как совокупность зерен с характерным линейным размером 500 Строгой упорядоченности в расположении молекул не наблюдалось, в пленках не выявлено выделенных кристаллографических направлений. Это дает основания рассматривать их как аморфные или поликристаллические.

Изучение процессов взаимодействия пленок с атмосферным кислородом показало, что при освещении на поверхности фуллереновой пленки за несколько минут образуется слой толщиной 200 2 (Сб0) и 40 % параметры которого во

времени не меняются. Содержание кислорода составляет, соответственно,4.3 атЛ и 5.2 ат.%. В объеме фуллереновых пленок кислород расположен неравномерно. Вблизи поверхности его концентрация составляет 1.2 - 1.3 ат.%. и постепенно уменьшается вглубь пленки. Это находит свое отражение в градиенте оптических констант по нормали к поверхности, обусловленному сдвигом края собственного поглощения в ультрафиолетовую область. При толщине пленок 10 ООО 1 величина сдвига составляет 0.07 эВ для и 0.05 эВ для С7П.

- э -

В результате анализа методами Оже, РКЮ, РБС дополнительных примесей в исследуемых образцах не обнаружено.

В третьей главе приводятся и анализируются результаты исследования электрических свойств пленок C7Q. Поскольку исследуемые пленки не имели выделенных кристаллографических направлений, анализ экспериментальных результатов проводился на основе теории, применимой для описания электронных процессов в некристаллических материалах. Глава содержит краткий обзор теоретических моделей, используемых в работе для описания электрических свойств пленок фуллеренов, и результаты измерений температурных зависимостей проводимости на постоянном и переменном токе в "диапазоне темпоратур 100 - 500 К, частот 100 Гц - 50 кГц, давлений кислорода 2-10~б - 1«Ю-1 Topp. Полученные экспериментальные данные проанализированы в рамках модели Мотта для некристаллических материалов с использованием энергетических параметров, полученных из электрических и оптических измерений, построена зонная модель пленок C7Q.

В пункте 3.1 изложены основные модели в рамках теории Мотта для некристаллических полупроводников, позволяйте описать процессы переноса заряда • в неупорядоченных структурах. Трмпературные зависимости прово мости описываются законом Аррениуса, и в общем случав величина проводимости определяется суммой вкладов всех механизмов, участвующих в переносе зяряда.

В пункте " 3.2 приведены результаты измерений температурных зависимостей проводимости' на постоянном и переменном токе, а также частотных зависимостей проводимости пленок CjQ, полученные в широком диапазоне дахданий кислорода. Показано, что исследовашше структуры прояппяпт полупроводниковый характер температурной пптч'пм'нчи

проводимости, tía шкале температур можно Еыделить две характерные области: сильной температурной зависимости при Т > 300 К и слабой температурной зависимости проводимости при Т < 200 К. Отмечены значительные различия в величине проводимости на постоянном и переменном токе, особенно в области низких температур.

Методика обработки результатов измерения . и анализ полученных данных описаны в пункте 3.3. Примененный подход позволил выделить различные механизмы, участвующие в проводимости. В диапазоне температур, в котором проводились измерения, имеются области, где один механизм значительно преобладает над остальными. Таким образом, представляется возможным, пренебрегая вкладами остальных механизмов, определить его характеристики. Последовательным учетом вкладов всех механизмов в полном диапазоне температур удается прийти к описанию экспериментальных зависимостей едшюй формулой, содержащей три экспоненциальных слагаемых. В теории Мотта выделенные члены можно рассматривать независимо друг от друга во всем температурном диапазоне. Количественные оценки, сделанные на основании теории Мотта применительно к пленочным структурам С70, позволяют однозначно идентифицировать полеченные результаты.

В области температур 300 - 500 К определяющим является зо..ный механизм переноса заряда. На это указывают значения предэкспоненциального множителя первого члена

о0= 2.6.103 Ом"'см.1, лежащие в пределах, предсказываемых теорией. Оценка величины подвижности, полученная из значений проводимости в указанном диапазоне температур на основании предположения о зонном механизме проводимости (i = 0.1 * 0.3 см2/В-с, согласуется с данными, известными из литературы. Независимым подтверждением зонного характера проводимости является отсутствие частотной зависимости

проводимости исследованных пленок при еысоких температурах (Т = 500 К). , *

Значение энергии активации этого механизма Еа = 0.54 эВ соответствует половине ' ширины запрещенной зоны кристаллического

При уменьшении температуры .ниже 300 К становится заметным вклад прыжкового механизма переноса носителей по локализованным состояниям в запрещенной зоне. Согласно теории, при переходе из области делокализованных состояний . в область локализованных наблюдается падение подвижности в 100 + 1000 раз, что находит свое отражение в значении предэкспоненциального .множителя второго члена, о0 = 4.9>10-2 Ом-1см-1. На преимущественно прыжковый характер переноса заряда в области температур Т < 300 К указывает степенная зависимость проводимости от частоты, со значениями показателя степени, лежащими в пределах 0.8 - 1.0. Энергия активации этого процесса в вакууме равна 0.22 эВ.

Слабая температурная зависимость в .области температур Т < 200 К при давлениях кислорода ниже 1 -Ю-3 Тор указывает на наличие дополнительного механизма проводимости, характеризуемого очень низкими энергиями активации (Еа = 0.004 эВ при Р = 2-10"6 Тор ). Согласно теории Мотта, реализация такого механизма требует наличия ненулевой плотности состояний на уровне Ферми. Этот механизм наиболее значительным _ образом подвержен влиянию кислорода. При изменении давления от 2-10-6 Тор до 1-1 о-3 Тор . энер гия активации возрастает до 0.012 эВ и его вклад падает более, чем 100 раз. При более высоких давлениях участие его в проводимости пренебрежимо мало во всем диапазоне температур.

Основным механизмом проводимости в области низких температур при давлениях выше 2«Ю-3 Тор остается прыжковый механизм _переноса заряда по локализованным состояниям.

Монотонный рост энергии активации от 0.20 до 0.49 эЗ и

„о —1 —1

предэкспоненциального множителя от 4.9-10 до 5.4 Ом см

этого процесса при изменении давления в пределах

2-Ю-6 - 8-Ю-2 Тор указывает на сдвиг уровней

локализованных состояний в сторону края запрещенной зоны.

Вклад зонного механизма проводимости в наименьшей степени

подвержен влиянию кислорода. Слабые изменения параметров

этого процесса с давлением указывают на небольшое (менее 5%)

уширение запрещенной зоны. На основании анализа результатов

построена зонная диаграмма пленочных структур С?0.

В четвертой главе излагаются и анализируются

электрические свойства пленок C6Q. Основные модели, использовавшиеся при анализе свойств хиенок С70, были применены при интерпретации данных, полученных на Сб0. Наряду с общими закономерностями в механизмах проводимости двух наиболее распространенных фуллеренов, наблюдался ряд существенных различий. С использованием параметров,. полученных из электрических и оптических измерений, построена зонная модель пленок С60. Выдвинуто объяснение происхождения состояний в запрещенной зоне фуллереновых пленок С60 и Предложена модель, описывающая влияние кислорода на энергетические и структурные свойства пленок Сб0 и

В пункте 4.1 приведены результаты измерений температурных зависимостей .проводимости на постоянном и переменном токе и частотных зависимостей проводимости в диапазоне температур 100 - 500 К, давлений кислорода 2•10 ^ - 8-ю"2 Тор , проанализированные далее в пункте 4.2. Как и в случае пленок С?0, на измеренных кривых температурных зависимостей проводимости пленок Сб0 можно выделить два участка: слабой температурной зависимости (Т < 200 К) и сильной температурной зависимости (Т > 350 К). Величины

проводимости на постоянном и переменном токе значительно различаются, особенно в области низких температур.

Температурные зависимости проводимости на постоянном токе описываются тремя экспоненциальными слагаемыми. Анализ, проведенный в рамках теории Мотта, показал качественное сходство в поведении пленок CgQ и С,?0. Проводимость пленок Сб0 в вакууме определяется следующими процессами: зонным механизмом переноса заряда с энергией 0.5 эВ и значением предэкспоненциального множителя 6.8-Ю-2 Ом-1 см-1; механизмом прыжковой проводимости по локализованным состояниям в запрещенной зоне с энергией 0.2 эВ и значением предэкспоненциального множителя 1.36 Ом-1см-1; механизмом переноса носителями с малыми энергиями Еа = 0.0038 эВ ■ . Различия в поведении пленок Сб0 й С70 наблюдаются в высокотемпературной области. В диапазоне температур 100 - 400 К вклад зонного механизма проводимости пленок С60 не преобладает над прыжковым. В области температур выше 400 К наблюдается отклонение кривых температурных зависимостей от экспоненциального закона в сторону меньших значений проводимо'сти. Данный эффект связан со структурным фазовым переходом, происходящим в кристаллах CgQ при TQ = 425 К. Присутствие кислорода увеличивает температуру фазового перехода в пленках Сб0 от 405 К при давлении 2-Ю-6 Тор до 495 К при давлении 1•10-2 Тор. .

Влияние кислорода на проводимость пленок С60 при изменении давления в интервале 2-Ю-6 + 2И0-2 Тор проявляется в следующем: выключении механизма переноса носителями с энергиями около уровня Ферми; сдвиге уровней локализованных состояний в сторону края запрещенной зоны (Е меняется в пределах 0.2 - 0.36 эВ, oQ = 1.36 -26.5 Ом-1см-1); увеличении ширины запрещенной зоны.

В пункте 4.3 представлена модель, предложенная для

объяснения природы локализованных состояний в запрещенной зоне пленок С60 и С?0. Уровни локализованных состояний в запрещенной зоне фуллереновых пленок связаны с сильным электрон-фэнонным взаимодействием, приводящим к образованию поляронов. Состояния вблизи уровня Фэрли ,связаны с поверхностью зерен.

В заключении сформулированы основные выводы работы. Поскольку результаты диссертационной работы Сылк суммированы в выводах, приведенных в конце каждой главы, в заключении мы ограничимся только несколькими общими замечаниями.

ВЫВОДЫ

Проведенные в работе структурные исследования показали, что исследуемые пленки фуллеренов Сб0 и С70, полученные методом вакуумной сублимации, являйся некристаллическими. Это позволило применить для описания ■ . электропроводности пленок теорию Мотта для некристаллических материалов. Такой подход впервые' позволил описать температурные зависимости электропроводности пленок и одной математической

зависимостью и определить при этом вклады различных механизмов протекания тока в проводимость.

Выяснено, что в области 300 - 500 К доминирующим механизмом проводимости в пленках С70 является зонный перенос носителей, в то время, как в вклад этого механизма не является основным и сравним по величине с прыжковым.

Существенным представляется выяснение влияния кислорода' на проводимость пленок. Удалось показать, что присутствие кислорода в структурах меняет относительный вклад и параметры каждого из механизмов проводимости так, что общая проводимость пленок Сб0 и С70 уменьшается во всем диапазоне температур. Наиболее сильно подвержен влиянию кислорода

механизм проводимости носителями заряда с энергиями вблизи уровня Ферми, в меньшей степени это относится к прыжковому механизму. В то же время изменения проводимости вследствие увеличения ширины запрещенной зоны малы по сравнению с другими механизмами.

Можно полагать, что обнаруженная в области температур 400-500 К особенность в температурной зависимости проводимости пленок Сб0 имеет ту же природу, что и фазовый переход, наблюдавшийся в кристаллах С60 при температурах 425К.

Наличие данной особенности может препятствовать точному определению параметров зонной структуры пленок CgQ.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. T.L.Makarova, N.I.Nemchuk, A.Ya.Vul'. Optical properties, structure and. conductivity of fullerene films. Oxygen effect. Pullerenes. Recent Advances In the Chemistry and Physics of Pullerenes and Related Materials. Editors: R.S.Ruoff and K.M.Kadlsh, p.914-923 (1995).

2. N.I.Nemchuk, T.L.Makarova, O.I.Konkov, Yu.F.Biriulin, A.Ya.Vul'. Surface and bulk effects In conductivity of fullerene films. Mol.Mat.,V.7,p. 183-186 (1996).

3. N.I.Nemchuk, T.L.Makarova, A.Ya.Vul'. Conductivity of СТО amorhpous films. Book of Abstracts of the "Pullerenes 9f". The Second International Interdisciplinary Colloquium on the Science ans Technology of the Pullerenes.

__Keble College, Oxford, UK. Abstract N 074,1996.

4. N.I.Nemchuk, T.L.Makarova, A.Ya.Vul'. Electronic structure oi pristine and. oxygen Intercalated iullerene films. Abstracts of the 189th Meeting of the American Electrochemical society. Los--Angeles,

USA. Abstract N 584,1995. '

5. N.I.Nemchuk, T.L.Makarova, O.I.Konkov, Yu.P.Biriulln,

A.Ya.Vul'. Surface and bulk effects In conductivity of iullerene films. Abstracts of the invited lectures and contributed papers .International Workshop "ï'ullerenes and Atomic Clusters"..St.Petersburg, Russia,

p.94-95,1995.

6. T.L.Makarova, N.I.Nemchuk, A.Ya.Vul'. Optical properties, structure and conductivity of iullerene films.. Oxygen effect. Abstracts of the 189th Meeting of the American

. Electrochemical society. Reno,' USA. Abstract N 1324, 1995.

7. Н.И.Немчук,' Т.Л.Макарова, А.Я.Вуль, О.И.Коньков, Е.И.Теруков. О механизмах проводимости в аморфных пленках СбО и С70, ФГТ, 1996. .

8. Н.И.Немчук, Т.Л.Макарова, А.Я.Вуль. Влияние кислорода да механизмы проводимости в пленках С70, ®ГТ, 1996.

■9. А.Я.Вуль, А.А.Ежов, Т.Л.Макарова, Н.И.Немчук, А.И.Олешкин,

B.И.Панов. СТМ/СТС исследования особенностей поверхностной структуры фуллеренов. ДАН. 1996.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. W.Kraetschmer, L.D. Lamb, K.Fostiropoulos, and D.R. Huffman. Solid C6o: a new form of carbon. Nature, V.3.

И 47, pp.354-357 (1990).

2. W.Andreoni. Electronic properties oi fullerenes In the molecular and solid phases: a brief introductory course to theoretical approaches. Electronis properties of fullerenes. Eds. H.Kuzmany, J.Fink, M.Mehrung, S.Roth. Berlin,pp.85-92 (1993).

3. S.Saito, A.Oshiyama. Cohesive mechanism and energy bands of solid C60. Phys.Rev.Letters, V.66, pp.2637-2641 (1991)

4. S.Saito, A.Oshiyama. Electronic and geometric structures of fullerene С?0. Phys.Rev.B, v.44, N 20, pp.11532-11535 (1991).

5. M.S.Golden, M.Knupfer, J.Fink, J.F.Armbuster, T.R.Cumminst, H.A.Romberg, li.Roth, M.Sing, M.Schmidt, E.Sohmen. The electronic structure of fullerenes and fullerene compounds from high-energy spectroscopy. J.Phys.Condens.Matter, N 7, pp.8219-8247 (1995).

G. Electronic properties of fullerenes: Proc.Intern.winter school on electron.properties of novel mater. Kirchberg, March 6 13 (1993) Ed.H.Kuzmany et al. Berlin, Springer, 436 p. (1993).

7. Y.Yonehara, S.Boku, R.K.Kawamura. Fullerene thin-film tunnel diode. Патент 1Щ N 06-29556 03 МКИ H01 L29/88 (1994).

8. J.B.Caup, R.B.Schwart. Use of fullerene filmes as surfaces of uniform electric potential. Appl.Phys.Lett., Y.63.-N 4, pp.455-457 (1992).

9. Qlhuang Gong, Yuxlng Sun, Zongju Xia, and. Y.H.Zou. Nonresonant third-order optical " nonlinear!ty . of all-carbon molecules C6Q. J.Appl.Phys., v.71, N 6, pp.3025-3026 (1992).

10..W.J.Blau and D.J.Cardin. Nonlinear optical response of C6o and Cy0 fullerenes. Mod.Phys.Lett.B, V.6, N 22, pp. 1351-1360 (1992).

11. E.Prankevich, Y.Maruyama and H.Ogata, Mobility of charge carriers in vapor-phase grown C6o single crystal. Chem.Phys.Lett., v.214, N1, pp.39-43 (1993),

6, pp.758-760 (1994).

12. A.Hamed, Y.Y.Sun, Y.K.Tao, R.L.Meng, and P.H.Hor. Effects of oxygen and illumination on the in situ conductivity of C6o thin films. Phys.Rev.B, V.47, N 16, pp.10873-10880

. (1993).

13. Shigeo Fujimori, Katsunori Hoshimono, Shlzuo Pujlta and Shlgeo Fujlta. Variation of conductivity and activation energy in metal-doped and undoped C6o films under oxygen exposure. Sol.State Comm., V.89, N5, pp.437-440 (1994).

14. T.Aral, Y.Murakami, H.Suematsu, K.Klkushi, f.Achiba, I.Ikemoto. Resistivity of single crystal C6Q and effect of oxygen, Sol.State Comm., V.84, N 8, pp.827-829 (1992).

15. S.Kazaoui, R.Ross and N.Minaml. In situ photoconductivity behavior of CgQ thin films: wavelength, temperature, oxygen effect. Sol.State Comm., Y.90, N- 1П, pp.623-628 (1994).

Отпечатано в типографии ПИЯФ

Зак. 215, тир. 100, уч.-изд. л. 0,9; 3/IV-1996 г.

Бесплатно