Механизмы проводимости пленок фуллеренов C60 и С70 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГ5 ОН

1 3 мм*

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им.А.Ф.ИОФФЕ

На правах рукописи

НЕМЧУК Николай Игоревич

МЕХАНИЗМЫ ПРОВОДИМОСТИ ПЛЕНОК ФУЛЛЕРЕНОВ Сб0 И С?0

(01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 1996

Работа выполнена в

Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН.

НаучнШ руководитель:

доктор физико-математических наук

А.Я.Буль.

Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

доктор физико-математических наук, профессор В.К.Адамчук, доктор физико-математических наук В.Г.Голубев. Санкт-Петербургский государственный технический университет.

Защита состоится "3_" сг/с/^ 1996 года в часов на засед нш специализированного совета Н.003.23.01 Физике технического института им.А.Ф.Иоффе РАН. по адоесу: 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., д.25.

С диссертацией мокно ознакомиться в библиотеке

ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН. Автореферат разослан "22" 1996 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат фкзикс.-математических наук

Г.С.Куликов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теш. С начала 90-х годов объектом

интенсивных исследований в физике твердого тела становятся новые материалы, образованные из фуллеренов - третьей аллотропной модификации углерода [13. В этих материалах кристаллическая матрица состоит из макромолекул углерода, имеющих форму замкнутых сфероидальных кластеров.

Теоретические оценки(2-4)и полученные к настоящему срема-ни экспериментальные результаты (5,6) указывают на то, что материалы на основе фуллереновых кластеров Сб0 и С?0 представляют собой полупроводники с шириной запрещенной зоны 1.5 - 2 эВ. ПрогноЕ;:', сделанные в последнее время, предполагают интенсивное использование фуллереновых материалов в полупроводниковой электронике [7,8] и оптоэлектронике [9,10], однако к моменту начала работы (1993 г.) данные . об основных, с точки зрения полупроводниковой электроники, параметрах (ширина запрещенной зоны, кристаллическая структура пленок фуллеренов, механизмы электропроводности) были ограничены и противоречивы . Это и послужило основанием для постановки задачи в диссертационной работе.

В литература имеются многочисленные, но существенно различающиеся экспериментальные данные, относящиеся к ширине запрещенной зоны, подвижности, эффективной массе [11,12]. Особенностью данной работы является определение основных электрофизических параметров в едином цикле электрических, оптических и структурных исследований, направленном на установление энергетической зонной модели тонких пленок фуллеренов.

Одной из причин, препятствующих широкому приборному применению фуллереновых материалов, является то, что

атмосферный кислород, легко проникая в глубь шьнок и Кристаллов, уменьшает их проводимость на 4- - 5 порядков [13-153. Во многом остаются неисследованными как механизм влияния кислорода на электрические и структурные свойства фуллеренов, так и способы их защиты от влияния внешней среда.

Целью работы являлось исследование электрических свойств наиболее распространенных фуллеренов С60 и С?0, выявление общи закономерностей и специфических особенностей протекания тока в пленках С60 и С?0, анализ результатов с точки зрения зонной структуры материала и исследование изменений зонной структуры в результате воздействия кислорода.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем.

, 1. Впер-ле получены зьачения характерных энергий и предэкспоненциальных множителей для различных механизмов проводимости в пленках Сб0 и С70.

2. Впервые описаны параметры и свойства поверхностного слоя, обогащенного кислородом, в пленках С60 и С70.

3. Показано' влияние молекулярного кислорода на электрические и структурные свойства фуллереновых материалов и впервые предложена модель воздействия кислорода на проводимость.

4. Обнаружен структурный фазовый переход, возникающий в пленках Сб0 в области температур 400 - 500 К.

Практическая значимость. . .

Получение в работе экспериментальные результаты по электропроводности пленок С60 и и влиянию окружающей

атмосферы на величину проводимости, а также предложенные

модели, описывающие роль кислорода в электропроводности пленок, позволяют определить ' область применения нелегированных пленок фуллеренов в электронике, что и определяет практически важные результаты работы.

•Научные положения, выносимые на защиту.

1. Температурные зависимости проводимости пленок Сб0 и

в интервале 100 - 500 К описываются феноменологической

формулой, состоящей из трех слагаемых., отвечающих различным механизмам: зонной проводимости, прыжковой проводимости, переносу тока носителями с энергией вблизи уровня Форш.

2. В области 300 - 500 К доминирующим механизмом проводимости в пленках' С?0 является транспорт носителей, возбувденных в область двлокализованных состояний с энергией активации, соответствующей, половине запрещенной зоны, в то время, как в С60 вклад этого механизма не является основным.

3. В области 200 - 300 К в вакууме в пленках фуллеренов С60 и С70 наблюдается существенный вклад прыжкового механизма переноса заряда носителями, возбужденными на уровни локализованных состояний в запрещенной зоне, находящиеся на расстоянии 0.20 и 0.22 эВ от уровня Ферми для С60 и С?0 г соответственно.

4. В интервале температур 100 - 200 К в вакууме доминирующим является механизм переноса заряда по поверхностным ■ состояниям, осуществляемый носителями с энергиями в интервале 0.004 0.012 эВ и 0.007 - 0.012 эВ от уровня Ферми для С60 и С70соответственно.

5. Присутствие кислорода в структурах меняет относительный вклад и параметры какдого из механизмов проводимости. Во-первых, блокирует механизм проводимости носителями заряда с энергиями вблизи уровня Ферми за счет компенсации поверхностных состояний на границах зерен, во-вторых, сдвигает спектр -локализованных состояний по направлению к краю запрещенной зоны и, в-третьих, увеличивает ширину запрещенной зоны. '

Апробация работы и публикации.

Результаты работы докладывались на Меадународном семинаре "Фуллерены и атомные кластеры", 19-24 июня 1995 г., Санкт-Петэрбург, Россия (International Workshop "Fullerenes and Atomic .Clusters", 19-24 June, 1995, St.Petersburg, ' Russia), Международных симпозиумах: 188th Meeting of The American Electrochemical Society, Symposium: "Fullerenes: Chemistry, Physics, and New Directions VII, Reno, USA, .1995 ("Фуллерены: химия, физика и новые направления" в рамках 188. встречи Американского Электрохимического общества, Рено, США, 1995); 189th lieet.jag oi The American Electrochemical Society, Symposium: "Fullerenes: chemistry, Physics and New Directions VIII Los Angeles, USA, 1996 ("Фуллерены: химия, физика и hoi .е направления" в рамках 189 встречи Американского Электрохимического общества, Лос-Анжелес, США, 1996), на заседаниях научного семинара лаборатории физики кластерных структур ФТИ. По результатам. исследований, приведенных в диссертации, опубликовано 6 работ, подано в печать 3 работы. .

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 152 наименований. Объем диссертации составляет 175 страниц машинописного текста, включая 52 рисунка и V таблиц.

• СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбранной теш

исследований, сформулирована цель работы, дано краткое содержание диссертации и изложены основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава представляет собой анализ литературных

данных. С момента открытия способа получения фуллеренов в макроскопических количествах в 1991 году опубликовано уяе более четырех тысяч работ, посвященных этому классу углеродных соединений. Поэтому в обзорной главе рассматриваются только основные вопросы, необходимые далее при анализе экспериментальных данных, то есть современные представления о структуре и электрических свойствах фуллеренов. Особое внимание уделено вопросам формирования зонной структуры в молекулярных кристаллах Сб0 и С70 и современным представлениям о процессах протекания тока в молекулярных кристаллах и пленках. Рассмотрены характерные, особенности, возникающие при ориентационных и структурных фазовых переходах в С60 и С70. Проведен анализ издающихся в литературе данных о зонной структуре и кинетических свойствах пленок С60 и С?0, на основе которого сформулированы задачи работы и пути их решения.

Вторая глава посвящена особенностям получения,

идентификации и характеризации исследованных в работе пленок С60 и с„с. В этой главе описана технология изготовления образцов к приведены их основные параметры, описаны особенности методики эксперимента и приведены параметры экспериментальной установки. Основное внимание уделено результатам исследования структуры, элементного состава, поверхностных и объемных свойств пленок, которые служат основой для надежной интерпретации экспериментальных данных.

Исследования структуры и элементного состава пленок,' изготовленных вакуумным напылением из монокристаллов Сб0 и С70 высокой степени очистки (99.98% для Сб0 и 98.90% для С?0), показали, что их можно рассматривать как совокупность зерен с характерным линейным размером 500 Строгой упорядоченности в расположении молекул не наблюдалось, в пленках не выявлено выделенных кристаллографических направлений. Это дает основания рассматривать их как аморфные или поликристадяические.

Изучениа процессов взаимодействия пленок с • атмосферным кислородом показало, что при освещении на поверхности фуллереновой пленки за несколько минут образуется слой толщиной 200 8 (Сб0) и 40 8 (070), параметры которого во времени не меняются. Содержание кислорода составляет, соответственно,4.3 ат.% и 5.2 ат.Я. В объеме фуллереновых пленок кислород расположен неравномерно. Вблизи поверхности его концентрация составляет 1.2 - 1.3 ат.%. и постепенно уменьшается вглубь пленки. Это находит свое отражение в градиенте оптических констант по нормали к поверхности, обусловленному сдвигом края собственного поглощения в ультрафиолетовую область. При толщине пленок 10 ООО S величина сдвига составляет 0.07 эВ для и 0.05 эВ для С7П.

В результате анализа методами Око, РФЗС, ГБС дополнительных примесей в исследуемых образцах не обнаружено.

В третьей главе приводятся и анализируются результаты исследования электрических свойств пленок Поскольку

исследуемые пленки не имели выделенных кристаллографических направлений, анализ экспериментальных результатов проводился на основе теории, применимой для описания электронных процессов в некристаллических материалах. Глава содержит краткий обзор теоретических моделей, используемых в работе для описания электрических свойств пленок фуллеренов, и результаты измерений температурных зависимостей проводимости на ■ постоянном и переменном токе в ■диапазоне температур 100 - 500 К, частот 100 Гц - 50 кГц, давлений кислорода 2>10_6 - 1-Ю-1 Topp. Полученные экспериментальные данные проанализированы в рамках модели Мотта для некристаллических материалов с использованием энергетических параметров, полученных из электрических и оптических измерений, постровня зонная модель пленок

В пункте 3.1 изложены основные модели в рамках теории Мотта для некристаллических полупроводников, позволяющие описать процессы переноса заряда • в неупорядоченных структурах. Температурные зависимости прово мости описываются законом Аррениуса, и в общем случае величина проводимости определяется суммой вкладов всех механизмов, участвующих в переносе заряда.

В пункте ' 3.2 приведены результаты ипкорошП температурных зависимостей проводимости' на постоянном и переменном токе, а также частотных зависимостей проводимости пленок С 70, полученные в широком диапззопо д:>м<чт{\ кислорода. Показано, что исследованные структуры прояпляют полупроводниковый характер температурной зти'октоли

проводимости, ría шкале температур можно выделить две характерные области: сильной температурной зависимости при Т > 300 К и слабой температурной зависимости проводимости при Т < 200 К. Отмечены значительные различия в величине проводимости на постоянном и переменном токе, особенно в области низких температур.

Методика обработки результатов измерения . и анализ полученных данных описаны в пункте 3.3. Примененный подход позволил выделить различные механизмы, участвующие в проводимости. В диапазоне температур, в котором проводились измерения, имеются области, где один механизм значительно преобладает над остальными. Таким образом, представляется возможным, пренебрегая вкладами остальных механизмов, определить его характеристики. Последовательным учетом вкладов всех механизмов в полном диапазоне температур удается прийти к описанию экспериментальных зависимостей едатой формулой, содержащей три экспоненциальных слагаемых. В теории Мотта выделенные члены можно рассматривать независимо друг от друга во всем температурном диапазоне. Количественные оценки, сделанные на основании теории Мотта применительно к пленочным структурам С70, позволяют однозначно идентифицировать полеченные результаты.

В области температур 300 - 500 К определяющим является зс.лшй механизм переноса заряда. На это указывают значения предэкспоненциалшого множителя первого члена

о0= 2.6»10J Ом~'смJ, лежащие в пределах, предсказываемых теорией. Оценка величины подвижности, полученная из значений проводимости в указанном диапазоне температур на основании предположения о зонном механизме проводимости \х = 0.1 + 0.3 смг/В-с, согласуется с данными, известными из литературы. Независимым подтверждением зонного характера проводимости является отсутствие частотной зависимости

проводимости исследованных пленок при енсоких температурах (Т = 500 К).

Значение энергии активации этого механизма Еа = 0.54 эВ соответствует половине ' ширины запрещенной зоны кристаллического С?0.

При уменьшении температуры .ниже 300 К становится заметным вклад прыжкового механизма . переноса носителей по локализованным состояниям в запрещенной зоне. Согласно теории, при переходе из области делокализованных состояний . в область локализованных наблюдается падение подвишюсти в 100 * 1000 раз, что находит свое отражение в значении предэкспоненциального множителя второго члена, oQ = 4.9>10-2 Ом~1см-1. На преимущественно прыжковый характер переноса заряда в области температур Т < 300 К указывает степенная зависимость проводимости от частоты, со значения!,га показателя степени, лежащими в пределах 0.8 - 1.0. Энергия активации этого процесса в вакууме равна 0.22 эВ.

Слабая температурная зависимость в .области температур Т < 200 К при давлениях кислорода ниже 1 >10~3 Тор указывает на . наличие дополнительного механизма проводимости, характеризуемого очень низкими энергиями активации (Е = 0.004 эВ при Р = 2'10~6 Тор ). Согласно теории Мотта, реализация такого механизма требует наличия ненулевой плотности состояний на уровне Ферми. Этот механизм наиболее значительным , образом подвержен влиянию кислорода. При изменении давления от 2-10~б Тор до 1-1 о-3 Тор . энер гия активации возрастает до 0.012 эВ и его вклад падает более, чем 100 раз. При более высоких давлениях участие его в проводимости пренебрежимо мало во всем диапазоне температур.

Основным механизмом проводимости в области низких температур при давлениях выше 2•10-3 Тор остается прыжковый механизм .переноса заряда по локализованным состояниям.

Монотонный рост энергии активации от 0.20 до 0.49 эЗ и предэкспоненциального множителя от 4.9-Ю-2 до 5.4 Ом-1 см-1 этого процесса при изменении давления в пределах 2-Ю-6 - 8*10"2 Тор указывает на сдвиг уровней локализованных состояний в сторону края запрещенной зоны. Вклад зонного механизма проводимости в наименьшей степени подвержен влиянию кислорода, Слабые изменения параметров этого процесса с давлением указывают на небольшое (менее 5%) уширение запрещенной зоны. На основании анализа результатов построена зонная диаграмма пленочных структур C7Q.

В четвертой главе излагаются и анализируются

электрические свойства пленок с60. Основные модели, использовавшиеся при анализе свойств пленок Су0, были применены при интерпретации дашзюс, полученных на Сб0. Наряду с. общими закономерностями в механизмах проводимости двух наиболее распространенных фуллеренов, наблюдался ряд существенных различий. С использованием параметров, полученных из электрических и оптических измерений, построена зонная модель пленок C6Q. Выдвинуто объяснение происхождения состояний в запрещенной зоне фуллереновых пленок Сб0 и С?0.. Предложена модель, описывающая влияние кислорода на энергетические и структурные свойства пленок CgQ и С?0.

В пункте 4.1 приведены результаты ' измерений температурных зависимостей .проводимости на постоянном и переменном токе и частотных зависимостей проводимости в диапазоне температур 100 - 500 К, давлений кислорода 2-10"6 - 8-1 сГ2 Тор , проанализированные далее в пункте 4.2. Кок и в случае пленок на измеренных кривых температурных зависимостей проводимости пленок Сб0 можно выделить два участка: слабой температурной зависимости (Т < 200 К) и сильной температурной зависимости (Т > 350 К). Величины

проводимости на постоянном и переменном токо значительно различаются, особенно в области низких теьшератур.

Температурные зависимости проводимости на постояшюм токе описываются тремя экспоненциальными слагаемыми. Анализ, проведенный в рамках теории Мотта, показал качественное сходство в поведении пленок С60 и С?0. Проводимость пленок Сб0 в вакууме определяется следующими процессами: зошшм механизмом переноса заряда с энергией 0.5 эВ и значением предэкспоненциального кноютеля 6.8-Ю^ Ом-'см-1; механизмом прыжковой проводи:,гости по ■ локализованным состояниям в запрещенной зоне с энергией 0.2 эВ и значением предэкспоненциального множителя 1.36 Ом-1см-1; механизмом переноса носителями с малыми энергиями Еа = 0.0038 эВ . Различия в поведешш пленок Сб0 й С70 наблюдаются в высокотемпературной области. В диапазоне температур 100 - 400 К вклад зонного механизма проводимости пленок С60 не преобладает над прыжковым. В области температур выще 400 К наблюдается отклонение кривых температурных зависимостей от экспоненциального закона в сторону меньших значений проводимости. Данный эффект связан со структурным фазовым переходом, происходящим в кристаллах С60 при Т0 = 425 К. Присутствие кислорода увеличивает температуру фазового перехода в пленках Сб0 от 405 К при давлении 2-Ю-6 Тор до 495 К при давлении 1•10-2 Тор. .

Влияние кислорода на проводимость пленок С60 при изменении давления в интервале 2-10~б 2 • 10-2 Тир проявляется в следующем: выключении механизма переноса носителями с энергиями около уровня Ферми; сдаете уровней локализованных состояний в сторону края запрещенной зоны (Е меняется в пределах 0.2 - 0.36 эВ, с0 = 1.36 -26.5 Ом~1см~1); увеличении ширины запрещенной зоны.

В пункте 4.3 представлена модель, предложенная для

объяснения природа локализованных состояний в запрещенной зоне пленок С60 и С70. Уровни локажзованных состояний в запрещенной зоне фулдереновых пленок связаны с сильным электрон-фононным взаимодействием, приводящим к образованию поляронов. Состояния вблизи уровня Фер«и .связаны с поверхностью зерен.

В заключении сформулированы основные выводы работы. Поскольку результаты диссертационной работы были суммированы в выводах, приведенных в конце каждой главы, в заключении мы ограничимся только несколькими общими замечаниями.

ВЫВОДЫ

Проведенные в работе структурные исследования показали, что исследуемые пленки фуллеренов С60 и С?0, полученные методом вакуумной сублимации, являючся некристаллическими. Это позволило применить для описания . электропроводности пленок теорию Мотта для некристаллических материалов. Такой подход впервые' позволил описать температурные зависимости электропроводности пленок Сб0 и С?0 одной математической зависимостью и определить при этом вклада различных механизмов протекания тока в проводимость.

Выяснено, что в области 300 - 500 К доминирующим механизмом проводимости ь пленках С?0 является зонный перенос носителей, в то время, как в Сго вклад этого механизма не является основным и сравним по величине с прыжковым.

Существенным представляется выяснение влияния кислорода на проводимость пленок. Удалось показать, что присутствие кислорода в структурах меняет относительный вклад и параметры каждого из механизмов проводимости так, что общая проводимость пленок Сб0 и С70 уменьшается во всем диапазоне температур. Наиболее сильно подвержен влиянию кислорода

механизм проводимости носителями заряда с энергиями вблизи уровня Ферми, в меньшей степени это относится к прыжковому механизму. В то же время изменения проводимости вследствие увеличения ширины запрещенной зоны малы по сравнению с другими механизмами.

Можно полагать, что обнаруженная в области температур 400-500 К особенность в температурной зависимости проводимости пленок Cg0 имеет ту же природу, что и фазовый переход, наблюдавшийся в кристаллах CgQ при температурах 425К.

Наличие данной особенности мокет препятствовать точному определению параметров зонной структуры пленок Сб0.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. T.L.Makarova, N.I.Nemchuk, A.Ya.Vul'. Optical properties, structure and conductivity of fullerene films. Oxygen effect. Fullerenes. Recent Advances in the Chemistry and Physics of Fullerenes and Related Materials. Editors: R.S.Ruoif and K.M.Kadlsh, p.914-923 (1995).

2. N.I.Nemchuk., T.L.Makarova, O.I.Konkov, Yu.F.Biriulin, A.Ya.Vul'. Surface and bulk effects in conductivity of fullerene films. Mol.Mat., V.7, p. 183-186 (1996),

3. N.I.Nemchuk, T.L.Makarova, A.Ya.Vul'. Conductivity of C70 amorhpous films. Book of Abstracts of the "Fullerenes 9f. The Second International Interdisciplinary Colloquium on the Science ans Technology of the Fullerenes.

_____ Keble College, Oxford, UK. Abstract N 074, 1996.

4. N.I.Nemchuk, T.L.Makarova, A.Ya.Vul'. Electronic-structure oi pristine and. oxygen intercalated fullerene films. Abstracts oi the 189th Meeting of the American Electrochemical society. lor,-Angeles,

USA. Abstract N 584,1995. '

5. N.I.Nemchuk, T.L.Makarova, O.I.Konkov, Yu.F.Biriulin,

A.Ya.Vul'. Surface and bulk effects in conductivity of fullerene films. Abstracts of the invited lectures and contributed papers .International Workshop "I'ullerenes and Atomic Clusters". St.Petersburg, Russia,

p. 94-95,1995.

6. T.L.Makarova, N.I.Nemchuk, A.Ya.Vul'. Optical properties, structure and conductivity of fullerene films.. Oxygen effect. Abstracts of the 189th Meeting of the American

. Electrochemical society. Reno," USA. Abstract К 1324, 1995.

7. Н.И.Немчук,' Т.Л.Макарова, А.Я.Буль, О.И.Коньков, Е.И.Теруков. О механизмах проводимости в аморфных пленках С60 и СТО, ЭТТ, 1936. .

8. Н.И.Немчук, Т.Л.Макарова, А.Я.Вуль. Влияние кислорода на механизмы проводимости в пленках СТО, ФГТ, 1996.

■9. А.Я.Вуль, А.А.Ежов, Т.Л.Макарова, Н.И.Немчук, А.И.Олешкин,

B.М.Панов. СТМ/СТС исследования особенностей поверхностной структуры фуллэронов. ДАН, 1996.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. W.Kraetschmer, L.D. Lamb, K.Fostiropoulos, and D.R. Hufiraan. Solid C60: a new form of carbon. Nature, V.3.

N47, pp.354-357 (1990).

2. W.Andreoni. Electronic properties oi iullerenes In the molecular and. solid phases: a briei introductory course to theoretical approaches. Electronis properties of iullerenes. Eds. H.Kuzmany, J.Pink, M.Mehrung, S.Roth. Berlin,pp.85-92 (1993).

3. S.Saito, A.Oshiyama. Cohesive mechanism and energy bands of solid C60. Phys.Rev.Letters, V.66, pp.2637-2641 (1991)

4. S.Saito, A.Oshiyama. Electronic and geometric structures of fullerene C?0. Phys.Rev.B, v.44, N 20, pp.11532-11535 (1991).

5. M.S.Golden, M.Knupfer, J.Pink, J.F.Anribuster, T.R.Cumminst, H.A.Romberg, M.Roth, M.Slng, M.Schmidt, E.Sohmen. The electronic structure of iullerenes and fullerene compounds irom high-energy spectroscopy. J.Phys.Condens.Matter, N 7, pp.8219-8247 (1995).

6. Electronic properties of iullerenes: Proc.Intern.winter school on electron.properties oi novel mater. Kirchberg, March 6 13 (1993) Ed.H.Kuzmany et al. Berlin, Springer, 436 p. (1993).

7. Y.Yonehara, S.Boku, R.K.Kawamura. Fullerene thin-film tunnel diode. Патент 1ЭД N 06-29556 03 МКИ H01 L29/88 (1994).

8. J.B.Caup, R.B.Schwart. Use of fullerene filmes as surfaces of uniform electric potential. Appl.Phys.Lett., Y.63.-N 4, pp.455-457 (1992).

9. Qihuang Gong, Yuxlng Sun, Zongdu Xia, and Y.H.Zou. Nonresonant third-order optical 4 nonllnearlty . of all-carbon molecules C6o. J.Appl.Phys., v.71, N 6, pp.3025-3026 (1992).

10. W.J.Blau and D.J.Cardin. Nonlinear optical response of C6o and C?0 iullerenes. Mod.Phys.lett.B, v.6, N 22, pp.1351 -1360 (1992).

11. E.Frankevich, Y.Maruyama and H.Ogata, Mobility of charge carriers in vapor-phase grown CgQ single crystal. Chem.Phys.Lett., v.214, N 1, pp.39-43 (1993),

6, pp.758-760 (1994).

12. A.Hamed, Y.Y.Sun, Y.K.Tao, R.L.Meng, and P.H.Hor. Effects of oxygen and illumination on the in situ conductivity of C6o thin films. Phys.Rev.B, Y.47, N 16, pp.10873-10880

. (1993).

13. Shigeo Fujimori, Katsunori Hoshimono, Shizuo Pujlta and Shlgeo Fujita. Variation of conductivity and activation energy in metal-doped and undoped CgQ films under oxygen exposure. Sol.State Comm., V.89, N 5, pp.437-440 (1994).

14. T.Arai, Y.Murakami, H.Suematsu, K.Klkushi, /.Achlba, I.Ikemoto. Resistivity of single crystal C60 and effect of oxygen, Sol.State Comm., V.84, N 8, pp.827-829 (1992).

15. S.Kazaoul, R.Ross and N.Minaml. In situ photoconductivity behavior of C60 thin films: wavelength, temperature, oxygen effect. Sol.State Comm., V.90, N- 10, pp.623-628 (1994).

Отпечатано в типографии ПИЯФ

Зак. 215, тир. 100, уч.-изд. л. 0,9; 3/IV-1996 г.

Бесплатно