Модифiкацiя дефектноi структури та фотоелектричних властивостей твердих розчинiв ZnxCd1-xSe, CdxHg1-xTe при лазерному опромiненнi тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

0-1 АКАДЕМ I Я НАУК У К Р А I Н И п V-.:';?; 1НСТИТУТ НАП1ВПР0В1ДНИК1В

На правах рукопису

ГНАТЮК Володимир Анастасжович

МОДИФ1КАЦ1Я ДЕФЕКТНО! СТРУКТУРИ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ

твердих розчинш гпхС^-^е, сахн&1_хте

ПРИ ЛАЗЕРНОМУ ОПРОМ1НЕНН1

01.04.10 — ф1зика нашвпровЦншив та д1електршив

Автореферат

дисертацпна здобуття наукового ступеня кандидата ф1зико-математичних наук

Кшв — 1993

Робота виконэна в 1нституи нашвпровшниюв АН УкраГни, м. К.и1в

Науковий кертиик— доктор ф13ико-математичних наук, провщний науковий сшвробпник МОЗОЛЬ П. О.

Офщшш опоненти: доктор ф1зико-математичних наук, професор СИЗОВ Ф. Ф.

доктор фЬико-математичних наук,

академж Академ;? прнкладноТ радшелектрошки,

професор ДЯК1Н В. В.

Пров1дна установа—1нститут прикладних проблем механики 1 математики АН УкраТни, м. Льв1в

Захист вибудеться « » ¿^"/¡¿уиЛ 1993 р. о ^^_год

на засщанш спещал13ованоТ ради К 016.25.01 при 1нститут1 нашвпровщниюв АН Украши (252650, КиГв-28, пр. Науки, 45)

3 дисертащею можна ознайомитись у б1блютец1 1нституту нашвпровЦниив АН УкраГни

Автореферат роз1сланий « ъ 1993 р.

Вчений секретар спещал!зовано1 ради

Беляев о. е.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОЕОТИ

Актуальнють теми. Вивчення вплизу лазерного випрошнювання на дефектну структуру кап1впров1Лник1в е чзстиною фундаментальноI проблема взаемодн випромпюваяня з речовиноя. !нтерес до процес!з лазерного дефектоутворення викликанкй такох кеобх!ДН1стю з'ясування причин деградацП нап1впров!днкковях елемент1в лазерко1 техшкл 1 мо.тлив1стю використання опрсш кення для направлено I змпгя параметра матер1ал!в. 1стотна залежшсть фзтоелектричких та елекгроф1зкч-них властивостеЯ твердях розчитв (ТР) Бо 1 То

(КРТ) в1д ступени структурно! доекояалост! робить актуально» проблему розробки способ 13 активно! ДП ка дефекта кристально I реп ¡таг з метою зменвення 1х концентрат I, энихекня елгктричноГ активное?! або контрольовано! генерацП дефект!в певного типу.

Лазерне опрошненкя, завдяки перевагам (короткочасшсть, вксо-К1 1нтенсивн1сть, локальшсть) перед тралит йними методами обробка нап!вправ1дник1в,е ефектизккм способом гшни дефектно! структура 1, в 1дпов1 дно, властавостей матер1ал1в. Все це, а такая сарске проиис-лове застосузання доел!Джуваних в робот! матер!ал!в (гпБв для оп-тичних елекент1в лазерног техтки,' ТР для фотоприйгач!в: у видим!«, а Сс!хН^_хТе в ифрачервотй (14) д!дяиц1 спектру) зуко-влюе ряд досл1джеиь по дат Я проблем!. Але уст вне практична зико-рлстаяня 1х результат!в стримуеться недостатнш вязченням деягаге аспект!в. Зокрека, не з'ясовано залеютють результат!в лазерко! об-робки вIд вихшо! структура натвпров!дн;:к!в, немзе однозначное?! в питаниях щодо накопичення дефект!в, променево! ст!йкос?1. переро-зпод!лу кокпонент1в сполук при дп !нпульс1в лазерного випромпвова-ння илв) наносекундно! тривалоеп. Останне хаз ведоке значения у зв'язку з■ мохдивют» зм1ни складу ТР в приповерхнев1й облает!. Ос-киьки КРТ е основнш матер!алом для фотоприЯмэдв 1Ч-д!апазону, то особлква увага придшетьея проблем! «одаф!кацц його Фотоелекгрич-них властавостей. Лан! про'кожливють каправлеяо! змии при на-ноеекундному лазерному опрошненш практично 81дсутн1. хота оказаний режим ооробки дозволяв уникнутя прогр1 ванна об'ему »ат?р!алу ! з).лнюе властивоси. лисе тонкого припозерхневого пару.

Валит ве значения мае'встановленяя доьияухзчих иехан!зм!в лазерного дефектоутворешш а катвпрозизниках. Для цього з робот! вико-ристовувалноь широко- 1 вузькозизшн» ыатер1алк, со дала гкагу рез-глянути -вкладки ди лазерного вгарешкяванна з облает 1 прозоросп 1 з облает! фундаментального .поглинакпя ТР.

"зта робота.. йодафикащя систеш дефект!в . структур« ТР 2пдС(1^_д5о 1 Сс1<Н^_<.Те ва допошгою оврошнення наносекуидними н:-цудьсаьЕй руй!нового лазера для встаяоалення еаконошрностей дефек-гоутвореняя та направленно1 зшни фотоедекграчесмяс характеристик.

В дйсерхацИ ставнлися так! задач 1.

л. д0сл1£к8ння вшибу дефектоутворення, стииульовакого яазер-вим випрошняванням г !нтенсивв!ств нихче порогу плавления або руя-кукшш катер 1аву, ка нер!внова»н! процеси в ТР гпСсКе 1 СсШеТе.

2. Встаао&аення зв'язку регультат!в лазерного опром!некня з ВНХ1ДЯО» дефектной структурою нап1впров!дник1в.-'

3. Бивчення структура 1 морфологи ТР КРТ при дП какосе1огнд-•Ш1Х. Ш в ¿ззрзкоьу д1апазок$ ¡нтексквност!.

4. Анаа1э вкладу коазгрушах • процес!в в дефектоутворення при дазеркоху опром1некя1- прозорих-1 сальнопогдинаючих кап1впров1дник!в,

5. Вивчення ыаяливост! циеспряшвано! амида еяектроф!зичних 1 фотоедектрячнях вдастквостей досд1дауваних ТР за допошгов Ш.

Сй'е;:?:; до<шджеяня.. для досягнекня поставлено! мети в робот! використовувались об'екти р!зного типу: монокристали ТР й^СИ^Зе. п-?кпу Р13К0Г0 складу, вкдшахга прокксдовий 2гБв з ршшм равней $оноекх домикзх, а такса; кристали, еп!такс!альн! шари (ЕШ) .'1 шавки п- I р-типу ТР Са^Яг^уТв, ¡ДО розр!акядись складом 1 структурно» досковадЮТ». ■

Наукова ковизка робота.

1. Показано, ео рзог Фото-.! р!вноважио1 вроа1да'ост1 при слро-к1некк1 иойокрггсг&лв ТР гп./СЗ^Зе з иггенсивнют» нкжче порогу руйкуваяяя або шизгет матер! алу вкказсашгй утворенкям точкобия дефект!В - и!й«кх донор13 ! ксмлекеуючих IX ЦОКТр!В фаТОЧуГДКЕОСТ!.

2. Вотанозлспо, що гбиьаення иршвг заборонено! гони б припо-В8рзЕСЕ!Я обдаст! ь'онскркстал!в гпуСй^Зе, тддадаа вплкву 1ЛЗ, пов'ягако 8! зтиоз складу Т?.

3. Епер-гс екеперамекгальяо досл!дг.5>:о ефект еб!льзеш;я стацю-кгрио! ®отопров!дност1 (€Ю в мсохооиниг специальна келегоганиг кокскрагтадах 2г£е я юля гааеряого оарешнення г допорогово» жтен-ензнютю ! встаковдезо зеязок вкагашго еф&кту о! зшко» точково-дефеш»! структур:; матер1&гу.

4. Ваерзе ЕзяадбЕО скщсшш гак-еикушв спектр!в СП ьфоуемаг-Шткого (С;.С2) у корегаохэкльовяй (ГО бж п-сля обробк» крк-спупб Ш п-ткпу каносекундшш 1лв; показано, ко Ка зеув обумов-двккй утгорзккяк г кр;шоверзн?в1й обдаст! тр? р-ткпу ■ проз!дност! & 61Д&30», «зад-в сО'еш , щрпнов згОоронеко! воки.

5. Зстанозлгко, ко лазерне опромшеякя з допорогозов '¿ктенсиз-нюта модяфшуе точково-дефеетну структуру тонгсого знсокопроз1дпаго п-иару на шнвках КРТ р-типу аналог1чко термов юталу, а при шзпс »нтексшюстях Ш призголнгь до створекнл припозерхневого рг-пару з Оьчьшоа Еиринов ззбороиежм зона.

6. Вперив показано, ео сбрсбка ЕШ КРТ з кошрковоя структурой каносекундники 1.1В з 1к?енсквк1отп'як.до, так 4 тпсля плавления поведан 1 ГР гккжясае • зростання фогочугливоет! 1 «одкЗНкашп спектру (Ш, обунсвдеких гетеруичкми ■ власткзостяш меж ком!рок та зш-ноо ещши забороненоI гони яряпоаерхяего! облас?«. вгдпзвшю.

7. Вперпе експеримзкталько гизна^эно порогов? гуегдну екергп цшульспз Ейпром1кюеання рубиювого лазера наыосекундно! трмгазос-?1, ко призводить до зшки морфологи п-озерхя 1 ТР КРТ 5 клязлзко зидиенкя телуру.на шй.

Практична значения робота.

1. Запропонсвзко способ керування фотселеэтркчнкш ягрдктеркс-тикг-ч« мо!Юкристаз1з 2пдС-с1^хЗе за допоногоа спрошнеивз 1-13, со дозволяв значно шдеивдти !х (роточутлгтють з в$рокоау 'спекгрззьво-му д!апазон1.

8. Вязвявяо, ео ефект збикзенкя ©1 з яро:.с:слозп" еяещальио велегоганих мокжристалах гпЗе прг дг I 1ЛВ дспороговог 1ат<?шшсе-

-гиклякащай" утвореяням точковях дефект гз структура г }.х®з бути застосовгнзш для контроле деградзцП опткчкпх еле^зм-нз з 2пЗо в лазерное установка::.

3. Шжа?шю шхзив!с?ь нгярйвлеио! гшт-< фотселектрта електрефшгших вареивтр1в кристаив чТе вазпсси Гл'сЗро'кн

каносекуяднгкй! Ш; ветаноздеко рет-к;? ещняеш для оотишдоШ

ршг пягяч.ото! я 1 п1 г'.' с'гяб1ячпппт1 .

"С. О ч 1 { " Г Ч 1

" 01

с1

л -1 1

А ^ 5 Г, Г.

_<__ _1 ^

1. Дз :т напое«:

I 1 г

г 1? *>«

о

п

О Г> Н ГТГ

спо-

п Э "

3*

~ } <"Ч •

1

э

г

1

5

- < ,

дазершш опрошненням, в високоомних спетадьно нелегованих ионок-рисгадах ZnSe мае шсце при мал i К С 4 1Q1S cu"3 ) концентрат I фоно-вйх ломiшок 1 спричинения перебудовою системи власних точкових дефект структура.

. 3. .Шдвищення фоточутливосл при лазерному ащяшкенш SU KPT е кошрковою Судовою обуыовлено гетеруктаж властивостями «еж ком i -рек i пов'язано з сегрегашеи домшок, власних точкових дефектtв на стоки, яки ми слетать облаетi мало! posopieHTaiai, а такой з1 smíkob електронного стану останн1х.

4. Опроытення TP KPT Ш какосекундно! тривалосп призводить до эб1льшекня виринл заборонено! вони в приповерхневхй обдастi, по-в'ягьяоыу si j;o:o складу за рахунок лаверйостимульовано! десорб-цП ртут1, при цьому надлкагковкй телур ввдляеться на поверхн1. .

Агтробащя робота. Ochobhí результата дисертацп допов1далися на 2 Шхкароднкх, 10 Всесоюзная \ 2 Республ1канських конференШях. У тог«:у члсл1: IX Республгканска вкола-сешнар "Спектроскопия молекул и кристаллов" (Терношдь, 1939), II Всесовзний сем шар "Примеси к дефекты в узкозонных полупроводниках" (Павлодар, 1989), I Всесоюзна каукова конференция "Фотоэлектрические'явления в полупроводниках (Ташкент, 1939), Всесоюзнаконференшя ыогодох вчеких i спеша-Л1ст1в з étsmnol лími I "£>изхи;.:кя-30" (Москва, 19S0), V113 Всесоюзна конференшя 13 вгаекодП оптичного випрошниванкя. з речовикоя (Лешнград, 1990), Всесовзний науковий сеыишр "Многослойные структуру ка основе узкозонных полупроводников" (Кукус, 1920), XII Всесоюзна кокференши г ф!зкка кшивпров1дяик1в (Kjüb, 1990), 46-та вауково-техтчка конференшя, присвячека Дню радю "Актуальные проблемы развития радиотехники, электроники, связи" (Лешнград, 1991), X Шявародяа Еколз-сешнар "Спектроскопия молекул и кристаллов" (Суш, 1991), Дерна ШЖЗУ81ВСКЗ конференшя "Изтериаловедение и физика подупрсевдккковых Фаз переменного состава" -(Шжйя, 1991), Третя Всесоюзна науково-техк1чна кокференшя "Материаловедение халькоге-яиякых полупроводников" (Чершвш, 1991), Всесоюзна науково-техтч-ка конференшя "Приборы с отрицательны;,! сопротивлением и. интегральные преобразователи на их основе" (Баку, 1991), II Всесоюзна науко-вг кокференша "Сотоэлектрические явлеия в полупроводниках" • (Аата-бад, 1991), Mi «народна кояференша а питакь електрошш «атер1ал!в (Еовося-б1рськ, 3992).

Публ1каШ I ■ За штер!алами длсерташ I опубл1ковано 22 робота, г них 9 - стат в перюдавшх ваукових вялгншх, 13 - тези допов»-дей на науковнх ковференщях.

Структура 1 об'ем робота. Дисерташя складаеться !з вступу, чотирьох рс-здшв, ВИСН0ЕК13 1 списку в"ксристовувапо1 Л1тературн. Материал викладений на 154 стортках, вюшчаючи 32 малжнки, 1 таблица 1 б1блюграф1в 1з 154 кайменуваяь.

ОСНОЕН1Й ЗМ1СТ ДИСЕРТАЦП

У вступ! обгрунтозуеться актуальность теья дисертац1Яно1 робота, формулюеться мэта 1 задач! досл!джекь, вказуеться вауковз новизна та практкчяе значения отрлманнх результатов, перед^чуються основа! полокення, висунут! на захист, рефератявко викладений змют диеертацП 1 приводиться в4домоет 1 щодо апробацп робота.

У перзоау роздан даеться огляд теорэтлчних 1 екеггериментзль-них роб1Т, присвячених взаечодп лазерного випромиювакня з кап!з-пров!днкками. Розглядаяться р!знемаштн1 ыехашзми дефектоутворен-ня, стимульованого лазернш опром!нениям. Анад!зуеться вклад ция >:ехан1зм!в у яроцес деребудовя дефектноI структури у випадку презо-ркх 1 сильнопоглинаючих материалов. Приводяться наявн! в Л!тератур! 1 використовуван! з робота вирази, то оппсують процеси взаемодп лазерного вкпроьп кования з твердим илом.

'Дефекта структур;! визначають осяовн! фототоелектрпчш та елек-?рсф1зичя1 властивост1 натвпров1дникових сполук кгЩ та ТР ка IX основ!. Току особлива увага прид1ляеться моаиивостям направлекого формування цях характеристик шляхе« активного впливу ка дефектну структуру досл1дауванях в робот! матер1ая1в при лазерному опромьче-кн!. Приводиться результата досл1д.т:ень, отриман! р!зюш методам», з тему числ1 й тюз!, со використозувались в робот! - метода ФП, ре-лахсацп ФП, фотолш!несценцП (ФЛ), терксс5ГО<ульовано1 провгдяоеп (ТШ), ликсаьшерних характеристик (ЛАХ) фотоструму, ко:,!б!нац! Иного Розс1яйня св1тла (КРС), ефекту Холла. й-К, електронно-зондового м!-кроанал!зу, ректген!аеьких дкфроктоиетр!I 1 топограф!I, оптпчно1 та електронно! шкроскопИ.

Розглядаеться стан питания обробки ТР СИ^Н^.^Те 1ЛВ р!зно1 тр:!валост!Анал1зуаться механики зшкл фотоелегстркчнлх, електро-ф!зичяих 1 гадьвадолапптгшх властквостеЯ при дьс!.<у. В!дзкачаеться, , по осковна роль в роботах вадавться тепловоз мехашзму генерацн електрачно актявкях влзенах точкових дефект!в. приводиться результат:! доалдхень иодаф1каа11 структури 1 корфодош поверяй 'Г? К?Т при лазерное опром(яея>Н. Акцентусться увага на питаниях, як! неоднозначно висв1тлшгься з лиератур!.

2-344»

ДругкЯ розд!л_ г.рксвячекий експериментальнш доаглджекням процесс дефектоутворення прн лазерному опроьинеши монокристал1в ТР /пхС<^;5е разного складу, вклячаоти високоомш специально нелего-ван: пробелов! кристали гпБе, яш вддр^знялися концентрацией неко-ктрольованих домшок. Ветаковдеко, що обребка вказаких ТР нтульса-¡,ш випроьинювання рубшового лазера (з облает! прозоросп) тривал!-ета I = £0 не з гусг.июю погу;1Шост1 нюте порогу плавления або руй-куваняя кристалгв спричлние р!ст темновоГ (С5Т ) 1 евзтлово! (Осе ) проЕ'ДКосгг в 10-10^ раз. Для 7,г\5е спостер^аеться збиьисння иль-(сг (¡ел (2 Ю-100 раз), причому такай ефект притаыанний лше кристален з низькш р1внем фоковкх демхшок.

Досшджеяня спектральних характеристик ©I ТР гп^^Бе показало, що макекмальний р1ст фоточугливост! в!дбуваеться в КХ' дшти В1д максимума ФЯ, який ашщуеться у б!к коротких хвиль. Величина-зеуву вадезшть В1д догк опром^кення 0 (0 - ЬМ-Ь, де I -густика по-тужкост!, а К - к1льк2сть 1>,!яульс1В 1ЛВ) 1 стаковила 3-10 нм. В1д-поз1дке эмщення мало мюце 1 для ЛШ1 виьного екеитону в спектрах <М, ¡ш збуджувалися криптоновим - 647,1 нм ) лазером прк 77 К. Шввкрина лШ1 в 1 ль кого екеитону при цьому гменшуетьс-я, що ков'ягано з -повраденняы однородное?! складу ТР побдизу поверхн!.

доесш значний зеув максимумов спектров фп i ексктонно1 фл у КХ б1К теля олрег.инення кристалл гпхС<^_х5е зумовдений дефектоут-воренняь:, яке спричикюе перебудову кристгд1чно1 ревгткк 1 формува-ння у пркповерхн9Е1й облаетI кару з бзлыпою шириною заборонено! зо-ни в зв'гку 31 8М1К0» складу тр.Оетанке шдтверджуеться результатами в;апр:овань спектр! б крс, що збудауваяися таким ке чикса як 1 зл, тоСто вкпрои!вяваигшм з сбгасп власного погллаання кристал1в. ,Иря цьому роал!гуе?ься укова резонансного крс, в спектре'.:-: якого проявляться шльки поездов»»! опткчгп фоноки. 0ск1лькп 2п«Сй{ у5е хара-

ст " „ " " ) i 1 "с о

С Ь" „ С 1 и _ с „

ТР. Лазевнэ опрскПйнкя пркзьодлть до змшення Ц1 е! с^ги у 61К 61-

ВИХ1ДН1 положения. У цьсму влпадку Е!дбуваеться вияучення не тшкл атом!в Cd, a i десорбшя Zn i Se, отхе, склад ТР не зшкюзться.

3 кето» вивчеяня процеав, що приводить до гбшття фоточут-лнвост! монокристалл'в ZnXd^^Sa при обрсбц! !х 1ЛВ, зд!йсвввг!Лйся вйм1р»ванйя ТСП, лах фотоструму та ФЛ при високих píbhsx ебуджеяня агогним (Л - 337,1 им) лагере;.;: На шдстаз! результат!s цих доелiд-.г.еиь анал1зую?ься мехагизця зростання ютеясивЕост! 'Ш. Встанозле-но, ¡до вказакзй ефгкт поз'яган:й з утзорэнкям «кдкпх докор1в (вакансий So) i компенсушж Г/. центрi в фоточутлиеост! (вакаяе1й Cd).

Cmíiíh 67,ССз • шириян захоронено! sosa ТР Zr^Cd^Se найб1льз

гначн! в облает; складу х < 0,54, то з1дясе;дзз гвкеагашкия ш-

дафисзШ! кристал^з, i зменлузться при набл;а:енн1 к у бпе ZnSe, а

при л > 0,88 практично ке спостертадться. Ефект росту фоточутдяго-

ctí при лазерному опром;ненн; ZnSe «as mícxjs тглькл для вйсокоомгп:г

специально нелегованкх кристал1в з конпектра'ивя заляковйзс даишк

N 4 10» см'^. Спектри ФП зоагк!з з шшшдьнкм plBSSK scmieok (К'-" яг

-10J см мали еигдлд селек.тивяо1 смуги з максимумом, 31дпев1дн;:м зона-зсннсму поглинаняю. Спектр:; кркскшз з К 10^ см"3 порял s влзсюш- максиыукк* -Ш стили снугу 3 дсвгохвндьового (ДС) соку, яка поз'язаиа з дэмиаювоа npoBl£Hicm ¿азернэ опром1ненкя прязво-Л'лть до зб;льлзнця фотсчутливост! на зс;д д;дякц; спектру, але перевалено власнс! СП, до епргшягоз мздиёикаша спектру цих кс;:стал;з до под!бяого спектра!.! (.£зкойкалько^йстех*зразк!в.

Еиявлеп! змш! СП кр:;стал!в ZnSe зумозлея! перебудсвоэ системн точкозлх д$фе:ст!3 структур;;. На де вказуз гменпеяня гкгенелзлоет: ексктонно! ФЛ, спектр;; якоГ гбудхувалпея азотннм лазером при 77 К. ООроСка 1ЛВ з допорогсвсэ густиксп потучнеет; спричшаоз вкаякнення елеетрично зктив.чях дефектов í формуванкя безекелтонного sapy з ярипозерхн9В!3 облает3 кристад!3, Зб;лз::еккя кокцектрац:Г тсч;-:ознх дефект;з мдтзердкуетьез з:ш;ами з спектрах КРС, со збудяувазлея аргоксвш лазером {л - 514,5 ни ). Зокрема, негначнпп перерозпод;л чнтенсившхггей LO í ТО с:онон;в, а такс:;: псяза додаткознх л!н;я з максимумами 77 з 117 «Г* , сйуъювлен;:?: пср„.':.-е:.н.-м пга-в:-;л згдбору." Сз.мз розупорядкувангш pssísre: кр;:стала, сг.: ::•:.:: я -отсм >:с:;центраци точловдн дерект;в, прязведпть до аггеквюзц:! а;:у-отй'йш í©so;i!3 з олтачноуу езенгр!: та з осс-йлйвай то-:ц; x зон;; Ериллкека ) t 2ТА в ссо5лпз;Я точш L тот: Ерлллкйна (\>г).

При лазерное опрсмн;енл! кр;:стзл13 ZtiSe з ннзгклм р;з:;еи нз-к.онтрольоган;:д дрмшек на íohí загалвнего лздв;взе;:ня дефекгнсст; гростг® ио:иентратя де^оппг, я:-:г о центра;гл фзтзчутлязз-

cri. Остакнз i служить основною причиною збиьшення стац!онарко1 Sil. Негм!нндсть темновоГ пров!дяост1 св!дчить про те, що донорк1 дентр:1 при цьо.му повести компенсуоться акцепторами.

Вям1р:овакня спектр!в СП при поааровому стразлюванн! опрошне-ш;х кристал!В Zn^Cdj.vSe i ZnSe показали, що перелечен! вшде змши Еластивостей мають м!сце в приповерхкев!«! облает! товпшноа ~ 12 км.! для TP i ^ 5 мкм для ZnSe. Сотоструы визначаеться цим шаром. Вису-THiCTb ефекту зб!льшекня <Ш при лазерн!й обробщ кристал!в ZnSe з N Ь 10*7 с:.'.~3 пов'язана si значкиы рогмноженням дефекив' внасл^док сильшшого погликанкя випрошнюваиня. Через вишу концентрацш зали-екоеих дошшок ыожливе утЕорення ке фоточутливих. комплекса. Все це повинно призводити до змекненкя часу хиття та рухливост! нер!внова-кних HocilB заряду (ННЗ) i, вдаовадно, падоння фотоструму, що й спсстерогасться в таких кристглах 13 гроттанням дози опроьинення.

У третьому роздш приводяться результата досд2до:ень фотоелек-тричних, електрсф!зкчних, гальваномагшнтних властиЕостей криста-мъ, eni такс дальних шавок 1 шар!в СЛ/Ни^Те, шдцаних вплкву ка-коеекундких 1ЛВ в вирскому д1апазон! густини енергП. Показано, що sMina Еказаних параметров залежить В1Д структурно! досконалост1 TP i -Еизкачаеться кодиф!кац!ею система дефектдв.

Та:-:, лазерна обробка кристал!в С<3023Нгй77 Те п-тану еисоко! структурно! доскокалост! з густиною енерги нихяе порогу плавления поизводить до тштоподьовоГ залежност1 коефощента Холла RX(H) 1 КХ змиценню максимум iE Sil i ©£В на величину ~10-15 мзВ. При цьому 1нтенсивя1сть <Ш падав, а сигнал ©iE зоольнуоться. Поява валежност! P.fiZin Kanpyr.eiiocTi магк1?ного поля Н евдаить про утворення шару р-типу пров!дност! 1 вбудованого р-n переходу, а зеув максимумiа спектр!в спричиненкй збиьаенням ширини заборонено! зонк. Останне зумовлено 3M1H0S складу TP в приповерхкевой облает! i капругамк з hü": внааидок дп ударних хвиль, в»о винкканть при опро«!кенн!.

Кодйф1каЦ!я характеристик кристалов КРТ викликана ггеребудовса точкоео-дефектно! структур« ТР. Лазерне випрош названия призводить до десорбци м!хвузлово1 ртуто (донордв) з утворенняи збшмлого по основкйм кос!ям та !Квертоваиого шару. При б!льшкх дозах 1ЛВ bi-дбуваетьса подальше видения атомt в ртут1, со саричишое рют концентрат I акцептор!з (вгканс»й Нг). останне тдтзердауеться .значкам Св ~100 разгв) еб1льиекням сигналу <1ЫЕ. Шдвюцекня дефектное?t матер !.алу зуыовлюс падения штексивкост! 'Ш. Еказаш зьани мгхяь ыю-це в пр:шоЕерхнев1й облает! 'кристалив, стравлювання нко1 в!дковлвв характерпст!-.!® ТР. Приводяться результата досл!джень вшшву 1ЛВ на

дифузоЯно tcbcti i tohki зразки, а такоя на кристадя KPT теля «е-хан!чно1 обробки поверхн!. Для цих зипадков аналозуэться енергет:л-Н1 доаграми прлповерхневого шару кр::стал!в, приводяться гирази для струну «МБ У рамках ыодел! дзоиарово1 структур:!.

Ефективна д!я 1ЛВ наносекундио! тривалсст! на точково-дефзктку структуру тонкого кару TP внасшдок иало1 глкбини вюшву дозволяв модифокувати властивост1 ештаксюйыптх пловок КРТ, в ягах характер розпод1Лу дом!шок 1 власних точкових дефект¡з но товпзга! веодпород-ний, особливо в пр:шоверхнев1Я область При вирозувакн! тагах ял1-вск на поверхн1, як правило, утворюеться збагзчений ртутта внеоко-пров!дний cap, яккй внасл!док б!львого вшошення рухдивостей елек-трок1в i flipoK (Д/Д » 1) спотворюз результат:! контроля електро-фознчних параметров. !снуваня такого пару niдтвердаувадось данки! вякирввакь капи'топольових залегшостей коефЩ1снта Холла ЙЛН) i в1диоско1 поперечно! електропроз!днсст! М(Н) ештакеюльЕкх пл1зск Cd0 21к?о,7ДТв ' Р-типу товащяоэ ~ 18 ко», отр:с,:'аних на шдлогкзе CdTe. Внгляд залехностi RX(H) вих1дних зразк!в бузпод!бнгЛ до взгляду притачанного шдельким п-р-п структура:,!, для яклх гедавша i немонотонна залезайсть R;/(H) пов'язат 13 зпливсм п-сару. Еэличика t характер з-але::с-;ост! ¡.1(H) буди типов! для крпс?гл!в n-Cd;,Hj,_v Те.

Обробка п.ивок liPT 1ЛВ з допороговоз густинсз -вверг И прпззо-д::ть до шэяви ходу залезпнос?! RX(H>, характерной? для кр;гстад!в р-т::пу. Слабка иагн1тоаольова залежяють М(Н) зразк!з niczn опрочпк-ш:я В!дп031дае !,'(К) кристалов зо гы!каноэ проз 1дш ста. Так! у. зшг.и вказаяих параметров зодбуваються з результат! стргзгвзааня згшдних яловок на мкм, ¡до служить додатковда доказом оснувгкня прнпозо-рхневого проводного пару. Лазерне вапромншвання, ¡.¡однфькуачи точ-ково-дефектну структуру цього пару, в результат! досорбц1I атешз рту?! перевозить йога з п- з р-ткп пров!дность ОбрахоЕако, ао цьс--му aisnoatsas ptcT концентрат I aiassiTopiB (вакатлй Н?) на пол;г-п5-ну, яка мохе бути отр'дкана для о5'<«гу КР? при стгшснарвоиу narpi-заш-!1 зразков з каекчеп'.::-: парах ртуп до температур, act досагаагь-ся при лазерной оброСцо {400-600 °С).

При 5б1льгеик! доз:: опромонення коеф;ц;ек? RX(H) стаз додатн;;,! з усьсму доапазоно Н, зростаз о вихолнть на наснчекня зо зболь^зн-ням Н. Така залгмнеть характерна для двосарово! р*-р структур;:, утворекяя яко! тдтверзяуеться ростом нахилу залекност! М(Н) а облает о скльяих полоз. На основ! стрж-аних данях, з рак-сах шдед! suosapcBol структур-,'., сбраховаш параметр:: оснозк:гл t иеоснопк-х Hocila заряду з сЗ'ем! плогкд!, n- i p^-napi.

Дэсл1д.т,екня <Ш показаао, що при дозах опрошнення, як! призво-дать до утвореккя р*-вару, фоточутлив^сть ешгаксяашотх азгтт падав. а ДХ край спектру вмгцуеться у К>: б!к. ас 1 у вкладку з крне-тадаш, останкШ ефект обновлений напругаыи 1 формуванням кару з бичьаоа ширкно» забороненоI зони у зв'язку в! зш'кою складу ТР.

Ефект зОиьшеккя прл сбрсбц! IЛВ спос?ер!гаетьс2 ка вс!х досуидлсуванкх ТР КРТ, а зшка фоточутлквост! эиачним чином залезвггь 31 д вкхшюг будови «зтер1алу. Так, при опромшети Ш з кошрковою структурою в широкому дА&пазош густая». енергп Ек0,01г0,64 дж/см2 спостер1гадось вб!«ьзеввг сигналу С-П до'20-30 раз. ЕШ, в'лрощен! методом "вашйоауваяия-ко!!девсашя-дафуз1я" на пгдлежках СаТе з областей» г,ало! розорзентаци -"20", шли ефекткзну концентрации елект-рогав пе?- 1,2*10)/ ел'"* г рухлквютьб.'Ю-5 см2/В>с При 77 К. Белектронно-зондовкй макроанализ сколу зразк)В виявкв вар1зонну область "70 ыкм 1 вваэюднорину —17 31 складом х.» 0,28. Ыета-лограф! чшпш досд!дженями скол1в на глибин] ~ 50 мкм було псказако скупчекня 'дефект!», як! обуковлюгали гоку' шдввдево! река:,й<нзш I ННЗ, ко спричивввадо спад фоточутдивост! в диапазон!. 2,7-4,0 мкы скектр!з £П, збудяуваних 8!' сторони пшоакя. -Таким чином, а цях слекграх лрозвлялися дз! скуги, зуковлек; фоточутливоетяш перэх!д-иог СйТе - С^Н^Те ! кЕазюдйор!дка1 областей. Пркчому шенсу.в-шеть гер."о! суда б!льва' в 5 раз!з га величину ДХ с;,г/ги, Спектри СП ЕШ, освияааааих а Ооку КРТ :.:али «Г-под1бниа видгляд, характерней для впладку тдвищеяоГ рекомбшацН 2 облает! сильного поглинанна.

При ЛИ на ЕШ 1ЛЗ з допороговои густккою енерп I сяостер!гае-тьсн гбиьзеяня сигналу Ш в обох вкяадках освияекня зраз;«в. Оя-ром!нелня пригводеть до; ДХ змщенкя чзрвошЯ ыек! спектру <Н1, гбуд-зувгшого в! сторони КРТ, !' до выносного росту ДХ смуги в спектр! <ЛЗ ЕЛ;, оев'тлаваяих г\ сторокк шдлохки. Еказан1 ефект;: зушвлет додающие» точкего-дефеято! структура дриповердкезого збагачэяого ртуття зару (аналогично 'пл'ткам р-й??), в! дяеиюм- залиадавюс структурных кедоскокалостей' \ казруг. Пря цьояуна кривкх к!нетккк <Ш {гбуджекяа ¿ькульса:<з: дааера ка екд! з ¡й трявадюто 20 нсК ш-склздаллся -з д&ох д!лякск, Е!лпов:лаючж таккоиу ( 2 «10"" с) !

яовиъкеау тс) 'каналам-рекохй!нац!I, зсостьо вклад оста-

К4Ь0! кокпонактк з загозъий характер релаксаа!! фотоструму-

ССрсбка ЕШ • 1ЛВ з густеао» енерг! 1, по езрзчгшш аяазленнг по-аерзшевого пгру, пркзгодакь до так:£Х зми! в спектрах '1П, збуд:кува-киг в беку КРТ; 1) зроотання • сягнаау «Я в «-25 .раз в кахеимуш спектру; зсуз гсаксиггуга ! ДХ краз у КХ б!к ка '-22 изВ; 3) ждав-

иня КХ крила з тенденшея фор^ваяия плато на диянш спектру 2,0 -4,5 мкм. В спектрах ФП spasKiB, освiтлюваних 31 сторон» тдлоккн, таке опромшеяня зумсвлхй подальшй рют ДВ смуги i переваяаннз Г Г кад 1нтенсиан1стю КХ смуги.

На В1дм1ну В1Д рсзлянутих вшде крпстал1в, залежшсть RÄ(H) при опрошнекн! ЕШ не зшнветья i залкваеться типовою для n-КРТ. Це С31дчить про гберехення типу пров!дност1 приповерхнево1 облаетi Т? при лазертй обробш . Слабка залежи t сть ефективно! концентрат t ви температура (в област1 низьких Т) гказуе ка сильно легований КРТ, з якому переватзе дотшкова прсв1днють.3а виглядом температурно! sa-ле.г.еност! рухливостм, представлена у подвШних логарифмгчких координатах, отнимались механ!зми розтяння зарядiB. Для вкхшшх зра-ЗК1В ссковну роль грае розс1ЯЯнз на сплавному потеншал! s на Еайс-берговських неоднор'.дностях. Дотнукчим е остантй мехашзм, харак-тер:г.-:й для сильно- легованих на!Ивпров1дтшв, а такоя для тах, ею кають протягай дефект«, як1 створаэть облает! просторового заряду.

Лазерне опрстнення ЕШ з допороговея густинса енергп практично не вшшва? на величину t характер ne?(T) Ебьчьпэкня £ призводкть до виенпетш концентрат I t. росту ' рухлнвое?!, як! при Е в 0,64 JWcu& досягають зкачень пер- г,5-10{6 си'3 i - 2-10^ см2/В-е (Т - 77 К). Падпшя концентрат.! ¡ложе бути сбуцсздэно дзот причинами. Перга иоз'язала з гетеруючкмн влзстиеостян;: <.:вд кон ¿рек 1, стимулъованою лазером, сегрегацией електричне активкнх дот пек та власних течкових дефектов на стоки, якими слушать облает! ¡.:алоI pcsopieH-raml, з каступноэ деактивашеа дефект is (рекс«бя?ац1ео). Лруга причина змекшоння ncöебушвдепа тин, ко в результат: погли-наакя лазерного Екпротвтагкня вибуваеться тершчна j гкусткчна активащя меж комiрок, по спрнчииюг гс-нераша ка них t з псилеглт до них областх вакансий ртуп. Оеташи, будучи акцепторам, прхгво-

" ' > ~ , ' i " 1 "

. льовано! десорбш! 1 cerperartil на стоки шквузловог рту?!, а тако:г. в результат!.выпи; електронного стану мед кош рок через гененерацш Езкаяс!й ртуп, е основною причиной росту £>П при опрошкенн! ЕШ 1ЛВ в густияоа енергп В5пце порогу плавления KPT. КХ зсув максимума i ДX края Ш ЕШ КРТ, як показа®! розрахунки, не шже спричикиватисй suns утворенням приповерхневого шару з б!льшои шириною заборонено! гони, пов'язаното з дгею ударних хвиль i змшою складу ТР. На ие ьказуе такох незшкшстъ положевня ДХ краю i фоточутлявост! при. сграв-шованн! опрошнених-"зраак!в на глибину ~ 9 ккм. В результат! стиыульовано! лазером актквацН меж ком!рок в!дбуваеться шдвищення фоточутливост! гдкбиннкх шар!в, з б!дьшою Eg. Утворекня плато в спектрах <Ш ЕШ теля опрсшне-:шя гуковлено ваяваюта з приповерхнев!й облает! вбудованого едектрнчного поля, яке .ефективно розд!ляе НБЗ.

У четвертому розд1Л1 вивчаетьея вплив наносекукдних IЛВ на морфолог из поверхнi i структуру TP Cd^HSj-^Te. Методами оптично! 1 еяектронно! шкроскопП показано, цо обробка bcix дослшубзних tp КРТ з Е < Еп » 0,16 ЛхУсу.^ не прнаводить до порушень поверхн!. При опрошненк! а Е > Еп розвиваеться процес плавления тонкого поверх-^езого кару. Перекрастал!зований матер!ад мае вигляд остр1вшв, ям. is з<55льшекняы густини екерп I' заповншгь.. вся зону лазерно! дп. Утворення остр!вшв -почикаетьея близько р!зного роду ыакродефекпв, як! в центра!.« .'.тдвкденого погдивашш випромишвання. К!лшский рентгеноспекграяьний анализ показаз, цо склад х на поверхнi опрс>.п-, неких' з Е >.ЕП аразк!в вщршп&ться у би; гмешання ptyri. Через «аду товщину • ыодиф! кованс-го лазером тару зм!иу. х по сколу електрон-во-аондовин иетодои ке вдавлено. Сд1д вивмтитк, ко. для ЕШ i шивок КРТ до опроашенна значения складу приюверхнево! обдаст!, вим1рян! безпосередньо ка поверхн!- 1 по сколу зразк!в, ке совпадали, ко зу-швлеао наявтетю ебагаченого ртутто иару, характерного, як вкззу-дося висе,, для .таких зразк!в. Лазеркг обробка' Jx в результат! коди-ф!кац!1 структур» цього шару вкиала pismaea вкм!р»вань х.

Озроьанежга TP КРТ в Е >-Ея призводкть до.вояви сауг.в евгктр! КРС, що в!дпов!да»ть кркетгл!чног,г/ телуру. Видиення вадлиакового Те .в!Дбуваеться в результат! 8б1дкення припоеэрхнево! облает! TP . ртугт». Дослиджекня елемектного складу на поверхн! -опрошкених TP ие виявяли иеодлор!Дкоетей, 'б1лыз:х ва -похибку методу. Не було зна-йдеяо eHouasifl х i на шкрофотограф!ях поверхн! з pemti. характер«-'. С5ичшяс рентгенlBCbKnz проыешв. Утворекйй лазерним опром!иенняи тегур являв собой тонну (-г* i-з вм)'шавку."-

Рентгев!веькаш! ю^ракхоиетрйчнима i -топографчнюз: досл!дяен-'

нями встаиовлено зв'язок описания ввде зм1н властиЕостей ЕШ КРТ з перебудовсю реально! структура приповерхнево1 облает1 при лазерн!й обробц!. Б залежност! в1д дози опротнення в1дбуБалаоя модиф!кац1я кривих дифракцШюго качания, зумозлека зм!кою складу ! структурно! досконалосп ТР. На топографах, сформованих з глибини i -20 ¡¿км, спостер!галася ксм1ркова ОудоЕа ЕШ, що св1дчить про стовпчату структуру. Лазерне опрошнекня з р!зкса густиною енергп не зм!нюз структуру КРТ на глибин! ~ 20 кки, а на топограмзх з ~3 г,тол приз-водить до шдиф!кацл виду мед ком 1 рок, появ! недифрагуйчих областей, зм!Н1 контрасту ком1 рок i площ! знпку. Це пов'язуеться в!дпо-в1дно з процесами cerperauil точкових дефекив до мех ком1рок i на iHBi протяни дефекта, покращенням однор1дностх коыдрок, зняттям дефор«ац!йялх пол1в. В!дсутн!сть значних smik структури 1 "вуал!" на тспсграмах ЕШ'шсля опромшення св!дчать про сбережениякристал!-чно! фази на дасл1джуван!й глибин; ЕШ при опрсмшенш. Перекриста-Л1защя Б1дбуваеться в облает! -менае 1 «км.

Анзл1зуеться вплиз особливостеЯ структури TP КРТ на фотоелект-ричн! властивост! при дп наносекундних 1ЛВ. Наявя1сть областей мало! розор!ентац!! в-ЕШ, IX гетеруюч! власгивосп обумовлкоть рют фоточутливост! при лазершй обробц!.

ОСНОВЫ I РЕЗУЛЬТАТ!! ТА ВЙСНОВКИ

У робот1 вквчено вплкв !мпульс!в внпрошнйвання руб1нового лазера тривал!ст» 20 не на дефектку структуру TP Zn^Cdj.^Se i СЙ/ЧК^_,,.Те-. Лосл!даено змши фотоелектричних та електрофззичних властивостей, обумовлем tsojci^iKaaiea систем! точкових дефект!в при лазерному олромшенш ТР. зпдно з кауковнми положениями, висунути-ш на захиет, из оскоз1 широкого експеркнентального материалу i те-оретичких розрзхунк!в ыожна зробити так! узагальнеяня та висновки.

1. Д1я 1ЛВ на ионокристалн TP Zn^Cd^.vSe з густиною потучнеет! И5хче порогу плавления або руйнування мзтердалу празводить до зб1-льсення фото- 1 р1знова.?_чо1 лроз.!лност1. Змии вказанпх величия нс-сять пороговкй характер i вибувааться з прпповерхнез^й облает! кристалл. Причине» зростання фэточутливост! е утверення ВЛгСНИХ .точкових дефектов, ко явллять собой вакансИ неталу; компексованл донорами.

2. .Обрсбка ?? ZnyCdj.jjS» наносекунд»:?«! Ш викликае шяьве-ння ширина заборонено! so ни Eg з припсверхкезому sapi кристал!в. so тдтверкдуетьса гмшеняяи ызкекмушв Ш, <5Л в НХ сторону спектр!в

- и -

i зсувом LO фонона в спектр! КРС. 8м i на Eg зумовлена збишекняы складу цього шару внаелдак зб!даення його CdSe i мае шсце (як i pie? фоточутдивостО в облает! к < 0,54, що в 1дпов1дае гексагональна модифисацн кристад!в.

3. Опромшенкя високосмккх спешалько нелегованих мококриста-лхв ZnSe наносекундниш импульсами; випреш низания руб i нового лазера г допороговою густкноа потужкоси веде до збишйення стационарно I 2JI. Еказаний ефект cnoerepirasTbca лише для високоомких кристален з низьккм рзваем lö1® см"'3) фояових дом шок i пов'язаний о перебу-довою еиетеми власних точковкх дефектiв структуру. Píct концентра-цц дефект i в в привоверхнев!й облает i кркстам спричгшш змекиення штенсивкост! ФЛ i появу додаткових ллнЫ в спектр! КРС, обумовле-ких активизацию акустичних фокон!з через порушення правил выбору. ■

4. Д1я какосекундних !мпульс!в випремишвакня русИкового лазера на TP Ccy-fej^Tc- призводить до утворекня в пршховерхневШ область шару з б!льшо», н!ж у вихшому штер!ая!, шриноэ заборонено! гоня, що тдтверздуегься ам^денням каксимушв i ДХ кра1в спектр!в СП та ФЬ£В у бж коротких довжик хвгш>. Вказан! ефекти зумовлек* ка-пругамк, зб!льшенням складу TP в щй облает!, а в.вар1зонких\ шарах такса зм!коя 30K5J фоточутливост!.

5. Опромшення кристал!в n-CdxHgj_xTe какосекундккки 1ЛВ вик-дккав íHBepcia типа пров1дкост! приповерхкевого шару, на шр вхазу-ють шдсклення кагьчтопольовкх залежкостей коефщюнта Холла i зро-стакня сигналу ШЗ. Утворекня р-шару зукоалеко абьтыпенкяи концентрат! точковкх яефешв акцепторного типу (Еакзао1й ртут!) вкасл!-док лазерко! десорбцП атом i в ртут!.

6. Лазерна обробка в- допороговою густиноз екергП ¡.юдпфИчуе точкозо-дефектну структуру збагаченого ртутт» тонкого вксскопров!д-кого п-иару, властквого еп1такс!альким пл1вкам i варам Cd^Hgj.jf.Te, • аналогично термовгдпалу, чюкращудаи im са«ки однор!дн1сть пркпове-рхнево! облает!, а при больших густкнах екерпJ Е пркззеднть до ут-ьореккя в р-гшвках ярашверхневого р^-сару.

7. Спрсмшекня Т? Cdv..Ksjj_yTe каносекундиэ.м 1ДЗ веде до гкен-веквя ihtghcmbkoct: Sil в структурно доеконалих матер!алах í гидвк-дення фоточутливоет! в' ЕШ з кошркозса структурой. Зроетання Ш зу-мовлеко гетеружою д'еа областей мало! розор;штацп в!дное:;о елек-грвчво активных дешшових 1 власних течкових дефекта, ®> спрхздг-нюз согреггцш íx на стога: - мех! кем рок. При цьс^у в^дбуваоться sища електрокиого стану остгкы!х, ягса проявляешься у перебудоз! ь(-зхаа!ем!в розс!нння нос!ib заряд!з.

8. Порогова густика енергп 1ЛВ наносекундно! тривалост! для TP CdxHgj_;<Те (x« 0,2-0,3), в.о призводить до порушення .морфологи поверхя!, тшавлення i зшии складу приповерхневого шару, складаэ

0,16 Дж/см*.

9. Плазлення i перекриетал!зац!я TP CdxHgj_xTe при обробш на-ваносекундними Ш з Е > Еп в!дбуваеться у приповерхкев!й облает! тоеиийоп неяше 1 ыкм. При цьему на поверх«! утворветься тонка (~30 ¡ш) пл!вка телуру, обумовлювчи появу смуг у спектрi КРС з характе-рястичниш частотами, 150 вцдашдають Те.

10. Показана кожлив^сть направлено! зшни фотоелектричних i електроф!еичних параметр! з фоторезистивного :.;атер!алу CdxHgj.vTe за допомогою опромшеня какосекуядяж.ш 1ЛЗ, встаяоален! ояи-аальш режима лазерно! обробки, ¡so тдвжцують фоточутлявють i стабиь-н!сть характеристик Ш КРТ.

Основн! результата днеертащ! опубл!коЕан! в роботах:

1. Байдуллаева А., Даулетмуратов Б.К.,. Гкатюк В.А., Мозоль П.Е. Изменение. электрофизических и фотоэлектрических свойств кадмий-теллур содержащих твердых растворов соединений // Тез. докл. I Всес. науч. конф. "Фотоэлектрические явления в полупроводниках". Талкект. 1SS9. С. 382.

2. Лкбчекко A.B., Мозоль Я.Е., Гнатах В.Д. Образование р-слоя на поверхности. козокристаялоз Cd^Kg^Te при лазерном облучения // Сб. катер. II Всес. се;.:. "Примеси и дефекты в узкозокных полупроводниках". Павлодар. 1S89. Ч. II. С. 83-85..

3. Вирт Ii.С., йгбченко A.B., Мозоль П.2., Гкатюк В.А. ' Особенности электрофизических и фотоэлектрических свойств монокристаллов Cdj<K?<_xTe, подвергнутых лазерному облучению.// ФТП. 1989. Т.23. N 8. С. 3333-2283.

•1. Борз 3.В., Рнатк; В.А., Козоль П.2., Ф-екесгази И.В. Особенности спектров нелинейного поглояения легированного медья селенида ни-аса // Сб. науч. тр. "Спектроскопия неметаллических кристаллов". К.: Наук. дуика, 13S0. С. 200-10-1. 5. Лаулекг/ратс-з В.Е., Гкзткк Б. А. Поверхностные состояния тверд*;:-: раетеоров соединекий при ласерясм облучении // Тез. докл.

Vi Всес. ксно, молода:: ученых и специалистов по физической нн:.:ни "insKiK^-SO". Изскэа. 1SS0. Т. 3. С. 131. S. ГнатЕП В. А., Лруоь Б.Л., Лукьянекко S.K. и др. Сотоглектрическпе свойства йбоднородных слоез на основе кадьяй-ртуть-теллур // Тез. докл. Всес. науч. ее:,:. "Многослойные структура на основе узкозоннц:: полупроводников". Кугуе. 1S00. С. 65-67.

7. Гнатюк В.А., Друзь Б.Л., Лукьяненко В.И. и др. Влияние лазерного облучения на фотоэлектрические свойства слоев кадмий-ртуть-тед-лур // Тез. докл. XII Всес. конф. по физике полупроводников.

• Киев. 1990. Ч. 2. С. 213.

8. Вайдуллаева А., Даулетыуратов Б.К., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е. Поверхностные состояния кадмий-теллурсодерзсазих твердых растворов соединений А2В^, подвергнутых лазерному облучении // Тез. докл. VIII Всес. конф. по взаимодействия оптического излучения с веществом. Ленинград. 1990. Т. 1. С. 77.

9. Baidullaeva A., Dauletwaratov В.К., Gnatuk V.A., Mozol Р.Е. Surfase states of laser-irracîiated cadmiuin- and telluriura-contain-ing solid solutions of 11-VI cor.paunds // Phys. stat. sol. (a). 1Q90. V. 122. P. 243-247.

10. Вайдуллаева A., Борщ В.В., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е. Лефектообра-зовакие в селениде цинга, стимулированное лазерным излучением // чТез. докл. 4б-й Всес. науч.-техн. конф."Актуальные проблемы развития радиотехники, электроники, связи". Ленинград. 1991. С. 73.

11. Вайдуллаева А., Даулетмуратов Б.К.,Гнатюк В.А.,Мозоль П.Е. Свойства пленок CdTe, подвергнутых лазеному облучению //Так! же.С.74.

12. ;Еорч В.В.,, Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е. Изменение физических свойств ТЕердых растворов CdAHgj_xTô, подвергнутых лазерному облучению // Тез. докл. I Межвуз. конф. "Материаловедение и физика полупроводниковых фаз переменного состава". Нежин. 1991. С. 14.

13. Гнатюк В.А., Лрузь Б.Л., Лукьяненко В.К. к др. Особенности лазерной обработки неоднородных слоев кадшй-ртуть-теллур // Тез. докл. III Всес. науч.-техн. конф. "Материаловедение халькагенид-ных полупроводников". Черновцы. 1991. С. 94.

14. Еайдуллаева А., Гнатвк В.А., Лаулетмуратов Б.К., Мозоль П.Е. Образование гетероструктуры в пленках CdTe под действием лазерного излучения // Тез. докл. Всес. науч.-техн. конф. "Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе". Баку. 1991. С. 33.

15. Вайдуллаева А., Борщ В.В., Гнаткк В.А., Мозоль П.Е. Фотоочувствление кристаллов селенида цинка, стимулированное лазерным излучением // Тез. докл. II Всес. конф. "Фотоэлектрические явления в полупроводниках". Апгабад. 1991. С. 143-144.

16. Гнатюк В.А., Лрузь В.Л., Лукьяненко В.И. и др. Фотоэлектрические свойства поликрксталлкческих слоев кадшй-ртуть-теллур, Еырацек-ных на подложках GaAs // Тач же. С. 47-48.

1-344а

17. Baidullaeva A., Mozol P. E., Korsunskaya N. E., Gnatuk V. A. Laser-

induced defect formation in ZnxCdi_xSe solid solutions and its influence on electrophysical properties//Phys. stat. sol. (a). 1991. V. 125. P. 127—132.

18. Гнатюк В. А., Караченцева Jl. А., Любченко А. В. и др. Влияние импульсного лазерного облучения на точечно-дефектную структуру пленок CdxHgi_xTe // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1992. В. 23. С. 53—56.

J9. Власенко А. И., Гнатюк В. А., Лукьяненко В. И., Мозоль П. Е. Изменение дефектной структуры эпитаксиальных слоев CdxHgi~xTe при лазерном облучении//Тез. докл. Международ, конф. по электронным материалам «Процессы синтеза и роста полупроводниковых и родственных материалов, создание структур на их основе». Новосибирск. 1992. С. 37—38.

20. Гнатюк В. А., Власенко А. И., Друзь Б. Л. и др. Особенности лазерной обработки неоднородных слоев CdxHgi_xTe//Неорган. материалы. 1992. Т. 28. № 12. С. 2399—2403.

21. Артамонов В. В., Байдуллаева А., Гнатюк В. А. и др. Влияние лазерного облучения на физические свойства высокоомных кристаллов ZnSe // ФТП. 1993. Т. 26. № 1. С. 17—21.

22. Байдуллаева А., Даулетмуратов Б. К., Гнатюк В. А. и др. Фотоэлектрические свойства пленок теллурида кадмия, подвергнутых лазерному облучению И ФТП. 1993. Т. 26..№ 1. С. 22—25.

Шдписано до друку 02.02.93. Формат 60x84Vis. Пашр друк. Офсетний друк. Ум. друк. арк. 0,93. Тираж 100 прим. Зам. 344в.

ППП корпораци УкрНТГ, 252171, Кшв-171, вул. Горького, 180.