Нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка для тонкопленочных электролюминесцентных источников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

РОМАНОВ ЭДУАРД АРКАДЬЕВИЧ

НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ СУЛЬФИДА И С ЕЛЕН ИДА ЦИНКА ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИСТОЧНИКОВ

01.04.01- «Приборы и методы экспериментальной физики» 01.04.07- «Физика конденсированного состояния»

АВТОРЕФЕРАТ

4649360

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

9 ИЮН 2011

Ижевск-2011

4849360

Работа выполнена в ГОУ ВПО «Удмуртский государственный университет».

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук, доцент

Крылов Петр Николаевич Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

Петраков Анатолий Павлович

Ведущая организация: Ярославский филиал учреждения Российской академии наук

Защита диссертации состоится «24» июня 2011 г. в 15.00 в ауд. 2 четвертого корпуса на заседании диссертационного совета ДМ 212.275.03 в Удмуртском государственном университете по адресу: 426034, Ижевск, ул. Университетская, 1.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные гербовой печатью, просим направлять по адресу: 426034, Удмуртская Республика, г. Ижевск, ул. Университетская, 1.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Удмуртского государственного университета. Автореферат размещен на сайте Удмуртского университета: http://v4.udsu.ru/science/abstract.

Автореферат разослан « 24 » мая 2011 г.

Учёный секретарь диссертационного совета ДМ 212.275.03

кандидат физико-математических наук Александрович Елена Викторовна

Физико-технологического института РАН

к.ф.-м.н., доцент

Крылов П.Н.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Научный интерес к разработке способов получения, изучению структуры и свойств наносистем обусловлен проявлением размерных эффектов. Свойства наночастиц и нанокристаплов, размеры которых соизмеримы или меньше, чем характерный корреляционный масштаб физического явления, резко отличаются от свойств массивных материалов.

К основным методам получения наноматериалов относятся порошковая технология, интенсивная пластическая деформация, контролируемая кристаллизация из аморфного состояния и пленочная технология. Для осаждения пленок наибольшее распространение получили вакуумные методы напыления (включая молекулярно-лучевую эпитаксию) и газофазное осаждение. В зависимости от температуры подложки и скорости осаждения можно получать монокристаллические, поликристаллические или аморфные пленки.

Соединения А2В6, а также твердые растворы на их основе, представляют интерес благодаря уникальным электрофизическим, фотоэлектрическим и оптическим свойствам и находят применение для изготовления акустоэлектрических приборов, оптоэлектронных устройств, солнечных ячеек, инфракрасных датчиков, лазеров и т.д.

В последнее время стали появляться работы по низкотемпературному синтезу как ориентированных, так и разупорядоченных пленок соединений А2В6 [1-2], обладающих интенсивной люминесценцией.

Конденсация пленок бинарного состава осложняется различием в давлении насыщенных паров компонентов соединения и коэффициентов конденсации. Остаточные газы, способные вступать в химические реакции с веществом подложки и входить в решетку кристалла, оказывают, как правило, неконтролируемое влияние на скорость роста, структуру и электрофизические параметры пленок. Поэтому выращивание полупроводниковых пленок А2Вб из паровой фазы должно проводиться в тщательно дегазированной герметичной системе с остаточным давлением химически активных газов (кислород, углеводороды и др.) не более 10"6 Па.

Цель настоящей работы: разработка сверхвысоковакуумной установки для получения нанокристаллических пленок стехиометрического состава бинарных полупроводниковых соединений при низких температурах конденсации, исследование физических основ получения нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка и возможностей использования их в качестве тонкопленочных электролюминесцентных источников.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Разработка и изготовление сверхвысоковакуумной установки термического напыления для синтеза нанокристаллических пленок полупроводниковых соединений при низких температурах конденсации.

2. Исследование процессов низкотемпературной конденсации пленок сульфида и селенида цинка.

3. Исследование влияния термоотжига на структуру и оптические свойства пленок сульфида цинка.

Научная новизна результатов, полученных в ходе выполненной диссертационной работы, состоит в следующем:

1. Изготовлена сверхвысоковакуумная установка термического напыления для получения бинарных полупроводниковых соединений стехиометрического состава в интервале температур конденсации от 123 К до 873 К.

2. Выявлен и объяснен минимум на зависимостях скорости роста пленок сульфида и селенида цинка от температуры конденсации.

3. Впервые выявлено влияние низких температур конденсации и материала подложки при термическом напылении на структуру, фазовый и элементный состав, люминесцентные свойства нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка.

4. Определены режимы получения нанокристаллических пленок и ZnSe стехиометрического состава.

5. Формирование гексагональной фазы в кубической матрице сульфида цинка в условиях низких температур конденсации связано с влиянием механических напряжений в системе пленка - подложка и наличием дефектов упаковки.

6. Установлена взаимосвязь электролюминесценции со структурой и стехиометрическим составом нанокристаллических пленок Практическая ценность работы

1. Изготовленная экспериментальная напылительная сверхвысоковакуумная установка может быть применена в технологических процессах получения изделий микро - и оптоэлектроники, требующих сверхвысокого вакуума (порядка 10"6 Па) и низкотемпературных режимов (от 123 К до 273 К) получения.

2. Полученные нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка могут быть использованы в качестве рабочих слоев тонкопленочных электролюминесцентных излучателей.

Исследования по тематике диссертационной работе проводились в соответствии с аналитической ведомственной целевой программой «Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2011 гг.)», проект №1.3.08 «Исследование нанокристаллических и мультислойных наноразмерных систем, полученных в сильнонеравновесных условиях».

Основные положения, выносимые на защиту

1. Конструкция лабораторной установки, позволяющая обеспечивать чистоту и стехиометрический состав бинарных полупроводников при низких температурах конденсации.

2. Минимумы на зависимостях скоростей роста пленок сульфида и селенида цинка при температурах конденсации от 123 К до 273 К связаны со сменой сорбционных процессов во время осаждения пара на подложку.

3. Понижение температуры конденсации приводит к увеличению размера кристаллитов гексагональной фазы в кубической матрице сульфида цинка.

4. Отжиг пленок сульфида цинка после осаждения приводит к улучшению стехиометрии по толщине пленок и уменьшению концентрации кислорода в пленках.

5. Интенсивность фото- и электролюминесценции нанокристаллических пленок

ZnS определяется структурой и стехиометрией, зависит от температур

конденсации и последующего отжига.

Личный вклад автора

Диссертация является самостоятельной работой, обобщившей результаты, полученные лично автором. Постановка задач исследований, определение методов решения и анализ результатов исследований выполнены совместно с научным руководителем.

Апробация результатов работы

Основные положения диссертационной работы обсуждались и докладывались на IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2004 г.; V, VI Национальной конференции РСНЭ НАНО, Москва, 2005, 2007 гг.; научной конференции с международным участием «75 лет высшему образованию в Удмуртии», Ижевск, 2006 г.; IX Российской университетско-академической научно-практической конференции, Ижевск, 2008 г.; IV Международном научном семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных (Топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2008 г.; II Всероссийской конференции с международным Интернет-участием «От наноструктур, наноматериалов и нанотехнологий к наноиндустрии», Ижевск, 2009 г.; XIV Международной конференции «Соединения AnBvi», Санкт-Петербург, 2009 г.; Международной конференции «Современные проблемы физики поверхностей и наноструктур», Ярославль, 2010 г.; IX Всероссийской конференции «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем», Ижевск, 2010 г.; XIV Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, 2010 г.

Публикации

Общее число публикаций - 20. Из них 10 статей в рецензируемых журналах, 10 публикаций в материалах научно-технических конференций. Список работ приводится в конце автореферата.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с краткими выводами по каждой главе, заключения, списка цитируемой литературы и приложений. Она включает 148 страниц машинописного текста, 59 рисунка, 5 таблиц и библиографию из 139 наименований.

Основное содержание диссертационной работы

Во введении дается краткое обоснование актуальности исследования, формулируются цель и задачи диссертации, изложена новизна работы, ее научная и практическая значимость, основные положения, выносимые на защиту, приведены данные об апробации работы, указан личный вклад автора, описана структура диссертации.

В первой главе проанализированы свойства и особенности полупроводниковых соединений А2В6. Соединения А2Вб обладают сочетанием уникальных электрофизических, фотоэлектрических и оптических свойств, зависящих от структуры и дефектности. Особое внимание уделяется сульфиду и селениду цинка.

Рассмотрены методы получения нанокристаллических соединений А2В6. Сделан вывод, что возможности вакуумного термического осаждения для получения пленок сульфида и селенида цинка изучены недостаточно, хотя данный метод остается весьма перспективным. Имеется мало работ, посвященных изучению процессов осаждения соединений А2Вб при низких температурах конденсации (Тк).

Во второй главе представлена разработанная сверхвысоковакуумная установка термического напыления (рис. 1). Конструкция установки позволяет создавать в рабочей камере вакуум порядка 10"6 Па.

РТ2 РШ S

PT1 PM1

8

NL

NR

Рис. 1. Схема вакуумной части лабораторной установки синтеза пленок:

NL-пластинчито-роторный насос (НВПР 16-066), VP-пневматический клапан, В-ловушка, РТ1, РТ2- тепловые манометрические преобразователи, СТ-прогреваемая вакуумная камера, РМ1, РМ2-магнитные манометрические преобразователи, NR-турбомолекулярный насос ТМН-500, NM -магниторазрядный насос (НМДО 0,25-1), VF- напуск, S-масс-спектрометр, VH-ручной высоковакуумный клапан

Схемы внутрикамерной оснастки и испарителя косвенного нагрева приведены на рис. 2. Резервуар с жидким азотом 3 и медный хладопровод 10 служат для охлаждения подложкодержателя 4 с подложками до температуры 123 К.

Рис. 2. а) схема внутрикамерного устройства: 1 - испаритель, 2 - вибробункер, 3 - резервуар для жидкого азота, 4 - подложкодержатель, 5 - печь для нагревания подложки, 6 - заслонка, 7 -подвижный поршень, 8 - катушка для управления заслонкой, 9 - оптически непрозрачный экран, 10 - медный хладопровод. б) схема испарителя косвенного нагрева для термического напыления: 1 - молибденовый тигель, 2 - вольфрамовая проволока, 3 - отражающий танталовый экран, 4 -экран из нержавеющей стали, 5 — токовводы, 6 -вольфрамовые стержни с керамической изоляцией

а)

б)

Нагреватель 5, состоящий из двух галогеновых ламп мощностью по 150 Вт, дает возможность изменять температуру подложки от 123 К до 873 К. Нагрев подложки позволяет производить финишную термическую очистку подложек в сверхвысоком вакууме. Во время работы проводится контроль температуры подложки и испарителя. Порошок на испаритель подается с помощью серийного вибробункера.

Контроль остаточной атмосферы в рабочей камере до прогрева вакуумной системы, после прогрева и во время напыления нанокристаллических пленок производится с помощью масс-спектрометра MX 7304. При прогреве вакуумной камеры происходит уменьшение кислородо- и углеродосодержащих соединений (0+, СН4, N+, СО+\ СН2+, С2Н2+, С02\ N2+, С2Н4+, СF+ и др.) на порядок, а остальная часть соединений (С+, СН+, 02+, NO+, С2Н6+, 40Аг+, С3Н/, а также высокомолекулярные соединения) исчезает.

Масс-спектрометрический анализ во время напыления сульфида цинка показал разложение исходного порошка стехиометрического состава при температуре 1873 К на составляющие (S и Zn) и отсутствие соединения ZnS (97 атомная масса).

Приводится описание используемых в работе методик исследования: рентгеновской дифрактометрии, рентгеноэлектронной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии (АСМ), вторично-ионной масс-спектроскопии (ВИМС), электронной микроскопии, методики определения скорости роста пленок и оптических параметров.

Представлены режимы получения нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка на созданной установке.

Третья глава посвящена исследованию влияния температуры конденсации на структуру и свойства нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка.

Согласно рентгеноэлектронной спектроскопии (спектрометр ЭС-2401) чужеродных примесей в пленках нет, пленки являются чистыми по углероду, не окисленными. Обнаружено влияние температуры конденсации на скорость роста пленок (рис. 3).

Рентгенографические исследования, проведенные на автоматизированном дифрактометре ДРОН-З.О в монохроматическом излучении Fe-Ka, показали, что исследуемые плёнки являются нанокристаллическими, текстурированными. Текстура роста наблюдается и на пленках, осаждаемых на аморфные подложки (кварцевое стекло). Области когерентного рассеивания (ОКР) уменьшаются с понижением температуры конденсации (рис. 4).

221

Рис. 3. Изменение средней скорости роста Рис. 4. Изменение ОКР от Тк гпЭ и гпБе: пленок от Тк 7п8 и ZnSe: 1 - 7п8 на 81, 1 - 2п5 на 81,2 - на $¡02,3- 2п8е на 51,

2 - гпЭ на БЮ2, 3- на 81,на БЮг 4- гпБ на 8Ю2

Электронно-микроскопические исследования пленок '¿пБ, осажденных на свежий скол ЫаС1, выявили наличие включений, размер которых зависит от температуры конденсации.

На поверхности пленок сульфида цинка (рис. 5) и селенида цинка (рис. 6) наблюдаются пирамидальные островки нанометровой высоты, обнаруженные с помощью атомно-силовой микроскопии в контактном режиме. Изменение температуры конденсации не приводит к существенному изменению формы и среднего диаметра (0,33 нм) нанообразований, но распределение образований по высотам является функцией температуры с максимумом при температуре конденсации 223 К.

1. а)

1.6)

2. а) 2. 6)

Рис. 6. Топография поверхностей пленок гпБе на различных типах подложках: 1) БЮг, 2) осажденных при температурах: а) 123 К,6} 173 К

В четвертой главе выявляются причины появления высокотемпературной фазы вюрцита в матрице сфалерита. Определяется механизм роста, и объясняются зависимости свойств пленок от температуры конденсации. С этой целью исследованы фазовые превращения при отжиге пленок сульфида цинка, осажденных при температуре конденсации 123 К.

Отжиг пленок ZnS приводит к изменению процентного содержания цинка и серы по толщине пленок. До отжига на границе пленка-подложка и на поверхности пленки наблюдается избыток цинка, а в середине пленки - избыток серы (рис. 7). Нагрев до 373 К приводит к появлению в средней части пленок однородного слоя, отличающегося от стехиометрического состава. Нагрев до 423 К выравнивает концентрацию элементов: пленки сульфида цинка становятся однородными по толщине, состав приближается к стехиометрическому (избыток цинка составляет не более 1,8 ат.%). Увеличение температуры до 473 К приводит к постоянному отношению концентраций цинка и серы по толщине и к обогащению пленок серой.

12 3 4

Бремя травлении, мин

а)

12 3 4

Время травления, мин

б)

60 50 40 30

ж

ж ж ш

12 3 4

Время травления, мни

в)

2 3 4

Время травлении, мин

г)

Рис. 7. Зависимость процентного содержания компонент пленок сульфида цинка по толщине (исходная толщина пленок 0,1 мкм) от температуры отжига: а) без отжига, б) 373 К, в) 423 К, г) 473 К

Микродифракционная картина от исходного образца, полученного осаждением на подложку ЫаС1, содержит сплошное узкое кольцо (рис. 8а) с межплоскостным расстоянием 2,19 А, соответствующим плоскостям (102)

гексагональной фазы. Нагрев пленок 2п8 до 373 К! приводит к исчезновению гексагональной фазы. На электронограммах (рис. 86) пленок,

синтезированных на 8Ю2, гексагональной фазы не выявлено.

АСМ-изображения поверхности пленок осажденных на кварцевую

подложку, представлены на рис. 9. На поверхности исходных образцов

я)

Рис. 8. Электронограммы и микроструктура пленок гпБ, осажденных при температуре конденсации 123 К без отжига на различные типы подложек: а) ЫаС1, б) БЮг

б)

Рис. 9. Топография поверхности пленок сульфида цинка (осажденного иа кварцевую подложку при температуре конденсации 123 К), подвергнутых температурному отжигу без разгерметизации вакуумной камеры: а) 423 К, б) 473 К

наблюдаются крупные образования, состоящие из сросшихся мелких нанообразований. При нагреве до 373 К происходит уменьшение концентрации крупных образований. При увеличении температуры до 423 К сросшихся структур из нанообразований не наблюдается, топография поверхности более однородна по высоте и диаметру нанообразований. Нагрев до 473 К приводит к уменьшению диаметра и средних высот нанообразований.

В случае получения пленок при низких температурах атомы или молекулы адсорбируются на поверхности подложки по законам физической адсорбции, которая уменьшается с повышением температуры. При определенной температуре начинает протекать химическая адсорбция, которая с дальнейшим повышением температуры конденсации начинает перекрывать падение физической адсорбции [3], поэтому температурная зависимость скорости роста пленки от температуры конденсации имеет выраженный минимум для пленок сульфида и селенида цинка (рис. 3).

Появление гексагональной фазы и укрупнение кристаллитов данной фазы с понижением температуры конденсации в пленках сульфида и селенида цинка на сколах поваренной соли можно объяснить влиянием механических напряжений в системе пленка-подложка. Механические напряжения вызываются разностью коэффициентов термического расширения и рассогласованием параметров решетки различных материалов. Для выявления влияния механических напряжений проведен их расчет в приближении двухслойной структуры по формуле [4] рис. 10.

6 Е2(а1-а2)И2АТ ^ = (1-^(3^-4/,,)'

где Е2 - модуль Юнга для пленки, а;, а2 - температурные коэффициенты расширения подложки и пленки, АТ - разность температур, у2 - коэффициент Пуассона пленки, /г;, к2 - толщины подложки и пленки при условии 1г1»!г2. При расчетах учитывалось, что от температуры конденсации зависит скорость роста (т.е. толщина пленки).

- !1л • Н .^шйЧш =

Ш * Г*" .Ь-"»

.......

а)

б)

Рис. 10. Механические напряжения, вызванные различием коэффициента термического расширения: а) /пЭ/подложка, б) /пБе/подложка

Согласно проведенным расчетам, механические напряжения в пленках на кремнии и кварце значительно меньше механических напряжений в пленках на сколах поваренной соли. Кроме того, механические напряжения в пленках на сколах поваренной соли отличаются и по знаку от механических напряжений в пленках на кварце и кремнии. Отжиг пленок в вакууме частично снимает поля упругих напряжений в системе пленка-подложка. Охлаждение приводит к появлению механических напряжений с противоположным знаком по сравнению с механическими напряжениями, появляющимися при нагреве (рис. 11).

; I о! ¡¡:,1 К

.«3

1 •"'И

; I „, СиЗ I 1.................ДрДИ

■ ГС

Рис. 11. Механические напряжения, вызванные различием коэффициента термического расширения 2п8/ЫаС1 в результате отжига

Вероятно, этим можно объяснить отсутствие высокотемпературной фазы вюрцита в матрице сфалерита пленок и 2пБс на кремниевых и кварцевых подложках и наличие данных фаз в пленках ZnS и на подложках поваренной соли. Данные результаты относятся к исследованиям относительно тонких пленок

(толщиной менее 0,15 мкм). Анализ интенсивностей рентгеновских отражений пленок сульфида ZnS толщинами порядка 0,5-0,53 мкм показал, что пленки сульфида цинка состоят из двух фаз - гексагональной и кубической. Отжиг пленок в вакууме приводит к уширению линии и к уменьшению интенсивности отражения от плоскости (111), в то время как интенсивности линий, относящихся к плоскостям отражения (202) и (113), увеличиваются. Данная закономерность может свидетельствовать о переориентации кристаллов с преимущественной плоскости (111) в плоскости (202) и (113). С увеличением температуры отжига ОКР кубической фазы уменьшается от 30 нм до 5 нм, в то время как ОКР гексагональной фазы вначале растет от 8 нм до 16 нм, а затем вновь уменьшается (рис. 12).

Для оценки изменения отношения концентраций кубической и гексагональной фазе от температуры отжига проводился качественный фазовый анализ, выбирались самые сильные линии каждой фазы. Отношение максимальной интенсивности гексагональной к кубической фазе увеличивается от 0,07 до 0,21 с повышением температуры отжига, что может свидетельствовать об увеличении гексагональной фазы.

В кубических кристаллах ZnS наблюдается тенденция к возникновению гексагональной фазы в процессе выращивания при температурах значительно ниже температуры фазового перехода сфалерит-вюрцит в связи с наличием дефектов упаковки, которые приводят к появлению двойников. Данные гексагональные прослойки, возникающие в результате ошибок упаковки, увеличиваются с ростом толщины пленки [5]. Поэтому в тонких пленках появление гексагональной фазы вероятно обусловлено механическими напряжениями, возникающими в системе пленка-подложка, а в более толстых пленках - наличием дефектов упаковки.

js

30 is г 10

JS

15 10 S

о

Рис.

т >т зт -»о чм sm

температур» огдета, к 12. Зависимость ОКР от температуры отжига 1 - кубическая, 2 - гексагональная

Изучены оптические свойства пленок сульфида цинка толщиной 0,53 мкм в зависимости от температуры отжига. Спектры пропускания (рис. 13) обладают высокой величиной пропускания в видимой области спектра и носят осциллирующий характер, связанный с интерференцией, проявляющейся при толщине пленки, сопоставимой с длиной волны. С увеличением температуры отжига до 423 К в спектрах наблюдается сдвиг края собственного поглощения в коротковолновую область спектра, а также уменьшается угол наклона краевого участка кривой пропускания. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 473 К приводит к смещению края собственного поглощения в длинноволновую область спектра и увеличению угла наклона.

Значение энергии запрещенной зоны исследуемых пленок сульфида цинка изменяется от 3 эВ до 3,26 эВ с увеличением температуры отжига до 423 К, а при температуре отжига до 473 К энергия запрещенной зоны уменьшается до 3,07 эВ. Спектры фотолюминесценции исследуемых пленок состоят из одной широкой полосы (рис. 14) от 515 нм до 615 нм. С увеличением температуры отжига до 423 К

Ни) »»

/ > Ï ,

-г 1 1 1 " —

in) JO-1 50» 1А.й ш ■»■,->

¿.нм

Рис. 13. Спектры пропускания пленок гпБ

отожженных при температуре: 1 - исходный, 2 - 373 К, 3 - 423 К, 4 - 473 К

Рис. 14. Спектры фотолюминисценции пленок

2пБ отожженных при температуре: 1 - исходный, 2 - 373 К, 3 - 423 К, 4 -473 К

интенсивность фотолюминесценции увеличивается, спектральный максимум смещается в длинноволновую область спектра. Дальнейшее увеличение температуры приводит к уменьшению интенсивности фотолюминесценции.

Зависимость амплитуды пика электролюминесценции (рис. 15) от температуры отжига коррелирует с аналогичной зависимостью фотолюминесценции: амплитуда интенсивности электролюминесценции увеличивается в 2-2,2 раза при увеличении

250 Л» 3?» 4M 450 500

TcMiwparjiia »геи*. К

Рис. 15. Зависимость амплитуды пика электролюминесценции от температуры отжига температуры отжига до 423 К, а при большей температуре отжига уменьшается в 2 раза. Исследованы структуры типа МДЛДМ (прозрачнопроводящий электрод (1п2Оз:8п)-диэлектрик (8Ю2)-люминофор ^п8)-диэлектрик (Si02)-MeTaji (А1), нанесенные на кварцевую подложку. На образцы подавалось переменное прямоугольное напряжение с амплитудой 60 В и частотой 50 Гц.

Изменения спектра люминесценции, связаны с изменением структуры пленок и стехиометрии образцов: увеличение электролюминесценции наблюдается в стехиометрических образцах, обладающих максимальным коэффициентом пропускания.

Основные выводы диссертационной работы можно сформулировать следующим образом:

1. Изготовленная сверхвысоковакуумная установка позволяет получать методом термического напыления («вспышки») близкие к стехиометрическому составу и чистыми от инородных примесей бинарные полупроводниковые пленки при рабочем давлении 10"6 Па в диапазоне температур конденсации от 123 К до 873 К и контролем in situ остаточной атмосферы.

2. Понижение температуры конденсации от 273 К до 123 К приводит к изменению структуры нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка; увеличивается размер включений гексагональной фазы в кубической матрице; изменяется соотношение концентраций элементов пленок ZnSe и ZnS Se:Zn = 49,54:50,46-50,83:49,17 и S:Zn = 56,2:40,1-48,3:44,9 соответственно.

3. Конкуренция между физической и химической адсорбцией при низких температурах конденсации ZnS и ZnSe приводит к нелинейной зависимости скорости роста плёнок от температуры конденсации.

4. Появление гексагональной фазы в тонких пленках ZnS (толщиной до 0,15 мкм) обусловлено в основном механическими напряжениями в системе пленка-подложка, данная фаза является неустойчивой и исчезает при отжиге. В толстых пленках (свыше 0,15 мкм) наряду с механическими напряжениями за появление гексагональной фазы ответственны дефекты упаковки, отжиг не приводит к ее исчезновению.

5. Отжиг плёнок сульфида цинка при температуре 423 К приводит к:

- улучшению однородности элементного состава по толщине пленок,

- уменьшению концентрации абсорбционного кислорода в приповерхностном слое от 37 ат.% до 9 ат.%.

- выравниванию по высоте и диаметру нанообразований.

- увеличению интенсивности фото- и электролюминесценции.

Список основных публикаций по теме диссертации

1. Крылов П.Н., Романов Э.А., Ветошкин В.М. Сверхвысоковакуумная установка для напыления нанокристаллических полупроводниковых соединений. //Вакуумная техника и технология, 2008, Т. 18, №2, С. 75-80.

2. Крылов П.Н., Валеев Р.Г., Романов Э.А., Структура и свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007, №1, С. 41-45.

3. Крылов П.Н., Романов Э.А. АСМ - исследования нанокристаллических пленок ZnS. //Химическая физика и мезоскопия, 2009, Т. 11, №2, С. 235-243.

4. Крылов П.Н., Ветошкин В.М., Романов Э.А. Исследование влияния режимов ионно-плазменной обработки на шероховатость подложек из кварца, поликора и ситалла. //Вакуумная техника и технология, 2008, Т 18, №2, С. 81-85.

5. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Исследования полиморфных превращений в нанокристаллических пленках сульфида цинка // Химическая физика и мезоскопия. 2010. Т.12, №3. С.368-371.

6. R. Valeev, E. Romanov, A. Deev, A. Beltukov, K. Eliseev, P. Krylov, N. Mezentsev, V. Kriventsov Synthesis of ZnSe semiconductor nanodots arrays by templadet PVD // Physica Status Solidic 2010, V.7, №6, P.1539-1541.

7. Вапеев Р.Г., Деев A.H., Романов Э.А., Кривенцов В.В., Бельтюков А.Н., Елисеев A.A., Напольский К.С., Мезенцев H.A. Синтез и исследование структуры упорядоченных массивов наноточек ZnSe // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2010, №8, С. 31-34.

8. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Влияние термоотжига на структуру нанокристаллических пленок сульфида цинка // Физика и техника полупроводников, 2011, Т.45, Вып.1, С.127-131.

9. Валеев Р.Г., Деев А.Н., Романов Э.А., Кривенцов В.В., Бельтюков А.Н., Мезенцев H.A., Елисеев A.A., Напольский К.С. Синтез и исследование структуры упорядоченных массивов наноточек ZnSe // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2010, №8. С.31-34

Ю.Валеев Р.Г., Бельтюков А.Н., Ветошкин В.М., Романов Э.А., Елисеев A.A. Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe // Журнал технической физики, 2011, Т. 81, Вып. 6, С. 153-155.

11.Валеев Р.Г., Крылов П.Н. Кобзиев В.Ф., Романов Э.А. Электрофизические и оптические свойства тонких пленок ZnSe в различных структурных состояниях. Вестник удмуртского университета. Физика. Ижевск, 2005, № 4, С. 165-170

12.3акирова P.M., Крылов П.Н., Романов Э.А. Влияние температуры синтеза на структуру пленок селенида цинка. Сборник материалов и программа Четвёртого международного научного семинара «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2008 г., С. 96.

13.3акирова P.M., Романов Э.А., Крылов П.Н. Зависимость структуры пленок селенида цинка от температуры их синтеза. Материалы девятой российской университетско-академической научно-практической конференции, Ижевск, 2008, С. 96.

14.Валеев Р.Г., Бельтюков А.Н., Романов Э.А., Ветошкин В.М., Елисеев A.A. Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe. Труды 2-й Всероссийской конференции с международным Интернет-участием «От нанострукту, наноматериалов и нанотехнологий к наноиндустрии», Ижевск, 7-10 апреля 2009 г., С. 23.

15.Валеев Р.Г., Крылов П.Н., Кобзиев В.Ф., Романов Э.А. Получение, электрофизические и оптические свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe. Тезисы докладов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», г. Санкт-Петербург, 3-5 июля 2004 г., С. 385-386.

16.Валеев Р.Г., Деев А.Н., Крылов П.Н., Кобзиев В.Ф., Романов Э.А., Пивоварова О.И. Структура и свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe. Тезисы докладов V Национальной конференции РСНЭ НАНО - 2005, Москва, 14-19 ноября 2005 г., С. 192.

17.Валеев Р.Г., Пивоварова О.И., Деев А.Н., Крылов П.Н., Романов Э.А., Елисеев A.A. Локальная атомная структура и электрофизические свойства тонких пленок ZnSe аморфно-нанокристаллического состава. Тезисы докладов VI Национальной конференции РСНЭ - 2007, Москва, 12-17 ноября 2007 г., С. 324.

18.Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Механические напряжения, влияющие на структуру нанокристаллических пленок сульфида цинка. Тезисы докладов Международной конференции «Современные проблемы физики поверхностей и наноструктур», Ярославль, 7-11 июня 2010 г., С. 03-10.

19.Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Нанокристаллические плёнки ZnS и ZnSe: синтез, структура. Сборник трудов IX Всероссийской конференции «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем», Ижевск, 22-26 ноября 2010 г. С. 173-175.

20.Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Структура и свойства нанокристаллических плёнок сульфида и селенида цинка. Тезисы докладов XIV

Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, 6-10 декабря 2010 г. Т. 2, С. 192.

Список цитируемой литературы

1. Zhu Y.C., Bando Y. Preparation and photoluminescence of single-crystal zinc selenide nanowires // Chem. Phys. Lett. - 2003. - Vol. 377. - P. 367-370.

2. Bacaksiz E., Aksu S., Polat I., Yilmaz S. and Altunbaj M. The influence of substrate temperature on the morphology, optical and electrical properties of thermal-evaporated ZnSe thin films // Journal of Alloys and Compounds. - 2009. - Vol. 487. - P. 280-285.

3. Сеттерфильд Ч. Практический курс гетерогенного катализа: Пер. с англ. // М.: Мир, 1984. -520 с.

4. Касимов Ф.Д., Лютфалибекова А.Э. Расчет упругих механических напряжений в неоднородных в полупроводниковых структурах // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2002. - № 2. - С. 13-14.

5. Милославский В.К., Набойкина Е.Н., Лебедев В.П., Храмцова В.И. Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев сульфида и селенида цинка // Украинский физический журнал, -1969. - Т. 14. - №5. - С. 818-825.

Отпечатано с оригинал-макета заказчика

Подписано в печать 23.05.2011. Формат 60x84 '/16. Тираж 100 экз. Заказ № 1064.

Типография ГОУВПО «Удмуртский государственный университет» 426034, Ижевск, ул. Университетская, 1, корп. 4.

Список сокращений и обозначений

Введение

Глава I. Нанокристаллические пленки А В : синтез, структура, свойства

1.1. Свойства и особенности полупроводников А2Вб

1.2. Структура и свойства сульфида и селенида цинка

1.3. Влияние структуры на оптические свойства сульфида и селенида цинка

1.4. Свойства пленок А2Вб, "полученных при низких температурах конденсации

1.5. Получение сульфидов и селенидов цинка в нанокристаллическом состоянии

1.6. Основные стадии формирования пленок вакуумным методом 34 Выводы по первой главе

Глава II. Приборы и методы эксперимента

2.1. Сверхвысоковакуумная установка

2.2. Получение нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка

2.3. Методы исследований пленок

2.3.1. Определение интегральной скорости роста пленки

2.3.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)

2.3.3. Вторично ионная масс-спектрометрия (ВИМС) пленок

2.3.4. Рентгеноструктурные исследования пленок

2.3.5. Электронно-микроскопические исследования

2.3.6. АСМ - исследования тонких полупроводниковых пленок

2.3.7. Определение оптических параметров и оптической ширины запрещенной зоны пленок

Вывод по второй главе

Глава Ш. Структурные и оптические свойства нанокристаллических пленок селенида и сульфида цинка

3.1. Влияние температуры конденсации на скорость роста пленки селенида и сульфида цинка

3.2. Рентгеноэлектронная спектроскопия пленок селенида и сульфида цинка

3.3. Исследование структурных характеристик пленок сульфида и селенида цинка

3.3.1. Рентгеноструктурный анализ

3.3.2. Просвечивающая электронная микроскопия

3.4. Атомно-силовая микроскопия 89 3.5 Оптические свойства 95 Выводы по третьей главе

Глава IV. Механизм роста пленок. Возможности их использования.

4.1. Расчет упругих механических напряжений в структурах пленка/подложка, возникающих из-за разницы термических коэффициентов расширения

4.2. Механизмы роста пленок селенида и сульфида цинка ;

4.3. Влияние температуры отжига на структуру пленок сульфида цинка, осажденных при температуре конденсации 123 К.

4.4. Влияние температуры отжига на оптические свойства пленок ZnS

4.5. Электролюминесцентные источники на базе нанокомпозитных пленок ZnSenZnS

Выводы по четвертой главе

Научный интерес к разработке способов получения, изучению структуры и свойств наносистем обусловлен проявлением размерных эффектов. Свойства наночастиц и нанокристаллов, размеры которых соизмеримы или меньше, чем характерный корреляционный масштаб, фигурирующий в теоретическом описании физического явления, резко отличаются от свойств массивных материалов [1].

Изменения свойств материалов при переходе в нанокристаллическое состояние открывают перспективы при создании материалов и структурных элементов нанометрового размера [2].

К основным методам, получения наноматериалов относятся порошковая технология, интенсивная пластическая деформация, контролируемая кристаллизация из аморфного состояния и пленочная технология. Наибольшее распространение для получения пленок получили вакуумные методы напыления (включая молекулярно-лучевую эпитаксию), газофазное осаждение [3]. В зависимости от температуры подложки и от скорости осаждения можно, получать монокристаллические, поликристаллические или аморфные пленки.

2 б

Соединения А В , а также твердые растворы на их основе используют в акустоэлектрических приборов (усилителей и детекторов ультразвука, тензодатчиков), инфракрасных датчиков, лазеров, работающих в ближнем и среднем инфракрасном диапазонах [4], но широкое применение находят в качестве люминофоров в тонкоплёночных излучателях [5] благодаря уникальным электрофизическим, фотоэлектрическим и оптическим свойствам. Наиболее распространенным электролюминофором является 2п8. В прикладной люминесценции играет примерно такую же роль, как кремний в полупроводниковой электронике. Это соединение широко используется при создании высоковольтных и низковольтных катодолюминофоров, фотолюминофоров, радиолюминофоров и других люминесцентных приборов [6].

В, последнее время, стали появляться работы по получению при низких температурах конденсации как ориентированных, так и разупорядоченных пленок соединений А2Вб [7-8], обладающих интенсивной люминесценцией, используемые среди различных типов современных устройств отображения информации.

Получение пленок, бинарного состава- осложняется различием в давлении насыщенных паров» компонентов соединения и коэффициентов конденсации. Остаточные газы, способные вступать в химические реакции с веществом подложки и входить в решетку кристалла, оказывают, как правило, неконтролируемое влияние на скоростьроста, структуру и электрофизические параметры пленок. Поэтому выращивание полупроводниковых пленок из паровой фазы должно проводиться в тщательно дегазированной- герметичной системе с остаточным давлением химически активных газов (кислород, углеводороды и др.) не более 10"6 Па.

В связи с вышесказанным, исследование методов синтеза и свойств плёнок соединения А2Вб конкретного состава важно как для практического их использования, так и для изучения фундаментальных физических и химических процессов, протекающих при получении и применении полупроводниковых структур.

Цель настоящей работы: разработка сверхвысоковакуумной установки для получения нанокристаллических пленок стехиометрического состава бинарных полупроводниковых соединений при низких температурах конденсации, исследование физических основ получения нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка и возможностей использования их в качестве тонкопленочных электролюминесцентных источников.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Разработка и изготовление сверхвысоковакуумной установки термического напыления для синтеза нанокристаллических пленок полупроводниковых соединений при низких температурах конденсации.

2. Исследование процессов низкотемпературной конденсации пленок сульфида и селенида цинка.

3. Исследование влияния термоотжига на структуру и оптические свойства пленок сульфида цинка.

Научная новизна результатов, полученных в ходе выполненной диссертационной работы, состоит в следующем:

1. Изготовлена сверхвысоковакуумная установка термического напыления для получения бинарных полупроводниковых соединений стехиометрического состава в интервале температур конденсации от 123 К до 873 К.

2. Выявлен и объяснен минимум на зависимостях, скорости роста пленок сульфида и селенида цинка от температуры конденсации.

3. Впервые выявлено влияние низких температур конденсации и материала подложки при термическом напылении на структуру, фазовый и элементный состав, люминесцентные свойства нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка. *

4. Определены режимы получения нанокристаллических пленок 2п8 и 7п8е стехиометрического состава.

5. Формирование гексагональной фазы в кубической матрице сульфида цинка в условиях низких температур конденсации связано с влиянием механических напряжений в системе пленка — подложка и наличием дефектов упаковки.

6. Установлена взаимосвязь электролюминесценции со структурой и стехиометрическим составом нанокристаллических пленок ZnS. Практическая ценность работы

1. Изготовленная экспериментальная напылительная сверхвысоковакуумная установка может быть применена в технологических процессах получения изделий микро - и оптоэлектроники, требующих сверхвысокого вакуума (порядка 10"6 Па) и низкотемпературных режимов (от 123 К до 273 К) получения.

2. Полученные нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка могут быть использованы в качестве рабочих слоев тонкопленочных электролюминесцентных излучателей.

Исследования по тематике диссертационной работе проводились в соответствии с аналитической ведомственной целевой программой «Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2011 гг.)», проект №1.3.08 «Исследование нанокристаллических и мультислойных наноразмерных систем, полученных в сильнонеравновесных условиях». Основные положения, выносимые на защиту

1. Конструкция лабораторной установки, позволяющая обеспечивать чистоту и стехиометрический состав бинарных полупроводников при низких температурах конденсации.

2. Минимумы на зависимостях скоростей роста пленок сульфида и селенида цинка при температурах конденсации от 123 К до 273 К связаны со сменой сорбционных процессов во время осаждения пара на подложку.

3. Понижение температуры конденсации приводит к увеличению размера кристаллитов гексагональной фазы в кубической матрице сульфида цинка.

4. Отжиг пленок сульфида цинка после осаждения приводит к улучшению стехиометрии по толщине пленок и уменьшению концентрации кислорода в пленках.

5. Интенсивность фото- и электролюминесценции нанокристаллических пленок 7п8 определяется структурой и стехиометрией, зависит от температур конденсации и последующего отжига.

Личный вклад автора

Диссертация является самостоятельной работой, обобщившей результаты, полученные лично автором. Постановка задач исследований, определение методов решения и анализ результатов исследований выполнены совместно с научным руководителем.

Апробация результатов работы

Основные положения диссертационной работы обсуждались и докладывались на IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2004 г.; V, VI Национальной конференции РСНЭ НАНО, Москва, 2005, 2007 гг.; научной конференции с международным участием «75 лет высшему образованию в Удмуртии», Ижевск, 2006 г.; IX Российской университетско-академической научно-практической конференции, Ижевск, 2008 г.; IV Международном научном семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных (Топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2008 г.; II Всероссийской конференции с международным Интернет-участием «От наноструктур, наноматериалов и нанотехнологий к наноиндустрии», Ижевск, 2009 г.; XIV Международной конференции «Соединения AnBVI», Санкт-Петербург, 2009 г.; Международной конференции «Современные проблемы физики поверхностей и наноструктур», Ярославль, 2010 г.; IX Всероссийской конференции «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем», Ижевск, 2010 г.; XIV Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, 2010 г.

Публикации

Общее число публикаций - 20. Из них 10 статей в рецензируемых журналах, 10 публикаций в материалах научно-технических конференций. Список работ приводится в конце автореферата. Структура и объем диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с краткими выводами по каждой главе, заключения, списка цитируемой литературы. Она включает 151 страниц машинописного текста, 59 рисунков, 5 таблиц и библиографию из 157 наименований.

Основные выводы по четвертой главе

Рассмотрены механизмы формирования пленок сульфида и селенида цинка при отрицательных температурах конденсации, которые связаны с сорбционными, диффузионными процессами адатомов по поверхности среды фазы и механическими напряжениями, возникающими на границе пленка-подложка. Конкуренция между физической и химической адсорбцией при низких температурах конденсации и ЕпБе приводит к нелинейной зависимости скорости роста пленок от температуры конденсации.

Выявлено влияние отжига на структуру и фазовый состав исследуемых пленок. Отжиг приводит к совершенствованию структуры и гомогенизации состава. Оптимальной стехиометрией, наивысшей относительной прозрачностью обладают пленки сульфида цинка осажденные при температуре 123 К и подвергнутые отжигу при 423 К.

Получено, что интегральная интенсивность электролюминесценции зависит от температуры отжига. Данная зависимость коррелирует с зависимостями стехиометрии и структуры пленок активного слоя ТПЭЛИ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ Основные выводы диссертационной работы:

1. Изготовленная сверхвысоковакуумная установка позволяет получать методом термического напыления («вспышки») близкие к стехиометрическому составу и чистыми от инородных примесей бинарные полупроводниковые пленки при рабочем давлении 10"6 Па в диапазоне температур конденсации от 123 К до 873 К и контролем in situ остаточной атмосферы.

2. Понижение температуры конденсации от 273 К до 123 К приводит к изменению структуры нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка; увеличивается размер включений гексагональной фазы в кубической матрице; изменяется соотношение концентраций элементов пленок ZnSe и ZnS Se:Zn = 49,54:50,46-50,83:49,17 и S:Zn - 56,2:40,1-48,3:44,9 соответственно.

3. Конкуренция между физической и химической адсорбцией при низких температурах конденсации ZnS и ZnSe приводит к нелинейной зависимости скорости роста плёнок от температуры конденсации.

4. Появление гексагональной фазы в тонких пленках ZnS (толщиной до 0,15 мкм) обусловлено в основном механическими напряжениями в системе пленка-подложка, данная фаза является неустойчивой и исчезает при отжиге. В толстых пленках (свыше 0,15 мкм) наряду с механическими напряжениями за появление гексагональной фазы ответственны дефекты упаковки, отжиг не приводит к ее исчезновению.

5. Отжиг плёнок сульфида цинка при температуре 423 К приводит к:

- улучшению однородности элементного состава по толщине пленок,

- уменьшению концентрации абсорбционного кислорода в приповерхностном слое от 37 ат.% до 9 ат.%.

- выравниванию по высоте и диаметру нанообразований.

- увеличению интенсивности фото- и электролюминесценции.

1. Гусев А.И. Нанокристаллические материалы: методы получения и свойства // Екатеринбург УрО РАН, 1998. - 196 с.

2. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов // М.: КомКнига, 2006. 592 с.

3. Морозова Н.К. и др. Селенид цинка. Получение и оптические свойства // -М.: Наука, 1992. 96 с.

4. Гаврищук Е. М., Яшина Э. В. Оптические элементы из сульфида цинка и селенида цинка для инфракрасной техни-ки // Оптический журнал. 2005. - № 7. - С. 56-59.

5. Турин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах // Журнал технической физики. 2002. -Т.72, Вып. 2. - С.74-83.

6. Верещагин И.К., Ковалев Б.А., Косяченко JI.A. Кокин С.М. Электролюминесцентные источники света // М.: Энергоатомиздат, 1990. -168 с.

7. Zhu Y.C., Bando Y. Preparation and photoluminescence of single-crystal zinc selenide nanowires // Chem. Phys. Lett. 2003. - Vol. 377. - P. 367-370.

8. Babucke H., Thiele P., Prasse Т., Rabe M., Henneberger F. ZnSe-based electro-optic waveguide modulators for the blue-green spectral range // Semiconductor Science and Technology. 1998. - Vol. 13. - № 2. - P. 200-206.

9. Itoh S., Taniguchi S., Hino Т., Imoto R., Nakano K., Nakayama N., Ikeda M. and Ishibashi A. Room temperature laser operation of wide band-gap II-VI laser diodes // Materials Science and Engineering B. 1997. - Vol. 43. - P. 5559.

10. Itoh S., Nakano K., Ishibashi A. Current status and Future prospects of ZnSe-based light-emitting devices// Journal of Crystal Growth. 2000. -Vol. 214. - P. 1029-1034.

11. Гончаров Е.Г., Семенов Г.В., Угай Я.А. Химия полупроводников. // Воронеж: ВГУ, 1995. 270 с.

12. Зломанов В.П., Новоселова А.В. Р—Т—х-диаграммы состояния систем металлхалькоген // М.: Наука, 1987. 207 с.

13. Седова И. В. Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярногпучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике // Дис. канд. физ.-мат. наук. СПб, 2006. -177 с.

14. Ежовский Ю.К., Денисова О.В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов // Учеб. пособие. СПб.: СЗТУ, 2005. 80 с.

15. Кулаков М.П., Кулаковский В.Д., Савченко И.Б., Фадеев А.В. О фазом переходе в кристаллах селенида цинка //Физика твердого тела. 1976. - Т. 18. №.3.-С. 909-911.

16. Лакин Е.Е., Баженова Л.Т., Шиманская Н.П. // Сб. научных трудов ВНИИ монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых химических веществ. 1982. - №. 9. - С. 149-150.

17. Kikuma I., Furukoshi М. Direct observation of the 3C-2H transformation in ZnSe by high-temperature X-ray diffraction // J. Cryst. Growth. 1985. - Vol. 71. - №. l.-P. 136-140.

18. Okada H., Kawanaka Т., Ohmoto S. Study on the ZnSe phase diagram by differential thermal analysis // Journal of Crystal Growth. 1996. - Vol. 165. № 1-2.-P. 31-36.

19. Медведев C.A. Введение в технологию полупроводниковых материалов // М.: Высшая Школа, 1970. 504 с.

20. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах // М.: Мир, 1969.-274 с.

21. Яценко О.Б., Чудотворцев И.Г., Шаров М.К. Основы физики и химии полупроводников // Учебное пособие для вузов ч.2. Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2007.-51 с.

22. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства // М.: Наука, 1987. 220 с.

23. Под ред. Медведева С.А. Физика и химия соединений AnBVI // M.: Мир, 1970. 624 с.

24. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая JI.B., Скуднова Е.В., Чижевская С.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе // М.: Наука, 1975. 220 с.

25. Физико химическое1 исследование системы сульфид цинка - сульфид кадмия //Отчет НИИ Химии Саратовского ун-та № Б608160. Саратов. -1978.- 110 с.

26. Skinner BJ, Barton Р.В. The substitution of oxygen for sulfiir in wurtzite and sphalerite // American Mineralogist. 1960. - Vol. 45. - P. 612-625.

27. Руманс К. Структурные исследования некоторых окислов и других халькогенидов при нормальных и высоких давлениях // М.: Мир, 1969. — 207 с.

28. Булер П. Термодинамика веществ при высоких давлениях // СПб.: Янус, 2002. 176 с.

29. Datta S., Yacobi B.G., Holt D.B. Scanning electron microscope studies of local variations in cathodoluminescence in striated ZnS platelets // Journal of Materials Science. 1977. - Vol. 12. - № 12. - P. 2411-2420.

30. Куколь В.В., Лакин Е.Е., Путятин В.Д. Монокристаллы и техника // Харьков: ВНИИМонокристалл. 1975. - Вып. 12. - С. 14-20.

31. Лакин Е.Б., Куколь В.В., Сысоев А.А. Мартенситные и диффузионные превращения в монокристаллах ZnS // Изв.АН СССР, Неорг.материалы. -1980. -Т.16. -С. 1175-1178.

32. Hill J., Lewis K.L., Cullis A. The Defect and Band Structure of CVD-grown ZnS // Proc. 6ht Intern. Conf. on CVD. 1977. P. 276-282.

33. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках // М.: Мир, 1973. -212 с.

34. Бонч-Бруевич B.JL. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников // Успехи физических наук. 1983. - Т. 140. - Вып. 4 - С. 583-637.

35. Liang А.Х., Rishi R. Effect of Hot-Pressing Temperature on the Optical Transmission of Zinc Sulfide // Appl. Phys. Lett. 1991. - Vol. 58. - №5. - P. 441-443.

36. Борен К., Хаффман Д. Поглощение и рассеивание света малыми частицами // М.: Мир, 1986. 660 с.

37. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников // М.: Наука, 1977. -366 с.

38. Brus L.E. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: the size dependence of the lowest excited electronic state // The Journal of Chemical Physics. 1984. - Vol. 80. - № 9. - P. 44034409.

39. Борисенко Д.Н. Получение и исследование свойств углеродных наноматериалов и нанокристаллов широкозонных полупроводников. // автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Черноголовка, 2005. 170 с.

40. Ананьева Г.В., Горохова Е.И. // Оптический журнал. 1997 - Т. 64. - № 9. -С. 75-77.

41. Mingyuan Gao, Junqi Sun, Eric Dulkeith et al. Lateral Patterning of CdTe Nanocrystal Films by the Electric Field Directed Layer-by-Layer Assembly Method//Langmuir. 2002. - Vol. 18. - P. 4098-4102.

42. Судзик К., Фудзимори X., Хасимото К. Аморфные металлы // под ред. Масумото Ц. пер. с япон. М.: Металлургия, 1987. 328 с.

43. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников // М.: Мир, 1991.-670 с.

44. Морохов И.Д., Трусов Л.И., Чижик С.П. Ульродисперсные металлические среды // М.:Атомиздат, 1977. 264 с.

45. Valeva Е., Necheva D. Photo induced phenomena in chalcogenide structures // J. Non-Cryst. Solids. 1987. - Vol. 90. - P. 497-504.

46. Vateva E., Nesheva D. Photoconductivity of amorphous CdS films // J. Non-Crystalline Solids. 1982. - Vol. 51. - P. 381-388.

47. Nesheva D. Properties of amorphous CdS crystalline Si juhctions // J.Solid-State Electronics. - 1987. - Vol. 30. - № 2. P. 173-176.

48. Mendolia J., Lemoin D. Electrical and Optical Properties of Evaporated Thin Films of a-CdTe // Phys. Stat. Sol. 1986. (a)97. P. 601-607.

49. Беляев А.П., Рубец В.П. Калинкин И.П. Формирование ориентированных пленок теллурида кадмия на аморфной подложке в резконеравновесных условиях //ЖТФ. 2001. - Т. 71. - Вып. 4. - С. 133-135.

50. Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. Механизм нуклеации ориентированных пленок теллурида кадмия, формирующихся в резко неравновесных условиях // Физика и техника полупроводников. 2006 - Т. 40.-Вып. 7. -С.790-793.

51. Беляев А.П., Рубец В.П. Эффект переключения в гетеропереходах Si-CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях // Физика и техника полупроводников. 2002. - Т. 36. - Вып. 7. - С. 843-846.

52. Беляев А.П., Рубец В.П., Кукушкин С.А. Сенсорные исследования начальных стадий формирования теллурида кадмия из паровой фазы // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - Вып. 10 - С. 1901-1903.

53. Беляев А.П., Рубец В-.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы // Физика и техника полупроводников. 2003. - Т. 37. - Вып. 6. - С. 641-643.

54. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Начальные стадии образования эпитаксиальных пленок соединений А2В6 в резко неравновесных условиях на подложке из слюды мусковит // ФТТ. 1997. - Т. 39. - № 2. - С. 382-386.

55. Рубец В.П. Физико-химические процессы конденсации пленок теллурида и сульфида кадмия в широком интервале температур подложек// автореферат дисс. канд. хим. наук. СПб.: СПГТИ(ТУ), 1997. 20 с.

56. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Soliton model of island migration in thin films // Surface Science. 1995. - Vol. 329. - P. 135-140.

57. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Оптический край поглощения и его модификации при распаде пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия // ФТП. 1997. - Т.31. - №5. - С. 635-638.

58. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Корреляционная связь между пропусканием и составом в пленках твердых растворов соединений А2Вб // Неорганические материалы. 1999. - Т. 35. - № 5. - С. 5448-551.

59. S.K. Lok, G. Wang, Y. Cai, N. Wang, Y.C. Zhong, K.S. Wong, I.K. Sou. Growth temperature dependence of the structural and photoluminescence properties of MBE-grown ZnS nanowires // Journal of Crystal Growth, 2009. - Vol. 311. - № 9. - P. 2630-2634.

60. Chia-Wei Huang, Hsuan-Mei Weng, Yeu-Long Jiang, Herng-Yih Ueng. Investigation on the properties of molecular beam deposited ZnSe films // Thin Solid Films. -2009. Vol. 517. - P. 3667-3671.

61. Zhengbang Pi, Xiaolu Su, Chao Yang, Xike Tian, Fang Pei, Suxin Zhang, Jianhua Zheng. Chemical vapor deposition synthesis and photoluminescence properties of ZnS hollow microspheres // Materials Research Bulletin 2008. -Vol. 43.-P. 1966-1970.

62. Chongfeng Guo, C.H. Choy, Dexiu Huang, Yueping Fang, Preparation of 3D ZnSe novel structure // Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2006. -Vol. 67,-№4.-P. 818-821.

63. Venkatachalam S., Mangalaraj D., Narayandass Sa. К., Kim R. and Yi J. Structure, optical and electrical properties of ZnSe thin films // Physica B: Condensed Matter. 2005. - Vol. 358. - P. 27-35.

64. Venkatachalam S., Jeyachandran Y.L., Sureshkumar P., Dhayalraj A., Mangalaraj D., Narayandass Sa.K. and Velumani S. Characterization of vacuum-evaporated ZnSe thin films // Materials Characterization. 2007. - Vol. 58. - P. 794-799.

65. Rusu G.I., Ciupina V., Рора M.E., Prodan G., Rusu G.G. and Baban C. Microstructural characterization and optical properties of ZnSe thin films // Journal of Non-Crystalline Solids. 2006. - Vol. 352. - P. 1525-1528.

66. Venkatachalam S., Mangalaraj D., Narayandass Sa.K., Kim K. and Yi J. Composition, structural, dielectric and DC characterization of vacuum deposited ZnSe thin films // Vacuum. 2007. - Vol. 81. - P. 928-933.

67. Кулаков M. П., Соколовская Ж.Д. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1985.-Т. 21.-№ 1.-С. 20-25.

68. Кулаков М. П., Голенко В.П // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1975. -Т. 11.-№7.-С. 1196-1200.

69. Zhu Y.C., Bando Y. Preparation and photoluminescence of single-crystal zinc selenide nanowires // Chem. Phys. Lett. 2003. - Vol. 377. - P. 367-370.

70. Venkata Subbaiah Y.P., Prathap P., Ramakrishna Reddy K.T. Structural, electrical and optical properties of ZnS films deposited by close-spaced evaporation // Applied Surface Science. 2006. - Vol. 253. - P. 2409-2415.

71. Daranfed W., Aida M.S., Hafdallah A., Lekiket H. Substrate temperature influence on ZnS thin films prepared by ultrasonic spray // Thin Solid Films. -2009. Vol. 518. - P. 1082-1084.

72. Sahraei R., Motedayen Aval G., Baghizadeh A., Lamehi-Rachti M., Goudarzi A., Majles Ara M.H. Investigation of the effect of temperature on growth mechanism of nanocrystalline ZnS thin films // Materials Letters. 2008. - Vol. 62. - P. 4345-4347.

73. Hyun Joo Lee and Soo U Lee Deposition and optical properties of nanocrystalline ZnS thin films by a chemical method // Current Applied Physics. 2007. - Vol. 7. - P. 193-197.

74. Wang Y., Zhang L., Liang C., Wang G., Peng X. Catalytic growth and photoluminescence properties of semiconductor single-crystal ZnS nanowires // Chemical Physics Letters. 2002. - Vol. 357. - P. 314-318.

75. Meng X.M., Liu J., Jiang Y., Chen W.W., Lee C.S., Bello I., Lee S.T. Structure- and size-controlled ultrafine ZnS nanowires// Chemical Physics Letters. 2003. - Vol. 382. - P. 434-438.

76. Технология тонких пленок (справочник) // Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга: пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. T.l. М.: Сов. Радио. 1977. 664 с.

77. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные пленки соединении А2Вб // Д.: ЛГУ им. Жданова, 1978. 311 с.

78. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Процессы конденсации тонких пленок // УФН. 1998.-Т. 168. т№ 10.-С. 1083-1116.

79. Venables A, Spiller G. D. Т., Hanbucken М Nucleation and growth of thin films // Rep. Prog. Phys. 1984. - Vol. 47. - № 4. - P. 399-459.

80. Pashley D. W. The nucleation, growth, structure, and epitaxy of thin surface films //Adv. Phys. 1965. - Vol. 14. - P. 327-416.

81. Basset G.A. Condensation and Evaporation of Solids // New York, 1964. P 599.

82. Kern R., Masson A., Metios J.J. Migration Browhienne de Crisstallites Sur. Une Surface et Relation Avee Depitaxie // Surf. Sei. 1971. - Vol. 27. - № 3. -P. 483-498.

83. Zanghi J.C., Metios J.J., Kern R. Elastic interaction between // Surf. Sei. -1975. Vol. 52. - № 3. - P. 556-568.

84. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные1. О fпленки соединений AB// Л.:ЛГУ им. Жданова, 1978. 311 с.

85. Ивлев В.М., Трусов А.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках //М.:Металлургия. 1988, -325 с.

86. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки // М.: Наука, 1971. -480 с.

87. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок // М.: Наука, 1972. 319 с.

88. Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход) // СПб.: Наука, 1996. 304 с.

89. Крылов П.Н., Романов Э.А., Ветошкин В.М. Сверхвысоковакуумная установка для напыления нанокристаллических полупроводниковых соединений // Вакуумная техника и технология. 2008. - Т. 18. - № 2. - С. 75-80.

90. Масс-спектрометр типа МХ-7304 ЦФ1.560. 014 ТО.

91. Пост вакуумный универсальный ВУП-5, Техническое описание и инструкция по эксплуатации. 1989.

92. Ануфриев Г.С., Болтенков Б.С., Рябинков А.И. Масс-спектры высокого разрешения остаточного газа в металлической вакуумной системе // ЖТФ. -2006.-Т. 76.-Вып. 1.-С. 105-114.

93. Розанов Л.Н. Вакуумная техника // М.: Высшая школа, 1990. 320 с.

94. Баранов A.M. Увеличение интенсивности отражения рентгеновского излучения от поверхности при нанесении на нее алмазоподобной углеродной пленки // ЖТФ. 1998. - Т. 68. - № 7. - С. 136-138.

95. Ветошкина В.М. Экспериментальная установка для исследования вакуумно-плазменных- процессов обработки кварца // автореферат канд. тех. наук. Ижевск, 2009. 23 с.

96. Ветошкин В.М., Крылов П.Н., Романов Э.А. Исследование влияния режимов ионно-плазменной обработки на шероховатость подложек из кварца, поликора и ситалла // Вакуумная техника и технология. 2008. - Т. 18.-№2.-С. 81-85.

97. МИИ -4. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. JIOMO. -1981.

98. Бриггс В., Сих М. П. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // М.: Мир, 1987. 598 с.

99. Гильмутдинов Ф.З. Термостимулированные изменения в оксидных пленках переходных металлов и сплавов на их основе // канд. дисс. Ижевск. ФТИ УрО РАН, 1993. 189 с.

100. Карлсон Т. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия. // JL: Машиностроение, 1989. 344 с.

101. Под ред. Фрименса JL, Вэнника Дж., Декейсера В. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел // М.: Мир, 1981. 468 с.

102. Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел // М.: Наука, 1983. 296 с.

103. Методика количественного анализа методом ВИМС. Руководство пользователя к масс-спектометру МС-7201М // Сумы. 1987.

104. Алалыкин С.С., Крылов П.Н. Автоматизация серийной установки рентгеноструктурного анализа ДРОН-3 // Приборы и техника эксперимента. 2005. - №2. - С. 149-150.

105. Горелик С.С., Скаков Ю. А., Расторгуев JI. Н. Ренгенографический и электронно-оптический анализ // М.: МИСИС. 1994.

106. Картотека Международного центра дифракционных данных JCPDS.

107. ПО.Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализуполикристаллов //Москва, 1961. 863 с.

108. Ш.Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгеновский и электроннооптический анализ // М.: Металлургия, 1970. 106 с.

109. Богомолова Н.А. Практическая металлография // М.: Высшая школа, 1982.- 272 с.

110. Binning G., Quate C.F.,'Gerber С. Atomic Force Microscope // Phys. Rev. Lett.- 1986.-Vol. 56.-P. 930-933.

111. Wisendanger. Scanning Probe Microscopy. Analytical Methods // SpringerVerlag, Berlin, 2000.

112. Основы сканирующей зондовой микроскопии. / Миронов B.JI. / М.: Техносфера, 2004. 143 с.

113. Суслов А.А., Чижик С.А. Сканирующая зондовая микроскопия // Материалы, технологии, инструменты. -1997. №3. - С 78.

114. Быков В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии // Микросистемная технйка. 2000. - № 1. - С. 21.

115. Бахтизин Р.З., Галлямов P.P. Физические основы сканирующей зондовой микроскопии // Уфа: РИО Баш. ГУ. 2003. 82 с.

116. Грязнов М.Ю. Сысоев А.Н. Чувильдеев В.Н. Лабораторный практикум «Физика твердого тела» (физические свойства твердых тел)». М.: Высшая школа, 2001. Т. 2. - 484 с.

117. Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Instrum. 1983. - Vol. 16. - № 12. - P. 12141222.

118. Scott S.D., Barnes H.L. Sphalerite-wurtzite equilibria and stoihiometry // Geochim. Cosmochim. Acta.- 1972. -Vol. 36. P. 1275-1295.

119. Касимов Ф.Д., Лютфалибекова А.Э. Расчет упругих механических напряжений в неоднородных в полупроводниковых структурах // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002. - № 2. -С. 13-14.

120. Коваленко A.B. Гетероэпитаксиальные структуры ZnSxSeix/GaAs -получение, физические свойства, применения // Физика и химия твердого тела. 2007. - Т.8. - № 3. - С. 622-627.

121. Александров Л.Н., Петросян В.И. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники // Новосибирск: Наука, 1977. 248 с.

122. Морозова Н.К., Каретников И.А., Голуб К.В., Данилевич Н.Д., Лисицын

123. B.М., Олешко В.И. Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS ФТП, -2005. Т. 39. Вып. 5. С. 513-520.

124. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д. Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS(O) с позиции теории непересекающихся зон // ФТП. 2010. - Т. 44. - Вып. 4. С. 458-462.

125. Сеттерфильд Ч., Практический курс гетерогенного катализа: Пер. с англ. // М.: Мир, 1984. -520 с.

126. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. // М.: Металлургия, 1982. -247 с.

127. Нефедов Д.В., Яфаров Р.К. Влияние упругих взаимодействий на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления //.Письма в ЖТФ. 2007. -Т. 33. -Вып. 7. -С. 26-34.

128. Коновалов В. А., Терпий Д.Н. Кинетика нарастания и свойства наноструктурных пленок диборида гафния // Журнал технической физики. 2009. - Т. 79. - Вып. 7. -С. 96-100.

129. Милославский В.К., Набойкина E.H., Лебедев В.П., Храмцова В.И. Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев сульфида и селенида цинка // Украинский физический журнал. — 1969. Т. 14. - №5.1. C. 818-825.

130. Бадалян A.M., Белый В.И., Гельфонд Н.В. и др. Химическое строение и структура тонких пленок, полученных химическим осаждением из газовой фазы // Журнал структурной химии. 2002. - Т. 43. - № 4. - С. 605-628.

131. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я., Миронов И.А. и др. Неорганические люминофоры // JI.: Химия, 1975. -192 с.

132. Морозова Н.К., Каретников И.А., Плотниченко В.Г., Гаврищук Е.М., Яшина Э.В., Иконников В.Г. Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании // ФТП. 2004. - Т.38. - Вып. 1. - С. 3943.

133. Караксина Э.А. Получение и свойства поликристаллического сульфида цинка для ИК оптики (Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. Нижний Новгород, 2004). 283 с.

134. Георгобиани А.Н. Широкозонные полупроводники AnBIV и перспективы их применения // Успехи физических наук. — 1974. — Т. 113. Вып. 1. -С. 129- 155.

135. Ормонд Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. // М. Высшая школа, 1973. -655 с.

136. Георгобиани А.Н. Электролюмисценция полупроводников и полупроводниковых структур // Соросовский образовательный журнал, Физика. 2000. - Т. 6. - № 3. - С. 105-111.

137. Крылов П.Н., Валеев Р.Г., Романов Э.А., Структура и свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007, №1, С. 41-45.

138. Крылов П.Н., Романов Э.А. АСМ исследования нанокристаллических пленок ZnS. //Химическая физика и мезоскопия, 2009, Т.11, №2, С. 235243.

139. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Исследования полиморфных превращений в нанокристаллических пленках сульфида цинка // Химическая физика и мезоскопия. 2010. Т.12, №3. С.368-371.

140. R. Valeev, E. Romanov, A. Deev, A. Beltukov, K. Eliseev, P. Krylov, N. Mezentsev, V. Rriventsov Synthesis of ZnSe semiconductor nanodots arrays by templadet PVD // Physica Status Solidic 2010, V.7, №6, P.1539-1541.

141. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Влияние термоотжига на структуру нанокристаллических пленок сульфида цинка // Физика и техника полупроводников, 2011, Т.45, Вып.1, С.127-131.

142. Валеев Р.Г., Бельтюков А.Н., Ветошкин В.М., Романов Э.А., Елисеев A.A. Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe // Журнал технической физики, 2011, Т. 81, Вып. 6, С. 153-155.

143. Валеев Р.Г., Крылов П.Н. Кобзиев В.Ф., Романов Э.А. Электрофизические и оптические свойства тонких пленок ZnSe в различных структурных состояниях. Вестник удмуртского университета. Физика. Ижевск, 2005, № 4, С. 165-170.

144. Закирова P.M., Романов Э.А., Крылов П.Н. Зависимость структуры пленок селенида цинка от температуры их синтеза. Материалы девятой российской университетско-академической научно-практической конференции, Ижевск, 2008, С. 96.

145. Валеев Р.Г., Деев А.Н., Крылов П.Н., Кобзиев В.Ф., Романов Э.А., Пивоварова О.И. Структура и свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe. Тезисы докладов V Национальной конференции РСНЭ НАНО -2005, Москва, 14-19 ноября 2005 г., С. 192.

146. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Нанокристаллические плёнкии 2п8е: синтез, структура. Сборник трудов IX Всероссийской1 конференции «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем», Ижевск, 22-26 ноября 2010 г. С. 173-175.

147. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Структура и свойства нанокристаллических плёнок сульфида и селенида цинка. Тезисы докладов XIV Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, 6-10 декабря 2010 г. Т. 2, С. 192.