Нестационарные и автоволновые процессы при образовании анодных оксидов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

BCPfíiKxiam шяицрстзшлй упжгсшвт

Чй-ШЗЗЗ Вэлки ¿акторогоч

НЕСТЛНШШ'П!í2 »! АБТОБОЛЮВШ rpOUECCU ПРИ ОБРАЗОВАНА! ЛПОДЗНЫХ СКСЩТОВ

0I.04.IC - сТизпга птсупроЕогзтгов и диэлектриков

Антороферэ г

лиссертоиги vo сслс/.аш»е yisnoft uienorai локторя ^яэако-е'ат^гатапоокм"

Работа выполнена на кафедре общей физики Воронежского государственного университета.

Официальные оппонент:

- доктор физико-математических наук, профессор Ю.П.Хухрянский

- доктор технических наук, профессор А.М.Гуляев

- доктор физико-математических наук, профессор Ю.П.Урь'вский

Ведущая организация . - Московский государственный инстит стали и сплавов (технологический унпвзрслтог).

3 -дата состоится " /" С-^-^^ '/л 1394 г. в /У С "* на заседании .специализированного оовета Д 063.48.03 при Воронежском государственнш университете по адресу: 394693, г.Воронех, Университетская площадь, I.

С диссертацией могло ознакомиться в научной библиотеке Воронежского государственного университета.

Автореферат паз о слан " / &" С-^-Г 1994 г.

Ученый секретарь специаллзиров-лшаго сош^а

доктор физико-штьматичосэт; наук, профоссор

______

ОБЩАЯ ХЛРЛКТШСТПКА РЛБОТИ

Актуаль.чость проолем». Иисокпе диэлектрические параметрп нсдшс: 0:сс(!Д0:!, а также оптические, механические и за;:ттно-;|Пе-иЕпрунт.ие свойства в сочетании с сс^ /.онностью 11Х регулирования г.'.эди'- и.каш'.п, определяют широкий диапазон их практического использования. Достоинством анодних оксидов является также, с одой оторопи, их сравнительная простота получения, а с д^гой -оеможнссть достаточно точного контроля их параметров путем варьи-овшшя электрических режпмоЕ, определяющие процесс анодного сканирования.

Кроме того, образование оксидной фазы в этш случае проте-ает прл сравнительно низких" температурах и отличается малой нергоемкостыэ, что также является весьма лолсж'тзлышм фактором.

Несмотря на значительный спектр технологических нозмо;кно~ тон для реализации анодного окисления (в растворах электролитов, пэоразряяно.1 кислородно;'; плазмо, с применением тверлкх иошп-х роводииков, в рзкпме-мпкродугового оксйдлгокгошя л т.д.). по сох случаях, согласно общепринятой концепции, ".моет место оди-ь'й механизм образования оксидов за счет переноса лонов оклслле-ого материала и (или) кислорода через окисел под действие:* спль-ого электрического поля.

имеете с тем, не ясна до конца роль вторичнах процессов гидратация, воздействие окисляющей среды, температуры и т.д.) в ермпрованип анодных оксидов, нет достоверных количественных параметров по в.;шяншо этих факторов на образование и свойства окопов .

Особенно мало лзученчши являются процессы, протекающие в слосинх нестационарного рпкша, когда имеет место одновременное . зменоиие во времени ионного тока, потонцпала, напряженности

оля.

Пеьнясненнкм в деталях остается механизм ссетоомпссип, с.о-ровсэдаьхдей рост анодных оксидов, ее связь с процессами, образо-анпя 11 свойствами образующейся диэлектрической фази.

дне куссношюй является проблема истинного значения па-ря:хешюсти поля и динамики его поведения в оксидной пленке в роцсссе ее роста.

Наконец, отсутствуют как теоретические, так и эксперкмен-альние исследования, которна могли бн достоверно объяснить

рост пористцх анодних окездов с регулярнкм ячеистым строением и создать единую кс цепщш механизма их формирования.

Изучение рассматриваемих вопросов :.редставляет собой актуальную проблему, позволяющую существенно усовершенствовать тех иологшо получения диэлектрических анодных планок и иокр11тий и но лучить теоретические предпосылки для ее дальнейшего развития.

Цель работа. Целью настоящей работы являлось развитие и углубленно представлений о кинетике и механизме формирования оно них оксидов на поверхности металлов в системе "металд-элоктроллт

Б соответствии с этим необходимо было решение следующих за

дач:

- установить роль вторлчшк воздействий при формировании п исследовании анодных оксидов;

- уточнить механизм ионного переноса к характер электрического' поля в окисле;

- подучить экспериментальные данные по кллстлг.з анодного •:;ссидг.рованин в условиях широкого диапазона эюштй плотностей ••-.ошюго тока с высший разрешением во времени, а такие при новь .'.зниих давлениях и температуре с.учетам нестационарных процесса

' - провести комплексное исследование светсзипссип, сопрово" дощой рост.анодных оксидов, синхронно с изменением влектрпческ: режимов в системе;

- исследовать автоволновне процессы и образование диссипа-тивннх структур, определявших формирование! окедцов как барьерного, так и гористого типов;

- разработать и изготовить эксаори^епгалышо установка дда регистрации бистромг¡ит&асся параметров з. процесса формнро: лпля шюдних оксидов, а такая к •« я'с псеячцугч. : ьзалчо^оГюух-.::! с тактнол средой.

Объект'' и методы ирп:;. Б ч^уч/л^ь глелнл -у

вшше металлов, наг.болои а^о' до ьопелъзуапа тс>л-..пс.: гажч» титана, «гануала, клебкя, штк-лгш, й.ц,йллки, «ссгогг. нргм.-шяемц; материалов определяла с;, сс\:,ср..г::лс,4 гч:лог.л'л'о ш-ао.-.слгл но менее 99,95 %, а для алкмпплл - )',. Наоолгксэ кс следований'п. оводеио на а;га«: пи;, ;<• к на г-.терладз, и-хлоедос изученном и позволшцгч т;ол.уч.,п, очодки ипрмрасго, пористого типов.

. Э к сп о р; : а п т а л :'::' л — ■ ■■•тип ::: : т у > I"; нрозоц!::1!-г.. -г 'слс:- • > - -'"."л.:. •

г о синхронного осциллографлрования параметров.

Для анализа состояния анодного оксида в процессе Еоздейст-я на пего контактирующей со~ди использовались электронное ар-катичеекг.п мосты, специально спроектированные и изготовленные л этой нолл.

Исследование структуры и морфологии анодных плонок проводп-юь методами рентгенографии, электронной и растровой микр 'зкоттпи.

Светоэмкссия, сопровождающая рост оксидов, изучалась на соз-ишой автора! установке для регистрации слабых сеотовых потоков использованием методов синхронного осциллографировашш.

Процессы ионного переноса исследовались методами, основанны-[ на применении радиоактивных индикаторов с использованием ком-широЕанного барьерно-пористого оксидировании.

Б ряде случаев (изучение свстоэмиссил и предельной-толдшш >ста плечок) применялись методы радиоэлектронного выделения и иалпза электрических импульсов.

- выявлена рол:, ьторлчпп: процессов. (взалмодеГютвио с кон-щтирутлзей срспо?, т-зрг^гсглЧ пагрзв, методика псоледовпниЧ) на груктуру л *?срг^олог#2Э анеднкх сг.с 1ДОЕ (иг примере алзмшшя).11 род-тени и экспериментально подтверждены уравнения, опиенглгаяе К!--¡тику этого взапь'.одойстшя, позволяптле судить о его характере); .

- предложен механизм, объясняющий спад ионного тока при но-. :ационарнсм релизе оксидирования в условиях КЕазистационсрпого гектрического поля в оклеле; •

- на примере алшиния установлено, что при повышении темпе-1тури электролита ышэ точки кипения имеет место формирование 1Ш-щеродных барьорпо-пористпх оксидов, а повышение гвдростатичпско-

) давления приводит к увеличению предельной толцшш анодных охссл--. )з барьерного типа (т.н. "напряжения искрения");

- на примере алшиния показано, что. образование анодних ок~ ■лов сопровождается автоволновимн процессами, проявляющимися/ п ¡до волн светоэыиссли и колебаний потенциала на граница "оксид-шктроллт"; ". ■

- установлено, что прохопщение автоволн связано с формирова- ' :е.ч в оксиде дпссипатиЕных структур в видо регулярных ячеек с >рой л центре и размерами, определяемым! величиной лапряяёшш. )рмкрованля оксида; ^ - ' .

и1 и:ззаии, чго величина измеряемой электроемкости и свет ллисоношше параметры системы "нвталл-оксид-электролит" зависят от величины поляризующего напряжения, что позволяет сделать вга о наличии локальных -неоднородных электрических полей во внеине (обращенном к электролиту) слое оксида. Б связи с этим делается предположение об образовании в двойном электрическом слое на л верхности раздела "оксид-элэктролят" системы неоднородностей I распределении зарядов, т.н. "концентраторов" электрического пол

- концепция концентраторов поля подтверждена возбуждением светоэмиссии в отделенном от металла оксиде алюминия и наносенн на поверхность сегнетсэлэктрика, подвергаемого переполяризации;

- с точки зрения общих полоаений синергетики и бпфуркацис них процессов предложен универсальный механизм образования от:с дов как барьерного, так и пористого типов.

Практическая ценность работ. Впервые получены анодные о» ды барьерного типа на бериллии, отличающиеся высокими диэлектря сши.ш и коррозионно-залш'ними свойствами; исследованы их элшст физически , светоэшюсиошше и структурные параметры. Способ ан дпрования бериллия, защищен авторским свидетельством и внедрен производство.

Разработан экспериментальный мотод определения как интегральной пористости, так и'реальной морфологии пор в анодных ок дах пористого типа.

Определены режимы и условия протекания автоволновых проце сов при анодном окислении алюминия с целью улучшения качества барьерного оксида применительно, например, к конденсаторостреен

Намечены пути "дучаения оксидной изоляции за счет повше нил т.н. "напряжения искргпия" врп фсрдиралвка ансдни;; оксщс барьерлого типа.

Разработано аппаратуу:;:о-ме11.у;,;.:чес;'.ое обес1ШЧ'~Ш:з для оксп рнменталыюго исследования процессор роста анодных оксидов в широком интервале плотностей токов к напряжен::!: с учогсм не стационарных процессов с шсоккм разр-зяештем ¡¡о ¡.пзмеке.

Результаты работ по исследоваыьо св.уго^'/.яссйл к Цотогащу цярованного роста анодных оксидов могут найти применение в совершенствовании процессов аноаарорания, нзпрздер, йри микрот.то во.м оксидмрогсхш металлов и сплавов.

Ыатврпсли дяссорта'лгл конельа^птся при чтении покцвопшк курсов, глп иг'гг'УЛ пи'Л'Ст:;"-'^!*;:- лоп;'-с^тг -,

Автор предполагает, что полученные п работе результаты по-.уяат основой для нового научного направления: "Автоволновно Ектрсхкмпчосгле процессы".

Основные положения, виносимнэ на защиту

- Экспериментальные исследования роли вторичных процессов ¡заимодействие с контактирующей среден, термический нагрев, мото-ка исследования) в процессах формирования и свойствах анодних

СИДОВ.

- Механизм формирования анодного оксида в нестационарном рема при установлении квазипостоянного электрического поля, об-лоаюшшй ограничением диффузионных возможностей ионов вследст-е увеличения энергетического барьера на границе "металл-оксид".

- Уточненный механизм свстоэмиссип при формировании анодных сидсв, рассматриваемый с основных позиций предпробойчой олоктрс-минесценции в неоднородном электрическом поле.

- Формирование системы нооднороцностей в распределении по-рхноотного заряда на границе раздела "оксэд-электролнт" и, как одствне, тлпчие неоднородной компоненты электрического • по.тл окисле.

- Аетоволновой характер процесса .анодного окисления, как едствио температуряо-полевой неустойчивости в условия:: сильного ля.

- Развитие регулярной ячеистой морфологии анодного оксида, к результат формирования дпссипатлшкх структур.

- Универсальный механизм образования анодных оксидов барьер-го и пористого типов, основанный на одновременно протекающих опросах ионизации и диффузии в окисле за счет наличия как неод-родной, так н ктзнпсстоянной г.смпонент электрического поля.

Апробация работы! Осношне результаты работы долетели и об- • Э1в1И': на международной научно-техничаской конференции."АлодпыЦ з:щ алюминия" ("Лптеранод-93", г.Казань, 1993 г.); всесоюзных гфорепцнях но физике диэлектриков (г.Ленинград, 1973'г.; г.Ка--анда, 1970 г.; г.Тсмск, 1988 г.); I, П и И! всесоюзных кстре-пгаях по физике оксидных пленок (^Петрозаводск» 1982, 1987 и Л гг.); кок!ерсшшях по запито металлов от коррозии (г.Пермь, 'О л 1979 гг.; г.Куйбышев, 1382 г.; г.Липецк, 1987 и'1389 гг.); гсесс.'-тло? ксяУзрчпцпи "Э.тактр'оогаиическпя анодная обработка мп-)иалс:.' (г.Лг;'1!ово, 19^8 г.); конференциях по анодному оет.сло'-) метатлев (г.Казань, 1960, 1979, 1988, 1990 гг.); 7-м все-

осязай! соьомшпш "Матораапэвйдонао пол; соо писал»

группы № (г.lit_ оно л, 1987 г.)-; 2-й всесоюзной конференции "Структура и элвктрошшз свойства v\ u:ra? ?r:-u ъ ноталлэх и колу-п^воцппках'Чг.Еорспсг.:, IS-37); 7-Ii rcocc:G2i:o:_ кок5:рскц;п: "Зеленя-ш.' релаксации в тьердих телах" (г.Бэронез, 1901 г.); 2-й все союзной кои|орзицц:; по шпсвлдцкм кристаллам и топш:.м шинкам" (г.Еор' не:-:с, 1974 г.).

Публпк?нт'л в r-'-t;-',-"! гт:.г--я акторл. Содержание работы изложено в 74 научных статьях, сборниках и тезисах докладов научных конференций. По результатам работы получено 3 авторских свидетельства. Сппсок основных публикаций (41 наклеиоинло) приводится в автореферате.

Автор/ пр:падла^1т основиал гдоя по разработка экспорт еятал" янт установок п методов исслодошиля. Вое окопс-р^епта^ные разул гзъв получали и-.! лично или при ого непосредственно:-! участии.

Анализ результатов к разработка по^л." коггркцлИ срсЕэдокп гз

Стру -тура и объем р?ботн. Диссертация состоит из введения,се-сен глав, заключения и выводов, списка цитируемой литературы. Содержание изложено на 200 страницах, включает 59 рисунков, 4 тао.л-ла. Список цитируемой литературы содержит <¡58 наименований.

СОДЕРПАШШ РАБОШ,

Во г^здг-'нгч обоснована актуальность теми диссертации, определена цель работи, из л слепи научнал новизна п лрактическал ценность получошиЕ результатов, симулировали оспобнко полозшпш, виносплые на защиту.

' Гл'1гп. Т. 7слоепл,- спр;дьл.-7./c.::crm:x окс.лоз.

. В персам парагр:Ле глал;: ьр-о? "Датея ciiorru пкевгру-(емтлль'ил. результатов по ьоклелу перачо^у в --.со;.:;.-..:. ¡'х::г-.:::-2 M3v~;v

иия ыигрздиа иолов через оглсод из^сл^о ».¿•■згиго кредо-гаа i;m! рабо-теаи с использованием радлоакткгл!;;;; пзеюпоь ллл реал.зецизй послс пого стравливания в специально кодбцраегчя рнсаьорск.

Большинство дшшке сслдог-'льстсуох nr.! -эти; о npto?.',a!T,ai7i3i: ролц ыегфазних границ при «игращы циюв, однако pas» rpon;ui раз цела "ыоталл-окевд" и "окепд-олокгрол;::'' «итер;фгтгг>уотся леоднозна» но.Белое того,изсмотря на то,что fc-jo p::oiwp:i '^нтн,сряй'цгН'"» с, использование;.! радцоа.;и.пя«х кил.::-'лег "л.сягап: <ю рез^р. ^рдс-гог.зго и масс -у,-:- .. -j-

цолиш приводить к одинаковь;м результатам е тех случаях, когда технологии анодирования были эдентичнынп, этого не наблюдается.

При апаллзе граничных условий, определимых процесс ионного переноса, стмзчастся целесообразность рассмотрения реального строения мекфазных границ с точки зрения наличия топографических и структурных лсоднородностей, примесей в металлической матрице, сложного ионного состава электролита и разупорядочиваяия в самса оксиде.

Как результат неопределенности, в характере пекфазпих границ имеет место неоднозначная зависимость незду ионным токои через аноднкй оксид _[ 1- напряженностью поля в нем Е •

Учет аморфней природы оксида, а такяе введение предпосылки о возникновении в нем локатьной диэлектрической неоднородности из позволяют сформулировать окончательный вид функции у—^Е).. Бо всех случаях получается соотношение типа:

" а .! - Я ехр (ВЕп]; (1)

где И и и - константы, а величина П нрин;иает значения 1/2, I или 2, в зависимости от исходных предпосылок.

Попытка рассмотреть механизмы лонного переноса в оксиде .так процесс обмена местами свободных связи'! (своего рода двзаояио "::ва-зиснов") в конечном счете для сильных полей (которые и реализуются при анодировании) приводят к уравнению типа (I) при Л = I.

На основании проведенного анализа делается вывод, что адекватность той или гной модели реальной ситуации *еи полнее, чем больше факторов, определяющих данный процесс, будет взято с учетом . количественного вклада каждого из них. В отношении межфазной гра-. илцы "металл-оксид" рассматривается роль структурно-мсрЬологлче-ских дефектов матрицы, наличие примесей и млкровключепий, роль естественных (термических) и гпдроокисных пленок, влияния геттернкх свойств металлов.

Отмечается, что граница оксида с электролитам характеризуется больной степенью динамичности из-за внедрения, вещества эле'ктро--ллтп я окисел. Причиной последнего, предположительно, являются неоднородности в двойном электрическом слое, при этом динамика этих кеоднородностей может меняться в соответствии с пзменанпеч состава оксида. • ■ ■

На основе развития модели, связанной с внедрением анионоз з ансдш.'Л оксид, усиление процессов растворения окисла за'счет электрического поля и локального повышения температуры строятся

модели и механизм!' формирования оксидов пористого типа. Показа] что учет этих факторов недостаточен, как для прогнозирования с: образующегося оксида, так и для объяснения его строения в вш регулярной системы идентичных ячеек.

Глава 2. Экспериментальные исследования воздействия внешних факторов на анодный оксвд

Представлены результаты экспериментальных исследований, ги ляющие сделать выводы о процессах взаимодействия алюминия и < оксцда о водой, а такие воздействие температуры при различных ? вяях на структурные ибменешш в анодных оксидах. Б качестве 061 та исследовался алюминий и его оксид, как в сану его широкого пользования, так и сильного влиявши указанных факторов.

Установлено, что воздействие воды на алюминиевую матрицу ( ратсция) наиболее сильно вграяено вблизи точки кипения и сопро) даэтся образованием разрыхленной пленки, состоящей из барьернс

слоя, тс.гхщц ой порядка 70-100 А, имеющего аморфное строение, разрыхленного, состоящего из игольчатых кристаллов беыита и он 01 ¿ста. Под воздействием вакуума и нагрева последние переходят I

¡(-Шз- .

Гетерогенный рост кристаллической фазы обусловливает локг аоо "раотравдшанио", что необходимо учитывать, .например, ври р чате- плотности ионного тока.

Воздействие нейтральной водной среды, а такяв водных растЕ ров щелочи и серной кислоты проводилось на специально нзготовла ной установка, позволяющей в рачках определенной - эквивалентно!) электрической схемы оценивать характер деструкции оксида. .

Установлено, что йрл воздействии воды (гидратация) происхо гетерогенное разрыхление окпида с ярко Енрзженной -лбхализацпей процесса. Последнее обстоятельство позволяет описывать кинотику изменения толпдаы оксидного слоя уравненном:.

X =.х0 ехр'гМ); (2)

где- константа, зависящая от температуры.

Воздейстше воды сопровоздастся образованием крлстал-чизсга кого слоя псавдобемита наряду с аморфной первоначально сформированной пленкой,

В щелочном водном растворе наблюдается равномерное раствор; " ние анодного оксада алшкнш.', а влаялие 10 1- раствора ссряой г.::-. лоты крайне незначительно: о точен;-.« -10 (.т.аут- отчооятольиес ?.:т

ние толелны слоя окисла составляло около 4 что соответствует. ■атлетической ошибке эксперимента. • '

Исследования по влиянию воздействия безводных электролитов ка -:одныэ оксиды тантала л ниобия в течение 1500 чзоое свндетельст-; ют об изменении в поверхности«!, слое, обусловленных, яо-вэдлл'с^у, ;едрением анионов электролита. ■ ...

Рассмотрение вопросов, связаншс со. структур:»: ri' пзмепеня^л анодных оксидах а-тапагая, псхсазсло, что первоначально о'огмиро-. ишыэ при комнатной температуре оксиды смср?ш:..При нагрево (сттиг печи или электронным лучом в вакууие)- приводит к заро/tteflra. дрло-. ¡ллической фазы Y -окиси аляипиия в области те-мпэсатур 700,0 °С. ' .■,'.

Для анодных оксидов тантала и ниобия методами электроногр.атгга • ' [ределен блиглий порядок и хсордппааиошшвг числа в амор£нс>'г

В работе установлено наличие гексзгснальн;л рслетчл в.ггерлс-- ni а = 0,270 и с = 0,438 нм для. впервые полученного анодного '-;спда барьерного тина на борилтая.

Глава 3. Особенности кинетики-анодного оксидирования' в нестационарном-оксиде - ''

Отмечается различив условий получения анодшсс оксидов.з соименных производствах и научных исследованиях. В частности, это -1сэотся четкой стабилпзадии-.опредеденнкг ларггютрЬь во врем ein -¡тацненарние ретами). Реаши) картина- анодного 'сксхдлровэпяя сбя~ [те'льно связана с одновременным изменен;!;.".! силы тока и потенциал?^ е.нестационарный режим. Это касается как начального и конечного -лов анодирования, так и случаев, когда ярч лсстоллпсм напрял.е-

приложенном к ванне или ячейке, чсирервр'о язпявтея и плот-• ль тока, и потенциал на границе "о;се:;д-;?лп!:тро.г.ит".

/¡втором была изготовлена и иваитшга установка, нозвол.'г;дал •гхрегшо осциллографировать быстро, монягтддсся параметры при т-ациспаркш. режиме и щнрок&м диапазоне плотностей тока, потен- ■ ала л других необходимых параметров. Всего на установке могла-глстрнровать доД4 независимых параметров'с'точностью роглс pat и во времени 10 с. .

.Установлено, что для большинства применяемые на. практике ко-ллов (алюминий, титан, тантал,' нисЬлЙ,- йлр:'.о:п!!:)-процесо .фор-' •'"' ровання анодных оксидов барьерного типа протекает'.за • срагнд- ■ лнш малое вр?м_я. Уг.е в тэч"ние неско'ль.чих се;сунд потенциал ■

достигает значений, близких к напряжению источшака питания (т.н. "напряжению формовки", а сила тока стремится к минимальному ьначо-ншо ("ток утечки"). Данные осциллограммы позволяют достаточно точно зафиксировать время, когда рост пленки ьохно считать закончены::: и определить ее толщину. Анализ соотношении меэду регистрируемыми параметрами позволяет осуществлять оперативный контроль за процессом оксидирования и его-регулированием.

■ Разработанная экспериментальная методика позволяет иоследоЕат анодные оксиды пористого типа, как с точки зрения интегральной пор стости, так и изучать реальную геометрию пор. Достигаемое при этс разрешение по геометрическим параметрам намного вине, чем,, например, при электрониомикросконпческих исследованиях. Установлено, чт связь интегральной пористости Р с плотностью ионного тока анодлрс вания j хорошо аппроксимируется соотношением

P-j* = c ons-t; О)

где показатель ^ яатяется слбой 'функцией тока и близок, к значен:

С цальч изучения ионного переноса в процессе роста анодного с-е:да на алюминии и бериллии применялась усовершенствованная ме-1 л.ка с использованием радиоактивных индикаторов, основанная' н" J „жировании тонких пористых слоев окислов этих мета.члов с после-д-.лЭДМ формированием спловной барьерной плеща!.

Установлен факт преимущественной диффузии ионов металла и-рос оксида на границе "оксид-электролит".

¡¡сполвзуя экспериментальные результаты, полученные в нестаиис парных режимах оксидирования, построены зависимости изменений коэ? фициентов диффузии дм алюминия и тантала'с течением времени.

Влияние структуры подложки на образование анодных оксидов изучалось в основном на.монокристаллах алюминия. Исследования проводились на образцах, получотэс как методом рекрпсга.талз!sm, таи и зонной плавкой, при окскдироваока прл постоянной плотиост:: а ока (гальваностатлческлл реязш) л и лесурцаснар?оа реклмо (при постоянстве напрятения па клсл.'.ах ячейки). Установлено, что скорость оксидирования наибольшая для кристаллографических ориентации (III) Некоторые противоречия в количественных дснкнх для конохрястаялов, полученных разнчми способами, могут быть с-.дашы с неточностью идентификации истинной величины оксидируемой поверхности.

Показано, что модифицируя состав элекгролтта, а также изменяя реяим оксидирования ц температуру, мо~ло досгячь избирателе-

ого роста оксида на структурно дефекта:;; подложка (длолскгакяа, ркчпцгос зерен). Данное обстоятельство ;»,:ает не только практи-е-кос значение, но и должно учитываться при построения общей теории .мехштнзка анодного оксидирования.

Глава 4. Описание кинетики и механизма анодного оксидирования с учетом нестационарных процессов

Наиболее полно нестационарному режиму' соответствуют ситуации, ■огла напряжение на ячейке остается посго.<дош в течение всего роцэсса анодирования, а сила тока и потенциал оксида непрерывно :п:,!ен,~отся во времени. В этом случае токоврымонная зависимость ■удет описывать кинетику роста анодного оксида,

Олдсыьаемке подобные зависимости либо аппроксимировались с.редолзчнгмн соотношениями, либо теоретически вычислялись при нянчил сильного токоограаич'зпля (малке ионике теки). 13 послознзм за связь тока со временем списывалась через специальные функ-

аля проазгслыпяс значений плотност-?": токов, -реализуемых на рантике, нами получено интегральное у: "пение, которое ле мсгло ль селено: _

' (4)

I • он

о ■

лзй , В ,оС _ константы, Ц^ - Достоянное цапрянение на ¡сломах ячейки, /?з/7 - сопротивление электролита.

Специфика'нестационарных процессов при формировании анодных г.оддоз требует но только тщательного анализа. кинетических соот-х.енлЗ, ио и побувдает вводить херреоткровкй л дополнения з сам . га-ккзы протекания лонных токов.

Провезенными в работе исследованиями, •0сн0вак",лгл на экоде-;'.'!?лтальнол методике синхронного осплллогрчфяроваиая параметров, становлчмо, что при йестедасиарнш режиме окзздзревания, -когда охраняется постоянным только напряжение на клеммах' ячейки, в-ервоначлльные моменты времени имеет Место практическое постоялое значение напряженности поля в оксиде.

• Этот факт кшет быть тшекё установлен исходя кг известной кеперимзнталъной линейной зависимости меэду скоростью роста по-^

тенциала (скоростью оксидирования) и плотностью тока.

В етой связи становится непонятной причина спада ионного тока в данной случае.

Для объяснения этого явления было'сделано предположение с увеличении энергетического барьера . 1У0 на граница "маталл-оксвд" за счет своеобразного эффекта заклинивания анодного оке: да итерирующими ионами металла. Последнее допущение том более с основано, что оно коррелирует с, аморфным строением окисла, о те же экспериментальным подтверждением избытка катионов металла вблизи' вышеуказанной границы,

• ' В рамках этого предположения получено уравнение для иошк го тока, хорссо подтвержденное экспериментально для алюмшгля, тентала, ниобия,' титана, циркония:

• (5)

к т

где . Р - величина протекшего'через оксид заряда; ]0 , Г77 полстантн;; Ч - заряд "нона; ' С? - параметр решетки оке да; £ • - напряженность ;поля в оксиде.

Реализация рассмотренного" механизма "заклинивания" , для гал£вгшостатичвЬкого приводит к .нелинейной зависимости

потенциала-от времени вида: ••

' '' Р ^П + т3 ; . (с)

где ^ ■ П Ь .. _ ч:о;:ст;::п ■;,

-Отдельным Еппросо;,! мю ъг* я;: по:л;т. ьчой тсч.е

туры на процессы ионного г-;; -•¿сди в ко- г.-ццелаглем , С

этой Целью анодирование ах^лшпи прОЕОд."л.:.еь пгл П'.л.л зплсм гидростатическом давлении ;:зста, в резул:.";:-то чоги т.- .,55 гура могла достигать .£С0-2Б0 °С.

Независимыми метода,:л - электрсчлзлчосг.глп и электро ндапкроскошгчеекпми —' устааовлэио, 'что длл .водиих растворов электролите., газет -мссто двухслойное строзппо• анедного ох сида за .счет усиленною взаимодействуя с водой при сьсоыяс '¿с ратурах.. ,

Глава 5. Исследование автоволновых процоссоз при ■ образовании анодных- оксидов с применением методов регистрации светоэмнсспи

Малоизученным, но весьма информативнш явлением-ирг обра— зовании аноднкх оксидоз'является'сзетозмиссия, сопровождающая этот процесс. •

В главе описывается созданная автором установка для регистрации слабых световых-потоков синхро.чно с. электрофизическими параметрами и разрешением- по времени порядка М-1- с,

Это позволило получить оригинальные результаты, в числе которых обнаружение пиков светоэмиссли при плотностях тока (10,5 + 0,9) мА-см-2; (IV,б' ± 1,4) м£-см~2; . (28,6 + 1,4) мА-сгГ2; (32,4+1,4) мА.сг.Г2; (50,7 ±.0,9) мЛ-см-2; ■ при формировании анодных оксидов барьерного типа на алтиияп. Положение-' пиков не зависит от типа электролита и подготовки поверхности образцов, хотя на абсолютную величину яркости свечения эти, факторы влияют. Установлено, что как в случае алкпиния, так и. впервые исследованного в работа бериллия, имеет место одна и та ие связь меяду яркостью -свечения 0 и потенциалом <р , характерная для предпробойцой электролиминесценции: ■•

В = В„" ехр С-Ь ; (7)

• Влияние криста.глсграфэтеской ориентации' оксидируемой апь шшиевой матрицы на.светоэмиссига такое же, как и па скорость роста анодного оксида, а наличие прнмесеЛ. марганца до 1,6 % в образца существенно увеличивает яркость свечения.

При скачкообразном изменении плотности тока скачкоз светсэмиссии не наблюдается. Это дает основание считать, что эквивалентная электрическая схема система "метапл-оксцц-• электролит" включает в себя телинейннй элемент, не приводящий к скачкам потенциала. ' ..

'Существенно повш явлением, сопровождающим анодное оксидирование, бгло обнаружение автово.щ светоэмиссии л формирование при эта.! длссипатн'Еных структур в оксиде. Данные' явления изучались на злпмпшш марок А-99, А-5, а такие сплавах АМц и АМг-2 в борцок;1сл1.к растворах.

. Лвюволни наблюдались на образцах из фольги, толщиной н; свьче 200 ыш, при этом имеет ыеето их прохождение с обеих ст рон совершенно идентичном образом, т.е. в виде фронта ширин о? 1,5-2,0 мм со скоростью порядка 3-5 км/с.

Определены интервалы плотностей токов (1,5-17 мА/см^) : температур(не выше 80 °С), при которых наблюдались автоволноы процессы.

Исследования морфологии оксида после прохождения автово. на растровом электронном микроскопе показали, что он состоит 1 упорядоченных ячеек (призм) с порой в центре. Размеры ячеек р. тут пропорционально' количеству прсаедгаих волн светоэмисрии и : пряг.ению на ячейке в тот момент времени.

Для напряжения 300 В размер ячеек около 450 км при дла ре пор Б0 км.

. При прохождении Фронта волны наблюдаются колебания пот циала образца, а так~з локальное повышение температуры.

Предполагается, что развитие автоволнозого процесса к в лшшовенле диссинатлБньк структур является следствием темпера ко-полевой неустойчивости в условиях сильного и неоднородного .:л. Отмечается сходство процесса с традиционными методами фор рования снсдных скскдов пористого типа на алюминии. Однако м йта'бнвй фактор (размеры ячеек и пор) в далнш с.тучае значдтел но больше, в соответствии с более высоким напряжением форми 'рования.

Колебания потенциала и формирование ячеек в обоих случе мотю рассматривать как точки бифуркаций, соответствующих м ментам перехода от неравновесных условий роста окиснои плени: к равновесным. При этом состояние оксида после прохождения аг воллы следует рассматривать как период рефрактерностл.

Анаоиз явлений свстоэг'носкп, антоволнсгдх лроцессон и и мироЕание длссипативных структур позволяет сделать вывод с к: личин локальных пзоднородшсс псл-гЛ в оксчдад. (т.н. ":;опаонтр£ торов поля"), В ПрОЦОССО ИХ роста. ¡¡еЛСОргДСТВ'.ШНКМ подтверди нием даниой концепции сзуклт результаты экепср.лген'юв по ш шш поляризующего напряжения на ;лектрофлзпческпе характерно'; ки (удельная олектроа-икос.ь, тангенс угла потерь) л сгетозхтс анодных оксвдов в системе "элштиьхЛ-оксид-э лактролят". К таг.-. ж.е выводу приводит и г-зб-.здлше о::?тссмисс;ш в "сухом" (т.е. без-участия электролита) :лсднс" очсидо алюминия, нанесенном поверхность сегнетоэ ла-дглка. £ г.сгсрш ?:-здалтвя локальные

,л^'.:!тр".тор]" по-ш па спет перестройки дочеисв прк пер<шоляр-.тза-[, а такте гша-гл сгзчеппл газового разряда з нсоднсрсдж.л п'.ло прне-плсскслть".

:дл"л-;-:.:;зтсл, что цсатршл рссха слскда ¡1 центрами прог.-^с-ЛчоХ эло;'лтс~.гсаи;с«>:ицгч яглгвтоя "г.онцзнтраторн" поля, ирзд-тля:л::ле еебс" неоднородности ("лссспнаты") в распределили зе.~ 'оп 55 двойном оллктгллеексч слое и регулярно рлспрездолзшп'л по 'орхпости оксида. С учетом этого электрическое иоле в аноднсм ¡идо определяется как суперпозиция полей мнслества диполе;!, от-1ат8лкшЗ з«рлд которое образован "концентраторами" (ассоцлатсмп) юлояптелышИ по методу зоркзлышх отображений локализован -в ■алло. ""

Вблизи металла (центр диполя) поло приближается к. однородне-а у ко'пдеитрлтсрл его величина близка к напряженности ноля [очного заряда л мояет достигать значений, которые Обеспечлглцт рглл, про!л";:.о::ллч тлергли челлчеллл диэлектрика, Отсутстчло м теплового пробоя мелно объяснять бь'стргм выводом носителей лз лети сильного поля, которое достигает критических значэнлй лтлпь :окально малей области.

й'опизацпоннгэ процессы в оксиде и прилегающем елоз элзктпо-а ответствен!!!! за споктрально-яркостные параметры сгетоэмиссил, норгия евлзи металл-кислород определяет величину критической рятанности поля, создаваемого концентраторами, ¡г т.н. "кснстан-гшодированпл" для сксвдов барьерного типа.

От соотпогдтлшя меяду величиной заряда копцентратороз п пя-лолсленисм зависит в конечнот итоге тип оксида - барьёрнкЛ «ма лот:-л. . •

Предполагается, что изменение параметров концентраторов в цес.^э анодирования происходит в вида автоголн. '

Г лага 6. Применение результатов работ к проблеме получения диэлектрическое анодных пленок

Проччдспы исследования но изучению максимальной толкани пос-ул'митл'ллгх анодных оксидов барьерного типа на аллмшгал, -'.'лллгл с пеп.-лочием предельного значения напряжения анедипо-:л, т.н. "нанрл-еппя искрения" ( "и ).

Гг лчеленшп г. роботе оригинальная установка и методика иг-»-........:,Т11 т.,? темнерчт; гы, концентрации электролита л

с:"*:1 т'гллечгл с'разгп !)и • 01!пгу.чча, что гте-ь-'.-

низ гидростатического давления до 0,5 +1,0 Ша приводит к угол! чен:по предельной толщины анодных оксидов барьерного типа на алгаш нии на 13 f 16 %.

Анализ иолучепных результатов позволяет сделать вывод о т( что в данной ситуации существенную роль играют условия инкекции электронов в.окисел, обусловленные формированием системы "концен; раторов" на границе "оксзд-двойной электрический слой".

Для более полного описания процессов формирования анодных оксидов проведены исследования по изучению влияния ультрафиолете; го облучения на анодное оксидирование тантала, ниобия, титана, в: мута и антимонида"индия в водных растворах кислот (т.ц. "г.отоин-дуцированный рост").

Установлено, что в процессе анодирования в ряде случаев (висмут, антимоицд индия) .имеет место инверсия знака фотопотенщп ла, что связано с изменение;.! типа проводимости оксида.

Показано, что эффект ф.отостилулнрованпя наиболее виранен для тонких слоев оксидируемого материала, а ташее с увеличением наряжения формирования.

В среднач эффект увеличения тодашк окисла составил 20 % д. •■■'1гала, 40 % для ниобия и 30 % для титана.

Полученные результаты объясняются не только вторичными процессами, связанными с воздействием электролита, но и с изменениями в характере ионного переноса через оксид. Значительную роль мс $:от играть "внутренняя" локальная термическая активация поноз носителями тока, образующимися при воздействии УФ-излучения.

Отмечается, что комплексное воздействие светового излученш локального повыщения температуры, плазмохимических реакций, сопровождающих процессы светоэмиссии и искрения, позволяют совершенствовать технологию алодирования с целью модификации анодных оксидов. Примером такого рода гоздсйстгля нижеуказанных еакторов является микродуговое окезднреванло (1ДЦО>, развиваемое в последнее время.

Обиио закономерности, своГ. стеснило процесса» формирсьааая анодных оксидов, проявляются и црл анодном (плгезпрогапш друп-х диэлектрических и полупроводаксв:^: соедошс-шИ. Б рабсто, в частности, методами анодирования кд",::ня в его:;-.').'» раствора;-; получены пленки сульфида кадмия татсисй пордцг.а 0,8-1,0 мга.

Показано, что кинетика реет а ил-шок гагблия:а:тся к у,а-иетике роста анодякх оксидов с'осьорного тина, П-аодаЛд рели'-,:.-"»-

кТ'ии установлено, что пленки аморфны, величина удельного сопротив-!ия составляет Ю^-Ю*2 Ом. ш, а ширина запрещенной зоны 2,33 ± 3 эВ.

Основные результаты работы и выводы. В результата исследова-[, проведенных в работе, установлена роль вторичных.процессов,святых с воздействием на формирующийся анодный оксед электролита,по-шнной температуры и гидростатического давления, кристаллографиче-)й ориентации анодируемой матрицы, ультрафиолетового облучения.

Применение оригинальной методики, разработанной автором, поз-шло в ряде случаев (алюминий, бериллий) уточнить механизм ион--0 переноса при формировании анодных оксидов.

Разработаны установки для"исследования процессов анодирования, :ом числа в нестационарном ренине, с возможностью синхронной ре-;трации параметров в широком диапазоне та изменения. На о той пк~ фшснтальиой базе созданы устройства, которые могут исиользое^ть-иа производствах, связанннх с процессами анодного оксидирования.

Прозедеинвв исследования светоомиссии, которая сопрокогдает • ¡пзование анодного диэлектрика, показали, что данное явление тесно пано с характером поведения электрического поля в оксиде и диначл-I распределения заряда на границе "оксид-электролит".

Основные выводы из полученных, результатов:

1. Воздействие электролита на формирование анодных оксидов но :от быть объяснено только химическим взаимодействием. Образование •улярной ячеистой морфологии оксида обусловлено процессами исниза-; под действием электрического поля.

2. Первоначально формируемые анодные оксиды - аморфны. Крпс-¡лическая фаза является резулътатог.1 присутствия "естественной", ¡азорашюй при- отжиге в кислородсодержащей атмосфере оксидной тки, воздействием контактирующей с оксидом среды или терчичз-

:м нагревом электронным потоком при электронно-микроскопических : электронографнческих исследованиях.

3. "естациопарт'й сскпн шейного оксидирования в заперта, лих стад; характеризуется квазистационарными значениями напряженности элёкт-еского поля в оксиде, что приводит к увеличен:® энергетического

но границе "г/.еталл-оксчд", определяющего ценный перенос, • о-т:::1!1 д")гфузкя и, как следствие, пог.'гноннп есстага отела по л::.;?.

4. Яркость свечения анодного оксида при его росте немонотонно зависит от плотности тока анодирования. Наличие пиков интенсивности светоэмиссип при определенных плотностях тока свидетельствует о динамике поведения светоэмдссионннх центров з зависимости от значений тока.

5. Образование анодных оксидов, в частности на алюминии, со прововдается автоволновши процессами, проявляющимися в виде волн свэтоэмиссии и колебаниями потенциала у поверхности оксида.

6. Прохождение автоволн светоэмиссип связано с образовавшем в оксиде'диссипативных структур в виде регулярных ячеек, размеры которач определяются напряжением формирования оксида.

7. Электрическое поле в оксдце характеризуется наличием неоднородной компоненты во внешнем слое и близкой к однородной

в основной части оксида. Первая составляющая определяет процессы ионизации, а вторая, в оснозпсм - процессы ионного переноса в оксиде. '

8. Картина электрического поля.в анодном окс;ще определяет е.: образованием в двойном электрическом слое на границе раздела

:-:стдд-электролит" регулярной системы неоднородностен в локальном г,:-определении зарядов, т.н. "концентраторов".

9. Регулярной локальное распределение зародов на внешней,

:с электролиту, грашще окисла, приводящее к формированию диссппа-тибных структур в анодной пленке, является следствием силергети-чиских процессов, протекающих при образовании анодных окевдов.,

10. Переход от формирования окевдов барьерного типа к пористым мокно рассматривать, как бифуркационные процессы, определяемые условиями анодирования.

- Основные публикации автора по теме диссертации

1. Галкин Г.И., Чорйыиез Г .Б., !Лг»рхова Н.Е. Исследования фаговых изменений в барьерных окисни плешах на алюминии // Защита металлов. - 1970. - Т.6. - I.' С. - С.209-211.

2. Галкин В.И., Чернышев В.В., Маркова II.Ь. О температурите изменениях в структуре анодных оксидных пленок барьерного типа на алшинки // Крис гелиография. - 1969. - Т.14. - 1'. 4. -С. 746-748.

Чоршьев B.B., Галкин Г.','., .1 ситары Л.Г. О строении слоак, по-шых при обработка алнипшя кишу;',ей вод ort // Электронная тахнп->эр.5. Рэдиодоталл. - 1972. - 2 (L /). - С.49-51.

Остановка для автоматического измерения л регистрации быстро-ошихся емкости и тангенса угла потерь в электролитической ячой-Маркова, Б.Н.Лебедев, В.В.Чернышев,. Г.И.Галкип // Изморнтель-гехшша. - 1971. - J& II. - С.69.

A.c. 690590 1ВД1 01В 7/06. Устройство для измерения толцшш дных пленок и покрытий/В.Н„Яобедав, В.В.Чернышев (СССР). - 2 с.

A.c. 305210 ¡Ж! С 23 в 9/00. Способ анодирования бериллия и-сплавов / А.Л.Вольфссн, В.С'.Уг.шов, Э.Я.Полспский, ШЕ.Маркова, Чернышев, В.П.Лебедев (ССОР). - 2 с.

. Чаришов В.В., ГалгпиГ.И.О стилет-? рогстшл оксидны:!: пленок ла ишш // лурн.прлкл.спектроскопии. - 1970. - Г.17.,- JS 3,- С.547~

, Чернышев В.Ii. Исследование к^т^тя'ят пчртчогр скспд'фогашш в ационарном реапмо // Электронная техника. Сор.ь. Рздлочлзлка.— . - Ii 2 (27). - С.913-99. •

.Некоторые электролизлчосгсио характеристики йяодшсс окотоп» плена бериллии /А.И.Вольфсон, Н.й./аркова, В.В.Чернышев, В.Н.Лсба-

B.В.Вавакин // Защита металлов. - 1973. - Т.9.'- C.2ÍS-S17.

.Чернышев В.В., Щекодина Л.Г. Получение анодных плело;: султ "ч-адмия и исследование их свойств // Электронная техника.'--Сер.Г», одетали. - 1973. -2 (31). - С.96-99. ...

;.А.с, 466391 МКИ 01 5/28. Устройство для преобр&зоганпп-тп:;ло-полл / В, В.Чернышев (СССР)..- 2'с, : IUI.-"

.Чернышев В.В., Провоторов В.Г. Анодное оксвдпровЕлте 'плдмпгля тервале температур 25-200 °С1 // Электронная техпгла. Сер.5.' " одетали и радиокомпенонты. - 1975, 5 (II). -'С.20^Й».

.Маркова И.К., Гонтарь А.Г., Чершэдов,З.В. Оклслешт ítrau'rát азмо кислорода // Физика и химия обработки- материалов'. - 127;.- С.73-76. • ' ' ' .

.Черн:гов В,В., Га.тяш Г.И., .Пропотороп В.Г. С.труктугнс-могло ОК10 сссЗкпаостл 'ше.дчых оксидны;: иязно:«.на алгмлнлл,' по„"*т-

лрл тс:«"-] *-т; 'ÍÜ-2Í О °С // Нлтевлдшч ¿рэттайя" л тсл;:л''; ли: Mar. и !«с?с п.ноу. -:о;>-1). - J-ór-cii";-;- С.-;3Г~

15. Лсслецование кинетики роста и структуры окисных планок на орден тированных м онокристалл&х алшиниь/В. Л. Трофшi ова, М. А. Черны В.ЬЛершглев, С.11.Грибког.//иагириалоЕедэпие (физика и химия кон денснрованннх сред): МеаЕуз.сб.науч.тр./Воронеж.политех.ин-т. -Воронеж, 1976. - С.90-92.

16. Чернышев В.В., Вольфсон А.И. Формирование и строение анодны оксидных пленок барьерного типа на бериллии // Защита металлов. 1977. - Т.13. - й 2. - С.245-247.

17. Чернышев В.В., Провоторов В.Г. оптирование границы раздела металл-диэлектрик при образовании диэлектрических анодных пленок Твердотельная радиоэлектроника. Ыежвуэ.сб.науч.тр./Веронек. гос. ун-т, - Воронеж, 1977. - С.42-45.

16. Чернышев В.В., Лебедев.В.Н., Шеэцсв Г.И. Иссладование ироие сов пробоя диэлектрического анодного оксида алюминия в контакте электролитом // Физика диэлектриков и новые области их применен!! Т'З.дсгл. Всосоюзи.копф. - Караганда, 1Э78. - С.90-91.

[У.Попова И.Л., Чернышев В.В., Угай Я.Л. Структурные особенное . ч--.'piux оксидов тантала // Физико-химия полупроводникового мате) ЛЛыздешш: Сб.науч.тр. / Всронег.. гос.ун-т. - Воронеж, 1979. -0.78-85. .

20. Чернылев В.В., Корабляя Jl.h., Бондарев В.П. Исследование Д1 фузионнкх процессов в окевдньк пленках на алюмшпш // Физика и з;ил;ия ковдоненровалных сред. Ме.мвуз.сб.науч.тр. / Вороной.полит; ин-т. - Воронен, 1980. - С.63-66.

21.Чернышев В.В., Галкин Т.П., Лебедев В.Н. Исследование кине: кн деструкции оксидных пленок fii~0j// Физика п. химия коицеполр ванных сред: Ыежвуз.сб.иауч.тр. / Вороиегс.цолахсх.ш-х. - Борец. 19Й0. - С.39-42.

22. черишев В.Е., ¡¿воцов 1.Л. О сездашш лисоковаяьтноЛ <-кса ной изоляции // Электричество. - 1082. - 3, - 0,'JQ 91.

23.Чернышев В.В. Светоэмиссия ди&дектрика под деЦстеиом бьет пенящегося поля//Нисьма в >Д'Ф.-1983.-Т. 9.-Ш.-С. 1452-1455.

24.Фотостиыулированный рост диэлектрических анодно-окелдных и лок/В.В.Черныитв, C.II.Грибков, I'.Л.Галкин, В.АЛрлбксв // Рост структура нитевидных кристаллов и тонких пленок: .Моотгэ.сб./иог нож.политех.лн-т. - Бороне^,' 198*1. - С.об-70.

25. Чернышев ЗЗ.Б., Перпшнз Е.Н. Свечение прл образовании анодных ксидных пленок на бериллии//Электрохимия.-1986.- Г.22. - ¡'? 3. -.418-419.

25. Чернышев 13.В., Чернигова Т.Д., Галкин Г.И. Взаимодействие кленой фазы с границами зерен и дефектами металлической (алюми-иевой) матрицы // Структура и электрические свойства границ зерен-| металлах и полупроводниках: Тез.докл. II Всесоюзн.конф.-Воронеж, 987. - С.178-179.

27.Чернышев В.В., Ослцкая Т.В. Особенности злектролюмшшесценцлп :ри образовании диэлектрических пленок анодного оксида алюминия // электрохимия. - 1987. - Т.23, - й 5. - С.851-853.

28.Чернышев В.В., Грибков С.II., Шилов В.Д. Импульсный анализ ;р-?дпробоГ;ной электролюминесценции диэлектрических пленок анодных желдоа // Физико-химические основы иадояшооти мнкроэлег.тронлыл лруктур: ¡.¡елвуз.сб.науч.тр./нероле:;.политех.лл-т. -'Вороном,1937,-35-36.

29.Че;'Ш":)ов В.В., Гоякзи Г.Л. Лссгтдсвашш процессов роста олелд-¡ж планок барьерного тина методов синхронного осциллографгфовплия 7 ¡Латерпаловеденио полупроводниковых соединений группы А1*]/: Тба. • (окл. Л! Всэсоюзн.координац.совац. - Воронеж, 1987. - С,53.'

ЗОЛ'-лнетика роста и механизм деградации оксидов тантала,ниобия I вольфрама / И.А.Попова, В.В.Чоршлов, Я.А.Угай, В.й.Кукубр // ?лектронная техника. Сер.Материалы. - 198в. - 5. - С.28-32". _ •

31.Чернышев В.В., Кораблин Л.И., Галгаш Г.И. Исследование диффу-шонных процессов в системе "металл-оксид" // Структура и свойства внутренних границ раздела в металлах и полупроводника::: Нежвуз. укнауч.тр./Воронеж.политех.г.и-т. - Воронеж,1938.- С.115-117.

32 .Черныш ев В.В., Грибков СЛ., Плтлов В.Д. Влияние полярИзупде— :о напряжения на процессы светозмиссии и электрические харпктсри-::тнки анодных оксидов // Электрохимия. - 1988. - Т.24. - }? -1430-1431.

ЗЗЛаринский Б.ы., Сидоркин А.С., Чернышев В.В. Возбузденпо носителей и приповерхностных концентраторах электрического поля в • зегнетоэлоктршее //'Эмиссия и рассеяние электронов твордга телом: .'б.науч.тр./Ленинградгос.пед.ии-т. - Ленинград, 1968. - С.23-26,

34.1 рябков С.II., Чоркияев В. В., Ишгол В. Д. Продпробсйнэя злектро-"юмиь'ацепция диэлектрических окленмх пленок//Прсбсл л электрпч?-

ское старение диэлектриков: Ыат. Л В;;есоюзн.кон:Т. по физдке диэлектриков. - Тс.-юг., 1938. - С.88.

25. Чернигов З.Ь., Гслкаи Г.Л. Влияние неодцсрслносхп иолч !•..•; образов,ал; л диэлектрических оксидных пленок // Рост и сгруктура кристалле. . ¡.¡и,т.вуз.ей.науч.тр. / Воронок.политех.ин-т. - коронед, 1889. - С.66-71.

36. Черш&кш В.В., Галкин Г.Л. Нелинейность потенциала при с Зраз о-ванпи. анодных планок Оарьерного поля // Физико-химия патер.¡алов и процессов в микроэлектронике: Сб.науч.тр./Воронел, гос.ун-т, -Воронен, 1989. - С.8-11.

37. Чернь-лев В.В., Чорнызова Т.Д., Грибков СЛ. Связь процессов роста и отруктурообраз свалил анодных оксидов аясшягая со еветоэмис-

// Теория и практика анодного окпелонпя атаиная: Пат. респ. " V копф. - Казань, 19Э0. - С.8У-90. .

" эрнылев В.В. АетовоЛновш! процессы при ал одно» окислении ал>, л ,.1 //'Электрохимия. - 1990. - Т.28. - № 7. - С.846-850'.

. .'ор-шзов В.В., Галкин Г.И. Влияние режимов анодирования на :. ■[- ¡.'исванцо и электролюминесценцию пленок оксида алюминия // • !:,.:ко-хнмичесш:е аспекты тохнологш микро- и опт'оэлектрош:«и: ': •: ль . об. иау ч. тр. /Воронен:! политех. ин-т. -Воронед,1991.-С. 51-55.

Чернышев В.В. Образование диссяпативных структур в пленках £•:: ачого оксида // Физика и технология материалов олоктрон-

::г.;: гстш: Иолзуз.ой.науч.тр. / Борслс::.поляг.;,;.¡кь-т. - ¿ор-лг:™, I - с.78-81.

4]. ЧерпылеБ В.В. Влияние авто .ол.¡с.1г е.:'ч::;с;; ; ,.; ./;;":

анодного окевда отдания // Алели;1!: ск;:^; кл;. т.. :.•;: - ::.":л-род. науч.-техн.кенф. - Казань, - С.2В.

Заказ 253 от 5.СР.91 г. Тир. Ю2> --кг. о <сзгл1«: г5орптор;л