Объемное и локальное поглощение в кристаллах иттрий-эрбий-алюминиевого граната тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

• АКАДЕЗЛИЯ НАУК СССР ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ЮШКИ

На правах рукописи УДК 536.54:621

ПОПОВ Александр Владимирович

ОБЬШНОЕ И ЛОКАЛЬНОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В КРИСТАЛЛАХ ИТТНДО-ЭРШЙ-ЛЛВДИНИЕВОГО ГРАНАТА

01.04.04 - физическая электроника

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук •

Москва - 1990

Работа выполнена в Институте общей физики Академии наук СССР

Научные руководители: доктор физико-математических наук

Т.М.КУРИНА

к&щидат фи з и к о-матенатиче с ких неук

б.и.каков

Официальные оппоненты: доктор физико-натбкатичэских ноук

Ю.П.'ГСНМЕЕВ

кандидат фпзико-иатематических наук В.Г.АРТШЕНКО

Ведущая организация: Институт Кристаллограф!!!! АН СССР

Защита диссертации состоится "/■£" 1990 р.

б час. на заседании специализированного совета № Р.

К003.49.01 Института обчзй физики АН СССР по адресу: 117942, г.Москва, ул.Вавилова, 38.

С диссертацией ыошно ознакомиться в библиотеке ИОФАН.

Автореферат разослан

"¿?3° Р Iе- 1990 г.

Ученый секретарь Специализированного совета доктор фиэ.-мат.наук

Н.А.ИРИСОВА

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАЕОТН

Актуальность. В Институте o6qefl физики АН СССР на кристаллах иттрий-эрбий-алвииниевого граната создан эффективный лазер (КЦЦ 3%), работающий в различных режимах при комнатной темпера-турэ на длине волны 2,94 мкм. Этот лазер находит широкое прпко-ненио как в научных исследовениях /1,2/, так и в решении целого ряда прикладных задач /3/.

Важной характеристикой лазеров являются их.еффектнвность и рэсурс работы. Физическим фактором, ограничивающим предельную могрюсть лазера н его ресурс является разрушение активных элементов лазера под действием собственного излучения. Экспериментально установлено, что в кногомодовом рекиме свободной генерации в -лазере при длительности импульса 200 inte набяаделтея разрушения активных элементов при интенсивностях IO.^-IO® Вт/ci/*. Однако, как следует из литературных данных /4/, пряже измерения порогов разрушения кристаллов Y/9&- лазерным излучением с длительностью иг-шульса 100 не состадлявт 10*®--ЮП Вт/с'А При

учете временного и размерного эффектов/?/ не представляется возкоетыи объяснить наблюдаемое различие в порогах разрупзния. Известно, что наиболее низкие пороги разрупенил связали с наличием поглощшощих дефектов п оптических материалах. Однако характеристики локальных дефектов такие как размер, локальный 'коэффициент поглощения, теплопроводность и другие характеристики, а такяэ влияние технологических параметров сращивания кристаллов на образованно локальных дефектов мало изучены.

Цель работы. Разработка новых неразрутаа^ицих методов определения характеристик макродефектов в оптически прозрачных на-

териалах и исследование кш;ро и макродефектов в кристаллах

. Оптимизация технологических парал;етров выращивания кристаллов ~ с цельо создания высококачественных

кристаллов.

На защиту выносятся следукадиэ положения:'

- экспериментальное обнаружение нелинейного поглощения в крис-

талла:: ;

- разработка метода неразрушавцого контроля качества оптически

прозрачных материалов;

- определение размера локальных частиц в кристаллах ;

- определение коэффициента поглощения и температуры локальных

частиц в кристаллах

при воздействии на них лазерного излучения;

- определение оптимальных технологических параметров вцрацивания

кристаллов

- разработка метода и определение оптимальных режимов лазерного

отвига кристаллов с цель» сн-лгешш кооф^ициен-

тов поглощения на частицах субцикронного размера. Практическая ценность. Исследована оптическая прозрачность кристаллов "Ёг**1, выращенных методом горизонтально-нап-

равленной кристаллизации в диапазоне длин волн 0,3*4 им и их радиационная стойкость. Показано, что кристаллы об-

ладают высоким оптическим качеством; коэффициент объемного поглощения на длине волны генерации равен (2+4)«Ю-4 см-*. Облучение активных элементов -излучением до доз 10^ рад не приводит к изменению генерационных характеристик лазера.

На основе явления нелинейного поглощения локальных частиц разработан метод нераэрушамцегс контроля качества активных эле-

ментов. Определена оптимальная скорость' выращивания кристаллов , при которой кристаллы обладают кинимальныш по-теряии. Предложен лазерный отлиг локальных частиц в кристаллах

УМ- ¿V"

, приводящий к снижению локальных коэффициентов

поглощения.

Научная новизна работы.

1. Впервые исследована зависимость коэффициента объемного поглощения оптических материалов от длительности импульса лазерного излучения. Обнаружено, что при определенных плотностях и длительностях иштульса лазерного излучения наблюдается увеличение коэффициента объемного поглощения (нелинейное поглощегою).

2. Впервые в спектрах поглощения кристаллов огё-

! <3 Т

наружены новые линии (~ 10 см ), ид?нти<|мцироватше как электрошшз переходы иона с одновременным поглощением

фонона. Сильная зависимость коэффициентов поглощения таких переходов от температуры позволила зарегистрировать люминесценции из объемов кристалла, прилегающих к дефектам субмикронного размера при разогреве их лазерным излучением, попадающим в область этих переходов. По температурной зависимости ширины линии лши-несценции в линейном приближении проведена оценка температуры разогрева дефектов в кристаллах

3. Исследовано воздействие излучения — лазера на локальные частицы в кристаллах . Показано, что при определенных длительностях иипульеа и плотностях оперши лазерного издучешш наблюдается снижение локальных коэффициентов поглощения частиц субмикронного размера.

Апробация работы и публикации.

Материалы, 'включенные в диссертации неоднократно доклада-

- б -

вались на семинаре отдела колебаний ИОФ АН СССР, на Всесоюзных конференциях "Оптика лазеров-87", "Оптика лазеров-90", на УП Всесоюзной конференции по росту кристаллов - Ыосква-1988г., Международной конференции "Тенденции квантовой электроники" -Руиыния-1988г., Всесоюзной конференции "Физика и техника твердо-телышх лазеров" - Москва-1990г., защищены авторский свидетельством на изобретение и в достаточно полной мере отражены в I? печатных работах.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы. Работа изложена на 135 страницах, включая II таблиц, 30 рисунков, список литературы 131 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы диссертационной работы, сформулирована цель работы, кратко изложено ее содержание, показала научная новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе приведен литературный обзор методов исследования качества оптических материалов. Данные методы можно разделить на два типа:

- определение усредненных по объеиу и поверхности коэффициентов поглощения и рассеяния оптических материалов (Табл.1);

- определение размера и концзнтрации локальных частиц в оптических материалах (метод малоуглового рассеяния света /б/, исследование локальных частиц с помощью измерения порога раз руления оптических материалов ПП-

Таблица I.

Нзтод Чувствительность, см-1

Газ Жидкость ■ Твердое тело

Оптико-акустический Ю^-КГ7 Ю^-Ю-6

Калориметрический Ю_6-10-7 Ю^-КГ5 ю^-ю-6

Оптико-рефракциошгый: терколинзы Ю^-Ю"7 Ю^-Ю-7 . ю-5-™-6

интерференционный Ю^-Ю"5 Ю^-Ю"6 ' ю-З-ю-4

Спектроскопический Ю^-Ю-4 Ю^-Ю"4 Ю^-Ю"3

. Проводится анализ возможности использования' данных методов для контроля качества активных элементов лазеров.

Во рторой главе рассмотрен штод адиабатической лагерной . калоршгэтрии измерения коэффициентов поглощения и.рассеяния света в оптически прозрачных материалах. Приведены.оценки чувствительности и точности измерений метода. Обсуядается проблема применения данного метода для исследования локальных дефектов в кристаллах . С этой цельв в методе адиабатической лазерной калориметрии предложено использовать импульсно-периодичсские лазеры с вариацией длительности импульса, что дало возможность раз, работать метод, позволявши изучать характеристики локальных дефектов.

Иетод импульсной адиабатической лазерной калориметрии основан на двух физических принципах:

1. Зависимость температуры частицы от соотношения длительности импульса и размера частицы ^£)

2. Зависимость локального поглощения частицы от ее температуры ил

Анализ решения уравнения теплопроводности, характеризующего нагрев частицы при воздействии на нее лазерного излучения с плотность» снергии Ё, показиваот, что температура частицы в зависимости от длительности импульса лазерного излучения имеет следующий вид (Рис.1).

>T-IÖ4 К

и'

Рис.1. Зависимость температуры платиновой частицы'размером 0,2 мкм в неодиыовом стекле от длительности импульса

лазерного излучения (Е = 10 Дк/см2, Т Данная зависимость имеет три области:

ии

I - характерное время теплообмена ( ) кенду частицой и окружающей ее материалом много больше длительности импульса

( • В этом случае температура частицы не зависит от

II - Я^а/л - в этом случае частица практически не разогревается.

С

III - ¿.к — - температура частицы зависит от с

имп

<Г

¿■tSM/f.

8

2 -

Коэффициент объемного поглощения ¿/о мояно представить в виде двух слагаемых, первое - поглощение на неконтролируемой примеси (о^мст.), второе - на локальных частицах;

«¿> = ¿нот. ^^л-К'М где Лл - коэффициент поглощения, объем и концентрация

локальных частиц.

Варьируя длительность импульса лазерного излучения и измеряя е/0 , могио получить информацию о размеро локальных дефектов и произведении локального коэффициента поглощения на концентрации.

Анализ метода показал, что при измерении в раз лич-

ных материалах возможны ошибки из-за образования в них тепловой линзы, что накладывает ограничения на длительность и частоту следования импульсов лазерного излучения.

Приведены схема экспериментальной установки, методика определения характеристик локалышх частиц, экспериментальные результаты измэрешя °/о от 2~имп Для неодимового стекла марки ЛГС-И-3, содер.'хещего платиновые частицы (= 10^ см~*). Показано, что »Л не изменяется вплоть до 2*та1 = I мкс. При

2*имп ■ 100 не «¿о возрастает в три раза. Зависимость от свидетельствует о том, что в образцах имеются части-

цы, поглощенно которых зависит от температуры. Оценка размера частиц (0,7+1 мкы) хорошо совпадает с /8/. Оценка концентрации частиц составляет ^ 10^

В третьей главе приводятся результаты исследования оптической прозрачности кристаллов , выращенных методом горизонтально-направленной кристаллизации.

Были иссяодованы объемные потери кристаллов

методом адиабатической лазерной калориметрии. Изучены спектры поглощения кристаллов ш-е/* и кристаллов УЖ , активированных различными ионам:! известной концентрации, поглощение которых лежит в споктральной области 0,3+5 мкм (Рис.2). Спектры оптического поглощения кристаллов измерялись на спектрометре ДФС-24, ыонохроиатсро СДЯ-1 и спектрофотометре

'И' Проведен лазерный ыасс-спектроыетрический ананиа кристаллов на установке ¿ЛМЛ (Табл.2),

с1г ,

си

г!

10'

о

ю-

10"

10"

0,3 0,6 I 2 4 6 л , ша:

Рис.2. Зависимость коэффициентов объемного поглощения от длины волны для кристаллов: I _ У/? в- ; 2 -

Установлено, что в интервале от 0,3 до I шш потери связаны с центрами окраски и неконтролируемой примесью элементов группы аелеза, .а в области генерации поглощение близко к фундаментальному и равро (2*4)-Ю4 см-1.

Таблица 2.

Примесь}С,атом/сыэ}Примесъ|С,атом/см3 ¡Примесь| С, атом/см3

Не 2,4-Ю17 -ч 4-Ю16 4 Ю15

V 3,6-Ю18 Рс/ 2,4-Ю18 Мо 4 Ю17

% Ю16 2,7-Ю17 ¿Я 1,2 ю16

Ю16 1,2-Ю19 Си 0,8 ю16

Уо 6,4-Ю17 м 2-Ю16 0,8 10"®

0,8-Ю17 С&. 4-Ю15 с 0,8 ю19

&о/ 0,8-Ю17 и 0,8-Ю15 У 0,8 ю18

/ 2,4 ю16

Проведено исследование кристаллов методом им-

пульсной адиабатической лазерной калориметрии. Установлено, что кристаллы содержат сильнопоглощающие частицы размером 0)64-1 мкм

•3 г

с локальны?! поглощением 10 см , Концентрация таких частиц находится на уровне см-3 /3/. Кристаллы * были

также исследованы методом малоуглового рассеяния света на длинах волн = 1,15 и 5,4 мкм. Показано, что в дашых кристаллах присутствуют частицы с размерами двух типов 0,2т-0,4 и 0,7+1,0 мкм. Размеры группы частиц (0,74-1,0) хорошо совпадают с оценка-га, полученными методом импульсной адиабатической лазерной калориметрии. Из-за отсутствия лазеров с более короткими длительностями импульса (I не и менее) определить отим методом частицы с размером 0,24-0,4 мкм но представилось возможным.

Метод импульсной адиабатической лазерной калориметрии был применен для оптимизации технологических параметров выращивения

кристаллов , а именно скорости кристаллизации, так

как количество локальных дефектов в основном определяется этим параметром.

Исследована зависимость объоьиых потерь на двух длинах волн Л - 1,03 н 2,94 мкм от скорости выращивания (0,8*16 ш/час) кристаллов

с концентрацией ионов 0,1 и 50$.

Показано, что для всей скоростной серии кристаллов количество неконтролируемой примеси в высококонцентрированных кристаллах больше, чаи в одетых как на Я = 1,08, так и Л = 2,94 мкм. Установлено, что максимальное количество частиц субынкрон-ного размера образуется при скоростях кристаллизации менее 3 мм/час.

На длине волны Я »2,94 мкм в неактивировышых кристаллах значение коэффициента объемного поглощения не зависит от скорости кристаллизации. В высококонцентрированных кристаллах наблюдается зависимость

от

. Установлено, что шни-мальныыи потерями обладают кристаллы, выращенные со скоростью кристаллизации = 4*6 ш/час.

Проведен лазерный масс-спектрометрический анализ мест разрушений в кристаллах * . Показано, что они насыщены элементами группы железа, концентрация которых на 3*4 порядка вьше, чем в объеме кристалла.

Установлено, что коэффициент поглощения частиц субмикронного размера в кристаллах на длине волны генерации -лазера ( * ■= 2,94 мкм) находится на уровне

— Ю3

см"1.

Показано, что "пичковая" структура излучения

-лазера в режиме.свободной генерации приводит к перегреву локальных

частиц в кристаллах ' и цокет явиться причиной разру-

иения кристаллов под действием собственного излучения. Были исследованы аятивниэ элементы -лазера разшэрои 120x05 км, вырацешио с различней скоростью кристаллизации (от 0,8 до 8,0 км/час). Показано, что после 100 импульсов лазерного излучения при выходной оноргии лазера 0,5 Дя цаясимальноо число ыакрораз-рушекий наб;аэдается а кристаллах, выращенных со скоростьи кристаллизации 0,6*1,6 ш/час.

Четвертая глава посвящена исследованию электронно-колебательных переходов ненов (f^ с одновременным поглощением фонона и антистоксовой яшкнесценцик в кристаллах Y/Y&-. На основании этих исследований разработана методика оценки температуры локальных дефектов в кристаллах '(of при воздействии на них лазерного излучения.

В литературе достаточно хорошо изучены элзктрошго-кояебатель-

нда переходи с ровдениеи фонона /10/. Hai.cn впервые в спектрах

погдоа;?шт испнультнплотных переходов ионов ¿V* ^в кристалле

УД ("г были обнаружены новые линии поглощения, распологешшэ в

более длинноволновой обкасти спектра, чем линии, соответствующие

/г

сомну длшноволповын мокзтарковсюш переходам коноз 6л- , находящихся в "с" позиции. Эти линии были интерпрвтировспы кая элок-гронно-кояебателыше перехода иона 6V ' с поглощением фонона.

Приведены расчеты коэффициентов поглощения (^ ) эле!стрсн-но-кояэбательных переходов с роздениеи (а) и поглощением (б) фонона от температуры и показано, что в случае (б) повшенив температуры до 2000*2500 К приводит к увеличении

и. в 80*100 раз. Отчетны, что, как было покаэено в главо Ш, локодькш дефекты, зснииаБциэ объеы ^ 10^. ~V*p., нгдгвт коэффициенты поглощения

С"

на Я. » 1,06 мкм ~ 10 см и превыпают коэффициент обьемно-

о т

го поглощения кристалла на шесть порядков (10 см ). При воздействии на кристалл лазерным излучением, попадающим в область электронно-колебательных переходов с поглощением фонона = 1,06 мкм) происходит разогрев как самих дефектов, так и областей кристалла прилегающих к дефекту. Температурное увеличение коэффициентов поглощения приводит к тому, что интенсивность люминесценции ионов из разогретых областей с уровня становится сравнимой с люминесценцией ионов & , равномерно распределенных по объему кристалла.

Было проведено сравнение спектров люминесценции ионов ЧУ на переходе ~ "Р15 возбуждении кристаллов в

линии поглощения' ионов , обусловленных электронно-ко-

лебательными переходами с поглощением фонона и электронными переходами. Возбуждение кристаллов

осуществлялось

излучением -лазера, работающего.соответственно,на

длинах волн 1,06 ыкм ( ^ тт а 75 мкс, 0,5+0,05 Дж, о/о «

к 10~3 см-1) и 0,532 мкм ( « Ю не, £„ * 0,01 Дж, o¿> » .

= 2,5 см""'). Излучение лазера фокусировалось с помощью линзы с в 120 мм ( /

= 10 см ). Плотность возбуидения ионов ¿л была постоянной ( 'U., ). Спектр люминесценции запи-

сывался с помощью BoxCat^ (fíTef'acjif Hoo¡i£ /бЛу. монохроматора ЦДР-23.

Анализ поджученных спектров люминесценции показал, что они принадлежат ионом , находящихся в "с"-позиции. При воз-

буждении hohod fc/f'f в олектронно-колебательное краю с поглощением фонона наблюдается резкое уширение линии люминесценции (до 50 иона . и перераспределение интенсивности

месттарковских переходов. Изменение ширины линии люминесценции связано с нагревом возбуждаемой области кристалла. Получена экспериментальная зависимость ширины линии поглощения ионов 6/" на переходе - в интервале температур от 300 до 800 К,

имеющая пид Л = 0,023« лТ . й линейном приближении, без учета искажений кристаллического поля репетки, оценка температуры разогретых областей по ширине линии люминесценции составляет приблизительно 2000 К.

В пятой главе рассмотрены два вопроса: первый относится к исследовали»•влияния У -излучения на кристаллы лазерного оташга, приводящего к снизпеиию потерь на локальных дефзктах в кристаллах У/?, Второй вопрос связан с исследованием возможности создания переизлучателей на основе кристаллов

ММ/*.

I. Совершенство структуры кристаллов характеризуется но только поглощением и рассеянием на макро и микродефектах, но и их стойкостью к воздействию УФ и ^ излучениям. Показало, что при ^ -облучении кристаллов , вырадегоивс методом

горизонтально-направленной кристаллизации, дозой Ю нО рад на наблюдается изменения оптического качества кристалла () и генерационных параметров лазера на его осново. Это дает основание утверждать, что кристаллы * являются радиацион-но стойки,-т.

С целью уменьшения поглощения на локальных дефектах в кристалле У/7£~ разработан метод лазерного отяига кристаллов. Исследования проводились на серии кристаллов, выращенных с различной скоростью кристаллизации. Кристаллы облучались излучением УД&-(¡г?*1 -лазера (X* « 2,94 мкм), работающего в резине сво-

бодной генерации с миллисекундными длительностями имцульса. Контроль качества кристаллоз до и после рттага проводился по изменению коэффициентов.объемного поглощения ( ) на двух длинах волн 1,08 и 2,94 мкм (Рис.3).

^ иы/ч

Рис.3. Зависимость коэффициентов объемного поглощения от скорости кристаллизации в кристаллах до и после отжига: а) ■= 1,08 мкм, б)/" = 2,94 мкм

Г**

2. Электронные линии ионов Ь/" в высококонцентрировшшых кристаллах

т (50^ и более) сопровождаются сравнительно слабыми електронно-колебательныки крыльями, захватывающими весьма протяженную область спектра (до 800 см-*). Наличие протяженных олектронно-колебательных крыльев в кристаллах позволяет расширить спектральный диапазон лазерной накачки кристаллов И создать пореизлучатели на основе этих кристаллов.

Несмотря na то, что новффлциепти поглощения ояехтроитя лшгаЗ (Ют500 см-*) на два порядка больна коаффищентоо поглощения сяоктротт-колзбатолышх линий /10/ пооцояпо сравнительно при пэбольсих спергиях лазерной накачкн в область махтронло-когзба-тельних nsp-зходоз создавать плотности возбуждений •достатоташэ дяя ашюягсшш условий генерации г, кристаллах Y/¡& на

% - 2,94 ÜKIÍ,

При накачка излучение» '^с/-zzzера ( 1,34

i ' -I ■ Yr К.

оС = 0,2 с;.! ) в ялоятронно-гголебатсльный пароход У/5у2 ~~J/s/¿

иона н?:ги была получена генерация с X = 2,94 ики ■

(переход )• При гнергкн накачки I Ди = 100 mú

внходнач гкергая составила ^ 10 иДз на кристалле длиной 70 t-:i.

Просодешшэ расчеты показ стоят, что носфф'.'циснт прообразосзляя

опоргнп íiorcT достигать 40,"5. Низкий коэффициент прзобразозелт

'v- 1% :/ч сЕпэиволЗм с большие теплопк.г.( нагрузками ná зеркала

и кристалл при продольной схема возбуждения.- .

Отаэтни, что пагность шлучегагых рззудьтатов, такгз заключается с том, что они подтветпдсэт кросс-релаксационный ь-эхагизи vM" f

создания инверсии з Кп'Г bf -лазеро.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

I. Исследованы обьешыз потерн крясталлоп

в спектральной диапазоне длил воли от 0,3 до 5 tcni. Установлено, что кристаллы Y/& пырезошшэ методом горизонталыю-нгдрав-

лзкной кристаллизации, обладав? высоюш оптнчоскшгкачэство» и радиационной стойкостьи. Коэффициент объемного' поглощения на длине волны генорацнк (X 2,94 юш) составляет (2+5)«I0~^cti~*.

При У -облучении кристаллов дозой 10^ рад не наблюдается изменения их оптического'качества и генерационных параметров лазера на их основе.

2. Обнаружено нелинейное поглощение на частицах субмикронного размера в оптически чистых кристаллах

3. На основе этого эффекта для определения размеров сильно-поглощающих частиц в методе адиабатической лазерной калориметрии предложено использовать импульсно-периодичес ки е лазеры с вариацией длительности импульса. В кристаллах .обнаружены сильнопоглощающие частицы с размером 0,5+1 мкм, локальные коэффициенты поглощения которых, как показывают оценки, находятся на уровне, более чем

103 см . Определена оптимальная скорость выращивания кристаллов { = 4 мм/час), при которой потери на локальных частицах в них минимальны. Метод позволяет осуществлять неразрушащий контроль качества оптического материала.

4. Наблюден эффект лазерного отжига локальных частиц в объеме кристаллов

при воздействии на них излучением свободной генерации -лазера.

5. В спектрах поглощения кристаллов У^б-'Ё* _ обнаружены новые линии см~Ъ, идентифицированные как электронные переходы иона

с одновременным поглощением фонона. Сильная зависимость коэффициентов поглощения таких переходов от температуры позволила зарегистрировать люминесценцию из объемов кристалла, прилегающих к дефектам субмикронного размера при разогреве их лазерным излучением, попадающим в область этих переходов. По температурной зависимости ширины линии люминесценции в линейном приближении проведена оценка температуры разогрева дефектов в кристаллах без учета изменения кристаллического по-

ля решетки.

Основные результаты диссертационной работы изложены в следующих публикациях:

1. Х.С.Багдасаров, В.И.Жеков, А.В.Кислецов, Т.М.Мурина, А.В.Попов, Н.В.Тарасова, Ю.Тиыошечкин, Е.А.Федоров. Коэффициенты объемного поглощения в кристаллах ft Препринт ИОФАН СССР № 46. Москва. 1986. 28 с.

2. Х.С.Багдасаров, В.И.Жеков, А.В.Кислецов, Т.М.Мурина, А.В.Попов, Л.М.Прохоров, Н.В.Тарасова, М.И.Тимошочкин, Е.А.Федоров Объемное поглощение в кристаллах со структурой граната // Тезисы докладов У Всесоюзной конференции "Оптика лазеров". Ленинград. 1987. С.264.

3. В.И.Жеков, Т.М.Мурина, А.В.Попов, А.М.Прохоров. Нелинейное объемное поглощение в кристаллах(^б)^^^// Письма в ЖЭТФ. 1987. Т.45. » о. С.271-279.

4. А.В.Вершк, И.Н.Гончаров, В.И.Жеков, Т.М.Мурина, А.В.Попов. Динамика установления стационарного режима генерации в кросс-релаксационном ''-лазере// Препринт ИОФАН СССР ¡(236. Москва. 1987. 12 с.

5. Х.С.Багдасаров, В.И.Иеков, А.В.Кислецов, Т.М.Мурина, А.В.Попов," Л.М.Прохоров, Н.В.Тарасова, Е.А.Федоров. Влияние /"'-облучения на генерационные свойства кристаллов

выращенных методом горизонтально-направленной кристаллизации// Письма в ЖГФ. 1987. Т.13. № 12. C.I392-I402.

6. Х.С.Багдасаров, В.И.Жеков, Т.М.Мурина, А.В.Попов, А.М.Прохоров, Е.А.Федоров. Импульсная лазерная калориметрия //Квантовая электроники. 1988. Т.15. № 3. С.644-646.

7. Х.С.Багдасаров, В.И.Жеков, Т.М.Мурина, Л.В.Попов, Н.В.Тарасова, Е.Л.Федоров. Образование локальных дефектов субмикрон-

ного размера в оптически плотных средах.// Тезисы докладов 7 Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Москва. 1988. Т.Ш. С.386-387.

8. V.I.ZhekoT, A.Y.Kisletsov, I.M.Murina, A.V.Popov, A.M.Prokho-rov. The influence of Yyil^O-j.., laser radiation spike structure on the local defect heating in УуЛ^О^ crystals. Ihird International Conference trends in Quantum Blectronios: Conference abstracts - Bucharast, 1988,

p. 122-123»

9. Х.С.Багдасаров, В.И.Жеков, В.А.Лобачев, Т.М.Ыурина, А.В.Попов, A.M.Прохоров, М.И.Студеникин, М.И.Тимошечкин, Н.И.Д?-ладзе, М.И.Попова, Е.А.Федоров. Дефекты и объемное поглощение б кристаллах , выращенных методом горизонтально--ноправленной кристаллизации // Труды ИОФАН СССР. Москва. 1989. ТЛ9. С. 112-152.

10. В.И.йеков, В.А.Лобачев, Т.М.Мурина, А.В.Попов, A.M.Прохоров, Ы.И.Студеникин. Генерация на кристаллах

« 2,94 мкм) при селективном возбуждении на нижний лазерный уровень //Квантовая электроника. 1989. Т. 16. № б. C.II38--II40.

11. В.И.Ееков, Т.М.Ыурина, А.В.Попов, A.M.Прохоров. Особенности антистоксовой люминесценции с уровня в высококонцентрированных кристаллах

// Краткие сообщения по

физика. 1989. № 9. С.56-57.

12. Х.С.Багдасаров, В.И.Жеков, Т.Ы.Цурина, А.В.Попов, А.Ы.Про-хоров, Е.А.Федоров. Спектры люминесценции кристаллов

при воздействии лазерного излучения на локальные дефекты // Краткие сообщения по физике. 1990. № 3. С.18-20.

13. В.И.Жеков, В.А.Лобачев, Т.М.Мурииа, А.В.Попов, А.М.Прохоров, Ц.И.Студеникин . Генерация на кристаллах

= 2,94 мкн) при возбуждении в нияшй лазерный уровень // Тезисы докладов УТ Всесоюзной конференции "Оптика лазеров". Ленинград. 1990. С.42.

14. В.ИЛоков, Т.И,Муринак А.В.Попов, А.М.Прохоров.'Метод исследования локальных дефектов субмикронного размера з оптически прозрачных материалах // Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Физика и техника твердотельных лазеров". Москва. IS90. С.46-47.

15.,B.I1.3ískcd, Т.Н.Турина, Л.В.Попов, А.М.Прохоров. Отжиг локальных дефектов в кристаллах

излучением -лазе-

ра // Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Физика и техника твердотельных лазеров". Москва. IS90. С.68-69. ■

16. В.й.Неков, Т.М.Мурина, Л.В.Попов, Л.И.Прохоров. Температура • локально дефектов в кристаллах при воздействии на них лазерным излучением // Тезисы докладов Всесоюзной конференции "йнэика и техника твердотельных лазеров. Москва.' 1990. С.48.

17. В.И.Ееков, Т.М.Мурика, А.В.Попов, А.Н.Прохоров. Влияние пич-ковой структуры излучения -лазера на разогрев локальных дефектов в кристаллах

// Тезисы докладов

Всесоюзной конференции "Физика и техника твердотельных лазеров. Москва. IS90. С.49-50.

18. В.И.Анисимов, В.И.Неков, А.В.Кислецов, Т.Ы.Мурина, A.B.IÍonoB, Е.А.Федоров.. Способ обработки монокристаллов // Положительное решение на заявку А.С.4643368/23-26Д69890/ от 27.10.89.

ЛИТЕРАТУРА

1. В.И.Жеков, Б.В.Зубов, Т.Ц.Ыурнна, Д.Б.Хобедава, Д.С.Черпавс-кнй, И.В.Чихов. Применение врбиевого лазера в исследования фотохимического цикла бактериородопсина // Тезисы доклада

XI Всесоюзной'конференции по когерентной н нелинейной оптике. Ереван. 1982, часть 2. С.716.

2. Л.Я.Зазулевская, Т.Ы.Мурина, Р.А.Долгих, Б.В.Зубов, Н.Д.Ыура-хов. Экспериызнтально-теоретическоо обоснование использования

-¿л^дазера в стоматологии // Материалы Ш съезда стоматологов. Алма-Ата. 1986. С.16-20.

3. Д.Г.Головач, Т.А.Кузомчгнко, А.А.Маненков, Г.Н.Михейдова, А.С.Сефероз. Лазерный отяиг ионно-легировшиого креишя па длине волны 2,94 мкм // Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград. 1988.

4. Х.С.Багдасаров, Н.В.Белугина, Г.В.Гомолаури, А.А.Маленков. Стойкость кристаллов к излучению -лазера - 2,94 шл) е решав гигантских импульсов // Квантовая олектроника. 1988. Т.7. № 6. С.1351-1353.

5. И.В.Алешин, С.И.Анисиыов, А.Ц.Бонч-Бруович, Я.А.Иыас, В.Л.Ко-молов. Оптический пробой прозрачных сред, содер,-ха!щх микронеоднородности // ЖЭТФ. 1976. Т.70. В.4. С.1214-1224.

6. В.П.Калинушкин Исследование примесных дефектов в полупроводниках мотодоы рассояния лазерного келучеиия ИК-диапазона // Труды ИОФАН СССР. Москва. 1986. Т.4. С.3-59.

7. А.А.Маленков, А.Ы.Прохоров. Лазерное разрушение прозрачных твердых тел //Успехи физических наук. Т.148. В.1. С.173-211.