Отраженная вторая гармоника в монокристаллах металлов, полупроводников и в анизотропных ленгмюровских пленках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.21 ВАК РФ

¿[д Од а %

МОСКОВСКИЙ' ОРДЕНА ЛЕНИНА, ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В.ЛОМОНОСОВА

ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ

На правах рукописи УДК 621.378.4

МУРЗИНА Татьяна Владимировна

Отраженная вторая гармоника в монокристаллах металлов, полупроводников и в анизотропных ленгмюровских плэнках.

01.04.21 - лазерная физика

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико математических наук

Москва 1992

Работа выполнена в Московском ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени государственном университете им. М.В.Ломоносова.

Научный руководитель:

доктор фнзико-математичоских наук, профессор Ю.А.Ильинский.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор МЛЦ В.И.Емельянов;

доктор физико-математических наук, в.н.с. НПФ АН МР Л.Л.Кулюк.

Ведущая организация: Физический институт им. П.Н.Лебедева Российской АН.

Защита состоится " 3 " Сифлм 1992 г. в /Г час. && мин. в ко^Евренцзале КНО на заседании Специализированного Ученого совета К 053.05.21 отделения радиофизики физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова по адресу: 119899 ГСП Москва, Ленинские горы, МГУ, корпус нелинейной оптики, кон$еренцзал.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ.

Автореферат разослан " & « ма/УУи.<Ъ 1992 г.

Ученый секретарь специализированного совета К 053.05.21

А.И.Гомонова

исследованию некоторых нелинейно - оптических явлений, связанных с генерацией второй гармоники (ВГ) при отражении лазерного излучения от поверхности металлов, полупроводников и ленгмюровских пленок. Основное внимание при этом уделено анализу азимутальных анизотропных характеристик интенсивности отраженной ВГ. Обсуждаются возможности развития на основе исследованных нелинейных явлений новых методов диагностики поверхности твердого тела и тонких пленок.

Генерация второй гар^ники стала за последнее десятилетие популярным методом исследования поверхностей

центросимметричных сред. Этот метод отличается необычайно высокой чувствительностью к состоянию и свойствам поверхности, что обусловлено существованием сильного запрета на генерацию ВГ в объеме твердого тела в силу правил отбора по симметрии. Основные источники ВГ сосредоточены поэтому в тонком приповерхностном слое. Изучение анизотропии интенсивности второй гармоники - т.е. зависимости интенсивности отракеиной ВГ от ориентации плоскости падения зондирупцего луча относительно исследуемой поверхности образца - позволяет существенно расширить возможности метода. Так, в случае полупроводников на основе анализа анизотропных характеристик ВГ удалось оценить относительные вклады "поверхностного" и "объемного" механизмов в генерацию ВГ, определить степень шероховатости поверхности и пр.

Актуальность проблемы.

Нелинейно - оптические явления на поверхности твердых тел

н в тонких пленках представляют, значительный интерес в связи с интенсивно развивающимся в последнее время изучением поверхностных процессов и двумерных структур. Это относительно молодая область исследований н поэтоад многие явления, протекающие на поверхности, изучены недостаточно и нэ имеют полного физического описания. Среди таких явлений могло отметить нелинейное электроотражэние (НЭО) на поверхности твердого тела, усиление нелинейных процессов вблизи шероховатой поверхности металла, анизотропный характер генерации второй, гармоники при отражении от различных объектов - монокристаллов металлов и полупроводников, тонких пленок и др. Вместе с тем, изучение нелинейно - оптических явлений и поверхностных процессов имеет существенное практическое значение для развития микроэлектроники. Действительно, миниатюризация различных электронных элементов приводит к тому, что решающее влияние на их функционирование оказывеот поверхностные явления. Важной задачей является такта разработка новых - дистанционных, скоростных, неразруиавдиг -методов диагностики поверхности. . Такие возможности предоставляет нелинейная оптика поверхности.

Перспективным методом исследования •поверхностей металлов и полупроводников является нелинейное злектроотрахение, которое заключается в изменении интенсивности ВГ при наложении электростатического поля на границу твердого тела. НЭО чувствительно ко многим важным параметрам поверхности, таким как зарядовое состояние, шероховатость, наличие оксидной пленки и адсорбированных молекул и др. Существует достаточно полное феноменологическое описание НЭО для поверхности

центрасимметричных полупроводников, однако в случае металлов механизм- этого явления вплоть до настоящего рремени ш-.Сыл ясен.

Информативность НЭО' как метода диагностики поверхности можно существенно увеличить, если сочетать его с анализом анизотропии интенсивности отраженной ВГ, т.е. при реализации анизотропного нелинейного электроотражения.. Для этого наряду, с экспериментальным изучением явления анизотропного НЭО необходимо осуществить его феноменологическое описание. .Такое описание в случае далунроводшпсов получено в настоящей работе.

Нелинейное элекгроотражениэ 'является сравнительно новым оптическим методом диагностики поверхности, поэтому 'при <эгй использовании возникает вопрос о степени возмущения, вносимого в среду. Так, необходимо определить, какие " изменения*- в состояние поверхности полупроводников вносит,' 'во-первых, электростатическое поле и, во-вторых, лазерное излучение, генерирующее ВГ.

Интересным объектом исследований с' точки зрения нелинейной, оптики являются такие фактически 'двумерные структуры, как-,ленгмюровские пленю! (Ш)./Традиционные методы изучения тонких пленок - электронография, рентгеноструктурныЙ анализ-, ИК-спектроскопия - оказываются малоэффективные:,' если число монослоев молекул в пленке мало. .В этом случае больйими преимуществами обладают нелинейно - оптические методы, которые чувствительны к малым количествам вещества б ЛП. Помимо определения основных параметров ЛП (например, ■направления преимущественной -ориентации ;тфо кристаллитов.}, важна возможность изменять эти параметры заданным образом с помощь»

внешних воздействий, в том числе с помощью поляризованного излучения, частота которого попадает в полосу поглощения молекул, образующих пленку. Такие исследования могут привести в дальнейшем к разработке оптических ячеек памяти. ...

Цель диссертации состояла в экспериментальном исследовании процесса генерации отракеиной второй гармоники в монокристаллах металлов, центросимметричных полупроводников и в ленгмюровских пленках. Основное внимание Снло уделено изучению азимутальной анизотропии интенсивности, отраженной ВГ. Одна из главных задач работы заключалась в выяснении механизмов нелинейного влектроотраяения на границах раздела металл - электролит и полупроводник - электролит и развитии на этой основе новых нелинейно - оптических методов исследования и контроля свойств поверхности твердого тела. .

фугой важной задачей являлось изучение фотоипдударованных изменений анизотропных нелинейно оптических свойств ленгмюровских пленок на основе анализа азимутальных угловых зависимостей интенсивности ВГ.

Научная новизна.

В диссертации впервые проведено последовательное экспериментальное . исследование анизотропии интенсивности отраженной ВГ для различных физических объектов - металлов, полупроводников и тонких пленок, что привело к дальнейшему развитию представлений о механизмах поверхностных нелинейно -оптических явлений.

1. Экспериментально исследована анизотропия нелинейного . алектроотражения для граней (111) и (001) монокристалла

серебра и 'впервые установлено, что НЭО имеет резонансный характер, обусловленный, по-видимому, адсорбционными поверхностными состояниями.

2. Впервые экспериментально исследовано анизотропное НЭО в полупроводниках и предложено его феноменологическое описание.

3. Впервые экспериментально исследован эффект фотогенерации свободных носителей в полупроводнике и определен их вклад в интенсивность отраженной ВГ.

4. Впервые исследовано влияние зарядового состояния границы раздела полупроводник - электролит на уровень оптического пробоя поверхности полупроводника.

5. Впервые обнаружена и экспериментально исследована фотоипдуцированная анизотропия нелинейно - оптических свойств ленгмюровских плевок.

Практическая ценность.

Развитие в диссертации нелинейно - оптические методы исследования поверхности твердого тела - анизотропия интенсивности отраженной ВГ и анизотропное нелинейное элекгроотражение - могут найти применение как при фундаментальных физико-химических исследования поверхностных процессов, так я в качестве бесконтактных неразрушавднх методов диагностики поверхности твердого тела и тонких пленок.

Генерация анизотропной ВГ является эффективным методом исследования пленок Лепгмюра. Этот метод позволяет измерять величину нелинейной восприимчивости, определять тип упаковки пленок, а также изучать анизотропию их кристаллической

структуры. т.е. • выделять направление преимущественной ориентации микрокрйстадгатов. Обнаруженное в работе фотоиидуцироаанное изменение анизотропных характеристик Ш Ыожет служить основой для создания на базе Ж! оптических ячеек памяти.

• ' Метод • анизотропного ВЭО позволяет определять многие важнейшие параметры границы раздела полупроводник. -электролит: потенциал плоских зон, гаряд и толщину окисной пленки, плотность поверхностных состояний.

Исследование возмущений, вносимых в полупроводник, излучением накачки, дало возможность определить поправку к абсолютной величине. нелинейного оптика поверхности; обнаруженное влияние электростатического поля, приложенного к лолупроводнику,. на уровень оптического пробоя поверхности устанавливает ограничение на мощность излучения накачки в зависимости от величины напряженности влектического поля.

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы докладывались на Всесоюзных конференциях то когерентной и нелинейной оптике (XIII, ' г.Шшск, 1988 г.; XIV, г.Ленинград, 1991 г.). Международной конференции по пленкам Ленгмюра - Блоджетт (Париж, .19^1 г.),

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 6 работ, список которых приведен в конце автореферата.

Сруктура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав.п заключения. Общий объем работы, включая список литературы из наименований, составляет НО страниц, из них 30 рисунков и 3 таблицы.

СОДЕРЖАПЕЕ РАБОТЫ.

Во введзнш обсуждается актуальность данной проблемы, сформулирована основная цель работы и положения, виносииге на защиту, кратко изложено содержание работы.

Глава I. Анизотропное нелинейное элзктростракешга в монокристаллах серебра.

Первый параграф посвящен описанию процесса генерации второй гармоники на границе центросимыетретной среда. На основании литературных данных показано, что можно выделить следующие механизмы возбуждения, приводящий к возникновению нелинейной поляризации на частоте ВГ:

1) объемный квадрупольный; ■ 2) поверхностный квадруполышй, связанпый с градиентом нормальной к поверхности компоненты поля накачки на границе среда; 3) поверхностный дипольный, вызванный снятием центра инверсии среды вблизи поверхности, в том числе за счет возникновения механического напряжения на свободной поверхности; 4) дшольный объемный, связанный с нарушением центросимметричиости среда при наложении на ее границу электростатического поля. В §§ 1.5,1.6 рассмотрены вклады свободных и валептных электронов в генерацию ВГ.

Во втором параграфе содержится феноменологическое описание процесса генерации ВГ при отражении от граней (001) и (111) монокристалла класса симметрии шЗш. Показано, что при вращении монокристалла относительно оси, перпендикулярной его поверхности, т.е. при изменении азимутального угла ф, нелинейная поляризация на частоте ВГ определяется изотропной, не зависящей от угла ф, и анизотропной составляющими; соответствующие выражения приведены в таблице. На основании литературных данных показано, что основным источником анизотропного характера интенсивности ВГ, отраженной от монокристаллов металлов, является нелинейный отклик свободных носителей поверхностного слоя.

В третьем параграфе приведено описание экспериментальной установки для исследования поверхности твердого тела методом генерации ВГ. Электрохимическая методика, использованная при исследовании нелинейного электроотражения, позволяла накладывать на границу раздела металл - электролит электростатические поля напряженностью до ~ 107 В/см. Для изменения этого поля в эксперименте варьировался потенциал <рэл металла относительно электролита в пределах [-0.1;-1.3] В.

Результаты экспериментального исследования механизма нелинейного электроотражения в металлах представлен*! в четвертом и пятом параграфах. Получены семейства анизотропных зависимостей интенсивности ВГ 12ь) от азимутального угла вращения ф для различных значений напряженности поля на границе раздела, т.е. для разных значений величины фэд. Исследованы р- и е- поляризованные компоненты излучения ВГ при р-поляризованном излучении накачки для граней (001) и (111)

монокристалла серебра. Из анализа экспериментальных кривых

11 для р-поляризованной ВГ следует, что при измонешш

. приложенного к поверхности электроставдческого поля меняется

как абсолютная величина, таф фаза поверхностного источника

генерации ВГ, в .то время как вклад объема остается неизменным.

Зависимость фазы поверхностного отклика а" от величины ш„„

* эл

свидетельствует о резонансном характере НЭО на границе раздела серебро - электролит. Выделенной точкой в зависимости а"(фэя) является так называемый потенциал нулевого заглда (ПНЗ), при котором поверхность .металла электрически нейтральна. На основе совместного анализа полученных экспериментальных результатов и литературных данных сделано предположение о том, что резонансный механизм НЭО моадт быть обусловлен электронными переходами мекду объемными состояниями металла и адсорбционными поверхностными состояниями.

Глава II. Исследование поверхностей монокристаллов кремния и германия методом анизотропного нелинейного электроотра*ения.

Во введении к главе показано, что для полупроводников, в отличие от металлов, возможно феноменологическое описание нелинейного электроотракения. Это обусловлено тек., что характерные размеры поверхностной области полупроводника, в которой происходит затухание электростатического поля, имеют макроскопические размеры (сотни ангстрем).

В первом параграфе приведено электрохимическое строение двойного электрического слоя на границе раздела Полупроводник - электролит, с помощью которого на поверхность накладывается

статическое электрическое поле. Показано, что распределение потенциала в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника описывается с помощью самосогласованного уравнения Пуассона ■- Больцмава (невырожденный случай статистики электронов в полупроводнике); дана оценка снизу размеров ОПЗ.

феноменологическое описание ИЗО в полупроводника содержится во втором параграфе. Показано, что зависимость коэффициента нелинейного электроотракения Рги - основной величины, измеряемой в экспериментах по ЮО - от потенциала области пространственного заряда полупроводника' носит квадратичный характер. В § 2.3 обсуждается связь коэффициента ЮО с такими параметрами границы раздела, как плотность товерхностных состояний окисел - полупроводник ндд, толщина окисной пленки соотношение концентраций основных и

неосновных носителей заряда X. Выделенной точкой зависимости ргш(ф8Д) является потенциал плоских зон <р4ь; при атом значении потенциала выражение для коэффициента ЮО является наиболее простым и позволяет сделать общие выводы о виде кривых р2ш(<рэл) в зависимости от параметров границы раздела, здесь же приведены результаты численных расчетов зависимостей НЭО от параметров ква,10х и X.

В третьем параграфе проведено феноменологическое

рассмотрение анизотропии нелинейного электроотракения, т.е. влияния квазистатического электрического поля на вид зависимостей интенсивности ВГ от азимутального угла вращения ф. Результаты расчетов свидетельствуют о том, что влияние электростатического поля приводит к изменению и изотропной, и

ю

анизотропной компонент интенсивности ВГ в случае р-р и а-р поляризаций, тогда 'как для р-в и в-в поляризованной ВГ изменяется лииь анизотропная составляющая. Конкретные выражения для соответствующих компонент нелинейной поляризации представлены в виде таблицы.

Четвертый параграф содержит результаты экспериментального исследования НЭО в полупроводниках (кремнии и германии). Изучено влияние толщины окисной пленки и кислотности электролита, определяющей плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник / окисел, на зависимость НЭО Р2и(Фэл). Полученные в работе экспериментальные результаты находятся в хорошем соответствии с теорией (§2). Экспериментально исследована анизотропия НЭО в монокристаллах полупроводников. Показано, что при наложении электростатического поля на поверхность полупроводника происходит трансформация зависимости Ргш(<рэл). качественно соответствующая расчетам (§3). Кривыо анизотропного НЭО в случае грани (111) монокристалла кремния получены для толщины окисной пленки Ь0х=50<-250 А. Для образца с толщиной окисного слоя ь0х=50+70 А наблюдалось заметное изменение величин изо- и анизотропного вкладов в интенсивность ВГ, а также сдвиг фаз между ними, который составил ~1с/4 при вариации потенциала в пределах Афэд=1.2 В; в то же время для кремния с 1^=200+250 А эти изменения были значительно слабее. Наиболее ярко анизотропный характер НЭО проявился в экспериментах - о монокристаллом германия, когда сдвиг фаз меаду изотропной и анизотропной компонентами 12ш(11)) превысил */2 при изменении Фэ на 1.0 В.

Пятой параграф посвящен исследованию возмущений, вносимых в среду (полупроводник) при реализации метода генерации ВТ и нелинейного электроотражения. В §5.1 приведены результаты изучения процесса фотогенерации свободных носителей в приповерхностном слое кремния под действием излучения накачки. Показано, что добавка к интенсивности ВГ при дополнительном фотовозбуждении образца излучением с длиной волны 1064 нм может составлять 2040% от "невозмущенной" ВГ. Такое возрастание величины 12Ы связано, по-видимому, как с нелинейным откликом фотовозбужденных носителей, так и с изменением нелинейных свойств приповерхностного слоя за счет искривления зон полупроводника при увеличении концентрации электронов в приповерхностной области. Показано, что вклады обоих механизмов в 12Ц) могут быть одного порядка величины. В то же время, изотропный характер возрастания интенсивности ВГ при фотовозбуждении свидетельствует о том, что усиление происходит в первую очередь за счет нелинейного отклика возбужденных свободных носителей. В соответствии с приведенными расчетами, для описанных экспериментальных уловий (плотность энергии в импульсе ~ 0.05 Дж/смг, коэффициент поглощения кремния <1 ~ Б50 см-1) концентрация фотовозбужденных электронов может составлять 1019 см"3, что на три порядка превышает плотность собственных основных носителей. Квадратичная поляризуемость свободных электронов в полупроводнике, расчитанная на основе экспериментальных данных, по порядку величины совпадает с теоретическим значением для модели газа свободных носителей.

Влияние зарядового состояния поверхности полупроводника

на пороговое значение мощности оптического пробоя wn исследовано в §5.2. Электростатическое поле накладывалось на поверхность образца с помощью электрохимической методики. Получены экспериментальные зависимости *п(фэл)5 из сравнения с результатами ИЗО для тех же образцов показано, что минимум кривой *П(<Р8Л) достигается при потенциале плоских зон <pfb. Для значений Ф9Д><Р1Ь наблюдалось заметное возрастание порога оптического пробоя. Это связано, по-видимому, с уменьшением концентрации свободных носителей в приповерхностной области при этих потенциалах.

Глава III. Генерация анизотропной второй гармоники в ленгмюровских пленках.

В третьей главе содержатся результаты экспериментального исследования анизотропии нелинейных свойств ленгмюровских пленок. В работе предложен и реализован метод изменения этих свойств с помощью облучения пленки поляризованным излучением видимого диапазона. Показано, что на основе анализа анизотропии, интенсивности ВГ можно .определить направление преимущественной ориентации дшгальных моментов микрокристаллитов, образующих пленку.

В первом параграфе приведено описание процесса генерации ВГ тонкой анизотропной нелинейной пластиной с произвольной симметрией. Показано, что эффективная ' дипольная восприимчивость пластины x^tt может быть представлена в виде разложения Фурье по азимутальному углу вращения <|>, в котором присутствуют самое большее первые семь членов. Соответствующие выражения для коэффициентов Фурье в случае р- и

в-поляризованного излучения ВГ при р-поляризованной накачке приведет в таблице.

Во втором параграфе содержится обзор литературных данных по исследованию фотоиндуцированной оптической анизотропии лилейных свойств ленгмюровских пленок (ЛП). Обсуждены возможные механизмы изменения линейных оптических характеристик ЛП под действием дополнительного поляризованного излучения, попадающего в полосу поглощения молекул пленки.

Третий параграф посвящен экспериментальному исследованию фотоиндуцированной анизотропии нелинейных свойств ленгмюровских пленок. Изучались монослойше ЛП, приготовленные методом Ленгмюра-Шеффера из молекул 4-нитро - 4' -И -октодецилазобензола (НАБ); молекулы НАБ имеют полосу поглощения в видимом диапазоне. Для двух различных геометрий эксперимента получены азимутальные зависимости интенсивности второй гармоники 12Ш(ф). обладающие ярко выракенным анизотропным характером. Показано, что в исходной пленке микрокристаллиты ориентированы преимущественно в направлении вытягивания при переносе ленгмюровского "шнослоя на твердую подложку. При совпадении этого направления с направлением поляризации излучения накачки зависимость 1гш(ф) имеет максимум. Под действием поляризованного излучения с длиной волны 5145 А анизотропная зависимость существенно изменялась: максимумы кривой 12и(ф) достигались в направлении, перпендикулярном направлению поляризации излучения подсветки и не зависели от исходной ориентации микрокристаллитов в пленка. Такую трансформацию свойств пленки можно было проводить многократно. После прекращения облучения пленки вновь

полученная' анизотропная зависимость 12ш(<|>) сохранялась в течение длительного' интервала времени (больше месяца). Экспериментально показано, что изменение нелинейных свойств Ш под действием излучения подсветки происходит как в плоскости пленки, так и в направлении нормали к' ней, причем выбором геометрии взаимодействия излучения подсветки с леигмировской пленкой возможно требуемым образом изменять анизотропную зависимость 12Ь)(ф).

Исследована также связь наведенной анизотропии нелинейно-оптических свойств ЯП с акспозицией подсветки. Измерения анизотропных азимутальных зависимостей ^(ф) проводились для двух различных геометрий взаимодействия излучения накачки с ЛП: при отражении излучения ВГ от пленки и при прохождении

I

через нее (в геометрии "напросвет"). На основании анализа анизотропных кривых установлено, что исследованные пленки являются неоднородными; характерные размеры образующих их микрокристаллитов превышают 1 мкм.

В заключении сформулированы основные результаты диссертации:

1, Экспериментально исследована анизотропия интенсивности ВГ при нелинейном элвктроотракении на границе раздела металл -электролит для граней (111) и (001) монокристалла серебра. Определена зависимость сдвига фаз между поверхностной и объемной поляризациями на частоте ВГ от величины меяфазного падения потенциала <рэд. Установлено, что изменение потенциала в пределах 4<рдл=1.2 В приводит к сдвигу фаз от Q до тс/2.. Таков поведение нелинейного отклика поверхности серебра связано-е.,

резонансным механизмом нелинейного влектроотракения. Резонанс можьт быть обусловлен'.электронными переходами между объемными состояниями металла и . адсорбционными поверхностными состояниями. ;

' 2. Впервые экспериментально исследовано анизотропное нелинейное электроотражение на поверхности центросимметричных полупроводников . (кремния и германия) и развита феноменологическая теория этого явления. Обнаружено значительное изменение фазового сдвига между изотропной и анизотропной . ■ компонентами нелинейной . поляризации . ' . при изменении напряженности электростатического воля в области пространственного заряда полупроводника.

•'' 'Экспериментально установлена связь параметров кривой НЭО с плотностью поверхностных состояний и толщиной окисной пленки монокристалла кремния. Показано, что для исследованных образцов изменение плотности заряда поверхностных состояний на 3.2-101Тс»Г2 приводит к сдвигу положения минимума кривой НЭО яа 65 мВ.\

.3. Впервые экспериментально исследован процесс генерации отраженной второй гармоники при фотовозбуждении электронов проводимости в кремнии излучением накачки. Установлено, что для излучения накачки с длиной волны 1.06 мкм и при плотности энергии'возбуждения и=0.1+0.2 Дж/см2 относительное возрастание интенсивности отраженной ВГ составляет )-Тгы(0)^/1гы(0)=

-0.$+ОЖ1 Показано, что возможный механизм этого явления ваключзотся. в генерации второй гармоники свободными ■Носителями, возбужденными накачкой в зону проводимости полупроводника

■ 4. Исследовано влияние -зарядового состояния границы раздела' полупроводник - электролит на процесс оптического пробоя поверхности. Установлено, что лра положительном заряде, поверхности п-кремния происходив заметное возрастание величины пороговой плотности • мощности пробоя *ПОр> что овязано. возникновением обедненной области в приповерхностном слое.-Относительное увеличение пороговой мояшости ^цор^пор^'15 при изменении межфазного падения потенциала Асрэ^0.35 В.'

б. Обнаружено явление фотоиндуцированяого изменения анизотропии нелинейно - . оптических свойств. ленгмюровсюа пленок, образованных молекулами • 4-нитро-4' -октодещмйзо-^ бензола. Установлено, что ; положение максимумов" азимутальной зависилости интенсивности В! 1г0)(ф) определяется' направлением вектора поляризации излучения подсветки.- . Изучена ' связь наведенной анизотропии нелинейно оптических свойств, ленгмюровских пленок с величиной экспозиции подсветки', ■

основные результаты диссертации .опубликованы в'следущих работах: •

О.А.Акципетров, Л.М.Бродский, Л.И.Даййиу, А.В.Ернушв, Т.В.Мурзина, А.В.Петухов," С.К.Сигалаев, А.М.Фунтиков, Электронные поверхностные состояния границы раздела, металл / электролит и механизм нелинейного, алектроотрйжения //Письма й. ЯГГФ, 1989, Г.15, В.14, С.33-37. '..'•..

2. О.А.Акципетров, •.А'.В'.Ерйгаюв, . / Т.В.Мурзина, А.В.Петухов, . С.К.Сигалаев. ■ Электронные поверхностные состояния металлг еского влектрода и.резонансный механизм нелинейного электроотракения //ЭлектроХшир• Т990,

Т.26, в.2, с.191-202.

3. О.А.Акципетров, И.М.Баранова.,' . Л.В.Григорьва,. К.Н.Евтюхов, Е.Д.Мииина, Т.В.Мурзина, И.В.Черный. Генерация второй гармоники на границе раздела полупроводник ■ -электролит: исследование поверхности кремния методом нелинейного влектроотракения //Квантовая электроника, 1991, т.18, с.943-948.

4. О.А.Акципетров, А.В.Ермушев, Т.В.Мурзина, А.В.Петухов, С.К.Сигалаев. Роль поверхностных состояний на границе раздела металл - электролит в генерации отраженной второй гармоники //Тезисы XIII Всес. конф. по когерентной и нелинейной оптике, Минск, 1988, ч.1, с.13-14.

б. И.М.Баранова, К.Н.Евтюхов, Т.В.Мурзина, И.В.Черный. Нелинейно-оптическое электроотражение от поверхности полупроводников с учетом вырождения //Тезисы XIV Всес: конф. по когерентной и нелинейной оптике, Ленинград, 1991, .

6. Е.Д.Мииина, Т.В.Мурзина, А.В.Петухов. Анизотропия нелинейно-оптических свойств ленгмвровских пленок //Там же.