Переход металл-диэлектрик в сульфидах ванадия и кобальта тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

РГ6 од

1 3 И10Н 1095

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ КРАСНОЯРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

на правах рукописи УДК 537.311.3;537.622

Мукоед Галина Михайловна

ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК В СУЛЬФИДАХ ВАНАДИЯ И КОБАЛЬТА

01.04.11. - физика магнитных явлений АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Красноярск - 1995

Работа выполнена в лаборатории резонансных свойств маг-нитоупорядоченных веществ Института физики им Л.В.Киренского СО РАН

Научные руководители:

доктор физико-математических наук профессор Петраковскпй ГЛ, кандидат физико-математических наук старший научный сострудник Лосева Г.В.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Петров A.C. (Томский физико - технический институт)

кандидат физико - математических наук, доцент Чернов В.К (Красноярский политехнический институт)

Ведущая организация:

Защита состоится "_

Институт неорганической химии СО РАН, г.Новосибирск

199- г. в

_час. на заседанш

специализированного совета Д 002.67.02 по защитам диссертацш при Институте физики йм. Л.В.Киренского СО РАН.

Адрес: 660036, Красноярск, Академгородок, Институ физики.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотек« Института физики им. Л.В.Киренского СО АН России.

Автореферат разослан:

.'•У

199 г.

Ученый секретарь Специализированного совета

доктор физико-математических наук Вальков В.Н^^1''^'

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ. Особенность явления ПМД (переход металл -иэлектрик), экспериментально проявляющегося в критическом изменении величины типа проводимости материала, состоит в том, что данный фазовый переход может ыть вызван различными внешними воздействиями (температурой, давлением, лектрическими и магнитными полями) и сопровождается критическим изменением ада физических параметров (структурных, магнитных, оптических). Такое сочетание войств обусловливает перспективность практического использования материалов с 1МД в качестзе многофункциональных элементов систем автоматики и контроля, шкро- и оптоэлектроники, а также возможность изучения взаимосвязи электронной, !агоитной и структурной подсистем кристалла в окрестности ПМД, исследование [зменения этой взаимосвязи в зависимости от внешнего воздействия и состояния .•ристалла. Это открывает широкие перспективы в решении фундаментальных пробам физики, разработке методов прогнозирования и создания материалов с заданными I управляемыми физико-техническими параметрами.

Одним из важных объектов исследования в рамках проблемы ПМД являются :ульфидиые материалы. Высокотемпературный характер ПМД, сочетание ПМД и :верхпроводимости, магнитного порядка, образование несоразмерных и соразмерных раз, нелинейные эффекты и эффекты памяти - это далеко неполный перечень пзлений, наблюдающихся в суль-фидах и обусловливающий возрастающий интерес к данным веществам как теоретиков, так и практиков.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Настоящая работа является частью программы ^следований, посвященных изучению физических свойств и явления ПМД в группе М-моносульфндов. Изострукгурносгь к близость характеристик электронных энергетических спектров в высокотемпе-ратурной фазе, отличающихся в основном степенью заполнения <4-зоны, сочетаются в данных веществах с различными типами магиит-юго упорядочения, электропроводности, структурного искажения, что является вая;-1ым при установлении закономерностей продления и особенностей механизма ПМД. Ценным качеством сульфидов ЗсЗ-металлов с практи-ческой точки зрения являются ззоструктурность (структура Л'£/1?) и широкие области гомогенности, что позволяет юздавать на их основе непрерывные ряды твердых растворов с варьируемым!: .-остазом физическими свойствами и способствует поиску новых материалов с ПМД.

В области высоких (Т > ЗООК) температур моносульфиды Зг1-ряда претср-тевают структурные и /или магнитные фазовые переходы с критическими температурами, изменяющимися от 850К (^о) до 270К (АЧБ). Экспериментально доказано, гго в сульфидах СгЗ, Р'еБ, даиные переходы сопровождаются ПМД Изострук-гурность, наличие фазовых превращений, а также расчеты поверхности Ферми и электронного энергетического слектра" позволяли сделать предположение, что ПМД может реализоваться и в С)'льфидах и СоБ, расположенных на границах ряда 3(1-

моносульфидов. Данное предположение и отсутствие достаточной информации физических свойствах этих соединений определили ЦЕЛЬ настоящей работы:

-выяснить возможность реализации и особенности проявления ПМД сульфидах ванадия и кобальта и материалах на их основе. Исходя из поставлен] цели были опреде-лены ЗАДАЧИ исследования:

- синтезировать вещества,

- провести экспериментальные исследования их электрических свойств в широ температурной области, определить тип проводимости, наличие ПМД;

- провести экспериментальные исследования структурных, тепловых и магн пых свойств, установить их взаимосвязь с электрическими свойствами и механизм

ПМД:

- провести поиск материалов с ПМД на основе сульфидов ванадия и кобалы

ПАУЧНДЯ НОВИЗНА. В диссертации впервые подробно изуч' электрические и Тепловые свойства сульфидов ванадия системы 1^5(0.86<Xj< 1.06 интервале 300-1200К. Получены экспериментальные доказательства о ПМД, ог делены особенности проявления ПМД в V5 и в сульфидах Vyß, построена фазе диаграмма (Т-Х). Получена экспериментальная информация о поведении магнитны электрических свойств V5 в области низких температур (4-300К). Обнаруж зависимость магнитной восприимчивости и удельного электросопротивления от ре; ма термической обработки; аномалии магнитной восприимчивости и электрос ротивлекия сульфида, указывающие на изменение магнитного порядка в облг 1 =16К и на возможность частичного сверхпроводящего спаривания свежеприготовленных образцах.

Впервые синтезированы и изучены структурные, тепловые, магнитные и эл< рические свойства сульфидов системы Co^Zrj.jß. Установлены особенности влия Со-катиокного замещения на ПМД в CrS. На основе двух актиферромагкит изоструктурных моносульфидов CrS и CoS получены новые магнитоупорядочен материалы с ПМД в области высоких и. низких температур.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ РАБОТЫ. Приведенные в ра< экспериментальные результаты дают вклад в представление о закономерно! изменения влектрических свойств и особенностях проявления эффекта ПМД в 3d-носульфндах и их твердых растворах и важны для систематизации знаний об i группе веществ.- Выявленные в работе особенности высокотемпературного повед< алектрических и магнитных свойств сульфидов ванадия и кобальта могут быть пользованы при разработке и создании высокотемпературных устройств электрон™ радиотехники. Рекомендации i: выводы, сделанные в работе, можно использовать планировании и проведении новых экспериментальных работ по изучению физии« свойств н явления ПМД в моносульфидах 3d- металлов и их твердых растворах.

АВТОР ЗАЩИЩАЕТ:

1. Результаты комплексного экспериментального исследования кристаллической руктуры, фазового состава, электрических, тепловых и магнитных свойств сульфида системы УуЗ (0.86< Х< 1.06) и системы Со^Сг].^. (0 < X < 1) при ¡мененни температуры и состава.

2. Результаты обнаружения фазовых переходов с частичной днэлект-рнзашей 1ектроннои системы в И и в сульфидах У^ в области высоких температур н ре-/льтаты исследования этих превращений. Фазовую диаграмму системы в юрдинатах состав Х-температура Т.

3. Результаты исследования физических свойств моносульфида ванадия в зласти низких температур (4-300К) и обнаружения низкотемпературных аномалий агшггной восприимчивости и удельного электросопротивления.

4. Результаты обнаружения ПМД в сульфидах СохСг].-^ (0<Х< 0.15) по ;мпературе (Тс = 600К) и концентрации (Хс^И).

5. Результаты обнаружения ПМД в сульфидах Coj.Crj.jS (0.46<Х <0,62) в эласти низких (Т-'210К) и высоких (Т—950К) температур, сопровождаемых агниткым и структурным превращениями.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Материалы диссертации представлялись' на IV всесоюзной конференции по химии, физике и техническому применению халько-зшдов (Тбилиси, Пасанаурк, 1983), Всесоюзном семинаре "Сегнетоэлектрики, алштные ползтгроводншда - новые материалы элсктротехзшки" (Москва, 1984), еждународной конференции по магшггсэлектрокЕке ЮМ"92 (Красноярск, 1992). штором опубликовано 20 работ, из них по теме диссертации 10.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ. Работа состоит из введения, ггырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 134 границах машинописного текста, включающего 42 рисунка и 7 таблиц, гиблиограф!пеский список содержит 117 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

ВО ВВЕДЕНИИ дается общая постановка задачи исследований и приведены сновные положения диссертационной работы, которые выносятся на защиту. )тмечены новизна и практическая ценность результатов, выносимых на защиту.

ПЕРВАЯ ГЛАВА имеет обзорный характер. В ней приведена информация о роблеме ПМД, примеры практического использования аффекта ПМД, рассмотрены еханизмы ПМД (основное внимание уделено теории экснтокзтсгб диэлектрика).

Рассмотрены экспериментальные и теоретические данные о моносульфидах 3d- мет лов и их твердых растворах. Сформулированы цель и задачи настоящей работы.

ВТОРАЯ ГЛАВА является методической. В.ней приведены технология по чения и подготовки образцов к измерениям. Описаны методики измерения стр турных, тепловых, электрических и магнитных свойстз образцов.

Образцы для исследований были получены отжигом в вакуумироваш кварцевых ампулах при высоких температурах смеси порошков ванадия, се кобальта, хрома (чистоты не менее 99.99%)

Ампулы с шихтой из необходимого количества компонентов вакуумировались остаточного давления Ю'^мм.рт.ст., герметически запаивалась с помощью кислор ной грелки, помещались в вертикальную электропечь с силитовьши нагревателями, равляемую терморегулятором с программным управлением, н нагревались до 9 960° С со скоростью не более 100°/час, выдерживались при этой температур течете 2-5 суток. После охлаждения вещество вынималась из ампулы, тщательно мельчалось в агатовой или яшмовой ступке до мелкодисперсного состояния перемешивалось. Из приготовленного порошка прессовались бруски в в параллелепипедов (размерами 1,0 х 0.3.x 0.5 см^), которые затем вновь спекал при высокой температуре ( 1000° С) в вакуумированных кварцевых ампулах в п ние 1-12 часов. В результате получались поликристаллические образцы, на кото проводились исследования.

В исследовательской работе использовались стандартные методики и прибс Дифференциально-термический анализ (ДТА) проведен на деривагографе фи| MOM системы Ф.Паулнк, И.Паулик и Л-Эрдей на образцах, помещенных в куумм ировш шые кварцевые ампулы специальной формы. Реятгеноструктурный ан; (РСА) выполнен на дифрактометрс ДРОН-2.0 в монохроматизированном Си К излучении и высокотемпературной устаноьке ГПШ-1500 с использованием Со К излучения. Измерении электросопротивления образцоз проведены зондовым по-цнометраческнм истодом ш постоянном токе на установке У-355 в вакуумной ка> термостата. Измерительные медные контакты на образцы наносились методом то ной сварки. Для нзмергния мапштных свойств образцов использовались мачтиимч баллистический, вибрационный и СКВИД-иатитометры. Высоксяемператур исследования мап/.чтиых свойств проведены в вакууме.

В ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ представлены новые данные по изучению структур1 тепловых (ДТА), электрических и магнитных свойств моносульфида ванадия изменении температуры i: состава,

В работе [1] на осноианиа расчетов поверхности Ферми и электрон энергетического спектра показано, что механизм структурного MiiP-NiAs перехо,

реализующегося при Т8 =850К и сопровождающегося удвоением периода решетки в базисной (а,в) плоскости, связан с особенностью поверхности Ферми металлической N^4$ парамагнитной фазы, приводящей к электрон-дырочному спариванию и збразованию состояния с волной зарядовой плотности (ВЗП). Физические свойства подобного типа материалов описывает теоркя эксптонного диэлектрика [2]. Согласно данной теории образование ВЗП сопровождается появлением диэлектрической щели 2л"=3.5в к «Тс (к - константа Больцмана) в электронном энергетическом спектре металла при температуре перехода Тс , что в ряде случаев приводит к ПМД.

Вышеизложенное позволяло предполагать возможность осуществления ПМД в (/5 при температуре структурного перехода. Для исследования были синтезированы поликристаллкческие образцы системы с составами 86,0.9,0.92,0.94,0.96,

1.00,1.03,1.06. В результате рентгеноструктуркого (РСА) и дифференциально-термического (ДТА) анализов установлено, что аяггезпрсзатые образцы являются твердыми растворами со структурой моносульфнда ванадия и претерпевают структурный переход МпР-Ы'ьАз при изменении температуры в области аномалии ДТА и состава X (рисунок 1).

Из кривых ДТА и температурных зависимостей удельного электросопротивления обнаружено, что изучаемые сульфиды ванадия в области обратимой эндотермической аномалии при Т = Тс (рнс.1) в МЛв - фазе претерпевлот фазовый переход металл-неметалл. В образцах с составами 0.93< X < 1.06 в области температуры структурного перехода (Т=Т8. рис.1) обнаружена вторая аномалия электросопротивления, выявляющаяся наиболее ярко при охлаждении образцов от высоких температур. Температурный ход удельного электросопротивления 1тзкотемпературной фазы (Т<ТС) сульфидов ванадия свидетельствовал о наличие двух составляющих проводимости:" металлической и экспоненциальной ЕХР(-2Д/к»Тс) с величиной диэлектрической щели 2А » (0.2 - 0.35 зВ), близкой к значению, определяемому по формуле теории экситонного диэлектрика [2] (0.3 эВ). Результаты измерения электросопротивления для сульфида с X = 1.00 коррелировали с данными о маппгшой воспряилгчивости [3]: ниже Тс — 9201С рост сопротивления на 30-50% наблюдался в области 30% понижения парамагнитной паулевской восприимчивости. При изменении состава X сульфидов от 1.06 до 0.8(, наблюдались сдвиг кривой по оси р в сторону высоких значений сопротивления, указывающий на уменьшение металлического вклада в проводимость как е низкотемпературной, так и в высокотемпературной фазах и появление полупроводниковой зависимости сопротивления от температуры с изменяющейся при изменении температуры величиной диэлектрической щели (йелинейноегь зависимости (1/Т).

РпсЛ . Фазовая диаграмма (Т-Х) для сульфидов системы У^З .

Таким образом, результаты экспериментального исследования показали, ч моносульфид ванадия в области высоких температур претерпевает перех металлнеметалл осуществляющийся в результате двух фазовых переходов, один которых реализуется при температуре структурного МпР-А'1Лз перехода Т3=850К имеет черты фазового перехода из несоизмеримой в соизмеримую фазу, а второй при температуре Тс—920К в фазе. Фазовая диаграмма, показанная на рис

представляет концентрационные зависимости критических температур фазов переходов металл-неметалл в сульфидах ванадия

Анализ полученных экспериментальных результатов, проведенный в рал» теории экситошюго диэлектрика [2} с учетом данных расчетов [1] показал, « механизм обнаруженного в сульфидах ванадия перехода металл-неметалл, огобешкм температурных зависимостей удельного электросопротивления и структура параметров, фазовую диаграмму (Т-Х) можно объяснить предположив, < образование ВЗП в изучаемых сульфидах осуществляется я результ последовательности фазовых переходов в парамагнитном состоянии: при Т= осуществляется переход металл-неоднородная фаза ВЗП (несоизмеримая I

%

хаотическая, вектор ВЗП <3 = 0.88 С/2 [1 ]), при Т=Тз - переход в соизмеримую фазу ВЗП (удвоение периода решетки).

Частичная (30-50%) да электризация поверхности Ферми при образовании ВЗП в сульфидах ванадия объяашется присутствием в электронном энергетическом спектре У5 металлической неособой зоны 3 [1]. Полагая, что электроны этой зоны не принимают участие в электрон - дырочном спаривании (а, следозательно, I! в ПМД) и создают метал-личеекпй вклад в проводимость как в области высоких (Т> Тс ), так и в области низких (Т< Тс ) температур, можно объяснить экспериментально наблюдаемый металлический вклад в проводимость в сульфидах с составами близкими к X = 1.00.

Известно, что в веществах с ВЗП, в котормх происходит частичная днэлектркзацкя поверхности Ферми, при низких температурах возможен переход в сверхпроводящее состояние. В частности, в работе [2] среди соединений, в которых волможно сверхпроводящее спаривание был отмечен н моносульфид ванадия,

С целью изучения низкотемпературного состояния моносульфнда ванадия были впервые проведены исследования электросопротивления и магнитной восприимчивости поликристаллическкх образцов У^ (Х=1.00) в интервале (4-300К). Установлено, что образцы со структурой (МпР, а/Ь= 1.763), типичной для моносульфнда ванадия, при температурах шике 300К тлеют свойства полуметаллического парамагнетика Паули - сопротивление и магнитная восприимчивость (£=4в10"^см^/г) практически не зависят от температуры.

В области гелиевых температур (16-ЗОК) обнаружен рост восприимчивости кто-ри-вейссовского' типа с отрицательной парзмагиятная ■ температурой Кюри (0=-1ОК), указывающей • на преобладающую роль актиферромапштного обменного взаимодействия и эффективным магнитным мо-мен+ом ((.1=0.036 Цр)па атом

который на два порядка ниже значения, характерного для атома ванадия ( 3.8 Цр).

При температуре Тт —!6К наблюдался максимум восприимчивости. Температура максимума при увеличении напряженности магнитного поля от 6,55 до 130Э понижалась от 16 до 14К. Ниже Тт обнаружена необратимость восприимчивости при охлаждении в магнитном поле, характерная для ейшговых стекол (рис.2б). На температурной зависимости 2РС-воспринмчйВ0Ст'и, измеренной охлаждением в нулевом экспериментальном поле, при Т = 8К обнаружено резкое падение г относительным изменением величины на 170%.

Электросопротивление образцов вблизи Т^ возрастало и затем в интервале, ограниченном температурами, при которых фЖссйрсй'алй'йь аномал ия магйктной восприимчивости, падало с относительным й^йейенйем йелйчйны ка 70%, оставаясь далее постоянным вплоть до 4.2К (рйс.2а,- ¡фйз'зй 1).

5 15 23 Т,К

Рис.2 Температурные зависимости электросопротив./; нил (а) и магнитной восприимчивости (б, вре:зка) для 01 жженных образцов моносульфида ванадия.

пения (X) экспоненциальный характер кривой Igp в низкотемпературной ф [Т<ТС ) изменяется от типично полупроводникового (Х=0) до полуметаллическ ;Х=0.06) и металлического (Х=0.15) с уменьшением величины сопротивления pj та три порядка относительно CrS. Температурные и концеотрационные зависимосп э(1/Т) для различных X позволили сделать заключение, что в системе СохСг}.^ 3<Х<0.15 имеет место также и концен-трацронпый переход полупроводник-мет; (Хс «0.1) механизм которого можно объяснять в рамках теории протекания.

В работах Г.А.Петраковского и С.С.Аплеснина теоретически показано, что I «атионном замещении двух аптиферромагнетиков с ГЦК решеткой возможно кар, нальное изменение магнитного порядка в промежуточной области концентраций, пример, возникновение ферромагнетизма. Экспериментально такое изменение маги :юго типа обнаружено в системах, созданных на основе двух антиферромагнети] MnS-CrS(FeS). С целью изучения возможности возникновения ферромагнетизм: реализации ПМД представляли интерес промежуточные составы системы CoxCrf (Х~0.5), созданной на основе двух антиферромагоетиков с гексагональной JVi структурой.

Исследования включала синтез материалов, рентгенографические исследован измерение температурных зависимостей теплозых (ДТА) свойств (300-1200] электросопротивления и иамаптченности (77-1200К), полевых зависимостей нам ниченности (Н до 15 кЭ).

На рис.4 показаны кривые ДТА, температурные зависимости параметра реш ки, электросопротивления и намагниченности для сульфидов с составами 0.46<Х< в интервале высоких температур. При TC=950K в области обратимой эндотер; ческой аномалии данные вещества претерпевают фазовый переход металл-неметс сопровождающийся обратимым скачком величины сопротивления на порядок и т пературным гистерезисом 80 . Переход реализуется в области структурного Fd Рбз/inmc перехода и сопровождается переходом ферромагнетик-парамагнетик температурным гистерезисом 180°. При изучении низкотемпературных свойств в разцах обнаружен второй, магнитный переход типа порядок-порядок при Т — 25( При Тр -- 210К наблюдался переход из полуметаллического, в полупроводнике состояние, сопровождающийся скачкообразным ростом сопротивления и падем спонтанной намагниченности в 1,2 раза. Установлено, что высикотекператур: парамагштшя фаза сульфидов (Т ^ Тс ) однородна по фазовому составу и им гексагональную iVi/ls структуру таг.а Cr/.^S. В результате вксохотемперагурн структурного перехода Рбу/ттс - Frl3m (Т—Тс) образуется фаза со структу] шпинели типа C0G2S4 и одновременно осуществляется фазовый распад этой фаз) выделением микрочастиц кобальта.

Рис.4 Температурные за висимости ДТА (а),пара метров решетки (б),злен

тросопротивления(в), н

магниченности (г) дл сульфидов систем

СохСт1-хЗ , Х»0.

370 5?0 770 970 Т.. К

Таким образом, при катиоином замещении двух антиферромагиетиков гексагональной №/4« структурой в системе СохСг1_хБ в промежуточной облас концентраций Х~0.5 формируются ферромагнетики с переходами металл-диэлектрш области высоких (ТС«950К) и низких (Тр « 210К), сопровождающиеся резк изменением мапштных свойств. Одновременно с изменением магнитного тт происходит кардинальное изменение типа кристаллической решетки. Механиз: обнаруженных фазовых переходов в сульфидах Со^Сг).^ с X « 0.5 обсуждаютс;

3.2 гл.4.

В ЗАКЛЮЧЕНИИ кратко изложены основные результаты данной работы.

Основные результаты диссертация

1. Синтезированы поликристаллические сульфиды системы У^З с состава 0.86<Х<1.06 и проведены комплексные экспериментальные исследования физических свойств в интервале температур 300-1200К.

2. Обнаружено, что высокотемпературная металлическая /Л/Ь ф; моносульфида ванадия при понижении температуры претерпевает переход мета, диэлектрик с частичной диэлекгризацией электронной системы, реализующийся результате двух фазовых переходов, один на которых сопровождается структурм переходом МпР-№\А$. На основании результатов измерения структурных, тепловьп электрических свойств построена фазовая диаграмма (Т-Х), иллюстрируют; зависимость физических свойств и критических температур ПМД сульфидов У^ состава X. Проведен анализ экспериментальных результатов в рамках мод< экситонного диэлектрика, позволяющий описать механизм ПМД в сульфидах вана; с точки зрения образования полны зарядовой плотности.

3. Проведены исследования физических свойств моносульфида ванадкя в обла< низких температур, в результате которых обнаружены: резкая зависимо« физических свойств от режима термической обработка при Т«200К, нали1 аномального изменения магнитной восприимчивости и удельного алектросопротивле* при' Тт = 16К, указывающих на изменение магнитного состояния У2>, вали1 падения восприимчивости я сопротивления в области от 16 до 8 К свежеприготовленных образцах, указывающее на возможность частичн< сверхпроводящего спаривания, наличие в закаленных образцах УЗ перех( полуметалл-полупроводник при Т~200К, сопровождающе-гося изменением магнип восприимчивости от температурно - независимой« степенной.

4. Синтезированы поликраеталлнческне сульфиды системы СодСг/.^ (0.<Х* и проведены исследования структурных, тепловых, электри-ческих и магнит» свойств в широкой тсмпс{*ггуриой области.

5. Обнаружено, что сульфиды начала ряда Co^Cr/.^S (0< Х< 0.15) имею разовый состав н кристаллическую структуру аналогичные моно-сульфиду хрома 1ретерпевают ПМД по температуре ( Тс — 600К) и составу ( Хс ~ 0.1).

6. Обнаружено, что в области составов (0.46<Х<0.62 ) в системе СохСг],х формируется магнитный материал, претерпевающий переход металл-неметалл при Тс: J50K, реализующийся в области структурного и магнитного превращений, и перехо юлупроводник-полуметалл при Тр = 210К, сопровождающийся аномалией спонтанно *амагничепности.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в работах:

1. Петраковский Г.А.,. Лосева Г.В., Мукоед Г.М.

Высокотемпературные переходы в системе V^S //.ФТТ, 1994, Т.36, В.'

-.112-118.

2. Петраковский Г.А., Лосева Г.В., Мукоед Г.М., Киселев Н.И.,Балаев А .Д.

Низкотемпературные электрические й магнитные свойства моносульфид *анадия.// Препринт, N©734, 1993, Красноярск, Институт физики СО РАН,18 с,

3. Лосева Г.В., Абрамова Г.М., Овчинников С.Г.

Переход металл-неметалл в моносульфиде ванадия. // ФТТ. 1983. N 1(

:.3165- 3167.

4. Лосева Г.В., Мукоед Г.М., Овчинников С.Г.

Электронные превращения в сульфидах ванадия. / / Препринт. ИФСО. K422<j Красноярск, 1987. 37с.

5. Лосева Г.В., Мукоед Г.М., Петраковский Г.А., Овчинкико С.Г., Клименко А.Г.,Киселев Н.И.

Последовательность электронных превращений в моносульфиде ванадия :истеме с электрон-дырочным спариванием." // Препринт. ИФСО. К489(] Красноярск. 1988. 15с.

6. Лосева Г.В., Мукоед Г.М., Клименко А.Г., Киселев Н.И.

Низкотемпературные аномалии электрических и магнитных свойст »юиосульфвда ванадия. //ФТТ. 1989. Т31. В.8. С.288-289.

7. Лосева Г.В., Абрамова Г.М., Смык АА.

Физические свойства сульфидов ванадия. В сб.Магнитные, алектри-ческие эезонансные свойства мапштодиэлектриков. 1985, Красноярск, ИФ СО РАК ^207-214.

8. Лосева Г.В., Абрамова Г.М., Баранов A.B.

Высокотемпературные переходы металл-неметалл в системе CoxCr/.rS. / / ФТТ

1981. Т.23. N5. С.1519-1521.

9. Лосева Г.В., Абрамова Г.М.

Переходы металл-неметалл в Сосодержащих сульфидах. В сб. Маг татные,электрические и резонансные свойства мапштодиэлектриков. 1982 Красноярск, ИФ СО РАН, С.151-158.

10. Loseva G.V., Abramova G.M.

Anomalies of electric and magnetic properties of ternary cobalt sulfides

//Phys.Stat.Sol.a. 198?. V. 80. N10. К109-1И.

11. G.V.Loseva, G.M.Mukoed

Metal-insulator-transition in the magnetic sulfides oi 3d-metal.// IEME 92 Krasnoyarsk. 1992. p.2G.

12. G.V.Loseva, G.M.Mukoed

Anomalous behavior of the CDV phase VS at low temperature, ibit. p.21. Цитируемая литература:

1.Liu S.H. Phys.Rev.B, 1974, V.10, N 8, P.3619-3625.

2.Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. /Л.Н.Булаевский, В.Л.Пш5бург, Г.Ф.Жарков, Д.А.Кирж-ниц, Ю.В.Копаев, Е.Г.Максимов, Д-И.Хомскин // Л., Наука, 1977.

3.Franzen H.F., Wieger G.A. J.Sol.Stat.Chem., 1975, V.13, P.114-117. 4.0вчинников С.Г. ФТТ. 1981, Т.23, N9, C.2766-2774