Получение мелкодисперсных пленок Со-С-О методом CVD и исследование их физических свойств тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

АКАДЕМИЯ НАУК СССР ОРДЕНА ЛЕНИНА СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ НЕОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ

На правах рукописи

Кангиев Рефат Диляверович

ПОЛУЧЕНИЕ МЕЛКОДИСПЕРСНЫХ ПЛЕНОК Со-С-О МЕТОДОМ СУЭ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

(02.00.04 - физическая химия)

АВТОРЕФЕРАТ д^сертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Новосибирск 1991

Работа выполнена в Институте неорганической химии Сибирского отделения Академии наук СССР

Научные руководители: доктор химических наук И. К Игуменов;

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Г. К Попов

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор С. П. Габуда; кандидат физико-математических наук Е. Е Бабкин

Ведущая организация - Институт металлургии им. А. А. Байкова АН СССР, г. Москва

Защита состоится "2.0" г_/?т-сх- 1991 г. Б I0 0'"часов на, заседании Специализированного совета Д 002.52. 01 в Институте неорганической химии СО АН СССР (630090, Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева 3, Институт неорганической химии СО АН СССР)

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института неорганической химии СО АН СССР

Автореферат разослан

Ученый секретарь

Специализированного совета о

кандидат химических наук ^¡Ф * ^ Л- М. Буянова

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальяооть тэцы.- В настоящее время интенсивно развиваются методы химического осаждения из газовой фазы (СТО), позволяющие получать материалы с денными физическими свойствами, которые находят широкое применение в химическом машиностроении, микроэлектронике и ракетостроении.. Данным методом возможно получение широкого класса материалов; - диэлектриков, полупроводников и металлов.

Одним из возможных приложений метода СТО является использование его для создания новых перспективных материалов - оред для записи и хранения информации.

Химический состав и свойства получаемых материалов завиоят как от технологических факторов и режимов осаждения, так а от исходных соединений.

8 качестве исходных соединений особый интерес представляют' летучие соединения металлов о органическими лигандами, которые позволяют расширить класс осаждаемых неорганических материалов. Перспективными среди них являются р -дикетонаты металлов и их,производные, обладающие такими важными свойствами, как термическая стабильность при температуре испарения, значительное давление насыщенного пара и приемлемыми температурами разложения. Среди хелатов металлов, еще не исследованными в отношении возможности получения пленок, являются кетиминнае комплексы кобальта.

В процессе термолиза летучих комплексов Со, выделяются углеродеодержащие продукты, количество которых можно регулировать подбором соответствующих технологических режимов процесса осаждения. Внедрение этих продуктов в пленку может послужить причиной амортизации Со, либо привести к кластеризации Со и образованию мелкодисперсного материала - основы высокоплотной записи информации, представляющего собой кластеры Со, заключенные в немагнитную патрицу.

В этой связи актуальными являются исследования возможностей осаждения мелкодисперсных магнитных пленок на основе кобальта методом (Ж) п исследования магнитных свойств этих материалов . Актуальными представляются также изучение возмоаноотей получения пленок, пригодных для использования их в качестве ср-эд - носителей информации.

о

Цель работы.

1. Изучение условий получения мелкодисперсных и аморфных пленок методом СТО с использованием в качестве исходных соединений - _/з -дюсетонатных кетиминно-производных Со, включающее в себя разработку экспериментальной установки для их получения.

2. Исследование химических и структурных-свойств полученных пленок в зависимости от материала подложки, скорости осаждения , внешнего магнитного поля, отжига и ряда других технологических режимов осаждения.

3. Изучение физических свойств пленок - ¡электропроводности, оптических и магнитных свойств в зависимости от технологических условий осаждения и внешних факторов (магнитного поля, температуры.).

1. Разработан процесс получения мелкодисперсных к аморфных плепок методом СТО о использованием кетгашшо-производных Со.

2. Исследованы состав и микроструктура пленок Со-С-0 методами электронной оже-спектроокопии (ЭОС), рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), растровой электронной микроскопии (РЭМ) и просвечивающей электронной микроскопии (ГОМ).

3. Экспериментально обнаружены условия возникновения ультракоротких колебаний состава по толщине при осаждении пленок.

4. Обнаружен эффект изотропии прямоугольной петли гистерезиса и механического вращательного момента в пленках Со-С-0 при перемагничивании в плоскости.

Практическая значимость.

1. Определены технологические условия получения мелкодисперсных и аморфных пленок Со-С-0 методом СТО.

2. Определены технологические условия возникновения явления ультракороткой автомодуляции состава по толщине в пленках Со-С-0.

Наблюдаемое явление модуляций может найти применение в микроэлектронике, т.е. при конструировании мультислойных магнитных структур.

3. Обнаруженное в пленках Со-С-0 явление изотропии прямоугольной петли гистерезиса намагниченности может явиться основой для использования их в качестве сред для плотной магнитной записи информации.

Автор вглюснт на застиг?:

1. Результаты определения элементного, фазового состава, структурного анализа пленок: Со-С-0, полученных методом CVD п результаты их- количественного элементного, анализа;

2. Механизм возникновения высокочастотных автомодуляций состава по толщине пленок и математическое описание данного явления.

3. Модель, объясняющую обнаруженное в пленках Со-С-0 явление вращающейся анизотропии.

4. Результаты экспериментального исследования температурного поведения наиагниченности М(Т') в исследованных пленках, теыпературного поведения электросопротивления R(T) в пленках CogQC^gOjg, а также их оптичеокие свойства.

Апробагогя работы. Основные результаты исследований доложены и обсуядеяы на VII конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, Î9SS г., на Всесоюзном симпозиуме по физике аморфных магнетиков, г. Красноярск, июль 1989 г., на VI Всесоюзной семинаре по физической химии поверхности монокристаллических полупроводников, г. Новосибирск, октябрь 1989 г.

'Публикации. По результатам исследований опубликовано 7 работ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов, изложена на 137 страницах каяинописного текста, включает 38 рисунков, 7 таблиц и список литературы (88 ссылок).

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность теш, сформулирована цель работы, указаны' новизна и практическая значимость полученных результатов, представлены основные положения, выносимые на защиту, дана структура диссертации.

В дероой главе дается классификация способов, позволяющих получать аморфные и Мелкодисперсные пленяй, а такае краткое знакомство с темя из них, которые основаны на использовании метода химического осаядения из газовой фазы (CVD). Излагаются некоторые особенности данного метода, в частности -реализация колебаний концентраций по толщине пленок. Опгхсаш,

известные в настоящее время, механизмы объясняющие подобные явления. Дается краткий обзор по соединениям Со, применяемым в рамках метода СТО и характеристикам^получаемых при этом пленок. Так как некоторые из исследуемых пленок Со-С-0, полученные при определенных режимах и условиях ооаждения являютоя близкими к металлополимерам (МП), содержащим магнитные частицы размерами 50-600 X, то в данной главе нашел отражение и анализ магнитных свойств пленок, включающих кластерную систему. Подробно рассмотрены магнитные свойства ансамбля суперпа-ранагнитных частиц и температурное поведение намагниченности данных систем. В этом же разделе представлен краткий .обзор магнитных свойств пленок Со-СоО, являющихся наиболее близкими к исследуемым пленкам Со-С-0 по магнитному фаоовоау ооотаву. В заключении главы рассмотрены вопросы применения мелкодисперсных магнитных пленок и перспективы развития разработок данного направления.

Во второй главе изложен материал об используемом процессе осаждения пленок Со-С-0. Рассмотрены критерии по которым было выбрано исходное соединение Со(КЮо. Опиоаны некоторые характеристики данного соединения, метод синтеза и преимущества его по сравнению с другими. Здесь же" отражены вопросы, связанные с влиянием некоторых технологических параметров ца процесс осаждения пленок. Приведена конструкция экспериментальной установки на которой осаждались пленки Со-С-0, описаны ее возможности и принцип работы.

На установке, принципиальная схема которой представлена на рис. 1 была получена серия пленок с использованием соединения - Со(КИ) р при различных технологических режимах и условиях осаждения. Пленки были осаждены на подложки из меди, стекла, кварца и полиамида диаметром 23 мм, толщиной 3002000 А, скоростях осаждения и= 400-1400 А/мин, в поле Земли, либо в присутствии внешнего магнитного поля до 350 Э.

Рис. 1 Принципиальная схема установки: 1-реактор, 2-под-локка, 3-нагревателк, 4-кон-тейнер с веществом.

3 третьей главе проведен анализ элементного, фазового ооотава и структуры полученных пленок Со-С-0. Пленки были исследованы методами электронной оже-спектроскопяи (ЭОС), рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), растровой электронной микроскопии (РЗМ) и просвечивающей электронной микроскопии (ГШ). При использовании ЭОС полученные пленка в первую очередь прошли анализ элементного состава, где предварительно с них удалялся приповерхностный слой. Данные оде-спектров пленок позволил:! заключить, что в их состав входят Со, С и О.

Анализ элементного состава пленок по толщине проводился методами ЭОС к РФЭС при послойном стравливании пленок потоком ионов Аг*.

Рис. 2. Обзорный ояе-епбктр пленки, осааденной на стеклянную подложу.

10.S 33.S

Вр. распыл., шин. Рис. 3. Концентрационный профиль пленки Со-С-О, ооавденной на подложку из стекла

На ряс. 3. представлен концентрационный профиль одной па пленок, осаяденной па подложку из стекла, из которого видно, что сильные изменения соотношений концентраций происходят в приповерхностных п приподложечных.областях пленок. Количественный элеиентный анализ пленок проведен методой коэффициентов элементной чувствительности, получившим наябольиее распространение в интерпретации оже-спектров. Расчет концентрация Х^ элемента 1 производился по формуле:

Xi =

s с

hsi

hs2

hSn

-i

)

со

где I^ - интенсивность оже-сигнала элемента 1 в образце; -коэффициент элементной чувствительности, расчитанный ко атласа оже-спектров эталонных чистых элементов; п - число элеиен-

+

*

тов в иооледуеыой системе. Коэффициенты элементной чувотвяте-льности принимались равными: Sqq=0.2S4; Sq=0.175; Sq=0.510. Для расчетов использованы амплитуды ояе-линий Со с энергией 775 эВ, соответствующие Lffi-переходу, оже-линии С с энергией 272 ©В (KLL-переход) и оже-линии 0 с энергией 503 sB'CKLL-переход). Энергия первичных электронов составляла"3 кэВ. Расчет атомных концентраций перепроверялся при использовании метода РФЭС по формуле (.1); где вместо использовались площади i-ro элемента; коэффициент элементной чувствительности в РФЭС.

Исследование количественного состава элементов Со, С и 0 в пленках, полученных при скоростях осаждения U^ =400; Uo=600; Ug =1400 А/мин) показало, что содержание металлического Со возрастает в образцах в последовательности - Ху°>Ху0>Ху°. Содержание углерода находится в обратной последовательности, а киоло-рода - "2 З-

Идентификация валентного состояния элементов, входящих в состав пленок и подложек, проводилась на основании стандартных величин Еос в разной степени окисления о учетом формы РФЭС. Данные приведены в таблицах 1 и 2.

Таблица 1

Энергия связи СэВ) в металлах и окислах Со и Си.

Соединение Есв 2РЗ/2 Есв £Pi/2 ДЕ=Ер1/2 - £Рз/2 Наличие сателлитов

Со (металл) 778.1 793.1 15.0

СоО 780.0 79S.0 16.0 4

Си (металл) 932:5 952.3 19.8

СиО 933.6 1 -953.6 20.0 +

Таблица 2

Данные по энергиям связи (эВ) Si 2р, 0 ls, С ls, N 1s.

Si 2р

кремний силицида SiQo (кварц)

99.1 98 - 100 103.4

О ls СоО, CogO^j, 0 оксиды металлов SiOg( кварц) HgO _53СЬ_ 529 - 53 1 533 533-533.5

аморфный графит карбиды металлов CoHJffio углерод * 3 ( -HL-0-)

£85.0 283.5-284.5 280-283 285.2 286-288

Продолжение таблицы 2

амины Н 1В 399

Согласно данным РФЭС, в начальной стадии роста пленок на поверхности подложки образуются островки как металла, так и оксида кобальта СоО. В дальнейшей, происходит рост кристаллов только металлического Со, округленных углеродом либо аморфным, либо в виде графитоподобных образований. Кислород, присутствующий в пленке, может быть в .виде адсорбированных или растворенных в Со атомов, либо в виде приповерхностного слоя во внешнем слое частиц Со. Внешняя поверхность слоя пленки покрыта примесями "атмосферных" загрязнений, гдеоСо находится в виде оксида СоО, образуя слой толщиной до 20 А. В таблице 3 приведены результаты исследований пленок Со-С-0 методами ЭСС л РФЭС.

Таблица 3

Результаты исследований пленок Со-С-0 методами ЭОС и РФЭС.

Материал подложки Медь Стекло Кварц Полиамид

Скорость осаждения, А/мин. 600 400 600 1400 600 600 600 600

Толщина о пленки, А 1500 2000 1500

Внешн. магн. поле, Э 350

Концентра- " ция Со, атЛ 5-10 70-75 60-70 40-50 70-75 60-70 60-70 65-75

Состояние С по толщине Углерод в аморфной состоянии, графит

Состояние 0 по толщине Адсорбированный киолород, СоО

Состояв. Со на поверхя. пленки СоО

Структура пленок исследовалась методами РЭМ и ПЗМ. Результаты, полученные о использованием метода РЭМ показала, что поверхность пленок представлена совокупностью отдельных блоков, размеры которых зависят от материала подложки. Так, с увеличением теплопроводности подложки, размеры блоков уме ль-

шаются.

При исследовании пленок методом ГШ использовался электронный микроскоп, предельное разрешение которого по линиям составляло 2 А (ускоряющее напряжение - 100 кВ). Изображения получа-лиоь в светлопольном (СП) и теынопольноы (ТП) режимах с помещением отражения d=2.05 А (111) в центр апертурной диафрагмы ■ объектива. Для определения фазового состава пленок использо-валоя режим электронной микродифракции (ЭМД) микроскопа. Проведенные исследования пленок методом ПЭМ показали, что:

1. Осазденкые пленки являются поликрксталлическими к содержат Со в металлическом состоянии ГЦК структуры. Кроме того, имеется фаза оксида СоО с локализацией на поверхности частиц Со. Кристаллические блоки пленки изолированы друг от друга и заключены в углеродеодержащее аморфное вещество.

2. Состояние металлического Со можно охарактеризовать как высокодисперсное. Размены кристаллических блоков Со в основном не превышают 100-200 А. Наиболее мелкодисперсные пленки содержат Со в кластерном виде с размерами менее 40 А.

3. Степень окристаллизованности пленок зависит от условий их осаждения и материала подложки:

а) окристаллизованность пленок увеличивается с уменьшением скорости осаждения;

б) структура пленок слабо зависит от материала таких подлокек как стекло, кварц и полиамид. Значительное отличие структуры характерно для пленок, осажденных на подложки из меди-,

в) осаждение пленок во внешнем магнитном поле приводит к увеличению степени их окристаллизованности.

На основе результатов химических и структурных исследований пленок было установлено, что осажденные пленки Со-С-0 представляют собой сложный объект с мелкодисперсной структурой, где концентрация Со меняется от 5 до 75 ат. % и зависит от условий осаждения и материала подложки.

Для изучения структурных изменений пленок при отшге, препарированные образцы пленок нагревались в колонне электронного микроскопа с использованием двух вариантов нагрева: с помощью нагревательной приставки и электронным лучем. Проведенные исследования процессов кристаллизации пленок показали, что отжиг приводит к интенсивным процессам кристаллизации пленок начиная с температур 450 С. Кристаллизация пленок

-1-г

I, отн.ед. Со

С

1£л 2ьд зз.е Вр. распыл., мин. Рис. 4. Концентрационный профиль пленки, полученной при скорости осаждения 600 А/мин.

сопровождается образованием графита, который локализуется на поверхности металлического кобальта.

При исследовании пленок, осажденных на стеклянные подложки при различных скоростях осаждения, было обнаружено явление автомодуляций состава по толщине пленок и определены условия реализации данного явления. На рис. 4 представлен концентрационный профиль пленки, получен-' ной при скорости осаждения и-600 А/мип. Контроль элементного состава по толщине пленки осуществлялся методом ЭОС. Из рис. 4 видно, что в даппой пленке наблюдаются автокодуля-ции Со и 0, причем колебания эти находятся в противофазе и с увеличением толщины пленки лучше проявляются. Особенностью данных колебаний состава является их малый период С~ 100 А). Предложен новый механизм возникновения подобных высокочастотных автоколебаний концентраций, который связывается о колебаниями излучательной способности поверхности пленки в процессе ее осаждения. Показывается, что такого рода автоколебания описываются уравнением типа:

X + XVх X + и(Х) = 0 (2)

В четвертой главе рассматриваются: обнаруженное в пленках Со-С-0 явление вращающейся магнитной анизотропии, температурное поведение намагниченности НС.Т), электропроводность и оптические свойства иоследуекых пленок.

При изучении процессов перемагничивания было обнаружено, что при переыагничивашга пленок в плоскости, независимо от направления приложенного поля, реализуется прямоугольная петля гистерезиса с очень хороши коэффициентом пряноугольнооти Мд/Ыд«'1 (рис; 5). Таким образом, в магнитном отношении пленки являются изотропными в плоскости. Изотропия петли гистерезиса наблюдалась независимо от типа подложки, толщины пленки и, несмотря на малое содержание Со, в некоторых пленках. На рис. 6 представлены магнитооптические петли гистерезиса Пленок о использованием эффекта Керра. Так как в иооледуекых

М/М5

1 ] 0.5 1 ( 1 1 1 7— Нс .^ппснс ' ,Н.1сЗ

-1 А 1 \ -0.5- н ^ спнг»| 1 /) 4

а к ■ 1 с

. н,з Н.Э

-250 250 -250 л 250

% г- А' н,з ■ 1 Г

н,э

-40« 400 -400 400

--а-

Рис. 5. Петли гистерезиса, измеренные в плоскости пленки в направлениях, дающих минимальное и максимальное значения коэрцитивной силы.

Рис. 6. Магнитооптические петли гистерезиса пленок, осажденных на подложки из меди, монокрио-талличеокого кремния, стекла и полиааида. А - нормированная величина эффекта Керра.

пленках, как установлено ранее, концентрация Со обратно пропорциональна теплопроводности подложки, то коэрцитивная сила, следовательно, пропорциональна концентрации Со в пленке. Это находит подтверждение в данных ржа. 6 и результатах измерений индукционных петель хорошо согласующихся о кагнктооптичеокили. Изучены также процессы переиагничивания в направлении нормали к плоскости пленок, которые показали, что петли реализуются с коэрцитивной силой близкой к нулю и насыщаются в полях 5-6 кЭ.

Бри измерении кривых вращательного' момента обнаружено, что при,вращении поля в плоскости пленки наблюдаетоя 360 гис-терезио момента (рио. 7). Вероятно причина такого поведения магнитных материалов заключается в том, что система является сложной, содержащей немагнитную (либо слабомагнитную) матрицу + ферромагнитные кластеры (Со) с анткферромагяЕтнымя оболочка-ки (СоО). В данной главе подробно раооиотрена предлоаенная нами модель вращающейся анизотропии, которая обусловлена пиннин-гон магнитных моментов матрица и феррокластеров на антиферромагнитных оболочках.

Температурное поведение намагниченности М(Т) пленок Со-С-0 изучалось на вибрационном магнитометре в интервале температур 80-740 К. В процессе эксперимента в плоскости пленок подавалось магнитное поле вплоть до 14 кЭ. Измеренная еависп-

1.0

о

ч.о

Рио. 7. Механический вращательный момент при вращающейся поле в плсскооти пленки.

О

300 500 700 Т,к

Рис. 8. Температурная зависимость намагниченности Ы(Т) пленки Со-С-0.

ыость (рис. 8) хорошо согласуется о поведением нанатшпоппости ансамбля суперпараиагнитных частиц, из которой легко определить температуру блокировки суперпарамагнитного ансамбля (Т^— 300 К). Таким образом, в магнитном отношения исследуемые сплавы Со-С-0 представляют собой кластерную суперпараэагнитпую систему.

Нагрев пленок вы&е 500 К приводит к необратимым процесса»!, о чем свидетельствует, в частности, гистерезис температурной зависимости намагниченности (рис. 9). Это монет быть связано со следующими причинами: О вследствие размягчения матрицы С, 0 и СоО, за счет дипольного взаимодействия происходит оближение кластеров Со; 2) происходит объединение парамагнитных атомов

Электропроводность пленок исследовалась в широком температурном интервале 4.2-750 К. Измерения проводились обычным четырехзон-довыа методом. Точность - измерений составляла <0.-1 X. В систе-

^°50^35®15 обнаружены три характерные температурные об--р,к ласти, где в первой из них (4.2 -535 К) происходит медленный' рост сопротивления от остаточного (обычное явление). Сни&е-. ние электросопротивления во

Со, растворенных в матрице М

Рис. 9. Гистерезис температурной зависимости намагниченности пленок Со-С-0.

второй области (.535-585) может бьггь связано с размягчением матргцы С, СО, СоО и подвижкой электропроводящих цепочек Су. Температура размягчения матрнцы зависит от исходной концентрации Со в пленке, и меняется в температурных пределах 585-625 К, Резкое увеличение сопротивления б третьей области (Т > 585 К) связано с дальнейшем расслоением системы и со спеканием частиц. Пря этом происходит разрушение токопроводящих мостиков.

Оптические свойства пленок исследовались на спектрофотометре в диапазоне длин волн 340-1500 ни. при комнатной температуре и показали, что в исследуемых пленках отсутствуют полосы поглощения соответствующие исходному соединению.

ОСНОВШЕ РЕЗУЛЬТАТА РАБОТЫ

1.. Разработан процесс получения методом химического осаждения из газовой фазы мелкодисперсных и аморфных пленок, в которых концентрация Со может меняться от 5 до 75 ат. % в зависимости от технологических режимов и условий осаждения.

: 2. Установлена зависимость химического состава получаемых плеярк Со-С-0 от физических свойств подложки. Показано, что с увеличением теплопроводности подложи концентрация Со в пленке уменьшается.

Изучено влияние скорости осаждения на структуру получаемых пленок. Показано, что с уменьшением скорости осаздения возрастает ее окристаллизованносты увеличивается дисперсия частиц Со по размеру (20-200 А); образуются частицы СоО, локализованные на периферии частиц Со.

3. Изучено влияние внешнего магнитного поля на структуру осаздаемых пленок. Показано, что наличие внешнего магнитного поля приводит к увеличению размеров кластеров (до 200 А), обладающих высокой степенью дефектности.

4. Изучено влияние отжига на структуру пленок Со-С-0. Показано, что отжиг приводит к интенсивным процессам кристаллизации пленок начиная с температур около* 450 С. Кристаллизация пленок сопровождается образованием графита.на поверхности металлического Со.

5. Показано, что при определенных скоростях осааденил в не, особенностью которых является их малый период (~100 А), пленках Со-С-0 могут возникать автоыодуляции оостава по толщи-что на 2 порядка меньше наблюдаемых ранее.

6. Предложен, иеханивм, опиоывающяй вооникновение подобных колебаний концентрации, который связывается с колебаниями из-лучательной способности поверхности пленки в процессе ее осаждения.

7. При изучении магнитных овойотв пленок Со-С-0:

а) обнаружено, что кластерная система чаотиц Со-СоО обладает суперпарамагнитными свойствами. Определена температура блокировки суперпараыагниткой системы Tg=¿300 К.

б) обнаружены эффекты изотропии прямоугольной петли гистерезиса и механического вращательнога момента при перемагни-чивании пленки в плоокости. Показано, что наблюдаемые эффекты могут быть объяснены в райках предложенной модели вращающейся анизотропии.

8. Из данных температурного поведения электросопротивления и намагниченности определен диапазон температур размягчения матрицы в пленках Со-С-0, в котором происходит спекание частиц Со СТр»585-625 К). Показано, что температура размягчения матрицы Тр зависит от исходной концентрации Со в пленке.

Основное содержание работы изложено в публикациях:

1. Земсков С.В., Игуменов И.К., Маркова Г.И., Исакова В.Г., Быков А.Ф., Гельфонд Н.В., Кангиев Р.Д. Получение металлических покрытий методом газофазного термолиза летучих р -дикетонатов благородных металлов // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Тез. докл. VII конф. - Новосибирск, 1986. - Т. 3.,- С. 20.

2. Кангиев Р.Д., ^гуыенов И.К., Подмарков А.Н., Попов Г.В. -Явление вращающейся магнитной анизотропии в мелкодисперсных пленках Со-С-0, полученных методом химического осаждения из газовой фазы. - Красноярск, 198$. - 11 с. - (Препринт / АН СССР. Сиб. отделение. Ин-т физики; N 572Ф).

3. Кангиев Р.Д., /Игуменов И.К., Подмарков.А.Н., Попов Г.В. Явление вращающейся анизотропии в аморфных пленках Со-С-0 // Физика аморфных магнетиков: Тез. докл. Всеооюз. симпоЗ'. -Красноярск, 1989. - С. 117.

4. Кангиев Р.Д., Игуменов И.К., Париин A.C. Ультракороткие автонодуляции состава в аыорфных пленках Со-С-0 // Физика аморфных кагнетпков: Тез. докл. Воесовз. симпоз. - Крас-

ноярск, 1989. - С. 189.

5. Кангиев Р.Д., Игуменов И.К., Садреев А.Ф., Попов Г.В. Автомодуляция по составу в мелкодисперсных пленках Со-С-О, полученных методом химического осаждения из газовой фазы. -Красноярск, 1989. - 23 с. - (Препринт / АН СССР. Сиб. отделение. Ин-т физики; N 573Ф).

6. Кангиев Р.Д., Игуыенов И.К., Попов Г.В., Городецкий В.В., Зайковский В.И., Паршин А.С. - Исследование химичеоких и структурных свойств мелкодисперсных пленок Со-С-О, полученных методом CVD. - Красноярск, 1989. - 48 с. - (Препринт / АН СССР. Сиб. отделение. Ин-т физики; N 581Ф).

7. Kangiev R.D., Igumenov I.К., Podmarkov A.N., Popov G.V. Phenomenon of rotational nagnetic anisotropy due to rotation in dilutely dispersed Co-C-0 films prepared by che-nical vapour deposition (CVD) method // Solid State Сои-sunications. - 1989.^- Vol. 72, H 11. - P. 1101-1103.

ФГ

Подписано к печати 18.01.91.

Бумага 60x84/16.П.л.1,0.Уч.-нзд.л.О,58.

Тира® 100. 1Я.91.3ак.Р15

Ж СО АН СССР.