Полупроводниковые сэндвич структуры на основе халькогенидов цинка (процессы роста и токопереноса) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

С!АЛКТ-ЛЕТЕРБ71ТСКИЙ il^ccy ДАРСТВЕННЫЙ ЭШТРОШНИЧЕСлИЙ УНИВЕРСИТЕТ

На празах к'кописл

'Юыходжаев Хакхч Азимович

цодацрсволшасовыв СЭЩ0ИЧ СТРУКТУРЫ Ш. ОСНОВЕ ХАЛЬКоГЕНИДОВ ЦИНКА (Процессы pooTL и токоперзнскл)

Сгоцгальнооть:. CI. 04.1С - физика полу приз с танцев

и диэлвэтр.вдсш

диссертации на ссысшшо учгной степени кандидата "гехнчгавмшх- лауг

CsHKT-líeaaptíjpr -- Î9S2

А п т о р © ф в р а т

/-У7 /

Работа выполнена б Санкт-Петербургском технологически институте.

Научный руководитель

доктор химических наук профессор КАЛИНКЩ И.П.

Официальные оппоненты:

доктор технических наук профессор ОЛЕСК А.О. кандидат технически* наук с,и.с. 'КАМАТКА М.И.

Ведущее предприятие - Институт проблем Машиноведения РАН

Защита диссертации состоится " " Й^ССыЗ/д ^ 1Э92г. вчасов, на заседании специализированного совета . К 063.36.10 Санкт-Петербургского государственного Электротехнического университета по адресу: 197^76, Санкт-Петербу ул.Прэф.Попоча.б.

С диссертацией можно ознакомился в библиотеке института

Автореферат разослан н № Я^ 1992г.

Ученый секретарь

специализированного совета ОКУНЕВ Ю.1.

Л'йлЛ

- ' ОБЩАЯ УЛРШЕРЖЯ'КА РАБОТЫ-

Актуальность работы. В последние года, плечочше сэндвич структуры нг;оочойв халькогенидов цинка пашы широкое применение в гелиотехнике, в опте-, и шкре.электроника. В частное-, тя,-на-основе сэндвич итру^,туры, оодзр^ж,зй слои селенидя цинка и хвердого раствора

создала высокочувствительна.: :дишечь многоцеяево* телегчзио''.-ной передающей труики. '!яь:обш<он" ,. котор?»я широгх применяется • в бытовпх телевизионных каггпрах. Технология выпуска подобных приборов до.сегодняшнего дня.была, освоена толькс- Японией» — Несмотря на-широкое практическое.применение указанных овндаич структур, особенности п гэпл селения, их свойства, л .электронные. процзссы, протекающие I» по;;о£ных гетерострукту-рах,. в -'-аучной литературе оо^авалиоь практически но совещенными......... ..... . - - '........ - ' .....-

Вместе о .тем в последнее, время появюшоь.тьеретьчзггшв работы, позволяющие, во-перэых, аорренгао рассмагрияап.электронные прсдеоси.в.цондеясзроваиных.сиотеяах /1-3/ и..во-вто-. пах, более корректно..описывать и исследовать электронные процессы в .сэндвич структурах /4-5/.,

.....Согласно пе^гым работам, - йонденсирораваая сястеш рассматривается как ореда, микрохарактеристики которой случайгам образом меняются в пространстве. Известны, достижения этого подхода к интерпретации свойств легированных и комсзлсированных полупроводников. .

, Согласно вторым работам, учитываются, процессы, происходящие на границах, и предлагается теория, позволяющая по экстремальным точкам ва экспериментальны:: кривых оценивать параметры сэндвич структуры /4,5/. Этот подход наиболее эффективен для высокоомных материалов.

Учитывая, ч^о халькогениды цинка явхяются высоксомными 'материалами, а микрохарактеристюш оценок твердое растаоров йа их основе в большой степени подвержены случайном измегечи-ям в пространстве, предотавлялссь возможным, на основе интерп-

ретации экспериментальных денных электрофизических исследов ний в рамках, сочетавших ode вышеуказанные теория, достичь такого понимания электронных процессов в сэндвич структурах на основе халькогеклдов цинка, которое позволит осознанно р. работать технологию промышленного производства Бнсокочувств: тельных мишеней типа "яыавидон".

Поль работы. Диссертация посвящена -изучению процессов bi куушого термического испарения и конденсации пленок JfrjSc пленок твердых растворов ¿^„С^ТМПТР) , (ПТР: Хп ) и проверке ряда современных ыоделънкх представле^ ний процессов — - токопереноса в теории неупорядо1 них конденсированных систем на примере сэндвич структур Jht -2nSe- In и IrtiOi-inSc-(bi^tC^t№>гГеъ)ч » иыеювц широкое практическое применение.

В работе решалиоь следующие задачи:

- изучались процессы вакуумной конденсации пленок твердых pi створор {Ш?)?»,.^^,^,./?^),-«^/?^^ и ZttSe в аш] к их интервалах температур воцарения и конденсации (от 600°С вплоаь до температур жидкого азота) на подложках различной приводы (стекле, стекло со слоем оксида .индия); ■ . •

- проверялась адекватность современных модельных представлений* электронных процессов в сэндвич структурах на основе неупорядоченных полупроводников путем сравнения теории с.результатами исследований температурных зависимостей прсводимс тиг ыольт-аиперных уарадтеристия; термолюминесценции; фотолг ивецеыщи; края согдощеяия г фотопроводимости в гетероструш pax ¿/¿Qz-bSl-C^Ы%Tt)i-j (Tnjcy)^ -In

- строились: феномен cut огиче сиие модели механизмов токопрсгся дения черев многослойную гитеро структуру на основе неупорядс чинных халькогёнидов цинка.

Основные положения, выносимые на заздауу:

I. Модель токопереноса в ГС с субмикронвым слое

селенида цинка, учитывающая как процессы, происходящие на гр ницех, так и неоднородности потенциального рельефа зон.

2. Совокупность эксшзрямектальых данных, подаверэдающис предложенную модель.

о. Особенности влияния температура на характер потенциального рельефа зон пленок сзленида цинка (под влиянием отчига усе^и- • чивается ямплитуда неоднородней 1 и изменяется характер по- • телциалького рельефа зон).

4. Феноменологическая модель токоперенооа в ГС

5. Совокупное?*, экспорйменталцшх данныт, подавврждерщих предложенную модзль и счидетги>ствузщих, что эта т-етярсструкт^ра:

а) являемся сложной полупроводниковой системой со сложным характером гзыенения зон-по толщиае, оодержащв-л случайней потен-пал, в форыирозарие которого внооят вклад флуктуации соогава твердого раствора; .••••.

б) оодержит высокую концентрацию примеоных уроьяой, образующих примесную зону, тонопереяоо по которой ойреьедьат темно-вую проводимость гетароструктуры при аяэ.кях температурах.

6. Способ получения аморфных олзнок тгердах раствсров на основе тедлуридов кадаия и цинка.

. I. Показано, что полупроводниковые оостчвляюцир сэндвич структур ЯА-Ме-Г». я 1ъОл- Ге3)^ -т» , полученных методой термического испарения, являются неупорядоченным системами. ...->'•..... ...

2. Предлагаются феноменологические подели процессов токсиере-ньоа в ГС 1-1лОг. е»5(-Тч И

Модель токоперенооа в ГСТмгС^-1пЯгТя -о субмикрончыы слоем селенида цин."а позволила обойти одну из труднейших технологических проблем - проблему получения относительно нигкоодаых пленок ¿Ь?Л при сравнительно низких температурах ведложев, что во многом обеспечило успех разработки высокочувствительной мишени - аналога ныюикона. . .

3. Впервые проведены систематические исследования процесопв вакуумной конденоации ПТР "Зч^Ы^ТЬ. ,

и в шгооних интервалах твьаератур испарения а кондон-

- А -

сации (от 600° вплоть до темпещтур жидкого азота) .на подле ках различной природы.

4. Впервые доказано, что субшкронный слой селенида цинка я ляется неупорядоченным полупроводником, при отаиге которого возрастает степень его неупорядоченности к изменяется харав тер потенциального рельефа основных зон.•

5. Установлено: •

-ГС ImOs-ZnSe-CZnt-r ~Тг>

является полупроводниковой. системой со сложным характером а ыенення зон по толщине, содержащим случайный потенциал, в fl дарование которого вносят вклад флуктуации ооотава твердого раствора: . • . v _

- ГС TftOj- inSe- С Ъ7/-Х bitT*.),.^ (ТпгТе^у -Т»

содержит высокую концентрацию прамесных уровней, образующих

■примесную зону.. -■■•-..•.■•., . • -

Практическая значимость:

1. Результат« научные исследований использованы,при создана отечественной технологии производства высокочувствительной шень течевизионноГ. передающей трубки типа "ныовикон", разр^ тайной в лаборатории слоистых полупроводников- Санкт-Петербургского технологического института и внедренной в промышл ность- для сери1ього производства. Параметры мишеней не усту vt именцимся в мире аналогам, т.е. японоким "ньювиконаы". Внедрение результатов подтверждено соответствующим актом. '

2. Пред/iosuH способ получения пленок твердых растворов на о нове тзллуридов кадмия и цкака, на который получен патент

й 1912 от 2В.03.92г,

3. Предложен трехтеыпературный способ теплового экрана, поз лягаций управляемо получать пленки твердых растворов 2nhxcJ

. широкого диапазона составов "I" из одного исходного состава твердого раствора или механической смеси ink : CjTe , ростро га фазовая диаграмма зависимости "X",от., температур иопарени ( ¿и ) и зонк теплового экрана и?)....,

Выбраны оптимальные условия получения пленок 1ля

создания промышленных илшеней телевизионных передающих трубок.

Апробздкя работы и публикации. Основные результаты дисоер-. тации докладывались и обсуздалииь на Республиканской и Всесоюзной конференции.

По результатам работы опублиноваио 9 статей и 6 тезисов доклада; получен патент.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из зведв • ния, швоги глав с выводами, заключения и спмоаа литературы, включающего 139 наименований. Основная часаь работы изложена на Т97 отраницах мапиноглсиого-текста. Работа содержит 53 рвоуняэ, 2 таблицы.

СОДШАНИК РАБОТЫ

Во введении рьзкрыта актуальность' тены и сформулирована цель работы.- .

Первая.глава - литературный обаор, в котором обоукдаютчя основные модельпа представления и гарактеристики теории неупорядоченных систем и таории инаенцаоняо-яонтактныЕ явлении} анализируются опубликованные работы и пагенты, посвяшенные . с знорны* направлениям пригэненая я опйосбом пслучаН/я ПТР &?/_(Тп^е3)у и озндаич структур типа М*(х«гТе*)у-Т/т.

Анализ шшгочио ленной яитрратуры по современный ыето-аи молекулярной эпитаксии, маталлооргенической парафаэной эы-твксии, высокочастотному распылению показал, что они олокны, дорогостоящи и испольеуются в основном для получения пленок лишь бинарных соединений аЧ1. Что же касается ПГР А1^1 -А^В^*, то предпочтенче попреннему отдается различным вариантам трах- или двухтеыпературного мвтодов вакуумной конденсации. По конденсации ПТР ^.¿Се/^ имеются "ишь отдельные гу-блинации, результаты которых на ьюгл., Сыть использованы нами механически, а требовалась постановка оыэтематичеоних исследований в этом направлении.

Рассмотрена готероотрунтурная мишень телевпаич-яной зера-даюцей трубки типа " ныов ин он " -(¿п,.^Ю,.Юу

принцип работы, требования й каждому из оьовв.

рель значений "X", "У", структурного совершенства с^оев для получения оптимальных параметров приберов.

Показано, что разработка мишени представляет собой много-, профильную задачу, включающую ьг.атериаловэдческие,физико-химические и технологические проблемы, пробяеш аналитического контроля. Особое место занимают электронные процессы в гетеро-структурах типа 'TnlOi-b!Se-Cbtl.¡í-J„ , которые практически не изучены; исследования процессов токопереноса в ге-терострунтурах подобного рода шеют научный и практический интерес для физики тонких пленок и ддя создания отечественной технологии прошшенного производства высокочувствительных телевизионных передающих трубок. . .......

Детальный сопоставительный анализ данных открытой литературы и патентов по мишени "ньювикона" заставляет относиться к ним в основном как к качественным, ориентировочным, потребовавшие постановки широких самостоятельных исследований.

На основании кзлозеыного сформулированы цели работы.

Во ¿тсрой главе рассмотрены исходные материалы, способы их подготовка; приготовление иоходаых механическиг сшоей Z nTe : CJTe , твердых растворов диаг-

раг'ма состояния системы Хп-Тс , методики синтеза jn¿7i%.'

Описыаются рухтечпературный способ и трехтемпературный способ теплового экрана вакуумного термического кзпарения порошков ?и5е , механических смесей 2пТе. в CJTc порошков Т? С, оригицатьные кварцевые конструкции исаарителей; опециальное устройство, позволившее изменять температуре! подложек {"¿п ) "до температур жидкого азота и тем самым открывающее путь получения фащичес^и новых материалов -. аморфных пленок tf Se и ИГР А3 В - А; 8 .

Совокупность экспериментальных разработок позволила впер-вче провести систематические исагедовачия процессов вакуумной конденсации пленок ínSz , 1ГГР Ъ. в очень широких ин-

тервалах tu, = 60ü°C + Э50°С и in = 600°С i- (-Х70°С); зодясж-ками служили стекло, стекло со слоем Хп^О*, (сигнал0ше пластины - СП). Контроль степени совершенства структуры, ориентация относительно поверхности подложки и химический фа-

зовый состав, всех плсчок. осуществлялся на элекгронографе ЭМР-100 и рентгеновском дйфралтомотре .ПР0Н-2.0 на из-

лученгл с А'I фильтром..."

Изучение электрических параметров гетеросгруктур дроводл-лось в вакуумном t/гяоинерциогнпм криостате (вакуум 3.10"'3На) в температурных янхзрвалах I00K - 275К о терморегулиоование.ч с Л'очностью 0,2 К.

Разработанный измерительный комплекс Шкркдионной спекпро-скогоы позволял исследгва1ь параметра гетеросгруктур на основе ..г'-змерений вольт-амперных характеристик. Он .управлялся SBL1, в том ч^спе ахгоматически ооуществляьпгз? выбор оптимального, , с точки зрьдия погрешности, шаге измеренчй. а учи-гывазсг.ей возможность релаксаций, ".. .'•'■•

Для оценка плотности состояний в запрещенной зоне исполь • зоввлся метод-видьксна. С этоЛ цехь^ была разработана специальная установка, позволявшая проводить измерения без электронного луча. Конструкция у.ггьл obkl опубликована в журнале "Заводская лг.'Зоптория'Ч 1992, Т..58. 154, С.42-43.

-В третьей главе представлены результата комплексных технологических и структурных (электршографических и речтгепо-• фазнух) исследований процессов коядеяоацщг, отр}кт?ры и хима-чеоного фазового состава пленок fnSs , ПТР Ъ*¡.хЫ%Те. , (Ъ, f.c4%Te)t-y (1п<Теду . в широких диапазонах температур от 600 вплоть до температуры аидкого азота. Построена зависимость скорости конд-шеаций пленск ZnSe от температур подложек Vic-fOfTa); показано, что эта зависимость носит сложный ..характер; оценены гракицн четырех температурных облезшей с . различной, зависимостью скорости роста от температуры подложки пра in ~ .¿in■/ = -160ГС - -50°C (постоянная • скорость конденсации^ л tn& = -50°С - 150°С, д -¿ffg ~ = I50°C - 5иО°С; Д^у > 500°. Каадый из у^отков , , описывается экспоненциальной зависимостью Yck (" ) •• Рассчитанные значения Л £ позюлям объяснить характер преввлдроганиеы на каадом •участке одного из процессов - адсорбции, поверхностной диффузии или реиопьрения 2"Se . На ооиовании сопоставления

стзпени совершенства структур! пленок 15? по данным ялект роног^афических и рентгеиофазных исследовании при разных in и с учетом требований промышленной технологии обоснована тем пературные условия дальязйаего получения пленок.

Разработаны двух- и трехтемпэратурный (способ теплового экрала) способы получения ПТР и IITP:-Zv? . Рассмотрен возмоа ный механизм формирования состава газовой фазы и управления ев" при налич-л зоны теплового экрана (зоны дополнительного нагрева) на пути паров компонентов 2 ¡7 , С J ,7е от зоны ecu рения к подлоаке. Предложена конструкция кварцевого испарите ля для реализлдаи способа теплового экрана. Построена фазова диаграмма конденсации П1Р: зависимость состава "X" от темпер тур испарения ("£"•) и экрана (¿э ) при получении ПТР способом теплового экрана. Установлено, что этим способом, регули руя значения "Ьц, nig, могло воспроизводимо получать DTP широкого диапазона составов "X" из исходного материала одноп сссгааа. Построены температурные зависимости V/ка-f С*/гп) npj tie = Сои vf д -fcg - Con vt ; они имеют сложный трудю-объяснимый ия-за многофакторности характер.

Получен патент № 1912 на способ получения аморфных ПТР

с«/х Те.

Рассмя.триваютоя процессы зарождения ПТР (^и^с*/*?*)/-« (Тп^Те^у на подлодке из поликристаллической пленки селенида цинка. . • *

На основании проведенных исследований определены оитимаш ные, с течки зрения совершенотЕа кристаллической crpvKTypu l. технологичности, способы и режимы получения ПТР Те ,

(tcJrTt),„yibiJti)y и пленок сехзнида цинка.

Результаты исследований пррцессов зародышеобразования позволили выявить особенности зародышеобразования и роста пленокна пленках in St . Они сводятся к следующему:

- процесс роста ПТР на поыокке из селенида цинка осуществляется через зародаши разной формы;

- зародыши ПТР ^2г>,_хс«/хI»Jts)y разного размера ориентированы относительно подложки по-разноглу;

- (.Тнг7ё>}д , , 2нрщеннпи на подаозкэ лз се-

ленида цинка, охлажденной до "азотной" томлссатуры, о точки зрения "кристаплйчесиои ооиентаади".более совера^нш, че" пленил, выращенные на нагротсЗ подложке, где существенную роль е процесса;; роста играет, даффусионная коалосц^нпия. . По далным структурных исследований и зависимостям V« (Ухп) выбраны опт шкальные условия получения ИТ? и гетеооструктуры 1пг03- ЪпБе - ПТР / То.

В четвертой главо анализируется характер вольт^шерных характеристик (ЗАХ) для обоих полярностей внешнего напряжения. Показано, что ГО ~Хп . обладает анизотропией

проводимости.

Для интериретации полученных результатов прсонализирогани возможность применения модели дьух вотречно включенных диодов Шоттки /6/ и модзли Пекара /4,5/. Доказана неприменимости

первой. , ........

Демонстрируется, что экспериментальные результаты ::агэ отпето соотгетствуют характеристикам, теоретически получегным на'основе моделй Пекара..

Тассчигрны м^делььо!« параметры ГС. .....

. На основе данных поотр'оена энергетическая диаграмма •пете-Гостргктуры.. Тп^з' ^пИе-Тл •• • ■ В заключении главы делаются, следующие глодц

1. Внутри структуры ТпРг-Ъи-!» . существует, .однородное, неизменное по толщине слоя селенида цинка, этектрическое диффузионное поде,..обусловленное асимметрией, контактов, направленное от индиевого электрода к слою оясида индия.

2. Работа выхода из слоя оксида шдия выше, чем из. индиевого электрода. . ......

3. Проводимость ГС Д^й»Jf-.it с субмадронаым 'слсэм селенида цинка определяется соотношением ра<1от.выхода яс слоев индия, оксида индия и сродством к электрону слоя оеленидь. дайка.

..... -ю - •

Е пятой главе подставлены результаты исследовашй прово димости, спектров' фотолюминесценции и поглощения как: а. обожженной, так а в нео?о\денноА ТСГпг^-2г5ь-2>; анаяиьлругася эгзк'.рочные процессы в указанных гетероструктуpax, -дсагздует? влияние темгературного воздействия ьа электрофизические хара терисгйки слоя, оеленид^цинкг.

Ь работе аоказсао, что слой селенида цинка. является неуч рядоченным полупроводгшкоы, токоперяное в котором осущестьля етсл по крас подавдости. - . *

Полученные результрты позветили сделать вывода. .

1. Пров о дшло jt ъ гетерос?рукт-?ры на основе субыиьронниго слоя селенида цинкь определяется приграничной концентрацией. сойот

..венных или инжектированных аомизлей на край подвижности пол; прсзоднЕка ............... - -................

2. Отлит геъароструктура на. основе дубьшроняого слоя селена да цинка способствует формирован® неоднородности иотекдиаль ного рельефа зон .по-йидиыоыу, аа счет образования ва кансий 'дани. .

3. Изменения потенциального рельефа ьон inSc,, происходящие приотаиге образца, нисяг не только количественны!!, по и. качественный характер. . • ; . . ;

В шестой- главе .-приводятся результаты наследований Bi> X, ■ температурах.■-зависимостей проводикэсти/ Ожз-ипектроснопии, рентгенофазного'-агзлиза, термолшинс'сцеации и фотопроводимости в до'амичеоком и стяциснарном режимах;' 'анализируются' эле.:: рошше процессы в>С Ъг°>- (hiTcJz -In.....;

Согласно.предетавлейным в"шёотом разделе данным,..ГС ' , lnt0y Ink' (Su,., Т*.)/ .<f(l4t7fj,)y -In являет ся' Неупорядоченным полупроводника".. Полагается, .что основной вклад в' создание потенциального, рельефа" вносят флуктуации-..состава-'плёнок твер хл'л растворов. ' . ..1 ° " ' ' "-'-и

На основе получениях в настоящей работе данных-'построена эне;;^т;:чяская Диаграмма ГС JntOy- 2»£e~(tH/. ^С^хТе) ¡.у •

Глава заканчивается выводами:

ГС 1ч2 С-Тп

¡ляется сложной полупроводниковой, системой.со сложным харак-¡ром изменения зон по толщине, содержащим случайный потен-

ЮЛ.

Основной вклад в формирование случаУчого потенциала гете-»структуры вносят флуктуации состава слоя твердого раствора. ТеМПОВОЙ ток ГС .Т'1гОу-:1пк~(Ъ,1, ^„Те^С^ Те^-Тп .

ж малых внешних.смещениях определяемся обедненными областя-I в. слое твердого раствора,-соответственно, вблизи слоя се-¡рида цинка для положительной полярности и вблизи индиевого

1екгарода - для отрицательной. ..........

ГС .содержит высокую

>чцентрацию примесных уровней, образующих примесную зону, жопереноо по которой опрьделает темяозую проводимость гете-»структуры при низких температурах.

В области высоких внешних смещений проводимость ГС ......

определяется инжекци-

I дьрок в слой твердого раствора.

• *

ВЫВОДЫ

Впервые проведены систёйатичесвпе исследования процессов шуумной конденсации пленок твердых растворов Й^-х^х?* . Ящ.^кТг),^ (Т^Тёз)^ и . в шлрокят интервалах ¡мператур испарения и конденсации .(от 600°С вплоть до тем-¡ратур яядкого азота) на яоддож-ах-различной природы (стек!, стекле со слоем оксида ездит.)» .......

Построена феноменологическая модель процессов иокопереяо-I в гетёроструктурэ Т^С^-Е^Л-Л установлен механизм то-»прохождения; построена эпергетическйя зонная диаграмма.

Установлено, что процессы токопсрзйоса в гетероструктурв 1г0у 2п5е-Ц, с субмшдоннны слсзм селенщй цинка могут иь с успехом интерпретированы на основе теории Пекара. Впервые доказано, что субмикрояный слой селенида цинка |ляется неулорядочзнным полупроводником, при отжиге котооо-

го возрастает степень его неупорядочешюохи и изменяется я роктер.потенциального рельефа осноБша зон. 5. Построена феноменологическая модель процессов токопере* в гетеромруктуре

установлен механизм токопрохождения; построен« энергетчче! зоннеч диагуажа......

С. Установлено., что гетероструктура Тпгрз-^St- (Я*!-^* (■Тп?7*})у'Т-> является полупроводниковой системой со слозс характером изменения зоа wo толщине, содержащий случайный тенциал, з формирование которого вносят вклад флуктуации оте^а. сг.оя твердого раствора. .

7. Впервые показано, что гетероструктура Tvfly^iSе-iXnJe^'Ifi). о одержат высокую концентрацию примесных уро образую^ примесную зону, токопереноо по которой оцредэл темновую проводимость гетероструктурв при низких температ 2. Предложен способ получения аморфных пленок твердых рас ров ка основ« теллурядов цинка и кадалч. Получен патент №1912 от.26.03.92г. :.■...'/. . .

9. Предложен тре*текперкгурдай способ тяплового э прела, х лявщвй управляемо Трлучвть плеаки твердых растворов

. шадокрго ^иглазо/т состав оЗ' "i". из. ojporo m ного состава твердого ремвора или механической смеси • 2« Те : CcfTk :. - •......

10Научные й-практические Результаты явились составной частью разработки, и создания промышленной Технологии оте' ванных,высокочувствительных телевизионных передающих тру отвечающих уровнш мировых стандартов. •'• .'.:..'..

Получен' акт. внедрения результатов яа Нальчикском эле вакуумном заводе. •

_ • ' Литература

1. '«отт Я.,-Дэвис Э. Электронные псоцессы в некристаллич ких в-кестзах. Пер. с англ./Под ред. Б.Т.Коломийца, -" -Уда. 1Э82. г 662 с.

2. ^¿лозский Б.И., Эфрос А.Л. Элелтрончые свойства легщ ванных папу проводников. М. :Наука, 1979. - 116

- n -

3. Шик А.Я. Кинетические явления'в неоднородных полупроводниках //Неоднородные и примесигэ полупроводники! во внешних

. полях. Кыиинев: Штиияца,. I979'.'>,C.2&-4<î;v. ^

4.' Пекар'С.Й. Элв1:тропроводаоогА,"|Г(йкЙс'" цлаошг полупр.овод-■ пика и эффект Пула //ЖЭТФ. - 1941.' - Т.11/ внз.6.' - • '

. с.706-708. . ..".'. ' '■-'■.rJ:'

5. Зюгадог .А.Н., Срдчяиков С.В.' Инхекциокногконтактяне явления в полупроводниках. Киев: "Наукова думка", -IS8I. -¿6Сс.

6. Мялн'с А., ФоИхт Д. Гетеропереходы иперехода металл-полупроводник. - М.:Мир, 1975. - 432 с.

. Основные результаты диссертация опубликованы.в следующих., печатных рабогах:, .

1. Белгев А.П., Рубец .В П. , Тошходааев Х.А., Муравье! a K.K'. , * Калинкин'И.П. Процессы токотрзноса в пленках Ha осн'ойё' теллурида кадмия синте'зировай''при ншйгх температурах' г эпитаксии. h Тезисы докл.Республиканской научно-праади^ео^' • кой конференции молодых ученых и специалготов. Душанбе, . '1900, C.76-7Ö. '

2. Беляев А.Л., Калинкин И.П., Тот;одг.аев Х.А., Рубец В.П., Муравьева U.K. ¡Особенности предста£^ен:^я процессов тс:;о-перзнооа в неоднородных полупроводниках .нл осчове >еллури-' да кадмия.//Тезизн докл. Всесоюзной научной конференции по

' фотоэлектрически?" явлениям в полупроводнике*. Ташем:, ' '' 1989, с.377. .

3. Беляев А.Л.,.Тошходкаев Х.А., Калинкин'И.П. Неравновесные процессы в неоднородных пофпроводачках ,на основе теллурида кадмия.//Тезисы докл.ВсеооюзноЙ научной конферен-

• ции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ташкент, 1989, с. 100-401. ' - *

4. Беляев А.П., Тошходааев ХД..' Калинкин И.П. Ияхекциошше токи в тверда* растворах на основе теллздркда Ш-яка и кад-мчя. Деп. в ВИНИТИ 25.07.90т, В 119е-Р90., г.Москва.

5. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П., Топкоджаеэ Х.А. Вакуумный сшлеа ориентированных пленок АпВ6 на подложках, охлажденных до отрицательных температур.//Тезисы докл.

.. ..... .r И -

Ш Всесоюзной конференции аофизудае и технологии тонких полупроьодаиковгл пленок. Ивано-Франковск, 1990, 4.I 0.8S 3. Беляев-АЛ., Кадиькин И.П. .ТошходкаевХ.А. Анизотропия проводи№сти и другие электрофизические свойства пленок . тверлге раотворов-на основе теллурвда кадмия с-пн$гез^сврн: dux на подлсыке еххляденной до отрицательных тешератур.. //Тезисы докл.,Л Бее союзной конфеоенцли по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок. Ивано-Фтшкоьок, 1990, 4.Q., о,24Э. ' .

7. Получен патент $ 1ЭТ2 of 26.0-3.92г.

Беляьв А.П., Тошходдаев Х.А., Калинкин И.П.. Способ получе-- ния аморфных пленок твердых растворов на основе теллури-дов кадмия-. и цинка. . .

8. Беляев А.П., Ефимов Г.А., Калинчия И.ПЛ, Тошходкаев Х.А. Фотоэлектрические свойства гетероолуктурм, легэльзуемой для выоокэчувмвят'зхьнр^мишени типа "ньюкоовик^н".Деп. "_

. в £МГГИ 05.07.9Ii. if' 2873-B9I, г.Москва. . . . .

9. Беляев А П., Ру'бе:; В.П..Тошходкаев Х.А., Калинкин HiП. Электр! ф4зяче«ив свойства Дальних гитероотруктур на основе теллуридсш квтъл и цинка. Деп. в_ Б'ЛНйТИ 09.ТО. 91г. , й 3907-B9I, •....'. *'. ■ ■ •

10. Беляев А.П., Тблходкаев Х*.А , Калыкян И.Й. Электршесг. киз овойстза наодаородных полуптзоьодаиков # .: //Материала.республиканской научно-практячеокой конференции молодых ученых я специалистов Тадкикгстана.

.' Ленинабад, .1990, с.49.. . ' .

11. Беляев А.П., Рубец В.П., "Тотходшев Х.А., Калинкин И.П. Элокгрофизичьскче овоЕотва гетероструктур; Jh-OyinSi'Trt и влияние ла них- обжига. Дэп. в ВИР.ИГИ 26.03.SC2r.,

Ji I043-B92;' ' . • ' ■ ■ - 12. Беляев А.П., Тошходкаев X;AJ, Калинкин И.П. Влияние условий получения на фотоэлектрические свойства гетерсотрук-1 vp (Я&Щ)^. //И?в. АН СССР,

¿.урнал оерия "Неорганические материалы". Т;28 - ii 7, ' 1992. C.I575-I576.