Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

СТУКОВА Елена Владимировна

ПОВЕДЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ В НАНОРАЗМЕРНЫХ СИЛИКАТНЫХ МАТРИЦАХ

(01.04.10 - физика полупроводников)

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Благовещенск — 2006

Работа выполнена на кафедре общей физики Благовещенского государственного педагогического университета им. М.И. Калинина

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук, профессор С.В. Барышников

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор М.И. Костенко; кандидат физико-математических наук, доцент В.Ф. Ульянычева

Ведущая организация

Дальневосточный государственный университет путей сообщения, г.Хабаровск

Защита состоится 24 ноября 2006г. в 10.00 часов на заседании регионального диссертационного совета ДМ 212.006.02 при Амурском государственном университете по адресу: 675027 г. Благовещенск, Игнатьев-ское шоссе, 21, конференцзал АмГУ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Амурского государственного университета

Автореферат разослан «с^ » (^-еПМ^М 2006г.

¡г

Ученый секретарь диссертационного совета ДМ 212.006.02,

кандидат физико-математических наук

И.Е. Еремин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы

В настоящее время большой интерес вызывают исследования физических свойств систем пониженной размерности — малых частиц, тонких пленок, нитей. Многочисленные теоретические и экспериментальные исследования посвящены изменениям физических характеристик отдельных малых частиц, а также частиц, полученных путем внедрения вещества в пористые матрицы, размер пор которых лежит в нанометровом диапазоне. Влияние ограниченных размеров изучалось для веществ, обладающих самыми различными свойствами: сверхпроводников, ферромагнетиков, сег-нетоэлектриков, жидких кристаллов. Были обнаружены значительные размерные эффекты, в том числе вблизи фазовых переходов. Изменения ряда свойств индуцированные ограниченными размерами соответствовали теоретическим представлениям, развитым для изолированных малых частиц. Так, например, понижение температур плавления 1п и ва в малых порах согласуется с моделями плавления сферических наночастиц [1]. Однако в случае перехода ва в сверхпроводящее состояние взаимодействие частиц в порах играет определяющую роль [2].

Свойства сегнетоэлектриков, введенных в пористые матрицы, исследованы сравнительно мало. Это в значительной степени обусловлено сложностью введения сегнетоэлектрических материалов в поры. Ряд работ посвящен исследованию нитрита натрия, введенного в искусственные опалы, пористые стекла и силикатные матрицы. Был обнаружен значительный рост диэлектрической проницаемости в нанопористых матрицах, заполненных ИаИОг, по сравнению с объемным нитритом натрия. Однако, в [3] наблюдалась также временная эволюция диэлектрической проницаемости к значениям в объемном образце. Методом дифракции нейтронов для КаЖ>2 в пористом стекле в работе [4] был обнаружен эффект аномального увеличения амплитуды колебаний натрия при температурах, превышающих температуры структурных фазовых переходов. Результаты измерений спиновой релаксации 23Ыа в работе [5] были интерпретированы авторами как следствие постепенного размягчения кристаллической решетки Ыа>Ю2, введенного в пористое стекло. Состояние предплавления было приписано авторами [5] всему количеству ЫаЫОг в порах, что соответствовало отсутствию сегнетоэлектрического фазового перехода для ИаМ02 в ограниченной геометрии. В то же время в [3] сообщалось о наблюдении пика спин-решеточной релаксации, соответствующего сегнетоэлектриче-скому фазовому переходу для ЫаЫОг в пористом стекле и молекулярных решетках. Таким образом, выводы работ, посвященных изучению свойств №N02 в нанопористых матрицах, противоречивы и требуют дальнейших исследований. По другим водорастворимым сегнетоэлектрикам, таким как КЫОз, КОР, ТГС, данные вообще отсутствуют.

Целью диссертационной работы является исследование свойств сегнетоэлектриков, внедренных в мезопористые силикатные матрицы с различными размерами пор: 8ВА15 — размер пор 52А, МСМ-41(С-16) — размер пор 37А, МСМ-41(С -14) - размер пор 26,1 А и МСМ-41 (С-12) -размер пор 23,8А и 20А.

В качестве объекта исследования были выбраны водорастворимые сегнетоэлектрики с различной структурой: №N02, КЪЮ3 и (ЫН2СНС00Н)з Н2804 (ТГС).

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методику внедрения сегнетоэлектриков в пористые на-норазмерные матрицы.

2. 1 Исследовать температурно-частотную зависимость комплексной ди-

электрической проницаемости матриц, заполненных сегнетоэлек-триком.

3. Решить задачу о вычислении эффективной диэлектрической проницаемости заполненных гексагональных матриц и обратную задачу нахождения свойств внедренного сегнетоэлектрика по эффективной комплексной проницаемости заполненной матрицы. ,

4. Изучить влияние размера пор на свойства внедренного сегнетоэлектрика: диэлектрическую проницаемость, проводимость и температуру сегнетоэлектрического фазового перехода.

5. Сопоставить полученные экспериментальные результаты с теоретическими оценками и результатами работ других авторов.

Научная новизна

Впервые исследовано поведение нитрата калия и триглицинсульфа-та в мезопористых силикатных матрицах с размером пор 20-52А. Впервые обнаружено увеличение температуры сегнетоэлектрического фазового перехода ЫаЫОг с уменьшением размера пор. Впервые обнаружена зависимость диэлектрической проницаемости и проводимости внедренного сегнетоэлектрика от удельной поверхности пор.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Из температурного хода комплексной диэлектрической проницаемости для ИаИОг на частотах 102, 103, 104, 106Гц показано, что между увеличением проводимости и диэлектрической проницаемости наблюдается прямо пропорциональная зависимость. Последнее свидетельствует о том, что за рост £>, несет ответственность поляризация Максвелла-

Вагнера.

2. Показано, что при низких температурах (Т<150К) расчетное значение проводимости для NaNC>2 в порах имеет тот же порядок, что для чистого поликристаллического NaN02. При более высоких температурах наблюдается рост проводимости, и при Т>300 К проводимость NaN02 в порах примерно на два порядка выше проводимости чистого нитрита натрия.

3. Исследована зависимость температуры фазового перехода от размера пор силикатных матриц для NaN02. Показано, что уменьшение размера пор приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, энергии активации (Еа = 0,874эВ для 52Á, Еа = 0,774эВ и для 37Á; Еа = 0,467эВ для 20Á) и к сдвигу сегнетоэлектрического перехода в область более высоких температур.

4. Обнаружено, что для ТГС с уменьшением размера пор уменьшается энергия активации (Еа — 0,624 эВ для 37Аи£'а = 0,417эВ для 20Á). Для матриц с размером пор 20Á аномалия е' в области фазового перехода исчезает. Из чего можно сделать вывод, что для частиц ТГС такого размера невозможно существование сегнетоэлектрического фазового, перехода.

Практическая и научная значимость

Сегнетоэлектричество относится к классу кооперативных эффектов, для которых возможно существенное различие величины параметра порядка вблизи поверхности образца и в его объеме. По этой причине прогнозируется фундаментальный размерный эффект при уменьшении объема образца. Исследования в этом направлении активно стимулируются широким спектром практических применений сегнетоэлектриков, развивающихся в направлении все большей миниатюризации соответствующих устройств. В связи с этим становится принципиально важным вопрос о существовании критических размеров образцов, ниже которых сегнето-электрические свойства меняются или вообще исчезают.

Значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они существенно расширяют и уточняют представления о влиянии размера частиц на сегнетоэлектрические свойства NaN02, KNO3 и ТГС, что является важным как в общефизическом плане, так и в плане конкретных приложений.

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались на: VIII Российско-китайском симпозиуме "Новые материалы и технологии" (Китай, Гу-ан-Чжоу, 2005); Международном симпозиуме "Принципы и процессы создания неорганических материалов" (III Самсоновские чтения Хабаровск,

<

2006); XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Пенза, 2005); шестой Всероссийской научно-технической конференции «Теоретические и прикладные вопросы современных информационных технологий» (Улан-Удэ, 2005); пятой и шестой региональных научных конференциях «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Хабаровск, 2005; Благовещенск, 2006); шестой и седьмой региональных научно-практических конференциях «Молодёжь XXI века: шаг в будущее» (Благовещенск, 2005, 2006).

Объем работы и её структура

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, включает 4 таблицы, 52 рисунка и библиографию из 197 наименований. Общий объём диссертации - 132 стр. машинописного текста.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснованы выбор направления и актуальность проведенных исследований. Сформулированы цель и задачи работы, указаны новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава «Геометрический эффект в физике твердого тела» представляет собой обзор существующих в настоящее время теоретических подходов к описанию геометрического эффекта в физике твердого тела вообще и сегнетоэлектриках в частности. В этой главе приводятся также экспериментальные результаты влияния размера частиц на теплофи-зические и электрофизические свойства, полученные для различного типа сегнетоэлектриков.

Анализ накопленных экспериментальных результатов показывает, что в нанокристаллическом твердом теле помимо размера зерна (как в изолированных наночастицах) важную роль играют структура и состояние границ раздела (границ зерен). Особенно отчетливо влияние границ раздела на структуру и свойства проявляется в наноматериалах, полученных ком-пактированием или интенсивной пластической деформацией.

Для теоретического осмысления экспериментальных результатов, полученных на компактных нанокристаллических материалах, важное значение имеет разделение поверхностных (связанных с границами раздела) и объемных (связанных с размерами зерен) эффектов. В настоящее время эта задача далека от полного разрешения. В целом, уровень теоретического понимания и объяснения строения и свойств компактных нанокристаллических материалов заметно ниже по сравнению с изолированными наноча-стицами.

При сокращении размеров кристалла в одном, в двух или в трех измерениях (пленка, нить, сфера) из-за отсутствия трансляционной симметрии в анализе динамики решеточных колебаний нельзя уже использовать циклические условия Борна-Кармана. Последние должны быть заменены граничными условиями на поверхности. В результате, прежде всего не реализуются длинные волны с X/2>d (q<it/d), где d — меньший размер, a q = "2ж/Х — волновой вектор. Из спектра колебаний выпадают некоторые частоты. Это сказывается только на тех ветвях решеточных колебаний, для которых cc(q) в диапазоне 0<q<it/d имеют особенности. В частности,- тело малых размеров нельзя заставить механически колебаться на низких частотах. В обычных кристаллах оптические ветви LO и ТО почти не имеют дисперсии и на них такое отсечение почти не влияет. В сегнетоэлектриках благодаря большой роли дальнодейстаующих кулоновских сил частота ветви ТО для длинных волн резко гадает и размер d может существенно влиять на спектр решеточных колебаний.

Второе следствие ограничения размеров кристалла заключается в появлении новых частот, связанных с поверхностными волнами. Эти колебания быстро затухают по направлению нормали к поверхности; в одномерном случае они имеют локальный характер. Энергетический спектр подобных «поверхностных фононов» своеобразен: одна из его ветвей в предельном случае длинных волн переходит в известные поверхностные релеевские волны. Другие колебания образуют особые поверхностные оптические ветви.

В последние годы существенно возросло количество работ, посвященных исследованию размерных эффектов в сегнетоэлектриках. Сегне-тоэлектричество относится к классу кооперативных эффектов, для которых возможно существенное различие величины параметра порядка вблизи поверхности образца и в его объеме. В связи с этим становится принципиально важным вопрос о существовании критических размеров образцов, ниже которых сегнетоэлектрические фазовые переходы и соответствующие свойства не проявляются.

Несмотря на то, что работы по исследованию сегнетоэлектрических наноструктур начались сравнительно недавно, накопленный материал позволяет сделать ряд выводов.

1. Феноменологическая теория Ландау-Гинзбурга, динамическая теория Гинзбурга - Андерсена - Кокрена и микроскопическая теория аЪ initio указывают на возможность существования критического размера Lcr в сегнетоэлектричестве.

I "" - •

2. Для перовскитовых сегнетоэлектриков экспериментальные данные, полученные разными авторами, дают разброс Lcr в пределах 1,2-5нм. Показано что на результаты измерений влияют также дефектная структура и утечки, ускоряющие релаксацию поляризации. Роль

7

электродов изучена пока недостаточно, а наличие туннельного тока, искажающего петли гистерезиса, может завышать значения Ьсг.

3. Эксперимент показал, что в полимерных сегнетоэлектрических пленках, выращенных методом Ленгмюра-Блоджетт, критический размер отсутствует.

4. Существуют только единичные работы по исследованию «размерных» эффектов в водорастворимых сегнетоэлектриках типа №N02, КГГОзиТГС.

Во второй главе «Основные свойства исследуемых сегнетоэлектриков и методика эксперимента» приведены основные характеристики используемых в эксперименте сегнетоэлектриков (№N02, КИОз и ТГС), изложена методика приготовления образцов и методика исследования свойств заполненных силикатных матриц.

В качестве матриц использовались БВА-15 - 52А, МСМ-41(С-16) -, 37А, МСМ-41(С-14) - 26,1А и МСМ-41(С-12) - 20А, 23,8А. Внедрения исследуемого вещества (№Ж)2, КК03 и ТГС) в поры осуществлялись из водного раствора. Сегнетоэлектрик растворялся в дистиллированной воде до получения насыщенного раствора. Порошок мезопористого вещества засыпался в раствор так, чтобы весь раствор проник в поры, после чего смесь высушивалась. Из приготовленного порошка при давлении 6000-7000кг/см2 прессовались образцы в виде таблеток диаметром 8-1 Омм.

Диэлектрические измерения проводились на частотах 102, 103, 104 и 106Гц. На частотах 102, 103, 104Гц использовался измеритель импеданса Е7-14, на частоте 10бГц — Е7-12. В качестве электродов применялась 1п-Оа паста. Перед измерениями для удаления адсорбированной воды: образцы №N02, КМ03 прогревались до температуры 400-410К, образцы ТГС подвергались вакуумной сушке. Измерения при низких температурах проводились с откачкой до давления ~ 10"2мм.рт.ст. Исследования проводились в температурном интервале, перекрывающем температуру сегнетоэлек-трического фазового перехода для соответствующего образца. Температурная стабилизация составляла порядка 0,5К.

В третьей главе «Расчет диэлектрических свойств наполнителя через эффективные параметры матрицы» рассматривается вопрос о диэлектрической проницаемости неоднородных структур. Приводится полученное автором решение задачи о вычислении комплексной диэлектрической проницаемости внедренного сегнетоэлектрика по эффективной проницаемости заполненной матрицы.

Свойства гексагональной структуры неоднородного диэлектрика, состоящего из двух компонентов — матрицы и одинаковых параллельных включений, (для двухмерного случая) были исследованы в работах Ю.Л. Емца. В нашей работе решается задача о нахождении комплексной

диэлектрической проницаемости прессованного образца (трехмерный случай) заполненного сегнетоэлектрическими включениями.

Для двухкомпонентной системы с малым коэффициентом заполнения (8<0,5) можно записать

1 —аД125 1 — /?Д|25

'Фу

(1)

Л

12

'2 и 5 — концентрация включении с проницаемостью е2, где а и р — численные параметры, а+р = 2, а - 4/3. Численные значения параметров а и Р характеризуют макроскопическую анизотропию композитного материала. Следует отметить, что для композитных материалов, которые в среднем изотропны, эти параметры равны друг другу а ~р = 1. Для материалов же, которые после усреднения приобретают анизотропные свойства с&Р, причем выполняется строгое равенство а+Р = 2.

Для вычисления полного тензора диэлектрической проницаемости £

необходимо учесть еще . Вдоль оси 2 эффективная проницаемость определяется как система параллельно включенных конденсаторов и будет описываться соотношением

Тензор диэлектрической проницаемости будет определяться через диаго-

нальные члены.

е -

еа О О

о ^ о

О 0 £

и/

(3)

При использовании прессованных образцов, где зерна имеют хаотическое распределение, из формул (1,3,4) после усреднения получаем:

- 1/ , 1

ЕеЖ - 2 + £е&У + ВФ* ' ~ 3

£ -!£— + £ - 12 +

1+у5д125 '1 + аА^ 2

v ■

у (4)

Учитывая, что для гексагональной структуры, а - 4/3 и р = 2/3 имеем:

ех( 18—20(а1Гу)*

'еЯ

9 + 18А125 + 8(Д125)2

ч У

(5)

(6)

В случае комплексной диэлектрической проницаемости и малого коэффициента заполнения для гексагональной матрицы можно записать:

ц-мМ (1_д)+4,

х9 +18Д,25 + 8уА125) £\

Исходя из формулы (6) можно решить обратную задачу для нахождения диэлектрических свойств включений е'2ие1- Если предположить,

что в плоскостиХУ матрица изотропна а = /? = 1, то из (6) получаем:

2s(t-s) VI ¿(l-s)

3ê

где 5Я = —— — (1 — $) •

¿,2

2(l-s)+

2s(l-.s)

(7)

. Запись соотношения (7) через компоненты диэлектрических прони-цаемостей наполнителя е'2 us"имеет громоздкий вид и поэтому здесь не

приводится. Однако, используя соотношение (7), можно непосредственно производить вычисления на компьютере в программе MatLab, которая позволяет оперировать с комплексными числами.

В четвертой главе «Поведение сегнетоэлектриков в порах малых размеров» представлены результаты диэлектрических исследований молекулярных решеток SBA-15 и МСМ-41 с различным размером каналов-пор, заполненных сегнетоэлектриком. По экспериментальным данным для диэлектрической проницаемости и проводимости композита рассчитаны температурные зависимости проницаемости и проводимости для NaN02, KNO3и TTC в порах.

Как показали исследования, для мезопористых силикатных матриц, заполненных нитритом натрия, при первом прогревании максимум диэлектрической проницаемости ярко выражен. Однако, при последующих циклах нагрев-охлаждение максимум уменьшается и размывается, становясь незначительным, начиная с пятого-шестого цикла. Из результатов, представленных на рис. 1, следует, что е' пористой матрицы заполненной NaN02B точке фазового перехода достигает 103, в то время как для прессованного поликристаллического NaN02 она порядка 100, кроме того, для исследованных образцов наблюдается сильная частотная дисперсия релаксационного типа (рис. 2)

12001

¿1000

о

10т ё ю

|в-

ю4

£ ю

пз

я к л

0 Си С

* 10 Я

1 »0»

I 10

380 400 420 . Температура К

440

300

—г—1-1

420 460 Температура К

~340

-1—1—

380

Рис. 2. е'(Т) для МСМ-41 (37А) с №N02, измеренные на различных частотах при третьем проходе: 1 - 100Гц; 2 - 1кГц; 3 - ЮкГц; 4 - 1МГц

Рис.1 е\Т) для МСМ-41 (37А) с NaN02, на частоте 1МГц, цифра около кривой показывает номер прохода, 0 - соответствует е\Т) поликристаллического КаЯ02

Для определения зависимости температуры сегнетоэлектрического фазовоТо перехода от размера пор использовались образцы, в одинаковых условиях при первом или втором прогревах. Нарис. 3 при веден температурный ход диэлектрической проницаемости №М02в порах ГазныГразмеров Для расчетов е' использовались соотношения, подученные ^ мат^вды гексагональной структуры с заполнением в виде параллельных цилиндрических включений (см. глава 3). Как следует из

рис. 3, с уменьшением размера пор температура фазового перехода увеличивается, а диэлектрическая проницаемость уменьшается. Помимо снижения значений е' уменьшается энергия активации: Еа = 0,874эВ для 52 А; Еа = 0,774эВ для 37А; Еа = 0,467эВ для 20А.

320

360

400 440 Темхсратура, К

Рис. 3. Расчетные значения е' для в порах

. разных размеров: 1 - 52А; 2 - 37А; 3 - 20А

Для выявления причин, влияющих на значение диэлектрической проницаемости и проводимости, были проведены исследования для матриц, отличающихся не только размерами пор, но и удельной площадью свободной поверхности. Измерения проводились в широком температурном интервале 77-545К. Параметры используемых матриц приведены в таблице (где с1 - размер пор, Б - удельная поверхность каналов, V — удель-

1 № * | матрицы Матрица а, А 8, м2/г V, см3/г

I 1 МСМ-41 (С-12) 20,3 660 0,57 |

1 2 МСМ-41 (С-12) 23,8 951 0,65

1 3 МСМ-41 (С-14) 26,1 1150 0,81

I 4 МСМ-41 (С -16) 37 988 0,90

Как показали исследования, для матриц МСМ-41, заполненных нитритом натрия, начиная с некоторой температуры (~ 150К) наблюдается значительное возрастание е' и (gS. Результаты вычислений е' и а для первого прогрева Ка>Ю2 в матрицах с различными параметрами представлены на рис. 4.

100

тс

£

10 1

од 0,01 '0,001

320 360 400 440 ••'■••. Температура К

480.

100 200 300 .400 Температура К

500

Рис.4. Расчетные значения е'(Т) и а(Т) для №К02, в матрицах с различным размером пор (первый проход). Номера кривых соответствуют номеру матрицы в таблице. Кривая 5 соответствует проводимости поликристалличе-, ского №N(>2

При низких температурах (Т<150К) расчетное значение проводимости для ЫаЖ)2 в порах имеет тот же порядок, что для поликристаллического №>Ю2. При более высоких температурах наблюдается рост проводимости, и при Т>300К проводимость ЫаЙ02 в порах примерно на два порядка выше проводимости поликристаллического нитрита натрия. Ак-

1 ИОПОЛ ириомдшуши 10 и х »V»««»»»/ V » — - I-----1 7

но и от удельной поверхности каналов. Между увеличением проводимости и диэлектрической проницаемости наблюдается прямо пропорциональная зависимость, свидетельствующая о том, что за рост е', действительно, несет ответственность поляризация Максвелла-Вагнера.

ЯМР исследования спин-решеточной релаксации ядер 23Ма выявили две ступени релаксационного процесса с различающимися на два порядка скоростями релаксации. Короткая компонента релаксации соответствует узкой компоненте линии ЯМР, а длинная - широкой объемоподобной компоненте линии ЯМР. Из полученных результатов следует, что скорость медленной компоненты релаксации имеет температурную зависимость, аналогичную релаксации в объемном нитрите натрия. Этот результат согласуется с данными, опубликованными ранее для ЫаЫОг, внедренного в пористое стекло [5] с размером пор около 80А.

Большие значения времен релаксации для остальной части №N02, имеющие тот же порядок величины, что и спин-решеточная релаксация 23Иа в вязких жидкостях, указывают на быстрое молекулярное движение. Обнаруженное методом ЯМР сосуществование расплавленного и объемо-подобного нитрита натрия в порах позволяет объяснить аномально высокие значения диэлектрической проницаемости для образцов мезопористых решеток, заполненных ИаКОг- Для анализа результатов по диэлектрическим измерениям следует учитывать, что исследуемые образцы состоят из частей, имеющих различную проводимость и диэлектрические свойства что приводит к Максвелл-Вагнеровской релаксации.

Одним из результатов настоящей работы является вывод о сосуществовании в нанопорах объемоподобной сегнетоэлектрической и расплавленной фаз нитрита натрия. Обращает на себя внимание тот факт, что температура сегнетоэлектрического фазового перехода в порах незначительно смещается относительно температуры фазового перехода для объемного нитрита натрия, несмотря на малые размеры частиц и наличие расплавленной фазы. Можно предположить, что сегнетоэлектрическая фаза стабилизируется взаимодействием частиц в порах между собой, как это наблюдалось для сверхпроводящего фазового перехода.

Как показали исследования, для триглицинсульфата в матрицах с размером пор 52А в районе сегнетоэлектрического фазового перехода на частоте 104Гц е' составляет 4000-4500, в то время как для поликристаллического образца ТГС это значение составляет 70-80. Кроме роста проницаемости для этих образцов наблюдается значительное увеличение мнимой части диэлектрической проницаемости по сравнению с образцом поликристаллического ТГС, что связано с увеличением проводимости (рис. 5).

Со временем в образцах наблюдается уменьшение значений диэлектрической проницаемости. Процесс «старения» в зависимости от темпера-

туры может длиться от нескольких часов до месяцев. Было замечено, что при попытке поляризации образцов постоянным полем с напряженностью 2кВ/см скорость «старения» резко увеличивается.

5000

4000-

зооо-

2000-

1000-

е ю'п 1

¡10*-&103-|юг I 10

Л

й О

300

310

320 330 Температура, К

Рис. 5. Пересчитанные значения е'(1) и е'УЮ (2) для ТГС в порах размером 5 2 А, на частоте ЮкГц

340

290 300 310 32 0 33 0 34 0 350 Темшратура, К

Рис. 6. е'(Т) на частоте ЮкГц: 1 -монокристаллический ТГС; 2 - ТГС в матрице МСМ-41 (37А); 3 - ТГС в матрице МСМ-41 (20 А)

9-10 1

По мере уменьшения размера пор (37А, 20А) наблюдается возрастание ионно-миграционной поляризации, а аномалия диэлектрической проницаемости в районе фазового перехода исчезает (рис. 6).

Для исследования КЫОз в порах использовались те же мезопористые матрицы, что и для других сегнетоэлектриков. Исследование диэлектрических свойств проводилось на частотах 102, 103, 104, 106Гц.

На рис. 7 показаны расчетные значения е' для КЫ03 в порах. В районе сегнетоэлектрического фазового перехода на частоте 103Гц проницаемость ЮЧОз в силикатных матрицах с порами 20А достигает ~9-107, с ростом частоты эти значения резко уменьшаются. Кроме роста проницаемости для этих образцов наблюдается значительное увеличение тангенса диэлектрических по сравнению с образцом поликристаллического ККОз, значения tgS которого на

340 380 Температура, К

Рис. 7. Температурный ход диэлектрической проницаемости для ; образца КЫ03 в порах 20А на частотах: 1.— 1кГц и 2 — ЮкГц.

низких частотах составляют. ~ 10^-10"7. Возрастание эффективной проницаемости, как и в случае

с №N02, может быть объяснено ослаблением химических связей и миграцией ионов внутри пор, что приводит к появлению Максвелл-Вагнеровской поляризации.

Следует отметить, что на низких частотах для КЫОз наблюдается более значительное возрастание е', чем для №N02. Это можно объяснить большей подвижностью ионов калия в порах по сравнению с ионами натрия. Так же как и для ШЫ02 у образцов КИОз с уменьшением размера пор уменьшается энергия активации: для 37А Еа = 0,279эВ, для 20А Еа — 0,158эВ. Из низкотемпературных измерений следует, что для КЫОз и №N02 существует некоторая температура «активации», ниже которой диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика в порах не отличается от е'чистого сегнетоэлектрика (рис.8, 9).

50 90 130 170 210 250 290 Температура, К

У

90 130 170 210 250 290 Темгвратура, К

Рис. 8. Температурный ход е' на частоте 1МГц: I - поликристаллический №N02, 2 — №N02 в матрице МСМ-41 (20А)

Рис. 9. Температурный ход е' на частоте 1МГц: 1 - поликристаллический КЛ^Оз, 2 - КЖ>3 в матрице МСМ-41 (20А)

Со временем в образцах КЖ)3, как и в остальных сегнетоэлектри-ках, наблюдается процесс «старения», который приводит к уменьшению с', tgS и увеличению энергии активации.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ

Экспериментально исследовано изменение свойств водорастворимых сегнетоэлектриков: №К02, ККОз и ТГС, внедренных в наноразмер-ные силикатные матрицы. Получены следующие результаты.

1. Разработана методика внедрения сегнетоэлектриков в мезопористые силикатные матрицы: 8ВА-15, МСМ-41(С-16), МСМ-41 (С-14), МСМ-41 (С-12).

2. Решена задача о вычислении эффективной диэлектрической проницаемости заполненных гексагональных матриц и обратная задача нахождения свойств внедренного сегнетоэлектрика по эффективной комплексной проницаемости заполненной матрицы.

3. Исследована температурная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости для ИаМ^ на частотах 102, 103, 104, 106Гц. Показано, что между увеличением диэлектрической проницаемости и проводимостью наблюдается прямо пропорциональная зависимость. Последнее свидетельствует о том, что за рост е\ несет ответственность поляризация Максвелла-Вагнера.

4. Показано, что при низких температурах (Т<150К) расчетное значение проводимости для ЫаЪЮг в порах имеет тот же порядок, что для поликристаллического КаМ02. При более высоких температурах наблюдается рост проводимости, и при 1>300К проводимость №N02 в порах примерно на два порядка выше проводимости поликристаллического-нитрита натрия.

5. Установлено, что изменение проводимости Ка>Ю2 в пористых матрицах обусловлено двумя факторами: изменением энергии активации и увеличением числа носителей за счет увеличения удельной поверхности каналов.

6. Исследована зависимость температуры фазового перехода от размера пор силикатных матриц для КаМОг- Показано, что уменьшение размера пор приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, энергии активации (Еа = 0,874 эВ для 52А, Еа = 0,774эВ и для 37А; Еа = 0,467эВ для 20А) и к сдвигу сегнетоэлектрического перехода в область более высоких температур.

7. Экспериментально установлено, что на низких частотах (~103-104Гц) для КЫ03 наблюдается более значительное возрастание е\ чем для Ка1Ч02, что можно объяснить меньшей энергией активации нитрата калия: Еа = 0,279эВ для 37А и Еа = 0,158эВ для 20А.

8. Обнаружено, что для ТГС с уменьшением размера пор уменьшается энергия активации; оценки, сделанные из температурного хода проводимости, дают Еа = 0,624эВ для 37А и Еа = 0,417эВ для 20А. Для матриц с размером пор 20А аномалия е' в области фазового перехода исчезает. Из чего можно сделать вывод, что для частиц ТГС такого размера невозможно существование сегнетоэлектрического фазового перехода.

Список основных публикации

1. Барышников C.B., Ланкин C.B., Стукова Е.В., Юрков В.В. Влияние типа иона на диэлектрические свойства клиноптилолита//Современные наукоемкие технологии. - 2004. - №6. - С.26-27.

2. Стукова Е.В. Изменение свойств KN03 в порах малых размеров/Лепехи современного естествознания. - 2005. - №6. - С.40-42.

3. Стукова Е.В. Особенности фазового перехода NaN02 в пористых нано-размерных матрицах//«Молодежь XXI века: шаг в будущее»: Материалы докладов шестой региональной научно-практической конференции в 4 томах. Том 4. - Благовещенск: Изд-во «Зея». - 2005. - С.69-71.

4. Стукова Е.В., Барышников C.B. Поведение ТГС в пористых нанораз-мерных матрицах//Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование: Материалы докладов пятой региональной научной конференции. - Хабаровск: Изд-во Тихоокеанского гос. ун-та. - 2005. -С. 37-38.

5. Барышников C.B., Стукова Е.В. Моделирование поляризации неоднородных сред//Теоретические и прикладные вопросы современных информационных технологий: Материалы шестой Всероссийской научно-технической конференции. - Улан-Удэ: Изд-во ВСГТУ. - 2005. - С.41-43.

6. Baryshnikov S.V., Chamaya E.V., Andrijanova N.P., Stukova E.V. Phase transitions in nanometer size particles//JournaI of Guangdong Non-ferrous metals. - 2005. - V.15. - P.272.

7. Стукова E.B., Барышников C.B. Диэлектрическая проницаемость пористых матриц, заполненных триглицинсульфатом//Современные наукоемкие технологии. — 2006. — №1. — С.63-64.

8. Барышников C.B., Стукова Е.В., Чарная Е.В., Cheng Tien, М.К. Lee, Böhlmann W., Michel D. Диэлектрические и ЯМР исследования нанопо-ристых матриц, заполненных нитритом натрия//ФТТ. — 2006. — №3. -С.551-557.

9. Стукова Е.В., Барышников C.B. Расчет диэлектрических параметров заполненных нанопористых матриц//Материалы международного симпозиума "Принципы и процессы создания неорганических материалов" (III Самсоновские чтения) Хабаровск. - 2006. - С.226-227.

10. Стукова Е.В. Влияние удельной поверхности каналов на электрические свойства нитрита натрия в наноразмерных силикатных матри-цах//«Молодежь XXI века: шаг в будущее»: Материалы седьмой регио-

нальной межвузовской научно-практической конференции в 4 книгах. Книга 2. - Благовещенск: Изд-во БГПУ. - 2006. - С. 193-194.

П.Стукова Е.В., Андриянова Н.П. Расчет диэлектрических параметров периодической структуры с проводящими одномерными включения-ми//Вестник Поморского университета. Серия "Естественные и точные науки". - 2006. - № 3. - С. 157-160.

Цитируемая литература

1. Christenson H.K. Confinement effects on freezing and melting//J. Phys.: Cond. Matter. - 2001. - V.13. -P.95-133.

2. Charnaya E.V., Tien C., Lin K.J., Kumzerov Yu.A., Wur C.-S. Superconductivity of gallium in various confined geometries//Phys. Rev. B.

- 1998. - V.58. - P .467-473.

3. Cheng Tien, Чарная E.B., Барышников C.B., Lee M.K., Sun S.Y., Michel D., Ohlmann W. В. Эволюция NaN02 в пористых матрицах//ФТТ - 2004.

- T.46. — C.2224-2228.

4. Fokin A.V., Kumzerov Yu.A., Okuneva N.M., Naberezhnov A.A., Yak-hrushev S.B., Golosovsky I.V., Kurbakov A.I. Temperature Evolution of Sodium Nitrite Structure in a Restricted Geometry//Phys. Rev. Lett. — 2002.

- V.89. -P.175503-175511.

5. Vakhrushev S.B., Kumzerov Yu.A., Fokin A., Naberezhnov A.A., Zalar В., Lebar A., Blinc R. 23Na spin-lattice relaxation of sodium nitrite in confined geometry//Phys. Rev. B. - 2004. - V.70. - P.132102-132105.

СТУКОВА ЕЛЕНА ВЛАДИМИРОВНА

ПОВЕДЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ В НАНОРАЗМЕРНЫХ СИЛИКАТНЫХ МАТРИЦАХ

(01.04.10 - физика полупроводников)

Автореферат

_Лицензия ЛР № 040326 от 19 декабря 1997 г._

Формат бумаги 60х 84 1/16 Бумага тип. N1 уч.-изд. л. 1,12 Тираж 100 экз. _Заказ №2118

Издательство Благовещенского государственного педагогического

университета.

Типография Благовещенского гос.пед. университета 675000, Амурская обл., г. Благовещенск, Ленина, 104.

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Геометрический эффект в физике твердого тела.

1.1. Изменение фононного спектра при ограничении размеров кристаллов.

1.2. Теоретическая оценка критического размера в сегнетоэлектриках.

1.3. Получение компактных нанокристаллических материалов.

1.4. Вещество в ультратонких каналах (нитяные и кластерные матрицы).

1.5. Тепловые и электрические свойства наноматериалов.

1.6. Фазовые переходы в наноразмерных сегнетоэлектриках.

Глава 2. Основные свойства исследуемых сегнетоэлектриков и методика эксперимента.

2.1. Сегнетоэлектрические свойства нитрита натрия.

2.2. Сегнетоэлектрические свойства триглицинсульфата.

2.3. Сегнетоэлектрические свойства нитрата калия.

2.4. Измерение параметров заполненных матриц.

Глава 3. Расчет диэлектрических свойств наполнителя через эффективные параметры матрицы.

3.1. Диэлектрические свойства неоднородных систем.

3.2. Влияние проводимости на диэлектрические свойства гетерогенных систем.

3.3. Диэлектрическая проницаемость заполненной гексагональной матрицы.

Глава 4. Поведение сегнетоэлектриков в порах малых размеров.

4.1. Диэлектрические свойства нанопористых матриц, заполненных нитритом натрия.

4.2. Влияние удельной поверхности каналов на электрические свойства нитрита натрия.

4.3. Поведение других сегнетоэлектриков в силикатных нанопористых матрицах.

4.4. ЯМР исследования 23Na для нитрита натрия в малых порах и обсуждение результатов.

В настоящее время большой интерес вызывают исследования физических свойств систем пониженной размерности - малых частиц, тонких пленок, нитей. Многочисленные теоретические и экспериментальные исследования посвящены изменениям физических характеристик отдельных малых частиц, а также частиц, полученных путем внедрения вещества в пористые матрицы, размер пор которых лежит в нанометровом диапазоне. Влияние ограниченных размеров изучалось для веществ, обладающих самыми различными свойствами: сверхпроводников, ферромагнетиков, сегнетоэлектриков, жидких кристаллов. Были обнаружены значительные размерные эффекты, в том числе вблизи фазовых переходов. Изменения ряда свойств, индуцированные ограниченными размерами, соответствовали теоретическим представлениям, развитым для изолированных малых частиц. Так, например, понижение температур плавления In и Ga в малых порах согласуется с моделями плавления сферических наночастиц [1]. Однако в случае перехода Ga в сверхпроводящее состояние взаимодействие частиц в порах играет определяющую роль [2].

Свойства сегнетоэлектриков, введенных в пористые матрицы, исследованы сравнительно мало. Это в значительной степени обусловлено сложностью введения сегнетоэлектрических материалов в поры. Ряд работ посвящен исследованию нитрита натрия, введенного в искусственные опалы, пористые стекла и силикатные матрицы [4-8]. Был обнаружен значительный рост диэлектрической проницаемости в нанопористых матрицах, заполненных NaNCb, по сравнению с объемным нитритом натрия. Однако в [3] наблюдалась также временная эволюция диэлектрической проницаемости к значениям в объемном образце. Методом дифракции нейтронов для NaN02 в пористом стекле в работе [4] был обнаружен эффект аномального увеличения амплитуды колебаний натрия при температурах, превышающих температуры структурных фазовых переходов. Результаты измерений спиновой релакса

23 ции Na в работе [5] были интерпретированы авторами как следствие постепенного размягчения кристаллической решетки NaN02, введенного в пористое стекло. Состояние предплавления было приписано авторами [5] всему количеству NaN02 в порах, что соответствовало отсутствию сегнетоэлектри-ческого фазового перехода для NaNCb в ограниченной геометрии. В то же время в [3] сообщалось о наблюдении пика спин-решеточной релаксации, соответствующего сегнетоэлектрическому фазовому переходу для NaN02 в пористом стекле и молекулярных решетках. Таким образом, выводы работ, посвященных изучению свойств NaN02 в нанопористых матрицах, противоречивы и требуют дальнейших исследований. По другим водорастворимым сегнетоэлектрикам, таким как KN03, KDP, ТГС, данные вообще отсутствуют.

Целью диссертационной работы является экспериментальное исследование диэлектрических свойств и электропроводности сегнетоэлектриков, внедренных в нанопористые силикатные матрицы МСМ-41 и SBA15 с размером пор 52А, 37 А, 2бА, 23,8А, 20 А.

В качестве объекта исследования были выбраны водорастворимые сег-нетоэлектрики с различной структурой: NaN02, KN03 и (NH2CHC00H)3-H2S04 (ТГС).

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методику внедрения сегнетоэлектриков в пористые нано-размерные матрицы.

2. Исследовать температурно-частотную зависимость комплексной диэлектрической проницаемости матриц, заполненных сегнетоэлектриком.

3. Решить задачу о вычислении эффективной диэлектрической проницаемости заполненных гексагональных матриц и обратную задачу нахождения свойств внедренного сегнетоэлектрика по эффективной комплексной проницаемости заполненной матрицы.

4. Изучить влияние размера пор на свойства внедренного сегнетоэлектри-ка: диэлектрическую проницаемость, проводимость, температуру сегне-тоэлектрического фазового перехода.

5. Сопоставить полученные экспериментальные результаты с теоретическими оценками и результатами работ других авторов.

Научная новизна

1. Впервые исследовано поведение нитрата калия и триглицинсульфата в мезопористых силикатных матрицах с размером пор 20-52 А.

2. Впервые обнаружено увеличение температуры сегнетоэлектрического фазового перехода NaN02 с уменьшением размера пор.

3. Впервые обнаружена зависимость диэлектрической проницаемости и проводимости внедренного сегнетоэлектрика от удельной поверхности пор.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Из температурного хода комплексной диэлектрической проницаемости для NaN02 на частотах 102, 103, 104, 10бГц показано, что между увеличением проводимости и диэлектрической проницаемости наблюдается прямо пропорциональная зависимость. Последнее свидетельствует о том, что за рост s'2 , несет ответственность поляризация Максвелла-Вагнера.

2. Показано, что при низких температурах (Т<150 К) расчетное значение проводимости для NaN02 в порах имеет тот же порядок, что для чистого поликристаллического NaN02. При более высоких температурах наблюдается рост проводимости, и при Т>300 К проводимость NaN02 в порах примерно на два порядка выше проводимости чистого нитрита натрия.

3. Исследована зависимость температуры фазового перехода от размера пор силикатных матриц для NaN02. Показано, что уменьшение размера пор приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, энергии активации (.Еа = 0,874 эВ для 52А, Еа = 0,774 эВ и для 37А; Еа = 0,467 эВ для 20 А) и к сдвигу сегнетоэлектрического перехода в область более высоких температур. 4. Обнаружено, что для ТГС с уменьшением размера пор уменьшается энергия активации; оценки, сделанные из температурного хода проводимости, дают Еа = 0,624 эВ для 37 А и Еа = 0,417 эВ для 20 А. Для матриц с размером пор 20 А аномалия s' в области фазового перехода исчезает. Из чего можно сделать вывод, что для частиц ТГС такого размера невозможно существование сегнетоэлектрического фазового перехода.

Практическая и научная значимость

Сегнетоэлектричество относится к классу кооперативных эффектов, для которых возможно существенное различие величины параметра порядка вблизи поверхности образца и в его объеме. По этой причине прогнозируется фундаментальный размерный эффект при уменьшении объема образца. Исследования в этом направлении активно стимулируются широким спектром практических применений сегнетоэлектриков, развивающихся в направлении все большей миниатюризации соответствующих устройств. В связи с этим становится принципиально важным вопрос о существовании критических размеров образцов, ниже которых сегнетоэлектрические свойства меняются или вообще исчезают.

Значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они существенно расширяют и уточняют представления о влиянии размера образца на сегнетоэлектрические свойства NaN02, KN03 и ТГС, что является важным как в общефизическом плане, так и в плане конкретных приложений.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, включает 4 таблицы, 52 рисунка и библиографию из 197 наименований. Общий объём диссертации - 132 стр. машинописного текста.

Заключение

Экспериментально исследовано изменение свойств водорастворимых сегнетоэлектриков: NaN02, KN03 и ТГС, внедренных в наноразмерные силикатные матрицы. Исследовано влияние размера пор и удельной поверхности каналов на диэлектрические свойства кристаллов. Предлагаются теоретические объяснения наблюдаемых эффектов.

Основные научные результаты, полученные автором.

1. Разработана методика внедрения сегнетоэлектриков в мезопористые силикатные матрицы: SBA-15, МСМ-41(С-16), МСМ-41 (С-14), МСМ-41 (С-12).

2. Решена задача о вычислении эффективной диэлектрической проницаемости заполненных гексагональных матриц и обратная задача нахождения свойств внедренного сегнетоэлектрика по эффективной комплексной проницаемости заполненной матрицы.

3. Исследована температурная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости для NaN02 на частотах 102, 103, 104, 106 Гц. Показано, что между увеличением диэлектрической проницаемости и проводимостью наблюдается прямо пропорциональная зависимость. Последнее свидетельствует о том, что за рост е\ несет ответственность поляризация Максвелла-Вагнера.

4. Показано, что при низких температурах (Т<150 К) расчетное значение проводимости для NaN02 в порах имеет тот же порядок, что для поликристаллического NaN02. При более высоких температурах наблюдается рост проводимости, и при Т>300 К проводимость NaN02 в порах примерно на два порядка выше проводимости поликристаллического нитрита натрия.

5. Установлено, что изменение проводимости NaN02 в пористых матрицах обусловлено двумя факторами: изменением энергии активации и увеличением числа носителей за счет увеличения удельной поверхности каналов.

Исследована зависимость температуры фазового перехода от размера пор силикатных матриц для NaN02. Показано, что уменьшение размера пор приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, энергии активации (Еа = 0,874 эВ для 52А, Еа = 0,774 эВ и для 37Л; Еа = 0,467 эВ для 20 А) и к сдвигу сегнетоэлектрического перехода в область более высоких температур.

Экспериментально установлено, Что на низких частотах (~103-104 Гц) для KNO3 наблюдается более значительное возрастание е', чем для NaN02, что можно объяснить меньшей энергией активации нитрата калия: Еа = 0,279 эВ для 37 А и Еа = 0,158 эВ для 20 А . Обнаружено, что для ТГС с уменьшением размера пор уменьшается энергия активации; оценки, сделанные из температурного хода проводимости, дают Еа = 0,624 эВ для 37 А и Еа = 0,417 эВ для 20 А. Для матриц с размером пор 20 А аномалия е' в области фазового перехода исчезает. Из чего можно сделать вывод, что для частиц ТГС такого размера невозможно существование сегнетоэлектрического фазового перехода.

1. Christenson Н.К. Confinement effects on freezing and melting//! Phys.: Cond. Matter. 2001. - V. 13. - P.95-133.

2. Borisov B.F., Charnaya E.V., Plotnikov P.G., Hoffmann W.-D., Michel D., Kumzerov Yu.A., Tien C., Wur C.-S. Solidification and melting of mercury in a porous glass as studied by NMR and acoustic techniques//Phys. Rev. B.- 1998. V.58. - P.5329-5336.

3. Charnaya E.V., Tien C., Lin K.J., Kumzerov Yu.A., Wur C.-S. Superconductivity of gallium in various confined geometries//Phys. Rev. B.- 1998,-V.58.-P.467-472.

4. Pankova S.V., Poborchii V.V., Solov'ev V.G. The giant dielectric constant of opal containing sodium nitrate nanoparticles//J. Phys.: Cond. Matter. -1996. V.8. - P.L203-L206.

5. Чарная E.B., Tien С., Касперович B.C., Кумзеров Ю.А. ЯМР наночастиц NaN02 в пористых матрицах//Тезисы докладов XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 2002. - С. 131-133.

6. Fokin A.V., Kumzerov Yu.A., Okuneva N.M., Naberezhnov A.A., Yakhrushev S.B., Golosovsky I.V., Kurbakov A.I. Temperature Evolution of Sodium Nitrite Structure in a Restricted Geometry//Phys. Rev. Lett. 2002. -V.89.-P.175503 -175511.

7. Vakhrushev S.B., Kumzerov Yu.A., Fokin A., Naberezhnov A.A., Zalar В.,231.bar A., Blinc R. Na spin-lattice relaxation of sodium nitrite in confined geometry//Phys. Rev. B. -2004. -V.70. P.132102-132105.

8. Cheng Tien, Чарная E.B., Барышников С.В., Lee М.К., Sun S.Y., Michel D., Ohlmann W.B. Эволюция NaN02 в пористых матрицах//ФТТ. 2004.- T.46. С.2224-2228.

9. Борн М., Хуан Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток. -М.: ИЛ, 1958.-488 с.

10. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Макаров К.В., Зайковский О.И. Диэлектрическая проницаемость и динамика решетки тонкой пленки сегнето-электрика//ФТТ. 1970. - Т. 12. - С. 1850-1857.

11. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл. Титанат бария. М.: Наука, 1974. -295 с.

12. Bursian Е. V., Girscberg Ya. G. Information about the phonon spectrum fferroelectric obtained by limitation of Crystal sise//J. Phys. 1972. - V.33. -P.62-69.

13. Фрелих Г. Теория диэлектриков. М.: ИЛ, 1960.-251 с.

14. Rosenstock Н.В. On the Optical Properties of Solids//J. Chem. Phys. 1955. - V.23. - P.2415-2421.

15. Berreman D. W. Infrared Absorption at Longitudinal Optic Frequency in Cubic Crystal Films//Phys. Rev. 1963. -V. 130. - P.2193-2199.

16. Fuchs R., Kliewer K.L., Pardee W.J. Optical Properties of an Ionic Crystal Slab//Phys. Rev. 1966. - V.150. - P.589-597.

17. Kliewer K.L. and Fuchs R. Optical Modes of Vibration in an Ionic Crystal Slab Including Retardation. II. Radiative Region//Phys. Rev. 1966. -V.150.-P.573-589.

18. Kliewer K.L. and Fuchs R. Optical Modes of Vibration in an Ionic Crystal Slab Including Retardation. I. Nonradiative Region//Phys. Rev. 1966. -V.144. -P.495-504.

19. Брыксин B.B., Фирсов Ю.А. Взаимодействие электрона с поверхностными фононами в пластине ионного кристалла//ФТТ. 1971. - Т. 13. -С.496-503.

20. Englman R. and Ruppin R. Optical lattice vibrations in finite ionic crystals: I //J. Phys. C: Solid State Phys. 1968. - V.l. -P.614-629.

21. Ruppin R. and Englman R. Optical lattice vibrations in finite ionic crystals: II//J. Phys. C: Solid State Phys. 1968. - V.l. - P.630-643.

22. Englman R. and Ruppin R. Optical lattice vibrations in finite ionic crystals: III//J. Phys. C: Solid State Phys. 1968. - V.l. - P. 1515-1531.

23. Achar B.N.N, and Barsch G.R. Surface Modes of Vibration in a Semi-Infinite Rocksalt Crystal//Phys. Rev. 1969. - V.188. - P. 1361-1366.

24. Achar B.N.N, and Barsch G.R. Scattering-Matrix Method in Lattice Dynamics//Phys. Rev.- 1969. V.188. P.1356-1361.

25. Wette F.W. and Allen R.E. Structure and Dynamics of Very Thin Films//Phys. Rev. 1969. - V.l87. - P.878-883.

26. Allen R.E. and Wette F.W. Phonon Frequencies and Superconductivity in Very Thin Films//Phys. Rev.- 1969. V.187. - P.883-884.

27. Allen R.E., Alldredge G.P., Wette F.W. Surface Modes of Vibration in Monatomic Crystals//Phys. Rev. Lett. 1969. - V.23. - P.1285-1287.

28. Allen R.E., Alldredge G.P., Wette F.W. Surface Modes Within the Bulk Continua//Phys. Rev. Lett. 1970. - V.24. - P.301-303.

29. Maradudin A., Wallis R. Lattice-Dynamical Calculation of the Surface Specific Heat of a Crystal at Low Temperatures//Phys. Rev. -1966. V.148. -P.945-961.

30. Burton J. Configuration, Energy, and Heat Capacity of Small Spherical Clusters of Atoms//J. Chem. Phys. 1970. - V.52. -P.345-352.

31. Нестеренко Б.А., Горбачев В.И., Зратевский В.А., Иваницкий П.Г., Кротенко В.Т., Пасечник М.В., Снитко О.В. Фононный спектр решетки кремния//ФТТ. 1974. - Т. 16. - С.3513-3515.

32. Морохов И.Д., Трусов Л.И., Чижик С.П. Ультродисперсионные металлические среды. М.: Атомиздат, 1977. - 264 с.

33. Baltes H., Hilf E. Specific heat of lead grains//Solid State Comm. -1973. -V.12. -P.369-373.

34. Nonnenmacher Th. Quantum size effect on the specific heat of small particles//Physics Letters A. 1975. - V.51. -P.213-214.

35. Baltes H., Steinle В., Pabst M. Poincare cycles and coherence of bounded thermal radiation fields//Phys. Rev. A. 1976. - V.13. - P. 1866-1873.

36. Rieder K. Vibrational surface thermodynamic functions of magnesium oxide//Surface Science. 1971. - V.26. - P.637-648.

37. Rieder K., Horl E. Search for Surface Modes of Lattice Vibrations in Magnesium Oxide//Phys. Rev. Lett. 1968. - V.20. - P. 209-211.

38. Montroll E. Size Effect in Low Temperature Heat Capacities//! Chem. Phys. 1950. - V.18. - P. 183-185.

39. Морохов И.Д., Петинов В.И., Трусов Л.П., Петрунин В.Ф. Структура и свойства малых металлических частиц//УФН. 1981. - Т.133. - С.653-692.

40. Mochizuki S. and Ruppin R. Substrate effects on infrared absorption in dielectric microcrystals//J. Phys.: Condens. Matter. 1991. - V3. - P. 1003710041.

41. Mochizuki S. and Ruppin R. Optical spectra of free silver clusters and microcrystal produced by the gas evaporation technique: transition from atom to microcrystaM. Phys.: Condens. Matter. 1993. - V.5. - P.135-144

42. Mochizuki S., Nakata H. and Ruppin R. Optical spectra of free and supported CuCl microcrystals produced by thermal evaporation in a helium gas stream//J. Phys.: Condens. Matter. 1994. - V.6. - P.1269-1278.

43. Ruppin R. Polariton modes of spheroidal microcrystals//J. Phys.: Condens. Matter. 1998. - V.10. - P.7869-7878.

44. Mochizuki S., Sasaki M. and Ruppin R. An optical study on vapour, microcrystal beam and film//J. Phys.: Condens. Matter. 1998. - V.10. -P.2347-2361.

45. Cheng Tien, Charnaya E. V, Lee M. K., Baryshnikov S. V, Sun S. Y., Michel D., and Bohlmann W. Coexistence of melted and ferroelectric states in sodium nitrite within mesoporous sieves//Phys. Rev. B. 2005. - V.72. -P.104105-104111.

46. Фридкин B.M. Критический размер в сегнетоэлектрических нанострук-турах//УФН. 2006. - Т. 176. - С.203-212.

47. Tilley D.R., Zeks В. Landau theory of phase transitions in thick films//Solid State Commun. 1984. - V.49. - P.823-828.

48. Струков Б.А., Давитадзе C.T. Фазовые переходы в наноразмерных сег-иетоэлектриках//Сборник докладов Международной научной конференции "Актуальные проблемы физики твердого тела". ФТТ. -. г.Минск, 2005. -Т.1.-С.11-13

49. Wang C.L, Zhong W.L., Zhang P.L. The Curie temperature of ultra-thin ferroelectric films//J. Phys.: Condens. Matter. 1992. - V.4. - P.4743-4749.

50. Cottam M.G., Tilley D.R., Zeks B. Theory of surface modes in ferroelectrics//J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. - V.17. - P.1793-1823.

51. Scott J.F., Ming-Sheng Zhang, Bruce Goldfrey R., Araujo C., McMillan L. Raman spectroscopy of submicron KNO3 films//Phys. Rev. B. 1987. -V.35. -P.4044-4051.

52. Glinchuk M.D., Morozovska A.N. The internal electric field originating from the mismatch effect and its influence on ferroelectric thin film properties//J. Phys.: Condens. Matter. 2004. - Y.16. -P.3517-3531.

53. Максимов Е.Г., Зиненко В.И., Замкова Н.Г. Расчеты физических свойств ионных кристаллов из первых принципов//УФН. 2004. -Т.174. - С.1145-1170.

54. Ghosez Ph., Rabe К.М. Microscopic model of ferroelectricity in stress-free PbTi03 ultrathin films//Appl. Phys. Lett. 2000. - V.76. - P.2767-2769.

55. Meyer В., Vanderbilt D. Ab initio study of BaTi03 and PbTi03 surfaces in external electric fields//Phys. Rev. B. 2001. - V.63. - P.205426-205436.

56. Tybell Т., Ahn C.H., Triscone J.M. Ferroelectricity in thin perovskite films//Appl. Phys. Lett. 1999. - V.75. - P.856-858.

57. Блинов Jl.M., Фридкин B.M., Палто С.П., Буне А.В., Даубен ПЛ., Дю-шарм С. Двумерные сегнетоэлектрики (Обзоры актуальных проблему/У ФН. 2000. - Т.170. - С.247-253.

58. Гусев А.И. Эффекты нанокристаллического состояния в компактных материалах и соединениях//УФН. 1998. - Т.168. - С.55-83.

59. Okuda S., Tang F., Tanimoto H., Iwamoto Y. Anelasticity of ultrafme-grained polycrystalline gold//J. Alloys and Compounds. 1994. -V.211/212.-P.494-497.

60. Сумм Б.Д., Иванова Н.И. Объекты и методы коллоидной химии в нано-химии//Успехи химии. 2000. - Т.69. - С.995-1008.

61. Гусев А.И. Нанокристаллические материалы: методы получения и свойства. УрО РАН, Екатеринбург, 1998. - 199 с.

62. Henglein A. Physicochemical properties of small metal particles in solution: "microelectrode" reactions, chemisorption, composite metal particles, and the atom-to-metal transition//! Phys. Chem. 1993. - V 97. - P.5457-5471.

63. Андриевский Р.А. Получение и свойства нанокристаллических и тугоплавких соединений//Успехи химии. 1994. - Т.63. - С.431-449.

64. Pileni М.Р. Reverse micelles as microreactors//J. Phys. Chem. 1993. -V.97.-P. 6961 -6973.

65. Помогайло А.Д. Полимер-иммобилизованные наноразмерные и кластерные частицы металлов//Успехи химии. 1997. - Т.66. - С.750-792.

66. Hellweg Т., Langevin D. The dynamics in dodecane/Ci0E5/water microemulsions determined by time resolved scattering techniques//Physica A. 1999. - V.264. - P.370-387.

67. Langmuir I. The constitution and fundamental properties of solids and liquids//! Am. Chem. Soc. 1917. - V.39. -P.1848-1906.

68. Блинов A.M. Лэнгмюровские пленки//Успехи физ. наук. 1988. -Т.155. - С.443-480.

69. Арслан В.В. Полимерные слои и пленки Ленгмюра-Блоджетт//Успехи физ. наук. 1994. - Т.63. - С.3-43.

70. Colvin V.L., Goldstein A.N., Alivisatos А.Р. Semiconductor nanocrystals covalently bound to metal surfaces with self-assembled monolayers//.!. Am. Chem. Soc. 1992. V.114. P.5221-5230.

71. Chumanov G., Sokolov K., Gregory B.W, Cotton T.M. Colloidal Metal Films as a Substrate for Surface-Enhanced Spectroscopy//! Phys. Chem. -1995. V.99. - P.9466-9471.

72. Jang J., Meldrum F.C., Fendler J.H. Epitaxial Growth of Size-Quantized Cadmium Sulfide Crystals Under Arachidic Acid Monolayers//J. Phys. Chem. 1995. -V.99. - P.5500-5504.

73. Помогайло А.Д. Гибридные полимер-неорганические нанокомпози-ты//Успехи химии. 2000. - Т.69. - С. 60-90.

74. Брек Д. Цеолитовые молекулярные сита. М.: «Мир», 1976.- 781 с.

75. Богомолов В. И.Жидкости в ультратонких каналах//УФН. 1978. -Т.124. - С.171-182.

76. Брегг У.Л., Кларингбулл Г.Ф. Кристаллическая структура минералов. -М.: «Мир», 1967.-392 с.

77. Богомолов В.Н., Волконская Т.И., Задорожний А.И., Капанадзе А.А., Луценко Э.Л. Фазовый переход системы капель Ga и Hg/M>TT. 1975. - Т.17. - С.1707-1710.

78. Кубасов А.А. Цеолиты кипящие камни//Соросовский образовательный журнал. - 1998. - Т. 3. - С. 58-65.

79. Seff К. Crystal structure of a sulfur sorption complex of zeolite 4A//J. Phys. Chem. 1972. - V.76. - P.2601-2605.

80. Романовский Б.В., Макшина Е.В. Нанокомпозиты как функциональные материалы//Соросовский образовательный журнал. 2004. - Т.8. -С.50-55.

81. Fenelonov V.B., Romannikov V.N., Derevyankin A.Yu. About Mesopore Surface Area and Size Calculations for Hexagonal Mesophases (Types of MCM-41, FSM-16, ets)//Micropor. Mesopor. Mater. 1999. - V.28. - P.57-72.

82. Jian Suan. Mesoporous molecular sieves:From catalysis to solid phase synthesis//A Thesis Master of Science. The university of New Brunswick, 1999. -P.154-155.

83. Jun S., Joo S.H., Ryoo R., Kruk M., Jaroniec M., Liu Z., Ohsuma Т., and Terasaki O. Synthesis of New, Nanoporous Carbon with Hexagonally Ordered Mesostructure//J. Am. Chem. Soc. 2000. - V.122. - P.10712-10713.

84. Cheng C.-F., Lin Y.-C, Cheng H.-H, Chen Y.-C. The effect and model of silica concentrations on physical properties and particle sizes of three-dimensional SBA-16 nanoporous materials//Chemical Physics Letters. -2003. V.382. - P.496-501

85. Morishige K., Tateishi N., Fukuma S. Capillary Condensation of Nitrogen in MCM-48 and SBA-16//J. Phys. Chem. B. -2003. V. 107. -P.5177-5181.

86. Свитцов A.A., Кострикова O.A. Электронный учебник "Полупроницаемые пористые мембраны". М.: РХТУ им. Д.И. Менделеева, 2005. -Режим доступа: http://www.membrane.msk.ru/books/book2/, свободный.

87. Аблицова А.С., Агекян В.Ф., Серов А.Ю. Оптические спектры микрокристаллов слоистого полупроводника РЬ12, выращенных в стеклянных матрицах//ФТП. 1998. -Т.32. - С. 151-154.

88. Бегер В.Н., Фадеев А.Ю., Лисичкин Г.В. Управление спектральными характеристиками молекул органических красителей, адсорбированных в пористом стекле, путем предварительного химического модифицирования поверхности пор//ПЖТФ. 1999. - Т.25. - С.78-82.

89. Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Фокин А.В., Мисиорек X., Муха Я., Ежовский А. Рассеяние фононов на границах малых кристаллов, помещенных в диэлектрическую матрицу пористого стекла//ФТТ. 2003. -Т.45. - С.359-363.

90. Богомолов В.Н., Голубев В. Г., Картенко Н.Ф., Курдюков Д.А., Певцов А.Б., Прокофьев А.В., Ратников В.В., Феоктистов Н.А., Шаренкова

91. H.В. Получение регулярных трехмерных (ЗМ) решеток кремниевых кластеров субмикронных размеров в матрице Si02 (опале)//ПЖТФ. -1998. Т.24. - С.90-95.

92. Петров Ю.И.Физика малых частиц. М.: Наука, 1982. - 359 с.

93. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. М.: Физматлит, 2005. - 416 с.

94. Allen R.E, Alldredge G.P., de Wette F.W. Studies of Vibrational Surface Modes. I. General Formulation//Phys. Rev. B. 1971. - V.4. - P. 16481660.

95. Chen T.S, Alldredge G.P, de Wette F.W, Allen R.E. Surface and Pseudosurface Modes in Ionic Crystals//Phys. Rev. Lett. 1971. - V.26. -P. 1543—1546.

96. Germer L.H, MacRae A.U, Hartman C.D. Nickel Surface//Journal of Applied Physics. 1961. - V.32. - P.2432-2439.

97. Jones E.R, McKinney J.T, Webb M.B. Surface Lattice Dynamics of Silver.

98. Low-Energy Electron Debye-Waller Factor//Phys. Rev. 1966. - V. 151. -P.476-483.

99. Lyon H.B, Somorjai G.A. Surface Debye Temperatures of the (100), (111), and (110) Faces of Platinum//The Journal of Chemical Physics. 1966. -V.44. - P.3707-3711.

100. Goodman R.M, Farrell H.H, Somorjai G.A. Mean Displacement of Surface Atoms in Palladium and Lead Single Crystals//The Journal of Chemical Physics. 1968. - V.48. -P.1046-1051

101. Morabito J.M., Steiger R.F., Somorjai G.A. Studies of the Mean Displacement of Surface Atoms in the (100) and (110) Faces of Silver Single Crystals at Low Temperatures//Phys. Rev. 1969. - V.179. - P.638-644.

102. Novotny V., Meincke P.M. Thermodynamic Lattice and Electronic Properties of Small Particles//Phys. Rev. B. 1973. - V.8 - P.4186-4199.

103. Самсонов B.M., Дронников B.B., Мальков О.А. Зависимость температуры плавления нанокристаллов от их размера //Журн. физ. химии. -2004. Т.78. - С.1203-1207.

104. Самсонов В.М. О проблеме фазового состояния наночистиц//Изв. РАН. Сер. физ. 2005. - Т.69. - С.1039-1042.

105. Шамшур Д.В., Черняев А.В., Фокин А.В., Романов С.Г. Электропроводность и сверхпроводимость упорядоченного нанокомпозита индий-опал//ФТТ. 2005. - Т.47. - С. 1927-1936.

106. Moshchalkov V.Y, Bruynseraede Y., Van Look L., Van Bael M.J., Tonomura A. Handbook of Nanostructured Materials and Nanotechnology//Ed. H.S. Nalwa. Acad. Press. 2000. - V.3. - P.451.

107. Clark T.D. Electromagnetic Properties of Point-Contact Josephson-Junction Arrays//Phys. Rev. B. 1973. - V.8. - P. 137-162.

108. Charnaya E.V, Tien C., Lin K.J., Wur Yu C.S., Kumzerov A. Superconductivity of gallium in various confined geometries//Phys. Rev. B. 1998. - V.58. - P.467-472.

109. Watson J.H.P. Transition Temperature of Superconducting Indium, Thallium, and Lead Grains//Phys. Rev. B. 1970. - V.2. - P.1282-1286.

110. Богомолов B.H., Журавлев B.B., Задорожний А.И., Колла Е.В., Кумзе-ров'Ю.А. Вольт-амперные характеристики регулярной системы слабосвязанных сверхпроводящих частиц//Письма в ЖЭТФ. 1982. - Т.36. -С.298-300.

111. Чопра К.JI. Электрические явления в тонких пленках. М.: «Мир», 1972.-434 с.

112. Watson J.H. Critical Magnetic Field and Transition Temperature of Synthetic High-Field Superconductors//Phys. Rev. 1966. - V.148. -P.223-230.

113. Алексенко А.Г. Нанотехнология как основа новой научно-технической революции//Наука и технологии в промышленности. 2004. - № 3-4. -С.56-61.

114. Романов С.Г., Шамшур Д.В. Разрушение током сверхпроводящего состояния в трехмерной решетке слабосвязанных гранул индия в опа-ле//ФТТ. 2000. - Т.42. - С.581-588.

115. Zhong W.L., Qu B.D., Zhang P.L., Wang Y.G. Thickness dependence of the dielectric susceptibility of ferroelectric thin films//Phys. Rev. B. 1994. -V.50. -P.12375-12380.

116. Давитадзе C.T., Кравчун C.H., Струков Б.А., Тараскин С.А., Гольцман Б.М., Шульман С.Г. Исследование тепловых свойств тонких пленок методом зондового периодического нагрева//ФТТ. 2000. - Т.42. -С.111-113.

117. Павлов С.В., Акимов М.Л. Изоморфные фазовые переходы в тонких пленках сегнетоэлектриков//Кристаллография. 1999. - Т.44. - С.333-335.

118. Хаммад Т.М., Эль-Тауан А.А., Струков Б.А. Фазовые переходы в тонких слоях твердых растворах KxNa^NCV/BecTHffic Моск. ун-та, сер. физ. астр. 1999. - Сер.3,№5. - С.67-69.

119. Strukov В.А., Davitadze S.T., Kravchun S.N., Lemanov V.V., Goltsman B.M., Shulman S.G. Experimental study of heat properties of Ba(I.X)Sr(X)Ti03 thin films on the substrate//NATO Science Series, Ser.III. -2000. V.77. - P.279-284.

120. Prasertchoung S., Nagarajan V., Ma Z., Ramesh R., Cross J.S., Tsukada M. Polarization switching of submicron ferroelectric capacitors using an atomic force microscope//Appl. Phys. Lett. 2004. - V.84. - P.3130-3132.

121. Fong D.D., Stephenson G. В., Streiffer S.K., Eastman J.A., Auciello 0., Fuoss P.H., Thompson C. Ferroelectricity in Ultrathin Perovskite Films//Science. 2004. - V.304. - P.1650-1653.

122. Qu H, Yao W., Garcia Т., Zhang J., Sorokin A. V., Ducharme S., Dowben P.A., Fridkin V. Nanoscale polarization manipulation and conductance switching in ultrathin films of a ferroelectric copolymer//Appl. Phys. Lett. -2003. V.82. - P.4322-4324.

123. Fridkin V., Ievlev A., Verkhovskaya K., Vizdrik G., Yudin S., Ducharme S. Switching in One Monolayer of the Ferroelectric Polymer//Ferroelectrics -2005. V.314. -P.37-40.

124. Sawada S., Nomura S., Fujii S., Yoshida I. Ferroelectricity in NaN02//Phys. Rev. Lett. 1958. - V.l. -P.320-321.

125. Gohda Т., Ichikawa M. X-ray stady on of the ferroelectric phase of NaN02//Phys. Rev. B. 2000. - V.63. - P.141011-141017.

126. Лайнс M., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы/Перевод с английского под редакцией В.В. Леманова, Г.А. Смоленского М.: Мир, 1981 - 736 с.

127. Yamada Y., Shibuya I., Hoshino S. Phase Transition in NaN02//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1963.-V.18.-P.1594-1603.

128. Sakurai S., Cowley R., Dolling G. Crystal Dynamics and the Ferroelectric Phase Transition of Sodium Nitrite//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1970. - V.28. -P.1426-1445.

129. Hatta I. Experimental Stadyon Dielectric Relaxation in NaN02//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1968. - V.24. - P.1043-1053.

130. Axe J.D. Infrared Dielectric Dispersion and Apparent Ionic Charges in Sodium Nitrite//Phys. Rev. 1968. - V.167. - P.573-582.

131. Hartwig C.M., Wiener-Avnear E., Porto S.P. Analysis of the Temperature-Dependent Phonon Structure in Sodium Nitrite by Raman Spectroscopy//Phys. Rev. B. 1972. -V.5. - P.79-91.

132. Singh S., Singh K. 14N Nuclear Quadrupole Resonance in Ferroelectric Sodium Nitrite NaN02//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1974. -V.36. - P. 1588-1592.

133. Yamada Y., Yamada T. Inter-Dipolar Interaction in NaN02//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1966. - V.21. - P.2167-2177.

134. Смоленский Г.А., Боков B.A., Исупов B.A., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Наука, 1971.-476 с.

135. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлекрические кристаллы/Перевод на русский под редакцией JI.A. Шувалова. М.: Мир, 1965. - 555 с.

136. Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики/Перевод с английского под редакцией JI.A. Шувалова. М.: Мир, 1975. - 398 с.

137. Gonzalo J. A. Equation of State for the Cooperative Transition of Triglycine Sulfate near Tc//Phys. Rev. B. 1970. - V. 1. - P.3125-3132.

138. Shibuya I., Mitsui T. The Ferroelectric Phase Transition in (Glycine)3,H2S04 and Critical X-Ray Scattering//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1961. - V.16. -P.479-489.

139. Fujii Y., Yamada Y. X-Ray Critical Scattering in Ferroelectric Tri-Glycine Sulphate//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1971. - V.30. - P. 1676-1685.

140. Рига В., Przedmojski J. Anisotropy in the reciprocal lattice space of critical X-ray scattering in TGS//Phys. Lett. A. 1973. - V.43. - P.217-218.

141. Kocinski J., Woj'tczak L. The dependence of critical scattering on crystallattice structure//Phys. Lett. A. 1973. - V.43 - P.215-216.

142. Hill R.M., Ichiki S.K. High-Frequency Behavior of Hydrogen-Bonded Ferroelectrics: Triglycine Sulphate and KD2P04//Phys. Rev. 1963. -V.132. -P.1603-1608.

143. Mansingh A., Lim K.O. Dielectric Dispersion in Order-Disorder Ferroelectrics//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1972. - V.33. - P.747-749.

144. O'Brien E.J., Litovitz T.A. Ultrasonic Relaxation near the Curie Temperature of Ferroelectric Triglycine Sulfate//J. Appl. Phys. 1964. -V.35. -P.180-183.

145. Barker A.S., Tinkham M. Far-Infrared Dielectric Measurements on Potassium Dihydrogen Phosphate, Triglycine Sulfate, and Rutile//J. Chem. Phys. 1963. - V.38. - P.2257-2264.

146. Sawada S, Nomura S. and Fujii S. Ferroelectricity in the Phase III of KN03//Journal of the Physical Society of Japan. 1958. -V.13. - P.1549-1553

147. El-kabbany F., Badawy W., El-khwas E.H., Tahr N.H. Dielectric and pyroelectric properties of KN03 thin-layers//Journal of materials science. -1988. -V.23. P.776-781.

148. Kumar, Neeraj, Nath R. Ferroelectric polarization switching in KN03: PVDF films//Journal of Physics D: Applied Physics. 2003. - V.36. -P.1308-1313.

149. Nimmo J.K., Lucas B.W. The crystal structures of y- and /?-KN03 and the a<—y-<—P phase transformations//Acta Cryst. 1976. - V.32. - P.1968-1971.

150. Sawada S., Nomura S., Asao Y. Dielectric Behavior of KN03 in Its Ferroelectric Phase III//Journal of the Physical Society of Japan. 1961. -V.16.-P.2486-2494.

151. Kawabe U., Yanagi Т., Sawada S. Dielectric and X-Ray Studies of KN03-Series Mixed Crystal//Journal of the Physical Society of Japan. 1965. -V.20. -P.2059-2073.

152. Asao Y, Yoshida I, Ando R, Sawada S. The Electrical Resistivities of NaN02 and KN03 Crystals//Journal of the Physical Society of Japan. -1962. V.17. -P.442-446.

153. Хиппель A.P. Диэлектрики и волны. M.: Наука, 1960. - 360 с.

154. Стукова Е.В., Андриянова Н.П. Расчет диэлектрических параметров периодической структуры с проводящими одномерными включения-ми//Вестник Поморского университета. Серия "Естественные и точные науки". 2006. - № 3. - С. 157-160.

155. Федюнин П.А, Дмитриев Д.А, Воробьев А.А, Чернышов В.Н. Микроволновая термовлагометрия/Под общ. ред. П.А. Федюнина. М.: Машиностроение-1, 2004. - 208 с.

156. Нетушил А.В, Жуховицкий Б.Я, Кудрин В.Н, Парини Е.П. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников. М.: Госэнерго-издат, 1959.-480 с.

157. Неразрушающий контроль и диагностика: Справочник/В .В. Клюев, Ф.В. Соснин, В.Н. Филинов и др. / Под ред. В.В. Клюева. М.: Машиностроение, 1995. - 408 с.

158. Бугров А.В. Высокочастотные емкостные преобразователи и приборы контроля качества. М.: Машиностроение, 1982. - 94 с.

159. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977.-448 с.

160. Стукова Е.В, Барышников С.В. Расчет диэлектрических параметров заполненных нанопористых матриц/Материалы международного симпозиума "Принципы и процессы создания неорганических материалов" (III Самсоновские чтения) Хабаровск, 2006 - С.226-227.

161. Максвелл Дж.К. Трактат об электричестве и магнитизме. М.: Наука, 1989.-416 с.

162. Wagner K.W. Die Isolierstoffe der Electrotechnik. Berlin: Springer, 1924.-207 c.

163. Balagurov B.Ya. On the Conductivity of Composites with Two-Dimensional Periodic Structure//JETP. 2001. - V.93. -P.586-595.

164. Emets Yu.P., Onofrichuk Yu.P. Interaction forces of dielectric cylinders in electric fields//IEEE Trans. DEI. 1996. V.3. - P.87-97.

165. Дебай П. Полярные молекулы. М.; Л.: ГНТИ, 1931. - 247 с.

166. Емец Ю.П. Электрические характеристики композиционных материалов. -Киев: Наукова думка, 1986.- 191 с.

167. Емец Ю.П. Эффективные параметры многокомпонентных диэлектриков с гексагональной структурой//ЖТФ. 2002. - Т.72. - С.51-59.

168. Емец ЮЛ.Дисперсия диэлектрической проницаемости трех и четы-рехкомпонентных матричных сред//ЖТФ. 2003. - Т.73. - С. 42-53.

169. Емец Ю.П. Моделирование электрофизических характеристик диэлектрической среды с периодической структурой//ЖТФ. 2004. - Т.74. -С.1-9.

170. Емец Ю.П. Эффективная диэлектрическая проницаемость трехкомпо-нентных композиционных материалов с анизотропной структу-рой//ЖТФ. 2005. - Т.75. - С.67-72

171. Manteufel R.D., Todreas N.E. Analytic Formulas for the Effective Conductivity of a Square or Hexagonal Array of Parallel Tubes//Int. J. Heat Mass Transfer. 1994. - V.37. - P.647-655.

172. Батыгин В.В., Топтыгин И.Н. Сборник задач по электродинамике. -М.: Наука, 1970. -504 с.

173. Барышников С.В., Стукова Е.В., Чарная Е.В., Cheng Tien, М.К. Lee, Bohlmann W., Michel D. Диэлектрические и ЯМР исследования нанопо-ристых матриц, заполненных нитритом натрия//ФТТ. 2006. - Т.48. -С.551-557.

174. Baryshnikov S.V., Charnaya E.V., Andrijanova N.P., Stukova E.Y. Phase transitions in nanometer size particles//Journal of Guangdong Non-ferrous metals. 2005. - V.15. -P.272-275.

175. Ragulya A.V. Rate-Controlled Synthesis and Sintering of Nanocrystalline Barium Titanate Powder//Nanostructured Mater. 1998. - V.10. - P.349-353.

176. Глинчук М.Д., Морозовская A.H. Радиоспектроскопия и диэлектрические спектры наноматериалов//ФТТ. 2003. - Т.45. - С.1510-1518.

177. Zhong W.L., Wang Y.G., Zhang P.L., Qu B.D. Phenomenological study of the size effect on phase transitions in ferroelectric particles//Phys. Rev. B. -1994. -V.50. P.698-703.

178. Стукова Е.В, Барышников С.В. Диэлектрическая проницаемость пористых матриц, заполненных триглицинсульфатом//Современные наукоемкие технологии. 2006. - №1. - С.63-64.

179. Стукова Е.В. Изменение свойств KN03 в порах малых размеров// Успехи современного естествознания. 2005. - №6. - С. 40-42

180. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: Вища шк, 1980. - 400 с.

181. Барышников С.В, Ланкин С.В, Стукова Е.В, Юрков В.В. Влияние типа иона на диэлектрические свойства клиноптилолита//Современные наукоемкие технологии. 2004. - №6. - С. 26-27.

182. Jung J. К, Han О. Н, Choh S. Н. Temperature dependence of 23Na NMR quadrupole parameters and spin-lattice relaxation rate in NaN02 powder//Solid State Commun. 1999. - V.l 10. - P.547-552.

183. Liu J, Duan Ch.-G, Yin W.-G, Mei W. N, Smith R. W„ Hardy J. R. Large dielectric constant and Maxwell-Wagner relaxation in Bi2/3Cu3Ti40i2//Phys. Rev. B. -2004. V.70. - P.144106-144112.

184. Pandey L, Hughes D.G. Interpretation of the temperature dependence of the quadrupole spin-lattice relaxation of 23Na in NaN02//J. Phys.: Condens. Matter. 1992. - V.4. - P.6889-6898.

185. Sen S, Stebbins J.F. Na-ion transport in borate and germanate glasses and liquids: A 23Na and 1 IB NMR spin-lattice-relaxation study//Phys. Rev. B. -1997. V.55. - P.3512-3520.

186. Hubbard P.S. Nonexponential Nuclear Magnetic Relaxation by Quadrupole Interactions//J. Chem. Phys. 1970. - V.53. - P.985-987.

187. Барышников С.В. Диэлектрическая проницаемость гетерогенных систем, обладающих проводимостью//Вестник Амурского научного цен131тра, серия 2, физика, химия, материаловединие. 1997. - Вып.1- С.33-37.

188. Charnaya E.V., Tien С., Lin K.J., Kumzerov Yu.A., Wur C.-S. X-ray studies of the melting and freezing phase transitions for gallium in a porous glass//Phys. Rev. B. 1998. -V.58. -P.011089-011093.

189. Ma W., Zhang M., Lu Z. A Study of Size Effects in PbTi03 Nanocrystals by Raman Spectroscopy//Phys. Stat. Sol. 1998. -V.166. -P.811-815.

190. Ландау Л Д, Лифшиц Е М Статистическая физика. М.: Наука, 1964. -570 с.