Радиационная стойкость нитридов металлов к ионам и электронам низких энергий тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Обзор литературы.

§1. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой.

1. Введение.

2. Классификация различных типов распыления.

3. Теоретические модели распыления.

3.1. Модели распыления монокристаллических мишеней.

3.2. Модели распыления поликристаллических и аморфных мишеней.

3.3. Теоретические модели распыления многокомпонентных мишеней.

4. Методы исследования ионного распыления.

4.1. Методы экспериментального исследования распыления однокомпонентных мишеней.

4.2. Методы экспериментального исследования распыления многокомпонентных твердых тел.

4.3. Моделирование процессов распыления на ЭВМ.

5. Экспериментальные закономерности распыления твердых тел ионами.

5.1. Экспериментальные закономерности распыления однокомпонентных твердых тел.

5.2. Экспериментальные закономерности распыления многокомпонентных твердых тел.

§2. Основные механизмы ЭСД.

1. Теоретические модели ЭСД.

1.1. Модель Менцеля-Гомера-Редхеда и модель Антониевича.

1.2. Модель Кнотека-Фейбельмана.

1.3. Модель десорбции для систем с ковалентной связью.

1.4. Модель Пули-Херша.

2. Методы исследования и основные закономерности ЭСД.

2.1.Определение сечения ЭСД по потоку десорбирующихся частиц.

2.2. Определение а по времени изменения потоков десорбирующихся частиц и концентрации частиц на поверхности.

2.3. Определение сечения ЭСД по появлению на поверхности восстановленной металлической фазы.

2.4. Экспериментальные закономерности.

§3. Методы напыления тонких пленок.

3.1. Методы термического напыления.

3.2. Метод дискретного (взрывного) испарения.

3.3. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии.

3.4. Катодное распыление.

3.5. Метод лазерного напыления тонких пленок.

3.6. Особенности методов напыления пленок нитридов алюминия, бора и галлия.

Глава 2. Экспериментальное изучение распыления нитридов алюминия и галлия.

§1. Экспериментальное оборудование и методики исследования.

1.1. Экспериментальная установка для изучения радиационной стойкости A IN и GaN.

Выбор объектов исследования.

1.2. Экспериментальные методы исследования распыления A IN и GaN.

§2. Получение пленок A1N и GaN методом лазерного напыления.

2.1. Экспериментальная установка.

2.2. Методика исследования пленок AIN и GaN.

§3. Результаты и обсуждение.

Глава 3. Моделирование распыления нитридов на ЭВМ.

§1. Физическая модель.Ill

§2. Расчетная модель.

§ 3. Результаты и обсуждение.

1. Энергетическая зависимость распыления поликристаллов.

2. Энергетические зависимости коэффициента распыления и пространственные распределения распыленных атомов га монокристаллов.

3. Моделирование последовательности столкновений, приводящей к распылению атомов компонент мишени.

4. Сравнение расчетных и экспериментальных данных.

Глава 4. Радиационная стойкость нитридов алюминия и галлия по отношению к низкоэнергетическому электронному облучению.

§1. Экспериментальная установка и методика проведения экспериментов.

§2. Результаты и их обсуждение.

Выводы.

В настоящее время большое внимание уделяется всестороннему исследованию нитридов целого ряда металлов. Это объясняется их уникальными свойствами и возможностью использования в различных технических приложениях.

Нитриды, например, применяются в качестве диэлектрических, защитных и упрочняющих покрытий и одновременно служат основой для нового поколения источников света большой яркости. По этим причинам наиболее изученными оказались механические и электрофизические характеристики этих материалов. Однако такая важная характеристика нитридов, как их радиационная стойкость практически не исследовалась. В то же время как в технологических процессах, так и в готовых изделиях эти материалы могут подвергаться облучению светом, ионами и электронами.

При ионном воздействии основными процессами, приводящими к разрушению объектов и модифицированию поверхности, являются распыление, радиационно-стимулированная диффузия и сегрегация. В случае электронного воздействия разрушение поверхности многокомпонентных объектов обусловлено неупругими взаимодействиями, связанными с возбуждением электронной подсистемы твердого тела, что довольно часто приводит к деструкции приповерхностных слоев, сопровождающейся десорбцией отдельных компонентов (электронно-стимулированной десорбцией - ЭСД).

Поэтому изучение явлений, происходящих на поверхности нитридов при их облучении ионами и электронами и приводящих к разрушению материала, представляется весьма актуальным. Результаты подобных исследований на практике мог>гт быть использованы, например, при прогнозировании радиационной стойкости материалов и совершенствовании методов количественного анализа поверхности с применением электронных и ионных зондов. С другой стороны, они могут способствовать дальнейшему совершенствованию знаний и развитию теоретических моделей процессов, происходящих при взаимодействии излучения с веществом.

Целью настоящей работы являлось исследование экспериментальными методами и методами компьютерного моделирования процессов ионного распыления нитридов бора, галлия и алюминия, а также изучение явлений, происходящих на поверхности под действием низкоэнергетического электронного облучения.

Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения.

1. Зигмунд П. В кн. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Бериша. Москва: Мир, 1984, с.23.

2. Sigmund P., Energy Density and Time Constant of Heavy-Ion-Induced Elastic-Collision Spikes in Solids.//Appl. Phys. Lett. 1974. v.25, no.3. pp.169-171.

3. Wehner G.K., Sputtering of Metal Single Crystals by Ion Bombardment //J. Appl. Phys. 1955.v.26.no.8, pp. 1056-1057.

4. Юрасова B.E. Образование ориентированных фигур при ионной бомбардировке металлов.//Кристаллография, 1957, т.2, с.770-775.

5. Юрасова В.Е., Плешивцев Н.В., Орфанов И.В., О направленном выходе частиц при распылении монокристалла меди пучками ионов с энергией до 50 кэВ. // ЖЭТФ, 1959, т.37, с.966-972.

6. Silsbee R., Focusing in Collision Problem in Solids // J.Appl.Phys.1957. v.28 no.ll.pp 1246-1250.

7. Leibfried G., Correlated Collisions in a Displacement Spike // J. Appl. Phys. 1959. V.30. no.4. pp.1388-1396.

8. В.Е.Юрасова, Л.Н.Левыкина, В.А.Бржезинский, О распылении монокристаллов полупроводниковых соединений типа АШВУ // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1964. т.28. с.1431-1436.

9. Lehmann С. and Sigmund P., On the Mechanism of Sputtering. // Phys. Stat. Sol. 1966. v.16. no.2. pp.507-511.

10. Rol P.K., Fluit J.M., Viehbock F.P. and de Jong M., Sputtering of Copper-Monocrystals by Bombardment with 20 keV Ar+ // Proc.of the 4th Int. Conf. on Ionization Phenomena in Gases. Uppsala. 1959. Amsterdam, v.l p.257.

11. Rol P.K., Fluit J.M. and Kistemaker J. // Sputtering of Copper by Bombardment with Ions of 5-25 keV//Physica. 1960. v.26. no.ll. pp. 1000-1009.

12. Onderdelinden D., Sputtering of f.c.c. Metals // Tesis. Leiden. 1968. Onderdelinden D., Single-Crystal Sputtering Including Channeling Phenomenon // Can.J. Phys. 1968. V.46. no.6. pp.739-745.

13. Lindhard J., Influence of Crystal Lattice on Motion of Energetic Charged Particles //Phys. Lett. 1964. v. 12. no.2. pp.126-128.

14. Плешивцев H.B. Катодное распыление. M: Атомиздат, 1968, -343 с.

15. Pease R.S. Sputtering of Solids by Penetrating Ions. In Rendiconti della Scuola Internazionale di Fisica "Enrico Fermi", Corso XIII. Societa Italiana di Fisica, Bologna, 1960. p.158.

16. Булгаков Ю.В. К теории распыления металлов легкими ионами. // ЖТФ. 1963. т.ЗЗ. с.500.

17. Sigmund P. Theory of Sputtering. 1. Sputtering Yields of Amorphous and Polycrystalline Targets. //Phys.Rev, 1969. v,184.n.2. pp. 383 -416.

18. Smith D.L. Physical Sputtering Model for Fusion Reactor First-Wall Materials. // J. Nucl. Mater. 1978.v.75. pp.20-31.

19. Юдин В.В. Коэффициенты распыления изотропных мишеней. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1984. вып.6 (172). с.З -16.

20. Bohdansky J, Roht J, Bay H.L, An Analytical Formula and Important Parameters for Low Energy Ion Sputtering.// J. Appl. Phys. 1980. v.51. no.5. pp.2861-2865.

21. Плешивцев H.B., Бажин A.M. Физика взаимодействия ионных пучков на материалы. М: Вузовская книга. 1998. -392с.

22. Liau Z.L, Mayer J.W, Brown W.L, Poate J.M., Sputtering of PtSi.// J. Appl. Phys. 1978. v. 49. no.10 pp.5295-5305.

23. Garrison B.J, Preferential Sputtering of Binary Compounds: A Model Study. // Surf. Sci. 1982. v. 114. no.l. pp. 23-37.

24. Sigmund P, Oliva A, Falcone G, Sputtering of Multicomponent Materials: Elements of A Theory. //Nucl. Instr. Meth. 1982. v. 194. no.1-3. pp.541-548.

25. Haff P.K, A Model for Surface Layer Composition Changes in Sputtered Alloys and Compounds. // Appl. Phys. Lett. 1977. v.31. no.4. pp.259-260.

26. Kelly R, An Attempt to Understand Preferential Sputtering. // Nucl. Instr. Meth. 1978. v 149. no.1-3. pp.553-558.

27. Andersen H.H, Sputtering of Multicomponent Metal and Semiconductor Targets. //J. Vac. Sci. Technol. 1979. v. 16. no.2 pp.770-771.

28. Olson R.R., King M.E., Wehner G.K., Mass Effects on Angular Distribution of Sputtered Atoms. // J. Appl. Phys. 1979. v. 50. p.3677

29. Робинсон M., Теоретические проблемы распыления монокристаллов. В кн. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р.Бериша. Москва: Мир, 1984. с.99.

30. Jackson D.P., Binding Energies in Cubic Metal Surfaces. // Rad. Eff, 1973. v. 18. no.3-4 pp.185-189.

31. Kelly R., On the Problem of whether Mass or Chemical Boning is More Important to Bombardment-Induce Compositional Changes in Alloys and Oxides. // Surf. Sci. 1980. v. 100. no. 1 pp. 85-107.

32. Pickering H.W., Ion Sputtering of Alloys.// J. Vac. Sci. Technol. 1976. v. 13. no. 2 pp.618-621.

33. Ho P.S., Lewis J.E., Wildman H.S., Howard J.K., Anger Study of Preferred Sputtering on Binary Alloys Surfaces. // Surf. Sci. 1976. v. 57. no. 1. pp. 393- 405.

34. Ho P.S., Effects of Enhanced Diffusion on Preferred Sputtering of Homogeneous Alloy Surfaces. // Surf. Sci. 1978. v. 72. no.2 pp. 253-263.

35. Kelly R., In: Proc. Symp. on Sputtering, eds. P. Varga, G. Betz, F.P. Viehbock, Perchtoldsdorf .Vienna, 1970, p.390.

36. Lam N.Q., Leaf G.K., Wiedersich H., Sputter-Induced Surface Composition Changes in Alloys. // J. Nucl. Mater. 1980. v.88. no.2-3. pp.289-298.

37. Lam N.Q., Leaf G.K., Wiedersich H., Effects of Radiation-Induced Segregation and Preferential Sputtering On the Sputtering on the Sputtering Rate of Alloys. // J. Nucl. Mater. 1979. v.85/86. pt.B. pp.1085-1089.

38. Андерсен X., Бай X., Измерения коэффициента распыления. В кн. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р.Бериша. Москва: Мир, 1984. с.194.

39. Weiss A., Heldt L., Moore W.J., Sputtering of Silver by Neutral Beams of Hydrogen and Helium // Jour. Chem. Phys. 1958. V.29. no.l. pp.7-8.

40. Behrisch R., Sputtering of Solids by Ion Bombardment // Ergeb. Exakt. Naturwiss 1964. V.35. pp. 295-443.

41. Yonts О.С., Harrison D.E. Jr., Surface Cleaning by Cathode Sputtering // J. Appl. Phys., 1960. v.31. no.9. pp.1583-1584.

42. Edwin R.P. Measurements of the Sputter Rate of Fused Silica Bombardment by Argon Ions of Energy 12-32 keV.// Journ. Phys: D. 1973. V.6. no.7. pp. 833-841.

43. Navinsek В., Sputtering Yields of Alkali Halide Single Crystals Bombarded by 2-to 10-keV Ions.//J. Appl. Phys., 1965. v.36. no.5. pp.1678-1679.

44. Anderson G.S., Mayer W.N., Wehner G.K., Sputtering of Dielectrics by High-Frequency Fields //. J. Appl. Phys., 1962. v.33. no. 10. pp.2991-2992.

45. Bay H.L., Andersen H.H., Hofer W.O., Nielsen O., The Energy Dependence of Gold Self-Sputtering. //Nucl. Instr. Meth. 1976. v 132. pp.301-305.

46. Bay H.L., Andersen H.H., Hofer W.O., Nielsen O., Transmission Sputtering Yields of Gold at 6.8 MeV. // J. Appl. Phys., 1976. v.ll. no.3. pp.289-293.

47. Blank P., Wittmaack K., The Influence of Implanted Xenon on the Sputtering Yield of Silicon. //Rad. Eff. 1975. v.27. no.1-2. pp.29-33.

48. Blank P., Wittmaack K., Schulz F., The Influence of Sputtering, Range Shortening and Stress-Induced Outdiffussion on the Retention of Xenon Implanted in Silicon. //Nucl. Instr. Meth. 1976. v 132. pp.387-392.

49. EerNisse E.P., Sputtering and Strain of Silicon by Ion Implantation // J. Appl. Phys., 1971. v.42. no. 1. pp.480-482.

50. Almen O., Bruce G., Sputtering Experiments in the High Energy Region. // Nucl. Instr. Meth. 1961. v ll.no.2. pp.279-289.

51. Andersen H.H., Bay H., The Z| Dependence of Heavy-Ion Sputtering Yield in Copper. //Rad. Eff. 1972. v.13. no.1-2. pp.67-74.

52. Bay H., Andersen H.H., Hofer B.O., Transmission Sputtering As a Technique for Measuring the Distribution of Energy Deposited in Solids by Ion Bombardment // Rad. Eff. 1976. v.28. no.1-2. pp.87-95.

53. Behrisch R., Bohdansky J., Oetjen G.H., Roth J., Schilling G„ Verbeek H„ Measurements of the Erosion of Stainless Steel, Carbon and SiC by Hydrogen Bombardment in the Energy Range of 0.5 7.5 keV. // J. Nucl. Mater. 1976. v.60. no.3. pp. 321-329.

54. Holmen G., Self-Sputtering of Ge Single Crystals.// Rad. Eff. 1975. v. 24. no.l pp.7-11.

55. Pearmain K., Unvala B.A., Sputtering of Silicon and Gallium Arsenide with Medium Energy Intense Ion Beams of Argon and Xenon. // Vacuum. 1975. v.25. no. 1 pp.3-7.

56. Айзентсон А.И., Карпухин B.C.,// ЖТФ. 1972. т.42. c.2607

57. Andersen H.H., Bay H.L., Sputtering Yield Studies on Silicon and Silver Targets. //Rad.Eff.1973 v.19 no.3 pp.139-146.

58. Andersen H.H., Bay H.L., Heavy-Ion Sputtering Yields of Gold: Further Evidence of Nonlinear Effects// J. Appl. Phys., 1975. v.46. no.6 pp.2416-2422

59. Ion Beam Surface Layer Analysis, eds. J.W. Mayer, J.F. Zeigler, Elsevier, Lausanne, 1974.

60. Ion Beam Surface Layer Analysis, eds. O. Mayer, G. Linker, F. Kappeler, Plenum, New York, 1975. -985 c.

61. Behrisch R., Weissmann R., On the Sputtering Mechanism in the Energy Range of Rutherford Backscattering. // Phys. Lett. 1969. v. 30A. no. pp.506-507.

62. Eckstein W., Scherzer B.M.U., Verbeek H., Sputtering Yields of niobium by Deuterium in the keV Range Fussion Reactor.// Rad.Eff. 1973. v.18. no.1-2 pp.135-137.

63. Folkmann F., in Ion Beam Surface Layer Analysis, eds. O. Mayer, G. Linker, F. Kappeler, Plenum, New York, 1975. p.695.

64. Bottiger J., A Review Depth Profiling of Hydrogen and Helium Isotopes within the Near-Surface Region of Solids by Use of Ion Beams. // J. Nucl. Mater. 1978 v.78. no.l pp.161-181.

65. Kirk M.A., Conner R.A., Wozniak D.G., Greenwood L.R., Malewicki R. L., Heinrich R.R., Sputtering of gold by fast neutrons. // Phys. Rev. B. 1979. v. 19. no.l pp.87-100.

66. Ogilvie G.J., Ridge M.J., The Cathodic Sputtering of Silver.// J. Phys. Chem. Solids. 1959. v.10. no.2-3. pp. 217-221.

67. Kelly R., Low Energy Depth Distribution in Pt, Al, and KC1 as Obtained by Sputtering.//J. Appl. Phys. 1968. v.39. no.ll. pp.5298-5303.

68. Smith J. N., Jr., Meyer C.H., Jr., Layton J.K., Auger Electron Spectroscopy in Sputtering Measurements: Application to Low-Energy Ar+ Sputtering of Ag and Nb+.//J. Appl. Phys. 1975. v. 46. no.10 pp.4291-4293.

69. Smith J. N., Jr., Meyer C.H., Jr., Layton J.K., Hydrogen Sputtering of Carbon Thin Films Deposited on Platinum.// J. Nucl. Mater. 1977. v. 67. no. 1-2 pp.234-235.

70. Honig R.E., Sputtering of Surfaces by Positive Ion Beams of Low Energy. // J. Appl. Phys. 1958. v. 29. no.3 pp.549-555.

71. Oechsner H., Stumpe E., Sputtered Neutral Mass Spectrometry (SNMS) as a Tool for Chemical Surface Analysis and Depth Profiling. // Appl. Phys. 1977. v. 14. no. 1 pp.43-47.

72. Stein R.P., Hurlbut F.C., Angular Distribution of Sputtered Potassium Atoms.// Phys. Rev. 1961. v. 123. no.3. pp.790-796.

73. Husinsky W., BruchmQller R., Blum P., Velocity Measurements of Sputtered Particles Using the Laser.// Nucl. Instr. Meth. 1980. v 170. no.1-3. pp.287-293.

74. Ishitani Т., Shimizu R., Tamura H. Atomic Mixing in Ion Probe Microanalysis.// Appl. Phys. 1975. v. 6. no.2. pp.277-179.

75. Krauss A.R., Gruen D.M., Determination of the Ion Fraction and Energy Analysis of Sputtered Particles from Deuterium Bombarded Surfaces. // J. Nucl. Mater. 1976. v. 63.pp.380-385.

76. Thompson M.W., Farmery B.W., Newson P.A., A Mechanical Spectrometer for Analyzing the Energy Distribution of Sputtered Atoms of Cooper Or Gold. // Phil. Mag. 1968. v. 18. pp.361-376.

77. KrUger W., Rodelsperger K., Scharmann A., Resputtering Effects by Measurements of Angular Distributions.// Zc. Phys. 1973. v.262. no.4. pp.315-326.

78. Bay H.L., Bohdansky J., Hofer W.O., Roth J., Angular Distribution and Differential Sputtering Yields for Low-Energy Light-Ion Irradiation of Polycrystalline Nickel and Tungsten.// J. Appl. Phys. 1980. v.21. no.4. pp.327-333.

79. Cuomo J.J., Gambino R.J., Harper J.M.E., Kuptsis J.D., Weber J.C., Significance of Negative Ion Formation in Sputtering and SIMS Analysis. // J. Vac. Sci. Technol. 1978. v.15. no.2. pp.281-287.

80. Wehner G.K., Isotope Enrichment in Sputter Deposits. // Appl. Phys. Lett. 1977. v. 30.no.4 pp.185-187.

81. Watanabe K., Hashiba M., Yamashina Т., In Depth Profile of Altered Layers of Copper-Nickel Alloys Formed by Sputtering. // Surf. Sci. 1977. v. 69. no. 2 pp. 721-726.

82. Liau Z.L., Brown W.L., Homer R., Poate J.M., Surface-Layer Composition Changes in Sputtered Alloys and Compounds. // Appl. Phys. Lett. 1977. v.30. no. 12. pp.626-628.

83. Poate J.M., Brown W.L., Homer R., Augustynaik W.M., Mayer J.W., Tu K.N., van der Weg W.F., The Sputtering of PtSi and NiSi. // Nucl. Instr. Meth. 1976. v 132. pp.345-349.

84. Betz G., Dobrozemsky R., and Viehbock F.P., Computer Simulation of Sputtering of Polycrystalline Materials // Int. J. Of Mass Spectr. and Ion Physics. 1971. v.6. no.5-6. pp.451-561.

85. В.И.Шульга. Расчет на ЭВМ отражения ионов и распыления монокристаллов. Диссертация, Москва, 1971. 165 с.

86. Yurasova V. Е., Shulga V.I., Bunin I.G., Mamaev В.М., Nevzorova L.N., and Petrov A.S., Peculiarities of Particle Ejections in Scattering and Sputtering of Single Crystals // Rad. Eff. 1976. v. 27. no. 2. pp. 173-178.

87. Yurasova V.E. and Linnik S.P., Sputtering of Two-Component Alloys and Compounds, Z. Phys. Chem., 1983, v. 264, pp. 1079-1093.

88. Linnik S.P, Buleev M.A, Yurasova V.E., Zapozhchenko V.I, and Chernysh V.S, Selective Sputtering of Single Crystals of Binary Semiconductor Compounds // Rad. Eff. 1981. v. 52. pp. 191-200.

89. Betz G, Dobrozemsky R, and Vichbock F.P, Computer Simulation of Sputtering of Polycrystalline Materials // Int. J. of Mass Spectr. and Ion Phys. 1971. v. 6. no. 5—6. pp. 451—461.

90. Shimizu R, Computer Simulation of Sputtering // Proc. 7th Int. Vac. Congr, Vienna, 1977, 1417-1424.

91. Haggmark L.G. and Wilson W.D, Monte Carlo Simulation of Sputtering // J. Nucl. Mat. 1978. v. 76-77. pp. 149-155.

92. Bohdansky J, Bay H.L, and Roth J, Erosion of Iron and Nickel Based Alloys by Mono- and Multi-Energetic Light Ion Bombardment in the Energy Range from 0.1-8 keV // Proc. VII Int. Vac. Congr, Vienna, 1977, pp. 1509-1512.

93. Hucks J.P, Stocklin G, Vietzke E, and Vogalbruch K, Energy and AngularDistribution of Gold and Copper Atoms Sputtered with Either 15- or 30-keV H+,He+ // J. Nucl. Mat. 1978. v. 76-77. pp. 136-142.

94. Hou M. and Robinson M.T, Computer Simulation of Low-Energy Sputtering in the Binary Collision Approximation// Appl. Phys. 1979. v,18.no.2. pp. 381-389.

95. Sulga V.I. Ejection of Fast Recoils under Ion Bombardment of Crystals, //Rad. Eff. 1980. v.51.no. l.p.l.

96. Mosunov A.S, Shelyakin L.B, Yurasova V.E.// Rad. Eff. 1980. V.52. pp. 85-90.

97. Oechsner H, Winkelabhangigkeit der Zerstaubungdrate S(d) in Winkelbereich a von 0° bis 85° for polykristallines Cu, Au, Ag, Та, W, Mo, Pd, A1 // Z. Physik. 1973. v. 261.no. l.p. 37.

98. Laegreid N. and Wehner G.K, Sputtering Yields of Metals for Ar+ and Ne+ ions with Energies from 50 to 600 eV // J. Appl. Phys. 1961. v. 32. no. 2. pp. 365-369.

99. Oen O.S. and Robinson M.J, Computer Studies of the Scattering of Low Energy Hydrogen Ions from Polycrystalline Solids // J. Nucl. Mat. 1976. v. 63. no. 1. pp. 210-214.

100. Promokhov A.A., Eltekov V.A. Yurasova V.E., Colligon J.S. and Mosunov A.S., Computer Calculations of Single Crystal Sputtering by Low-Energy Ions //Nucl. Instr. Meth. В 1996. v 115. pp.544-548.

101. Harrison D.E., Johnson J.P., and Levy N.S., Spot Patterns and Silsbee Chains of Cu Single Crystal // Appl. Phys. Lett. 1966. V. 8. no. 2. pp. 33-36.

102. Harrison D.E., Levy V.S., Johnson J.P., and Effron H.M., Computer Simulation of Sputtering // J. Appl. Phys. 1968. V. 39. no. 12. pp. 3742-3761.

103. Harrison D.E., Additional Information on "Computer simulation of sputtering" // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. no. 11. pp. 3870-3872.

104. Harrison D.E., Moore J.W., and Holcombe H.T., Computer Simulation of Sputtering II // Rad. Eff. 1973. v. 27. no. 2. pp. 167-183.

105. Harrison D.E., Kelly P.W., Jarrison R.J., and Winograd N., Low Energy Ion Impact Phenomena on Single Crystal Surface // Surf. Sci. 1978. V. 76. no. 4. pp. 311-322.

106. Magnuson G.D. and Carlston C.E., Sputtering of Single Crystals Bombarded by 1- to 10-keV Ar+ ions // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. no. 11. pp. 3267-3271; Phys. Rev. 1965. V. 138. no. ЗА. pp. 759-763.

107. Southern A.L., Willis W.R., and Robinson M.T., Sputtering Experiments with 1to 5-keV Ar+ ions // J. Appl. Phys. 1963. no. 1. pp. 153-163.

108. Cooper C.B., Hart R.G., Riley J.C., Low- Energy Sputtering Yield of The (111) and (ITT) Faces of GaAs. // Joum. Appl. Phys. 1973. v.44. no.ll. pp. 51835184.

109. Andersen H.H., Tu K.N., Ziegler J.F., Polycrystalline Film Target Texture and Nuclear Backscattering Analysis.// Nucl. Instrun. Methods, 1978. v,149.no.l-3. pp. 247-251.

110. Nelson R.S., The Effect of Temperature on the Propagation of Focused Collision Sequences in Gold. // Phil. Mag., 1962. v.7. pp. 515 -517.

111. Ваулин Е.П., Георгиева H.E., Мартыненко Т.Д., Зависимость коэффициента распыления меди от температуры. // ФТТ. 1977. т. 19. №5 с.1423 -1425.

112. Andersen Н.Н., Bay H.L., Heavy -Ion Sputtering Yields of Silicon. // Journ. Appl. Phys. 1975. v.46. no.5. pp.1919 1921.

113. EerNissee E.P., Sputtering of Au by 45 keV Ions for Different Fluence. 11 Appl. Phys. Lett. 1976. v.29. no.l. pp.14 17.

114. Blank P., Wittmaack K., Energy and Fluence Dependence of the Sputtering Yields of Silicon Bombarded with Argon and Xenon. // J. Appl. Phys. 1979. v.50. no.3. pp.1519-1528.

115. Andersen H.H., The Dose Dependence of 45 keV V+ and Bi+ Ion Sputtering Yield of Copper. //Radiat. Eff. 1973. v. 19. no.4. pp.257 261.

116. Rosenberg D., Wehner G.K., Sputtering Yields for Low Energy He+, Kr+ and Xe+ Ion Bombardment. //J. Appl. Phys., 1962, v.33. p. 1842

117. Almen 0., Bruce G., Collection and Sputtering Experiments with Noble Gas Ions. //Nucl. Instr. Meth. 1961. v ll.no.2. pp.257- 278.

118. Almen 0., Bruce G., Lunden A., Electromagnetic Isotope Separator in Gothenburg. //Nucl. Instr. Meth. 1958. v 2. p.249.

119. Schirrwitz H., Kathodezerstaubung bei beschus verschiedener Metalle mit Argon-ionen im mitteleren energiebereich. //Beitr. Phasmaphs. Deutsche Akademic der Wissenschaften zu Berlin, 1962, v.2, p. 188

120. Молчанов B.A., Тельковский В.Г., Изменение коэффициента катодного распыления в зависимости от угла падения ионов на мишень. // ДАН СССР. 1961. т.136. с.801 -802.

121. Душков И.И., Молчанов В.А., Тельковский B.F., Чичеров В.М., Некоторые угловые закономерности катодного распыления. // ЖТФ.1961. т.31. №8. с.1012.

122. Sigmund P., Theory of Sputtering. 1. Sputtering Yields of Amorphous and Polycrystalline Targets. // Phys.Rev.,1969. v.l84.n.2. pp. 383 -416.

123. Rol P.K., Fluit J.M., Kistemaker J., Sputtering of Copper by Bombardment with Ion of 5-25 keV.// Physica. 1960. v.26. no.ll. pp.1000- 1008.

124. Dupp G., Scharmann A., Die Zerstaubung von Kupfer durch Edelgas-Ionen im Energiebereich von 100 keV bis 1 MeV als Funktion des Einfallswinkels. // Zs. Phys. 1966. v.194. no.5. pp.448 152.

125. Bay H.L., Bohdansky J., Sputtering Yields for Light Ions As a Function of Angle of Incidence. // Appl. Phys. 1979. v.19. no.4. pp.421-426.

126. Carter G., Colligon J. S., Ion Bombardment of Solids, Heinemann, London, 1968. 446 c.

127. Nelson R.S., The Observation of Atomic Collisions in Crystalline Solids. North-Holland, Amsterdam, 1968. 281 c.

128. Townsend P.D., Kelly J.C., Hartley N.E., Ion Implantation, Sputtering and Their Applications. Academic Press, London, 1976.

129. Inelastic Ion Surface Collisions, eds. Tolk N.H, Tully J.C, Heiland W„ White C.W, Academic Press, New York, 1972.

130. Workshop on Inelastic Ion Surface Collisions, ed. Kelly R, North-Holland, Amsterdam, 1979.

131. Inelastic Particle-Surface Collisions, eds. Taglauer E, Heiland W, Springer Ser. Chem. Phys, v. 17, Springer, Berlin, Heidelberg, New York, 1981.

132. Betz G, Alloy Sputtering. // Surf. Sci. 1980. v. 92. no. 1 pp. 283-309.

133. Betz G, Arias M, Braun P, Sputtering of the Ternary Alloy System Ag-Au-Cu with 2 keV Ar+ Ions. //Nucl. Instr. Meth. 1980. v 170. no. 1-3. pp.347-350.

134. Betz G, Marton J, Braun P, Changes in The Surface Composition of Ag-Pd, Au-Pd and Cu-Pd Alloys Under Ion Bombardment. // Nucl. Instr. Meth. 1980. v 168. no.1-3. pp.541-545.

135. Saeki N, Shimizu R, Thickness and in- Depth Composition Profile of Altered Layer Caused on Cu-Ni Alloy Surface due to Preferential Sputtering. // Surf. Sci, 1978, v.71„no.2. pp. 479-490.

136. Ogar W.T, Olson N.T, Smith H.P, Jr., Simultaneous Measurement of Sputtered Constituents of Cu3Au. // J. Appl. Phys. 1969. v. 40. no. 12. pp.4997-4998.

137. Szymonski M, Bhattacharya R.S, Overeijnder H, de Vries A.F, Sputtering of AgAu Alloy by Bombardment with 6 keV Xe+ Ions. // Journ. Phys. D, 1978. v. 11, no.5. pp.751-759.

138. Holloway P.H, Quantitative Auger Electron Analysis of Homogeneous Binary Alloys Chromium in Gold. // Surf. Sci. 1977. v. 66. no. 2. pp. 479-494.

139. Andersen H.H, Besenbacher F, Goddiksen P, Proc. Symp. on Sputtering, eds. P.Varga, G. Betz, F.P. Viehbock, Perchtoldsdorf, Vienna, 1980, p.446.

140. Kelly R., Lam N.Q., The Sputtering of Oxides. I. A Survey of the Experimental Results. //Rad. Eff., 1973. v. 19. no.l. pp.39—48.

141. Navinsek B.J., Sputtering Yields of Alkali Halide Single Crystals Bombarded by 2- to 10-keV Ions.// J. Appl. Phys., 1965. v.36. no.5. pp.1678-1679.

142. Husinsky W., Bruckmiiller R. Energy Spectra of Sputtered Na Atoms from Bombardment of NaCl with 20 keV Rare Gas Ions. // Surf. Sci. 1979. v.80. pp.637-644.

143. Мартыненко Т.П., Распыление нитридов и боридов металлов ионами Cd+ с энергией до 500 эВ. //ФФТ, 1967, т.9, с.3655 --3656.

144. Мартыненко Т.П., Распыление карбидов металлов ионами Cd+ с энергией до 500 эВ. // ФФТ, 1967, т.9, № 10. с.2839-2845.

145. Menzel D., Gomer R., Desorption from Metal Surfaces by Low-Energy Electrons //J. Chem. Phys., 1964. v.41, no. 11, pp.3311-3329.

146. Redhead PA. Interaction of Slow Electrons with Chemisorbed Oxygen // Can. J. Phys., 1964. v.42, no.5. pp.886-905.

147. Redhead P. A. Desorption of CO and 0+ from Poly crystalline Mo Surfaces by Slow Electron Impact // Appl. Phys. Lett. 1964. v.4. no. pp. 166-167.

148. Antoniewicz P.R. Model for Electron- and Photon- Stimulated Desorption // Phys. Rev. В., 1980. v.21. no.9. pp.3811-3815.

149. Knotek M.L., Feibelman P.J., Ion Desorption by Core-Hole Auger Decay // Phys. Rev. Lett., 1978. v.40. no. 14. pp.964-967.

150. Knotek M.L., Feibelman P.J., Stability of Ionically Bonded Surfaces in Ionizing Environments // Surf. Sci. 1979. v.90. no.l. pp.78-90.

151. Knotek M.L., Feibelman P.J., Reinterpretation of Electron-Stimulated Desorption Data from Chemisorption System. // Phys. Rev. В., 1978. v. 18. no.12. pp.65316539.

152. Pauling L. The Nature of Chemical Bond . New York: Cornell University Press, 1945.- 451 p.

153. Ramaker D.E. Models for Desorption in Covalent Systems. In Desorption Induced by Electronic Transitions. DIET 1. Springer Series in Chemical Physics, 1983. v.24.

154. Ramaker D.E. Covalent Interaction Effects in Electron/Photon-Stimulated Desorption//J. Vac. Sci. Technol. A, 1983, v.l. no.2. pp. 1137-1144.

155. Pooley D., F-center Production Alkali Halides by Electron-Hole Recombination and a Subsecuent 110. Replacement Sequence: a Discussion of Electron-hole Recombination // Proc. Phys. Soc., 1966. v.87 nol. pp.245-256.

156. Hersh H.N., Proposed Excitonic Mechanism of Color-Center Formation in Alkali Halides. //Phys. Rev. 1966. v. 148. no.2. pp.928-932.

157. Rakhovskaya O.V., Elovikov S.S., Dubinina E.M., Shakhurin E.S., Dementjiev A.P., Electron Stimulated Desorption Process from Ionic Compound Surface // Surf. Sci. 1992. v.274. pp.190-198.

158. Ageev V.N., Burmistrova O.P., Yakshinskii B.V., Electron Stimulated Alkali Metal Desorption from the Oxygen Monolayer-Covered Tungsten Surface // Surf. Sci. 1988. v.194. pp.101-114.

159. Madey Т.Е., Yates J.T., ESD as a Tool for Studies of Chemisorption: A Review // J. Vac. Sci. Technol. 1971. v.8. no.4. pp.525-555.

160. Feulner P., ESD Neutrals from Chemisorbed and Physisorbed Species: Angular and Energy Distributions // in Desorption Induced by Electronic Transitions DIET-2, Springer Series in Surface Science: 1985. v.4. pp. 142-151.

161. Tolk N.H., Haglung R.F., Mendenhall Jr. M.H., Taglauer E., Electronically Induced Desorption of Neutral Atoms Observed by Optical Techniques // in DIET-2, Springer Series in Surface Science. 1985. v.4. pp. 152-159.

162. Suzuki K., Kobayashi S., Katsube Т., Cross Sections of ESD under Technical Vacuum Conditions and 1 to 3 keV Electron Energies. // Appl. Surf. Sci. 1988. v.33/34. pp.325-334.

163. Tolk N.H., Traum M.M., Kraus J.S., Pian T.R., Collins W.E., Stoffel N.G., Margaritondo G., Optical Radiation from Photon-Stimulated Desorption of Exited Atoms. //Phys. Rev. Lett. 1982. v.49. no.ll. pp.812-815.

164. Sayyid S, Williams E.M, Threshold Behaviour in the Process of Electron Stimulated Desorption // Surf. Sci. 1977. v.62. no.2. pp.431-454.

165. Stulen R.H, Stimulated-Desorption of Hydrogen from Water on Transition Metal Surfaces // in DIET-2, Springer Series in Surface Science. 1985. v.4. pp.130-135.

166. Park Ch, Kramer M, Bauer E, Thresholds of Electron Stimulated Desorption of F+ Ions. // Surf. Sci. 1981. v.109. no.3. pp. L533-L538.

167. Ming Yu L, Observation of Positive and Negative О Ions during Electron Bombardment of Oxygen-Covered Mo (100) Surfaces. // Phys. Rev. B. 1979. v.19. no. 12. pp.5995-6000.

168. Холлэнд JI, Нанесение тонких пленок в вакууме. Госэнергоиздат, 1963.

169. Холлэнд Л, в кн. Пленочная микроэлектроника. М: Мир. 1968, стр.144.

170. Richards J.L, Hart Р.В., Gallone L.M., // J. Appl. Phys. 1963. v.34. pp.3418.

171. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под. ред. Ченга Л, ПлогаК., М, 1989.

172. Денисов А.Г, Кузнецов Н.А, Макаренко В.А, Оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии. // "Обзоры по электронной техники." Сер.7, в.17. М. 1981.

173. Francombe М.Н, in "Basic Problems in Thin Film in Physics" eds. Niedermayer R, Mayer H, Vandenhoeck u. Ruprecht, Gottingen, 1966, p.52.

174. Francombe M.H, in "The Use of Thin Films in Physical Investigations." ed. Anderson J.C, Acad. Press, London, 1966. p.29.

175. Frerichs R, Superconductive Films Made by Protected Sputtering of Tantalum or Niobium.// J. Appl. Phys. 1962. v.33.no.5. pp.1898-1899.

176. Bonem F.L, Uses Laser Beam for Thin-Film. // Research/Development. 1964. v,15.no.6. pp.50-52.

177. Талонов C.B. Лазерное напыление пленок. // Вестник АН СССР, 1984. №12. стр.3-10.

178. Рэди Дж., Действие мощного лазерного излучения. М: Мир. 1974. -468 с.

179. Sancur Н., Hall К., Thin-Film Deposition by Laser-Assisted Evaporation // Appl. Opt. 1985. v.24. no.20. pp.3343-3347.

180. Ахсахалян А.Д., Гапонов C.B., Лучин В.И., Чириманов А.П., Угловое распределение разлетающейся в вакуум эрозийной лазерной плазмы. // ЖТФ. 1988. т.58. в.10. стр. 1885-1892.

181. Гапонов С.В., Лускин Б.М., Нестеров Б.А., Салащенко Н.Н., Низкотемпературная эпитаксия пленок, конденсированных из лазерной плазмы. // Письма в ЖТФ. 1977. т.З. №12. стр.573-576.

182. Houle F.A., Basic Mechanisms in Laser Etching and Deposition // Appl. Phys. A. 1986. v.41. pp.315-330.

183. Быковский Ю.А., Сильнов C.M., Шарков Б.Ю., Шувалов С.М., Электроны лазерной плазмы. // Квантовая эл-ка. 1975. т.2. №5. стр.989-994.

184. Днепровский В.Г., Банков В.Н., Получение тонкопленочных слоев в вакууме с помощью излучения оптических квантовых генераторов. // Зарубежная радиоэл-ка. 1978. №9. стр. 133-142.

185. Verardi P., Dinescu М., Gerardi С., Mirenghi L., Sandu V., AIN Thin Films Deposition by Laser Ablation of A1 Target in Nitrogen Reactive Atmosphere. // Appl. Surf. Sci. 1997. v. 109/110. pp.371-375.

186. Bhattacharya P., Bose D.N., Laser Deposition of AIN Thin Films on InP and GaAs. // Japan. J. Appl. Phys. 1991. v. 30 no. 10A. pp.L1750 L1752.

187. Lieske N. , Hezel R., Formation of Al- Nitride Films at room Temperature by Nitrogen Ion Implantation into Aluminum. // J. Appl. Phys. 1981. v.52. no.9. pp.5806- 5810.

188. Angleraud В., Cahoreau M., Jauberteau I., Aubreton J., Catherinot A., Nitrogen Ion Beam-Assisted Pulsed Laser Deposition of Boron Nitride Films. // J. Appl. Phys. 1998. v.83. no.6. pp. 3398 3403.

189. Medlin D.L, Friedmann T.A, Mirkarimi P.B, Rez P, Mills M.J, McCarty K.F, Microstructure of Cubic Boron Nitride Thin Films Grown by Ion-Assisted Pulsed Laser Deposition. //J. Appl. Phys. 1994. v.76. no.l. pp.295 -303.

190. Mirkarimi P.B, McCarty K.F, Medlin D.L, Wolfer W.G, Friedmann T.A, Klaus E.J, Cardinale G.F, Howitt D.G, On the Role of Ions in the Formation of Cubic Boron Nitride Films by Ion-Assisted Deposition // J. Mater. Res. 1994. v.9. no.ll. pp. 2925-2938.

191. Yoshida T. Vapour Phase Deposition of Cubic Boron Nitride. //Diamond and Related Materials. 1996. v.5. pp.501-507.

192. Weijsenfeld C.H, Philips Res. Rep, Suppl. no. 2, 1967.

193. Промохов А.А. Моделирование распыления монокристаллов различной структуры медленными ионами. Дисс. канд. физ.-мат. наук. М: МГУ, 1996. -121с.

194. Andersen Н.Н, Sigmund P. Defect Distributions in Channeling Experiments. // Nucl. Instr. Meth. 1965. v.38. p.238-240.

195. Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. М. Мир. 1995. 319 с.

196. Харисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. т.1. М: Мир. 1983, -381 с.

197. Magnuson G.D, Meckel В.В, and Harkins, Р.А, Etch Effects from Oblique-Incidence Ion Bombardment, J. Appl. Phys, 1961, vol. 32, no. 3, pp. 369-374.

198. Magnuson G.D. and Carlston C.E, Sputtering Yields of Single Crystal Bombardment by 1- to 10-keV Ar+ ions, J. Appl. Phys, 1963, vol. 34, no. 11, pp. 3267-3273

199. Thompson M.W. The Energy Spectrum of Ejected Atoms During the High Energy Sputtering of Gold. // Philos. Mag, 1968, v. 18, pp.377-414.

200. Thompson M.W, Defects and Radiation Damage in Metals. Cambridge: Cambridge University Press, 1969.

201. Еловиков С.С, Гвоздовер PC, Сушкова Ю.В, Тажиева Г.Р, Постников С.А Электроно-стимулированные процессы на поверхности