Разбавленные магнитные полупроводники на основе ZnGeAs2 и CdGeP2 тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ
|
Варнавский, Сергей Александрович
АВТОР
|
||||
|
кандидата химических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
|
Москва
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
|
2007
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
02.00.04
КОД ВАК РФ
|
||
|
|
||||
На правах рукописи
Варнавский Сергей Александрович
РАЗБАВЛЕННЫЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ НА ОСНОВЕ гпОеАвз И Сс1СеР2
02 00 04 - Физическая химия
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук
Москва-2007
003066595
Работа выполнена в Институте общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
Научный руководитель:
доктор химических наук, профессор Маренкин Сергей Федорович
Официальные оппоненты:
Ведущая организация:
Член-корреспондент РАН, доктор химических наук, профессор Гехман Александр Ефимович
кандидат физ -мат наук Трифонов Владимир Ильич
Московский Государственный Институт Стали и Сплавов (Технологический Университет)
Защита диссертации состоится «23» октября 2007 г в Ц часов на заседании диссертационного совета К 002 021 01 в Институте Общей и Неорганической Химии им НС. Курнакова РАН по адресу 119991, ГСП-1, г Москва, Ленинский проспект, д 31
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИОНХ РАН по адресу г Москва, Ленинский проспект, д 31
Автореферат разослан «21» сентября 2007 г
Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат химических наук, доцент
Очертянова Л И
Общая характеристика работы
Актуальность темы
В настоящее время перспективным направлением микроэлектроники становится спинтроника, ввиду того что энергетически управлять спином более выгодно, чем зарядом электрона, поэтому разработка устройств спинтроники позволит улучшить на порядки параметры существующих приборов и создать новые устройства, не имеющие до сих пор аналогов [1]
Одним из путей разработки устройств спинтроники является осуществление инжекции электронов с определенным спиновым состоянием из ферромагнетика в полупроводник Ключевой проблемой в этом случае является поиск и создание ферромагнетиков со структурой полупроводника и высокой температурой Кюри (Тс) В настоящее время большинство исследователей пытаются создать такие материалы с помощью допирования (1-элементов (марганец, хром, железо) в полупроводники Ов, АШВУ и АПВУ1 Лучшие результаты были получены на пленках Оа1_хМпхА8 до х=0 06 - 0 07, синтезированные молекулярно-лучевой эпитаксией, с максимальной температурой Кюри -160 К [2] Сравнительно недавно было обнаружено, что более высокими температурами Кюри обладают соединения АПВ1УС 2, легированные марганцем [3, 4], при этом наивысшая температура Кюри 355 К была получена для СсЮеАвг, содержавшим 3 масс % Мп [5, 6], поэтому представляет интерес рассмотреть другие соединения из этой группы, структурно более совместимые с кремнием и арсенидом галлия В теоретической работе [7] на основе расчета функциональной плотности электронного состояния соединений АПВ1УСУ2 с Мп было высказано предположение, что цинковые соединения, по сравнению с кадмиевыми, должны иметь более высокие температуры Кюри В пользу выбора в качестве объекта исследования гпОеАзг можно отметить хорошее структурное соответствие гпЭеАвг с арсенидом галлия, разница в параметрах а их элементарных ячеек по [001] не превышает 2%, что обеспечивает возможность эпитаксии
В качестве второго объекта исследования был выбран СсЮеР2, на основе которого впервые был синтезирован высокотемпературный ферромагнетик [3] Однако эти результаты были получены на пленочных образцах, что затрудняло получение однородного распределения марганца по глубине слоя, поэтому нам представляло интерес провести исследования на объемных образцах СсЮеР2 с различным содержанием Мп
Цель работы
Целью настоящей работы является создание физико-химических основ получения высокотемпературных разбавленных магнитных полупроводников на основе 2пОеАз2 и СсЮеР2 Для этого представлялось необходимым решение следующих задач
• Провести триангуляцию тройных систем Ъа - ве - Ав и Сс1 - ве - Р и экспериментально исследовать разрез Се - Ълк.^.
• Выбор оптимальных условий синтеза соединений 2пОеАз2 и СсЮеР2
• Определить максимальную растворимость Мп в 2пСеАз2 и СсЮеР2 и приготовить образцы, пригодные для изучения электромагнитах свойств
• Вырастить монокристаллы 2гЮеАз2, допированные Мп и Со
• Измерить в интервале температур 5 - 400 К магнитные и электрические свойства 7пОеАз2 и СсЮеР2 с различным содержанием марганца
Научная новизна
Комплексом методов физико-химического анализа разработаны физико-химические основы получения высокотемпературных разбавленных магнитных полупроводников на основе 2п(ЗеАз2 и С<ЮеР2, с температурами Кюри выше комнатных, путем создания их пересыщенных твердых растворов с Мп
Установлены условия синтеза нелегированных и легированных Мп соединений 2пОеАз2 и СсЮеР2 исходя из анализа и экспериментального изучения тройных систем 2п - ве - Ав и Сс1 - йе - Р
Экспериментально исследован разрез ве - 2пАз2 тройной фазовой диаграммы Zn-Ge- Аб По разрезу образуется конгруэнтно плавящееся
4
соединение 2пОеА52, окруженное эвтектиками Ое + 2пОеА$2 и гпОеАвг + гпАвг Координаты эвтекгик 1098 К, -15 моль % 2пАв2 и 1018 К, -95 моль % 2лАз2 соответственно Изучение микроструктуры эвтектик показало, что они относятся к эвтектикам пластинчатого типа Растворимость ве в гпОеАвг существенно ниже литературных данных и не превышает 1-2 моль % Растворимость гпАвг в ZnGeAs2 меньше 1 моль %
Максимальная растворимость Мп в 2пОеАз2 и СсЮеР2 составляет =3 5 масс % и =4 5 масс % соответственно
Измерение электрических и магнитных свойств в интервале температур 5 - 400 К показало, что 2пОеАз2 и СсЮеР2, допированные Мп, обладают спонтанной намагниченностью с температурами Кюри 367 и 330 К соответственно При малых магнитных полях их магнитные свойства характерны для спиновых стекол
Изучение барических зависимостей р(Р) и ЯН(Р) соединений 2пОеА52 и СсЮеРг подтверждало данные об образовании твердых растворов Аи,_хМпхСеСУ2 ц частности, введение Мп упрочняло кристаллическую структуру СсЮеР2, т к на образцах, допированных Мп, фазовые превращения происходили при более высоких давлениях
Методом направленной кристаллизации по Бриджмену были выращены монокристаллы гпвеАзг, допированные Мп и Со Монокристаллы 2пОеАз2, допированные марганцем, оказались магниточувствительными при комнатной температуре
Практическая ценность
Построена часть фазовой диаграммы состояния Ъа - ве - Аб и разработаны методы синтеза тройных соединений ЕпОеАвг и СсЮеР2 Выращены монокристаллы 2пОеАз2 Разработана методика введения Мп в соединения АПОеСу2, позволившая получить высокотемпературные ферромагнетики с температурами Кюри 367 К и 330 К, структурно совместимыми с ОаАв, что представляет интерес для создания материалов спинтроники
Основные положения, выносимые на защиту
1 Построение разреза Се - гпАвг тройной фазовой диаграммы Zn-Ge- Аб комплексом методов физико-химического анализа
2 Методика синтеза 2пОеАз2 и СсЮеР2 путем взаимодействия высокочистых АПВУ2 (где А - Ъл, Сс1, В - Р, Ав) с Ое
3 Определение растворимости Мп в 2пСсАз2 и СсЮеР2 при температуре, близкой к температуре плавления этих соединений по гипотетическому разрезу АпОеСу2 - МпОеСУ2
4 Результаты измерений в широких интервалах температур (от 5 до 400 К) и магнитных полей (0 6 — 50 кЭ) магнитной восприимчивости, электросопротивления и постоянной Холла на нелегированных и легированных Мп образцах АПОеСУ2
5 Получение монокристаллов 2пСеАз2, допированных Мп и Со
Личный вклад автора заключается в выборе направления исследования, критическом анализе имеющейся литературы, подготовке экспериментального оборудования, непосредственном проведении экспериментов по синтезу образцов, анализе результатов их идентификации, написании статей, подготовке докладов, формулировке выводов и написании диссертации
Апробация работы
Материалы диссертации докладывались на Международной конференции "Актуальные проблемы физики твердого тела" (ФТТ-2005), республика Беларусь, г Минск, 26-28 октября 2005, VI Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 17-22 сентября 2006 г, третьей международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-ого века», 20 - 26 ноября, 2006 г Москва, МИСиС, международной конференции «Ргака-2007», г Баку, Азербайджан, международной конференции "Актуальные проблемы физики твердого тела" (ФТТ-2007), г Минск, республика Беларусь, и на ежегодных научных конференциях ИОНХ РАН в 2004, 2005 и 2007 г г
Публикации
По теме диссертации опубликовано 3 статьи, 2 из которых в журналах, входящих в перечень рецензируемых научных журналов и изданий ВАК РФ, 7 тезисов докладов на российских и международных конференциях
Структура и объем работы
Диссертация состоит из введения, обзора литературы, экспериментальной части, включающей обсуждение результатов, выводов, приложения и списка литературы Работа изложена на 164 страницах и содержит 16 таблиц, 75 рисунков, 171 наименование цитируемой литературы
Основное содержание работы
Во введении обоснованы актуальность темы и выбор объектов исследования, сформулированы цели и задачи, представлены основные положения, составляющие научную новизну и практическую значимость работы
В первой главе проведен критический анализ литературных данных по диаграммам состояния систем Ап - ве - Су, где А - 7ж, Сс1, С - Ав, Р Рассмотрены кристаллические структуры и основные физические свойства соединений АпОеСУ2 Проанализированы результаты влияния Мп на магнитные и электрические свойства полупроводников группы АПВ1УСУ2, что позволило оценить необходимые количества Мп, приводящие к появлению ферромагнетизма в этих полупроводниках Рассмотрены модели, объясняющие природу ферромагнетизма в этих полупроводниках Приводятся структурные и магнитные свойства МпАв и МпР Следует отметить, что температура Кюри для этих соединений 315 и 291 5 К соответственно Анализ литературных данных позволил предположить, что преимущество полупроводников АпОеСУг в качестве матриц для создания ферромагнетиков, по сравнению с другими группами полупроводников, состоит в большей растворимости в них ё-элементов
Во второй главе приведены подробные описания методик идентификации образцов, измерения магнитных и электрических свойств, Оценена точность измерений с учетом аппаратурных погрешностей и степени достоверности методик
Учитывая сложность синтеза неравновесных (метастабильных) образцов, идентификация проводилась комплексом методов физико-химического анализа, включавшего в себя рентгенофазовый (РФА), дифференциальный термический (ДТА), микроструктурный и рентгенофлуоресцентный анализы1 Рентгенофазовый анализ выполнялся в ряде научных организаций в ИОНХ РАН на ДРОН-1, в Воронежском Государственном Университете на ДРОН-42 и в Институте Физики Польской Академии Наук3 с помощью дифрактометра Siemens Knstalloflex D5000 Дифракционные картины расшифровывались с использованием программного комплекса PowderCell Состав образцов на содержание Мп контролировался атомно-абсорбционным анализом4 Общий химический состав образцов контролировался рентгеноспектральным флуоресцентным анализом ДТА проводился с помощью пирометра Курнакова С помощью сканирующих электронных микроскопов в Физическом Институте РАН и МГУ изучали состав и структуру поверхности образцов Электрические и магнитные свойства были измерены в интервале температур от 5 до 400 К и магнитных полях от 0 6 до 50 кЭ в Институте Физики Польской Академии Наук5, МГУ (физический факультет)6 и МИСиС В институте физики дагестанского научного центра РАН7 были измерены удельное электросопротивление и коэффициент Холла при гидростатических давлениях до 5 ГПа
Третья глава посвящена изучению фазовых равновесий в тройных системах Zn - Ge - As Получение тройных соединений AnGeC2 можно проводить из бинарных соединений по разрезам Ge-AnCv2 и А11 - GeCv2 Сравнение физико-химических свойств бинарных соединений AnCv2 и GeCv2 показывает, что прекурсор предпочтительнее изготавливать на основе AnCv2 Для установления оптимальных условий синтеза ZnGeAs2 представляло интерес исследовать разрез Ge - ZnAs2 Ранее в работе [8] был изучен разрез
1 Измерения проводились в ООО «Системы для микроскопии и анализа» в н с, д х н Куприяновой T А
2 Измерения проводились к х н Долгополовой Э А
3 Измерения проводились н с Домуховским В
4 Измерения проводились к х н Очертяновой Л И
5 Измерения проводились н с Шимчак Р
6 Измерения проводились профессором МГУ, д ф-м н Королевой Л И
7 Измерения проводились группой сотрудников под руководством зав лабораторией, к ф-м н Моллаева А Ю
8
Се - гпСеАвг Однако данные по большой растворимости германия в диарсениде германия цинка (до 20 моль % йе) вызывали сомнения По-видимому, ошибка в определении растворимости германия вызвана тем, что дифракционные картины ве и 2пСеАз2 практически идентичны (рис 1)
1600
Л
Б
О
| 800-
0
1
1 400 4
- 1-ве|
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 > 1 < 1 < 1 > 1
10
1600
0
1 800-
0
X р
1 400-
0
10
20
30
I
20
—Г-30
40
50 Э, град
60
70
40
I
0,
I 1
50
град
60
т 70
80
90
-гпСеАвг
_Л
-г-80
I
90
Рис 1 - Дифракционные картины Се и 2пОеАз2
Нами комплексом методов физико-химического анализа был полностью исследован разрез йе - гпАвг Синтез образцов проводили путем непосредственного сплавления соответствующих количеств йе с 2пАз2 или 2пСеАз2 Данные по температурам обнаружения эффектов методом ДТА и данные по фазовому составу, полученные с помощью РФА и микроструктурных исследований, представлены в табл 1 На рис 2 показаны результаты рентгенофлуоресцентного анализа образцов №7, №10 и №11 По результатам табл 1 и рис 2 построен разрез йе - 2пА52 тройной фазовой диаграммы 2п - йе - Ав (рис 4)
Таблица 1 - Данные по температурам обнаружения эффектов методом ДТА и данные по фазовому составу, полученные с помощью РФА и микроструктурных исследований
Образец Ge ZnAs2 Температура обнаружения эффектов, °С Фазовый состав
моль % масс % моль % масс %
1 100 100 0 0 940 Ge
2 94,4 85 05 5,60 14 95 - Ge+ ZnGeAsî
3 91,1 77 57 8,89 22 43 825, 875 Ge+ ZnGeAs2
4 78,6 55 19 21,54 44 81 832 Ge+ ZnGeAs2
5 66,0 39 65 33,90 60 35 825,843 ZnGeAs2+ Ge
6 61,03 34 58 38,97 65 42 855 ZnGeAs2+ Ge
7 59,02 32 71 40,98 67 29 853 ZnGeAs2+ Ge
8 54,72 28 97 45,28 71 03 851,867 ZnGeAs2
9 52 88 27 47 47,12 72 53 854, 872 ZnGeAs2
10 50 25 23 50 74 77 880 ZnGeAs2
11 46,4 22 66 53,46 77 34 756, 865 ZnGeAs2 +ZnAs2
12 24,6 9 96 75,04 90 04 738, 850 ZnGeAs2 +Zn As2
13 13,1 4 87 86,39 95 13 745,833 ZnGeAs2 +ZnAs2
14 3,65 1 26 96,35 98 74 730 ZnGeAs2 +Zn As2
15 0 0 100 100 770 ZnAs2
! гпвеАг, 90% - ве 10%
< О
..........
(
Ч\! V
4 г
I 1 4
V Аз
6 8 10 12 Длина образца Ц мм
—^ ое I « о гп
-ве |
гпбеАзг
23456789 Длина образца I мм
о го
г <
о
Г
1\
'V/
][ V у
гпОеАв2 40% - 2пА8260%
•Ом
уч у у ^\/
I
-л
4 6 8 10 12
Длина образца I мм | ▼ аэ | * ее | • гп
Рисунок 2 - Распределение элементов в образце № 7, 10 и 11
Рисунок 3 - фазовая диаграмма системы Ое - гпАв2
— данные работы [9]
— данные ДТА
— данные микроструктурного анализа
▲
Ф
гЩ-1
На разрезе образуется соединение гпСеАвг, плавящееся конгруэнтно при температуре 1153 К, что хорошо согласуется с данными [9] 2пОеАз2 образует эвтектики с Бе и 2пАв2 Координаты эвтектик соответственно 1098 К, -18-20 моль% Хпк$2 и 1018 К, -95 моль% Ъпкч2 Изучение микроструктуры эвтектики показало, что они относятся к эвтектикам пластинчатого типа Растворимость Ое в 2пОеАз2, установленная на основе микроструктурного и рентгенофлуоресцентного анализов при комнатной температуре, не превышала нескольких % Растворимость ЪпКъ-х в составляла < 1 моль %
Тепловые эффекты на термограммах, обнаруженные при —1128 К, по-видимому, связаны с фазовым переходом кубической модификации в тетрагональную модификацию гпвеАзг
В четвертой главе описан синтез и исследование электромагнитных свойств гпОеАБг {Мп} Сложность синтеза заключалась в том, что для получения ферромагнитных образцов необходимо введение 1 атома Мп на 5 — 8 атомов металла ^п, Ое) Такое количество Мп обеспечивалось путем создания пересыщенных твердых растворов, т к растворимость марганца при комнатных температурах в полупроводниках АиВ1УС%'2 не превышает 1 масс % Температура Кюри этих образцов соответствовала Тс МпАб -318 К
Для получения образцов гпОеАэг с содержанием марганца > 1 масс % расчет состава шихты проводили по гипотетическому разрезу гпОеАэг -МпОеАвг, в качестве исходных прекурсоров использовали высокочистые порошки монокристалла 2пАз2, германия монокристаллического и марганца, двукратно сублимированного Синтез проводили согласно температурно-временному регламенту (рис 4)
легированного Мп
Идентификацию образцов осуществляли комплексом методов физико-химического анализа Рентгенофлуоресцентный микроанализ показал, что в пределах точности определения распределение элементов по длине образца было однородным и их соотношение соответствовало составу шихты (рис 5)
50-
40-
н 30-
£ 70-
<
О
10-
0-
50-
40-
30-
о
го
70-
<
и
10-
0-
50-
40-
-р
30-
<п
> 70-
<
О
10-
0-
ZnGeAs?
i I * I 1 * i * i i t
I ZnGeAs2 {Mn 1 5 macc %} I
l | , l ' i S i i » i i 1 i I 1 i—
Hiininiitiii
2nGeAs2 {Mn 3 5 macc %}
; j п I j i j i i j i j I i
п п и и t п и n
2 3 4 5 6 7 Длина образца L мм -As i -G« 1 • -Zn
Рисунок 5 - Распределение элементов в образцах по результатам рентегоспектрального - флуоресцентного анализа
Баланс элементов соответствует соотношению Zn Ge As = 112, те составу соединения ZnGeAs2 В образцах с марганцем наблюдалось небольшое уменьшение цинка относительно стехиометрии Это свидетельствовало об
образовании твердых растворов путем замещения в кристаллической решетке 2пОеА52 атома Тп на атом Мп Согласно данным РФ А, рентгеноспектрального флуоресцентного анализа и микроструктурных исследований, максимальная растворимость марганца вблизи температуры плавления 2пОеАз2 составила 3 5 масс % Мп В табл 2 представлены изменения параметров кристаллической решетки 7пСеА82 в зависимости от содержания Мп Незначительное уменьшение объема элементарной ячейки с ростом содержания марганца, по-видимому, объясняется близостью длин химической связи Ъъ - Ав и Мп - Аэ (2 48 - 2 50 А)
Таблица 2 - Изменения параметров кристаллической решетки в
зависимости от содержания Мп
Образец № образец а с с/а V
1 гпОеАвг 5 672 11 153 1 966 358 81
2 2пОеАз2+1 5%Мп 5 651 11 232 1 988 358 71
3 7,пОеАя2+3 5%Мп 5 654 11 197 1 980 357 95
Магнитные свойства образцов 2пОеАв2 {Мп} измеряли с помощью СКВИД-магнетометра в интервале температур и магнитных полей 5 - 400 К и (0 6 - 50 кЭ) На рис 6 представлена температурная зависимость намагниченности М(Т) образца 2пОеАз2 с 3 5 масс % Мп в магнитном поле Н = 50 кЭ На вставке к рис 6 показана зависимость М(Т) в слабом магнитном поле 0 6 кЭ Магнитные свойства образцов 2пОеА$2{Мп} характерны для спиновых стекол (СС) при температурах Т < 7$ и магнитных полях менее Н < 11 кЭ В более сильных магнитных полях состояние СС заменяется фазой со спонтанной намагниченностью, величина которой в 20-30 раз меньше той, которая была бы при ферромагнитном (ФМ) упорядочении всех ионов Мп Очевидно, это односвязная ФМ-фаза, в которой расположены области с фрустрированными связями Фрустрированные области и фаза СС содержат невзаимодействующие ФМ-кластеры, так как в этих областях и фазе СС при
15
низких Т наблюдается резкое возрастание намагниченности М, при этом зависимость М(Т) описывается функцией Ланжевена
4 -
1 о
Н = 50 кЭ
О
50 100 150 200 250 300 350
Т [К]
50 100 150 200 250 300 350 400
Т [К]
Рисунок 6 - Температурная зависимость намагниченности М состава гпОеАяг с 3 5 масс % Мп, измеренная в магнитном поле 50 кЭ и в поле 0 6 кЭ (вставка)
2РС-кривая образец охлаждался в отсутствие магнитного поля от температуры 400 К до 5 К, и затем при нагревании измерялась его намагниченность РС-кривая образец охлаждался в магнитном поле 0 6 кЭ от 400 К до 5 К, при этом измерялась его намагниченность
Измерения удельного электросопротивления р и эффекта Холла (рис 7) показали, что при Т < 30 К величина р составов с 1 5 масс % и 3 5 масс %
выше, чем при 30 К, что обеспечивает преобладание сверхобмена, и осуществляется СС состояние Из-за неравномерного распределения ионов Мп в СС-фазе имеются изолированные ФМ кластеры, ферромагнетизм в которых осуществляется обменом через носители заряда С дальнейшим ростом Т происходит более быстрое возрастание подвижности, чем падение концентрации, что обеспечивает усиление обмена через носители заряда и рост размеров ФМ кластеров, которые при Т=Т$ приходят в соприкосновение Происходит переход от многосвязной ФМ фазы к односвязной ФМ фазе, внутри которой располагаются микрообласти с фрустрированными связями
В качестве температуры Кюри была взята температура, полученная путем экстраполяции наиболее крутой части кривой М(Т), измеренной в максимальном поле измерения 50 кЭ, до ее пересечения с осью температур Температура Кюри оказалась равной 367 К
Образцы гпСеАз2{Мп} обладали р-типом проводимости с концентрацией дырок 1019 ~ Ю20 сш"3 и подвижностью от 0 25 - 2 5 см^'с"1
Рисунок 7 - температурная зависимость удельного электросопротивления р, коэффициента Холла /4 и подвижности ц 2пОеА52 с 1 5 масс % Мп (а) и 3 5 масс % Мп (б)
В пятой главе представлены результаты по получению и идентификации, исследованию электрических и магнитных свойств в широком интервале температур, магнитных полей и давлений образцов СсЮеРг, допированных Мп Выбор метода синтеза СсЮеР2 был основан на анализе граничных бинарных фазовых равновесий тройной системы С<1 - ве - Р Согласно этому анализу, наиболее вероятными квазибинарными разрезами являются ве - СёР2, Сё - ОеР2, СсЮеР2 - Са3Р2, С<ЮеР2 - ОеР, ве - Са3Р2 Сравнение физико-химических свойств соединений Сс1Р2 и ОеР2 показывает, что синтез СсЮеР2 предпочтительнее проводить по разрезу С(1Р2 - Ое С целью достижения максимальной растворимости Мп в СсЮеРг был разработан метод получения их пересыщенных твердых растворов, который заключался в том, что синтез проводили при температурах, превышающих температуру плавления в тонкостенных кварцевых ампулах, покрытых слоем определенной толщины пиролитического углерода Шихта готовилась из мелкодисперсных порошков, приготовленных из высокочистых монокристаллов Сс1Р2 и Ое Марганец использовался двукратно пересублимированный Расчет состава шихты проводили по гипотетическому разрезу С<ЮеР2 - МпОеР2 Скорость охлаясдения составляла 10 — 12 град/с Идентификацию образцов осуществляли комплексом методов физико-химического анализа Рентгенофлуоресцентный микроанализ показал, что в пределах точности определения распределение элементов по длине образца было однородным и их соотношение соответствовало составу шихты
Согласно данным рентгенофазового, рентгенофлуоресцентного и металлографического анализов, максимальное количество Мп в твердом растворе составляло 4 5 масс % При увеличении содержания Мп х = 0 —> 0 09 —> 0 19 параметр кристаллической решетки СсЮеР2 уменьшался а = 5 741 —* 5 738 —* 5 667 А, что соответствует результатам [3]
Образцы СсЮеР2{Мп} обладали р-типом проводимости с концентрацией дырок 1016- 1018 ст 3 и подвижностью ~4 0 см2В"'с"' С ростом содержания Мп удельное электросопротивление уменьшалось от 27 5 до 0 72 Ом/см
18
На рис 8 представлена температурная зависимость намагниченности СсЮеР2 с 4 5 масс % Мп Из рис 8 видно, что переход ФМ состояния в ПМ сильно размыт и наблюдаются хвосты намагниченности Если определять температуру Кюри экстраполяцией наиболее крутой части кривой М(Т) до пересечения с осью температур, то в поле Н=4970 Э, Тс=330 К
M (ед СГСМ/г)
5-1 Н=4.9кЭ
■а
з б ; 2 з ]
1 -
7 6 5 4 3
и и, и и
<ц
■ %■
0 10 20 30 40 T(K)
л v
50
100 150
200 T(K)
250 300 350
Рисунок 8 - Зависимость намагниченности от температуры CdGeP2 с 4 5 масс % Мп На вставке экспериментальная зависимость намагниченности от температуры М(Т) при H = 50 кЭ (точки) и вычисленная М(Т) при использовании экспериментальных величин Н/Т при H < 50 кЭ, Mg = 53 ед СГСМ/г, хМрм = 3 ед СГСМ/г и ц = 5 8 Цо (линия)
Изучение барических зависимостей р(Р) и ИнГР) (рис 9) соединений гпОеАвг и СсЮеР2 подтверждало данные об образовании твердых растворов АП1-хМпхОеСу2 Как видно из рис 9а, в образцах без марганца при Р=3 2 ГПа происходит необратимый фазовый переход, который, согласно данным РФА, обусловлен диссоциацией соединения СсЮеР2 на фазы С(1Р2 и Ое Введение Мп (рис 9б) упрочняло кристаллическую структуру С<ЮеР2 Для образца СсЮеР2 с 4 5 масс % Мп характерен обратимый фазовый переход при Р=3 5 ГПа
а Р. б Р. <5Ра
Рисунок 9 - Барические зависимости удельного электросопротивления (кружки) и коэффициента Холла (треугольники) для а - СсЮеР2, б - СсЮеР2 с 4 5 масс % Мп Черные точки - подъем давления (компрессия), светлые - сброс (декомпрессия)
Выводы
1 Разработаны физико-химические основы получения гпОеАвг и С<ЮеР2, допированных Мп, путем непосредственного взаимодействия высокочистых АПВУ2 (где А - 2п, Сс1, В - Р, Аб) с Ое исходя из анализа и экспериментального изучения тройных систем Та - Ое - Ав и Сс1 - Бе - Р
2 Комплексом методов физико-химического анализа изучен разрез ве-ХпА&2 тройной фазовой диаграммы гп-Ое-Ав В данном разрезе образуются конгруэнтно плавящиеся соединения гпОеАвг, обладающие малой растворимостью ве и 2пАв2 ТлхОеАъг образует с ве эвтектику с координатами 1098 К, -15 моль % 7.ъР&г ЪйА&г и 7пОеА$2 образуют эвтектику с координатами 1018 К, 95 моль % 2пА82 Изучение микроструктуры этих эвтектик показало, что они относятся к эвтектикам пластинчатого типа
3 В широком интервале температур (от 300 до 1125 К) была изучена растворимость Мп в 2пОеАз2 Установлено, что растворимость Мп возрастала с ростом температуры и достигала максимума ~4 масс % С ростом содержания Мп объем элементарной ячейки 2пОеАзг уменьшается, что свидетельствует об образовании твердых растворов замещения
4 Синтезированы твердые растворы Сё1_хМпхОеР2, при х=0 - 0 19 С ростом содержания марганца наблюдалось уменьшение параметров кристаллической решетки, что свидетельствовало об образовании твердых растворов замещения
5 Измерение электрических и магнитных свойств в интервале температур 5 - 400 К показало, что гпОеАзг и СсЮеР2, допированные Мп, обладают спонтанной намагниченностью с температурами Кюри 367 и 330 К соответственно При малых магнитных полях их магнитные свойства характерны для спиновых стекол
6 Изучение барических зависимостей р(Р) и Лн(Р) соединений гпОеАвг и СсЮеРг подтверждало данные об образовании твердых растворов АП1_хМпхОеСУ2 В частности, введение Мп упрочняло кристаллическую структуру СсЮеРг, т к образцах, допированных Мп, фазовые превращения происходили при более высоких давлениях
7 Методом направленной кристаллизации были получены монокристаллы ZnGeAs2, допированные Мп и Со, магниточувствительные при комнатных температурах
Основные результаты были опубликованы в следующих изданиях:
1. НовоторцевВ М, МоллаевАЮ, КамиловИК, АрслановРК, Залибеков У 3 , Маренкин С Ф , Варнавский С А , Фазовые превращения в ферромагнитном полупроводнике CdiJVfojGePi при давлении до 5 ГПа, П Неорганические материалы, 2006, том 42, № 8, с 1-3
2 Новоторцев В М , Варнавский С А , Маренкин С Ф , Королева JIИ , Демин Р В , Трухан В М , Климонский С О , Кузнецов В Д , Ферромагнитный материал СсЮеРг Мп для спинтроники, // Неорганическая химия, 2006, том 51, № 8, с 1153-1157
3 Mollaev A Yu , Kamilov IК, Arslanov R К, Zalibekov U Z, Marenkm S F, Novotortsev V M, Varnavskiy S A , Phase transition in multicomponent semiconductor Cdi_xMnxGeP2 under hydrostatic pressure up to 7 GPA // High Pressure Research, vol 26, No 4, December 2006, 387-390
4 Demm R V , Koroleva LI, Marenkm S F, Novotortsev V M , Trukhan В M , Varnavskii S A, Zashchermskii D M, Szymczak R , Baran M, Mn-doped CdGeAs2 and CdGeP2 chalcopyrites - novel materials for spmtronics // Международная конференция "Актуальные проблемы физики твердого тела" (ФТТ-2005), республика Беларусь, г Минск, 26-28 октября 2005, с 410-412
5 Шабунина Г Г, Варнавский С А , Аминов Т Г , Маренкин С Ф , Новый материал спинтроники ZnGeAs2{Mn}, // VI Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 17-22 сентября 2006 г, с 164-165
6 Скомаровский В С , Федорченко И В., Кочура А В , Варнавский С А , Маренкин С Ф, Экспресс-анализ распределения намагниченности в
объемных и пленочных образцах ферромагнитных полупроводников типа АШВУ и АиВ1УСу2 легированных марганцем с помощью сканирующего сквид-микроскопа, // XVIII Симпозиум «Современная химическая физика», пансионат МГУ «Буревестник», г Туапсе, 22 сентября -3 октября 2006 г, с 122 - 123
7 Варнавский С А , Трухан В М, Морозова В А , Маренкин С Ф , Выращивание монокристаллов 2пСеР2, // Третья международная конференция по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-ого века», 20 -26 ноября, 2006 г Москва, МИСиС, с 127
8 Трухан В М , Маренкин С Ф , Голякевич Т В , Варнавский С А , Особенности выращивания кристаллов группы АПВ1УСУ2, // Третья международная конференция по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-ого века», 20 - 26 ноября, 2006 г Москва, МИСиС, с 376 - 377
9 Моллаев А Ю , Камилов И К , Арсланов Р К , Залибеков У 3 , Новоторцев В М , Маренкин С Ф., Варнавский С А , кинетические эффекты в ферромагнитном полупроводнике Сё1_хМпхОеР2 при высоком давлении в области фазового перехода, сб трудов 9 Международного симпозиума «Упорядочение в металлах и сплавах» г Ростов-на-Дону пос Лоо 2006 с 59-62
10 Моллаев АЮ, КамиловИК, АрслановРК, ЗалибековУЗ, Новоторцев В М, Маренкин С Ф , Варнавский С А , температурные и барические зависимости удельного электросопротивления и коэффициента Холла в новом ферромагнитном полупроводнике С<11_хМпхОеР2, международная конференция «Рхг1ка-2007» Баку, Азербайджан, с 36 - 39
Цитируемая литература
1 Иванов В А , Аминов Т Г, Новоторцев В М, Калинников В Т , Спинтроника и спинтронные материалы // Известия академии наук Серия химическая, 2004, №11, с 2255-2303
2 Ohno H, Making Nonmagnetic Semiconductors Ferromagnetic // Science, 1998, v 281, N 5379, p 951 - 956
3 Медведкин Г A , Ишибаши T, Ниши Т , Сато К , Новый магнитный полупроводник Cdi.xMnxGeP2, Физика и техника полупроводников, 2001, т 35, вып 3, с 305 - 309
4 Choi S , Choi J, Hong S С , Cho S , Mn-doped ZnGeAs2 and ZnSnAs2 single crystals growth and electrical and magnetic properties, Journal of the Korean Physical Society, vol 42, February 2003, pp S739-S741
5 Демин P В , Королева Л И, Маренкин С Ф , Михайлов С Г , Новоторцев В М , Калинников В Т , Аминов Т Г, Шимчак Р , Шимчак Г , Баран М , Новый ферромагнетик с температурой Кюри выше комнатной -легированный Мп халькопирит CdGeAs2 Письма в ЖТФ 2004, т 30 №21 С 81 - 87
6 Новоторцев В М, Калинников В Т , Королева Л И , Демин Р В , Маренкин С Ф, Аминов Т Г , Шабунина Г Г , Бойчук С В , Иванов В А , Высокотемпературный ферромагнитный полупроводник CdGeAs2{Mn} // Журнал Неорганической Химии, 2005, т 50, №4, с 552-557
7 Kent Р R, Schulthess Т С , СР772, Physics of Semiconductors 27th Int Conf on Physics of Semiconductors, ed J Menendez, Ch G Van de Walle, p 1369 -1370, (2005)
8 Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, справочник, под ред Новоселова А В , Лазарева В Б , Лужной Н П и др , М , Наука, 1979 г, 340 С
9 Горюнова Н А , Соколова В И , Цзян Бин-Си, о растворении германия в
некоторых тройных полупроводниковых соединениях // ДАН СССР -1963 -Т 152 -№2, с 363-366
Подписано в печать 18 09 2007 г Исполнено 19 09 2007 г Печать трафаретная
Заказ № 734 Тираж 100 экз
Типография «11-й ФОРМАТ» ИНН 7726330900 115230, Москва, Варшавское ш , 36 (495) 975-78-56 www autoreferat ru
Введение.
Глава I. Литературный обзор.
1. Фазовые равновесия в системах А11 - BIV - Cv2, где А - Zn, Cd; В -Ge; С - As, Р.
1.1 Тройная система Zn - Ge - Р.
1.2 Тройная система Cd - Ge - Р.
1.3 Тройная система Zn - Ge - As.
1.4 Тройная система Cd - Ge - As.
2. Кристаллическая структура соединений AnBIVCV2, где А - Zn, Cd; В - Ge; С - As, Р.
2.1 Кристаллическая структура ZnGeP2.
2.2 Кристаллическая структура CdGeP2.
2.3 Кристаллическая структура ZnGeAs2.
2.4 Кристаллическая структура CdGeAs2.
3. Электрофизические свойства полупроводников AnBIVCV2, где А -Zn, Cd; В - Ge; С - As, Р.
4. Влияние введения d-элементов (Mn, Сг, Fe) на магнитные свойства полупроводников AnBIVCv2, где А - Zn, Cd; В - Ge; С - As, Р.
4.1 ZnGeP2.
4.2 CdGeP2.
4.3 ZnGeAs2.
4.4 CdGeAs2.
5. Магнитные свойства MnAs и MnP.
Глава II. Методики эксперимента.
1 Рентгенофазовый анализ.
2. Химический анализ.
3. Дифференциальный термический анализ.
4. Рентгеноспектральный флуоресцентный микроанализ.
5. Микроструктурный анализ.
6. Измерение микротвёрдости.
7. Электронная микроскопия.
8. Измерение электрических свойств.
9. Измерение магнитных свойств.
Глава III. Фазовые равновесия в тройных системах А11 - Ge - Cv, где А
Zn, Cd; С - Р, As.
1. Анализ тройных систем Zn - Ge - As и Cd - Ge - P на основе граничных бинарных систем.
1.1 Анализ тройной системы Zn - Ge - As на основе граничных бинарных систем.
1.2 Анализ тройной системы Cd - Ge - Р на основе граничных бинарных систем.
2. Экспериментальное исследование разреза Ge - ZnAs2 тройной фазовой системы Zn - Ge - As.
2.1 Получение и исследование сплавов ZnGeAs2 - Ge.
2.2 Получение и исследование сплавов ZnGeAs2 - ZnAs2.
Глава IV. Синтез и электромагнитные свойства кристаллов ZnGeAs допированных Мп.
1. Характеристика исходных прекурсоров.
2. Получение образцов ZnGeAs2 допированных Мп.
3. Изучение растворимости Мп в кристаллах ZnGeAs2.
4. Магнитные и электрические свойства ZnGeAs2 допированных Мп.
5. Получение монокристаллов ZnGeAs2 легированных Мп и Со.
Глава V. Синтез и электромагнитные свойства образцов CdGeP допированных Мп.
1. Характеристика исходных материалов.
2. Получение образцов CdGeP2 допированных Мп.
3. Изучение растворимости Мп в кристаллах CdGeP2.
4. Магнитные и электрические свойства CdGeP2 {Мп}.
5. Фазовые переходы в СсЮеРг допированном Мп при высоком давлении.
Современные технологии позволяют получать транзисторы с толщиной всего в несколько атомных слоёв, однако при дальнейшем уменьшении толщины кремниевый транзистор может терять свои свойства. Одним из вариантов дальнейшего развития микроэлектроники, является создание квантовых вычислительных устройств, в которых основным узлом является набор элементарных частиц (атомов или электронов), подчиняющихся законам квантовой механики, - квантовых битов (кубитов). Для атома логическим нулём и единицей может быть спокойное или возбуждённое состояние, для фотона его поляризация (её отсутствие, а также ситуация «фотон в ловушке»), а для электрона - его спин, ввиду того, что управление спином более энергетически выгодно, чем управление электроном. В настоящее время новым перспективным направлением твёрдотельной электроники становится спиновая электроника (спинтроника), где наряду с зарядом спин электрона представляет собой активный элемент для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов. Использование в устройствах спинтроники как ферромагнитных, так и полупроводниковых свойств материала, то есть спина и заряда его электронов, выдвигает на первый план задачу поиска и синтеза новых высокотемпературных ферромагнитных полупроводников с высокоподвижными поляризованными носителями тока [1]. В качестве пути создания таких материалов рассматривается внедрение d-элементов в полупроводники. До недавнего времени лучшие результаты были получены на плёнках GaAs, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащих 5-^-6 моль.% Мп. Максимальная температура Кюри в таких образцах достигала 160 °С [2].
Однако недавно были получены новые ферромагнетики на основе полупроводников группы AnBIVCV2 с Тс=355 К для CdGeAs2 [3] и Тс=320 К для СсЮеРг [4, 5]. Характерными свойствами для этой группы тройных полупроводников являются высокие подвижности носителей заряда, малые эффективные массы электронов и большие отношения подвижности электронов к подвижности дырок. Контролируемое введение атомов переходных элементов (Mn, Fe, Сг и др.) в кристаллическую решетку, в принципе, позволяет обеспечить переход этих полупроводников в ферромагнитное состояние с достаточно высокой точкой Кюри. Поэтому в настоящей работе представляло интерес изучить влияние Мп на электромагнитные свойства других полупроводников группы AHB1VC\ в частности ZnGeAs2 и CdGeP2.
Интерес ZnGeAs2 обусловлен возможностью создания эпитаксиальных структур на подложке GaAs, т.к. параметры кристаллической решётки ZnGeAs2 и GaAs различаются не более чем на 2 %.
В качестве второго объекта исследования был выбран CdGeP2, на основе которого был впервые синтезирован высокотемпературный ферромагнетик [6]. Результаты исследований СсЮеРг были получены на плёночных образцах, что затрудняло получение однородного распределения марганца по глубине слоя, поэтому представляло интерес провести исследования на объёмных образцах СсЮеРг с различным содержанием Мп.
Выводы
1. Разработаны физико-химические основы получения ZnGeAs2 и CdGeP2, допированных Мп, путём непосредственного взаимодействия высокочистых A"Bv2 (где А - Zn, Cd; В - Р, As) с Ge исходя из анализа и экспериментального изучения тройных систем Zn - Ge - As и Cd - Ge - P.
2. Комплексом методов физико-химического анализа изучен разрез Ge-ZnAs2 тройной фазовой диаграммы Zn-Ge-As. В данном разрезе образуются конгруэнтно плавящиеся соединения ZnGeAs2, обладающие малой растворимостью Ge и ZnAs2. ZnGeAs2 образует с Ge эвтектику с координатами 825 °С, -15 моль.% ZnAs2. ZnAs2 и ZnGeAs2 образуют эвтектику с координатами 745 °С, 95 моль.% ZnAs2. Изучение микроструктуры этих эвтектик показало, что они относятся к эвтектикам пластинчатого типа.
3. В широком интервале температур (от 30 до 850 °С) была изучена растворимость Мп в ZnGeAs2. Установлено, что растворимость Мп возрастала с ростом температуры и достигала максимума ~4 масс.%. С ростом содержания Мп объём элементарной ячейки ZnGeAs2 уменьшается, что свидетельствует об образовании твёрдых растворов замещения.
4. Синтезированы твёрдые растворы Cdi.xMnxGeP2, при х=0 + 0.19. С ростом содержания марганца наблюдалось уменьшение параметров кристаллической решётки, что свидетельствовало об образовании твёрдых растворов замещения.
5. Измерение электрических и магнитных свойств в интервале температур 5 - 400 К показало, что ZnGeAs2 и CdGeP2, допированные Мп, обладают спонтанной намагниченностью с температурами Кюри 367 и 330 К соответственно. При малых магнитных полях их магнитные свойства характерны для спиновых стёкол.
6. Изучение барических зависимостей р(Р) и Rh(P) соединений ZnGeAs2 и CdGeP2 подтверждало данные об образовании твёрдых растворов A"i.xMnxGeCV2. В частности, введение Мп упрочняло кристаллическую структуру CdGeP2 т.к. в образцах, допированных Мп, фазовые превращения происходили при более высоких давлениях.
7. Методом направленной кристаллизации были получены монокристаллы ZnGeAs2, допированные Мп и Со, магниточуствительные при комнатных температурах.
1. Иванов В.А., Аминов Т.Г., Новоторцев В.М., Калинников В.Т., Спинтроника и спинтронные материалы // Известия академии наук. Серия химическая, 2004, №11, с.2255-2303.
2. OhnoH., Making Nonmagnetic Semiconductors Ferromagnetic // Science, 1998, v.281, N.5379, p.951.
3. Новоторцев B.M., Калинников B.T., Королёва Л.И., Демин Р.В., Маренкин С.Ф., Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г., Бойчук С.В., Иванов В.А., Высокотемпературный ферромагнитный полупроводник CdGeAs2{Mn} // Журнал Неорганической Химии, 2005, т. 50, №4, с. 552-557.
4. Medvedkin G.A., Ishibashi Т., Nishi Т., Hayata К., Hasagewa Y., Sato К., Jap. J. Appl. Phys., 39, L949, (2000).
5. SatoK., Medvedkin G.A., Ishibashi Т., Proceeding of international conference on Physics and applications of spin-related phenomena in semiconductors (PASP 2000), Sendai, Japan, Sept. 13-15,2000.
6. Медведкин Г.А., ИшибашиТ., Ниши Т., СатоК., Новый магнитный полупроводник Cdi.xMnxGeP2 // Физика и техника полупроводников, 2001, т.35,№3,с.305 -309.
7. Горюнова Н.А., Сложные алмазоподобные полупроводники, М., «Советское радио», 1968.
8. Foldberth O.G., Patent BRG No. 1.044.980, kl. 21g 11/02 (November 14, 1955).л
9. Delley В., From molecules to solids with the DMol approach, The Journal of Chemical Physics November 8, 2000 - Volume 113, Issue 18, pp. 77567764.
10. Seryogin G.A., Nikishin S.A., TemkinH., Single phase ZnSnAs2 grown by molecular beam epitaxy, J. Vac. Sci. Technol. В 16,1456 (1998).
11. MerceyB., ChippauxD., VizotJ., Deschanvres A., Preparation, electrical properties and annealing of ZnGeAs2, Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 47, Issue 1, 1986, p.37-43.
12. FrancoerS., Seryogin G.A., Nikishin S.A., TemkinH., Quantitative determination of the order parameter in epitaxial layers of ZnSnP2, Applied Physics Letters April 10,2000 - Volume 76, Issue 15, pp. 2017-2019.
13. SetzlerS.D., Schunemann P.G., PollakT.M. et. al., Characterization of defect-related optical absorption in ZnGeP2, J. Appl. Phys., 86, 5577 (1999).
14. Химия алмазоподобных полупроводников, Горюнова H.A., JI., изд-во ЛГУ, 1963,222 с.
15. Диаграммы состояния двойных металлических систем, справочник в 3-х томах, под ред. Лякишева Н.П., М., Машиностроение, 1996.
16. Гончаров Е.Г., Соколов Л.И., УгайА.Я., Диаграмма состояния и некоторые темодинамические параметры системы Ge Р, Журнал Неорганической Химии. 1975, т.20, № 9, с. 2452-2455.
17. УгайАЛ., Соколов Л.И., Гончаров Е.Г., Пшестанчик В.Р. «Р-Т-х диаграмма состояния системы Ge Р и термодинамика взаимодействия компонентов» - Журнал неорганической химии, т.ХХШ, №7, 1978, с. 1907-1910.
18. Ogusi D., NamikavaR., Tanaka J. // J. Chem. Soc. Japan. Pure Chem. Sec. 1968. v.89. N 8. p. 746-752.
19. Donohue P.C., Young H.S. //J, Solid State Chem. 1970. v.l. N.l. p. 143-149.
20. УгайЯ.А., Соколов Л.И., Гончаров Е.Г., О термической диссоциации германия // Полупроводниковые материалы и их применение. Сб.науч.тр. Воронеж, 1974. с.173-181.
21. Dutkiewicz J. //J. Phase Equilibria, 1991. V.l 2, N.4, p. 435.
22. Rubtsov V.A., Smolyarenko E.M., Trukhan V.M., Yakimovich V.N., Crystal structure of the ZnP4 compound. Crystal Res. Technol. 21.1986. 6. K93-K94.
23. Якимович B.H., Получение соединений цинка, кадмия, олова с фосфором и мышьяком и следование их термодинамических свойств: Автореф. Дис. канд. хим. наук. Минск, 1982 -18 с.
24. Рубцов В.А., Якимович В.Н., ТруханВ.М. Условия образования твердых растворов в системе ZnP4 CdP4. Весщ АН БССР, №4,1991.
25. Olesninski R.W., Abbaschian G.J. // Bull. Alloy Phase Diagrams. 1985. v.6, N6, p. 509.
26. Борщевский A.C., Шанцовой T.M., «Давление и состав пара над полупроводником ZnGeP2» Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.11, №12,1975, с. 2158.
27. Buehler Е., Wernick J.H.J. Cryst. Growth, v.8, 324 (1971).
28. Borshchevskii A.S., Goryunova N.A., Kesamanly F.P., Nasledov D.N. Phys. Stat. Sol., 21, 9 (1967).
29. Борщевский A.C., Тройные соединения A2B4C52 (библиотечный указатель отечественной и иностранной литературы за 1955 1969 гг.). Изд. ВНИИКИ, М., 1970.
30. УгайА.Я., Соколов JI.И., Гончаров Е.Г., Пшестанчик В.Р. «Р-Т-х диаграмма состояния системы Ge Р и термодинамика взаимодействия компонентов» - Журнал неорганической химии, т.ХХШ, №7, 1978, с. 1907-1910.
31. Krebs Н., Muller К.Н., Zurn A. Darstellung and Struktur des CdP4. Z.anorg. und allgem. Chem., 1956, bd.285, N1-2, p.15-28.
32. BerakT., PruchnikZ. Phase Equilibriain the Zinc-Cadmium-Phosphorus System. Part: The Cadmium-Phosphorus System., Roc. Chem. Ann. Soc. Chim. Polon, 1958, v.42, p.1403 1409.
33. Zdanowicz W., Wojakowski A. Semiconducting Properties of CdP4, Phys.Stat.Sol., 1966, v. 16, N2, p. 129 131.
34. Ковалёва И.С., Дмитриев A.B., ЖижейкоИ.А. О получении фосфида кадмия CdP4 и его электрических свойств // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1966, т.2, №2, с. 403 404.
35. Kalicinska-KarutТ., PruchnikZ., LukaszewiczК. The stoichiometric formula and space group of cadmium phosphide Cd7Pio. Roc. Chem. Ann. Soc. Chim. Pol., 1971, v.45, N11, p. 1991-1992.
36. ШелегА.У., Новиков В.П. Исследование фазовых переходов в дифосфиде кадмия рентгеновским методом. В сб.: XIII всесоюзноесовещание по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов. Черноголовка, 1982, с.110.
37. Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х., Маренкин С.Ф., Самиев С.Х. Исследование Р-Т-х фазовой диаграммы системы Cd Р и термодинамические свойства фосфидов кадмия // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1979, т. 15, №7, с. 1149-1154.
38. Pistorius C.W.F.T., Clark Т.В., Coetzer Т. High-pressure phase relations and crystal structure determination for zinc phosphide. Zn3P2 and cadmium phosphide Cd3P2. High Temp. High Press., 1977, v.9, N4, p.471 - 482.
39. Самиев С.Х. Физико-химическое исследование фосфидов кадмия и цинка. Диссертация на соискание учёной степени кандидата химических наук, М., ИОНХ, 1979.
40. Thomas М.Е., Richter P.W., Clark J.B.// High Temp. Sci. 1985. V. 19.N.1. p.89-91.
41. Борщевский A.C., Вайполин A.A., Конников С.Г., и др. «Исследование разреза CdP2 Ge системы Cd-Ge-Р» - Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.9, №2,1973, с.562-565.
42. Бойко М.Е., Борщевский А.С., УндаловЮ.К., «Исследования сплавов разреза Cd-CdGeP2» Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.12, №4, 1976, с.761-764.
43. Борщевский А.С., Ундалов Ю.К., Шанцовой Т.М. «Исследование упругости пара над CdGeP2, CdP2 и Cd3P2» Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.13, №1,1977, с. 22-26.
44. Лазарев В.Б., Шевченко В.А., Маренкин С.Ф., Физико-химические свойства и применение полупроводниковых систем А2В5. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1979, Т. 15, № 10, с.1701 - 1712.
45. Термографическое исследование полиморфных переходов в арсенидах кадмия и цинка./ Лазарев В. Б., Понамарев В. Ф., Маренкин С. Ф. и др. // Изв.АН СССР. Неорганические материалы.- 1982.- Т.18.- № П.- С.540-543.
46. Фазовая Р-Т-х диаграмма системы Zn As, Гуськов В. Н., Лазарев В. Б., Гринберг Я. X. и др. // Изв.АН СССР. Неорганические материалы.-1983.- Т.19.-№ 14.- С.532-537.
47. Pistorus C.W.F.T. Melting and Polymorphism of Cd3As2 and Zn3As2 at High Pressures. //High Tern.- High Press.- 1975.- V.7.- N 2.- P.441-449.
48. TayaramanA., Anantharaman T.R., KlementW. Melting and and Polymorphism of Cd3As2 and Zn3As2 at High Pressures. // J.Phys. Chem.Sol.1966.- V.27.- N 10.- P.1605-1609.
49. Исследование области гомогенности ZnAs2, Лазарев В.Б., Маренкин С.Ф., Максимова С.И. и др. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.- 1979,- Т. 15.- № 5.- С.749-751.
50. Clark Т.В., Pistorius C.W.F.T. Stable ahd metastable equilibria near the melting curkers of CdAs2 and ZnAs2 to high pressures.// High Temp.- High Press.- 1973.- V.5.- N 3.- P.319-326.
51. Clark T.B., Range K.T., High Pressure Reactions in the Systems Zn3As2 -As and CdAs2 -As.// Z. Naturforschung.- 1975.- V.306.- N 9-10.- P.688-695.
52. Маренкин С.Ф., Лазарев В.Б., Саныгин В.П. // Журнал Неорганические материалы, 1985, №21, с.721.
53. УгайА.Я., Гладышев Н.Ф., Гончаров Е.Г., Тензометрическое исследование системы Ge As, Изв. АН СССР, Неорганическая химия, 1978, т.23, вып.4, с. 1065 - 1068.
54. УгайА.Я., ПоповА.Е., ГончаровЕ.Г., ПахаруковВ.А., Область гомогенности арсенида германия, Журнал неорганической химии. 1982. т.27, №7, с. 1783- 1787.
55. Olesninski R.W., Abbaschian G.J. // Bull. Alloy Phase Diagrams. 1985. v.3, N3, p. 250-254.
56. Trumond C.D., KowalchikM. // Bell. System Techn. J. 1960. v.39. p. 169 -204.
57. Шейхет Э.Г., Шкот В.Я. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.1967. т.З, №11, с. 1967-1971.
58. Н.А. Горюнова, В. И. Соколова, Цзян Бин-Си. О растворении германия в некоторых тройных полупроводниковых соединениях. // ДАН СССР. -1963.-Т. 152. -№2.
59. Борщевский А.С., Роенков Н.Д. «Диаграмма состояния системы Cd-Ge-As» журнал неорганической химии, т. 14, №8, 1969, с. 2253-2258.61. «Тройные полупроводники А2В4С52 и А2В32С64» сб.докладоввсесоюзного совещания, Кишинев, «Штиинца», 1976, с. 259.
60. Mikkelsen J.C., Jr. and H.Y-P. Hong "A new ternary phase in the Cd-Ge-As system"-Mat. Res. Bull., v.9, 1974, p.1209-1218.
61. Жемчужный С.Ф. О сплавах мышьяка с оловом, кадмием, свинцом, сурьмой. Ж.Р.Ф.Х., 1905, т.37, с.1281 1285.
62. ГуковОЛ., УгайЯ.А., Пшестанчик В.Р., Гончаров Е.Г., ПахомоваН.В. Диаграмма состояния системы Cd As // Изв. АН СССР, Неогранические материалы, 1970, т.6, №11, с. 1926 - 1929.
63. Вол Е.А., Каган И.К. Строение и свойства двойных металлических систем // М., Наука, 1979, т.4, с. 100 104.
64. Pruchnik Z. On the existence of cadmium tetraarsenide and its phase relations in the cadmium arsenic system. J. Mat. Sci., 1977, v.3, N4. p.121 125.
65. Лазарев В.Б., Лужная Н.П., Маренкин С.Ф., Шевченко В.Я. Взаимодействие кадмия с мышьяком в области существования соединения CdsAs2 // Журнал Неорганическая Химия, 1972, т.17, в.2, с.3082 — 3085.
66. Маренкин С.Ф., Максимова С.И., Хусейнов Б., Шевченко В.Я. Исследование области гомогенности CdAs2 // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1978, т.14, №3, с.397 400.
67. Нипан Г.Д., Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х. Р Т - х диаграмма состояния системы Cd - As // Журнал Неорганическая Химия, 1982, т.21, №7, с. 1788-1792.
68. Katzman Н., Donohue Т., Libby W. High Pressure Metallic Polymorphic Cadmium Arsenide, Phys.Rev.Lett., 1968, v.20, №7, p.442 444.
69. ПалкинаК.К., Кузнецов В.Г., Лазарев В.Б., Маренкин С.Ф., Шевченко В.Я. Рентгенографическое исследование области гомогенности арсенида кадмия // Журнал Неорганическая Химия, 1975, т.20, №8, с.226 228.
70. УгайЯ.А., ЗюбинаТ.А. Получение и электрические свойства полупроводниковых поли- и монокристаллов CdAs2 и Cd3As2 // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1965, т.1, №6, с. 860 867.
71. У гай Я. А., ЗюбинаТ.А., Алейников К.Б. Получение и электрические свойства стеклообразного CdAs2 // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1968, т.4, №1, с. 17-22.
72. HrubyA., StouracL. Glassy semiconducting CdAs2. Mat. Res. Bull., 1971, v.6, №2, p.247-250.
73. Маренкин С.Ф., Пашкова O.H., Лазарев В.Б. Политермический разрез CdAs2 GaAs системы Cd - Ga - As // Журнал Неорганическая Химия, 1986, т.31, №7, с. 1821- 1824.
74. Лазарев В.Б., Пономарёв В.Ф., Маренкин С.Ф., Шарпатая Г.А. Термографическое исследование полиморфных переходов в арсенидах кадмия и цинка // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1982, т. 18, с. 540-543.
75. Clark Т.В., Range К.Т. Crystal Structure of the High Pressure Phases ZnAs and CdAs. Z. Naturforschung, 1976, Bd. 21, №2, p. 158 162.
76. Pamplin B.R. and Feigelson R.S. "New phases in the Cd-Ge-As system" -Mat. Res. Bull., v. 14,1979, p.263-266.
77. Коцюруба E.C., Борщевский A.C. «Тензометрическое исследование системы Ge CdAs2» - журнал неорганической химии, т.ХХН, №11, 1977, с. 3174-3176.
78. Чернов А.Н., Фесенко Т.П., Ольховский В.П., Калинников В.Т. «Диаграмма состояния системы CdGeAs2 GeAs2» - журнал неорганической химии, т.29, №1, 1984, с. 210-213.
79. Чернов А.Н., Фесенко Т.П., Ольховский В.П., Калинников В.Т. «Стеклообразование в системе Cd-Ge-As по сечениям CdAs2 GeAs2 и CdGeAs2 - GeAs2» - журнал неорганической химии, т.28, №12, 1983, с. 3150-3153.
80. Чернов А.П., Бабицина А.А., Жуков Э.Г., Фёдоров В.А., Хуцишвили Н.Т., «Исследование взаимодействий в системе CdAs2 -GeAs2 CdGeAs2», VIII Всесоюзное совещание по физико-химическому анализу. Саратов, 17-19 сентября 1991, Тезисы докладов, часть 1.
81. Новые алмазоподобные полупроводники AnBIVCV2 (обзор), под ред. Ю.А. Валового, М., 1971.
82. Полупроводники AirBIVCV2 под ред. Горюновой Н.А., Валова Ю.А., М., «Советское радио», 1974.
83. Vaipolin А.А., OsmanovE.O., Prochukhan V.D., Modifications of A(II) B(IV) C2(V) compounds with the sphalerite structure. Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Neorganicheskie Materialy (1972) 8, 825-827.
84. LindM.D., Grant R.W., Structural dependence of birefringence in the chalcopyrite structure. Refinement of the structural parameters of ZnGeP2 and ZnSiAs2, The Journal of Chemical Physics January 1, 1973 - Volume 58, Issue 1, pp. 357-362.
85. Pfister H. Kristallstruktur von ternaeren Verbindungen der Art A(II) B(IV) C(III)2, Acta Crystallographica (1958) 11,221-224.
86. Vaipolin A.A., Specific defects of the structure of compounds A(II) B(IV) C(V)2, FizikaTverdogo Tela (1973) 15,1430-1435.
87. Continenza A., Massidda S. et. al., Structural and electronic properties of narrow-gap ABC2 chalcopyrite semiconductors, Physical Review, Serie 3. В Condensed Matter (1992) 46, 10070-10077.
88. Grigorovici R., ManailaR., Vaipolin A.A., The structure of crystalline and amorphous Cd Ge P2, Acta Crystallographica В (1968) 24, 535-541.
89. Hoenle W., von Schnering H.G., Verfeinerung der Kristallstruktur von CdGeP2, Zeitschrift fuer Kristallographie (1981) 155, 319-320.
90. Levalois M., Allais G, Etude structurale, par diffraction de R-X des liaisons dans les semiconducteurs ternaires Zn Si As2, Zn Ge As2 et Zn Sn As2, Physica Status Solidi, Sectio A: Applied Research (1988) 109, 111-118.
91. Janotti A., Wei Su-Huai, Zhang S.B., Kurtz S., Structural and electronic properties of ZnGeAs2, Physical review B, 2001, vol. 63, p. 195210.
92. Abrahams S.C., Bernstein J.L., Piezoelectric nonlinear optic CuGaSe2 and CdGeAs2: Crystal structure, chalcopyrite microhardness, and sublattice distortion, The Journal of Chemical Physics — August 1, 1974 Volume 61, Issue 3, pp. 1140-1146.
93. Маренкин С.Ф., Новоторцев В.М., Палкина К.К., Михайлов С.Г., Калинников В.Т., Получение и структура кристаллов CdGeAs2, Неорганические материалы, 2004, т.40, №2, с. 1-3.
94. Вайполин А.А., Османов Э.О., Третьяков Д.Н. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1967. 3, №2, 260.
95. MasumotoK., IsomuraS., Goto W. // J. Phys. Chem. Solids, 1966, 27, N 11/12, p. 1939.
96. Buchler E., Wernik J.H., Welley J.D., // J. Electr. Mater., 1973, 2, N3, p.445.
97. GoryunovaN.A., Poplavnoi A.S., Polygalov Yu.J., Chaldyshev N.A. // Phys. Stat. Sol., 1970, 39, N 1, p.9.
98. Bendorius R., Prochukhan V.D., SileikaA. // Phys. Stat. Sol., 1972, B53, N 2, p.745.
99. Bertoty J., Somogyi K. // Phys. Stat. Sol., 1971, A6, N 2, p.439.
100. Somogui K., Bertoti J. // Japan J. Appl. Phys., 1972,11, N 1, p. 103.
101. Grigorueva V.S., Prochukhan V.D., RudYu.V., Yakovenko A.A. // Phys. Stat. Sol., 1973, A17, N 1, k69.
102. Григорьева B.C., Прочухан В.Д., РудьЮ.В. и др. // Письма в ЖЭТФ, 1975, 1, №3, с.130.
103. Григорьева B.C., Прочухан В.Д., РудьЮ.В., Яковенко А.А. // Физика и техника полупроводников, 1974, 8, вып. 8, с. 1582.
104. Mughal S.A., Payne A.J., Ray В., // J. Mater. Sci., 1969, 4, N 10, p.895-901.
105. Goryunova N.A., RyvkinS.M., Shpenikov G.P., // Phys. stat. sol., 1968, 28, N2, p.489.
106. Goryunova N.A., Kusmenko G.S., Osmanov E.O. // Mater. Sci. Engng, 1971, 7, N1,54.
107. Аксёнов B.B., Петров B.M., Полыгалов Ю.И., Чалдышев B.A., // Всесоюзная конференция по электрическим и оптическим свойствам кристаллов типа A nBv и сложных соединений типа AnBIVCV2. Тезисы докладов. Ашхабад, «Ылым», 1971, c.l 1.
108. Ш.СупруненкоП.А., КальнаяГ.И., Кириленко М.М., // Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1974,10, №6, 988.
109. Ундалов Ю.К., Получение и исследование полупроводникового соединения CdGeP2. Автореферат канд. дис. Л., Ленинградский политехнический институт, 1974.
110. Тычина И.И., Получение монокристаллов полупроводниковых соединений CdGeP2 и ZnGeP2 и исследование их свойств. Автореф. канд. дисс. Киев, Киевский пед. ин-т, 1966.
111. Leroux-Hugon Р. // Compt rend. Acad, sci., 1963, 256, N1,118.
112. Choi S., Choi J., Hong S.C., Cho S., Mn-doped ZnGeAs2 and ZnSnAs2 single crystals: growth and electrical and magnetic properties, Journal of the Korean Physical Society, vol.42, February 2003, pp. S739-S741.
113. Аверкиева Г.К., Прочухан В.Д., РудьЮ.В., ТаштановаМ. // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1975, 11, №4, с.607.
114. Solomon G.S., TimmonsM.L., and Posthill J.B., Organometallic vapor-phase-epitaxial growth and characterization of ZnGeAs2 on GaAs, Journal of Applied Physics March 1, 1989 - Volume 65, Issue 5, pp. 1952-1956.
115. Дашевский М.Я., ХасиковВ.В. // В кн.: Тройные полупроводники AhBivCv2 и AnBin2Cvi4. Кишенёв, «Штиинца», 1972, с.83.
116. Бергер Л.И. Исследования в области тройных алмазоподобных полупроводников. Автореф. докт. дис. М., МИСиС, 1968.
117. Boyd G.D., Buehler Е., StorrF.G., WernickJ.H. // IEEE J. Quant. Electronics, 1972, 8, N 4, p.419.
118. Горюнова H.A., Тахтарёва H.K. // В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинёв, «Штиинца», 1971, с. 47.
119. Landolt-B6rnstein. Semiconductors: Physics of Ternary Compounds, ed. By O.Madelung (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, 1985) v. 17h.
120. Y.Ishida, D.D. Sarma, K. Okazaki, J.Okabayashi, J.I.Hwang, H. Ott, A. Fujimori, G.A. Medvedkin, T. Ishibashi, and K. Sato, Phys. Rev. Lett., 2003, 91, 107202.
121. T. Hwang, J.H. Shim, and S. Lee, Appl. Phys. Lett., 2003, 89, 1809.
122. S. Cho, S. Choi, G.-B. Cha, S.C. Hong, Y. Kim, Y.-J. Zhao, A.J. Freeman, J.B. Ketterson, B.J. Kim, Y. C. Kim, and B.-C. Choi, Room-temperature ferromagnetism in (Znj.xMnx)GeP2 semiconductors, Phys. Rev. Lett., 2002, 88,257203.
123. Медведкин Г.А., ИшибашиТ., Ниши Т., Сато К., Новый магнитный полупроводник Cdi.xMnxGeP2 // Физика и техника полупроводников, 2001, т.35, №3, с.305 -309.
124. Wellmann P.J., Garcia J.M., Feng J.-L., PetroffP.M., Formation of nanoscale ferromagnetic MnAs crystallites in low-temperature grown GaAs // Applied Physics Letters October 27,1997 - Volume 71, Issue 17, pp. 2532-2534.
125. Fumihiro Ishikawa, Keiichi Koyama, Kazuo Watanabe, Tetsuya Asano and Hirofiimi Wada, First-order Phase Transition at the Curie Temperature in MnAs and MnAs0.9Sb0.1 // Journal of the Physical Society of Japan, vol. 75, No. 8, August, 2006, 084604.
126. Huber E.E., RidgleyD.H., Magnetic properties of a single crystal of manganese phosphide, Phys. Rev. 135, A1033 A1040,1964.
127. Горелик C.C., СкаковЮ.А., Расторгуев JI.H., Рентгенографический и электронно-оптический анализ. М.: МИСиС, 1994.
128. Львов В.Б., Атомно-адсорбционный спектральный анализ. М.: Наука. 1966.392 с.
129. Прайс В. Аналитическая атомно-абсорбционная спектроскопия. М.:1. Мир, 1975.-355с.
130. Терек Т., МикаИ., Гегуш Э., Эмиссионный спектральный анализ, пер. с англ., ч. 1-2, М., 1982.
131. Пшеничников Ю.П., Выявление тонкой структуры кристаллов. М.: Металлургия, 1974, 528 с.
132. Бублик В.Т., Дубровина А.Н., Зимичева Г.М., Методы исследования структуры полупроводников. М.: МИСиС, 1985, ч.1.
133. Глазов В.М., Вигдорович В.Н., Микротвёрдость металлов. М.: Металлургия, 1969, с. 13-31.
134. ХоксП., Электронная оптика и электронная микроскопия. М.: Мир. 1974. 347 с.
135. Деркач В.П., КияшкоГ.Ф., Кухарчук М.С., Электронно-зондовые устройства. Киев: Наукова думка, 1974, 238 с.
136. Стоянова И.Г., АнаскинИ.Ф., Физические основы методов просвечивающей электронной микроскопии, М.: Наука, 1972, 347 с.
137. УманскийЯ.С. и др., Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982,432 с.
138. Микроанализ и растровая электронная микроскопия, под ред. Морис Ф., Мени Л., Тиксье Р. М.: Металлургия, 1985,407 с.
139. Энгель Л., КлингельГ. Растровая электронная микроскопия. -Справочник. М:, «Металлургия», 1986,200 с.
140. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, справочник, под ред. Новосёлова А.В., Лазарева В.Б., Лужной Н.П. и др., М., Наука, 1979 г.
141. Silvey G.A., Lyons V.J., Silvestry V.J., The Preparation and Properties of Some 2-5 Semiconducting Compounds // J. Electrochem. Soc. 1961. V. 108. № 7. P.653-658.
142. Marenkin S.F., Huseynov В., Shevchenko V.Ya., Belyskiy N.K., The growth of CdAs2 and ZnAs2 Single Crystals from the Vapour Phase // J. Ciyst. Growth. 1978. V. 44. № 2. P.259-261.
143. Lyons V.J., The Dissociation Pressure of ZnAs2 // J. Phys. Chem. 1959. V. 63. P.l 142-1144.
144. Маренкин С.Ф., Шевченко И.Я., Стеблевский A.B. и др., Исследование термической диссоциации полупроводников группы AnBv // Изв. АН СССР. Неорга. Материалы. 1980. Т.16. № 10. С.1757-1761.
145. Глазов В.М., Касымова М.К., Плотность арсенидов цинка и кадмия в твёрдом и жидком состоянии и объёмные измерения при их плавлении // Докл. АН СССР. 1968. Т. 183. № 1. С. 141-143.
146. Надточий Ю.Г., Пищиков Д.И., Маренкин С.Ф. и др. Анизотропия теплопроводности, термо-э.д.с. и удельного сопротивления в ZnAs2 // Неорган. Материалы. 1992. Т. 28. № 2. С. 293-298.
147. Маренкин С.Ф., Маймасов А.В., Попов А.Б., Особенности выращивания монокристаллов диарсенида цинка // Неорганические материалы. 1997. т.ЗЗ. № 4. с. 394-404.
148. Edmonds К.М., Wang К.Y., Campion R.P., Neumann A.C., Farley N.R.S., Gallagher B.L., Foxon C.T., Appl. Phys. Lett. 81, 18,4991 (2002).
149. Edmonds K.M., Boguslawski P., WangK.Y., Campion R.P., Novikov S.N., Farley N.R.S., Gallagher B.L., Foxon C.T., Sawicki M., Dietl Т., Buongiorno Nardelli M., Bernholc J., Phys. Rev. Lett. 92,3, 03720 (2004).
150. Medvedkin G.A., HiroseK., Ishibashi Т., NishiT., Voevodin V.G., Sato K., J. Cryst. Growth 236, 4, p.609 (2002).
151. Choi S., Cha G.-B., Hong S.C., Cho S., Kim Y., Ketterson J.B., Jeong S.-Y., Yi G.-C., Solid State Commun. 122, 3-4, 165 (2002).
152. Kent P.R., Schulthess Т.С., СР772, Physics of Semiconductors: 27th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, ed. J. Menendez, Ch.G. Van de Walle, 1369 (2005).
153. Akai H., Phys. Rev. Lett., 81,14, 3002 (1998).
154. AkaiH., Kamatani Т., Watanabe S., J. Phys. Soc. Jpn, suppl. A 69, 112 (2000).
155. Mahadevan P., Zunger A., Phys. Rev. Lett., 88, 4, 047205 (2002)
156. Zhao Y.-J., GengW.T., Freeman A.J., OguchiT., Phys. Rev. В 63, 20, 201202 (R) (2001).
157. LaihoR., LisunovK.G., Lahderanta E., Zakhvalinskii V.S., Magnetic MnAs nanoclusters in the dilute magnetic semiconductor (Zni.xMnx)3As2 // J. Phys.: Condens. Matter 11 (1999) 8697-8706.
158. LaihoR., LisunovK.G., LahderantaE., Zakhvalinskii V.S., Magnetic properties of the new diluted magnetic semiconductor (Zni-xMnx)3As2: evidence of MnAs clusters // J. Phys.: Condens. Matter 11 (1999) 555-568.
159. Dhar S., Nag B.R., J., Cryst. Growth, 43,120 (1978).
160. Sato K, Medvedkin G.A., Nishi T. et al // J. Appl. Phys. 2001, 89, p.7027.
161. Трухан В.М., Сошников Л.Е., Маренкин С.Ф., Голякевич Т.В., Выращивание и свойства монокристаллов p-CdP2 // Неорганические материалы, 41, №9,1031 (2005).
162. Fjellvag Н., Kjekshus A. Solid Solution Phase with MnP Structure // Acta Chemica Scandinavica, Series A: (28,1974-) (1986), 40,8-16.
163. Akai H. // Phys. Rev. Lett., 1998, V. 81, p.3002.
164. Zhang S.B., Wei S.H., Zunger A. // Phys. Rev. Lett., 1997, V. 78, p.4059.
165. Zhang S.B., Wei S.H., Zunger A., Katayama-Yoshida H. // Phys. Rev. В., 1998, V.57, p.9642.
166. Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi T. et al, J. Phys. Chem. Sol., 2003, 64, p.1461.
167. Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Арсланов P.K., Маренкин С.Ф., Влияние гидростатического сжатия на свойства переноса в кристаллах диарсенида кадмия // Неорганические материалы. 2001. т.37. №4. с. 405-408.
168. Моллаев А.Ю., Арсланов Р.К., Даунов М.И., Сайпулаева Л.А., Явления переноса и фазовые превращения в диарсениде кадмия-олова при высоком давлении // ФТВД 13, №1,29 (2003).
169. L.Pytlik, A.Zieba. J.Magn.Magn.Mat., V.51, р.199-210 (1985).
