Кинетические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-xMnxGeAs2 и Cd1-xMnxGeP2 при высоком давлении до 7 ГПа тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

4857470

Арсланов Темирлан Расулович

КИНЕТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА РАЗБАВЛЕННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Сах^МпхСеАвг и Са1.хМпхСеР2 ПРИ ВЫСОКОМ ДАВЛЕНИИ ДО 7 ГПа

01.04.07. - физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

2 0 ОКТ 2011

Махачкала - 2011

4857470

Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук

Научные руководители: член-корреспондент РАН

Камилов Ибрагимхан Камтовт кандидат физико-математических наук Моллаев Ахмедбек Юсуфович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

Бражкин Вадим Вениаминович кандидат физико-математических наук Алиев Ахмед Магомедович

Ведущая организация: Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н.Ельцина

Защита состоится « 17 » ноября 2011 г. в 15 00 часов на заседании диссертационного совета Д 002.095.01 при Институте физики Дагестанского научного центра РАН по адресу:

367003, РФ, Дагестан, Махачкала, пр. Шамиля, 39-а.

Отзывы на автореферат просьба направлять по адресу: 367003, РФ, Дагестан, Махачкала, ул. М. Ярагского, 94, Учреждение Российской академии наук Институт физики ДНЦ РАН, секретарю диссертационного совета.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики ДНЦ РАН

Автореферат разослан « 10 » октября 2011 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Д 002.095.01 --

доктор физико-математических наук А.Б. Батдалов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Новым перспективным направлением твердотельной электроники становится спиновая электроника (спинтрони-ка), где наряду с зарядом спин электрона представляет собой активный элемент для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых маг-нето-оптоэлектронных приборов. Использование в устройствах спин-троники как ферромагнитных, так и полупроводниковых свойств материала, то есть спина и заряда его электронов, выдвигает на первый план задачу поиска, синтеза и исследования новых высокотемпературных ферромагнитных полупроводников (разбавленных магнитных полупроводников) с высокоподвижными поляризованными носителями тока [1]. Наиболее изученным представителем этого класса материалов является Оа^МпхАв, в котором был обнаружен ферромагнетизм с температурой Кюри Тс, не превышающей 170 К [2,3].

Тройные полупроводники АПВ1УС2У являются кристалл охимиче-ским и электронным аналогом полупроводников АШВУ и могут найти применение в спинтронике. В матрице АИВ1УСУ2 в зависимости от степени легирования переходные элементы (в частности Мп) могут замещать в различных пропорциях как позиции элементов второй группы А11 (Сс1, 2п), так и позиции элементов четвертой группы В (Ое). Магнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках (РМП) дырочного типа на основе матриц АпВ1УСУ2 формируется в результате конкуренции двух противоположных механизмов: антиферромагнитного сверхобменного взаимодействия Мп2+-Мп2+ и ферромагнитного двойного обменного взаимодействия Мп2+-Мп3+ [4, 5]. При низких концентрациях ионов марганца доминирует первый механизм, приводя к состоянию типа спинового стекла, а для случая с относительно высокой концентрацией ионов марганца, когда происходит частичное замещение ионов ве4+ ионами Мп3+, доминирует второй механизм обменных взаимодействий, проявляющийся в ферромагнетизме. Стоит отметить важную роль вакансий и нестехиометрии в формировании ферромагнетизма в этих РМП. Для системы С(ЮеР2:Мп показано, что наличие в ней вакансий типа (Сс1, Ус,Мп)СеР2 или нестехиометрии типа (Сс1, ве, Мп) веР2 делает энергетически более выгодным ФМ-состояние, чем состояние спинового стекла [6].

В качестве объектов исследования были выбраны высокотемпературные ферромагнитные полупроводники CdGeAs2:Mn и CdGeP2:Mn. На основе CdGeP2:Mn был впервые синтезирован высокотемпературный ферромагнетик [7]. Интерес к CdGeAs2 и CdGeP2 обусловлен возможностью легирования алмазоподобных матриц переходными элементами (Mn, Fe, Сг и др.) в довольно широких пределах, высокой подвижностью носителей дырочного типа, высокими температурами Кюри, а также технологичностью их получения в виде качественных моно и поликристаллов. Поскольку характер легирования и наличие свободных носителей заряда определяют не только кинетические свойства, но и магнитные свойства таких материалов то, эффективно воздействуя давлением, можно изучать процессы, происходящие в высокотемпературных ФМ полупроводниках.

Цель работы. Экспериментальное исследование влияния высокого давления до 7 ГПа на кинетические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cdi_xMnxGeAs2 и Cdi_xMnxGeP2 с различным содержанием Мп.

В рамках этой цели решались следующие задачи:

1. Разработать методики измерения удельного электросопротивления, коэффициента Холла, магнетосопротивления, относительной магнитной восприимчивости и относительного объема при высоком давлении до 7 ГПа и комнатной температуре;

2. Измерить при атмосферном давлении в интервале температур 77.6 - 420 К и магнитных полей Н<10 кЭ удельное электросопротивление и коэффициент Холла в разбавленных магнитных полупроводниках Cdi.xMnxGeAs2 и Cd1_xMnxGeP2 с различным содержанием марганца

3. Получить и проанализировать новые экспериментальные данные о влиянии высокого давления до 7 ГПа, при комнатной температуре на кинетические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cdj.xMnxGeAs2, Cdi_xMnxGeP2 и.т.д. с различным содержанием Мп.

Научпая новизна состоит в том, что впервые:

• проведены исследования температурных и магнетополевых зависимостей коэффициента Холла при атмосферном давлении в разбавленных магнитных полупроводников Cdi_xMnxGeAs2 и Cdi.xMnxGeP2 с различным содержанием Мп, которые позволили

определить тип, подвижность и концентрацию носителей заряда. Выделены нормальная и аномальная составляющая коэффициентов Холла в СёщМПхОеМс (х=0.18,0.24 и 0.30);

• обнаружено индуцированное высоким давлением отрицательное магнетосопротивление в С(11_хМпхОеА82 и Сё1.хМпхСеР2 с различным содержанием Мп. Выявлена взаимосвязь магнетосопротивления с магнитными свойствами исследованных образцов;

• обнаружено, что в Сс11.хМпхСеА82 и Сс11.хМпхСеР2 с различным содержанием Мп вблизи температуры магнитного упорядочения индуцируется давлением метамагнитный переход из состояния с низкой намагниченностью в состояние с высокой намагниченностью;

• обнаружен индуцированный высоким давлением магнетообъ-емный эффект в Сс11_хМпхОеА82 и Сё^Мп^еРг с различным содержанием Мп.

Практическая и научная ценность работы. Полученные в диссертации данные о влиянии давления на электрические и магнитные свойства образцов Сс1|_хМпхОеА52 и Сс^Мп^еРг могут быть полезны для дальнейшего целенаправленного исследования свойств этих материалов путем воздействия высоких давлений. Усовершенствованное устройство для исследования кинетических и магнитных свойств твердых тел при высоком давлении, а также экспериментальные методы создания гидростатического давления до 7 ГПа и измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла, магнетосопротивления, относительной магнитной восприимчивости и относительной объемной- сжимаемости в этих условиях могут применяться для решения ряда фундаментальных и прикладных задач. В частности, метод точного измерения давления при комнатной температуре может применяться для контроля и управления давлением в технологических процессах получения новых материалов при высоких давлениях.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты исследования эффекта Холла в Сё1_хМпхОеА82 и С(11_хМпхОеР2 с различным содержанием Мп в диапазоне температур 77.6 4-420 К и магнитных полей Н<10 кЭ при атмосферном давлении.

2. Результаты исследования магнетосопротивления в Сс^.хМПхОеАвг и Сс11_хМпхОеР2 при высоком давлении до 7 ГПа.

3. Результаты исследования относительной магнитной восприимчивости в Cdi.xMnxGeAs2 и Cdi.xMnxGeP2 с различным содержанием Мп при высоком давлении до 7 ГПа.

4. Результаты исследования относительного объема в Cdi.xMnxGeAs2 и Cdj.xMnxGeP2 с различным содержанием Мп при высоком давлении до 7 ГПа.

Вклад автора. В цикле исследований, составляющих данную диссертационную работу, автору принадлежит основная роль в критическом анализе имеющихся литературных данных, постановке задачи, организации и проведении экспериментов, интерпретации и анализе полученных результатов, формировании основных положений и выводов, а также в написании диссертации.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на: 13-ой Международной конференции «Высокие давления и физика полупроводников» (HPSP 13) (Форталеза, Бразилия, 2008); Международном симпозиуме «Упорядочение в минералах и сплавах» (г. Ростов-на-Дону, п. JIoo, 2008, 2009 гг.); IX Международном семинаре «Магнитные фазовые переходы» (Махачкала, 2009); Международной конференции «Европейской исследовательской группы по материалам» (E-MRS) (Варшава, Польша, 2009); Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2009)» (Минск. 2009); 4-ой Международной научно-технической конференции «Сенсорная электроника и микросистемные технологии» СЭМСТ-4 (г. Одесса, 2010); 48-ой Международной Европейской конференции по высоким давлениям (Упсала, Швеция, 2010); Международной конференции «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», посвященной 75-летию член-корреспондента РАН И.К.Камилова (Махачкала, 2010).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 8 статей в рецензируемых журналах, входящих в перечень изданий ВАК РФ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и выводов, списка цитированной литературы из 161 наименования. Содержание работы изложено на 133 страницах, включая 54 рисунка и 13 таблиц.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбора темы диссертации и объектов исследования.

В первой главе приведен обзор данных по разбавленным магнитным полупроводникам (РМП) на основе соединений А В Су (СсЮеАБг, С(ЮеР2, ЪпСскъг, 2пСсР2), легированных марганцем. Анализ кристаллической структуры соединений А"В1УС 2 показал, что они могут растворять значительные количества атомов (1-элементов (в частности Мп), т.к. длина связей Мп-Су сопоставима с длинами связей А11 - Су и В1У - С\ и как следствие предполагается, что на их основе могут быть получены ферромагнетики с высокими температурами Кюри.

Во второй главе рассмотрены методики создания и измерения высокого гидростатического давления до 9 ГПа с помощью аппарата типа «тороид» [8], описаны методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла, магнетосопротивления, относительной магнитной восприимчивости и относительной объемной сжимаемости. В начале главы приведен обзор известных методов создания гидростатического давления Р>3 ГПа с помощью аппаратов типа поршень-цилиндр, «белт» и многопуанссонных аппаратов. Рассмотрен принцип действия аппарата высокого давления типа «тороид» и обоснованы его преимущества перед аппаратами других типов.

Высокое гидростатическое давление передается на исследуемый образец жидкостью смеси метанола и этанола в отношении 4:1 при давлении до 9 ГПа. Жидкость находится в тефлоновой ампуле с конструкцией герметического затвора, который позволяет ввести в ампулу до 8-12 электровводов. Описаны конструкции измерительных ячеек для изучения удельного сопротивления при комнатной температуре. Гидростатическое давление до 9 ГПа измерялось манганиновыми датчиками, барический коэффициент сопротивления которых определялся в каждом эксперименте по давлениям фазовых переходов в висмуте (2,54; 2,7 и 7.7 ГПа). Рассмотрены метрологические свойства этих датчиков в жидких и затвердевающих под давлением средах, проведено сравнение с имеющимися в литературе данными. Сделаны оценки точности измерения давления и кинетических коэффициентов.

Измерение динамической магнитной восприимчивости проводилось регистрацией частоты резонансного контура, сердечником катушки которого является образец. Вариант использования автогенератора на основе такого контура для измерения динамической магнитной восприимчивости имеет свои преимущества, как для записи спектральных характеристик, так и для записи температурных и полевых зависимостей, а также зависимостей от приложенных внешних давлений. При переходе через точку ферромагнитного упорядочения или структурного перехода, его собственная частота изменяется в пределах от 2 МГц до 20 кГц. Измерения частоты автогенератора проводились с использованием частотомера. Магнитная проницаемость ¡1 определялась из условия равенства индуктивности тороидальной катушки (с числом витков N), намотанной на образец с индуктивностью, полученной из собственной частоты колебательного контура автогенератора:

т2 • 107 М ^С^кХпЬ/а

где С - емкость конденсатора, т - период колебаний, а,Ь,к -внутренний радиус, внешний радиус и высота тороидальной катушки. Магнитная восприимчивость рассчитывалась из выражения %=(ц-1)/4я. При слабой выраженности эффекта, измерения осуществлялись в режиме накопления и усреднения. Такая методика оправдывается тем, что не приходится беспокоиться по поводу такого важного параметра измерительной установки для частотных измерений, как широта динамического диапазона.

- Измерение относительной сжимаемости исследуемых образцов проводилось методом тензодатчика [9]. Метод основан на измерении электросопротивления участка тонкой константановой проволоки, приклеенной к образцу, помещенному в гидростатическую ячейку высокого давления. Особенность данной методики состоит в том, что чувствительный элемент тензодатчика почти во всем диапазоне давлений работает в режиме пластической деформации. Абсолютная точность измерения удельного объема для данной методики составляет 0.1%. Относительная точность (чувствительность измерений) составляет 10"3 %.

Третья глава посвящена описанию и анализу результатов экспериментального исследования кинетических и магнитных свойств разбавленного магнитного полупроводника Сё^Мп^еАзг с (0.06<х<0.3) при атмосферном и высоком давлениях.

В разделе (3.1) рассмотрены результаты экспериментального исследования удельного электросопротивления, эффекта Холла и хол-ловской подвижности в разбавленном магнитном полупроводнике С(11.хМпхСеА82 с (0.06<х<0.3) при атмосферном давлении в интервале температур 77.6-И20 К и магнитных полях Н<10 кЭ. Некоторые характеристики исследованных образцов приведены в таблице 1, где х -содержание марганца в процентах, Тс - температура Кюри, 0 - парамагнитная температура Кюри, |ДВ - магнитный момент, р - удельное электросопротивление, Ын - коэффициент Холла. Значения р и Ин приведены в таблице при Т=297 К и атмосферном давлении.

Таблица 1

Магнитные и электрические свойства образцов С(11.хМпхСеА82

№ образца Содера в об ¿ание Мп разцах Тип проводимости Тс, К в, К Мв Р. Оме м Ын. см3/К л

мае. % х, ат. д.

1 1 0.06 Р 329 301 7.4 10 2250

2 3 0.18 Р 329 329 8.0 2.3 90

3 4 0.24 Р 355 325 8.0 0.25 7

4 5 0.30 4Р 355 325 8.0 0.03 0.8

На рис. 1 представлены кривые температурной зависимости удельного сопротивления р(Т). Поликристалл Сёо^Мпо.обОеАвг отличается от остальных поликристаллов тем, что его сопротивление значительно выше и в области низких температур носит полупроводниковый характер, тогда как в Сс^Мп^еАвг с (х=0.18, 0.24 и 0.30)

при Т < Тс наблюдается металлический ход сопротивления с с1рМТ > 0.

На рис. 2 в качестве примера представлены полевые зависимости сопротивления Холла И(Н) для образца Cdo.7Mno.3GeA.S2 (для остальных образцов картина аналогичная). В исследованном интервале тем-

ператур И>0. В ферромагнитной области линейная зависимость И от Н наблюдается при Н> 2 кЭ.

На рис. 3 представлены температурные зависимости нормального Ко и аномального 1?. 5 коэффициентов Холла, рассчитанные из кривых ЩН). В исследованном интервале температур нормальный коэффициент Холла Ло положителен, что указывает на преобладание дырочного вклада в проводимость. При Т < 300 К коэффициент слабо зависит от температуры. При Т>300 К наблюдается значительный рост Ио, который заканчивается приблизительно при Т-340 К, а затем уменьшается. Аномальный коэффициент Холла отрицателен и имеет минимум при Т-340 К. Следует отметить, что при Т > 340 К, коэффициенты Холла определяются со значительной (порядка 30%) погрешностью. Особенности вблизи Тс на кривых К0(Т) и Я5(Т) не видны, однако производные <111(/<1Т и <Ш8/с1Т имеют экстремумы при Т>327 К. На рис.4 показаны температурные зависимости холловской подвижности рн = IVр. В Сс1а82МПо.|80еА82, Сс1о.76Мпо.24ОеА82 и Сс^Мпо.зСеАвг зависимости цн( Т) в области Т<270 К, при росте температуры происходит уменьшение рн-

100 200 300 400 500 Т,к

Н.кЭ

Рис.1. Температурные зависимости удельного электросопротивления р в СёЬхМпхОеА52 для различных составов х: 1 - 0.06, 2 -0.18,3-0.24,4-0.30.

Рис.2. Изотермы сопротивления Холла Д в Сс^лМпо.зОеАвг при различных температурах Т(К): 1 - 96, 2 - 201, 3 - 278, 4 - 297, 5 - 315, 6-350.

Уменьшающаяся при росте температуры холловская подвижность (рис. 4), положительный и слабо зависящий от температуры коэффициент (рис. 3) указывают на то, что при Т<270 К основными носителями тока в поликристаллах являются дырки, и рост сопротивления происходит из-за уменьшения их подвижности.

Таким образом, из анализа данных по эффекту Холла следует, что в Сс11.хМпхСеА82 с (х=0.18, 0.24 и 0.30) при низких температурах проводимость осуществляется, в основном, за счет перескоков между локализованными состояниями, а в окрестности Тс - за счет активации дырок на край подвижности.

В С(11.хМпхОеА82 с (х=0.18, 0.24 и 0.30) при Т<270 К основными носителями тока являются дырки, находящиеся в металлическом состоянии, а рост сопротивления происходит из-за уменьшения их подвижности. При Т>270 К температурная зависимость сопротивления обусловлена изменением концентрации носителей в делокализован-ных состояниях.

Т,К

Рис.3. Температурная зависимость нормального Ио и аномального коэффициентов Холла в С^лоМпо.зоСеАэг.

100 200 300

т,к

Рис.4. Температурные зависимости холловской подвижности дн=Ко/р в Сс11.хМпхОеА52 для различных соста-вовх: 1 -0.18,2-0.24,3-0.30._

В разделе 3.2 представлены результаты экспериментального исследования влияния высокого давления до 7 ГПа на кинетические и магнитные свойства Сд^Мп^еАзг с (0.06<х<0.3).

На рис.5 представлены барические зависимости поперечного магнетосопротивления Дрхх/р0, измеренные в магнитном поле Н=5 кЭ

для Сё^МПхСеАйг с (0.06<х<0.3). Увеличение давления и магнитного поля во всех исследованных поликристаллах приводит к росту положительного магнетосопротивления (ПМС), амплитуда которого достигает максимума в поле Н=5 кЭ при Р>1 ГПа. Дальнейшее увеличение давления приводит к подавлению ПМС. При Р>2.5 ГПа магнето-сопротивление становится отрицательным. В области фазового превращения отрицательное магнетосопротивление (ОМС) при давлении Р>4.5 ГПа и магнитном поле Н=5 кЭ составляет максимальное значение -3% для образца Сс^МпозОеЛяг. Наблюдаемое отрицательное магнетосопротивление также говорит о взаимодействии носителей заряда с магнитными моментами ионов марганца (рис. 5).

Магнитная восприимчивость является одной из главных характеристик динамического состояния системы спинов. Фазовые переходы обычно характеризуются возникновением особенностей на температурной кривой зависимости магнитной восприимчивости. Наиболее интересной является область температур, непосредственно примыкающая к точке Кюри, так как именно здесь наблюдается наибольшее развитие флуктуаций и возникает дальний порядок.

100:

10-

■ Г 1

х=0.3 :

-•- х=0,24

А--х=0.18

ш -♦ х=0.06

г 4 \ :

м!|1||

1 2 3 4 5 1 1 1 6 7

Р, ГПа

Рис.5. Барические зависимости поперечного магнетосопротивления Дри/р0, измеренные в магнитном поле Н=5 кЭ для С(1]^МпхСеА52 с различным содержанием Мп.

Рис.6. Барические зависимости относительной магнитной восприимчивости %/ул в Сс11.хМпхОсА52 с различным содержанием Мп.

На рис.6 представлены барические зависимости относительной магнитной восприимчивости для образцов Сё^МПхСеАвг (0.06<х<0.3). Из рис.6 видно, что с увеличением процентного содержания марганца максимум %(Р)/%о сдвигается в сторону низких давлений от Р=2 ГПа для х=0.06 до Р=1.6 ГПа для х=0.3. Амплитуда максимума наоборот растет с увеличением процентного содержания марганца.

Результаты измерений зависимостей 'относительного объема от давления в Сс1ЬхМпхОеА82 показаны на рис. 7, 8. Исчезновение ферромагнитного состояния под давлением проявляется как резкое уменьшение сжимаемости решетки и рост объемного модуля В, начинающегося с Р>4.5 ГПа. Объемный модуль растет в широком диапазоне давлений выше 4.5 ГПа и постепенно насыщается вплоть до 7 ГПа, что указывает на магнитное превращение при этом давлении. Нужно упомянуть, что рост объемного модуля в области, где

160 140 120 100 80 60

* - х=0.30 ■ - х=0.24

* - х=0,18

* - х=0.06

1

2 3 4 Р, ГПа

Рис.7. Барические зависимости относительного объема АУ/У0 в Сс1[.хМпхОеА52 с различным содержанием Мп.

Рис.8. Барические зависимости объемного модуля В в Сё1.1МпхСеА52 с различным содержанием Мп. Сплошная линия - расчет по формуле (4) для образца с х= 0.3.

ферромагнитное состояние исчезает, идет гладко, указывая на сосуществование ферромагнитных и парамагнитных областей в широких пределах давлений. Экстраполяция зависимости ДУ(Р)Л/0 из области высокого давления позволяет оценить значение объемной магнито-

стрикции ©з,. То есть объем решетки изменяется из-за самопроизвольной намагниченности ферромагнитной фазы. Значения соз при Т=297 К для исследованных образцов Сс11_хМпхОеА52 составляют (0.5*1.7)%. Из рисунка 7 можно видеть, что уменьшение объема происходит почти линейно до Р<4 ГПа, а при давлениях Р>1.5 ГПа наблюдается излом на кривых, обусловленный, вероятно, метамаг-нитным превращением.

Однако объемный модуль Сс11.хМпхСеА82 начинает падать при Р>4 ГПа, и это смягчение становится значительным при дальнейшем увеличении давления (рис. 8). Значение объемного модуля при Р=4.1 ГПа значительно меньше первоначальной величины. Увеличение давления выше 4.1 ГПа приводит к значительному росту объемного модуля. Вообще зависимость объемного модуля (сжимаемости) проявляется как типичная X - аномалия, которая происходит, очевидно, из-за магнитного превращения (исчезновение ферромагнетизма) при давлении около 4.1 ГПа. В результате компьютерной обработки получено выражение:

В

Рс

-ь

+ С, (4)

применяемое для анализа критических явлений. Здесь Ь - критический параметр и Рс - критическое давление.

Таблица 2

Магнитные и магнитоупругие свойства образцов С(11.хМпхСеА82

№ обр. х, ат. д. Тс, К Рс, ГПа (1Тс/(1 Р, К/ГПа ГПа С0э, % В, ГПа

1. 0.06 329 4,7 -6.8 1.9 0.5 143

2. 0.18 329 4.3 -7.5 1.8 0.8 133

3. 0.24 355 4.2 -13.8 1.7 1.24 125

4. 0.30 355 4.1 -14.0 1.6 1.7 120

Зависимость температуры Кюри от давления сГГс/с1Р в С(11.хМпхОеА82 может быть оценена по известным значениям Тс и

давлению перехода Рс (ФМ-ПМ) как dTc/dP=(Tc-Troom)/Pc. В таблице 2 приведены значения магнитных и магнитоупругих свойств, где Тс - температура Кюри, Рс - давление магнитного перехода ФМ-ПМ, PSR - давление спинового упорядочения, 0)s - спонтанная магнито-стрикция, В - объемный модуль, вычисленный из экспериментальных результатов, приведенных на рис. 7. Значения В приведены в таблице при Т=297 К и атмосферном давлении.

Глава 4 посвящена исследованию кинетических и магнитных свойств Cdi_xMnxGeP2 при атмосферном и высоком давлениях.

В разделе 4.1 рассмотрены результаты экспериментального исследования удельного электросопротивления и эффекта Холла в разбавленном магнитном полупроводнике Cdi_xMnxGeP2 с (х=0, 0.09 и 0.19) при атмосферном давлении в интервале температур 77.6-^420 К и магнитных полях Н<5 кЭ. Магнитные и электрофизические свойства измеренных образцов представлены в таблице 3, где х - содержание марганца в процентах, Тс - температура Кюри, 0 - парамагнитная температура Кюри, цв - магнитный момент, р - удельное электросопротивление, RH - коэффициент Холла. Значения р и RH приведены в таблице при Т=297 К и атмосферном давлении.

Таблица 3

Магнитные и электрические свойства образцов Cdi.xMnxGeP2

№ об- Содержание Мп в образцах Тип прово-^ димости Р. RH, см3/Кл

разца мае. % х, ат. д. тс,к Ом-см

1 0 0 р - - 27.5 73.1

2 2 0.09 р - - 3.02 20

3 3 0.135 р - - 2 10

4 4.56 0.19 р 330 5.8 0.72 3

5 5 0.225 р - - 1530 5-103

Результаты измерений температурных зависимостей удельного электросопротивления р(Т) и коэффициента Холла ЯН(Т) для образцов С<1о.91Мпо.о90еР2 и С(1о.81МпоЛ9СеР2 р-типа представлены на рис. 9. Значение удельного сопротивления р для образца Сс^МпоюдОеРг резко увеличивается с понижением температуры, причем ^р пропор-

ционален Т, что типично для случая достаточно сильной компенсации. В образце Сбо^Мпо.^ОеРг с более высоким значением концентрации дырок при комнатной температуре удельное сопротивление уменьшается по абсолютной величине и при этом достаточно слабо зависит от температуры. Коэффициент Холла в области низких температур Т>160 К начиняет уменьшаться, что свидетельствует об участии в проводимости акцепторных уровней с энергией ионизации Еа<0.02 эВ. Из температурных зависимостей р(Т) и Ын(Т) следует, что образец С(1о.91Мпо.о90еР2 в исследованном интервале температур имеет полупроводниковый характер, а образец Сс^МподдвеРг имеет металлическую проводимость.

10' ю1 10г

§ 104 ° 10°

ю"

1 • 1 . | •

1

»■......К

4а-----------

100

200 300

т,к

400

500

Рис 9. Температурные зависимости удельного электросопротивления р и коэффициента Холла для Сёь>.МпхОеР2 с различным содержанием Мп: 2а - р (х=0.09), 4а - р (х=0.19), 2Ь - И,, (х=0.09), 4Ь - Я,, (0.19).

Рис. 10. Барическая зависимость поперечного магнетосопротивле-ния Дрхх/ро в магнитном поле Н=5 кЭ для СсЗ^хМПхОеРг с различным содержанием Мп.

В разделе 4.2 представлены результаты экспериментального исследования влияния высокого давления до 6 ГПа на кинетические и магнитные свойства Сс11.хМпхОеР2 с (0.09<х<0.225). Измерены зависимости поперечного магнетосопротивления Дрхх(Р)/р0, относительной магнитной восприимчивости %(Р)/%о и относительного объема АУ(Р)Л/0 при высоком гидростатическом давлении до 6 ГПа на поликристаллических образцах Сё^Мп^еРг с (0.09<х<0.225) в области

комнатных температур. Во всех исследованных образцах Сс!^ хМпхСеР2 с (0.09<х<0.225) кроме базового СсЮеР2, наблюдалось поперечное магнетосопротивление, индуцированное давлением, которое сначала положительно и в области магнитного фазового перехода становится отрицательным (рис.10).

Увеличение давления и магнитного поля приводят к увеличению величины магнетосопротивления (рис.10). Во всех исследованных образцах С^^Мп^еРг с (0.09<х<0.225)' кроме базового СсЮеР2 наблюдались магнитные фазовые переходы при подъеме давления. С увеличением процентного содержания марганца, максимум %(Р)/%о сдвигается в сторону высоких давлений (рис.11). Величина максимума растет с увеличением процентного содержания марганца.

Результаты измерений зависимостей относительного объема ДУ(Р)/У0 от давления в С(1,.хМпхСеР2 с (0.09>х<0.225) показаны на рис. 12. На зависимостях ДУ(Р)/У0 при Р>3.6 ГПа обнаружены аномалии магнитных свойств. Полученные результаты, на наш взгляд, показывают, что во всех исследованных поликристаллах имеют место магнитные фазовые переходы. Вблизи критического давления Рс>3.6 ГПа, вероятно, имеет место переход из магнитоупорядоченной фазы в магнитонеупорядоченную фазу.

Р, ГПа

Рис. 11. Барические зависимости относительной магнитной восприимчивости %/Хо Для Сё). хМпхСеР2 с различным содержанием Мп.

Рис. 12. Барические зависимости относительного объема А У/У о для Сс11хМпхОеР2 с различным содержанием Мп.

Основные результаты и выводы

1. Впервые проведены исследования эффекта Холла в разбавленных магнитных полупроводниках Сс11.хМпхОеА82 (0.06<х<0.3) и Сс11_хМпхОеР2 (0.09<х<0.19) при атмосферном давлении, что позволило определить тип, концентрацию, подвижность носителей заряда и их зависимость от температуры, состава и магнитного поля. Эксперимент показал, что механизм аномального уменьшения удельного электросопротивления и рост намагниченности связаны с ростом концентрации носителей заряда. Для Сс11_хМпхСеА82 (0.18<х<0.3) путем графических построений из температурных и магнетополевых зависимостей холловского сопротивления были рассчитаны температурные зависимости нормального и аномального коэффициентов Холла.

2. Исследования электрических свойств разбавленных магнитных полупроводников С(11.хМпхОеА82 (0.06<х<0.3) и Сс11_хМпхОеР2 (0,09<х<0.225), позволили обнаружить отрицательное магнетосопро-тивление, индуцированное высоким давлением, которое проявляется в магнитном поле Н<5 кЭ при комнатной температуре.

3. Из анализа барической зависимости относительной магнитной восприимчивости и относительного объема в разбавленных магнитных полупроводниках С(11_хМпхОсА52 (0.06<х<0.3) и Сс11_хМпхОеР2 (0.09<х<0.225) установлено, что отрицательное магнетосопротивле-ние связано с аномалиями магнитных свойств.

4. Впервые в Сё^МпхСеАвг (0.06<х<0.3) обнаружен метамаг-нитный переход, индуцированный давлением вблизи температуры магнитного упорядочения.

5. Впервые измерены зависимости относительного объема ш5=ДУ/У и относительной магнитной восприимчивости %/%о ферромагнитного полупроводника С(31_хМпхОеА82 (0.06<х<0.3) при высоком давлении до 7 ГПа в области комнатных температур. На зависимостях %/%о и АУЛ/ от давления, при Р>1.6 ГПа и Р>4.3 ГПа обнаружены аномалии магнитных свойств. Полученные результаты показывают, что имеют место переходы из низко намагниченного состояния в высоко намагниченное состояние вблизи критического давления Р$к>1.6 ГПа и переход из магнитоупорядоченной фазы в магнитонеупорядо-

ченную фазу при критическом давлении Рс^4.3 ГПа. Воздействие высокого давления приводит к значительному уменьшению Тс с величиной dTc/dP=(-14.0 - -6.8) К/ГПа. Расчеты объемного модуля В, проведенные с помощью выражения (4) позволили оценить значения объемного модуля в магнитоупорядоченной и магнитонеупорядочен-ной фазах.

6. Впервые измерены зависимости относительного объема Cûs=AV/V ферромагнитного полупроводника Cdi.xMnxGeP2 (0.09<х<0.225) при высоком давлении до 6 ГПа в области комнатных температур. На зависимостях AV(P)/V0 при Р>3.6 ГПа обнаружены аномалии магнитных свойств. Полученные результаты показывают, что во всех исследованных поликристаллах имеют место магнитные фазовые переходы. Вблизи критического давления Рс>3.6 ГПа, имеет место переход из магнитоупорядоченной фазы в магнитонеупорядо-ченную фазу.

Материалы диссертации отражены в следующих основных публикациях:

1. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Zalibekov U.Z., Arslanov T.R., Bashirov R.R., Novotorzev V.M., and Marenkin S.F. Baric and temperature dependences of kinetic coefficients in p-Cdo.7Mno.3GeAs2 at atmospheric and high pressure // Phys. Status Solidi B. 2009. V.246, №3. P.655-657.

2. Моллаев А.Ю., Komwioq U.K., Арсланов P.K., Арсланов T.P., Залибеков У.З., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф. Магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn индуцированное высоким давлением // Известия РАН. Серия Физическая. 2009. Т.73, №7. С. 1048-1050.

3. Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Арсланов Т.Р., Залибеков У.З., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф. Индуцированный высоким давлением метамагнитный переход в ферромагнитном полупроводнике Cdo 7Mn0.3GeAs2 // Письма в ЖЭТФ. 2010. Т.91, В.9. С.524-526.

А. Моллаев А.Ю., Камилов И.К, Арсланов Р.К., Залибеков У.З., Арсланов Т.Р., Ибаев Э.С., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф. Зависимости электрофизических свойств Cdo.7Mn0.3GeAs2 от давления, температуры и напряженности магнитного поля // Неорганические материалы. 2010. Т.46, №6. С.645-648.

5. Моллаее А.Ю., Камилов И.К., Маренкин С.Ф., Арсланое Р.К., Залибеков У.З., Арсланое Т.Р., Абдуллаев А.А., Федорченко И.В. Магнитные фазовые переходы и гальваномагнитные эффекты в высокотемпературном ферромагнетике p-Cdo.7Mn0.3GeAs2 при высоком давлении // Неорганические материалы. 2010. Т.46, №9. С.1029-1033.

6. Моллаее А.Ю., Камилов И.К, Маренкин С.Ф., Арсланое Р.К., Залибеков У.З., Арсланое Т.Р., Федорченко И.В. Влияние высоких давлений на электрические и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Cdo^Mno isGeAs2 // Журнал Неорганической химии. 2011. Т.56, №6. С.980-983.

7. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K, Marenkin S.F., Zalibekov U.Z. and Arslanov T.R. Electron and magnetic transport in the diluted magnetic semiconductor CdGeAs2<Mn> at high pressures // High Pressure Research. 2011. V.31, №1. P.75-79.

8. Моллаее А.Ю., Камилов И.К., Арсланое P.K., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф., Трухан В.М., Арсланое Т.Р., Залибеков У.З., Федорченко И.В. Объемная магнитострикция в разбавленном магнитном полупроводнике Cdi_xMnxGeAs2 (х=0.06-0.3) при высоких давлениях // Неорганические Материалы, 2011. Т.47, №11, С.1285 - 1288.

Литература, цитируемая в автореферате;

1. Иванов В.А., Аминов Т.Г., Новоторцев В.М., Калинников В.Т., Спинтроника и спинтронные материалы // Известия академии наук. Серия химическая. 2004 №11, С.2255-2303.

2. Edmonds К.М., Wang K.Y., Campion R.P., Neumann A.C., Farley N.R.S., Gallagher В.L, Foxon C.T. High-Curie-temperature Gai-xMnxAs obtained by resistance-monitored annealing // Appl. Phys. Lett. 2002. V.81, P.4991 [3 pages],

3. Edmonds K.M., Boguslawski P., Wang K.Y., Campion R.P., Novikov

S.N., Farley N.R.S., Gallagher B.L., Foxon C.T., Sawicki M., Dietl Т., Buongiorno Nardelli M., Bernholc J. Mn Interstitial Diffusion in (Ga,Mn)As // Phys. Rev. Lett. 2004. V.92, P.037201 [4 pages],

4. Гуденко C.B., Аронзон Б.А., Иванов B.A. Изучение обменных взаимодействий ионов Мп в матрице CdGeAs2 методом ЭПР // Письма в ЖЭТФ. 2005. Т.82, В.8. С.591-597.

5. Zhao Y.-J., Geng W.T., Freeman A.J., Oguchi, T. Magnetism of chal-copyrite semiconductors: CdbxMnxGeP2 // Phys. Rev. В 2001. V.63, № 20. P.201202 (R) [4 pages].

6. Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi T. Mitani S„ Takanashi K., Ishida Y., Sarma D. D„ Okabayashi J., Fujimori A., Kamatani T. and Akai H. Novel Mn-doped chalcopyrites // J. Phys. Chem. Sol., v.64, P.1461-1468 (2003).

7. Медведкин Г.А., Ишибаши Т., Ниши Т., Сато К, Новый магнитный полупроводник Cdi_xMnxGeP2 // Физика и техника полупроводников. 2001. Т.35, №3, С.305-309.

8. Khvosbantsev L.G., Vereshchagin L.P., Novikov А.P. Device of To-roid type for high pressure generation // High Temp-High Pressures., 1977. V.9, №6, P.637-639

9. Tsiok O.B., Bredikhin V.V., Sidorov V.A. and Khvostantsev L.G. Measurements of compressibility of solids and powder compacts by a strain gauge technique at hydrostatic pressure up to 9 GPa // High. Press. Res. 1992. V.10, P. 523-533.

Подписано в печать 07.10.2011г. Формат 60x84 '/16. Бумага офсетная. Гарнитура «Times». Печать офсетная. Тираж 100 экз. Заказ № 207.

ГУП «Типография ДНЦ РАН» 367015, Махачкала, 5-й жилгородок, корпус 10.

Введение

Глава I. Литературный обзор.

1. Кристаллическая структура соединений АПВ1УСУ2.В

1.1 Кристаллическая структура СсЮеАБг.

1.2 Кристаллическая структура СсЮеР2.

1.3 Кристаллическая структура гпОеАвг.

1.4 Кристаллическая структура 2пОеР2.

2. Электрофизические свойства полупроводников А"В1УСУ2.

3. Влияние введения (1-элементов (Мп, Сг, Бе) на магнитные свойства полупроводников А^^С^.

3.1 СсЮеАвг.

3.2 СсЮеР2.

3.3 гпОеАБг.

3.4 ZnGeP2.

3.5. Магнитные свойства МпАб и МпР

Глава II. Методика и техника эксперимента

2.1. Обзор методов создания гидростатического давления

2.2. Аппарат высокого давления типа «Тороид»

2.3. Создание гидростатического давления до 9 ГПа с помощью аппарата «Тороид»

2.4. Экспериментальная установка и методика измерения удельного сопротивления, магнитосопротивления и коэффициента Холла при гидростатическом давлении до 9 ГПа

2.5. Методика измерения магнитной восприимчивости и объемной магнитострикции под давлением

Глава III. Экспериментальная часть

3.1. Кинетические свойства СсЮеАвг с различным содержанием Мп при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов

3.2. Кинетические и магнитные свойства СсЮеАвг с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов —

Глава IV. Экспериментальная часть

4.1. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов

4.2. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов

Выводы

Начиная с 90-х годов активно развивается новое направление физики твердого тела, связанное с возможностью переноса ориентированного спина электрона из ферромагнетика в немагнитный полупроводник [1,2]. Прикладное направление этих исследований получило название спинтроники [3]. Эти исследования важны для создания одноэлектронных логических структур, и-спин-информационных систем для^ информатики (в данном случае спиновой информатики, в которой информационной ячейкой памяти служит спин электрона: один спин - один; бит информации [4]). . В. твердотельной' электронике спиновый токоперенос открывает новую возможность управления магнитным полем характеристиками различных устройств - диодов, триодов- и т. д., т.е. появляется дополнительная степень свободы. Использование в качестве эмиттеров поляризованных спинов ферромагнитных (ФМ) металлов дает степень спиновой поляризации не более 10%. Значительно более высокая степень поляризации (до 100%) была получена в структурах полупроводник -ЕиО и полупроводник-халькогенидные шпинели, но при криогенных температурах, что неудобно для практических приложений. Кроме того, в этом случае возникает технологическаяпроблема создания хорошего электрического контакта между ферромагнетиком и полупроводником.

Получить хороший электрический контакт и высокую степень поляризации по спину тока можно, создав ФМ-полупроводник с температурой Кюри выше комнатной путем легирования примесями с неполностью заполненными Зё-обо л очками. Именно поэтому внимание исследователей сосредоточилось на создании ФМ-полупроводника путем легирования марганцем широко используемых в микроэлектронике полупроводников, в первую очередь соединений АШВУ. Наиболее изученным представителем этого класса материалов является Gai.xMn.xAs, в котором был обнаружен ферромагнетизм с температурой Кюри Тс, не превышающей 170 К [5, 6].

Тройные полупроводники АИВ1УС2У известны давно. Эти соединения являются кристаллохимическим и электронным аналогом полупроводников АШВУ. В матрице АПВ1УСУ2 в зависимости от степени легирования переходные элементы (в частности Мп) могут замещать в различных пропорциях как позиции А11 (Сс1, 7л)) элементов второй группы, так и позиции В1У (Ое) элементов четвертой группы. Интерпретируется предположении, что магнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках (РМП) дырочного типа на основе матриц АПВ1УСУ2 формируется в результате конкуренции двух противоположных эффектов: антиферромагнитного сверхобменного взаимодеиствия Мп2+-Мп2+ и ферромагнитного двойного обменного взаимодействия Мп2+-Мп3+ [7]. При низких концентрациях ионов марганца доминирует первый, приводя к состоянию типа спинового стекла, а для случая с относительно высокой концентрацией ионов марганца, когда происходит частичное замещение ионов Ое4+ ионами Мп3+, доминирует второй вариант обменных взаимодействий, проявляющийся в ферромагнетизме. Стоит отметить важную роль вакансий и нестехиометрии в формировании ферромагнетизма в этих РМП. Для системы СсЮеР2:Мп показано, что наличие в ней вакансий типа (Сё, Ус,Мп)СеР2 или нестехиометрии типа (Сё, Ое, Мп) веРг делает энергетически более выгодным ФМ-состояние, чем состояние спинового стекла [8].

Недавно высокотемпературный ферромагнетизм был обнаружен в халькопиритах АПВ1УС2У, легированных Мп. Это были соединения 7пОеР2 :Мп [9] и 2п8пАз2 :Мп [10], в которых точка Кюри достигала 350 К.

В качестве объектов исследования были выбраны СсЮеАвг, в котором, температура Кюри Тс была еще выше - 355 К и СсЮеР2 на основе которого был впервые синтезирован высокотемпературный ферромагнетик [11]. Интерес к СсЮеАвг и Сс10еР2 обусловлен возможностью легирования алмазоподобных матриц переходными элементами (Мп, Ре, Сг и др.) в довольно широких пределах, высокой подвижностью носителей дырочного типа, высокими температурами Кюри, а также технологичностью их получения в виде качественных поликристаллов и монокристаллов. Поскольку характер легирования и наличие свободных носителей заряда определяют не только кинетические свойства, но и магнитные свойства таких материалов то, эффективно воздействуя давлением, можно изучать процессы, происходящие в высокотемпературных ФМ полупроводниках.

Основные результаты и выводы.

1. Впервые проведены исследования эффекта Холла в разбавленных магнитных полупроводниках Сс11хМпхОеА82 (0.06<х<0.3) и Сё1хМпхОеР2 (х=0.09<х<0.19) при атмосферном давлении, что позволило определить тип, концентрацию, подвижность носителей заряда и их зависимость от температуры, состава и магнитного поля. Эксперимент показал, что механизм аномального уменьшения удельного электросопротивления и рост намагниченности связаны с ростом концентрации носителей заряда. Для Сс11хМпхОеА82 (0.18<х<0.3) путем графических построений из температурных и магнетополевых зависимостей холловского сопротивления были рассчитаны температурные зависимости нормального и аномального коэффициентов Холла.

2. Исследования электрических свойств разбавленных магнитных полупроводников Сс11.хМпхОеА82 (0.06<х<0.3) и Сс11.хМпхОеР2 (0.09<х<0.19), позволили обнаружить отрицательное и положительное магнетосопротивление, индуцированное высоким давлением, которое проявляется в магнитном поле Н<5 кЭ при комнатной температуре.

3. Из анализа барической зависимости относительной магнитной восприимчивости и относительной объемной сжимаемости в разбавленных магнитных полупроводниках Сс11.хМпхСеА52 (0.06<х<0.3) и Сс11.хМпхОеР2 (0.09<х<0.19) установлено, что отрицательное магнетосопротивление вероятно связано с аномалиями магнитных свойств.

4. Впервые обнаружено, что в Сс10.7Мпо.зОеАз2 вблизи температуры магнитного упорядочения, индуцируется давлением метамагнитный переход из состояния с низкой намагниченностью в состояние с высокой намагниченностью.

5. Впервые измерены зависимости относительного объема а)8=ДУ/У и относительной магнитной восприимчивости ферромагнитного полупроводника Сё1.хМпхОеАз2 (0.06<х<0.3) при высоком давлении до 7 ГПа в области комнатных температур. На зависимостях %/%о и ДУ/У от давления, при Р>1.6 ГПа и Р>4.3 ГПа обнаружены аномалии магнитных свойств. Полученные результаты показывают, что имеют место переходы из низко намагниченного состояния в высоко намагниченное состояние вблизи критического давления 1.6 ГПа и переход из магнето упорядоченной фазы в магнето неупорядоченную фазу при критическом давлении Рс^4.3 ГПа. Воздействие высокого давления приводит к значительному уменьшению Тс с величиной сГГс/с1Р»(-14.0 ч- -6.8) К/ГПа. Расчеты объемного модуля В, проведенные с помощью скейлингового выражения позволили оценить значения объемного модуля в магнитоупорядоченной и магнитонеупорядоченной фазах.

6. Впервые измерены зависимости относительного объема о^ДУ/У ферромагнитного полупроводника Сс11хМпхОеР2 (0.09<х<0.225) при высоком давлении до 6 ГПа в области комнатных температур. На зависимостях АУ(Р)/Уо при Р>3.6 ГПа обнаружены аномалии магнитных свойств. Полученные результаты, на наш взгляд, показывают, что во всех исследованных поликристаллах имеют место магнитные фазовые переходы. Вблизи критического давления Рс>3.6 ГПа, вероятно, имеет место переход из магнитоупорядоченной фазы в магнитонеупорядоченную фазу.

1. Ohno Н., Making Nonmagnetic Semiconductors Ferromagnetic // Science, v.281, N.5379, pp.951-956 (1998).

2. Prinze G.A., Magnetoelectronics // Science, v.282, N.5394, pp. 1660-1663 (1998).

3. Иванов В.А., Аминов Т.Г., Новоторцев B.M., Калинников В.Т., Спинтроника и спинтронные материалы // Известия академии наук. Серия химическая, №11, с.2255-2303 (2004).

4. Matsukura F., Ohno Н., Shen A., Sugawara Y., Transport properties and origin of ferromagnetism in (Ga,Mn)As // Phys. Rev. В v.57, R 2037-2040 (1998).

5. Edmonds K.M., Wang K.Y., Campion R.P., Neumann A.C., Farley N.R.S., Gallagher B.L., Foxon C.T., High-Curie-temperature Gai-xMnxAs obtained by resistance-monitored annealing // Appl. Phys. Lett, v.81, pp.4991 3 pages. (2002).

6. Zhao Y.-J., Geng W.T., Freeman A.J., Oguchi, Т., Magnetism of chalcopyrite semiconductors: Cd!.xMnxGeP2 // Phys. Rev. В v.63, Issue 20, pp.201202 (R) 4 pages. (2001).

7. Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi T. Mitani S.5 Takanashi K., Ishida Y., Sarma D. D., Okabayashi J., Fujimori A., Kamatani T. and Akai H., Novel Mn-doped chalcopyrites //J. Phys. Chem. Sol., v.64, pp.1461-1468 (2003).

8. Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi Т., Nishi Т., Voevodin V.G., Sato K., New magnetic materials in ZnGeP2-Mn chalcopyrite system // J. Ciyst. Growth, v.236, pp.609-612 (2002).

9. Choi S., Cha G.-B., Hong S.C., Cho S., Kim Y., Ketterson J.B., Jeong S.-Y., Yi G.-C. Room-temperature ferromagnetism in chalcopyrite Mn-doped ZnSnAs2 single crystals // Solid State Commun., v. 122, pp. 165-167 (2002).

10. Медведкин Г.А., Ишибаши Т., Ниши Т., Сато К., Новый магнитный полупроводник CdixMnxGeP2 // Физика и техника полупроводников, т.35, №3, с.305 309 (2001).

11. Medvedkin G.A., Takayuki Ishibashi, Takao Nishi, Koji Hayata, Yoichi Hasegawa and Katsuaki Sato., Room Temperature Ferromagnetism in Novel Diluted Magnetic Semiconductor CdixMnxGeP2 // Jpn. J. Appl. Phys., v.39. pp.L949-L951 (2000).

12. Krstajic P.M., Peeters F.M., Ivanov V.A., Kikoin K., Double-exchange mechanisms for Mn-doped III-V ferromagnetic semiconductors // Phys. Rev. В., v.70. pp.195215 16 pages. (2004).

13. Демин P.B., Королева Л.И., Маренкин С.Ф., Михайлов С.Г., Новоторцев В.М., Калинников В.Т., Аминов Т.Г., Шимчак Р., Шймчак Г. Баран М.,

14. Новый ферромагнетик с температурой Кюри выше комнатной -легированный Мп халькопирит // Письма в ЖТФ. Т. 30. № 21. с.812004).

15. Новоторцев В.М., Калинников В.Т., Королёва Л.И., Демин Р.В., Маренкин С.Ф., Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г., Бойчук С.В., Иванов В.А., // Высокотемпературный ферромагнитный полупроводник CdGeAs2{Mn} // Журнал Неорганической Химии, т.50, №4, с.552-5572005).

16. Новые алмазоподобные полупроводники AHBIVCV2 (обзор), под ред. Валового Ю.А., М., (1971).

17. Полупроводники AnBIVCv2 под ред. Горюновой Н.А., Валова Ю.А., М., «Советское радио», (1974).

18. Pfister Н. Kristallstruktur von ternaeren Verbindungen der Art A(II) B(IV) С(111)2, // Acta Ciystallographica, v.l 1, pp.221-224 (1958).

19. Vaipolin A.A., Specific defects of the structure of compounds A(II) B(IV) C(V)2, // Fizika Tverdogo Tela, v.15, pp.1430-1435 (1973).

20. Abrahams S.C., Bernstein J.L., Piezoelectric nonlinear optic CuGaSe2 and CdGeAs2: Crystal structure, chalcopyrite microhardness, and sublattice distortion, The Journal of Chemical Physics August 1, v.61, Issue 3, pp.1140-1146 (1974).

21. Маренкин С.Ф., Новоторцев В.M., Палкина K.K., Михайлов С.Г., Калинников В.Т., Получение и структура кристаллов CdGeAs2, // Неорганические материалы, т.40, №2, с.1-3 (2004).

22. Vaipolin A.A., Osmanov Е.О., Prochukhan V.D., Modifications of A(II) B(IV) C2(V) compounds with the sphalerite structure // Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Neorganicheskie Materialy, v.8, pp.825-827(1972).

23. Grigorovici R., Manaila R., Vaipolin A.A., The structure of crystalline and amorphous Cd Ge P2 //Acta Crystallographica B, v.24, pp.535-541 (1968).

24. Hoenle W., von Schnering H.G., Verfeinerung der Kristallstruktur von CdGeP2 // Zeitschrift fuer Kristallographie, v.155, pp.319-320 (1981).

25. Levalois M., Allais G, Etude structurale, par diffraction de R-X des liaisons dans les semiconducteurs ternaires ZnSiAs2, ZnGeAs2 et ZnSnAs2 // Physica Status Solidi, Sectio A: Applied Research, v.109, pp.111-118 (1988).

26. Janotti A., Wei Su-Huai, Zhang S.B., Kurtz S., Structural and electronic properties ofZnGeAs2 //Phys. Rev. В., v.63, pp.195210 7 pages. (2001).

27. Lind M.D., Grant R.W., Structural dependence of birefringence in the chalcopyrite structure. Refinement of the structural parameters of ZnGeP2 and ZnSiAs2 // The Journal of Chemical Physics January 1, v.58, Issue 1, pp.357-362 (1973).

28. Continenza A., Massidda S. et. al., Structural and electronic properties of narrow-gap ABC2 chalcopyrite semiconductors // Phys. Rev., Serie 3. В -Condensed Matter, v.46, pp. 10070-10077 (1992).

29. Leroux-Hugon P. // Compt rend. Acad, sei, v.256, N 1, p. 118 (1963).

30. Бергер Л.И., Исследования в области тройных алмазоподобных полупроводников. Автореф. докт. дис. М., МИСиС, (1968).

31. Вайполин А.А., Османов Э.О., Третьяков Д.Н. // Известия АН СССР. Неорганические материалы, т.З, №2, с.260 (1967).

32. Boyd G.D., Buehler Е., Storr F.G., Wernick J.H., Linear and nonlinear optical properties of ternary AnBIVC2V chalcopyrite semiconductors // IEEE J. Quant. Electronics, v.8, Issue 4, pp.419-426 (1972).

33. Bendorius R., Prochukhan V.D., Sileika A., The Lowest Conduction Band Minima of A2B4C25-Type Semiconductors // Phys. Stat. Sol. B, v.53, Issue 2, pp.745 752 (1972).

34. Горюнова H.A., Тахтарёва H.K. // В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинёв, «Штиинца», с.47 (1971).

35. Mughal S.A., Payne A.J., Ray В., Preparation and phase studies of the ternary semiconducting compounds ZnSnP2, ZnGeP2, ZnSiP2, CdGeP2, and CdSiP2 // J. Mater. Sci., v.4, N 10, pp.895-901 (1969).

36. Masumoto K., Isomura S., Goto W., The preparation and properties of ZnSiAs2, ZnGeP2 and CdGeP2 semiconducting compounds // J. Phys. Chem. Solids, v.27, Issues 11/12, pp.1939-1947 (1966).

37. Goryunova N.A., Ryvkin S.M., Shpenikov G.P., Investigations of Some Properties of Vitreous and Crystalline CdGeP2 // Phys. stat. sol. B, v.28, Issue 2, pp.489-494 (1968).

38. Goryunova N.A., Kusmenko G.S., Osmanov E.O., Glasses on the basis of the A2B4C25, A2C25 compounds and their intermediate alloys // Mater. Sci. Engng, v.7, Issue 1, pp.54-56 (1971).

39. Аксёнов В.В., Петров В.М., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А., // Всесоюзная конференция по электрическим и оптическим свойствам кристаллов типа AinBv и сложных соединений типа AIIBIVCV2. Тезисы докладов. Ашхабад, «Ылым», с. 11 (1971).

40. Супруненко П.А., Кальная Г.И., Кириленко М.М., // Изв. АН СССР. Неорганические материалы, т.Ю, №6, с.988 (1974).

41. Ундалов Ю.К., Получение и исследование полупроводникового соединения CdGeP2. Автореферат канд. дис. Л., Ленинградский политехнический институт, (1974).

42. Тычина И.И., Получение монокристаллов полупроводниковых соединений CdGeP2 и ZnGeP2 и исследование их свойств. Автореф. канд. дисс. Киев, Киевский пед. ин-т, (1966).

43. Choi S., Choi J., Hong S.C., Cho S., Mn-doped ZnGeAs2 and ZnSnAs2 single crystals: growth and electrical and magnetic properties // Journal of the Korean Physical Society, v.42, pp.S739-S741 February (2003).

44. Аверкиева Г.К., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Таштанова М. // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, т.11, №4, с.607 (1975).

45. Solomon G.S., Timmons M.L., and Posthill J.B., Organometallic vapor-phase-epitaxial growth and characterization of ZnGeAs2 on GaAs // Journal of Applied Physics, v.65, Issue 5, pp.1952-1956 March 1, (1989).

46. Дашевский М.Я., Хасиков B.B., В кн.: Тройные полупроводники AUBWC\ и AuBin2CVV Кишенёв, «Штиинца», с.83 (1972).

47. Buehler Е., Wernik J.H., Wiley J.D., The ZnP2-Ge system and growth of single crystals of ZnGeP2 // J. Electr. Mater, v.2, N 3, pp.445 (1973).

48. Goryunova N.A., Poplavnoi A.S., Polygalov Yu.J., Chaldyshev N.A., Energy Band Structure of Ternary Diamond-Like A2B4C25-Type Semiconductors // Phys. Stat. Sol., v.39, N 1, pp.9-17 (1970).

49. Bertoti J., Somogyi K., Preparation and some properties of ZnGeP2 crystals // Phys. Stat. Sol. A., v.6, Issue 2, pp.439-443 (1971).

50. Somogyi K., Bertoti J., Some Electrical Properties of ZnGeP2 Crystals // Japan J. Appl. Phys., v.ll, N 1, pp.103-106 (1972).

51. Grigorueva V.S., Prochukhan V.D., Rud Yu.V., Yakovenko A.A., Some electrical properties of high-resistance ZnGeP2 single crystals // Phys. Stat. Sol. A., v.17, Issue 1, pp.k69-k74 (1973).

52. Григорьева B.C., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. и др. // Письма в ЖЭТФ, 1, №3, с.130 (1975).

53. Григорьева B.C., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Яковенко A.A. // Физика и техника полупроводников, 8, вып. 8, с. 15 82 (1974).

54. Landolt-Börnstein. Semiconductors: Physics of Ternary Compounds, ed. By O.Madelung (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, (1985) v. 17h.

55. Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi- Т., Proceeding of international conference on Physics and applications of spin-related phenomena in semiconductors (PASP 2000), Sendai, Japan, Sept. 13-15, (2000).

56. T. Hwang, J.H. Shim, and S. Lee, Observation of MnP magnetic clusters in room-temperature ferromagnetic semiconductor ZnixMnxGeP2 using nuclear magnetic resonance // Appl. Phys. Lett., v.83, pp.1809 3 pages. (2003).

57. S. Cho, S. Choi, G.-B. Cha, S.C. Hong, Y. Kim, Y.-J. Zhao, A.J. Freeman, J.B. Ketterson, B.J. Kim, Y. C. Kim, and B.-C. Choi, Room-temperature ferromagnetism in (Zni.xMnx)GeP2 semiconductors // Phys. Rev. Lett., v.88, pp.257203 4 pages. (2002).

58. Wellmann P.J., Garcia J.M., Feng J.-L., Petroff P.M., Formation of nanoscale ferromagnetic MnAs crystallites in low-temperature grown GaAs // Appl. Phys. Lett., v.71, Issue 17, pp. 2532-2534 (1997).

59. Fumihiro Ishikawa, Keiichi Koyama, Kazuo Watanabe, Tetsuya Asano and Hirofumi Wad a, First-order Phase Transition at the Curie Temperature in MnAs and MnAso9Sbo.i // Journal of the Physical Society of Japan, v.75, No.8, pp.084604 6 pages. (2006).

60. Huber E.E., Ridgley D.H., Magnetic properties of a single crystal of manganese phosphide // Phys. Rev. v.135, Issue 4A, pp.A1033-A1040 (1964).

61. Bridgmen. P. W. The technique of high pressure experimenting // Proceeding. American Academy Arte Science, v.49. pp.627-643 (1914).

62. Hall. H. T., Some high pressure, high temperature apparatus design considerations equipment for use at 100.000 atmospheres and 3000 C // Rev. Sci. Instrum., v.29, № 4, pp.267-275 (1958).

63. Hall H. T., Ultra-High pressure, high temperature apparatus the «belt» // Rev. Sci. Instrum., v.31, № 2, pp.125-131 (1960).

64. Jayaraman A. Hutson A. R., Mc. Pee J. H., Coriell A. S., Maines R. G., Hydrostatic and uniaxial pressure generation using teflon cell container in conventional piston-cylinder device // Rev. Sci. Instrun., v.3S, №1, pp.44-49 (1967).

65. Curtin H. R, Decker D. L., Vanfleet H. B., Effect of pressure on the inter metallic diffusion of silver in lead // J. Phys. Rev., v. 133, Issue 15A, pp. 1552-1557(1965).

66. Norris D. I. R., On shear stresses in liquids at high pressure // Brit. J. Appl. Phys., v. 16, No.K5, pp.709-734 (1965).

67. Bamett J. D., Bosco C. D., Technique for obtaining true hydrostatic pressures to 60 koar// Rev. Sci. Instrum., v.38, Issue 7, pp.957-963 (1967).

68. Barnett J. D., Losco C., Viscosity measurements on liquids to pressures of 60 kbar // J. Appl. Phys., v.40, № 8, pp.3144-3150 (1969).

69. Zeto R. J., Hryckowian E., Vanfleet H. B., Pressure cell with ten electrical leads for liquid hydrostatic pressures to 60 kbar // Rev. Sci. Instrum., v.43, Issue l,pp,132-136 (1972).

70. Young A. P., Ward G. F., Krauss H. H., Container for low boiling point liquids in belt-type high pressure apparatus // Rev. Sci. Instrum., v.35, Issue 12, pp. 1722-1723 (1964).

71. Bocquillon-Monrigal G. Effet de la pression jusqu a 60 kbar sur la temperature de transition des grenats de terres rares purs et substitues, These de Doctoral d etat ea sciences physiques. Paris, p. 161 (1973).

72. Бенделиани H.A., Верещагин Л.Ф. Измерение гидростатического давления до 100 кбар манганиновым датчиком сопротивления // ПТЭ., №4, с.218-219 (1970).

73. Khvostantsev L.G., Vereshchagin L.P., Ulyanitskaya N.M., Measurement of the thermoelectric properties of metals and semiconductors at quasi-hydrostatic pressures up to 60 kbarl Bismuth // High Temp.-High Pressures., v.5, № 1, pp.261-264 (1973).

74. Khvosbantsev L.G., Vereshchagin L.P., Novikov A.P. Device of Toroid type for high pressure generation // High Temp-High Pressures., v.9, № 6, pp.637639 (1977).

75. Piermarini G.J., Block S., Bamett J.D., Hydrostatic limits in liquids and solids to 100 kbar//J. Appl. Phys., v.44, №12, pp.5377-5382 (1973).

76. Pierrmariini G.J., Porman R.A., Block S., Viscosity measurements in the diamond anvil pressure cell // Rev. Sci. Instrum., v.49, № 8, pp.1061-1066 (1976).

77. Ицкевич E.C., Толмачев A.H., Широков A.M., Гридина H.M. Низкотемпературная камера гидростатического давления до 30 кбар из немагнитных материалов // ПТЭ, №1, с.201-208 (1979).

78. Zeto R. J., Vanfleet Н. В. Pressure calibration to 60 kbar based on the resistance change of a manganin coils under hydrostatic pressure // J. Appl. Phys., v.40, № 5, pp.2227-2231 (1969).

79. Jeffery R. Т., Barnett J. D., Vanfleet H. B, Hall H. Т., Pressure calibration to 100 kbar based on compression ofNaCl // J. Appl. Phys., v.37, №8, pp.31723180 (1966).

80. Haygarth J. C., Luedenann H. D., Getting I. C, Kennedy G. C. The upper bismuth pressure calibration point. In: Accurate characterization of the high-pressure environment, NBS Special publication 326, Washington, pp.35-38(1971).

81. Decker D. L., Bassett W. A., Merill L., Hall H. Т., Barnett J. D. High pressure calibration. A critical review // J. Phys. Chem. Ref. Data., v.l, №3, pp.773-835 (1972).

82. Ицкевич E.C., Толмачев A.H., Широков A.M., Гридина H.M. Низкотемпературная камера гидростатического давления до 30 кбар из немагнитных материалов // ПТЭ. №1, с.201-208 (1979).

83. Лундберг, Бакстрем. Измерение холловского напряжения и магниторезистивного эффекта висмута методом суммарной частоты в установке «белт» // Приборы для научных исследований., №6, с.20-23 (1972).

84. Аверкин А.А., Богомолов В.Н. Устройство для исследования гальваномагнитных эффектов при всестороннем сжатии // ФТТ., Т.З, В.2, с.627-629 (1961).

85. Моллаев А.Ю., Арсланов Р.К., Даунов М.И., Магомедов А.Б. Устройство для исследования гальваномагнитных эффектов до 4 ГПа. II В сб. Влияние высокого давления на вещество. Киев: (1995), с.145-147.

86. Моллаев А.Ю., Арсланов Р.К. Устройство для измерения барических зависимостей характеристических параметров твердых тел при высокихгидростатических давлениях до 10 ГПа. II Информ. лист. Дагестанского ЦНТИ. № 66-98 серия Р. 29.03.25.

87. Вонсовский С.В. Магнетизм. Наука, М. (1971), с.949.

88. Королева Л.И. Магнитные Полупроводники // М.: МГУ. (2003), с.312.

89. Игошева Т.Н. О коэффициентах Холла в области парапроцесса // Письма вЖЭТФ, Т.10, с.125-129 (1969).

90. К.П.Белов, Магнитные превращения, Физматгиз, М. (1959), с.259.

91. Кикоин И.К., ЖЭТФ Т.10, 11, с.1242 (1940).

92. Гражданкина Н.П., Матюшенко J1.A., Берсенев Ю.С. ФТТ Т.10, 3,с.670 (1968).

93. Bebenin N.G., Ustinov V.V., Conduction and disorder in LaMn03-based materials // J. Phys.: Cond. Matter, v.10, N.28, pp.6301 (1998).

94. H. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982), Т.1, с.368

95. Бебенин Н.Г., Зайнуллина Р.И., Машкауцан В.В., Гавико B.C., Устинов В.В., Муковский Я.М., Шулятев Д.А. ЖЭТФ Т.117, 6, с. 1181 (2000).

96. Chun S.H., Salamon М.В., Han P.D., Hall effect of Ьа2/з(Са,РЬ)1/3МпОз single crystals near the critical temperature // Phys. Rev. В., v.59, N.17, pp.11155-11158 (1999).

97. Chun S.H., Salamon M.B., Han P.D., Hall effect of Ьа2/з(Са,РЬ)1/зМп03 single crystals //.J.Appl. Phys., v.85, Issue 8, pp.5573-5575 (1999).

98. Bebenin N.G., Zainullina R.I., Mashkautsan V.V., Ustinov V.V., Vasiliev V.G., Slobodin B.V., Galvanomagnetic Effects in Ьа2/зВ'1/зМп03 (D — В a, Sr) near Metal-Insulator Transition Point // Phys. Stat. Sol. A., v.175, Issue 2, pp.659-664 (1999).

99. Бебенин Н:Г., Зайнуллина P.M., Машкауцан В.В., Устинов В.В., Васильев- В.Г., Слободин Б. В., Кинетические эффекты в Lao.67-xRxSro.33Mn03 (R = Eu, Gd) // ФТТ, Т.43, Вып.З, с.482-488 (2001).

100. Papaconstantopoulos D.A., Pickett W.E., Tight-binding coherent potential approximation study of ferromagnetic La2/3Bai/3Mn03 // Phys. Rev. В., v.57, Issue 20, pp. 12751-12756 (1998).

101. Моллаев А.Ю., Камилов И:К., Арсланов Р.К., Залибеков У.3., Маренкин С.Ф., Новоторцев С.М., Михайлов С.Г. Фазовые превращения в новом ферромагнетике CdixMnxGeAs2. //Сб. трудов; межд. конф. «Физика-2005». 2005. Баку. НАН Азербайджана. С.105-108.

102. Новоторцев В.М., Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Залибеков У.З., Маренкин С.Ф., Варнавский С.А. Фазовые превращения в ферромагнитном полупроводнике CdixMnxGeAs2 при давлениях до 5 ГПа. Неорганические материалы, т.42, №8, с.826-829 (2006).

103. Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов P:K., Залибеков У.З., Маренкин С.Ф. Структурные фазовые превращения в новом ферромагнитном полупроводнике CdGeAs2.-Mn. Баку. Fizika. 2007. №1-2. С.320.

104. Даунов ,М.И., Камилов И.К., Арсланов Т.Р., Даунова Д.М. Применение метода- эффективной среды для описания полиморфных переходов в твердом теле при высоком давлении. ФТВД, 16, 1, 81-86 (2006).

105. Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Залибеков У.З., Арсланов Т.Р. Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением // ФТВД, т. 19, Jf22. с.99 (2009).

106. Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Арсланов Т.Р., Залибеков У.З. Магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn индуцированное высоким давлением. // Известия РАН. Серия Физическая, т.73, №7. с. 1048 (2009).

107. Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Арсланов Т.Р., Залибеков У.З., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф. Магнетосопротивление в p-InAsи p-CdGeAs2 :Мп, индуцированное высоким давлением //Сб. тр. Междунар. симпозиума ОМА-11. Лоо, (2008), с.52.

108. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Arslanov T.R., Zalibekov U.Z. About the high pressure induced negative magneto resistivity, found out in the CdixMnxGeAs2 // Abst. XLVIIth EHPRG Conference. Paris. (2009), p.255.

109. Khosla B.P., Fischer J.B., Low-Temperature Magnetoresistance in Degenerate n-Type Si //Phys. Rev. B. v.6. pp.4073- 4075 (1972).

110. S. J. May, A. J. Blattner, and B. W. Wessels, Negative magnetoresistance in (In,Mn)As semiconductors // Phys. Rev. B, v.70, pp.073303 4 pages. (2004).

111. Камилов И.К. Исследование тепловых и электрических свойств ферромагнитных полупроводников. Кандидатская диссертация, Москва, МГУ, (1964).

112. Камилов И.К., Алиев Х.К. Статические критические явления в магнитоупорядоченных кристаллах // Махачкала: ДНЦ РАН. (1993), с. 197.

113. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Arslanov T.R., Zalibekov U.Z., Comprehensive study of high temperature ferromagnetic semiconductor

114. Cd0 82Mn0 i8GeAs2 I I Book of Abstracts European Materials Research Society (E-MRS 2009). Warsaw. Poland. (2009), p. 113.

115. G.Oomi and N.Mori, Bulk Modulus Anomalies of Fe-Ni and Fe-Pt Invar Alloys // J. Phys. Soc. Jpn. v.50, pp.2917-2923 (1981).

116. M.Shiga and Y.Nakamura, Characterization of the phase transition of Invar type alloys by magnetoelasticity // J. Magn. Magn. Mater, v.90-91, pp.733734 (1990).

117. G.P.Renaud and S.G. Steinemann, High temperature elastic constants of fee Fe-Ni invar alloys // Physica B, v.161, pp.75-78 (1989).

118. G.P.Renaud and S.G. Steinemann, Thermal disorder and magnetic fluctuations in invar type alloys // Physica В v.149, pp.217-220 (1988).

119. V.A.Sidorov and L.G. Kvostantsev, Magnetovolume effects and magnetic transitions in the invar systems Fe65Ni35 and Er2Fe14B at high hydrostatic pressure // J. Magn. Magn. Mater, v.129, pp.356-360 (1994).

120. Лобановский JI.C., Новоторцев B.M., Маренкин С.Ф., Трухан В.М., Шёлковая Т.В. Метамагнетизм вблизи Тс в Мп-замещенном халькопирите Cdo.9oMno.ioGeAs2, // Письма в ЖЭТФ, т.89, вып.7, с.391-395 (2009).

121. Shiga M., Kusakaba Y., Nakamura Y., Makita K. and Sagawa M., Magnetoelasticity of Nd2Fe14B and Y2Fe14B // Physica B, v.161, pp.206-208 (1989).

122. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Zalibekov U.Z. Phase transition in multicomponent semiconductor Cd|-xMnxGeP2 under hydrostattic pressure up to 7 GPa // High Pressure Research, v.26, №4, pp.387-390 (2006).

123. Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов P.K., Залибеков У.З. Фазовые превращения в ферромагнитном полупроводнике Cdi.xMnxGeP2 при давлении до 5 ГПа. // Неорганические материалы, (2006), т.42, №8, с. 1-3

124. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Arslanov T.R., Zalibekov U.Z., Spin reorientation transitions in ferromagnetic semiconductors CdixMnxGeP2 and CdixMnxGeAs2 induced at high pressure // Abst. XLVIIth EHPRG Conference. Paris. (2009), p.254.

125. Akai H., Kamatani Т., Watanabe S., Electronic structure of diluted magnetic semiconductors and their superlattices // J. Phys. Soc. Jpn, suppl. A., v.69, pp. 119-124 (2000).

126. Akai H., Ferromagnetism and Its Stability in the Diluted Magnetic Semiconductor (In, Mn)As // Phys. Rev. Lett., v. 81, pp.3002-3005(1998).

127. Zhang S.B., Wie S.H., Zunger A., Stabilization of Ternary Compounds via Ordered Arrays of Defect Pairs // Phys. Rev. Lett., v.78, Issue 21, pp.40594062 (1997).

128. Zhang S.B., Wie S.H., Zunger A., Katayama-Yoshida H., Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor // Phys. Rev. В., v.57, Issue 16, pp.9642-9656 (1998).