Резонанское гиперкомбинационное рассеяние света в кристалле CdS тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.21 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ

На правах рукописи

УДК 535.375.54:535.323

ОНДРИАШ Карел Карелович

РЕЗОНАНСНОЕ ГИПЕРКОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА И КРИСТАЛЛЕ С (18

(01.04.21 —лазерная физика)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических паук

Москва — 199Ь г.

Работа выполнена в отделе "Взаимодействие когерентного излучения с веществом" Института общей физики РАН.

Научные руководители: кандидат физико-математических наук

К.А. Прохоров;

доктор физико — математических наук Ю.Н.Поливанов

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

А.Н.Пенин

кандидат физико — математических наук Д.Н.Козлов

Ведущая организация: Институт спектроскопии РАН

Защита состоится (АА&Н.9 1996г. в 1500 на заседании

Специализированного совета К 003.49.02 Института общей физики РАН по адресу:

117942, ГСП, г. Москва, ул. Вавилова, 38.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИОФ РАН.

Автореферат разослан " /лА^ 1996 г.

Ученый секретарь Диссертационного совета Т.Б.Воляк

кандидат физ, —мат. наук &

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертационная работа посвящена исследованию резонансного пшеркомбинационного рассеяния (РГКР) света в полупроводниковом кристалле

сульфида кадмия и условиях близости удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения к ширине запрещённой зоны.

Актуальность темы

Гипёркомбинапионное, или двухфотонное, рассеяние света (ГКР) представляет собой неупругое нелинейное рассеяние, при котором один квант рассеянного света /иок рождается в результате взаимодействия двух квантов возбуждающего излучения Й<я, с элементарным возбуждением среды Йа>Р. Законы сохранения энергии и импульса для элементарного акта ГКР имеют следующий вид:

2Йю,. =Лсо,, +Йюр , (1)

2Ма>ь) = к8Ю + кР(<Вр) , (2)

где соь, со8, а)р (кь, к5, кР) —частоты (волновые вектора) возбуждающего и рассеянного излучения и рассеивающего возбуждения среды.,

Вследствие увеличения количества квантов, участвующих в процессе ГКР, по сравнению с обычным комбинационным рассеянием света (КР) ГКР имеет другие правила отбора. Это обстоятельство позволяет исследовать с помощью ГКР возбуждения, неактивные в КР, а также возбуждения, неактивные как в спектрах КР, так и в спектрах инфракрасного (ПК) поглощения и отражения (т.н. "молчащие моды") [1 — 3). Кроме этого, ГКР позволяет изучать энергетический спектр фононных поляритонов в ценгросимметрнчных кристаллах, а также, в силу особенностей частотно—угловых спектров, дисперсию поляритонов верхней ветви в кубических кристаллах (как

цеитросимметричных, так и нецентросимметричных), не доступных методом КР на поляритонах [1,4,5]. ГКР дает также возможность наблюдения экситонных поляритонов, которые не удается исследовать с помощью КР, поскольку возбуждающее излучение в этом случае попадает в область сильного поглощения кристалла (см., напр.,[4]).

Так как ГКР является по сравнению с КР процессом более высокого порядка в разложении поляризации среды по степеням электрического поля, исследования ГКР света интересны и с точки зрения получения информации о гиперполяризуемостях—микроскопических характеристиках вещества, знание которых, вообще говоря, дает сведения об электронных энергетических полосах, не содержащиеся в линейных восприимчивостях [6,7].

Поскольку интенсивность гинеррелеевского рассеяния (ГРР) обычно такого же порядка, что и интенсивность линий ГКР (в отличие от обычных спектров КР, в которых интенсивность рассеяния на несмещенной частоте на несколько порядков выше интенсивности линий КР), при наблюдении ГКР достаточно легко регистрировать линии с малыми сдвигами относительно частоты возбуждающего излучения. Данное обстоятельство оказывается особенно полезно при изучении "мягких мод" в кристаллах вблизи точки фазового перехода [1,2].

Перспективным направлением спектроскопии ГКР представляется спектроскопия резонансного гиперкомбинационного рассеяния (РГКР) [2,3,8 — 17]. Известно, что резонансное рассеяние света вблизи края собственного поглощения кристаллов представляет значительный интерес, поскольку его изучение позволяет получать важную информацию о природе и механизмах электрон—фононного взаимодействия {см., напр., [18,19]). Иными словами, при резонансе в процесс рассеяния вовлекаются определенные реальные возбуждения материальной системы, что дает возможность изучения их свойств.

При РГКР в случае близости энергии кванта рассеянного света к краю собственного поглощения с рассеянным излучением наиболее сильно будут резонировать однофотонно разрешенные переходы, а с возбуждающим — двухфотонно разрешенные. Поэтому увеличение числа фотонов в элементарном акте ГКР приводит, помимо изменения правил отбора, также и к другим, в сравнении с КР, последовательностям промежуточных состояний, а, следовательно,.и к новым особенностям спектров резонансного рассеяния.

Следует особо отметить, что резонансное увеличение сечения рассеяния может существенно расширить экспериментальные возможности метода ГКР, так как присущая этому методу слабость рассеянного сигнала является одним из основных сдерживающих факторов широкого развития работ по спектроскопии ГКР-

Таким образом, РГКР представляет собой новый метод, позволяющих! получать ценную спектроскопическую информацию об исследуемых объектах, недоступную во многих случаях другим методам спектроскопии. Поскольку до настоящего времени систематические исследования по РГКР в кристаллах отсутствуют, изучение этого эффекта представляется интересным и с точки зрения выявления различных его физических аспсктон. Иначе говоря, актуальность исследований резонансного ГКР обусловлена как научным интересом с точки зрения более глубокого понимания физики процесса РГКР, так и возможностью его применения для получения принципиально новой информации о структуре и свойствах полупроводниковых материалов.

Цель работы

РГКР в кристаллических средах исследовалось ранее в [8—17], причем впервые эффект резонансного ГКР был обнаружен в 1979 г. при изучении рассеяния в кристалле Сс15 [8—11]. Однако, к моменту начала выполнения

настоящей диссертационной работы в литературе не сообщалось о систематических исследованиях резонансного ГКР в кристаллах, а также о наблюдении многофононного РГКР и РГКР на фононных поляритонах. В связи с этим, целью диссертационной работы является детальное экспериментальное исследование процесса резонансного гиперкомбинационного рассеяния света в полупроводниковом кристалле сульфида кадмия с использованием перестраиваемого источника лазерного излучения. При этом решаются следующие задачи:

1. Экспериментальное исследование частотно—угловых зависимостей ГКР света на фононных поляритонах верхней дисперсионной ветви.

2. Изучение зависимости интенсивности РГКР на фононных поляритонах от длины волны возбуждающего излучения.

3. Исследование процесса РГКР на оптических фононах в условиях приближения удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения к ширине запрещенной зоны кристалла.

4. Установление закономерностей многофононного резонансного ГКР с участием нескольких продольных оптических колебаний.

Научная новизна и практическая значимость работы

Научная новизна работы заключается в следующем: 1. Впервые экспериментально зарегистрировано явление многофононного РГКР с участием продольных (ЬО) оптических колебаний и установлены его основные закономерности [20—24]. Обнаружено, что, в противоположность случаю резонансного КР, в спектрах РГКР преобладают нечетные порядки рассеяния на 1.0 фононах. Результаты этих наблюдений интерпретированы как проявление особенностей фрелиховского механизма электрон—фононного взаимодействия при РГКР в кристалле Сс15. Показано, что теоретическая модель

резонансного многофононного КР [19] может быть успешно распространена и

на случай резонансного многофононного ГКР.

2. Бпервые наблюдалось резонансное ГКР на оптических фонолах в кристалле СЗБ при приближении удвоенной анергии кванта возбуждающего излучения к ширине запрещённой зоны [24,25]. Обнаружено, что при изменении мины волны возбуждающего излучения в диапазоне от 1040 пм до 972 нм интенсивность'РГКР на 1ЬО фононах увеличивается примерно на три порядка. 11оказано, что экспериментальные результаты удонлетворителыш совпадают с теоретическими расчетами, выполненными в условиях двухфотонного резонанса возбуждающего излучения с 2Р экситонами. Таким образом, выявлены механизмы электрон — фононного взаимодействия, приводящие к резкому резонансному росту интенсивности сигнала ГКР в кристалле Сс15.

3. Впервые зарегистрированы спектры резонансного ГКР на фононных поляритонах (ГКРП) в кристаллических средах [25]. При приближении удвоенной .энергии квантом возбуждающего излучения к ширине запрещенной зоны обнаружено значительное увеличение интенсивности рассеяния, а также изменение частоты поляритетов, участвующих в рассеянии.

4. Впервые исследовано ГКР света на фононных поляритонах верхней дисперсионной ветви в слабоапизотронном нецентросимметричном кристалле СсКЗ [23,26]. Частотно—угловые спектры ГКР, полученные в различных геометриях рассеяния, позволили определить дисперсию верхних ветвей для поляритонов - и Е[ — симметрии.

Практическая значимость работы состоит в следующем: 1. Результаты исследования ГКР света на фононных поляритонах верхней дисперсионной ветви Сс13 могут быть использованы для определения дисперсии реальной части диэлектрической проницаемости или показателей преломления

кристалла в среднем ИК—диапазоне. Точность таких измерений составляет около 2%.

2. Создан универсальный спектрометр для исследования резонансного ГКР с использованием параметрического генератора света (ПГС) в качестве источника перестраиваемого лазерного излучения. Данный спектрометр позволяет исследовать РГКР в широком классе полупроводниковых материалов.

Апробация работы

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на семинарах отдела "Взаимодействие когерентного излучения с веществом" Института общей физики РАН, а также на следующих Всероссийских и международных конференцях:

1. Международная конференция "Оптическая спектрометрия высокого разрешения", Варшава, Польша, 1992 г.

2. 13—ая Международная конференция по спектроскопии комбинационного рассеяния, Вгорцбург, Германия, 1992 г.

3. 4 —ая Международная школа—конференция по лазерной физике ЬРНУБ'Эб, Москва, 1995 г.

4. 21 —ый Съезд по спектроскопии, г. Звенигород Московской обл., 1995 г.

Публикации

Основные результаты диссертации содержатся в 7 публикациях, список которых приведен в конце автореферата диссертации.

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 97 страниц, включая 20 рисунков.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во ВВЕДЕНИИ обосновывается актуальность темы, сформулированы цель, научная новизна и практическая значимость работы, приведено краткое содержание диссертации.

В ПЕРВОЙ ГЛАВЕ приведен обзор работ, посвященных исследованию резонансного ГКР в кристаллах.

Во, ВТОРОЙ ГЛАВЕ приводится теоретический анализ РГКР в полупроводниковых кристаллах [25]. Этот анализ ориентирован на интерпретацию экспериментальных результатов по наблюдению резонансного рассеяния на оптических фононах и кристалле сульфиде кадмия, представленных в главе 4. Процесс РГКР рассматривается в четвертом порядке теории возмущений, исходя из наиболее общего выражения для интенсивности однофононного пшеркомбинационного рассеяния света в полупроводниковом кристалле. Предполагается, что промежуточные состояния являются зкситонами Ванье, а процесс рассеяния происходит в центре зоны Бриллюэна. Анализируются матричные элементы, описывающие поглощение первого и второго фотонов, и исследуются различные возможные каналы двухфотонного возбуждения экситонных состояний в' рамках двухзотшой и трехзонной моделей этого процесса (Рис.)). При рассмотрении электрон — решеточного взаимодействия учитывается как взаимодействие через деформационный

?

С'

— s

Г,

а

Ъ

Рис.1. Схемы двухзонной (а) и трехзонной (Ь и с) моделей двухфотонного возбуждения экситонных состояний.

потенциал, так и фрелиховское внутризонное и междузонное взаимодействие электронов (Рис.2.) с продольными макроскопическими электрическими полями. Показано, что определяющий вклад в интенсивность РГКР в полупроводниковом кристалле дает механизм

/

о. JT

- 2р

ls

с'

2р

с 2р ls

а о

Рис.2. Схемы внутризониого (а) и между— зонного (Ь) фрелиховскою взаимодействия.

внутризонного фрелиховского экситон — фононного взаимодействия.

В ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ дается подробное описание автоматизированного ГКР спектрометра, который использовался в наших исследованиях. Отдельно рассмотрены конфигурации экспериментальной установки с использованием в качестве источника возбуждающего излучения как стандартного импульсно — периодического лазера ЛТИ —502, так и специально разработанного для исследования резонансного ГКР перестраиваемого параметрического генератора света (ПГС).

В ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ представлены результаты наблюдения резонансного ГКР на оптических фононах в кристалле сульфида кадмия [20 — 25]. Исследованы закономерности многофононного РГКР на продольных оптических колебаниях в этом кристалле. В спектрах РГКР, в противоположность случаю резонансного KP, обнаружено преобладание нечетных порядков рассеяния. Получена зависимость интенсивности рассеяния на ILO фононах от длины волны возбуждающего излучения. Показано, что экспериментальная зависимость удовлетворительно описывается теоретической кривой (Рис.3.), рассчитанной в условиях приближения частоты возбуждающего излучения к двухфотонному резонансу с 2Р экситонами [24,25]. При

с

L

щухфотонном резонансе возбуждающего излучения с 75 эхситонным

юстоянием обнаружено резкое усиление интенсивности запрещенной линии эассеяния с участием 2ГО фононов (Рис.4.), которая отсутствует в спектрах ГКР, таблюдаемых при приближении к резонансу. Дана шггерпретацпя основных закономерностей, наблюдаемых в спектрах РГКР.

Интенсивность, отн. су.

'•ООО

100

О

Ц-Е.. ,

1 Я

"А

о\ \н

о\

Интенсивность, отн. сд. 201- 2LO

В эксперимент О теория

ч

s,

15

10

10

■о. ш

•О

"а

4920

4940

4960 4980

. 1LO

- НО

s1LO

2.54

2.49

2.44

2.39

4920

4960

5000

5040

5080

о

2!1ы эВ Длина волны рассеянного излучения Xs, А

Рис.3. Экспериментальная u теоре-

Рис.4. Экспериментальные слсктры

пическая• зависимости интенсивности РГКР на оптических фононах. Около "ГКР на ILO фононах от удвоенной каждого спектра указана длина волны, тергии 2 h оц кванта возбуждающего соответствующая удвоенной энергии

¡лечения.

киш¡та иозоуждающего излучения.

В ПЯТОЙ ГЛАВЕ представлены результаты исследования ГКР на |юнонных полярцтопах в кристалле сульфида кадмия [22,23,25,26]. Приводятся жепериментальные частотно—угловые спектры ПСР на поляритонах. По этим :пектрам в кристалле Сс15 определена дисперсия верхней ветви поляритонов \1— и Е1 — симметрии [22,23,26]. Получены спектры резонансного ГКР на

о

фоношшх поляритонах при приближении удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения к ширине запрещенной зоны кристалла CdS [25]. При изменении длины волны возбуждающего излучения в диапазоне от 1040 нм до 972 нм обнаружено увеличение интенсивности рассеяния примерно на три порядка, а также изменение частоты поляритонов, участвующих в рассеянии.

В ЗАКЛЮЧЕНИИ сформулированы основные результаты, полученные в диссертационной работе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Исследовано ГКР света па фонопных поляритонах в слабо — анизотропном пецентросимметричном полупроводниковом кристалле CdS. Получены частотно—угловые спектры ГКР при различных геометриях рассеяния и определена дисперсия верхних ветвей для поляритонов Ai~ и Ej —симметрии.

2. Впервые наблюдалось резонансное ГКР на фононных поляритонах в кристалле CdS при приближении удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения к ширине запрещённой зоны. При изменении длины волны возбуждающего излучения в диапазоне от 1040 им до 972 нм обнаружено увеличение интенсивности рассеяния примерно на три порядка, а также изменение частоты поляритонов, участвующих в рассеянии.

3. Исследованы спектры резонансного ГКР на оптических фононах кристалла CdS. Измерены зависимости интенсивности рассеяния на ILO фононах от длины волны возбуждающего излучения и показано, что экспериментальная зависимость удовлетворительно описывается теоретической кривой, рассчитанной в условиях приближения энергии кванта возбуждающего излучения к двухфотонному резонансу с 2Р экситонами.

4. Впервые изучены закономерности многофононного РГКР света на продольных оптических колебаниях в кристалле CdS. В спектрах резонансного

ГКР, в противоположность случаю резонансного КР, обнаружено преобладание нечетных порядков рассеяния. В условиях двухфотонного резонанса возбуждающего излучения с !S экситонами зарегистрировано резкое увеличение нитснсшшосш запрещение«! линии рассеяния с участием 2LO фононов.

5. Создан спектрометр, позволяющий изучать резонансное ГКР в кристаллах нри плавной перестройке длины полны возбуждающего излучения в диапазоне 0.96s-1.04 мкм.

ПУБЛИКАЦИИ ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ДИССЕРТАЦИИ

1. К.К.Ондриаш, К.А.Прохоров. Гипер комбинационное рассеяние света на поляритетах в кристалле CdS. ФТГ, 1990, т.32, №9, с.2634 - 2637.

2. Zubkova L., Ondriash К., Pashinin P., Polivanov Yu., Prokhorov K., Tseiikov V.

Hyper Raman Scattering by Optical Phonons and Polnritons in CdS and ZnSe Crystals. Proc. of the 13th International Conl. on Raman Spectroscopy, Wurzburg, 1992, p.276-277.

3. Zubkova L., Ondriash K., Prokhorov K., Tseiikov V. Hyper Raman Scattering in CdS and ZnSe Crystals. Proc. of the Internaliunal Conf. on High — Performance Optical Spectrometry, Warsaw, 1992, p. 183-184.

4. Л.Е.Зубкова, К.К.Ондриаш, Ю.Н.Поливанов, К.А.Прохоров. Многофононное резонансное гиперкомбинационное рассеяние света. Письма в ЖЭТФ, 1993, т.57, вып.6, с.334 —337.

5. Л.Н.Зубкова, К.К.Ондриаш, П.П.Пашинин, К.А.Прохорон, В.А.Целиков. Гипер— комбинационное рассеяние света на оптических фононах и поляритонах в кристаллах CdS и ZnSe. Тр. ИОФАН, 1993, т.43, с.91 -103.

6. Yu.L.Chuzavkov, V.A.Maslov, К.К.Ondriash, Yu.N.Polivanov, K.A.Prokhorov, L.E.Semenova. Observation of Resonant Hyper—Raman Scattering of Light in a CdS Crystal Using a Tunable Optical Paramctric Oscillator. Laser Physics, 1996, Vol.6, №1, p.132— 143.

7. К.К.Ондриаш, Ю.Н.Поливанов, К.А.Прохоров, Л.Е.Семенова, Ю.Л.Чузавков. Исследование резонансного увеличения интенсивности гиперкомбинационного рассеяния света в кристалле CdS. Тезисы докладов 21 —го Съезда по спектроскопия, г. Звенигород Московской обл., 1993, с.236.

ЛИТЕРАТУРА

1. Denisov V.N., Mavxin B.N., Podobedov V.B. Hyper—Raman Scattering by Vibrational Excitations in Crystals, Glasses and Liquids. PHYSICS REPORTS, 1987. vol.151, №1, p.1-92.

2. Ziegler L.D. Hyper—Raman Spectroscopy. J. of Raman Spectroscopy, 1990, .vol.21, p.769 — 779.

3. Баранов A.B., Бобович Я,С., Петров В.И. Спектроскопия резонансного гиперкомбинационного рассеяния света. УФН, 1990, т. 160, №10, с.35 —72.

4. Поливанов Ю.Н., Саяхов Р.Ш. Частотно—угловой спектр гиперкомбшшциониого рассеяния света на поляритопах. Кр. сообщ. по физ., 1978, №1, с.23 —27.

5. Денисов В.Н., Маврян Б.Н., Подобедов В.Б., Стерин Х.Е. Гиперкомбинационпое рассеяние на поляритонах в центросимметричном кристалле SrTi03. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, вып.2, с.111-114.

6. Cyvin SJ., Rauch J.E., Decius J.C. Theory of Hyper-Raman Etfects. J. Chem. Phys., 1965, vol.43, № 11, p.4083 - 4095.

7. Ахманов C.A., Клышко Д.Н. Трехфотонное молекулярное рассеяние света. Письма в ЖЭТФ, 1965, т.2, №4, с.171 -175.

8. Поливанов Ю.Н., Саяхов Р.Ш. Резонансное гиперкомбинационное рассеяние света на оптических фононах. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.ЗО, №9, с.617-620.

9. Поливанов Ю.Н., Саяхов Р.Ш. Влияние двухфотонного поглощения на гиперкомбинационное рассеяние света. Квантовая электроника, 1979, т.6, №11, с.2485 —2487.

10. Поливанов Ю.Н., Саяхов Р.Ш. Гипсркомбипациотюе рассеяние света на оптических фононах в нецентросимметричном кристалле CdS. Кр. сообщ. по физ., 1979, №8, с.31-36.

11. Саяхов Р.Ш. Резонансное гиперкомбинационное рассеяние света в кристалле CdS. Тр. ИОФАН, 1986, т.2, с.56-63.

12. Watanabc К., Inoue К. Experimental study of frequency dispersion of the hyper—Raman scattering efficiency in SxTi03. J. Phys. Soc. Jpn., 1989, vol.58, p.726-732.

13. Inoue K„ Watanabe K. Resonant hyper-Raman scattering due to the forbidden LO phonon in БгТЮз. Phys. Rev. B, 1989, vol.39, №3, p. 1977-1980.

14. Watanabe K., Inoue K. Two—photon resonant effect of hyper-Raman scattering in the vicinity of the direct forbidden gap in a rutile crystal. Phys. Rev. B, 1990, vol.41, №11, p.7957 — 7960.

15. Watanabo К., Incue К., Minami F. Resonant phenomena of hyper—Raman scattering of optic phonons in а ТЮ2 crystal. Phys. Rev. B, 1932, vol.46, №4, p.2024-2033.

16. Iiioue K., Yoshida K., Minami F., Kato Y. Two—photon resonant hyper—Raman scattering by optic phonons due to the 2P exciton ot ZnSe. Phys. Rev. Б, 1992, vol.45, №15, p.8807-0810.

17. Inoue K.. Minami F., Kalo Y., Yoshida K., Era K. Exciton resonance of hyper—Raman and hyper—Rayleigh scatterings in II—VI compounds. J. Giystal Growth, 1992, vol.117, p.738 — 741.

18. Рассеяние света в твердых телах: Пер. с англ/Под ред. М.Кардоны. — М.: Мир, 1979, 392 с. ' '

19. Клочихин А.А., Пермогоров С.А., Резиицкий А.Н. Мпогофопонные процессы в резонансном рассеянии и зкеитопной люминесценции кристаллов. ЖЭТф, 1976, т.71, №6, с.2230 —2251.

20. Зубкова Л.Е., Ондриаш К.К., Поливанов Ю.Н., Прохоров К.А. Многофононное резонансное гиперкомбинационное рассеяние света. Письма в ЖЭТФ, 1993, т.57, вып.6, с.334 —337.

21. Zubkova L., Ondriash К., Pashinin P., Polivanav Yu., Prokhorov K., Tselikov V. Hyper Raman Scattering by Optical Phonons and Polarilons in CdS mid ZnSe Crystals. Proc. of the 13th International Conf. on Raman Speclioscopy. Wurzburg, 1992, p.276 —277.

22. Zubkova L., Ondriash K., Prokhorov K., Tselikov V. Hyper Raman Scattering in CdS and ZnSo Crystals. Proc. of tho International Conl. on High —Performance Optical Spectrometry. Warsaw, 1992, p. 183-184.

23. Зубкова Л.Е., Ондриаш K.K., Пашинин П.П., Прохоров К.А., Целиков Б.А. Гиперкомбинациоппое рассеяние, света па оптических фононах и поляритопах в кристаллах CdS и ZnSe. Тр. ИОФАН, 1993, т.43, с.91 - 103.

24. Ондриаш К.К., Поливанов Ю.Н., Прохоров К.А., Семенова А.Е., Чузавков Ю.Л. Исследование резонансного увеличения интенсивности пш ер ком бинацио! иi ого

рассеяния свсшп в кристалле CdS. Тезисы докладов 21 — го Съезда по спектроскопии. ]'. Звенигород Московской обл., 1995, с.236.

25. Maslov V.A., Ondriash К.К., Polivanov Yu.N., Prokhorov K.A., Semenova L.E., and Cliuzavkov Yu.L. Obsen'ation of Resonant Hyper—Rarnan Scattering of Light in a CdS Crystal Using a Tunable Optical Parametric Oscillator. Laser Physics, 1996, Vol.6, №1, pp.132-143.

26. Ондриаш K.K., Прохоров KA Гиперкомбинационное рассеяние света на по— ляритонах в кристалле CdS. ФТГ, 1990, т.32, №9, с.2634 - 2637.