Резонансное гиперкомбинационное рассеяние света в кристалле CdS тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.21 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ

На правах рукописи УДК 535.375.54:535.323

СВЕТА В КРИСТАЛЛЕ СсВ (01.04.21— лазерная физика)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических паук

Москва—1996 г.

Работа выполнена в отделе "Взаимодействие когерентного излучения с веществом" Института общей физики РАН.

Научные руководители: кандидат физико-математических наук

К.А.Прохоров;

доктор физико-математических наук

Ю.Н.Поливанов

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

А.Н.Пенин

кандидат физико — математических наук

Д.Н.Козлов

Ведущая организация: Институт спектроскопии РАН

Защита состоится "/7-" ¿лщи^ 1996г. в 1500 на заседании Специализированного совета К 003.49.02 Института общей физики РАН по адресу:

117942, ГСП, г. Москва, ул. Вавилова, 38.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИОФ РАН. Автореферат разослан " 1995 г.

Ученый секретарь

кандидат физ. —мат. наук

Диссертационного совета

Т.Б.Воляк

А 1 ^ <91

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертационная работа посвящена исследованию резонансного гаперкомбинадионного рассеяния (РГКР) света в полупроводниковом кристалле сульфида кадмия в условиях близости удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения к ширине запрещённой зоны.

Актуальность темы

Гипёркомбинадионное, шш двухфотонное, рассеяние света (ГКР) представляет собой неупругое нелинейное рассеяние, при котором один квант рассеянного света Лсо5 рождается в результате взаимодействия двух квантов возбуждающего излучения с элементарным возбуждением среды Лео,,.

Законы сохранения энергии и импульса для элементарного акта ГКР имеют следующий вид:

2Йюь = /1ш3+Йсор , (1)

Зкх/ю^М^ + Мюр) . (2)

где сок, <ор (кь, к5, кр)—частоты (волновые вектора) возбуждающего и рассеянного излучения и рассеивающего возбуждения среды.

Вследствие увеличения количества квантов, участвующих в процессе ГКР, но сравнению с обычным комбинационным рассеянием света (КР) ГКР имеет другие правила отбора. Это обстоятельство позволяет исследовать с помощью ГКР возбуждения, неактивные в КР, а также возбуждения, неактивные как в спектрах КР, так и в спектрах инфракрасного (ИК) поглощения и отражения (т.н. "молчащие моды") [1-3]. Кроме этого, ГКР позволяет изучать энергетический спектр фононных поляритонов в центросимметричиых кристаллах, а также, в силу особенностей частотно—угловых спектров, дисперсию поляритонов верхней ветви в кубических кристаллах (как

цситросимметричных, так и нецентросимметричных), не доступных методом КР на поляритонах [ 1,4,5]. ГКР дает также возможность наблюдения экситонных поляритоиов, которые не удается исследовать с помощью КР, поскольку возбуждающее излучение в этом случае попадает в область сильного поглощения кристалла (см., напр.,[4]).

Так как ГКР является по сравнению с КР процессом более высокого порядка в разложении поляризации среды по степеням электрического поля, исследования ГКР света интересны и с точки зрения получения информации о гиперполяризуемостях—микроскопических характеристиках вещества, знание которых, вообще говоря, дает сведения об электронных энергетических полосах, не содержащиеся в линейных восприикчивостях [6,7].

Поскольку интенсивность гиперрелеевского рассеяния (ГРР) обычно такого же порядка, что и интенсивность линий ГКР (в отличие от обычных спектров КР, в которых интенсивность рассеяния на несмещенной частоте на несколько порядков выше интенсивности линий КР), при наблюдении ГКР достаточно легко регистрировать линии с малыми сдвигами относительно частоты возбуждающего излучения. Данное обстоятельство оказывается особенно полезно при изучении "мягких мод" в кристаллах вблизи точки фазового перехода [1,2].

Перспективным направлением спектроскопии ГКР представляется спектроскопия резонансного гиперкомбинационного рассеяния (РГКР) [2,3,8 — 17]. Известно, что резонансное рассеяние света вблизи края собственного поглощения кристаллов представляет значительный интерес, поскольку его изучение позволяет получать важную информацию о природе и механизмах электрон—фононного взаимодействия (см., напр., [18,19]). Иными словами, при резонансе в процесс рассеяния вовлекаются определенные реальные возбуждения материальной системы, что дает возможность изучения их свойств.

При РГКР в случае близости эиергии кванта рассеянного свста к краю собственного поглощения с рассеянным излучением наиболее сильно будут резонировать однофотонно разрешенные переходы, а с возбуждающим — двухфотонно разрешенные. Поэтому увеличение числа фотонов в элементарном акте ГКР приводит, помимо изменения правил отбора, также и к другим, в сравнении с КР, последовательностям промежуточных состояний, а, следовательно,, и к новым особенностям спектров резонансного рассеяния.

Следует особо отметить, что резонансное увеличение сечения рассеяния может существенно расширить экспериментальные возможности метода ГКР, так как присущая этому методу слабость рассеянного сигнала является одним из основных сдерживающих факторов широкого развития работ по спектроскопии ГКР,

Таким образом, РГКР представляет собой новый метод, позволяющий получать ценную спектроскопическую информацию об исследуемых объектах, недоступную во многих случаях другим методам спектроскопии. Поскольку до настоящего времени систематические исследования по РГКР в кристаллах отсутствуют, изучение этого эффекта представляется интересным и с точки зрения выявления различных его физических аспектов. Иначе говоря, актуальность исследований резонансного ГКР обусловлена как научным интересом с точки зрения более глубокого понимания физики процесса РГКР, так и возможностью его применения для получения принципиально новой информации о структуре и свойствах полупроводниковых материалов.

Цель работы

РГКР в кристаллических средах исследовалось ранее в [8—17], причем впервые эффект резонансного ГКР был обнаружен в 1979 г. при изучении рассеяния в кристалле СсЦ [8—11]. Однако, к моменту начала выполнения

настоящей диссертационной работы в литературе не сообщалось о систематических исследованиях резонансного ГКР в кристаллах, а также о наблюдении многофононного РГКР и РГКР на фононных поляритонах. В связи с этим, целью диссертационной работы является детальное экспериментальное исследование процесса резонансного гиперкомбинационного рассеянна света в полупроводниковом кристалле сульфида кадмия с использованием перестраиваемого источника лазерного излучения. При этом решаются следующие задачи:

1. Экспериментальное исследование частотно—угловых зависимостей ГКР света на фононных поляритонах верхней дисперсионной ветви.

2. Изучение зависимости интенсивности РГКР на фононных поляритонах от длины волны возбуждающего излучения.

3. Исследование процесса РГКР на оптических фононах в условиях приближения удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения к ширине запрещенной зоны кристалла.

4. Установление закономерностей многофононного резонансного ГКР с участием нескольких продольных оптических колебаний.

Научная новизна и практическая значимость работы

Научная новизна работы заключается в следующем: 1. Впервые экспериментально зарегистрировано явление многофононного РГКР с участием продольных (Ш) оптических колебаний и установлены его основные закономерности [20 — 24]. Обнаружено, что, в противоположность случаю резонансного КР, в спектрах РГКР преобладают нечетные порядки рассеяния на ЬО фононах. Результаты этих наблюдений интерпретированы как проявление особенностей фрелиховского механизма электрон — фононного взаимодействия при РГКР в кристалле Сс1Э. Показано, что теоретическая модель

резонансного многофононного KP [19] может быть успешно распространена и на случай резонансного многофононного ГКР,

2. Впервые наблюдалось резонансное ГКР на оптических фононах в кристалле CdS при приближении удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения к ширине запрещённой зоны [24,25]. Обнаружено, что при изменении длины волны возбуждающего излучения в диапазоне от 1040 им до 972 нм интенсивность' РГКР на ILO фононах увеличивается примерно на три порядка. Показано, что экспериментальные результаты удовлетворительно совпадают с теоретическими расчетами, выполненными в условиях двухфотонного резонанса возбуждающего излучения с 2Р экситонами. Таким образом, выявлены механизмы электрон—'фоношюго взаимодействия, приводящие к резкому резонансному росту интенсивности сигнала ГКР в кристалле CdS.

3. Впервые зарегистрированы спектры резонансного П<Р на фононных поляритонах (ГКРП) в кристаллических средах [25]. При приближении удвоенной энергии квантов возбуждающего излучения к ширине запрещенной зоны обнаружено значительное увеличение интенсивности рассеяния, а также изменение частоты поляритонов, участвующих в рассеянии.

4. Впервые исследовано ГКР света на фононных поляритонах верхней дисперсионной ветви в слабоанизотропном нецентросимметричном кристалле CdS [23,26]. Частотно—угловые спектры ГКР, полученные в различных геометриях рассеяния, позволили определить дисперсию верхних ветвей для поляритонов Ai — и Е]— симметрии.

Практическая значимость работы состоит в следующем: 1. Результаты исследования П<Р света на фононных поляритонах верхней дисперсионной ветви CdS могут быть использованы для определения дисперсии реальной части диэлектрической проницаемости или показателей преломления

кристалла в среднем ИК—диапазоне. Точность таких измерений составляет около 2%.

2. Создан универсальный спектрометр для исследования резонансного ГКР с использованием параметрического генератора света (ПГС) в качестве источника перестраиваемого лазерного излучения. Данный спектрометр позволяет исследовать РГКР в широком классе полупроводниковых материалов.

Апробация работы

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на семинарах отдела "Взаимодействие когерентного излучения с веществом" Института общей физики РАН, а также на следующих Всероссийских и международных конференцях:

1. Международная конференция "Оптическая спектрометрия высокого разрешения", Варшава, Польша, 1992 г.

2. 13—ая Международная конференция по спектроскопии комбинационного рассеяния, Вюрцбург, Германия, 1992 г.

3. 4 —ая Международная школа—конференция по лазерной физике ГРНУ8'95, Москва, 1995 г.

4. 21 —ый Съезд по спектроскопии, г. Звенигород Московской обл., 1995 г.

Публикации

Основные результаты диссертации содержатся в 7 публикациях, список которых приведен в конце автореферата диссертации.

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 97 страниц, включая 20 рисунков.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во ВВЕДЕНИИ обосновывается актуальность темы, сформулированы ,ель, научная новизна и практическая значимость работы, приведено краткое одержание диссертации.

В ПЕРВОЙ ГЛАВЕ приведен обзор работ, посвященных исследованию езонансного ГКР в кристаллах.

Во. ВТОРОЙ ГЛАВЕ приводится теоретический анализ РГКР в олупроводниковых кристаллах [25]. Этот анализ ориентирован на нтерпретацию экспериментальных результатов по наблюдению резонансного ассеяния на оптических фононах в кристалле сульфиде кадмия, редставлешшх и главе 4. Процесс РГКР рассматривается в четвертом порядке еории возмущений, исходя из наиболее общего выражения для интенсивности днофононного гиперкомбинационного рассеяния света в полупроводниковом ристалле. Предполагается, что промежуточные состояния являются экситонами анье, а процесс рассеяния происходит в центре зоны Бриллюэна. лализируются матричные элементы, описывающие поглощение первого и торого фотонов, и исследуются азличпые возможные каналы вухфотошюго возбуждения кситонных состояний в рамках вухзониой и трехзонной годелей этого процесса (Рис.1). 1ри рассмотрении электрон — вшеточного взаимодействия читывается как взаимодей — твие через деформационный

Р

5

V ——г-9— V у' "Ю — у'

а

Рнс.1. Схемы двухзонной (а) и трехзонной (Ь и с) моделей двухфотониого возбуждения

экситонных состоянии.

потенциал, так и фрелиховское внутризонное и междузонное взаимодействие электронов (Рис.2.) с продольными макроскопическими электрическими полями. Показано, что определяющий вклад в интенсивность РГКР в полупроводниковом кристалле дает механизм

«I.

2р

ls

с'

2р

с 2р ls

а й

Рис.2. Схемы тутризонпото (а) и междузонного (Ь) фрелиховского взаимодействия.

внутризонного фрелиховского экситон — фононного взаимодействия.

В ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ дается подробное описание автоматизированного ГКР спектрометра, который использовался в наших исследованиях. Отдельно рассмотрены конфигурации экспериментальной установки с использованием в качестве источника возбуждающего излучения как стандартного импульсно — периодического лазера ЛТИ—502, так и специально разработанного ддя исследования резонансного ГКР перестраиваемого параметрического генератора света (ПГС).

В ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ представлены результаты наблюдения резонансного ГКР на оптических фононах в кристалле сульфида кадмия [20— 25]. Исследованы закономерности многофононного РГКР на продольных оптических колебаниях в этом кристалле. В спектрах РГКР, в противоположность случаю резонансного KP, обнаружено преобладание нечетных порядков рассеяния. Получена зависимость интенсивности рассеяния на ILO фононах от длины волны возбуждающего излучения. Показано, что экспериментальная зависимость удовлетворительно описывается теоретической кривой (Рис.3.), рассчитанной в условиях приближения частоты возбуждающего излучения к двухфотонному резонансу с 2Р экситонами [24,25]. При

рухфотонном резонансе возбуждающего излучения с 15 экситошшм остоянием обнаружено резкое усиление интенсивности запрещенной линии ассеяння с участием 2Ю фононов (Рис.4.), которая отсутствует в спектрах ГКР, [аблюдаемых при приближении к резонансу. Дана интерпретация основных акономерностей, наблюдаемых в спектрах РГКР.

¡итенсивность, отн: ед. Интенсивность, отн. ед.

ООО

100

10

О 'Т.' 1 1 И эксперимент О теория

■ ч!

л П ; \

; \о X' а

2.54

2.49

2.44 2.39

2Тт, , зВ

Рис.3. Экспериментальная и теорс— шческая ■ зависимости интенсивности ГКР на НО фононах от удвоенной нергии 2 ¡кз^ кванта возбуждающего злучепия.

4920 4960 5000 5040 5080 Длана волны рассеянного излучения Х&, А

Рис.4. Экспериментальные спектры РГКР на оптических фононах. Около каждого спектра указала длина волны, соответствующая удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения.

В ПЯТОЙ ГЛАВЕ представлены результаты исследования ГКР на юнонных поляритонах в кристалле сульфида кадмия [22,23,25,26]. Приводятся ксперимептальные частотно—угловые спектры ГКР на поляритонах. По этим пектрам в кристалле Сс15 определена дисперсия верхней ветви поляритонов .1- и Е] -симметрии [22,23,26]. Получены спектры резонансного ГКР на

фоноиных поляритонах при приближении удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения к. ширине запрещенной зоны кристалла CdS [25]. При изменении длины волны возбуждающего излучения в диапазоне от 1040 им до 972 нм обнаружено увеличение интенсивности рассеяния примерно на три порядка, а также изменение частоты поляритонов, участвующих в рассеянии.

В ЗАКЛЮЧЕНИИ сформулированы основные результаты, полученные в диссертационной работе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Исследовано ГКР света на фононных поляритонах в слабо — анизотропном нецентросимметричном полупроводниковом кристалле CdS. Получены частотно—угловые спектры ГКР при различных геометриях рассеяния и определена дисперсия верхних ветвей для поляритонов Aj — и Ej — симметрии.

2. Впервые наблюдалось резонанспое ГКР на фононных поляритонах в кристалле CdS при приближении удвоенной энергии кванта возбуждающего излучения к ширине запрещённой зоны. При изменении длины волны возбуждающего излучения в диапазоне от 1040 пм до 972 нм обнаружено увеличение интенсивности рассеяния примерно на три порядка, а также изменение частоты поляритонов, участвующих в рассеянии.

3. Исследованы спектры резонансного ГКР на оптических фононах кристалла CdS. Измерены зависимости интенсивности рассеяния на ILO фононах от длины волны возбуждающего излучения и показано, что экспериментальная зависимость удовлетворительно описывается теоретической кривой, рассчитанной в условиях приближения энергии кванта возбуждающего излучения к двухфотонному резонансу с 2Р экситонами.

4. Впервые изучены закономерности многофононного РГКР света на продольных оптических колебаниях в кристалле CdS. В спектрах резонансного

ГКР, в противоположность случаю резонансного КР, обнаружено преобладание нечетных порядков рассеяния. В условиях двухфотонного резонанса возбуждающего излучения с 1S экситонами зарегистрировано резкое увеличение интенсивности запрещенной линии рассеяния с участием 2LO фононов.

5. Создан спектрометр, позволяющий изучать резонансное ГКР в кристаллах при плавной перестройке длины волны возбуждающего излучения в диапазоне 0.96;-1.04 мкм.

ПУБЛИКАЦИИ ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ДИССЕРТАЦИИ

1. К.К.Ондриаш, К.А.Прохоров. Гиперкомбинационное рассеяние света на поля— ритонах в кристалле CdS. ФТГ, 1990, т.32, №9, с.2634-2637.

2. Zubkova L., Ondriash К., Pashinin P., Polivanov Yu., Prokhorov K., Tsellkov V. Hyper Raman Scattering by Optical Phonons and Polaritons in CdS and ZnSe Crystals. Proc. of the 13th International Conf. on Raman Spectroscopy, Wurzburg, 1992, p.276 — 277.

3. Zubkova L., Ondriash K., Prokhorov K., Tselikov V. Hyper Raman Scattering in CdS and ZnSe Crystals. Proc. of the International Conf. on High — Performance Optical Spectrometry, Warsaw, 1992, p. 183-184.

t. Л.Е.Зубкова, К.К.Ондриаш, Ю.Н.Поливанов, К.А.Прохоров. Многофоношюе резонансное ¡иперкомбипационнос рассеяние света. Письма в ЖЭТФ, 1993, т.57, вып.6, с.334 —337.

Л.Е.Зубкова, К.К.Ондриаш, П.П.Пашинин, К.А.Прохоров, В.А.Целиков. Гипер— комбинационное рассеяние света на оптических фонолах и поляритонах в кристаллах CdS и ZnSe. Тр. ИОФАН, 1993, т.43, с.91-103. ). Yu.L.Chuzavkov, V.A.Maslov, K.K.Ondriash, Yu.N.Polivanov, K.A.Prokhorov, L.E.Semenova. Observation of Resonant Hyper—Raman Scattering of Light in a CdS Crystal Using a Tunable Optical Parametric Oscillator. Laser Physics, 1996, Vol.6, №1, p. 132 -143.

f. К.К.Ондриаш, Ю.Н.Поливанов, К.А.Прохоров, Л.Е.Семенова, Ю.Л.Чузавков. Исследование резонансного увеличения интенсивности гиперкоыбинациошюго рассеяния света в кристалле CdS. Тезисы докладов 21 —го Съезда по спектроскопии, г. Звенигород Московской обл., 1995, с.236.

ЛИТЕРАТУРА

1. Denisov V.N., Mavrin B.N., Podobcdov V.B. Hyper—Raman Scattering by Vibrational Excitations in Crystals, Glasses and Liquids. PHYSICS REPORTS, 198?, vol.151, №1, p.l -92.

2. Ziegler L.D. Hyper—Raman Spectroscopy. J. of Raman Spectroscopy, 1990, vol.21, p.769 — 779.

3. Баранов A.B., Бобович Я.С., Петров В.И. Спектроскопия резонансного гиперкомбинационного рассеяния света. УФН, 1990, т.160, №10, с.35—72.

4. Поливанов Ю.Н., Саяхов Р.Ш. Частотно—угловой спектр гиперкомбинационного рассеяния света на поляритопах. Кр. сообщ. по физ., 1978, №1, с.23 —27.

5. Денисов В.Н., Маврин Б.Н., Подобедов В.Б., Сгерии Х.Е. Гиперкомбинационное рассеяние на поляритонах в цаипросиммстричиом кристалле ЭгТЮз. Письма в ЖЭТф, 1980, т.31, вып.2, с.111-114.

6. Cyviii SJ„ Rauch J.E., Dccius J.C. Theory of Hyper-Raman Effects. J. Chem. Phys., 1965, vol.43, № 11, p.4083 - 4095.

7. Ахманов C.A., Клышко Д.Н. Трехфотошюе молекулярное рассеяние света. Письма в ЖЭТФ, 1965, т.2, №4, с.171-175.

8. Поливанов Ю.Н., Саяхов Р.Ш. Резонансное гиперкомбинационное рассеяние света на оптических фононах. Письма в ЖЭТФ, 1979, г.ЗО, №9, с.617-620.

9. Поливанов Ю.Н., Саяхов Р.Ш. Влияние двухфотонного поглощения на гиперкомбинационное рассеяние света. Квантовая электроника, 1979, т.6, №11, с.2485 — 2487.

10. Поливанов Ю.Н., Саяхов Р.Ш. Гиперкомбинационное рассеяние света на оптических фононах в нецентросштегпричном кристалле CdS. Кр. сообщ. по физ., 1979, №8, с.31-36.

11. Саяхов Р.Ш. Резонансное гиперкомбинационное рассеяние света в кристалле CdS. Тр. ИОФАН, 1986, т.2, с.56-63.

12. Watanabe К., Inoue К. Experimental study of frequency dispersion of the hyper—Raman scattering efficiency in SrTi03 . J. Phys, Soc. Jpn., 1989, vol.58, p.726-732.

13. Inoue K., Watanabe K. Resonant hyper—Raman scattering due to the forbidden LO phonon in SrTi03. Phys. Rev. B, 1989, vol.39, №3, p.1977 -1980.

14. Watanabe K., Inoue K. Two-photon resonant cffect of hyper—Raman scattering in the vicinity of the direct forbidden gap in a rutile crystal. Phys. Rev. B, 1990, vol.41, №11, p.7957 —7960.

Watanabc К., Inoue К., Minami F. Resonant phenomena of hyper—Raman scattering ol optic phonons in а ТЮ2 crystal. Phys. Rev. В, 19Э2, vol.46, №4, p.2024-2033.

Inoue K., Yosliida K., Minami F., Kato Y. Two—photon resonant hyper—Raman scattering by optic phonons due to the 2P exciton of ZnSe. Phys. Rev. B, 1992, vol.45, №15, p.8807-8810.

Inoue K., Minami F., Kato Y., Yoshida K., Era K. Exciton resonance of hyper—Raman and hyper—Rayleigh scatterings in II—VJ compounds, J. Crystal Growth, 1992, vol.117, p.738 — 741.

Рассеяние света в твердых телах: Пер. с а игл./Под ред. М.Кардоны. — М.: Мир, 1979, 392 с.

Клочихин А.А., Пермогоров С.А., Резшщкий А.Н. Многофононные процессы в резонансной рассеянии и зкеитонной люминесценции кристаллов. ЖЭТФ, 1976, г.71, №6, с.2230 —2251.

Зубкова Л.Е., Ондриаш К.К., Поливанов Ю.Н., Прохоров К.А. Многофононное резонансное гиперкомбинационное рассеяние света. Письма в ЖЭТФ, 1993, т.57, вып.6, с.334 — 337.

Zubkova L., Ondriash К., Pashinin P., Polivanov Yu., Prokhorov K„ Tselikov V. Hyper Raman Scattering by Optical Phonons and Polaritons in CdS and ZnSe Crystals. Proc. of the 13th International Conf. on Raman Spectroscopy. Wurzburg, 1992, p.276-277.

Zubkova L., Ondriash K., Prokhorov K., Tselikov V. Hyper Raman Scattering in CdS and ZnSe Crystals. Proc. of the International Conf. on High — Performance Optical Spectrometry. Warsaw, 1992, p.183-184.

Зубкова Л.Е., Ондриаш K.K., Пашинин П.П., Прохоров К.А., Целиков В.А. Гиперкомбииациониос рассеяние света на оптических фононах и поляритонах в кристаллах CdS и ZnSe. Тр. ИОФАН, 1993, т.43, с.91- 103.

Ондриаш К.К., Поливанов Ю.Н., Прохоров К.А., Семенова Л.Е., Чузавков Ю.Л. Исследование резонансного увеличения интенсивности гиперкамбштциопиого рассеяния света в кристалле CdS. Тезисы докладов 21—го Съезда по спектроскопии, г, Звенигород Московской обл., 1995, с.236.

Maslov V.A, Ondriash К.К., Polivanov Yu.N., Prokhorov К.А, Semenova L.E., and Chuzavkov Yu.L.. Observation of Resonant Hyper—Raman Scattering of Light in a CdS Crystal Using a Tunable Optical Parametric Oscillator. Laser Physics, 1996, Vol.6, №1, pp.132-143.

Ондриаш K.K., Прохоров K.A. Гиперкомбинационное рассеяние света па поляритонах в кристалле CdS. ФТТ, 1990, т.32, №9, с.2634-2637.