Резонансные эффекты при упругом рассеянии и захвате носителей заряда мелкими нейтральными примесными центрами в полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГб од

- ,• - -

1 " ' РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ

На правах рукописи

ШАГИМУРАТОВ Олег Геневич

УДК 537.311.33

РЕЗОНАНСНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ УПРУГОМ РАССЕЯНИИ И ЗАХВАТЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА МЕЛКИМИ НЕЙТРАЛЬНЫМИ ПРИМЕСНШИ ЦЕНТРАМИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

МОСКВА - 1993

Работа выполнена в Институте радиотехники и электроники РАН.

доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник

Дмитриев С.Г.

доктор физико-математических наук, профессор Яссиевич И.Н.

кандидат физико-математических наук Полупанов А.Ф.

Научно-исследовательский институт электронных приборов

Защита состоится 17 июня 1993 г. в 13 часов на заседании Специализированного совета К.002.74.01 в Институте радиотехники и электроники РАН по адресу : 141120 , г. Фряаино Моск.обл., пл.акад.Введенского, 1, конференц-зал.

С диссертацией молено ознакомиться в библиотеке ИРЭ РАН. Автореферат разослан " fZ" мая 1993г.

Ученый секретарь Специализированного

совета К.002.74.Ol ^ J ->

кандидат физико-математических наук r^J > И.И.Чусов

Научный руководитель:

Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

0£"/'Я ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Процессы, оЗусхселэнкьге взаимодействием носителей заряда с вэ мол сой прккзси существенно влияют на

хгр-'.чгер неравновесных процессов в слабогсомпекетфовгнккх по-лупсоголаяктж при ккггск тслхзратурах. Необходимая для зксяе-рг-гмонтального исследования ташж процессов технологическая чнотота образцов достигнута дкпь для 51 и 8е, с чей и связан •:г<зи~нйся в настоящее время интерес к рассеяния носителей заряда на нейтральных центрах в этих материалах. Диапазон параметров, при которых этот механизм рассеяния является доминирующим - область температур 14 10 К, концентрация нейтральных центров и 4 101 ° см-3, степень компенсации К 4 10~2 - определяется кек влиянием конкурирующих механизмов рассеяния, так и особенностями взаимодействия медленных частиц с атомами нелжй щ:;:,мзси. При этом подвшаюсть носителей заряда определяется упругим рассеянием на нейтральных центрах, а процесс зачвата полет являться одним из этапов рекомбинации. Изучение процессов рассеяния и захвата нейтральными центрами к,сеет ¡ак самостоятельное научное значение, так и вашэе практическое -поскольку указанные материалы (31,бе) являются основой для создания низкотемпературных фотоприек:никсв И-К диапазона.

В настоящее зреш существуют два гсдксгд к теоретическому списании упругого рассеян:" носителей заряда па нейтральных центрах. В первом искользуп-.1 результаты трудоемких численных расчетов селения рассеяния в рамках водародоподобной модели. Основанием для другого подхода является тот факт, что атоиы примеси обладзг-от слабым сродством к электронам и дыр-

кам, а это, как известно, дожа» прлзодкть к реаоначсй-ыу расссяшш частиц с зягргюк/л порядке. гдубкш зазшгаяия кслкэ-го уровня. При атом £сст;й'гтся оиачш'сльлоо упрс2$пве е.ккс-лекий, поскольку ха^кхористшс! процесса р-оа'лзния п зчш случае слабо завись; от деъчш>иого ыщг; :;отснц-;зла взаимодействия здектроков с цршэсиш центром ч ©предела»; несколькими параметра.®, которые б погпнщпо ¡>;а:чо опредех»-лч. из эксперимента. Креме того, анализ рсвоиайоиьж о4>экгсв поставляет самостоятельный интерес. Одна», кугьзкзея резул&ъчягз вычислений температурной зависимости подь,и':;ос^;1 при рассеянии на нейтральных центрах все оце неудовлетворительно описываю? эксперкиенталькые данные.

Захват носителей заряда на гтош иелхй ир;гг.о-

дяший к образована Н"-подобных центров, е реальных полупроводниках сопровождается испусканием коротковолновых акустических фононов - с длиной волны порядка размеров примесного центра. С другой стороны, для теоретического описания этого процесса применяют модель потенциала нулевого радиуса, юго-рая, как показано в настоящей работе, медет быть использована для расчета энергетической зависимости коэффициента захвата, если длина волны фонона значительно превмзает размер нейтрального центра.

Таким образом, для удовлетворительного качественного и количественного описания упругого рассеяния и захвата частиц нейтральными центрами требуется дальнейшее развитие теории этих процессов.

При определении низкотемпературных параметров легированных полупроводников методом эффекта фото-Холла часто возникают ситуации, когда исследуемый образец является неоднородны.!

2 псперечксч "апразлетш, что селйяко с неравтгсмеркой генерацией сг.ободкнх носителей згрлда. При зтсм сбшкыз результаты измерений позволяв? похулить шфоркацк» о среднем вначенкн концентрация фотовозбуждентяс частиц по толщине об-ррг.цд, хот некоторой интерес представляет тшсга и игдо.'здение ;'.-.р.":-:?орнсй ддкапи, спроде^н:с~ой распределение концентрации в направлении неоднородности. Решение тасой задачи позволило бы, а частности, создать альтернатшшчй к известным оптически! измерения» метод определения коэффициента поглощения излучения, и, соответственно, сечения фотоионизации примесей в полупроводниках.

Актуальность рассматриваемых в диссертации вопросов следует из приведенных гкзе аргументов.

Цель диссертации состояла в теоретическом исследовании процессов упругого и неупругого рассеяния медленных носителей заряда на мелких нейтральных примесных центрах в полупровод-киках. При этой рассматривались следующие задачи.

Анализ резонансных эффектов при упругом рассеянии электронов на атомах нейтральной примеси в полупроводниках; расчет сечения упругого рассеяния и температурной зависимости под-згатости носителей заряда.

Изучение возмодности эффективного одноэлектронного описания захвата носителей заряда мелкими нейтральными центрами в полупроводниках с учетом обменно-корреляционных и резонансных эффектов; расчет энергетической зависимости коэффициента захвата для случаев длинноволнового и коротковолнового потенциала электрон-фононного взаимодействия в области энергий электронов е - е^где £1- электронное сродство к атому примеси.

Задача о распределении потенциала в хошюескоы образце прямоугольной формы при наличии поперечного градиента концентрации свободных носителей заряда.

Научная новизна проведенных исследований заключается в следующем.

Показано, что упругое рассеяние носителей заряда на мелких примесных центрах б экспериментально исследуемом диапазоне температур в целом тлеет резонансный характер,причем, триплетное - квазирезонансный и дает значительный вклад в полное сечение рассеяния.

Определена связь меэду амплитудой рассеяния электрона на атоме водорода и коэффициентом при асимптотике двухэлектрон-ной волновой функции отрицательного иона водорода.

Установлено, что энергетическая зависимость коэффициента захвата носителей заряда на мелкие примесные центры имеет вид кривой с максимумом при с - si, что обусловлено резонансны},} характером упругого рассеяния.

Получено аналитическое реиение задачи о распределении потенциала в холлоеском образце прямоугольной формы при наличии поперечного градиента концентрации свободных носителей заряда.

Среди существенно новых результатов, полученных в диссертации, отметим следующие положения, выносимые на защиту.

1. Упругое рассеяние носителей заряда на мелких нейтральных примесных центрах имеет в целом резонансный характер. Сечение квазирезонансного триплетного рассеяния сравнимо но величине с сечением резонансного синглетного рассеяния при энергиях частиц s ~ еь где sj- энергия сродства атcm поше-си к носителю заряда. Учет триплетного- канала рассеяния псз-

валяет объяснить особенности в температурной зависимости подвижности носителей заряда при их рассеянии на нейтральных центрах в.области температур Т £ 10К.

2. Эффекты резонансного упругого рассеяния определяют энергетическую зависимость коэффициента захвата электронов с энергиями е ~ б! атомами мелкой примеси. Энергетическая зависимость коэффициента захвата в указанном диапазоне энергий имеет отчетливо выраженный максимум.

3. Поперечная неоднородность полупроводника в условиях эффекта Холла приводит к появлению дополнительной разности потенциалов между токовыми контактами и объемом полупроводника. Возникающая разность потенциалов пропорциональна магнитному полю и зависит от вида неоднородности.

Практическая и научная ценность работы определяются тем, что в ней получено удовлетворительное качественное и количественное теоретическое описание процессов упругого рассеяния и захвата носителей заряда мелкими нейтральных примесными центрами в полупроводниках. Показана определяющая роль резонансных эффектов при упругом и неупругом рассеянии медленных частиц на атомах примеси. Полученные результаты позволили объяснить экспериментально наблюдаемые особенности в температурной зависимости подвижности и в энергетической зависимости коэффициента захвата электронов и дырок в легированйых слабо-компенсированных полупроводниках при низких температурах.

Исследован процесс фото-Холла в условиях поперечной неоднородности полупроводников. Полученное решение краевой задачи о распределении потенциала в холловском образце прямоугольной формы для случая экспоненциального распределения концентрации свободных носителей заряда позволило определить ха-

рактерную длину, определяющей неоднородность образца из результатов обычных измерений эффекта Холла; таким образом было измерено сечение фотоионизации атомов ва в

Апробация работы и публикации. Содержание диссертации докладывалось на II Всесоюзной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ашхабад, 1991) и на семинарах •ИРЭ РАН.

Основные результаты диссертации опубликованы в 6 печатных работах, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 3 глав и заключения. Ее объем составляет 94 страницы машинописного текста, включая 7 рисунков и список литературы из 72 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении приведен обзор литературы по теме диссертации, обоснована ее актуальность, сформулирована цель и охарактеризована научная новизна результатов.

Глава 1 посвящена изучению процесса упругого рассеяния носителей заряда на мелких нейтральных примесных центрах в полупроводниках. В настоящее время существует два подхода к теоретическому описанию этого процесса. Один из них основан на водородоподобной модели примесного центра, согласно которой рассеяние носителей заряда на атомах примеси подобно рассеянию электрона на атоме водорода. Основанием для другого подхода является то обстоятельство,что атомы примеси обладают слабым сродством к носителям заряда, т.е. могут образовывать Н"-подобные центры (аналоги отрицательного иона водорода) ха-

растеризуемые малой энергией связи лишнего носителя £1~ 0,1£в (£В - эффективная воровская энергия), что, как известно, должно приводить к резонансному рассеянию частиц с энергиями £ - £1. Последний подход представляется более привлекательным, поскольку дает возможность автомодельного аналитического описания резонансного рассеяния с использованием малого числа параметров и учетом, в определенной степени, особенностей взаимодействия носителей заряда с атомами примеси в реальных полупроводниках. В этой связи возникает вопрос о сравнительном анализе существующих подходов и о характере упругого рассеяния носителей заряда на нейтральных центрах в полупроводниках.

С этой целью в параграфе 1.1. в приближении изотропной эффективной массы рассмотрена постановка задачи о рассеянии электрона на атоме примеси. Исследуемая задача является принципиально двухэлектронной из-за существенной роли обмен-но-корреляционного взаимодействия. Как показано в диссертации, при вычислении энергетической зависимости полного сечения упругого рассеяния б(£) с учетом обменяо-корреляционных эффектов, следует учитывать вклад как синглетного ( с полным спином электронов 3 = 0) , так и триплетного (5 = 1) механизмов рассеяния:

б = 1/46в + 3/4 б^ . где б3 - сечение синглетного рассеяния, б^ ~ сечение триплетного рассеяния, множители 1/4 и 3/4 учитывают относительный вес соответствующего состояния.

Далее проведен анализ асимптотик двухэлектронных волновых функций непрерывного спектра и связанного состояния электрона в поле атома примеси. Каждая из асимптотик с точ-

ностыэ до численного коэффициента представляет собой ашот-ризованную сумму произведении одноэлектронных нормированных волновых функций связанного и совершающего свободное движение электронов. Поскольку связанным состоянием электронов в Н~-подобном центре является синглетное, а триплетное неустойчиво, то амплитуда синглетного рассеяния как функция энергии налетающей частицы е должна иметь полюс при е = - е4. Показано , что при определенном выборе нормировки двухэлектронной волновой функции отрицательного иона водорода, численный коэффициент при нормированной асимптотике равен вычету амплитуды рассеяния при е = - £1. С использованием асимптотики двухэлектронной волновой функции отрицательного иона водорода можно определить ряд его характеристик, в частности спектральную зависимость сечения фотоионизации бРь(Ь«) вблизи порога поглощения, т.е. при энергиях фотона Е1 < Ьш^ 2е1. Соответствующие вычисления проведены в параграфе 1.2.

Реакция отрицательного иона водорода на длинноволновый потенциал возмущения, каким в рассматриваемом случае является потенциал электрон-фотонного взаимодействия, определяется, в основном, поведением слабосвяганного электрона на сравнительно больших расстояниях от ядра » ав - боровский радиус). Поскольку вклад в соответствующий матричный элемент от области интегрирования £ ав, вычисляемый с асимптотиками волновых функций конечного и начального состояний системы при фотораспаде, мал, то определенные в работе функции были использованы для расчета бр^ Полученное аналитическое выражение для брь(и) с точностью до численного множителя совпадает с результатами расчетов, проведенных в рамках модели потенциала нулевого радиуса. Показано, что этот численный коэффициент

может быть определен из данных по упругому рассеянию электрона на атоме водорода. Результаты расчетов с хорошей точностью (-5%) описывают данные эксперимента.

В параграфе 1.3. рассмотрена в общем виде энергетическая зависимость сечения упругого рассеяния электрона на атоме нейтральной примеси и проведен анализ температурной зависимости подвижности носителей заряда при их 'рассеянии на нейтральных центрах. Часто используемое в литературе предположение о незначительном вкладе триплетного рассеяния, по сравнению с синглетным, в полное сечение рассеяния приводит к тому, что полученная при таком подходе температурная зависимость подвижности носителей заряда (ограниченная рассеянием на мелких нейтральных центрах) отличается от наблюдаемой экспери-

т сТ, ж а*

/оо

50

о

2

3 ^

Рис.1. Энергетическая зависимость сечения упругого рассеяния носителей заряда на мелких нейтральных пркыесиых центрах в полупроводниках: 1 - б(е), 2 - б3(е), 3 - б^(е).

ментально. Проведенный анализ показал, что триплетное рассеяние электронов с энергиями е ~ £1 имеет квааирезонансный характер; это связано со спецификой проявления обменно-корреляционных эффектов, приводящих к неустойчивости триплетного состояния отрицательного иона водорода (см. рис.1).

Получены аналитические выражения для энергетической зависимости полного сечения упругого рассеяния и температурной зависимости подвижности носителей заряда при их рассеянии на мелких примесных центрах в актуальном' диапазоне энергий и температур. Результаты расчетов позволяют объяснить экспериментально наблюдаемые особенности в температурной зависимости подвижности носителей заряда и ее величине в слабокомпенсиро-ванных полупроводниках при низких температурах. Анализ полученных результатов позволяет сделать вывод об определяющей роли резонансных эффектов при упругом рассеянии носителей заряда на нейтральных центрах в полупроводниках.

Глава 2 посвящена изучению процесса захвата носителей заряда на мелкие нейтральные примесные центры в полупроводниках. Наиболее интересным для теоретического описания этого процесса является диапазон энергий частиц е. что связано с требованиями эксперимента. Для решения такой задачи необходима, вообще говоря, информация о двухэлектронных волновых функциях непрерывного спектра и связанного состояния электрона в поле атома нейтральной примеси. Однако, при вычислении коэффициента захвата носителей заряда часто используют модель потенциала нулевого радиуса, которая с успехом применялась для расчета сечения фотораспада отрицательного иона водорода, хотя анализ применимости этой модели для рассматриваемых процессов отсутствует. Как показано в работе-, возможность приме-

нения этой модели связана со спецификой задачи о фотораспаде и обусловлена длинноволновым характером электрон-фотонного взаимодействия, но приводит к правильному результату лишь с точностью до численного множителя. В реальных полупроводниках захват носителей заряда сопровождается испусканием коротковолновых акустических фононов; кроме того, резонансные эффекты, проявляющиеся при упругом рассеянии носителей заряда в исследуемом диапазоне энергий, как известно, должны проявляться и при неупругих процессах, в частности, при захвате электронов на атомы примеси. Это, в свою очередь, должно приводить к особенностям в энергетической зависимости коэффициента захвата при энергиях частиц £ ~ Е!. В этой связи возникает задача об эффективно одноэлектронном описании процесса захвата носителей заряда на нейтральные центры в соответствии с развитыми в предыдущей главе качественными представлениями о характере упругого рассеяния.

В параграфе 2.1. в приближении изотропной эффективной массы рассмотрена постановка задачи о захвате носителей заряда на атомы мелкой примеси в полупроводниках. В рассматриваемом случае обменные эффекты заметно влияют на процесс захвата, поскольку для водородоподобных систем устойчиво лишь синглетное состояние двух электронов на Н~- центре. Поэтому захват электрона связан с синглетным механизмом неупругого рассеяния, при этом сечение захвата б=1/4б3, где бэ - сечение сингдетного процесса, а множитель 1/4 описывает относительный вес синглетного состояния. Таким образом, исследуемая задача в исходной постановке является двухзлектронной. Однако, если волновой вектор фотона испускаемого при захвате мал д << ав-1, то процесс захвата может быть рассмотрен в одноэлектронной

постановке.

В параграфе 2.2. проведен анализ процесса захвата для случая длинноволнового потенциала электрон-фононного взаимодействия. Как показано, в этом случае при вычислении матричного элемента определяющего коэффициент захвата можно использовать асимптотики двухэлектронных волновых функций. При этом получено аналитическое выражение для энергетической зависимости коэффициента захвата а(е) лишь с точностью до численного множителя совпадает с результатами вычислений в рамках модели потенциала нулевого радиуса.

В параграфе 2.3. приведен расчет энергетической зависимости коэффициента захвата для случая коротковолнового потенциала электрон-фононного взаимодействия. Необходимость рассмотрения такого случая обусловлена тем обстоятельством, что захват носителей заряда на мелкие примесные центры в и Бе, как показывают оценки, сопровождается испусканием коротковолновых акустических фононов с чав~1. При этом для вычисления коэффициента захвата уже нельзя пользоваться асимптотиками двухэлектронных волновых функций, поскольку вклад в матричный элемент от области с размерами 4 ав не мал и зависит от конкретного вида потенциала взаимодействия электрона с атомом примеси. Однако, процедуру вычислений можно значительно упростить, если воспользоваться определенным образом выбранными одноэлектронными волновыми функциями непрерывного спектра и связанного состояния, которые удовлетворяют следующим условиям: на больших расстояниях совпадают со своими асимптотиками, конечны в нуле и взаимно ортогональны. Полученная при таком подходе зависимость а(е) имеет вид кривой с максимумом при £ ~ С1 (см. рис.2). Такие особенности в энергетической зави-

2 г <А, Mw.eS.

■I

о

1

¿■/¿V

Рис.2. Зиэргеткчза;ал зависимость коэффициента захвата

носителей заряда шдкжа нейтральны.® принесшем центрами в

полупроводниках.

седости «(г) при г - ¿1 действительно набдзодгзтся в эксперименте, что позволяет сделать вывод о резонансном характере процесса захвата носителей заряда на атомы колкой примеси.

Глава 3 посвящена изучения эффекта Холла в условиях поперечного градиента концентрации свободных носителей заряда. Интерес к этому вопросу связан с тем обстоятельством, что в ряде практически ваших случаев исследуемые образцы характеризуются направленной неоднородностью. Однако, при обычной интерпретации результатов холловских измерений сказывается возможным определение лита среднего значения концентрации носителей заряда. В этой части работы продемонстрирована воз-гкзность нахождения л характерней длины, определяемой

ото распределен;« по то^ке образца.

В параграфе 3.1. рассмотрена постанови задачи о распределении потенциала в холдовскш образце прямоугольной фор:ы при наличии поперечного градиента концентрации пост-едой заряда. Анализ проведен для конкретной ситуации, возникшей при экспериментальном исследовании неравновосшдс процессов в легированных полупроводниках при низких температурах методом эффекта фото-Холла; при этом свободные носители генерируются светом из области примесного поглощения, а га распределение в образце изменяется по экспоненциальному закону. Сформулирована краевая задача о распределении потенциала в случае сильного поглощения излучения аЬ >> 1, где а - коэффициент поглощения света, Ь - толщина образца.

В параграфе 3.2. получен точный вид решения краевой задачи. Значения коэффициентов в соответствующих формулах определены методами теории возмущений с точностью до второго порядка по величине магнитного поля. Показано, что в данном случае возникает дополнительная разность потенциалов между токовыми контактами и объемом полупроводника, для которой получено простое аналитическое выражение. Подлежащая обработка экспериментальных данных с помощью полученной формулы позволяет определить коэффициент поглощения света, и, следовательно, сечение фотоионизации атомов примеси. Проведен расчет распределения потенциала вблизи токовых контактов.

В заключении изложены основные результаты, полученные в диссертации.

Сформулируем основные результаты, полученные в диссертации.

1. Упругое рассеяние носителей заряда с энергиями ~ на мелких нейтральных центрах в полупроводниках носит, в це-

"см, p"ггс?:г.гй xat.'^rsp; причем, учет тркплеткого рассея-тпи, которое в диапазоне энергий является гасяирэ-

пеззелггет об'пепить имеяцмеся особенности в темпе-гав:хк.:остп подвихлоот носителей заряда и дегиро-¿¡ssn-i елаЗсхе-лпехслроваххцх полупроводника при низюпе тен-я.'НХЛ'ур-чх ï„< iOK.

Л. Уп-гаяояяек* прпст.?* езягь шэду сечениями прэизсссв согор:;а отргагстгльвего иона водерода и упруги?.« рассеяние}.: "кктрока па arevo водог-ока.

3. 3<чхпат исс;«<?ле\ заряда с энергией ~ Si на нейтрать-

атси; жшсс.г пр;гмеси имеет резонансный характер, что

обусловлено резегтанеккми эффектами при упругом рассеянии час-

4. Гч'*г<г Холла в условиях поперечной неоднородности нссле^слл: оораацез обладает рядом характерных особенностей. 3 тастг-ссп-к, в этом случае возникает дополнительная (по сравнению с однородны»« материалом) разность потенциалов у то-KCBiaii: контактами и объемом полупроводника, которая линейна по зеикчкне магнитного поля и зависит от веда неоднородности.

Результат диссертации отражены в следувзих работах:

1.Веденоев A.C., Д"итркэз С.Г., Рильхол Б.В., йагхмура-тов O.P. Шшянио поперечного градиента кояцеитрапи» свободных носителей заряда ка распределение холло^ского зотенцяаяя в "слупрсзоднкгсе // ФТП. 1990.т. 24.в.6.с. 1141-1143.

2.Дм!Ргриез С.Г., Рыльксв В.В., Шагкмурзтов О.Г. 0 характер« рассеяния носителей заряда на мелких нейтральных примесных центрах в полупроводниках // ФТП.1991.т.25.в.2. с.360-853.

3.Дмитриэг С.Г., Шзгкмуратов О.Г. Энергетическая аагко;;-иооть коэффициента захвата носителей заряда на мелкие нейтральные принеси б полупроводниках // йотозгектрические нзлз-ния в полупроводниках : Тезкзн докладов П научной конференции. - Апкабад.1991.с.54-55.

4.Воденеев A.C., Дмитриев С.Г., йдзз А.Г., Fhs>koe В.Б., Шагимуратов О.Г., Шафран А.Г. £ото-холл эффект в условиях сильного поглощения примесного излучения // Сотоглэктршгескпе явления в полупроводниках : Тезисы докладов И научной копфз-ренции. - Ашхабад.1991.с.37.

5.Danitriev S.G., Lifshits Т.М., Kozlov A.M., Rylkov V.V., Shagimuratov O.G., Zhdai A.G. Jhs capture of charge carriers by shallov? neutral impurities in semiconductors // Sem. Sc tí Techn. 1993. v.8. H.5.

6. A.c. 1712S87 СССР. 4765466/25. Способ определения параметров полупроводников методом эффекта Холла / А.С. Веденеев, А.Г. Едан, В.В. Рьшьков, А.Г. Шафран, О.Г. Шагимуратов, С.Г. Дмитриев (СССР) - 5с.: ил.

Подписано в печать 28.04.1993 г.

Формат 60x84 1/16. Объем 1,16 усл.п.л. Тираж 100 эк->. ротапринт ИРЭ РАН. Заказ В 99.