Синтез и исследование физико-химических свойств тиостибнитов самария тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

Шахкулиев Назир Сурхай оглы АВТОР
кандидата химических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Баку МЕСТО ЗАЩИТЫ
1990 ГОД ЗАЩИТЫ
   
02.00.01 КОД ВАК РФ
Автореферат по химии на тему «Синтез и исследование физико-химических свойств тиостибнитов самария»
 
Автореферат диссертации на тему "Синтез и исследование физико-химических свойств тиостибнитов самария"

академия наук азербайджанской сср

институт неорганической и физической химии

На правах рукописи

ШАХКУЛИЕВ НАЗИР СУРХАЙ оглы

СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТИОСТИБНИТОВ САМАРИЯ

(02.00.01 — Неорганическая химия)

автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

БАКУ — 1990

Работа выполнена в лаборатории «Особо чистых веществ» Института неорганической и физической химии Академии наук Азербайджанской ССР.

Научные руководители:

доктор химических наук Алиев О. М.,

кандидат химических наук, научный сотрудник Садыгов Ф. М.

Официальные оппоненты:

доктор химических наук, профессор Заргарова М. И.,

доктор физико-математических наук Аббасов А. С.

Ведущая организация: ИОНХ АН СССР им. Н. С. Курна-кова.

Защита состоится « » . йСЙбО-Г^ $ 1990 г.

в « 4 О » часов на заседании 0Специализированного совета К 004.08.01 в Институте неорганической и физической химии АН Азерб. ССР (г. Баку, пр. Нариманова, 29).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИНФХ АН Азерб. ССР.

Автореферат разослан « Ъ\ » в ¿¿^ Л 1990 г.

Ученый секретарь Специализированного совета,

д. х. н.: уСУ^ Мамедов А. Н.

. ОЩЛЯ ХАРШЖ:ИСТ?1Ю1 РАБОТК '

Актумьность работ». Развитие науки и техники предъявляет асо более высокие трвбоват г: Kèrer^ww, -ягискаШЮ'и улучппниа свойств котода "порождают важвде проблеш л самой науке. Всо болькео значение приобретают, соединения редкойемолыпгх элекен-тов (РЗЭ), в том числа халькогопиды, среди которых тлеются полупроводники, люминофоры и ф9рройагнетш?и. Связано это с перспективностью, создаюи на их оспозе тохпичосхих материалов со специальными свойством!, такими как высокие температуры плавления и твердев .те» большие значеивд тошвратурног'о: коэ^яииента алоктро-проводности, способность сохранять полупроводниковые свойства при- весы.:а высоких температурах. .-.'

Полупроводниковые халькогашды . РЙЭ , весы/а перспектива для практического, использования как термоэлектрические материала, добротность которых могло'менять, а широких пределах, а также кай материалы для высокотемпературных терписторов,. кагнито-чувствитёлышх и маиттопореключащих элементов и т.п.

Халькогенида элементов подгруппы даяьяка' также являются перспективными термоэлектрическими магериалаыи и до настоящего времени на их основе создано уже немало термоэлектрических преобразователей энергии. Поэтому изучение.физических.свойств соединения и твердых растворов,' получаемых; на основе указанных халькогйнвдов, весьма перспективно. Однако, г®.-за низкой-тагпе-ратуры плавления область практического применения этих. материалов ограничена. - 4

Полуторный сульфид'сурьмы отгшчается высокой <$оточувствите-лыгаствя, на базе /которого впервые изготовлояы перадапяиа трубки. Однако, выдиконн, нзгетовленнца ка-основе Sbas3 , быстро теряют йоточувствителыше свойства под действием Ж- и У-З-лучоП, ' атго,» ограничено sro ттвтнив в различных устройствах. :

К настоящему врег/ени достаточно хорошо изучены бинарные халькогениды РЗЭ, некоторые из них наэди пркмэнениа или являют-, ся перспективными материалами для различных областей в современной технике. Имеющиеся сведения о тройных соединениях, содержащих в-своем составу халькогон, РЗЭ и сурьму, обладавдгас рядом специфических свойств, дозволяет заключить, что исследование as физических и 'химических сдоЯотв. интересно как в научном, так и в практическом плано.

Целью работы- явилось изучение физико-хншадского взаимодействия' в тройной система 'Вт-БЪ-Б : . определенна условий получения ткостибшгаов самария .и'исследования их свойств, для определения области практическогоприменения. Для достижения втой цали бшы по.ставлени следующие задачи :

1. 'Изучить фавовыз -равновесия в тройной системе' Бт-зъ-а . Построить диаграммы политормйчесяих разрезов и проекцию поверхности ликвидуса этой тройной системы.

Выделить в индивидуальном виде образующиеся соединения.'

2. Разработать режим- внращаванш монокристаллов новых фаз и твердых растворов на основа аь.^

3. 'Оароделить. сшгоншз и периоды решёток новых соединений.

4. Изучитьфизико—химичаскйа к ¡электрофизические .свойства обнаруженных соединений й твердых', растворов. .

5. Исследовать оптические свойства новых соединений., образующихся в тройной системе бш-зъ-б . . .

. 6. Определить иозиодцость практического, применения -изучен-них материалов. ' .

Научная новизна состоит атоа,. что на. .основания проведон-пвд.физйко-химичостк исследований впервые выявлен-характер-фазового взаимодействия в тройной' системе- ,-йт-зъ-8. : ПО разрезам ; 8д~8Ъ , ;• КЪ^Ъ^ - Ь;:3 , ЗЪ^З^ - Нк^-З,, . ,

йь233' ~ 8и33'1. -.' '.....впйзъ '-• 8тз"' • : ' ш> - 8в8 .

ВЬ - бтЗЬ^З^ . , ЗЬ^. - вт , - .

БшЗЬЗд - , В.ибЗЪ8821 - Зт^ ■' , ЗтЗЪ^З? -

Зт^. .•', 8тБЪ437— БгаЗЬБ^ ■ . - бШрЗ^ _ БтЗЪ

построена-их ТгХ ~ диаграммы состояния к проекция поверхности .

ликвидуса тройной системы Ба - 8Ь>:в

••. Выявлены • и. 'йолучшш ■ а {шдшшдуальиш едкв соединения

.8юЗЬ48? .. . .--• ; ■. '• . . БпЙЬ-^З, • .

визъз, ; . вш6зь8в21'.-' .. зш5зьз6 , "8ие8ъ?315-

иаерШо 'даны их химические- и крмсталлохгашчоские характеристики ;

разработаны условия получения монокристаллов, изучены их фязико-

хнмтватй,''; апекгрофизическиа и 'оптические':свойства.

Определен*! ■ у ерническая, в'оптическая ширина - аапрощвнноа. зо;ш уюйеннкх соединений и г верное растворов на основе зъ2з.

Практическое. аначинив состоит в ток, что на основа вкелс-рцгтнта.!ц>ша .инннш: представдот; •фг.?йко-х1а.,.ачоокцв положонкп сб-йошйс гроГ:иих оо&пипачы а сигодю Ст. - -- к :;

их кристаллохинипвсяЕМи, олоктчофизичоскши-, оптическими свойствам!, данине о которых и розовых диаграммах - могуг бить вшшчо-rta в справочную литературу и испольвоваии для вкбора технологических условий получения'монокристаллов:'отих соединений и других материалов.. Полученные' новнв тройные соединения н ча ердае растворы па основе обладаот . фоточувствитольнида своас*- ' ваш. Это позволяет предложить же для применения в электронной технике.' ■■.•'.. . " . ■ На защиту выносятся : . : . . • .• "

- результата экспериментального исследования с-азовиХ равновесия в тро£по>3 система S® - въ - s , дзшграммы состояния бинарной. систош Бт - зь н внутренних разрезов тройной спсте-ш, проекция поверхности ликвидуса, моповаркантяна я нонварпан-типо разовые -реакции, протекающие в тройной система

Sm - Sb - S

- характер образования тройню: соединений'- ss>sb„s„ ,

/

SraSbgS^ , Sra,Sb4Sg , SraSb^Sg . SxSbS,

Stn6SbsS21 ,- SàjSbRg. , SagSbgS,,, • ^

- условия выращивания монокристалдов новых тройннх-соединений п тв'ердйх растворов. на основе sbgs^ • . ■

- its устойчивость в атмосферних условиях и по отношения к различном реагентам.' .

- электрофизические, физические, оптические и физико-химические свойства полученных соединений.

Дпробацияработа. Основные результата бнли обсухдени па республиканской конференции молодых ученых и специалистов, посвященной 70-летшэ Октября (Баку, 1987) , Ш республиканской конференции молодых ученых химиков^ посвященной QO-летию академика М.Ф. Нагиева (Баку, IS88), научной конференции аспирантов Авадэшш Наук Азербайджанской ССР (Баку, 1988), У Всесоюзной конференции.по физике и 'химия редкоземельных полупроводников (Саратов, 1990), ЗУ Всесоюзном совещании во физике а хит® халькогонов и халькогенкноз (Караганда,. 1990).

Публикации. По гека дассаргащш олуйетковано. - 9 печатках научных работ. -

Обьем работы. ' Диссертация состоит ив введения, четырех глав, выводов, списка использованной литературы, включающей 148 наипеповаяий работ зарубо~шнх и отечественных авторов. Работа излояепа на 173 страницах ».©-«йпопясного тасха, ввдтая 55 шт~

сунков ¡1 28 таблиц...

, ОСНОВНОЕ С01ЩРШ1ЧЕ .РАБОТЦ

ШВА I .'>щи^йшй -ОШОР .

Литературный обзор содержит'1 сведения о характерных особенностях сульфидов самария и йурьмы,характере химической связи в них, способа синтеза эгта соедашааык. описаны 1пс физические и хИчическио, свойства. Рассмотрен вопрос об изученности соединений в системах ; Ьп - въ:.- '¿<£¡¿,10 и их фазовых диаграмм, а также бштрных систем в тройной системе; ' За - аъ - 3 • Показано, что из трех бинарных скстеАг . Бв - 5 .•••'," Эт.'- зъ •••'•» БЬ - й ' полностью изучена только зъ - Б . 'Несмотря на имеющиеся сведения об отдельных соединениях, остальные две системы но били изучена. •

Анализ литературных данных показал, что тройные системы Ьп - йъ - ;з(8е,То) ни достаточно изучены и настоящая работа может считаться одной из первых, и втоЗ области.

' ТШ'П,;' МВГОШ.

' • •щукгшс'пт- исхощмх^ожшгюв.

Синтез сплавов проводили'из злемектов особой чистоты, лига^ турн Бпй. ; ,. ' .'вт283 . г/: аи^-..-'прямым даух-ташературнш ампульным метрдбй ари; тэшврату рв 1000-1300 К в откачанных до 0,133 На кварцевых ампулах в течение 8-16 часов в. зависимости от состава. ' Синт8ризовань5иа образца. отжигались при гелшаратуро на 100 град. ¡шш эвтоктики-в Течение- 300 часов для достижения равновесия. Сплавы-подвергались " физико-хиыичвекому анализу: дп^4;ервнциально-тар.и11ческоыу' (ДТА);, который проводили на

приборе: . НТр-70 и ВДТА-8М2. фенигено^азовоиу (Р.ФА) .-. на установке '';.ДРОН-ЗУ', ^ыйкр^рукадрноыу - на' микроскопе ЦБИ-б, измерению шксоТвврдости, - па Ш.1Г-3 и изучению оптических свойств на приборах ы-ВД и ¿резон? ■ ':.•

Использовали такке.: методы измерения электропроводности, yopi.it)- а,д.с.,■ шю.тностк,; некоторые другие свойства.

ГЛАЗА 11 :; -■ ЦООЛ:ВДОВАШ!И ТРОЙЮП

■ '■ ; ■ С,!..'Г;].1< . . 8т - кь - в '

'Ь третье!! гдйре ¿месарта'гдо пр>-латак:с-ни" тсучкн'.ш

:П птип;! ;.•■ г;-: '¡г>; с.:'";,;'--: ■ - -

Тройная■система 'Sa -зъ - s исследована по 13 разрезам (10 ввазибшгарггыо и 3 неквазибинарные) и построена ьв проекции поверхности ликвидуса.

3.1. Сисгома Sm - Sfe . В .бинарной системе установлено образовашш. четырех антимонидов саыарвд состава snsb. i.

Sa^Sbj

И

SmSb-

Соединенна ssiSb.

плавится конгруэнтно при 2195 К, а

sasbp — инконгруэнтно при температурах

1700 1С, соответственно, и образуются.по реакции

ßffleßb-. и 2060, 2ГО5 и

Е +

Ж 4 К +

SmSb SmSb с:

Sm,Sb,. 5 о

SmSb,

■Координаты эвтекгическнх точек : 10 as.% $ъ при 1300 К

и

96ат.£ Sb при 875 К.

3.2. Разрез щий треугольник

SmS Sn -Sb - S

sbas3.

плавящееся соединение

SmSb^Sr,

- квазибинарный, соиу-Выявлено одно конгрувптно-с таыпературоЛ плавления

815 К и два инкоигруэнтноплавящшсся соединения - sra,Sb, э,

и sasbgS^ с температурами перитектики соответственно. Установлено, что фазовое превращение :

• К +

Sn3Sbi(.39

SfflE

ß-Snj5Sb4Sg

iL 4

ß-Srnj3b^Sg

d-SnuSb^S,-

•пчес

1100 л 750 K, прзтерповаот

(при 1100 К)

(при. 650 К)

В системе обнаружены две эвтектические точки при 15 и 37 мол.$ SmS с -температурами плавления 725 я 695 К, соответственно. Растворимость на основе gj,„g . доходит до 3 mл.% Виз при 300 К. ? 3 .

3.3. Разрез sb s7 - sn2s~ - таяжо явазпбшарннй.

В систомо выявлены три конгрЗ'шшгошишякнося соединенна - ' BaSb3s6 , sra6sbbs21 ц sasbsj с температу-

рами плавления 885, 850 и 893 К, соответственно. При температурах 875 п 025 К по перитектическоЯ реакции образуются шткон-рруэнтноплавяииеся создинсния : .

Л. SnuS, —

SmaSb2S15

OllgSbgS.jJ

Ь Бм-.ЗЪЗ, i 6

Координаты эвтектических точек : 13, 35, <15 и 55 мод./?

Рио. I. Диаграмма состояния системы Sm - sb

S m, a г 7. —

-Ю-

sm а И 775, .795, 775 и 755 К, соответственно.

Растворимость на основа Sb2Sj.'. доходит до 3 тл.% sm2s3 при комнатной температура.

3.4. Разрез Bb2s3 - sm3s4 . -квазибинарный в тройной система Sn - Sb - s , диаграмма состояния aro относится к простому эвтектическому, типу; координаты эвтектической точки: 10 иох.% ,/770 К. Растворимость на. основа sb2s5 доходит .до'.3'мол.Sí sm3s4 ; при 300 К. .

3.5. paspes SaSb - SbS -квазибинарний эвтектического типа. Эвтектическая точна, определенная графически, отве -чает координатам 30 мол.% SkS и 2I4G К.

3.6. Разрез :. Sb - SmSb^Sr, - квазибшаргшй овгакти-ческого типа с ионотектичесниыи равновесием при 790 К в области 60-98 ыод.$ Sb . Состав звтзктлки отвечает 50 мол.$ smsb¿1_s?

и 800 К. Область твердых растворов при 300 К на ochobö SßSb^Sr, - 1,5 иол.% sb. •

3.7. Разрез . аь - SaS йвляатся квазибинарным сечением тройной систеш . Sa -Sb - s. , а -диаграмма состояния его относится к эвтектическому типу, с координатами эвтектики : S7 нол.% st,' . eco К.

3.8. Разрез sb2Sj - Sm является неквазибияарним сечо-uiiöij тройкой системы Sa ,-, аь - s . Разрез пересекает чсзтыро пододаеинцх треугольника. При- 716 К в первом подчиненно;.! треугольнике происходит эвтектический процесс : •

(SbgSj) > Sb + SmSb^Sf;

Часть системы пересекает частный треугольник, gas - Sb - Визь^з, где сплавы претерпевают эвтектическое .л паритоктические щювда- ' иения. Ликвидус этой части разреза состоит из 6 ветвей'первичной кристаллизации : Bmsb^s^ ■;■., sasb2s4 , d-sm Sb4s„ ' .

ß-büi,sb^sg si SmS .Изотермические ленки при 700, 750 и 780 К отражают протекание тройных.паритекткчвсккх равновесий, шооцщссв' в ооотэвтствуицих' подчиненных тройных системах, которые пересекает разрез Sb2S3 - Sm .' .Кристаллизация сплавов esos части системы.йаканчаваетон в тройной эвтектике при темпв-ратуро 650 К по. равновесна .

. í'...::;!i.t¡;., < s.<isa2s4 * sb

ВС'[вСеЧ1Ч(КЪ O'joäx n04415HtjWH!.'!C Трвугчч! n:n:i.(i '■■ > PI-'. "¡i,'i

3 обла^ги 75 -t- ЙЗ.З иол.% SmS ■ 'по разрезу Sb?Oj - Gin первично кристаллизуется БтО .При 1275 К протекает пери-тектическая реакция образования в.иБЪ0 :

S + SmSb SmSbg +■ SmS

Сштаан этой части разреза заканчивают '.кристаллизацию в тройной эвтектике при 775 К. Нижа эвтектической горизонтали образца состоят из трох . фаз-: sras . 8шзъг и вь •

Во ВТОРИЧНОЙ СИСТенв SfflSb - Sm - SmS . котору»

пересекает разрез sb2s3. - Бл на двух сторонах { sms-s®..

SaSb - sas ) имеются эвтектические превраяиикя, а в третьей стороне образуются иккоягруонмоплавящнеся соединения Rni^sb* и • 3rvSb, (при температурах 1000 и 1600 К соотзэтствен-но). В соладусе все сплазн подчиненного треугольника д^зь _ Sm . втв '¿авер-дают «ристаллиаацйю в тройной эвтевтико при

температуре 1235 К по реакции :

Ь' ^ fJnS + SBrSb, + С «Б га 5 3

На основе pb2sj обиарушсс расглоримосгь2 тл.% sm при 'температуре 300 К.

3.9. Раз pes sm^ ~ a-uSba* (з.,) - «вагибянвраий, зв-тектичоского типа., Эвтектическая точка отвечав? координатам : 15 мол./t- SmSbS,. и 810 К. Область таэрдих рзствораз при 700 К

j .

на основе S1 1,5 кол.;»

3.10. Разрез SBgSogS^tSp) - - квазабшарний, эвтектического тшш. Координаты эвтектической, точки -- 15 мол.

Бя^а^ и 790 К. .

3.11. Разрез - Sm-S^ - ввазибшгарныЗ, косит рйтектЕЧзсккй характер, его эвтектическая точка цаеположава при 840 К И 10 мол.it . .

3.12. Разрез SreGb^;?,/^) - - ьптеятическиП, координате автеятичоскоА точки : lb иол.% змуз^ и Б00 К. Этот разрез участву т в триангуляции, является г'вазибияаркнм сечением трс/гольника sra - зь - s . Растворимость на основе s^ составляет 2 тл.% sm^s^

3.13. Разрез Ямсъ^з,^) - smsb35(s1>" является нэкейеи-'Яиаенын- политэстчесеш.1. cmvimw тройной -ристеш 8я> - ЗЪ - s

Разрез идрес-зкаот полч -vmcir. ао.г-шв энных треугольников :

- ^h » - вт^ - S«Sb3S6. 0ш8Ъ386 ■

~ ^съ^-тм^ч&авъв, • поэтому -

• диаграмма. состояния его состоит из четырех частей.

В сплавах, расположенных во вторично}! системе бшбъ^Зг, -вь^ - . , шее* ьесго яонвариантяое взтекгичесяов равно-

весие при '.'ОС' Кг

■Ж сССЗшБЬ^Зг}) + ЗЪ^йу + Зя^Зц.

При 675 К в интервале состава 66,7 -г 0.3,3 мод,$ ' втзьв, 1фИС1ШШ®$ЮТСЯ ЗгсЗЪ.^ , ¡ЗЪ^ и Бш^З^ . При 775 К к в интервала состава 83,3 + 9э,24 мол./? этвье^ кристаллизуются За^в^ , ваЗЪ-Э^ ь. Зт6зъев?1 , и наконец, при 740 К и 95,24 + 39,2° м сл. # ЗиЭЪЗ^ кристаллизую! пя ес^сзъз^) , бш^з^ и 3гпб3ь£321 .

ЦСа полазал, что о обеих сторон имеются узкие области, растворимости. При 300 К растворимость на основа зшзъ^ 'составляет 2 а па основе зизьб^ - 0,8 мол.%

3.14. Разрез з»2з, - ЗшЗЪ - неквазкбшарный. Изучение характера взаимодействия между би2з5 и зпбь интересно гам, что дазт аозколшсть проследить за ходом кристаллизация отдельных фаз, расположенных почти по всему концентрационному треугольнику. Определены температуры и составы тройных чагектк.

3.15. Проекция поверхности ликвидуса тройной системы Зю - зъ - з - На основании результатов физико-хиыичзского исследования вышеописанных .разрезов и анализа, литературных данных достроена проекция поверхности ликвидуса тройкой систош Вт - БЬ - 3 ' . (Рис- 4).

Монохарианткыа кривые пересекаются 'в изученной части систо| в 15 точках, 9 из которых перитекткческие, а 6 эвтектические. Реакции аонвариантного раьвовесия в тройной'системе Зш - зъ -'8 приводятся в табл. I.

Выявлено 12 полай первичней кристаллизации фаз. Расслаивание, иыенцьь место в ,двойной система зъ - з . «роцияаот в область концентрационного треугольника.

Системы с большой донцеитрациой серы но изучены из-за выси кой упругости паров овры. .

Температуры и реакции ноквариантных

тройкой оистэаш Бга - ЗЬ •• 3

Таблица • I.

точек

Обозначение точек и кривых

Реакция

Температура, к

3

4

5

6

V

р

9

10 II

Г1

Ро

,г4

%

2 СЬ + 8аБЬ2-

2 Вю^вЪ^ + ЗшЭ +

I

БЬ + + ЯлЗЪцЗу

8Ъ -)- £шЗЬаЗ„. + ЗоЗЬ.-,6

К ^ 5Ь203. +■ БаЯЬ^у * (АСЯа^)

¡К + ВтЭЬ 2 ч блйЬ

БтаЗЬ^ .«- ЗтЗ

8п1_ЗЪ, + ¡эпЭ

Е + Зщ^БЪ^ 2 + 5иБ ™

у. + ^ ЯЬ + ^-Вт^еЬ^Зд

5Ъ + В-Би^ВЬ^Зд.

775

1235

715

050700 640 1275 1800 1600 ^ео

750

ШВА. ТУ: ВЫРЩЕМИЕ ИОКОКРЛСТАЖШ ШОУПтиОВ

• САМАРИЯ И' ИЗУЧШИЕ ИХ.аШЧ&ЖИХ СВОЕГО.

Методом химической транспортной реакции (ХТР) были выпада нонокристаллк тиосткбнитоз и аятимонадгов самария. В качестве транспортера использовался йод.

Было установлено, что соединения

талливуются в ромбической, а Бт^зьв тетрагональной оннгонии. Для.этих

кристаллической решетки, рентгеновская плотность к другк? оя

зизъ,^'

и вп1бзъБ1;21 ирга

3° 6 "Щдои^о^с

~ соединений шчисленн-'пасачвг

й

тва. которые обобщены в табл. 2.

Таблица 2

Кристаллохимические данные о тиостибнитах самария • -

овдинеине

а,

ъ.

о

с, А

с/а

V , Р • г/сма

р нзм. выч

623.7 5,17 5.56

652,5 4,98 4,39

1600,7 5,36 5,09

516,6 4,072 4,73

97.0,4 4,04 4,84

1871,5 4,46 4.32

4694.6 4,46 4,32

4774,0 4,67 5,36

БШЗЬ^-

ЗшЗЪ^З^

ВпиБЬ^Зд

ЗеЗЪВ^

ЗпЗЪ-З-

Згабзьа321

Зп5ЗЪЗб 2га8БЬ23-15

4 2 4 4 4 2 16 О

II,27 13.87. 11,73 13,94 16,579 23,91 11,42 11.60

3,93 14,23 15,52 15,60

11,63

15, 22

3,99

3,97 '

4,038

3,90

21,14

8,641

19,49

19,62

1.256

1.257

В последние годы сульфид сурьмы все более привлекает внимание исследователе!! как перспективный материал для различных об-гастей техники.-С практической точки кренил добавление сульфидов ¡амария в сульфид сурьмы улучшает аро термостойкость и стабиль-гость. что да«т возможность расширить область применения. Исходя ш этого, в настоящей работе;были измерены некоторые, влвктрофи-зичвснгт сеойсий вчяйяакшх - твердых -растворов а -с'оадшвчий.

Измерение олектройизкчоских свойств твердых растворов на ш: юва зъ„з., ' проводилось на донок'ри&'шшах, выращшшнх мзтодо'.) "рндк-ыена, а для тиостнопигов самария в -поликристаллах.

Исследование электрофизических свойств твердых растворов .¡алого з-"(.!0щеш1Ч на осново зъ.,3 пеиавшго, что замещение ■зурьии самарием приводит к сумвсУвшшоыу изменению этик овойоп Было рассмотрено кзкаиацда термоэлектрических свойств на :юлучоттх .сплавах, в завцслмсат.а. от 'соотада как при кошаткоЦ, гак и л широком диапазона температур.

Значение вдшга эапревэняой зона вычисляли из зашсыосп; 1п ~ •: . д:я всех •яссяедошнннх составов.- Во венх тверд«« раствор« на тенора ишрипа запрошенной-зона

-- приме .¡л, тшуш как Лй для пц.

" '¡¡....•!■■ :г; ■■ ;;; с-:..-пик ь >.::.'. 1; ■ ■

■ - ■ ¡: . • .7! - ! А -

■не-

известно j что ширина запрещенной воны в -зависимости от характера химической связи и с увеличением ионной доли химической связи увеличивается. В твердых растворах SbgSj 1х SmS х .

sb2sy 1-х Sa2S5 х : И Sb2S3 1-Х S5b3S4 "х атошХ Зт заиоцаюг su в кристаллической решетки соединения sb2s, •

Такое замещение приводит.к уввличокип аовной соотавлявдай, гак как Sm имеет меньшую едектроотрицатолькость, чем; • въ • Зтр пряводат к увеличению конвой составляющей химической свяэй, что й свою очередь способствует росту ширины-запрещенной зоны. .'■''- V.Изучена твшературная зависимость электрофизических параметров соединений SmSb2S4 . SmSbjSg . SnigSbgS^ к Sra^StSg

Измерение зависимости электропроводности от температура 300 К до 50D К (рис. Б). Для' SisSb^ от 300 К до 350 К. олектропроводность возрастает слабо, а вше 350 К - сильно, что соответствует примесной и собственной проводимости. Вше 440 К проводимость снова возрастаот постепенно. Термическая аирина запрещенной зоны да: BmSbgS^ составляет 1,21 эВ.

Аналогичный ход проводимости■наблвдается и для SaSb^Sg и SffljSbßg .И у нах резкое увеличение проводимости иаблхь :дается в интервала температур 350-450 К. Термическая ширина запрещенной зоны составляет 1,16 аВ, для srnsb^sg. и 1,12 эВ

ДЛЯ Sff.jSbog .

: На примере SttgSbgS2i иная картина хода проводимости. Температурную зависимость электропроводности для соединения Sm6SbgS2/) можно рассматривать по двум'областям : кпвкотшо ратурцой - от 300 К до 400 К и высокотемпературной - выше' . 400 К. В первой температурной области проводимость носит приносный, а в высокотемпературной части кривой характеризует cor ственнуя проводимость.

Температурная зависимость коэффициента термо- о.д.с. вышеупомянутых соединений обнаруживает акстремуми. Начиная от комнатной температуры до 350-400 К, термо-э.д.с. увеличивается, а в области внсоких температур наблвдается монотонное понижение По знаку коа1фп';иента термо- э.д.с. определено, что эти соедини ния являются кодупроводникош "р" - тина.

Дая подтвсргдештя сушоствования соединений,- образующихся в системе sm - въ - S , к характера хю'ичёсксй связи, а таг" пля опр';,г.-~гс'и овптгзсгМ' "'zrnir очи ^их::

ч<

•45

"Ii й ñ Й и г,s ¡j is I ßJ

Pao.5.Темиературная зависимость электропроводности hokoïo-

pux соединений тройной системы йп - sb - s . I- &tiSb3Ss ,2" Sn53bñ6 ,3- °íi)Sb2S4 ,4-Sn6SbaS21.

»бследованн с помощью ИК-опектроскошш и метода диффузного отражения. ■ .■

Исследуемые соединения-непрозрачны в УФ области, в видимое области споктра наблюдаются полосы поглощения и'отражения 212 -700 им., которые, по—видимому, связаны с центрами окраски ионов самария и внешними - электронными/переходами в тройных; соединениях, что позволяет .определить оптическую ширину .запрещенной зоны. ■

В дальней области ЙК-споктров поглощения этих соединений обнаруживаются полосы поглощения па частотах ' 400-200 см"-5-. Вид спектров этих соединений идентичен. Это можно объяснять тем, что они близки по'кристаллической.структуре,:Вместе с тем, максимумы поглощения в спектре не совпадают --значения волновых чисел'различны. 'Обнаруженные полосы поглощения могут служить длг идентификации этих соединений.

В Ы. В 0 ..Д LÍ*

I. Методами ДГА, ВДТА, РФА, MOA. и измеренном микротвердости, плотности и некоторых электрофизических свойств изучен ) характер фазового взаимодействия в тройной системе sra - зъ - s йо 13 внутренним рая резан. lía основании изученных разрезов и обобщения-литературных данных впервые пострш. вы диаграммы поли-терыическшс разрезов и проекция поверхности ликвидуса тройной системы SB - Sb - S

Очерчены поля.первичной крйстада/иэа^даи фаз > определены реакции нонваршнтнше равновесий, протекающих в нкх.

2. Впервые изучена и построена, диаграмма .состояния двойне системы Вн.- sb , выявлено существование актимонвдов самария состава SttjSbj.^ , Sm^Sbj . . . ,SqSb ' И SmSb^

В результате изучения тройной системы . sm - Sb - в установлено образование тиостибнитов самария sast^Sr, . 'smsbgs^ Sm-jSbj^Sg , SaSbSj . SnijSbSg » Sm6SbgS21 Sm^SbSg П Sffl8Sb2S15- •

3. Внраканн шнокристаллы вышеупомянутых соединений и тве дых растворов на основе sb2s^ . Установлено, что соединения SfflgSb-gS^^ и. sm^sfes . . кРисталлизУ|ЭГСЯ в тетрагонально;!, а остальные шесть соединений - smsb^s,^.- , smsb2s4 , . Sm^Sb^Sg , SniSb'sj , SmSb?S&- И Sm6SbgS21 ~ В гюкбичвекей сингонии.. Вычислены их параметры кристаллической

)0шатки.

4. Полученные тройные соединения охарактеризованы по хими-«ским.и физико-химическим свойствам, в частности, установлено и отношение к различным химически*.! реагентам, определена температура плавления, микротвердость, плотность.

: 5. Изучены некоторые электрофизические свойства полученных гройных соединений, а также сплавов из обжсти твердых растворов ja основе sb^s, ' ■ . Установлено, что исследуемые ттзриалы

с.. р

гвляются полупроводниками "р. - типа.

6. Впервые исследованы ИК- спектры и спектры диффузного отражения'новых .тройных соединений, вычислены их оптические ширины запрещенной, so im, выявлены полосы поглощения дальней области .ИК- спектров для этих соединений.

.Основное содержание диссертации опу&яиковано в работах :

1. Алиева O.A..Шахйулиав Н.С.Дагизв И.Б.,Садыгов Ф.Ы. Фазообра-зование в системах .-Sffls(ßm2s5)-Xn2(sb2,j312)33 и Las - Gar.. Матер.конф. молодых ученых и специалистов, посвящ. 70-летию Октября. Баку, 1987.

2. Алиева O.A. .Нахкулиев H.C. .Тагнев И.В.,Садыгов Ф.М. •Газообразование в системах зтйСЗи28,):-1г12(зъггв12)&3 и bas -Gas., ■ Труда;-!'.'научи'.ковд. молодых ученых ffîffl АН Азерб. ССР. Баку, Л.I-.' С.79-85. Деп. в ВИНИТИ от 04.09.80.

я 6820-BÖ8. V" : ".. . - . ■

3. Шхкулиов U.C.-, Сади го й Ф.М.- физико-х'шичоское ' исс чедован t.e

' ' системы si, а _ sas //. Матер. И республ.конф. молодых уш~ ных-х'имаков,- .Т1.ревйщ.- Ш-летшя 'академика• М^ Ф.Лагиева. Баиу, 19í>В, С. 182. '-. " ; --..■ _;

4. Cudipov -F. И. ,ShQhf;úiiyev. N.:S. »Aliyev 'Ô.M. The Uamarium -Antimony phase- -diagram. // J. Eôs's - - Comraón

Metalo, : 144 (ЬGO), г, 5 - î, ß.

5. Садыгов Ф.М. .Шахкулшш. Н.С. .Алиев G.M. базовые равновесия в.

системе sb0s,-' sm0s,- // ЖНХ, 1989. Т.34. J- 4. с.Г075-

••• > ••• у

1070. - ■'■ '

6. Шахкулиав Н.С. ..-О взаимодействияхмежду сесквнсульфцпами cypt-мы и санация. Ичтер.' научной конф.: аспирантов АН Азерб.П1.Т.

К. I. Ьи'7. ГЯ.Я. С..74-г5. - . '?. ? Н.С. ,Дл.!«в O.M. .С'аднго» /.M. ¿asu» о-ляш'юско* ка-

Бсисшозн.конф. по фшшке и хишш редкозóмольных полупроводников. Саратов. I9SQ. Ч.И. С.26. ' ' В, Алиэв D.M..Шахкулнав Н.С,.Гашшов Ф.А. Сгнтез и физико-хкш

" чоские свойства. saßb^sg * Там sq. С. 63.

У. Ыахкулиев Н.С.,Савщ'ов &.М. ,Аттв OJU Caites и физмо-хеж-часюш свойства, V smSb2B^ « Теэ.докл» ЗУ Всесоазн.co-

tram. по йаднй к тахнОдогии халвкогенов и хадвкогенадов. Ка, раганда, 1990. Ç.I34.