Синтез и свойства теллургалогенидных стекол и их расплавов тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

Санкт-Петербургский государственный университет

На правах рукописи

МОХАМОД .API®

УДК 541.12.017:666.113.32

<1

СИНТЕЗ И СВОЙСТВА ТШУРГМОШВДНЫХ СТЕКОЛ ■ И ИХ РАСПЛАВОВ •

Специальность 02.00.01 - Неорганическая химия

Автореферат диссертации

на соискание ученой степени -- кандидата химических наук

Санкт-Петербург - I9S3

Работа выполнена на кафедра "Общая .химия" Санкт-Петербургского государственного технического университета.

- Доктор химических наук, профессор Л.А.Байдаков

- Кандидат химических наук, старший научный сотрудник В.А.Ананичев

- Доктор химических наук, профессор М.Д.Бальмаков

- Кандидат химических наук, доцент Г.Б.Аветикян

- Государственный оптический инЬтитут им. С.И.Вавилова

.Защита диссертации состоится " 27" /ЧЙЯ 1993 г.

в 1Т0& часов на заседании 'специализированного советад 063.57.09 при Санкт-Петербургском государственном университете по адресу; 199004, Санкт-Петербург, Средний пр., д. 41/43, химический факультет,

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке имени А.М.Горького Санкт-Петербургского государственного университета по адресу: 199034, Санкт-Петербург, Университетская наб., д. 7/9.

Автореферат разослан пЛ$ " йПреЛЯ 1993 г.

Ученый секретарь специализированного совета

Научные руководители

Официальные оппоненты

Ведущая организация

Ю.С.Тверьянович

ОЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

Актуальность работа

Развитие 1К-воло1;онной оптики, оптоэлектроники и спектроскопии наруиенного полного внутреннего отражения требует разработки л получения новых хкмпчесг.и устойчивых стеклообразных материалов с низкой температурой стеклования, высоким показателем преломления и малыми оптическими потерями в строкой диапазоне прозрачности.

В связи с этш представляет интерес разработка способов синтеза и изучение физико-химических свойств стеклообразувдпх теллургалогенидных систем Те - Г , где Г = С£ , Вг , 3 выие и шзв температуры стеклования. Эта определяет актуальность выбранной тепы: синтез и свойства теллургалогенидных стекол и полученных кз них расплавов.

Диссертационная работа выполнялась в соответствии с госбюджетной программой на 1988-1995 гг. "Разработка и комплексное исследование амор^гшх и стеклообразных материалов и исследования возможности их применения", код темы по ГАСНТЛ 31-15-19, и програгаой гранта на 1992-1993 гг. "Теоретические основы разработки и синтеза новых стеклообразных материалов с улучшенными свойства-,и", цифр 2-91-17-76.

Цель и задачи работы

Цель работы заключается в разработке способа синтеза и изучении свойств и строения теллургалогенидных стекол и расплавов.

Для достижения поставленной цели предстояло ресить следуг^э конкретные задачи:

1. Разработать способ введения галогена точно заданного количества в состав иихтн и провести синтез теллургалогенидных стекол.

2. Экспериментально определить козффицпенты объемного тормичо-ского расширения стекол (с1д ), расплавов {с1( ), температуру стеклования (Тд ), скачок позф$даезта объемного терютеского расг"!ренпя

при температуре стеклования.

3. Проследить закономерности агнененкя коэ!ф;а«ента объемного тс-ркпчэского расширения, плотности и других свойств в теллургалогенидных системах при переходе Те ГТе,Гг -+ Те,Г , гдо Г

С£ , Вг, J , а та:г:с при замене хлора на брсм и йод в интервале температур 295-773 ;;.

Научная новизна

1. Рассчитаны и экспериментально определены интервалы стекло-образоваши в бинарных системах Те-С£ , Те-Вг и Те-] ,

2. Впервые экспериментально получены значения коэффициентов объемного термического расширения и плэтности трех теллургалогенид-ных систем Те - С С , Те-Вг и Те -д в интервале темпоратур 293-773 К и показана связь этих характеристик со строением расплавов и полученных из них стекол.

3. Установлено, что коэффициент объемного термического расширения стекол всех трех систем в интервале температур 293- Тд практически не зависит от температуры.

4. Коэффициент объемного термического расширения расплавов систем Те-С£(Вг) зависит от температуры, причем по мере увеличения содержания теллура в составе сплавов от Те*С£(Вг) до ТегС£(Вг)

его зависимость'от температуры ослабляется и у сплавов Те2се(Вг) принимает постоянное значение во всем исследованном интервале температур.

5. Коэффициент объемного термического расширения расплавов системы {Тед)^ х (Т(г])х не зависит от температуры в исследованном интервале температур.

Практическая ценность

. • I. Разработан способ введения точно заданного количества галогена в шихту и проведен синтез теллургалогенидных стекол.

2. Разработан экологически чистый, простой, эффективный и экономически 'целесообразный способ очистки теллура.

3. Значения коэффициентов теплового расширения и плотности теллургалогенидных расплавов и стекол в интервале температур 293-773 К могут быть включены в справочники.

На защиту выносятся:

1. Способ получения галогенсодержащих стекол строго заданного состава.

2. Сведения о величинах коэффициентов объемного термического расширения теллургалогенидных стекол ), расплавов (с^ ) и скачков л ^ д при температуре стеклования Т3 .

3. Способ очистки теллура.

Апробация работы

Основные результаты докладывались и обсуждались на Всесоюзном семинаре "Структурные превращения и релаксационные явления в некристаллических твердых телах" (Львов, 1390, с. 29), П Всесоюзной конференции по физике стеклообразных твердых тел (Рига-Лиелупе, 1991, с. 151), I Национальном и П Всесоюзном семинаре "Структурные превращения и релаксационные явления в некристаллических твердых телах" (Тбилиси, 1991, с- 45).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 7 работ.

Объем работн

Диссертация излояена на 126 листах, содержит 27 рисунков а 18 таблиц. Библиография включает 123 наименования. Диссертация состоит из введения, 4 глаз, выводов, списка литературы и приложения.

СОДЕРЯАШЕ РАБОШ

Введение

Во введении дано обоснование актуальности работы и сформулированы цель и задачи исследования.

I. Обзор литератур;!

•В литературном обзоре рассматривается связь теплового расширения стекол с их строением и проводится анализ литературных данных по способа?.! синтеза, из которого следует, что существующие в настоящее время способы синтеза галогенсодержащих халькогенидных стекол не обеспечивают получение стекол заданного состава. Это создает известнее трудности по отнесении изученного свойства к конкретному составу. Анализ литературных денных такае показал, что по свойствам толлурга-логонидных стекол суцоствувт только некоторые отрывочные данные. В частности, в литература полностью отсутствуют дашшв по коозфашенту объемного тер-ччоского раскрепил (КОТ?) расплавов теллургалогенидннх систем.

Во зторолЧ главе дано краткое описание разработанного нг.ул спосо-(1 очлетгл теллура. экологически чистого, простого и экопс:яч<эс;а цо-

лосообразного.

Очистку теллура проводили в специальном кварцевом устройстве, выполненном в виде двух сосудов, соединенных трубкой. В сосуд I загружали стекло состава ТеьС[г , предварительно синтезированного из технического теллура.и химически чистого хлора, вакуумировали до давления - Ю-* Па, герметизировали и нггреваля со скоростью 0,03 К-с-1 до температуры 1073 К. При этом сосуд 2 охлаждали водой со льдом. В результате такой термической обработки в сосуде I получали чистый теллур, в сосуде 2 тетрахлорид теллура с примесями, а в соединительной трубке остатки стеклообразного сплава, обогащенного галогеном.

Таблица I

Результаты спектрохимического анализа массовой доли примесей в теллуре до и после очистки (заключение сертификационного центра, аккредитованного при ассоциации "Центролаб" и т.-ф. биржа "С.-Петербург"

Элемент Массовая доля, %

до очистки после очистки

Свинец 0,0008 но обнаружен (< 0,0005)

Медь 0,005 0,0002

Кремний 0,003 0,001

Алюминий.' 0,001 не обнаружен (< 0,001)

Железо 0,002 не обнаружено (< 0,001)

Серебро 0,001 0,0001

Магний 0,002 0,0003

Никель 0,002 не обнаружен 0,001)

Олово 0,08 0,0005

Висмут не обнаружен не обнаружен (< 0,0005)

Сурьма не обнаружена не -обнаружена (< 0,001)

Мышьяк не обнаружен не обнаружен (<0,001)

Золото не обнаружено не обнаружено (< 0,001)

Натрий не обнаружен не обнаружен (< 0,001)

Содержание основ- 99,9 99,999

ного вещества, %

L'ii полагаем, что при нагревании стекла состава Те3С1 протекает реакция диспропорционпроваппя

2Те,сег~ 5Те ,Теач (I)

В результате диспропорционировашш стеклообразного соединения Те3СРг в сосуде I образуется чистый кристаллический теллур, и расплав в соединительной трубке постепенно обогащается хлором и принесши. Гсашга заканчивается образованием более устойчивого при Еисоклх температурах соединения ТеССч , которчй конденсируется в сосуде 2, охлаждаемом водой со льдом. При этом в кристаллическом теллуре, в отличие от исходного, концентрация примеси понижается в 100 раз за один никл (см. табл. I).

Эмрект очистки достигается вследствие накопления примеси в одном из продуктов длепропорцнонировашш - стеклообразущем расплаве. В данном случае стеклообразугадлй расплав поглощает примеси, поскольку вероятность полного насыщения хл.шческих связей примеси в аморТнсм веществе больше, чем в кристалле. Пр::меслм, независимо от их природы, энергетически вигоднее находиться в аморТиом веществе, чем в кристаллическом, что и обеспечивает очистку теллура в разработанном нами способе.

Далее в диссертации описывается разработашшй нами способ введения п пихту точно зал"-'того количества галогена для пол:,-пения стекол. I.li использовали кварцевое устройство, изображенное на рис. I. Устройство позволяет ввести в состав пихта точно заданное количество галогена не только в конденсированием состоянии, клк брсм и,ли йод, по и в газообразном, что необходп^.ю для введения хлора. Этот способ исключает адсорбцию кислорода и влаги, т.к. камеру I кварцевого устройства перед вводом галогена вакууиировали, поглощали п сосуд с жидким азотом, заполняли галогеном и перепаивали по перзтяже 3. По разности касс сосуда с галогеном и пустого сосуда определяли массу галогена. В соответствии с массой тдохска рассчкигаолл массу li:ixt;í (теллура). Теллур загрухели в р'-аг-цненнун ::а.:ору 3, вакуумирсвачи и отлаи-ва.ти по порота* ц» -i, затем встряхквашем сосуда разбивали гл~ил-ляр 5. После окончания пошали галогена с теллуром продукт« перегоняли в реагангонлуи кпмеру 3, поторув отпаивали ::о пгрет.чтеке 6. Гоак-ц;:е;п;у:; камеру псмедали в печь и нагревали с кс:;р;р';р;:ам

j

С1/1

НОСЫ 2

<

Рис. I. Устройство для введения галогена в состав шихты I - камера для введения галогена, 2, 4, 6 - перетяжки для отпаивания, 3 - камера для введения теллура, 5 - капилляр,

7 - сосуд с жидким азотом.

вшшем расплава в течение 6 часов при 670 К. Скорость охлаждения расплава для получения стекол выбирали в зависимости от его состава. Контроль стеклообразного состояния сплавов осуществлялся методами дифференциально-термического анализа (ДТА) и рентгенофазового анализа (РВА).

отн ед. 1.9 Г

50 2В

Рис. 2. Типичные кривые РФА (а) и ДТА (б) для стекла состава Те3Вгг

В этой главе дается также описание методик измерения КОТР стекол и расплавов, плотности стекол, расчета плотности стеклообразухь щих расплавов по величинам КОТР, электропроводности, ДТА и РФА. Температуру стеклования определяли по результатам ДТА, температурным зависимостям КОТР и электропроводности,

3. Расчет и экспериментальное определение интервалов стэклооб-разования в теллургалогенидных системах

Стеклообразухщую способность расплава (тт рассчитывали по формуле *•

и сравнивали результаты расчета со стеклообразупцей способностьи классических стеклообразователей, подчиняющуюся уравнению:

г = -и

^п.э д

(3)

В (2) и (3)

Отклонение

Я,Н- вклады главных квантовых чисел валентных

электронов и зарядовых чисел ядер моля компонентов расплава соответственно, К - средняя жесткость электронного каркаса химических сачзей,

N - общее число электронов в расчете на моль вещества,

А и В - эмпирические константы:

А = (30,84 ± 3,19), В = (9,04 - 0,23).

Д = (Gt-gJ/G„Í

100

(4)

служило критерием возможности получения вещества в стеклообразном состоянии.

Считали, что при самопроизвольном охлаждении расплав стеклуется, если А не превышает 10,й.

На рис. 3 показаны расчетные и экспериментальные интервалы стеклообразованкя. Рассчитанные интервалы стоклообраэованля достаточно хорошо согласуются с экспериментальными.

а

Вг О

1 ГТ I-г

J_|_|_I.

Те Те Те

0,2 ОЛ 0,6 0,8 мол.дол Те

Рис. 3. Расчетные и экспериментальные интервалы стекло-образования систем Те - Г , где Г глу/л - расчет, Е222 - эксперимент.

4. Физико-химические свойства теллургалогешшшх систем

Термическое расширение стекол и расплавов в системе (ТеС£)1.х (Те2С£)х

Измерены коэффициенты объемного терлического расширения стекол ), температура стеклования { Тд ) и коэффициент объемного термического расширения расплавов (о1е ) системы (ТеС£)1_х(ТегСИ)х в интервале температур 293-773 К. Коэффициент теплового расширения и температуру стеклования систем Те-Г , где Г*= С(,Вг,0 определяли с относительными погрешностями 3% и 5$ соответственно.

Результаты исследования представлены в таол. 2 и на рис. 4. Для всех изученных составов в твердом состоянии коэффициент объемного термического расширения КОТР не зависит от температуры и составляет (83-103)-Ю-6 К"* (см. табл. 2). По данным КОТР рассчитал;! величины скачка коэффициентов теплового расширения {Лоб) при температуре стеклования (см. табл. 2).

Коэффициент объемного термического расширения расплава состава ТеС£ зависит от температуры ы при ее увеличении от 373 до 773 К возрастает от 550-Ю-6 К-1 до 1000-Ю-6 К-1. Однако но маре увеличения содержания теллура величина КОТР уменьшается и у расплава Те,

с т

принимает постоянное значение, равное 440-10 К~А во всем исследованном интервале температур.

Таблица 2

КОТР стекол (с1д), расплавов (о^), его скачок (До£) при Тд системы (ТеС£),_х(Те2С£)х

Т тс оМО6 ¡Г1 при X раннем

/ . Л 0,00 0,25 0,50 0,75 1,00

233 - Тд ЮЗ 93 93 96 83

373 550 400 400 390 63

473 570 510 450 450 83

573 650 570 500 460 83

673 730 630 540 480 440

773 1000 820 630 530 440

Тд, К 340 350 355 360

Ас1- Ю6 Г1 440 307 307 290 _

&с1Тд 0,150 0,107 0,109 0,106

Рис. 4. Температурная зависимость КОТР сплавов ТеС£, Те3С£г и Те ¿а (погрешность не превышает диаметра точки)

Как видно из рис. 4, величины КОТР для расплавов при постоянной температуре в ряду ТеС£ —• Те} ССг —1 Те2 СС уменьшаются, что, по-видимому, связано с переходом от структуры изолированных цепей к полимерам с более высокой степенью сшивки.

Таким образом, величшша^ , о1[ ,¿01 пЛс^'Тд исследованных-составов близки к соответствующим значениям цепочечных полимеров.

Термическое расширение стекол и расплавов системы Те - В Г

С целью изучения влияния природы галогена на свойства теллурга-логенидных стекол были изучены коэффициенты объемного термического расширения стекол {Ыд ), температура стеклования ( Тд ) и коэффициент объемного термического расширения расплавов (pig ) системы Те - Вг в интервале температур 293-773 К.

По результатам измерений КОТР рассчитывали hcL и йоС - Тд

Полученные данные представлены в табл. Зи на рис. 5.

Таблица 3

КОТР стекол Ыд ), расплавов ([ci(), его скачок Ы) при Тд системы (ТеВг)1_х(ТегВг)х

Т , К d- Ю€ •г К при X равном

0,00 0,25 0,50 0,75 1,00

293 - т3 103 91 91 96 96

373 520 450 440 440 • 440

473 570 500 440 440 440

573 610 520 440 440 440

673 650 520 460 440 440

773 600 540 460 440 440

Тя . К 333 339 341 343 346

¿сМо6, К"1 420 360 350 340 344

hcL ■ Тд 0,139 . 0,122 0,119 0,118 0,119

Как видно из рис. 5, для всех изученных составов стекол в интервале температур 293 - КОТР, как в системе Те -С£ , не зависит от температуры и составляет (91-103)-КГ6 К При переходе из стеклообразного в метастабильное кидкое состояние наблюдается скачкообразное изменение КСТР в области температуры стеклования Тд , при этом величина скачка составляет (340-420)- Ю-® К-*.

Коэффициент теплового расширения расплава ТеВп зависит от температуры и при ее увеличении от 373 до 773 К-возрастает от 520 до 680>1(Г6 1С*. Однако, по мере увеличения содеряания теллура в составе сплавов, зависимость КОТР от температуры ослабевает и у расплава ТегВг принимает постоянное значение, равное 440-Ю"6 К-1 во всем исследованном интервале температур. Уменьшение зависимости КОТР от температуры у расплавов в интервале ТеВп -Те2Вг, как и в системе

Те -С£ , может быть связано с переходом' от структуры изолированных цепей к полимерам с более высокой степенью сшивки, для которых КОТР не зависит от температуры.

Величины сх^ , c¿{ , Ac¿ и AcL-Tg исследованных составов системы Те-Br близки к значениям цепочечных полимеров.

Следует заметить, что зависимость КОТР от температуры в системе Те-Вп слабее, чем в системе Те - СС (см. рис. 5).

d-iífM' 800 600 400 200

Рис. 5. Температурная зависимость КОТР сплавов ТеВп , Те3Вгг и ТегВг (погрешность не превышает диаметра точки)

Термическое расширение стекол и. расплавов системы Те-О

Исследование КОТР стекол и расплавов систем Те-С£ и Те-Вп показало, что замена С£ на Вп приводит к увеличению жесткости сетки стекла. В связи с этим представляло интерес изучить коэффициенты теплового расширения расплавов и стекол системы Те-й в интервале температур 293-773 К.

Результаты исследования представлены в табл. 4 и на рио. 6.

Для всех изученных стекол в интервале температур 293- Тр , так же как у хлоридов и бромидов теллура, КОТР не зависит от температуры и составляет (90-97)-Ю-6 К-*.

Коэффициенты термического рассшршшя расплавов в отлично от сплавов систем Те-СС 11 ТеВг не зависят от температуры (см. рис. 6) и лежат в интервале (420-500)-Ю-6 1С1. При переходе из стеклообразного в жидкое состояние наблюдается увеличение КОТР в области температуры стеклования Tg , при этом величины&d-d0-c¿¿ изменяются в пределах (320-400)-Ю-6 1С1 (см. табл. 4).

На рис. 7 представлена температурная зависимость относительного изменения объема стекла состава Те30г трех различных варок в режиме нагревания. Нагревание выше Тд приводит к уменьшению объема в цнторзеле 453-483 К, связанному с кристаллизацией метастабильной жидкости.

В области температур 493-553 К наблюдается увеличение объема, обусловленное плавлением ранее образовавшейся кристаллической фазы. При дальнейшем увеличении температуры КОТР практически не изменяется.

Величины oLq ,c¿¿ , &<£ , Ac¿'Tg исследованных сплавов (см. табл. 4) raíate близки к значениям цепочечных полгслеров и указывают не их цепочечное строение.

Однако коэффициенты объемного тер;.шческого расширения расплавов системл Te-J в отлитое от Те-СС и Те - Вг не зависят от температуры. Это, по-видимому, сачзано с усилением ые;;а.шпочечного взаимодействия в системе Te-J по сравнению с Те-С£ и Те-Вг .

d-ÍO'K 550 500 U50 U00

600 650 700 750 Т,К

Рис. 6. Температурная зависимость КОТР расплавов TeJ Te3Jz и Te¡3 (погрешность но прешшает диаметра точга)

Таблица 4

КОТР стекол (с/ ^ ). расплавов (о/^> ), его скачок ) при системы (Те3),.х (Те23)х

т , к сЬ Ю6 К"1 при X равном

/ 0,00 0,25 • 0,50 0,75 1,00

293 'Т9 97 93 90 90 96

373 500 490 470 450 420

473 500 490 470 450 420

573 500 490 470 450 420

673 500 490 470 450 420

773 500 490 470 450 420

т3 , к 310 315 325 335 340

йо1~ Ю6. Г1 400 400 380 360 320

АсС- Тд 0,124 0,126 0,124 0,120 0,109

т т 573 613 т,к

Рис. 7. Относительное изменение объема стекла состава Те33£

от температуры

В заключение этой главы представлены результаты исследования температурных зависимостей электропроводности (рис. 8), плотности [рис. 9) и пропускания (Т$) в ИК-области спектра стеклообразных гало-генидов теллура (ал. рис. 10).

По результатам исследования приведенных выше свойств теллурга-логенидные стекла могут быть отнесены к низкоплавким полупроводникам о уморенной кристаллизационной способностью, прозрачным в интервале 2-20 мим.

2,8 3,0 Д2 fÓ'/T.H-1 Рис. 8. Зависимость - tgé от l/T стекла состава Те3 Br¡, 100 200 300 400 Т,°С

373 А73 573 673 Т,К

Рис.'9. Температурная зависимость плотности стекла состава Те}Вгг

2000 1600 1200 800 400 )), см' Рис. 10. Пропускание стеклообразного Те3Впг

Основные результата и выводы

1. Разработан способ введения точно заданного количества галогена в шихту и проведен синтез теллургалогенидных систем Те-С£ , Те-В'п и Те-3 .

2. Разработан экологически чистый, простой и экономически целесообразный способ очистки теллура.

3. Впервые получены значения коэффициента объемного термического расширения и плотности расплавов и стекол системы Те-С1 ,Те-Вп и Те-3 в широком интервале температур.

4. Установлено, что величины коэффициентов объемного термического расширения стекол (с^ ), расплавов ) и их скачков

при температуре стеклования близки к значениям, наблюдаемым у цепочечных полимеров, что указывает на цепочечное строение стекол и расплавов систем Те -С£ , Те- Вг и Те -Л .

5. Величины КОТР для расплавов при постоянной температуре в ряду Те Г— Те, Г2 — Те, Г . гда /"= С£,Вг,3 уменьшаются, что, по-видимому, связано с переходом от структуры изолированных цепой к полимерам с более высокой степенью сшивки.

6. При переходе Те3 СЕг — Те38гг —- Тг^Зг происходит ослабление температурной зависимости КОТР, что может быть связано с усилением межцепочечного взаимодействия.

7. По характеру температурной зависимости электропроводности и ее величине, оптическому пропусканию и термическим характеристикам изученные галогенида теллура могут быть отнесены к низкоплавким стеклообразным полупроводникам с умеренной кристаллизационной способностью, прозрачным в интервале 2-20 мнм.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах.;

1. Мохаммад Ариф, Танцура Н.П., Байдаков Л.А., Ананичев В.А. Коэффициент терлического расширения стекол и расплавов системы Те-Вг // Сиз. и хим. стекла. 1991. Т. 17. В 4. - С. 671-673.

2. Мохаммад Ариф, Танцура Н.П., Байдаков Л.А., Ананичев В.А. Коэффициент термического расширения стекол и расплавов системы Те -3 // Сиз. и хим. стекла. 1992. Т. 18. й 3. - С. 159-163.

3. Оркина T.II., ТихаХ., Мохашад Ариф, Байдаков I.A., Ананичев В.А. Электропроводность галогентеллуридных стекол. // Физ. и хил. стекла. 1992. Т. 10. № 4. - С. 64-72.

4. Ыохешад Ариф, Танцура Н.П., Байдаков Л.А., Ананичев В.А. Синтез и тепловое расширение стекол и расплавов системы 7'е-Ct. . // Физ. и

, хим. стекла. 1992, Т. 18. № 5. - С. 92-97.

5. Мохашад Ариф, Ананичев В.В., Байдаков Л.А. Релаксационные явления при нагревании и охлаждении стеклообразущей системы теллур-бром. // Тез. докл. Всес. семинара по структурным превращениям и релаксационным явлениям в некристаллических твердых телах. Львов. 1990. - С. 29.

6. Мохашад Ариф, Трнцура Н.П., Байдаков Л.А., Ананичев В.А. Коэффициент термического расширения и бл!шшй порядок расплавов и стекол (ТеCl)t.х (Te¿сг)х • // Тез. докл. II Всос. конф. по физике стеклообразных твердых тел. Лиелупо. 1991. - С. 151.

7. Мохашад Ариф, Танцура Н.П., Ананичев В.А., Байдаков I.A. Структурные превращения при нагревании и охлаждении сплавов теллургало-гонидных стеклообразующих систем. // I Национальный и П Всес. семинар по структурным превращения!,! и релаксационным явлениям в некристаллических твердых телах. Тбилиси. 1991. - С. 45.

Ята„,и*г СЧСГП.- ¿W. Mt ''У