Синтез кристаллического нитрида углерода в условиях лазерного и термобарического воздействия тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

Глава 1. Теоретические расчеты стабильности и свойств кристаллического нитрида углерода

Глава 2. Методы получения кристаллического нитрида углерода—

2.1 Методы, использующие реакции азота с продуктами испарение графита

2.1.1 Лазерное испарение графита

2.1.2. Испарение графита потоками высокоэнергетических частиц

2.2. Методы, основанные на имплантации азота в графит

Глава 3. Характеристики синтезированных пленок

3.1. Определение элементного состава

3.2. Рентгеновские и электронографические исследования

3.3. Колебательная спектроскопия

3.4. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

3.5. Масс-спектрометрические исследования

Глава 4. Обсуждение результатов, полученных в литературе задачи исследования

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Глава 1. Методы исследования и аппаратура

Глава 2. Лазерио-электроразрядный синтез пленок нитрида углерода

2.1. Экспериментальная установка

2.2. Изучение условий синтеза азот-углеродных пленок, содержащих кристаллический нитрид углерода

2.2.1. Влияние лазерного излучения

2.2.2. Влияние кристаллографической структуры подложки

2.2.3. Влияние очистки поверхности подложки

2.2.4. Влияние характеристик электрического разряда и положения подложки относительно мишени

2.2.5. Влияние магнитного поля

Глава 3. Характеристики синтезированных пленок

3.1 Изучение структуры синтезированных пленок

3.1.1. ИК спектроскопия

3.1.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

3.1.3. Рентгеноструктурный анализ (определение фазового состава материала)

3.2. Изучение состава синтезированных пленок

3.2.1. Химический метод

3.2.2. Физический метод

Глава 4. Получение и характеризация объемных образцов кристаллического нитрида углерода при высоких давлениях и температурах

4.1. Исходные вещества

4.2. Аппаратура и методика проведения экспериментов при высоком давлении

4.3. Характеристики полученных объемных образцов кристаллического нитрида углерода

4.3.1. Изучение методом РФС

4.3.2. Исследование поверхности объемных образцов методом сканирующей электронной микроскопии

4.3.3. Рентгеновские и электронографические измерения объемных образцов

Актуальность темы. Разработка методов получения новых сверхтвердых материалов является приоритетным направлением современной науки. В 1989 г. Лиу и Коэен [1] на основе квантово-механических расчетов предсказали возможность существования нового материала - кристаллического нитрида углерода (Р-Сз1Ч4), который должен обладать твердостью, сравнимой с твердостью алмаза.

В последующие годы было выполнено большое число работ, посвященных синтезу кристаллического нитрида углерода (Р-С31ЧГ4), который однако был получен только в виде отдельных кристаллитов, локально существующих в пленке из аморфного нитрида углерода. Такую пленку получали на поверхности материала, структура которого способствовала образованию кристаллической фазы Р-СзЫ4 в процессе синтеза. Полученные пленки имели состав, в котором относительное содержание азота и углерода было меньше, чем стехиометрическое для С31чГ4, что, повидимому, связано с более низким содержанием азота в аморфной матрице. Твердость пленки была высокой, но не достигала предсказанных для кристаллического нитрида углерода значений. В ряде работ [2, 3] было показано, что синтезированные пленки обладают уникальными электрическими характеристиками. Во всех экспериментах кристаллического вещества было слишком мало, чтобы провести полный анализ его структуры.

Очевидно, что для однозначного определения свойств и структуры кристаллического нитрида углерода необходимо синтезировать объемные образцы индивидуального кристаллического нитрида углерода, которые до настоящего времени получены не были.

Постановка задачи работы. Известны аморфные нитриды углерода, твердость которых значительно меньше твердости алмаза. Молекулярная структура некоторых этих соединений содержит фрагменты, которые могли бы стать составными частями упорядоченной кристаллической структуры. Воздействие сверхвысоких давлений и температуры является хорошо известным способом получения кристаллической структуры (например, алмаза из графита). Причем для успешного протекания такого процесса необходимо применение затравок кристаллизации. По аналогии превращения графита в алмаз можно ожидать кристаллизации аморфного нитрида углерода в условиях термобарического воздействия, а в качестве затравок кристаллизации могли бы быть использованы азот-углеродные пленки, содержащие кристаллический нитрид углерода.

Цель работы; Разработка комбинированного лазерно-электроразрядного метода синтеза пленок кристаллического нитрида углерода; получение объемных образцов кристаллического нитрида углерода при воздействии высокого давления и температуры на аморфный нитрид углерода в присутствии в качестве затравок пленок, содержащих кристаллический нитрид углерода.

Научная новизна: Разработан новый метод получения пленок кристаллического нитрида углерода, основанный на взаимодействии компонент азотной плазмы с продуктами испарения графита при одновременном воздействии лазерного излучения и электрического разряда. Предложено использовать полученные пленки в качестве затравок для кристаллизации аморфного нитрида углерода при высоких давлениях и температуре. Найдены условия превращения аморфного нитрида углерода в кристаллический.

Практическая ценность работы: показана принципиальная возможность получения объемных образцов кристаллического C3N4 при воздействии высокого давления и температуры на аморфный нитрид углерода в присутствии в качестве затравок пленок, содержащих кристаллический нитрид углерода.

На защиту выносится: 1) новый лазерно-электроразрядный метод синтеза кристаллического нитрида углерода; 2) создание установки для его получения; 3) применение пленок, содержащих кристаллический C3N4; в качестве затравок для кристаллизации аморфного нитрида углерода в термобарических условиях; 4) результаты исследований характеристик пленок и объемных образцов кристаллического нитрида углерода методами рентгеновской дифракции, масс - спектроскопии вторичных ионов (МСВИ), рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС), сканирующей электронной микроскопии, Оже - электронной спектроскопии, инфракрасной (ИК) - спектроскопии, электронной дифракции.

Апробация работы: Основные результаты работы докладывались на 4-ой Международной конференции IUMRS-ICA-97, Япония, 1997; XII Международной конференции по технологии имплантации ионов, Япония, 1998; Международной конференции EUROCARBON '98, Франция, 1998, Международной конференции CLEO/EUROPE-EQEC '98, Англия, 1998; Международной конференции по нанотехнологии углерода и родственных материалов, Англия, 1998; Международном симпозиуме по исследованиям и технологии углеродных материалов, Япония, 1998 ;Ежегодном семинаре по экспериментальной минералогии, петрологии и геохимии, Москва, 1999; 6-ой Международной конференции IUMRS-ICAM-99, Китай, 1999; Международной конференции CLEO/Pasific -Rim '99, Южная Корея, 1999.

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

Начиная с момента предсказания (1989 г.) возможности существования при нормальных условиях кристаллического нитрида углерода C3N4, число публикаций, посвященных исследованиям в области синтеза и характеристик кристаллических азот-углеродных соединений непрерывно увеличивается. За период с 1989 г. по настоящее временя число публикаций достигло уже 180. В данной главе приведен обзор результатов работ по синтезу и исследованию кристаллического C3N4, опубликованных в литературе до начала нашей работы, т.е. до 1997 г. Результаты исследований, опубликованные в литературе в последующие годы, рассматриваются при обсуждении полученных результатов настоящей работы.

Следует отметить, что в литературе до настоящему времени отсутствуют сведения о синтезе объемных образцов кристаллического нитрида углерода C3N4.

выводы

1. Разработан лазерно-электроразрядный метод получения пленок, содержащих кристаллический нитрид углерода, основанный на взаимодействии продуктов лазерного испарения углерода с компонентами азотной плазмы. Разработана и создана экспериментальная установка для получения таких пленок.

2. Показано, что способ с использованием лазерного излучения при синтезе пленок нитрида углерода в отличии от способа синтеза без использования лазера: а) увеличивает в 2 раза скорость осаждения пленок на подложке из 81 (100); б) изменяет характер связей атомов углерода и азота в синтезированных пленках; в) на поверхности пленок образуются более крупные сферические образования.

3. На основании физико-химических исследований изучены структура и состав полученных пленок:

- методом рентгеновской дифракции показано наличие кристаллических соединений С3М4 в структурных типах а- и/ или (З^з^;

- методами ИК и РФС установлено наличие кратных С-Ы связей в соединениях, входящих в состав пленок;

- методом сканирующей электронной микроскопии на поверхности пленок обнаружены сферические образования, размеры которых увеличиваются при наложении на азотную плазму магнитного поля;

- методами МСВИ и РФС показано, что атомы углерода и азота равномерно распределены по толщине пленки за исключением тонкого поверхностного слоя;

- методами РФС и Оже - спектроскопии показано что процентное содержание азота в полученных пленках оказалось равным около 20 %.

4. Разработан метод кристаллизации аморфного нитрида углерода. Метод основан на термобарическом воздействии на аморфный нитрид углерода, используя в качестве "затравок" кристаллизации полученные пленки, содержащие кристаллический нитрид углерода.

5. Методами электронной дифракции, рентгеновской дифракции и РФС показано, что при термобарической обработке аморфного нитрида углерода (давление 70 кбар и температура 550 °С) образуется кристаллические фазы (в том числе ß-C3N4), если в качестве "затравок" используются полученные пленки.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Прошло почти 10 лет с момента появления первой публикации о потенциальных возможностях нового перспективного материала -кристаллического нитрида углерода. За этот период было опубликовано огромное количество работ, где сообщалось о различных методах синтеза этого соединения. В последние годы появились интересные обзоры, критически рассматривающие попытки синтеза различными методами [161—163]. Как уже отмечалось выше, в результате во всех работах (кроме одной - [158]) были получены и исследованы лишь пленки кристаллического нитрида углерода. Даже после начала наших исследований (т.е. после 1996 года) многочисленные попытки синтеза этого соединения с помощью новых методов не всегда увенчивались успехом, и авторы, вместо кристаллического, получали аморфный продукт [164—172]. Поэтому совершенно естественно, что за этот период встречаются работы, посвященные характеризации пленок аморфного нитрида углерода. Для исследования слоистых структур аморфного нитрида углерода использовались методы РФС и Оже спектроскопии [173], эти пленки изучались методом нейтронной дифракции [174]. Аморфные соединения были получены даже при использовании таких очень трудоемких методов, как бомбардировка графита ионами азота с энергией до 35 кэВ [169], или таких экзотических, как использование пучков ионов фуллеренов С60 [172], а также применение импульсного высоковольтного ионно-электронного диода с взрывной эмиссией [175].

Отмечались попытки использовать термобарический синтез. Так были исследованы устойчивость парациана при сверхвысоких давлениях и температуре для возможного использования этого соединения в термобарическом синтезе кристаллического нитрида углерода [176]. Однако синтез этого продукта не был осуществлен этими авторами.

Следует выделить работы за последние три года, посвященные изучению механизма образования кристаллического нитрида углерода при воздействии лазерного излучения на графитовую мишень с последующим введением частиц углерода в радиочастотную азотную плазму, в атмосферу азота или аммиака [177, 178]. Исследования проводили in-situ оптическим эмиссионным или масс-спектрометрическим методами. Наибольшее содержание азота в полученных пленках было 40%.

Несмотря на то, что до настоящего времени не получено образцов, содержащих 100% кристаллического нитрида углерода со структурой |3-C3N4, в последние годы появились многообещающие работы, в которых изучались свойства уже полученных пленок, содержащих это соединение наряду с другими примесями. Так отмечается, что полученные пленки обладают огромным электрическим сопротивлением - до 108 Q-cm [2, 3]. Изучение механических свойств этих пленок показало, что они одновременно обладают хорошей эластичностью и высокой твердостью, а также хорошей адгезией [171, 179—181], поэтому они перспективны для получения твердых покрытий, например, для жестких дисков компьютеров. Эти работы вселяют уверенность, что исследования, направленные на синтез и изучение свойств кристаллического нитрида углерода, имеют хорошее будущее.

1. Amy Y. Liu and Marvin L. Cohen, "Prediction of New Low Compressibility Solids", Science V.245, pp.841-842, 1989.

2. J. Bulir, M. Jelinek, V. Vorlicek, J. Zemek, V. Perina, "Study of nitrogen pressure effect on the laser-deposition amorphous carbon films", Thin Solid Films V.292, pp.318-323, 1997.

3. Z. John Zhang, Shoushan Fan, Jinlin Huang, and Charles M. Lieber, "Pulsed Laser deposition and physical properties of carbon nitride thin films", J. Electronic Materials, V.25, N.l, pp.57-61, 1996.

4. Amy Y. Liu and Marvin L. Cohen, "Structural properties and electronic structure of low-compressibility material: (3-Si3N4 and hypothetical P-C3N4", Phys. Rev. B, V. 41, N.15, pp.10727-10734, 1990.

5. J. J. Cuomo, D. L. Pappas, J. Bruley, J. P. Doyle, "Vapor deposition processes for amorphous carbon films with sp fractions approaching diamond", J. Appl. Phys., V.70, N.3, pp. 1706-1711, 1991.

6. J. L. Corkill and M. L. Cohen, "Calculated quasiparticle band gap of (3-C3N4", Phys. Rev. B, V.48, N.23, pp. 17622-17624, 1993.

7. Amy Y. Liu, Renata M. Wentzcovvitch, "Stability of carbon nitride solids", Phys. Rev. B, V.50, N.14, pp.10362-10365, 1994.

8. H. Yao, W. Y. Ching, "Optical properties of p-C3N4 and its pressure dependence", Phys. Rev. B, V.50, N.15, pp.11231-11234, 1994.

9. Armando Reyes-Serrato, Donald H. Galvan, I. L. Garzon, "Ab initio Hartree-Fock study of structural and electronic properties of (3-Si3N4 and (3-C3N4 compounds", Rev. B, V.52, N.9, pp.6293-6300, 1995.

10. Y. Guo, W. A. Goddard III, "Is carbon nitride harder than diamond? No, but its girth increases when stretched (negative Poisson ratio)", Chem. Phys. Lett. Y.237, pp.72-76, 1995.

11. David M. Teter and Russell J. Hemley, "Low-Compressibility Carbon Nitrides", Science V.271, pp.53-55, 1996.

12. J. Martin-Gil, F. J. Martin-Gil, M. Sarikaya, M. Qian, M. Jose-Yacaman, A. Rubio, "Evidence of a low compressibility carbon nitride with defect-zincblende structure", J. Appl. Phys. V.81, N.6, pp.2555-2559, 1997.

13. M. Cote and M. L. Cohen, "Carbon nitride compounds with 1:1 stoichiometry", Phys. Rev. B, V.55, N.9, pp.5684-5688, 1997.

14. F. Weich, J. Widany, and Th. Frauenheim, "Paracyanogenlike Structure in high-density amorphous carbon nitride", Phys. Rev. Lett. V.78, N.17, pp.3326-3329, 1997.

15. Chunming Niu, Yuan Z. Lu, Charles M. Lieber, "Experimental Realization of the Covalent Solid Carbon Nitride", Science V.261, pp.334-337, 1993.

16. Z. Wu, Y. Yu, and X. Liu, "Characterization of carbon nitride films synthesized by single-source ion beam enhanced deposition system", Appl. Phys. Lett. V.68, N.9, pp.1291-1293, 1996.

17. Kin Man Yu, Marvin L. Cohen, E. E. Haller, W. L. Hansen, Amy Y. Liu, I. C. Wu, "Observation of crystalline C3N4", Phys. Rev. B, V.49, N.7, pp.50345037, 1994.

18. X. Wang, P. J. Martin, T. J. Kinder, "Optical and mechanical properties of carbon nitride films prepared by ion-assisted arc deposition and magnetron sputtering", Thin Solid Films V.256, pp. 148-154, 1995.

19. S. Veprek, J. Weidmann, and F. Glatz, "Plasma chemical vapor deposition and properties of hard C3N4 thin films", J. Vac. Sci. Technol. A, V.13, N.6, pp.29142919, 1995.

20. Y. Chen, L. Guo, F. Chen, and E. G. Wang, "Synthesis and characterization of C3N4 crystalline on silicon", J. phys.: Condens. Matter; V.8, pp.L685-L690, 1996.

21. Y. Zhang, Z. Zhou, H. Li, "Crystalline carbon nitride films formation by chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett., V.68, N.5, pp.634-636, 1996.

22. J. H. Kim, Y. H. Kim, D. J. Choi, H. K. Baik, "Structural properties of amorphous carbon nitride films prepared by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition", Thin Solid Films V.289, pp.79-83, 1996.

23. Zhong-Min Ren, Yuan-Cheng Du, Yuanxun Qiu, Jia-Da Wu, Zhi-Feng Ying, Xia-Xing Xiong, and Fu-Ming Li, "Carbon nitride thin films synthesized by combined ion-beam and laser ablation processing", Phys. Rev. B, V.51, N.8, pp.5274-5277, 1995.

24. M. C. Polo, R. Aguiar, P. Serra, L. Cleries, M. Varela, J. Esteve, "Carbon nitride thin films obtained by laser ablation of graphite in a nitrogen plasma", Applied Surface Science V.96-98, pp.870-873, 1996.

25. Z. John Zhang, Shoushan Fan, Jinlin Huang, and Charles M. Lieber, "Diamondlike properties in a single phase carbon nitride solid", Appl. Phys. Lett. V.68, N.19, pp.2639-2641, 1996.

26. M. Tabbal, P. Merel, S. Moisa, M. Chaker, A. Ricard, M. Moisan, "X-ray photoelectron spectroscopy of carbon nitride films deposited by graphite laser ablation in a nitrogen postdischarge", Appl. Phys. Lett., V.69, N.12, pp.1698-1700, 1996.

27. P. T. Murray, M. Y. Chen, "Formation of C3N4 clusters by laser ablation of nitrided graphite", Surface Review and Letters, V.3, N.l, pp.197-199, 1996.

28. Z. John Zhang, Shoushan Fan, and Charles L. Lieber, "Growth and composition of covalent carbon nitride solids", Appl. Phys. Lett. V.66, N.26, pp.3582-3584, 1995.

29. Z. John Zhang, Peidong Yang, Charles M. Lieber, "Growth and properties of carbon nitride thin films", Mat. Res. Soc. Symp. V.388, pp.271-280, 1995.

30. Z. John Zhang, Jinlin Huang, Shoushan Fan, Charles M. Lieber, "Phase and physical properties of carbon nitride thin films prepared by pulsed laser deposition", Mat. Sci. Engin. A, V.209, pp.5-9, 1996.

31. H. W. Song, F. Z. Cui, X. M. He, W. Z. Li and H. D. Li, "Carbon nitride films synthesized by NH3-ion-bean-assiated deposition", J. Phys.:Condens Matter; V.6, N.31, pp.6125-6129, 1994.

32. X. W. Su, H. W. Song, Q. Y. Zhang, F. Z. Cui, "Nitrogen ion implantation into the amorphous C-N films prepared with ion beam assisted deposition", Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B, V.l 11, pp.59-62, 1996.

33. F. Fujimoto, and K. Ogata, "Formation of carbon nitride films by means of Ion assisted dynamic mixing (IVD) method", Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, V.32, N.3B, pp.L420-L423, 1993.

34. P. Hammer, M. A. Baker, C. Lenardi, W. Gissler, "Ion beam deposited carbon nitride films: characterization and identification of chemical sputtering", Thin Solid Films V.290-291, pp. 107-111, 1996.

35. Dong Li, Yip-Wah Chung, Ming-Show Wong, and William D. Sproul, "Nano-indentation studies of ultrahigh strength carbon nitride thin films", J. Appl. Phys. V.74, N.l, pp.219-223, 1993.

36. M. Y. Chen, D. Li, X. Lin, V. P. Dravid, Y. W. Chung, M. S. Wong, and W. D. Sproul, "Analytical electron microscopy and Raman spectroscopy", J. Vac. Sci. Technol. A, V.ll, N.3, pp.521-524, 1993.

37. H. Sjostrom, S. Stafstrom, M. Boman, and J.-E. Sundgren, "Superhard and Elastic Carbon Nitride Thin Films Having Fullerenelike Microstructure", Phys. Rev. Lett. V.75, N.7, pp.1336-1339, 1995.

38. S. Lopez, M. S. Wong, and W. D. Sproul, "Thermal behavior of carbon nitride and TiN/NbN superlattice films", J. Vac. Sci. Technol. A, V.13, N.3, pp. 1644-1648, 1995.

39. D. Li, X. W. Lin, S. C. Cheng, V. P. Dravid, and Y. W. Chung, "Structure and hardness studies of CNx/TiN nanocomposite coatings", Appl. Phys. Lett. V.68,N.9, pp.1211-1213, 1996.

40. H. Sjostrom, L. Hultman, J. -E. Sundgren, S. V. Hainsworth, T. F. Page, G. S. A. M. Theunissen, "Structural and mechanical properties of carbon nitride CNX (0.2 < x < 0.35) films", J. Vac. Sci. Technol. A, V.14, N1, pp.56-62, 1996.

41. S. Kamatsu, Y. Hirohata, S. Fukuda, T. Hino, and T. Yamashina, "Preparation and characterization of reactively sputtered SiCxNy films", Thin Solid Films, V. 193-194, pp.917-923, 1990.

42. S. Kumar and T. L. Tansley, "Elemental composition and microstructure of reactively sputtered carbon nitride thin films", J. Appl. Phys. V.76, N.7, pp.4390-4392, 1994.

43. T. Okada, S. Yamada, Y. Takeuchi, and T. Wada, "Formation of carbon nitride films with high N/C ratio by high-pressure ratio frequency magnetron sputtering", J. Appl. Phys. V.78, N.12, pp.7416-7418, 1995.

44. R. Kaltofen, T. Sebald, G. Weise, "Plasma diagnostic studies to the carbon nitride film deposition by reactive RF magnetron sputtering", Thin Solid Films V.290-291, pp.112-119, 1996.

45. S. Kumar, K. S. A. Butcher, and T. L. Tansley, "X-ray photoelectron spectroscopy characterization of radio frequency reactively sputtered carbon nitride thin films", J. Vac. Sci. Technol. A, V.14, N.5, pp.2687-2692, 1996.

46. Zhou Zhibin, Cui Rongqiang, "Preparation of carbon nitride films and photovoltaic property of C-N/CuInSe2 heterojunction", Chinese Science Bulletin, V.41, N.19, pp. 1618-1622, 1996.

47. Y. A. Li, Z. B. Zhang, S. S. Xie, G. Z. Yang, "Stoichiometric growth of polycrystalline C3N4 thin films", Chem. Phys. Lett., V.247, pp.253-356, 1995.

48. M. Chhowalla, I. Alexandrou, C. Kiely, G. A. J. Amaratunga, R. Aharonov, R. F. Fontana, "Investigation of carbon nitride films by cathodic arc evaporation", Thin Solid Films V.290-291, pp.103-106, 1996.

49. A. Bousetta, M. Lu, A. Bensaoula, A. Schultz, "Formation of carbon nitride films on Si(100) substrates by electron cyclotron resonance plasma assisted vapor deposition", Appl. Phys. Lett. V.65, N.6, pp.696-698, 1994.

50. A. Bousetta, M. Lu, and A. Bensaoula, "Physical properties of thin carbon nitride films deposited by electron cyclotron resonance assisted vapor deposition", J. Vac. Sci. Technol. A, V.13, N.3, pp.1639-1643, 1995.

51. X. W. Su, H. W. Song, F. Z. Cui and W. Z. Li, "Observations of Laue pattern and stability of f3-C3N4 grains", J. Phys.:Condens Matter; V.7, pp.L517-L552, 1995.

52. D. Marton, K. J. Boyd, A. H. Al-Bayati, S. S. Todorov, and J. W. Rabalais, "Carbon Nitride Deposited Using Energetic Species: A Two-Phase System", Phys. Rev. Lett. V.73, N.l, pp.118-121, 1994.

53. He Xiaoming, Li Wenzhi, Li hengde, "Structure and properties of carbon nitrogen films synthesized by ion beam-assisted deposition", Chinese Science Bulletin V.40, N.20, pp.1752-1757, 1995.

54. Ren Zhong-Min, Du Yuan-Cheng, Ying Zhi-Feng, Li Fu-Ming, Lin Jing, Ren Yun-Zhu, Zong Xiang-Fu, "Characterization of carbon nitride films modified by low energy ion-beam bombardment", Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, V.117, pp.249-252, 1996.

55. K. J. Boyc, D. Marton, S. S. Todorov, A. H. Al-Bayati, J. Kulik, R. A. Zuhr, and J.W. Rabalais, "Formation of C-N thin films by ion Beam deposition", J. Vac. Sci. Technol. A, V.13,N.4, pp.2110-2122, 1995.

56. Tian Yongjun, Ren Xuejun, Yu Dongli, He julong, Zeng Huarong, Chen Shizhen, Li Dongchun, Yu Richeng, Zhang Ming, Zhang Jun, Wang Wenkui, "C-N thin films prepared by ion beam sputtering", Chinese Science Bulletin V.41, N. 12, pp. 103 8-1041, 1996.

57. T. Y. Yen, and C. P. Chou, "Growth and characterization of carbon nitride thin films prepared by arc plasma jet chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett, V.67, N.19, pp.2801-2803, 1995.

58. D. H. Lee, B. Park, D. B. Poker, L. Riester, Z. C. Fing, J. E. E. Baglin, "Surface hardness enhancement in ion-implanted amorphous carbon", J. Appl. Phys. V.80, N.3, pp.1480-1484, 1998.

59. N. Laidani, A. Miotello, J. Perriere, "Chemical, mechanical and electrical properties of CNx-films produced by reactive sputtering and N+-implantation in carbon films", Appl. Surf. Sci, V.99, pp.273-284,1996.

60. A. Hoffman, I. Gouzman, and R. Brener, "Possibility of carbon nitride formation by low-energy nitrogen implantation into graphite: In site electron spectroscopy studies", Appl. Phys. Lett, V.64, N.7, pp.845-847, 1994.

61. Y. S. Gu, L. Q. Pan, X. R. Chang, Z. Z. Tian, "Carbon nitride films prepared by ion implantation", J. Mater. Sci. Lett, V.15, pp.1355-1357, 1996.

62. F. Link, H. Baumann, A. Markwitz, E. F. Krimmel, K. Bethge, "low-energy 15N implantation in carbon for the synthesis of carbon nitride layer", Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, V.l 13, pp.235-238, 1996.

63. J. H. Kim, D. H. Ahn, Y. H. Kim, H. K. Baik, "Characterization of amorphous hydrogenated carbon nitride films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using a helical resonator discharge", J. Appl. Phys, V.82, N.2, pp.658-665,1997.

64. E. J. Chi, J. Y. Shim, and H. K. Baik, "Fabrication of amorphous carbon nitride field emitters", Appl. Phys. Lett, V.71, N.3, pp.324-326, 1997.

65. S. Kobayashi, S. Nozaki, H. Morisaki, and S. Masaki, "Hydrogenated carbon nitride thin films deposited by the plasma chemical vapor deposition technique using trimethylamine and ammonia", Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, V.36, N.8, pp.5187-5191, 1997.

66. M. Zhang, P. Wang, Y. Nakayama, "Formation of carbon nitride films by thr RF plasma chemical vapor deposition method", Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, V.36, N.7B, pp.4893-4896, 1997.

67. R. Alexandrescu, R. Cireasa, G. Pugna, A. Crunteanu, S. Petcu, I. Morjan, I. N. Mihailescu, A. Andrei, "CNX thin films obtained by laser induced CVD in different gas-substrate systems", Applied Surface Science, V.109-110, pp.544-548, 1997.

68. X.-A. Zhao, C. W. Ong, Y. C. Tsang, Y. W. Wong, P. W. Chan, and C. L. Choy, "Reactive pulsed laser deposition of CNX films", Appl. Phys. Lett., V.66, N.20, pp.2652-2654, 1995.

69. E. D. Anna, A. Luches, A. Perrone, S. Acquaviva, R. Alexandrescu, I. N. Mihailescu, J. Zemek, G. Majni, "Deposition of C-N films by reactive laser ablation", Applied Surface Science, Y.106, pp. 126-131, 1996.

70. J. H. Kaufman and S. Metin, "Symmetry breaking in nitrogen-doped amorphous carbon: Infrared observation of the Raman-active G and D bands", Phys. Rev. B, V.39, N.18, pp.13053-13060, 1989.

71. N. Nakayama, Y. Tsuchiya, S. Tamada, K. Kosuge, "Structural properties of amorphous carbon nitride films prepared by reactive RF-magnetron sputtering", Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, V.32, N.10A, pp.L1465-L1468, 1993.

72. D. Li, S. Lopez, Y. W. Chung, M. S. Wong, and W. D. Sproul, "Ionized magnetron sputter deposition of amorphous carbon nitride thin films", J. Vac. Sci. Technol. A, V.13, N.3, pp. 1063-1066, 1995.

73. S. Kumar, T. I. Tansley, "Structural study of reactively sputtered carbon nitride thin films", Thin Solid Films V.256, pp.44-47, 1995.

74. D. F. Franceschini, F. L. Freire, and S. R. P. Silva, "Influence of precursor gases on the structure of plasma deposited amorphous hydrogenated carbon-nitrogen films", Appl. Phys. Lett., V.68, N.19, pp.2645-2647, 1996.

75. A. Mansour and D. Ugolini, "Photoelectron-spectroscopy study of amorphous a-CNx:H", Phys. Rev. B, V.47, N.16, pp. 10201-10209, 1993.

76. A. Khurshudov, K. Kato, and S. Daisuke, "Comparison of tribological properties of carbon nitride protective coatings over magnetic media", J. Vac. Sci. Technol. A, V.14, N.5, pp.2935-2939, 1996.

77. S. Kobayashi, K. Miyazaki, S. Nozaki, and H. morisaki, S. Fukui and S. Masaki, "Nitrogen ion irradiation during the deposition of CixNx thin films by ion beam sputtering technique", J. Vac. Sci. Technol. A, V.14, N.3, pp.777-780, 1996.

78. Kiyoshi Ogata, Jose Fernando Diniz Chubaci, Fuminori Fujimoto, "Properties of carbon nitride films with composition ratio C/N=0.5-3.0 prepared by the ion and vapor deposition method", J. Appl. Phys., V.76, N.6, pp.3791-3796, 1994.

79. D. G. McCulloch, A. R. Merchant, "The effect of annealing on the structure of cathodic arc deposited amorphous carbon nitride films", Thin Solid Films V.290-291, pp.99-102, 1996.

80. S. P. Withrow and J. M. Williams, "New carbon nitride phase by high-dose N ion implantation in glassy carbon", J. Appl. Phys., V.78, N.5, pp.30603065, 1995.

81. J. Hartmann, A. Koniger, H. Huber, W. Ensinger, W. Assmann, B. Stritzker, B. Rauschenbach, "Characterization of high-fluence nitrogen ion implantedpyrolytic graphite", Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, V.117, pp.392396, 1996.

82. J. Zhao, N. Kang, J. Wang, and J. Xu, "Effect of thermal treatment on the structure and optical properties of carbon nitride films", Chinese Science Bulletin, V.41, N.21, pp. 1788-1792, 1996.

83. H. Xin, C. Lin, W Xu, L. Wang, and S. Zou, "Structural properties of carbon nitride films prepared by high dose nitrogen implantation into carbon thin films", J. Appl. Phys., V.79, N.5, pp.2364-2368, 1998.

84. A. R. Merchant, D. G. McCulloch, D. R. McKenzie, Y. Yin, L. Hall, and E. G. Gerstner, "Structural investigation of two carbon nitride solids produced by cathodic arc deposition and nitrogen implantation", J. Appl. Phys., V.79, N.9, pp.6914-6919, 1998.

85. S. Kummar, T. L. Tansley and L. S. Wielunski, "Structural characterization of reactively sputtered carbon nitride thin films with high nitrogen content", J. Phys. D: Appl. Phys.; V.28, pp.2335-2339, 1995.

86. S. A. Uglov, V. E. Shub, A. A. Beloglazov, V. I. Konov, "Carbon nitride -prospects for ultimate performance of super hard materials", Appl. Surf. Sci., V.92, pp.656-659, 1996.

87. S. Bhattacharyya, C. Cardinaud, and G. Turban, "Spectroscopic determination of the structure of amorphous nitrogenated carbon films", J. Appl. Phys., V.83, N.8, pp.4491-4500, 1998.

88. P. Hammer, N. M. Victoria, and F. Alvarez, "Electronic structure of hydrogenated carbon nitride films", J. Vac. Sci. Technol. A, V.16, N.5, pp.2941-2949, 1998.

89. C. Jama, V. Rousseau, O. Dessaux, P. Goudmand, "Carbon nitride CNX film deposition assisted by IR laser ablation in a cold remote nitrogen plasma", Thin Solid Films V.302, pp.58-65, 1997.

90. Y. F. Lu, Z. M. Ren, W. D. Song, and D. S. H. Chan, "Electronic and optical properties of carbon nitride thin films synthesized by laser ablation under ion beam bombardment", J. Appl. Phys., V.84, N.4, pp.2133-2137, 1998.

91. К. Накамото, "ИК спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений", М., Мир, 1991.

92. А. Кросс, "Введение в практическую инфракрасную спектроскопию", М., Изд. иностран. литер., 1961.

93. P. Gonzalez, R. Soto, Е. G. Parada, X. Redondas, S. Chiussi, J. Serra, J. Pou, B. Leon, M. Perez-Amor, "Carbon nitride films prepared by excimer laser ablation", Applied Surface Science, V. 109-110, pp.380-383, 1997.

94. K. Saito, Y. Koga, "Characterization of carbon films produced by laser ablation of graphite in helium and nitrogen gas atmosphere", Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, V.121, pp.400-403, 1997.

95. R. Alexandrescu, F. Huisken, G. Pugna, A. Crunteanu, S. Petcu, S. Cojocasa, I. Morjan, "Preparation carbon nitride fine powder by laser induced gas-phase reactions", Appl. Phys. A, V.65, pp.207-213, 1997.

96. Y. K. Yap, S. Kida, T. Aoyama, Y. Mori, and T. Sasaki, "influence of negative dc bias voltage on structural transformation of carbon nitride at 600 °C", Appl. Phys. Lett., V.73, N.7, pp.915-917, 1997.

97. J. Q. Zhang, Y. Setsuhara, S. Miyake and B. Kyoh, "formation of carbon nitride films by helicon wave plasma enhanced dc sputtering", Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, V.36, N.l 1, pp.6894-6899, 1997.

98. W. T. Zheng, E. Broitman, N. Hellgren, K. Z. Xing, I. Ivanov, H. Sjostrom, L. Hultman, J. -E. Sundgren, "Reactive magnetron sputtering of CNx thin films at different substrate bias", Thin Solid Films V.308-309, pp.223-227, 1997.

99. P. Hammer, M. A. Baker, C. Lenardi, and W. Gissler, "Synthesis of carbon nitride films at low temperature", J. Vac. Sci. Technol. A, V. 15, N.l, pp. 107112, 1997.

100. N. Takada, K. Arai, S. Nitta, S. Nonomura, "Preparation and properties of reactive-sputtered amorphous CNX films", Applied Surface Science, V.113-114, pp.274-277, 1997.

101. J. Zhao, R. Z. Che, J. R. Xu, N. Kang, "The effect of high pressure on carbon nitride in situ measurements of micro photoluminescence and infrared spectra", Appl. Phys. Lett., V.70, N.21, pp.2781-2783, 1997.

102. R. Kaltofen, T. Sebald, G. Weise, "Low-energy ion bombardment effects in reactive rf magnetron sputtering of carbon nitride films", Thin Solid Films V.308-309, pp.118-125, 1997.

103. M. M. Lacerda, D. F. Franceschini, and F. L. Freire, "Carbon nitride thin films prepared by reactive sputtering: Elemental composition and structural characterization", J. Vac. Sci. Technol. A, V.15, N.4, pp.1970-1975, 1997.

104. J. Q. Xie, Y. Zheng, J. Y. Feng, "Investigations on structural properties of carbon nitride films synthesized by reactive ionized cluster beam deposition", Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, V.122, pp.239-243, 1997.

105. I. H. Murzin, G. S. Tompa, and E. W. Forsythe, J. Wei, V. Muratov, T. Fischer, "Use of sputtering and negative carbon ion source to prepare carbon nitride films", J. Vac. Sci. Technol. A, V.15,N.3, pp.1179-1184, 1997.

106. P. Prieto, C. Quiros, E. Elizalde, A. Fernandez, J. M. Martin, J. M. Sanz, "Carbon nitride films synthesized by dual ion beam sputtering", Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, V.122, pp.534-537, 1997.

107. Mei Zhang, Yoshikazu Nakayama, "Effect of ultraviolet light irradiation on amorphous carbon nitride films", J. Appl. Phys., V.82, N.10, pp.4912-4915, 1997.

108. M. Zhang, L. Pan, T. Miyazaki and Y. Nakayama, "Carbon nitride films produced using electron cyclotron resonance nitrogen plasmas", Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, V.36, N.7B, pp.4897-4900, 1997.

109. S. Muhl, A. Gaona-Couto, J. Manuel Mendez, S. Rodil, G. Gonzalez, A. Merkulov, R. Asomoza, "Production and characterization of carbon nitride thin films produced by a graphite hollow cathode system", Thin Solid Films V.308-309, pp.228-232, 1997.

110. Y. Taki, T. Kitagawa, O. Takai, "Shielded arc ion plating and structural characterization of amorphous carbon nitride thin films", Thin Solid Films V.304, pp.183-190, 1997.

111. T. R. Lu, C. T. Kuo, T. M. Chen, "Preparation of a novel target material for carbon nitride films deposition", Thin Solid Films V.308-309, pp. 126129, 1997.

112. Y. F. Lu, Z. M. Ren, W. D. Song, D. S. H. Chan, and T. S. Low, "Studies of carbon nitride thin films synthesized by KrF excimer laser ablation of graphite in a nitrogen atmosphere", J. Appl. Phys., V.84, N.5, pp.2909-2912, 1998.

113. H. W. Lu, X. R. Zou, J. Q. Xie, and J.Y. Feng, "Carbon nitride films synthesized by the reactive ionized cluster beam technique", J. Phys. D: Appl. Phys., V.31, pp.363-367, 1998.

114. A. Wei, D. Chen, N. Ke, W. Y. Cheung, S. Peng and S. P. Wong, "Effects of nitrogen on the structure and properties of highly tetrahedral amorphous carbon films", J. Phys. D: Appl. Phys., V.31, pp.1522-1526, 1998.

115. T. Komatsu, and M. Samejima, "Preparation of carbon nitride C2N by shock-wave compression of poly(aminomethineimine)", J. Mater. Chem., V.8, N.l, pp.193-196, 1998.

116. Y. A. Li, S. Xu, H. S. Li, W. Y. Luo, "Polycrystalline carbon nitride f3-C3N4 films synthesized by radio frequency magnetron sputtering", J. Mater. Sci. Lett, V.17, pp.31-35, 1998.

117. X. R. Zou, H. W. Lu, J. Q. Xie, J. Y. Feng, "Carbon nitride films synthesized with an improved reactive ionized cluster beam system", Nucl. Instru. Meth. Phys. Res. B, V.142, pp.486-492, 1998.

118. J. M. Mendez, A. Gaona-Couto, E. Andrade, J. C. Pineda, E. P. Zavala, S. Muhl, "Characterization of high nitrogen content carbon nitride thin films by RBS and infrared techniques", Nucl. Instru. Meth. Phys. Res. B, V.136-138, pp.231-235, 1998.

119. A. Wei, D. Chen, N. Ke, S. Peng, S. P. Wong, "Characterization of carbon nitride films prepared by magnetic filtered plasma stream", Thin Solid Films V.323, pp.217-221, 1998.

120. X. A. Zhao, С. W. Ong, Y. С. Tsang, К. F. Chen, C. L. Choy, P. W. Chan, R. W. M. Kwok, "Relationship between the structure and the optical and electrical properties of ion beam deposited CNX films", Thin Solid Films V.322, pp.245-253, 1998.

121. Б. В. Некрасов, "Основы общей химии", Т.З, М, Химия, с.381.

122. О. V. Kravchenko, K. P. Burdina, K. N. Semenenko, et. al, "Synthesis and some properties of amorphous carbon nitride C3N4", Exper. Geosci, V.6, pp.64-65, 1997.

123. S. I. Kudryashov, О. V. Kravchenko, G. M. Khafizova, K. P. Burdina, N. B. Zorov and Yu. Ya. Kuzyakov, "Photoacoustic detection of the parameters of laser vaporization of amorphous carbon nitride", Mendeleev Commun, N.2, pp75-76, 1998.

124. N. Xu, Y. Du, Z. Yang, Z. Ren, F. Li, J. Lin, Y. Ren, and X. Zong, "Optical emission spectroscopy of the nitrogen arc in an arc-heated beam source used for synthesis of carbon nitride films", J. Phys. D: Appl. Phys, V.30, pp. 13701376, 1997.

125. P. Merel, M. Chaker, M. Tabbal, M. Moisan, "The influence of atomic nitrogen flux on the composition of carbon nitride films", Appl. Phys. Lett, V.71, N.26, pp.3814-3816, 1997.

126. J. Bulir, M. Jelinek, V. Vorlicek, and K. Jurek, "Study of nitrogenated carbon coating deposited by PLD", Laser Physics, V.8, N.l, pp.358-361, 1998.

127. S. Csillag, R. Raty, and W. Y. Zou, "Extended energy loss fine structure analysis of hard and elastic carbon nitride thin films", J. Appl. Phys., V.82, N.2, pp.666-669, 1997.

128. S. Souto, and F. Alvarez, "The role of hydrogen in nitrogen-containing diamondlike films studied by photoelectron spectroscopy", Appl. Phys. Lett., V.70, N.12, pp.1539-1541, 1997.

129. X. -A. Zhao, C. W. Ong, Y. C. Tsang, C. L. Choy, and P. W. Chan, "Structure and mechanical properties of dual-ion-beam deposited CNxTiy/TiN multilayers", J. Vac. Sci. Technol. A, V.15, N.l, pp.99-106, 1997.

130. M. Kohzaki, A. Matsumuro, T. Hayashi, M. Muramatsu, K. Yamaguchi, "Preparation of carbon nitride thin films by ion beam assisted deposition and their mechanical properties", Thin Solid Films V.308-309, pp.239-244, 1997.

131. K. Wu, E. G. Wang, J. Qing, and G. Xu, Electron cyclotron resonance assisted chemical vapor deposition of carbon nitride films on diamond", J. Appl. Phys, V.83, N.3, pp. 1702-1704, 1997.

132. L. C. Chen, D. M. Bhusari, C. Y. Yang, K. H. Chen, T. J. Chuang, M. C. Lin, C. K. Chen, Y. F. Huang, "Si-containing crystalline carbon nitride derived from microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition", Thin Solid Films V.303,pp.66-75, 1997.

133. L. P. Guo, Y. Chen, E. G. Wang, L. Li, Z. X. Zhao, "Identification of a new C-N phase with monoclinic structure", Chem. Phys. Lett, V.268, pp.26-30, 1997.

134. N. Laidani, A. Miotello, A. Gilisenti, C. Bottani and J. Perriere, "Microstructure characterization of carbon films and CNX films produced by NT implantation", J. Phys.:Condens. Matter, V.9, pp.1743-1761, 1997.

135. I. F. Husein, S. Qin, Y. Z. Zhou, C. Chen, "Plasma immersion ion implantation for materials modification and semiconductor processing: Carbon nitride films and poly-Si TFTs hydrogenation", Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, V.121, pp.226-230, 1997.

136. J. Hartmann, P. Siemroth, B. Schultrich, B. Rauschenbach, "Characterization of carbon nitride produced by high-current vacuum arc deposition", J. Vac. Sci. Technol. A, V.15, N.6, pp.2983-2987, 1997.

137. S. Taki, T. Kitakawa, and O. Takai, "Amorphous carbon nitride hard coatings by multistep shielded arc ion plating", Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, V.36, N.7B, pp.4901-4906, 1997.

138. S. Souto, M. Pickholz, M. C. dos Santos, and F. Alvarez, "Electronic structure of nitrogen-carbon alloys (a-CNx) determined by photoelectron spectroscopy", Phys. Rev. B, V.57, N.4, pp.2536-2540, 1998.

139. C. Ronning, H. Feldermann, R. Merk, and H. Hofsass, P. Reninke, J. U. Thiele, "Carbon nitride deposited using energetic species: A review on XPS studies", Phys. Rev. B, V.58, N.4, pp.2207-2215, 1998.

140. F. Kokai, K. Yamamoto, Y. Koga, S. Fujiwara, R. B. Heimann, "Characterization of ablation plumes and carbon nitride films produced by reactive pulsed laser deposition in the presence of a magnetic field", Appl. Phys. A, V.66, pp.403-406, 1998.

141. D. He, F. Zhang, X. Zhang, M. Zhang, R. Liu, Y. Xu and W. Wang, "Synthesis of C3N4 crystals under high pressure and high temperature", Sci. in China (Ser. A), V.41, N.4, pp.405-410, 1998.

142. S. Xu, Han-Shi Li, Yin-an Li, S. Lee, C.H.A. Huan, "On the structure and composition of polycrystalline carbon nitride films synthesized by reactive rf magnetron sputtering", Chem. Phys. Lett., V.287, pp.731-736, 1998.

143. Y. Chen, L. Guo, E. G. Wang, "Effect on selected-phase growth of crystalline C-N films by controlling nitrogen, hydrogen and methane mixture", J. Mater. Sci. Lett., V.16, pp.594-597, 1997.

144. John V. Badding, "Solid-State Carbon Nitrides", Advanced Materials, V.9, N.l 1, pp.877-885, 1997.

145. Charles M. Lieber and Z. John Zhang, "Synthesis of covalent carbonnitride solids: Alternative to diamond ?", Advanced Materials, V.6, N.6, pp.497-499, 1994.

146. Charles M. Lieber and Z. John Zhang, "Carbon nitride solids: potential alternative to diamond ?", Chemistry and Industry, V.20, pp.922-935, 1995.

147. Jiangtao Hu, Peidong Yang, Charles M. Lieber, "Nitrogen driven structural transformation in carbon nitride materials", Applied Surface Science, V.127-129, pp.569-573, 1998.

148. J. Hu, P. Yang, and C. M. Lieber, "Nitrogen-driven sp3 to sp2 transformation in carbon nitride materials", Phys. Rev. B, V.57, N.6, pp.R3185-R3188, 1998.

149. S. Lee, S. J. Park, S. G. Oh, W. M. Kim, J. H. Bae, B. K. Cheong, S. G. Kim, "Optical and mechanical properties of amorphous CN films", Thin Solid Films V.308-309, pp.135-140, 1997.

150. J. P. Zhao, X. Wang, Z. Y. Chen, S. Q. Yang, T. S. Shi, X. H. Liu, S. C. Zou, "Preparation of thin films by filtered arc deposition and ion assisted arc deposition", Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, V. 127-128, pp.817-820, 1997.

151. E. A. Romanovsky, O. V. Bespalova, A. M. Borisov, N. G. Goryaga, V. S. Kulikauskas, V. G. Sukharev, V. Zatekin, "On carbon nitride synthesis at high-dose ion implantation", Nucl. Instru. Meth. Phys. Res. B, V.139, pp.355-358, 1998.

152. O. Takai, Y. Taki, T. Kitagawa, "Deposition of carbon nitride thin films by arc ion plating", Thin Solid Films V.317, pp.380-383, 1998.

153. G. Dinescu, E. Aldea, G. Musa, M. C. M. van de Sanden, A. de Graaf, C. Ghica, M. Gartner, A. Andrei, "Characterization of carbon nitride thin films deposited by a combined RF and DC plasma beam", Thin Solid Films V.325, pp.123-129, 1998.

154. A. Czyzniewski, W. Precht, M. Pancielejko, P. Myslinski, W. Walkowiak, "Structure, composition and tribological properties of carbon nitride films", Thin Solid Films V.317, pp.384-387, 1998.

155. Z. M. Ren, Y. C. Du, Z. F. Ying, F. M. Li, J. Lin, Y. Z. Ren, X. F. Zong, "Carbon nitride films synthesized by nitrogen ion beam bombarding on C6o films", Alppl. Phys. A, V.64, pp.327-330, 1997.

156. J. Zemek, J. Zalman, A. Luches, "XAES and XPS study of amorphous carbon nitride layers", Appl. Surf. Sci, V.133, pp.27-32, 1998.

157. J. K. Walters, M. Kuhn, C. Spaeth, H. Fischer, F. Richter, R. J. Newport, "Neutron-diffraction studies of amorphous CNX materials", Phys. Rev. B, V.56, N.22, pp.14315-14321, 1997.

158. S. A. Korenev, A. J. Perry, A. Elkind, A. Kalmukov, "Deposition of carbon nitride films by vacuum ion diode with explosive emission", Thin Solid Films V.308-309, pp.233-238, 1997.

159. A. J. Stevens, T. Koga, C. B. Agee, C. M. Lieber, "Stability of CN materials at high pressure and temperature", J. Am. Chem. Soc., V.118, pp. 10900-10901, 1996.

160. M. Y. Chen, P. T. Murray, "Carbon nitride thin-films growth by pulsed laser deposition", J. Vac. Sci. Technol. A, V.16, N.4, pp.2093-2098, 1998.

161. K. Yamamoto, Y. Koga, K. Yase, S. Fujiwara and M. Kubota, "Formation of cubic phase carbon nitride solid by low energy nitrogen implantation into graphite", Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, V.36, N.2B, L230-L233, 1997.

162. M. Kuhn, C. Spaeth, R. Pintaske, S. Peter, F. Richter, A. Anders, "The effect of additional ion/plasma assistance in CNX film deposition based on a filtered cathodic arc", Thin Solid Films V.311, pp. 151-156, 1997.

163. E. Broitman, W. T. Zheng, H. Sjostron, I. Lvanov, J. E. Greene, and J. E. Sundgren, "Stress development during deposition of CNX thin films", Appl. Phys. Lett, V.72, N.20, pp.2532-2534, 1998.