Синтез, выращивание текстурированных керамических материалов и исследование физических свойств состава YBa2 Cu3 O7-b тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Pf G GO

1 ^ 'HD

1 J ! МОСКОВСКИЙ ШЕРГЕТИЧЕСКИЯ ИЮТГГУТ

На прамх рукописи

ЭШНИЯЗОВ ОДШ ИСМОИЛОВИЧ

СИНТЕЗ, ШР/Д13АН1Е ТЕКСТУ РИРОВАНШ КЕРАЮТЕСШ МАТЕРИАЛОВ И ИССедОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СОСТАВА yaa2C:(307_ у

Специальность 01.04.10 - физика подупроводкяяов и дизлзктриков

Í

АВТОРЕФЕРАТ ,

диссертации на соисхенае ученой степени кандидата физнко-ывтеиатнчэскшс наук

¡locKDa 1993

Работа выполнена на кафедре "Физика и технология электротехнических материалов и компонентов" в Московском энергетическом институте,

Научный руководитель - донтор технических наук профессор Арсеньев П.А.

Официальные оппоненты - доктор фиэ.-мат.наук профессор Сигов A.C.

- кандидат технических наук старший научный сотрудник Яркемский В.Г.

Ведущая организация - Институт Информатики

Защита диссертации состоится "J?"¿Z/s/Vj1993 г. • в /у ^^час, »и заседании специолизированйого ученого Совета K-053.I6.0G а Московской энергетическом институте по адресу: Москва, Е-250, Красноказарменная ул., доа. 14, ауд. pz^L^L.-

Отзывы в двух экземплярах, заверенные печатью, проси« направлять по адресу: 105835, ГСП, Москва, Е-250, Красноказарменная ул., дон. 14, Ученый Совет МЭИ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МЭИ.

Автореферат разослан "S 1993г.

Ученый секретарь специализированного Совета K-053.I6.08

кандидат физико-матеыатических (иук,

доцент КАРЕТНИКОВ И.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темыт Для ускорения научно-технического прогресса актуальной является задача пирокого пояска и применения новых материалов. Цатериады на основе простых и сложких оксидов вироко используются практически во всех отраслях промышленности,особенно в электронной техшке и позволяют не только расширить области применения ужо известных материалов, но и открывать принципиально ноашз-об ласти их применения.

Новые высокотемпературные сверхпроводники имеют иирокие возможности их практического применения в шгнитах, в ЭВМ, в устройствах Двоэефсона, для передачи энергии и т.д. Успех их применения будет зависеть от многих факторов: вехичини критического поля и критического тока, механических свойств и химической стабильности сверхпроводникового материала.

Именно поэтому, данная работа, посвяцонная поиску и исследовании свойств новых ЕТСП материалов, соверяенствовагаш методов их получения, является пктуальноЯ.

Работа выполнялась в соответствия с координационным планами Научного совета АН СССР по проблеме 1.3.3. "Образование и структура кристаллов", а рамках выполнения Подпрограммы "ВТСП-Провод" Государственной научно-технической программы "Высокотемпературная сверхпроводимость, утвержденной решением ГКНТ СССР 16 января 1990г. и приказа Государственного комитета СССР по народному образованию 3 268 от 09.04.87.

Целы; настоящей работы является исследован^ закономерностей влияния состава ВТСЛ на характерные параметры фазового перехода сверхпроводящего состояния и комплексное изучение ВТСП фазы УВа2Сиз07_^ и твердых растворов на его основе с целью повышения критического тока и изучения влияния различных режимов на этот параметр.

Научная новизна состоит в том, что: в работе впервые:

- Разработан ряд аспектов теории взаимодействия эквивалентных электронов друг с другом и кристаллическим окружением для образования ^перовской пары.

- Рассчитаны некоторые диаграммы зависимости энергии пар:; электронов от взаимодействия одно- и двухэлектронного типа.

- Определена качественная связь крнсталдохимичрских своРстп материала и возможности образования КупероаскоЯ лоры.

- Разработанная теория опробована на СП материалах состава УВа2Сиз07_ г.

- Получены монокристаллы У^^Си^ д методом спонтанной кристаллизации из раствора в расплаве с температурой перехода Тс«95 К.

- Изучена температура перехода в ВТСП состояния образцов составов УВа2Сиз07_^ и близких к Сл-^ -вл^Ьл^С«.^^ зависящее от условий отжига.

- Определена область существования твердых растворов Ся.-1л. -8л -См-О , которая составляет 0 < х^ 0,4.

Положения, выносимые на защиту:

1. Получены кристаллохимяческие закономерности образования-Цуперовской пары в материалах и перехода их состояния ВТСП.

2. Анализ изменения температуры перехода в зависимости от технологических приготовлений керамики.

Практическая ценность;

- Разработана технология синтеза ВТСП материалов в системе У-Ва-Си-0, что позволило подучить однофазный материал на базе соединения Уд дСад ^Оа^Ск^^^ параметрами элементарной ячейки

л =3,867, 6 »3,856, С =11,70 А. Материал был использован при проведении научно-исследовательских работ по Подпрограмме "ВТСП-Провод" по увеличению токонесущей способности сверхпроводников.

Вьше сказанное подтверждается актом, приведенным в диссертации.

Апробация работе. Основные результаты диссертации опубликованы в 7 статьях.

Результаты работы докладывались и-обсуждались: на I Всесоюзном совещании "Физико-химия и технология высокотемпературных сверхпроводящих материалов" (г.Москва, 1988г.), XI Всесоюзной конференции "Конструкция я технология получения изделий неметаллических материалов" (г.Обнинск, 1986г.), Всесоюзном совешании--семинаре "Физико-химические и кристаллохимические основы создания новых высокотемпературных сверхпроводящих материалов" (пос. Шацк Валенской обл. Ук.ССР,1990г.), I Региональной конференции республик средней Азии и Казахстана "Радиационная физика твердого тела" (г.Самарканд, 1991г.), на двух научно-технических конференциях МЭИ.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения,

четырех глав и заключения. Работа изложена на страницах машинописного текста, включая рисунков, таблиц, список цитируемой литературы из 92 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность выбранного направления исследований, с формулированы основные цели работы. Проведение исследований основано 1и системном подходе, т.е. анализе взаимосвязи структурных и физических свойств на этапах: поиск нового соединения - разработка технологии твердофазного синтеза - выра-вивакие монокристалла - физические свойства нового кристаллического материала. На всех этапах исследования применялись современные методики анализа и интерпретации полученных экспериментальных результатов, в том числе следующие экспериментальные методы исслэ-дования физики твердого тела: рентгенофазовый,'- микрорентгеновский, (методы спонтанной кристаллизации из раствора в расплаве, иетоды ОЗП из рос плава) и электрофизические исследования.

Первая глава диссертации посвящена исследованию волновой функции Куперовских пар и принципам их построения. В начале кратко описаны теории сверхпроводимости перехода от статистики 4ерыи-Ди-рака в статистику Бозе-Эйнптейна. В теории Гинсбурга-Лондау в качестве параметра перехода применяется волновая функция Куперозс-ких пар. Поэт ему выяснение природы параметра перехода является основной задачей. На этой волновой функции Куперовской пари строится термодинамический потенциал перехода и отсюда появляется все основные закономерности фазового переходя.

Для высокотемпературных сверхпроводящих переходов строится функция состояния Куперовских пар двух эквивалентных электронов.

Г, х Г М, Г(Рг)>А{СГ(П)

где А3 , Ар , Ал , А{ - весовые обобщенные множители и

электронные кои}и17рации типа X*, Р , Л*, /

Наборы состояний этих конфигураций рассмотрены разложением антисимметричных представлений £/ ^ унитарной группы по цепочке групп следуших типов:

Ц. >£их-и3 >Д-С4-03 ц. о

>¿4 > ¿X-о, -о

> -о, 0г

- б -

где С - группа симметрии кристаллов.

Группы употрзблявтся для обвей тотальной классифи-

кации всех состояний соответственно р , с£ и $ оболочек. Для классификации состояний Куперовских пар использовав точечная группа симметрии кристаллов.

Проведена классификация состояния одночастичного и двухчастичного взаимодействия конфигурации р .

В качестве одной из групп тригональной сингонии мы берем но аналогичная картина будет для всех подгрупп этой группы, относящихся к тригональной сингонии.

ч > * и3 >$и.х*Ок>$иъ'),к>Ыл*г*

{2/*} —>'£(&) —X

'3 '3

■А

'3

у

Отсюда моиш заключить, что одночастичноо взаимодействие типа

■{^/^суаествует только в кристаллах с акциальной симметрией и ниже.

Для получения всех составляющих оператора двухчастичных взаимодействий, необходимо рассчитать произведение

иА\ «{/ч

Е в = ~ +

77г

ш

Для умножения этих представлений применяем правило Снга.

Представлениеумножается на представление путем

добавлешш к первому столбцу двух клеток, всеми возможными способами и получаются клетки и умножение и {Л*/1^.

Параметры соответствуют полному симметричному скалярному взаимодействию {/* 1 - двухчастичное взаимодействие £„ .

Параметры соответствуют двухчастичному взаимодейст-

вию, скалярный на группы вращения и соответствующие различным представлениям на группу 1/3 . Эти три типа тензора двухчастичного взаимодействия классифицируются соответствующими с рассматриваемыми в цепочки группами и характеризуются следующими наборами представлений.

- 7 -

ис «и, > *03

{/'ъ '-И * параметр °

£.({'*! /{Л3}, [о]')

ВтороГ! тип параметра ишет такие г.з характеристики.

' - - - - - ,

ппрамэтр ££

и£п ич 'М

ТротмП тип параметра отличзотст от прадыдусих двух.

(и • , V,- 0Х

{¿V} \чх\

Сделан рзсчег иатричних элементов двухчастичных взаимодсЯ-стекГ! для конфигурации р .

Во второй гллю построена диаграмма состояний конфигурации р1 для разных значения паракзтров двухчастичного ззадаодейстгия С £/, 5 о крястаялкчгских полях тстрогональноП, триогональноЯ

Удобно гарозить энергии в виде относительных велкч::;г относительно модуля параметра Ел.

^ + 3 С

ГТ7Г" /г,/ ■/£,/

ВСЮ . , М

ТПГ~ /£*/ 1£х1 \1х\

Б этих формулах даны энергии состояний в относительных единицах.

Для того, чтобы анализировать энергию состояний от соотношения меяду параметрами, целесообразно ввести функции X и !/ •

При атш форцужа лдя £"д > 0 буде* мть следуишй вид:

£ ( ^ - у 4 3 X * 5"

/М 1££> ~ «

Здесь. хогдб Сдз-0, ¡£¿1- £ д , , что соответству-

ем энвргаи от^йкетванкяс. ''

Когда /£д /" - > " , что соогветству-

е'г энергия прэтягавкнкя и форцула приобретает следующий вид:

£ - -у * 5

! I Э

Ь _ .у 4ЗХ "Г

!£*! с

£ (ур) 1 „и - %

П*1

Эти формула проанализированы на рис. Па,в). Иа рис. Ко) прюедены зависимости энергии состояний , и 3Р в относительных единицах, как в модулях параметра £д а зависимости отХ.

На рис, Кб) приведены зависимости состояний $ , *Ъ и Зр в относительных единицах,, при £¿<0 г модулях параметра £хв зависимости от X • При -2 < У./.1 основным состояние» конфигураций является 5 а при I основным состоянием является Зр. При X < -0,2 энергия состояния 3Р превосходит энергию состояния 2>. То есть состояние с минимальным спином и минимальны« количеством

Ряс. \(Л)

дпиаония. Поскольку функция Цуперовской пари является параметром перехода, ?о она должна соответствовать скалярному продетопленка группы симметрии кристалла. Т.о. конфигурация Р киает функции Дупоровской пары '$ только в областях параметров О, .

Если проследить какие-то сравнения с експердаентоы,пользуясь данными по атомной спектроскопии конов ¡¡ли атомов, имеющих конфигурация рл , либо коньпгнрооанные конспирации Р . Обычно при анализе спектров таких конфигураций вводят параметр :

н - -

Х - Г^р -

Подставляя формулы энергии этих состояний в вышел риведетше формулы, мы можем получить,как параметр Ч. зависит от параметров £[ , . -Для случая £¿>0, /£Л1 = £Л, Гс .= / » X - ^ то получаем формулу

"С - 6

с -./

При Ех ¿О, 1£х/ - , ^ то формула имеет следующий вид

В таблице I приведены величины параметра % ,экспгриыенталь-но наблюдаемые для свободного углерода, кислорода, кремния н серы, имеющих конфигурацию р* и р1".

Таблица I

Элемент 'С £л>0

С (I) 1,13 1,26

0 Ц) 1.14 1,25

1,46 1,01

$. (I) 1,43 1,04

При теоретическом значении X =1,5 'для атомов с конфигурацией Р параметр X =1, что приводит к тому, что параметр . На риз. Кэ) показана заштрихованная область соотношений параметров для атомов ^ , С , О ; £. При других соотношениях между па-

раметрамк тензор!! описывают другие типы взаимодействий,в том число взаимодействий притяжения.

Проведена классификация состояния соответствующих взаимодействий конфигурации <1'(£1) и построения функции Куперовской тары конфигурации -I (¿'1 Аналогичным образом проанализированы конфигурации и в полях кристаллической симметрии тет-рогоналыюго и триогонального типа.

В.третьей главе приведены результаты исследований ИК-спект-росхогош, рентгеновских и электрофизических свойств монокристаллов состава У^За2Си20г,_^, выращенных из расплава методами ВШ( и 02П. По результатам Ш спектров отрожегая в области 100-800 см~* были определены линии, соответствующие фазе У-123, что подтвердило донные рентгенофазового анализа.

Изучена возможность получения направленного синтеза ВТСП соединений редкоземельных купратов бария методами спонтанной кристаллизации и оптической зонной плавки, а также исследования физических свойств выращенных монокристаллов. Получение монокристаллов состава У^В^Си^О^ больного размера, например, для изучения анизотропии свойств, областей гомогенности и т.п. указанными методами затруднительно. В связи с этим в работе была . предпринята попитха синтеза монокристаллов данного соединения методами 03П и спонтанной кристаллизации из растворз в расплаве.

Основой для выбора технологического редама и состава исходной шихта являлась диаграмма состояний изобарического сечения ВаУ<)Си05-ВаСиО2»СиОз, представленная на рис. I. Анализ диагром-мн показал, что соединение (123) имеет температуру плавления П80°С н имеет перетектмческуп точку плавления. Соответственно ЗаУ2Си05 имеет точку плавления Т^ =1350°С и ВаСи02+Си0 Т^970°С, поэтому для синтеза из расплава соединения (123) возникают технологические проблемы:

1. Сохранить стехиометрический состав компонентов при их плавлении. Особенно для ионов меди, которые при этих температурах активно исааряптся.

2. Создать технологические условия, при которых реализуется перетектическая реакция синтеза соединения (123). Поэтому в данной работе были синтезирована составы, имевдие стехнометрич<?ккую по избытку моди.

п. $ -4

ХВа-Ол^ 4 ¿ССТ<*Л>

г_

Рис. I. Диаграмма состояния изобарического сечения.

В работе анализируется диаграмма состояния рис. I, Анализ диаграммы говорит а том,что с целью сведения к миницу^ колмчаст-вв фазс образующихся при плавлении соединения (123) необходимо проводить синтез в левой, относительно состояния (123) части диаграммы. При выборе таких составов исключается присутствие эвтектической фазы и фаз состава ВаСиС^+СиО. Поэтому были прэдлоаены следующие составы: У^ * ' •

УХ . Избыток по позволяет сдвинуть процесс кристал-

лизации в левую часть фазовой диаграммы и подучить наибольший процент.выхода фазы (123) (рисЛ). Однако, ото приводит к образованию в малых количествах фазы (211). Тем цр менее состав такой шихты оправдан в силу того, что данные системы имеют более высоки® сверхпроводящие свойства, чем непосредственный синтез соединения (123), состав которого в процессе синтеза вследствие испарения ионов меди сдвигается в правую часть диаграммы. 3 последнем случае имеется значительно большее количество и о большом объеме вторичных фаз. Из данной диаграммы были определены температурные режимы синтеза, было предложено 2 варианта синтеза ВТСП состава (123).

' I. Полное расплавление исходной шихты при 1250°С, затем "быстрое" охлаждение до 130°С.

2. Повышенно температуры выве линии солиниуса (1030°С) до 1С70°С, затем выдержка в течение 24 ч. в атмосфере или воздуха с последующим понижением температуры в течение 72 часов до температуры Ю30°С, затем выдержка в атмосфере С^ в точение 24 часов и медленное охлаждение до комканой температуры.

Второй метод позволяет избежать полного распада соединения (123), что является положительном, однако значительно повстает

время процесса, т.е. химическая реакция аа счет диффузии в твердой фазе 'идет очень медленно. Б этом случае мы как бы имеем систему аналогичную при синтезе методам нз раствора в расплаве.Эти два способа реализованы в работе. Была сконструирована установка для синтеза ВТСП в контейнере методом изменения температурного градиента. Для понижения температуры со скоростьп 0,5°С/ч была сконструирована редукционная система на электрических двигателях. В результате были выраяены кристаллы черного цвета а вмде пластиной размером 1,5x3x0,4 км с Т£ г 95 Кс В качества исходник использованы оксиды - каРб°нат бяряя - ВаСОд. В работе дены весовые соотноаения исходных компонентов синтезированных соединений, рака технологическая схема синтеза соединений:

Исследование рзетгенофаэового анализа кристаллов сразу после синтеза показало их ыкогофазномь. Пснкмо фазы УПь^п^^. (тетрагональная модификация), имели место фазы: У^ВаСиО^;

У1,бВа2,4Ск30Ю-35 У018Еа1„2С:£О4чз5 ^.г^О.в0"^-«* ^ перзхо.я в ВТСП состояния в области твнпвратуры ж?дкого азота нз вабяздаотея. Поэтому был разработан рекка последующего термического отгига образцов в атмосфера кислорода. После такого отяига ииех место переход в ВТСП состояния в области 9(Н100 Н. Для кристаллов состава УВа^Сйз?^ нкело место, з небольших количествах фаз состава См^О. Оптимальный технологический рзккм отжига был следующим: нагрев э токе кислорода до 950°С, выдержка при этой температуре э течение 8*10 часов, далее медленное понижение температуры до 350°С и выдержка в течение 12 час. Затем происходило естестветюе охлаждение кристаллических образцов в месте с печью отжига.

В диссертации приведены результаты измерения температурной зависимости электропроводности и магнитной восприимчивости. Из данных видно, что небольшое повышение содержания ионов меди приводило к повышении температуры перехода э сверхпроводящее состояние. Дальнейший рост содержания ионов меди приводит к повышению начального сопротивления образцов и к повышении температуры перехода в сверхпроводящее состояние. В целях компенсации этого процесса необходимо брать исходный состав шихты, обогащенный ионами меди в пределах 30%.

В диссертации приведены данные, полученные методом 03П„ Бостигельнвя зонная плавка дает определенные преимущества по

сравнению с другими методами. 0 частности исключается загрязнение кристалла материалом тигля, высокий градиент температуры в зоне роста позволяет осуществить условия для направленной с плоским фронтом инконгруентно плавящихся фаз. Тестирование качества материала проводилось с помощью рентгенофазного и микрорентгеновского анализа. С цель» оптимизации технологии выращивания кристаллов (123) проводилось количественное изменение состава катиок-ной подрешетки по СиО (меди). Опыты показали, что при выращивании соединение У^я^'З+хС^-б (х = 1,2,3) теряет Си поэтому, обычно, в исходной шихте брался избыток данных элементов. Путем 02П были получены "були4 черного цвета диаметром 4-6 ьк, длиной 20-30 13» с высокой прочностью и явно выраженной ориентированной струну-рой.

В четвертой глапе рассматривается исследование физико-химических аспектов твердофазного синтеза и выращивания монокристаллов на основе (123) новых соединений Сад 1-х * х Си307_б. (х »0,2; 0; 0,25; 0,4; 0,5). 6 работе подучз!И образцы и определены области гомогенности на основе ^ао,5^<хО,5®а1,25 х

х 75^и3°7-б' Показано изменение относительного прироста ь:ас-сы образцов, параметров элементарной ячейки и температуры перехода ВТСП состояния твердого раствора в зависимости от условий термообработки (табл.З).

Таблица 3

Длительность, ч 2 3 5 10 13

Температура, °С а, А 600 С ,А . ' £,к 3,875(3) 11,64(1) 40 3,672(3) 11,63(1) 40 3,877(4) 11,63(1) 40

а.,к 500 С ,А 3,873(1) И,622(5) 50 3,875(3) 11,63(1) 55 3,872(2) 11,62(1) 60 3,872(2) 11,62(9) 65

А ,А 400 С,А 3,877(1) 11,634(6) 70 3,876(3) 11,632(8) 70 3,874(1) 11,624(4) 75

- 15 -

РвтггенофазопыЯ анализ осуществлялся на дифрактометре "Дрон-3", внутренний стандарт Ра-сС , сгемку проводили в интервале углов 2 & от 20° до 60°.

Уточнение параметров элементарных ячеек осуществлялось- ИН1С для всех отражений, попадапдих в указанный интервал углов. В диссертации приведены результаты электрофизических исследований состава Сад 5^1 25 0 * использованы измерения удельного сопротивления от температуры четнрехзондовым методом Вандер Пау и зависимости магнитного момента от температуры. Магнитный момент измерялся на вибрационном магнитометре РАК М-155, с низкотемпературной приставкой в интервале темперятур 4,1-300 К. Температура переходе в сверхпроводящее состоянио определялась путем измерений температурной зависимости намагниченности образца в постоянном магнитном поле Л* =60 Э. При Т =73 К происходит резкое уменьшение намагниченности.

В диссертации дается оценка возможности использования метода оптической зонной плавки для получения сверхпроводящих образцов

Са0,5 0,5^1.25-0,75СиЗ°7-б'

Рентгенографические исследования (камера-монокраматор -552),

внутренний стандарт Се , медное ^ , излучения) показали, что рентгенограммы образцов до и после отжига при 400°С в течение 12 часов в кислороде не различались. После проплавления образец не является однородным: присутствует ({аза состава близкого к Са^ д 1л. р ^Ва^ 25д 75^изх07_б и Фаза состава близкого к 1а. Си Оч , часть линий послабей интенсивностью принадлежит неизвестным фазам. Супя по параметрам элементарной ячейки первой фазы а. =3,889(1) и ¿=11,665(5) при переплавлении исходных образцов происходит смещение состава в сторону большего содержания бария для Сад 5 Ьа. д 75хСи307_б, соответствующие парамет-

ры равны от 3,8&1(3)'и II,66(1).

Проведены измерения критической плотности тока на образце ¿V Г размерами А =27 мм,

^^=20 мм, =15 мм, полученными по керамической техноло-

гии. При Т =35 К величина =150-160 А/см^ в отсутствии поля.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТУ

I. Рассмотрены типы взаимодействий в пространстве конфигурации эквивалентных электронов и типы состояний конфигураций дпух эквивалентных электронов на р \\<С оболочках.

2. Проведена классификация состояния операторов одночастич-ного и двухчастичного взаимодействия конфигурации р\

3. Сделан расчет матричных элементов двухчастичных взаимодействий для конфигурации р.

4. Построена диаграмма состояний конфигурации р для разных значений параметров двухчастичного взаимодействия (£, ) в кристаллических полях тетрагональной, триогональной симметрии.

5. Проведена классификация состояния и соответствующих взаимодействий для конфигурации построения функции Куперовс-кой пары конфигурации

6. Показана возможность получения кристаллов УВа^Сн^О^ д методом спонтанной кристаллизации из раствора в расплаве размерами 1,5x3x0,4 мм, имеющих Тс «95 К после дополнительного отжига в кислороде и j

«I04 А/см2.

7. Таким образом установлено, что существует область твердых растворов Ca, 4 ¿<tC;i B*-{t t % öv-ъ Of.£-

(0i * £ 0,4): температура перехода в ВТСП состояние образцов составов близких к Сле f s Ц-Г

зависит от температуры и длительности отжига в токе кислорода, при этом наивысшая температура обеспечивается при более длительном отжиге и более низкой температуре.

8. Показана возможность получения методом оптической войной плавки объемных текстурированньгх материалов на основе твердых растворов &~v>t г Ьо-ф,,s ¿^i с ^ после дополнительного кислородного отжига.

По теме диссертации опубликованы следующие научные работы:

1. Исследование физических свойств поликристаллических сверхпроводящих материалов состава У^к^СизО.^ /Гришина С.О., Коваль О.И., Зшниязов О.И. и др./Др.Моск.энорг.ин-та. 1989. вып. 225. с.15-^21.

2. Влияние замещений в катионной и анионной подрешетках ВТСП керамики состава yßagCHjO^g на структурные и электрофизические свойства /Антонов В.А., Копылова Е.К., Эшикязов О.И. н др.//1 Всесоюзное совещание "¿иаихо-хкмия и технология высокотемпературных сверхпроводящих материалов" Москва. 1989. Наука, с.37-38.

3. Синтез и исслвдовшшя i системе У-Ва-Си-О/Алтонов В.А., Баврин.В.С., Эиниюов С.И. иср. //Трупы МЭТ1! им. Уеняг леева. 19&3. win. 154. «.91-90.

- 17 -

4. Применение радиационного нагрева для получения ВТСП материалов. • Высокотемпературная сверхпроводимость (Технология, применение/Арсеньев П.А., Эшниязов О.И., Баврин В.О., Копыловп Е.К., Брызгалова Л.Н.//Минвуз.сб.науч.трудов КИРЭА-М., 1983.

с.28-31.

5. Исследование возможности применения ВТСП керамики в линиях электропередач/Антонов В.А., Арсеньев П.А., Эиниязов О.И., Холодный С.Д., ¡Сопылова Е.К.//Деп.В1ШГИ.1989. №2357-В89.

6. Сверхпроводимость в системе

/Сиротиккин В.П., Эиниязов О.И., Турсунова Д.Р., Евдокимов A.A., Арсеньев П. А./Дурная не орган, химии, 1990. т.35, №12. с.3305.

7. Синтез и исследование текстурированных' ВТСП материалов на основе УВазСизй^/Эшниязов О.И.//Гр.Моск.энорг.ин-та.1991. вып. 640. с.23-31.

ГЬлткдму'к пе«ит» Л— .лл ЗА.'/

iil* - THpJ*' __

Типогрвф«« Крвгтжямфмгкная, Ii.