Собственные электронные возбуждения, люминесценция и рекомбинационные процессы в галогенидах алкиламмония и алкилфосфония тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.СТР*

ГЛАВА I. СОБСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ В ЩЕЯОЧНОГАЛОИДНЫХ И АШОШМЮГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ ( литературный обзор ).12

1. Экситоны.

1.1. Экситоны в щелочногалоидных кристаллах.12

1.1.1. Двухгалоидные автолокализованные экситоны.15

1.1.2. Одногалоидные автолокализованные экситоны.19

1.1.3. Свободные экситоны.21

1.2. Экситоны в аммонийногалоидных кристаллах.23

1.3. Свободные и автолокализованные экситоны в ионных кристаллах.26

2. Центры окраски.30

2.1. Центры окраски в ЩГК.30

2.2. Центры окраски в АГК.37

3. Рекомбинационная люминесценция.39

Актуальность теш : В течение последнего десятилетия получили бурное развитие исследования свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах, а также рассмотрены критерии их сосуществования. Наиболее фундаментальные к настоящему времени исследования собственных электронных возбуждений и различных эк-ситонных процессов проведены на щелочногалоидных кристаллах (ЩГК), что обусловлено простотой их кристаллической и электронной структуры, а также важными техническими применениями: в оптических и электронно-лучевых преобразователях, в сцинтиляционных, дозиметрических устройствах, и перспективой использования их для создания оптических квантовых генераторов и запоминающих устройств.

Установлено, что важной особенностью ионных кристаллов, в частности ЩГК, является резкое различие в свойствах свободных и автолокализованных квазичастиц. Накопленные экспериментальные данные указывают, что автолокализованные электронные возбуждения играют существенную роль в процессах радиационного дефектообразо-вания и являются решающим фактором, обеспечивающим действие ионизационных механизмов образования радиационных дефектов в широкозонных диэлектриках.

Результаты исследований собственных электронных возбуждений (СЭВ) в ионных кристаллах и различных процессов, протекающих с их участием, легли в основу многих представлений в физике твердого тела, современный этап развития которой характеризуется возрастанием интереса к сложным ионным и гетеродесмическим системам .

Характерно, что выводы, основанные на данных, полученных для ЩГК,можно с успехом распространять на близкие по структуре и свойствам система, к числу которых, в частности, относятся аммо-нийногалоидные (АГК) и фосфонийногалоидные (ФГК) кристаллы. Имеющиеся в настоящее время экспериментальные данные по электронно-дырочным, экситонным процессам и механизмам радиационного дефек-тообразования в этих системах показывают сходство с ЩГК общих черт указанных процессов и механизмов. Наряду с этим имеет место ряд характерных особенностей, обусловленных комплексным характером ,молекулярного катиона.

Узкий диапазон изменения физико-химических характеристик ЩГК, АГК и ФГК не позволяет проследить в полной мере закономерности электронных возбуждений и электронных процессов в ионных кристаллах. Поэтому необходим выбор более широкого класса соединений с меняющимися в широких пределах физико-химическими характеристиками и параметрами кристаллических решеток. Такой класс соединений образуют, в частности, галогениды алкиламмония (ГАА) и галогениды алкилфосфония (ГАФ) - PU^.nX (где R =СИ3,С2Н5,ГьНт,Сц«д,.; П =1-4; Х = С? ). Эти соединения аналогичны АГК и ФГК и отличаются тем, что в них атомы водорода аммония и фосфония ^PW^ замещены алкильньши группами. Аналогично ионам аммония и фосфония, в ГАА и ГАФ ионы алкиламмония и алкилфосфония f^P^-n"] выполняют роль ионов щелочного металла, а сами соединения являются органическими кристаллами с ионным типом связи. Благодаря разнообразию алкильных групп и типов замещения образуется обширный класс ге-теродесмических систем с меняющимся в широких пределах отношением радиуса катиона (\ ) к радиусу аниона ( Iq ).

В ГАА и ГАФ большие радиусы катионов и обусловливают большую, по сравнению с АГК, ЩГК и ФГК, разделенн ность галоидных ионов (Ч/с/1а>1), а увеличение поляризуемости катионов ведет к увеличению доли ковалентной связи между катионами и анионами. Кроме того данные соединения обладают низкой симметрией кристаллических решеток и меньшей величиной энергии последних. Учитывая также сходство электронной структуры катионов ГАА и ГАФ с таковой ионов щелочных металлов, а также одинаковый состав анионных подрешеток этих соединений, можно предположить, что электронные возбуждения и электронные процессы в них проявят с одной стороны, определенное сходство, а с другой - своеобразие по сравнению с ЩГК и АГК: в частности, в таких системах можно ожидать малую подвижность дырок и экситонов, большую вероятность автолокализации последних и полную потерю их подвижности.

Учитывая вышеизложенное, нами впервые начаты и проведены комплексные исследования СЭВ, люминесценции и автолокализации экситонов в ГАА и ГАФ. Результаты этих исследований имеют большое значение для построения общей закономерности электронных возбуждений в широком классе ионных кристаллов.

Цель работы - исследование влияния природы и пространственной разделенности ионов галоида, особенностей кристаллической структуры ГАА и йодидов тетраалкилфосфония (ЙТАФ), поляризуемости и конформации катионов на собственные электронные возбуждения, характерные особенности свечения одногалоидных и двухгалоидных автолокализованных экситонов, природу центров, индуцированных ионизирующим излучением, механизм их образования и механизм рекомби-национной люминесценции.

Научная новизна. Впервые: установлено, что длинноволновые полосы фундаментального поглощения катионного и анионного ряда и находятся в области 5-8 эВ и соответствуют возбуждению галоидных ионов; произведена оценка величин ширины запрещенной зоны и энергии связи экситона йодидов тетраалкиламмония (ЙТАА) и ЙТАФ и показано, что в случае ЙТАФ эти величины соответственно на 0,4-0,37 эВ и 0,3-0,2 эВ меньше, чем в ЙТАА; показано, что при селективном фотовозбуждении образцов R ( X = Въ, f ) и R^PJl в области экситонных полос поглощения наблюдается интенсивное излучение в УФ- и видимой области спектра, обусловленное автолокализованными экситонами (АЭ); показано, что в гомологических рядах R^UX и R^Plf в соответствии с пространственной разделенностью ионов галоида с разной вероятностью реализуется одно и двухгалоидная автолокализация эксито-нов (ДАЭ); выявлено, что в ЙТАА и ЙТАФ одногалоидные АЭ ( Jб ) образуются с большей вероятностью, чем в случае йодидов щелочных металлов; выяснено, что , в отличие от ЩГК и АГК, обладают более высокотемпературным экситонным свечением и температурная зависимость этого свечения носит немонотонный характер, что объясняется барьерным механизмом автолокализации экситонов; установлено, что величина этого барьера равна 66, 86, 140, 138 и 88 мэВ для (1'ДП

OUNJ, сСИШ* и соответственно, что значительно больше аналогичной величины для йодидов щелочных металлов (10-30 мэВ); установлено, что в ряде ЙТАА и ЙТАФ немонотонный характер температурной зависимости интенсивности полос PJI, обусловленных ДАЭ, совпадающий с аналогичной зависимостью соответствующих полос фотолюминесценции, является результатом необходимости энергии активации для автолокализации дырок; по экситонным полосам поглощения (возбуждения), диффузного отражения и люминесценции исследованы фазовые переходы в ГАА и ЙТАФ и определены все известные, а также ранее необнаруженные фазовые переходы. В кристаллах CH^HH^bt и (^W5)3ННЬ*2- обнаружено интересное явление - возникновение свечения в момент но-лиморфного превращения матрицы, в процессе нагрева или охлаждения без предварительного возбуждения образцов; характерные особенности обнаруженного свечения позволяют отнести его к триболю-минесценции; исследованы спектры поглощения, возбуждения, люминесценции и TCJI образцов ГАА и ЙТАФ, облученных ионизирующими излучениями (УФ-, рентген- и ^-лучи) и показано образование в них центров катионного и анионного происхождения. Практическая ценность. а) Исключительно высокая чувствительность кристаллов (С^)^ к УФ-лучам, проявляющаяся во возникновении под их действием чрезвычайно интенсивной TCJI, может быть использована для записи и хранения информации. б) Скачкообразные изменения положения и интенсивности полос экситонного поглощения и излучения, а также возникновение трибоi люминесценции при структурных превращениях ряда систем-»;

СНЖЬг f , САННьВг , [чИ9НН3&г ,

С&ДОг, (С}Н7)гНН2Бг , (СцН,\ЦЬг, (t2Hs)2WJ, <C3U, и т.д. - могут быть использованы для обнаружения, визуализации и регистрации тепловых полей. в) Кристаллы ([^Ug^MJ , (^Hfc^N? , (Сщ^Д^ , обладающие при температурах, близких к комнатной, собственным свечением, могут быть рекомендованы для выяснения возможности их использования в оптических квантовых генераторах.

Защищаемые положения.

I. Длинноволновые полосы собственного поглощения кристаллов ш имеют экситонное происхождение и обусловлены галоидными ионами.

2. Наблюдаемое в УФ- и видимой области спектра свечение кристаллов Rn НИ^П X с R = СН5, СгН5, СаН7п=з,4;Х -Вг. t) и т < r -до \\* [&Wi7f возбуждаемое в области длинноволновых собственных полос поглощения, обусловлено автолокализованными экситонами. В соответствии с величиной пространственной разделенности ионов галоида с разной вероятностью реализуется одно- и двухгалоидная автолокализация экситонов.

3. ГАА и ЙТАФ, в отличие от ЩГК и АГК, обладают более высокотемпературным экситонным свечением и ход кривых температурной зависимости этого свечения носит немонотонный характер. Величины активационного барьера для автолокализации двухгалоидных экситонов значительно превышают аналогичную величину для ЩГК.

4. Фазовые переходы в ряде ГАА, обнаруженные по экситонным спектрам при охлаждении или нагрева кристаллов, сопровождаются серией резких световых вспышек, обусловленных триболюминесцен-цией.

5. Рекомбинационная люминесценция в целом менее эффективна, чем в их неорганических аналогах, что связано с разрывом различных химических связей в ионе алкиламмония и алкилфосфония с образованием молекул диамагнитной природы. Во многих изученных системах под действием ионизирующего излучения индуцируются люминесцирующие центры катионного происхождения.

6. Температурная зависимость интенсивности люминесценции в R^Hjj и Ri, PJ , возбуждаемой рентгеновскими лучами, в отличие от йодидов щелочных металлов, имеет немонотонный ход, что свидетельствует о возможности барьерного механизма автолокализации дырок.

- II

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены и обсуждены на: ХХУ Совещании по люминесценции во Львове (1978); ХХУП Совещании по люминесценции в Эзерниеки (Ла^в.ССР, 1980); Республиканской научно-технической конференции молодых ученых, посвященной 60-летию установления Советской власти в Азербайджане (Баку, 1980); Мевдународной конференции "Дефекты в диэлектрических кристаллах" в Риге (1981); XII Менделеевском съезде по общей и прикладной химии в г. Баку (1981).

Публикация работы. По результатам выполненных исследований опубликовано 8 научных трудов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Она содержит 121 страниц машинописного текста, 12 таблиц, 43 рисунка и библиографию из 184 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Показано, что длинноволновые полосы в спектрах собственного поглощения широкого класса органических ионных кристаллов -ГАА и ЙТАФ обусловлены возбуждением ионов галоида.

Выявлены характерные особенности собственного поглощения ГАА и ЙТАФ, обусловленные большей поляризуемостью их катионов, большей пространственной разделенностью ионов галоида и низкой симметрией их кристаллических решеток.

2. Показано, что свечение ГАА и ЙТАФ, возбуждаемое в области экситонных полос поглощения, является собственным и обусловлено одно- и двухгалоидными экситонами, причем вероятность образования одногалоидных экситонов в ЙТАА и ЙТАФ значительно выше по сравнению с ЩГК и АГК.

3.Установлено, что, в отличие от ЩГК и АГК, в ГАА и ЙТАФ в согласии с большой пространственной разделенностью ионов галоида реализуется более высокотемпературная автолокализация двухга-лоидных экситонов. Выявлен немонотонный характер температурной зависимости интенсивности свечения двухгалоидных экситонов в высокомолекулярных ГАА и ЙТАФ, указывающий на энергетический барьерный механизм автолокализации двухгалоидного акситона.

В ряде ЙТАА и ЙТАФ - ( СДгХ,М} , ( СДдН} , ( , C-iWis^PJ , низкотемпературное тушение свечения, обусловленного ДАЭ, сопровождается ростом интенсивности свечения одногалоидных экситонов. Это позволяет предположить, что процесс двухцентровой автолокализации проходит через стадию одноцентро-вой автолокализации. Найдено, что вероятность образования ОАЭ в гомологических рядах ГАА и ЙТАФ возрастает с увеличением молекулярной массы катиона.

4. В ряде ГАА обнаружено необычное явление, заключающееся во возникновении свечения в момент полиморфного превращения матрицы и не связанное с предварительным возбуждением образцов. Это свечение связывается с триболюминесценцией , возникающей при перестройке кристаллической решетки.

По скачкообразному изменению спектральных характеристик (спектры поглощения, диффузного отражения, возбуждения и люминесценции) ряда кристаллов ( пум»** , t2u5M> , 1'гН7НН5Ьг , ( Сги7 )2Ш2Вг, ( СцН, Х,№г , ( C2U5 ( [^-Ц )4HJ и др.) в процессе ьагрева и охлаждения выявлены все имеющиеся фазовые переходы в этих кристаллах в интервале от 80 К до температуры плавления.

5. Показано, что под действием ионизирующих излучений в ГАА и ЙТАФ образуются центры анионного происхождения ( Х^ , Х^ » ), а также люминесцирующие центры окраски, обнаруживаемые по их характерным спектрам возбуждения и излучения. Отсутствие центров, подобных последним, в неорганических аналогах изученных соединений дало основание заключить, что они имеют катионное происхождение и обусловлены кан катион-радикалами, так и продуктами неэлектролитического распада ГАА и ЙТАФ: аминами, алнилгалоида-ми, углеводородами парафинового ряда и др.

6. Установлено, что рекомбинационная люминесценция (ТСЛ и РЛ) в ГАА и ЙТАФ имеет место при низкой температуре (80-290 К). В хлоридах моноалкилзамещенных аммония полностью отсутствует ТСЛ, резко возрастающая в случае галогенидов тетраалкиламмония. В ряду Rn^H^X интенсивность ТСЛ увеличивается в направлении К Ьг ^ .

Спектры РЛ и RuPJ' кроме полос, обусловленных индуцированными центрами, обнаруживают также полосы, обусловленные как одногалоидными, так и двухгалоидными экситонами.

- 176

В спектрах TCJI этих образцов обнаружены полосы, соответствующие индуцированным центрам, но основная запасенная светосумма реализуется в виде свечения, спектральный состав которого совпадает со свечением ДАЭ, что соответствует представлению о возникновении двухгалоидных экситонов при рекомбинации электронов с Vk --центрами. В то же время в спектрах TCJI не проявляются полосы, обусловленные одногалоидными экситонами, что интерпретировано как результат малого времени жизни одногалоидных дырок.

Установлено, что в отличие от ЩГК, в ряде ЙТАА ход кривых температурной зависимости полос PJI, обусловленных свечением ДАЭ, имеет немонотонный характер при нагреве от 80 К, сопровождающийся уменьшением интенсивности свечения одногалоидных экситонов, что свидетельствует о необходимости энергии активации для автолокализации дырок.

7. Ряд результатов настоящей работы представляет практический интерес: а) Исключительно высокая чувствительность кристалла С С^Нт к УФ-лучам, проявляющаяся во возникновении под их действием чрезвычайно интенсивной TCJI, может быть использована для записи и хранения информации. б) Скачкообразные изменения положения и интенсивности полос экситонного поглощения и излучения, а также возникновение три-болюминесценции при структурных превращениях ряда систем [HjNHJW , DUM»bi ,(1»НВ),ННК, t^Uy ^HUfcfc могут быть использованы для обнаружения, визуализации и регистрации тепловых полей. в) Кристаллы (Счи9)цМ} , (CtHfc^NJ , (С10Н2,)нН^ > обладающие при температурах, близких к комнатной, собственным

- 127 свечением, могут быть рекомендованы для выяснения возможности их использования в оптических квантовых генераторах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ К 4 ГЛАВЕ.

Методами оптической спектроскопии исследован механизм образования и природа радиационных дефектов, а также механизм рекомбинационной люминесценции

Изучение центров окраски ГАА и ГАФ при 80 и 300 К по электронным спектрам поглощения, возбуждения и люминесценции показало, что в этих соединениях, кроме радиационных парамагнитных дефектов, идентифицированных методом ЭПР, имеется ряд дефектов диамагнитной природы типа xg. , xj , иг , нх , rx , аднз-п, шгпм и т.д.

Исследование температурных зависимостей полос поглощения показало, что обнаруженные под действием ионизирующего (рентген-и лучи) излучения центры окраски катионного и анионного происхождения в высокомолекулярных ГАА более стойкие, чем в низкомолекулярных галогенидах алкиламмония. При нагревании кристаллов ГАА и ЙТАФ от 80 К интенсивность свечения индуцированных центров уменьшается, что связано как с их температурным разрушением, так и с температурным тушением люминесценции.

Приведенные нами экспериментальные данные свидетельствуют о том, что природа индуцированных центров окраски в ГАА и ЙТАФ существенно отличается от АГК и ЩГК. В отличие от ЩГК, в АГК, ГАА и ЙТАФ большую роль играют дефекты, связанные с разрывом различных химических связей в катионе с образованием дополнительных типов центров окраски дырочного типа.

Установлено, что в ГАА и ЙТАФ, в отличие от ЩГК, разрушение одних видов дырочных (электронных) центров окраски приводит к уменьшению концентрации других, что обусловлено химическими реакциями, происходящими между всеми дырочными центрами окраски и приводящими к образованию молекул диамагнитной природы.

F -центры в ГАА и ЙТАФ либо не образуются, либо образуются с чрезвычайно малой эффективностью вследствие нестабильности их химических аналогов ^п^Н*

- 173

Свечение, обусловленное одногалоидным релаксированшм энсином, в спектре TCJI не было обнаружено. Высказано предположение, что большая реакционная способность дырочного компонента однога-лоидного экситона обусловливает эффективное вступление его в реакцию с окружающими катионами с образованием катион-радикалов и молекул диамагнитной природы.

Исследование TCJI ГАА дало основание заключить, что пики TCJI могут быть обусловлены не только электронно-дырочными процессами, но и рекомбинацией радикалов в ходе их неизотермической релаксации и в области фазовых.переходов. Установлено, что, в отличие от ГАА, в ЙТАФ рекомбинационные процессы не связаны со структурными превращениями. Исследование спектров рентгенолюминес-ценции и ТСЛ показало, что в рекомбинационных процессах проявляется свечение не только автолокализованных экситонов, но и свободных радикалов катионного происхождения.

В отличие от ЩГК, наблюден немонотонный ход интенсивности свечения двухгалоидных экситонов при повышении температуры от 80 К до 135-160 К в процессе возбуждения ряда йодидов тетраалкиламмо-ния ( [Д^ , ( , (CuAWqNt рентгеновскими лучами, сопровождающийся для большинства из них уменьшением интенсивности свечения одногалоидных автолокализованных экситонов. Указанная особенность сохраняет силу и в случае ЙТАФ, что идентифицировано нами как результат необходимости энергии активации для образования Vk. -центров.

1. радлКС^ X On the ltanvfo7.tna.tion of fcg-ht 1.to beat in Sofocb . 1 РЦ$. RdV., i931,V.37,Ml,p. П-25.

2. Давыдов А.С. Теория молекулярных экситонов.-М.Наука,I968,296с.

3. Waniwi &.Н. The siuictme r&ctionic ^xdtaiion cto&eh in Jnsubxiinj PtyS.Rev., 1937,v.52 JH3t p. 191-197.

4. Мотт H., Герни P. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. -М.Изд.ИЛ,1950,304с.

5. Хакен Г. Теория экситонов в кристаллах.-У®, 1959, т. 68,1)54, с.565-619.6. 5Ысг V. fxcilon Jttodek Ln ih<z Aftcafc HaWei.-ptyi. hv;, 1957, V-108, ЫЗ, p. 7or 712.

6. Нокс P. Теория экситонов. Пер. с англ.-М.Мир,1966,219с.

7. HidsK R., Pohp Iiw. Citiije «Disfeittonsf^enzai du A&afi'

8. Wafo^iJufctotte in Sthuman Miit.-Z.Phf!>., in о/1. Bd 59, H.1M2, $.312-619.

9. АрШ. Z, Tafi ftsbAlion о f £xl<zzna0 Photo efkctwns | F totes in ffij.- Phj-s. Eav., m, №, i/6, p. 8Kr - Si 9.

10. Лийдья Г.Г. Взаимодействие экситонов с дефектами щелочногало-идных кристаллов.-Труды ШАН ЭССР,I960,№12,с.149-175.

11. Филиппе Дж. Оптические спектры твердых тел. Пер. с англ.-М.Мир, 1969,174с.

12. Qtwtaa 6.,То^ова\>аа 1 fxcibtis in A^aft Ha&cfcs.- Jf. fhy*. Soc. Japan , 19«7, V-22.N3, p. 833-6M.

13. Pientt? 3- OtrdiG ■Lienstozmatfon of into He.ei Ln

14. Pl^. Uv., LQ31, V.37; N9 , p. lZ7b-L29b.

15. Sfcib F. ИпйградЬА'юп o{ -the o{ attab hafcdft ThaMrum. - 1 (W . Pk^., 193&, V.6f №t

16. Шп В., toiSf? 3. ScintiWaiionS, dts paiticafb doM

17. Csf. -J\A .РЦ<>. ada , 1555, Y.26,|. 3-1, p.27i-2&0.

18. Van SoiDfti.,Hofsbdttz. R. Soipli^alion and Оит'\п&Шпсе, cn unaditraW M«iJ PhjfS.btV., 1955, V.97, Ы^ , \>-lM.17. "Uejaidcn Н.Э. faminescince of pa-bssium ^odidc.-phtf>. Rilv. , 1957, V. {05 , № ( p. 1222-1227.

19. Castnei Т., tan2ij V .The *?«cUnic s-Uctuu o{ V-cenW-J.PhjfS. Chw- So«.|i95T;V.3lM3^|p. i7b-i99.

20. Кабй&г Л. tempetaime uzcom&nab'on Lm.oas>-cwe in ha tola ci^-tak.- Ph^s. fav., 19Й, V. U(A , p. 1296 -130^.

21. ЛЛиггоу F.3. R^comSinaiion damin^c&ice |гот Vk C£nl<us in potassium | odidi? - Plj^.1. V. 137 A ; p. m-9kb.

22. Рашба Э.И. Взаимодействие экситонов с молекулярной решеткой.--Изв.АН СССР, сер.физ., 1957,т.21,^1,с.37-47.

23. Clio К., To^aioujt/a У. £xciton Hionon Onbmction and Optical Spedia - Srf|- tuxppinj ; 2его-Ропоп cine! Йгопоп Sidfc-iandS.-J.Pk^apan, l97lr V.30, p. 1555- 1574.

24. Sumi H-, Toy 2a\j^a У. Ihfcach llcalienssen uulU and скаЧоп bapped тот<гл1аг<^. йу ?аШсг Тйвэд&оп.- j. Pb^S. Soe. japan , 197i, V.3L ,H2 , p. Ък2- 356.

25. Sum! H. £xiion Monon intamciion in fcta Cohe.ze.nt pot^ntiaC appmimoiioo Witt app&ccdion oph'cai Specie .- f. py. Soe. ^рал , 1972, 4.U fi, p. 616 ' 62&.

26. Куусман И.JI., Либлик П.Х., Лущик Ч.Б. Краевая люминесценция экситонов в ионных кристаллах.-Письма в ШЭТФ,1975,т.21, вып.2,с.161-163.

27. Куусман И.Л., Лущик Ч.Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами.-Изв.АН СССР,- 180 с ер.физ.,I976,т.40,№9,с.1785-1791.

28. Лущик Н.Е., Соовик Х.А. О поляризации люминесценции свободных и локализованных экситонов в Nat, КГ и ЬЬ» .-Изв. АН СССР, сер.физ.,1976,т.40,№9,с.1922-1925.

29. JiU2aWa A, Kojima 1. Xum(n<zscence of aM taW*inoluceJ UV A'jW cti Joltf tampzzahiue}. РЦ*. Soc. Jafan, L967, Y.23, M i , p. 13ft-139.

30. Лущик Ч.Б., Куусманн И.Л., Плеханов В.Г. Люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами, дырками и электронами.-Изв.АН СССР, сер.физ.,1979,т.43,Г6,с.П62-1168.

31. Futtli MMfamS R.T.; AN. Т-гххпьМ optica*? оЬьогрЬ'оп Self tapped excibnS, in atoft' bafcdg CT^WiPk^. kv. Ш., 1970 (yjs f N7 , p. W - W9.31. bairfini G., bosaccini fe. Optical pupate of авкай bafefe

32. РЦ*. ШЪ, V. U6, M3; p. 863- 870.

33. Куусманн И.Л., Лийдья Г.Г., Лущик Ч.Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах.-Труды ИШАН ЭССР,1976,т.46,с.5-80.

34. Кинк Р.А., Лийдья Г.Г. Низкотемпературная люминесценция чистых и активированных кристаллов м при возбуждении в экситонной п оло се.-ФТТ,1969,т.11,вып.6,с.1641-1649.

35. Хижняков В.В., Шерман А.В. Адиабатические поверхности и оптические спектры автолокализующихся экситонов.-ФТГ,1976,т.46, с.120-142.

36. Даггопи Al^octUn F.W., Kaifo AM. EPR. in tupld state o{ tW setj-liappea «xciton-Pb^&.Rev.Xctt., 1973, V.3i ,tlT( p. Ш-Ш.

37. Mb AM.1PcAUisonS.A. feita |ог a ttfpfiet state of fcU ^{Дгаррес! aciton in hc$ck c^tafe.-Ph^.- 181

38. Кинк Р.А., Лийдья Г.Г., Соовик Т.А. Затухание экситонной люминесценции ^ при низких температурах.-Опт. и спектр., I971,т.30,вып.2,с.279-285.

39. Jfeiont JH.if., Uibz JU.N, Jiajnabc йгы&ы po(!<xvzation o{ fcrninnseenee {гоm -ttafpd ad{ons in ЬаШ^г Pby-S.1. Uy. ш., m , p. 1283- ms.

40. Каблер M.H., Марроне М.Дж., Фаулер В.Б. Магнетооптические эффекты в рекомбинационной люминесценции самолокализованных экситонов.-Изв.АН СССР, сер.физ.,1973,т.37,Р2,с.341-346.

41. Mmrn U.;?on-Lana Van $ei&ez V. Р?орег-1{с$> o| occibn staW in Najf. X- The intosic photo (!u mi n<?sc£ncg Pby*. Slat. Sot, Ш, V.29, p. 159-166; и ЕхаЬЫс enaijj "kanv{e.i -to GL an T(! centetS.-Ph^.

42. Рашба Э.И. Сосуществование свободных и автолокализованных экситонов в кристаллах.-Изв.АН СССР,сер.физ.,1976,т.40, 1^9, с. 1793-1800.

43. Ui^rmaa U.;lormua JJL, J'.PhjA. Soc. Japan , L975, V.59, p.390.

44. IE., Twjaidan tJ., flatten ЪЬ. Ufexmofct Jbozf -lion of' adtafc hay<u>.-}hfi.hv.,i959XiU,P-lo19-l{oS.

45. P. ЕИекЬоп&п EmzfivzzQuvL - Jteunp? and liczgchunji OfticW IfonsWUn. l.KjQ^um^micl.- Pb^v

46. Лугцик Ч.Б., Васильченко E.A., Либлик П.Х., Лущик А.Ч., Лу-щик Н.Е., Соовик Х.А., Тайиров М.М. Динамика автолокализации и распада экситонов в 0«>Ьг при 4,2 К.-Труды АН ЭССР, I981,т.52,с.7-51.

47. Ejiti A. The. afoo^ion $ресЫ о{ аёкпЬ Ьaftclesр- роНаъгес! &аамлгг\ u^WmoW zadlation . Sci.- 182 -ЩЫ , 1317, V.26,Ni , p. 1-24

48. Лущик Ч.Б., Васильченко A.E., Лущик H.E., Пунг Л.А. Релакси-рованные и нерелаксированные возбуждения в кристаллах типа-Труды ИшАН ЭССР, 1972,№39,с.3-46.

49. Pehoff У., PincUux I., Chzcioum С. dai ^xcitom'c Sluxcttm o| atofe ha^o/cs Uv.Uit, L9U , 4.21 ? Й20, p. 1Ы7- 13&&.

50. TomiKA Jii^aia T.JsaiCamoio H. Tempestu4 defen-oUncC o| IW lunolamcnb^ Spectia of potassium ha& -olcs in Ihe ^cliaman u^WioW on (4t4-il,Sa)r I Pbfi. W. foan , {973,4.15 J2, p. 507.

51. Денкс В.П., Лущик H.E., Плоом Л.А., Соовик Х.А. Люминесценция и радиационные дефекты в NaBz. и H<*f ,-Труды ШАН ЭССР,1976,т.46,с.ИЗ-И9 (рез.англ.).51. jUijaia 1 Uciion 5tu\duu of Na cW Na Бг. f. Phfi. Soc. Japan, l%9, 127, H^.Zti.

52. Лущик H.E., Соовик Т.А. Возбуждение люминесценции примесных центров в при оптическом создании экситонов.-Труды ИФАН ЭССР,1974,iM2,с.61-80.

53. Куусманн И.Л., Либлик П.Х., Лийдья Г.Г., Лущик Н.Е., Лущик Ч.Б, Соовик Т.А. Краевая люминесценция экситонов щелочных йодидов. -ФТТ,1975,т.17,вып.12,с.3546-3550.

54. Куусманн И.Л., Либлик П.Х., Лущик Ч.Б. Краевая люминесценция экситонов в ионных кристаллах.-Письма в ЖЭТФ, 1976,т.21, вып.2,с.162-165.

55. Вайштейн Б.К. Структурная электронография.-М.Изд.АН СССР, 1956,с.293.56. fcass W., 1, СохФ.Е., е., fomib^UtoI W. N«U-tzon oliffmetion тса$иг<шелН on tha Р-Т

56. Pta*>z diagram of ammonium tu>mide.- Ph^. Re.v. 6. Softd SbU , 1976 Kl5, p. 1985- 1956.

57. ЛАаггопс jU.tf., tMu JU.N. R^com&ination &imin«$c«neG •(tom Sd^l Tiapped fxciionS in Ammonium Ha£id<? E^stafe.- Phjs. fav., l%b, V. 176, N3, f> 1070 - 1015.

58. Гаврилов Ф.Ф., Бетенекова Т.А., Пилипенко Г.И., Чолах С.О., Тютюнник О.И. Оптика и спектроскопия монокристаллов гидрида лития (обзор).-Химия твердого тела,Межвузовский сборник, Изд. УПИ,Свердловск,1982,с.65-87.

59. Лутцик Ч.Б., Плеханов В.Г., Чолах С.О., Гаврилов Ф.Ф., Пусто-варов В.А., Бетенекова Т.А., Завьялов Н.А., Лехто Т.А.,

60. О Коннель-Бронин А.А., Халдре Ю.Ю. Локализация и распад экситонов в .-Труды ИФАН ЭССР, 1981,т.52,с.71-92.

61. Wittd R.C., Wa?m W.C fxCiton and MttUnd Spicbn of (tytaifena CaQ.- Ph^£>. Uv., i969 , V.{&&;

62. Кузнецов А.И., Ильмас З.Р. Отражение кристалловотграней (I0II) и (0001) в области 4,5-14,5 эВ.-ФТТ,1975,т.17, вып.7,с.2132-2133.

63. Ильмас Э.Р., Кузнецов А.И. Фотопроводимостьмлв области края собственного поглощения.-ФТТ,1972,т.14,вып.5, с.I464-1468.

64. Changf N.L F?uo-MS<tna and Slimu&iwl Emission |wm T'MO-o^jit Euiopium in 9"£Ыит Oxide. JouinaQ of App&'ed t>hy-S., {963, V.34, p. 3500 - 3504.

65. TippinS H.H.- Absorption «dje specizam oj? S«ano(itfm Oxidg.-The tfoiana^ of Physics and ctamisby of SofeJs , i9U , V.27 J7, p. l069- {07£ .

66. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в- 184 ионных кристаллах.-Восточно-Сиб1фское книж.изд.,1977,с.3-208.

67. Мотт Н.,Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. -Пер. с англ.,М.,ИЛ.,I960,304 с.

68. Кац М.Л. Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочногалоидных соединений.--Изд. Саратовского ун.-та,I960,271с.

69. Френкель Я.И. О поглощении света и прилипании электронов и ложительных дырок в кристаллических диэлектриках.-ЖЭТФ,1936, т.6,с.647-665.

70. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.-УФН, 1977, т.122, вып.2,с.223-251.

71. Дине Дж., Виннард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах.--М.,ИЛ,I960,243с.

72. SonJkt Е„ StMey W.A. in: Point Dejeds in Sofcls.v.L, E4J. (WM ana Эдклп Lit., N.V. Plenum1972; p.201.

73. Ibh N. Foima-tion of lattice defects ty LoniBinj tadi -alion in (xhak ha&'cks в'.РЬу&.СРадпс^, m (1977), V.3T ,*U2 , CeWoj.ilT, p. 27-37

74. Лущик Ч.Б., Гиндина P.И., Йыги X.B., Плоом Л.А., Пунг Л.А., Тийслер Э.С., Эланго А.А., Яансон И .А. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочногало-идных кристаллах.- Труды ИФАН ЭССР,1975,т.43,с.7-62.

75. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Соовик Х.А, Тапиров М.М. Распад экситонов на дефекты и поляризованная люминесценция при рекомбинации дефектов в ЧЬг .-Письма в ЖЭТФ, I980,т.32,Р9,с.568-571•

76. Воробьев А.А. Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах.- 185 -Изд.Томского Ун.-та,1968,с.3-376.

77. Круминьш В.Я., Бауманис Э.А. Генерация и термическое разруше-шение У2. -Центров в КВт. .-Ученые записки "Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах", Латв.Гос.Ун.,Рига, вып.4,с.245.

78. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Пунг Л.А., Тийслер Э.С., Зланго А.А. Яансон И.А. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах Изв.АН СССР, сер.физ., 1974,т.38, с.1219-1222.

79. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах.-Изд.Мир,М., 1978,т.2,с.7-347.

80. Витол И.К. Автореферат кандидатской диссертации, Латвийский Гос. Ун.,Рига,1970.

81. Scudon ЭДоп N. Н ccntoaction duunfr thzmal anneafonj in . - Tha jouzhal o-f Phfiici and ckmish^ of SoWs. -1973 , V.34, p. 1165 -{171

82. Лущик Ч.Б. Собственные электронные возбуждения и дефекты ионных кристаллов.-Труды ИФАН ЭССР,1978,т.48,с.24-63.

83. Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Лущик Ч.Б., СоовикХА, Тайиров М.М. Образование вакансий и интерстициалов в щелочно-галоидных кристаллах при оптическом создании экситонов.-ФТТ, 1981, т.23,вып.2,с.481-487.

84. Роо(м ф. 110. anion "up^aeeiMn-t Vi^ucnecs in aditadi hafo<k$> ancl th<Liz zePation -to F- c^ni^ production fcj electron ^combination . - Ргос . Pfys. Soc ., Ш ,V.&7,Patti (K555 #p. 267-262.

85. TaicchiSa y.;HickaK.i ilasamitsu W. ^umincsctnce and сойогcmto. formation feu -the optica? conmsion o? SIE in КВг and ML- flfys.Soc. <Tap.; 197btVA5,tll, p. {.Ш- 193Z.- 186

86. Лущик А.Ч., Колк 10.В., Халдре Ю.Ю. Рекомбинационный и экси-тонный механизмы создания френкелевских дефектов в КС0 и KW-Aj при 4,2 К.- Труды ШН ЗССР,1982,т.53,с.193-217.

87. Анненков Ю.М., Пичугин В.Ф., Франгулянц Т.С. Термическая устойчивость центров окраски, образованных при температуре жидкого азота в кристаллах твердых растворов КС(! и К&г .-Изд. Томск.политехи.института,I977,т.247,с.83-86.

88. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Маароос А.А., Плоом Л.А., Лущик А.Ч, Пунг Л.А., Пыллусаар 10.В., Соовик Х.А. Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах kW .,-Ф1Т, 1977,т. 19,вып. 12, с.3625-3630.

89. Мелик-Гайказян И.Я., Куракина Э.П. Радиационное образование дивакансий и катионных вакансий в КС£ .-Изв.АН СССР,сер. физ., 1971, т. 35, if-7, с. 1360-1363.

90. Пекар С.И. Исследования по электронной теории кристаллов.--Гос.изд.Технико-теоретической лит.-ры, М.-Л.,1951,254с.92. isdeamj С.Й. у Ъопд L£> Оnihiz (amietna (улапЖп^ of F cenUts in aticaft haftda - - $оЫ State Com -munS, 1960^ v. 33 , p. 907- 910.

91. Onj Chon<j, K\m; V<xi? %hrn M. Thzovilicat Stfwe^ o|

92. F-ccrrUiS iri qfitafc hafrdes witft Nfttt Stmcime .

93. Ap^oiption and the cfzomnd . R<zv. 8:

94. Ш state , 1977 , V-M6, p. 3&98 390S.- 187 94. ^amo A., NuxaxhmeW T. and бстшИоп JUkctaniim o{ ВЦ СtnUs in X- Rayed Ш -Stal. Sofcdi, (I) miV.7bJ?) p. 529-536.

95. Мм C.M.,BiMei K.jU., NoTjett M.i ЧпЬмИШдфеIs in UzadiaW atoft hcftcks.- So&J State {975, V.5 ,N3 t Lb4-L-M.

96. Ruchadt H. PholocUmische tftufckU^ /1 mmoniumhafcjtnielin.- Z. ШЗ, Bd -134, H.7, 554 563.

97. Patten P., jUawoM jU. VK ~ Ccnhi in ИНчВг and

98. NH4C£ e^tah . Ptys. RtVv 19C6 , v.£«,1. P. 513- 5ib.

99. PodszuS В. {Dutch Basfoftuigf mil Ronton tichtlii Ш and 1'1ттпктршЫ Mifoz&hs AmmoniurpfodJ.--I. c/iv {971}V.26q ,N7, p.ll&i ' 1186.

100. Котов А.Г., Пшежецкий С.Я. Исследование методом ЭПР образования радикалов при у"-облучении некоторых солей аммония и гидраз ония. -Ж. физ. химии, 1964, т. 38, SJ-8, с. 1920-1925.

101. Сове Т. Paiamajnetic Sheets in faadioUJ ЩЮц- Ь km. Ру., 19И ; v.35, N4, p. 1169-1174.

102. Mazcjucizcli Palten P. РагатачпА'с шопапег of a Kucl^a^iin izzacliahd ammonium cbloziclc Cifiak.- Ш Slate Commun., 1969^.7,»I3; p.393- 395.

103. Антонов-Романовский В.В. Введение в кинетику фотолюминесценции кристаллофосфоров.-М.,Наука,1966,324с.

104. ЮЗ.Лущик Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочногалоидныхкристаллофосфорах.-Труды ®АН ЭССР,1955,т.3,с.3-227. 104.Лунник Ч.Б. Исследование эффективности термолюминесценции при термической обесцвечивании щелочногалоидных кристаллов.-Труды- 188

105. ШАН ЭССР,с ер.физ.,1967,т.31, №12, с. 1968-1969.

106. Юб.Пунг JI.A., Халдре Ю.Ю. Исследование электронных и дырочных процессов в ионных кристаллах по неизотермической релаксации ЭПР и рекомбинационной люминесценции.-Труды ИФАН ЭССР, 1970, №38,0.50-84.

107. Юб.Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочногалоидных кристаллов.-Рига,Зинат-не,1979,с.5-244.

108. Шг JM.N., Wifcms И Vacancy inieislitio* роиг j?wduc.{ion Aciun-hvdi zzcomtfinabion ih ha fide- Phy*. Re*, £97&, Bib , M, p. im-1960,108. ? £933 , V. ii. AKadgmiscta OtdoLffiest/fschafi; p. 606 635.

109. Hujtas &>scom& W. Th<2 cy&ta? siwciuM meth^ammonium ch&ozidc . km.thm. %c.} 1946 7 rtlo, p. 19/0- №.

110. Ga(>£ £.Th<z ciipW sWtiae of rwtbuGammon!am fctomidi.- Ada Ctystofoj., Ш ДШ, « S , P.1296.

111. ПЗ.Мамедов А.П., Панова Л.Я., Алиев Б.М., Керимов Н.М. О люминесценции хлорида метиламмония, активированного таллием.-Ж. прикладной спектр.,I972,т.17,Р4,с.719-721.

112. Je№nec P. Du^taP Sizuchszz о-Р the low htmpnaiuzeогт о| mcnoHWamine huclio^-Mmicle . Acta Cv^t.; l9Se>;V.{l.iU , P.626-631.115. tinj &pscom4 f. The sliudims oJUta П-p^putf-ammoniam haftcks ai ъоот -ЫтрелсгЫге. Acta1.yst., {950,V.;p.222-227.

113. A^ed. £>.,Ripmecste* J. fesoton of motions iniht ihw «.oft'ds VhftMS of mtthubnmonJam Mv'cln CHSWH3K

114. N. Htydt^tn bond Studies. 62. ThecvfdaP slmcluie of q hijh iempгадЬт modi-fica -lion of c|ime-Hy ammonium ch&We (CHj^NH^K--an X-l&f and ihfzaied Siudf . /Мд . Chcm. Scand-;1972, V.2M&, p. Zoi/3-3052.

115. TscK* f.^Gilbon 9. Ммс&аг ma^ndic tcscnance studies of ьоЫ wdhularnmonium ha6dt$>. Can.f. chcm., (970, vM,H5 t p. 7П-122.

116. Ancluix/ £v CanApa P. А ргоЬп magnate VLSonmcd intm--Цо^ол of Sofej mono-,di -, Iti and WzametMammonium Mzicltt. - f. Majn. Ыоп., 19721V. 7, Й , p. 429- W.

117. Зигбан К., Нордлинг К. и др. Электронная спектроскопия.-М., Мир,1971,с.П7.125. &tcU A tysfof trwy'itS JUzmo^mmk PazcxmciezS, Ornol Sofiaof Some Tdzaafc^amrnoriium HaWes. - 2. PkyS. Cbtm. hat Pa^, {910, ЫП, Ц. iS .91-98 .

118. C&mwii Stuif of trie dtclwnic stvueiuze of mlmhi. Ml Cbaiyt banstez meciantem tbcuadion. % Ckm. Ptys., 1967 Y.<T7,N7, №323-2329.

119. Boucl R. J&xttic* tnizffhi and li^dzalm Thzzmocltyha-mics of atfK^ammoni'um Hafcol es. - jf: Chun.1. Ш-1Ч1Ч.

120. Weil Poix/сДО H. TU ajy&xl and rno&c«0az Stmttu4 o{ tdiad:bu?amrnomum Jodicle. ft. CUm. Soc., 1958» ^ N5^ p. 1872- Ш5.

121. Бриль П., Гримм X., Герман К., Петере К. Применение рентгенографического Фурье-анализа к проблеме химической связи.-Усп.химии,I940,т.9,№4,с.419-459.

122. Вайштейн Б.К. Структурная электронография.-М.,Изд.АН СССР, 1956,314с.

123. Т$сщ "J. bibon М^тогрЬ^т in n-a^arnmonium

124. A difteurvlial Scanning ooioTjoimlijie. Siud^.- J. c-b<Ltn. , 19**, V. 72 , rll* , р.Ч0Ь2-H0B5.

125. Kmcj Jl.} &pcomt J. Tbe SbueW<zs e| Ik п-р^мвavnmonium ViafcddS at leom txmpe.zatut'fc^ctft Oi^t., 1950 ,У.Ъ} Al2 ? -227.

126. Kohx W., Маскцу R. phase ±ianSi{onS in itlza a Ik ft ammonium jodih bvtb-f. PhyS. W, i97{ f V. 15, Ш5,р. 2066-2069.

127. Com T.; Дт^гоье fmj fan? Fusion pzopulies of $orn<z ionic ju^teitw^ ammonium compounds.

128. Лт.Ект. $oc.j 970 ;V. 92 ; frliS, P. 6293-5297.

129. Красан Ю.П., Егоров Ю.П., Фещенко Н.Г. Осинтезе и рентгено-структурных исследованиях тетраамилфосфониййодида-ЖСХ, 1970, т.И,№5, с. 941-942.

130. Чалый В.П., Красан Ю.Г., Маковецкий Ю.П. Предварительное рентгенографическое исследование (tiW^^?^ .-ЖСХ,1975,т.16, №5,с.917.

131. Бокий Г.Б. Кристаллохимия.-М.,Наука,1971,400с.

132. Болдескул И.Е. Спектроскопическое исследование механизмов межмолекулярных взаимодействий с участием солей фосфония. Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук.-Киев, 1973,20с.

133. Денисов Г.С., Оя Х.П., Рыльцев Е.В., Суглобов Д.Н. Спектроскопическое определение энергии диполь-дипольного взаимодействия в растворах галогенидов триоктиламмония.-ТЭХ,1969,т.5, №2,с.254-259.

134. Хименко М.Т., Гнилицкая А.Н. Определение поляризуемостей и радиусов ионов в водных растворах.-Ж.физ.хим.,1977,т.51,RS3, с.711.

135. HentWtS 2.B. Tk Stwiutc of theamrmmium Ha^cl^.-1928,V.67; IhU-hb1.

136. Q^jina&niittolWtfn. lч h*atbj^amn?oni* j>odid .-©ie tou^senschaft, 1940,Bd A S.366.

137. Киг^С Diijinafmltteifw-n^n. Tbmdh^ammonlum^odicl unol Тг< metli^ S4в|on»am jocW. SciWkn; 1941,

138. V^jptd 2?. TU Situduu of th<L ЬЫ -vnahilammonium hfttcks.- M. Maft. ,191? j>.%5- loot.148. tow tit Ч.Л., E.' An Addition Compound of Uhadhy&mmonium biomiJQ and $uccinjmijlAn.1. Adclji1 on Corn роило/ tf-f^ 19571 p. -1872.

139. The (tysW &tuc£ut* o|Ue tefeameth^ammoniam hafedcs.-Wst.f £928f V.67, p.9Mo5\

140. Dm|o?c^ H- Bontanc/У^ СЬсилй H.,fomanci*n 6 •

141. Мамедов А.П., Панова Л.Я., Шабалинская Л.А. Ультрафиолетовые спектры поглощения галогенидов метилзамещенных аммония.-Опт. и спектр., 1977,т.43,№3,с.569-5171.

142. Мамедов А.П., Панова Л.Я., Шабалинская Л.А., Тагиров И.М. Об экситонном поглощении галогенидов этилзамещенных аммония.- 193 -Опт.и спектр.,1978,т.44,№4,с.820-822.

143. Сухотин A.M. Вопросы теории растворов электролитов в средахс низкой диэлектрической проницаемостью.-Л.,ГНТИХЛ,1959,с.27--31.

144. Берзинь Б.Я., Ярославская Ю.Н. О неэлементарности длинноволновой экситонной полосы поглощения в кристалле К^.-Изв.АН Латв.ССР,сер.физ. и техн. наук, 1970,1453,с.33-37.

145. Кинк Р.А., Лийдья Г.Г., Лущик Ч.Б., Соовик Т.А. Экситонные процессы в щелочногалоидных кристаллах.-Труды ШАБ. ЗССР, 1969,т.36,с.3-56.

146. Мамедов А.П., Панова Л.Я., Джафарова Р.А., Мардухаев В.Р. Свечение автолокализованных экситонов в йодидах триалкилзаме-щенных аммония.-ФТТ,I979,т.21,вып.12,с.3728-3729.

147. Мамедов А.П., Панова Л.Я., Соовик Х.А. О люминесценции йоди-да тетраэтиламмония.-Труды ИФАН ЭССР,1975,т.43,с.134-140.

148. Джафарова Р.А., Мамедов А.П., Панова Л.Я., Салаев Э.Ю. Собственное поглощение и люминесценции автолокализованных экситонов в йодидах тетрапропил- и тетрабутиламмония.-Изв. АН Азерб.ССР,сер.физд;и мат.наук,№3, с.84-87.

149. Мамедов А.П., Панова Л.Я., Джафарова Р.А., Мардухаев В.Р. Экситонное свечение бромида тетрабутиламмония.-Ж.Опт. и спектр.,1981,т.51,вып.6,с.Ш4-1116.

150. JWclo* A.\, Jiaictahaw i.%. £Р£ SpectiA of Vk- centers in some X~ to^ed аЫ^ammonium tumides .-XX. Sptfctwseopicum !Jntenationa? Confine® on A-tonrifC $p<Z.ctzx>Scop^ . AfeUaclS. ЫЫ t 1977,^.570

151. Марданов M.A., Мамедов А.П., Мардухаев В.P., Наджафова М.А., Салаев Э.Ю. Спектры ЭПР-центров, индуцированных ионизгфущим излучением в некоторых хлоридах алкиламмония.-ДАН Азерб.ССР, сер. физ. хим., 1977, т. 33, РЮ, с. 38-41.

152. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Тайи-ров М.М. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания Р , Н -пар в щелочногалоидных кристаллах.-Труды ИФАН ЭССР, 1983,т.54,с.5-37.

153. Рс&ел F. Pa^Amftfnclic and ЩъЬг cofct tdnidi in aicidiated ammonium haCidcs S>»njU etasbxfc Ph JS. ^ i%b>V- 175 ' P-~U27'

154. Мамедов А.П., Мардухаев В.P., Салаев Э.Ю. Исследование термического превращения ион-радикалов в некоторых облученных хлоридах триалкиламмония методом ЭПР.-Химия высоких энергий, 1978,т.12,№5,с.418-420.

155. Панова Л.Я. Внутрицентровая и рекомбинационная люминесценция некоторых галогенидов алкиламмония, активированных таллием. Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук.-Баку, 1974,20с.

156. Алфимов М.В., Никольский В.Г., Дубен Н.Я. Термолюминесценция и спектры ЗПР органических соединений, облученных быстрыми- 195 электронами.-Кинетика и катализ,1964,т.5,вып.2,с.268-279.

157. Никольский В.Г., Дубен Н.Я. Радиотермолюминесценция органических соединений.-ДАН СССР,I960,т.134,PI,с.134-136.

158. Никольский В.Г., Точин В.А., Бубен Н.Я. Стабилизация электронов при низкотемпературном радиолизе органических веществ. -ФТТ,I963,т.5,вып.8,с.2248-2251.

159. Бучельникова Н.С. Отрицательные ионы.-УФН,1958,т.65,вып.3, с.351-381.

160. Пшежецкий С.Я., Котов А.Г. и др. ЭПР свободных радикалов в радиационной химии.-М.,Химия,I972,480с.

161. Тальрозе В.Л. Химическая природа ловушек, образующихся при радиационно-химических реакциях.-Изв.АН СССР,серхим.,1959, №2,с.369.175. {)4!>еся .fr P.H. ApSotpiiort SpzcUa of Р/, MJand £ in {hi AM'1.6L, V.l2l,tf \ p.io^3-i06i

162. Эланго А.А., Нурахметов Т.Н. Создание и разрушение дырочных

163. Ьгъ -центров в КЬг -Ш1,1976, т.18,вып.4, с.1147.

164. Tench A.J. ihchfin Spin Resonance in an fczacliaM Сг^-ta? of Te£tamd:b<^ Ammonium dilov'de . fhdof ckmicq? Ph^.'c^ 1.963 ,Y.3& ,N3, p.593-597.

165. Rnch A.^- ifomrnapdri'c damaffi in гоЫ Idiamdhyl-ammoniam haMiS . Fvul tadi'ca^ cd W

166. Urnpambum.- f.Phtfi.chzm., 924.

167. ЪаъыЦ I. £PR da-iaetnigatioh o{ xad;a<xh in iuadi-aW tctta n- Auti^ammonium ha&ole^.- J. Cbffnn. РЦ*. , {%0t V.3&, Vl3 , P- 955- 956.

168. Simons jU.; Рейтлгл R. Ha^d<? ior\ coptuw fytdecizon ?>pln ixsonanse spcci^a o|- 196

169. R^V IM an cJ lA-Wat f. Cbim.SoC.

170. Fatacl^ TzanS, 1979 , раг-l Y. 75, f.2l0-2\d.

171. V^^ buin^. Tilt mas-c, of iU pyvfyb'sjWuctS of soma leliaa^^cxmmoruum arid Sisithaa^-amrwhium W»i«.-bn.fl. fliim {074, Y.52 Jl9,p. 3V3&-3W3.

172. Миллере Д.К., Грабовскис В.Я., Гринфельде Я.К. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах.-Ученые записки Латвийского Госуниверситета, Рига,1973,т.193,вып.I,с.63.

173. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Пунг Л.А., Тийслер Э.С., Эланго А.А., Яансон Н.А. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах А^вУ-^.-Изв.АН СССР,сер.физ., 1974, т. 38, iiD-6, с. 1219-1222.

174. Клемент Ф.Д. Об объемном или поверхностном характере центров люминесценции в щелочногалоидных кристаллофосфорах.-Материалы У11 Совещания по люминесценции,Тарту,1959,с.3.