Спектроскопия бинарных оксидов, халькогенидов и некоторых моноатомных неметаллов в широкой области энергии собственного поглощения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

СОБОЛЕВ Валентин Валентинович

СПЕКТРОСКОПИЯ БИНАРНЫХ ОКСИДОВ, ХАЛЬКОГЕНИДОВ И НЕКОТОРЫХ МОНОАТОМНЫХ НЕМЕТАЛЛОВ В ШИРОКОЙ ОБЛАСТИ ЭНЕРГИИ СОБСТВЕННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ

Специальность 01.04.05 - Оптика

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Ульяновск - 2005

СОБОЛЕВ Валентин Валентинович

СПЕКТРОСКОПИЯ БИНАРНЫХ ОКСИДОВ, ХАЛЬКОГЕНИДОВ И НЕКОТОРЫХ МОНОАТОМНЫХ НЕМЕТАЛЛОВ В ШИРОКОЙ ОБЛАСТИ ЭНЕРГИИ СОБСТВЕННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ

Специальность 01.04.05 - Оптика

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

• > • Ульяновск - 2005

¿/с/О/Ж

Работа выполнена на кафедре общей физики и в отделе спектроскопии твердого тела в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Удмуртский государственный университет»

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор

Горелик Владимир Семенович

Ведущая организация: Уральский государственный технический

университет УГТУ - УПИ

Защита состоится 17 июня 2005 года в 13 часов на заседании диссертационного совета ДМ 212.278.01 при ГОУ ВПО «Ульяновский государственный университет» по адресу: Набережная реки Свияги, 40, ауд. 701

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Ульяновского государственного университета

Автореферат разослан « £7 » л 2005 года

Отзывы на автореферат просим присылать по адресу :

432970, г. Ульяновск, ул. Л. Толстого, д. 42, УлГУ научное управление

Ученый секретарь

доктор физико-математических наук, профессор

Михайлин Виталий Васильевич

доктор физико-математических наук профессор

Несмелова Ирина Михайловна

диссертационного совета кандидат, физ.-мат. наук

О.Ю. Сабитов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Физика твердого тела стала одним из главных направлений развития прикладной и теоретической физики.

Современное состояние и перспективы технического и научного прогресса определяются практическим использованием микроскопических и квантовых свойств конденсированных систем и глубоких разработок фундаментальных проблем. Решение возникающих при этом задач по определению возможностей получения твердых тел с наперед заданными параметрами зависит от развития фундаментальных исследований теоретического характера, необходимых для объяснения и предсказания процессов, происходящих в твердых телах.

Среди наиболее важных и основных параметров вещества выделяются энергетические уровни. Знание их особенностей, энергий и интенсивностей переходов между ними в широкой области энергии фундаментального поглощения позволяет с самых общих позиций понять известные физико-химические свойства и предсказать другие вероятные характеристики веществ и приборов на их основе.

Среди многих известных методов изучения энергетических уровней самыми точными, прямыми и эффективными в большинстве случаев признаны спектроскопические методы, особенно метод спектров отражения с синхротронным источником света в широкой области энергии [1,2].

Взаимодействие света с веществом весьма сложно. Наиболее полно оно описывается комплексом из 12 фундаментальных оптических функций (R, ц, Ei, е2, -Ime"1 и др.) [3]. Однако экспериментально измеряется, как правило, только R(E). Определение этого комплекса составляет первую проблему спектроскопии. Полосы оптических переходов твердых тел, как правило, сильно перекрываются. Поэтому некоторые из них структурно не наблюдаются в интегральной кривой переходов. Определение полного набора наиболее интенсивных переходов и их параметров (энергий Е, максимума и полуширины Н„ площади S, и силы осциллятора fj) составляет вторую, еще более сложную проблему спектроскопии.

К настоящему времени известно много экспериментальных исследований сотен материалов [1-7]. Как правило, они ограничиваются спектрами отражения (1 - 30 эВ), редко - еь е2 (1-5 эВ) или -Ime'1 (1 -50 эВ). Иногда они сопровождаются не вполне корректными расчетными спектрами нескольких оптических функций и попытками воспроизведения интегральных кривых R или е2 произвольным набором осцилляторов.

Поэтому, как правило, эти данные представляют первичный весьма «сырой» материал, который нуждается в глубокой и детальной всесторонней компьютерной обработке.

Согласно общей теории оптических свойств максимумы спектров оптических функций обусловлены прямыми междузонными переходами или метастабильными экситонами [8]. Энергетические зоны и спектры е2(Е) успешно рассчитаны для многих кристаллов [3, 5 - 7]. При этом близость кривых теоретических е2 с расчетными на основе опытных R(E) принимается за корректность теории. Однако для других функций (R, ц, Е2в2) данные теории и опыта сильно расходятся [9]. Только частично это объясняется неучетом экситонов. Давно общепризнана большая роль экситонов при формировании оптических спектров в широкой области энергии [10]. Но до сих пор нет ни теории метастабильных экситонов, ни метода учета их вклада в общую кривую оптической функции.

В результате первая задача по определению комплекса оптических функций выполнена лишь частично и для немногих из известных сотен соединений. При этом расчеты сделаны различными методами, а полученные данные обсуждаются весьма упрощенно без должного теоретического анализа. Вторая задача спектроскопии по установлению отдельных полос компонент переходов и их параметров изучена очень слабо и для весьма небольшого количества соединений. Это существенно затрудняет оценку корректности теоретических расчетов зон и спектров оптических функций. Теоретические расчеты зон в 1960 - 1980 годы ориентировались на экспериментальные спектры отражения (за неимением спектров s2, ц). Но эта методика давно устарела, слишком груба, упрощенна. Все это привело к определенному застою в экспериментальных и теоретических исследованиях оптических свойств и электронной структуры твердых тел.

Цель и задачи работы.

Цель работы заключалась в исследовании всесторонних оптических свойств, основных параметров переходов и электронной структуры многих бинарных оксидов, халькогенидов и некоторых моноатомных неметаллов в широкой области энергии фундаментального поглощения.

Для достижения поставленной цели необходимо было выполнить следующие четыре основные задачи :

• в основном решить первую проблему спектроскопии: определить спектры полных комплексов оптических функций, установить их основные особенности и теоретическую природу;

• в основном решить вторую проблему спектроскопии: спектры е2 и -Ime'1 разложить на элементарные компоненты, определить энергии и

вероятности полос компонент переходов и выполнить их детальный теоретический анализ;

• изучить влияние дальнего и ближнего порядка на оптические спектры и электронную структуру отдельных соединений и в рядах их родственных групп;

• установить зависимость энергий переходов групп родственных соединений от природы их обоих компонент (аниона и катиона).

Для их эффективного выполнения предварительно была проведена подготовительная работа:

• усовершенствованы пакеты компьютерных программ для расчетов спектров комплексов оптических функций по отдельным из них функциям (R, -Ims'1, или Ei, г2);

• существенно модернизированы компьютерные программы разложения спектров е2 и -Ime"1 на компоненты;

• разработаны медодики сопоставления комплексов экспериментальных и экспериментально-расчетных спектров и установленных компонент переходов с комплексами теоретических спектров, теоретическими расчетами зон и плотностей состояний, данными фотоэмиссии;

• теоретически рассчитаны методом FP-LMTO зоны, плотности состояний, спектры е2, энергии наиболее интенсивных междузонных переходов ряда кристаллов (MgO, CaF2, CdO, CaSe) с главной целью: установить локализацию переходов в объеме ЗБ.

Кроме того были измерены поляризованные спектры отражения сильно анизотропных кристаллов GaSe, As2S3, TISe для EJ_c и Е||с в области 1 -5 эВ при 90 и 300 К и их неполяризованные спектры R(E) в области 5 -12.5 эВ, кристаллов Cu20 (2 - 12.5 эВ) и a-GaAs (1-5 эВ).

Для этого были использованы дисперсионные соотношения Крамерса-Кронига, метод объединенных диаграмм Арганда, разработаны общие схемы расчетов комплексов оптических функций и разложений е2 и -1ше"' на компоненты и определения их основных параметров на основе экспериментальных спектров кристаллических и некристаллических материалов, общие схемы сопоставления экспериментально-расчетных данных с теоретическими расчетами зон и е2 для кристаллов, а также оптических спектров с экспериментальными и теоретическими спектрами плотностей состояний стекол.

Научная новизна.

1. Впервые систематически по единым программам определены спектры полных комплексов оптических функций в широкой области энергии фундаментального поглощения около сотни различных бинарных

оксидов, халькогенидов и моноатомных неметаллов основных десяти групп кристаллов и стекол. Установлены основные их особенности, в том числе природа максимумов полос спектров диэлектрической проницаемости е2 и характеристических объемных потерь электронов -Ime"1.

2. Впервые интегральные спектры е2 и -Ime"1 беспараметрическим методом разложены на элементарные составляющие, определены основные параметры (энергии Е, и полуширины Н„ площади S, и силы осцилляторов f¡ полос переходов) поперечных и продольных компонент полос переходов и их основные особенности. Установлены существенные преимущества примененного метода разложения объединенных диаграмм Арганда перед известными методами воспроизведения интегральных кривых R(E), е2(Е) с использованием большого количества подгоночных параметров. Количество выявленных компонент часто в 1.5 - 2 раза больше количества максимумов спектров интегральных кривых. Это позволило впервые наиболее полно и детально выполнить теоретический анализ полученных компонент переходов. В целом получена существенно более полная и глубокая информация об оптических свойствах и электронной структуре рассмотренной сотни соединений.

3. По спектрам оптических функций двух фаз (кристалл, стекло) десятка соединений (ВеО, лед, AI203, Si02, Ge02, GeSe2, As2X3) получена новая, существенно более полная информация о влиянии ближнего и дальнего порядка на их оптические свойства и электронную структуру. На основе большого сходства спектров двух фаз установлено, что их электронная структура в основном обусловлена экситонами малого радиуса.

4. Теоретически методом FP-LMTO впервые установлено, что многие междузонные переходы кристаллов MgO, CdO, CaF2 и CaSe локализованы в объеме ЗБ вне главных направлений ЗБ.

5. Впервые установлены основные особенности зависимостей энергий компонент переходов от природы аниона и катиона в группах родственных материалов и между ними.

Практическая значимость результатов работы состоит в следующем

Результаты исследований могут быть использованы для обсуждения оптических свойств, электронной структуры и фундаментальных параметров многих бинарных неметаллов и приборов на их основе.

Конкретные практически важные результаты: 1. Показаны большая эффективность и преимущества применений разработанных пакетов компьютерных программ для определения

спектров полных комплексов оптических функций в широкой области энергии фундаментального поглощения, т.е. решения первой задачи спектроскопии.

2. Установлено, что усовершенствованный метод объединенных диаграмм Ар гай да для определения спектра элементарных полос поперечных и продольных компонент переходов и их основных параметров наиболее эффективно без произвольных подгоночных параметров помогает решать вторую фундаментальную задачу спектроскопии.

3. Полученные результаты содержат наиболее полную информацию об оптических особенностях и электронной структуре как отдельных соединений, так и их зависимость от природы катиона или аниона в группах родственных материалов. Это позволяет наиболее компетентно оценивать известные параметры, предсказывать возможные значения неизученных параметров и особенностей материалов и приборов на их основе, в том числе квантовой эффективности фотоэффекта и излучения.

4. Установленные параметры полос элементарных переходов позволяют детально проверять результаты теоретических расчетов зон и спектров оптических переходов по их энергии и вероятности.

5. Результаты исследований двух фаз соединений (кристалл, стекло) представляют наиболее прямую и полную информацию о фундаментальной роли ближнего порядка при формировании электронной структуры соединения.

6. Как известно, интенсивное облучение кристаллических соединений

группы А\В1 (А - Оа, 1п; В - Б, 8е, Те) и стекол слабо влияет на

многие их свойства и параметры. Поэтому впервые полученные результаты для них представляют большое прикладное значение при использовании этих материалов и приборов на их основе в радиационной и космической технике.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Метод эффективного решения первой задачи спектроскопии с применением усовершенствованного пакета компьютерных программ, использующего интегральные соотношения Крамерса-Кронига.

2. Метод беспараметрического решения второй задачи спектроскопии с применением модифицированного пакета компьютерных программ, использующих особенногсти диаграммы Арганда.

3. Схемы детального сопоставления экспериментальных и экспериментально-расчетных данных с теоретическими результатами для определения природы полос переходов и правильности теоретических расчетов.

4. Метод теоретических расчетов электронной структуры по всему объему ЗБ. Показано, что обычно применяемые методики слишком упрощены, а иногда просто неверны: многие интенсивные переходы могут быть локализованы в объеме ЗБ далеко от точек основных направлений ЗБ.

5. Метод детального сопоставления электронных структур родственных соединений по зависимостям энергий компонент переходов от параметра решетки и их определения для еще неизученных материалов.

6. В общем случае компоненты е2(Е) обусловлены междузонными переходами или метастабильными экситонами, а для многих бинарных оксидов - в основном экситонами малого радиуса.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на: XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Кишинев, 1988); XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990); III Всесоюзной конференции «Материаловедение халькогенидных полупроводников» (Черновцы, 1991); IX Всесоюзной конференции ВУФ-91 (Томск, 1991); Пятой международной конференции по электронной спектроскопии (5-th International Conference on Electronic Spectroscopy, Kiev, 1993); Первой Международной конференции «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников» (Черновцы, 1994); VIII-ой конференции «Химия, физика и технология халькогенидов» (Ужгород, 1994); Третьем международном семинаре по новым материалам (Новосибирск, 1996) (III International Seminar on new materials, Novosibirsk, 1996); Российской университетско-академической научно-практической конференции (Ижевск, 1997; 1999; 2001; 2004); Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1998; 2000); Международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1999); IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999); Совещании «Нанофотоника» (Н. Новгород, 2000); Н-ой Международной конференции «Аморфные микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2000); Международном семинаре «Карбид кремния» (В. Новгород, 2000); Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы» (Екатеринбург, 2000); XII съезде по спектроскопии

(Звенигород, 2001); Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2001; 2002; 2003); Ш Международной конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» (Саранск, 2001); Международной конференции «Аморфные сплавы и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2002; 2004); Международной конференции «Опто-, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2004); Vil Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (Сочи, 2004); IX Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 2004); Совещании по программе НАТО «Zinc oxide as material for micro- and optoelectronic applications» (Санкт-Петербург, 2004).

Результаты работы использованы при выполнении грантов Конкурсного Центра Фундаментальных Исследований при СПб госуниверситете 1998-2002 годов.

Личный вклад. Автору принадлежит постановка задач исследований, обоснование способов их решений, непосредственное участие в значительной части расчетов, непосредственное выполнение экспериментальных измерений спектров отражения кристаллов GaSe, TISe, Cu20, As2S3 и a-GaAs, систематизация и анализ результатов. Оптические эксперименты были выполнены в лаборатории оптики ИПФ АН Молдавии (г. Кишинев). Ряд результатов, вошедших в диссертацию, получены в соавторстве с коллегами: сотрудниками отдела спектроскопии Института экспериментального естествознания УдГУ (E.J1. Бусыгина, А.И. Калугин, В.И. Кормилец, Е.В. Пестерев, С.В. Смирнов, В.В. Соболев, А.П. Тимонов), и лаборатории оптики ИПФ АН Республики Молдова (В.Е. Грачев, А.И. Козлов, С.Г. Козлова), которым автор благодарен за плодотворное сотрудничество.

Публикации. В ходе выполнения исследований по теме диссертации опубликованы 151 научная работа, из которых 68 статей в центральных отечественных и зарубежных журналах, 83 работы в Трудах Международных конференций. Список публикаций приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 11 глав, заключения и 2 приложений. Работа изложена на 453 страницах, содержит 163 рисунка и 222 таблицы. Библиографический список используемой литературы включает 587 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении дана общая характеристика диссертационной работы, обоснована актуальность темы, определены цели и задачи исследований, изложены научная новизна и практическая значимость работы, сформулированы основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе представлен краткий литературный обзор по оптическим спектрам и электронной структуре бинарных оксидов, халькогенидов, углеродных фаз, криокристаллов. Приведены две общие таблицы бинарных соединений, структура их решеток, энергия запрещенной зоны (табл.1). Рассмотрено общее состояние экспериментальных и теоретических исследований оптических спектров, зон и экситонов, которое кратко суммировано в выводах.

Вторая глава посвящена описанию методов расчетов и экспериментального оборудования, примененных в работе. Здесь рассмотрены полный комплекс фундаментальных 12 оптических функций, их взаимосвязь, дисперсионные соотношения Крамерса-Кронига, формы контуров полос, диэлектрическая проницаемость, особенности методик расчетов комплексов оптических функций на основе известной только одной из них (Я, -1ше"') и разложений интегральных спектров е2 и -1гпе"' на компоненты с использованием методики объединенных диаграмм Арганда. В трех схемах суммированы детальные особенности методик расчетов комплексов оптических функций, разложений е2 и -1те'' на компоненты (схема 1), сопоставлений экспериментально-расчетных данных с теоретическими расчетами зон и е2 для кристаллов (схема 2) и стекол (схема 3). В выводах отмечены основные результаты этих методик. Техника прецизионной регистрации спектров отражения в области 1 -5.5 эВ описана в Приложении Б, а методика теоретических расчетов зон. е2(Е), локализации переходов в ЗБ и плотностей состояний 1^(Е) в приближении РР-ЬМТО - в Приложении А.

Таблица 1. Неметаллические бинарные оксиды, халькогениды, пять фаз углерода, пористый кремний РЗД элементарные криокристаллы и их Ев (эВ)

ВеО 10.6 Веве 5.5 ВеТе 4.2

N^0 7.8

Алмаз 7.0

графит О

N2 12.0

о2 6.0

С02 10.0

СО 7.8

а-С

Н20 7.5

фуллериты Сбо и 2.0

2.0

С70 2.0

А1203 9.2

8Ю2 11.0

СаО 7.2 СаБ 5.4 Саве 4.9

ТЮ2 3.1 8с203 5.5 У20з

5.5, 6.3

Си20 2.0 СиО 1.2 РсЮ 2.0

гпо

3.4 гпв 3.7 гпБе 2.9 гпТе 2.4

вав

3.0 Оа8е

2.1 ваТе

1.7

Оа28з

3.0 Са28ез

2.1 Оа2Те3

1.3

0е02 7.4

Сев Се82 1.9 3.4 веЗе Ое8е2 1.2 2.4 (йеТе)

ЭЮ 6.1

4.9

4.5

гю2 5.0

2.0 ггБе2 1.5

2.9 2г8е3 2.1 ZrTe3 1.0

М0О3 3.5 Мо82 2.1 Мо8е2

1.7 МоТе2 1.15

СсЮ 2.1 CdS

2.5 Сс18е

1.8 сате

1.6

1п8 2.5 1п8е 1 3 1пТе 1.1

1п283 2.0 1п28е3 1.2 1п2Те3 1.1

8п02 2.2

Бпв 8п82 1.6 2.2 8п8е 8п8е2 1.2 1.5 (БпТе)

ВаО 4.4 Ва8 4.0 ВаЬе 3.6

ню2

5.6

НК2 НТСз

2.5 2.8

Нгее2 Н{Бе3

2.1 2.2

нпъ

Ш82 2.07 WSe2 1.72

(Н£Х)

"Ше 1.2

(РЬХ)

Схема 1

Общая схема расчетов комплексов оптических функций, разложений е2 и -1те1 на компоненты и определение их основных параметров на основе экспериментальных спектров кристаллических и некристаллических материалов

Исходные спектры одной или двух функций:

Я £1, е2 -1т е' п, к £2 И

1. Оцифровывание кривых.

2. Учет объема ЭЯ, г и Ех.

3. Учет /и в области Ек

4. Оценка Я по п в области Е<Ек и определение корректного Я в области Е <ЕЯ; учет влияния поверхности скола, полированности и пленки.

5. Учет особенностей оптики пленок.

6. Учет сплошного фона е2 для Е<ЕХ в эллипсометрии.

7. Корректировка опытных спектров

Я £ь £2 -1т е' п, к £2 М

1 -й этап обработки экспериментального спектра с помощью интегральных соотношений К-К и аналитических формул

Получение полного комплекса оптических фундаментальных функций (Я, еь е2, п, к, д Ее2, Е>е2, в, -¡те', Яе е', -1т(1+£)'', Пф еец ) 1. Выбор программы расчетов по

Я £/, £2 -1т е' п, к £2

2. Ввод исходной уточненной информации с учетом параметров решетки и др.

3. "Сшивание спектров" для E<Eg, Е ~Еас, Е >£й.

4. Оптимизация расчетов спектров полного комплекса функций, в т.ч. для Е<ЕК.

5. Выбор фазы. Учет е2 ~ 0 для Е<ЕХ, Я=((п-1)/(п+1))2 по известным п для

Е<ЕН.

6. Экстраполяция Л ~Е ~р для Е>Етехс.

1. Составление рисунков на основе данных таблиц. 8. Анализ особенностей полученных спектров.

2-ой этап обработки данных с целью разложения интегральных кривых на элементарные компоненты Разложение спектров е2 и -1т £ ~' на компоненты

1. Составление таблиц спектров £1 и £Ъ -1т с' и Яее', а также их учет для одинаковых энергий.

2. Учет объемов ЭЯ и одной молекулы.

3. Построение объединенных диаграмм Арганда. Применение программы объединенных диаграмм Арганда и обрезания "хвостов" контуров.

4. Оптимизация разложения кривых е2 и -1т е с учетом максимумов Л, ц Е2е2 и ожидаемой корреляции энергии и количества компонент 2-х типов.

5. Определение оптимального количества компонент, их Е,, Н\, /,, 5,,/т

6. Составление рисунков.

7. Анализ особенностей полученных данных.

Схема 2 Общая схема сопоставления экспериментально-расчетных данных с теоретическими расчетами зон и е2. Энергии переходов и их локализация

Схема 3

Общая схема сопоставления экспериментально-расчетных данных оптических спектров с экспериментальными и теоретическими спектрами Ме(Е) и Я^Е) стекол

Следующие девять глав посвящены результатам расчетов спектров комплексов оптических функций (А), разложений е2 и -1ш£"' на компоненты (В), т.е. решению двух (А, В) фундаментальных задач спектроскопии материалов и теоретическому анализу бинарных оксидов, халькогенидов и пяти углеродных фаз. Обычно известны экспериментальные спектры отражения Я(Е) и потерь -1ше"' в широкой области энергии, е2(Е), е,(Е) в области, как правило, 1 - 5 эВ. Из них можно лишь оценить энергии небольшого количества ожидаемых переходов.

На основе экспериментальных данных рассчитали по несколько вариантов спектров комплексов оптических функций и их разложений на компоненты. Рассмотрены особенности интегральных спектров (структура, интенсивности, взаимное соответствие), разложений е2 и -1гпе'' (энергии и интенсивности полос компонент переходов), общие закономерности энергии максимумов полос объемных и поверхностных плазмонов, энергии продольно-поперечных расщеплений АЕ1(, соотношения площадей полос аналогов поперечных и продольных переходов 8(82)/8(-1те~'). При наличии теоретических спектров е2(Е) рассчитывались спектры остальных оптических функций для непосредственного сопоставления теоретических и экспериментально-расчетных спектров многих оптических функций в широкой области энергии. На основе теоретических зон оценивались энергии ожидаемых наиболее интенсивных полос переходов с помощью упрощенного метода поиска полос переходов между парами зон, параллельных в протяженных участках объема ЗБ, а также их локализация в ЗБ. Эти оценочные теоретические данные сопоставлялись с энергиями установленных компонент Е,. В случае стекол энергии ожидаемых наиболее интенсивных переходов оценивались по расстояниям между максимумами плотностей занятых и свободных состояний (экспериментальных или теоретических) (см. схемы №№1, 2, 3). При наличии оптических спектров кристаллической и аморфной фаз рассматриваются особенности с целью установления возможной корреляции или отсутствия их взаимосвязи. Максимум е2(Е) может быть связан с прямыми междузонными переходами или метастабильными экситонами. В последние 10-15 лет во многих теоретических расчетах показано, что метастабильные экситоны сильно влияют на формирование максимума и на интенсивность е2(Е). Однако теории метастабильных экситонов нет. Поэтому обсуждение природы установленных полос переходов Е, разложения е2(Е) приходится выполнять по модели междузонных переходов.

Теоретические исследования зон и е2(Е) рядов родственных кристаллов весьма редки и неоднозначны. Поэтому дополнительную важную информацию можно получить при сопоставлении спектров нескольких родственных соединений в зависимости от параметра кристаллической решетки. Несмотря на большую упрощенность этот метод действительно позволяет получать очень важные данные не только об общих закономерностях, но и о конкретных энергиях переходов неизученных соединений. Этот метод применен ко всем изученным рядам многочисленных бинарных соединений.

Общепринято энергетические зоны рассчитывать только для нескольких главных линий симметрии ЗБ, а потому энергии возможных

интенсивных переходов можно определять только для них. Однако на примере кристалла CaF2 обнаружено, что большинство полос переходов локализовано не в точках симметричных линий, а в объеме ЗБ [11]. Для выяснения общности этого принципиально важного эффекта теоретические расчеты были продолжены на кристаллах MgO, CaSe, CdO.

Для получения дополнительных данных были получены экспериментальные прецизионные спектры отражения монокристаллов GaSe, TlSe, As2S3, Cu2Ó и аморфного GaAs.

В главе 3 изучены оптические свойства твердых N2, 02, С02, СО, жидкого гелия, льда, пяти углеродных фаз и пористого кремния. Известны экспериментальные спектры R (10 - 23 эВ, 10 К), -Ime"1 (10 - 21 эВ, 6 К; 10 - 35 эВ, 30 К) для N2, R (10 - 23 эВ, 10 К), -Ime'1 (5 - 30 эВ, 6 К) для 02, е2 (9 - 29 эВ, 30 К), -Ime'1 (9 - 26 эВ, 6 К) для С02, е2 и е, (7.5 - 9.3 эВ, 20.4 К) для СО, R (19 - 24 эВ, 4.2 К) для Не, R (5 - 28 эВ, 80 К) для гексагонального и аморфного льда, R (4 - 30 эВ, 295 К) для алмаза, R (4 -12 эВ, 0-25 эВ, E-Lc, Е||с), -Ime"1 (0 - 40 эВ) для графита, R (0 - 90 эВ) для а - С, R (0 - 35 эВ, Ele, Е||с) для С70, R (0 - 35 эВ), -Ime1 (0 - 40 эВ) для Ceo, R (2 - 20 эВ) и е2 (2.5 - 5.0 эВ) для пористого кремния. На их основе получены для каждого соединения по нескольку вариантов решения обеих задач спектроскопии.

Рассмотрены особенности полученных данных по обеим задачам (А,В). Для кристаллических N2, 02, С02, СО наблюдаются весьма сложные структуры. Теоретически они почти не изучены. Структуры переходов газов и кристаллов весьма сходны. Это позволяет упрощенно обсуждать природу структур спектров этих молекулярных кристаллов. У льда при переходе от кристаллической к аморфной фазе сохраняются наиболее интенсивные структуры. Поэтому возможна их дискуссия по модели экситонов малого радиуса.

Спектры алмаза зависят по интенсивности от качества поверхности. Спектры б2(Е), определенные на основе зон, заметно отличаются от экспериментально-расчетных данных (А). Общепризнанная большая роль экситонов даже в случае простейшего модельного кристалла - алмаза -теоретически изучена еще слабо. Теоретические возможные энергии междузонных переходов хорошо согласуются с установленными Е, (рис. 1). Проанализированы данные трех попыток воспроизведения оптических спектров наборами 11 - 16 осцилляторов. Показана их неоднозначность, некорректность.

Исследованы особенности поляризованных спектров оптических функций и компонент графита для 10 вариантов. Теоретические кривые согласуются в основном с данными А для E-Lc, но гораздо хуже для Е||с. Спектры а-С весьма сходны со спектрами графита по общей структуре, но сильно различаются по интенсивности.

opw

l л г л , x l г

к

Рис. 1. Схема зон алмаза по методу OPW [3]; стрелками отмечены установленные переходы 0¡

Спектры е2(Е) содержат 20 (С60) и 44 (С70) компонент; для С70 они сильно поляризованы. Несмотря на большое количество теоретических расчетов конкретную возможную природу компонент можно предложить только для небольшой их части и по весьма упрощенной модели.

Спектры матрицы пористого кремния рассчитаны в областях 0 - 20 и 1 - 5 эВ. Изучены особенности больших различий спектров матрицы PSi и объемного кремния. Дан их анализ на основе теоретических расчетов кластеров кремния, экспериментальных спектров оксидов кремния и возможное проявление квантовых размерных эффектов.

Четвертая глава посвящена соединениям группы На - VI. Известны экспериментальные спектры R (ВеО, 5-35 эВ, Ele, Е||с, 10 - 300 К; MgO, 1 - 40 эВ; МХ (М - Са, Sr, Ва, X - О, S), 3 - 40 эВ, 8 - 300 К; SrSe, BaSe, 3 -20 эВ) монокристаллов, потерь -1ше'' поликристаллов и аморфных пленок ВеО (0 - 40 эВ), пленок MgO (7 - 80 эВ), теоретические спектры е2 ВеО (5 -35 эВ, Ele, Е[|с), MgO (5 - 20 эВ), BeSe, ВеТе (5.5 - 10 эВ), МХ (М - Са, Sr, Ва, X - О, S; 3 - 20 эВ). На их основе получены для каждого соединения по нескольку вариантов решения обеих задач спектроскопии. Рассмотрены особенности полученных результатов по обеим задачам (А, В) как для длинноволновых экситонов 10 кристаллов, кроме BeSe, ВеТе, в том числе параметры экситонов и тонкой структуры верхней валентной зоны, так и в области энергий до 40 эВ.

Теоретические спектры е2 согласуются с экспериментально-расчетными данными в основном только по структуре, но заметно различаются по интенсивности. По упрощенной методике на основе зон оценены энергии возможных интенсивных полос переходов и их локализации в соответствии с данными спектров осцилляторов Е, для 10 соединений (кроме BeSe, ВеТе).

Таблица 2. Энергии (эВ) максимумов Е; и полуширин Н), амплитуды I,, силы осцилляторов 1| и площади в,, а также теоретические значения энергий переходов Е„ (эВ) и их локализация в ЗБ (к) теоретических межзонных переходов [12,13] кристалла вгё

№ Е, н, в, I, 1 Е„,к

£2 Е2 е1 £2 е"1 Ег е-' е2 [12] 113}

1 4.77 4.79 0.04 0.05 0.61 0.003 9.91 0.046 0.29 - -

2 5.33 5.49 0.04 0.05 0.47 0.002 7.90 0.032 0.10 - -

3 5.60 5.69 0.51 0.35 2.52 0.021 3.24 0.040 0.40 - -

3' 5.85 6.05 0.34 0.34 0.91 0.020 1.74 0.038 0.12 - -

4 6.15 6.30 0.63 0.35 3.39 0.021 3.55 0.038 0.39 6.1, X -

5 6.50 6.60 0.40 0.39 1.62 0.023 2.63 0.038 0.16 - -

6 6.90 6.99 0.44 0.63 2.16 0.061 3.21 0.063 0.19 6.7, X 6.8, Г

7 7.30 7.36 0.42 0.53 1.57 0.052 2.43 0.063 0.12 - -

8 7.68 7.75 0.39 0.39 1.65 0.024 2.71 0.040 0.12 - -

8' 7.95 8.00 0.13 0.07 0.61 0 004 3.04 0.033 0.04 7.9, Ь -

9 8 11 8.20 0.11 0.20 0.53 0 014 3.12 0 044 0.03 - -

9' 8.30 8.40 0.17 0.39 0.62 0.024 2.33 0.039 0.04 оо 8.2, хд

10 8.72 9.00 0.57 0.79 3.77 0 059 4.27 0.049 0.22 9 0, X 8.6, Ь

11 9.39 9.65 0 80 0.86 5.85 0 054 4 76 0.041 0.30 9.1, Ь 9.2, Ц X

12 10.08 10.65 0 64 0.46 4.19 0.043 4.23 0.060 0 18 10.0, ЦХ 9.8, их

13 10 85 11.05 0.54 0 49 1.49 0.020 1.80 0.027 0.06 11.1, Ь 10.3, Ь

13' 11.25 11 40 0.30 1 16 0.47 0.222 1.01 0.126 0.02 - 11.2, их

Таблица 2. Продолжение

№ Е, н, в, I, % Е„,к

е2 е1 Ез е-' Ё2 е-' Е 2 е"' Ё2 [12] [13]

14 11.66 12.10 0.49 0.94 1.29 0.191 1.70 0.132 0.05 - -

14' 12.20 12.48 0.23 0.45 0.14 0.284 0.39 0.404 0.01 - 12.3, Ь

15 12.57 12.70 0.47 0.34 0.33 0.293 0.46 0.551 0.01 - -

15' - 13.05 - 0.28 - 0.043 - 0.098 - - -

16 13.27 13.50 0 54 0.77 0.72 0.165 0.87 0.139 0.03 - -

17 13.90 14.40 0.93 1.15 2.23 0.462 1.56 0.262 0.10 - -

18 14.80 15.30 0.97 0.71 1.66 0.203 1.11 0.185 0.07 - -

19 16.00 16.10 1.00 2.00 1.42 0.781 0.90 0.254 0.06 - -

20 16.80 17.10 0.83 0.89 0.80 0.178 0.62 0.130 0.03 - -

21 18.20 18 60 2.30 2.90 3.41 1.727 0.99 0.395 0.15 - -

22 20.00 20.20 1.70 3 80 1.46 1.331 0.57 0.238 0.06 - -

23 21.10 21.40 1.00 0.94 0.89 0.312 0.58 0.214 0.04 - -

24 22.00 - 1.00 - 0.98 - 0.61 - 0.04 - -

25 23.10 23.50 1.00 3.10 0.66 3.194 0.40 0.683 0.03 - -

26 25.00 26.30 2.90 2.90 2.12 3.430 0.49 0.790 0.09 - -

27 27.80 29.30 3.00 3.50 1.87 6.850 0.42 1.279 0.09 - -

28 31.20 31.40 2.90 3.00 1.32 4.090 0.30 0.898 0.06 - -

29 - 33.90 - 5.40 - 16.01 - 1.986 - - -

30 - 36.10 - 3.80 - 5.040 - 0.871 - - -

Для примера в таблице 2 приведены полученные параметры компонент переходов БгБ и данные теории [12,13]. Дополнительно теоретически рассчитаны зоны, спектры М(Е), е2(Е) и локализации переходов в объеме ЗБ кристаллов и Са8е. Большая часть переходов локализована в объеме ЗБ вне точек симметричных линий ЗБ (рис. 2).

,1 »UJ'J

• (4-5) 11 3 eV O (2-9) 22 0 eV

Ш

x

• (3-8) 16 8 eV o (4-7) 15.0 eV X (3-6) 15.0 eV

• (1-7) 29.1 eV

• (4-6) 14 1 eV O (1-6) 28.2 eV

O (4-8) 15 9 eV X (1-5) 26 1 eV

Рис. 2. Локализация переходов V4-Cs и V2-C9 (a), V4-C6 и V4-C8 (6), V3-Cg, V4-C7, V3-V6 (в) и VrC7, V,-C6 и V,-Cs (г) для MgO

Спектры оптических функций монокристаллов, поликристаллов и аморфных слоев в области 5 - 40 эВ оказались в основном сходными по структуре. Это позволило установить детальное соответствие между ними; главные различия заключаются в смещении структур основных полос на 1.5 - 3 эВ и заметном их уширении у а-ВеО. В конце дан анализ особенностей изменения энергий переходов Е,(а) в рядах родственных соединений в зависимости от параметра решетки для с- и а-ВеО, BeSe, ВеТе; МО и MS (М - Са, Sr, Ва), SrSe и BaSe (рис. 3). По упрощенной схеме линейной зависимости Е,(а) устанавливается однозначное соответствие переходов одинаковой (или сходной) природы полос переходов в рядах родственных соединений. Кроме того, можно уверенно оценить энергии переходов неизученных кристаллов.

В первой части пятой главы исследованы оксиды элементов 3, 4, 5 и 6 групп. Известны экспериментальные спектры R (1 - 40 эВ) для Sc203, Y203, Ti02 (Ele, E||c, E||a), Zr02 (кубического, тетрагонального, моноклинного), A1203 (Ele, E||c), Bi203, Mo03 (E||c, E||a), Sb203 (кубического,

Рис. 3. Схема зависимости энергий переходов Е; от параметра решетки родственных соединений групп ВеХ (а), МО (б), МХ (в); стрелками указаны предполагаемые энергии Е; неизученных кристаллов

SrTe i

BaTe i

N) K)

BaSe SrTe

BaTe

~i— HM

орторомбического, E||b, Е||с; аморфного), Cu20, е2 и е! для PdO (1.6 -5.8 эВ, Е±с, Ej|c), CuO (1.4 - 5 эВ, Ele, Е||с) и потерь -Ime"1 для Sc203, Y203, НЮ2, ZrÓ2, Cu20, CuO (5 - 50 эВ), аморфных поликристаллических пленок А1203 (2 - 40 эВ). На их основе получены для каждого соединения по нескольку вариантов решения обеих задач спектроскопии. Изучены особенности полученных результатов многих вариантов расчетов по обеим задачам (А, В). Наблюдаются сильная поляризация переходов ТЮ2, А1203, Мо03, CuO, большие детальные аналогии между спектрами Е, Sc203 и Y203. Спектры двух (ТЮ2, Sb203) и трех (Zr02) модификаций заметно зависят от структуры решетки. Теоретические спектры оптических функций Zr02, А1203, ТЮ2 в основном согласуются с экспериментально-расчетными данными только в длинноволновой области и сильно расходятся в области больших энергий. Это свидетельствует о большой упрощенности теории. На основе зон оценены энергии возможных интенсивных полос переходов и их локализации в соответствии с данными спектров осцилляторов Е, для ТЮ2, Zr02j А1203. Спектры оптических функций монокристаллов, поликристаллов и аморфных пленок А1203 в области 5 - 40 эВ оказались в основном сходными даже по деталям структуры.

Во второй части пятой главы рассмотрены оксиды группы М02 (М - Si, Ge, Sn): кристаллический Si02, аморфные фазы S¡Ox (х = 0, 1, 1.5, 2), кристаллический и аморфный Ge02, кристаллический Sn02. Известны их экспериментальные спектры R (0 - 25 эВ) и -Ime"' для Sn02. На их основе изучены особенности полученных результатов многих вариантов расчетов по обеим задачам (А,В). Наблюдается заметная поляризация компонент разложений e2(E) Si02 для Е±с, Е||с. Для примера в таблице 3 даны параметры установленных компонент кварца, а также теоретические энергии междузонных переходов и их локализация [14]. В таблице 4 сопоставлены параметры компонент переходов разложений е2 (н.д.) и четырех воспроизведений е2 [15 - 18]. Противоречивость данных этих четырех работ и использование большого количества в них подгоночных парпметров свидетельствует о их некорректности. По структуре между спектрами основных компонент полос переходов ряда кристаллов Si02 -Ge02 - Sn02 легко устанавливается их детальное соответствие в согласии с данными фотоэмиссиии для Si02 - Ge02. Очень близкое аналогичное соответствие структуры спектров Е, наблюдается между a-Si02 и a-SiO! 5, которые принципиально отличаются от структуры спектров двух других фаз а-SiO* (х = 0, 1). Эти особенности хорошо согласуются с теоретическими моделями экситонов малого радиуса для Si02. Однако они объясняют природу только трех из установленных 10 полос переходов. Известные три попытки воспроизведений спектров R или е2, использующие до 30 подгоночных параметров, неоднозначны и потому некорректны. На основе зон некоторых расчетов для Sn02 рассмотрены оценки энергий переходов и их локализации для сопоставления с установленными спектрами Е,.

Таблица 3. Энергии (эВ) максимумов Е1 и полуширин Н|, высоты ^ и площади ^ полос компонент разложения &2 и -1ше"' (е"1) кварца для поляризаций £±с и Е||с, а также Е„ и к [14]

№ н, Е„, к

± 1 I 1

Б2 е"1 Ез б"' £2 е"' Е2 е"1 Б2 £ ' е2 е1

1 9.80 9.80 9.88 9.80 1.55 1.10 1.36 0.86 2.25 0.12 1.87 0.05 9.7 Г

2 10.10 - 10.20 10.20 0.35 - 0.46 0.46 0.52 - 0.69 0.05 -

3 10.36 10.70 10.36 10.55 0.32 0.51 0.36 0.80 2.19 0.22 2.24 0.19 10.7 Г

4 11.35 11.41 11.22 11.20 0.90 0.49 0.48 1.1 0.85 0.15 0.45 0.29 11.4 Г

5 11.68 12.13 11.68 11.80 1.08 0.70 0.92 1.1 2.71 0.38 2.69 0.41 -

6 12.90 13.00 12.86 13.34 1.22 1.2 2.0 1.4 1.30 0.47 1.64 0.60 13.3 Г, 12.7 МНА

7 14.32 14.80 14.30 14.90 1.36 1.4 1.7 1.2 2.98 0.85 3.48 0.78 13.9 К, 14.6 М

8 15.60 16.40 - 16.36 3.0 1.3 - 1.3 2.88 0.69 - 0.62 15.6 Г,М; 16.2 КНА

9 16.90 - 16.60 17.23 1.40 - 2.7 1.2 2.54 - 4.93 0.61 16.9 Г, М; 16.9 КН

10 17.80 17.84 17.60 18.60 1.00 1.3 2.1 1.2 0.79 1.07 2.18 1.15 18.0 Г,М; 17.4 КНА

11 19.10 19.00 19.00 19.80 2.0 1.2 1.6 1.5 1.85 0.92 0.78 1.54 19.2 Г, М; 18.9 КН

12 20.70 20.70 20.54 20.86 2.15 1.2 2.3 1.6 1.23 0.86 1.08 1.56 20.5 Г,М; 20.5 КНА

13 - 21.74 22.00 22.12 - 1.7 2.1 1.2 - 2.33 1.05 1.14 21.2 Г,22.2 М; 22.1 КНА

14 22.80 23.0 - 23.0 2.05 1.4 - 1.9 1.05 1.26 - 2.43 23.0 МНА

15 - 23.8 - 23.8 - 1.4 - 1.1 - 0.91 - 1.28 23.7 КА

16 - 24.5 - - - 1.0 - - - 0.62 - - 24.1 КН

17 - 25.1 - - - 1.0 - - - 0.37 - - 25.6 Г

18 - 26.0 - - - 1.3 - - - 0.89 - - 25. 8 КНА

Таблица 4. Энергии (эВ) максимумов Е| и полуширин Ц, площади St полос компонент разложения s2 (наши данные) и воспроизведения е2 [15-18] кварца

Е н, S,

№ н.д. Г171 [151 fis] Г161 н.д. П7] [151 [18] [16] н.д. [171 [151 [181 [161

1 II 1 II 1 II

1 9.80 9.88 - - - - 1.55 1.36 - - - - 2.25 1.87 - - - -

2 10.10 10.20 10.0 - 10.2 10.2 0.35 0.46 0.57 - 0.57 0.08 0.52 0.69 2.02 - 2.0 6.0

3 10.36 10.36 10.9 10.36 - - 0.32 0.36 0.94 2.0 - - 2.19 2.24 2.60 - - -

4 11.35 11.22 - 11.4 - 0.91 0.48 - 1.00 - 0.85 0.45 - 1.8 -

5 1168 11.68 12.5 11.60 12.1 11.6 1.08 0.92 1.10 1.7 0.90 0.30 2.71 2.69 2.36 - 1.5 15

6 12.90 12.86 - 12.4 1.22 2.0 - 0.35 1.30 1.64 - 10

6' - - 13.3 - 13.6 - - - 0.83 - 0.60 - - - 3.63 - 3.1 -

7 14.32 14.30 - 14.1 - 14.0 1.36 1.7 - 1.4 - 0.65 2.98 3.48 - - - 28

7' - - 15.0 - - - - - 120 - - - - - - - - -

8 15.60 - 15.8 - - - 3.0 - 0.90 - - - 2.88 - 3.90 - - -

9 16.88 16.60 - 17.1 16.5 16.9 1.40 2.7 - 2.4 1.00 0.85 2.54 4.93 - - 5.4 51

10 17.80 17.60 - - - 1.0 2.1 - - - 0.79 2.18 - - - -

11 19.10 19.00 19.0 - 19.8 20.0 2.0 1.6 0.90 - 1.75 2.00 1.85 0.78 3.40 - 4.0 110

12 20.70 20.54 21.0 - 2.15 2.3 1.30 - 1.23 1.08 - -

13 - 22.0 - - - - 2.1 - - - - 1.05 - - - -

14 22.80 - - - - - 2.05 1.9 - - - - 1.05 - - - - -

е, эв i

20

Яс О,

V о,

1 о а, нм

I ->в

ПО.

гю ню

0 51 а, нм

I зВ

А1.0,

ХЬ.О ВиО,

ю а, нм 12

Рис. 4. Схема зависимости энергий переходов Е| от параметра решетки родственных соединений групп 8с203 и У2Оэ (а), М02 (б), М2Оэ (в), А402 (г); стрелками указаны предполагаемые энергии Е, неизученных кристаллов

о

Ь.эВ

J

1 СО, »10, ОеО ЭпО,

о ч

Т - —1--- - 1 г

а.отнед

Рис. 4. (продолжение)

Проанализированы особенности спектров установленных осцилляторов в зависимости от параметра решетки Е,(а) для рядов 8с203, У203; ТЮ2, ЪхОъ НЮ2; С02, БЮг, Се02, Бп02; А1203, 8Ь203, ВЬ03 (рис. 4). Для первых трех рядов устанавливается соответствие переходов одинаковой природы и возможность оценки энергий необнаруженных полос переходов.

В шестой главе рассмотрены 11 соединений: 4 гексагональных (7.пО, гпБ, СёБ, СёБе), 6 кубических (гпБ, гпБе, гпТе, СёТе, CdS, СаБе; сфалерит) и одно (СёО) типа №С1. Известны экспериментальные спектры К длинноволновых экситонов w-ZnO, гпБ и с-гпБе, ZnTe, СбТе, а также Я(Е) в области 2 - 40 эВ для всех 11 кристаллов, спектры е2, е( в области 4 - 18 эВ (с-С<18, с-СёБе), -1ше"' в области 1 - 50 эВ (СсЮ, гпО). На их основе получены для каждого соединения по нескольку вариантов решения обеих задач спектроскопии. Исследованы особенности полученных результатов по обеим задачам (А, В) как для длинноволновых экситонов, в том числе параметры экситонов и тонкой структуры ВВЗ, так и в области энергий до 40 эВ гексагональных и кубических соединений группы А2В6. Для примера в таблице 5 сопоставлены энергии установленных компонент \v-CdS с теоретическими энергиями междузонных переходов работ [19 - 24]. Дополнительно рассчитанные спектры комплексов теоретических оптических функций (на основе е2, Е() существенно различаются с данными

Таблица 5. Энергии (эВ) компонент разложения е2 (Б) \v-CdS для Е±с (X), Е | с (|) и теоретические энергии (эВ) Е„ междузонных переходов в точках Г,М,К,А,Н,Ь,11 работ Ц9-24)

№ II [20] [22] [23] [19] [24] [21]

1 2.65 2.65 2.55 Г 2.55 Г 2.8 Г 2.56 Г 2.6 Г 2.6 Г

2 2.85 3.01 3.25 Г 3.1 Г 3 2 Г 3.3 Г 3.2 Г

3 3.27

3' 3.61 3.9 Г 3.7 Г 3.5 Г 3.9 Г

4 4.13 3.9 Г 3.7 Г 3.9 Г 4.2 Г

5 4.35 4.3 Г 4.4 А,Н

5' 4.60 4.6 Г 4.4 А 4.5 Г 4.5 Г 4.7 Г

6 4.97 5.07 5.4 М 4.9 Г 5.0 Г

7 5.33 5.4 М 5.4 М,Г 5.2 и

7' 551 5.51 5.7 М 5 8 Ь 5 7 и

8 6.15 6.18 5.9 М,6.2 М 6.1 Ь 5.8 1 6.0 Г 6 1 Н

9 6.57 6.47 66М 6.2 А 6.7 М 6.5 Г,А 6.7 М 6.7 Н

10 7 03 6.90 7.0 Г,М 7.0 Г,А 7.1 Г,М 7.0 М

10' 7.30 7.3 М 7.6 Г 7.4 М 7.2 М

11 7.63 7.6 М,К. 7.6 Г,А 7.6 Г

1Г 7.90 7.7 Г 7.8 М 7.9 Г,Н 7.8 и,М

12 8.15 8.1 М,К 8.1 Г,К 8.1 М 8.1 М 8.0 К

12' 8.30 8.4 М,Г 8.3 Г 8.5 Ь 8.4 Г 8.5 Г

13 9.00 8.67 8.8 М,К 8.4 М,Г 8 5 Ь 8.6 М 8 9 М

13' 9.31 93 М 9 21, 9 1 Г,М 9.1 Н,М 9.3 Г,М

14 9.60 9 87 9 6 М 9 5 К 9.6 М 9.6 М 9.9 Г 9.6 М

15 10.60 10.63 10.6 К,М 11.0 Г 10.8 М 10.6 М 10.7 М,Ь,А

16 11.25 11.23 11 2 М,Г 11.0 Г 11.0 м 11.0М 11.1 М

17 11.70 11 7 М,Г 11.6 Г 11.6М 12.0 М

17' 12.00 12.0 М 12.0 Г 12.0 М

18 12 60 12.60 12.6М.К.Г 12.5 М,Г

19 13 40 1335 13.6 М,КГ

20 14 10 14.10 14.1 М,КГ

21 14 70 15.00 14 8 М,К,Г

22 15.45 15.40 15.6М,К,Г 15.5 Г

23 16.10 16.00 16.2 М,К

24 17.00 17.10 17.0 М,Г

25 17 80 18.30 18.0 М,Г

26 19.15 19.3 М,К

27 22.6 22.7 22.0 К

экспериментально-расчетных спектров по интенсивности и структуре. Это обусловлено неучетом экситонов, некорректными расчетами сил осцилляторов и дисперсии зон. Дополнительно методом FP-LMTO получили зоны, e2(E), N(E) и локализации переходов в ЗБ для CdO. Для всех кристаллов по данным зон оценили энергии и локализации переходов для полос осцилляторов Е,. Рассмотрели зависимости спектров установленных осцилляторов Е,(а) трех рядов: w-ZnO - ZnS - CdS - CdSe, c-ZnS - ZnSe - ZnTe, c-CdS - CdSe - CdTe. Для большинства переходов наблюдаются линейные зависимости Е,(а) (рис. 5).

В главе 7 проанализированы шесть сильно анизотропных кристаллов группы МА6 (М - Ga, In, А - S, Se, Те; TISe). Известны экспериментальные спектры в области 1 - 40 эВ при Ele (GaS, GaSe, InSe), Ef|b и Elb (GaTe), E||a и E||b (InS) и спектры -ImE"1 при Ele, Е||с (GaS, GaSe, InSe), а также спектры R в области 1 - 12.5 эВ девяти кристаллов М2Х3 (М - Ga, In, X - S, Se, Те). Дополнительно были измерены спектры отражения при Ele, Е||с (1 - 4.5 эВ) и Ele (4 - 12.5 эВ) для монокристаллов GaSe и TISe. На их основе получены для каждого соединения по нескольку вариантов решения обеих задач спектроскопии. Исследованы особенности полученных результатов по обеим задачам (А, В). Определены параметры длинноволновых экситонов GaSe при Е||с. Наблюдаются сильная анизотропия полос переходов кристаллов группы МА6 и сравнительно простые структуры спектров полос переходов дефектных кристаллов М2Х3. Предложены теоретические оценки энергий переходов и их локализации в ЗБ для кристаллов МА6 на основе известных зон. Формально для многих компонент е2(Е) есть теоретические кандидаты. Однако слишком упрощенные теоретические расчеты зон, неучет экситонов не позволяет проводить корректный теоретический анализ. Спектры компонент е2(Е) изучены в зависимости от параметра решетки Е,(а) для трех рядов соединений: GaS, GaSe, InSe по данным R(E) для Ele, -Ime'1 для Ele, Е||с, а также Ga2X3 и 1п2Х3 (рис. 6). Для большинства переходов наблюдаются линейные зависимости Е,(а) соответствия между полосами одинаковой природы.

Глава 8 посвящена соединениям группы А4В6. Известны спектры е2, Е] (1.5 - 5.5 эВ, E|Ja, E||b, Е||с), R (0 - 30 эВ, Е||а, E|)b, Е||с), -ImE'1 (0 - 22 эВ, Е||а, Е||Ь) для с - GeS и R (0 -35 эВ) для g - GeS, R (0.5 - 12 эВ, Е||а, E||b) и -ImE"1 (0.5 - 22 эВ) для GeSe, -ImE"1 (0 - 30 эВ, Е||а, Е||Ь) для SnS, е,, е2 (1.3 - 5.5 эВ, Е||а, E||b), R (0.5 - 12 эВ, Е||а, E||b, Е||с), -ImE1 (0.5 - 28 эВ, Е||а, Е||Ь) для SnSe, е2, е, (0 - 20 эВ) для GeSe2 (Ela, E||b; стекло), R (2 - 40 эВ, Ele) для SnS2 и SnSe2. На их основе получены для каждого соединения по нескольку вариантов решения обеих задач спектроскопии. Исследованы особенности полученных результатов по обеим задачам (А,В). Определены сильная анизотропия компонент переходов и большое сходство спектров компонент с- и g-GeSe2. Для GeSe, SnS, SnSe, SnS2, SnSe2 на основе зон оценили энергии переходов и их локализации в ЗБ для небольшой части

1

а)

б)

\v-ZnO \ir-ZnS \v-CdSe c-CdS гпГеСсЮе СМТе

0 1--1-1-1-----т-1---1 |--------,---------,

0 40 а нм 0 44 0 51 0 56 0 59 0 62 а, ИМ 0 65

Рис. 5. Схема зависимости энергий переходов Е| от параметра решетки родственных соединений групп \v-ZnO, w-ZnS, «г-Сав, w-CdSe (а), гпХ и СаХ (б)

Рис. 6. Схема зависимости энергий переходов Е, от параметра решетки родственных соединений групп GaS, GaSe, ínSe для Ele (по данным из R(E)) (a), GaS, GaSe, InSe Е||с и Ele (по данным из -Ime'1) (б), Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3 (в), In2S3, In2Se3, In2Te3 (г)

Рис. 7. Схема зависимости энергий переходов E¡ от параметра решетки родственных соединений групп МХ (а), МХ2 (б) (М - Ge, Sn; X - S, Se)

установленных компонент е2(Е). Рассмотрены линейные зависимости Е,(а) для трех рядов: GeSe2 - SnS2 - SnSe2, GeS - GeSe и SnS - SnSe (рис. 7). Они помогли выявить соответствия между полосами родственных кристаллов.

В главе 9 исследованы 8 ромбоэдрических, ромбических и моноклинных соединений группы А2 В36 (А - Bi, Sb, As; В - S, Se, Те), кроме As2Te3, а также стеклообразные As2B36. Известны спектры R (0.2 -11 эВ, Ele, Е||с) для Bi2Te3, R (0.5 - 12.5 эВ, Ele) для Bi2Se3, R (1 - 5 эВ) для Bi2S3 (Е||а, Е||с), Sb2Te3 и Sb2S3 (Ele, Е||с), Sb2Se3 (Е||а, Е||Ь, Е||с), As2S3 и As2Se3 (1 - 14 эВ, Е||а, Е||с) и в неполяризованном свете в области 5-12 эВ, а также массивных g - As2X3 (1 - 12.5 эВ) и -Ims"1 пленок As2S3, As2Se3 (1-40 эВ), As4oSe6o, As5oSe5o, As36SeM (0-100 эВ). На их основе получены для каждого соединения по нескольку вариантов решения обеих задач спектроскопии.

Рассмотрены особенности полученных результатов по обеим задачам (А,В). Дополнительно измерены спектры отражения As2S3 при 77 и 300 К в области 1 - 5 эВ при Ele и Е||с. На основе анализа длинноволновых экситонных структур As2S3 и As2Se3 установлена их триплетная структура ВВЗ и природа расщеплений. У Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Se3, As2S3 наблюдаются плазмонные полосы двух типов. На основе теоретических зон, е2(Е) оценены энергии полос переходов и их локализации в ЗБ для Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2S3, As2Se3.

б)

Е, эВ

ш

III,

3 т > |

I!

» 1

о -I

Bi.Se, БЬЛе,

ВьТе,

Е.эВ

о 43 а. НМ о 44

I 15 а, нч

Ь, )В

с-А8,Те,

Рис. 8. Схема зависимости энергий переходов Е| от параметра решетки родственных соединений групп В128е3 - 8Ь2Те3 - В12Те3 (а), В|283 - 8Ь283 - 8Ь28е3 (б), Ав283 - Ав^з - Ая2Те3 (в)

I нге, м, нг«, нггс ¿гтс.

Рис. 9. Схема зависимости энергий переходов Е| от параметра решетки родственных соединений групп МоХ2, \УХ2 (а), ЪгХъ НГХ2 (б), 2гХ3, Шл3 (в); стрелками указаны предполагаемые энергии Е! неизученных кристаллов

Анализ спектров комплексов оптических функций g-As2X3, рассчитанных на основе R и -1ше"', показал, что их экспериментальные R(E) в области энергий Е > 5 эВ сильно занижены. На основе скорректированных спектров R(E) массивных образцов g-As2X3 заново рассчитаны спектры комплексов оптических функций и установлены параметры разложений е2 и -Ime"1. Энергии компонент е2(Е) хорошо согласуются с оценками энергий промежутков между максимумами плотностей занятых и свободных состояний g-As2X3.

Спектры установленных осцилляторов Е, разложений е2(Е) рассмотрены в зависимости от параметра решетки трех рядов родственных соединений: Bi2Se3 - Sb2Te3 - Bi2Te3, Bi2S3 - Sb2S3 - Sb2Se3 и As2S3 - As2Se3 - As2Te3. Для большинства переходов наблюдаются линейные зависимости Е,(а). Можно предположить одинаковую природу компонент Е, в почти линейных зависимостях Е,(а) трех родственных рядов А25В36 (рис. 8.).

Глава 10 посвящена группам МХ2 (М - Mo, W, Zr, Hf; X - S, Se) и MX3 (X - S, Se, Те). Известны спектры R MoS2 (2 - 70 эВ, Ele), MoSe2, МоТе2, WS2, WSe2 (2 - 30 эВ, Ele), ZrS2, ZrSe2, HfS2 (1-14 эВ), HfSe2 (1-40 эВ) для Ele и в области 1 - 5 эВ при Е||с, а также R ZrS3, ZrSe3 (0 - 30 эВ, E||b, Elb), ZrX3 (4 - 24 эВ) и в области 1 - 5 эВ при E||b, Elb для ZrX3.

Рассмотрены особенности полученных результатов по обеим задачам (А, В). На основе зон были оценены энергии и локализации в ЗБ полос переходов МоХ2, WX2, HfX2 как кандидатов для компонент Е, разложений е2(Е). В спектрах потерь МоХ2 наблюдаются полосы плазмонов двух типов, характерных для слоистых структур.

Спектры установленных осцилляторов Е, разложений е2(Е) проанализированы как Е,(а) для шести рядов родственных кристаллов: МоХ2, WX2, ZrX2, HfX2, ZrX3, HfX3. Для большинства переходов наблюдаются линейные зависимости Е,(а) (рис. 9). Это позволяет с большой достоверностью устанавливать соответствие между переходами одинаковой (или близкой) природы и предсказывать энергии необнаруженных полос переходов, в том числе для неизученных дителлуридов W, Zr, Hf.

В главе 11 исследованы четыре тройных соединения группы сегнетоэлектриков-полупроводников А В6С (SbSI, SbSel, BiSel, BiTel) и Bil3. Известны экспериментальные спектры R(E) SbSI (1-4 эВ при E¡|c, Ele для 93, 273 и 300К и при Е||Ь для 273 и 300К; 5-12.5 эВ и 10-40 эВ для 300К), SbSel (1.5-4.5 эВ для Е||с, Ele при 110 и 300К; 1.5-12 эВ для 300К), BiSel (1-4.5 эВ для Е||с, Ele 300К и для Е||а, Е||Ь, Е||с при 300К), BiTel (112 эВ для Ele при 300К), ВИ3 (1-32 эВ для Ele при 6, 77 и 286К). На их основе рассчитали комплексы оптических функций, а спектры е2 и -Ims"1

разложили на компоненты и определили их основные параметры. Установлено количество компонент в несколько раз больше, чем количество максимумов отражения. Полученные результаты обсуждены на основе известных теоретических расчетов зон и оптических спектров.

Основные результаты и выводы

1. Определены спектры полных комплексов фундаментальных оптических функций в области 0 - 40 эВ около сотни бинарных оксидов и халькогенидов групп МХ, МХ2, М2Х3, а также алмаза, графита, аморфного углерода, фуллеритов С60 и С70, пористого кремния и криокристаллов. Рассчитано по несколько вариантов комплексов для каждого соединения на основе известных экспериментальных спектров отражения, характеристических потерь электронов или диэлектрической проницаемости, а также на основе теоретических спектров диэлектрической проницаемости или отражения.

2. Впервые спектры е2 и -Гше"1 рассмотренных материалов без подгоночных параметров разложены на элементарные поперечные и продольные компоненты полос переходов. Определены основные их параметры (Е„ Н„ Б,, Г,). Установлено количество компонент в несколько раз больше, чем количество максимумов экспериментальных оптических спектров. Для сильно анизотропных кристаллов (графит, МоХ2, 2гХ2, А3В6, А25В36) установлены две группы плазмонов, обусловленные возбуждением всех валентных электронов или только самых верхних. Впервые определены параметры обоих типов объемных и поверхностных плазмонов. Определены параметры длинноволновых свободных экситонов многих кристаллов, а также энергии дублетной и триплетной структуры ВВЗ кубических и гексагональных соединений.

3. Компоненты разложений е2(Е) и -1ше"' (кроме плазмонных полос) обусловлены прямыми междузонными переходами или метастабильными экситонами и свободными экситонами около Е8; ц (Е > Е^ > 105 см"1. Предложены оценки энергий полос переходов и их локализации в ЗБ на основе известных теоретических зон как возможных кандидатов природы установленных компонент е2(Е).

4. Большое общее (и часто детальное) сходство спектров е2(Е) и их компонент Е, двух фаз (кристалл и стекло) для льда, ВеО, А1203, 8Ю2, 0е02, веБег, Аб2Х3, веБ и трех фаз (кристалл, жидкость, газ) для фуллеритов свидетельствует в пользу модели экситонов малого радиуса происхождения полос переходов.

5. Анализ спектров отдельных оптических функций и их сопоставление в рядах родственных соединений позволил выявить общие их особенности и закономерности, в том числе взаимное расположение структур. Структуры наблюдаются наиболее отчетливо в спектрах отражения, поглощения и Е3е2, а наименее - у е2(Е). Поэтому теоретический анализ наиболее эффективно проводить не по спектру е2(Е), как это обычно делается, а по спектрам ц(Е), Е2е2 или Я.

6. Основные большие разногласия между теоретическими расчетами и экспериментальными (Л, е2), экспериментально-расчетными спектрами обусловлены неучетом многочастичных (экситонных) эффектов, некорректностью расчетов вероятностей переходов, дисперсии и положения энергетических зон (в том числе сильными занижениями ширины верхней валентной полосы и Е8(Г)), а также слишком упрощенной моделью переходов только в точках симметричных линий ЗБ, а не по всему ее объему. Это подчеркивает большую принципиальную значимость спектров комплекса оптических функций.

7. Впервые методом РР-ЬМТО рассчитали зоны, б2(Е), плотности состояний, энергии, интенсивности и локализации в объеме ЗБ многих самых интенсивных полос переходов М§0, СаР2, СаБе, СсЮ. На примере М§0 и СаР2 установлено, что многие переходы локализованы в объеме ЗБ, существенно вдали от точек симметричных линий ЗБ. Поэтому большинство теоретических расчетов электронной структуры дает слишком упрощенные или даже неверные данные.

8. Большие различия спектров оптических функций и компонент Е, матрицы пористого кремния и объемного кремния в области 1 - 25 эВ обусловлены квантовыми размерными эффектами матрицы пористого кремния.

9. Рассмотрены зависимости спектров Е,(а) установленных компонент полос переходов от параметра кристаллической решетки для всех групп родственных материалов. Обнаружены простые линейные зависимости и соответствия Е,(а) в этих рядах при изменении аниона или катиона. Это свидетельствует в пользу модели большого детального сходства их электронных структур. На этой основе оценены спектры Е,(а) ряда неизученных кристаллов (ВеБ, СаБе, СаТе, БгТе, ВаТе, 8Ь2Оз, с-Аб^з, \УТе2, 2гТе2), а также энергии Е,(а) необнаруженных полос переходов.

10. Впервые в основном решены обе фундаментальные задачи спектроскопии рассмотренных материалов. Определено существенно большее количество компонент переходов, чем количество максимумов экспериментальных интегральных спектров, их энергии и

вероятности, а также большая роль экситонов малого радиуса и метастабильных экситонов. Установлены линейные Е,(а) детальные соответствия переходов родственных соединений, определены энергии неизученных материалов. Эти результаты представляют принципиально новую основу для обсуждения оптических свойств и электронной структуры, постановки и выполнения существенно более корректных теоретических расчетов зон, экситонов и спектров е2(Е) в объеме ЗБ.

Цитированная литература

1. Ргос. 5 Int. Conf. on Inorganic Scintillators, ed. V. Mikhailin. Moscow. Moscow St. Univ. 2000. 772 p.

2. Chelikowsky J.R., Cohen M.L. Electronic structure of eleven semiconductors. // Phys. Rev. B. 1976. V.14. №2. P.556-582.

3. Соболев B.B., Немошкаленко B.B. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Киев. Наук, думка. 1988. 423 с.

4. Freeouf J.L. FUV Reflectance of II - VI compounds. // Phys. Rev. B. 1973. V.7. №8. P.3810-3830.

5. Соболев B.B. Собственные энергетические уровни твердых тел группы А4. Кишинев: Штиинца. 1978. 207 с.

6 Соболев В.В. Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия. Кишинев: Штиинца. 1982.272 с.

7. Лазарев В.Б., Соболев В.В., Шаплыгин И.С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов. М. Наука. 1983. 239 с.

8. Phillips J.C. The fundamental optical spectra of solids. // Sol. St. Phys. 1966. V.18. P.55-164.

9. Wang C.S., Klein B.M. First-principles electronic structure of Si, Ge, GaP, GaAs, ZnS, ZnSe. //Phys. Rev. B. 1981. V.24. №6. P.3393-3429.

10. Onida G., Reining L., Rubio A. Electronic excitations: density-functional versus many body Green's functional approaches. // Rev. Mod. Phys. 2002. V.74. №2. P.601 -659.

11. Sobolev V.V., Kalugin A.I., Sobolev V.Val., Kormilets V.I. Electronic Structure and Optical Properties of Fluorite. // Wide Bandgap Materials. 2000. V.8. №2. P.87 - 104.

12. Hasegawa A., Yanase A. Electronic Structure of SrO, SrS, SrSe, SrTe // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1980. V.13. №.10. P. 1995 - 1999.

13. Stepanyuk V.S., Szasz A., Farberovich O.V., Mikhailin V.V. Electronic Band Structure of CaS, SrS, BaS // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.155. №.1. P.215 -220.

14. Chelikowsky J.R., Schluter M. Electron states in quartz // Phys. Rev. B. 1977. V.15. №8. P.4020-4029.

15. Forouhi A.R., Bloomer I. Optical properties of cristalline semiconductors and dielectrics // Phys Rev. B. 1988. V.38. №3. p.1865-1874.

16. Chen Y.F., Kwei C.M., Tung C.J. Optical constants model for semiconductors and insulators // Phys. Rev. B. 1993. V.48. №7. P.4373-4379.

17. Ashley J.C., Anderson V.E Interaction of LEE with Si02 // J. Electron Spectros. Rel. Phen. 1981. V.24. №2. P.127-148.

18. Ефимов A.M., Макарова Е.Г. Дисперсионный анализ R(E) a-Si02 в ВУФ // Опт. спектроск. 1989. Т.67. №3. С.659-665.

19. Huang M.-Z., Ching W.Y. LCAO band structures // J. Phys. Chem. Sol. 1985. V.46. №8. P.977-995.

20. Xu Y.-N., Ching W.Y. LCAO band structures // Phys. Rev. B. 1993. V.48. №7. P.4335-4351.

21. Bergstresser Т.К., Cohen M.L. Electronic structure and optical properties of w-CdSe,CdS, ZnS. //Phys. Rev. 1967. V.164. №3. P.1069-1080.

22. Schroer P., Kruger P., Pollman J. Electronic Structure of w-ZnO, ZnS // Phys.Rev. B. 1996. V.54. №10. P.5495-5510.

23. Zakharov O., Rubio A., Blase X., Cohen M.L., Louie S.G. Quasi particle band structures of six II-VI compounds: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe. // Phys.Rev. B. 1994. V.50. №15. P. 10780-10787.

24. Chang K.J., Froyen S., Cohen M.L. Band structures of c- and w-CdS // Phys. Rev. B. 1983. V.28. №8. P.4736-4743.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Sobolev V.Val., Sobolev V.V. Optical spectra of arsenic chalcogenides in a wide energy range of fundamental absorption. // In: Semiconductors and Semimetals. 2004. V.79, chapter 5. P.201-219.

2. Соболев В.Вал. Поперечные и продольные компоненты переходов стеклообразных халькогенидов мышьяка. // Физ. и хим. стекла. 2002. Т.28, №6. С.560-569.

3. Соболев В.Вал. Оптические спектры халькогенидов мышьяка в широкой области энергии фундаментального поглощения. // Физ. и хим. стекла. 2002. Т.28, №6. С.570-598.

4. Соболев В.В., Грачев В Е., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Анизотропия оптических свойств и межслоевое взаимодействие в селениде галлия. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, матер. 1991.1.21, №4. С.692-695.

5. Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Фундаментальные оптические функции и переходы кристалла селенида индия в области 5-10 эВ. //Ж. прикл. спектр. 1992. Т.57. №3-4. С.327-330.

6. Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Комплекс оптических функций и переходов теллурида галлия в области 1-6 эВ. // Ж. прикл. спектр. 1992. Т.57, №5-6. С.493-496.

7. Соболев В.В., Соболев В.Вал. Диэлектрическая проницаемость в широкой области энергии собственного поглощения. // Изв. РАН Сер. Неорган, матер. 1994. Т.30,№8-9. С. 1098-1100.

8. Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Электронная структура селенида галлия в широкой области энергий. // Ж. прикл. спектр. 1994. Т.60, №1-2. С.171-175.

9. Соболев В.В., Соболев В.Вал., Козлова С.Г. Спектры отражения и оптические функции кристалла сульфида галлия в области 3-30 эВ. // Ж. прикл. спектр. 1994. Т.60, №3-4. С.315-319.

10. Соболев В.В., Соболев В.Вал. Оптические спектры и электронная структура диселенида ниобия и дисульфида молибдена. // ФТТ. 1994. Т.36, №9. С.2560-2564.

11. Соболев В.В., Соболев В.Вал. Оптические спектры дисульфида молибдена в области 1-30 эВ. // Ж. прикл. спектр. 1994. Т.61, №1-2. С.128-131.

12. Соболев В.В., Соболев В.Вал. Фундаментальные оптические функции диселенида ниобия. // Ж. прикл. спектр. 1994. Т.60, №5-6. С.494-497.

13. Соболев В.В., Грачев В.Е., Соболев В.Вал., Козлова С.Г. Сила осциллятора экситона селенида галлия. // Опт. и спектр. 1990. Т.68, вып.2. С.476-477.

14. Соболев В.В., Грачев В.Е., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Спектры отражения и оптические функции кристалла селенида галлия в широкой области энергии. // Ж., прикл. спектр. 1990. Т.52, №5. С.802-807.

15. Козлов А.И., Соболев В.В., Соболев В.Вал. Спектры отражения аморфного арсенида галлия. // Физ. и хим. стекла. 1999. Т.25, №3. С.378-383.

16. Тимошкин А.Н., Соболев В.Вал., Соболев В.В. Спектры характеристических потерь дихалькогенидов молибдена. // ФТТ. 2000. Т.42, №1. С.37-39.

17. Соболев В.В., Тимонов А.П., Соболев В.Вал. Спектры характеристических потерь алмаза. // ФТТ. 2000. Т.42, №4. С.632-636.

18. Соболев В.В., Тимонов А.П., Соболев В.Вал. Тонкая структура диэлектрической проницаемости алмаза. // ФТП. 2000. Т.34, №8. С.940-946.

19. Соболев В.В., Тимонов А.П., Соболев В.Вал. Спектры оптических функций и переходов алмаза. // Опт. и спектр. 2000. Т.88, №2. С.255-259.

20. Соболев В.В., Тимонов А.П., Соболев В.Вал. Силы осцилляторов и энергии переходов алмаза. // Опт. и спектр. 2000. Т.88, №6. С.970-974.

21. Соболев В.В., Тимонов А.П., Соболев В.Вал. Структура и природа оптических переходов алмаза. Н Ж. прикл. спектр. 2000. Т.67, №3. С.355-358.

22. Соболев В В., Смирнов С.В., Соболев В.Вал. Структура электронных переходов корунда. //Ж. прикл. спектр. 2001. Т.68, №3. С.380-383.

23. Соболев. В.В., Смирнов С.В., Соболев В.Вал. Вероятность оптических переходов в кристалле А1203 в области 9-30 эВ. II ФТТ. Т.43. №11. С.1980-1983.

24. Sobolev V.V., Kalugin A.I., Sobolev V.Val., Kormilets V.I. Electronic Structure and Optical Properties of Fluorite. // Wide Bandgap Materials. 2000. V.8, №2. P.87-104.

25. Соболев В.В., Смирнов С.В., Соболев В.Вал. Оптические спектры корунда. // Ж. прикл. спектр. 2001. Т.68, №6. С.758-762.

26. Соболев В.В., Калугин А.И., Соболев В.Вал., Смирнов С.В. Оптические свойства и электронная структура флюорита и корунда. // ФТТ. 2002. Т.44, №5. С.836-844.

27. Соболев В.Вал. Структура экситонных спектров отражения и валентной зоны халькогенидов мышьяка. // Журн. прикл. спектр. 2002. Т.69, №6. С.819-821.

28. Соболев В.Вал., Соболев В.В. Оптические спектры стеклообразных халькогенидов мышьяка. // Неорган, матер. 2002. Т.38, №11. С. 1-5.

29. Sobolev V.Val., Sobolev V.V. Excitons of Zinc Oxide. // Lithuan. J. Phys.

2002. V.42, №3. P. 189-197.

30. Соболев В.Вал., Тимонов А.П., Соболев В.В. Влияние пористости на оптические спектры пористого кремния. // Известия вузов. Сер. Материалы электронной техники. 2002. №4. С.70-73.

31. Sobolev V.Val., Pesterev E.V., Sobolev V.V. Dielectric Permittivity and Electronic Structure of Chain A5B6C7 Crystals. // Phys. Low-Dim. Struct.

2003. №1/2. P. 165-172.

32. Sobolev V.Val., Pesterev E.V., Sobolev V.V. Polarized Optical Functions and General Parameters of Transitions for Bil3. // Phys. Low-Dim. Struct.

2002. №11/12. P.59-66.

33. Sobolev V.Val., Pesterev E.V., Sobolev V.V. The optical spectra of Bil3 and their fine structure in the range of 1.5 - 6 eV. // Phys. Low-Dim. Struct.

2003. №5/6. P.57-64.

34. Sobolev V.Val., Sobolev V.V. Dielectric Permittivity Spectra of Bismuth Telluride. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. №5/6. P.65-72

35. Sobolev V.Val., Sobolev V.V. Optical Properties and Electronic Structure of ZnO Crystal in a Wide Range of Intrinsic Absorption. I. The fundamental Optical Functions Spectra. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. №9/10. P.l 13130.

36. Sobolev V.Val., Sobolev V.V. Optical Properties and Electronic Structure of ZnO Crystal in a Wide Range of Intrinsic Absorption. II. Energy and Intensity of the Main Transitions. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. №9/10. P.131-140.

37. Sobolev V.Val., Sobolev V.V. Dielectric Permittivity and Electronic Structure of Tetragonal Sn02 Crystal.// Phys. Low-Dim. Struct. 2003. №11/12. P.127-136.

38. Sobolev V.Val., Sobolev V.V. Polarized Optical Functions and General Parameters of Transitions for GeSe. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. №11/12. P.l 13-126.

39. Sobolev V.Val., Busygina E.L., Sobolev V.V. Electronic Structure and Optical Functions of Fullerite CM Films. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. №11/12. P 149-156.

40. Sobolev V.Val., Busygina E.L., Sobolev V.V. Fine Srtucture of Optical Transitions in C70 and C60 Fullerites. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. №11/12. P.137-148.

41. Sobolev V.Val. and Sobolev V.V. Anisotropy of characteristic EEL and electronic structure of layered MoS2 crystal. // Phys. Low-Dim. Struct. 2004. №3/4. P.77-87.

42. Sobolev V.Val. and Sobolev V.V. Optical properties and electronic structure of layered SnS2 and SnSe2 crystals. // Phys. Low-Dim. Struct. 2004. №3/4. P.89-102.

43. Соболев В.Вал., Соболев B.B. Фундаментальные спектры оптических функций селенида бериллия. // ФТП. 2003, Т.37. №7. С.779-783.

44. Соболев В.Вал., Соболев В.В. Оптические свойства дефектного селенида индия. // ФТП. 2003, Т.37. №7. С.784-788.

45. Соболев В.Вал., Тимонов А.П., Соболев В.В. Оптические спектры матрицы пористого кремния. // Журн. приют, спектр. 2003, Т.70. №3. С.385-391.

46. Соболев В.Вал., Соболев В.В. Оптические спектры оксида цинка в области энергий 0-30 эВ. // Журн. прикл. спектр. 2003, Т.70. №4. С.564-567.

47. Соболев В.Вал., Пестерев Е.В., Соболев В.В. Тонкая структура оптических спектров трехиодистого висмута. // Журн. прикл. спектр. 2003, Т.70. №5. С.659-662.

48,

49.

50.

51.

52.

53.

54.

55.

56.

57,

58

59

60

61

62

63

Соболев В.Вал., Мордас Д.О., Соболев В.В. Электронные переходы оксида кадмия. // Журн. прикл. спектр. 2003, Т.70. №6. С.854-856. Соболев В.Вал., Тимонов А.П., Соболев В.В. Оптические спектры пористого кремния. // Неорган, матер. 2003, Т.39. №4. С.391-394. Соболев В.Вал., Соболев В.В. Оптические спектры и переходы сульфида мышьяка в области 0-40 эВ. // Неорган, матер. 2003, Т.39. №3. С.289-292.

Соболев В.Вал. Фундаментальные оптические спектры оксида цинка. // Неорган, матер. 2003, Т.39. №10. С.1214-1217.

Соболев В.Вал., Мордас Д.О., Соболев В.В. Оптические спектры оксида палладия // Физика и химия стекла. 2003, Т.29. №4. С.502- 506. Соболев В.Вал., Мордас Д.О., Соболев В.В. Оптические спектры аморфного и поликристаллического оксида бериллия. // Физика и химия стекла. 2003, Т.29 №4. С.493-501.

Соболев В.Вал., Пестерев Е.В., Соболев В.В. Спектры поглощения кристаллов 8ЬБе1 и В]8е1. // Неорган, мат. 2004, Т.40, №1. С.21-24. Соболев В.Вал., Мордас Д.О., Соболев В.В. Оптические свойства и электронная структура оксида палладия. // Неорган, мат. 2004, Т.40, №2. С.210-214.

Соболев В.Вал., Пестерев Е.В., Соболев В.В.Диэлектрическая проницаемость ВГГе1. // Неорган, мат. 2004, Т.40, №2. С.172-173. Соболев В.Вал., Пестерев Е.В., Соболев В.В. Влияние температуры на оптические свойства ВП3. // Неорган, мат. 2004, Т.40, №7. С. 1-3. Соболев В.В., Грачев В.Е., Козлова С.Г., Соболев В.Вал., Ковалюк З.Д. Экситон в селениде галлия при поляризации Ё || С . // Укр. физ. журн. 1990. Т.35, №4. С.529-532.

Соболев В.В., Грачев В.Е., Соболев В.Вал., Козлова С.Г. Анизотропия оптических свойств и межслоевое взаимодействие селенида галлия. И Изв. АН РМ. Сер. Физика и техника. 1990. №1. С.71-75. Соболев В.В., Грачев В.Е., Соболев В.Вал., Козлова С.Г. Экситоны селенида галлия и их параметры. // Изв. АН РМ. Сер. Физика и техника. 1990. №1. С.68-69.

Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Спектры отражения и оптические функции кристалла селенида индия в области 9-29 эВ. // Изв. АН РМ. Сер. Физика и техника. 1992. №2. С.20-23. Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Спектры отражения и оптические функции кристалла теллурида галлия в области 18-90 эВ. // Изв. АН РМ. Сер. Физика и техника. 1992. №2. С.24-26. Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Спектры отражения и оптические функции кристалла селенида галлия в области 2-39 эВ. // Изв. АН РМ. Сер. Физика и техника. 1992. №3. С. 15-20.

64. Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Спектры отражения и оптические функции кристалла дисульфида молибдена в широкой области энергии. // Изв. АН РМ. Сер. Физика и техника. 1992. №3. С.20-25.

65. Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Фундаментальные оптические функции и переходы кристалла селенида индия в области 1-6.5 эВ. // Укр .физ. журн. 1992. Т.37, №11. С.1655-1659.

66. Sobolev V.Val., Pestsrev E.V., Sobolev V.V. Dielectric Permittivity of the Layers Semiconductor BiTel. // Phys. Low-Dim. Struct. 2004. №5/6. P. 1926.

67. Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Спектры отражения и оптические функции кристалла сульфида галлия в области 1-30 эВ. // Изв. АН РМ. Сер. Физика и техника. 1993. №3. С.29-35.

68. Соболев В.В., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Спектры отражения и оптические функции диселенида ниобия. // Изв. АН Молдовы. 1993 №2. С.3-9.

Щ-669

РНБ Русский фонд

2006-4 5540

Подписано в печать 05.04.2005. Печать ризографическая. Отпечатано на ризографе ООО «Управление проектами» г. Ижевск, ул. Коммунаров, 200. Тел. (3412) 450-435. Тираж 120 экз.

Введение

Глава 1. Краткий литературный обзор по оптическим спектрам и электронной структуре

1.1. Общая таблица бинарных соединений. Структура решетки. Энергия запрещенной зоны

1.2. Экспериментальные спектры R, ei, ег, -Ime"

1.3. Теоретические расчеты зон, экситонов, спектров Ег 22 Выводы

Глава 2. Методы расчетов и измерений

2.1. Комплекс фундаментальных оптических функций

2.2. Диэлектрическая проницаемость и ее природа

2.3. Методики расчетов оптических функций

2.3.1. Расчеты по спектру отражения R(E)

2.3.2. Расчеты по спектрам ег или -Ime"

2.4. Разложение интегральных спектров на компоненты

2.5. Общие схемы расчетов комплексов оптических функций и разложений ег и -Ime"1, сопоставлений полученных данных с теоретическими расчетами и известными экспериментальными данными для кристаллов и стекол 32 Выводы к главе

Глава 3. Простые моноатомные неметаллы : криодиэлектрики (N2, О2,

COj, СО, Не, лед II2О), пять углеродных фаз (алмаз, графит, а-С, фуллериты Ceo и С?о)> пористый кремний

3.1. Криодиэлектрики

Введение

3.1.1. Результаты расчетов спектров оптических функций твердого азота и их обсуждение

3.1.2. Результаты расчетов спектров оптических функций твердого кислорода и их обсуждение

3.1.3. Результаты расчетов спектров оптических функций твердого СО2 и их обсуждение

3.1.4. Результаты расчетов спектров оптических функций твердого СО и их обсуждение

3.1.5. Результаты расчетов спектров оптических функций жидкого гелия

3.1.6. Результаты расчетов спектров оптических функций льда и их обсуждение

3.2. Пять углеродных фаз (алмаз, графит, а-С, Сбо, С70)

3.2.1. Алмаз

3.2.2. Графит

3.2.3. Аморфный углерод

3.2.4. Фуллериты Сбо и С

3.2.5. Пористый кремний 71 Выводы к главе

Глава 4. Группа Ila - VI

4.1. BeO, BeSe, ВеТе

4.1.1. ВеО

4.1.2. BeSe,BeTe

4.2. Оксид магния (MgO)

4.2.1. Длинноволновые экситоны

4.2.2. Область энергии Е = 0 - 40 эВ

4.2.3. Расчеты зон, N(E), 82(E), локализации переходов и природа компонент разложения ег(Е)

4.3. MX (М - Са, Sr, Ва; X - О, S, Se)

4.3.1. Длинноволновые экситоны (3 - 7.5 эВ)

4.3.1.1. Оксиды CaO, SrO, ВаО

4.3.1.2. Сульфиды CaS,SrS,BaS

4.3.1.3. Селениды CaSe, SrSe, BaSe

4.3.2. Область энергии 0 - 40 эВ

4.3.2.1. Оксиды CaO, SrO, ВаО

4.3.2.2. Сульфиды CaS, SrS, BaS

4.3.2.3. Селениды SrSe и BaSe

4.4. Сопоставление энергий осцилляторов Ej(a) 123 Выводы к главе

Глава 5. Оксиды элементов 3,4,5 и 6 групп 128 5.1. Оксиды Sc203, Y

5.1.1. Оксид скандия

5.1.2. Оксид иттрия

5.2.1. Оксид титана

5.2.2. Оксид циркония

5.2.3. Оксид гафния

5.2.4. Оксид палладия 139 5.3. Оксид алюминия

• 5.3.1. Монокристаллический AI2O

5.3.2. Аморфные (а) и поликристаллические фазы (а, у) AI2O

5.3.3. Оксид висмута

5.3.4. Оксид сурьмы

5.4.1. Закись меди СигО

5.4.2. Окись меди CuO

5.5. Оксид молибдена М0О

5.6. Оксиды группы МО2 (М - Si, Ge, Sn) 163 5.6.1. Система SiOx (х = 0, 1,1.5,2)

5.6.1.1. Кристаллический кварц Si

5.6.1.2. Плавленый кварц Si

5.6.3. Аморфные фазы системы SiOx (х = 0,1,1.5,2).

5.6.4. Диоксид германия Ge02.

5.6.5. Диоксид олова БпОг

• 5.7. Сопоставление спектров Е;(а) 186 Выводы к главе

Глава 6. Группа II-VI

6.1. Оксид цинка ZnO

6.1.1. Длинноволновые экситоны

6.1.2. Область 2-30 эВ

6.2. Сульфид цинка ZnS 203 6.2.1 .Длинноволновые экситоны 203 6.2.2. Область 3 - 40 эВ

6.3. Селенид цинка ZnSe (кубический)

6.3.1. Длинноволновые экситоны

6.3.2. Область 4 - 30 эВ

6.4. Теллурид цинка ZnTe

6.5. Оксид кадмия CdO •

6.6. Сульфид кадмия CdS 223 6.6.1. Кубический CdS (c-CdS)

6.6.2. Гексагональный CdS (w-CdS)

6.7. Селенид кадмия CdSe

6.7.1. Кубический CdSe (c-CdSe)

6.7.2. Гексагональный CdSe (w-CdSe)

6.8. Теллурид кадмия CdTe

6.9. Сопоставление спектров Ei(a) 244 Выводы к главе

Глава 7. Группа III - VI

7.1. Монохалькогениды М - VI (М - Ga,In,Tl)

7.1.1. Сульфид галлия GaS

7.1.2. Селенид галлия GaSe

7.1.3. Селенид индия InSe

7.1.4. Теллурид галлия GaTe

7.1.5. Сульфид индия InS

7.1.6. Селенид таллия TISe

7.2. Полуторные (дефектные) А2В3 (А - Ga, In, В - S, Se, Те) и In4Se3,1п4Те

7.2.1. Ga2S

7.2.2. Ga2Se

7.2.3. Ga2Te

7.2.4. p - In2S

7.2.5. а- и P-In2Se

7.2.6. a-In2Te3 269 ' 7.2.7. Теоретический анализ

7.2.8. In4Se3,1щТе

7.3. Сопоставление спектров Ej(a) 276 Выводы к главе

Глава 8. Группа IV - VI

8.1. Сульфид германия GeS

8.2. Селенид германия GeSe

8.3.Сульфид олова SnS

8.4. Селенид олова SnSe

8.5. Диселенид германия GeSe

8.6. Дисульфид (SnS2) и диселенид (SnSe2) олова

8.7. Сопоставление спектров Ej(a) 293 Выводы к главе

Глава 9. Группа V - VI 297 9.1. Группа A: Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te

9.1.1. Теллурид висмута В12Тез

9.1.2. Селенид висмута Е^Эез

9.1.3. Теллурид сурьмы БЬгТез

9.2. Группа В: В^з, ЭЬ^з, БЬгБез

9.2.1. Сульфид висмута В128з

9.2.2. Сульфид сурьмы 8Ь

9.2.3. Селенид сурьмы БТ^Без

9.3. Группа С : кристаллы Аб^з, Аэ^ез

9.3.1. Длинноволновые экситоны Аэ^з, Аэ^ез

9.3.2. Оптические спектры с-АБгБз в широкой области энергии

9.3.3. Оптические спектры с-АвгБез в широкой области энергии

9.4. Стеклообразные д-АэгХз (х - Б, Бе, Те) 326 9.4.1.Оптические спектры стекол халькогенидов мышьяка в широкой области энергии фундаментального поглощения 326 9.4.2. Поперечные и продольные компоненты

9.5. Сопоставление спектров Е;(а) 346 Выводы к главе

Глава 10. Халькогениды группы МХ2 (М - Мо, Ъг, НГ; X - 8,8е, Те) и

МХ3 (М - Ъг, Ш; X - в, Бе, Те)

10.1. Сульфид молибдена МоЭ

10.2. Селенид молибдена Мо8е

10.3. Теллурид молибдена МоТе

10.4. Сульфид вольфрама \У82 (ЗЫ)

10.5. Селенид вольфрама WSe2 (2Н)

10.6. Сульфид циркония ZтS

10.7. Селенид циркония ггёег

10.8. Сульфид гафния ЬЖ

10.9. Селенид гафния НКе

10.10. Трихалькогениды гафния и циркония МХз (М - Ъх, Н£ X - 8, 8е, Те)

10.11. Сопоставление спектров Е^а) 383 Выводы к главе

Глава 11. Группа А5В61 и ВИз

11.1. 8Ь81, ЗЬЭеГ, В18е1, В1Те

11.2. ВПз

Выводы к главе

Актуальность темы.

Физика твердого тела стала одним из главных направлений развития прикладной и теоретической физики.

Современное состояние и перспективы технического и научного прогресса определяются практическим использованием микроскопических и квантовых свойств конденсированных систем и глубоких разработок фундаментальных проблем. Решение возникающих при этом задач по определению возможностей получения твердых тел с наперед заданными параметрами зависит от развития фундаментальных исследований теоретического характера, необходимых для объяснения и предсказания процессов, происходящих в твердых телах.

Среди наиболее важных и основных параметров вещества выделяются энергетические уровни. Знание их особенностей, энергий и интенсивностей переходов между ними в широкой области энергии фундаментального поглощения позволяет с самых общих позиций понять известные физико-химические свойства и предсказать другие вероятные характеристики веществ и приборов на их основе. Известно, какую революцию в естествознании и технике вызвало открытие энергетических уровней атомов и молекул. Исследования по детальной расшифровке энергетических уровней и параметров переходов между ними, установлению закономерностей в их структуре, соотношений с природой компонент и химических сил межатомных связей, структурой ближнего порядка твердых тел призваны существенно продолжить эту революцию.

Среди многих известных методов изучения энергетических уровней самыми точными, прямыми и эффективными в большинстве случаев признаны спектроскопические методы, особенно метод спектров отражения с синхротронным источником света в широкой области энергии.

Взаимодействие света с веществом весьма сложно. Наиболее полно оно описывается комплексом из 12 фундаментальных оптических функций (Я, ц, сь 82, и др.). Однако экспериментально измеряется, как правило, только Я(Е). Определение этого комплекса составляет первую проблему спектроскопии. Полосы оптических переходов твердых тел, как правило, сильно перекрываются. Поэтому некоторые из них структурно не наблюдаются в интегральной кривой переходов. Определение полного набора наиболее интенсивных переходов и их параметров (энергий Е; максимума и полуширины Нь площади Б; и силы осцилляторов составляет вторую, еще более сложную проблему спектроскопии.

К настоящему времени известно много экспериментальных исследований сотен материалов. Как правило, они ограничиваются спектрами отражения (1-30 эВ), редко - Si, 82 (1-5 эВ) или -Ime'1 (1 - 50 эВ). Иногда они сопровождаются не вполне корректными расчетными спектрами нескольких оптических функций и попытками воспроизведения интегральных кривых R или 82 произвольным набором осцилляторов. Поэтому, как правило, эти данные представляют первичный, весьма «сырой» материал, который нуждается в глубокой и детальной всесторонней компьютерной обработке.

Согласно общей теории оптических свойств максимумы спектров оптических функций обусловлены прямыми междузонными переходами или метастабильными экситонами. Энергетические зоны и спектры ег(Е) успешно рассчитаны для многих кристаллов. При этом близость кривых теоретических 82 с расчетными на основе опытных R(E) принимается за корректность теории. Однако для других функций (R, ¡л, Е28г) данные теории и опыта сильно расходятся. Только частично это объясняется неучетом экситонов. Давно общепризнана большая роль экситонов при формировании оптических спектров в широкой области энергии. Но до сих пор нет ни теории метастабильных экситонов, ни метода учета их вклада в общую кривую оптической функции.

В результате первая задача по определению комплекса оптических функций выполнена лишь частично, и для немногих из известных сотен соединений. При этом расчеты сделаны различными методами, а полученные данные обсуждаются весьма упрощенно без должного теоретического анализа. Вторая задача спектроскопии по установлению отдельных полос компонент переходов и их параметров изучена очень слабо, и для весьма небольшого количества соединений. Это существенно затрудняет оценку корректности теоретических расчетов зон и спектров оптических функций. Теоретические расчеты зон в 1960 - 1980 годы ориентировались на экспериментальные спектры отражения (за неимением спектров 82, ц). Но эта методика давно устарела, слишком груба, упрощенна. Все это привело к определенному застою в экспериментальных и теоретических исследованиях оптических свойств и электронной структуры твердых тел.

Цель и задачи работы.

Цель работы заключалась в исследовании всесторонних оптических свойств, основных параметров переходов и электронной структуры многих бинарных оксидов, халькогенидов и некоторых моноатомных неметаллов в широкой области энергии фундаментального поглощения.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

• усовершенствовать пакеты компьютерных программ для расчетов спектров комплексов оптических функций по отдельным функциям (Я, -Ьпе"1, или 8ь £2);

• существенно модернизировать компьютерные программы разложения спектров 82 и -Ьпе*1 на компоненты;

• разработать методики сопоставления комплексов экспериментальных и экспериментально-расчетных оптических спектров с комплексами теоретических спектров, теоретическими расчетами зон и плотностей состояний, данными фотоэмиссии;

• на основе известных экспериментальных или теоретических спектров отдельных функций рассчитать полные комплексы оптических функций и установить их основные особенности;

• рассчитанные или экспериментально известные спектры е2 и -Ьпе"1 разложить на элементарные компоненты, определить основные параметры полос компонент переходов и выполнить их теоретический анализ;

• установить закономерности зависимостей параметров электронной структуры от природы аниона, катиона;

• изучить влияние ближнего и дальнего порядка на оптические спектры и электронную структуру одного и того же соединения и в рядах родственных групп соединений;

• теоретически методом РР-ЬМТО рассчитать зоны, плотности состояний, спектр 82, энергии наиболее интенсивных междузонных переходов и их локализацию в ЗБ.

Научная новизна.

1. Усовершенствованы пакеты компьютерных программ для расчетов спектров комплексов оптических функций по отдельным функциям (Я, -Гте"1, или 81, 82).

2. Существенно модернизированы компьютерные программы разложения спектров £2 и -Гте"1 на компоненты.

3. Разработаны методики сопоставления комплексов экспериментальных и экспериментально-расчетных оптических спектров с комплексами теоретических спектров, теоретическими расчетами зон и плотностей состояний, данными фотоэмиссии.

4. Впервые систематически по единым программам определены спектры полных комплексов оптических функций в широкой области энергии фундаментального поглощения около сотни различных бинарных оксидов, халькогенидов и моноатомных неметаллов основных десяти групп кристаллов и стекол. Расчеты выполнены по известным экспериментальным и теоретическим спектрам отдельных оптических функций. Установлены основные особенности спектров комплексов оптических функций обоих типов, а также их соотношения между собой и с известными экспериментальными и теоретическими данными, в том числе природа максимумов полос спектров диэлектрической проницаемости е2 и характеристических объемных потерь электронов -1те~'.

5. Впервые беспараметрическим методом, без подгоночных параметров интегральные спектры и -¡те"1 разложены на элементарные составляющие, определены основные параметры (энергии Е, и полуширины Н;, площади Б; и силы осцилляторов £ полос переходов) поперечных и продольных компонент полос переходов и их основные особенности. Установлены существенные преимущества примененного метода разложения объединенных диаграмм Арганда перед известными методами воспроизведения интегральных кривых ЩЕ), 82(Е) с использованием большого количества подгоночных параметров. Количество выявленных компонент часто в 1.5 — 2 раза больше количества максимумов спектров интегральных кривых. Это позволило впервые наиболее полно и детально выполнить теоретический анализ полученных компонент переходов. В целом установлена существенно более полная и глубокая информация об оптических свойствах и электронной структуре рассмотренной сотни соединений.

6. Впервые по параметрам компонент полос переходов установлены основные особенности зависимостей параметров электронной структуры от природы аниона и катиона в группах родственных материалов и между ними, в том числе энергии спин-орбитального и кристаллического расщепления верхней валентной полосы.

7. По спектрам оптических функций двух фаз (кристалл, стекло) десятка соединений (ВеО, лед, А120з, БЮг, веОг, ОеЗе2, АБгХз) получена новая существенно более полная информация о влиянии ближнего и дальнего порядка на их оптические свойства и электронную структуру.

8. Теоретически методом РР-ЬМТО рассчитаны зоны, Ы(Е), Ег(Е) кристаллов М§0, СаБг, Сс10 и СаБе. Впервые установлено, что многие междузонные переходы локализованы в объеме ЗБ вне главных направлений.

Практическая значимость результатов работы.

Результаты исследований могут быть использованы для обсуждения оптических свойств, электронной структуры и фундаментальных параметров многих бинарных неметаллов и приборов на их основе.

Конкретные практически важные результаты:

1. Показана большая эффективность и преимущества применений разработанных пакетов компьютерных программ для определения спектров полных комплексов оптических функций в широкой области энергии фундаментального поглощения, т.е. решения первой задачи спектроскопии.

2. Установлено, что использованный метод объединенных диаграмм Арганда для определения спектра элементарных полос поперечных и продольных компонент переходов и их основных параметров наиболее эффективно без произвольных подгоночных параметров помогает решать вторую фундаментальную задачу спектроскопии. В отличие от этого метода известные методы воспроизведения интегральных спектров используют громадное количество подгоночных параметров и не дают однозначного решения.

3. Полученные результаты представляют наиболее полную информацию об оптических особенностях и электронной структуре как отдельных соединений, так и их зависимость от природы катиона или аниона в группах родственных материалов. Это позволяет наиболее компетентно оценивать известные параметры, предсказывать возможные значения неизученных параметров и особенностей материалов и приборов на их основе, в том числе квантовой эффективности фотоэффекта и излучения.

4. Установленные параметры полос элементарных переходов позволяют детально проверять результаты теоретических расчетов зон и спектров оптических переходов по их энергии и вероятности. Экспериментальные методы определения вероятности переходов в области энергии Е > Ег неизвестны. Экспериментальные кривые Я или гг содержат лишь прямую (ег) или косвенную (Я) информацию об энергиях части, но не всех переходов.

5. Результаты исследований двух фаз соединений (кристалл, стекло) представляют наиболее прямую и полную информацию о фундаментальной роли ближнего порядка при формировании электронной структуры соединения.

6. Как известно, интенсивное облучение кристаллических соединений группы А\в1 (А — Ga, In; В - S, Se, Те) и стекол слабо влияет на многие их свойства и параметры. Поэтому впервые полученные результаты для них представляют большое прикладное значение при использовании этих материалов и приборов на их основе в радиационной и космической технике.

Публикации и апробация работы. В ходе выполнения исследований по теме диссертации опубликована 151 научная работа, из которых 68 статей в центральных отечественных и зарубежных журналах, 83 статьи в Трудах Международных конференций.

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на: XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Кишинев, 1988); XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990); III Всесоюзной конференции «Материаловедение халькогенидных полупроводников» (Черновцы, 1991); IX Всесоюзной конференции ВУФ-91 (Томск, 1991); 5-th International Conference on Electronic Spectroscopy (Kiev, 1993); XVIII-th Congress of the Romanian American Academy of Sciences and Art (Kishinau, 1993); 1 Международной конференции «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников» (Черновцы, 1994); VIII-ой конференции «Химия, физика и технология халькогенидов» (Ужгород, 1994); Российском семинаре «Структурная наследственность в процессах сверхбыстрой закалки расплавов» (Ижевск, 1995); III International Seminar on new materials (Novosibirsk, 1996); Российской университетско-академической научно-практической конференции (Ижевск, 1997; 1999; 2001); Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1998; 2000); Международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1999); IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999); Совещании «Нанофотоника» (Н. Новгород, 2000); Н-ой Международной конференции «Аморфные микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2000); Международном семинаре «Карбид кремния» (В. Новгород, 2000); Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы» (Екатеринбург, 2000); XII съезде по спектроскопии (Звенигород, 2001);

Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2001; 2002; 2003); III Международной конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» (Саранск, 2001); Международной конференции «Аморфные сплавы и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2002; 2004); Международной конференции «Опто-, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2004); VII Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (Сочи, 2004); IX Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 2004); совещании по программе НАТО «Zinc oxide as material for micro- and optoelectronic applications» (Санкт-Петербург, 2004).

Результаты работы использованы при выполнении грантов Конкурсного Центра Фундаментальных Исследований при СПб госуниверситете 1998-2002 годов.

Личный вклад. Автору принадлежит постановка задач исследований, обоснование способов их решений, непосредственное участие в значительной части расчетов, непосредственное выполнение экспериментальных измерений спектров отражения кристаллов GaSe, TISe, С112О, AS2S3 и a-GaAs, систематизации и анализа результатов. Оптические эксперименты были выполнены в лаборатории оптики ИПФ АН Молдавии (г. Кишинев). Ряд результатов, вошедших в диссертацию, получены в соавторстве с коллегами: сотрудниками отдела спектроскопии Института экспериментального естествознания УдГУ (А.П. Тимонов, Е.В. Пестерев, E.JI. Бусыгина, С.В. Смирнов, А.И. Калугин, В.И. Кормилец, В.В. Соболев), и лаборатории оптики ИПФ АН Республики Молдова (А.И. Козлов, С.Г. Козлова, В.Е. Грачев), которым автор благодарен за плодотворное сотрудничество.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. В широкой области энергии электронная структура любого материала весьма сложна. Наиболее наглядно это проявляется в необходимости исследования обширного комплекса оптических фундаментальных функций, из которых экспериментально измеряются часто лишь одна (R) или редко еще одна (-Ims"1) и иногда 82 и si, но в очень узком интервале энергии (1-5 эВ). Применение пакета компьютерных программ с использованием интегральных соотношений Крамерса-Кронига позволяет полностью решить первую задачу спектроскопии: определить спектры всего комплекса оптических функций.

2. Полосы переходов между энергетическими уровнями или экситонов, как правило, настолько широки, что из-за перекрытия многие из них в интегральных кривых структурно не наблюдаются. Экспериментально по спектрам Я(Е) энергии переходов оцениваются лишь весьма приближенно. Методы определения их интенсивностей неизвестны. Применение метода объединенных диаграмм Арганда позволяет без подгоночных произвольных параметров решить вторую задачу спектроскопии: определить полный набор наиболее интенсивных возможных переходов, энергии максимумов полос переходов и их полуширины, площади полос и силы осцилляторов (их интенсивности, площади полос переходов).

3. Общепринятые в течение многих лет полуэмпирические методы теоретических расчетов зон и оптических спектров £г(Е) основаны на использовании энергий максимумов единственно известного экспериментального спектра отражения для определения подгоночных параметров. Это заранее приводит к заметным погрешностям расчетов зон и спектра е2(Е). Характерная особенность спектра Бг(Е) состоит в резком падении его значений в широкой области энергии после длинноволновых самых интенсивных максимумов и весьма слабом проявлении структур. Поэтому формально теоретическая и экспериментальная кривые Е2(Е) обычно хорошо согласуются. Кривые других оптических функций (Я, ц, Е 82, к) с ростом энергии падают слабо и сохраняют многие структуры в широкой области энергии. Анализ спектров полного комплекса оптических функций позволяет существенно более полно и детально выявлять структуру переходов. Только сопоставление всех экспериментально-расчетных спектров оптических функций с их теоретическими кривыми позволяет наиболее убедительно и полно получить интерпретацию структур спектров и их параметров, проверить границы корректности теоретических расчетов. Особую роль при этом играют расчетные значения площадей полос переходов и сил осцилляторов, поскольку экспериментально их не определяют, а их теоретические расчеты связаны с определенными упрощениями и, как правило, заметно не точны.

4. Теоретические расчеты зон обычно ограничиваются точками нескольких главных направлений ЗБ. Поэтому структуру и природу междузонных переходов теоретически рассматривают только в них. Развитие методики расчетов по всему объему ЗБ позволило на примере кристаллов М§0 и СаБг показать, что обычно применяемые методики слишком упрощены, а иногда просто неверны: многие интенсивные переходы могут быть локализованы в объеме ЗБ далеко от точек основных направлений.

Согласно общей теории максимумы спектров оптических функций могут быть обусловлены свободными экситонами в области Е « Её, прямыми междузонными переходами и метастабильными экситонами в области больших энергий. Анализ спектров комплекса оптических функций, а особенно результатов разложений Е2(Е) на компоненты, позволяет выполнить существенно более глубокий и детальный анализ структур спектров. Экситонные полосы могут быть сравнительно узкими даже в области Е » Её. Такие данные предоставляют основу для развития теории метастабильных экситонов.

Обычно публикуются данные об энергиях продольно-поперечных расщеплений ДЕц свободных экситонов. Полученные обширные результаты для параметров переходов обоих типов (поперечных и продольных) во всей области собственного поглощения сотен разнообразных соединений дают фундаментальную основу для развития теории этих переходов. Установление двух типов плазмонов в случае сильно анизотропных кристаллов свидетельствуют о формировании отдельной группы верхних валентных полос, а определение их основных параметров позволяет существенно развить теорию возбуждения плазмонов обоих типов.

Обычно оптические спектры и электронная структура рассматриваются для отдельных соединений. Существенно более глубокая и полная информация установлена при рассмотрении особенностей в группах родственных материалов в зависимости от природы катиона и аниона.

Обычно в случае чисто ковалентных (группа А4) или сильно ковалентных (группа А3В5) материалов при переходе кристалл - стекло вся структура спектров настолько сильно размывается, что спектральная кривая стекла представляет одну очень широкую полосу. Для большой группы материалов (БЮг, ЭЮ^, ОеОг, лед и др.) нами установлено, что при переходе кристалл -стекло многие особенности электронной структуры сохраняются. Это позволяет обсуждать эти особенности на основе модели экситонов с учетом ближнего порядка и ограниченных орнаментов структуры этих материалов (например, типа БЮ4 для БЮг).

В диссертации развито новое направление физики конденсированного состояния, посвященное решению двух главных проблем спектроскопии неметаллов в широкой области энергии: 1) определению спектров комплексов оптических функций, 2) установлению количества наиболее интенсивных переходов и их основных параметров.

1. Structural chemistry of layer-type phases. Ed. Levy F. Dodrecht: D. Reidel Publ. Company (Holland), 1976. 392 P.

2. Бокий Г.Б., Воронина И.П., Дворянкина Г.Г., Шевченко В.Я., Угай Я.А. Кристаллохимические и физические свойства полупроводников. М.: Изд-во стандартов, 1973. 208 С.

3. Абрикосов Н.Х., Шелимова JT.E. Полупроводниковые материалы на основе А4В6. М.: Наука, 1975.195 С.

4. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В. Полупроводниковые халькогениды. М.: Наука, 1975.220 С.

5. Физико-химические свойства окислов. Справочник под ред. Самсонова Г.В. М.: Металлургия, 1978. 471 С.

6. Криокристаллы. Под ред. Веркина Б.И., Прихотько А.Ф. Киев: Наук, думка, 1983. 526 с.

7. Fletcher N.H. The chemical physics of ice. Cambridge: Univ. Press, 1970. 350 P.

8. Соболев В.В. Собственные энергетические уровни твердых тел группы А4. Кишинев: Штиинца, 1987.207 С.

9. Weaver J.H., Poirier D.M. Solid State Properties of Fullerenes // Sol. St. Phys. 1994. V.48. P.l-108.

10. Pickett W.E. Electrons and phonons in Сбо based materials // Sol. St. Phys. 1994. V.48. P .226-347.

11. Елецкий A.B., Смирнов Б.М. Фуллерены и структуры углерода // УФН. 1995. Т.165. №9. С.977-1009.

12. Соболев В.В. Зоны и экситоны криокристаллов. Кишинев: Штиинца, 1986.206 С.

13. Лазарев В.Б., Соболев В.В., Шаплыгин И.С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов. М.: Наука, 1983.295 С.

14. Соболев В.В. Собственные энергетические уровни соединений А4В6. Кишинев: Штиинца, 1981.284 С.О (л

15. Соболев В.В. Зоны и экситоны соединений группы А В . Кишинев: Штиинца, 1980. 255 С.

16. Соболев В.В. Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия. Кишинев: Штиинца, 1982.272 С.

17. Black J., Conwell Е.М., Seigle L., Spencer C.W. Electrical and optical properties of A\B\ II J. Phys. Chem. Sol. 1957. V.2. №2. P.240-251.

18. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев: Наук, думка, 1976. 335 С.

19. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. М.: Мир, 1965. 382 С.

20. Raether H. Excitation of Plasmons and Interband Transitions by Electrons. Berlin: Springer Verlag, 1980. 196 P.

21. Proc. 5 Intern. Conf. on Inorganic Scintillators (1999, MSU, Moscow). Ed. V. Mikhailin. Moscow: Faculty of Physics MSU, 2000. 772 P.

22. II VI Semiconducting Compounds. 1967 International Conference. Ed. Thomas D.G. N.J.: W.A. Benjamin, Inc., 1967. 1489 P.

23. Физика и химия соединений А2В6. Перевод под ред. Медведева С.А. М.: Мир, 1970. 624 с.

24. Соболев В.В. Оптические фундаментальные соединения группы А3В5. Кишинев: Штиинца, 1979.287 С.

25. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978.616 С.

26. Бассани Ф., Парравичини Дж.П. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.:Наука, 1982. 392 С.

27. Оптические свойства полупроводников. Под ред. Уиллардсона Р. и Бира А., М.: Мир. 1970.488 С.

28. Ю. Питер, Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002. 560 С.

29. Эварестов P.A., Котомин Е.А., Ермошкин А.Н. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощелевых твердых телах. Рига : Зинатне, 1983. 287 С.

30. Соболев В.В., Немошкаленко В.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура дихалькогенидов редких металлов. Киев: Наук, думка, 1990. 293 С.

31. Соболев В.В. Зоны и экситоны галогенидов металлов. Кишинев: Штиинца, 1987. 284 С.

32. Соболев В.В., Немошкаленко В.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Киев: Наук, думка, 1988. 423 С.

33. Соболев В.В., Немошкаленко В.В. Электронная структура твердых тел в области фундаментального поглощения (введение в теорию). Т.1. Киев: Наук, думка, 1992. 566 С.

34. Соболев В.В., Соболев В.Вал. Диэлектрическая проницаемость в широкой области энергии собственного поглощения // Неорган, материалы. 1994. Т.ЗО. №8. С.1098-1100.

35. Forouhi A.R., Bloomer I. Optical properties of cristalline semiconductors and dielectrics // Phys Rev. B. 1988. V.38. №3. P.1865-1874.

36. Chen Y.F., Kwei C.M., Tung C.J. Optical constants model for semiconductors and insulators // Phys. Rev. B. 1993. V.48. №7. P.4373-4379.

37. Филлипс Дж. Оптические спектры твердых тел в области собственного поглощения. М.: Мир, 1968. 176 С.

38. Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. М.: Мир, 1973. 557 С.

39. Абаренков И.В., Антонова И.М., Барьяхтар В.Г., Булатов B.JL, Зароченцев Е.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура идеальных и дефектных кристаллов. Киев: Наук, думка, 1991. 455 С.

40. Кацнельсон А.А., Степанюк B.C., Фарберович О.Ф., Сас А. Электронная теория конденсированных сред. М.: МГУ, 1990. 238 С.

41. Вычислительные методы в теории твердого тела . Сб. статей. Пер. под ред. Овчинникова А. А. М.: Мир, 1975.400 С.

42. Arnaud В., Alouani М. All electron projector augmented - wave GW // Phys. Rev. B. 2000. V.62. №7. P.4464-4476.

43. Kootstra F., de Bocij P.L., Snijders J.G. Application of TPDFT to the dielectric function of various non-metallic crystals // Phys. Rev. B. 2000. V.62. №11. P.7071-7083.

44. Armand В., Alouani M. Local-field and excitonic effects in the optical properties of semiconductors // Phys. Rev. B. 2001. V.63. №8. P.085205-1-13.

45. Del Sole R., Girlanda R. Optical properties of solids within the independent quasi-particle approximation//Phys. Rev. 1996. V.54. №6. P.14376-14385.

46. Соболев B.B. О некоторых проблемах формирования экситонного поглощения // Журн. прикл. спектроск. 1994. Т.61. №3-4. С.302-311.

47. Соболев В.В. Проблемы электронной структуры неметаллов в широкой области энергии фундаментального поглощения // Журн. прикл. спектроск. 1999. Т.66. №3. С.299-315.л /

48. Физика соединений А В . Под ред. Георгобиани А.Н. и Шейнкмана М.К. М.: Наука, 1986. 320 С.

49. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных проводников. М.: АН СССР, 1963.250 С.

50. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 662 С.

51. Электроннные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Отв. ред. Цэндин К.Д. С.-Пб.: Наука, 1981. 486 С.

52. Бонч-Бруевич B.JL, Звягин И.П., Миронов А.Г. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. 383 С.

53. Соболев В.В. Проблема взаимосвязи электронной структуры некристаллических веществ и кристаллов // Физика и химия стекла. 1995. Т.21. №1. С.3-16.

54. Соболев В.В. Диэлектрическая проницаемость и ее разделение на элементарные компоненты IIII Ж. прикл. спектроск. 1996. Т.63. №1. С.143 154.

55. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. Москва : ИЛ, 1961. 304 С.

56. Sobolev V.V., Kalugin A.I., Sobolev V.Val., Kormilets V.I. Electronic Structure and Optical Properties of Fluorite // J. Wide Bandgap Materials, 2001. V.8. №2. P.87-114.

57. Hobbs J. Ice physics. Oxford : Univ. Press., 1974. 267 P.

58. Haensel R., Koch E.E., Kosuch N., Nielsen U., Skibowski M. VUV Reflectivity of solid N2 and 02 // Chem. Phys. Lett. 1971. V.9. №6. P.548-552.

59. Daniels J. Optical constants of the solid N2, 02, C02 // Optics Commun. 1970. V.2. №7. P.352-356.

60. Tarrio C., Schnatterly S.E. Local-field effects in solid N2 // Phys. Rev. Lett. 1991. V.66. №5. P.644-647.

61. Hampsel F. J., Schwenther N., Koch E.E. UV PES of solid N2 and 02 // Phys. Stat. Sol. (b). 1975. V.71. №2. P.615-624.

62. Fock J.-H., Lan H.-J., Koch E.E. Electronic band structure of solid C02 // DFSY S R-83-10.35 P.

63. Scharber S.R., Weber S.E. Optical constants of CO // J. Chem. Phys. 1971. V.55. № 8. P.3977-3984.

64. Lucas A. A., Vigneron J.P., Donnelly S.E., Rife J.C. VUV reflectance of liquid helium // Phys. Rev. B. 1983. V.28. №5. P.2485-2496.

65. Seki M., Kobayashi K., Nakahara J. Optical spectra of hexagonal ice // J. Phys. Sol. Japan. 1981. V.50. №8. P.2643-2648.

66. Otto A., Lynch M.J. Characteristic EEL of solid benzine and ice // Aust. J. Phys. 1970. V.23. №4. P.609-612.

67. Watanabe M., Kitamurs H., Nakai Y. VUV absorption specrta of ice // Proc. 4 Int. Conf. VUV Rad. Phys. 1974. Oxford. Pergamon Press. P.70-72.

68. Parravichini G.P., Resca L. Elecrtonic states and optical properties in cubic ice // Phys. Rev. B. 1973. V.8. №6. P.3009-3022.

69. Вавилов B.C., Гиппиус A.A., Конорова E.A. Электронные и оптические процессы в алмазе. М.: Наука, 1985. 120 С.

70. Herman F., Kortum R.L., Kuglin C.D. Energy band structure and optical spectra of II-VI compounds // Intern. J. Quant. Chem. 1967. V.15. P.533 550.

71. Hemstreet L.A., Fong J.C.Y., Cohen M.L. Calculation band structure and optical constants of diamond using nonlocal-pseudopotential method // Phys. Rev. B. 1970. V.2.№6. P.2054-2063.

72. Lubinsky A.R., Ellis D.E., Painter G.S. First-principles calculation of the optical absorption in diamond // Phys. Rev. B. 1972. V.6. №10. P.3950-3956.

73. Hanke W., Mattausch H.J., Striniti G. Theory of exchange-correlation effects of covalent crystals. From: Electron correlations in solids. Ed. I.T. Devreese and F. Brosens. N.Y.: Plenum Publ. Co, 1983. P.289-360.

74. Adolph В., Gavrilenko V.I., Tenelsen K., Bechstedt F., Sole R.D. Nonlocality and many-body effects in the optical properties of semiconductors // Phys. Rev. B. 1996. V.53. №15. P.9797-9808.

75. Bechstedt F., Tenelsen K., Adolph B. Compensation of dynamical quasiparticle and vertex corrections in opical spectra// Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. № 8. P.1528-1534.

76. Benedict L.X., Shirley E.L., Bohn R.B. Theory of optical absorption in diamond, Si, Ge, and GaAs // Phys. Rev. B. 1998. V.57. №16. P.R9385-R9387.

77. Clark C.D., Dean P.J., Harris P.V. Intrinsic edge absorption in diamond // Proc. Roy. Soc. A. 1964. V.277. P.312-329.

78. Phillipp H.R. Taft E.A. Kramers-Kronig Analysis of Reflectance Data for Diamond // Phys. Rev. A. 1964. V.136. №5. P.1445-1448.

79. Roberts R.A. Walker W.C. Optical Study of the Electronic Structure of Diamond // Phys. Rev. 1967. V.161. №3. P.730-735.

80. Roberts R.A., Roessler D.M., Walker W.C. Fine structure in the direct absorption edge of diamond // Phys. Rev. Lett. 1966. V.17. №6. P.302-304.

81. Logothetidis S., Petalas J., Polatoglou H.M., Fuchs D. Origin and temperature dependence of the first direct gap of diamond // Phys. Rev. B. 1992. V.46. №8. P.4483-4494.

82. Armon H., Sellschop J.P.F. Angular dependence of electron-energy-loss spectroscopy: application to diamond // Phys. Rev. B. 1982.V.26. №6. P.3289-3296.

83. Соболев В.В., Грачев В.Е., Козлова С.Г., Соболев В.Вал. Сила осциллятора экситонов селенида галлия // Опт. и спектр. 1990. Т. 68. № 2. С.476 477.

84. Papadopolous A.D., Anastassakis Е. Optical properties of diamond // Phys. Rev. 1991. V. 43. №6. P.5090-5097.

85. Nithianandam J., Rife J.C. Synchrotron x-ray optical properties of natural diamond // Phys. Rev. 1993. V.47. №7. P.3517-3521.

86. Brand N.B., Chudinov S.M., Ponomarev Ya.G. Semimetals. Graphite // V.20. Modern problems in Condensed Matter Sciences. North-Holland. Amsterdam. 1988.490 P.

87. Carter J.G., Huebner R.H., Hamm R.N., Birkhoff R.D. Optical properties of graphite in the region 1100 to 3000 Â // Phys. Rev. A. 1965. V.137. №2. P.639-641.

88. Taft E.A., Philipp H.R. Optical properties of graphite // Phys. Rev. A. 1965. V. 138. №1. P. 197-202.

89. Klucker R., Skibjwski M., Steinmann W. Anisotropy in the optical transitions of graphite // Phys. Stat. Sol.(b). 1974. V.74. №2. P.703-710.

90. Zeppenfeld К. EEL Spectra of graphite // Z. Phys. 1968. V.211. №2. P.391-397.

91. Greenaway D.L., Harbeke G., Bassani F., Tosatti E. Anisotropy of the optical constants and the band structure of graphite // Phys. Rev. 1969. V.178. №3. P. 1340-1348.

92. Venghaus H. JR Reflectance of graphite for E||c // Phys. Stat. Sol.(b). 1977. V.81. №1. P.221-225.

93. Zanini M., Grubisic D., Fisher J.E. Optical anisotropy of pyrolytic graphite // Phys. Stat. Sol.(b). 1978. V.90. №1. P.151-156.

94. Zunder A. The electronic properties of graphite // Phys. Rev. B. 1978. V.17. №2. P.626-641.

95. Willis R.F., Fitton В., Painter G.S. PE Spectra of graphite // Phys. Rev. B. 1974. V.9. №4. P. 1926-1937.

96. Tatar R.C., Rabii S. Electronic properties of graphite // Phys. Rev. B. 1982. V.25. №6. P.4126-4141.

97. Chen N.H., Rabii S., Holzwarth N.A. Optical spectra of graphite // Synthetic Metals. 1983. V.8. №3. P.297-203.

98. Ahuja R., Auluck S., Wills J.M. Optical properties of graphite // Phys. Rev. B. 1997. V.55. №8. P.4999-5005.

99. Painter G.S., Ellis D.E. Band structure and optical properties of graphite // Phys. Rev. B. 1970. V.112. P.4747-4752.

100. Franenheim Th., Jungkickel G., Kohler Th., Stephan U. Structure and electronic properties of a-carbone // J. Noncrystal. Solids. 1995. V.182. №1. P.186-197.

101. Williams M.W., Arakawa E.T. Optical properties of glassy carbone from 0 to 82 eV // J. Appl. Phys. 1972. V.43. №8. P.3460-3463.

102. Arakawa E.T., Dolfini S.M., Ashley J.C., Williams M.W. Arc-evaporated carbon films // Phys. Rev. B. 1985. V.31. №12. P.8097-8101.

103. Козырев C.B., Роткин B.B. Фуллерен // ФТТ. 1993. Т.27. №9. С.1409-1434.

104. Тимошкин А.Н., Соболев В.Вал., Соболев В.В. Спектры характеристических потерь электронов дихалькогенидов молибдена // ФТТ. 2000. Т.42. №1. С.37 — 39.

105. Iwasa Y., Yasada Т., Naito Y., Koda Т. Optical Reflection Spectra of Fullerite SingleCrystals // Activity Report of Synchrotron Rad. Lab. Tokyo. 1992. P.32- 33.

106. Sohmen E., Fink J., Kratchmar W. Electron energy-loss spectroscopy studies on Сбо and C70 fullerite // Z. Phys. В.: Condens. Matter. 1992. V.86. №1. P.87-92.

107. Golden M. S., Knupfer M., Fink J., et al. A. Electronic structure of fullerenes from high energy spectroscopies // Proc. Int. Workshop Fullerenes and Atomic Clusters. St. Petersburg. Russia. 1993. P.78-90.

108. Kataura H., Endo Y., Achiba K., Hanyu Т., Yamaguchi Sh. Dielectric Constants of Сбо and C70 Thin Films // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V.34. №10B. P.L1467 L1484.

109. Hora J., Panek P., Navratil K., Handlirova В., Humlicek J. Optical respons of Сбо thin films and solutions // Phys. Rev. B. 1996. V.54. №7. P.5106 5113.

110. Kelly M.K., Etchegoin P., Fuchs D., Kratschmer W., Fostiropoulos K. Optical transitions of Сбо films in the visible and ultraviolet from spectroscopic ellipsometry // Phys. Rev. B. 1992. V.46. №8. P.4963 -4968.

111. Ren S.L., Wang K.A., Zhon P., Rao A.M. Dielectric Function of solid C7o films // Appl. Phys. Lett. 1992. V.2. № . P.124 126.

112. Ching W.Y., Huang M.-Z., Xu Y.-N., Harter W.G., Chan F.T. First-Principles Calculation of Optical Properties of Сбо in the fee Lattice // Phys. Rev. Lett. 1991. V.67. №15. P.2045 2048.

113. Harigaya K., Abe S. Optical-absorption spectra in fullerenes Сбо and C70: effects of coulomb interactions, lattice fluctuations, and anisotropy // Phys. Rev. B. 1994. V.49. №23. P. 16746-16752.

114. Jiang X., Gan Z. Theory of the excitonic effect in solid C6o U Phys. Rev. B. 1995. V.52. №19. P.14254 -14262.

115. Tsubo Т., Nasu K. Theory For Exciton Effects on Light Absorption Spectra of f.c.c. Type C60 Crystal // Sol. State Comm. 1994. V.91. №11. P.907 911.

116. Alasia F., Broglia R.A., Golo G., Roman H.E. Electromagnetic response of quasispheriodal fullerenes // Chem. Phys. Lett. 1995. V.247. P.502-506.

117. Harigaya K., Abe S. Optical absorption spectra and geometric effects in higher fullerenes //J. Phys.: Condens. Matter. 1996. V.8. P.8057-8066.

118. Ohno K., Yu I., Maruyama Y. Electronic structures of C70 crystalline phases // Chem. Phys. Lett. 1996. V.255. № . p.367-372.

119. Ходорковский M.A., Шахмин A.JL, Леонов Н.Б. Исследование Сбо методом РФЭС // ФТТ. 1994. Т.36. №3. С.626-630.

120. Рубцов В.И., Шульга Ю.М. Функции потерь твердых фуллеренов Сбо> С70 // ЖЭТФ. 1993. Т.103. №6. С.2065-2071.

121. Gordeev Yn.S., Mikoushkin V.M., Shitov V.V. EEL Spectra of C60 // Mol. Mat. 1998. V.ll. №1. P.81-86.

122. Lucas A., Gensterblum G., Pireaux J.J. Elementary Excitations of Сбо by EELS // Phys. Rev. B. 1992. V.45. №23. P.13694-13702.

123. Астрова E.B., Воронков В.Б. Ременюк А.Д. Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результате окисления. Эллипсометрические исследования // ФТП. 1999. Т.ЗЗ. №10. С.1264-1270.

124. Lockwood D.J. Optical properties of porous silicon // Solid State Commun. 1994. V.92. №1-2. P.101-112.

125. Wilcoxon J.P., Samara G.A., Provencio P.N. Optical and electronic properties of Si nanoclusters synthesized in inverse micelles // Phys. Rev. B. 1999. V.60. №4. P.2704-2714.

126. Woogen U. Optical properties of semiconductors quantum dots. // Tracts in Modern Physics. 1997. V.136. Berlin. Springer. 251 p.

127. Kovalev D., Heckler H., Polisski G., Koch F. Optical properties of Si nanocrystals. // Phys. Stat. Sol. (b). 1999. V.215. №2. P.871-930.

128. Koshida N., Koyama H., Suda J. Optical spectra of Porous Silicon by Reflectance spectra. // Appl. Phys. Lett. 1993. V.63. №20. P.2774-2776.

129. Buda F., Kohanoff J., Parrinello M. Optical properties of porous silicon // Phys. Rev. Lett. 1992. V.69. №8. P.1272-1275.

130. Leung M., Whaleg K.B. Electron-hole interactions in silicon nanocrystals // Phys. Rev. B. 1997. V.56. №12. P.7455-7468.

131. Yu M., Ulloa S.E., Drabold D.A. Local-basis quasiparticle calculations and the dielectric response function of Si clusters // Phys. Rev. B. 2000. V.61. №4. P.2626-2631.

132. Philipp H.R. Optical and Bonding Model for a-SiOx. // J. Non-Cryst. Solid. 1972. V.8-10. P.627-632.

133. Pierce D.T., Spicer W.E., Electronic structure of a-Si. // Phys. Rev. B. 1972. V.5. № 6. P.3017-3029.

134. Sotiropoulos J., Fuhs W. Optical properties of a-Si-Ge. // Phys. St. Sol. (b). 1994. V.186. №2. P.427-436.

135. Ferrien F., Kalimaoki A., Bensahel D. Optical properties of Porons Silicon in the 1.5-5 eV range. // Solid State Commun. 1992. V.84. №2. P.293-296.

136. Roessler D.M., Walker W.C., Loh E. Electronic spectrum of cristall BeO // J. Phys. Chem. Sol. 1969. V.30. №1. P.157-167.

137. Freeouf J.L. FUV Reflectance of II-VI Compounds // Phys. Rev. B. 1973. V.7. .№8. P.3810-3830.

138. Александров Ю.М., Колобанов B.H., Махов B.H., Мнхайлнн B.B. Возбуждение люминесценции BeO // Письма в ЖТФ. 1981. Т.7. в.6. С.343-346.

139. Китык И.В., Колобанов В.Н., Михайлин В.В. Электронная структура ВеО // Вестн. МГУ. с.З. 1987. Т.28. №4. С.67-72.

140. Пустоваров В.А., Иванов В.Ю., Кирм М., Кружалов A.B., Цитгерер Г. Регистрация электронных возбуждений в ВеО // ФТТ. 2001. Т.43. .№7. С.1189-1195.

141. Feldbach Е., Laasch W., Varding d., Zimmerer G. Excitons in BeO // Phys. Stat. Sol.(b). 1992. V.170. №2. P.623-630.

142. Grundler R., Breuer K., Tews W. Optical properties of amorphous and polycrystalline BeO // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. V.86.№1. P.329-338.

143. Xu Y.-N., Ching W.Y. Electric properties of some wurzite crystals // Phys. Rev. B. 1993. V.48. .№7. P.4335-4351.

144. Loh E. Optical phonons in BeO // Phys. Rev. 1968.V.166.№3. P.673-678.

145. Васильев A.H., Топорник К.Б., Эварестов P.A. Локальные центры в ВеО // Опт. спектр. 1980. Т.48. №2. С.277-282.

146. Chang K.Y., Froyen S., Cohen M.L. The electronic band structures for z- and w-BeO // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1983. V.16. №14. P.3475-3480.

147. Кулябин Б.Е., Лобач В.А., Кружалов A.B. Зонная структура ВеО // ФТТ. 1990. Т.32. №12. Р.3685-3687.

148. Phillips J.C. Spectroscopic and morphological structure of tetrahedrally oxide glasses // Solid State Physics. 1982. V.37. P.93-171.

149. Wilmers К., Wethkamp Т., Esser N., Cobet C. Ellipsometric studies of BexZni.xSe between 3 and 25 eV // Phys. Rev. В. 1999. V.59. №15. P.l0071-10075.

150. Wilmers К., Wethkamp Т., Esser N. Cobet C. VUV Ellipsometry on BeX // Phys. Stat. Sol. (b). 1999. V.215. №1. P.15-19.

151. Stukel D.J. Energy-band structure of BeS, BeSe, BeTe // Phys. Rev. В. 1970. V.2. №6. P.1852-1858.

152. Sarkar R.L., Chatteijce S. Electronic energy-bands of BeS, BeSe, BeTe // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1977. V.10. №1. P.57-62.

153. Fleszar A., Hanke W. Electronic excitations in BeX // Phys. Rev. В. 2000. V.62. №4. P.2466-2474.

154. Grein C.H., Radtke R.J., Ehrenreich H. Electronic structure of Zni.xBexSe // Sol. St. Commun. 2002. V.123. №2. P.209-212.

155. Nagelstraser M., Droge H., Steinruck H.-P., Fischer F.E. Band structure of BeTe // Phys. Rev. В. 1998. V.58. №16. P.10394-10400.

156. Roessler D.M., Walker W.C. Electronic spectrum and UV optical properties of MgO // Phys. Rev. 1967. V.159. №3. P.733-738.

157. Whited R.C., Walker W.C. Exciton spectra of CaO, MgO // Phys. Rev. Lett. 1969. V.22. №26. P.1428-1430.

158. Williams M.W., Azakawa E.T. Optical properties of MgO // J. Appl. Phys.1967. V.18. №14. P.5272-5276.

159. Mikhailin V., Koch E., Skibowski M. The optical properties of II-VI Compouns //Proc. IV Intern. Conf. VUV Radiation Physies (Hamburg, 1974). Hamburg: Pergamon Vieweg, 1974. P.401-404.

160. Кожевников A.B., Колобанов В.Н.,Михайлин B.B., Тимченко H.A., Шевцов A.A. Исследование фотоэмиссии MgO // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. №11. С.677-680.

161. Mikhailin V.V. Excitation of secondary processes in the VUV range // Nuclear Inst. Methods in Phys. Res. 1987. V.261A. №1. P107-114.

162. Zimmerer G., Böhmer W., Kuusman I. Optical properties of MgO // J. Luminescence. 1981. V.30.№2. P.249-253.

163. Venghaus H. Energieverlustmessungen und Bestimmung Optischer Konstanten von MgO // Opt. Comm. 1971. V.2. №9. P.447-451.

164. Bortz M.L., French R.H., Jones DJ., Kasowski R.V. Temperature dependence of the electronic structure of oxides // Phys. Scripta. 1990. V.41. №3. P.537-541.

165. Pandey R., Zuo J., Kunz A.B. Excitonic states in MgO // Phys. Rev. B. 1989. V.39. №17. P.12565-12568.

166. Sousa С., Illas F., Ricart J.M., Bagus P.S. The existence of excitons in MgO // Chem. Phys. Lett. 1995. V.239. №2. P.236-266.

167. Лобач В.А. Спин-орбитальное расщепление экситонного дублета в MgO // ФТТ. 1991. Т.ЗЗ. №9. С.2632-2639.

168. Cohen M.L., Lin P.J., Roessler D.M., Walker W.C. UV optical properties of MgO // Phys. Rev. 1967. V.155. №3. P.992-996.

169. Fong C.Y., Saslow W., Cohen M.L. Pseudopotential calculation of the optical constants of MgO // Phys. Rev. 1968. V.168. №3. P.993-999.

170. Daude N., Jouanin C., Gout C. Electronic band structure of MgO, CaO // Phys. Rev. B. 1977. V.15. №4. P .2399-2405.

171. Walch P.F., Ellis D.E. One electron interpretation of optical asorption in MgO // Phys. Rev. B. 1973. V.8. №12. P.5920-5933.

172. Pantelides S.T., Mikish D.J., Kunz A.B. Electronic structure and properties of MgO // Phys. Rev. B. 1974. V.10. №12. P.5203-5212.

173. Pandey R., Jaffe J.E., Kunz A.B. Band structure for alkaline earth oxides and sulfides // Phys. Rev. B. 1991. V.43. №11. P.9228-9237.

174. Taurian O.E., Springborg M., Christensen N.E. Seit consistent electronic structures of MgO, SrO // Solid State Commun. 1985. V.55. №4. P.351-355.

175. Lobatch V.A., Kulyabin B.E., Zhukov V.P., Medvedeva N.I. The electronic structure of the alkaline earth oxides // Phys. Stat. Sol. (b). 1990. V.158. №1. P.239-248.

176. Mehl M.J., Cohen R.E., Krakauer H. Linearized augmented plane wave electronic structure calculations for MgO, CaO // J. Geophysical Research. 1988. V.93. №137. P.8009-8022.

177. Stepanyuk V.S., Szasz A., Grigorenko B.L., Farberovich O.V., Katsnelson A.A. Electronic structure and optical properties of MgO // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.155. №1. P.179-184.

178. Stepanyuk V.S., Szasz A., Grigorenko A.A., Katsnelson A.A., Farberovich O.V., Mikhailin V.V., Hendy A. Electronic structure and optical characterictics of alkaline -earth oxides // Phys. Stat. Sol. (b). 1992. V.173. №2. P.633-645.

179. Xu Y.N., Ching W.Y. Band structures and optical absorption spectra in MgO, AI2O3, MgAl204 // Phys. Rev. B. 1991. V.43. №5. P.4461-4472.

180. French R.H., Kasowski R.V., Ohuchi F.S., Jones D.J., Song H., Coble R.L. Band structure of MgO// J. Amer. Ceramic Soc. 1990. V.73.№11. P.3195-3199.

181. Cappellini G., Bouatte Russo S., Amadon B. Structural properties and quasi particle energies of cubic SrO, MgO // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V.12. №18. P.3671-3688.

182. Журавлев Ю.Н., Басалаев Ю.М., Поплавной A.C. Электронная плотность кристаллов с решеткой NaCl // Ж. Структурной химии. 2001. Т.42. №2. С.210-216.

183. Kowalczyk S.P., McFeely F.R., Ley L., Gritsyna V.T., Shirley D.A. The electronic structure of SrTi03, MgO, SrO // Sol. St. Commun. 1977. V.23. №3. P.161-169.

184. Kaneko Y., Koda T. New Developments in Ila-VIb // J. Crystal Growth. 1988. V.86.1. P.72-78.

185. Kaneko Y., Morimoto K.,Koda T. Optical Properties of Ila-VIb // J. Phys. Sol. Japan. 1983. V.52. №.12. P.4385 4396.

186. Lushchik Ch., Feldbach E., Frouip A., Kirm M. Multiplications of Electronic excitations in CaO // J. Phys.: Condens. Matter. 1994. V.6. №.40. P.l 1177 11187.

187. Kearney R.J., Cottini M., Grilli E., Baldini G. Exciton structures in SrO, BaO // Phys. Stat. Sol. (b). 1974. V.64. №.1. P.49 56.

188. Neely V.J., Kemp J.C. Optical spectra of CaO // J. Phys. Chem. Sol. 1963. V.24. №.11. P.1301 -1304.

189. Summers G.P. Optical Absorption of SrO // Phys. Rev. B. 1979. V.20. №.12. P.5275 -5279.

190. Zollweg R.J. Optical Absorption of MX (M Sr, Ba; X - O, S, Se, Те) // Phys. Rev. 1958. V.lll. №.1. P.l 13 - 119.

191. Saum G.A., Hensleg E.B. Fundamental Optical Absorptions in Ila-VIb Compounds // Phys. Rev. 1959. V.113. №.4. P.1019- 1022.

192. Левшин В.А., Михайлин B.B., Саулевич Л.К. Фундаментальное поглощение На-Vlb // Изв. АН СССР. С. Физ. 1969. V.69. Т.ЗЗ. №.6. С.974 976.

193. Protheroe A.R., Steinbrann A., Gallon Т.Е. The EEL Spectra of CaO, SrO, BaO // Surf. Sci. 1983. V.126. №.3. P.534-542.

194. Fiermans L., Hoogewijs R., Mejer G., Vennik J. On X Ray PES of Alkaline - Earth Oxides // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. V.59. №.2. P.569 - 574.

195. Springbord M., Taurian O.E. Electronic Structures of CaO, BaO // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1986. V.19. №.26. P.6347-6355.

196. Степанова E.B., Степанюк B.C., Рогалева M.H., Фарберович O.B., ГригоренкоA.A., Михайлин B.B. Электронная структура СаО // ФТТ. 1988. Т.30. №.8. С.2303 -2306.

197. Степанюк B.C., Григоренко A.A., Фарберович О.В., Кацнельсон A.A. Электронная структура SrO // ФТТ. 1989. Т.31. №.11. С.299 301.

198. Lobatch V.A., Rubin J.R., Sobolev A.B. The Electronic Structure of CaO, SrO // Phys. Stat Sol. (b). 1990. V.161. №.I. P.271 -280.

199. Posternak M., Baldereschi A., Krakauer H., Resta R. The Dinamical Effective charge in CaO, SrO, BaO. // Phys. Rev. В. 1997. V.55. №.24. P.R15983 15986.

200. Konigstein M., Sokol A.A., Catlow C.R. Electronic Structure of BaO, SrO, CaO // Phys. Rev. В. 1999. V.60. №.7. P.4594-4604.

201. Hasegawa A., Yanase A. Electronic Structure of SrO, SrS, SrSe, SrTe // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1980. V.13. №.10. P. 1995 1999.

202. Veithen M., Gonze X., Ghosez Ph. Electron Localization in BaO // Phys. Rev. В. 2002. V.66. №.23. P.235113-7 235113-10.

203. Stepanyuk V.S., Szasz A., Farberovich O.V., Mikhailin V.V. Electronic Band Structure of CaS, SrS, BaS H Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.155. №.1. P.215 -220.

204. Pandey R., Lepak Ph., Jaffe J.E. Electronic Structure of CaSe, SrSe, MgSe // Phys. Rev.B. 1992. V.46. №.8. P.4971 -4977.

205. Абрамов B.H., Ермошкин А.Н., Кузнецов А.И. Оптические свойства Y2O3 и SC2O3 //ФТТ. 1983. Т.25. №6. С.1703-1711.

206. Frandon J., Broussean В., Pradal F. Electronic excitations in Se, Y, Zr, Hf and SC2O3, Y2O3 and Hf02, Zr02 5-20 eV e 1 // Phys. Stat. Sol. (b). 1980. V98. №2. P.379-385.

207. Tomiki T., Shikenbaru T., Gahana Y. Optical spectra of Y2O3 II // J. Phys. Sol. Japan. 1992. V.61. №8. P.2951-2963.

208. Лущик Ч., Лущик А., Кэрнер Т., Кирм M., Долгов С. Релаксация и распад электронных возбуждений в MgO, AI2O3, Y203, SC2O3 // Изв. вуз. физика. 2000. №3. С.7-16.

209. Ching W.Y., Xu Y.-N. Electronic and optical properties of Yttria // Phys. Rev. Lett. 1990. V.65. №7. P.895-898.

210. Xu Y.-N., Gu Z., Ching W.Y. Electronic and optical properties of Y203 // Phys. Rev. B. 1997. V.56. №23. P. 14993-15000.

211. Cardona M., Harbeke G. Optical properties of wurtzite-type crystals and rutile // Phys. Rev. 1965. V.137. №5A. P.1467-1476.

212. Ohsaka T., Ishi K., Kanai T., Tsutaya T. Optical properties of rutile // ISSP Activity Report. 1992. P.16-17.

213. Ueda K., Waseda R., Mizuguchi M., Mizoguchi H., Kawazoe H. Reflection spectra of Ti02 // Report UVSOR. 1996. P.214-215.

214. Hosaka N., Sekiya T., Fujisawa M., Satoko Ch., Kurita S. UV reflection sprectra of anatase ТЮ2 // J. Electron Spect. Rel. Phenomena. 1996. V.78. №1. P.75-78.

215. Hosaka N., Sekiya T., Satoko Ch., Kurita S. Optical properties of anatase Ti02 // J. Phys. Sol. Japan. 1997. V.66. №3. P.877-880.

216. Daude N., Gout С., Jouanin С. Band structure of Ti02 // Phys. Rev. В. 1977. V.15. №6. P.3229-3235.

217. Khan M.A., Kotani A., Parlebas J.C. Electronic structure of Ti02 // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. V.3. №12. P.1763-1772.

218. Poumellec В., Durham P.J., Guo G.Y. Electronic structure of Ti02 // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. V.3. №42. P.8195-8204.

219. Glassford K.M., Chelikowsky J.R. Electronic properties of ТЮ2 // Phys. Rev. В. 1992. V.46. №3. P.1284-1298.

220. Hardman P.J., Raikar G.N., Muryn C.A. Valence band structure of Ti02 // Phys. Rev. В. 1994. V.49.№11.P.7170-7177.

221. Hamann D.R. Electronic structure of 3d-bands in Ti02 // Phys. Rev. В. 1997. V.56. №23. P. 14979-14984.

222. Umebayashi T., Yamaki T., Itoh H., Asai К. Electronic structure of Ti02 // J. Phys. Chem. Sol. 2002. V.63. №10. P.1909-1920.

223. Asahi R., Taga Y., Mannstadt W., Freeman A.J. Electronic and optical properties of Ti02 // Phys. Rev. B. 2000. V.61. №11. P.7459-7465.

224. French R.H., Glass S.J., Dhuchi F.S., Xu Y.-N., Ching W.Y. Electronic structure and optical properties of three phases of Zr02 // Phys. Rev. B. 1994. V.49. №8. P.5133-5142.

225. Zandiehnadem F., Murray R.A. Electronic structures of three phases of Zr02 // Physica B. 1988.V.150.№1. P.19-24.

226. Orlando R., Pisani C., Roetti C., Stefanovich E. H-F stady of tetragonal and cubic Zr02 // Phys. Rev. B. 1992. V.45. №2. P.592-601.

227. Наумов И.И., Великохатный О.И., Ольховик Г.А., Апаров H.H. Теория потерь электронов Zr02 // ФТТ. 1992. Т.34. №4. С. 1015-1021.

228. Блувштейн И.М., Нижникова Г.П., Фарберович О.В. Электронная структура Zr02 // ФТТ. 1990. Т.32. №3. С.929-931.

229. Кулькова С.Е., Мурыжникова О.Н. Электронная структура и оптические свойства Zr02 // Неорган. Материалы. 2000. Т.36. №1. С.45-50.

230. Вайданич В.И., Довга Н.Д., Мороз Е.Г. Диаграммы Арганда и разложение фундаментального спектра фианита на элементарные части // ДАН УССР. С.А. 1983. №8. С.45-48.

231. Weber W.H., Remillard J.T., McBride J.R. Optical Dielectric Response of PdO. // Phys. Rev. B. 1992. V.46. №23. P. 15085-15091.

232. Nilsson P.O., Shivaraman M.S. Optical Properties of PdO. // J. Phys. C.:Solid State Phys. 1979. V.12. №6. P.1423-1427.

233. Ahuja R., Auluck S., Johansson В., Khan M.A. Optical properties of PdO, PtO. // Phys. Rev. B. 1994. V.50. №4. P.2128-2132.

234. Hass K.C., Carlsson A.E. Band Structure of PdO, PtO. // Phys. Rev.B. 1992. V.46. №7. P.4246-4249.

235. Park K.-T., Novikov D.L., Gubanov V.A., Freeman A.J. Electronic Structure of PdO, PtO, AgO. // Phys. Rev.B. 1994. V.49. №7. P.4425-4431.

236. Asahi R., Wang A., Babcock J.R., Marks T.J. Calculations of Optical Transperency in JnO-CdO. //Thin Solid Films. 2002. V.411. №1. P.101-105.

237. Pillo Th., Zimmermann R., Steiner P., Hufner S. The Electronic Structure of PdO. // J.Phys.:Condens. Matter. 1997. V.9. №19. P.3987-3999.

238. Holl Y., Krill G., Amamou A., Legare P. Electronic Structure of PdO. // Solid State Commun. 1979. V.32.№12.P.l 189-1192.

239. Мелешкин Б.Н., Михайлин B.B., Орановский B.E., Ореханов П.А. Использование синхротронного излучения для исследования люминесценции кристаллов // Труды ФИАН СССР. 1975. Т.80. С.140-173.

240. Абрамов В.Н., Корин М.Г., Кузнецов А.И., Сидорин К.К. Спектры отражения корунда//ФТТ. 1979. Т.21.№1. С.80-86.

241. Tomiki Т., Ganaha Y., Shikenbaru Т., Futemma Т. Anisotropie Optical Spectra of А120з Л.//J. Phys. Soc. Japan. 1993. V.62.№2. P.573-584.

242. Tomiki Т., Ganaha Y., Shikenbaru Т., Futemma T. Anisotropic Optical Spectra of AI2O3 .11.//J. Phys. Soc. Japan. 1993. V.62.№4. P.1372-1387.

243. French R.H., Yones D.J., Loughin S. Electronic Structure of Alumina // J. Amer. Ceram. Soc. 1994. V.77.№>2. P.412-422.

244. Арутюнян B.B., Бабаян A.K., Говоркян B.K. Спектры отражения AI2O3 // ФТТ. 1995. Т.37.№2. С.443-447.

245. Batra J. Electronic Structure of A1203 . J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1982. V.15.№26. P.5399-5410.

246. Salasco L., Dovesi R., Orlando R., Causa M.,Saunders V.R. Structure of AI2O3 // Molecular Physics. 1991. V.72.№>2. P. 267-277.

247. Mo Sh., Ching W.Y. Electronic and Optical Properties of A1203// Phys. Rev. B. 1998. V.57.№24. P.15219-15228.

248. Holm В., Ahuja R., Yourdshahyan Y., Yohansson В., Lundgrist B.J. Optical Properties of AI2O3// Phys. Rev. B. 1999. V.59.№20. P. 12777-12787.

249. Harman A.K., Ninomiaya S., Adachi S. Optical Constants of А1г03 // J. Appl. Phys. 1994. V.76.№12. P.1721-1726.

250. Mullejans H., Bruley J., French R.H., Morris P.A. Electronic Structure of AI2O3 using EEL Spectra// Mat. Res. Soc. Sync. Proc. 1994. V.332. P.169-176.

251. Ditchfild R.W. Plasmon Energy in Alumina // Sol. St. Commun. 1976. V.19.№5. P.443-444.

252. Tews W., Grundler R. EEL Spectroscopy of A1203 .1. // Phys.Stat. Sol. (b). 1982. V.109.№1. P.255-264.

253. Agasiev A.A., Bagiev V.E., Mamedov A.M., Guseinov Ya. Yu. VUV Reflection Spectra of Bi203//Phys. Stat. Sol. (b). 1988. V.149. N.9. P.K191-K195.

254. Жуков В.П., Жуковский B.M., Зайнумина B.M., Медведева Н.И. Электронная структура оксида висмута//Ж. Структ. химии. 1999. Т.40.№6. С. 1029-1036.

255. Wood С., Pelt В., Dwight A. The Optical Properties of Amorphous and Cristalline Sb203// Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V.54.№2. P701-706.

256. Brahms S., Dahl J.P., Nikitine S. Sur la structure de bande et le spectre d'absorption de Cu20 // J. de Physique (Paris). 1967. V.28. №5-6. P.C-3-32-C-3-35.

257. Ito Т., Kawashima Т., Yamaguchi H., Masumi Т., Adachi S. Optical properties of Cu20 //J. Phys. Soc. Japan. 1998. V.67. №6. P.2125-2131.

258. Ching W.Y., Xu Y.-N., Wong K.W. Optical properties of Cu20 and CuO crystals // Phys. Rev. B40. V.40. №11. P. 7684-7695.

259. Бакулин E.A., Бредов M.M., Остроумова Е.Г., Щербинина В.В. Спектры потерь энергии электронов в меди и некоторых ее соединениях // ФТТ. 1977. Т.19. №5. С.1307-1312.

260. Номерованная Л.В., Махнев А.А., Кириллова М.М., Самохвалов А.А., Чеботарев Н.М. Оптическое поглощение в монокристалле CuO // Сверхпроводимость. 1990. Т.З. №2. С.169-172.

261. Itoh М., Hayakawa К., Oishi S. Optical properties of M0O3 // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. V.13. №35. P.6853-6864.

262. Philipp H.R. Optical transitions in c- and a-Si02 // Sol St. Commun. 1966. V.4. №1. P.73-75.

263. Rossinelli M., Bosch M.A. Reflectance of c- and a-Si02 at low temperature // Phys. Rev. B. 1982. V.25. №10. P.6482-6484.

264. Bosio C., Czaja W., Mertins H.C. VUV Reflectivity of c- and a-Si02 // Europhys. Lett. 1992. V.18. №4. P.319-324.

265. Buechner U. The dielectric function of mica and quartz // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1975. V.8. №12. P.2781-2787.

266. Garvie L.A., Rez P., Alvarez J.R., Buseck P.R. Interband transitions of c- and a-Si02 // Sol. St. Commun. 1998. V.106. №5. P.303-307.

267. Ashley J.C., Anderson V.E. Interaction of LEE with Si02 // J. Electron Spectros. Rel. Phen. 1981. V.24. №2. P. 127-148.

268. Ефимов A.M., Макарова Е.Г. Дисперсионный анализ R(E) a-Si02 в ВУФ // Опт. спектроск. 1989. Т.67. №3. С.659-665.

269. Pantelides S.T., Harrison W.A. Electronic structure spectra of c- and a-Si02 and Ge02 // Phys. Rev. B. 1976. V.13. №6. P.2667-2691.

270. Chelikowsky J.R., Schluter M. Electron states in quartz // Phys. Rev. B. 1977. V.15. №8. P.4020-4029.

271. Calabrese E., Fowler W.B. Energy-band structure of quartz // Phys. Rev. B. 1978. V.18. №6. P.2888-2896.

272. Laughlin R.B., Joannopoulos J.D., Chadi D.J. Bulk electronic structure of Si02 // Phys. Rev. B. 1979. V.20. №12. P.5228-5237.

273. Gupta R.P. Electronic structure of c- and a-Si02 // Phys. Rev B. 1975. V.32. №12. P.8278-8292.

274. Xu Y., Ching W.Y. Electronic and optical properties of Si02 // Phys. Rev. B. 1991. V.44. №20. P.l 1048-11059.

275. Di Pomponio A., Continenza A., Lozzi L. Electronic properties of c- and a-Si02 // Sol. St. Commun. 1995. V.95. №5. P.313-317.

276. Pantelides S.T. The optical absorption spectrum of Si02 // The physics of Si02. Proc. Int. Topical Conf. Yorktown. Heights. N.J. 1978. Pergamon Press. P.80-84.

277. Laughlin R.B. Optical absorption on edge of Si02 // Phys. Rev. B. 1980. V.22. №6. P.3021-3029.

278. Chang E.K., Rohlfing M., Lonie S.G. Excitons and optical properties of c-quartz // Phys. Rev. Lett. 2000. V.85. №12. P.2613-2616.

279. Klein G., Chun H.-U. Optical interband transitions in c-Si02 // Phys. Stat. Sol.(b). 1972. V.49. №1. P. 167-172.

280. Bosio C., Czaja W. Urbach tails in the absorption spectra of a- and c-Si02 // Philos. Magazine B. 1991. V.63. №1. P.7-14.

281. Trukhin A.N. Excitons in Si02 // J. Non-Cryst. Sol. 1992. V.149. №1. P.32-45.

282. Мансуров Г.М., Мамедов P.K., Сударушкин A.C., Сидорин В.К. Исследование кварцевого стекла методами спектроскопии // Опт. спектроск. 1982. Т.52. №5. С.852-857.

283. Meixner А.Е., Platzman P.M., Schluter M. Inelastic electron scattering in Si02 // The physics of Si02. Proc. Int. Topical Conf. N.J. Pergamon Press. 1978. P.85-88.

284. Olivier J., Faulconnier P., Poirier R. Electronic structure of Si02 from EELS // The physics of Si02. Proc. Int. Topical Conf. N.J. Pergamon Press. 1978. P.89-93.

285. Weinberg Z.A., Rubloff G.W., Bassous E. Experimental band gap of a-Si02 films // Phys. Rev. B. 1979. V.19. №6. P.3107-3117.

286. Ravindra N.M., Narayan J. Optical properies of a-Si, a-Si02 // J. Appl. Phys. 1986. V.60.№3. P.l 139-1146.

287. Philipp H.R. Optical properties of a-Si, SiO, SiOx, Si02 // J. Phys. Chem. Sol. 1971. V.32. №6. P. 1935-1945.

288. Bell F.G., Ley L. PE Study of SiOx // Phys. Rev. B. 1988. V.37. №14. P.8383-8393.

289. Bennett A. J., Roth L.M. Optical properties of a-SiOx I I Phys. Rev. B. V.4. №8. P.2686-2696.

290. Zuther G. Dielectric and optical properties of SiOx // Phys. Stat. Sol.(a). 1980. V.59. №2. P.K109-K113.

291. Ching W.Y. Theory of a-Si02 and a-SiOx // Phys. Rev. B. 1982. V.26. №12. P.6633-6642.

292. Pajasova L. Optical properties of Ge02 // Czech. J. Phys. B. 1969. V.19. №7. P.1265-1270.

293. Pajasova L., Chvostova D., Jastrabik L., Polach J. Optical properties of Ge02 films // J. Non-cryst. Sol. 1995. V.182. №2. P.286-292.

294. Trukhin A.N. Spectroscopy of excitons in glass-forming crystals // Proc. 3 Intern. Conf. Excitonic processes in condenced matter. Proc. Electrochem. Soc. 1998. V.98-25. P.365-374.

295. Arlinghaus F.J., Albers W.A. Energy bands and optical transitions in t-Ge02 // J. Phys. Chem. Sol. 1971.V.32. №9. P.1455-1462.

296. Jacquemin J.L., Bordure G. Band structure of Ge02, Sn02 // J. Phys. Chem. Sol. 1975. V.36. №6. P.1081-1087.

297. Robertson J. Electronic structure of Ge02, Sn02, Pb02 // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1979. V.12. №22. P.4767-4776.

298. Svane A., Antoncik E. Electronic structure of rutile Ge02, Sn02, Te02 // J. Phys. Chem. Sol. 1987. V.48. №2. P.171-180.

299. Stapelbrock M., Evans B.D. Exciton structure of t-Ge02 // Sol. St. Commun. 1978. V.25. №11. P.959-962.

300. Philips J.C. Spectoscopic and morphological structure of tetrahedral oxide glasses // Sol. St. Phys. 1982. V.37. P.93-271.

301. Weber H.-J. Optical properties of tetragonal Ge02 // Mat. Res. Bull. 1982. V.17. №10. P.1313-1318.

302. Pantelides S.T., Fischer B., Pollak R.A., Di Stefano T.H. The electronic structure of Si02-Ge02 // Sol. St. Commun. 1977. V.21. №11. P. 1003-1006.

303. Fischer B., Pollak R.A., Di Stefano T.H., Grobman W.D. Electronic structure of Si02-Ge02 from PE spectroscopy // Phys. Rev. B. 1977. V.15. №6. P.3193-3199.

304. Yubero F., Jimenez V.M., Gonzalez-Elipe A.R. Optical Properties of Sn02 by EELS. // Surf. Sei. 1998. V.1998. №1. P.l 16-126.

305. Jacquemin J.L., Raisin C., Robin-Kandare S. Spectre du pouvoir reflecteur du Sn02. // J. Phys.C:Solid State Phys. 1976. V.9. №4. P.593-598.

306. Kim K.H., Park K.C., Ma D.J. Optical Properties of Sn02.11 J. Appl. Phys. 1997. V.81. №12. P.7764-7777.

307. Arlinghaus F.J. Energy bands in Sn02. // J.Phys. Chem. Sol. 1974. V.35. №4. P.931-935.

308. Robertson J. Electronic Structure of Sn02, Ge02. // J.Phys. C:Solid State Phys. 1979. V12. №. P.4767-4776.

309. Godin T.J., Latemina J.P. Electronic Structure of Sn02. // Phys. Rev. В 1993. V.47. №11. P.6518-6523.

310. Mi J., Odaka H., Jwata Sh. Electronic Structure of ZnO, Sn02. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V.38. №6A. P.3453-3458.

311. Maki-Jaskari M.A., Rantala T.T. Band Structure of Sn02. // Phys. Rev. B. 2001.V.64. №7. P.075407-1-7.

312. Physics and Chemistry of II-VI Compounds, eds. M. Aven and J.S. Prener (North-Holland, Amsterdam, 1967) 805 P.

313. Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Оксид цинка. М.: Наука, 1984. 166 С.

314. Hopfield J.J. Fine structure in the optical absorption edge of anisotropic crystals // J. Phys. Chem. Solids. 1960. V.15. №1. P.97-107.

315. Thomas D.G. The exciton spectrum of ZnO // J. Phys. Chem. Solids. 1960. V.15. №1. P.86-96.

316. Park Y.S., Litton C.W., Collins T.C., Reynolds D.S. Exciton spectrum of ZnO // Phys. Rev. 1966. V.143. №2. P.512-519.

317. Lagois J., Hummer K. Experimental and theoretical effects of surface layers and spatial dispersion on the free exciton reflectance of ZnO // Phys. Stat. Sol. B.1975. V.72. №2. P.393-402.

318. Liang W.Y., Yoffe A.D. Transmission spectra of ZnO // Phys. Rev. Lett. 1968. V.20. №2. P.59-62.

319. Reynolds D.C., Look D.C., Jogai В., Litton C.W., Gantwell G., Harsch W. Valence-band ordering in ZnO // Phys. Rev. B. 1999. V.60. №4. P.2340-2344.

320. Wrzesinski J., Frohlich D. Two-photon and three-photon spectroscopy of ZnO under uniaxial stress // Phys. Rev. B. 1997. V.56. №20. P.13087-13093.

321. Соболев B.B., Донецких В.И., Загайнов Е.Ф. Прямая и прецизионная регистрация экситонов А2В6 и А3В5 // ФТТ. 1978. Т.12. №6. С.1089-1098.

322. Klucker R., Nelkowski Н., Park Y.S., Skibowski М., Wagner T.S. Optical anisitropy of ZnO in The UV region // Phys. Stat. Sol. B. 1971. V.45. №1. P.265-272.

323. Butkhuzi T.V., Chelidze T.G., Georgobiani A.N. and Tsekvava B.E. Exciton photoluminescence of hexagonal ZnO // Phys. Rev. B. 1998. V.58. №16. P.10692-10695.

324. Yoshikawa H., Adachi S. Optical constants of ZnO // Japan J. Appl. Phys. 1997. V.36. №10. P.6237-6243.

325. Jellison G.E., Boatner L.A. Optical functions of uniaxial ZnO determined ellipsometry // Phys. Rev. B. 1998. V.58. №7. P.3586-3589.

326. Postava K., Sueki H., Aoyama M., Yamaguchi T. Spectroscopic ellipsometry of ZnO // J. Appl. Phys. 2000. V.87. №11. P.7820-7824.

327. Gil B. Oscillator strengths of A, B, and С excitons in ZnO films // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P.201310-1-201310-3.

328. Vogel D., Kruger P., Pollmann J. Self-interactions and relaxation corrected pseudopotentials for II-VI semiconductors // Phys. Rev. B. 1996. V.54. №8. P.5495-5510.

329. Schroer P., Kruger P., Pollmann J. First principles calculation of the electronic structure of the wurzite semiconductors ZnO and ZnS // Phys. Rev. B. 1993. V.47. №12. P.6971-6980.

330. Леонтьев C.A., Кощеев C.B., Девятов В.Г. Зоны ZnO по РФЭС и УФЭС СИ // Журн. структ. химии. 1997. Т.38. №5. С.868-886.

331. Shindo К., Morita A., Kamamura Н. Spin-orbit coupling in ionic crystals // J. Phys. Soc. Japan. 1965. V.20. №11. P.2054-2059.

332. Lambrecht W.R.L., Rodina A.V., Limpijumnon S., Segall В., Mayer B.K. Valence-band ordering in ZnO // Phys. Rev. B. 2002. V.65. №7. P.075207-1-12.

333. Hengehold R.L., Almassy R.J., Pedrotti F.L. EEL and VUV Reflectivity Spectra of ZnO // Phys. Rev. B. 1970. V.l. №12. P.4784-479I.

334. Froitzheim H., Ibach H. Interband transitions in ZnO by EELS // Z. Physik. 1974. V.269. №1. P. 17-22.

335. Dorn R., Luth H., Büchel M. Electronic transitions in ZnO // Phys. Rev. B. 1997. V.16. №10. P.4675-4683.

336. Roessler U. Energy bands of II-VI // Phys. Rev. 1969. V.179. №3. P.733-738.

337. Bloom S., Orenburger J. Pseudopotential band structure of ZnO // Phys. Stat. Sol. (b). 1973. V.58. №2. P.561-566.

338. Chelikowsky J.R., Electronic structure of ZnO // Sol. St. Commun. 1977. V.22. №6. P.351-354.

339. Jaffe, Pandey R., Kunz A.B. H-F electronic structure of ZnO, ZnS //J. Phys. Chem. Sol. 1991. V.52. №6. P.775-760.

340. Kobayashi A., Sankey O.F., Volz S.M., Dow J.D. TB band structures of w-ZnO, ZnS, CdS, CdSe // Phys. Rev. В. 1983. V.28. №2. P.935-945.

341. Huang M.-Z., Ching W.Y. LCAO band structures // J. Phys. Chem. Sol. 1985. V.46. №8. P.977-995.

342. Yang C.-K., Dy K.S. Band structure of ZnO // Sol. St. Commun. 1993. V.88. №6. P.491-494.

343. Xu Y.-N., Ching W.Y. LCAO band structures // Phys. Rev. B. 1993. V.48. №7. P.4335-4351.

344. Mi Y., Odaka H., Iwata Sh. Optical properties of ZnO // Jpn. J. Apll. Phys. 1999. V.38. №6. P.3453-3458.

345. Ozhikiri M., Aryasetiavan F. Quasiparticle energy calculations of ZnO, ZnS, ZnSe // J. Phys. Soc. Japan. 2000. V.69. .№7. P.2113-2120.

346. Ni H.-Q., Lu Y.-F., Ren Z.-M. Pseudopotential band structure ZnO // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V.40. №6. P.4103-4108.

347. Usuda M., Kamada N., Kotani T., Schilfgaarde M. GM LAPW bands of w-ZnO // Phys. Rev. B. 2002. V.66. №12. P.125101-1-8.

348. Oshikiri M., Aryasebiavan F., Imanaca Y., Kido G. Quasiparticle theory of ZnO // Phys. Rev. B. 2002. V.66. №12. P. 125204-1-4.

349. Vesely C.J., Hendehold R.L., Langer D.W. UV РЕ spectra of II-VI // Phys. Rev. B. 1972. V.5. №6. P.2296-2301.

350. Powell R.A., Spicer W.E., McMenamin J.C. PE studies of w-ZnO // Phys. Rev. B. 1972. V.6. №8. ?3056-3065.

351. Ley L., Pollak R.A., McFeely F.R., Kowalczyk S.P., Shirley D.A. X-ray PES of II-VI, III-V // Phys. Rev. B. 1974. V.9. №2. P.600-621.

352. Гросс Е.Ф., Суслина Jl.Г., Комаровских К.Ф. Спектры поглощения ZnS // Опт. спектроск. 1960. Т.8. №4. С.516-520.

353. Miklosz J.C., Wheeler R.G. Excitons in ZnS // Phys. Rev. 1967. V.153. №3. P.913-921.

354. Briman J.L., Samelson H., Lempicki A. Reflection of ZnS and CdS // GT and E Research and Development J. 1961. V.l. №1. P.2-15.

355. Ryskin A.I., Suslina L.G., Khilko G.I., Shadrin E.B. Excitons in ZnS // Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V.49. №2. P.875-884.

356. Морозова H.K., Кузнецов B.A. Сульфид цинка. M.: Наука., 1987. 200 С.

357. Matatugui E., Thompson A.G., Cardona M. ER and TR spectra of semiconductors // Phys. Rev. 1968. V.176. №3. P.950-962.

358. Георгобиани A.H., Озеров Ю.В., Фридрих X. Форма экситонных полос А2В6 // ФТТ. 1973. Т.15. №10. С.2986-2991.

359. Cardona М., Harbene G. Optical properties of w-ZnS, CdS, CdSe, Ti02 // Phys. Rev. 1965. V.137 A. №5. P.1467-1476.

360. Bergstresser Т.К., Cohen M.L. Electronic structure and optical properties of w-CdSe,CdS, ZnS. // Phys. Rev. 1967. V.164. №3. P.1069-1080.

361. Hengehold R.L., Pedrotti F.L. Electron Energy-Loss Spectra of ZnS, ZnSe, ZnTe. // Phys. Rev. B. 1972. V.6. №8. P.3026-3031.

362. Schroer P., Kruger P., Pollman J. Electronic Structure of w-ZnO, ZnS // Phys.Rev. B. 1996. V.54. №10. P.5495-5510.

363. Zakharov O., Rubio A., Blase X., Cohen M.L., Louie S.G. Quasi particle band structures of six II-VI compounds: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe. // Phys.Rev. B. 1994. V.50. №15. P.10780-10787.

364. Мелешкин Б.Н., Михайлин B.B., Орановский B.E. и др. Использование синхротронного излучения для исследования люминесценции кристаллов // Труды ФИАН СССР. 1975. Т.80. С.140-173.

365. Flach Е., Gumlich Н.-Е., Jung Ch., Krause М. Reflectance Spectroscopy on ZnS-MnS // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.155. №1. P.317-327.

366. Wang C.S., Klein B.M. Electronic structure of Si, Ge, GaP, GaAs, ZnS, ZnSe // Phys.Rev. B. 1981. V.24. №6. P.3417-3429.

367. Huang M.-Zhu., Ching W.Y. Calcalation of optical excitations in cubic semiconductors. I. // Phys. Rev. B. 1993. V.47. №15. P.9449-9463.

368. Ozaki Sh., Adachi S. Optical constants of ZnS-ZnSe ternary alloys.// J. Appl.Phys. Rev. 1994. V.75. №11. P.7470-7475.

369. Eckelt P. Energy band structures of cubic ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe. // Phys. Stat. Sol. 1967. V.23. №1. P.307-312.

370. Stukel D.J., Enwema R.N., Collins T.C. SCOPW and EOPW energy bands for cubic ZnS, ZnSe, CdS, CdSe. // Phys. Rev. 1969. V.179. №3. P.740-751

371. Курганский С.И., Фарберович O.B., Домашевская Э.П. Зоны А2В6. II. // ФТП.1980. Т.14. №7. С.1412-1415.

372. Svane A., Antoncik Е. Theoretical investigation of cubic ZnX. // Phys. Rev. B.1986.V.33. №11. P.7462-7473.

373. Bernard J.E., Zunger A. Electronic structure of ZnS, ZnSe, ZnTe. // Phys. Rev. B.1987. V.36. №6. P.3199-3228.

374. Hite G.E., Marple D.T.F., Aven M., Segall B. Excitons in ZnSe // Phys. Rev. 1967. V.156. №3. P.850-859.

375. Алиев Г.Н., Гавалешко Н.П., Кощуг O.C. Структура края поглощения c-ZnSe, ZnTe, CdTe //ФТТ. 1992. T.32. №8. C.2400-2406.

376. Adachi S., Taguchi T. Optical properties of ZnSe // Phys. Rev. В. 1991. V.43. №12. P.9569-9577.

377. Dahmani R., Salamanca-Riba L., Nguyen N.V. Optical constants of ZnSe // J. Appl. Phys. 1994. V.76. №1. P.514-517.

378. Koo M.S., Kim T.J., Lee M.S. Dielectric function of ZnSe // Appl. Phys. Lett. 2000. V.77. №21. P.3364-3366.

379. Walter J.P., Cohen M.L., Petroff Y., Balkanski M. The Reflectivity of ZnSe and ZnTe // Phys. Rev. B. 1970. V.l. №6. P.2661-2667.

380. Markowski R., Piacentini M., Debowska D. et al. Electronic structure of ZnSe // J. Phys.: Condens. Matter. 1994. V.6. №26. P.3207-3219.

381. Kiesel A., Zimnal-Starnawska M., Antonangeli F. d-Core trangitions in ZnTe, CdTe // IL Nuovo Cimento D. 1986. V.8. №4. P.436-446.

382. Casting O., Granger R., Benhlal J.T., Triboulet R. The dielectric function of CdTe-ZnTe //J. Phys.: Condens. Matter. 1996. V.8. №29. P.5757-5768.

383. Sato K., Adachi S. Optical properties of ZnTe // J. Appl. Phys. 1993. V.73. №2. P.926-931.

384. Ghahramani E., Moss D.J., Sipe J.E. Full-band-structure of ZnSe, ZnTe, CdTe // Phys. Rev. B. 1991. V.43. №12. P.9700-9710.

385. Zhao Z., Morel D.L., Ferekides C.S. Optical properties of CdO: Sn // Thin Solid Films. 2002. V.413. №2. P.203-211.

386. Altwein M., Finkenrath H., Konak C. The Electronic structure of CdO. II. // Phys. Stat. Sol. 1968. V.29. №1. P .203-209.

387. Schafer G. Die optischen konstanten von SnTe und CdO // Zs. fur Angevandte Physik. 1971. V.30.№5. P.345-349.

388. Maschke K„ Rossler U. The Electronic structure of CdO I. // Phys. Stat. Sol. 1968. V.28. №2. P.577-581.

389. Tewari S. Band structure of CdO // Sol. St. Commun. 1973. V.12. №6. P.437-441

390. Breeze A., Perkins P.G. An LCAO Band structure of CdO // Sol. St. Commun. 1973. V.13. №7. P.1031-1033.

391. Boettger J.C., Kunz A.B. Energy bands of CdO // Phys. Rev. B. 1983. V.27. №2. P.1359-1362.

392. Jaffe J.E., Pandey R., Kunz A.B. Band structure of CdO // Phys. Rev. B. 1991. V.43. №6. P. 14030-14036.

393. Don Y., Egdell R.G., Law D.S., Karrison N.M., Searle B.G. Electronic structure of CdO //J. Phys.: Condens. Matter. 1998. V.10. №40. P. 8447-8458.

394. Asahi R., Wang A., Babcock J.R. FLAPW Bands of CdO // Thin Solid Films. 2002. V.411. №1. P.101-105.

395. Cardona M., Weinstein M., Wolff G.A. UV Reflection of c-CdS // Phys. Rev. A. 1965. V.140. №2. P.633-637.

396. Hofmann Ph., Horn K., Bradshaw A.M. Dielectric function of c- and h-CdS in VUV region // Phys. Rev. B. 1993. V.47. №3. P. 1639-1642.

397. Zunger A., Freeman A.J. Band structure of c-CdS // Phys. Rev. B. 1978. V.17. №12. P.4850-4863.

398. Chang K.J., Froyen S., Cohen M.L. Band structures of c- and w-CdS // Phys. Rev. B. 1983. V.28. №8. P.4736-4743.

399. Ninomiya S., Adachi S. Optical properties of w-CdS // J. Appl. Phys. 1995. V.78. №2. P.1183- 1190.

400. Janowitz C., Gunther O., Jungk G. Dielectric function of c- and w-CdSe // Phys. Rev. B. 1994. V.50. №4. P.2181-2187.

401. Ninomiya S., Adachi S. Optical properties of c- and w-CdS // J. Appl. Phys. 1995. V.78. №7. P.4681-4689.

402. Logothetidis S., Cardona M., Lautenschlager P., Garrige M. Temperature dependence of the dielectric function of CdSe // Phys. Rev. B. 1986. V.34. №4. P.2458-2469.

403. Tomoda T., Mannami M. EEL Spectra of 2-6 compounds // J. Phys. Soc. Japan. 1969. V.27. №5. P. 1204-1207.

404. Hengehold R.L., Pedrotti F.L. EEL Spectra of CdS, CdSe, CdTe // Phys. Rev. B. 1972. V.6. №6. P.2262-2268.

405. Lambrecht W.R.L., Prikhodko M. Anisotropy of UV-reflectivity of w-CdSe and w-GaN // Sol. St. Commun. 2002. V.121. №4. P.549-554.

406. Chadi D.J., Walter J.P, Cohen M.L. Reflectivity of CdTe, HgTe // Phys. Rev. B. 1972. V.5. №8. P.3058-3064.

407. Vina L., Umbach C., Cardona M., Vodopyanov L. Interband transitions in CdTe-HgTe // Phys. Rev. B. 1984. V.29. №12. P.6752-6760.

408. Kim C.C., Daraselia M., Garland J.W. Optical properties of CdTe // Phys. Rev. B. 1997. V.56. №8. P.4786-4797.

409. Aspnes D.E., Arwin H. Nondestructive analysis of CdTe-HgTe. I. // J. Vac. Sei. Technol. A. 1984. V.2. №3. P.1316-1323.

410. Benhlal J.T., Strauch K., Grander R., Triboulet R. Temperature dependence of the dielectric function of CdTe // Optical Materials. 1999. V.12. №1. P.143-156.

411. Adachi S., Kimura T., Suzuki N. Optical properties of CdTe // J. Appl. Phys. 1993. V.74. №5. P.3435-3441.

412. Kim Ch.C., Sivanantham S. Modeling the optical function of CdTe // J. Appl. Phys. 1995. V.78. №6. P.4003-4010.

413. Saravia I.R., Casamayou I. The optical and PE properties of CdTe // J. Phys. Chem. Sol. 1972. V.33. №1. P.145-155.

414. Cade N.A., Lee P.M. Band structures for HgTe, CdTe // Sol. St. Commun. 1985. V.56. №7. P.637-641.

415. Bassani F., Greenway D.L., Fischer G. Band sructure of GaS, GaSe // Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. Paris. Dunod. 1964. P.51-56.

416. Piacentini M., Olson C.G., Balzarotti A. Electronic properties of GaS, GaSe, InSe. III. The reflectivity from 4 to 32 eV // IL Nuovo Cimento B. 1979. V.54. №1. P.248-268.

417. Balzarotti A., Piacentini M. Optical properties in the high energy region // Electronic structure and electronic transitions in layered materials. Ed. Grasso V. Dodrecht-Boston-Tokyo: D. Reidel Pub. C. 1986. P.289-397.

418. Soukiassian P. These " Anisotropie des plasmons de GaSe, GaS, InSe ". Univ. de Reims. 1974. Ill P.

419. Doni E., Girlanda R., Grasso V., Balzarotti A. Electronic properties of GaS, GaSe, InSe. I. Band structure //IL Nuovo Eimento B. 1979. V.51. №1. P. 154-180.

420. Schlüter M., Camassel J., Kohn S. Optical properties of GaSe-GaS // Phys. Rev. B. 1976. V.13. №8. P.3534-3547.

421. Nagel S., Baldereschi A., Maschke K. Tight-binding study of the electronic states in GaSe // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1979. V.12. №7. P1625-1639.

422. Camara M.O.D., Mauger A., Devos I. Electronic structure of GaSe, InSe // Phys. Rev. B 2002. V.65. №12. P.125206-125206.

423. Le Toullec R., Piccioli N., Nejatty M., Balkanski M. Optical constants of s-GaSe // IL Nuovo Cimento B. 1977. V.38. №2. P. 159-167.

424. Wasscher J.D., Dieleman Y. Anisotropy of optical constants of GaSe near the band edge //Phys. Lett. A. 1972. V.39. №4.P.279-280.

425. Салиев Э.Ю., Соловьев Л.Е., Халилов В.Х. Аномальная дисперсия экситонов GaSe // Опт. спектроск. 1972. Т.32. №1. С.346-350.

426. Meyer F., de Kluzenaar E.E., den Engelsen D. Ellipsometric determination of the optical anisotropy of GaSe // J. Opt Soc. Am. 1973. V.63. №5. P.529-532.

427. Liang W.Y. Optical anisotropy in GaSe // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1975. V.8. №8. P.1763-1768.

428. Соболев В.В., Донецких В.И., Загайнов Е.Ф., Ковалюк З.Д., Кроитору С.Г. Спектры отражения GaX // Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Труды 5 конф. по химсвязи в полупроводниках. Минск: изд-во НФТТ АН БССР. 1976. С.246-261.

429. Gomes da Costa P., Dandrea R.G., Wallis R.F., Balkanski M. Electronic structure of InSe // Phys. Rev. B. 1993. V.48. №19. P.14135-14141.

430. Соболев B.B., Крамарь B.M., Ковалюк З.Д. Спектры отражения GaTe и GeSe2 // Журн. прик. спектроск. 1983. Т.39. №1. С.52-55.

431. Robertson J. Electronic structures of GaSe, GaS, InSe, GaTe // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1979. V.12. №20. P.4777-4789.

432. Sanchez-Royo J. F., Pellicer-Porres J., Segura A. Electronic structure of GaTe // Phys. Rev. B. 2002. V.65. №11. P.l 1520-1-115201-8.

433. Takarabe K., Kawamura H., Wakamura K. Electronic band structure and optical anisotropy in InS. I. Experimental study // Phys. Stat. Sol.(b). 1987. V.142. №2. P.605-615.

434. Takarabe K. Kawamura H., Wakamura K. Electronic band structure and optical anisotropy in InS.II. Theoretical study // Phys. Stat. Sol.(b). 1987. V.143. №2. P.519-538.

435. Валюконис Г.Р., Низаметдинова M.A., Шилейка А.Ю. Особенности края поглощения TISe // ФТТ. 1983. Т. 17. №5. С.946-948.

436. Абуталыбов Г.И., Алиев A.A., Низаметдинова М.А., Оруджев Г.С., Нани Р.Х. Оптическое отражение TISe // ФТТ. 1981. Т.15. №5. С.851-854.

437. Януленис J1.JI., Бабонас Г.А., Низаметдинова М.А., Оруджев Г.С., Шилейка А.Ю. Спектры отражения и термоотражения TISe // Литов. Физ. Сб. 1982. Т.22. №3. С.63-70.

438. Мамедов Н.Т., Мустафаев Ф.А., Алгазин Ю.Б., Федоринин В.Н. Эллипсометрические исследования диэлектрической проницаемости TISe // Опт. спектроск. 1990. Т.68. №5. С.1200-1202.

439. Yanazaki M., Toyota H., Matsumoto Т., Kerimora E. Dielectric function spectra of TISe // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V.39-1. P.305-306.

440. Мушинский В.П., Караман М.И. Оптические свойства халькогенидов галлия и индия. Кишинев: Штиинца. 1973.113 С.

441. Соболев В.В., Кроитору С.Г. Структура дефектных полупроводников типа A\Bl . Труды конференции " Физические свойства полупроводников 3-5.3-6 ". Баку: АН Азер.ССР. 1967. С.76-80.

442. Sobolev V.V. Reflectivity spectra of A\Bl group crystals // Phys. Stat. Sol.(b). 1971. V.43. №2. P.K71-K73.

443. Соболев B.B. Спектры отражения дефектных бинарных и тройных соединений. Неорган, материалы. 1972. Т.8. №1. С.26-29.

444. Sen S., Bose D.N., Hegde M.S. Plasmon energies of In2Te3 and Ga2Te3 // Phys. Stat. Sol.(b). 1985. V.129. №2. P.K65-K67.

445. Guizzetti G., Meloni F. Electronic properties of M\X\ IIIL Nuovo Cimento D. 1982. V.l. №4. P.503-518.

446. Narita N., Nagai S., Saito Sh., Nakao K. Band structure of a-In2Se3 // J. Phys. Soc. Japan. 1995. V.64. №5. P.1622-1628.

447. Ishikawa M., Nakayama T. Electronic structure of In2Se3 // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V.36. №12. P.L1576-L1579.

448. Nakayama Т., Ishikawa M. Bonding and optical anisotropy of Ga2Se3 // J. Phys. Soc. Japan. 1997. V.66. №12. P.3887-3892.

449. Берча Д.М., Митин О.Б., Хархалис Л.Ю., Берча А.И. Зоны In4Se3 // ФТТ. 1995. Т.37. №11. С.3233-3239.

450. Logothetidis S., Vina L.,Cardona М. Ellipsometric study of interband transitions in GeS // Phys. Rev. B. 1985. V.31. №4. P2180-2189.

451. Logothetidis S., Lautenschlager P., Cardona M. Temperature dependence of the dielectric function in GeS // Phys. Rev. B. 1986. V.33. №2. P.l 110-1117.

452. Wiley J.D., Bucckel W.J., Braun W., Fehrenbach G.W., Himpsel F.-J., Koch E.E. Reflectivity of GeS from 0.1-30 eV // Phys. Rev. B. 1978. V.18. №6. P.2963-2965.

453. Eymard R., Otto A. Optical and EELS of GeS, GeSe, SnS and SnSe crystals // Phys. Rev. B. 1977. V.l6. №4. P. 1616-1623.

454. Trousil Z., Pajasova L., Zavetova M. Some properties of a-GeS // Czechoslovak J. Phys. B. 1971. V.21. №1. P.220-222.

455. Pajasova L., Pajas P., Makarov O.A., Zakharov V.M. Optical properties of a-GeS // Phys. Stat. Sol. (b). 1984. V.121. №1. P.293-300.

456. Venghaus H., Buchner U. The dielectric function of GeS // Phys. Stat. Sol. (b). 1975. V.72. №2. P.603-607.

457. Wiley J.D., Thomas D., Schonherr E., Breitschwerdt A. The absorption edges of GeS // J. Phys. Chem. Sol. 1980. V.41. №4. P.801-807.

458. Valiukonis G., Gashimzade F.M., Guseinova D.A. Reflectance spectra of GeSe // Phys. Stat. Sol. (b). 1983. V.l 17. №1. P.81-92.

459. Gashimzade F.M, Guliev D.G., Guseinova D.A., Shteinshrayber V.Y. Band structure of A4B6 crystals //J. Phys.: Cond. Matter. 1992. V.4 №5. P.1081-1091.

460. Logothetidis S., Polatoglou H.M. Dielectric function of SnSe // Phys. Rev. B. 1987. V.36. №14. P.7491-7499.

461. Валюконис Г.Р., Гашимзаде Ф.М., Гусейнова Д.А. Спектры R и зоны SnSe // Лит. Физ. Сб. 1985. Т.25. №1. С.39-49.

462. Car R., Ciucci G., Quartapelle L. Band structure of SnSe // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. V.86. №2. P.471-478.

463. Inoue K., Katayama T., Kawamoto К., Murase К. Electronic structures of GeSe2 // Phys. Rev. В. 1987. V.35. №14. P.7496-7504.

464. Boiko S.A., Bletskan D.I., Terekhova S.F. Exciton absorption of GeSe2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. V.90. №1. P.K49-K52.

465. Orton B.R., Saffarini G., Sogrol J., Riviere J.C. Plasmon energies of Ge-Se // Phil. Magazine В. 1990. V.62. №1. P.71-78.

466. Bergignat E., Hollinger G., Chermitte H., Lannoo M. Electronic structure of a-Ge-Se // Phys. Rev. В. 1988. V.37. №9. P.4506-4513.

467. Aspnes D.E., Phillips J.C., Tai K.L., Bridenbaugh P.M. Optical spectra of GeS2- GeS2 // Phys. Rev. B. 1981. V.23. №2. P.816-822.

468. Ojima T., Adachi S. Optical dispersion relations in a- GeS2, a-InSb // J. Appl. Phys. 1997. V.82. №6. P.3105-3110.

469. Camassel J., Schluter M., Kohn S., Cohen M.L. Wavelength modulation spectra of SnS2, SnSe2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. V.75. №1. P.303-314.

470. Bertrand Y., Divrechy A., Raisin C. Reflectivity of SnSe2 // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1977. V.10. №21. P.4155-4161.

471. Bertrand Y., Leveque G., Raisin С., Levy F. Optical properties of SnSe2, SnS2 // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1979. V.12. №15. P.2907-2916.

472. Bordas J., Robertson J., Jakobsson A. UV properties and band structure of SnS2, SnSe2, Cal2 // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1978. V.ll. №13. P.2607-2621.

473. Ohno Y. EEL spectra of SnS2 // J. Phys. Soc. Japan. 1990. V.59. №10. P.3740-3749.

474. Cohen H., Folman M., Maniv T. EEL spectra of SnS2 // Phys. Rev. B. 1992. V.46. №8. P.4446-4455.

475. Fong C.Y., Cohen M.L. Energy-band structure of SnS2, SnSe2 // Phys. Rev. B. 1972. V.5. №8. P.3095-3101.

476. Schlüter I.Ch., Schlüter M. Electronic structure of SnS2, SnSe2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1973. V.57. №1. P.145-155.

477. Mula G., Aymerich F. Electronic structure of SnS2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V.51. №1. P.k35-k37.

478. Aymerich F., Meloni F., Mula G. Band structure of SnS2, SnSe2 // Sol. St. Commun. 1973. V.12. №1. P.139-141.

479. Robertson Y. Electronic structure of SnS2, SnSe2 // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1979. V.12. №23. P.4753-4766.

480. Соболев B.B. Структура зон А\В6Ъ II Неорган, мат. 1966. Т.2. №1. С.55-60.

481. Sobolev V.V., Shutov S.D., Popov Y.V., Shestatski S.N. Reflectivity spectra of Bi2Te3> Bi2Se3, Sb2Te3 //Phys. Stat. Sol. 1968. V.30. №2. P.349-355.

482. Greenaway D.L., Harbeke G. Band structure of Bi2Te3, Bi2Se3 // Phys. Chem. Sol. 1965. V.26. №10. P.1585-1604.

483. Соболев B.B., Крамарь B.M. Зоны и оптическая структура теллурида висмута // ФТТ. 1989. Т.31. №1. С.264-266.

484. Balzarotti А., Burratini Е., Picozzi Р. ER Spectra of Bi2Te3 // Phys. Rev. B. 1971. V.3. P.l 159-1168.

485. Taniguchi K., Moritani A., Hamaguchi C. ER and TR Spectra of Bi2Te3, Bi2Se3 // Nakai J.Surface Science. 1973. V.37. P.562-572.

486. Grasso V., Mondio G., Saitta G. Modulation spectra of Bi2Te3 // IL Nuovo Cimento B. 1975. V.26. №l.P.233-242.

487. Borghese F., Donato E. The electronic band structure of Bi2Te3 // IL Nuovo Cimento B. 1968. V.53.№2. P.283-309.

488. Katsuki Sh. The band structure of Bi2Te3 // J. Phys. Soc. Japan. 1969. V.26. №1. P.58-64.

489. Олешко E.B., Королышин B.H. Электронные свойства // Укр. физ. ж. 1986. Т.31. №6. С.919-924.

490. Олешко Е.В., Королышин В.Н. Оптические спектры Bi2Te3, Bi2Se3 // Укр. физ. ж. 1987. Т.32. №10. С.1499-1503.

491. Mishra S.K., Satrapthy S., Jepsen О. Electronic structure of Bi2Te3, Bi2Se3 // J. Phys.: Condens. Matter. 1997. V.9. №2. P.461-470.

492. Larson P., Greanya V.A., Tonjes W.C., Olson C.G. Electronic Structure of Bi2X3 // Phys. Rev. B. 2002. V.65. №8. P.085108-085111.

493. Thomas G.A., Rapkine D.H., Dover R.B. Doped Bi2Te3// Phys. Rev. 1992. V.46. №3. P.1553-1556.

494. Ueda Y., Furuta A., Okuda H. Photoemission studies of Bi2X3 (X-S, Se, Те) // J. Elect. Spectrosc. Rel. Phen. 1999. V.101-103. P.677-680.

495. Sobolev V.V., Syrbu N.N., Nikitina V.K., Lobanova Y.K. Reflectivity spectra of Bi2S3 // Phys. Stat. Sol. 1970. V.42. №2. P. K85-K87

496. Шутов С.Д., Соболев B.B., Попов Ю.В, Шестацкий С.Н. Спектры отражения халькогенидов сурьмы и висмута// Изв. АН МССР, 1967. №6. С. 14-27.

497. Shutov S.D., Sobolev V.V., Popov Y.V., Shestatski S.N. Polarization effects in the R(E) of Sb2S3, Sb2Se3 // Phys. Stat. Sol. 1969. V.31. №1. P.K23-K27.

498. Аудзионис А.И., Карпус A.C. Спектры отражения Sb2S3 // Лит. физ. сб. 1970. Т. 10. №6. С.917-927.

499. Alien А.О., Djafarov S.Sh., Mamedov A.M., Tagirov V.J. The reflection spectra of Sb2S3-Sb2Se3 // Ferroelectrics. 1988. V.83. №1. P.153-155.

500. Аудзионис А.И., Карпус A.C. Оптические свойства Sb2S3 // Лит. физ. сб. 1978. Т. 18. №1. С.127-134.

501. Аудзионис А.И., Карпус А.С. Плазмоны Sb2S3 // Лит. физ. сб. 1973. Т.13. №1. С.89-99.

502. Fujita Т., Kurita К., Takinyama К., Oda Т. Electronic structure of Sb2S3 // J. Phys. Soc. Japan. 1987. V.56. №10. P.3747-3739.

503. Хасабов А.Г., Никифоров И.Я. Зоны Sb2S3 // Кристаллография. 1971. Т. 16. С.41-45.

504. Ghosh С., Varma В.Р. Optical Properties of a- and c- Sb2S3 // Sol. St. Commun. 1979. V.31. №9. P.683-686.

505. Czarnecka-Such E., Rodzik A., Kisiel A. Reflectivity spectra of g- Sb-S // Sol. St. Commun. 1989. V.69. №5. P.569-573.

506. Shaffer J.C., Pelt В., Wood C. Electronic structure of c- and a- Sb2Se3 // Phys. Stat. Sol.(b). 1972. V.54. №2. P.511-518.

507. Huruch Z., Davis D., Buczek D. PE Studies of c- and a- Sb2Se3 // Phys. Rev. B. 1974. V.9. №10. P.4392-4404.

508. Evans B.L., Young P.A. Optical properties of As2S3 // Proc. Roy. Soc. A. 1967. V.297. №2. P.230-243.

509. Лисица М.П., Еремко A.M., Тарасов P.T. Анизотропия экситонов AS2S3 // ФТТ. Т. 14. №10. С.3219-3224.

510. Althaus H.L., Weiser G., Nagel S. Optical Spectra of As2Se3 // Phys. Stat. Sol. B. 1978. V.87.№l.P.l 17-128.

511. Tarnow E., Antonelli A., Joannopoulos J.D. Crystalline As2Se3: Electronic Structure // Phys. Rev. B. 1986. V.34. №6. P.4059-4073.

512. Sobolev V.V., Donetskich V.J., Chvorostenko A.S. The Energy Spectra of AsX3 // Phys. Stat. Sol. A. 1971. V.6. №2. P.kl 17-kl20.

513. Соболев B.B., Донецких В.И., Хворостенко A.C. Энергетический спектр халькогенидов мышьяка// Неорган, матер. 1972. Т.8 №7. С.1201-1205.

514. Андриеш A.M., Соболев В.В. Оптические свойства As2S3, As2Se3, As2Te3 // Тез.докл. 3 совещ. по проблемам хим. связи в полупроводниках (Минск, 1965).Минск: ЦСУ БССР, 1965. С.48.

515. Zallen R., Drews R.E., Emerald R.L., Slade M.L. Electronic Structure of c- and a -As2S3, As2Se3 // Phys. Rev. Lett. 1971. V.26. №25. P.1564-1567.

516. Perrin J., Cazaux J., Soukiassian P. Optical Constants of c- and a- As2S3 // Phys. Stat. Sol. B. 1974. V.62. №2. P.343-350.

517. Tarnow E., Antonelli A., Joannopoulos J.D. Crystalline As2Se3: Optical properties // Phys. Rev. B. 1986. V.34. №12. P.8718-8727.

518. Андриеш A.M., Соболев В.В. Оптические спектры отражения халькогенидов мышьяка // Химическая связь в полупроводниках и термодинамика. Минск: Наука и техника. 1966. С.212-216.

519. Андриеш A.M., Соболев В.В., Попов Ю.В. Спектры отражения халькогенидов мыщьяка в области 2-12 эВ // IV Всес. симп. по стеклообразным халькогенидным полупроводникам. Тез. докл. Л.: Наука. 1967. С.5-6.

520. Соболев В.В. Спектроскопические исследования энергетической структуры зон и экситонов твердых тел. Докт. дис. Кишинев: ИПФ АН МССР. 1967. 564 С.

521. Белле М.Л., Коломиец Б.Т., Павлов Б.В. Сравнительное исследование оптических свойств халькогенидов мышьяка при переходе из кристаллического в стеклообразное состояние // ФТП. 1968. Т.2. №10. С.1448-1453.

522. Velicky В., Zavetova M., Pajasova L. Interband optical transitions in glassy arsenic telluride // Структура и свойства некристаллических полупроводников. Тр. VI Междунар. конф. JL: Наука. 1978. С.273-277.

523. Perrin J., Cazaux J., Soukiassian P. Optical constants and electronic structure of crystalline and amorphous AS2S3 in the 3 to 35 eV Range // Phys. Stat. Sol. B. 1974. V.62. №2. P.343-350.

524. Rechtin M.D., Averbach B.L. Fast-electron energy losses in thin films of vitreous Se-As alloys // Phys. Rev. B. 1974. V.9. №6. P.3464-3472.

525. Bishop S.G., Shevchik N.J. Densities of valense states of amrphous and crystalline As2S3, As2Se3 and As2Te3 // Phys. Rev. B. 1975. V.12. №4. P.1567-1578.

526. Salanesck W.R., Zallen R. Surface charging effects on valence band spectra in X-ray PE of c- and a-As2S3 // Sol. St. Commun. 1976. V.20. №8. P.793-797.

527. Lavrentyev A.A., Gusatinskii A.N., Nikiforov I. Ya., Sofontseva N.Yu. X-ray spectra of some crystal and glass semiconductors // Physica B. 1995. V.208-209. P.344-346.

528. Hayashi Y., Sato H., Taniguchi M. Photoemission and inverse-photoemission studies of glassy AsxSei.x//J. Electron Spectros. Relat. Phenom. 1999. V.101-103. P.681-684.

529. Соболев В.В. Исследование оптических свойств кристалла селенида кадмия // Канд. дисс. Ленинград, ЛФТИ. 1961. 250 С.

530. Evans B.L., Young P.A. Optical Absorption in MoS2 // Proc. Roy.Soc. A. 1965. V.284. №.2. P.402 422.

531. Соболев B.B., Донецких В.И., Опаловский A.A., Фёдоров В.У. Спектры отражения МХ2 // ФТП. 1971. Т.5. №.6. С. 1025 1031.

532. Meinhold Н., Weiser G. Modulation Spectroscops on M0S2, MoSe2 // Phys. Stat. Sol. B. 1976. V.73. №.1. P.105 115.

533. Beal A.R., Hughes H.P. К К analysis of the reflectivity spectra of 2H - MoX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1979. V.12. №.3. P.881 - 890.

534. Hughes H.P., Liang W.Y. VUV Reflectivity spectra of MoX2 , WX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1974. V.7. №.5. P.1023 1032.

535. Leveque G., Robin Kandare S., Martin L. Band Structure of M0S2, NbSe2 // Phys. Stat. Sol. B. 1974. V.63. №.2. P.679 - 690.

536. Zeppenfeld K. Spectra of-Ime'1 MoS2 // Optics Commun. 1970. V.l. №.3. P.377- 381.

537. Beal A.R., Knights J.C., Liang W.Y. Transmission Spectra of MX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1972. V.5. №.10. P.3540-3551.

538. Coehoorn R., Haas C., Dijkstra J. Electronic Structure of MoS2, MoSe2, WSe2.1 // Phys. Rev. B. 1987. V.35. №.12. P.6195 6202.

539. Coehoorn R., Haas C., Grout R.A. Electronic Structure of MoS2, MoSe2, WSe2. II // Phys. Rev. B. 1987. V.35. №.12. P.6203 6206.

540. Mattheiss L.F. Bands of MX2 // Phys. Rev. B. 1973. V.8. №.8. P.3719 3740.

541. Hind S.P., Lee P.M. KKP energy bands in MoS2, MoTe2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1980. V.13. №.1. P.349 356.

542. Bromley R.A., Murray R.B., Yoffe A.D. Band structures of MoX2, WX2// J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1972. V.5. №.3. P.759 778.

543. Kasowski R.V. Band Structure of MoS2// Phys. Rev. Lett. 1973. Y.30. №.23. P.1175 -1178.

544. Evans B.L., Hazelwood R.A. Optical Properties of MoSe2// Phys. Stat. Sol. A. 1971. V.4. №.1. P.181 192.

545. Liang W.Y. Optical Anisotropy in layer compounds // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1973. V.6. №.2. P.551 -565.

546. Davey B., Evans B.L. Optical Properties of MoTe2, WSe2// Phys. Stat. Sol. A. 1972. V.13. №.2. P.483 -491.

547. Dawson W.G., Bullet D.W. Electronic Structure of MoTe2, WTe2 // . Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1987. V.36. №.29. P.6159-6174.

548. Boker Th., Severin R., Muller A., Pollmann J. Band Structure of MoX2// Phys. Rev. B. 2001. V.64. №.23. P.235305 (1 11).

549. Bell M.G., Liang W.Y. EEL Studies in Solids // Adv. Phys. 1976. V.25. №.1. P.53 86.

550. Cazaux J. Dielectic constant and EELS in solids // Opt. Commun. 1971. V.3. №.4. P.221-224.

551. McFeely F.R., Kowalczyk S.P., Ley L. X-ray PES of diamond, graphite, and glassy carbon//Phys. Rev. B. 1974. V.9. №.12. P.5268.

552. Beal A.R., Liang W.Y., Hughes H.P. K K analysis of the reflectivity spectra of WS2, WSe2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1976. V.6. №.9. P.2449 - 2457.

553. Sharma S., Ambrosch Draxl C., Khan M.A., Blaha P. Optical Properties and bands of WSe2 // Phys. Rev. B. 1999. V.60. №.12. P.8610 - 8615.

554. Finteis Th., Hengsberger M., Blaha P. Occupied and unoccupied band structure of WSe2 // Phys. Rev. B. 1997. V.55.№.16. P.10400- 10411.

555. Vos D., Kruger P., Mazur A., Pollman J. Electronic structure of WSe2 // Phys. Rev. B. 1999. V.60. №.20. P.14311 14317.

556. Haghes H.P., Liang W.Y. VUV eflectivity of MX2// J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1977. V.10. №.4. P. 1079- 1087.

557. Bayliss S.C., Liang W.Y. Reflectivity of MX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1985. V.18. №.15. P.3327-3335.

558. Bayliss S.C., Liang W.Y. Optical transitions of MX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. I» 1982. V.15. №.5. P. 1283 — 1296.

559. Mamy R., Thieblemont В., Martin L., Pradal F. Reflectivity of MX2 // IL Nuovo Cimento B. 1977. V.38. №.2. P. 196 205.

560. Beal A.R., Knights J.C., Liang W.Y. Transmission spectra of MX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1972. V.5. №.8. P.3531 -3539.

561. Murrey R.B., Bromley R.A., Yoffe A.D. The band structures of MX2. II. // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1972. V.5. №.3. P.746-758.

562. Boehm J., Isomaki H.M. Optical response of uniaxial semiconductors. I. // Phys. Rev.B. 1982. V.26. №.10. P.5798 5806.

563. Traving M., Seydel T., Kipp L. Photoemission of HfS2 // Phys. Rev. В. 2001. V.63. №.3. P.035107 (8).

564. Khumalo F.S., Olson C.G., Lynch D.W. Optical dichroism in ZrSe3 layer type materials//Phys. Rev. B. 1981. V.105. №.1. P. 163 - 168.

565. Khumalo F.S., Haghes H.P. Reflection Spectrografy of ZrSe3 type layer compounds // Phys. Rev. B. 1980. V.22. №.4. P.2078 - 2088.

566. Kurita S., Tanaka M., Ley F. Optical Spectra of ZrS3, ZrSe3 // Phys. Rev. B. 1993. V.48. №.3. P.1356- 1360.

567. Bayliss S.C., Liang W.Y. Polarization dependent reflectivity of ZrSe3, ZrTe3 // J. Phys.C.: Sol. Stat. Phys. 1981. V.14. №.20. P.2803 -2807.

568. Ballett D.W. Electronic properties of ZrSe3 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1979. V.12. №.2. P.277-281.

569. Myron H.W., Harmon B.N., Khumalo F.S. The Electronic Structure of ZrSe3 // J. Phys. Chem. Sol. 1981. V.42. №.2. P.263 -267.

570. Stowe K., Wagner F.R. Band Structure of ZrTe3 // J. Sol. Stat. Chem. 1998. V.138. №.1. P.160 168.

571. Komatsu T., Kaifu Y. Optical Properties of Bismuth Tri-Iodide Single Crystals. I. Interband Transitions // J. Phys. Soc. Japan. 1976. V.40. № 4. P.l062-1068.

572. Берна Д.М., Сливка В.Ю., Соболев B.B., Сырбу H.H., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Зонная структура кристаллов типа SbSI. // В сб. «Полупроводниковая электроника». Ужгород. Изд. УжГУ. 1971. С.42-52.

573. Mamedov A.M., Aliev А.О., Kasunov B.M., Efendiev Sh.M. The optical properties of SbSI // Ferroelectrics. 1988. V 83. №2. P.157-159.

574. Жичкус К., Аудзионис А., Аудзионене Л., Батарунас И., Стасюкинас А., Шилейка А. Оптические свойства кристаллов SbSel // Лит. физ. сборник. 1983. Т. XXIII. вып. 1. С.87-92.

575. Жичкус К., Аудзионис А., Батарунас И., Стасюкинас А., Шилейка А. Оптические свойства и зонная структура монокристаллов BiSel // Лит. физ. сборник. 1984. Т. XXIV. вып. 1. С.44-49.

576. Берча Д.М., Заячковский М.П., Колосюк В.Н. Отражение, магнитоотражение кристаллов n-BiSel // ФТП. 1974. Т.8. вып.5. С.1106-1109.

577. Борец А.Н., Сливка В.Ю., Ковач Д.Ш., Пуга Г.Д. Спектры отражения и особенности зонной структуры слоистого полупроводника BiTel // ФТП. 1975. Т.9. вып.7. С. 1351-1357.

578. Fujita М., Nakagawa Н., Kashino A., Fukui К., Miyanaga Т., Watanabe М. Reflection Spectra of Pb Halides and Bil3 in the 5d Core Exciton Region // UVSOR-20. P.46-47.

579. Jellison G.E., Ramey J.O., Boatner L.A. Optical Functions of B1I3 as Measured by Generalized Ellipsometry // Phys. Rev. B. 1999. V.59. №15. P.9718-9721.

580. Хасабов А.Г., Никифоров И.Я. Зонная структура сегнетоэлектрика-полупроводника SbSI // Изв. АН СССР. 1970. Т. XXXIV. вып. 12. С.2480-2484.

581. Никифоров И.Я., Хасабов А.Г. Плотность электронных состояний и оптические свойства SbSI // ФТТ. 1971. Т.13. вып.12. С.3589-3591.

582. Fong C.Y., Petroff Y., Kohn S., Shen Y.R. Wavelength Modulation Spectra of SbSI and its Electronic Band Structure // Sol. Stat. Commun. 1974. V.14. № 8. P.681-685.

583. Alward J.F., Fong C.Y., El-Batanouny M., Wooten F. Electronic and Optical Properties of SbSBr, SbSI and SbSel // Sol. Stat. Commun. 1978. V.25. №2. P.307-310.

584. Nako K., Balkanski M. Electronic Band Structures of SbSI in the Para- and Ferroelectric Phases // Phys. Rev. B. 1973. V.8. №12. P.5759-5780.

585. Schluter M., Cohen M.L., Kohn S.E., Fong C.Y. Electronic Structure of Bil3. Phys. Stat. Sol. (b). 1976. V.78. P.737-747.447