Структура и электрические свойства тонких пленок хрома, никеля, скадия и рения, полученных в высоком и сверхвысоком вакууме тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ИССЛЕДОВАНИЕ РАЗМЕРНЫХ ЭФФЕКТОВ В ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ.(Литературный обзор).

§ I.I. Классический размерный эффект электропроводности.

1.1.1. Учет влияния поверхностей.

1.1.2. Учет рассеяния электронов на границах зерен

1.1.3. Подход Телье-Тоссэ-Пишара в описании электрогфовод-ности поликристаллических пленок

§ 1.2. Результаты экспериментальных исследований размерных эффектов электропроводности

§ 1.3. Фазовый размерный эффект в конденсированных пленках.

Глава II. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ.

§2.1. Аппаратура для получения образцов.

§ 2.2. Измерение электросопротивления осажденных слоев.

§ 2.3. Методика проведения структурных исследований.

Глава III. ФАЗОВЫЙ СОСТАВ ПЛЕНОК О, Ni , Sc и Re.

§ 3.1. Образование примесных фаз при конденсации в высоком вакууме.

§ 3.2. Исследование кристаллической структуры пленок, полученных в сверхвысоком вакууме.

§3.3. О возможности образования полиморфных модификаций в тонких пленках металлов.

Глава ГУ. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПЛЕНОК Хг , Sc , Mi и Re

§ 4.1. Экспериментальные результаты исследования электрических свойств.

§4.2. Спектр дефектов решетки в пленках хрома.

§ 4.3. Обработка и обсуждение полученных результатов. . . 125 ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Научно-техническое направление, связанное с получением и применением тонких металлических пленок, за последние десятилетия приобрело стремительный рост и во многих отраслях современного производства занимает ключевые позиции. В настоящее время, в условиях научно-технической революции, использование тонких пленок в микроэлектронике, СВЧ-технике, оптике и многих других отраслях науки и техники открывает перспективы создания и совершенствования не только новых приборов, а и целых технологических направлений. Кроме того, многообразие структуры и специфические свойства, связанные с малостью толщины таких объектов, приводит к тому, что их физические характеристики могут существенно отличаться от характеристик этих же материалов в массивном состоянии. В связи с этим тонкие пленки для физики представляют интерес как объекты, на которых можно обнаружить новые явления и закономерности или объяснить известные. Для техники исследование тонких пленок открывает возможности разработки и создания принципиально новых приборов и технологий.

Актуальность темы. Многочисленные экспериментальные данные свидетельствуют о сильном влиянии на структуру и свойства пленок условий их получения. Все факторы, обуславливающие отличие физических свойств пленочных объектов по сравнению с массивными образцами, можно разделить на две группы: кинетические и технологические (скорость конденсации, материал подложки, состав и давление остаточной атмосферы) и термодинамические (толщина пленки или размер кристаллитов, температура осаждения, концентрация вакансий и др.) /1-12/.

В последнее время, благодаря развитию безмасляных средств откачки, появились возможности изучить более детально влияние указанных факторов. В частности, представляется возможным изучить и правильно трактовать такие достаточно известные явления как фазовый /7,8,12/ и размерный эффект электропроводности /2,4,6,10/, зависимость параметра решетки от толщины или размера частиц /4,8,9/, размерную зависимость температуры Кюри и т.п. Несмотря на значительное количество работ, посвященных этим вопросам, многие особенности проявления размерных эффектов до конца не выяснены. Так, например, нет достаточно надежных данных по электропроводности примесных фаз, т.к. не всегда исследования по электропроводности проводятся в комплексе со структурными. Результаты исследования размерного эффекта электропроводности обработаны в основном в рамках теории Фукса-Зондгеймера /2,4,10/, т.е. без учета рассеяния электронов на границах кристаллитов.

К моменту постановки задачи настоящей работы был открытым также и вопрос о природе аномальных фаз, стабилизирующихся в тонких пленках переходных металлов (в том числе и в исследуемых в этой работе металлах Cr , № . Re и в непереходном Sc ). Обилие экспериментальных данных, полученных в основном в высоком вакууме, не позволяло однозначно выделить проявление фазового размерного эффекта.

Исходя из вышеперечисленных нерешенных вопросов в физике тонких пленок, а также в связи с цоявлением теорий размерных эффектов электропроводности, учитывающих зернограничное рассеяние, представляется актуальным исследование размерных эффектов на примере пленок, полученных в очень чистых вакуумных условиях.

Целью работы явилось исследование размерного эффекта электропроводности и структуры тонких пленок хрома, никеля, скандия и рения.

При этом были решены следующие задачи: а) проведены исследования фазового состава пленок, полученных в высоком вакууме, в процессе конденсации или термического отжига и установлена корреляция между их структурой и электрическими свойствами; б) детально исследован фазовый состав пленок, полученных в условиях сверхвысокого вакуума с контролируемым масс-спектром остаточных гадов, что позволило объяснить наблюдаемые особенности зависимости удельного сопротивления и термического коэффициента сопротивления от толщины (размера кристаллитов) и температуры; в) исследован размерный эффект электропроводности на примере пленок металлов с различными типами кристаллической решетки и проведена апробация теоретической модели Маядаса-Шатцкеса; г) в рамках приближения Телье-Тоссэ-Пишара выяснен характер размерной зависимости основных параметров электропереноса Tig , (3 , p^g и др.

Выбор в качестве объектов исследования пленок хрома, никеля, рения и скандия определялся, главным образом, следующими обстоятельствами. Во-первых, эти металлы имеют различные типы кристаллических решеток, что открывает возможность проверить в этом случае, в какой мере применимы разработанные к настоящему времени теории размерного эффекта электроцроводности. Во-вторых, в литературе практически отсутствовали систематические данные (может быть, в какой-то мере, за исключением никеля) по электропроводности пленок этих металлов; полученные результаты были обработаны в рамках теории Фукса-Зондгеймера. И, наконец, практическим интересом, связанным с использованием этих пленок в микроэлектронике (СГ , Ni , ), в качестве жаростойких и антикоррозионных покрытий ( Сг , Nl ) и в других научно-технических приложениях.

Научная новизна. В диссертационной работе выполнено исследование фазового состава пленок в процессе конденсации и отжига как в высоком, так и в сверхвысоком безмасляном вакууме. Получены надежные экспериментальные данные по размерному эффекту электропроводности, причем, большинство из них фактически впервые: а) проведены детальные электронографические исследования фазового состава и условий образования примесных фаз ScU^ , Sc^Oj»

Re30 и ReQ3 , Ni3N и др.

3и И ^«з , 1*1311 и др. ; б) исследована взаимосвязь между кристаллическим строением пленок, полученных в высоком вакууме, и удельным сопротивлением непосредственно в процессе конденсации и последующего отжига; в) установлено, что в пленках С Г , Re и № аномальные фазы с ГЦК и гексагональной решеткой являются примесными фазами. Сделан вывод, что в пленках этих металлов, а также в близких им по физико-химическим свойствам, явление полиморфизма не имеет места, в то время, как в пленках скандия (и, возможно, РЗМ), не исключено ; г) проведена апробация современных теоретических моделей, учитывающих зернограничное рассеяние электронов, размерного эффекта электропроводности. Показана возможность одновременного определения средней длины свободного пробега ( A q или Л ^ ) и коэффициента зернограничного рассеяния ( R ) электронов в диффузном приближении; д) обнаружена размерная зависимость ряда параметров электропереноса: Ag , R , коэффициента прохождения электронов через границу зерна Г и удельного зернограничного сопротивления р^ .

Практическая ценность работы состоит прежде всего в получении систематических данных по фазовому составу и химическим превращениям в пленках исследованных металлов и размерному эффекту электропроводности. Результаты по фазовому составу могут быть использованы также для расшифровки электронограмм от поверхностных слоев массивных образцов. Расширение и углубление знаний по этому вопросу необходимо для теории и практики кристаллизации и создания элементов микроэлектроники. Представляются важными результаты экспериментов по фазовому составу очень тонких пленок, полученных в сверхвысоком вакууме, в смысле понимания и дальнейшего развития теории фазового размерного эффекта. Апробация теории внешнего и внутреннего эффектов электропроводности на примере металлов с ОЦК, ГЦК и ГП решетками открывает возможность применения ее к пленкам других переходных металлов, таких как Mo , W , N6 . Та , и др. Практическую ценность представляют также результаты расчетов величин , , R. , Г* , p^g , jD^g , Em » большинство из которых получены впервые. В плане дальнейшего развития теории размерного эффекта электропроводности представляются важными обнаруженные размерные эффекты для параметров электропереноса.

Основные защищаемые положения:

1. В пленках Ni , С Г* и Re , полученных в сверхвысоком

F> 7

10 - 10 Па) вакууме, во всем интервале толщин образуются фазы, типичные для массивных образцов (полиморфизм не имеет места) ; в пленках Sc при толщинах менее 9 нм образуется кубическая фаза с параметром 0,480 нм, формирующаяся на основе полиморфной

3 4

ГЦК модификации. При конденсации в высоком (10 - 10 Па) вакууме в результате взаимодействия с остаточными газами образуются Сг30 » Ni3M , Эс^Оз, ScЫX » Re30 и ДР*> обладающие специфической температурной зависимостью сопротивления.

2. Концентрация дефектов кристаллического строения в свежесконден-сированных пленках С Г существенно больше, чем в пленках Ni ,

Sc и Кб . Процесс залечивания дефектов при отжиге для пленок О имеет 2-3 стадии отличающиеся энергиями активации ; в случае пленок Ni , Sc и Кб температурный рост сопротивления перекрывает эффект отжига дефектов.

3. Величина удельного электросопротивления пленок одинаковой толщины, полученных и отожженных в сверхвысоком вакууме (минимальное влияние остаточной атмосферы), не зависит от условий получения.

4. Размерный эффект электропроводности, наблюдающийся в неравновесных образцах непосредственно в процессе конденсации, имеет ряд характерных особенностей связанных со структурным состоянием и накоплением дефектов кристаллического строения, по сравнению с отожженными образцами.

5. Вклад зернограничного рассеяния электронов проводимости обуславливает размерную зависимость основных параметров электропереноса /Vg , R , Г и Pog*

Основные результаты проведенных исследований состоят в следующем:

1. Методом электронной микроскопии и дифракции проведены исследования фазового состава пленок С Г , N't , Sc и Re , полученных в высоком вакууме. Изучены условия образования примесных фаз (ScHx, ScA» Ni^N , fte^O и др.) в процессе конденсации или отжига.

На основе этих данных установлена корреляция между структурой и электросопротивлением, объяснены особенности его поведения в процессе изменения температурыотжига или толщины.

2. Исследован фазовый состав пленок, полученных в сверхвысоком с вакууме ( ^10 Па) при контроле масс-спектра остаточных газов. Получено, что в пленках Сг , Ni и fte всех толщин образуются лишь фазы, равновесные в массивных образцах, в то время как в пленках скандия толщиной менее 9 нм обнаруживается (методом электросопротивления и дифракции электронов) ГЦК фаза, которая формируется на базе полиморфной модификации. Эти результаты согласуются с проведенным термодинамическим анализом.

3. Изучен размерный эффект электропроводности непосредственно в процессе конденсации пленок и последующей термообработки. Это позволило обнаружить ряд особенностей эффекта, связанных с различным структурным состоянием образцов или накоплением и залечиванием дефектов.

4. На основе отжиговых экспериментов расчитан спектр дефектов решетки пленок Сг4 и определена концентрация ( Fq-^ЛО ) и энергия активации залечивания дефектов (Бт = 0,6-0, 9 ). Получено, что процесс залечивания дефектов может иметь 2-3 стадии, характеризуемые различным значением fc^.

В случае пленок скандия, никеля и рения концентрация дефектов значительно меньше, так что температурный ход сопротивления перекрывает эффект отжига дефектов.

5. На примере образцов, полученных и отожженных в очень чистых с п вакуумных условиях (~ 10 - 10 Па), показано, что электрические свойства не зависят от предистории (температуры подложки, скорости конденсации) пленок.

6. Проведена апробация одного из приближений (Телье-Тоссэ-Пишар) теории Маядаса-Шатцкеса. Обнаружены и объяснены размерные эффекты для параметров электропроводности , ft. , Г и p^g, проявляющиеся в их зависимости от толщины (размера кристаллитов) пленки.

7. Подтвержден вывод теории Телье-Тоссэ-Пишара о независимости коэффициента зернограничного рассеяния электронов проводимости ft от температуры.

В заключение выражаю глубокую благодарность доктору технических наук М.Д.СМОЛИНУ и кандидату физико-математических наук, доценту И.Е.ПРОЦЕНКО за предложенную тему и руководство работой.

Искренне благодарю В.Г.ШАМОНЮ за помощь при проведении электронно-микроскопических исследований и А.В.ЯРЕМЕНКО за помощь при проведении эксперимента.

Выражаю признательность всему коллективу кафедры физики Сумского педагогического института за доброжелательную и творческую обстановку, которой был окружен автор во время работы над диссертацией.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Полученные в работе экспериментальные результаты позволяют расширить представления о фазовом и электрическом размерном эффектах в пленках металлов с различным типом кристаллических решеток.

В процессе выполнения части работы, связанной с исследованиями в высоком вакууме, возникла проблема взаимосвязи электрических свойств пленок с особенностями структурных превращений в них. Существенная зависимость сопротивления от химического состава или структурного состояния обнаружена в случае примесных фаз SCjjQj, Ni^N , |?ег0 и др. или в процессе кристаллизации аморфных пленок о и ке . Электронографические данные о структуре примесных фаз могут быть использованы для расшифровки электроно-грамм от поверхностных слоев массивных образцов и иметь самостоятельное значение при использовании пленок такого типа в микроэлектронике.

Методика эксперимента, основанная на конденсации металлов в условиях сверхвысокого вакуума с контролем состава остаточной атмосферы, позволила решить вопрос, связанный с фазовым размерным эффектом и длительное время обсуждаемым в литературе. Экспериментальные результаты в совокупности с проведенным термодинамическим анализом позволяют сделать вывод, что явление полиморфизма в тонких слоях не является столь распространенным, как было принято считать рядом авторов. Экспериментально показано, что в пленках

С г , N( и Re полиморфизм отсутствует, хотя в пленках Sc его реализация не исключена. Этот вывод представляется важным и принципиальным, т.к. его можно распространить (что и сделано в работе) на другие переходные металлы с одной стороны, а с другой - расширяет представление о возможности проявления фазового размерного эффекта.

Разработанная сверхвысоковакуумная система (в частности, гет-теро-ионный насос) хорошо зарекомендовала себя в работе и может быть использована в промышленном масштабе. В настоящее время насос данной конструкции проходит испытания на Сумском заводе электронных микроскопов.

Исследование размерного эффекта электропроводности в чистых вакуумных условиях позволило обнаружить некоторые особенности, которые не всегда наблюдали другие исследователи, в процессе конденсации пленок или термостабилизированных (равновесных) образцах. Эти особенности проявляются в значительном отличии величины р (или jb ) в свежесконденсированных и отожженных пленках; в различном характере зависимости p(dL), вызванном накоплением дефектов или структурным упорядочением непосредственно в процессе конденсат ции. О роли и количестве дефектов можно судить по данным расчета спектра дефектов на примере пленок Сг (в случае Ni и Sc залечивание дефектов оказывает значительно меньшее влияние по сравё нению с температурным фактором, в то время как в пленках Re превалируют кристаллизационные и рекристаллизационные процессы аморфной и мелкодисперсной структуры).

Интересные результаты получены при исследовании влияния пред-истории пленки на ее электропроводность (рис.4.б, 4.7, 4.20, 4.21). Получен вывод, что температура подложки не влияет на сопротивление пленок, прошедших одинаковую термообработку.

В процессе исследования были приготовлены достаточно чистые образцы, что позволило в "чистом виде" изучить внешний и внутренний размерные эффекты. Благодаря этому, были получены фактически новые данные, что позволило произвести апробацию как классической теории размерного эффекта электропроводности Фукса-Зондгеймера, так и некоторых приближений более совершенной теории Маядаса-Шат-цкеса. В связи с этим было обнаружено ряд новых размерных эффектов 7\g(c(.), R.(d) (или Г* (CL )) и р^(с(.), что впоследствии получило подтверждение на примере пленок Са в работах /93,94/. Получены значения А0(^~Р )» Раб» указанных выше параметров электропереноса С ^^ , & , t4 jft^e)» которые для исследованных металлов были ранее не известны. Все результаты по размерному эффекту электропроводности обработаны и обсуждены с одной позиции, довольно надежно апробированы основные положения трехмерной модели Телье-Тоссэ-Пишара, оценены толщинные границы ее применимости. Результаты работы по фазовому составу и размерному эффекту электропроводности имеют общее значение для одного из направлений физики твердого тела - физики тонких пленок и разработки путей создания стабильных пленочных материалов для потребностей микроэлектроники.

1. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура ковденсированных пленок. - М.: Наука, 1972.-320 с.

2. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1972. - 434 с.

3. Северденко В.П., Точицкий Э.И. Структура тонких металлических пленок. Минск: Наука и техника, 1968. - 210 с.

4. Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты. М.: Атомиздат, 1979. - 264 с.

5. Диспергированные металлические пленки: Сб. науч. тр. /Киев: ОНТИ ИФ АН УССР,1972. -349 с.

6. Антонян А.И. Смолин М.Д. Гребенкина В.Г. и др. Переменные толстопленочные резисторы. Киев: Наук, думка, 1980. - 232 с.

7. Нитевидные кристаллы и тонкие'пленки. Часть 2. Тонкие пленки. /Под общ. ред. Постникова B.C. Воронеж: ВПИ, 1975. 577 с.

8. Петров Ю.И. Физика малых частиц. М.: Наука, 1982. - 360 с.

9. Морохов И.Д., Трусов Л.И., Чижик С.П. Ультрадисперсные металлические среды. М.: Атомиздат, 1977. - 264 с.

10. Ларсон Д.К. Размерные эффекты в электропроводности тонких металлических пленок и проволок . В кн.: Физика тонких пленок, т.6. М.: Мир, 1973, с. 97-170.

11. Гладких Н.Т. Фазовый размерный эффект в конденсированных пленках.: Автореф. дис. . док. физ.-мат. наук. Харьков, 1976. -37 с.

12. Ультрадисперсные частицы и их ансамбли : Сб. науч. тр./Под общ. ред. Борзяка П.Г. Киев: Наук, думка, 1982. 196 с.

13. Lucas M.S.P. Electrical conductivity of thin metallic films with unlice surfaces. J.Appl.Phys.,1965, v.36, N5,p.1632-1635.

14. Емельянова Т.В. Об электропроводности тонких металлических проволок. ФММ, 1981, т.51, №1, с.221-224.

15. Fischer В. ,Minnigerode G. A direct indication for specular reflection of conduction elektrons at the vacuum boundary of metal films. Z. Phys. B, 1981, v. 42.,К 4,p.349-353.

16. Sambles I.R., Elson C.K. The electrical resistivity of thin metal films with unlice. J. Phys. D, 1982, v.15,N8, p.1459-1467,

17. Коган E.M.,Устинов В.В. Температурная зависимость размерного эффекта в электропроводности тонких маталлических образцов.-ФНТ, 1981, т.7, №3, с.327-335.

18. Копелиович А.И., Фатеев М.П. Об электропроводности тонкой пластины чистого металла при низких температурах.- Металлофизика, 1982, т.4, №1. с.8-И.

19. Moorthy Р.А.К., Shivacumar G.K. Approximations of Fuchs-Sond-heimer theory for the case of total diffuse scattering in thin films J. Mater. Sci. Lett., 1982, v.1,N 10, p.453-454.

20. Гуржи Р.Н. Гидродинамические эффекты в твердых телах при низких температурах.- УВД, 1968, т.94, №4, с.689-817.

21. Cottey A.A. The electrical conductivity of thin metal films with very smooth surfaces.- Thin Solid Films, 1968,v.1,N4, p.297-307.

22. Ghodgaonkar A.M., Romani K. Further interpretation of the specularity parameter. Acta Phys. Pol., 1981, v.60A, Д4, p.493-495.

23. Khater P., Kedro M. Influence of the specularity parameter p on the classical size-effect in thin metallie films. Acta Phys. Slow., 1981, v.31, N 4, p.241-247.

24. Hoffmann H., Vancea J. Critical assesment of Thicness-dependent conductivity of thin metal films. Thin Solid Films, 1981, v.85, N-2, p.144-167.

25. Warkusz F. Electrical conductivity of thin metal films. Size effects. Acta Phusica Polonica, 1978,v.54A, N1, p.31-37.

26. Warkusz F. The thermoelectie power and the temperature coefficient of resistivity of thin metal films. Thin Solid Films,1978, v.52, N2, p.L9-L11.

27. Warkusz P. Wesolowska C. The temperature coefficient of the total resistance of metal films.- J. Mater. Sci., 1979, v.5, N1-2, p.69-73.

28. Warkusz P. The size effect and the temperature coefficient of total resistance in thin metal films.- J. Phys. D, 1978, v.11, H14,p.2035-2041. ,

29. Dobierzewska-Mozrzymas E., Warkusz P. Size effekts in epitaxial aluminium films.-Thin Solid Films, 1977, v.43, N2,p.267-273.

30. Stolecki В.,Warkusz P., Borodziuk-Kulpa A., Wesolowska C. Size effekts of polycrystalline thin films.- J. Mater. Sci.,1979, v.14, N6,p.1349-1352.

31. Warkusz P. Electrical and mechanikal properties of thin metal films: Size effects.- Progr. Surface Sci., 1980, v.10. H3,p.287-382.

32. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Электропроводность поликристаллических образцов металлов с формразмерной текстурой.- ФММ, 1983, т.55, №1, с.61-64.

33. Mayadas А.P., Shatzkes М., Janak I.P. Electrical resistivity-model for polycrystalline films: The case of specular reflection at external surfaces.- Appl. Phys. Lett., 1969, v.14, N10-12, p.345-347.

34. Mayadas A.P., Shatzkes M. Electrical-resistivity model for polycrystalline films: The case of arbitrary reflection at external surfaces.- Phys. Rev. B, 1970, v.1, N4, p.1382-1399.

35. Mola E.E., Heras I.M. Exact and approximate eguations for the thicness dependence of resistivity and its temperature coef-ficientent in thin polycrystalline metal films.- Thin Solid Films, 1973, v.18, N1, p. 137-144.

36. Mannan Kh.M. Temperature coefficient of resistivity for poly-crystalline Cu-filrasPhys. Lett., 1977, v.62,N7, p.519-520.

37. Singh A. Temperature coefficient of resistance of polycrystal-line metal films.- Thin Solid Films, 1971, v.7, N5, p.R35-R37.

38. Jain N., Srivastava R. General expression for the TCR of thin metallic films and wires.- J. Mater. Sci. Lett., 1982, v.1, N9, p.397-399.

39. Thieme P., Kirstein W. Influence of grain boundaries on the electrical resistivity of thin polycrystalline films:A .correlation between the Mayadas-Schatzkes and Wissmann-Wegler equations.- Thin Solid Films, 1975, v.30, N3, p.371-375.

40. Kawazu A., Saito Y., Asahi H., Tominada G. Structure and electrical properties of thin bismut films.- Thin Solid Films, 1976, v.37, N2, p.261-266.

41. Ashrit P.V. , Angan M.A. Effect of pressure, ageing and in situ annealing on the electrical properties of thin samarium films.- Vacuum, 1982, v.32,N2,p.99-101.

42. Tellier C.R., Tosser A. Approximate expression for the electrical resistivity of thin polycrystalline metallic films.- Thin Solid Films, 1976, v.33, N2, p.L19-L26.

43. Tellier C.R., Boutrit C. Acomparison between linearized expressions of the temperature coefficient of resistance of polycrystalline films.- Thin Solid Films, 1977, v.46, N3, p.307-313.

44. Tellier C.R., Tosser A.I. The temperature coefficient of resistivity of polycrystalline ratio freguecy sputtered allumi-nium films.- Thin Solid Films, 1977, v.43, N3, p.261-266.

45. Tellier C.R., Tosser A.I., Boutrit C. The Mayadas-Shatzkes conduction model treated as a Fuchs-Sondheimer model.- Thin Solid Films, 1977, v.44, N2, p.201-208.

46. Tellier C.R., Tosser A.I. Exact and approximat expressions for the temperature coefficient of resistivity of polycrystal-line films usind the Mayadas-Schatzkes model.- Thin Solid Films, 1977, v.14, N1, p.141-147.

47. Tellier C.R. Electrical conduction in thin rf spotterend zinc films.- Vacuum, 1978, v.28, N8-9, p.321-327.

48. Tellier C.R. A theoretical description of qrain boundary electron scatterinq by an effectyve mean free path.- Thin Solid Films, 1978, v.51, N3, p.311-317.

49. Tellier C.R., Tosser A.I. Approximate stain coefficients of metallic films deduce from an effective Fuchs-Sondheimer conduction model and from an effective relaxation time method.-Thin Solid Films, 1979, v.57, N1, p.163-168,

50. Tellier C.R., Pichard C.R., Tosser A.I. Approximate expressions for the product of the resistivity with its TCR in very thin polycrystalline films.- J. Phys. F: Metal Phys., 1979, v.9, N12, p.2377-2380.

51. Pichard C.R., Tellier C.R., Tosser A.I. Reflexions dans des mo-deles de conduction electronique pour couhes minces polycris-tallines.- Le Vide. Les Conches Minces,1979,v.25,N203,p.207-214.

52. Pichard C.R., Tellier C.R., Tosser A.I. Linear variations in conductivity with thickness of thin polycrystalline films.-J. Mater. Sci., 1980, v.15, N2, p.2236-2240.

53. Tellier C.R., Tosser A.I. Description of electronic transport properties of monocrystalline films by a statistical model.-Thin Solid Films, 1980, v.70, N1, p.225-234.

54. Tosser A.I., Tellier C.R., Pichar C.R. Thin polycrystalline metallic-films conductivity under the assumption of isotropic grain-boundary scattering.- J. Mater. Sci., 1981, v.16, N4, p.944-948.

55. Tellier C.R., Pichard C.R., Tosser A.I. Three-dimentsional strain coefficients of resistivity of thin polycrystalline metal films.- J. Mater. Sci.f 1981, v.16, N.1, p.2281-2286. .

56. Pichard C.R., Tellier C.R., Tosser A.I. Size effekts in the-thermal variations of the hall coefficient.- Electrocomp. Sci. and Technol., 1981, v.7, N.4. p.231-233.

57. Pichard C.R., Tellier C.R., Tosser A.I. Thickness dependence of the temperature coefficient of resistivity of polycrystalline films in a three-dimensional conduction model.-Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v.65,N1, p.327-334.

58. Pichard C.R., Tellier C.R., Tosser A.I. Hyperbolic approximate form of the Mayadas-Shatzkes function.- Electrocomp. Sci.and Technol. 1981, v.7, N4, p.235-236.

59. Pichard C.R., Tellier C.R., Tosser A.I. Relation between the metal films resistivity, its temperature coefficient of resistivity and its Hall coefficient in a grain boundary conduction model.- J. Phys. F: Metal Phys., 1980, v.10, N3, p.L101-L103.

60. Pichard C.R., Tosser A.I., Tellier C.R. Empirical results establisheng the thermal independence of the grain-boundary reflection coefficient.- Electrocomp. Sci. and Technol.,1981, v.7, N4, p.217-220.

61. Pichard C.R., Tellier C.R., Ouarbya L., Tosser A.I. Effects de grains non cubiques sor la conductivite electrique deconghes metalliques polycristallines.- Le Vide , les Couches Minces, 1982, v.37, N210, p.3-12.

62. Tellier C.R., Pichard C.R., Tosser A.I. Limiting values of the specularity reflection coefficient in the Cottey size effect model.- J. Mater. Sci. Lett., 1982, v.1, N6, p. 271-273.

63. Pichard C.R., Tellier C.R., Tosser A.I. Expression of Hall coefficient of thin metal films in the presence of impurity effects.- J. Mater. Sci. Lett., 1982, v.1, N10, p.423-425.

64. Бычковский P.B., Колесник E.A., Ухлинов Г.А. и др. Размерный эффект и температурный коэффициент сопротивления тонких пленок висмута.- В кн.: Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. Изд-во МФТИ, 1978, вып. 38, с.224-229.

65. Ухлинов Г.А., Гаранин В.П. О размерном эффекте в электропроводности поликристаллических пленок висмута.- В кн.: Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. М.: Изд-во МФТИ, 1978, вып. 38, с.235-237.

66. Щербина М.Е. Исследование размерных эффектов электрических и механических свойств пленок легкоплавких металлов.: Авто-реф. дис. . канд. физ.-мат. наук.- Харьков, 1981, 20с.

67. Pichard C.R., Komnik Yu. P., Tosser A.I. Effect of grain boundary scattering on the TCR of thin Sn films.- J. Mater. Sci. Lett., 1983, v.2, N7, p.360-365.

68. Buxo I., Salch M., Sarrabayrouse G. et all. Structural study of bismut films and its consequences on their electrical properties.- Rev. Phys. Appl., 1980, v.15, N5, p.961-972.

69. Deschact D., Bouer A., Groubert E. Effect grain boundaryscattering on the electrical conductivity of antimony films.-Thin Solid Films, 1980, v.70, N2, p.311-317.

70. Pal A.K., Chaudhuri S. Effect of grain-boundary scattering on the electrical resistivity of indium films.- J. Mater. Sci., 1976, v.11,N7, p.872-877.

71. Abou-Saif E.A., Mohamed A.A., El-Khodary MtG. Correlation of the structure with electrical and optical properties of thin Tin films.- Thin Solid Films, 1982, v.94, N2, p.133-142.

72. Abou-Saif E.A., El-Oker M.M., El-Sahhar S.A., Sultan F. Structural investiqation and electrical properties of thin indium films.- Fizika, 1982, v.14, N3, p.141-148.

73. Bandyopadhyay S.C., Pal A.K. Grain-boundary scattering in alluminium films deposited on to calcite substrate.- J. Mater. Sci., 1979, v.14, N6, p.1321-1325.

74. Bandyopadhyay S.C., Pal A.K. The effect of grain boundary scattering on the electron transport of alluminium films.-J.Phys.D. Appl. Phys. , 1979,,v.12, N6, p.953-959.

75. Chosh C.K., Bandyopadhyay S.K., Pal A.K. The Hall effect inaluminium and cadmium films.- Thin Solid Films, 1981, v.76, N4, p.313-320.

76. Reale C. Density and electrical conductivity of an abnormal fee phase observed in rare earth metal films.- Vacuum, 1975, v.25, N9-10, p.403-405.

77. Iqbal M.S., Ijaz-ur-Rehman, Beg S. In situ resistivity measurements on thin silver films.- Indian J. Pure Appl. Phys., 1980, v.18, N8,,p.614-615,

78. Longbrace R.L., Brient S.I. The characterization of annealing in thin metal films using the Mayadas-Shatzkes theory.- Thin Solid Films, 1977, v.43, N3, p.343-348.

79. Pal A.K., Chaudhuri S., Barua A.K. The electrical resistivity and temperature coefficient of resistivity of cobalt films.

80. J. Phys. D: Appl. Phys., 1976, v.9, N15, p.2261-2267. вз.Проценко И.E., Яременко А.В. Исследование структуры иэлектрических свойств тонких пленок молибдена,- Металлофизика, 1982, т.4, №2, с.71-76.

81. Мельничук Б.Л., Стасюк З.В. Кинетические явления в тонких пленках титана.- ФММ, 1978, т.46, вып.5, с.1115-1117.

82. Петренко С.В., Проценко И.Е., Смолин М.Д. и др. Исследование фазового состава и электрических свойств пленок ванадия, полученных в высоком вакууме.- В кн.: Получение и свойства тонких пленок. Киев: ИПМ АН УССР, 1982, с.133-136.

83. Neal W.E.I., Borabin R.N.A. Deposition parameters, structure and electrical properties of evaporated tantalum films.-Thin Solid Films, 1977, v.44, N1, p.169-183.

84. Hieber K., Mayer N.M. Structural changes of evaporated tantalum during film growth.- Thin Solid Films, 1982, v.90, N1,p.43-50.

85. Коненкова H.H., Рейхрудель Э.М., Смирницкая Г.В. Сопротивление тонких пленок вольфрама, нанесенных распылением в разряде с осциллирующими электронами.- Микроэлектроника, 1980,т.9, №5, с.467-470.

86. Fischer G., Hoffmann Н., Vancea I. Mean free path and density of conductance electrons in platinum determined by the size effect in extremely thin films.- Phys. Rev. B: Condens. Matter. 1980, v.22, N12, p.6065-6073.

87. Koshy I. The resistivity and temperature coefficient of resistivity of polycrystalline rhodium thin filns.- J. Phys. D. Appl. Phys., 1980, v.13, N7, p.1339-1342.

88. Wedler G., Chander R. The influence of annealing on the resistivity and the thermoectric power of evaporated palladiumfilms.- Thin Solid Films, 1980, v.65, N1 , p.53-60.

89. Hiebsch W. Electrical resistance of grain boundaries in platinum." Czech. J. Phus., 1979, v.B29, N8, p.928-932.

90. Renucci F.,Gaudart L., Petrakian I.D. et all. Grain-boundary effect in calcium thin films.- Phys. Rev. B: Condens. Matter., 1982, v.26, N10, p.5416-5425.

91. Renucci P., Gaudart L., Petrakian I.D. et all. Electrical transport properties in calcium films.- Thin Solid Films, 1982, v. 89, N1, p.27-31.

92. Tochitskii E.I., Belyavskii N.M. Grain-boundary electron scattering effect on metal film resistivity.- Phys. Status Solidi, 1980, V.A61, N1, p.K21-K24.

93. Gould P.A. The resistivity and structure of chromium thin films.- Brit. J. Appl. Phys., 1965, v.16, N10, p.1481-1491.

94. Шварц H., Берри Р.У. Тонкопленочные элементы и схемы.- В кн.: Физика тонких пленок, т.2, М.: Мир, 1967, с.320-391.

95. Находкин Н.Г.,,Зыков Г.А., Шалдерван А.И. Влияние газов на электропроводность пленок хрома, бериллия, никеля, золота и ' германия различной толщины.- В кн.: Физика металлических пленок. Киев: Наук, думка, 1968, с.165-167.

96. Васильев Г.П., Абросимов В.М. Влияние температуры подложки на теплопроводность и электропроводность пленок хрома.- Тр.

97. МФТИ, 1971, вып. 2, с.73-76.

98. Sanchez Н., Posada Е., Panqueva I. et al. Deposition of thinchromium films on substrates heated between room temperature and 300°C in the UHV chamber of annular cryopump.- Vacuum, 1977-, v.27, N3, p.163-165.

99. Udachan L.A., Shivaprasad S.M., Ashrit P.V. et al. Electrical resistivity and temperature coefficient of resistance of vacuum evaporated thin chromium films.- Phys. Status Solidi, A,v. 60, N2, Р.К191-К194.

100. Crittenden Е.С., Hoffman R.W. Thin films of ferromagnetic materials.- Rev. Mod. Phys., 1953, v.25, N1, p.310-315.

101. Панченко O.A. Электропроводность тонких пленок никеля.- УФЖ, 1966, т.II, №10, c.II40-II42.

102. Morita М., Taniyama К. The Curie temperature of nickel films obtained in superhingh vacuum.- J. Phys. Soc. Jap., 1969, v.27, Кб, p.1438-1443.

103. Wedler G., Schneck H. Galvanomagnetic and magnetic properties of evaporated thin nickel films.- Thin Solid Films, 1977, v.47, N2, p.137-153.

104. Eid A.H., Mahmoud S., Badr S.T. Electrical resistivity of thin nickel films.- Egipt. J. Phys., 1979, v.10, N1, p.19-29.

105. Soffge F., Horsten W. AC-susceptibility meassurements in small fields on fine superparamagnetic nickel particlec.-Z. Phys. B. 1981, v.42, N1, p.47-55.

106. Araya I., Merlos H. Temperature de Curie en capas gelgadas de niquelCienc. Tec. 1981, v.5, N1-2, p.15-22.

107. Stary V., Sefcic K. Electrical resistivity and structure of thin nickel films effect of annealing.- Vacuum, 1981, v.31, N8-9, p.345-349.

108. Danielson H., Kasemo В., Marklund I* Ultra thin rhenium films resistors.- Thin Solid Films, 1971, v.9, N3, p.121-132.

109. Лах К.И. Размерные эффекты в тонких пленках рения.- Физическая электроника, 1972, вып.5, с.105-107.

110. Пб.Лахоткин Ю.В., Красовский А.И. 0 химическом осаждении рения из газовой фазы.- Металлы, 1983, №1, с.24-26.

111. Danielsson Н., Kasemo В., Marklund I. Ultra thin rhenium films resistors.- Thin Solid Films, 1971, v.9, N1, p.121-132.

112. Стасгок 3.B., Панчишин P.C., Мельничук Б.Л. Гальваномагнитные явления в понких пленках молибдена, иттрия и скандия.-ФММ, 1972, т. 34, №1, с.48-53.

113. Бублик А.И., Пинес Б.Я. Неравновесные состояния в тонких пленках металлов и сплавов.- Труды физического отделения физико-математического ф-та ХГУ, 1953, т.4, с.143-150.

114. Пинес Б.Я. Очерки по металлофизике.- Харьков: из-во ХГУ, 1961, 315с.

115. Комник Ю.Ф. 0 причинах возникновения неравновесных фаз в тонких пленках.- ФТТ, 1968, т.10, с.312-314.

116. Проценко И.Е. Образование примесных фаз в тонких пленках тугоплавких металлов с ОЦК и ГПУ решеткой.- В кн.: Получение и свойства тонких пленок. Киев: ИПМ АН УССР, 1977, с.195-204.

117. Семилетов С.А., Завьялова А.А., Имамов P.M. Об аномальных кристаллических структурах в тонких пленках переходныхи редкоземельных металлов.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1977, т.41, №11, с.2230-2237.

118. Проценко И.Е., Шамоня В.Г., Яременко А.В. О возможной природе ГЦК-фаз, наблюдаемых в тонких пленках титана и молибдена.- В кн.: Ультрадисперсные частицы и их ансамбли. Киев: Наук, думка, 1982, с.42-46.

119. Проценко И.Е., Шамоня В.Г., Яременко А.В. Исследование фазового состава и электросопротивления пленок иттрия.- В кн.: Получение исвойства тонких пленок. Киев; ИПМ АН УССР, 1982, с.92-95.

120. Bist В.M.S., Srivastava O.N. A nev f.c.c. cadolinium phase and its oxidation.- J. Less-Common. Met.,1973, v.33,p.99-103.

121. Гладких H.T., Набока M.H., Чекарев М.А. Структура тонких пленок редкоземельных металлов.- В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1977,вып. 12, с.316-321.

122. Gasgnier М., Curson А.Е., Surplice N.A. A comment on some resent results on the electrical resistivity of rare earth thin films.- Thin Solid Films, 1979, v.52, p.L1-L3.

123. Takahashi M., Hatakeyama I., Kim Т.К. Magnetic properties of Fe and Ni films evaporated in poor vacuum.- Czech. J. Phys., 1971, v.B21, N4-5, p.574-578.

124. Bykov V.N., Troyan V.A., Zdorovtseva G.G. et al. Phase transformations at bombardement of thin films with ions.-Phys. Status Solidi (a), 1975, v.32, N1, p.53-61.

125. Zimmerman R., Leibovich N.A., Griinbaum E. Reflection high energy electron diffraction patterns of twinned f.c.c. films.- Phys. Status Solidi (a), 1971, v.5, N1, p.K5-K9.

126. Лобода В.Б., Проценко И.Е., Шамоня В.Г. Сверхвысоковакуумная металлическая установка для получения и исследования тонких пленок.- В кн.: Получение и свойства тонких пленок. Киев:

127. Наук, думка, 1982, с.96-98.

128. Грошковский Я. Техника высокого вакуума.- М.:Мир. 1975, 622с.

129. Дуглас Р,, Забрицкий Я., Херб Р. Вакуумный насос типа орбит-рон.- Приборы для науч.исследований, 1965, №1. с.3-9.

130. Зыман 3.3., Горожанкин В.Г., Сафонов Б.Г. О реакциях образования легких углеводородов в орбитронном геттерно-ионном насосе.- В кн.: Вопросы атомной науки и техники. Харьков:из-во физ.-техн. ин-та АН УССР, 1975, вып.1/4/, с.76-79.

131. Технология тонких пленок./Под ред. Л.Майссела, Р.Гленга. М.: Сов. радио, т.2, 1977, 768с.

132. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электронографический анализ металлов. М.: ГНТИ, 1963, 526с.

133. Лобода В.Б., Проценко И.Е., Скоробогатько ,А.Ф. О возможной природе гексагональной фазы, наблюдаемой в тонких пленках никеля.- Изв. ВУЗ СССР, Физика, 1976, №11, с.135-136.

134. Лобода В.Б., Проценко И.Е., Скоробогатько А.Ф. Наблюдение фазы с гексагональной решеткой в тонких пленках никеля.- В кн.: Получение и свойства тонких пленок, Киев: ИПМ АН УССР, 1977, с.34-36.

135. Loboda V.B., Protsenko I.E., Yaremenko A.V. Scandium thin «films structure and electrical resistance (1).- Kristall und Teohnik, 1980, v.15, N1, p.43-53.

136. Лобода В.Б., Осипова Г.И., Проценко И.Е. и др. Исследование электрических свойств тонких пленок металлов.- В кн.: Получение и свойства тонких пленок, Киев:ИПМ АН УССР, 1981,с.138-142.

137. Гладких Н.Т., Жукова Н.А.,Проценко И.Е. и др. Структура тонких пленок ванадия и хрома.- ФММ, 1973, т.36, вып. I, с.84-90.

138. Гольдшмидт Х.Дж. Сплавы внедрения.- М.:Мир, 1971, т.1, 424с.

139. Котляр Б.И., Кузьмина Е.В., Тадеуш О.Х. Исследование процессов карбидообразования в пленках Mi-Си. и Со-С , полученных путем конденсации компонентов в вакууме.- В кн.: Физика твер твердого тела. Киев:Наук, думка, 1965, с.73-76.

140. Гольдшмидт Х.Дж. Сплавы внедрения. М.:Мир, 1871, т.2, 463с.

141. Физико-химические свойства материалов. /Под общ. ред. Самсо-нова Г.В. Киев: Наук, думка, 1965, 807с.

142. Касуэлл X.JI. Оборудование для испарения материалов в сверхвысоком вакууме и анализ остаточных газов.- В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир, 1967, т.1, с.13-90.

143. Савин В.И., Маркин В.Я., Мычковский Ю.Г. Электрические, магнитные и гальваномагнитные свойства гидрвда скандия.- Неорганические материаллы, 1978, т.14, №9, с.1687-1692.

144. Купрашвили И.С., Савицкий Б.М. 0 системах редкоземельных металлов с кислородом.- В кн.: Диаграммы бостояния металлических систем. М.: Наука, 1968, с.206-212.

145. Protsenko I.E., Severin V.M., Skorobogatko A.P. Investigation of the structure of thin rhenium films.- Kristall und Technik, 1976, v.11, N9, p.941-945.

146. Лобода В.Б., Проценко И.Е., Шамоня В.Г. 0 полиморфизме в тонких пленках и частицах малых размеров скандия.- В кн.: Ультрадисперсные частицы и их ансамбли. Киев:Наук, думка,1982,с.46-51.

147. Лобода В.Б., Проценко И.Е., Храпач Е.А. 0 возможности образования полиморфных модификаций в тонких пленках.- Томск, 1980.-19с. ЕУкопись представлена редколлегией журн. "Известия вузов MB и ССО СССР", сер."Физика".Деп. в ВИНИТИ 12 февр. 1980, № 528-80.

148. Loboda V.B., Protsenko I.E. The structure and electrical resistance of thin scandium films (11).- Crystal Research and Tech-noloqy, 1981, v•16, N3, p.357-365.

149. Loboda V.B., Protsenko I.E. Structure and electrical resistance of thin scandium films (111)}.- Crystal Research and Techno-loqy, 1981, v.16, N4, p.489-494.

150. Лобода В.Б., Проценко И.Е., Сердюк С.В. Расчет спектра деформации решетки тонких пленок хрома, полученных в вакууме

151. Торр.- Томск, 1980.- 9с.- ^копись представлена редколлегией журн. "Известия вузов MB и ССО СССР", сер."Физика". Деп. в ВИНИТИ 31 окт. 1980, № 5156-80.

152. Лобода В.Б., Проценко И.Е., Шамоня В.Г. Исследование электрических свойств тонких пленок хрома и скандия.- УФЖ, 1982,т.27, №9, с.1343-1349.

153. Лобода В.Б., Проценко И.Е., Смолин М.Д. Исследование электрических свойств тонких пленок никеля.- Металлофизика, 1983,т.5, №5. с.69-74.

154. Scow К.В., Thun R.E. A study of evaporated chromium films.-In: Transaction of the hinth vacuum symposium. Oxford etc., 1962, p.151-155.

155. Лариков Л.Н., Сидоренко С.И. 0 механизме взаимодействия вакансий с примесями газов в вакуумных конденсатах меди и ее сплавов.- ДАН УССР, серЛ, 1978, №6, с.564-567.

156. Imura Т., Ishihara Я., Okada М., Katoh М. Electron microscopy study of the structure of Cr films deposited on lowtemperature KC1 substrates.- Surface Sci., 1979, v.86, N2, p.196-199.

157. Паршин П.П., Землянов М.Г., Кост М.Е. и др. Изучение динамики решетки гидридов редкоземельных элементов с помощью неупругого рассеяния нейтронов.- Неорганические материалы, 1978,163. т.14, №9, с.1653-1658.

158. Риттер Э. Пленочные диэлектрические материалы для оптических применений.- В кн. Физика тонких пленок. М.:Мир, 1978, т.8, с.7-60.

159. Вельская Э.А., Пелецкий В.Э. Электросопротивление никеля в области температур 100-1700 К.- Теплофиз. высоких температур, 1981, т.19, №3, с.525-532.

160. Narayandas К., Radhakrishnen М., Balasubramanian С. Dependence of defect density and activation energy on deposition ra-res in silver films.- Phys. Status Solidi, 1979, v.56a, N1, p.195-198.

161. Wilkinson P.G., Birks L.S. Properties of cold deposited at liquid air temperature.- J. Appl. Phys., 1949, v.20, N9, p.1168-1171.

162. Narayandas K., Padhakrishnan M., Balasubramanian C. Dependence of defect density activation energy on deposition raresin copper films.- J. Mater. Sci., 1979, v.16, N2, p.549-552.

163. Patel A.R., Pandya N.C., Chourasia N.C. et all. Annealing characteristies and lattice distortion energy spectra of chromium-copper alloy films.- Phys. Status SolidiV 1982, v.71a, N.2, p.323-327.

164. Das V.D., Talawai A.S. A studi from electrical conductivity data of the defect concentration in as-growth indium thin films vacuum deposited at different deposition rates.

165. Thin Solid Films, 1981, v.81, N1, p.21-25.

166. Singh K.B., Hatibarua I. Effect of annealing and thickness on the electrical resistivity of vacuum-deposited thin palladium films.- Indian J. Pure Appl. Phys., 1982, v.20, N3, p.183-196.

167. Renucci P., Gaudart L., Petrakian I.P. et all. Annealing study of the electrical resistance and defect density in calcium films.- Thin Solid Films, 1982, v.88, N4, p.353-357.

168. Angadi M.A., Udachan L.A. Electrical properties of thin nickel films.- Thin Solid Films, 1981, v.79, N2, p.149-153.

169. Colinge I.P., Demoulin E., Delannay E. et all. Grain size and resistivity of LPCVD polycrystalline silcon films.-J. Electrochem. Soc., 1981, v.128, N9, p.2009-2014.