Структура и физические свойства линейных полимерных полупроводников и диэлектриков на основе селена и полиэтилена тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ОРДЕНА ДГЖУ НАРОДОВ АКАДЕЯ НШ'АЗЕРБАЙДЖАНСКОЙ ССР ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЯШЯНк ИНСТИТУТ ФИЗИКЙ

ггз

На правах рукописи

МЕХШСВА САЛИЛА ИБРАГИМ КЫЗЫ

;УЛК 621,315.59^:537.26:539.412.1

СТРУКТУРА И. ФИЙИЧЭС ЖЕ СВОЙСТВА ЯШККИХ ПСЛИЧЕРН1^ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДНЭЛЕКТК-ЖОВ Ш ОСНОВЕ СЕЛЕНА И ПОЛИЭТИЛЕНА

(01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков;

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации яа соискание ученой облени доктора фл2ил0-*'атемь-^ческих * наук

г "

г>

(

Работа мпохнелэ в Ордена Трудового Красного Знамени Институте физики Акадеши Наук Азерб донской ССР

Офгциачышс оппонента; доктор фазяко-мг.тэматячесиих наук,

профессор, А'.Р.РЕГЗЛЬ доктор хшич'зскыс.наук, профессор

. В.М.ГЛАЗОВ ' ' . доктог ^энкс-мателат^еск каук, профессор Б.Г.ТАЙЕВ .

Ведущая от. тяэнцт - Вильнюсский Государственный.

ункверсчтьт В.Каасукаса

Защита состоится "_" .. ■ - ' _. 1988 г. в "__часо

на заседали« сяецлализкрованного совета Д-004.'04.0х по защите, диссертавдл ссисканде ученой степени доктора фячико-математкнасУй-с наук при Кчсштуте физики АН Азерб.ССР (370143 Баху, проспект Чаршановг;33 ).

С диссертацией .¡лохно.рз^ако 'тться в ¡блиотеке Иастит$та фиьуки АК Азепб.ССР. . ' ■

Автореферат разослан " --.." "__19Ь8 г.

Отзыв Нй амерефзгаг, заверенный гербовой печатью, просим направлять по эдрзг.у: 370143 Баку, просп. Нариманова,33 Институт фааяк.-, АН язерб.ССР.

Ученый. СоКр'':ТС ^ .'

сп€здалаздроваж;с--о -совета

доктор ¿"иг:'.1<о-маа'г::.л1'лчес;адх- О.А.АЛИЕВ

наук, профессор

. V . 'I I. ОШАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТ..'

, - : Актуальность удкн. При объяснения результатов язкеро-ШГ"4«8ических, з частности, электрических свойств полимеров, з той числе селена и систем на его основе, часто применяется теордя, раз работа', л для строго кристаллических материалов. Это приводи"' к тому, что экспериментальные резул'-яти, в основном, не укладываются в рамки предсказаний указанной теории и считаются аномалтли.

Некристаллические материал! Р].„дс1ашшют большой кнтепео как с теоретической, так и с прикладной точек зрения л явл^.гоя в посчеднле год» объектом интенсивных исследований. Фундаментальная важность проблемы обусловлена тем, что некристаллической состояние, характ'еризусцеасч лааь блакиям порядком в расяо-ложНкйй атомов, является наиболее слотанм случае; конденсированного состояния вещества, к которому не применимы многие основные положения фазпкя кристаллических тзердах тел, основанные на существовании трансляционной сяюлетрии.

С прикладной точки зрения интерес к данным материалам назван, во-перв?!/. тем, что в некристаллических материалах зави-стаостл свойств от химического состава, соотношения компонентов и атомной струотур^ несьма разнообразны, во-вторых, широким применением некристаллических полупрово~чяков в таких областях тея'яки, как электрография,' электрорентгенографая, теловя&пон-иая и электронная техника, "•¡фракрасрая оптика а т.д. Кроте того, такие некристаллические иоду про водника как стеклообразный селен, являются .исходным материалом при производстве вмп.рпм-длккшх элементов, взриотороз, умножителей напряжения, выпускаемых миллионами тиражами. '

В последние годы положение улучшалось после разработки теории для систем с неупорядоченным расположением атомов. Однако, для доказательства применимости многих ее аспектов к. конкретным полимерным полупроводникам я дяэлектрикам с яе"*гарядо-ченной стру.турой, необходимо вести комплексные исследования свойств материалов в ззеисймости от изменения о,.руктуры.

Хотя в литература имеются многочисленные исследования по лвученшз структуры и свойств линейных полимерных материалов, оде-то нет обобщенных результатов по широкому классу вецеотв. Селен н течение десятилетий рассматривается как неорганический

гомоатомичй линейный полгаспний полупроводник, но до настоящего цикла иссждованйй прамансние многих представленлй, раэпи-№х в физике-химии полимеров, к нему визыьало .сомнения, а иногда и возражения. Для однозначноеги толкования необходимо било с здание х ~ошей экспер;ше1:хал.ьиой основи для получения данных по широкому классу свойств ( оптических, электрофизических, парамагнитных, физико-механических, кустических). С другой стороны, для выяснения механизма переноса тепла и электричества в синтетических полилерза, виявле"ия роли ссс: .ва и структуры в этих процессах, необходимо йало изучение специфических для них свойств ( механической и электрической прачпостей, окпел'л-тельно-^еструктивнчх процессов и т.д.) в различиях аллотропических формах и соаостаплеуие этих данных с соображениями, шс~ казанными для селена.

Получение монокристаллов и чисто аморфного состояния синтетических . элимеров затруднительно, однако, этот вопрос, для с:таш решается сравнительно легко, Поэтому получение раэличмих гтаогроаических форм селена и изучение их сзойств зажни для. понимания механизм-• многих явлений в синтетических полимерах.

Наконец, для выяснения влияния различных воздействий (да; ния, механического напряжения,, примесей и добавок, облучения я т.д.) кеобходимо проведек'ле исследований, на .иная от чистого неходкого материала и распространяя их на материалы с различным..содержанием ярямесей к добаыж* кончая твердыми растворами соответствующих составов.

Как известно, при использовании польлерных материалов в различных отраслях народного хозяйства они в зависимости от /назначения и условий эксплуатации, додвергч-пгся воздействию 'различных аче^них факторов, прг-о&щвх к их раэрумсня» и старения. При этом угдашю-гся кх. механические и электрич^окие-.. прочностные свойства. Потому, подавление или предотвращение даса'руктявнн* процессов при раздельном я одновременном воздействии различных, факторо;. ( сильного электрического поля и разрядов. температуря, ишчёск^й нагрузки, кесткш. излучензй и т.д.), тем самим^ к улг-'.р'ыв физико-механических свойств явля-. етоя г-ктуельшии как с научной* так и с практической точек' зрения. Одним из путей достижения вышеуказанных целей является введенлб в полимерные полупрсводники я диэлектрики ¡^злачных . доч^вок и пршесгй. Од-чко, механизм ь^ действия окончательно

не установлен. В часгности, не изучены закономерности изменении злёктрачесхой прочности и времени казни, собзнна длительной рггектрической прачносга, полиэтилена в зависимости от ко ч-чества добавки серы а. селена, что является очень вашим прд широком нелсльзовавпя полиэтилена э качестве электрической изоляции. Не изучено влияние этих добаьок на структурные изменения полиэтилена, происходящие прй раздельном к одновременно!« воздействии оаг'ного. электрического.лолл я разрядов, механической натруска, у- облучения,.ЧУ" может служить для понимания, с.одной стороны, ме^низма процесса электрического я механического разрушения полиэтилена. я, с другой сторону, позволит/выявить роль самого се леча, как линь/.ного иолет&рного материала при разрушения полиэтилена..

■ ■ Не изучено влияние дисперсности частиц селена на физйюо-механичеошз свойства и структуру полиэтилена.

Из анализа состояния изученности дройлекы вызрею***, что несмотря на многочисленные исследования, имеется ряд спорных и нерешенных вопросов. Наиболее существенными из них следуют».

конца не вменена: механизма дроцзееоз превращения в линейных полимерная полупроводниках и диэлектриках типа селен и полиэтилен в зависи-асти от воздействия .внешних факторов; слабо изучены донорно-,акцепторные взаимодействия в них', не решен вопрос о состоянии кислорода и роли его в фзрмярэнапии физических свойств, мехшшйми переноса те.ла и электрического заряда в неупорядоченных системах, включая области фазовых переходов , спорном остается механизм дроасхоздения дарочн й i ..о-водимоста, .имеются скудные данные о механизме действия примесей на электрические свойства яидких.систем. Не до ниша объяснен механизм действия добавок, мало сведений о нахождении таких, которые могли бц взаимодействовать как с активными частицами, так и'воздействовать на структуру полимера. .

В качестве объекта исследования были набраны различние модификация (аморфная,^ликристаллическая и монокряоталличесг кая) селена и сжтем Se~Te , ScS, а тага полиэтилен с добавками . селена а ■ серы. Последни!' является представителем линзйных полимеров, о структуре а физико-химическим св "ютвам которого шеются наиболее детальные сведения. Это позволяет аспаль ч-вать его как модельная caoiet для р^ие-'ия юфо^иг ^взляще

кош задач.

UgJtb.И, Ру1)у«У-»- Целью работы

являлось установление взаимосвязи между намерениями структуры и ф^ачаоках свойств линейных полимерных полупроводников я диэлектриков на основе селена и полиэтилена, выяснение механизма переноса заряда и тепла в таких неупорядоченных системах, выявление природы неструктйышх процессов под действием энергетических воздействий, нахоздение коррелятивной связи между изменениям» свойств и 'технологи«: оках параметров изд. аЯ для выдача ¿комеидаияй с цепа направленно!! регуляция последних.!

Для достшсе л указанной пели необходимо било:

- разрабс._.;ть метода получения образцов с различной структурой ( aMopinoii, поликрасталлической и монокрвсталлачвокой модификаций селена, о ас тем на его основе и полиэтилена с различной степенью кристалличности ).;

- разработав опосоСц введения примесей и малых добавок в линейные 'иолишо'рныа полупроводники и диэлектрики, выбрать методы и условия обработки и ■внешнего, воздействия на них.

- исследовать особенности процессов переноса заряда и тепла в полимерных системах в зависимости от изменения их структуры;

- изучать физико-механические, оптические, парамагнитные свойства образцов выбранных систем с различной молекулярной и надмолекулярной структурой;

- исследовать структурные превращения под действием различных факторов;

- выявить заг'мсмерности в изменениях структуры и свойств линейных полимерных полупроводников а диалек'. аков на основе селена а полиэтилена.

- обобщить иол,ученные- ак^ераиенталыша д-нные для всех исследуемых иеупорядочеиых систем;

найти коррелятивную связь между изменениями структуры к свойств систем и тех' ■<<• югичаскими параметрами изделий на их основе.

На"-'яая ковазнг Основные принципиальные результаты получены впервые -

I. Установлено, что структура образцов различных ыодяр-кацай селена, систем Je-Те . 5е-<5 ü полиэтилена о добавками'

селена и серы, построенная из больших структурных элементов, является сильно дебетной, аморфные.образны всегда содержат области с упорядоченным, а рясталллческие - неупорядоченным расположением атомов ( размеры неупорядоченных областей равнн

2. Предложен способ стабилизации и целенаправленного изменения стр. турн полиэтилена путем введения доб' ок селена и серы, .

3. Установлен механизм крн'стал-«заця и линейных полимерных спстзм на основе селена и полиэтилена, заключающийся в том, что до определенной температуры происходит, в основном, образсзгшиг зародышей, а выше - рост кристаллов. Изменение энергии активация образования зародышей и температуры начала роста коисталлов при переходе от селена к системам, а также при введении в них различных добавок л примесей, обусловлены изменением энергии разрыва молекулярных цепей.

> 4. ¿'ыяснен механизм изменении теплопроводности шовного селена.ч систем на его основе в области температуры,, соо""-ветствущей температуре перехода от стекловидного состояния в зысокоэлаетическое.

5. Обнаружено и исследовано экстремальное изменение теплопроводности,электропроводности, термоэдо селена, а также механической ч электрической долговечно гей полиэтилена в зависимости от содержания введенных примесей и добавок.

6. Предложен возг-ожш* механизм происхождения дырочной проводимости селена.

7. Найдена корреляция между структурой с тена, систем! -5е-Те е : элйчкнх агрегат них состояниях и "оляэтялена с добавками селена и акустическими свойств^, обусловленной изменением гибкости цепей основного .материала.

1 3. Зштснса ме-.чнизм действия прамесей на электрические свойства жидкого. селена и жалкой система -Те.

9. доказаны ант., на слить льная и антярадикальная ^оли селена в деструктивных процессах в полиэтилене, г лисходящнх под воздействием различных внешних факторов.

10. Изучены изменения структуры, электрической я механической ярочностей полиэтилена в зависимости от дисперсности .«¿аияц введенной добавки селена: обнаружена зависимость ях

- 8 -•

от ра&меров гведенных-частиц добавок.

П. Найдена корреляция ме~ду измененцями электрических и механических свойств и молекулярной массы полиэтилена в зависимости от содеряашш селен».

12. Сказана пржлекимэсть представлений, развитых в последние года; для неоднсрбдшх систем* к объяснение;физических.! процессов, наблюдае.чых в линейных эдимеркых материалах тииа селен и полиэтилен.

^ КРАКГЛЧЕСК-'" ЦЕП-ОСТЬ: Ыолучскше.в работе. экспериментальные результаты я вывода позволяют делать обоснованные рекомендации по улучшению и стабилизация фязьчо-механдческих я электрофизических показателей изде-мй ка осно25 изученных линейных полимерных лолупро- : водников кдислектрякоа, обличают прогнозирование срока службы их при .различных: условиях ркоплуатациа й, тем самым, позволяют вес-и. разработку, .методов ускоренного испытания материалов. Применение полиэтилена с установленной оптимальной добавкой и Э приводит к улучшению его эксплуатационных характеристик в средне;.; не енее чем на 50 в частности, в изготовленных кабелях олектркческак прочность увеличивается о 1,5 раза, удодьное объе;,шсэ сопротивление в 8 раз, дендрятостойкость на 30

Разработанные рецепты реэинозеи: смесей успешно применяет при изготовлений поршиай для буровых насооов.

Основные .долощени^ ьчноскукп на зд-тцту: .

Установление механизгла структурных превращений в линейных полимерах на основе селена и ПЭ в зависимости от воздействия внесших факторов. ' .

- -ВИяонеЫв механизма измй .нкя теплопроводности аморфного, селена и некраоталлическлх оастей йа его основе прй температуре стеклований."-.

- Обнаружение ¡экст?й".ально^?и-. а свойствах линейных полимер-йнх систем в зааясамост!. от содержания введенных примесей а дооэяок, ; • . . ..

, ~ Объяснение пройоховд/ния дырочной проводимости делена.

- Нахоадо:ше корреляции между структурой селена, сцстома

-Те, в различных агрегатных состояниях и ПЭ 0 добавкама $е

£.5 а анустйч&окамй сзойст&яма.

- Выяснение механизма действия примесей на электрические свойства селена и систем на его основа в жидко.'.- состоянии.

- Изменение положения 'макси.\*ума в завасяшстях эяектрячес ">й и механической дрочноотей и соответствие его изменению.минимума концентрация карбонильных групп в ПЭ.о® дисперсности введенных частиц селена.

- Аятискг.слятельная и антирадикальная роля солена, уставов-

■ ленные м; одами ЗЯР. и ИК. спектроскопии, в деструктивных процесса-. в ПЭ, происходящих к~>к под-, действием элзктрическох'о 'оля и разрядов "як"а при одновременном воздействии электрического поля и механической нагпузкл.

-Корреляция мезду кзмбненаями механической и э /жтрической прочностей и молекулярной массы полиэтилена в зависимости от содержания селена. -

- Экспериментальное.установление применимости представлений, развитых в последние года для неоднородных систем к г Членению физических процессов, наблюдаемых з линейных полимерных материалах типа селен а'ПЭ.■

/'гРОбацдя работа: Основные результаты диссертации докладывались на: Всесоюзной конференции по проблемам химической • связи.'в полупроводник ош'- соединениях (Минск, 1965г.), Кауч-. ной сессии, посвященной 20-летию образования АН Азерб.СС? (Баку, 1965г.); Г/ Всесоюзном симпозиуме по стеклообразным и халь-когекядпым полупроводникам (Ленинград, 19с7 г.); Ш Всесоюзной теплофизической колфергиции по сюйствач веществ при высоких температурах (^яку.ИвЗ г.); Всесоюзной конференция .то лз .векам основам электрофотографии (Вильнюс,1969 г.), Совещании.по, явлениям переноса в.электронных расплавах (Ленинград,1971г.); Всесоюзной конференции по физическим основам ионно-лучевого _ легирования (Горький, 1972'г.); Н Международной конференция по аморфным.и жидким полупроводникам (Ленинград, 1975 г.). Европейской конференции по фотоэлектрическим и электро^тографи-ческим явлениям (Варна, 1974г.), .Всесоюзной конференции "Физика диэлектриков иу новые области их прдменения (Караганда, -1978 г.); Наупюй-сессия.по £ зктронному парамагнитному резонансу (Тбилиси, 1977 г.); Зсесовзнсй конфзрен. .и по фаэике . полупроводников (Баку, 1983г.); П республиканской кснфере. .дия по фотоэлектрическим явления;. а полупрс одниках (Од са,

- хО -

1У62 г.); Исесоюзной конференции но жигчим полунроиодникам (Баку, 1900 г.); Л1 Всесоюзном совещшьи но '¡зическам свойствам горни>; пород п»а высоких давлениях и температурах {Ереван> Г585 г.); на конференций "Поойлзл! ^аики прочности и пластичности (Душанбе, 1У8э г.); на сессии Научного Совета АН СССР по проблема "Физика шоокях даалена!!" 0,!ахачкала, 1366 г.), ни научном семинаре "Влияние высоких давлений на вещество" (Одесса, 1986 г.), на сом::лирах ЯМН Лзерб.ПСР.

й стотнтура .пяссерта: Диссертация издоена на ,312 станицах машанопис «ого текста, состоит из введения, моста глав, закачен. . к обцях выводов, 'содержат 135 рисунков, ¡20 таблиц. Ыодиографил включает 560 ная.ленована 1 литературных источников, вкличая работ» автора.

П. ШТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАНГ'.

Зо введении обоснована цель диссертационной раСити, ее актуальность, сформулировали основные положения, шнооямые на защиту, изложена научная новизна и практическая значимость работы, дано краткое содержание основных разделов.

Первая глава носит обзорней характер, варьируются работы, относящиеся к материалу диссертации. Приводятся современные представленья о структуре различных модификаций 'селена, полиэтилена, а такхс об зн'ергетичссксм. спектре электронов з некристаллических материалах, механизме переноса тепла, оптических и фотоэлектрических свойствах, механических и электрических прочностных характаристикгис линейных иоламврных систем на оснозе селенг 'Л- полиэтилена и .'¿айянаи на них различных, факторов. О'йрмулируется ряд спорных, и нерешеннш задач, аз кото' рых вытекает актуальность диссертационной работа.

Обращается особое вн; -ше на необходимость выяснения таких ва&ных вопросов, кяк механизмы переноса тепла и электрического заряда в полимерных, системах на основе £е л ПЭ, вкл -чая области фазовых аерез-дов, происхождение, дырочной проводимости селзна, процессов гсеврамг ая в линейных полам.'¿них шлупровг"пиках и да:■•; жтрнках. типа селен; а ПЭ а зависимости от воздействия вневшос факторов.,. действия мшесей 'на электрические свойства жидких систем и добавок, которые могли бы. взаимодействовать- как о активными яастицами, так а воэдействб-

вать 'на структуру полимера.

Отмечено, что для вибраиш« линенш« полимерах счетом к началу исследований автора (Ш53Мто мкогим аспектам расг,-?,ют-репной проблемы фактически отсутствовали иеобходлдае сведения, i3o второй главе приведены результата исследования механических и электр. аских прочностшх свойств селена и полиэтилена с добавками Se и $ , а также влшпт на них электрического полч .. разряда, эриентационной штялки и длслерсности введеннюс частиц добавок.

3 начале главы дается подробно-, о г. исание методики эксперимента, изготовления образцов, воздействия алектрическях p„j-рлдов, определения энергетических характеристик част.ччнмх разрядов. Объектом асследования являлся ИЗ нивкой плотности. Добавки селена (серы) о размерами частиц 0,5-6,0 мкм в различим ■количествах вводились я ПЭ механическим перемеашг 'нем на вальцах при температура 423 К. Образцы з виде пленок толщиной (2р+25) Ю"4 м изготовлялись путем прессования. Электрическая прочность и долговечность определялись лрд переменном напряжении промышленной.частоте 50 Гц, Для исключения возникновения . частичных разрядов пробой осуществлялся в трансформаторном теле.

Механические прочностные свойства измерялись на установке с рычажным приспособлением, позволяющим автоматически поддерживать постблшшм разрыватсдее напрджыяе и осуществлять ь..-пкеъ деформации в течение всего опыта. .

В этой же главе издании методики электрического старения'я ориектащогаой вытяжки.

Р .Из совпадения массы селена по мшфоскошгче . кям измерениям о массой fi навеске сделано заключение, что • зсь селен, введенный в полиэтилен, находится в частицах, регистрируемых под' микроскопом. . ..

При введении 0.3 касс,д. селена в полиэтилене наблюдается увеличение механической б (-на 40 %) к электрйческой/(~ на 30$) -прочностен, а .также аьиенвз концентрация карбональних групп, что связало о уменьшением размеров я увэлячзнием холичестаа надмолекулярных образований, в результате чего увеличивается .однородность структура материала 'и замедляется деструктивный процесс ( п. 2.3,1). '

- х2 -•

Вводимый ( 5 } "залечивает" дефекты, тем самым, увеличива- ■ ется гокогеннос-м структуры а однородность м."ериала, в результате чего уменьшается уровень згтрузкя несущих'связей, что поя-водит к увеличению .механической прочности. ЛЭ> До определенно-; го содержания смена они являются эффективными,.т.е. в зависимости от размеров и числа дефектов, а также от содержания добавки я от размеров как введениях частиц, так а аморфных прослоек увеличивается механическая прочность. Дальнейшее увели- ' чение содер&аная селена создает ^однородности, что с ажазтся 6 умен: зний прочности. . . ■ 1

Подобное об! . 'некие можно привести и для случая электрической прочь в отношении устранение неоднородностей при влзктрическом разрушении. Но, в случае электрического разрушения, все отмеченные процессы будут способствовать, в основном, уменшеня'д ионизационных явлений, «рйп лщих к возмущении мех-атомных связей. Содержание езлена, соответствующее максимуму б к £ завдеяа „т его дшяарсности (2.5.2). Юг да ра змер частиц селена равен 0,5 4- 1,0 мкм, максимумы соответствуют 0,1 мае с. д. при 2,0 + 3,0 иш - 0,3 масс.д., а при 4,0 + 5,0 мкм - 0,5:дасс.д

Изменена механических и электрически., прочности ... свойств П£ при введении в него селена с разлачной дисперсностью, •коррелирует с измена; лем концантр.~дия карс-нядьшх (С=0) групп. С увеличением содержащая езлена уменьшается хощентрацая С«0 групп, проходит черва минимум для содержаний, при которых наблюдается иадедмуи прочности, а затем увеличивается...

. 'Влияние селзна на фазако-механические, в том часле, прочностные свойства Пй, можно обменить двумя путями - воздействием его на молекулярную я надмолекулярную соуктуры я на свободаоиадикальше охлеяйтелыше процессы, инициированные код действием внеииих факторов.

Перлий- путь предполага..!-, что часть селена в виде сравнительно фушшх часта;:, аграя роль, наполнителя, 'изменяет соотношение аморфных-я крд Фаллических'областей, от которого зависят та:;же дальнейии.'- структугаше изменения а поведение , ■материала. В ^^ваоам^г. д о® со^-ржаная добавка и размеров как аа-ед-^ных частиц, . .с я прослоек, куда, в основном, и -"знeдpяm•cя,, частицы добавок, наиболее э#ектазныьш оказываются те ила иныо содержания. Одновременно, на поверхности

частиц в аморфных прослойках происходит химическое взаимодействие добавки с матрицей. В случае бе он проявляет сильную глтйогшслйтельчую и .здтар'лакальну» актазкоотя.

! С одной стороны ое разрушает гидроперекиси, а с другой из-за больного.радиуса его электронного облака, захватывая ненасыщенные связи, играет роль сшивающего агента. Эффективность такого рода взаимодействия ьависит существенным о^азом от отношения поверхности к объему активною наталчител.г. и элементов ■ надмолекулярной с . ._>уктуры.

Полученные дакше по влиянии д.'^персчопти введенных частиц показывают, что выбирая размеры частиц селена и подбара.. реким введения, можно целенаправленно изменять структуру ПЭ, тем самым физико-механические, в том числе прочностные свойства и другие его'■эксплуатационные характеристики.

Введение селена в ПЭ не нарушает температур -временную зависимость механической ч. электрической прочностей, причем начальные энергии активация Ц>, V/-) • процессов механического й элелтричйпкого разрушения не игиенякгся,. а увеличения времени лизни соответствует симбатное уменьшение структурно-.чувствительных коэффициентов и НС . Это свидетельствует о том, что механическое я электрическое разрусзиде происходит по одним и тем же химическим связям, но увеличивается однородность материала, вследствие чего уменьшается коэффициент перенапряжения. Введение определенного количеств*, добавки селена з И» приводит к повышению его стойкости, к воздействиям различный внешних факторов ( у- облучение, электрическое поле а.разряды, механическая кагрузка и т.д.},. о чем свидетельствует ослабле-к . } уменьшения прочностных свойств под действие нижеуказан- ' ных .¡гакт ов.

Введение селена в полиэтилен не приводят к ьзмененлю роста механической я электрической прочностей при орйентагаоняой ■ актякке, что еще рег псдтзер;кдает антиокислительную а акеарадя-кальнуэт роль селена, которые проявляются в деструктивных процессах (п. Я.5.1).

Хар.чкдарный излом в зависимости делгодечн ги от раярь'в-•чого напряжения при одновременном воздействии электрических разрядов, наблхдаеакй я исходном ЛЗ, после введения селене исчезает. Этс свидетельствует о стабалязирушем воздействия'

. , ' - 14 -

селена ка структуру и повышении стойкости материала к старении, т.е. селен и в данном случае играет рс-.ь ая-юкислителя, как : в случае предварительного воздействия и, способствует увеличению механической прочности ПЭ л повышений его стойкости к воздействиям электрических разрядов ( п. 2.4.2),

Аналогичные результаты порчена и для резиновых смесей на основа дивишшитрильного каучука марки СКН-40-М по характеру изменения уеханшеокоа и слахтряческой прочностей при | замене части вулканизующего..агг -та серы селеном (I г. :;с.д. $е' , из 3 зсс.д. 2 )- происходят максимальное улучшение вышеуказанных характеоист; (п.2.б).

Эксйч-рймектальные результаты позволяют сформулировать рекомендации по .удучггекаа и стабилизации фпзкка-кеханических И электрофизических характеристик полиэтиленовых изоляций а резинотехнических изделий, облегчают ^рогнозЕроваяие их.срока служба при .различных условиях эксплуатации и, тем самам, ведение разработки:методов ускоренного испытания. .

В, третьей гл?.ве отражены результаты-исследования механизма переноса электрического заряда в.селене, системах на его основе в различных агрегатных состояниях и полиэти-

лене с.добавками селена и серы. Здесь основное внимание уделяется выяснению действия примесей и добавок на электрические . свойства 'селена',систем 8е-Ъ , $е~$ и ПЭ с добавкам;: селена и серы, Экстремальность-в электрических свойствах линейных по-лимерких систем в зависимости от содержания примесей и добавок удовлетворительно обменяется донорно-акцепторшм взаимодействием атомов досадой_между собой и атомами матрицы. Для случая селена найдена корреляция мезду изменением электропроводности при введений разл&Чках йринесей с ах ионизационный потенциалом С г.. 3,1.1).

Вследствие близкой структуры механизм переноса электричества и структура энергетического спектра носителей заряда в кристаллическом и'жидком селене близки. При плавлении, за , счет.некоторого; разупорядочения структуры а резкого, позраста-• ния концентрации когоа, происходит рост степени размытия границ зон,- локализация носителей в размытых -раях и уменьшение концентраций дарок, вызванных нсаасыденными ковдамя Цепей, что приводах к резкоцу уменьшайи» концентрации й подшшю.г и

■ - 15 -

носителей тона и, соотазтотаешю, -сдактронроподности (п.3.1.2).

Селен а кристаллическом солгоииач, - _ сипл полупроводник ' ко1ще>нтрацая носителей • ¿С'^-Н^м**'*) хотя селзн поел плавления и сохпчняет в некоторых областях своп кристаллическую структуру", в общем' - то процентная доля неупорядоченных областей. где примеси неактивны,, растет. Последнее обуславливает: переход лримесе:'} дз упорядоченных областей в неупорядоченные я, тем сами , уменьшение концентрации носителей, так как при приблизительно ирстоянном -иачестве атомов : объем нвупоряд ченних областей р'лко возрастает.- Б соответствии с указанным.'-!, подвижность носителей тока при. плавлении селена, падает, так как уменьшается аяс ¡ъ локализованных состояний вб: :з'я границ

'зон, '.■■■..■;

.Таким образом,, уменьшение электропроводности селена при п^.влени» вызвано двумя причинами: снижением концентраций носителей тока за счет перехода примесей из активных г -стояний в неактивные «'уменьшением подвижности носителей тока, за счет ¿л;еньиения вероятности перескоков между локаиязовашшми состояниями ; неупорядоченных областях. Это.аодавзрдидось и измерениями эффекта.Холла ( п, 3.£.3).Послэ обескислоражаванид или введения кирлородокешен 1ру;ощих примесей ( Сг/, Ян ) скачок электропроводности прЛ плавлениа резко уменьшается. При этом после прогрева обескислороженного селена в атмосфере кислорода ара 483 К в течение 350 ч., значение- и температурная заваса- ; мооть электропроводности, а такке уменьшение-ее при плавлении дриближааися •• такошм для исходного образца. Исхода й- э-иго сделано.заключение, что владение изменения электропроводное--та ^елена при пладленли с изменением. ближнего порядка являете.. примеснш.1 эффектом. . ■ .- -

.С ростом концентрации теллура в жидкой ■ системе 5е-Те .происходит постепенное. увеличение значения электропроводности, концентрации и подвижности носителей тока иг уменьшение энергии активации электропроводности. В конечном счете происходит монотонный переход от жидкого подулроюдкака к "плохому" металлу. В работе'изложена качес. екная картина изменения спектра энергетических зон в указанном перехода ( п. 3.2). ;

Исследования скорости распрог ;>аневдя ультразвуков.л . волк в системе <$е-Те док^ .ала, что надках рас. швах

•>ехТе1ж Пря х=0,£; 0,4; 0,5 каблод&етгя структурный переход,, коррелирующий с переходом типа.полупроводник - металл (п.6.2)..

В. зшдйой системе с ростом кошентраодл серы излом' на кривой температурной зависимости электропроводности для чистого селена :.шааег<зд: в сторону низких, температур ( от 773 К дяя чистого'селена до 523 К для систем 5е + 75масс.д$). При этом энергия активации электропроводности до излома почти не меняется, а после излома монотонно уменьшается от 2,7 зВ до 1,В эВ. Эти явления объясняются о^.лбленаэм ишческой связи . мачсду атомш/л ддоль песей езлена при внедрении атомов серы.

Оцределяздув роль в значении концентрации носителей тока, типа проводимости и других электрических .свойств кристаллического селен? яграчг. акцепторные примеси кислорода.. Характер зависимости электрических параметров селена от. концентрации примесей определяется, главным образом, взаимодействием атомов гях примесей с атомадж кислорода. .

Чистый аморфный селен с уд; :ыюй проводимостью б* ~ • — Ом с кристаллическими вкраплениями, не

превышающими 10 % с общего объема образца, являясь собственны полупроводником, обладает п-тяпом проводимости. При температурах нме 200 К перенос электрического заряда в аморф- м селене осуществляется перескоками носителей тока мевду локализованными состояниями, а шше этой температуры - к .тролпруется ловушками, расположенными близко к зоне проводимости. Тип проводимости аморфного, жидкого и кристаллического селем может управляться путем изменения : образце ебьемной доли кристаллической фазы и содержавия акцепторных примесей кислорода. На основе комплексных исслед^~анкй электрофизических свс^зтв обескяслорожен-ногс и сочного селена, КК-спектуОв поглощения предположено, что р-прозоделость кристаллического селена обусловлена присутствием в кем пршясей кислорода с концентрацией 5,5 одна

тысячная доля кстороЯ рас юеделс. а в упорядоченных областях кристалла ( п.п. 3.1.4; о. .2),

. В жздкой системе 5е-Те I шзи температуры плавления знак .козффецвента термояде сооть .ствует дирочной проводимо^ги, т.е. сястегду Зе -7ё цря еточ можно рассматривать как. полупроводник о кбзначательнл; размазыванием краев зон. С рсстг темпера-эату"ч| за счет обрыва цепей увеличивав "я степень раэупорядо-

ченности в системе, т.е. жидкая система Se-Те приближается к неупорядоченным системам, подчинящщдся мод. л Мотто-Козна (п.?Л.З). ;

Четвертая глава посвящена исследованию теплопроводности селена, системы Se-Te и ПЭ с добазкачса Se я S . Особое ькамаааа уделено изучению изменения теплопроводности кристаллических и некристаллических образцов я влития на нее различных внешних факторов - примесей ССс/■,-Р,,Дп,Ь)а добааок ( Se , S ) , термообработки, электронного облучения, в области размлтчеш . Измерения г стационарном реяяме позволили установить, что теплопроводность аморфного делена в области 293 + 303 К линейно растет с температурой, при температуре стеклован: : селена ~ТС (303 К) скачкообразно увеличивается на 40 %, а затем продолжается линейный рост ( п. 4.1).

Стеллообразннй селен обладает1 типичными свойствами неорганических высокопа/шмеров. В нем молоку ли имеют ф му. винтообразных цепей или колец. Они хаотически расположена друг относительно друга л в некоторых местах соприкасаются. Каждый, атом I аях колеблется около положения равновесия, обмениваясь , энергией с взаимодействующими атомами как в данной, так и в соседней молекуле. Зти п. ">цессы неупругого рассеяния являются основным процессом, определяющим теплопроводность стекловидного селена. Длина волны фо-Яонов, несущих тепловую энергию в аморфних телах, равна среднему расстоянии между молекулами, . поэтому, при низки температурах она не зависит от температуры. До 303.К ' -»лпература мало'влияет на рассеяние■.во®, и средняя длина свободного пробега фокснов в стекловидном селене не авясат. от температуры. Исхода из вышесказанного можно утверждать, что линейный температурный рост теплопроводности до Тс обусловлен линейным ростом теплоемкости.

С переходом из. стекловидного состояния в ш^окоэвастич-ное, за счет превалирования тепловой энергии над потенциалом внутреннего вращения, в отдельных звеньях макромолекул аморфного селена возбу.«даются врадательнне колебания. Последние, распространяясь вдоль и мед: цепями з направлении температурного градиента, переносят определенную те гов.ув энергия от горячего конца образца к холода'му, что ппиводат к с ач-кообразному росту теплопров лости.

- 18 -л

Пользуясь кинетической формулой SC'O'ft док врсшдтьлького вклада в • «еолоцроагд ность'("А ¿е,) подучено соотношение:^.« —r&fci где с/ - мезиол&*?ля*моо- расстоянле,

п 9 О О -г

Ц- врящатедьная-удельная тошгэемкоэть, /с - температура стек-. j. лзняя), • пошздьй которого показано, что вычисленные и эксперлменгальяые значения ДЛд хорошо оогласуоуся.' Тормооб-работкой (или ;;е под действием олек.рошсго обдучзнил) кольца селена, амтоявдез из большого количества атомов, распадаются на короткие цепочки со СЕОбодкнм!, -задхкавог" цббнымв концами. Эти короткие цзяя могу? гатэм полачеризопаться в длинные пени гексагонального селена. Это приведет к уменьшению аморфной доли л к росту знамени -дляна свободного пробзга фононов, а такгэ приОлм^шю т^ечзатурной зависимости теплопроводности образца к кристаллической. Кроме того уменьшением аморфной доли образца, должен наняться я ¿Л яри Тй , так как .вращательное ■ колебениз сегментов появляется только в аморфной части.

Примеси Со! к Р , уменьааг величину ó X ( смещают Тс в •> строку вчсоких тешерагур ( от 303 К до 30? К а 310 К, соответственно), а npt ;си Mr¡ - в сторону низких температур ( от 303 К до 300 К). Это обусловлено тем, что введение в сеяен црш.. .ей Cd л Р приводит к образованию новых прочит- химических связей в цепях л увеличивается % материала,. Действительно, энергия диссоциации связей Cd-0 , £</-$;.' Р-0 , P-Se больше<чем эы^гйя диссоциации связей Se-0 и о е - Se соответственно (п.-i.I; ' '■4.2).

■ Даш некрй(г:ляяче<жях 'полям9рйкх:ойстт- ...'■■ . .наблюдается характерное дд« еморфких. материалов асшщеаяе тешюпровод-\ греха о темпеттурой. Гик этом наклон крш зависимости теплопроводности от. темлерат.'/ра.до гемаературы размягчения почта одинаков длз образцов чпе-ого Se и систем Se-Те о различным •содеркаижа* теллура. 'Одаако с добавлением теллура в селен.эна-'чение X растет (паяр. nf.t 100 : от 2,8 Ю""1 -Вх/мК для чистого оелепа до 9,2 Ю"^Вт/\й1 дум систем Sé + 10 м"сс.д,Те •).

интересный факт свидетель 'вует о том,- что дбоавлёние в . и^шй osjien атомов' ,телл ла, не изменяя степень кр. ;таялич-кооти обрайЦоа, приводят к усилению энергии связи межЩ атомами ьгдаль апи »ежду цапямд.

В, случаэ крастадшпескях образцов аистеш Ое-ie с ростов

- 19 -

температуры. Л. падарт, Однако; о ростом концентрат,и'тэлдура наклон кривых температурной запгсшостл А уменьшается, кристаллические образцы ¿г-Те едут себя как •'¡фаст'ал.тачесхши полимеры. Добавление атомов теллура в кристаЯл.т-геск»й селен, по-видйуому приводит к некоторому разулорядоченио: в структуре, что завершается уменьшением длины' свободного пробега фоноаов и решеточкой те" 'опроводности.

Аналогичная картина по температурной зависимости теплопроводности набл»,. .зтся и для'некристаллического и кристалли ческого полиэтилена о добавками седей-. ■

Таким образом, механизм переноса у'еклопой энергии в ных и кристаллических, полимерныхсистемах на основе' юёявна и . ПЭ;ке от.вдчается от механизма переноса тепла в обычных краотая-лич^схих а вхорфных'структурах ( п.4.?.).

Изучением влияния примесей Coi , введенных в ;иде Cd , U fe и Со№ на теiwoлроэодность селена, кристаллизованного яви 353, 403 в 450 К в течение ! ч*, а пра '¿83 К в течение 25 ч. получено, что примеси Cd при малых концентрациях сильно уменьшают Л селена, которая при 0,1 масс,д. Cd "достигает гшыи/мь:

ЗффекТйвноз сечение рассеяния примесей ( Я5 ) для фоьонов, вычисленное m'-j^-.l ( где Q - мцттшюе расстояние-,.-

средняя дана свободного пробега йоноког ь чистом веществе,, поперечное сечение рассеяния- фонола ча однок атоме а монет меняться от I для примесей заметная до 10 для примесей, внедрения), составляет 60 прм 0,1 масо.д, Cd. Примеси Cd при 0.1 масс.д. в селене образуют'комплексы с -кислородом типа CdO, Я? которых.несколько, больше, чем Ф атомов самого Cd . Поото-fiüj- при этом содержания примеси А ; сильно ума.-. дается и для f пблучаетей лшение раз больше ¡ t- y¡ 'закнне в работах

. Д.0.Иоффе. После 0,1 -масс^д* Cd .»/Прамзси распределяются, в основном-, вокруг-этих, комплексов, аалолняптся дефекты л .А увеличивается. С узелач. ^ием концентрации .( выше. О,Г масс,д. ) атсмы Cd снова начинают распределяться по.селену & создают новые дефекта• что' приводит к уменьшена® А , а для йилучает-ся значение, близкое к единице. .:

'! . Такое объяснение обосновывается введением примесей Cd в виде CdO в обычный езлен и металлическом виде- в сбесхислсро-. женный оелен. Б мах случаях шйщум на кривой концентраца-'

- 2и -

онной зависимости Л не наблюдается.

Концентрационная зависимость Л (.„лена три введении примесей Мп такая же, как в случае примеси кадмия.

Анализ наших и существующих.данных по влиянию примесей ! на Л селена показал, что имеется прямая корреляция между концентрацией (У/ ), при которой X селена достигает мин аду;/, а, и ионизационным потенциалом введенных примесей, выражающаяся соотношением

М = 0,055Упр - г ^62 ;

где Ц>р- зонизашонный потенциал введенных примесей, С его по- ! мощью можно пред азать величину // для любой примеси (п.4.2).

Пятая :ава содержит результаты исследований оптических и фотоэлектрически свойств, селена и твердого раствора $е~7е • Изучены: край полосы собственного поглощения селена и влияние ка него примесей (Сс^Ля); йК поглощение селене определено состояние и концентрация кислорода а селене; фотоэлектрические сной^.ва селена и системы -Те , неравновесные электронные процессы в монокристаллах селена, -

Основный результаты главы сводятся к следующему: Край полосы поглощения обычного ( необеикислорояенного) • селена находится при 0,58 мкм, который при. обескислороживании или введении примесей Сс1 ,Лп смещ_дтся до о,62 мкм. Последнее связывается о замещением атомов селена кислородом в цепях и нарушением ближнего порядка. 'По влиянию на край собственного поглощения селена примеси можно разделить на две группы. В первую группу входят примеси, ионизационный потенциал ( Упр ) которых мен кие иочйаацаошого потенциала селена (14е) (напр.

, , Те , Ну » Сс1 а др. ), они смещают краГ полосы погло-.. щения селена в сторону длинных волн. При этом, чем больше раз-нзца тем больше смешение. Во вторую х :упау входят при-

меси, ионизационный потенции, которых больше (напр. 5 , С£, , 0 ) и, они смещают край полосы поглощения селена в ;> сторону коротких .длин золн. При этом, чем больше разница М>/>-^е> тем боошяе смещение. Такое поведение примесей можно объяснить тем, что по-вйд$иому г^амоси, у —торах Уцр< в основном, образуя г пелене комплексы с кислородом, деГ.^вуют как оОес-каслораживалае, а прамеои, у. которых Цр >У$е , распределяясь в селене в аморфном виде, действуют -как кислород (п.5.1.1). '-1 .

- 71 -

На кривей спектрального распределения фоточувствительности яоликрис^аллического селена наблюдаются дм максимума . - при 0,56 мкм и 0,66.мг Изучением фотопроводимости аморфного д монокристаштического селена, показано, что максимум прд 0,56 мкм относятся к кристаллической, а при 0,66 мкм к аморфной модификациям. При ^бескислорэжаванпя селена или введения при- . маезй Ой "~ксймум, принадлежащий к кристалличес^й гл".цифика-шя, смещается к 0,72 мкм, что свидетельствует о вхождении примесей в решет,.,, селена.

В области 0,75 + 25 мкм в нео. ..скаслороженном селене «аб-лвдаются полосы ЯК-поглощения яри 11,03; 13,60; 17,65 и 20,-жо мкм4 После обзскислораяиванйя (или введения прячесэй. 0,15 мг-т. д.' Сс1 , Мп ) полосн при II ,03; 13,60; 17,65 мкм исчезают, а интенсивная полоса при 20,45 мкм остается. Отсюда выходит,что полосы поглощения при 11,03, 13,60 и 1.7,65 мкм 01 лловлекы присутствием з селене примесей кислорода. Полосы поглощения при 11,03; 13,60 и 17,65 мкм существуют и на кривой пропускания , Это позволило установить* что кислород в селене, в основном, находится з виде 5е02 (п.5.1,-2). Вычислена кон-.центрацкя кислорода з селене по формуле: ■

л/ 9п 3 МС. , и

УУп — -7—3——» • а • ■ оьтагп

(гдеА,- чясло часгни оеОд * П - коэффициент преломления аморфного селена,^/- приведенная масса лцяллятора 3е02 ;. е- заряд электрона, С - скорость света, с1тах- максимальное .. значение коэффициента поглс/ : яия при 11,03; 13,60; .17,65 мкм, соответственно ) которая оказалась равной ~ 5,5 Ю24\Г3. ! В монокристаллах гексагонального селена г 'чарукена оста точная <|о~-проводимость и исследованы ел ос? чные особенности (л. 5.3.1). Показано, что остаточная приводимость стирается температурой ( выше комнатной) ,' ЯК освещением и приложением : аильного электричесто поля. Вменено, что остаточная проводимость в селене и ее поведение обусловлено особенностями реальной структуры сс ?на, т.е, существованием в..стру гуре 'неоднородно гей, приводящих к образованию дрейфг а и роком-;бяшацкоиных барьеров. Применяя модель неоднородного барьерного рельефа к монокристаллу селена определены внеоты дрейфового я рекомбянационного барьеров, которые оказа-ись равны-[¿а ,17 и 0,5 эВ, соответственно, а также среднее расстояние

между 'ними ^-0,18. икм.

Обнаружено и исследовано явление ипома'"ной фэуопроводи- • мости в иг.тершяе длин волн С+0,8 мкм возбувдавдего света при 77 К ( п. 5.3.3). i

В сильных электрических долях в области нелинейности темнотой вольтампер.чой характеристики обнаружены отрицательная фотопроводимость и отрицательная остаточная фотопрЬводшоЬть (п.5.3.2). .Изучением зависимости их осноьнй^крМетрбй эт температура, Длини. волны Й1( саг л, приложедаозднйпг чения й-каче за контактов, почазано, что наб/шдаемЬ^/пйМия удов- i; летоорительно обт шлются:существованием в монокристаллах селена области., с упорядочен2шм и неуяорадоченйым расположением атомов. ■' ..

8 у>ёстой х-лавд ; приводятся' сведения о структурных преа-ращепиях в-линейных полимерных- полупроводниках, я диэлектриках, что вашю для нападения взаимосвязи изменений свдксть со структурными особенностями. Подробно изучена кинетика кристаллизации селена, системы Se-Те я влияние на указанный процесс ' Энешнах факторов .(примеси и добавки, давление) методами ДТА,. рмерешш,электропроводности, теплопроводно-vh, скорости распространена ультразвукозых воли, -значения 'которых зависят от компи(тнос'1'й упаковал вещества;:' ь^лекулпрь.х связей и -от соотношения кристаллических и аморфных фаз»;'. .

Исследованием влияний' времена, термообработки при 373, ■ 363, .403, 433 К на .теплопроводность и электродроводкость аморфною селена, показано, что она с увеличением времена и температуры термообработка увеличиваются,,; достигая значения для. кристаллических образцов. На основе этих^дашшх вьтсленц объемная доля кристаллической фазы после каждой термообработки ,йо"ф&р-

х 2¿а + Ъ * 2h Цк-До). Д

V р':; IzkÉditl^ '

( где ; Дк. ; Д^'б^- теплопроводность и

электропроводность аморфного а кристаллического селена, а такие селена в данный момент термообработки, РЛ и Р6 - части крис-таллит'еской фази образцов ); константа скорости кристаллизащ"''

Ц д^ ( где % - время кристаллизации количества стекла х в-общей массе его О ) и энергия активации кристаллизации к —

( где. ) - частота термических колебаний атомов, равная~10^с. и qc-W - отерический фактор >.

Показано, что граф"ки ^к от /Д* состоят из двух п^чмс-ляиейних учг'"-тков. Из низкотемпературного участка определена энергия активации зародышеобразованяя ь селене (-■ 73,69 ), а из высокотемпературно»! части - энергия, актялации ^оста. кристаллов, которая оказалась для селена^ 43,54 (п.6.1,1). Эти значения для энергии активации кристаллизации хорошо согласуйся с рентгенографическими данными. Наиболее эффективное . образование зародышей в аморфном селене происходит прч 383 + 1 + 403 К, а рост кристаллов - при 453 -4- 483 К.

Изменения Л и 6-аморфного селена с термообработкой■ анализ?' опались таете с точки зрения полямериогс.строения селена и вычислялись параметры формулы Р=* ехр^-кУ] (где Т- время термообработки, К - постоянная скорости крастгшж-запии, зависящая от температуры,п - параметр, характеризующий образование зародшей я механизм роста кристаллов), характеризующие кинетику кристаллизации nojb.jepoB,

Установлен механизм действия.примесей на кинетику кристаллизация* селена; найдено, что примеси, £to;.iu коте ых образуют, с атомами селена или кислорода более прочные связи, чем пвяэи Se-Se илл Se-Qt замедляют процесс зародышеобра-зования в аморфном селене (так как обрив цепей затруднен ), а примеси, образующие более слабые евдзя, ускоряют его. С уп-' рочненаем связей в цепях тепловая анергия и, соответственно, температура, приводящая.к обрыву цеией, будут смещаться в сторону высоких температур. '

Характер действия различных примесей на процесс кристаллизации селена зависит тг *tse от концентрации примесей. Кинетика.кристаллизации Se , систем Se-Te, "Э + Se изучена такяе под давлением до 1,2 ТЛа, методом измерения скороот• распространения ультразвука а к оффйца&ьт/4 с«йте.лостг

- -

Процесс кряоталлизацла иод даялейлегл в системе бе-Те при определелинх значениях теапературы Я) х давленая (?) харак-геоазуетоя .гасокой скорость» 'зародажзобразованяя и .-наличием нитровала вгчмешс, л котором наблюдается ляоь рост аародазей (п. о.2). '

Механизм росг-а не вавлсит от концентраций теллура до 20 масс.д. (Т=405 К, ?-=£),4 ГПа) . Яри относительно низких значениях Т и Р механизм тоста меняется.. Локазатегг. л, характеризующий рос-? 1.ристаллоь, увеличивав., ¿я с иовы знием концентрации теллура и увеличением температуры кристаллизации.

Так, для образцов 5е85Те5 п = 1,0 яря Т = 383 К, Р = С,2 ГПа лП = 2,0 при Т=403 К* Р=С,4 ГПа. При Т^-103 К давление замедлиет крясгеллизацдо ь системе Зе-Те , уменьшая гибкость цепочек.

При болвысоких значениях температуры к тех значениях явления, при которых процесс кристаллизации начинается, давление ускоряет ход процесса.

Показана применимость топоккнетичсского уравнения Авраа-' ми Колмогорова прессу окислорахявания обескислороженного . . салена I'. установлено, что оптимальное окислораадзаняа селена происходит при ~483 К ( п. 6.1.2).

Введение 0,3 масс,д. 5е а полиэтилен способствует улучшение зго тзрмооккс./штелмгмх свойств, т.е. -элизтйлзй + 0,3 уасс.д.

5е устойчив до 643 К. ■

Далее приводятся результаты по исолег занио .свобедао-чадйкалькчх состо}. лй и сгруктурао-хилическлх превращений з ПЭ с добавка:« селена, ¿озникагож под действием ^- облучения и сильного электческотс ноля, с ттримененизг.. летсдоз ЭПР и 'А$ спектроскопия ( п.и. 3.3; 6.4).

Методом ЭПР установлено, что при воздействии^"-- лучей & электрического поля на ПЗ возникают свободные рададалы путем дяоеоцвацгй химических связей.. 1 .-а этом гаэиежоотл' коаиентра-•цаа- свободных радикалов з ЛЭ от.-содержания введение" добавка-оездна .«оси? экотреиальккК харг. .-ер', причем при 0,3 масс.д. ола проходят ч^рег мкяэдгу.. .¿оказано-, что при вроденя*. селена, в Г.з, с одко.^ «тором», лроьсходат 'умонт-шекЕв концентрацеи ал-кши-Нах радикалов, а с другой ~ исчезновение дуб^етн' "• линии 'догл'-чекя-т, т.е. ол про.,-пляс? сгр <ш г -зрапикрлыше ояоЗсгза.'

В результате отмеченных двух факторов происходит зааеддзняе деструктивных окислительных процессе-}, что пр.....одит к улучшению С .зако-мзханрческик и эксплуатационных г.вЫетг; По.

Сопоставление изменений прочностных свойств с изкзнеикем молекулярной массы показало, что молекулярная масса ГГЭ также экстремально изменяется в зависимости от содержания селена - она проходят через макси.чу;,; при 0,3 . что коррелирует с

экстрема..-ныг'й изменениями прочностных свойств,'а такие .концентрацией карбонильных групп к свободных радикалов.

Резу;-. :аты изучения йн-спектров показывают, что после воздействия электрического поля регистрируется конечные стабильные группы. После введения 0,3 масс.д. происхо;. т замедление в накоплении этих продуктов.

В ззктйченйя приводится краткое резюме,' где результаты ой Зщаотся для всех исследований полимерных полупроводников а диэлектриков.

оше швс;з

.'. Впервые экспериментально доказано экстремальное поведение многих свойств линейных полимерных полупроводников' и диэлектриков в зависимое ■•. от содержания примесей и добавок, что объясняется особенности,ш донорно-акцепторного взашодей- ' ствая введенных в полимеры атомов добавок между собой и с ато-маш матрицы. Определены оптимальные содержания примесей а добавок а условия, яри которых максимально улучшается эксплуатационные характ растакп изделий на их основе, что асклк. .атьдьио ваяно с точки зрения практики.

2. Установлено, что рассмотренные полимеры в кристалла1 с-ком состоянии обладают дырочкой, в аморфном ( с небольшой долей кристалличности) и ладком состотниях - собственной проводимостью. Вследствие сохранения молекулярной а надмолекулярной структуры в. различных'.'агрегатных состояниях,, структура энергетического спектра носителей заряда также сохраняется, проводимость в кристаллическом состояний' осуществляй тся перескоками», однако при плавлении лтоие: - дит сильное размытие границ зон, механизм проводимости подчиняется модели .'Лот 1-Коэна для неу-. порядоченных систем.

3. Выявлена решающая „ ль акцеп- >ршх и доне аа примесей

в формирования типа: проводимости, значении концентрации и подвижности носителей тока в полимерных полупроводника* и диэлектриках, найдены условия целенаправленного изменения путем изменения объемной доли кристаллической фазы и содержания примесей. Б тстност. . показано, чтс р - проводимость кристаллического селена обусловлена акцепторными примесями кислорода. Ослабление, действия примесей в жидком состояли; по сравнению с кристаллическим вызвано размытием границ зон и.ростом степени локализации электронов л размытых краях, -ледсгвие ч^ личного разупо-рядочения структуры из-за ослабления сил взаимодействия мекду макромолекулами.

4. Обнаружено скачкообразное увеличение теплопроводности полимерных полупроводников и диэлектриков при переходе из стекловидного состояния в высс..оэластичное, исчезшэдее после термообработки при определенной температуре или электронном облучении, ¡..жшазм переноса тепловой энергия в аморфных р крясгаллачгскдх полимерных с истоках на основе селена и полиэтилена не отличается от механизма переноса тплла в обычных кристаллических и "' :орфных структурах - теплопроводность до температуря стеклования растет по 'линейному закону, свяде- ' тельсгвуя о доминирующей роля процесса неупругого рассеяния,

а скачок объясняется появлением вра'цателышх колебаньЛ в отдельных. частях длишюцепочечных молекул,

5. Из фактов увеличения.механической и электрической прочностей, молекулярной массы полиэхнлеиа и резиновых смесей, повышения их стойкости к воздействию различных внешних факторов ( /1- обучение, электрпческое поло и разряды, механическая нагрузка и т.д.), уменьшения .концентрами свободных ради- . калов, карбонильных групп, стру ?урно-чувствктельного параметра, постоянства тех же парт четров при ориентационной вытяжке, а также исчезновения характерного излома в зависимости . долговечности от.разрывного напряжения при одновременном воздействии электрических разрядов, привведеняи добавок селена, установлен механизм действия егт как антиокскданта и фактора, стабилизирующего структуру "олимеров,

.6, йз исследований края полосы собственного поглощения, кривая спектрального распределения фоточувотвительности, ЙК-спектроэ поглощения, влияния на них различиях примесей £ дио-

персноста авс-иешшх доСциок устл.оашю, нм иабдадаеике каяа-ни хорошо объясняются наличием даго и цснп »гт^.лах изученных аолучроводияков а ддглектраков оЛхаею.': е-'уцс:,<|дснеа:ш:л (; талличесяле) л нь-упорядочеины..: (аиор-рше) шсполоденксм агояоц.

'?. 'Лаблэденные впервые яаленал икадалькоЙ фотопроводимости в интервале длин волн 0,о5 0,Ь5 мк:л ваоЗу «дающего света при 77 к, отрицательная 4отойрпводи:госгъ п отсяздтзльная остаточная ••; топроводимость. в сл.шьх электрических полях в области нелинейности валоГ&лае'риоИ характеркотика, а также ах ?;;вася-\5ссть ст г -аератури, дины волны Л-света, приложенного напряжения и т.д. удовлетворительно обадсня-отся применением к полимерным полупроводника,! а диэлектрикам на основе -ляена я полиэтилена представлений, развитых для частачиокрастшишчеоквх систем.

15. Установлены и е хан и мы «рзютэлздэашш селена и састе-

-Тё , а такие действия прамёоей а давленая' ( "> ~1,о ГПа) на- а» кристаллизации. Лримзсн, ада которых, образует более аоочние- связи с атомэш матрацы, чем она сама мееду собой, ^а-кедля процесс зародашеобразования, а примем, образуете более слабые связи, наоборот, ускоряют его.

Ира Т6403 Д да.чле- ¡е замедляет кристаллизация в системе Яе-Тё' уиешлиа: гибкое:-ь цепочек. При более высоких значениях давления, при, которых процесс кристаллизации начинается, давление ускорчет ход процесса.

9. Лсказана применимость тоясканетяческого уравнения Авра-амл-йэлмогорс .а к процессу окаслора«аЕаьия о<Ззскасло4.лкейаогс селана а установлено, что опт:-.!а.п-ьноа окаслораяааание его проао-хс 1Т при 483 Д.

10. На основе изученая канетики кристаллизации, Зязяко-механлческах, элзптрс^лзачзск, -:, оптических свойств линейных полимерных п с лу а р о водн ико а г диэлзктраков на со' ва селена и полиэтилена разработг'.'ч рекомендации для' целенаправленного изменения их структуры и свойств, л, следовательно, характеристик изделий.

Основные результаты дасеертациа оцублакс аны в следующих работах:

I. Мехтаева О.И., Алаев Г.:..., Абдано: Д.Ш. С нон . свойствах селена высокой частоты. - Из? АН Азерб.ССР сер. ОТ.и Ш,

"i - ¿3 -

. I3S6, !i I, 77-83; 1964, :Í4; I0I-IG7.

2. Мехтирла O.K., Алиев T-.M, О' влиянии 'jpavir 'вй кадмия на. ! электрические. свойства селзва. - Йзв, АН Агерб.ССР.сер.СТ и

,, МН, I9o5, а 2, 83-86, . '

3. Абд/ллаев Г.Б., Алиев Г.'',, Мехтиева О,И., Абдинов Д.Ш. iff eat су ûxygeti O/i Some Ctéchicat P&op&zties о/Se te-

. nUim. - pj,ys. Slat, ¿o?., 1965, II, 691-897. . ;

4. -Алиев Г,','.', ilexsaesa G.I!., Абдшюв Д.Ш, Селен как полимерный полупроводник л механизм его трбВодимусти, - -дАН ЗР, 1986, КГ >■! 4, 782-784. '"'.';

Ь. 'АСдуллаоЕ Г.Б Алиев Т.П., Мсхтизва G.'A., Абдинов Д.Ш. Теплопро дкость ехар^ного салена в области размягчения.-Бисоком, осед./ISoSí Ь 10, 8, I6S5-Ï668.

5. Алиев Г.М., üexM.eaa С.И., Абдянов Д.Ш, Электрические свойства -гадкого селена - Зисокохол. ее д. 1366,' & 9,8; 1659-

■■.-1660. ' \ ;; '._„• 7. Абдинов Д...... ¡Лёкглева О.И.> Аляез Г.М. О механизме действия

примесей на электропроводность селена, .---К, физ.хим.,1956, ; . .. ^.1-0,40,2578-2580, ' - ;

' 8. MJutfatr С-.З.S.J., 'Же,?.Л,■MbvM.Jftdt-.

поу &Sh; Mencken . oiSa^um • Meutes ам/.Ол</-gen in Sederiium: - 'W¡/s. SiJ. .Soíf 1966, 18, К 153-156.

9- JêJuttae.* G.B., M^Aà-efa '¿¡J, Mc/tnoir Z>: Л.

■¿ïort ej. ■ -LAs 'Oxype/f Conierf. tb Se/ew'atn - Pfys. S'iat. Sot, 1366, К II3-II6..

loi е.^'Лкбкегя ¿J., Jédrtcv JO- SA/Мы &Л

Jmapbeus Seàvia/h TAti/nat Gwctuci iiy Sifuc/y ¿tt ?ejto/7 - Pby¿. 19*6, të 3,23,215-216.

11. Абдяаов Д,Ш., Ыехтиева <J.í1,, Алиев Г.М. Роль'химической сшзи в некоторых физических свойствах селена. - Сб. "Хим ,.

. связь а п/п-ках я термодинамике, Минск,1966, 164-173. .

12. Айцуллаев V.B'., Алйеа Г.М. -, "'ехтиева. С.И., Абдино Д.Ш. éjject • oj^JahiL-Svm-: Some ?/i#siçe.£ fíxpet¿£e&..*J.

. Pfy: $Ы So?., I96C ;I3, К 109-113,

13. Jí(la¿hty 6.B., jfcxkùra. S,l, MdCflev ЯЩМп'КМ ' Thetm'tJ ; fencta.c-¿iv¿-¿y oj Sefanium. -

1 ■ _ -

; SiaiySoti i960,13, 315-323.- '

14. Мехтиева О.Й., Абдянов Алией Г.M. О механизме дейст-, вия прклесей на теплопроводность, плотность и мякротвер-

■ . дость селена г-Кеорг. матер., 196?, 3, й 6, III0-IIII.

15. Абдуллаев Г.Б., Мехтиева G.K. , Абдкнов Î.iii. О яроисхозде-! ■ пил дырочной г "оводимостй селена - Ф'ГП, 1267, т.1, .'¿4,

. ; ! 5X9-521. . .'

16. Мехтие С.И., Абдинов Д-.Ш., .Алиев Злкт. о кристаллизации и примеср-'i кислорода на спектральное расареде шао фо-

» точувствктельноСти селена, - <ЯГ "S67, т.1, .1 12, IS37-I339.

17. Абдуллаев Г.Б., Алиев Г.М., Абданов д.Ш,, н'ехтпева С.И. Влияние степени кристалличности я примесей кислорода на тип

; проводимости стеклообразного селена. - Тезисы докл. Г/ . •■! Всесоазя. симпозиума- по стеююзздкым полупроводникам,

• Ленинград, апрель-май, 1937,

18. Абдуллазв Г.Б., Алиев Г.М, г .Мехтйсва С.Й. , АСданов. Д.И.

' ■ Управление температурой стеклования и. физическими пар&мет-! рами аморфного селена в области.размягчения изменением структуры и связи мезеду.молекулами. - Тезиси докл. .1У Всесоозц. симпоз,' .по .отехдОвидашм полупроводн^ам.' -Ленинград, апрель-май, 196?,

19. Абдуллаев Г.Б., Алаев Г. ¿Л., Мехтиева С.И., Абдлкоз Д.Ш. Спектр инфракрасного- логлощения стеклообразного селена.с

• различный содержанием 'пригласи -.каслор -;а. % -Тезисы докл. Всессюз. симпоз. "по стекл-к/п-кам. Ленинград, аарель-май,

, 1967..

20. Мехтаеза С,И., .Абдкков Д.Ш,, Алаэв Г.М» Кинетика кркстал- , . лизации селена. - ЖФХ, Î9S8, 42, №1, 243-24?.'

Абдуллаев Г.Б.-, Алиев Г.М., Айдинов Д.Ш., Мехтиева С.И., . ; Джалилой.Н.З. Теплопроводность селена - 1езисы докл. Ш • ! 'Зсеооозн, теПлофязич.конф. по/св-вам веществ при высоких ' температурах; -.Баку, 1953, ' . ■ .

Мзхтиева С.И;, АцДинов Д.Ш., Алиев Г.М,. Изучение.кайетякя кристаллизация селена, методом намерения теплопровод зйтя и электрог■■ов'одйОСтл - Йеорг, матер, 1953,42,31°. . .

23, Мехтиева С.И;, Абдиноз Д;Ш.-, Аливн Г.М.' Кинетика кристалля-заций селена. .-.ДФХ-, 1969, 42, J» Ii 243-245,...

24. Мамодалиева Г,Г. .' Мехтйава С.И., АЗдинсв Д.И., Алаой Г.М, •

Алрактер проводимости av.jp!него селена в стекловидном, «¿сокопластичном и шзко-тькучем состоятиях. - ДаН СССР, 196Э, т.13''., $ 3, '1354-1353. 25. ":!хтйева'".й., -Абванов Д. 11'.», 'Алиев Г.М. Влияние термообработки и натри,-, на электропроводность аио;>|«ого селена. - ^изич. основа электро^ото^пафай, Вильнюс,1939, 7-10.

28. Мехтяева С,И. , Абдйяов Д.Ш., Алиев Г.М,. Кян-тика окисления селэнн. - Неор'г. катер. 5, №0, .522-1525. 37. Мехтпва С.И., Алиев Г.М., Абданов Д.Ш., Керимова Т.Г. Оптаче'.хие свойстьа аморфного селена - Спектроскопия тпер-. дого isr.1t 19оЭ, сб. 17, 3-6. ЯЗ. Мехтневэ С.И., Абданоп Д.12. Зависимость электропроводности -д.мор|'ного селена от предыстории - Физич. основы злектро-<^отогра.}г , Вг.льнасДЭеЭ, 3-6. 2У. '"елтяева С.И., Лбдакоз Д.Ш., Алиев Г.М. О происхождении' дарочпой проводимости селена. ДАН СССР. 1570, М, т.194, 793-800.' •

30. Мехтиева С.Л., Лсдинов Д.Ш., Алиев Г.М. О температуре

ст '.ловннил аморфного селена. - Высоком, соед. 1970, И, 1631-1633.

31. Абдуллаев Г.Б.. Алаев I'.:.!., -йеххаева С.И.', АСдиног Д.Ш.,

У.Г. Влияние примесей на .электропроводность 'жидкого солена, - Тезисы докл-. всесорзн. конф. по явлениям переноса в электронных рг.сплавах, Денак. рад, 1971.' Абдинор Д.Ш., Наказов В,Р., ¡Лехтчева С.И. Электрические свойства жидкой *оасхемы 5е -3 • - Тезис- докл. всесспзн. конф. по переноса в эл иронннх расплавах. Ленинград,

1971.

3.°. Алиев Г.М., Мехтяева С.И., Абданов Д.Ш., Джалялов Н.З. Влияние электронного облучег-ч на некоторые физические свойства .аморфного и моноярлсталличэсчого селена. - Сб. "Фиэич. основы ионно-лучевс легирования, г,Горький,1972, 0.234.

34. Абданов ДД1., ■ ¡'".ехтиеьэ С.И., Ахундова Э.Г. .Намазов З.Р. Влияние прямее^ на олекгропроводность жидкого селена. -ЗФХ., л973, т.47, 1*6, 1471-1473.

35. Ьамазоь В.Р. , ¿¡спаи, в СчЯ., Уехтаена С.1!., Абдянов Д.1:1, Состав - ?лекггричезкие' свойства кпд;'систем $е-Те •

- 31 -

Л.физ.ха.м. il 1, 5S-58.

Jo. ¡»ыазов ¡J.P., Абцаноь Д.И., {.'.exr/.c-.t C.il ¿.ы-л-рачеснао! • -юйства. чшдвсй састемл сел^н-сана. ji.фаз.хим. ,1973, т.47, d Ч

37. Исаев A..I., Гусейноа Т.Л., Уехтяева С.И., АОданоз Д.Ш. .'Эчектроннне явления а монокристаллах гексагонального селе-из, сбусловлешше разунорягоченноотья структуры. - Труды Всес :ози, кон];, но физике о/'ы-ов, Баку, ГЭ83.

Зо. Абданоа Д.ш., Алиев Г..'.!., ,.!ехти<;ва С.И., Алдова С.'., Алаез .Д. 0 теплопроводности Селена. - Со, "Фагическае свойства селеца и селеноанх приборов, Саку,1'Э?4,о5-83. Мехтиеаа С.И., Абапнов Д.Ш., Керааова Т.Г.Сп. лескае я фотоэлектрические свойства селена. - Об. "Филнч.св-ва селена а селеновых приборов", Баку, 1974. 83-85.

40 Абдуллаев Г.Б., Алаев Г.М. Мехтаеиа С.И., Абдинов Д.Ш. Электрические свойства селена. - Сб. "1-азач.св- а селена а Сеченовых приборов". Баку, 1974, 85-107,

4«.. Абданоа Д.Ш., Мехткева С.И.-, .'Ламедадяева Г.Г. Теплоемка .гь аморфных полимеров, - Сб. ;-изач. св-ва селэна а селеновых приборов, Баку, 1974, äI-65.

42. Намазов З.Р., Абданс Д.ш», Мехтзева С.И. Электрические свойства жидких растворов на основе селена.-Сб. Исследование по физике полупр., Баку.,Г374., i-i-20.

43. АОдуллаев Г.Б., ¡Лехтаова С.Й, , Асланов Д.Ш. Исследование селена, - Лзв, АЛ Аз.ССР, с. Ф'Г 11h 19.74, Ji5, 3-11.

44. :Лехтиеьа ..К., Лйданоа Д.'Д. Некоторые электричестве а фотоэлектрические свойства слоев аморфного селэна. - Тезисы докл. Европейской конференции по (|отоэлектреткам а элек-*-рсфотографаческам явлениям, Варна, 1974.

45. Абданоа Д.ш., Йсазв А.И., '"ехтаева С.И. Токи, ограниченные объешмед. зарядами в аморфной селене с п гмесью Js а бе . ДАН Лз.СОР.Г^о, г.31. li:\ 19-23. ■

46. Исаев А.П., Абданоа Д.Ш., Лехта&ш С.И. О характере распределения локальных - уровней в запрещенной зсне аморфного седана. Изв. Aii Азерб.ССР, 1376, $ 4, 1Г.0-П4.

47. Абдуллаев Г.Б,, Алекперов А.И., Абасов ^.А., Цехтиева С.Й., .'Ламедов Ш.В., Исдойаов ".М. ibi .-¡из селе-а, введенного прямым химическим саосоиом, на ?,>еланаческив свойства поли-

... . - 32 -

этиленовых.планок. ДАН Аз ер б.ССР,1973, 32, II, 16-19.

48. Абасов С.А., Мамадов И.В., Мехтиава О. И;. Исмаидов И.М., ; Юснфяв Э.Ю. йлиянае дебаэок селена на ffií-сяектр полиэтилена

.. Ш АъерЬ.ССР, 19?о,' 32, Йэ, I2-I?. ' '.":'.

49. Абдуллаев Г.Б.у Абасов С,А., Мехтяева С,И., Мамедов Ш.В., Юспфоа ,З.Ю. Исследование дивяйэд^глтрильнсго каучука с малыми

• добавшли. селена методами УЯ? и 'ЛК спектроскопии. - Мат. недад. сессия по SÜP Ин-та физика АН ГССР, 19?7, Тбилиси,' §0. Абдулшзв Г.Б. f Исмаялов' T.F , Абасов С,Д.', -Uexn :<щ С.И,, Ау эдор К.Р,, Кябулов У.А,, Рахимов: Я.Г.,'Ахмедов Г.Г. . Исследование ^чэдко-мехшшчерках• свойств селеновой резины на ocho- дивияклнатрйльнйго каучука, - ДАН Азерб.ССР 1978, . Т.34, & 4, 32-3S. ;

51. Измайлов :■!.[.!. , Абасол С.А., Мехтиеба С.И. Исследование'из-

элекярпчзе.кой .прочности, пс: лзтилена с добавками селена и серы после', электрического" .старения, - Тезис докл. всессвзн. научи, конф, Чизика диэлектриков и новые области . 'их применения",.' Караганда,'. июнь ,1978.- ■ • ■

52. Абасов С.А., i/ехтаера- С.vi,, Ахмедов К.Р,Рагщоа й.Р.,

• йсмаилоз -.Д.М, Исследование' алщшшг' селе..а на электрическую я механическую яречнооть полимерных материалов (резина и .; . пслаэтялекУ и процесс их элеОрнчесВД:у а термического старели.!. - Изв. АН Аг.ССР, e.áfflW, 1976, ¡i 4, I07-IX3.

53. АедуллааиТ.Б., Мзхтиала.С.И., Ксмаилов Абасов С.А. ,-' '.'Алекперов 5 ¿'А. .Исследование-■ влияния.селеда".на цвханическув

и ■электрическую прочность подиеталгна, Изв. АН Аз.ССР,1Э7В, : ' й I, 8—II. .'.; ■ ' .'..'';.'

54. Абасов С.А.; Алат.у лиев' Р.М-., ¡ЛеХтиава С.'Л.. Алиев Г.М.,

. Хктеева Д.Г-^'жов И.Г. Исследование влияния"тонкйдяс-. яераого кварцегого. наполнителя на'долг0'рлчность яояиэт-идв-на высокой плотности,' - ДАЛ Aa.lXP,IS?ü,s.35, »7, 40-46.

55. 'Абасоа С,А,, МачеДов ;Мехтиева С.И. , Ахмедов Г.Г., Еагимов.Я.Г,: 0..влиянии добавок селена и теллура на спектра ЭДН и Ж поглощений каучука G.-H-40, - Изв. 'АН Аз.ССР, с. СТ.Л-, 1260, Л <i, GG-39. ■ "'■ . ' '-.;'

56. Аба; в 'С-Д.\ 'йех^ева 'С.И., Двалалов.Ц.З,,' Гасвнов Й.Т., Э.Дхалал казн. Те.\шерату рно-еяловая зависимость долговечности монокристаллов гексагонального селена, ДАН Азерб ССР "481, т.З?, №. 5, 24-27

57. Абдуллаев Г.Б,,' Абасов O.A., Мехтиева С.И,, Алекперов A.A.,

Рагямов-Я.Г., Исмаилов И*М. Ллияние селена, на кинетику ■•• электрического разрушения полиэтилена - -ДЛИ Лзерб.ССР 1981,

: т.32, >6 9, 47-53. 68. Мехтиева С.И.» Гадшев М.ф., Сулснмапов 8.И., Гадшев Т.Г. Исследование п" 'иессов стеКлопапия и кристалпизлпии в системе ie-Te методом ДТА. - Йзи. АН Азерб.ССР,1982, №3, 75-77. .■"■'.

59. Исаев А.И., Р'сейнов Т.Н.,''Мехтиева С,'-".■'Отр.ипате/. ние -фотоэффекта в монокристаллах селена. • Тезисы докл. II республ.

• конф. по фотоэлекгр."явлениям, Одесса, 1082.

60. Абдуллаев Г.Б., Исмаилов И.,М., Adar . C.Ä., Рагимов Я.Г., i Мехтиева С.Й., Алекперов В,А. Влияние добавки селена на

' долговечность полиэтилена. - Уехапада композитных материа-■лов,' 1982, Ш0-П12, ,

61. Абасоо С.А-, Йсмаалов K.M., .Мехтиева С.И., Алекперов'В-.А,, ;; Рагимов Я,Г. Влияние добавки на разрушающее напряжение

■ при растятсеииа -ПЗЦД. - Пласт.масои, -1983, Л I, 51» .

62. Исаев А.И.,. Гусейнов 'ТА , -Абдиаов Д.Ш.., Мехтиеэа О.И. Фотопроводимость монокристалла гексагонального селена при

• сильннх электрических;полях. йза. АН 'Аз.ерб..ССР, з. ФИН, л' 2,'■ 55-09.; ' : ; ; ; ;

63. Jl.J.-, Gu$eitiov ТЖ, Jl/exfjh tVQ S.O., Malin о V Sit. Ле :ъйгс 'PböioconsSucitrify Se, pia/n Soigfr Otyf-

■■■ ' ■ lots - 'PAys. Seal. Süfi;' I984,(a)' 82, К 87-B9. .

6J. Мехтиева С,И., ГздяЯев M,Гадайёв Т.Г. Кинетика крис-

таялиадияй в Ss^Te, и - Se^Jte', - препринт № 1404-83

60 "/О iO So ,

■¡5 ДСП,1932. . . ■

65,' Гадкие М.Ф.; Мехтиева С;П., Гад^лег Т,Г. "корость УЗ Ьоли 'й сжимаемость в-. "нзкризтайяачвеяах образцах систёмы Sc "Те

- Изв. АН. Аз ер б, ССР. с. ФТШ, .I9Ü5, 4; 68. •

66, Абасов С.А., Мехг 'вЕа С.И,, .Гадчиез -ИЛ.; Гадмев Т.Г. Скорость продольных ультразвуковых волн и сжимаемость в полиэтилене с добаь„.ами селена. •- Тез аса доНя; койф. "Проб: • лемы {¡«зика прочности и пластичности .полимерс- Душанбе ■,

'. ноябрь,1985, ' ■'.'■

67, Гаджяез М.Ф., Мехтиева С.И. t Гадаяев Т.Г. КристалтазашШ '■'' 1. под давлением в системе6'е-Те • - препр. 'Й 7752-3 85,Баку,

; -985. ' ■

G8. Исава Л.И., Хусейнов Т.М., Меххиевг С.И., Абдииов Д.Ш. Электрические и фотоэлектрические свойства, гетеропереходов n-frSv- р',Изв. АН Азерб.ССР, сер. $Г.Ш,1985, »2, /¿-10. . . •

69.' Абасов '".А.М(!хтиезо С.Л., Гацказп М.Ф., Гадкиев Т.Г.

. Скорость щюлс-.|'ьнкх ультразвуковых золи и сжимаемость в яолаэтилене о добавками селзна. препр. № 7751 - 3 85, Баку,1905. ,

70. Гададев М.Ф., Мехтвзва O.K., .щжаев Т.". Спектральная ¡{сточ.увсгвггелькость в некристаллических SegoTef0 и Se9rТе3 пре ip. Ü I69-S8S, БакуДуйь.

71. Гаджиев М.Ф., Мзхтиева С.И., Гаджлев Т.Г. Фазовые перехода a Se-Tt под даатснвры до 1,5 ГПа. - Тезисы докл. XI научного ce.-'.miapa "Вдялнио высоких давлений на вещество". Одесса,I95S,

.2. Акберов l.I'w , Мехтиева С.И., Талиба М.А. Пьезоэлектрически;1. эффект ь многослойной с руктуре на евиове селена. Изв. АН Азерб.ССР, сер. ."¡МП, 1966, № 3, 07-90.

Получен« авторские свидетельства СССР.

1. АС, уллаез Г.Б., Псмаилов Т.К., Абасов С. А., Ахмедов Г.Г., Мехтие.эа С.И., Ахмедов K.P., Паиаев Т.Д. Резиновая смесь на основе бутадиен-натряльного каучука " с. гё 529186 от 28 М'Я 1976 г.

2. Абдуллаев Г.Б., Ахмедов Г.Г., Султанов р,А., Абасов С.А., Султанова ¡»1.Ш, ¡Лехтиева С.И., Бабаев'Р.Х. Резиновая смесь на основе хлоропренового каучука, A.c. й 689248 от 20 июня

. 1Э7у Г.

3. Абдуллаев Г.Б., йсааилов Т.К., Абасов С.А., Мехтиеза С.И., Ахмедов Г.Г., Ис.маилов Й.М., Маме до в М.М., Алекперов В. А., Ратинов Я.Г. Композаавд. на основе полиэтилена. A.c.

. № 730736 от 7 января- 1980 г,

4. Дхалилов К.З., Мехтиева С.И., Акберов Г.К. Гасг'ов Н.Т., Взлаев М.Н. Полупроводников ; тензодатчак. A.c. !Ь 3795828 от 2'й февраля 1986

5. Дкалалов U.S., й'ехтиева С.И., Акберов Г.К., Гасанов Н.Т, Зелчев м.И., Таятнгоа З.С. Способ определения времена жизня к^сателей тока в. полупроводниках А.<-. № 1235409 от I февраля J986 г. ' .