Структуро- и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЭВОЛЮЦИЯ МАТЕРИАЛОВЕДЧЕСКОГО И

АНАЛИТИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО БАЗИСА МИКРО-ИНАНОСИСТЕМ.

1.1.Системный подход к процессам микро- и нанотехнологии.

1.1.1. Классификация процессов микро- и нанотехнологии.

1.1.2.Эволюция принципов структурно-топологического кодирования.

1.1.3.Принцип селективности. Самоформирование.

1.1.4.Принцип матрицы - фундамент интегрированных междисциплинарных технологий.

1.1.5 .Структурообразование в условиях самоорганизации.

1.2.Неорганические и органические широкозонные материалы как материаловедческий базис микро- и наносистем.

1.2.1 .Композиция «карбид кремния - нитрид алюминия».

1.2.2.Биоорганические молекулы как базис сенсорных и информационных систем нового поколения.

1.3.Развитие аппаратурно-методического базиса технологии и диагностики микро- и наносистем.

1.3.1 .Технологическая база.

1.3.2.Контрольно-диагностическая база.

1.4.Вывод ы.

1.5.Постановка задачи диссертационной работы.

ГЛАВА 2. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ

АДАПТИВНОГО МАТРИЧНОГО СИНТЕЗА ВЕЩЕСТВ,

ОБЛАДАЮЩИХ ПОЛИМОРФИЗМОМ.

2.1 .Полиморфизм и политипизм. Основные понятия и теории.

2.1.1. Понятие «структура».

2.1.2. Методы описания структур.

2.1.3.Формальное упорядочение политипного множества.

2.1.4. Основные теории политипизма.

2.2.Ростовая репликационная устойчивость матрицы.

2.2.1 .Временной вероятностно-статистический подход.

2.2.2.Неравновесный термодинамический подход.

2.2.3 .Кинетический ростовой макроскопический подход.

2.3.Матричная репликация с инородного изоструктурного субстрата.

2.3.1. Аккомодация примесей как возможный источник структурной информации.

2.3.2.Изоструктурное копирование инородного субстрата при синтезе редких политипов.

2.4.Синтаксия и ростовая эволюция политипной фазовой границы.

2.4.1.Движение межфазной границы при синтаксии.

Двумерное зародышеобразование.

2.4.2.Движение межфазной границы при синтаксии. Слоисто-спиральный рост.

2.5.Управляемый синтез гетерополитипных композиций карбида кремния.

2.5.1 .Управляемая синтаксия политипов карбида кремния.

2.5.2.Элементарные технологические операции управления кристаллической структурой.

2.6.Выводы.

ГЛАВА 3. УПРАВЛЯЕМЫЙ СИНТЕЗ ГЕТЕРОЭПЙТАКСИАЛЬНЫХ КОМПОЗИЦИЙ В СИСТЕМЕ «КАРБИД КРЕМНИЯ -НИТРИД АЛЮМИНИЯ».

3.1.Моделирование процессов структурного и химического упорядочения в системе «SiC-AIN».

3.1.1. Модель химического упорядочения.

3.1.2. Модель структурного упорядочения.

3.1.3. Аналитическое рассмотрение однокомпонентного потока.

3.1.4. Аналитическое рассмотрение двухкомпонентного потока.

3.2. Экспериментальное изучение процессов структурного и химического упорядочения в системе «SiC-AIN».

3.2.1. Структурно-химическое упорядочение в системе «Si-С» при физическом распылении мишени.

3.2.2. Структурно-химическое упорядочение при ионно-химическом осаждении слоев в системах «Al+N2» и «Si+CH4».

3.3. Структурно-ориентационный изоморфизм в системе «SiC-AIN».

3.3.1. Моделирование границ сопряжения.

3.3.2. Экспериментальные исследования структурно-ориентационного ростового изоморфизма в системе «SiC-AIN».

3.3.3. Разработка алгоритмов управляемого получения редких политипов и гетерополитипных композиций в системе «SiC-AIN».

3.4.Вывод ы.

ГЛАВА 4. СТРУКТУРО- И ФОРМООБРАЗОВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ И ОРГАНИЧЕСКИХ НАНОСЛОЕВЫХ

ГЕТЕРОЭГШТАКСИАЛЬНЫХ КОМПОЗИЦИЙ АНАЛОГОВ ФОСФОЛИПИДОВ.

4.1.Синтез, кристаллизация и исследование свойств аналогов фосфолипидов.

4.1.1. Синтез аналогов фосфолипидов.

4.1.2. Идентификация синтезированных веществ.

4.1.3. Физико-химические свойства аналогов фосфолипидов.

4.1.4. Выращивание кристаллов аналогов фосфолипидов.

4.1.5.Исследование структуры и электрофизических свойств кристаллов и плёнок аналогов фосфолипидов.

4.2.Физико-технологические основы формирования органических нанослоевых композиций на основе метода Ленгмюра-Блоджетт.

4.2.1.Физико-химические основы классического метода Ленгмюра-Блоджетт.

4.2.2.Переходные слои в моно- и мультислоевых композициях амфифильных поверхностно-активных веществ.

4.3.Принцип матрицы в молекулярной монослойной эпитаксии из жидкой фазы ограниченно растворимых аналогов фосфолипидов. Модифицированная методика Ленгмюра-Блоджетт.

4.4.Вывод ы.

ГЛАВА 5. ТОПОЛОГИЧЕСКИ УПОРЯДОЧЕННОЕ

МИКРОФОРМООБРАЗОВАНИЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ И

НИТРИДА АЛЮМИНИЯ.

5.1.Принцип маски и матрицы в технологии локальноселективной эпитаксии SiC.

5.1.1 .Локальная эпитаксия карбида кремния при маскировании подложки.

5.1.2.Локальная репродукционная эпитаксия карбида кремния при маскировании.

5.1.3. Топохимическая избирательность в процессах роста SiC.

5.2.Жидкостное травление SiC и A1N.

5.2.1.Микропрофилирование SiC методом жидкостного травления.

5.2.2. Жидкостное химическое травление нитрида алюминия.

5.3.Реактивное ионно-плазменное травление SiC и A1N.

5.4.Микропрофилирование SiC электронно-лучевой и лазерной обработками.

5.4.1.Электронно-лучевое микропрофилирование карбида кремния.

5.4.2.Лазерное микропрофилирование карбида кремния.

5.5.Вывод ы.

ГЛАВА 6. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА МИКРОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ НА

ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ МАТЕРИАЛОВ

НЕОРГАНИЧЕСКОЙ И ОРГАНИЧЕСКОЙ ПРИРОДЫ.

6.1.Микросистемная техника. Направления и тенденции развития.

6.1.1. Микросистемная техника как критическое направление.

6.1.2. Исторические и социально-экономические аспекты возникновения и развития микросистемной техники.

6.1.3.Структура направления «микросистемная техника».

6.1.4.Материаловедческий и технологический базис микросистем.

6.1.5. Состояние работ в области микросистемной техники в

России.

6.2.Композиция «SiC -AIN» - базис элементной базы микросистем нового поколения.

6.2.1. Тензорезистивные и ёмкостные преобразователи на основе структур «объёмной» и «поверхностной» микромеханики.

6.2.2. Терморезистивные высокостабильные преобразователи на 446 основе карбида кремния.

6.2.3. Терморезистивные высокостабильные микронагреватели и тлтг 448 ИК-излучатели.

6.2.4.0птоэлектронные элементы на основе карбида кремния и нитрида алюминия. ^^

6.3.Первичные преобразователи на основе плёнок аналогов фосфолипидов.

6.4.Архитектура и принципы функционирования бионических микро- и наносистем.

6.5.Вывод ы.

Анализ современного состояния в области «критических» технологий и техники новых поколений позволяет сделать заключение о том, что одним из наиболее динамично развивающихся междисциплинарных научно-технических направлений является физика и технология микро- и наносистем. Данная область знаний служит базисом для новых прогрессивных технических решений в микро- и наноэлектронике, микросистемной технике [1] и биотехнологии [2].

В настоящее время в качестве доминирующих направлений исследований в этой области можно выделить:

• развитие материаловедческого базиса микро- и наносистем на основе естественных и искусственно создаваемых материалов неорганической и органической природы с пространственно-временным полиморфизмом, склонностью к самоорганизации и образованию сверхструктур, в том числе низкой размерности;

• развитие прогрессивных процессов атомно-молекулярной технологии и диагностики [3], адекватных решаемому уровню задач, через создание аппаратурно-методического обеспечения процессов: молекулярно-лучевой эпитаксии, молекулярного наслаивания и матричной сборки, самоорганизующегося синтеза, селективного и сверхлокального модифицирования полем и излучением, туннельной, атомно-силовой, ближнепольной оптической и электронно-зондовой микроскопии;

• создание микро- и наносистем (сенсоров, трансдьюсеров, процессоров, актюаторов) на основе искусственно синтезированных и природных неорганических и органических материалов и их композиций с электрическими, оптическими, магнитными, механическими, тепловыми и химическими связями для сверхминиатюрных сенсорных, исполнительных, энергетических устройств и машин, аналитико-технологических, медикобиологических и робототехнических систем нового поколения, включая системы для решения задач замещения или имитации некоторых сенсорно-моторных функций человека;

• обеспечение требуемого уровня подготовки высококвалифицированных кадров, адаптированных к современному физическо-химическому и информационному базисам, способных организовать научные исследования и учебный процесс с использованием прогрессивных технологий.

В рамках ранее перечисленных исследований в области физики и технологии микро- и наносистем на момент начала реализации данной диссертационной работы (середина 70-х годов) в качестве наиболее актуальных задач, представляющих научный и практический интерес и доступных для технической реализации, были выделены следующие:

• теория структурно-топологического кодирования при создании микро- и наносистем на основе веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний - полиморфных, политипных модификаций;

• практическая реализация процессов структуро- и формообразования при нанесении и удалении вещества в рамках широкого использования принципов: маски, матрицы и селективности;

• создание гетерослоевых и латерально упорядоченных микро- и нанокомпозиций на основе материалов неорганической и органической природы, обладающих полиморфизмом, для приборов микро- и наноэлектроники, элементной базы оптоэлектроники и микросистемной техники;

• создание аппаратурно-методического аналитико-технологического базиса, обеспечивающего управляемый синтез неорганических и органических микро-, нанокомпозиций и возможность получения информации об их структуре, составе, геометрии и некоторых электрофизических параметрах.

Исходя из имеющихся аппаратурного базиса и технологической культуры, в качестве основных материалов неорганической природы были выбраны широкозонный полупроводник - карбид кремния (SiC) и его изоструктурный аналог нитрид алюминия (A1N), обладающие кристаллохимической и гермомеханической совместимостями, а также сверхустойчивостью к воздействию высоких температур и радиации [4]. Выбор карбида кремния был, безусловно, определён и тем, что он является классическим неорганическим материалом в отношении существования множества структурноустойчивых состояний - одномерного полиморфизма (политипии) [5]. Фактически, карбид кремния - материал с естественной сверхпериодичностью кристаллической упаковки, то есть упорядоченный в виде слоистых сверхрешеток. На начальной стадии исследований данные о политипизме нитрида алюминия отсутствовали.

В качестве второй группы материалов были выбраны органические амфифильные вещества - аналоги фосфолипидов: низкомолекулярные -изобутилфосфоэтаноламин (ИФЭА) и изобутилфосфохолин (ИФХ), а также более длинноцепочечный гексадецилфосфохолин (ГФХ), в которых диглициридная часть природных фосфолипидов [6] замещена на изобутильный или гексадецильный остатки. Данный выбор был определён тем, что природные фосфолипиды являются основой оболочек биомембран, образуя разнообразные молекулярноупорядоченные бислойные или многослойные наносистемы. На период начала исследований отсутствовала информация о возможности получения ранее указанных искусственных аналогов фосфолипидов в виде монокристаллов и пленок, были неизвестны их физико-химические и электрофизические свойства. Прогнозировалось, что, как и абсолютное большинство биоорганических веществ [7,8], данные материалы в твердом упорядоченном состоянии должны являться диэлектриками.

Интегративным элементом для выбранной группы неорганических и органических материалов являлся углерод, который может образовывать, независимо от природы вещества, в синтезе которого он участвует, сходные структурные конфигурации при гибридизации связей на атомно-молекулярном уровне и, кроме того, в силу пространственного «энергетического конформизма» (конформационная изомерия), в условиях молекулярных комплексов поддерживать структурно-конформационную вариабельность, то есть полиморфизм. Более слабые связи, типичные для органических веществ, определяют их склонность к структурному многообразию, проявляющемуся, как и в объектах неорганической природы, в полиморфизме (политипизме) при близости свободных энергий образования модификации. В связи с ранее отмеченным, при постановке данной работы в качестве актуальной проблемы было также определено установление технологического и, возможно, функционального изоморфизма объектов различной физико-химической природы с целью активного использования некоторых аналогий при направленном синтезе микро- и наносистем. При этом, безусловно, учитывался и тот факт, что при изучении объектов неорганической и биоорганической природы трудно спрогнозировать проявление другого столь явного подобия в процессах синтеза, которое должно наблюдаться в условиях матричного копирования.

Настоящая диссертационная работа является составной частью научно-исследовательских работ, выполняющихся на кафедре «Микроэлектроники» и в центре «Микротехнологии и диагностики» Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета (ЛЭТИ). Тематика диссертационной работы соответствует принятым в 1996 году «Приоритетным направлениям фундаментальных исследований» (подразделы: физика конденсированного состояния, микроэлектроника и наноэлектроника как база развития информатики, свойства материалов в экстремальных условиях), «Перечню критических технологий федерального уровня» (подразделы: микросистемная техника и микросенсорика, материалы для микро- и наноэлектроники, технология молекулярного узнавания и клеточные мембраны), «Перечню технологий двойного назначения федерального уровня» (подразделы: Б.5.1.00 - материалы для электроники и микроэлектроники,

Б.2.7.00 - базовые технологии производства микро- и наноэлектроники, Б.4.6.00 - датчики и датчиковые системы и Б.7.5.00 - биоэлектронные материалы).

Отдельные этапы исследований, представленных в диссертационной работе, выполнялись на основании Решений ВПК №170 от 19.05.86, ГК №72 от 01.03.90, Постановления СМ СССР №547-114 от 28.04.88, а также в рамках Госзаказов 90 и 91, Федеральной целевой научно-технической программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям науки и техники гражданского назначения» (подпрограмма «Технологии, машины и производство будущего»), межвузовских научно-технических программ: «Научное приборостроение», «Человек в экстремальных условиях», «Приборы и устройства интегральной электроники», «Алмазоподобные композиции», «Датчики», плана работ Международного научно-технического центра (проект МНТЦ 204-95), Гранта ЮТА8 13-93.

Целью работы является разработка физико-технологических основ и научно обоснованных технических решений в области процессов структуро- и формообразования микро- и нанослоевых композиций широкозонных полупроводников и диэлектриков неорганической и органической природы, обладающих полиморфизмом, а также создание аппаратуры и методик для обеспечения исследований, образовательного процесса и организации мелкосерийного производства элементной базы микросистемной техники.

Научная новизна работы заключается в том, что в результате комплексных исследований процессов структуро- и формообразования ряда широкозонных материалов, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний, включая вещества неорганической природы (карбид кремния и нитрид алюминия) и органические соединения (низкомолекулярные аналоги фосфолипидов), с единых позиций, в рамках принципов матрицы и селективности, разработаны физико-технологические основы структурно-топологического кодирования при формировании микро- и наносистем, предложены и технически реализованы на вновь созданной и модернизированной аналитико-технологической базе научно обоснованные решения, используемые при изготовлении элементной базы микросистемной техники на основе традиционных и нетрадиционных перспективных полупроводниковых и диэлектрических материалов.

К наиболее оригинальным, существенным и впервые полученным научным результатам, представленным в диссертационной работе, относятся следующие:

1. Установлено, что структурные модификации веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний, могут возникать и существовать в процессе кристаллизации (нанесения) при изменении в широких пределах температурных условий синтеза, давления в реакционном объёме и состава кристаллизационной (материнской) среды, вследствие чего, при близости свободных энергий образования структурных модификаций, классический термодинамический подход не может быть положен в основу управления процессами их структурообразования, а возникновение определённого вида структурной упорядоченности следует рассматривать как процесс адаптивного матричного синтеза, т.е. через матричное копирование субстрата, в том числе инородного, или самоструктурирование в неравновесных условиях на матрице-субстрате с образованием нового структурного упорядочения.

2. Показано, что в условиях ростовых кинетических фазовых структурных превращений критическая избыточная энтропия . определяемая как произведение производства энтропии (—)] на время упорядочения Тф является Л эффективным параметром селекции кристаллических структур, характеризуя критическую степень разупорядочения матрицы при потере ее репликационной устойчивости, то есть энтропийный барьер, разделяющий отдельные структурно-устойчивые состояния.

3. Введен кинетический критерий временной устойчивости структуры. основанный на соотношении между необходимым и реализуемым временами упорядочения кристаллизационной среды в структуру с определенной протяженностью пространственной периодичности и обеспечивающий прогнозирование структурообразования веществ, обладающих множеством структурных состояний при близости свободных энергий их образования.

4. Сформулированы и реализованы на практике для системы «81С-АШ» принципы направленного синтеза политипных эпитаксиальных композиций, в виде слоевых и латерально упорядоченных гетероструктур, а также экспериментально показано, что для направленной смены политипных модификаций на стадии роста эффективно использовать в качестве управляющих воздействий:

• изменение скорости поступления кристаллизационной среды на поверхность субстрата, увеличение которой определяет переход к короткопериодным политипам;

• модификацию поверхности подложки путем ее локального или тотального ориентационно-чувствительного травления, обеспечивающего при дальнейшем росте воспроизведение политипа в зоне предварительной обработки, и (или) внесения на поверхность подложки тотально или локально инородных матриц-субстратов, стимулирующих устойчивый ростовой псевдоморфизм и зарождение изоструктурных матрице политипных модификаций.

5. Экспериментально показано, что на основе принципов матричного копирования и кинетической «временной» селекции структур с использованием эффектов скоростной, структурной и ориентационной избирательностей, а также примесного модифицирования поверхности подложки для неорганического материала - 81С, обладающего политипизмом, может быть реализован процесс управляемого ростового структурообразования и искусственно синтезировано семейство редких структурных модификаций -политипов карбида кремния: 2Н (вюрцит), 4Н, 211*., ЗС (сфалерит), а также слоевые и латерально упорядоченные гетерополитипные композиции: 4Н-6Н, 4H-21R, ЗС-6Н, ЗС-2Н.

6. Теоретически предсказано и экспериментально установлено, что неорганической системе «карбид кремния - нитрид алюминия» присущ обратимыйростовойструктурно-ориентационныйизоморфизм, обеспечивающий возможность синтеза редких метастабильных структурных модификаций карбида кремния и нитрида алюминия (от сфалерита до вюрцита) по принципу матрицы.

7. Разработана модель управления процессами структурного и химического упорядочения при низкотемпературном синтезе пленок карбида кремния и нитрида алюминия на собственной и инородных подложках ионно-химическим методом, в рамках которой теоретически и экспериментально показано, что при получении эпитаксиальных слоев бинарных соединений, с резко различающимися коэффициентами распыления основных компонентов, в условиях «нестехиометрического» состава потока вещества, поступающего на подложку, имеет место эффект стабилизации скорости роста и самостабилизации состава в некотором интервале температур, причем нижняя граница данного интервала определяет начало процесса структурного упорядочения, а верхняя - нарушение стехиометрии с сопутствующим данному процессу структурным разупорядочением, и, таким образом, доминирующим фактором управления процессом структурного и химического упорядочения является температура подложки, устанавливающая необходимое динамическое равновесие между процессами адсорбции и десорбции по более легко распыляемому компоненту.

8. Установлено, что при реактивном ионно-плазменном травлении SiC и A1N в плазме гексафторида серы (SF6) имеет место значительная дифференциация в скоростях удаления карбида кремния и нитрида алюминия, в то время как при травлении в трихлорфторэтане (C2CI3F3) она, практически, отсутствует, при этом для обоих материалов существенное значение имеют стадии ионной бомбардировки поверхности, приводящие в случае карбида фемния к ионному разупорядочению приповерхностного слоя с последующим зго эффективным удалением в SF6 в результате химических реакций, а в случае гравления A1N в хлорфторосодержащей среде ионная бомбардировка необходима также и для удаления с поверхности подложки слаболетучего 1родукта химического взаимодействия хлора с алюминием.

9. Предложены высокотемпературные маскирующие и модифицирующие докрытая для локальной эпитаксии и синхронного монокристаллического и поликристаллического комплиментарного роста карбида кремния, определены параметры процесса осаждения слоев методом сублимации, обеспечивающие структурную и топохимическую избирательности при росте на поверхности подложки с топологически упорядоченными покрытиями из нитрида алюминия и на основе углерода.

Ю.Установлено, что искусственно синтезированный аналог природного фосфолипида - изобутилфосфоэтаноламин, в котором осуществлено замещение циглициридной части на более низкомолекулярный изобутильный остаток, может быть получен в твердом кристаллическом (объёмные монокристаллы, толстые и тонкие плёнки), устойчивом на воздухе состоянии, при этом он

-а является широкозонным материалом с удельным сопротивлением р«10 Ом-см, имеет характерную для полупроводников температурную зависимость электропроводности и обладает на низких частотах аномально высоким значением диэлектрической проницаемости s«106, а другой аналог -гексадецилфосфохолин - в условиях нанослоёв показывает высокие значения критической напряжённости электрического поля (более 107В/см).

11 .Предсказан и экспериментально установлен эффект устойчивого ростового структурного псевдоморфизма в нанослоевой органической композиции на основе амфифильных веществ, проявляющийся в трансформации упаковки молекул в мультислоях ограниченно растворимого вещества - гексадецилфосфохолина в упаковку изоструктурную (в плоскости слоя) инородному субстрату, при использовании в качестве матрицы-субстрата нанесенных на базисную подложку мультислоев фактически нерастворимого в воде амфифильного вещества - стеариновой кислоты (Н81;) с дальним порядком в плоскости слоя и обеспечении комплиментарного взаимодействия поверхности модифицированной подложки и молекул наносимого монослоя за счет введения в субфазу, из которой осуществляется процесс жидкофазной монослойной эпитаксии, ионов двухвалентных металлов.

12.0бнаружен эффект нейтрализации активных по отношению к амфифильному веществу поверхностных центров подложки, проявляющийся в виде процесса самоструктурирования монослоя при его формировании на поверхности подложки в условиях воздействия на систему «субфаза-монослой-подложка» УФ-излучением.

13.Предложена для композиций биоорганических молекул архитектура базового набора компонентов, выполняющих на молекулярном уровне функции источников энергии и заряда, систем коммутации, задержки, инверсии, а также сенсорных и каталитических (усилительных) элементов, в основе функционирования которых лежат процессы комплиментарного взаимодействия (связывания) молекул через водородные связи и перенос заряда в молекулярном комплексе по схеме «донор-акцептор» при использовании в качестве системообразующего критерия принципа непрерывности системы сопряжённых ионно-водородных связей.

Практическая ценность работы заключается в разработке аппаратурно-методического базиса для реализации технологических и контрольно-диагностических операций, обеспечивающих управляемое структуро- и формообразование широкозонных материалов при создании элементной базы микросистемной техники на основе микро- и нанослоевых композиций неорганической и органической природы.

К наиболее оригинальным, существенным результатам, имеющим наибольшую практическую значимость, следует отнести: способы управляемого выращивания редких политипов карбида кремния: 2Н (вюрцит - наиболее широкозонный политип), ЗС (сфалерит -наиболее узкозонный политип), 4Н, 21R, на основе матричного копирования с инородного субстрата и кинетической (скоростной) ростовой селекции(Авторские свидетельства СССР: 687655, 1048860, 1398485, 1535081, 1552699, Патент ГДР 0154172); способы управляемого выращивания слоевых и латерально упорядоченных гетерополитипных композиций карбида кремния: 2Н-ЗС, ЗС-6Н, ЗС-4Н, 4Н-6Н, 4H-21R, на основе тотального или локального матричного копирования сенсибилизированного или модифицированного собственного субстрата и (или) пространственно-временной вариации плотности потока кристаллизационного вещества, поступающего на поверхность подложки (Авторское свидетельство СССР 928854, Патенты ГДР: 0154171, 200164/7, 200165/5,240917А1); способы локальной эпитаксии и латерально упорядоченного синхронно-комплиментарного роста монокристаллического и поликристаллического карбида кремния за счёт структурной и топохимической избирательностей осаждения слоев при использовании в качестве масок дифференциального действия углерода и нитрида алюминия (Авторские свидетельства СССР: 811892,1001706,1398485); способ ионно-химического осаждения карбида кремния и нитрида алюминия в единой камере по унифицированной технологической схеме, обеспечивающий низкотемпературную эпитаксию SiC и A1N на собственной и инородных подложках и получение структур «карбид кремния на изоляторе» (К2НИ) (положительное решение от 14.09.98 по заявке №98103183/25 на патент России); способ синтеза и кристаллизации низкомолекулярных аналогов природных фосфолипидов, являющихся основой биомембран, в которых циглициридная часть фосфолипидов замещена на изобутильный остаток (Авторское свидетельство СССР 1657508); способ молекулярной монослойной эпитаксии из жидкой фазы (по модифицированной технологии Ленгмюра-Блоджетт) органических ограниченно растворимых амфифильных веществ - аналогов фосфолипидов, в которых диглициридная часть замещена на гексадицильный остаток, отличающийся тем, что на поверхности среды (субфазы), из которой осуществляется осаждение, обеспечивается только ориентационное (вертикальное) упорядочение молекул наносимого вещества, а дальний порядок в плоскости монослоя формируется непосредственно на модифицированной подложке в результате воздействия на осаждаемый монослой потенциального поля искусственной матрицы, предварительно созданной на поверхности базовой подложки (положительное решение от 17.03.99 по заявке №98121893/25 на патент России); способ реактивного ВЧ ионно-плазменного травления карбида кремния и нитрида алюминия в единой технологической камере по унифицированной технологической схеме в фторхлорфторосодержащей реакционной среде, обеспечивающий технологически достаточные скорости травления карбида кремния и нитрида алюминия при возможности их эффективного и избирательного удаления в условиях композиции «81С-АШ»; микроприборы и базовые структуры на основе широкозонных материалов и их композиций (карбид кремния, нитрид алюминия, аналоги фосфолипидов), включая:

• монолитные карбидокремниевые гетерополитипные полицветные (синий- зелёный - жёлтый - оранжевый) инжекционные источники света (Авторские свидетельства СССР: 711951, 811893);

• солнечнослепые нитридоалюминиевые фотоприёмники жёсткого (Хмах=0,24мкм) ультрафиолетового излучения (заявка на патент России);

• тензорезистивные карбидокремниевые высокотемпературные (более радиационно-стойкие (более 10 5 нейтронов/см2) датчики давления, пульсаций давления и первичные преобразователи ускорения;

• структуры поверхностной микромеханики на основе высокотемпературной радиационно-стойкой композиции «81С-АШ» (нитрид алюминия в качестве ориентирующих, изолирующих, «жертвенных» и «стоп»-слоёв) для первичных преобразователей ёмкостных микроакселерометров и микрогироскопов (положительное решение от 09.08.98 по заявке №98105174/25 на патент России);

• высокостабильные карбидокремниевые меза-резистивные структуры на изолирующей подложке мембранного типа для высокотемпературных бескорпусных: терморезистивных датчиков температуры, термоанимометрических датчиков потока, микротермонагревательных элементов, ИК-микроизлучателей (заявка на патент России);

• высокостабильные карбидокремниевые интегрированные микросистемы «микронагреватель - датчик температуры» для миниатюрных аналитико-технологических систем и инструмента (положительное решение от 11.05.99 по заявке №98123393/14 на патент России, заявка на патент ФРГ);

• низкоинерционные первичные преобразователи резистивного и ёмкостного типов (резисторы и затворы полевых транзисторов на основе слоев влагочувствительных аналогов фосфолипидов) для датчиков влажности (Авторское свидетельство СССР №1657508);

• устройство для локальной сверхвысокоразрешающей атомно-молекулярной диагностики поверхности твёрдого тела методом атомно-силовой микроскопии с использованием естественных ростовых вискеров (усов) нитрида алюминия в качестве базового элемента нанозондовой микросистемы;

• аппаратно - программный комплекс управления энергетическими, пространственно-временными параметрами электронного пучка и сбора информации для семейства отечественных приборов высокоразрешающей электронно-зондовой диагностики (электронно-лучевые тестеры РЭМ102Э, РЭМ104Т, рентгеновский микроанализатор МАР-5, просвечивающие электронные микроскопы ПЭМ100, ПЭМ-У, электронограф ЭМР-102М) (патенты ГДР: 257564АЗ, 257565АЗ).

Оригинальность, внедрение и использование результатов

Оригинальность предложенных технических решений подтверждена 20 отечественными и зарубежными патентами, авторскими свидетельствами и 4 положительными решениями на выдачу патентов России (3 заявки на патенты России и ФРГ находятся на рассмотрении).

Внедрён в производство на Сумском ПО «Электрон» (Сумское АО «СЕЛМИ») и Красногорском механическом заводе (с подтверждённым экономическим эффектом 893,8 тыс. рублей) при создании семейства автоматизированных электронно-лучевых аналитических и технологических приборов нового поколения комплекс разработанных аппаратно-программных средств и методик для локальной электронно-зондовой диагностики и модифицирования твёрдого тела.

Внедрены и(или) использованы в РНИИ «Электронстандарт», ЦНИИ «Гранит», НИИ «Командных приборов», АООТ «Металлический завод» (г.Санкт-Петербург), РНИИ «Технологий микроэлектроники», ЭНПО «Специализированные электронные системы» (г.Москва) при создании и испытании аппаратуры и машин с экстремальными условиями эксплуатации датчики на основе структур «карбид кремния на изоляторе», включая высокотемпературные радиационно-стойкие датчики температуры и давления, пульсаций давления и ускорения.

Внедрены в ГП «Центр технологий микроэлектроники» (г.Санкт-Петербург) в рамках Федеральной целевой научно-технической программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям науки и техники гражданского назначения» (подпрограмма «Технологии, машины и производства будущего») при реализации проекта «Разработка оборудования и технологии реактивного ионно-плазменного прецизионного микропрофилирования алмазоподобных композиций для создания технологических микросистем» (Аппаратура и технология реактивного ионно-плазменного травления карбида кремния и нитрида алюминия).

Использована в институте «Высокомолекулярных соединений» РАН при постановке процесса синтеза нанослоёв высокотемпературных полимеров разработанная в Центре микротехнологии и диагностики ЛЭТИ технология нанесения моно- и мультислоёв органических амфифильных веществ. Использована в ГП «Центр технологий микроэлектроники» при реализации межвузовской научно-технической программы Минобразования России «Приборы и устройства интегральной электроники» технология синтеза аналогов фосфолипидов для низкоинерционных влагочувствительных элементов.

Технология и аппаратура для нанесения и удаления карбида кремния и нитрида алюминия использованы в научно-учебно-производственном комплексе Центра микротехнологии и диагностики ЛЭТИ при реализации университетом крупного международного проекта МНТЦ 204-95 «Полупроводниковый карбид кремния для нового поколения высокотемпературной радиационно-стойкой электроники», Гранта INTAS №13-93 «Применение карбида кремния в микроэлектронике», проекта «Интегрированные кластерные технологические микросистемы и микроинструмент», выполняемого в рамках ФЦНТП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям науки и техники гражданского назначения» (подпрограмма «Технологии, машины и производства будущего»).

На основе созданной аналитико-технологической и методической базы разработаны и внедрены в учебный процесс ЛЭТИ лекционные курсы и лабораторные практикумы по дисциплинам: «Процессы микро- и нанотехнологии» (направление 550700 «Электроника и микроэлектроника», специализация 550710; направление 553100 «Техническая физика», специализация 553122), «Методы исследования материалов и компонентов электронной техники» (специальности 200100, 200200), «Биосенсоры» (направление 551500 «Приборостроение», специализация 551517).

Научные положения, выносимые на защиту

1. Принцип матрицы является универсальным принципом для организации управления процессами структуро- и формообразования веществ как неорганической, так и органической природы, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний (полиморфизмом) с близкими свободными энергиями их образования, когда принципы классической термодинамики не обеспечивают прогнозирование протекания процессов структурно-топологического упорядочения, причём кодирование структуры, ориентации и топологии достигается созданием на поверхности подложки, тотально или локально, собственных или инородных кристаллохимически и термомеханически совместимых с осаждаемым материалом матриц-субстратов, обеспечивающих структурную, ориентационную и топохимическую избирательности процессов роста.

2. При синтезе микро- и нанослоевых композиций на основе веществ неорганической и органической природы, обладающих полиморфизмом, структурообразование следует рассматривать как процесс матричной ростовой адаптации, поэтому в качестве характеристик для упорядочения структурного множества в формах, пригодных для построения эффективных алгоритмов управления структурно-топологическим кодированием, целесообразно использовать совокупность следующих параметров:

- вероятностно-термодинамические меры упорядочения структуры (параметр порядка, энтропия и производство энтропии);

- пространственные масштабы упорядочения и корреляции;

- временные масштабы упорядочения и корреляции, сочетание которых обеспечивает интеграцию термодинамических и кинетических факторов в структурообразовании, позволяет достичь селективности в процессах управления структурой.

3. При термодинамической неразличимости структур в условиях синтеза веществ, обладающих полиморфизмом, временные характеристики процесса являются определяющими в структурообразовании, интегрируя параметры и критерии управления, устанавливая причинно-следственную связь в кинетическом фазовом переходе в рамках положения о том, что всякое структурообразование есть процесс, развивающийся во времени и пространстве, и каждой структуре свойственно «характеристическое» время упорядочения или корреляции, определяющее ее индивидуальность, при этом отношение «характеристического» времени упорядочения частиц в структуру с определенной пространственной периодичностью (тг) и реального «технологического» времени потери подвижности частиц (т$) в результате присоединения (упорядочения) к (в) матрице является временным критерием селекции структур (т/т5 >< 1), определяющим возможность репликации воспроизведения) матрицы (т,< тЛ.) или ее трансформации, то есть, при выполнении условия т, > перехода в производную <ф> структуру с иным (меньшим) масштабом упорядочения или корреляции.

4. Неравновесные структурные превращения веществ, обладающих полиморфизмом, при достижении матрицей-субстратом предела ее репликационной устойчивости развиваются как критические явления в рамках экспериментально установленной закономерности, сущность которой состоит в том, что при протекании процесса упорядочения в ]-ую структуру избыточная

А. энтропия процесса, как произведение производства энтропии (—^ на время й упорядочения (т^), остается величиной постоянной независимо от пространственного периода трансляции исходной структуры, а возрастание значения критической избыточной энтропии определяет эволюцию структуры в направлении уменьшения протяженности периода трансляции.

5. Эволюция микро- и нанотехнологии определяется переходом от процессов, требующих полного задания структурной и топологической информации (искусственное упорядочение с потерей информации), к процессам, сочетающим искусственное и естественное упорядочение, в которых информация возникает как продукт взаимодействия между объектом и средой при протекании реакций в области кинетических ограничений или в среде, находящейся в состоянии далеком от равновесного, при этом могут быть сформулированы следующие принципы структурно-топологического кодирования:

- принцип селективности, проявляющийся в избирательном анизотропном взаимодействии объекта и среды с особым характером движения (трансформации) фазовой границы и доминирующей ролью информации, изначально существующей в объекте, при реализации процессов в области кинетических ограничений;

- принцип матрицы, проявляющийся в изоструктурной и (или) комплиментарной репродукции исходной структуры с сохранением структурно-топологической информации при реализации процессов в квазиравновесных условиях, а также обновлении структуры подложки за счет внесения инородной матрицы - субстрата или проведении процесса в условиях, ограничивающих возможность полного упорядочения, т.е. стимулирующих самоупорядочение;

- принцип самоорганизации, проявляющийся в самоупорядочении среды в условиях далеких от равновесия с возникновением новых структурных состояний или фаз с резко отличающимися от исходных параметрами, которые либо устойчиво существуют, или исчезают после снятия вещественно-энергетической неравновесности.

Основные результаты и выводы по работе

1. Разработан физико-технологический базис процессов управляемого структурно-топологического кодирования при синтезе микро- и нанослоевых композиций на основе широкозонных материалов неорганической и органической природы, обладающих полиморфизмом.

1.1. В результате комплексных исследований процессов структурообразования ряда неорганических (карбид кремния и его изоструктурный аналог нитрид алюминия) и органических (изобутильные и гексадецильные аналоги фосфолипидов с замещёнными диглициридными остатками) соединений, обладающих множеством структурноустойчивых состояний, показано, что классический термодинамический подход не может быть положен в основу направленного получения определённых структурных модификаций и их микро-, нанослоевых композиций, а возникновение определённого вида структурной упорядоченности целесообразно рассматривать как адаптивный матричный синтез с использованием в качестве основ управления предложенных в диссертационной работе: кинетического временного критерия селекции структур, основанного на соотношении между необходимым (тг характеристическим) и реализуемым (т8 -технологическим) временами упорядочения кристаллизационной среды в структуру с определённой протяжённостью пространственной периодичности при условии, что воспроизведение (репликация) матрицы возможна, если т ¡<т8, а при обратном соотношении т ^ > имеет место трансформация в производную структуру с меньшим масштабом упорядочения или корреляции; закономерности протекания ростовых кинетических фазовых превращений, в основе которой лежит селекция структур через параметр избыточной критической энтропии процесса -характеристика критической степени разупорядочения матрицы-субстрата без потери её репликационной устойчивости) как произведение производства энтропии (с18/с11:^ на время упорядочения Тф причём ДБ*^ остаётся величиной постоянной независимо от пространственного периода трансляции исходной структуры, а возрастание значения критической избыточной энтропии определяет эволюцию структуры в направлении уменьшения пространственного периода трансляции.

1.2. В рамках исследования процессов синтеза кристаллов, микро- и нанослоевых гетероэпитаксиальных композиций неорганических и органических широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом, на основе принципа матричного копирования с инородного изоструктурного субстрата и при активном использовании кинетических параметров управления процессами структурного упорядочения (скорость поступления вещества на подложку, температура и ориентация подложки) разработаны: способы управления выращиванием ряда редких политипов карбида кремния, включая 2Н (наиболее широкозонный - со структурой вюрцита), 4Н, 21Ы и ЗС (наиболее узкозонный - со структурой сфалерита); способ управляемого выращивания редких политипных модификаций в системе «карбид кремния - нитрид алюминия», основанный на эффекте ростового обратимого структурно-ориентационного изоморфизма, характерного для данных изоструктурных аналогов; способ низкотемпературной эпитаксии карбида кремния на изолирующую подложку большой площади для создания структур «карбид кремния на изоляторе» (К2НИ): 81С/АШ/А1203, вЮ/АШ^, ЗЮШШЮ - с использованием в качестве ориентирующе-изолирующих слоёв нитрида алюминия; способы выращивания органических призматических и нитевидных монокристаллов искусственно синтезированного аналога природного фосфолипида -изобутанолфосфаэтаноламина с замещённым на изобутильный диглициридным участком; способ молекулярной монослойной эпитаксии из жидкой фазы органического вещества гексадецилфосфохолина - аналога фосфолипида с замещенным на гексадецил диглициридным участком - с использованием приёма предварительного нанесения на твёрдую неорганическую подложку в качестве ориентирующей матрицы-субстрата нанослоёв органического слаборастворимого классического поверхностно-активного вещества стеариновой кислоты.

1.3. Исследованы процессы объёмного (габитусного, глубинного), поверхностного (меза), приповерхностного (с «жертвенными» слоями) морфологически и топологически упорядоченного формообразования в процессе выращивания кристаллов, нанесения, удаления широкозонных материалов неорганической и органической природы, с использованием топо-химической и структурно-ориентационной избирательностей, ростовой скоростной селекции и корпускулярного воздействия, в том числе локального (лучевого), и показано: свободный рост аналогов изобутанолфосфоэтаноламина из растворов приводит к образованию призматических кристаллов, в то время как при получении их в формообразователе типа капилляра наблюдаются явление периодической кристаллизации с образованием спиралеобразных нитевидных кристаллов; управляемое выращивание латерально упорядоченных меза- и планарных гетерополитипных композиций карбида кремния (2Н-ЗС, ЗС-6Н, ЗС-4Н, 4Н-6Н, 4Н-21К) обеспечивается искусственным созданием на поверхности подложки карбида кремния пространственной топологически упорядоченной неоднородности в виде:

• вариации структурно-ориентационного или примесного состояния (сенсибилизация поверхности за счёт анизотропного травления, модификация внесением инородных примесных матриц, разрушение структурной информации разупорядочивающим воздействием);

• вариации плотности потока вещества, поступающего на подложку; структурная и топохимическая избирательность осаждения карбида кремния при реализации локальной эпитаксии или при обеспечении латерально упорядоченного синхронно-комплиментарного роста карбида кремния обеспечивается использованием, в качестве масок дифференциального действия по отношению к SiC, углерода и нитрида алюминия, причём при локальной эпитаксии SiC сублимационным «сэндвич»-методом возможно маскирование углеродом как подложки, так и источника паров, а также использование профилированного источника; известная и установленная селективность травления нитрида алюминия по отношению к карбиду кремния, сапфиру и кремнию в газовой и жидкой средах, а также, галогеносодержащей плазме определяет перспективность использования A1N в качестве «жертвенных» и «стоп»-слоев в структурах микромеханики на основе композиций (SiC-AlN)/Al203, Si; эффективными методами жидкостного локального микропрофилирования SiC и A1N является использование в качестве среды для травления SiC расплава щелочей при высоких температурах (маскирующее покрытие - алюминий), а для A1N горячей концентрированной ортофосфорной кислоты (маскирующие покрытия: вольфрам, нитрид кремния, карбид кремния); сравнение селективности реактивного ионно-плазменного травления SiC и A1N в плазме низкого давления (0,2-0,5)Па галогеносодержащих газов гексафторида серы и трихлортрифторэтана определяет в качестве травящего агента, обеспечивающего избирательное травление SiC по отношении к A1N (30:1), гексафторид серы, при этом скорость высокочастотного магнетронного травления (для распределённой мощности ~ 1,5Вт/см2) составляла 0,2 мкм/мин в случае травления SiC в SF6 и 70 нм/мин при травлении A1N в C2CI3F3; эффективным маскирующим покрытием при реактивном ионно-плазменном травлении SiC, AIN, Si в гексафториде серы и трихлортрифтоэтане является алюминий, причём добавка кислорода к галогеносодержащим газам способствует повышению стойкости маскирующего покрытия и обеспечивает селективность травления SiC и Si (при использовании смеси SF6/02) и A1N (при использовании смеси C2CI3F3/O2) по отношению к А1 как 30:1, 600:1, 3:1 соответственно; высокоскоростное (более 2мм в секунду) локальное удаление SiC на глубину до (5-8)мкм может быть обеспечено при микропрофилировании материала сфокусированным корпускулярным воздействием (электронноf\ О лучевым, лазерным) при плотности мощности более 10 Вт/см , при этом в случае лазерного воздействия (Х=0,34 мкм) наблюдается искажение планарности поверхности у края кратера из-за выброса продуктов реакции, а при электронно-лучевой обработке в вакууме возможно образование периодической неустойчивости профиля зоны обработки и насыщения её углеродом.

2. Сформирован научно-учебно-производственный базис для синтеза и исследования широкозонных материалов неорганической и органической природы, микро- и нанослоевых композиций, в основу которого положено разработанное в процессе выполнения диссертационной работы аппаратурно-методическое обеспечение.

2.1. Создано и использовано в процессе получения материалов неорганической и органической природы при изготовлении на основе микро- и нанослоевых композиций компонентов микросистемной техники следующее технологическое оборудование: установка для высокотемпературной сублимационной эпитаксии SiC и A1N способом свободно растущего кристалла и «сэндвич»-методом; установка для низкотемпературной эпитаксии карбида кремния и нитрида алюминия методом ионно-химического осаждения с использованием унифицированных рабочей камеры и технологической схемы; аппаратура для выращивания призматических и нитевидных кристаллов аналогов фосфолипидов; установка для нанесения моно- и мультислоёв нерастворимых и ограниченно растворимых органических амфифильных веществ методом Ленгмюра-Блоджетт и модифицированным способом - молекулярной монослойной эпитаксией из жидкой фазы; установка для высокочастотного реактивного ионно-плазменного травления карбида кремния и нитрида алюминия в единой технологической камере по унифицированной технологической схеме.

2.2. Созданы и использованы в процессе исследования широкого круга неорганических и органических материалов, микро- и нанослоевых композиций, элементной базы интегральной электроники и микросистемной техники следующие контрольно-диагностическая аппаратура и методики: комплекс автоматизированной контрольно-диагностической аппаратуры для высокоразрешающих электронно-зондовых исследований структурных, морфолого-топологических и электрофизических параметров твёрдого тела методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии; автоматизированная система обработки структурной электронографической информации, включая анализ функций радиального распределения, обеспечивающий возможность повышения точности определения структурных характеристик исследуемого вещества, учета дальних корреляций, определения атомной плотности, количественного анализа соотношений различных химических связей, исследования молекулярных слоевых структур с использованием модели Хоземана; устройство для сверхвысокоразрешающего локального исследования поверхности твёрдого тела методом атомно-силовой микроскопии с использованием в качестве зондовой микросистемы вискеров (усов) нитрида алюминия; методики и комплекс программных средств для эллипсометрического контроля нанослоевых композиций органических веществ и переходных слоёв неорганических гетероструктур.

3. Разработан и изготовлен комплекс микроприборов на основе карбида кремния, нитрида алюминия, аналогов фосфолипидов, включая: оптоэлектронные приборы: монолитные полицветные карбидокремниевые инжекционные источники света, солнечнослепые нитридоалюминиевые фотоприёмники жёсткого ультрафиолетового излучения, высокостабильные бескорпусные карбидокремниевые планарные инфракрасные излучатели-микроглобары; микромеханические высокостабильные приборы на основе композиции 8Ю-АПЧ: высокотемпературные (более 400°С) радиационно

15 2 стойкие (более 10 нейтронов/см ) тензорезистивные датчики давления и пульсаций давления, чувствительные элементы тензорезистивных и ёмкостных акселерометров; элементная база планарных аналитико-технологических микросистем и микроинструмента с использованием композиции 8Ю-АШ: терморезистивные высокотемпературные микронагреватели, терморезистивные высокостабильные первичные преобразователи для датчиков температуры и потока, интегрированные микросистемы «микронагреватель-датчик температуры»; низкоинерционные первичные преобразователи датчиков влажности на основе плёнок аналогов фосфолипидов;

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Лучинин В.В. Микросистемная техника. Направления и тенденции развития // Научное приборостроение. РАН. 1999, Т.9, №1, С.3-19.

2. Лучинин В.В. Проблемы интеграции микро и биотехнологии/Петербургский журнал электроники. 1996, Вып.1, С.9-21.

3. Лучинин В.В., Дунаев А.Н., Казак-Казакевич А.З., Карагеоргиев П.П., Панов М.Ф., Пасюта М.В. Атомно-молекулярная технология и диагностика // Учебное пособие. СП6ГЭТУ. СПб. 1998, 56с.

4. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Карбид кремния перспективный материал электронной техники // Известия высших учебных заведений". Электроника. Вып.1, 1997, с.10-38.

5. Верма A.A., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах.М., Мир., 1969,273с.

6. Химия липидов. / Евстигнеева Р.П., Е. Н. Звонкова, Г. А. Серебренникова, В.И. Швец.-М.: Химия, 1983,296 с.

7. Лучинин В.В., Мальцев П.П. Биомолекулы как базис информационных систем будущего //Информационные технологии, 1997, №5, С.24-31.

8. Биомолекулярная электроника и проблема сборки надмолекулярных структур: Сб. научи, трудов /Под ред. II Н. .Лазарева. Пущино, 1987, 99с.

9. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация неравновесных систем. -М.: Мир, 1979, 340с.

10. Кальнин A.A., Лучинин В.В. Структурное программирование в микроэлектронике//Л.: ЛЭТИ. 1981,100с.

11. Лучинин В.В. Эволюция микротехнологии //Петербургский журнал электроники. 1993, Вып.1, С.30-35.

12. Янушонис С., Янушоне В. Самоформирование в полупроводниковой технологии. Вильнюс: МОКСЛАС, 1985,192с.

13. Дорфман В.Ф. Микрометаллургия в микроэлектронике. -М.: Металлургия,1978, 272с.

14. Сауров А.Н. Методы самоформирования в микроэлектронике // Известие вузов. Электроника. 1997, №5, С.41-47.

15. Молекулярная биология клетки. Албертс Б., Льюис Дж., Рэфф М. и др. -М.: Мир, 1994, Т.1, 509с.

16. Эйген М., Шустер П. Гиперцикл. Принципы самоорганизации макромолекул. -М.: Мир, 1982, 287 с.

17. Кальнин A.A., Лучинин В.В. Физические основы функциональной электроники на самоорганизующихся средах //Электронная промышленность. 1983, №8, С.6-11.

18. Дорфман В.Ф. Синтез твердотельных структур. -М.: Металлургия, 1986, 273 с.

19. Лучинин В.В. Пространственно-временной полиморфизм и временная организация биологических систем. // Теоретическая биология: структурно-функциональный подход. Под ред. С.Г. Инге-Вечтомова. Л.: ЛГУ, 1988. С.22-35.

20. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979, С.15.

21. Леммлейн Г.Г. Процесс геометрического отбора в растущем агрегате кристаллов. Докл. АН СССР, 1945, Т.48, №3, с.177.

22. Кольцов Н.К. Организация клетки. М.: Биомедгиз, 1936.

23. Березин И.В., Кузнецов В.И., Ворфоломеев С.Д. Биокатализ. М.: Наука, 1984, 344с.

24. Шноль С.Э. Физико-химические факторы биологической эволюции. М.: Наука, 1979,264с.

25. Эйген М. Самоорганизация материи и эволюция биологических макромолекул.-М.: Наука, 1973.

26. Эбелинг В. Образование структур при необратимых процессах. -М.: Мир,1979, С.290.

27. Медников Б.М. Аксиомы биологии.- М.: Знание, 1982,136с.

28. Дистлер Г.И. Информационная структура твёрдых тел как определяющий фактор гетерогенных процессов. -В сб. "Активная поверхность твёрдых тел". М.: ИКАН, 1976, С.96-105.

29. Марков Ю.Г. Функциональный подход в современном научном познании. Новосибирск: Наука, 1982,182с.

30. Александров JI.H. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых плёнок. Новосибирск, Наука, 1978,272с.

31. Шубников A.B., Копцик В.А. Симметрия в науке и искусстве. М.: Наука, 1972,400с.

32. Емельянов A.B., Портнов С.М. Принцип объёмно-структурного соответствия фаз и формирование элементов в микро- и наноэлектронике. // Электронная промышленность, 1994, В.7-8, С.54-59. 3.9.

33. Волькенштейн М.В. Общая биофизика. М.: Наука, 1978., С.516.

34. Кремянский В.И. Возникновение организации материальных систем. // Вопросы философии, 1967, №3, С.53.

35. Гленсдорф П., Пригожин И. Термодинамическая теория структуры, устойчивости и флуктуации. -М.: Мир, 1973, С.80.

36. Материалы для оптоэлектроники. // Сборник статей под ред. Е.И. Гиваргизова, М.: Мир, 1976,405 с.

37. Miyamoto Y., Hirata M. Polytypism and Amorphousness in Silicon Wiskers. -J.Phys. Soc. Japan., 1978, V.41, №1, P.I 81.

38. Лучинин B.B., Мальцев П.П., Маляков Е.П. Широкозонные материалы -основа экстремальной электроники будущего. Микроэлектроника, 1999. Т.28. №1. С.21-29.

39. Tairov Yu. M., Tsvetkov V.F. General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes // J. Cryst Growth. 1981. - Vol. 52. P.146-152.

40. Лучинин B.B., Мальцев П.П., Маляков Е.П. Карбид кремния -стратегический материал электроники. // Электроника. Наука, технология, бизнес. 1997, № 3-4, С.61-64.

41. Лучинин В.В. Влияние карбида кремния на современные конструкторско-технологические решения // Тезисы докладов Международного семинара "Карбид кремния и родственные материалы". Новгород, 1997 г. С.45-47.

42. Вычислительные машины будущего. / Н.Лорд, П.Гирогосиан, Р. Уэллетт и др. М.: Мир, 1987. - 192 с.

43. Всесоюзная школа-семинар по биомолекулярному компьютерингу. Тезисы докладов. М.: Международный научно-исследовательский институт проблем управления, 1991, 88с.

44. Нейман Дж. Теория самовоспроизводящихся автоматов. М.: Мир, 1971, 382с.

45. Физический энциклопедический словарь /Под ред. A.M. Прохорова. М.: Советская энциклопедия, 1983, Т.1, С.53.49 .Химический энциклопедический словарь /Под ред. И.Л. Кнунянца. М.: , Советская энциклопедия, 1983, С.76.

46. Кальнин А.А., Лучинин В.В. Динамические структуры. //Известия ЛЭТИ.1981, Вып.281,С.6-18.

47. Некоторые концептуальные вопросы развития нейрокомпьютеров / Галушкин А.И., Иванов В.В., Картамышев М.Г., Симоров С.Н., Черевков К.В. // Успехи современной радиоэлектроники. 1997, Вып.2, С.3-10.

48. Kohonon Т. Selt-organization and Associative Memory. Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo: Springer Verlag, 1984,255p.

49. Николис Дж. Динамика иерархических систем. Эволюционное представление. М.: Мир, 1989, 486с.

50. Стьюпер Э., Бреггер У., Джуре П. Машинный анализ связи химической структуры и биологической активности. М.: Мир, 1982, 238с.

51. Дорфман В.Ф. Мысль, заключенная в кристалле. М.: Знание, 1986. - 208 с.

52. Симон Ж., Андре Ж.-Ж. Молекулярные полупроводники. Фотоэлектрические свойства и солнечные элементы. М.: Мир, 1988. -341с.

53. Гаряев П.П. Волновой геном. М.: Общественная польза, 1994, 280 с.

54. Двухфотонно-возбуждаемая люминесценция в генетических структурах / Агальцов A.M., Гарячев П.П., Горелик В.В., Раматуллаев И.А., Щеглов В.А.// Квантовая электроника. 1996, В.23, №2, С.181-184.

55. Владимиров Ю.А., Рощупкин Д.И. Биофизика. М.: Медицина, 1983, 455с.

56. Бергельсон Л.Д. Мембраны, молекулы, клетки. М.: Химия, 1982, 98с.

57. Кольтовер В.К., Блюменфельд Л.А. Термические конформационные переходы в электронпереносящих биологических мембранах. // Биофизика,1973, Т. 18, С.827.

58. Карасёв В.А., Куликова В.А., Лучинин В.В. Функционально-технологическая база молекулярной биоэлектроники. // Тез. докл. Всесоюзной конференции "Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов технологии микроэлектроники", 1989, Л., ЛЭТИ, С.92-96.

59. Лучинин В.В. Эпитаксиальный рост карбида кремния в присутствии редкоземельных металлов.// Известия ЛЭТИ. 1977. В.211. С.43-48.

60. Сриваста B.K. Ленгмюровские молекулярные плёнки и их применение. // Физика тонких плёнок, 1977, Т.7, С.230.

61. Лучинин В.В., Лютецкая И.Г., Сазанов А.П. Реактивное ионно-плазменное травление композиции «карбид кремния нитрид алюминия» // Известия ВУЗов, сер. Электроника. 1999, №3, С.3-14.

62. Hosemann R, Bagchi S. N. Direct analysis of diffraction by matter. Amsterdam: North-Holland, 1962, 734 p.

63. Лучинин B.B., Панов М.Ф. Эллипсометрия границы раздела карбид кремния-диэлектрик. // Тезисы докладов Международного семинара "Карбид кремния и родственные материалы". Новгород, 1997, С. 29-30.

64. Patentschrift DDR № 257564АЗ G09GI/04. Digitales Verfahren und Erzeugung treppenformiger Auslenksignale / Neubert F., Kaiser H., Tairow Ju., Lutshinin V., Djornin Ju.; 22.06.88.

65. Patentschrift DDR № 257565A3 HOIJ37/28. Verfahren zur Darstellung von rasterelektronenmikroskopischen Biidem / Neubert F., Kaiser H., Wagner S., Tairow Ju., Lutshinin V., Djornin Ju.; 22.06.88.

66. Электронно-зондовый тестер /Волков И.Ц., Демин Ю.А., Лупал М.В., Лучинин В.В. // Тезисы докладов VIII Симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методом исследования твёрдых тел "РЭМ-93", Черниголовка, 1993, С.25.

67. Смирнов A.B. Симметрия и вероятность.- В кн.: Симметрия в природе. Л.: Наука, 1971, С. 59.

68. Румер Ю.Б., Рыбкин М.Ш. Термодинамика, статистическая физика и кинетика.- М.: Наука, 1977, С. 167.

69. Сигорский В.П. Математический аппарат инженера.- Киев: Техника, 1975, С.738.

70. Шеннон К. Работы по теории информации и кибернетике. М.: Изд-во Иностр. лит., 1963.

71. Колмогоров А.Н. Три подхода к определению понятия количества информации,- Проблемы пердачи информации, 1965, т. 1, вып. 1, с. 5.

72. Steirberg I.T., Kiflawi I., Kaiman. Z.H. The stacking faults and partial dislocation involved in structure transformations on ZnS cristals. //Phil. Mag. -1973. -Vol. 27, N3. -P. 159-175.

73. ФуллманР.Л. //Физика твердого тела. -М.: Наука, 1972.-С. 16-22.

74. Николин Б. И. Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах. -Киев; Наукова думка, 1984.

75. Frank F.C., The growth of carborundum; dislocations and polytypism. // Phil. Mag. -1951. -N42. -P.1014-1021.

76. Jagodzinsky H. Endimensionale Fehlordnung in Kristallen und ihn Ensluß auf die Rontgenintenfenenzeu//Acta. Crist. -1949, -N2, P.201-207.

77. Sehnen С J. Polymorfism in ore dimension // Acta. Crist. -1955. -N8. S. 279-285.

78. Голайтли Дж.П., Боден Л.Дж. Некоторые аспекты разупорядочения в ардибе кремния. //Карбид кремния. -М: Мир), 1972. -С. 328-339.

79. Гаевский А.Ю. Парное взаимодействие дефектов упаковки в простых металлах. -Киев: Препринт ИМФ, 1986.

80. Гаевский А.Ю., Устинов А. И. Упорядочение дефектов упаковки в твердых растворах; кинетический подход. //Металлофизика. -1988, Т.10, №4, С. 103.

81. Влияние примесей на политипизм карбида кремния / Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Венков А.Д. и др.//Письма в ЖТФ.- 1979, Т.5, В. 6, С. 367-370.

82. Мохов Е.Н. Получение гомо- и гетероэпитаксиальных слоев карбида кремния, состояние и перспективы. //Широкозонные полупроводники: Сб. статей -Махачкала, 1988, С .44-53

83. Tairov Yu.M., Tsvetkov V. Progress in controling the growth of polytypie crystals //Progr. Crist. Growth chavakt. -1983, vol.7 -p.l 11-162.

84. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. О политипизме эпитаксиальных слоев карбида кремния // Кристаллография. 1976, Т.21, Вып.6.

85. Карбид Кремния/Под ред. Т. Хениша и Р. Роя.- М.: Мир, 1972,С.27.

86. Райан Ч.Э. Перспективность карбида кремния //Карбид кремния М.; Мир, 1972, С. 15.

87. Суханек Г.К., Цветков В.Ф. Рост кристаллов и политипизм //Изв. ЛЭТИ. -1980, Вып. 263, С.16-31.

88. Деверитц Л., Бауч X. И. К вопросу об эпитаксии соединений АПВШ //Кинетика и механизм кристаллизации. -Минск: Наука и техника, 1973, С .23 8-241.

89. Сергеева Л.А., Пономаренко В.В. О полиморфизме кристаллов и пленок соединении AW/Tes. докл. VII конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, 1986. -Новосибирск, 1986, Т2, С.1797.

90. Лобанов А.А., Уфимцев В. Б. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов. -М: Металлургия, 1981.

91. Ягодзински X. Переход от кубического карбида кремния к гексагональному как реакция в твердом состоянии // Кристаллография. -1972, Т. 16, Вып.6, С. 1235-1246.

92. Krishna P., Marshall R.C. Defech Araurfemabicn the 2H to 6H structure in rigle-crystal carbide // J. Crist. Growth. -1971, Vol. 11, N2 P. 147-150.

93. Виолин Э.Е., Москалев Г.Я., Потапов Г.Н. Имплантация кремния в карбид кремния //Изв. ЛЭТИ: Сб. Науч. Трудов / Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина).-1986, Вып.365. С. 29-32.

94. Minagawa Т. X-ray diffraction study of the structurale change from 2H to 4H in CdI2 crysall // J. Apply Cryst. -1978, V ol 11, N4, P. 147-150.

95. Rai A.K., Ysivastava O.N. Jramtarmotion charteristices of 6H based cadmium iodid polytypes // Acta. Crist. 1977, A.33, N1. P. 59-61.

96. Hill V.G. Phase transformation in ZnS // The Canad Min. 1958, Vol.6 P.234-259.

97. Морозова H.K., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. -М.: Наука, 1987.

98. Rai А.К., Tiwari R.S., Ysivastava O.N. Structure and phase transformation of 20 layered hexagonal polytypie crystale of cadmium iodide // // J. Crist. Growth. -1976. Vol. 36, N1, P.71-76.

99. Cheng C., Needs R.J., Hein V. Inter-layer in teractions and the origin of SiC polytypes //J. Phys. C.: Solid State Phys. -1988, Vol. 21, N6, P. 1049-1063.

100. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. -М.: Высшая школа, 1973.

101. Лучинин В.В., Марасина Л.А., Пичугин И.Г., Сорокин B.C. Применение полупроводниковых излучательных приборов // Учебное пособие под ред. Пасынкова В.В. Л.: ЛЭТИ, 1980, 70с.

102. Власов А.А. Статистические функции распределения. М., Наука, 1966, С.355.

103. Шефталь Н.Н., Бузынин А.Н. К моделированию процессов роста кристаллов.- В кн.: Рост кристаллов, Т. 10, М., 1974, С. 251-265.

104. Эрлих Г. Поверхностная самодиффузия.- В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела. М.: Мир, 1977, С.129-151.

105. Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах. М.: Мир,1971,278с.

106. Карбид кремния / Под редакцией Францкевича Киев: Наукова думка, 1966, С. 50-64.

107. Дерягин Б.В., Федосеев Д.В. Поверхностные явления при синтезе алмаза. -Природа, 1983, №3, С. 80-87.

108. Кальнин A.A., Лучинин В.В. Эволюционно-генетическая модель политипизма. Изв. ЛЭТИ. 1980, Вып.263, С.31-41.

109. Кулиш У.М. Рост и электрофизические свойства пленок полупроводников (жидкофазная эпитаксия). Элиста. Калмыцкое книжное издательство, 1976, 205с.

110. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов.- М.: Мир, 1974.

111. Мс Fee J.H., Ph.D.Thesis, Carnegie Institute of Technology, 1960.

112. Lennard-Jones J.E. Proc. Roy. Soc. London, 1937, A163, p. 127.

113. Чернов A.A. Рост цепей сополимеров и смешанных кристаллов -статистика проб и ошибок.- УФН, 1970, т. 100, Вып.2, С. 277-328.

114. Jagodzinsky H. Fehlordnungserscheinungen und ihr Zusammenhang mit der Polytypie des SiC.- Neues Jahrb. Min. Monatsh., 1954, 3, P.49-65.

115. Самсонов Г.В., Виницкий Тугоплавкие соединения.- M.: Металлург, 1976, С.146.

116. Исследование кинетики кристаллизации карбида кремния / Ф. Райхель, Ю.М. Таиров, М.Г. Траваджян, В.Ф. Цветков.- Неорганические материалы, 1980, Т. 16, №6, С. 1011-1013.

117. Кальнин A.A., Лучинин В.В., Нойберт Ф., Таиров Ю.М. Закономерность эволюции кристаллической структуры при синтезе веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний // Журнал технической физики. 1984, Т.54, Вып.7, С.1388-1390.

118. Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхноотей //Элементарные процессы роста кристаллов.- М.: Изд-во иностр. лит. ,1959.- С. 11-109.

119. Чернов А. А. Процессы кристаллизации //Современная кристаллография.-М.: Наука, 1980, Т.З, С.5-232.

120. Кабрера Н., Левин М. К дислокационной теории испарения кристаллов //Элементарные процессы роста кристаллов. М.: Изд-во иностр. лит. 1959-С. 152-165.

121. Фридель Ж. Дислокации. -М.: Мир , 1967.

122. Корляков A.B., Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Моделирование фазовых превращений политипов. //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции «Моделирование роста кристаллов». Латв. Гос. Университет, Рига, 1987.

123. Вахнер X., Таиров Ю.М. О политипизме SiC(Sc), выращенного из растворов.- ФТТ, 1970, Т. 12, Вып.5, С.1543-1544.

124. Кальнин A.A., Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Электролюминесценция SiC(Sc), полученного газофазной эпитаксией. // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые природы. 1975. Вып.4(96), С.22-26.

125. Грехов В.М., Кальнин A.A., Лучинин В.В., Сулейманов Ю.М., Таиров Ю.М., Тесленко С.И. О фотолюминесценции различных политипов SiC, выращенного в присутствии Tb и Sc. // Физика и техника полупроводников. 1976, Т.10, Вып. 12, С.2390-2393.

126. Grekhov V.M., Luchinin V.V., Peev N.S., Suleimanov Yu.M., Tairov Yu.M., Vronskaya E.V. Influence of Synthesis Conditions on the Energy Distribution in Photoluminesence Spectra of SiC Epitaxial Layers // Phys. Stat. Sol. (a). 1979, V.51, P.429-433.

127. Авторское свидетельство СССР № 687655 B01J17/30. Способ выращивания кристаллов карбида кремния/ Е.Г. Иванов, A.A. Кальнин, В.В. Лучинин и Ю.М. Таиров; 28.05.79.

128. Авторское свидетельство СССР № 1048860 С30В23/06. Способ получения кристаллов карбида кремния / A.A. Кальнин, В.В. Лучинин, Ф. Нойберт и Ю.М.Таиров; 15.06.83.

129. Patentschrift DDR № 0154171 СЗОВ 25/08. Anordnung zur Herstellung von

130. Siliciumcarbid-Kristalen / Neubert F., Kalnin A., Lutshinin V., Tairow Ju.; 03.03.82.

131. Самсонов Г.В. Тугоплавкие соединения редкоземельных металлов с неметаллами.- М.: Высшая школа, 1964.

132. Philips Electronic and Associated Industries Limited Method of producing crystalline silicon carbide.- British Patent, Int.cl. C01 b 31/36, 1208001, 7.10.70.

133. Коршак B.B., Кудрявцев Ю.П. Сладков A.M. Карбин новая аллотропная форма углерода.- Вестник АН СССР, 1978,1, С. 70.

134. Авторское свидетельство СССР № 1552699 C30B33/00. Способ обработки подложек из кристаллов карбида кремния / С.Н. Думченко, В.В. Лучинин, Ф.о

135. Нойберт, И. Пецольдт и Ю.М. Таиров; 22.11.89.

136. Thibault W. Morphological and structural crystallography and optical properties of silicon carbide (SiC).- Am. Mineral., 1935, V. 29, P. 249-278.

137. Дорфман В.Ф. К статистической теории зародышеобразования и разрастания центров кристаллизации при контурном представлении границы раздела //Рост кристаллов. -М.: Наука, 1972, Т.9. -С. 268-272.

138. Лучинин B.B. Гетероэпитаксия и микропрофилирование в технологии карбида кремния. Автореферат кандидатской диссертации. Л: ЛЭТИ, 1978, 24с.

139. Авторское свидетельство СССР № 928854 С30В23.04. Способ выращивания карбида кремния/ A.A. Кальнин, В.В. Лучинин, Ф. Нойберт и Ю.М. Таиров; 14.01.82.

140. Patentschrift DDR № 200165/5 С30В29/36. Verfahren zur Züchtung von heteropolytypen siliziumkarbidstrukturen / Neubert F., Kalnin A., Lutshinin V., Tairow Ju.; 23.03.83.

141. Patentschrift DDR № 200164/7 C30B29/36. Anordnung zur Herstellung von Siliciumcarbid-Heteropolytypstrukturen / Neubert F., Kalnin A., Lutshinin V., TairowJu.; 23.03.83.

142. Makenzie D.R., Smith G.B., Liu Z.O. Electron diffraction study of chemical ordering in glow discharge SiC:H // Phys. Rev. B. 1988, Vol.37, № 15,P. 88758884.

143. Современная кристаллография. Том 3. Образование кристаллов / Чернов

144. A.A., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. М.: Наука, 1980.

145. Ion-chemical epitaxy of SiC-AIN composition / Kazak-Kazakevich A.Z., Korlyakov A.V., Kostromin S.V., Luchinin V.V. // Abstract E-MRS 1996 Spring Meeting. Strasbourg, France, 1996, P.A-26.

146. Положительное решение от 14.09.98 по заявке № 98103183/25(004128) от 03.03.98. Лучинин В.В., Корляков A.B., Костромин С.В. «Способ управления процессом получения эпитаксиальной полупроводниковой структуры».

147. Сорокин B.C. Жидкофазная эпитаксия многокомпонентных систем. Петербургский журнал электроники, 1996, №3, С.15-21.

148. Корляков A.B., Лучинин В.В., Четвергов М.В. Ростовая устойчивость политипов в системе «SiC-AIN» // Известия ТЭТУ. Сборник научных трудов. Перспективные материалы и приборы оптоэлектроники и сенсорики. 1998,1. B. 517, С.109-114.

149. Kazak-Kazakevich A.Z., Luchinin V.V., Yudin M.G. SiC-On-Interface Stability Crystallographical Aspects. // Transaction of 4-th International Conference High Temperature Electronics Conference, Albuquerque, New Mexico, USA, 1998, Vol.1, P.15-18.

150. Kazak-Kazakevich A.Z., Korlyakov A.V., Luchinin V.V., Panov M.P,

151. Chetvergov M.V., Yudin M.G. Structural and Orientatiohal Isomorphism and Polymorphism at SiC-AIN Crystall Growth I I The tenth International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, July 1998, Jerusalem, Israel, P.276.

152. Демченко E.JI., Ильин В.А., Костромин C.B., Лучинин В.В. ИК-Фурье-спектроскопия как экспресс-метод анализа нитрида алюминия // Тезисы докладов Международного семинара "Карбид кремния и родственные материалы". Новгород, 1997 г., С.59-61.

153. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Гетероэпитаксиальная композиция: редкий политип карбида кремния 2Н на изолирующей подложке: нитрид -алюминий сапфир //Письма в ЖТФ. 1984, Т.10, Вып.14, С.873.

154. Авторское свидетельство СССР № 1398485 H01L21/203. Способ селективного выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния / С.Н. Думченко, А.В. Корляков, В.В. Лучинин, И. Пецольдт и Ю.М. Таиров; 22.01.88.

155. Houben R., Well A. Metoden der organischen Chemie. 4. Auflage.// Stuttgart: Georg Thieme Verlag. 1964. - V. XII.

156. Авторское свидетельство СССР № 1657508 C07F9/09. Изобутил-2-(триметиламмонио) этилфосфатхлорид в качестве влагочувствительного материала в датчиках влажности / В.А. Карасев, Н.А. Куликова и В.В. Лучинин; 22.02.89.

157. Eibl Н. Phospholipid synthesis: oxaphospholanes and dioxaphospholanes as intermediates.// Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 1978, V.75, N 9, P.4074-4077.

158. Gerrard W. The interaction of n-butyl alcohol and the chlorides and oxichloride of phosphorus in the absence and the presence of pyridine.// J. Chem. Soc." 1940, V.11,N 10, P.1464-1469.

159. Львов Ю.М., Дехер Г. Сборка мультислойных упорядоченных пленок посредством чередующейся адсорбции противоположно заряженных микромолекул // Кристаллография, 1994, Т. 39, №4, С. 696-716.

160. Lesieur P., Barraud A., Vandevyer М. Defect characterization and detection in LB films // Thin Solif Films/- 1987, V.152, P.155-164.

161. Pomerantz M. Characterization of the structure Of LB films by short-wavelength radiation // Thin Solid Films.- 1987, V. 152, P. 165-179.

162. Schwartz D.K., Viswanathan R., Garnaes J. Zasadzinski J.A. // J. Amer. Chem. Soc. 1993, V.l 15, P.7374.

163. Вайнштейн Б.К., Клечковская B.B. Структура пленок Ленгмюра-Блоджетт // Кристаллографияю.- 1994, Т. 39, №2, С.301-309.

164. Карагеоргиев П.П., Карагеоргиева В.В., Лучинин В.В., Казак Казакевич А.З. Переходные слои в пленках Ленгмюра - Блоджет // Кристаллография,1998, Т.43, № 6, С.1027-1036.

165. Моррисон С.Р. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980, 488с.

166. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987,432с.

167. Положительное решение от 17.03.99 по заявке № 98121893/25(023727) от 30.11.98. Лучинин В.В., Дунаев А.Н., Пасюта В.М. «Способ эпитаксиального наращивания ограниченно растворимого амфифильного вещества».

168. Лучинин В.В., Карагеоргиев П.П., Карагеоргиева В.В., Дунаев А.Н., Пасюта В.М., Казак-Казакевич А.З. Получение гетероструктур на основе плёнок Ленгмюра Блоджетт амфифильных веществ // Петербургский журнал электроники. 1995, №2, С.24-36.

169. Блинов Л.М. Физические свойства и применение ленгмюровских моно- и мультимолекулярных структур // Успехи химии. Т.52, Вып.8, С. 1263-1300.

170. Маслов В.Н. Репродукционная эпитаксия как технологическая основа изготовления объемных интегральных схем.- В кн.: Арсенид галлия. Томск: Наука, 1974, Вып.5, С.114-117.

171. Drowart S., De Maria G. Thermodynamic study of the binary system carbonsilicon using a mass spectrometer.- Silicon carbide a high temperature semiconductor. London: Pergamon Press, 1960, P. 16-22.

172. Александров Л.H. Кинетика и структура твердых слоев.- Новосибирск: Наука, 1972, С.146-151.

173. Френкель Я.И. Введение в теорию металлов. М.: Физматгиз, 1958, 368с.

174. Еременко В.Н., Гнесин Г.Г., Чураков М.М. Порошковая металлургия, 1972, №6, С.55-59.

175. Авторское свидетельство СССР № 811892 С30В23/00. Способвыращивания фасонного карбида кремния / Е.Г. Иванов, А.А. Кальнин, В.В. Лучинин и Ю.М. Таиров; 06.11.80.

176. Авторское свидетельство СССР № 1001706 С30В25/02. Способ селективного выращивания карбида кремния / Е.Г. Иванов, А.А. Кальнин, В.В. Лучинин и Ю.М. Таиров; 02.11.82.

177. Bootsma G.A., Knippenberg W.F., Verspui G. J. Crystal. Growth, 1976, V.ll, P.297.

178. Рам М.Г., Мохов E.H., Веренчикова Р.Г. О кинетической зависимости растворимости азота в карбиде кремния. Неорганические материалы, 1979, Т.15, №12, С.2233-2234.

179. Карбид кремния / Под ред. Г. Хениша и Р. Роя. М.: Мир, 1972, 349с.

180. Wet chemical etching of A1N / J.R. Mileham, S.J. Pearton, C.R. Abernaty, etc.// Apl. Phis. Lett. 1995, N67, P.l 119-1121.

181. Strite S., Morko? H. GaN, A1N and InN: review// Vacuum Sci. And Tech. -1992.-B. V. 10, P.1237-1266.

182. Gerova E.V., Ivanov N.A., Kirov К.1./ Thin Solid Films. -1981, V. 81,P. 201-204.

183. Sheng, Z.Q. Yu, G.J. Disk hydrogen plasma assisted chemical vapour deposition // Appl. Phys. Lett. 1988, V.52, P.576-580.

184. Данилин B.C., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987, 263с.

185. Вашкелис В.П., Кальнин А.А., Лучинин В.В. Электронно-лучевая обработка карбида кремния. // В сб. «Физико-технологические вопросы кибернетики. Киев. Институт кибернетики АН УССР. 1978, С.26-29.

186. Luchinin V.V., Korlyakov A.V., Vasilev А.А. Silicon Carbide Aluminium Nitride: a New High Stability Composition for MEMS // Proceedings of SPIE. Desing, Test and Microfabrication of MEMS and MOEMS. 1999, V.3680, C.783-791.

187. Корляков A.B., Лучинин B.B., Мальцев П.П. Микроэлектромеханические структуры на основе композиции «карбид кремния нитрид алюминия» //

188. Микроэлектроника. 1999, № 3, С.201-212.

189. V.S. Ballandovich, S.V. Bogachev, V.A. I'lin, A.V. Korlyakov, S.V. Kostromin, V.V. Luchinin, A.A. Petrov. Realization of silicon carbide sensors for measurements on gaseous working fluids // Materials science and engineering B46, 1997, P.383-386.

190. Положительное решение от 09.08.98 по заявке № 98105174/25(006321) от 31.03.98. Лучинин В.В., Корляков А.В. «Способ изготовления микромеханических приборов».

191. Положительное решение от 07.05.99 по заявке 98123393/14(025808) от 29.12.98. Лучинин В.В., Корляков А.В., Никитин И.В., Лисс Х.Д., Ладеманн Ю., Буш Ф. «Электрохирургический скальпель».

192. Karasev V.A., Luchinin V.V., Stefanov V.E. A Model of Molecular Electronics Based on the Concept of Conjugated Ionic Hydrogen Bond Systems // Advanced Materials For Optics and Electronics. 1994,V.4, P.203-218.

193. Карасев B.A., Лучинин B.B. Проблемы создания искусственных бионических микро- и наносистем, ч.1. Молекулярная архитектура элементной базы // Известия Вузов, Электроника, 1998, № 5, С.53-68.

194. ПРЕЗИДИУМ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО НАУЧНОГО ЦЕНТРА1. ПОСТАНОВЛЕНИЕапреля 1998г. 14-а------- №1. Санкт-Петербург

195. О направлении "Микросистемная техника"

196. ЕЗИДИУМ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО НАУЧНОГО ЦЕНТРА )СТАНОВЛЯЕТ:

197. Считать направление "Микросистемная техника" одним из стратегических для хранения и развития научно-образовательного и промышленного потенциалов .нкт-Петербурга в области высоких технологий.