Термическая стабильность газообразных смесей органических производных элементов III и U групп тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.08 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Литературный обзор.

1Л Термораспад алкильных производных алюминия, галлия, индия.

1.2 Термораспад гидридов и алкильных производных элементов V группы.

1.3 Совместное разложение элементоорганических соединений и гидридов элементов III и V групп в газовой фазе и в условиях получения эпитаксиальных слоев.

ГЛАВА 2. Результаты эксперимента и их обсуждение.

2.1 Термическое разложение индивидуальных алкильных производных элементов III и V групп.

2.2 Комплексообразование в системах металлоорганических соединений III - V групп.

2.3 Совместное термическое разложение металлоорганических соединений III - V групп.

2.3.1 Термическое разложение стехиометрической газообразной смеси Ме3А1 и Me3As.

2.3.2 Термическое разложение стехиометрической газообразной смеси Ме3А1 и диэтилового эфира.

2.3.3 Термическое разложение стехиометрической газообразной смеси Me3Ga и AsMe3.

2.3.4 Термическое разложение стехиометрической смеси газообразных Ме31п и Me3As.

2.3.5 Термическое разложение стехиометрической газообразной смеси Me3Ga и AsH3.

2.3.6 Термическое разложение эквимолярных смесей триметил галлия и триметилалюминия с трет-бутилфосфином.

2.3.7 Термическое разложение аминаланов.

2.4 Обменные взаимодействия металлоорганических соединений III и V групп.

ГЛАВА 3. Экспериментальная часть.

3.1 Исходные вещества.

3.2 Синтез комплексов металлоорганических соединений III и V групп и определение их термодинамических характеристик.

3.3 Определение скорости термического разложения металлоорганических соединений.

3.4 Анализ продуктов реакции.

Высокочистые алкильные производные и гидриды элементов III и Y группы в настоящее время являются важнейшими исходными материалами при создании сложных полупроводниковых эпитаксиальных структур для микро- и оптоэлектроники [1,2].

Перспективность исследований в области пиролитического осаждения покрытий с использованием в качестве исходных продуктов металлоор-ганических соединений (МОС) обусловлено технологичностью и безотход-ностью производственного процесса, возможностью его полной автоматизации, высокими эксплуатационными качествами покрытий, а также принципиальной возможностью получения покрытий различного состава с определенным комплексом свойств на изделиях разнообразной конфигурации.

К настоящему времени разработаны различные способы и технологические схемы пиролитического выращивания пленок из элементоорганиче-ских соединений (ЭОС) МОС-гидридный метод, именуемый Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) или Metal Organic Chemical Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- методом, является одним из эффективных процессов, позволяющим получать эпитаксиальные слои нужного состава и толщины с требуемым комплексом свойств [1-3].

Впервые получение полупроводниковых пленок состава AniBv с использованием МОС описано Дидченко с сотрудниками в 1960 г [4] и Харри-соном и Томпкинсом в 1962 г [5]. Эти ранние исследования были посвящены выращиванию полупроводниковых слоев при относительно низких давлениях МОС в замкнутых системах. В работе [4] описано получение пленок InP по реакции триметилиндия с жидким фосфином при температуре 153 К, с последующим разложением продуктов реакции при 548 - 573 К. В работе [5] были получены пленки InSb по реакции между триметилиндием и стибином при температуре 433 К и пленки GaAs нагреванием эквимолярной смеси триметилгаллия и арсина при температуре 473 К.

В 1968 г Манасавит [6] предложил использовать алкилы непереходных металлов и гидриды V и VI групп для получения арсенидов и халькогенидов по реакции

ER™ + НтЕ ЕЕ' + mRH , (1) где m = 2,3,4; R = CnH2n+1 (n = 1,2); Е - элемент II и III группы; Е' - элемент V и VI группы. Он проводил реакцию (1) при атмосферном давлении газа-носителя водорода и температурах 723-1023 К и получил широкий набор эпитаксиальных соединений. Тогда же были разработаны методы очистки алкильных производных II и III группы и гидридов V и VI групп, отработаны методы точного автоматического регулирования потоков водорода, что и определило успех предложенной MOCVD- технологии.

Манасавит с сотрудниками [7-10] расширили ассортимент полупроводниковых материалов. Например, пленки AlAs были получены в результате пиролиза смеси триметилалюминия и арсина [8]. При смешении избытка аммиака с триметилгаллием или триметилалюминием при комнатной температуре образовывались твердые аддукты, в результате пиролиза которых выращивались монокристаллические пленки GaN при температуре 1198 К и A1N при температуре 1473 К [9]. До начала 80-х годов все исследования в этом направлении были посвящены в основном получению полупроводниковых соединений AinBv с использованием в качестве исходных алкильных производных галлия или алюминия в условиях проведения процесса, предложенных Манасевитом [6-11].

Шоу в своем обзоре [2] выделяет следующие стадии в MOCVD-процессе:

1) доставка реагентов в зону роста пленки;

2) диффузия реагентов к поверхности подложки;

3) адсорбция реагентов на поверхности;

4) поверхностные процессы, включающие химические реакции, поверхностную диффузию, связывание осажденного материала с подложкой;

5) десорбция газообразных продуктов химической реакции;

6) диффузионный перенос продуктов в поток газа-носителя;

7) удаление продуктов реакции из зоны роста.

Стадии 3-5 определяют скорость процесса осаждения и его основные физико-химические характеристики. В цепочке проблем - синтез, очистка, стабилизация ЭОС, кинетика, термодинамика, массоперенос МОС, конструкционные особенности реакторов для выращивания эпитаксиальных слоев - каждая имеет самостоятельное значение. В настоящее время сдерживающим фактором в развитии МОСУО-процесса являются прежде всего трудности в понимании механизма процесса пиролиза МОС [12-14]. По-прежнему отсутствуют фундаментальные основы этого технологического процесса: кинетическое обоснование реакций, протекающих в сложных многокомпонентных смесях, неизвестны детальные механизмы химических реакций, протекающих в газовой фазе и на поверхности.

Пиролиз МОС до металла и углеводородов относится к сложным химическим процессам [15,16]. Многостадийность гомолитических реакций отрыва алкильных радикалов от исходного и промежуточных МОС сочетается с молекулярными реакциями распада ((3 -элиминирование). Гомогенные и гетерогенные стадии по разному проявляются в суммарном процессе. Гомогенно - гетерогенный характер пиролиза МОС и участие этих соединений в радикальных и молекулярных последовательно-параллельных элементарных реакциях - главная причина невозможности однозначного определения механизма процесса в каждом отдельном случае

В 80-е годы предложены новые металлоорганические производные элементов II - VI групп для получения разнообразных полупроводниковых пленок. Решены многие технологические проблемы, связанные с конструкцией реакторов и установок для МОСУО-процесса. Исследована роль газов-носителей, обсуждены проблемы массопереноса, аспекты газодинамики [1216].

Таким образом к настоящему времени в литературе по процессам осаждения покрытий и пленок из паровой фазы при термораспаде МОС накопился значительный экспериментальный и теоретический материал, сильно расширился набор элементоорганических источников. Сформированы основные представления о комплексном рассмотрении устойчивости используемых МОС, термодинамической, кинетической стабильности, а также динамической стабильности термодинамически необратимых систем, состоящих из МОС и продуктов их разложения в различных агрегатных состояниях [17].

Цель работы. Кинетических исследований термораспада индивидуальных ЭОС III и V группы много, но часто они носят противоречивый характер. В своей работе мы ставим конкретную задачу выявления общих закономерностей разложения индивидуальных ЭОС III и V группы и их смесей в сопоставимых условиях: в газовой фазе и на поверхности твердой фазы, образующейся в процессе термораспада.

Особый акцент нами сделан на возможности образования промежуточных соединений и комплексов в условиях проведения эксперимента, а также диссоциации образовавшихся комплексов, выявление каталитических процессов, протекающих на поверхности образующихся пленочных структур. Мы полагали, что в конечном счете нам удастся подобрать ключи к управлению этими процессами.

Научная новизна и практическая ценность работы. В диссертационной работе впервые систематизированы и выявлены общие закономерности изменения реакционной способности индивидуальных МОС III и V группы и их смесей в газообразном состоянии. Отмечено, что сложный характер термического разложения триметилалюминия обусловлен участием в процессах пиролиза двух форм триметилалюминия: димерной и мономерной. Впервые получены кинетические данные термического разложения трет-бутилфосфина.

Установлено, что важную роль в изменении реакционной способности смесей МОС III и V группы играет образование комплексов между ними на стадии термораспада.

Впервые получены комплексы триметилалюминий - трет-бутилфосфин и триметилгаллий-трет-бутилфосфин. Для комплексов триметилалюминий - триметиларсин, триметилгаллий - триметиларсин, триметилиндий-триметиларсин и триметил алюминий-трет-бутилфосфин, рассчитаны их константы диссоциации, энтальпии образования, а также оценены возможные концентрации комплексов в различных условиях проведения эксперимента.

Установлено, что изученные комплексы стабильны при температурах ниже 370 К, при более высоких температурах они претерпевают термическую диссоциацию на исходные МОС. Исследована их термическая диссоциация в газовой фазе в интервале температур 360 - 480 К.

Отмечено, что стабильность комплексов возрастает по мере увеличения числа алкильных групп и падает при увеличении числа гидридных групп у элемента V группы.

Получены кинетические данные термического разложения эквимолярных газообразных смесей МОС 1П и V группы: триметилалюминия с триметиларсином, эфиром и трет-бутилфосфином; триметилгаллия с триметиларсином, арсином и трет-бутилфосфином; триметилиндия с триметиларсином. Установлено, что пиролиз смеси триметилгаллия с арсином идет через образование олигомера Me2Ga[As(H)Ga(Me)]AsH2 (та) уже при комнатной температуре.

Отмечено, что при совместном пиролизе МОС III и V группы замена метальных групп на водород у элемента V группы значительно понижает температуру начала разложения смеси МОС, скорость пиролиза возрастает.

Показано, что при совместном термическом разложении МОС III и V группы комплексы выполняют роль кинетически активных частиц. Вероятно структура их такова, что она обеспечивает в лимитирующей стадии процесса термораспада образование активированного состояния, в котором энергетически и стерически облегчается процесс разрыва связей С-Мш и С-Му (или H-Mv).

Впервые изучено термическое разложение диметилэтилиндия Установлено, что при 450-495 К протекает быстрая реакция диспро-порционирования диметилэтилиндия, разложение образующегося триэтилиндия и накопление триметилиндия. В температурном интервале 550600 К идет термораспад триметилиндия.

Разработан простой и эффективный способ получения триметиларсина из оксида мышьяка и триметил алюминия в 1,4-диоксане.

Изучение кинетических закономерностей термораспада МОС Ш и V группы представляет не только теоретический интерес для развития химии МОС, но и обеспечивает решение технологических задач получения в условиях MOCVD-процесса полупроводниковых материалов типа AinBv

Апробация работы. Результаты работы были представлены на 17 Всесоюзном совещании по химии комплексных соединений (Минск, 1990); Всесоюзной конференции «Получение, свойства, анализ и применение соединений с молекулярной кристаллической решеткой для новой техники» (Н.Новгород, 1991); VI Всесоюзном совещании «Применение металлооргани-ческих соединений для получения неорганических покрытий и материалов» (Н.Новгород, 1991); конкурсе научных работ памяти академика Г.А. Разуваева (Н.Новгород, 1994); VI Всероссийской конференции по металлоорганической химии (Н.Новгород, 1995); Всероссийской конференции «Современные проблемы и новые достижения металлоорганической химии» (Н.Новгород, 1997).

Полученные металлоорганические соединения и их термодинамические и кинетические характеристики были использованы в физико-техническом институте РАН им. А.Ф.Иоффе г. Санкт-Петербург.

Публикации. Основное содержание работы опубликовано в восьми статьях и девяти тезисах конференций.

Объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, выводов, списка литературы, включающего 208 ссылок. Первая глава посвящена обзору литературы по термическому разложению как индивидуальных ЭОС 1П и V групп так и их смесей.

выводы

1. Изучена кинетика пиролиза индивидуальных триметилалюминия, триме-тилгаллия, триметилиндия, триэтилиндия, трет-бутилфосфина, триметилар-сина, триэтиларсина и их попарных смесей в газовой фазе в статической системе. Систематизированы и выявлены общие закономерности изменения реакционной способности вышеуказанных МОС.

2. Установлено, что важную роль в изменении реакционной способности МОС Ш и V группы играет образование комплексов между ними на стадии термораспада. Комплексы играют роль кинетически активных частиц.

3. Получены комплексы алкильных производных элементов III и V группы, которые стабильны при температурах ниже 370 К. Изучена термическая диссоциация комплексов Me3Al:AsMe3, Me3Ga:AsMe3, Me3In:AsMe3, Me3Al:PH2Bu-t в газовой фазе при 360-480 К. Определены энтальпии термической диссоциации, соответственно равные 65,5 ± 0,5; 43,2 ± 1,2; 50,1 ± 0,5 и 63,7 + 1,5 кДж/моль. При термической диссоциации Me3Al:AsMe3 и Me3Al:PH2Bu-t образуются триметиларсин или трет-бутилфосфин и димерная или мономерная форма триметилалюминия. Способность к термической диссоциации комплексов увеличивается в последовательности: Me3Al:AsMe3 < Me3Al:PH2Bu-t < Me3In:AsMe3 < Me3Ga:AsMe3. Температурная зависимость константы равновесия позволяет рассчитать, что в процессах высокотемпературного (-800 К) нанесения эпитаксиальных слоев концентрация комплекса приближается к нулю. Поэтому роль таких комплексов в кинетике термического разложения такая же, как свободных радикалов или промежуточных активных частиц.

4. Получены кинетические данные термического разложения эквимолярных газообразных смесей МОС III и V группы: триметилалюминия с триметилар-сином, эфиром и трет-бутилфосфином; триметилгаллия с триметиларсином, арсином и трет-бутилфосфином; триметилиндия с триметиларсином. Установлено, что пиролиз газообразной смеси триметилгаллия с арсином идет через образование олигомера Me2Ga[As(H)Ga(Me)]AsH2 (ТВ) уже при комнатной температуре.

5. Взаимное влияние компонентов смеси МОС при совместном распаде возрастает по мере увеличения числа гидридных групп у элемента V группы в последовательности AsMe3 < t- BuPH2 < ASH3. В этой же последовательности падает стабильность комплексов, образуемых элементоорганическими соединениями V группы с МОС III группы.

6. Сложный характер распада смеси триметилалюминия с МОС V группы обусловлено участием в процессах пиролиза двух форм триметилалюминия: мономерной и димерной.

7. При распаде индивидуального триметилалюминия или его смесей с МОС V группы, а также с эфиром и амином на поверхности сосуда образуются твердые продукты пиролиза, играющие роль катализаторов дальнейшего превращения компонентов смеси. При термораспаде триметилгаллия и его смесей с МОС V группы катализа продуктами разложения не наблюдается.

8. Впервые изучено термическое разложение диметилэтилиндия. Установлено, что при 400 К начинается его необратимое превращение. Существует два температурных интервала его пиролиза: в первом при 450-495 К протекает реакция диспропорционирования диметилэтилиндия, разложение образовавшегося триэтилиндия и накопление триметилиндия. Во втором при 550-600 К - термораспад триметилиндия.

9.Разработан простой и эффективный способ получения триметиларсина из оксида мышьяка и триметилалюминия.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе впервые систематизировано и выявлены общие закономерности изменения реакционной способности индивидуальных МОС III и V группы и их смесей в газообразном состоянии.

Установлено, что важную роль в изменении реакционной способности МОС III и V группы играет образование комплексов между ними на стадии термораспада.

Получены стабильные комплексы триметилалюминий - триметилар-син, триметилгаллий - триметиларсин, триметилиндий - триметиларсин и триметилалюминий - трет-бутилфосфин, рассчитаны их константы равновесия, энтальпии образования, а также оценены возможные концентрации комплексов в различных условиях проведения эксперимента.

Установлено, что изученные комплексы стабильны при температурах ниже 370 К, при более высоких температурах они претерпевают термическую диссоциацию на исходные МОС. Исследована их термическая диссоциация в газовой фазе в интервале температур 360 - 480 К.

Отмечено, что стабильность комплексов возрастает по мере увеличения числа алкильных групп и падает при увеличении числа гидридных групп у элемента V группы.

Получены кинетические данные термического разложения эквимоляр-ных газообразных смесей МОС III и V группы: триметилалюминия с триме-тиларсином, эфиром и трет-бутилфосфином; триметилгаллия с триметилар-сином, арсином и трет-бутилфосфином; триметилиндия с триметиларсином. Установлено, что пиролиз смеси триметилгаллия с арсином идет через образование олигомера Me2Ga[As(H)Ga(Me)]AsH2 (тв) уже при комнатной температуре.

Отмечено, что при совместном пиролизе МОС III и V группы замена метальных групп на водород у элемента V группы значительно понижает температуру начала разложения смеси МОС, скорость пиролиза возрастает.

112

Показано, что при совместном термическом разложении МОС III и V группы комплексы выполняют роль кинетически активных частиц. Вероятно структура их такова, что она обеспечивает в лимитирующей стадии процесса термораспада образование активированного состояния, в котором энергетически и стерически облегчается процесс разрыва связей С-Мш и С-Му (или H-Mv).

Изучение кинетических закономерностей термораспада МОС III и V группы представляет не только теоретический интерес для развития химии МОС, но и обеспечивает решение технологических задач получения в условиях MOCVD-процесса полупроводниковых материалов типа AÜIBV.

1. Жук Б.В. Осаждение эиитаксиальных слоев из паров металлоорганических соединений.//Успехи химии. 1985. Т.54. №8. С. 1312-1334.

2. Shaw D.W. Mechanism in vapor epitaxy of semiconductors.// J. Crystal Growth. Theory and Techniques, (ed. Goodman C.H.)/ Plenum Press, London. 1974. V.l. P. 1-48.

3. Яблоков В.А., Яблокова H.B. Кинетика термического разложения алкиль-ных производных элементов III и V групп.// Успехи химии. 1995. Т.64. №10. С.1017-1030.

4. Didchenko R., Alix J.E., Toeniskactter R.H. Reactions of phosphine with tri-methylindium.// J. Inorg. Nucl. Chem. 1960. V.14. №1/2. P.35-37.

5. Harrison B.C., Tompkins E.H. Preparation of indium antimonide and gallium arsenide films.// Inorg. Chem., 1962. V.l. №4. P.951-953.

6. Manasevit H.M. Single-crystal gallium arsenide on insulating substrates.// Appl. Phys. Lett. 1968. V.12. №4. P. 156-159.

7. Manasevit H.M., Simpson W.I. The use metal-organics in the preparation of semiconductor materials. 1 .Epitaxial gallium-V compounds.// J. Electrochem. Soc. 1969. V.116. №12. P.1725-1732.

8. Manasevit H.M. . The use metal-organics in the preparation of semiconductor materials. III. Studies of epitaxial III-V aluminum compound formation using trimethylaluminum.// J. Electrochem. Soc. 1971. V.l 18. №4. P. 647-650.

9. Manasevit H.M., Erdmann F.M., Simpson W.I. The use metal-organics in the preparation of semiconductor materials. IV. The nitrides of aluminum and gallium.// J. Electrochem. Soc. 1971. V.l 18. №. P.1864-1868.

10. Manasevit H.M., Simpson W.I. The use metal-organics in the preparation of semiconductor materials. V. The formation of In-group V compounds and alloys.// J. Electrochem. Soc. 1973. V.120. №1. P.135-137.

11. Metalorganic vapor phase epitaxy./ Proc.Int.Conf., Ajaccio, 4-6 May, 1981.// J.Crystal.Growth. 1981. V.55. №1. P. 1-262.

12. Suzuki M., Sato M. Diffusivity and thermal cracking rate of metalorganic gases by chromatography.// J. Electerochem. Soc. 1985. V.132. №7. P. 16841688.

13. Leys M.R. Metal organic vapour phase epitaxy.// Chemtronics. 1987. Y.2. №4. P. 155-164.

14. Lee P.W., Omstead T.R., Mckenna D.R., Jensen K.F. In situ mass spectroscopy and thermogravimetric studies of GaAs MOCVD gas phase and surface reactions.// J. Cryst. Growth. 1987. V.85. №1-2. P. 165-174.

15. Разуваев Г.А., Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Саломатин Б.П. Металлоорга-нические соединения в электронике. М: Наука. 1972. 479 с.

16. Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Жук Б.В., Каверин Б.С., Мельников В.В., Суворова О.Н. Осаждение пленок и покрытий разложением металлооргани-ческих соединений. М: Наука. 1981. 322 с.

17. Домрачев Г.А., Захаров Л.И., Шевелев Ю.А. Устойчивость металлоорга-нических соединений в процессах их синтеза и распада. // Успехи химии. 1985. Т.54. С.1260.

18. Yeddanapalli L.M., Schubert С.С. Thermal and photochemical decomposition of gaseous aluminum trimethyl.// J. Chem. Physics. 1946. 1. V.14. №1. P. 1-7.

19. Ziegler K., Nagel K., Pfohl W. Pyrolyse von Aluminiumtrialkylen.// Lieb. Ann. Chem. 1960. V.629. P.210-221.

20. Suzuki N., Anayama C., Masu K., Tsubouchi K., Mikoshiba N. Pyrolysis and photolusis of trimethylaluminum.// Jap. J. Appl. Phys. 1986. V.25. №8. Pt 1. P. 1236-1242.

21. Баев A.K., Шурин B.H., Тишевич В.И. Термораспад метальных соединений алюминия и индия.// Труды VI Всерос. конф. по металлоорганической химии. Н.Новгород. 1995. Т.2. С.254.

22. Laubengayer A.W., Gilliam W.F. The alkyls of the third group elements. 1. Vapor phase studies of the alkyls of aluminum, gallium and indium.// J. Amer. Chem. Soc. 1941. V.63. №2. P.477-479.

23. Тельной В.И. Прочность связей в органических соединениях непереходных элементов по термохимическим данным.// Тр. по химии и хим. Технологии. Вып. 1. ГГУ. Горький. 1974.С.28-39.

24. Squire D.W., Dulcey C.S., Tin М.С. Formation of CH3 radicals in the decomposition of trimethyl aluminum on hot solid surfaces.// Chem. Phys. Lett. 1985. V.116. №6. P.525-528.

25. Hay J.N., Hooper P.G., Robb I.C. Monomer-dimer equilibria of triethylalu-minium. //J. Organomet. Chem. 1971. V.28. №2. P. 193-204.

26. Smith W.L., Wartik T. Investigation of the thermal decomposition of trieth-ylaluminum. // J. Inorg. and Nucl. Chem. 1967. V.29.№3. P.629-645.

27. Сахаровская Г.Б., Корнеев H.H., Смирнов H.H., Попов А.Ф. Термическое разложение алюминийалкилов.// Ж. общ. химии. 1974. №3. С.584-590.

28. Bhat R., Koza М.А., Chang С.С., Schwarz., Harris T.D. The growth and characterization of AlGaAs using dimethyl aluminum hydride.// J.Cryst.Growth. 1986. V.77. №1-2. P.7-10.

29. Leys M.R. Carbon incorporation in MOVPE grown AlxGaj.xAs a mechanistic approach. // Chemtronics. 1989. V.4. P.31-34.

30. Hiraoka Y.S., Mashita. Ab initio study on the dimer structures of trimethyla-luminum and dimethylaluminumhydride.// J.Cryst.Growth. 1994. V.145. №1-4. P.472-477.

31. Yoshida S., Sasaki M. In-situ AlAs selective area growth by metalorganic molecular beam epitaxy using dimethylaluminumhydride and tris-dimethylaminoarsine.// J.Crist. Growth. 1995. V.152. №4. P.347-350.

32. Coates G.E., Downs A.J. The vibrational spectrum and structure of trimethyl-gallium.//J. Chem. Soc. 1964. №9. P.3353-3356.

33. Jacko M.G., Price S.J.W. The pyrolysis of trimethyl gallium.// Canad. J. Chem. 1963. V.41. №6. P.1560-1567.

34. Skinner H.A. The strengths of metal-to-carbon bonds.// Adv. Organomet. Chem. 1964. V.2. P.49-114.

35. Травкин H.H., Грибов Б.Г., Румянцева В.П., Тоноян И.Б., Зорина Е.Н. Термографическое исследование металлоорганических соединений. IV.

36. Термическое разложение алкильных соединений галлия.// Ж.общ.химии.1975. Т.45. №2. С.316-319.

37. Фролов И.А., Друзь Б.Л., Фукин К.К., Домрачев Г.А. О механизме термораспада триметилгаллия.// Редколегия ж.кинетика и катализ АН СССР. Н.,1976. 10 с. Деп. в ВИНИТИ 1 марта 1976 г за №755-76 Деп.

38. Иванов JI.C., Фатюшина Н.П., Наливайко Н.Н., Тимашков В.Н., Садофье-ва С.А. Кинетика термораспада триметилгаллия.// Научн.тр.н.-и. и про-ект.ин-та редкомет.пром-ти. Гиредмет. 1982. Т.112. С.10-13.

39. Баев А.К., Губарь Ю.Л. Термическое разложение триметилгаллия.// Ж.физ.химии. 1976. Т.50. №10. С.2722.

40. Коренчук Н.М., Гринберг Е.Е., Морозова Л.Н., Потепалов В.П. Термическое разложение триметилгаллия в потоке гелия и водорода.// Электронная техника. Сер. Материалы. 1973. Вып.5. С.38-41.

41. Слепнев Ю.В., Саломатин Б.А., Иванютин Л.А. О пиролизе органических производных галлия в присутствии арсина.// В сб.: Арсенид галлия. Томск. Томский ун-т. 1976. В.5. С. 107-109.

42. Yoshida М., Watanabe Н., Uesugi F. Mass-spectrometric study of Me3Ga and Et3Ga decomposition reaction in H2 and N2.// J.Electrochem.Soc. 1985. V.132. №3. P.677-679.

43. DenBaars S.P., Maa P.Y., Dapkus P.D., Danner A.D., Lee H.C. Homogeneous and heterogeneous thermal decomposition rates of trimethylgallium and arsine and their relevance to the growth of GaAs by MOCVD.// J.Cryst.Growth. 1986. V.77. №1-2. P.188-193.

44. Larsen C.A., Buchan N.I., Li S.H., Stringfellow G.B. Decomposition mechanisms of trimethylgallium.// J.Cryst.Growth. 1990. V.102. №1-2. P.103-116.

45. Tsuda M., Oikawa S., Morishita M., Mashita M. On the reaction mechanism of the pyrolyses of TMG and TEG in MOCVD growth reactors.// Jap.J.Appl.Phys. 1987. Pt 2. V.26. №5. P.564-566.

46. Donnelly V.M., MsCaulley J.A. Products of thermal decomposition of trieth-ylgallium and trimethylgallium adsorbed on Ga-stabilized GaAs (100).// Surface Sci. 1990. V.238. №1-3. P.34-52.

47. Francis J.T., Benson S.W., Tsotsis T.T. Observation of the methyl radical during the surface decomposition reaction of trimethylgallium .// J.Phys.Chem. 1991. V.95. №12. P.4583-4586.

48. Francis J.T., Benson S.W., Tsotsis T.T. Kinetics of the very low pressure py-rolysis of trimethylgallium and arsine.// J.Cryst.Growth. 1991. V.112. №2-3. P.474-486.

49. Lin R., Cadwell L., Masel R.I. Mass spectroscopic study of the cracking of trimethylgallium in a heated doser.// J.Vac.Sci and Tochnol.A. 1994. V.12. №1. P.179-184.

50. Рабинович И.Б., Нистратов В.П., Тельной В.И., Шейман М.С. Термодинамика металлоорганических соединений. // НР1ГУ. Нижний Новгород. 1996. С.122-125.

51. Hemmert U., Yu M.L. //Appl.Phys.Letters. 1990. V.56. P.1883.

52. Aspnes D.E., Colas E., Studna A.A., Bhat R, Koza M.A., Keramidas V.G. Kinetic limits of monolayer growth on (001) GaAs by organometallic chemical -vapor deposition.// Phys.Rev.Lett. 1988. V.61. №24. P.2782-2785.

53. Omstead T.R., Van Sickle P.M., Lee P.W., Jensen K.F. Gas phase and surface reactions in the MOCVD of GaAs from triethylgallium, triemethylgallium, and tertiarybutylarsine.//J.Cryst.Growth. 1988. V.93. №1-4. P.20-28.

54. Masi M., Simka H., Jensen K.F., Kuech T.F., Potemski R. Simulation of carbon doping of GaAs during MOVPE. // J.Cryst.Growth. 1992. V.124. P.483-492.

55. Петухов Г.Г., Шабанова Н.Н., Щербаков В.Н., Фоминская JI.A. Термораспад триэтилгаллия и трет-бутилата диэтилгаллия.// Тр.по химии и хим.технологии. Горький. 1973.Вып.2(33). С.115-116.

56. Paputa М.С., Price S.J.W. Pyrolysis of the triethylgallium by the toluene carrier technique.//Can .J.Chem. 1979. V.57. №24. P.3178-3181.

57. Александров Ю.А., Макин Г.И., Дружков O.H., Барышников Ю.Ю., Постникова Т.К. Термическое разложение триалкильных соединений галлия.//Ж.общ. химии. 1981. Т.51. №1. С.70-74.

58. Mashita M., Horiguchi S., Shimazu M., Kamon K., Minara M., Ishii M. The pyrolysis temperature of triethylgallium in the presence of arsine or trimeth-ylaluminum.// J. Cryst.Growth. 1986. Y.11. №1-2. P. 194-199.

59. Соколовский A.E., Баев A.K. Исследование теримического разложения триэтилгаллия. //Ж.общ.химии. 1993. Т.63. №6. С.1210-1213.

60. Соколовский А.Е., Черняк И.Н. Термораспад трипропил- и трибутилгал-лия.//Ж.общ.химии. 1997. Т.67. №8. С. 1328-1329.

61. Jacko M.G., Price S.J.W. The pyrolysis of trimethyl indium.// Canad. J. Chem. 1964. V.42. №5. P.l 198-1205.

62. Clark W.D., Price S.J.W. Determination of the mean In-CH3 bond dissociation energy.// Canad. J. Chem. 1968. V.46. №10. P.1633-1634.

63. Buchan N.I., Larsen С.А., Stringfellow G.B. Mass spectrometric studies of trimethylindium pyrolysis.//J.Cryst.Growth. 1988. V.92. №3-4. P. 591-604.

64. Karlicek R., Long J.A., Dihnelly V.M. Thermal decomposition of metalor-ganic compounds used in the MOCVD of Ш\ // J.Cryst.Growth. 1984. V.68. №1. P. 123-127.

65. Разуваев Г.А., Петухов Г.Г., Щербаков В.И., Дружков О.Н., Жильцов О.Ф. Термо- и фотораспад индийорганических соединений. // Ж.общ.химии. 1967. Т.37. №7. С.1516-1520.

66. Щербаков В.И., Жильцов С.Ф., Дружков О.Н., Разуваев Г.А. Термо- и фотораспад органических соединений Ga, In, Та. // Всес.совещ. "МОС для получения металлических и окисных покрытий". Тез.докл. Горький. 1974. С.50.

67. Лохов Н.С., Зорин А.Д., Томадзе А.В., Кузнецова Т.В., Занозина В.Ф., Яблоков В. А. Кинетика термического разложения триэтилиндия.// Ж.общ.химии. 1979. Т.46. В.9. С.1921-1923.

68. Александров Ю.А., Дружков Ю.А., Барышников Ю.Ю., Постникова Т.К., Макин Г.И., Козыркин Б.И. Термическое разложение триалкильных соединений индия.// Ж.общ.химии. 1980. Т.50. №12. С.2642-2645.

69. Fry K.L., Kuo С.Р., Larsen С.А., Cohen R.M., Stringfellow G.B., Melas A. // J. Electron. Mater. 1986. V.15. P.91-99.

70. York P.K., Beernink K.J., Kim J., Coleman J.J., Fernandez G.E., Wayman C.M. Ethyldimethylindium for the growth of InGaAs-GaAs strained-layer lasers by metalorganic chemical vapor deposition.// Appl.Phys.Lett. 1989. V.55. №24. P.2476-2478.

71. Nishikawa Y., Naritsuka S., Ishikawa M., Suzuki M., Kokubun Y. MOCVD growth of InGaAlP using ethyldimethylindium as an In source and application to visible-region lasers.//j.Cryst.Growth. 1990. V.104. №2. P.245-249.

72. Ogasawara M., Kamada H., Imamura Y. Characterization of InP growth by low-pressure MOVPE using ethyldimethylindium and tertiarybutylphosphine.// J.Cryst.Growth. 1991. V. 115. №1-4. P.254-260.

73. Scholz F., Ottenwalder D., Eckel M., Wild M., Frankowsky G., Wacker Т., Hangleiter A. Selective area epitaxy of GalnAs using conventional and nowel group III precursors.// J.Cryst.Growth. 1994. V.145. №1-2. P.242-248.

74. Eckel M., Ottenwalder O., Scholz F., Frankwsky G., Wacker Т., Hangleiter Y. //Appl.Phys.Lett. 1994. V.64. P.854-857.

75. Девятых Г.Г., Кедяркин В.М., Зорин А.Д. Термическое разложение фос-фина и стибина. // Ж.неорг.химии. 1969. №8. Т. 14. С.2011-2015.

76. Stringfellow G.B. A critical appraisal of growth mechanisms in MOVPE. // J.Cryst.Growth. 1984. V.68. №1-2. P.l 11-122.

77. Larsen C.A., Buchan N.I., Stringfellow G.B. Mass-spectrometric study pyroly-sis of PH3 and OMVPE growth layers InP.// J.Cryst.Growth. 1987. V.85. P. 148.

78. Harrous M., Chaput L., Bendraoui A., Cadoret M., ParisetC., Cadoret R. Phos-phine and arsine decomposition in CVD reactors for InP and InGaAs growth.// .//J.Cryst.Growth. 1988. V.92. №3-4. P.423-431.

79. Buchan N.I., Larsen C.A., Stringfellow G.B. A mass spectrometric study of the simultaneous reaction mechanism of TMIn and PH3 to growth InP.// J.Cryst.Growth. 1988. V.92. №3-4. P.605-616.

80. Tamaru K. The decomposition of arsine.// J.Phys.Chem. 1955. V.59. №8. P.777-780.

81. Кедяркин B.M., Зорин А.Д. // Труды по химии и хим. технологии. Горький. 1965. Вып.З. С.161.

82. Фролов И.А., Китаев Е.М., Друзь Б.Л., Соколов Е.Б. Кинетика термораспада арсина в потоке.//Ж.физ.химии. 1977. Т.51. №5. С.1106-1108.

83. Smith G.P., Patrick R. Pyrolysis studies of main group metal-alkyl bond dissociation energies: VLPP of GeMe4, SbEt3, PbEt4, and PEt3.// Int.J.Chem.Kinet. 1983. V.15.№2. P.167-185.

84. Яблоков B.A., Зеляев И.А., Макаров Е.И., Лохов Н.С., Тонина В.А. Термическое разложение алкильных производных фосфора, мышьяка, сурьмы и висмута в газовой фазе.// Тез.докл. 4 Всес.конф.по металлоорган.химии. Казань. 1988. 4.2. С.64

85. Зеляев И.А., Макаров Е.И., Манин Ю.А. Термическое разложение органических соединений элементов V группы.// Всес.конф. "Получ., свойства, анализ и примен.соед.с молек.и кристал.решеткой для нов.техн." 1991. Тез.докл. Н.Новгород. 1991. С.31.

86. Chen C.H., Larsen C.A., Stringfellow G.B., Brown D.W. MOVPE growth of InP using isobutylphosphine and tert-butylphosphine.// J.Cryst.Growth. 1986. V.77. №1-3. P.11-18.

87. Kurtz S.R., Olson J.M., Kibbler A. MOCVD of Ga0 52In0 4gP using tertiarybu-tylphosphine.// J.Electron.Mater. 1989. V.18. №1. P. 15-18.

88. Li S.H., Larsen C.A., Buchan N.I., Stringfellow G.B. Pyrolysis of tertiarybu-tylphosphine.// J.Electron.Mater. 1989. V.18. №3. P.457-464.

89. Li S.H., Buchan N.I., Larsen C.A., Stringfellow G.B. The effect of supplemental t-butyl radicals on the pyrolysis of tertiarybutylarsine, tertiarybutyl-phosphine and ditertiarybutylarsine .// J.Cryst.Growth. 1989. V.98. №3. P.309-316.

90. Li S.H., Buchan N.I., Larsen C.A., Stringfellow G.B. OMVPE growth mechanism for GaP using tertiarybutylphosphine and trimethylgallium.// J.Cryst.Growth. 1989. V.96. №4. P.906-914.

91. Li S.H., Buchan N.I., Larsen C.A., Stringfellow G.B., Kosar W.P., Brown D.W. Study of tertiarybutylphosphine pyrolysis using a deuterated source.// J.Appl.Phys. 1989. V.65. №12. P.5161-5169.

92. Kawakyu Y., Hori H., Ishikawa H., Mashita M. Low pressure metalorganic chemical vapor deposition of InGaP using tertiarybutylphosphine.// J.Cryst.Growth. 1991. V.114. №4. P.561-564.

93. Hincelin G., Zahzouh M., Mellet R., Pougent A.M. Growth of InP in chemical beam epitaxy with high purity tertiarybutylphosphine. // J.Cryst.Growth. 1992. V.120. №1-4. P.l 19-123.

94. Salim S., Lim C.K., Jensen K.F. Gas-phase decomposition reactions of tris(dimethylamino)phosphine, -arsine, and -stibine reagents. // Chim.Mater. 1995. V.7. №3. P.507-516.

95. Ayscough P.B., Emeleus H.J. The pyrolysis of trimethylarsine, tristrifluo-romethylarsine and related compounds.// J.Chem. Soc. 1954. №10. P.3381-3388.

96. Price S.J.W., Richard J.P. The pyrolysis of trimethylarsine.// Can.J.Chem. 1970. V.48. №20. P.3209-3212.

97. Яблоков B.A., Зеляев И.А., Макаров Е.И., Гатилов Ю.Ф., Гонина В.А., Зорин А.Д. Термическое разложение триметил- и триэтиларсина в газовой фазе.//Ж.общ.химии. 1986. Т.56. № 2. С.365-367.

98. Яблоков В.А., Дозоров А.В., Подольская Н.И., Макаров Е.И., Гонина В.А. ИК- спектрометрический метод определения скорости термического разложения тетраметилгермания и триметиларсина в газовой фазе.// Ж.общ.химии. 1988. Т.58. № 9. С.2132-2135.

99. Mortimer С.Т. The metal-carbon bond in metal alkyls.// J.Chem.Education. 1958. V.35. №8. P.381-384.

100. Li S.H., Larsen C.A., Stringfellow G.B. Decomposition mechanisms of trimethylarsine.// J.Cryst.Growth. 1990. V.102. №1-2. P.l 17-125.

101. Яблоков B.A., Зеляев И.А., Макаров Е.И., Гатилов Ю.Ф., Гонина В.А. Термическое разложение триэтиларсина в газовой фазе.// Получ.и анализ чист.в-в. Горький. 1985. С.24-26.

102. Яблоков В.А., Зеляев И.А., Макаров Е.И., Лохов Н.С. Исследование кинетики термического разложения этильных производных мышьяка, сурьмы и висмута.// Ж.общ.химии. 1987. Т.57. № 9. С.2034-2037.

103. Соколовский А.Е., Баев А.К., Блудилина В.И., Губарь Ю.Л. Термическое разложение триэтиларсина. // Металлоорган.химия. 1988. Т.1. № 6. С. 13231326.

104. Li S.H., Larsen С.A., Stringfellow G.B. Comparative pyrolysis studies of ethylarsines. // J.Cryst.Growth. 1991. V.107. №1-4. P.32-36.

105. Li S.H., Larsen C.A., Stringfellow G.B. Radical reactions in pyrolysis of tri-ethylarsine and diethylarsine. // J.Cryst.Growth. 1991. V.l 12. №2-3. P.515-524.

106. Соколовский A.E., Баев A.K. Термическое разложение трипропиларси-на.// Ж.общ.химии. 1994. Т.64. № 7. С. 1117-1119.

107. Ш.Яблоков В.А., Зеляев И.А., Макаров Е.И., Гонина В.А., Каратаев Е.Н. Термическое разложение три-н-проииларсина в газовой фазе.// Получ.и анализ чист.в-в. Горький. 1988. С.33-35.

108. Price S.J.W., Richard J.P. Determination of conditions for the suppression of CH3 + Sb(CH3)3 and evaluation of D(CH3)2-Sb-CH3.// Can.J.Chem. 1972. V.50. №7. P.966-971.

109. Price S.J.W., Trotman-Dickenson A.F. Metal-carbon bonds. Part 3. The py-rolysis of trimethylbismut, trimethylantimony and dimethyltin dichloride.// Trans.Faraday Soc. 1958. V.54. №11. P. 1630-1637.

110. DenBaars S.P., Maa B.Y., Dapcus P.D. // J.Electrochem.Soc. 1989. Y.136. №7. P. 2067.

111. Соколовский A.E., Баев A.K. Кинетика и механизм термораспада диэти-ларсина.//Кинетика и катализ. 1996. Т.37. №3. С.340-342.

112. Redwing J.M., Kuech T.F., Saylys D., Gaines D.F. Study decomposition mechanism of tertiarybutylarsine as precursors As.// J.Cryst.Growth. 1994. V.135. №1-4. P.423-433.

113. Larsen C.A., Buchan N.I., Li S.H., Stringfellow G.B. Decomposition mechanism of tertiarybutylarsine.// J.Cryst.Growth. 1989. V.94. №3. P.663-672.

114. Chen W.K., Ou J., Lee W.J. Organometallic vapor phase epitaxial growth of AlAsxSb!.x films using tertiarybutylarsine.// Jap.J.Appl.Phys. Pt 2. 1994. V.33. №38. Pt 2. P.402-404.

115. Sopanen M., Koljonen Т., Lipsanen ., Tuomi T. Growth of GalnAsSb using t-BuAsH2 . // J.Cryst.Growth. 1994. V.145. №1-4. P.492-497.

116. Mashita M., Ishikawa H., Izumiya T. Comparative study on carbon incorporation in MOCVD AlGaAs layers between arsine and tertiarybutylarsine.// J.Cryst.Growth. 1995. V.155. №3-4. P.164-170.

117. Foster D.F., Glidewell C., Woolley G.R., ColeHamilton D.J. Evidence for reductive elimination of H2 in the decomposition of primary arsines.// J.Electron.Mater. 1995. V.24. №11. P. 1731-1738.

118. Lum R.M., Klingert J.K. Thermochemistry of alkularsine compounds used as arsenic precursors in metalorganic vapor phase epitaxy.// J.Appl.Phys. 1989. V.66. №8. P.3820-3823.

119. Zimmermann G., Plotzmann H., Stolz W., Gobel E.O., Gimmnich P., Greiling A., Lorberth J., Thalmann C., Rademann K. // .Cryst.Growth. 1992. V.136. №1-4. P.142.

120. Larsen C.A., Buchan N.I., Stringfellow G.B. // Appl.Phys.Lett. 1988. V.52. P.480-485.

121. Coates G.E., Gracham J. Trimethylgallium. Part III. Reaction with diphenyl-phosphine and -arsine. // J.Chem.Soc. 1963. №1. P.233-237.

122. Соколовский A.E., Баев A.K. Исследование процессов, протекающих в системе триметилгаллий диэтиларсин.// Ж.общ.химии. 1997. Т.67. №3. С.370-372.

123. Hoshino М. A mass spectrometric study of the decomposition of trimethylar-sine (TMAs) with triethylgallium (TEGa).// Cryst.Growth. 1991. V.110. №4. P.704-712.

124. Соколовский A.E., Баев A.K. Механизм термического разложения в системе триэтилгаллий-триэтиларсин. // Ж.общ.химии. 1993. Т.63. №10. С.2206-2209.

125. Coates G.E., Green M.L.H., Wade К. Organometallic Compounds.// In Or-ganometallic Compounds. V.l. 3 rd Ed. Methuen. London. 1967. P.307.

126. Schlyer D.J., Ring M.A. An examination of the product catalyzed reaction of trimethylgallium with arsine.// J.Organomet.Chem. 1976. V.l 14. P.9-19.

127. Nishizawa J., Kurabayashi T. On the reaction mechanism of GaAs MOCVD.// J.Electrochem.Soc. 1983. V.130. №2. P.413-417.

128. Carli A.T., Gibart P., Druilhe R., Monteil Y., Bouix J., El Jani B. Metal or-ganics vapour phase epitaxy of GaAs: Raman studies of complexes formation.// Revue Phys.Appl. 1985. V.20. P.569-574.

129. Graves R.M., Scuseria G.E. // J.Chem.Phys. 1992. V.96. P.3723-3726.

130. Larsen С.A., Li S.H., Buchan N.I., Stringfellow G.B., Brown D.W. Kinetics of the reaction between trimethylgallium and arsine.// J.Cryst.Growth. 1990. V.102. №1-2. P.126-136.

131. Piocos E.A., Ault B.S. Matrix isolation studies of chemical vapor deposition: isolation and characterization of the trimethylgallium arsine adduct.// J.Am.Chem.Soc. 1989. V.l 11. P.8978-8979.

132. Piocos E.A., Ault B.S. Infrared spectroscopic characterization of the trimethylgallium arsine adduct.// J.Phys.Chem. 1991. V.95. №18. P.6827-6830.

133. Белышева Г.В., Набиев Ш.Ш., Сенников П.Г., Ралдугин Д.А. ИК спектроскопия межмолекулярного взаимодействия триметилгаллия с арсином в жидкой фазе.// Препр./Рос.научн.центр "Курчат.ин-т" (Москва). 1995. №5900/12. С. 1-20.

134. Сенников П.Г., Ралдугин Д.А., Набиев Ш.Ш. ИК спектроскопическое исследование взаимодействия триметилгаллия с арсином в жидкой фазе. // Изв. РАН Сер.хим. 1996. №9. С.2259-2262.

135. Schlyer D.J., Ring М.А. An examination of the product catalyzed reaction of trimethylgallium with phosphine and the mechanism of the chemical vapor deposition of gallium phosphide and gallium arsenide.// J.Electrochem.Soc. 1977. V.124.№4. P.569-573.

136. Thon A., Kuech T.F. High temperature adduct formation of trimethylgallium and ammonia.// Appl.Phys.Lett. 1996. V.69.№1. P.55-57.

137. Liu Z, Lee R.T., Stringfellow G.B. Pyrolysis of tertiarybutylamine alone and with trimethylgallium for GaN growth.// J.Cryst.Growth. 1998. V.191. №1-2. P.1-7.

138. Jones A.C., Roberts J.S., Wright P.J., Oliver P.E., Cockayne B. Growth of AlxGa!.xAs by MOVPE using alternative alkylaluminium precursors.// Chem-tronics. 1988. V.3. №9. P.152-155.

139. Jones A.C. Development in metalorganic precursors for vapour phase epitaxy.// J.Cryst.Growth. 1994. V.145. №1-4. P.505-511.

140. Gladfelter W.L., Boyd D.C, Jensen K.F. Trimethylamine complexes of alane as precursors for the low-pressure chemical vapor deposition of aluminum.// Chem.Mater. 1989. V.l. P.339-343.

141. Wee A.T.S., Murrell A.I., Singh N.K., O^Hare D., Foord I.S. Aluminum film growth by chemical vapor deposition of AlH3(NMe3)2.// J.Chem.Soc.Chem. Commun. 1990. №1. P.l 1-13.

142. Grady A.S, Markwell R.D., Russel D.K., Jones A.C. Infrared studies of exchange and pyrolysis reactions in mixtures of trimethylamine alane and trimethylgallium.// J.Cryst.Growth. 1990. V.106. №2-3. P.239-245.

143. Roberts J.S., Button C.C., David J.P.R, Jones A.C, Rushworth S.A. MOVPE growth of AlGaAs using trimethylamine alane.// J.Cryst.Growth. 1990. V.l04. №3-4. P.857-860.

144. Jones A.C., Rushworth S.A, Bohling D.A, Muhr G.T. Growth of Al.Ga^As by reduced pressure MOVPE using trimethylamine alane.// J.Cryst.Growth. 1990. V.106. №2-3. P.246-252.

145. Jones A.C, Rushworth S.A. Growth of low carbon content AlxGaj.xAs by reduced pressure MOVPE using trimethylamine alane.// J.Cryst.Growth. 1990. V.106. №3.P.253-257.

146. Grady A.S, Markwell R.D, Russel D.K, Jones A.C. Infrared studies of exchange and pyrolysis reactions in mixtures of trimethylamine alane and trieth-ylgallium.// J.Cryst.Growth. 1991. V.l 10. №4. P.739-744.

147. Dubois L.H., Zegarski B.R., Gross M.E., Nuzzo R.G. Aluminum thin film growth by the thermal decomposition of triethylamine alane.// Surface Sci. 1991. V.244. №1-2. P.89-95.

148. Benchimol J.L., Zhang X.Q., Gao Y., LeRoux G., Thibierge H., Alexandre F.A. Chemical beam epitaxy of AlGaAs and AlInAs using trimethylamine alane precursor.// J.Cryst.Growth. 1992. V.120. №1-4. P.189-194.

149. Abernathy C.R., Jordan A.S., Pearton S.J., Ren F., Baiocchi F., Bohlig D.A., Muhr G.T. The feasibility of using trimethylamine alane as an precursor for MOMBE.//J.Cryst.Growth. 1991. V.109. №1-4. P.31-36.

150. Hardtdegen H., Ungermanns Chr., Hollfelder M., Raafat Т., Carius R., Ha-senohrl St., Liith H. Using trimethylgallium and dimethylethylamine alane for AlGa growth. // J.Cryst.Growth. 1994. V.145. №1-4. P.478-484.

151. Hageman P.R., Olsthoorn S.M., Giling L.Y. Growth A^Ga^As high quality in MOVPE low-pressure using dimethylethylamine alane.// J.Cryst.Growth. 1994. Y.142. №1-4. P.284-291.

152. Черняк И.Н., Соколовский A.E., Шишко M.A., Баев А.К. Комплексооб-разование в системах триметилалюминия с триэтиламином и триметилар-сином. // Тез.докл. VI Всеросс.конф.по металлоорганич.химии. 1995. Н.Новгород. Т.1. С. 145.

153. Яблоков B.A., Дозоров A.B., Харчевников B.M. Термическая диссоциация комплекса триметилгаллий-триметиларсин.// Металлоорган.химия. 1988. Т.1. №3. С.638-640.

154. Russell D.K., Grady A.S., Linney R.E., Mahmood Z., Markwell R.D. Association and exchange in dialkylgallanes in toluene solution.// J.Organomet.Chem. 1996. V.506. №1-2. P.327-330.

155. Пашков А.Ю., Вельский В.К., Булычев Б.М., Звукова Т.М. Триметила-миндихлоргаллан (Cl2Ga' NMe3)2 с межметаллической связью Ga Ga.// Изв. АН Сер.хим. 1996. №8. С.2078-2081.

156. Stringfellow G.B., Buchan N.I., Larsen С.A. Reactions in OMVPE growth of InP. // Initial Stages Epitaxial Growth: Symp., Anaheim, Calif., Apr. 22-24. 1987. Pittsburgh (Pa), 1987. P.255-259.

157. Agnello P.D., Ghandhi S.K. A mass spectrometric study of the reaction of trimethylindium with arsine gas.// J.Electrochem.Soc. 1988. V.135. №6. P.1530-1534.

158. Agnello P.D., Chinoy P.B., Ghandhi S.K. A study of indium depletion in the OMVPE growth of GalnAs.// J.Cryst.Growth. 1990. V.102. №3-4. P.775-784.

159. Cheng C.H., Jones K.A., Motyl K.M. MOCVD growth of InGaAs using Me3Ga, AsMe3, AsH3 and Me3In or Et3In and analyses of adducts formed during the growth process.// J.Electron.Mater. 1984. V.13. №4. P.703-726.

160. Moss R.H., Evans I.S. New point of view in metalorganic gases epitaxy InP and GalnAs. // J.Cryst.Growth. 1981. V.55. №1-4. P. 129-134.

161. Walfram P., Reier F.W., Franke D., Schumann H Very high purity InP layers growth by adduct-MOVPE.// J.Cryst.Growth. 1989. V.96. №3. P.691-692.

162. Haigh J., O'Brien S. The mechanism of the growth of InP by MOCVD: a flow-tube investigation of the pyrolysis of the indium precursor.// J.Cryst.Growth. 1984. V.68. №2. P.550-556.

163. Bass S.J., Skolnick M.S., Chudzynska H., Smith L. MOCVD of indium phosphide and indium gallium arsenide using trimethylindium trimethylamine adducts.// J.Cryst.Growth. 1986. V.75. №2. P.221-226.

164. Reaves C.M., Bressler-Hill V., Varma s., Weinberg W.H., DenBaars S.P. Characterization of MOCVD-growth InP on InGaP/GaAs (001).// Surface.Sci. 1995. V.326. №3. P.209-217.

165. Jiang X.S., Clawson A.R., Yu P.K.L. InP-on-InGaAs interface with Ga and In coverage in metalorganic vapor phase epitaxy of InGaAs/InP superlattices.// J.Cryst.Growth. 1995. V.147. №1-2. P.8-12.

166. Stringfellow G.B. Fundamental aspects of vapor growth and epitaxy.// J.Cryst.Growth. 1991. V. 115. № 1 -4. P. 1 -11.

167. Stringfellow G.B. Fundamentals of thin film growth.// J.Cryst.Growth. 1994. V.137. №1-4. P.212-223.

168. Dowben P.A., Spencer J.T., Stauf G.T. Deposition of thin metal and metal silicide films from the decomposition of organometallic compounds.// Ma-ter.Sci.and Eng.B. 1989. V.2. №4. P.297-323.

169. Nobumasa S., Chikashia A., Kazuya Т., Nabuo M. // Japan Appl.Phys. 1986. V.25. №8. Pt 1. P.1236-1242.

170. Protzmann H., Marschner Т., Zsebok O., Stolz W., Gobel E.O. Group III hydride precursors for the metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) of (AlGa)As/GaAs heterostructures. // J.Cryst.Growth. 1991. V.l 15. №1-4. P.248-253.

171. Яблоков В.А., Митрофанова C.B., Булычев Б.М. Термораспад некоторых комплексов алкильных и гидридных соединений алюминия.// Ж.общ.химии. 1997. Т.67. №4. С.543-547.

172. Яблоков В.А., Дозоров А.В., Митрофанова С.В., Явич Б.С. Кинетика совместного термического разложения в газовой фазе триметиларсина и триметилгаллия.//Ж.общ.химии. 1989. Т.59. №10. С.2268-2270.

173. Яблоков В.А., Митрофанова С.В., Дозоров А.В. Термическое разложение диметилэтилиндия. .// Ж.общ.химии. 1997. Т.67. №11. С. 1780-1782.

174. Яблоков В.А., Митрофанова С.В., Княжанский С.Я. Кинетика термического разложения трет-бутилфосфина. .// Ж.общ.химии. 1994. Т.64. №7. С.1113-1116.

175. Яблоков В.А., Дозоров А.В., Митрофанова С.В., Явич Б.С. Термическая диссоциация комплексов Ме3А1 Me3As и Me3In - Me3As в газовой фазе.// Металлоорг.химия. 1991. Т.4. №4. С.762-766.

176. Митрофанова С.В., Яблоков В.А. Термическая стабильность комплекса трет-бутилфосфин тримети л алюминий. // Ж.общ.химии. 1997. Т.67. №12. С.1977-1979.

177. Henrickson C.H., Duffy D., Eyman D.P. Lewis acidity of alanes. Interactions of trimethylalane with amines, ethers, and phosphines. // Inorg.Chem. 1968. V.7. №6. P.1047-1051.

178. Алпатова H.M., Гавриленко В.В., Кесслер Ю.Н., Осипов О.Р., Маслин Д.Н. Комплексы металлоорганических, гидридных и галоидных соединений алюминия. М.: Наука. 1970. 284 с.

179. Охлобыстин О.Ю. Влияние координации на реакционную способность металлоорганических соединений.// Успехи химии. 1967. Т.36. №1. С.34-37.

180. Almenningen A., Fernholt L., Haaland A. The molecular structure of the complex trimethylaluminium trimethylphosphane, (CH3)3A1P(CH3)3, determined by gas phase electron diffraction.// J.Organomet.Chem. 1978. V.145. P.109-119.

181. Wierda D.A., Barron A.R. Adducts of trimethylaluminium with phosphine ligands: X-ray crystal structures of Me3AlP(o-tolyl)3.// Polyhedron. 1989. V.8. №6. P.831-834.

182. Coates G.E., Whitcombe R.A. Coordination complexes of methyl derivatives of indium and tallium. // J.Chem.Soc. 1956. №9. P.3351-3354.

183. Hall J.R., Woodward L.A., Edworth E.A. Raman and infra-red spectra of gallium trimethyl and indium trimethyl. // Spectrochim.acta. 1964. V.20. P.1249-1256.

184. Muller N., Otermat A.L. The molecular weights of trimethylgallium and tri-ethylgallium in solution.// Inorg. Chem. 1965. V.4. №3. P.296-299.

185. Henrickson C.H., Eyman D.P. Lewis acidity of alanes. Interactions of trimethylalane with sulfides. // Inorg. Chem. 1967. V.6. № 8. P. 1461-1465.

186. Abdul-Ridha H.H., Bateman J.E., Growte R.C., Hoge P., Jones A.C., Padda R., Patrikarakos D.G., Pemble M.E. // J.Cryst.Growth. 1994. V.145. №1-4. P. 485-491.

187. Яблоков B.A., Дозоров A.B., Митрофанова C.B., Явич Б.С. Кинетика совместного термического разложения в газовой фазе триметиларсина и триметилвалюминия.//Ж.общ.химии. 1990. Т.60. №9. С.547-578.

188. Герасимов Я.И. Курс физической химии. М.: Химия. 1966. Т.2. С.159.

189. Нечипоренко Г.Н., Петухова Л.Б., Розенберг A.C. Термический распад триалкиламиналанов.//Изв. АН СССР. Сер.хим. 1975. №8. С.1697-1705.

190. Bohling D.A., Abernathy C.R., Jensen K.F. Chemical / surface mechanistic considerations in the design of novel precursors for metalorganic molecular beam epitaxy.// J.Cryst.Growth. 1994. V.136. №1-4. P.l 18-126.

191. Hoffman E.G. Alkyl group exchange/ in aluminium trialkyls detected by proton magnetic resonance. // Trans.Faraday.Soc. 1962. V.58. P.642-649.

192. Hui B.C. US Patent 4720560. 1988.

193. Huang Z.S., Park Chinho, Anderson T.Y. // J.Organometal.Chem. 1993. V.449. № 1-2. P.77-84.

194. Методы элементоорганической химии. Алюминий, галлий, индий./ под ред. Несмеянова А.Н./.- М.: "Наука". 1968.

195. Todt Е., Dötzer R. Darstellung von Indium-trialkylen über In-Mg Legierung oder Mischung. // Z.anorg.allg.Chem.1963. V.321. P.120-123.

196. Tzschach AS., Deylig W. Arsen-organo-Verbindungen. V. Zur Darstellung der Lithium der vate des Mono- und Di-tert.butylarsins.// Z. Anorg. allg. Chem. 1965. V.336. №1-2. P.36-41.

197. АКАДЕМИЯ НАУК РОССИИ ОРДЕНАЛЕНИНА

198. ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ имени А. Ф. ИОФФЕ-Петербург 194021, Полмтехническая ул., 26 мегр. адрес: С.-Петер6ург. К-И, ФТИ

199. Те*. 247-18-73, 247-23-75. 247-91-561.от

200. Акт использования результатов диссертационной работы С.В.Митрофановой «Термическая стабильность газообразных смесей органических производных элементов III и V групп», представленной на соискание ученой степени кандидата химических наук.

201. Зав. Лабораторией ФТИ им. А.Ф.Иоффе профессор, д.т.н.

202. Ст. научный сотрудник ФТИ им. А.Ф.Иоффе к.ф.м.н.

203. БАН ». 159, т. 50 ООО, 1+01-92 Г.